TWI762461B - 具有多組四腔室的設備及處理腔室系統 - Google Patents

具有多組四腔室的設備及處理腔室系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI762461B
TWI762461B TW105143281A TW105143281A TWI762461B TW I762461 B TWI762461 B TW I762461B TW 105143281 A TW105143281 A TW 105143281A TW 105143281 A TW105143281 A TW 105143281A TW I762461 B TWI762461 B TW I762461B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
substrate
cover plate
major surface
chamber
Prior art date
Application number
TW105143281A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201735091A (zh
Inventor
卡希克 加納基拉曼
君卡洛斯 羅莎亞凡利斯
哈利Ｋ 波奈康提
慕庫德 史瑞尼凡生
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201735091A publication Critical patent/TW201735091A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI762461B publication Critical patent/TWI762461B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

用於處理基板的方法及設備包含：界定複數個處理區域的腔室，在每一對處理區域內中央設置的加熱器，每一加熱器具有一第一主要表面及一第二主要表面，該第二主要表面相對該第一主要表面，每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面，及一噴淋頭，以對該等加熱器的每一第一基板接收表面及每一第二基板接收表面的一相對關係放置該噴淋頭。

Description

具有多組四腔室的設備及處理腔室系統
本揭示案之實施例一般相關於半導體基板處理，且更特定地，相關於蝕刻及電漿相關的半導體基板製造處理及相關硬體。
晶片製造設施由廣泛技術組成。在處理或檢查基板的設施中，包含半導體基板(例如，晶圓)的卡匣被繞線至多種站台。半導體處理一般涉及沉積材料於基板上及自基板移除(「蝕刻」及/或「拋光」)材料。典型的處理包含化學氣相沉積(CVD)、電漿增強CVD(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)、電鍍、化學機械拋光(CMP)、蝕刻，諸如此類。
在半導體處理中的一個考量為基板的生產率。一般而言，基板生產率越高，製造成本越低，因而處理基板的成本越低。為了增加基板處理生產率，發展出傳統批次處理腔室。批次處理允許幾個基板同時使用共同流體處理，例如處理氣體、腔室、處理，諸如此類，因而減低儀器成本且增加生產率。理想上，批次處理系統將每一基板曝露於相同的處理環境，由此每一基板針對批次的一致處理而同時接收相同處理氣體及電漿密度。不幸地，批次處理系統內的處理很難控制以使關於每個基板發生一致的處理。結果，眾人皆知批次處理系統為不一致的基板處理。為了達到更好的處理控制，發展出單一腔室基板處理系統，以一次一個之類型的方式在隔絕處理環境內之單一基板上進行處理。不幸地，單一腔室基板處理系統一般不能夠提供如批次處理系統般高的生產速率，因為每一基板必須依序處理。
因此，具有針對基板處理系統的需求，該基板處理系統經配置以提供可控制單一基板系統的一致性及改良的批次處理系統之生產率特性。
本揭示案之實施例一般提供具有一個或更多個腔室的基板處理系統，每一腔室能夠處理四個基板。該一個或更多個腔室包括複數個處理區域及每一處理區域內中央設置的加熱器。每一加熱器包含碟狀構件，具有一第一主要表面及一第二主要表面，該第二主要表面相對第一主要表面。每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面。每一加熱器可為靜電夾具或真空夾具，經配置以夾住基板至該基板的該等主要表面。每一加熱器可為針對在個別腔室內產生RF電漿的電極。每一腔室包含兩個噴淋頭，經配置以流動先質氣體朝向置於個別加熱器上的基板，該等基板放置於該等噴淋頭之間。在一些實施例中，每兩個處理區中的加熱器功能如同與兩個噴淋頭交互作用的單一電極。每一加熱器相對於該等腔室固定，但噴淋頭可在每一腔室中相對於加熱器移動。可藉由機械手葉片傳輸基板進入或離開處理區域，該機械手葉片經配置以利用靜電吸引力抓握基板邊緣或基板的主要表面。
揭露用於處理基板的方法及設備且可包含一腔室，該腔室界定複數個處理區域，每一對處理區域內中央設置一加熱器，每一加熱器具有一第一主要表面及一第二主要表面，該第二主要表面相對該第一主要表面，每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面，及一噴淋頭，以對該等加熱器的每一第一基板接收表面及每一第二基板接收表面的一相對關係放置該噴淋頭。
在另一實施例中，提供四(quad)處理腔室系統且包含一第一四處理腔室，該第一四處理腔室界定一第一複數個隔絕處理區域，包括：一第一基板支撐及一第二基板支撐，放置於該第一四處理腔室中；一第一氣體分配組件，該第一氣體分配組件設置於複數個隔絕處理區域的一第一處理區域及一第二處理區域的一上方端及一下方端處；及一第二氣體分配組件，該第二氣體分配組件設置於複數個隔絕處理區域的一第三處理區域及一第四處理區域的一上方端及一下方端處，其中該等氣體分配組件之每一者可獨立地相對於個別基板支撐移動。
本揭示案之實施例一般提供電漿處理系統，經適用以同時處理多個基板。基板處理系統經配置以針對高品質基板處理、高基板生產率及減低的系統底面積來組合單一基板處理腔室及多個基板操控的優點。
第1A及1B圖個別圖示上方及下方平面視圖，且第2圖圖示示範性四腔室系統100的透視視圖。可使用系統100以執行沉積處理、蝕刻處理、退火處理、或其他熱處理、或其組合。系統100一般自身包含有必要的處理設施，受支撐於主要框架結構105上(展示於第2圖中)。系統100可易於安裝且提供針對操作的快速起動。
系統100一般包含四個不同的區域，稱為前端台階面積110、裝載閘腔室112、及經由隔絕閥120與複數個四處理腔室115溝通的傳輸腔室114。四處理腔室115之每一者可經配置以同時或接近同時處理四個基板，使得系統100可同時或接近同時處理12個基板。
前端台階面積110(一般公知為工廠介面或微型環境)一般包含一封閉體，例如，該封閉體具有放置以經由箱負載器溝通的至少一個含基板卡匣125。系統100也可包含一個或更多個前端基板傳輸機械手130，一般可為單臂機械手，經配置以在前端台階面積110及裝載閘腔室112之間移動基板。一般放置前端基板傳輸機械手130接近卡匣125且經配置以自卡匣125移除基板以供處理，以及一旦處理基板完成時，放置基板於卡匣125中。
前端台階面積110選擇地與裝載閘腔室112溝通，該溝通係經由例如選擇致動閥(未展示)。此外，裝載閘112也可選擇地例如經由另一選擇致動閥與傳輸腔室114溝通。因此，在傳輸一個或更多個基板進入傳輸腔室114以供處理的製程期間，裝載閘腔室112可操作以隔絕基板傳輸腔室114的內部與前端台階面積110的內部。裝載閘腔室112可為例如並列的基板類型腔室、單一基板類型腔室、或多基板類型裝載閘腔室，如技術領域中所公知。
系統100包含設施供應單元135(在第2圖中展示)，可放置於一般接近系統100的任何位置中。然而，為了維持較小的底面積，設施供應單元135可設置於裝載閘腔室112下方。設施供應單元135一般收容用於系統100之操作所需的支援設施，例如氣體面板、功率分配面板、功率產生器、及其他使用以支援半導體蝕刻處理的部件。設施供應單元135一般包含針對四處理腔室115的RF功率、偏壓功率、及靜電功率區段。
系統100可包含處理控制器138，以便控制一個或更多個基板處理功能。在一個實施例中，處理控制器138包含電腦或其他控制器，經適用以分析及顯示系統100的資料輸入/輸出訊號。處理控制器138可在輸出裝置(例如，電腦監視螢幕)上顯示資料。一般而言，處理控制器138包含控制器，例如可程式化邏輯控制器(PLC)、電腦、或其他基於微處理器的控制器。處理控制器138可包含與記憶體電性溝通的中央處理單元(CPU)，其中記憶體包含基板處理程式，當CPU執行該基板處理程式時，提供針對系統100的至少一部分的控制。因此，處理控制器138可接收來自系統100的多種部件的輸入且產生可傳送至系統100的個別部件之控制訊號以控制該等部件之操作。
如第1A圖中所圖示，基板傳輸機械手140可放置於傳輸腔室114的上方內部部分中央。基板傳輸機械手140一般經配置以接收來自裝載閘腔室112的基板，且傳輸接收自裝載閘腔室112的基板至繞著傳輸腔室114的周邊放置的四處理腔室115的其中一者。此外，基板傳輸機械手140一般經配置以在個別四處理腔室115之間傳輸基板，以及自四處理腔室115傳輸基板返回進入裝載閘腔室112。基板傳輸機械手140一般包含具有四個基板支撐構件148的單一四葉片145，基板支撐構件148經配置以同時支撐基板支撐構件148上高至四個基板150(第1A及1B圖中僅展示兩個)。例如，葉片145可包含垂直堆疊的兩個基板支撐構件148，且兩個基板支撐構件148之每一者一般以個別水平面對齊。基板支撐構件148可具有邊緣抓握配置以維持基板支撐構件148上的基板150。此外，基板傳輸機械手140的葉片145選擇地為可延伸的，同時底座為可旋轉的，可允許葉片存取任何四處理腔室115的內部部分、裝載閘腔室112、及/或任何其他繞著傳輸腔室114的周邊放置的腔室。
如第1B圖中所圖示，基板傳輸機械手140可放置於傳輸腔室114的下方內部部分中央。基板傳輸機械手140一般經配置以接收來自裝載閘腔室112的基板，且傳輸接收自裝載閘腔室112的基板至繞著傳輸腔室114的周邊放置的四處理腔室115的其中一者。此外，基板傳輸機械手140一般經配置以在個別四處理腔室115之間傳輸基板，以及自四處理腔室115傳輸基板返回進入裝載閘腔室112。基板傳輸機械手140一般包含具有四個基板支撐構件148的單一四葉片145，基板支撐構件148經配置以同時支撐基板支撐構件148上高至四個基板150(第1B圖中僅展示兩個)。例如，葉片145可包含垂直堆疊的兩個基板支撐構件148，且兩個基板支撐構件148之每一者一般以個別水平面對齊。基板支撐構件148可具有邊緣抓握配置以維持基板支撐構件148上的基板150。此外，基板傳輸機械手140的葉片145選擇地為可延伸的，同時底座為可旋轉的，可允許葉片存取任何四處理腔室115的內部部分、裝載閘腔室112、及/或任何其他繞著傳輸腔室114的周邊放置的腔室。
第3A及3B圖為可使用為第1A、1B及2圖的四處理腔室115之其中一者或更多者的四處理腔室300的一個實施例之多種視圖。第3A圖為四處理腔室300的側面橫截面視圖，且第3B圖為第3A圖的四處理腔室300的部分的透視橫截面視圖。
四處理腔室300包含耦合至第二處理腔室302B的第一處理腔室302A，且第一處理腔室302A及第二處理腔室302B之每一者經配置以同時或接近同時處理兩個基板150。第一處理腔室302A及第二處理腔室302B可平行操作，使得在相同時間量中相似地處理高至四個基板。因此，四處理腔室300增加生產率至少兩倍，同時最小地增加系統底面積，例如第1A、1B、及2圖的系統100。
四處理腔室300包含包含於腔室主體310內的複數個處理容積305A至305D。四處理腔室300包含兩個基板支撐315，基板支撐315之每一者可在基板支撐315的主要表面上支撐基板支撐315上的兩個基板。處理容積305A及305B之每一者共用基板支撐315之其中一者，處理容積305C及305D之每一者共用基板支撐315之另一者。四處理腔室300包含四個氣體分配板或噴淋頭320。噴淋頭320之每一者設置於個別處理容積305A至305D中。腔室主體310包含蓋板325及壁330，包含了處理容積305A至305D。在一些實施例中，可絞接蓋板325，使得可遠離基板支撐315以蛤殼方式放置噴淋頭320以便於基板傳輸。抽吸通道340至少部分環繞處理容積305A至305D。抽吸通道340可對稱繞著雙處理容積305A及305B以及雙處理容積305C及305D的圓周。抽吸通道340與處理容積305A至305D及中央通道345流體溝通，中央通道345耦合至真空幫浦350。抽吸可自噴淋頭320的面板外部為圓周的，但穿過曲徑結構，使得噴淋頭320中的面板及/或開口中或上的沉積不會落於基板150上。
一個或更多個閥355可控制雙處理容積305A及305B以及雙處理容積305C及305D內的傳導路徑。當展示四處理腔室300為在水平面上處理基板150的定向時，可定向腔室主體310使得基板150被垂直處理。
第3A圖中也展示處理氣體供應392，處理氣體供應392提供先質氣體至處理容積305A至305D之每一者。處理氣體供應392可耦合至氣體流動分離裝置393，氣體流動分離裝置393經配置以控制氣體流動至處理容積305A至305D之每一者。在一些實施例中，氣體流動分離裝置393包含氣體流動控制器395及/或氣體流動計397。可使用氣體流動計397及氣體流動控制器395以控制複數個處理區域(例如，處理容積305A至305D)之每一者之間的氣體流動。在一些實施例中，氣體流動分離裝置393包括流動阻抗元件399以提供實質等同於複數個處理區域(例如，處理容積305A至305D)之每一者的氣體流動。
在第3B圖中，更詳細描述四處理腔室300的第一處理腔室302A。然而，可配置第二處理腔室302B相似於第一處理腔室302A。
在一個實施例中，基板支撐315可藉由緊固器(未展示)以懸臂方式固定至腔室主體310的壁330。在一些實施例中，基板支撐315分叉第一處理腔室302A，使得處理容積305A及305B在大小上實質相等。基板支撐315包含第一主要表面362及相對的第二主要表面364，第一主要表面362及第二主要表面364之每一者經配置以接收及固定該等表面上的基板150。
在一個態樣中，基板支撐315包含加熱器360。選擇地，或除此以外，基板支撐315耦合至電源366以如同靜電夾具的功能。在一個範例中，基板支撐315為選擇地在個別第一主要表面362及第二主要表面364上夾住基板150的雙極夾具。在其他實施例中，基板支撐315可為加熱的真空夾具，選擇地在個別第一主要表面362及第二主要表面364上夾住基板150。處理控制器138(在第1B圖中展示)可耦合至四處理腔室300(在第3A圖中展示)，以便控制個別處理容積305A至305D(在第3A圖中展示)中的基板處理參數。可使用處理控制器138以控制RF功率及/或調諧RF功率至處理容積305A至305D之每一者。例如，處理控制器138可為RF調諧裝置，可利用以鎖定RF電源(例如，第3B圖中展示的電源374)的輸出訊號。也可利用處理控制器138以使用相位鎖定及頻率鎖定之其中至少一者來鎖定RF電源之每一者的輸出頻率。可利用處理控制器138以控制閥355的致動。也可利用處理控制器138以控制基板支撐315的溫度，諸如此類功能。
噴淋頭320之每一者包含穿孔板，具有在輸出面372(例如，面板)中的開口370。輸出面372之每一者相對基板支撐315的第一主要表面362及第二主要表面364。噴淋頭320之每一者可由傳導性材料製成，例如金屬，且功能可如同處理容積305A及305B內的電極。噴淋頭320可耦合至電源374，電源374可為射頻應用器，且經利用以形成輸出面372及基板支撐315之間的處理氣體之電漿。因此，基板支撐315可由傳導性材料製成，以功能如同被噴淋頭320共用的電極。
噴淋頭320之每一者可耦合至平移系統376，平移系統376相對於基板支撐315的第一主要表面362及第二主要表面364移動個別穿孔板。平移系統376可包含致動器378，致動器378控制輸出面372及基板支撐315的第一主要表面362及第二主要表面364之間的間隔。在一個範例中，致動器378可藉由桿382耦合至蓋覆蓋板380。桿382可為耦合至環384的螺紋狀構件，在移動期間維持噴淋頭320的定向。例如，環384可藉由支撐構件385耦合至致動器378，且在噴淋頭320的移動期間一個或更多個導引桿386與環384交界。支撐構件385也可使用中央軸件388耦合，中央軸件388設置於蓋覆蓋板380中的開口390中。中央軸件388可固定至噴淋頭320。中央軸件388也可服務如同針對噴淋頭320的氣體管道，使得來自處理氣體供應392的氣體可輸送至噴淋頭320。在一些實施例中，第一處理腔室302A可包含放置於第一處理腔室302A及第二處理腔室302B之間的RF屏蔽394(在第3A圖中展示)。RF屏蔽394可包含經適用以吸收或反射RF能量的材料。例如，RF屏蔽299可包含金屬，例如鋼及鋁，且也可包含電磁隔絕材料。
第4圖為可用於第1A、1B及2圖的傳輸腔室114中的基板支撐構件148的基板支撐構件400的一個實施例之透視視圖。基板支撐構件400包含支撐臂405，每一支撐臂405具有一個或更多個邊緣抓握構件410。雖然僅展示兩個邊緣抓握構件410，基板支撐構件400可包含更多邊緣抓握構件410，例如三個邊緣抓握構件410。支撐臂405及邊緣抓握構件410之其中一者或兩者可在箭頭方向上側向移動(朝向及遠離基板150的邊緣)。在其他實施例中，邊緣抓握構件410可為夾鉗裝置，選擇地接合基板150的邊緣。
支撐臂405包含第一表面415及相對於第一表面415的第二表面420。相似地，邊緣抓握構件410包含第一表面425及相對的第二表面430。根據基板支撐構件400是否傳輸基板150至基板支撐315的第一主要表面362或第二主要表面364(兩者皆在第3B圖中展示)，第一表面415及第二表面420之個別平面以及第一表面425及第二表面430之平面不會延伸超過基板150的第一主要表面435或第二主要表面440的平面。例如，如果欲放置基板150或自基板支撐315的第二主要表面364(在第3B圖中展示)移除基板150，支撐臂405的第一表面415及邊緣抓握構件410的第一表面425與基板150的第一主要表面435的平面共平面或稍微自第一主要表面435的平面凹陷(如下方第4圖中所展示)。在一些實施例中(未展示)，基板支撐315的第一主要表面362及第二主要表面364(兩者皆在第3B圖中展示)可包含對應於邊緣抓握構件410的位置的凹陷或切口，繞著基板150的圓周接收基板支撐315的表面。凹陷或切口經配置以允許針對邊緣抓握構件410的間隔，以在邊緣抓握構件410的第一表面425及/或第二表面430的平面不與基板150的第一主要表面435或第二主要表面440共平面時支撐基板150。
第5A及5B圖為處理腔室500的多種視圖，展示使用第4圖的基板支撐構件400的基板傳輸處理的一個範例。處理腔室500可為第3A圖的四處理腔室115的第一處理腔室302A或第二處理腔室302B。所描繪的處理腔室500為第3A圖的四處理腔室115的部分，且包含兩個處理容積，例如第一處理容積505A及第二處理容積505B。雖然未展示四處理腔室115的另一處理腔室，描述於第5A及5B圖中的基板傳輸處理可相似於及/或同時發生於耦合至處理腔室500的另一處理腔室。
第5A圖為處理腔室500的示意橫截面視圖。第5B圖為處理腔室500的示意等距橫截面視圖。在基板支撐315的第一主要表面362上展示基板150。展示基板支撐構件400經由基板傳輸埠510延伸進入第一處理容積505A。支撐臂405(第5B圖中僅展示一個)環繞基板150的周邊邊緣部分(可抓握基板150處)。
第6A至6D圖為處理腔室500的多種視圖，展示使用第4圖的基板支撐構件400的基板傳輸處理的另一範例。雖然未展示第3A圖的四處理腔室115的另一處理腔室，描述於第6A及6B圖中的基板傳輸處理可相似於及/或同時發生於耦合至處理腔室500的另一處理腔室。
第6A及6B圖為處理腔室500的示意橫截面視圖，其中基板150支撐於基板支撐構件400上。基板支撐構件400經由基板傳輸埠510在如展示的X方向上進入處理容積505B。基板150的背側600稍微與基板支撐315的第二主要表面364間隔開(在Z方向上)，使得基板150不會接觸基板支撐315。
第6C圖為處理腔室500的示意橫截面視圖，且第6D圖為處理腔室500的示意等距橫截面視圖。在第6C圖中，基板支撐315被賦能(例如，靜電地或應用真空)使得基板被吸引至基板支撐315的第二主要表面364。邊緣抓握構件410(僅展示一個)釋放基板150，且基板150有效地夾鉗於基板支撐315的第二主要表面364上，如第6D圖中所展示。雖然未展示，基板可傳輸至基板支撐315的第一主要表面362，同時傳輸基板150至第二主要表面364上。在基板150夾鉗後，基板支撐構件400可經由基板傳輸埠510縮回離開處理腔室500。可密封基板傳輸埠510且處理可開始。此外，雖然未展示，用於四處理腔室的其他處理容積的基板(例如，第3A圖的四處理腔室115)可同時傳輸至所有處理容積。自處理容積移除處理基板的傳輸處理可為描述於第6A至6D圖中的處理之實質反向。同時執行移除處理。
前述係本揭示案的實施例，可修改本揭示案的其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍，且該範圍由隨後的申請專利範圍所決定。
100‧‧‧系統105‧‧‧主要框架結構110‧‧‧前端台階面積112‧‧‧裝載閘腔室114‧‧‧傳輸腔室115‧‧‧四處理腔室120‧‧‧隔絕閥125‧‧‧卡匣130‧‧‧前端基板傳輸機械手135‧‧‧設施供應單元138‧‧‧處理控制器140‧‧‧基板傳輸機械手145‧‧‧葉片148‧‧‧基板支撐構件150‧‧‧基板299‧‧‧RF屏蔽300‧‧‧四處理腔室302A‧‧‧第一處理腔室302B‧‧‧第二處理腔室302C‧‧‧第三處理腔室302D‧‧‧第四處理腔室305A-305D‧‧‧處理容積310‧‧‧腔室主體315‧‧‧基板支撐320‧‧‧噴淋頭325‧‧‧蓋板330‧‧‧壁340‧‧‧抽吸通道345‧‧‧中央通道350‧‧‧真空幫浦355‧‧‧閥360‧‧‧加熱器362‧‧‧第一主要表面364‧‧‧第二主要表面366‧‧‧電源370‧‧‧開口372‧‧‧輸出面374‧‧‧電源376‧‧‧平移系統378‧‧‧致動器380‧‧‧蓋覆蓋板382‧‧‧桿384‧‧‧環385‧‧‧支撐構件386‧‧‧導引桿388‧‧‧中央軸件390‧‧‧開口392‧‧‧處理氣體供應393‧‧‧氣體流動分離裝置394‧‧‧RF屏蔽395‧‧‧氣體流動控制器397‧‧‧氣體流動計399‧‧‧流動阻抗元件400‧‧‧基板支撐構件405‧‧‧支撐臂410‧‧‧邊緣抓握構件415‧‧‧第一表面420‧‧‧第二表面425‧‧‧第一表面430‧‧‧第二表面435‧‧‧第一主要表面440‧‧‧第二主要表面500‧‧‧處理腔室505A‧‧‧第一處理容積505B‧‧‧第二處理容積510‧‧‧基板傳輸埠600‧‧‧背側
於是可以詳細理解達成本揭示案上述特徵中的方式，可藉由參考實施例(圖示於所附圖式中)而具有本揭示案的更特定描述(簡短總結如上)。然而，注意所附圖式僅圖示本揭示案典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
第1A及1B圖圖示示範性四腔室系統的相對側面之平面視圖。
第2圖圖示第1A及1B圖的示範性四腔室系統的透視視圖。
第3A圖為可用於第1A及1B圖的系統的四處理腔室的一個實施例之側面橫截面視圖。
第3B圖為第3A圖的四處理腔室之部分的透視橫截面視圖。
第4圖為可用於第1A及1B圖的傳輸腔室的基板支撐構件的一個實施例之透視視圖。
第5A及5B圖為處理腔室的多種視圖，展示基板傳輸處理的一個範例。
第6A至6D圖為處理腔室的多種視圖，展示基板傳輸處理的另一範例。
為了便於理解，儘可能使用相同用詞，以標示圖式中常見的相同元件。思量揭露於一個實施例中的元件可有利地使用於其他實施例，而無須特定敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
150:基板
300‧‧‧四處理腔室
302A‧‧‧第一處理腔室
302B‧‧‧第二處理腔室
305A-305D‧‧‧處理容積
310‧‧‧腔室主體
315‧‧‧基板支撐
320‧‧‧噴淋頭
325‧‧‧蓋板
330‧‧‧壁
340‧‧‧抽吸通道
345‧‧‧中央通道
350‧‧‧真空幫浦
355‧‧‧閥
392‧‧‧處理氣體供應
393‧‧‧氣體流動分離裝置
395‧‧‧氣體流動控制器
397‧‧‧氣體流動計
399‧‧‧流動阻抗元件

Claims (20)

  1. 一種用於半導體處理的設備，包括：一四(quad)處理腔室，該四處理腔室界定複數個隔絕處理區域，每一處理區域具有在個別處理區域內中央設置的一加熱器，每一加熱器具有一第一主要表面及一第二主要表面，該第二主要表面面對該第一主要表面的一相對方向，每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面；噴淋頭，對應於該第一基板接收表面及該第二基板接收表面之每一者，以對個別基板接收表面之每一者的一相對關係放置該等噴淋頭之每一者；一蓋板，對應於每一處理區域；及一致動器，可操作該致動器以藉由一氣體管道來耦合至該等噴淋頭之每一者，該氣體管道放置於在該蓋板中形成的一開口中以用於供應一氣體至每一個別的噴淋頭，每一致動器耦合至放置於該等處理區域外部的一個別環，使用該致動器以在移動期間維持個別的該等噴淋頭的定向。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該等噴淋頭可獨立地相對於該等基板接收表面移動。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該等噴淋頭之 每一者耦合至一電源且每一噴淋頭為該等處理區域中的一第一電極。
  4. 如請求項3所述之設備，其中每一加熱器包括一第二電極。
  5. 如請求項1所述之設備，其中每一加熱器包括一靜電夾具。
  6. 如請求項1所述之設備，其中每一加熱器包括一真空夾具。
  7. 如請求項1所述之設備，進一步包括：一射頻電源，該射頻電源連接至該等噴淋頭之每一者，其中該射頻電源的輸出訊號被鎖定在一起；及每一加熱器包含耦合至一偏壓電源的一偏壓電極。
  8. 如請求項7所述之設備，進一步包括：一射頻屏蔽構件，該射頻屏蔽構件放置於相鄰處理區域中的兩個噴淋頭之間，該射頻屏蔽構件電磁地隔絕該等噴淋頭。
  9. 如請求項7所述之設備，進一步包括：一射頻電源控制器，該射頻電源控制器耦合至該等噴淋頭，以使用一相位鎖定及一頻率鎖定之其中至少一者來鎖定該等RF電源之每一者的輸出頻率。
  10. 如請求項1所述之設備，進一步包括：一氣體流動計及流體地耦合至一第一氣體路徑的氣體流 動控制器，其中該氣體流動計及該氣體流動控制器經配置以控制該複數個處理區域之每一者之間的氣體流動。
  11. 如請求項1所述之設備，進一步包括：一傳輸腔室，該傳輸腔室耦合至該四處理腔室，該傳輸腔室包含一基板支撐構件，該基板支撐構件包括複數個邊緣抓握構件，該等邊緣抓握構件經適用以接觸一基板的一邊緣。
  12. 一種處理腔室系統，包括：一第一四(quad)處理腔室，該第一四處理腔室界定一第一複數個隔絕處理區域，包括：一第一基板支撐及一第二基板支撐，放置於該第一四處理腔室中；一第一蓋板，該第一蓋板設置於該第一四處理腔室的一上方端處，相鄰於該第一複數個隔絕處理區域的一第一處理區域；一第二蓋板，該第二蓋板設置於該第一四處理腔室的一下方端處，相鄰於該第一複數個隔絕處理區域的一第二處理區域；一第三蓋板，該第三蓋板設置於該第一四處理腔室的該上方端處，相鄰於該第一複數個隔絕處理區域的一第三處理區域； 一第四蓋板，該第四蓋板設置於該第一四處理腔室的該下方端處，相鄰於該第一複數個隔絕處理區域的一第四處理區域；一第一氣體分配組件，該第一氣體分配組件設置於該第一處理區域的一上方端處，相鄰於該第一蓋板，且第二氣體分配組件設置於該第一複數個隔絕處理區域的該第二處理區域的一下方端處；及一第三氣體分配組件，該第三氣體分配組件設置於相鄰於該第三蓋板的該第三處理區域的一上方端處，及一第四氣體分配組件，該第四氣體分配組件設置於該第一複數個隔絕處理區域的該第四處理區域的一下方端處，其中該第一、第二、第三、及第四氣體分配組件之每一者可獨立地相對於個別基板支撐移動，且該第一、第二、第三、及第四氣體分配組件之每一者耦合至一個別中央軸件及位於該個別中央軸件徑向向外的導引桿，其中穿過開口來設置每一中央軸件及對應的導引桿，在一第一、第二、第三、及第四覆蓋板之每一個別覆蓋板中形成該等開口，且其中一個別環在個別處理區域外部耦合至該第一、第二、第三、及第四氣體分配組件之每一者，該環維持移動期間個別氣體分配組件的定向，且其中該中央軸件包括用於個別第一、第二、第三、及第四氣體分配組件的一氣體 管道。
  13. 如請求項12所述之系統，進一步包括：一第二四處理腔室，放置該第二四處理腔室相鄰於該第一四處理腔室，該第二四處理腔室界定一第二複數個隔絕處理區域。
  14. 如請求項12所述之系統，其中該第一及該第二氣體分配組件之每一者耦合至一電源以作用如同一電極。
  15. 如請求項12所述之系統，其中該等基板支撐之每一者包括一加熱器。
  16. 如請求項14所述之系統，進一步包括介於該第一及該第二氣體分配組件之間的一RF屏蔽。
  17. 如請求項15所述之系統，其中該等基板支撐之每一者進一步包括一電極。
  18. 如請求項12所述之系統，進一步包括：一傳輸腔室，該傳輸腔室耦合至該第一四處理腔室，該傳輸腔室包含一基板支撐構件，該基板支撐構件包括複數個邊緣抓握構件，該等邊緣抓握構件經適用以接觸一基板的一邊緣。
  19. 一種用於半導體處理的設備，包括：一四(quad)處理腔室，該四處理腔室界定兩個處理區域； 兩個加熱器，在該兩個處理區域之每一者內中央設置該兩個加熱器，每一加熱器具有一第一主要表面及一第二主要表面，該第二主要表面相對該第一主要表面，每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面，且每一加熱器包含耦合至一偏壓電源的一偏壓電極；一噴淋頭，在該等處理區域之每一者中設置該噴淋頭，以對每一第一基板接收表面及每一第二基板接收表面的一相對關係放置每一噴淋頭，每一噴淋頭可藉由一致動器及一螺釘來獨立地相對於該等基板接收表面移動，該致動器耦合至一個別環及個別的噴淋頭，該螺釘延伸穿過該四處理腔室的一蓋板中的一開口，以維持移動期間個別的噴淋頭的定向，其中該環包含可移動地設置於該環中的複數個導引桿，其中每一個別環設置於該兩個處理區域外部；及複數個射頻電源，該等射頻電源之每一者連接至每一噴淋頭，其中該等射頻電源的輸出訊號被鎖定在一起。
  20. 如請求項19所述之設備，進一步包括：一傳輸腔室，該傳輸腔室耦合至該兩個處理區域，該傳輸腔室包含一基板支撐構件，該基板支撐構件包括複數個邊緣抓握構件，該等邊緣抓握構件經適用以接觸一基板的 一邊緣。
TW105143281A 2015-12-30 2016-12-27 具有多組四腔室的設備及處理腔室系統 TWI762461B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562273285P 2015-12-30 2015-12-30
US62/273,285 2015-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201735091A TW201735091A (zh) 2017-10-01
TWI762461B true TWI762461B (zh) 2022-05-01

Family

ID=59226747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105143281A TWI762461B (zh) 2015-12-30 2016-12-27 具有多組四腔室的設備及處理腔室系統

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170194174A1 (zh)
KR (1) KR20170080517A (zh)
TW (1) TWI762461B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11482434B2 (en) * 2016-10-18 2022-10-25 Belting E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Systems and methods for workpiece processing
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
TW202104656A (zh) * 2019-03-28 2021-02-01 美商蘭姆研究公司 噴淋頭護罩
US12080571B2 (en) * 2020-07-08 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Substrate processing module and method of moving a workpiece
CN112538619A (zh) * 2020-11-05 2021-03-23 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) 一种射频电源的控制方法及装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5423936A (en) * 1992-10-19 1995-06-13 Hitachi, Ltd. Plasma etching system
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US6132517A (en) * 1997-02-21 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Multiple substrate processing apparatus for enhanced throughput
US6251191B1 (en) * 1997-11-14 2001-06-26 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing system
US20080011424A1 (en) * 2005-08-05 2008-01-17 Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia Multi-station decoupled reactive ion etch chamber
TW200836291A (en) * 2006-10-04 2008-09-01 Applied Materials Inc Apparatus and method for substrate clamping in a plasma chamber
TW201248721A (en) * 2011-05-31 2012-12-01 Applied Materials Inc Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6610150B1 (en) * 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
US6962644B2 (en) * 2002-03-18 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Tandem etch chamber plasma processing system
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US20080246493A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-09 Gardner Delrae H Semiconductor Processing System With Integrated Showerhead Distance Measuring Device
CN202888133U (zh) * 2009-09-29 2013-04-17 应用材料公司 用于将射频功率耦合到等离子体腔室的装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5423936A (en) * 1992-10-19 1995-06-13 Hitachi, Ltd. Plasma etching system
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
US6132517A (en) * 1997-02-21 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Multiple substrate processing apparatus for enhanced throughput
US6251191B1 (en) * 1997-11-14 2001-06-26 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing system
US20080011424A1 (en) * 2005-08-05 2008-01-17 Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia Multi-station decoupled reactive ion etch chamber
TW200836291A (en) * 2006-10-04 2008-09-01 Applied Materials Inc Apparatus and method for substrate clamping in a plasma chamber
TW201248721A (en) * 2011-05-31 2012-12-01 Applied Materials Inc Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor

Also Published As

Publication number Publication date
US20170194174A1 (en) 2017-07-06
KR20170080517A (ko) 2017-07-10
TW201735091A (zh) 2017-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI762461B (zh) 具有多組四腔室的設備及處理腔室系統
TWI784924B (zh) 在原位上自半導體處理模組移除並更換可消耗的零件之系統
US5667592A (en) Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
TWI802439B (zh) 具有空間分離的單個晶圓處理環境
US5863170A (en) Modular process system
US20210090936A1 (en) Carrier plate for use in plasma processing systems
JP2014505362A (ja) 半導体基板の可変密度プラズマ処理
US20070227033A1 (en) Substrate transferring apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
US20160293459A1 (en) Apparatus for processing sustrate and semiconductor fabrication line including the same
KR20230145013A (ko) 깨끗한/더러운 기판 핸들링을 위한 엔드 이펙터 어셈블리
JP2019167618A (ja) 真空処理装置及びトレイ
JP2019099882A (ja) Ｐｖｄ処理方法およびｐｖｄ処理装置
WO2022086927A1 (en) Thermally uniform deposition station
KR102691905B1 (ko) 공간적 증착 툴을 동작시키는 방법들
US8709270B2 (en) Masking method and apparatus
US20130149469A1 (en) Combinatorial rf bias method for pvd
US11479855B2 (en) Spatial wafer processing with improved temperature uniformity
JP2022505629A (ja) 補完的なパターンのステーション設計
JP7494291B2 (ja) 半導体装置用の収着チャンバ壁
CN118156114A (zh) 等离子体处理装置和清洁方法
KR20240156370A (ko) 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법
US20080202410A1 (en) Multi-substrate size vacuum processing tool