KR20140147556A - 냉각 유닛 및 이를 이용한 냉각 방법, 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 설비 전방 단부 모듈, 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버, 그리고 복수의 공정 챔버를 포함하며, 상기 로드락 챔버는 상기 공정 챔버에서 공정처리가 완료된 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하며, 상기 냉각 유닛은 내부에 공간이 형성되고 일면에 가스 유입구가 형성되며, 기판이 놓이는 지지 핀들이 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성된 냉각 챔버; 상기 가스 유입구를 향해 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 주입부; 및 상기 냉각 챔버 내부로 공급된 냉각 가스와, 상기 기판에서 발생한 흄을 상기 냉각 챔버 외부로 ㅂ배기하는 가스 배기부를 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 냉각하는 장치에 관한 것이다.
반도체는 일반적으로 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등을 위한 일련의 단위 공정들이 순차적으로 수행됨으로써 제조된다. 반도체 제조 설비는 로드포트, 설비 전방 단부 모듈, 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버, 그리고 공정챔버를 포함한다. 로드포트는 기판이 수납된 캐리어를 지지하고, 설비 전방 단부 모듈은 로드포트와 로드락 챔버간에 기판을 이송하는 이송로봇을 포함한다. 로드락 챔버에는 공정처리가 완료된 기판이 로드 포트로 이송되기 전, 또는 공정 처리에 제공되는 기판이 공정챔버로 이송되기 전에 대기한다. 트랜스퍼 챔버는 로드락 챔버와 공정챔버간에 기판을 이송한다.
기판은 공정처리가 진행되는 동안 고온으로 가열되며, 가열된 상태로 로드락 챔버에 제공된다. 기판은 캐리어에 수납되기 전, 로드락 챔버에서 냉각 공정을 거친다.
냉각 공정은 주로 전도와 대류 방식이 사용된다. 전도 방식은 기판에 열응력(thermal stress)를 야기하고, 파티클을 발생시키는 문제가 있다. 대류 방식은 주로 대기압 상태에서 진행되며 열응력 및 파티클 발생을 완화하는 이점이 있으나 냉각 속도가 느려 공정 처리율을 떨어뜨린다.
본 발명은 기판을 신속하고, 균일하게 냉각할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판으로 파티클 제공을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 설비 전방 단부 모듈, 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버, 그리고 복수의 공정 챔버를 포함하며, 상기 로드락 챔버는 상기 공정 챔버에서 공정처리가 완료된 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하며, 상기 냉각 유닛은 내부에 공간이 형성되고 일면에 가스 유입구가 형성되며, 기판이 놓이는 지지 핀들이 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성된 냉각 챔버; 상기 가스 유입구를 향해 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 주입부; 및 상기 냉각 챔버 내부로 공급된 냉각 가스와, 상기 기판에서 발생한 흄을 상기 냉각 챔버 외부로 ㅂ배기하는 가스 배기부를 포함한다.
또한, 상기 가스 주입부는 상기 가스 유입구를 향해 냉각 가스를 분사하는 분사홀들이 형성되고, 내부에 상기 분사홀들과 통하는 확산 공간이 형성되며, 기판보다 큰 반경을 갖는 가스 주입 블록; 및 상기 가스 주입 블록과 연결되며, 상기 확산 공간으로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
또한, 상기 분사홀들을 내측에 두고 상기 가스 주입 블록의 가장자리영역을 따라 에어 커튼 홀들이 형성되고, 상기 가스 주입 블록의 가장자리영역과 마주하는 상기 냉각 챔버의 일면에는 에어 유입 홀들이 상기 에어 커튼 홀들과 상하방향으로 동일 선상에 형성될 수 있다.
또한, 상기 에어 커튼 홀들은 상기 가스 주입 블록의 둘레를 따라 지그재그(zigzag) 형태로 배열될 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록의 내부에는 상기 확산 공간을 상기 분사홀들이 형성된 영역에 대응하는 중심 영역과, 상기 중심영역을 에워싸며 상기 에어 커튼 홀들이 형성된 영역에 대응하는 가장자리영역으로 구획하는 구획판이 제공되고, 상기 가스 공급 라인은 상기 중심 영역으로 가스를 공급하는 제1라인; 및 상기 자장자리영역으로 가스를 공급하는 제2라인을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2라인은 상기 제1라인보다 큰 압력으로 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록은 상기 제2라인과 연결되며, 상기 제2라인으로부터 멀어질수록 유로가 점차 증가하는 주입부를 가지며, 상기 주입부에는 상기 제2라인에서 공급되는 가스의 흐름을 양 갈래로 나누는 분배블록이 제공될 수 있다.
또한, 상기 분배 블록은 제1면; 및 상기 제1면과 소정 각도를 이루는 제2면을 포함하고, 상기 제1면과 상기 제2면이 만나 형성하는 상기 분배 블록의 모서리는 상기 주입부로 유입되는 가스 방향과 마주할 수 있다.
또한, 상기 냉각 챔버의 내부 공간은 상기 지지핀들에 놓인 기판보다 높게 위치하고, 상기 가스 주입 블록은 상기 냉각 챔버의 하부에서 냉각 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 냉각 챔버의 내부 공간은 상기 지지핀들에 놓인 기판보다 낮은 높이에 위치하고, 상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 하부벽에 형성된 유입홀을 통해 가스를 배기하고, 상기 가스 주입 블록은 상기 냉각 챔버의 내부 공간에서 상기 기판의 후면으로 냉각 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 냉각 챔버의 내부 공간은 상기 지지핀들에 놓인 기판보다 낮은 높이에 위치하고, 상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 하부벽에 형성된 유입홀을 통해 가스를 배기하고, 상기 가스 주입 블록은 상기 냉각 챔버의 상부에서 상기 기판의 전면으로 냉각 가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 내부 공간을 상기 기판과 마주하는 제1영역과 상기 냉각 챔버의 내측면과의 사이에서 상기 제1영역을 에워싸는 제2영역으로 구획하며, 상기 기판에서 발생한 흄이 배기되는 배기홀들이 상기 기판과 마주하는 면에 형성된 구획부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 구획부는 상기 냉각 챔버의 상부벽 아래에서 상기 기판과 마주하며, 상기 배기홀들이 형성된 제1구획벽; 및 상기 제1구획판의 가장자리영역에서 아래로 연장되고 상기 냉각 챔버의 측벽과 소정 거리를 유지하는 링 형상의 제2구획벽을 포함하며, 상기 제2구획벽의 반경은 상기 기판보다 작을 수 있다.
또한, 상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 상부벽 중심에 형성된 유입홀과 연결되며, 상기 냉각 챔버의 내부 가스를 유입하여 외부로 배출하는 가스 배기 라인; 및 상기 유입홀을 중심으로 방사상으로 배치되며, 상기 제2영역을 복수의 공간으로 구획하는 구획판들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 구획판들은 상기 유입홀의 둘레를 따라 등간격으로 배치되는 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에서 공정 처리가 완료된 기판을 로드락 챔버로 이송하고, 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 머무는 동안 상기 기판을 냉각하되, 상기 로드락 챔버 내에는, 일 면에 가스 유입구가 형성되고 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 지지 핀들이 형성된 냉각 챔버가 제공되고, 상기 기판은 상기 지지 핀들의 상단에 놓이고, 상기 기판과 마주하는 가스 주입 블록의 주입홀들로부터 상기 가스 유입구를 향해 냉각가스를 공급하며, 상기 냉각 가스는 상기 지지 핀들의 사이 공간을 통해 상기 냉각 챔버 내부로 유입되고, 가스 배기 라인을 통해 상기 냉각 챔버 외부로 배기될 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록의 가장자리영역에는 에어 커튼 홀들이 형성되고, 상기 냉각 챔버의 일면에는 에어 유입 홀들이 상기 에어 커튼 홀들과 마주 형성되며, 상기 에어 커튼 홀들에서 분사된 가스는 상기 에어 유입홀들로 유입되며 에어 커튼을 형성하되, 상기 에어 커튼은 상기 주입홀들에서 분사되는 상기 냉각 가스의 둘레를 에워쌀 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록의 내부 공간은 상기 주입홀들과 통하는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역을 둘러싸며 상기 에어 커튼 홀들과 통하는 가장자리영역으로 구획되며, 상기 중앙 영역에는 제1압력으로 가스가 공급되고, 상기 가장자리영역에는 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 가스가 공급될 수 있다.
또한, 상기 냉각 챔버의 내부에는 상기 냉각 챔버의 내부공간을 상기 기판과 마주하는 제1영역과, 상기 냉각 챔버의 내측면과의 사이에서 상기 제1영역을 에워싸는 제2영역으로 구획하며, 상기 기판과 마주하는 일 면에 배기홀들이 형성된 구획부가 제공되며, 상기 냉각 챔버 내부로 유입된 냉각 가스는 대부분 상기 제2영역을 따라 흐르고, 상기 기판에서 발생한 흄은 대부분 상기 제1영역으로 흘러 상기 배기홀들로 유입될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛은 내부에 공간이 형성되고 일면에 가스 유입구가 형성되며, 기판이 놓이는 지지 핀들이 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성된 냉각 챔버; 상기 가스 유입구에 인접 배치되고, 상기 지지 핀들에 놓인 기판과 마주하는 일면에 냉각 가스를 분사하는 분사홀들이 형성된 가스 주입 블록; 및 상기 냉각 챔버 내부로 공급된 냉각 가스와, 상기 기판에서 발생한 흄을 상기 냉각 챔버 외부로 배기하는 가스 배기부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록은 상기 기판보다 큰 반경을 가지고, 상기 분사홀들의 외측에서 상기 가스 주입 블록의 둘레를 따라 에어 커튼 홀들이 형성되며, 상기 냉각 챔버는 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성되며 상기 에어 커튼 홀들과 상하방향으로 동일 선상에 위치하는 에어 주입 홀들을 가질 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록의 내부는 상기 분사홀들이 형성된 영역에 대응하는 중심 영역과, 상기 중심영역을 에워싸며 상기 에어 커튼 홀들이 형성된 영역에 대응하는 가장자리영역이 서로 구획된 공간으로 제공되고, 상기 중심 영역으로 가스를 공급하는 제1라인; 및 상기 자장자리영역으로 가스를 공급하는 제2라인을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록은 상기 제2라인과 연결되며, 상기 제2라인으로부터 멀어질수록 유로가 점차 증가하는 주입부를 가지며, 상기 주입부에는 상기 제2라인에서 공급되는 가스의 흐름을 양 갈래로 나누는 분배블록이 제공될 수 있다.
또한, 상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 상부벽 아래에서 상기 기판과 마주하며, 배기홀들이 형성된 제1구획벽; 및 상기 제1구획판의 가장자리영역에서 아래로 연장되고 상기 냉각 챔버의 측벽과 소정 거리를 유지하는 링 형상의 제2구획벽을 포함하며, 상기 제2구획벽의 반경은 상기 기판보다 작을 수 있다.
또한, 상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 상부벽 중심에 형성된 유입홀과 연결되며, 상기 냉각 챔버의 내부 가스를 유입하여 외부로 배출하는 가스 배기 라인; 및 상기 냉각 챔버의 상부벽과 상기 제1구획벽 사이 공간에서 상기 유입홀을 중심으로 방사상으로 배치되며, 상기 냉각 챔버의 상부벽과 상기 제1구획벽 사이를 복수의 공간으로 구획하는 구획판들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 방법은 일 면에 가스 유입구가 형성되고 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 지지 핀들이 형성된 냉각 챔버 내부로 기판을 제공하고, 상기 지지 핀들의 상단에 기판을 안착시키며, 상기 기판과 마주하는 가스 주입 블록의 주입홀들로부터 상기 가스 유입구를 향해 냉각가스를 공급하고, 상기 냉각 챔버 내부로 유입된 냉각 가스를 가스 배기 라인을 통해 상기 냉각 챔버 외부로 배기한다.
또한, 상기 가스 주입 블록의 가장자리영역에는 에어 커튼 홀들이 상기 주입홀들의 둘레를 따라 형성되고, 상기 냉각 챔버의 일면에는 에어 유입 홀들이 상기 에어 커튼 홀들과 마주 형성되며, 상기 에어 커튼 홀들에서 분사된 가스는 상기 에어 유입홀들로 유입되며 에어 커튼을 형성하되, 상기 에어 커튼은 상기 주입홀들에서 분사되는 상기 냉각 가스의 둘레를 에워쌀 수 있다.
또한, 상기 가스 주입 블록의 내부 공간은 상기 주입홀들과 통하는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역을 둘러싸며 상기 에어 커튼 홀들과 통하는 가장자리영역으로 구획되며, 상기 중앙 영역에는 제1압력으로 가스가 공급되고, 상기 가장자리영역에는 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 가스가 공급될 수 있다.
또한, 상기 냉각 챔버의 내부에는 상기 냉각 챔버의 내부공간을 상기 기판과 마주하는 제1영역과, 상기 냉각 챔버의 내측면과의 사이에서 상기 제1영역을 에워싸는 제2영역으로 구획하며, 상기 기판과 마주하는 일 면에 배기홀들이 형성된 구획부가 제공되며, 상기 냉각 챔버 내부로 유입된 냉각 가스는 대부분 상기 제2영역을 따라 흐르고, 상기 기판에서 발생한 흄은 대부분 상기 제1영역으로 흘러 상기 배기홀들로 유입될 수 있다.
본 발명에 의하면, 냉각 가스가 기판의 전체면으로 균일하게 제공되어 기판이 균일하게 냉각된다.
또한, 본 발명에 의하면, 냉각 챔버 내부로 냉각 가스의 공급과 배기가 동시에 일어나므로 냉각 가스의 강제 대류로 기판이 신속하게 냉각된다.
또한, 본 발명에 의하면, 외부 공기의 유입이 차단되고, 냉각 가스가 기판의 상부 영역 외측으로 이동하므로 기판으로 파티클 공급이 최소화될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 B-B'선에 따른 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 주입 블록의 상면을 나타내는 도면이다.
도 6과 도 7은 본 발명의 다양한 실시 예에 따라 도 3의 "C" 영역을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판을 냉각하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 D-D'선에 따른 단면을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 가스가 주입부로 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 12와 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 분배 블록을 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따라 기판을 냉각하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 배기부를 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기부를 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 주입 블록을 나타내는 평면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 주입 블록을 나타내는 평면도이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 B-B'선에 따른 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 주입 블록의 상면을 나타내는 도면이다.
도 6과 도 7은 본 발명의 다양한 실시 예에 따라 도 3의 "C" 영역을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판을 냉각하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 D-D'선에 따른 단면을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 가스가 주입부로 공급되는 과정을 나타내는 도면이다.
도 12와 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 분배 블록을 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따라 기판을 냉각하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 배기부를 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기부를 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 주입 블록을 나타내는 평면도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 주입 블록을 나타내는 평면도이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM, 10)과 공정 처리실(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)은 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(EFEM, 10)과 공정 처리실(20)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 정의한다.
설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 처리실(20) 전방에 장착되며, 기판이 수납된 캐리어(16)와 공정 처리실(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 로드 포트(12)와 프레임(14)을 포함한다.
로드 포트(12)는 프레임(14) 전방에 배치되며, 복수 개 제공된다. 로드 포트(12)들은 서로 이격하여 제2방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 캐리어(16)(예를 들어, 카세트, FOUP 등)는 로드 포트(12)들에 각각 안착된다. 캐이어(16)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다.
프레임(14)은 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22) 사이에 배치된다. 프레임(14) 내부에는 로드 포트(12)와 로드락 챔버(22)간에 기판(W)을 이송하는 이송로봇(18)이 배치된다. 이송로봇(18)은 제2방향(Y)으로 구비된 이송레일(19)을 따라 이동가능하다.
공정처리실(20)은 로드락 챔버(22), 트랜스퍼 챔버(24), 그리고 복수 개의 공정 챔버(30)를 포함한다.
로드락 챔버(22)는 트랜스퍼 챔버(24)와 프레임(14) 사이에 배치되며, 공정에 제공될 기판(W)이 공정 챔버(30)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(22)는 하나 또는 복수 개 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 로드락 챔버(22)는 두 개 제공된다.
트랜스퍼 챔버(24)는 제1방향(X)을 따라 로드락 챔버(22)의 후방에 배치되며, 상부에서 바라볼 때 다각형의 몸체(25)를 갖는다. 몸체(25)의 외측에는 로드락 챔버(22)들과 복수 개의 공정 챔버(30)들이 몸체(25)의 둘레를 따라 배치된다. 실시예에 의하면, 트랜스퍼 챔버(24)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 인접한 두 측벽에는 로드락 챔버(22)가 각각 배치되고, 나머지 측벽에는 공정 챔버(30)들이 배치된다. 몸체(25)의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성된다. 통로는 트랜스퍼 챔버(24)와 로드락 챔버(22) 간에, 또는 트랜스퍼 챔버(24)와 공정 챔버(30) 간에 기판(W)이 출입하는 공간을 제공한다. 각 통로에는 통로를 개폐하는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(24)는 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(24)의 내부에는 반송로봇(26)이 배치된다. 반송로봇(26)은 로드락 챔버(22)에서 대기하는 미처리 기판(W)을 공정 챔버(30)로 이송하거나, 공정 챔버(30)에서 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(22)로 이송한다. 반송 로봇(26)은 공정 챔버(30)들에 순차적으로 기판(W)을 제공할 수 있다.
공정 챔버(30)는 기판 처리 공정을 수행한다. 공정 챔버(30)는 플라스마 상태의 가스를 기판으로 공급하여 공정 처리를 수행할 수 있다. 실시예에 의하면, 공정 챔버(30)는 애싱(Ashing) 공정, 에칭(etching) 공정, 증착(deposition) 공정 등을 수행할 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 로드락 챔버(22)는 대기 유닛(100)과 냉각 유닛(200)을 포함한다. 로드락 챔버(22)는 상하방향으로 2열 배열되고, 각 열에는 대기 유닛(100)과 냉각 유닛(200)이 제공된다. 대기 유닛(100)은 공정에 제공될 기판(W)이 기판 처리 장치(30)로 이송되기 전에 대기하는 공간으로 제공된다. 냉각 유닛(200)은 공정 처리가 완료된 기판(W)이 캐리어(16)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. 냉각 유닛(200)은 공정 처리 과정에서 상온보다 높은 온도로 가열된 기판(W)을 신속하게 냉각한다. 대기 유닛(100)과 냉각 유닛(200)은 상하방향으로 적층 배치될 수 있다. 실시예에 의하면, 대기 유닛(100)은 로드락 챔버(22)의 하부 영역에 각각 한 개씩 제공되고, 냉각 유닛(200)은 대기 유닛(100)의 상부에서 복수 개가 적층 배치될 수 있다. 냉각 유닛(200)은 각 열에 3개씩 적층 배치될 수 있다. 대기 유닛(100)과 냉각 유닛(200)의 개수 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛을 간략하게 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3의 B-B'선에 따른 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 냉각 유닛(200)은 냉각 챔버(210), 냉각 가스 주입부(230), 가스 배기부(250), 그리고 구동부(270)를 포함한다. 냉각 챔버(210)는 기판(W) 냉각이 수행되는 공간을 제공하고, 냉각 가스 주입부(230)는 기판(W)으로 냉각 가스를 공급한다. 가스 배기부(250)는 냉각 챔버(210) 내부로 공급된 냉각 가스와 냉각과정에서 발생한 흄을 냉각 챔버(210) 외부로 배기한다.
냉각 챔버(210)는 내부에 공간이 형성되고, 일면에는 가스 유입구(212)가 형성된다. 가스 유입구(212)는 냉각 챔버(210)의 하부벽에 형성되며, 내부 공간(211과 통한다. 가스 유입구(212)는 기판(W)보다 작은 반경을 갖는 원형 홀로 제공될 수 있다. 냉각 챔버(210)에는 지지 핀(214)들이 형성된다. 지지 핀(214)들은 가스 유입구(212)에 인접하여 가스 유입구(212)의 둘레를 따라 서로 이격하여 형성되며, 냉각 챔버(210)의 하부벽에서 위쪽으로 소정 높이로 돌출된다. 지지 핀(214)들의 상단에는 기판(W)이 놓인다.
냉각 챔버(210)의 하부벽에는 에어 유입 홀(215)들이 형성된다. 에어 유입 홀(215)들은 지지 핀(214)들이 배치된 반경보다 큰 반경으로 가스 유입구(212)의 외측에 형성된다. 에어 유입 홀(215)들은 후술하는 에어 주입 홀(235)들과 상하방향으로 동일 선상에 배열된다. 에어 유입 홀(215)들은 냉각 챔버(210)의 내부와 외부를 연결하는 관통홀로 제공된다.
냉각 챔버(210)의 상부벽에는 유입홀(217)이 형성된다. 유입홀(217)은 가스 배기부(250)와 연결되며, 냉각 챔버(210) 내부의 가스가 외부로 배기되는 통로를 제공한다.
냉각 가스 주입부(230)는 가스 주입 블록(231)과 가스 공급 라인(241)을 포함한다. 가스 주입 블록(231)은 소정 두께를 갖는 원판으로, 일면이 가스 유입구(212)와 마주 배치한다. 실시예에 의하면, 가스 주입 블록(231)은 냉각 챔버(210)의 하부에 위치하고, 상면이 가스 유입구(212)와 마주 배치한다. 가스 주입 블록(231)은 가스 유입구(212)보다 큰 반경을 갖는다. 가스 주입 블록(231)의 내부에는 확산 공간(232)이 형성되고, 가스 유입구(212)와 마주하는 일면에는 분사홀(233)들과 에어 커튼 홀(235)들이 형성된다. 분사홀(233)들과 에어 커튼 홀(235)들은 확산 공간(232)과 통한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 주입 블록의 상면을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 분사홀(233)들은 가스 주입 블록(231)의 중심으로부터 소정 반경 영역에 균일하게 형성한다. 분사홀(233)들이 형성된 영역은 가스 유입구(212)에 상응하거나 그보다 큰 반경을 가질 수 있다.
에어 커튼 홀(235)들은 분사홀(233)들이 형성된 영역(234) 둘레를 따라 형성된다. 에어 커튼 홀(235)들은 가스 주입 블록(231)의 가장자리영역을 따라 형성될 수 있다.
도 6과 도 7은 본 발명의 다양한 실시 예에 따라 도 3의 "C" 영역을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 분사홀(233)은 상부영역(233a)과 하부영역(233b)의 반경이 상이할 수 있다. 상부 영역(233a)은 반경이 동일한 원형 홀이고, 하부 영역(233b)은 아래로 갈수록 반경이 점차 커지는 깔때기 형상으로 제공될 수 있다. 분사홀(233)의 하부 영역(233b) 형상은 냉각 가스의 유입을 용이하게 한다.
도 7을 참조하면, 분사홀(233)은 아래쪽에서 위쪽으로 갈수록 반경이 점차 작아지게 제공될 수 있다.
분사홀의 형상은 도 6 및 도 7에 도시된 형상에 제한되지 않고, 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 가스 공급 라인(242)은 가스 주입 블록(231)과 연결되며, 확산 공간(232)으로 냉각 가스를 공급한다. 냉각 가스는 확산 공간(232)에서 확산되며, 대부분은 분사홀(233)들을 통해 가스 주입구(212)를 향해 공급되고, 일부는 에어 커튼 홀(235)들을 통해 냉각 챔버(210) 측으로 공급된다.
가스 배기부(250)는 구획부(251)와 가스 배기 라인(256)을 포함한다.
구획부(251)는 냉각 챔버(210) 내부에 배치되며, 냉각 챔버(210) 내부를 제1영역(211a)과 제2영역(211b)으로 구획한다. 제1영역(211a)은 지지 핀(214)들에 놓인 기판(W)과 마주하는 공간으로 기판(W)의 상부에 위치한다. 제2영역(211b)은 구획부(251)와 냉각 챔버(210)의 내측면 사이에서 제1영역(211a)을 에워싼다.
구획부(251)는 제1구획벽(251a)과 제2구획벽(251b)을 가진다. 제1구획벽(251a)은 소정 반경을 가지며 두께가 얇은 원판으로 제공된다. 제1구획벽(251a)은 냉각 챔버(210)의 상부벽과 소정 거리로 이격된다. 제1구획벽(251a)에는 배기홀(252)들이 형성된다. 배기홀(252)들은 관통홀로 제1구획벽(251a)의 각 영역에 균일하게 형성된다.
제2구획벽(251b)은 제1구획벽(251a)의 가장자리영역에서 아래로 연장된다. 제2구획벽(251b)은 하면이 개방된 원통 형상으로, 하단이 기판(W)과 소정 거리를 유지한다. 제2구획벽(251b)은 공정 챔버(210)의 내측면과 소정 거리를 유지한다. 제2구획벽(251b)은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다.
제1구획벽(251a)과 제2구획벽(251b)이 형성하는 내측 공간은 제1영역(211a)으로 제공되고, 공정 챔버(210)의 내측면과 구획부(251)의 사이 공간은 제2영역(211b)으로 제공된다.
가스 배기 라인(256)은 냉각 챔버(210)의 상부벽 중심 영역에 연결된다. 가스 배기 라인(256)은 유입홀(217)과 통하며, 진공압을 냉각 챔버(210) 내부에 인가한다. 가스 배기 라인(256)은 냉각 챔버(210)에서 배기되는 가스가 외부로 이동하는 통로를 제공한다
구동부(270)는 냉각 챔버(210)와 가스 주입 블록(231) 중 어느 하나를 이동시켜 냉각 챔버(210)와 가스 주입 블록(231)의 사이 간격을 조절한다. 실시예에 의하면, 구동부(270)는 냉각 챔버(210)를 승강시켜 가스 주입 블록(231)과의 사이 간격을 조절한다.
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도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판을 냉각하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 가스 공급 라인(242)을 통해 가스 주입 블록(231)의 확산 공간(232)으로 냉각 가스(g)가 공급된다. 냉각 가스(g)는 확산 공간(232)에서 확산되며 대부분이 분사홀(233)들을 통해 가스 유입구(212)로 공급된다. 냉각 가스(g)는 기판(W)과 부딪히며, 기판(W)과 지지 핀(214)들 사이 공간을 통해 냉각 챔버(210) 내부로 유입된다. 구획부(251)는 기판(W)보다 작은 반경을 가지므로, 냉각 가스(g)들이 제1영역(211a)으로 유입되는 것을 제한된다. 냉각 가스(g)는 가스 배기 라인(256)을 통해 인가된 진공압에 의해 제2영역(211b)을 통해 대부분 이동한다. 냉각 가스(g)가 냉각 챔버(210) 내부로 공급됨과 동시에 냉각 챔버(210) 외부로 배기되므로, 냉각 챔버(210) 내부에는 빠른 유속의 냉각 가스(g) 흐름이 발생한다. 냉각 가스(g)의 강제 대류는 기판(W)을 냉각하고, 냉각 과정에서 기판(W)의 상면에서 흄(f)이 발생한다.
구획부(251)는 냉각 가스(g)의 강제 흐름을 제2영역(211b)으로 안내하며, 기판(W)의 냉각 과정에서 발생하는 파티클이 기판(W)으로 유입되는 것을 최소화한다.
에어 커튼 홀(235)들에서 배출된 냉각 가스(g1)는 위쪽으로 직선 이동하여 에어 유입 홀(215)들로 유입된다. 냉각 가스(g1)는 냉각 챔버(210)와 가스 주입 블록(231)의 사이 공간에 에어 커튼을 형성한다. 에어 커튼(g1)은 분사홀(233)들을 통해 가스 유입구(212)로 공급되는 냉각 가스(g2)의 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 분사홀(233)들을 통해 가스 유입구(212)로 공급되는 냉각 가스(g2)는 압력이 주변 압력보다 낮으므로 주변 공기가 냉각 가스(g2)와 함께 가스 유입구(212)로 빨려들어갈 수 있다. 에어 커튼(g1)은 주변 공기가 가스 유입구(212) 측으로 유입되는 것을 차단하므로, 외부 파티클이 냉각 챔버(210) 내부로 유입이 최소화된다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 도면이고, 도 10은 도 9의 D-D'선에 따른 단면을 나타내는 도면이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 가스 주입 블록(331)의 내부에는 구획판(336)이 제공된다. 구획판(336)은 소정 반경을 갖는 링 형상의 판으로, 확산 공간(332)을 중심 영역(332a)과 가장자리영역(332b)으로 구획한다. 중심 영역(332a)은 분사홀(333)들이 형성된 영역에 대응하는 공간으로, 분사홀(333)들과 통한다. 가장자리영역(332b)은 에어 커튼 홀(335)들이 형성된 영역에 대응하는 공간으로, 중심 영역(332a)을 에워싼다.
가스 주입 블록(331)은 주입부(337)를 가진다. 주입부(337)는 가스 주입 블록(331)과 가스 공급 라인(342)이 연결되는 영역으로, 가스 공급 라인(342)으로부터 멀이질수록 유로가 점차 증가한다. 주입부(337)는 가장자리영역(332b)과 통한다.
가스 공급 라인(341, 342)은 제1라인(341)과 제2라인(342)을 포함한다. 제1라인(341)은 가스 주입 블록(331)의 중심영역(332a)과 연결되며, 중심영역(332a)으로 냉각 가스를 공급한다. 제2라인(342)은 주입부(337)와 연결되며, 가장자리영역(332b)으로 가스를 공급한다. 제2라인(342)은 제1라인(341)과 동종의 가스를 공급할 수 있다. 이와 달리, 제2라인(342)은 제1라인(341)과 이종의 가스를 공급할 수 있다. 제2라인(342)은 제1라인(341)보다 큰 압력으로 가스를 공급할 수 있다.
주입부(337)에는 분배 블록(338)이 제공된다. 분배 블록(338)은 제2라인(342)에서 공급되는 가스의 흐름을 양 갈래로 분리한다. 분배 블록(338)은 제1면(338a)과 제2면(338b)이 소정 각도를 이룬다. 제1면(338a)과 제2면(338b)이 만나 형성하는 분배 블록(338)의 일 모서리는 제2라인(342)에서 유입되는 가스 방향과 마주한다. 가스(g)는 도 11과 같이, 분배 블록(338)의 모서리에서 양 갈래로 분리되고, 제1면(338a)과 제2면(338b)을 따라 이동한다. 가스(g)는 일부가 분배 블록(338)의 우측으로, 나머지가 분배 블록(338)의 좌측으로 이동하며 가장자리영역(332b)으로 유입된다. 실시예에 의하면, 분배 블록(338)은 마름모 형상의 단면을 갖는다.
도 12와 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 분배 블록을 나타내는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 분배 블록(358)은 반원 형상의 단면을 갖는다. 호 형상의 일면(358a)은 제2라인(342)에서 유입되는 가스 방향과 마주한다. 가스는 양 갈래로 나뉘어져 일부는 분배 블록(358)의 일측으로 이동하고, 나머지는 분배 블록(358)의 타측으로 이동한다.
도 13을 참조하면, 분배 블록(368)은 삼각 형상의 단면을 갖는다. 분배 블록(368)의 제1면(368a)과 제2면(368b)은 소정 각도를 이루며, 제1면(368a)과 제2면(368b)이 만나 형성하는 모서리는 제2라인(342)에서 유입되는 가스 방향과 마주한다. 가스는 분배 블록(368)의 모서리에서 양 갈래로 분리되고, 제1면(368a)과 제2면(368b)을 따라 이동한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따라 기판을 냉각하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 14를 참조하면, 제1라인(341)을 통해 가스 주입 블록(331)의 중심 영역(332a)으로 냉각 가스(g1)가 공급되고, 제2라인(342)을 통해 가스 주입 블록(331)의 가장자리영역(332b)으로 가스(g1)가 공급된다. 중심영역(332a)으로 공급된 냉각 가스(g1)는 분사홀(333)들을 통과하여 가스 유입구(212)로 공급된다. 냉각 가스(g1)는 기판(W)과 부딪히며, 기판(W)과 지지 핀(214)들 사이 공간을 통해 냉각 챔버(210) 내부로 유입된다. 이 과정에서 기판(W)은 냉각 가스(g1)에 의해 신속하게 냉각된다.
가스 주입 블록(331)의 가장자리영역(332b)으로 공급된 가스(g2)는 에어 커튼 홀(335)들을 통과하고, 에어 주입 홀(215)들로 유입된다. 가스(g2)는 가스 유입구(212)로 공급되는 냉각 가스(g1) 둘레를 에워싸며, 주변 공기가 가스 유입구(212) 측으로 유입되는 것을 차단한다. 에어 커튼 홀(335)들에서 공급되는 가스(g2) 흐름은 분사홀(333)들에서 공급되는 가스(g1) 흐름보다 빠르므로, 주변 공기가 가스 유입구(212) 측으로 유입되는 것이 효과적으로 차단될 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 배기부를 나타내는 단면도이다.
도 15를 참조하면, 가스 배기부(250)는 구획판(257)을 더 포함한다. 구획판(257)은 냉각 챔버(210)와 구획부(251) 사이 공간(211b)에 제공될 수 있다. 구획판(257)은 복수 개 제공되며, 유입홀(217)을 중심으로 방사상으로 배치된다. 구획판(257)들은 유입홀(217)의 둘레를 따라 등간격으로 배치된다. 실시예에 의하면, 구획판(257)들은 냉각 챔버(210)의 측벽과 제2구획벽(251b) 사이에 제공될 수 있다. 구획판(257)들은 제2영역(211b)을 복수의 공간으로 구획하며, 구획된 공간들은 동일한 볼륨을 갖는다. 냉각 챔버(210)의 내부로 유입된 냉각 가스는 구획된 공간들 각각으로 균일한 유량으로 유입된 후, 유입홀(217)로 이동한다. 냉각 챔버(210)의 내부에는 가스 흐름이 균일하게 발생하고, 와류 발생이 예방된다. 이러한 가스 흐름은 기판(W)으로 파티클 공급을 최소화한다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기부를 나타내는 단면도이다.
도 16을 참조하면, 구획판(258)들은 일단이 냉각 챔버(210)의 내측면과 접하고, 타단이 유입홀(217)에 인접한 위치까지 제공된다. 구획판(268)들은 냉각 가스의 흐름을 유입홀(217)에 인접한 지점까지 안내한다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 17을 참조하면, 유입홀(217)은 냉각 챔버(210)의 측벽 상부 영역에 형성된다. 가스 배기 라인(256)은 냉각 챔버(210)의 측벽과 연결되며, 냉각 챔버(210)의 측방향으로 가스를 배기한다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 주입 블록을 나타내는 평면도이다.
도 18을 참조하면, 에어 커튼 홀(235a, 235b)들은 가스 주입 블록(231)의 둘레를 따라 지그재그(zigzag) 형상으로 배열된다. 제1에어 커튼 홀(235a)들은 제2에어 커튼 홀(235b)들보다 가스 주입 블록(231)의 중심에 인접한 지점에서 링 형상으로 배열된다. 제2에어 커튼 홀(235b)들은 제1에어 커튼 홀(235a)들 사이에 위치하며, 서로 조합되어 링 형상으로 배열된다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 주입 블록을 나타내는 평면도이다. 도 19를 참조하면, 분사홀(433)들과 에어 커튼 홀(435)들은 호 형상의 슬릿 홀로 제공된다. 분사홀(433)들은 복수 개가 조합하여 동심을 가지며 반경이 상이한 링 형상으로 배열된다. 에어 커튼 홀(435)들은 가스 주입 블록(431)의 가장자리영역에서 링 형상으로 배열된다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 20을 참조하면, 가스 주입 블록(461)의 상면에는 분사홀(463)들이 전 영역에 균일하게 형성된다. 가스 주입 블록(461)의 내부에는 구획판(466)이 제공되며, 확산 공간을 중심 영역(462a)과 가장자리영역(462b)으로 구획한다. 제1라인(471)은 중심영역(462a)으로 냉각 가스를 공급하고, 제2라인(472)은 가장자리영역(462b)으로 냉각 가스를 공급한다. 제2라인(472)은 제1라인(471)보다 높은 압력으로 냉각 가스를 공급한다. 냉각 가스는 중심영역(462a)과 가장자리영역(462b)을 거쳐 분사홀(463)들로 분사되며, 가스 유입구(212)로 공급된다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 21을 참조하면, 냉각 챔버(510)의 상부벽에는 가스 유입구(512)가 형성되고, 하부벽에는 유입홀(517)이 형성된다. 지지 핀(514)들은 가스 유입구(512)의 둘레를 따라 서로 이격하여 형성되며, 냉각 챔버(510)의 상부벽으로부터 상부로 돌출된다. 지지 핀(514)들의 상단에는 기판(W)이 놓인다.
가스 주입 블록(531)은 냉각 챔버(510)의 상부에 위치한다. 가스 주입 블록(531)의 내부에는 확산공간(532)이 형성되고, 저면에는 분사홀(533)들이 형성된다. 분사 홀(533)들에서 공급된 냉각 가스(g)는 기판(W)과 지지핀(514)들 사이 공간을 통과하여 냉각 챔버(510) 내부로 공급된다. 냉각 가스(g)는 유입홀(517)로 유입되고, 가스 배기 라인(556)을 통해 냉각 챔버(510) 외부로 배기된다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 22를 참조하면, 냉각 챔버(610)의 상부벽에는 가스 유입구(612)가 형성되고, 하부벽에는 유입홀(617)이 형성된다. 지지 핀(614)들은 가스 유입구(612)의 둘레를 따라 서로 이격하여 형성되며, 냉각 챔버(610)의 상부벽에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(614)들의 상단에는 기판(W)이 놓인다.
가스 주입 블록(631)은 냉각 챔버(610)의 내부에 위치한다. 가스 주입 블록(631)의 내부에는 확산공간(632)이 형성되고, 상면에는 분사홀(633)들이 형성된다. 분사 홀(633)들에서 공급된 냉각 가스(g)는 기판(W)의 후면으로 공급되어 기판(W)을 냉각한다. 냉각 가스(g)는 기판(W)으로 제공된 후 냉각 챔버(610) 내부 공간을 거쳐 유입홀(617)로 유입된다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 냉각 유닛을 나타내는 도면이다.
도 22를 참조하면, 냉각 챔버(711)의 상부벽에는 가스 유입구(712)가 형성되고, 하부벽에는 유입홀(717)이 형성된다. 지지 핀(714)들은 가스 유입구(712)의 둘레를 따라 서로 이격하여 형성되며, 냉각 챔버(711)의 상부벽으로부터 상부로 돌출된다. 지지 핀(714)들의 상단에는 기판(W)이 놓인다.
제1가스 주입 블록(721)은 냉각 챔버(711)의 상부에 위치한다. 제1가스 주입 블록(721)의 내부에는 확산공간(722)이 형성되고, 저면에는 분사홀(723)들이 형성된다. 분사홀(723)들에서 공급된 냉각 가스(g1)는 기판(W)의 전면으로 제공되고, 기판(W)과 지지핀(714)들 사이 공간을 통과하여 냉각 챔버(711) 내부로 공급된다.
제2가스 주입 블록(731)은 냉각 챔버(711)의 내부에 위치한다. 제2가스 주입 블록(731)의 내부에는 확산공간(732)이 형성되고, 상면에는 분사홀(733)들이 형성된다. 분사 홀(733)들에서 공급된 냉각 가스(g2)는 기판(W)의 후면으로 공급된다.
냉각 가스(g1, g2)는 냉각 챔버(711) 내부를 거쳐 유입홀(717)로 유입되고, 가스 배기 라인(756)을 통해 냉각 챔버(711) 외부로 배기된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
20: 공정 처리실 22: 로드락 챔버
30: 공정 챔버 100: 대기 유닛
200: 냉각 유닛 210: 냉각 챔버
230: 냉각 가스 주입부 250: 가스 배기부
270: 구동부 212: 가스 유입구
214: 지지 핀 231: 가스 주입 블록
232: 확산 공간 235: 에어 커튼 홀
242: 가스 공급 라인 251: 구획부
256: 가스 배기 라인
30: 공정 챔버 100: 대기 유닛
200: 냉각 유닛 210: 냉각 챔버
230: 냉각 가스 주입부 250: 가스 배기부
270: 구동부 212: 가스 유입구
214: 지지 핀 231: 가스 주입 블록
232: 확산 공간 235: 에어 커튼 홀
242: 가스 공급 라인 251: 구획부
256: 가스 배기 라인
Claims (29)
- 설비 전방 단부 모듈, 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버, 그리고 복수의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 로드락 챔버는 상기 공정 챔버에서 공정처리가 완료된 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하며,
상기 냉각 유닛은
내부에 공간이 형성되고 일면에 가스 유입구가 형성되며, 기판이 놓이는 지지 핀들이 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성된 냉각 챔버;
상기 가스 유입구를 향해 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 주입부; 및
상기 냉각 챔버 내부로 공급된 냉각 가스와, 상기 기판에서 발생한 흄을 상기 냉각 챔버 외부로 ㅂ배기하는 가스 배기부를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 가스 주입부는
상기 가스 유입구를 향해 냉각 가스를 분사하는 분사홀들이 형성되고, 내부에 상기 분사홀들과 통하는 확산 공간이 형성되며, 기판보다 큰 반경을 갖는 가스 주입 블록; 및
상기 가스 주입 블록과 연결되며, 상기 확산 공간으로 냉각 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 분사홀들을 내측에 두고 상기 가스 주입 블록의 가장자리영역을 따라 에어 커튼 홀들이 형성되고,
상기 가스 주입 블록의 가장자리영역과 마주하는 상기 냉각 챔버의 일면에는 에어 유입 홀들이 상기 에어 커튼 홀들과 상하방향으로 동일 선상에 형성되는 기판 처리 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 에어 커튼 홀들은 상기 가스 주입 블록의 둘레를 따라 지그재그(zigzag) 형태로 배열되는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록의 내부에는 상기 확산 공간을 상기 분사홀들이 형성된 영역에 대응하는 중심 영역과, 상기 중심영역을 에워싸며 상기 에어 커튼 홀들이 형성된 영역에 대응하는 가장자리영역으로 구획하는 구획판이 제공되고,
상기 가스 공급 라인은
상기 중심 영역으로 가스를 공급하는 제1라인; 및
상기 자장자리영역으로 가스를 공급하는 제2라인을 포함하는 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제2라인은 상기 제1라인보다 큰 압력으로 가스를 공급하는 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록은
상기 제2라인과 연결되며, 상기 제2라인으로부터 멀어질수록 유로가 점차 증가하는 주입부를 가지며,
상기 주입부에는 상기 제2라인에서 공급되는 가스의 흐름을 양 갈래로 나누는 분배블록이 제공되는 기판 처리 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 분배 블록은
제1면; 및
상기 제1면과 소정 각도를 이루는 제2면을 포함하고,
상기 제1면과 상기 제2면이 만나 형성하는 상기 분배 블록의 모서리는 상기 주입부로 유입되는 가스 방향과 마주하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 냉각 챔버의 내부 공간은 상기 지지핀들에 놓인 기판보다 높게 위치하고,
상기 가스 주입 블록은 상기 냉각 챔버의 하부에서 냉각 가스를 공급하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 냉각 챔버의 내부 공간은 상기 지지핀들에 놓인 기판보다 낮은 높이에 위치하고,
상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 하부벽에 형성된 유입홀을 통해 가스를 배기하고,
상기 가스 주입 블록은 상기 냉각 챔버의 내부 공간에서 상기 기판의 후면으로 냉각 가스를 공급하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 냉각 챔버의 내부 공간은 상기 지지핀들에 놓인 기판보다 낮은 높이에 위치하고,
상기 가스 배기부는 상기 냉각 챔버의 하부벽에 형성된 유입홀을 통해 가스를 배기하고,
상기 가스 주입 블록은 상기 냉각 챔버의 상부에서 상기 기판의 전면으로 냉각 가스를 공급하는 기판 처리. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스 배기부는
상기 냉각 챔버의 내부 공간을 상기 기판과 마주하는 제1영역과 상기 냉각 챔버의 내측면과의 사이에서 상기 제1영역을 에워싸는 제2영역으로 구획하며, 상기 기판에서 발생한 흄이 배기되는 배기홀들이 상기 기판과 마주하는 면에 형성된 구획부를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 구획부는
상기 냉각 챔버의 상부벽 아래에서 상기 기판과 마주하며, 상기 배기홀들이 형성된 제1구획벽; 및
상기 제1구획판의 가장자리영역에서 아래로 연장되고 상기 냉각 챔버의 측벽과 소정 거리를 유지하는 링 형상의 제2구획벽을 포함하며,
상기 제2구획벽의 반경은 상기 기판보다 작은 기판 처리 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 가스 배기부는
상기 냉각 챔버의 상부벽 중심에 형성된 유입홀과 연결되며, 상기 냉각 챔버의 내부 가스를 유입하여 외부로 배출하는 가스 배기 라인; 및
상기 유입홀을 중심으로 방사상으로 배치되며, 상기 제2영역을 복수의 공간으로 구획하는 구획판들을 포함하는 기판 처리 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 구획판들은 상기 유입홀의 둘레를 따라 등간격으로 배치되는 동일한 기판 처리 장치. - 공정 챔버에서 공정 처리가 완료된 기판을 로드락 챔버로 이송하고, 상기 로드락 챔버 내에 상기 기판이 머무는 동안 상기 기판을 냉각하되,
상기 로드락 챔버 내에는, 일 면에 가스 유입구가 형성되고 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 지지 핀들이 형성된 냉각 챔버가 제공되고,
상기 기판은 상기 지지 핀들의 상단에 놓이고,
상기 기판과 마주하는 가스 주입 블록의 주입홀들로부터 상기 가스 유입구를 향해 냉각가스를 공급하며,
상기 냉각 가스는 상기 지지 핀들의 사이 공간을 통해 상기 냉각 챔버 내부로 유입되고, 가스 배기 라인을 통해 상기 냉각 챔버 외부로 배기되는 기판 처리 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록의 가장자리영역에는 에어 커튼 홀들이 형성되고, 상기 냉각 챔버의 일면에는 에어 유입 홀들이 상기 에어 커튼 홀들과 마주 형성되며,
상기 에어 커튼 홀들에서 분사된 가스는 상기 에어 유입홀들로 유입되며 에어 커튼을 형성하되,
상기 에어 커튼은 상기 주입홀들에서 분사되는 상기 냉각 가스의 둘레를 에워싸는 기판 처리 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록의 내부 공간은 상기 주입홀들과 통하는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역을 둘러싸며 상기 에어 커튼 홀들과 통하는 가장자리영역으로 구획되며,
상기 중앙 영역에는 제1압력으로 가스가 공급되고,
상기 가장자리영역에는 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 가스가 공급되는 기판 처리 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 냉각 챔버의 내부에는 상기 냉각 챔버의 내부공간을 상기 기판과 마주하는 제1영역과, 상기 냉각 챔버의 내측면과의 사이에서 상기 제1영역을 에워싸는 제2영역으로 구획하며, 상기 기판과 마주하는 일 면에 배기홀들이 형성된 구획부가 제공되며,
상기 냉각 챔버 내부로 유입된 냉각 가스는 대부분 상기 제2영역을 따라 흐르고,
상기 기판에서 발생한 흄은 대부분 상기 제1영역으로 흘러 상기 배기홀들로 유입되는 기판 처리 방법. - 내부에 공간이 형성되고 일면에 가스 유입구가 형성되며, 기판이 놓이는 지지 핀들이 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성된 냉각 챔버;
상기 가스 유입구에 인접 배치되고, 상기 지지 핀들에 놓인 기판과 마주하는 일면에 냉각 가스를 분사하는 분사홀들이 형성된 가스 주입 블록; 및
상기 냉각 챔버 내부로 공급된 냉각 가스와, 상기 기판에서 발생한 흄을 상기 냉각 챔버 외부로 배기하는 가스 배기부를 포함하는 냉각 유닛. - 제 20 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록은 상기 기판보다 큰 반경을 가지고, 상기 분사홀들의 외측에서 상기 가스 주입 블록의 둘레를 따라 에어 커튼 홀들이 형성되며,
상기 냉각 챔버는 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 형성되며 상기 에어 커튼 홀들과 상하방향으로 동일 선상에 위치하는 에어 주입 홀들을 가지는 냉각 유닛. - 제 21 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록의 내부는 상기 분사홀들이 형성된 영역에 대응하는 중심 영역과, 상기 중심영역을 에워싸며 상기 에어 커튼 홀들이 형성된 영역에 대응하는 가장자리영역이 서로 구획된 공간으로 제공되고,
상기 중심 영역으로 가스를 공급하는 제1라인; 및
상기 자장자리영역으로 가스를 공급하는 제2라인을 더 포함하는 냉각 유닛. - 제 22 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록은
상기 제2라인과 연결되며, 상기 제2라인으로부터 멀어질수록 유로가 점차 증가하는 주입부를 가지며,
상기 주입부에는 상기 제2라인에서 공급되는 가스의 흐름을 양 갈래로 나누는 분배블록이 제공되는 냉각 유닛. - 제 20 항 내지 제 23 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 가스 배기부는
상기 냉각 챔버의 상부벽 아래에서 상기 기판과 마주하며, 배기홀들이 형성된 제1구획벽; 및
상기 제1구획판의 가장자리영역에서 아래로 연장되고 상기 냉각 챔버의 측벽과 소정 거리를 유지하는 링 형상의 제2구획벽을 포함하며,
상기 제2구획벽의 반경은 상기 기판보다 작은 냉각 유닛. - 제 24 항에 있어서,
상기 가스 배기부는
상기 냉각 챔버의 상부벽 중심에 형성된 유입홀과 연결되며, 상기 냉각 챔버의 내부 가스를 유입하여 외부로 배출하는 가스 배기 라인; 및
상기 냉각 챔버의 상부벽과 상기 제1구획벽 사이 공간에서 상기 유입홀을 중심으로 방사상으로 배치되며, 상기 냉각 챔버의 상부벽과 상기 제1구획벽 사이를 복수의 공간으로 구획하는 구획판들을 포함하는 냉각 유닛. - 일 면에 가스 유입구가 형성되고 상기 가스 유입구의 둘레를 따라 지지 핀들이 형성된 냉각 챔버 내부로 기판을 제공하고, 상기 지지 핀들의 상단에 기판을 안착시키며,
상기 기판과 마주하는 가스 주입 블록의 주입홀들로부터 상기 가스 유입구를 향해 냉각가스를 공급하고,
상기 냉각 챔버 내부로 유입된 냉각 가스를 가스 배기 라인을 통해 상기 냉각 챔버 외부로 배기하는 냉각 방법. - 제 26 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록의 가장자리영역에는 에어 커튼 홀들이 상기 주입홀들의 둘레를 따라 형성되고, 상기 냉각 챔버의 일면에는 에어 유입 홀들이 상기 에어 커튼 홀들과 마주 형성되며,
상기 에어 커튼 홀들에서 분사된 가스는 상기 에어 유입홀들로 유입되며 에어 커튼을 형성하되, 상기 에어 커튼은 상기 주입홀들에서 분사되는 상기 냉각 가스의 둘레를 에워싸는 냉각 방법. - 제 26 항에 있어서,
상기 가스 주입 블록의 내부 공간은 상기 주입홀들과 통하는 중앙 영역과, 상기 중앙 영역을 둘러싸며 상기 에어 커튼 홀들과 통하는 가장자리영역으로 구획되며,
상기 중앙 영역에는 제1압력으로 가스가 공급되고,
상기 가장자리영역에는 상기 제1압력보다 큰 제2압력으로 가스가 공급되는 냉각 방법. - 제 26 항에 있어서,
상기 냉각 챔버의 내부에는 상기 냉각 챔버의 내부공간을 상기 기판과 마주하는 제1영역과, 상기 냉각 챔버의 내측면과의 사이에서 상기 제1영역을 에워싸는 제2영역으로 구획하며, 상기 기판과 마주하는 일 면에 배기홀들이 형성된 구획부가 제공되며,
상기 냉각 챔버 내부로 유입된 냉각 가스는 대부분 상기 제2영역을 따라 흐르고,
상기 기판에서 발생한 흄은 대부분 상기 제1영역으로 흘러 상기 배기홀들로 유입되는 냉각 방법.
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Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9945570B2 (ko) |
| KR (1) | KR101526505B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180033840A (ko) * | 2016-09-26 | 2018-04-04 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| TWI631642B (zh) * | 2016-11-21 | 2018-08-01 | Psk有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| WO2020067642A1 (ko) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 무진전자 주식회사 | 에어 커튼을 이용한 케미컬 퓸 제거장치 |
| KR20210081491A (ko) * | 2019-12-23 | 2021-07-02 | 세메스 주식회사 | 베이크 챔버 |
| WO2024029702A1 (ko) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | 주식회사 한화 | 원자층 증착 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016014743A1 (de) | 2016-12-13 | 2018-06-14 | Senvion Gmbh | Windenergieanlage mit Großwälzlager und Verfahren zu dessen Montage |
| US20180254203A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to reduce particle formation on substrates in post selective etch process |
| KR102324408B1 (ko) * | 2019-08-23 | 2021-11-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11581204B2 (en) * | 2020-10-20 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device |
| US20230069085A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Process tool and method for handling semiconductor substrate |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175162A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
| JP2001176764A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
| EP1988188B9 (en) * | 2001-12-03 | 2012-05-02 | Ulvac, Inc. | Apparatus and method for producing films |
| KR20050012049A (ko) | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 삼성광주전자 주식회사 | 공기 청정 기능을 구비한 로봇청소기 및 그 시스템 |
| KR100543711B1 (ko) * | 2004-06-19 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 열처리장치 |
| US20070084562A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing chamber |
| JP5045000B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| KR100855325B1 (ko) | 2006-12-27 | 2008-09-04 | 세메스 주식회사 | 로드락 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP5549441B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 保持体機構、ロードロック装置、処理装置及び搬送機構 |
| KR101312252B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2013-09-25 | 피에스케이 주식회사 | 기판 냉각 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 설비 |
-
2013
- 2013-06-20 KR KR1020130071061A patent/KR101526505B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-06-13 US US14/304,368 patent/US9945570B2/en active Active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180033840A (ko) * | 2016-09-26 | 2018-04-04 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| TWI631642B (zh) * | 2016-11-21 | 2018-08-01 | Psk有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| WO2020067642A1 (ko) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 무진전자 주식회사 | 에어 커튼을 이용한 케미컬 퓸 제거장치 |
| KR20200036282A (ko) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 무진전자 주식회사 | 에어 커튼을 이용한 케미컬 퓸 제거장치 |
| KR20210081491A (ko) * | 2019-12-23 | 2021-07-02 | 세메스 주식회사 | 베이크 챔버 |
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