JP2001176764A - 加熱処理装置 - Google Patents
加熱処理装置Info
- Publication number
- JP2001176764A JP2001176764A JP35874899A JP35874899A JP2001176764A JP 2001176764 A JP2001176764 A JP 2001176764A JP 35874899 A JP35874899 A JP 35874899A JP 35874899 A JP35874899 A JP 35874899A JP 2001176764 A JP2001176764 A JP 2001176764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating plate
- heat treatment
- gas
- cooling
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理室へのパーティクルの侵入および処理室
の内圧の上昇を防止しつつ、加熱プレートを迅速に降温
することができる加熱処理装置を提供すること。 【解決手段】 加熱プレート51を覆う蓋体64により
加熱処理室Sが形成され、この加熱処理室S内には、供
給口71から熱雰囲気気流を発生する気体が供給され
る。加熱プレート51の降温時には、加熱プレート51
の裏面に、複数のノズル74から冷却気体が供給され
る。加熱プレート51の外周側には、加熱処理室S内へ
の冷却気体の浸入を阻止し、かつ加熱処理室Sからの気
体の排出を許容する逆止弁機構90が設けられている。
の内圧の上昇を防止しつつ、加熱プレートを迅速に降温
することができる加熱処理装置を提供すること。 【解決手段】 加熱プレート51を覆う蓋体64により
加熱処理室Sが形成され、この加熱処理室S内には、供
給口71から熱雰囲気気流を発生する気体が供給され
る。加熱プレート51の降温時には、加熱プレート51
の裏面に、複数のノズル74から冷却気体が供給され
る。加熱プレート51の外周側には、加熱処理室S内へ
の冷却気体の浸入を阻止し、かつ加熱処理室Sからの気
体の排出を許容する逆止弁機構90が設けられている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製造する
際に用いられる、基板を加熱する加熱処理装置に関す
る。
基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製造する
際に用いられる、基板を加熱する加熱処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスのフォトリソグラフィー
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
工程においては、半導体ウエハにレジストを塗布し、こ
れにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに
応じて露光し、この露光パターンを現像処理することに
よりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
【0003】このようなフォトリソグラフィー工程にお
いては、レジスト塗布後の加熱処理(プリベーク)、露
光後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)、現
像後の加熱処理(ポストベーク)等、種々の加熱処理が
行われている。
いては、レジスト塗布後の加熱処理(プリベーク)、露
光後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)、現
像後の加熱処理(ポストベーク)等、種々の加熱処理が
行われている。
【0004】これらの加熱処理は、通常、筐体内にヒー
ターによって加熱される加熱プレート(ホットプレー
ト)を配置してなるホットプレートユニットにより行わ
れる。加熱処理に際しては、加熱プレートの表面に半導
体ウエハが近接あるいは載置されるが、その際に、ウエ
ハの全面にわたって均一な温度で加熱処理できるよう
に、加熱プレートは、その載置面の全面にわたって温度
が均一であること(面内均一性)が要求されている。
ターによって加熱される加熱プレート(ホットプレー
ト)を配置してなるホットプレートユニットにより行わ
れる。加熱処理に際しては、加熱プレートの表面に半導
体ウエハが近接あるいは載置されるが、その際に、ウエ
ハの全面にわたって均一な温度で加熱処理できるよう
に、加熱プレートは、その載置面の全面にわたって温度
が均一であること(面内均一性)が要求されている。
【0005】このため、加熱プレートの上の処理空間を
蓋体で覆って外気の影響を少なくするとともに、処理空
間に加熱プレート外側から中央に向かう気体の流れを形
成している。
蓋体で覆って外気の影響を少なくするとともに、処理空
間に加熱プレート外側から中央に向かう気体の流れを形
成している。
【0006】一方、半導体デバイスの種類やレジスト液
の種類等を変更する際には、このようなホットプレート
ユニットにおける加熱プレートの温度を変更する必要が
あり、例えば加熱プレートの温度を高い設定温度から低
い設定温度に変更する際には、従来、なんらコントロー
ルすることなく自然放冷により加熱プレートを降温して
いる。
の種類等を変更する際には、このようなホットプレート
ユニットにおける加熱プレートの温度を変更する必要が
あり、例えば加熱プレートの温度を高い設定温度から低
い設定温度に変更する際には、従来、なんらコントロー
ルすることなく自然放冷により加熱プレートを降温して
いる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、自然放
冷により加熱プレートを降温する場合には、極めて長時
間を要し、スループット向上の観点から好ましくない。
また、加熱プレートの裏面に空気等を噴射するエアーパ
ージ等による強制急冷を実施することも考えられるが、
処理室内との間で圧力調整を行わないと、処理室内に、
加熱プレートの裏面に存在するパーティクル等が浸入す
るおそれがある。これを防止するために処理室の気密性
を高くすると、処理室に不活性ガスを導入して熱雰囲気
気流を形成する際に、処理室の内圧が著しく上昇してし
まう。このように処理室の内圧が上昇する場合には、処
理室内の気体の流れに乱れが生じやすく加熱プレートの
温度均一性が保てない。
冷により加熱プレートを降温する場合には、極めて長時
間を要し、スループット向上の観点から好ましくない。
また、加熱プレートの裏面に空気等を噴射するエアーパ
ージ等による強制急冷を実施することも考えられるが、
処理室内との間で圧力調整を行わないと、処理室内に、
加熱プレートの裏面に存在するパーティクル等が浸入す
るおそれがある。これを防止するために処理室の気密性
を高くすると、処理室に不活性ガスを導入して熱雰囲気
気流を形成する際に、処理室の内圧が著しく上昇してし
まう。このように処理室の内圧が上昇する場合には、処
理室内の気体の流れに乱れが生じやすく加熱プレートの
温度均一性が保てない。
【0008】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、処理室へのパーティクルの侵入および処理室の
内圧の上昇を防止しつつ、加熱プレートを迅速に降温す
ることができる加熱処理装置を提供することを目的とす
る。
であり、処理室へのパーティクルの侵入および処理室の
内圧の上昇を防止しつつ、加熱プレートを迅速に降温す
ることができる加熱処理装置を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の観点では、基板を所定温度に加熱処
理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接さ
せまたは載置して、加熱処理する加熱プレートと、この
加熱プレートの上方に形成された処理室と、前記処理室
内に熱雰囲気気流を発生する気体を供給する気体供給手
段と、前記加熱プレートの裏面に冷却気体を供給して、
前記加熱プレートを降温する冷却気体供給手段と、前記
処理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、前記処理室内
からの気体の排出を許容する逆止弁機構とを具備するこ
とを特徴とする加熱処理装置を提供する。
に、本発明の第1の観点では、基板を所定温度に加熱処
理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接さ
せまたは載置して、加熱処理する加熱プレートと、この
加熱プレートの上方に形成された処理室と、前記処理室
内に熱雰囲気気流を発生する気体を供給する気体供給手
段と、前記加熱プレートの裏面に冷却気体を供給して、
前記加熱プレートを降温する冷却気体供給手段と、前記
処理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、前記処理室内
からの気体の排出を許容する逆止弁機構とを具備するこ
とを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【0010】また、本発明の第2の観点では、基板を所
定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面
に基板を近接させまたは載置して、加熱処理する加熱プ
レートと、この加熱プレートの上方空間を覆って処理室
を形成する蓋体と、この処理室内に熱雰囲気気流を発生
する気体を供給する気体供給手段と、前記加熱プレート
の下方に形成された冷却室と、前記冷却室内に設けら
れ、前記加熱プレートの裏面に冷却気体を供給して、前
記加熱プレートを降温する冷却気体供給手段と、前記処
理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、前記処理室内か
ら前記冷却室への気体の排出を許容する逆止弁機構とを
具備することを特徴とする加熱処理装置を提供する。
定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面
に基板を近接させまたは載置して、加熱処理する加熱プ
レートと、この加熱プレートの上方空間を覆って処理室
を形成する蓋体と、この処理室内に熱雰囲気気流を発生
する気体を供給する気体供給手段と、前記加熱プレート
の下方に形成された冷却室と、前記冷却室内に設けら
れ、前記加熱プレートの裏面に冷却気体を供給して、前
記加熱プレートを降温する冷却気体供給手段と、前記処
理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、前記処理室内か
ら前記冷却室への気体の排出を許容する逆止弁機構とを
具備することを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【0011】本発明によれば、加熱プレートを降温する
際には、冷却気体供給手段により加熱プレートの裏面に
冷却気体が供給されるので加熱プレートを迅速に降温す
ることができる。また、これに加えて、処理室内への気
体の浸入を阻止し、かつ、処理室内からのガスの排出を
許容する逆止弁機構を設けているので、加熱プレート冷
却中に冷却気体が処理室に侵入することを防止すること
ができるとともに、熱雰囲気気流を形成する気体が処理
室から排出することが許容される。したがって、処理室
へのパーティクルの侵入および処理室の内圧の上昇を防
止することができる。
際には、冷却気体供給手段により加熱プレートの裏面に
冷却気体が供給されるので加熱プレートを迅速に降温す
ることができる。また、これに加えて、処理室内への気
体の浸入を阻止し、かつ、処理室内からのガスの排出を
許容する逆止弁機構を設けているので、加熱プレート冷
却中に冷却気体が処理室に侵入することを防止すること
ができるとともに、熱雰囲気気流を形成する気体が処理
室から排出することが許容される。したがって、処理室
へのパーティクルの侵入および処理室の内圧の上昇を防
止することができる。
【0012】上記本発明の第2の観点における加熱処理
装置において、前記蓋体はその上面中央に排気口が設け
られ、前記気体供給手段は、熱雰囲気気流を発生する気
体を前記加熱プレートの外周側から前記処理室に供給す
る供給口を有し、前記供給口から処理室に供給された熱
雰囲気気流を発生する気体が、前記排気口から排気され
るような構成とすることができる。また、前記供給口
は、前記加熱プレートの外周に沿ってリング状に配置す
るように構成することができる。このように構成するこ
とにより、熱雰囲気気流を発生する気体が加熱プレート
外周側から中央に向かう均一な流れが形成され、加熱プ
レートの温度均一性を高くすることができ、均一な加熱
処理が実現される。また、前記蓋体の下端を密閉するシ
ール部材をさらに具備することにより、外気の侵入が防
止され、より一層加熱プレートの温度均一性を高くする
ことができる。
装置において、前記蓋体はその上面中央に排気口が設け
られ、前記気体供給手段は、熱雰囲気気流を発生する気
体を前記加熱プレートの外周側から前記処理室に供給す
る供給口を有し、前記供給口から処理室に供給された熱
雰囲気気流を発生する気体が、前記排気口から排気され
るような構成とすることができる。また、前記供給口
は、前記加熱プレートの外周に沿ってリング状に配置す
るように構成することができる。このように構成するこ
とにより、熱雰囲気気流を発生する気体が加熱プレート
外周側から中央に向かう均一な流れが形成され、加熱プ
レートの温度均一性を高くすることができ、均一な加熱
処理が実現される。また、前記蓋体の下端を密閉するシ
ール部材をさらに具備することにより、外気の侵入が防
止され、より一層加熱プレートの温度均一性を高くする
ことができる。
【0013】前記逆止弁機構は、前記冷却気体が供給さ
れていないときに開放されるようにしてもよいし、前記
処理室の内圧が所定値以上になったときに開放されるよ
うにしてもよい。また前記逆止弁機構は、前記加熱プレ
ートの外周外側に少なくとも1個設けるように構成する
ことができる。
れていないときに開放されるようにしてもよいし、前記
処理室の内圧が所定値以上になったときに開放されるよ
うにしてもよい。また前記逆止弁機構は、前記加熱プレ
ートの外周外側に少なくとも1個設けるように構成する
ことができる。
【0014】また、前記気体供給手段は、基板を加熱処
理している際に熱雰囲気気流を発生する気体を供給し、
前記冷却気体供給手段は、基板を加熱処理をしていない
時に冷却気体を供給するように構成することができる。
理している際に熱雰囲気気流を発生する気体を供給し、
前記冷却気体供給手段は、基板を加熱処理をしていない
時に冷却気体を供給するように構成することができる。
【0015】さらに、加熱プレートの温度に応じて、冷
却気体の供給弁の開閉制御および/または流量制御を行
うための制御手段をさらに具備する冷却ガスの流量を制
御するための制御手段をさらに設けることもできる。こ
のような制御手段を設けることにより、加熱プレートを
適切な温度まで高精度で降温させることができる。
却気体の供給弁の開閉制御および/または流量制御を行
うための制御手段をさらに具備する冷却ガスの流量を制
御するための制御手段をさらに設けることもできる。こ
のような制御手段を設けることにより、加熱プレートを
適切な温度まで高精度で降温させることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明
の加熱処理装置の一実施形態である急冷機能を有するホ
ットプレートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理
システム1を示す概略平面図、図2はその正面図、図3
はその背面図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明
の加熱処理装置の一実施形態である急冷機能を有するホ
ットプレートユニットを備えたレジスト塗布・現像処理
システム1を示す概略平面図、図2はその正面図、図3
はその背面図である。
【0017】この処理システムは、搬送ステーションで
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション11と、処理ステーション1
1と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
ウエハWを受け渡すためのインターフェイス部12とを
具備している。
あるカセットステーション10と、複数の処理ユニット
を有する処理ステーション11と、処理ステーション1
1と隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間で
ウエハWを受け渡すためのインターフェイス部12とを
具備している。
【0018】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)W
を複数枚例えば25枚単位でウエハカセットCRに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットCRと処理ステーション11との間でウエハW
の搬送を行うためのものである。
体としての半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)W
を複数枚例えば25枚単位でウエハカセットCRに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットCRと処理ステーション11との間でウエハW
の搬送を行うためのものである。
【0019】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台20上に図中X
方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20a
が形成されており、この突起20aの位置にウエハカセ
ットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
11側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に
配列されている。また、カセットステーション10は、
ウエハカセット載置台20と処理ステーション11との
間に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウ
エハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およ
びその中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動
可能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬
送アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション11側の第3の処理
部G3に属するアライメントユニット(ALIM)およ
びエクステンションユニット(EXT)にもアクセスで
きるようになっている。
は、図1に示すように、カセット載置台20上に図中X
方向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20a
が形成されており、この突起20aの位置にウエハカセ
ットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション
11側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカ
セットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に
配列されている。また、カセットステーション10は、
ウエハカセット載置台20と処理ステーション11との
間に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウ
エハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およ
びその中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動
可能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬
送アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに
対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエ
ハ搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション11側の第3の処理
部G3に属するアライメントユニット(ALIM)およ
びエクステンションユニット(EXT)にもアクセスで
きるようになっている。
【0020】上記処理ステーション11は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、
図1に示すように、中心部に搬送路22aを有し、この
中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路2
2aの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、
図1に示すように、中心部に搬送路22aを有し、この
中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路2
2aの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。
【0021】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
【0022】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
【0023】また、図1に示すように、この実施の形態
においては、4個の処理部G1,G 2,G3,G4がウ
エハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理
部G 5は必要に応じて配置可能となっている。
においては、4個の処理部G1,G 2,G3,G4がウ
エハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理
部G 5は必要に応じて配置可能となっている。
【0024】これらのうち、第1および第2の処理部G
1,G2はシステム正面(図1において手前)側に並列
に配置され、第3の処理部G3はカセットステーション
10に隣接して配置され、第4の処理部G4はインター
フェイス部12に隣接して配置されている。また、第5
の処理部G5は背面部に配置可能となっている。
1,G2はシステム正面(図1において手前)側に並列
に配置され、第3の処理部G3はカセットステーション
10に隣接して配置され、第4の処理部G4はインター
フェイス部12に隣接して配置されている。また、第5
の処理部G5は背面部に配置可能となっている。
【0025】第1の処理部G1および第2の処理部G2
は、いずれもウエハWにレジストを塗布するレジスト塗
布ユニット(COT)およびレジストのパターンを現像
する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねら
れている。
は、いずれもウエハWにレジストを塗布するレジスト塗
布ユニット(COT)およびレジストのパターンを現像
する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねら
れている。
【0026】第3の処理部G3においては、図3に示す
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(CO
L)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わ
せを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハW
の搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Wに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニッ
ト(HP)が下から順に8段に重ねられている。なお、
アライメントユニット(ALIM)の代わりにクーリン
グユニット(COL)を設け、クーリングユニット(C
OL)にアライメント機能を持たせてもよい。
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(CO
L)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わ
せを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハW
の搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Wに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニッ
ト(HP)が下から順に8段に重ねられている。なお、
アライメントユニット(ALIM)の代わりにクーリン
グユニット(COL)を設け、クーリングユニット(C
OL)にアライメント機能を持たせてもよい。
【0027】第4の処理部G4も、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、2つの急冷機能
を有するホットプレートユニット(PCH)および2つ
のホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に
重ねられている。
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、2つの急冷機能
を有するホットプレートユニット(PCH)および2つ
のホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に
重ねられている。
【0028】主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処
理部G5を設ける場合には、案内レール25に沿って主
ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できるようにな
っている。したがって、第5の処理部G5を設けた場合
でも、これを案内レール25に沿ってスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構22
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。
理部G5を設ける場合には、案内レール25に沿って主
ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できるようにな
っている。したがって、第5の処理部G5を設けた場合
でも、これを案内レール25に沿ってスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構22
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。
【0029】上記インターフェイス部12は、奥行方向
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構24が配設されている。この
ウエハ搬送機構24は、ウエハ搬送用アーム24aを有
しており、このウエハ搬送用アーム24aは、X方向、
Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺露光
装置23にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム24aは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション11の第4の処理部G4に属するエクス
テンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス
可能となっている。
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送機構24が配設されている。この
ウエハ搬送機構24は、ウエハ搬送用アーム24aを有
しており、このウエハ搬送用アーム24aは、X方向、
Z方向に移動して両カセットCR,BRおよび周辺露光
装置23にアクセス可能となっている。また、このウエ
ハ搬送用アーム24aは、θ方向に回転可能であり、処
理ステーション11の第4の処理部G4に属するエクス
テンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露
光装置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス
可能となっている。
【0030】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、まず、カセットステーション10におい
て、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aが
カセット載置台20上の未処理のウエハWを収容してい
るウエハカセットCRにアクセスして、そのカセットC
Rから一枚のウエハWを取り出し、第3の処理部G3の
エクステンションユニット(EXT)に搬送する。
においては、まず、カセットステーション10におい
て、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aが
カセット載置台20上の未処理のウエハWを収容してい
るウエハカセットCRにアクセスして、そのカセットC
Rから一枚のウエハWを取り出し、第3の処理部G3の
エクステンションユニット(EXT)に搬送する。
【0031】ウエハWは、このエクステンションユニッ
ト(EXT)から、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送
装置46により、処理ステーション11に搬入される。
そして、第3の処理部G3のアライメントユニット(A
LIM)によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理(HMDS処理)が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハWは、
ウエハ搬送装置46により、クーリングユニット(CO
L)に搬送されて冷却される。
ト(EXT)から、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送
装置46により、処理ステーション11に搬入される。
そして、第3の処理部G3のアライメントユニット(A
LIM)によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理(HMDS処理)が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハWは、
ウエハ搬送装置46により、クーリングユニット(CO
L)に搬送されて冷却される。
【0032】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット(COL)で冷却さたウエハWは、引き続き、
ウエハ搬送装置46によりレジスト塗布ユニット(CO
T)に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハWは処理部G 3,G4のいずれかのホッ
トプレートユニット(HP)内でプリベーク処理され、
その後いずれかのクーリングユニット(COL)にて冷
却される。
ユニット(COL)で冷却さたウエハWは、引き続き、
ウエハ搬送装置46によりレジスト塗布ユニット(CO
T)に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハWは処理部G 3,G4のいずれかのホッ
トプレートユニット(HP)内でプリベーク処理され、
その後いずれかのクーリングユニット(COL)にて冷
却される。
【0033】冷却されたウエハWは、第3の処理部G3
のアライメントユニット(ALIM)に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第4の処理部群G4のエクス
テンションユニット(EXT)を介してインターフェイ
ス部12に搬送される。
のアライメントユニット(ALIM)に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第4の処理部群G4のエクス
テンションユニット(EXT)を介してインターフェイ
ス部12に搬送される。
【0034】インターフェイス部12では、周辺露光装
置23により周辺露光されて余分なレジストが除去され
た後、インターフェイス部12に隣接して設けられた露
光装置(図示せず)により所定のパターンに従ってウエ
ハWのレジスト膜に露光処理が施される。
置23により周辺露光されて余分なレジストが除去され
た後、インターフェイス部12に隣接して設けられた露
光装置(図示せず)により所定のパターンに従ってウエ
ハWのレジスト膜に露光処理が施される。
【0035】露光後のウエハWは、再びインターフェイ
ス部12に戻され、ウエハ搬送体24により、第4の処
理部G4に属するエクステンションユニット(EXT)
に搬送される。そして、ウエハWは、ウエハ搬送装置4
6により、後述する急冷機構を有するホットプレート
(PCH)に搬送されてポストエクスポージャーベーク
処理が施される。
ス部12に戻され、ウエハ搬送体24により、第4の処
理部G4に属するエクステンションユニット(EXT)
に搬送される。そして、ウエハWは、ウエハ搬送装置4
6により、後述する急冷機構を有するホットプレート
(PCH)に搬送されてポストエクスポージャーベーク
処理が施される。
【0036】その後、ウエハWは現像ユニット(DE
V)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハWはいずれかのホットプレート
ユニット(HP)に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット(COL)により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第3処理
ユニット群G3のエクステンションユニット(EXT)
を介してカセットステーション10に戻され、いずれか
のウエハカセットCRに収容される。
V)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハWはいずれかのホットプレート
ユニット(HP)に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット(COL)により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第3処理
ユニット群G3のエクステンションユニット(EXT)
を介してカセットステーション10に戻され、いずれか
のウエハカセットCRに収容される。
【0037】次に、図4を参照して本発明の実施の形態
に係る急冷機能を有するホットプレートユニット(PC
H)について説明する。図4は本発明の実施の形態に係
るホットプレートユニットの断面図である。
に係る急冷機能を有するホットプレートユニット(PC
H)について説明する。図4は本発明の実施の形態に係
るホットプレートユニットの断面図である。
【0038】この急冷機能を有するホットプレートユニ
ット(PCH)は、ケーシング50を有し、その内部の
下側には例えば円盤状をなす加熱プレート51が配置さ
れている。加熱プレート51は例えばアルミニウム、A
lN等で構成されており、その表面にはプロキシミティ
ピン52が設けられている。このプロキシミティピン5
2上に、加熱プレート51に近接した状態でウエハWが
載置されるようになっている。加熱プレート51の裏面
には所定パターンを有する電気ヒーター53が配置され
ている。
ット(PCH)は、ケーシング50を有し、その内部の
下側には例えば円盤状をなす加熱プレート51が配置さ
れている。加熱プレート51は例えばアルミニウム、A
lN等で構成されており、その表面にはプロキシミティ
ピン52が設けられている。このプロキシミティピン5
2上に、加熱プレート51に近接した状態でウエハWが
載置されるようになっている。加熱プレート51の裏面
には所定パターンを有する電気ヒーター53が配置され
ている。
【0039】加熱プレート51の周囲には、断熱リング
54が設けられており、この断熱リング54は、支持部
材55により支持されており、支持部材55内は、冷却
室Cとなっている。この支持部材55の底板56は、例
えば、パンチングメタルのように、多数の通気部が形成
された孔空きのプレートから構成されている。
54が設けられており、この断熱リング54は、支持部
材55により支持されており、支持部材55内は、冷却
室Cとなっている。この支持部材55の底板56は、例
えば、パンチングメタルのように、多数の通気部が形成
された孔空きのプレートから構成されている。
【0040】加熱プレート51には、その中央部に3つ
(2つのみ図示)の貫通孔57が形成されており、これ
ら貫通孔57にはウエハWを昇降させるための3本(2
本のみ図示)の昇降ピン58が昇降自在に設けられてい
る。加熱プレート51と底板56との間には、貫通孔5
7に連通する筒状のガイド部材59が設けられている。
これらガイド部材59によって加熱プレート51の下の
ヒーター配線等に妨げられることなく昇降ピン58を移
動させることが可能となる。これら昇降ピン58は、支
持板61に支持されており、この支持板61を介してシ
リンダー62により昇降されるようになっている。
(2つのみ図示)の貫通孔57が形成されており、これ
ら貫通孔57にはウエハWを昇降させるための3本(2
本のみ図示)の昇降ピン58が昇降自在に設けられてい
る。加熱プレート51と底板56との間には、貫通孔5
7に連通する筒状のガイド部材59が設けられている。
これらガイド部材59によって加熱プレート51の下の
ヒーター配線等に妨げられることなく昇降ピン58を移
動させることが可能となる。これら昇降ピン58は、支
持板61に支持されており、この支持板61を介してシ
リンダー62により昇降されるようになっている。
【0041】断熱リング54および支持部材55の周囲
には、それらを包囲するサポートリング63が設けられ
ており、このサポートリング63の上には、蓋体64が
上下動自在に設けられている。この蓋体64がサポート
リング63の上面まで降下した状態でウエハWの加熱処
理室Sが形成される。また、蓋体64の下端には、シー
ル部材65が設けられ、蓋体64の下端が密閉される。
さらに、蓋体64は、外側から中心部に向かって次第に
高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排気管
67に接続された排気口66を有している。
には、それらを包囲するサポートリング63が設けられ
ており、このサポートリング63の上には、蓋体64が
上下動自在に設けられている。この蓋体64がサポート
リング63の上面まで降下した状態でウエハWの加熱処
理室Sが形成される。また、蓋体64の下端には、シー
ル部材65が設けられ、蓋体64の下端が密閉される。
さらに、蓋体64は、外側から中心部に向かって次第に
高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排気管
67に接続された排気口66を有している。
【0042】サポートリング63の上端には加熱プレー
ト51に沿って、加熱処理室SにN 2ガス、アルゴン等
の不活性ガスからなる熱雰囲気の気流を発生させるパー
ジガスを供給するための供給口71が設けられている。
供給口は加熱プレート51の外周に沿って多数設けられ
ていてもよく、リング状であってもよい。供給口71に
は、パージガスを供給するための供給管72が接続さ
れ、この供給管72には、パージガスの流量を調整する
ための電磁弁73が介装されている。
ト51に沿って、加熱処理室SにN 2ガス、アルゴン等
の不活性ガスからなる熱雰囲気の気流を発生させるパー
ジガスを供給するための供給口71が設けられている。
供給口は加熱プレート51の外周に沿って多数設けられ
ていてもよく、リング状であってもよい。供給口71に
は、パージガスを供給するための供給管72が接続さ
れ、この供給管72には、パージガスの流量を調整する
ための電磁弁73が介装されている。
【0043】底板56には、加熱プレート51の裏面に
空気、窒素ガス等の冷却ガスを供給するための複数のノ
ズル74が設けられている。これらのノズル74には、
冷却ガスを供給するための供給管75が接続され、この
供給管75には、冷却ガスの流量を調整するための電磁
弁76が介装されている。また、支持部材55およびサ
ポートリング63には、ノズル74から噴出された冷却
ガスを側方に排出するための複数の排出孔77が形成さ
れている。
空気、窒素ガス等の冷却ガスを供給するための複数のノ
ズル74が設けられている。これらのノズル74には、
冷却ガスを供給するための供給管75が接続され、この
供給管75には、冷却ガスの流量を調整するための電磁
弁76が介装されている。また、支持部材55およびサ
ポートリング63には、ノズル74から噴出された冷却
ガスを側方に排出するための複数の排出孔77が形成さ
れている。
【0044】加熱プレート51と断熱リング54との間
には、加熱処理室S内へのガスの浸入を阻止するが加熱
処理室Sから冷却室Cへのガスの侵入は許容する逆止弁
機構90が設けられている。この逆止弁機構90は、加
熱プレート51の周囲に複数個設けられているが、少な
くとも1個設けられていればよい。
には、加熱処理室S内へのガスの浸入を阻止するが加熱
処理室Sから冷却室Cへのガスの侵入は許容する逆止弁
機構90が設けられている。この逆止弁機構90は、加
熱プレート51の周囲に複数個設けられているが、少な
くとも1個設けられていればよい。
【0045】この逆止弁機構90は、図5に示すよう
に、すり鉢状の弁座91に、球状の弁体92が当接して
設けられている。この弁体92には、端部に支持部93
aを有する弁軸93が接続され、この弁軸93の支持部
93aと弁座91との間に、コイルスプリング94が介
装されている。このコイルスプリング94の付勢力によ
り、弁体92が弁座91に押圧されている。したがっ
て、冷却ガスが供給される際には、 弁体92はコイル
スプリング94の付勢力により弁座91に押圧されて閉
状態となっており、加熱処理室S内への冷却ガスの浸入
が阻止される。また、冷却ガスが供給されていなくて
も、加熱処理室S内の圧力が所定値以下である場合には
逆止弁機構90は閉じられた状態となっている。一方、
加熱処理室S内の圧力が所定値を超えた際、すなわち加
熱処理室S内の圧力と冷却室C内の圧力との差圧がコイ
ルスプリング93の付勢力より大きくなった際には、弁
体92は、下方に押し下げられて、逆止弁機構90が開
成された状態となり、これにより、圧力が高くなってい
る加熱処理室S内のパージガスが弁座91と弁体92の
間を通って冷却空間Cに至り、外部に放出される。
に、すり鉢状の弁座91に、球状の弁体92が当接して
設けられている。この弁体92には、端部に支持部93
aを有する弁軸93が接続され、この弁軸93の支持部
93aと弁座91との間に、コイルスプリング94が介
装されている。このコイルスプリング94の付勢力によ
り、弁体92が弁座91に押圧されている。したがっ
て、冷却ガスが供給される際には、 弁体92はコイル
スプリング94の付勢力により弁座91に押圧されて閉
状態となっており、加熱処理室S内への冷却ガスの浸入
が阻止される。また、冷却ガスが供給されていなくて
も、加熱処理室S内の圧力が所定値以下である場合には
逆止弁機構90は閉じられた状態となっている。一方、
加熱処理室S内の圧力が所定値を超えた際、すなわち加
熱処理室S内の圧力と冷却室C内の圧力との差圧がコイ
ルスプリング93の付勢力より大きくなった際には、弁
体92は、下方に押し下げられて、逆止弁機構90が開
成された状態となり、これにより、圧力が高くなってい
る加熱処理室S内のパージガスが弁座91と弁体92の
間を通って冷却空間Cに至り、外部に放出される。
【0046】この逆止弁機構90が開成する際の内部圧
力は、コイルスプリング94の付勢力により定まり、こ
の付勢力を変えることにより、逆止弁機構90を開成す
る際の内部圧力の値を自由に設定することができる。
力は、コイルスプリング94の付勢力により定まり、こ
の付勢力を変えることにより、逆止弁機構90を開成す
る際の内部圧力の値を自由に設定することができる。
【0047】加熱プレート51の適宜箇所には、複数の
温度センサー80が設けられ、これにより加熱プレート
51の温度が計測されるようになっている。この温度セ
ンサー80からの検出信号は、図6に示すように、この
ホットプレートユニット(PCH)を制御するためのユ
ニットコントローラ81に送信され、その検出情報に基
づいてコントローラ81から温調器82に制御信号が送
信され、その制御信号に基づいて温調器82からヒータ
ー電源84に出力調整信号が送信される。さらに、この
ユニットコントローラ81は、加熱処理に際して、シリ
ンダー62に制御信号を送って昇降ピン58の昇降を制
御するとともに、電磁弁73に制御信号を送って、パー
ジガスの流量を制御する。一方、加熱プレート51の降
温時には、温度センサー80により計測された温度情報
に基づいて、電磁弁76に制御信号を送って、冷却ガス
の流量を制御する。なお、ユニットコントローラ81
は、塗布・現像システムのシステムコントローラ(図示
略)からの指令に基づいて制御信号を出力するようにな
っている。
温度センサー80が設けられ、これにより加熱プレート
51の温度が計測されるようになっている。この温度セ
ンサー80からの検出信号は、図6に示すように、この
ホットプレートユニット(PCH)を制御するためのユ
ニットコントローラ81に送信され、その検出情報に基
づいてコントローラ81から温調器82に制御信号が送
信され、その制御信号に基づいて温調器82からヒータ
ー電源84に出力調整信号が送信される。さらに、この
ユニットコントローラ81は、加熱処理に際して、シリ
ンダー62に制御信号を送って昇降ピン58の昇降を制
御するとともに、電磁弁73に制御信号を送って、パー
ジガスの流量を制御する。一方、加熱プレート51の降
温時には、温度センサー80により計測された温度情報
に基づいて、電磁弁76に制御信号を送って、冷却ガス
の流量を制御する。なお、ユニットコントローラ81
は、塗布・現像システムのシステムコントローラ(図示
略)からの指令に基づいて制御信号を出力するようにな
っている。
【0048】以上のように構成された急冷機能を有する
ホットプレートユニット(PCH)においては、以下の
ようにしてウエハWの加熱処理が行われる。まず、露光
処理後のウエハWがウエハ搬送装置46により、筐体1
0内に搬入されて、昇降ピン58に受け渡され、この昇
降ピン58が降下されて、ウエハWが加熱プレート51
のプロキシミティピン52に載置される。次いで、蓋体
64がサポートリング63の上面まで降下されてシール
部材65によりシールされ、ウエハWの加熱処理室Sが
形成される。
ホットプレートユニット(PCH)においては、以下の
ようにしてウエハWの加熱処理が行われる。まず、露光
処理後のウエハWがウエハ搬送装置46により、筐体1
0内に搬入されて、昇降ピン58に受け渡され、この昇
降ピン58が降下されて、ウエハWが加熱プレート51
のプロキシミティピン52に載置される。次いで、蓋体
64がサポートリング63の上面まで降下されてシール
部材65によりシールされ、ウエハWの加熱処理室Sが
形成される。
【0049】この状態で、電磁弁73により流量が調節
されたパージガスが供給口71から加熱処理室S内に供
給され、かつ排気口66から排気管67を介して排気さ
れてウエハWの外周から中央に向かうパージガスの流れ
が形成されるとともに、電気ヒーター53により加熱プ
レート51が加熱されて、ウエハWが所定温度でポスト
エクスポージャー処理される。
されたパージガスが供給口71から加熱処理室S内に供
給され、かつ排気口66から排気管67を介して排気さ
れてウエハWの外周から中央に向かうパージガスの流れ
が形成されるとともに、電気ヒーター53により加熱プ
レート51が加熱されて、ウエハWが所定温度でポスト
エクスポージャー処理される。
【0050】ウエハWの加熱処理終了後には、蓋体64
が上方に移動されて、ウエハWが昇降ピン58により持
ち上げられ、ウエハ搬送装置46に受け渡されて、ホッ
トプレートユニット(PCH)から次工程のユニットに
搬送される。
が上方に移動されて、ウエハWが昇降ピン58により持
ち上げられ、ウエハ搬送装置46に受け渡されて、ホッ
トプレートユニット(PCH)から次工程のユニットに
搬送される。
【0051】ところで、プロセスやレジストの種類によ
って露光後のポストエクスポージャーベークの温度も異
なり、例えば従前のプロセスでは140℃で加熱してい
たものを、次順のプロセスでは例えば90℃で加熱処理
しなければならない場合がある。この場合に、加熱プレ
ート51を迅速に冷却して加熱処理の準備を行う必要が
あるが、従来はなんらの冷却手段を有しておらず、自然
放冷により多大の時間がかかっていた。
って露光後のポストエクスポージャーベークの温度も異
なり、例えば従前のプロセスでは140℃で加熱してい
たものを、次順のプロセスでは例えば90℃で加熱処理
しなければならない場合がある。この場合に、加熱プレ
ート51を迅速に冷却して加熱処理の準備を行う必要が
あるが、従来はなんらの冷却手段を有しておらず、自然
放冷により多大の時間がかかっていた。
【0052】これに対して本実施形態では、このように
加熱処理温度を低下させる場合に、複数のノズル74か
ら加熱プレート51の裏面に向けて空気や窒素ガス等の
冷却ガスを噴出させ、加熱プレート51の裏面に供給す
る。これにより、加熱プレート51が急冷されて、極め
て短時間で所定の低い設定温度まで降温することができ
る。
加熱処理温度を低下させる場合に、複数のノズル74か
ら加熱プレート51の裏面に向けて空気や窒素ガス等の
冷却ガスを噴出させ、加熱プレート51の裏面に供給す
る。これにより、加熱プレート51が急冷されて、極め
て短時間で所定の低い設定温度まで降温することができ
る。
【0053】また、ポストエクスポージャーベークは化
学増幅型レジストを用いた場合に加熱処理時間を厳密に
制御する必要があるため、加熱処理後にクーリングユニ
ットに搬送するタイミングに高精度が要求されていた
が、このように急冷機構を有することにより、ポストエ
クスポージャーベーク処理後の冷却処理を同一プレート
により高精度で行うことが可能となる。
学増幅型レジストを用いた場合に加熱処理時間を厳密に
制御する必要があるため、加熱処理後にクーリングユニ
ットに搬送するタイミングに高精度が要求されていた
が、このように急冷機構を有することにより、ポストエ
クスポージャーベーク処理後の冷却処理を同一プレート
により高精度で行うことが可能となる。
【0054】この際に、加熱プレート51の温度に応じ
て、ユニットコントローラ81の指令に基づいて冷却ガ
スの供給弁である電磁弁76の開閉制御および/または
流量制御を行うことができるので、加熱プレート51を
適切な温度まで高精度で降温させることができる。
て、ユニットコントローラ81の指令に基づいて冷却ガ
スの供給弁である電磁弁76の開閉制御および/または
流量制御を行うことができるので、加熱プレート51を
適切な温度まで高精度で降温させることができる。
【0055】このようにして加熱プレート51の裏面に
供給された冷却ガスは、サポートリング63の複数の排
出孔77を介して、加熱プレート51の側方に排出され
る。
供給された冷却ガスは、サポートリング63の複数の排
出孔77を介して、加熱プレート51の側方に排出され
る。
【0056】この冷却ガスの噴出の際にはパーティクル
を巻き込むおそれがあり、このパーティクルを巻き込ん
だ冷却ガスが加熱処理空間Sに供給されないように、蓋
体64の下端がシール部材65によりシールされてい
る。
を巻き込むおそれがあり、このパーティクルを巻き込ん
だ冷却ガスが加熱処理空間Sに供給されないように、蓋
体64の下端がシール部材65によりシールされてい
る。
【0057】しかし、このままではパージガスの供給に
より加熱処理空間Sの内圧が上昇することがあり、この
ように加熱処理室Sの内圧が上昇する場合には、加熱処
理室S内のパージガスの流れに乱れが生じやすく加熱プ
レート51の温度均一性が保てない。
より加熱処理空間Sの内圧が上昇することがあり、この
ように加熱処理室Sの内圧が上昇する場合には、加熱処
理室S内のパージガスの流れに乱れが生じやすく加熱プ
レート51の温度均一性が保てない。
【0058】そこで、本実施形態では、上述のような構
成を有する逆止弁機構90を設け、冷却空間Cにおいて
ノズル74から冷却ガスを供給する際に、冷却ガスが加
熱処理室S内へ侵入することを阻止するとともに、加熱
処理室Sから冷却室Cへのガスの流れを許容する。した
がって、冷却ガスを供給している際には加熱処理室Sに
パーティクルが侵入することが防止されるとともに、加
熱処理室Sの内圧が高くなって、加熱処理室S内の圧力
と冷却室C内の圧力との差圧がコイルスプリング93の
付勢力より大きくなったときには、逆止弁機構90が開
成されて、図4に破線の矢印で示すように、加熱処理室
S内からパージガスが冷却室Cへ放出されて加熱処理室
S内の圧力の過度な上昇が防止される。
成を有する逆止弁機構90を設け、冷却空間Cにおいて
ノズル74から冷却ガスを供給する際に、冷却ガスが加
熱処理室S内へ侵入することを阻止するとともに、加熱
処理室Sから冷却室Cへのガスの流れを許容する。した
がって、冷却ガスを供給している際には加熱処理室Sに
パーティクルが侵入することが防止されるとともに、加
熱処理室Sの内圧が高くなって、加熱処理室S内の圧力
と冷却室C内の圧力との差圧がコイルスプリング93の
付勢力より大きくなったときには、逆止弁機構90が開
成されて、図4に破線の矢印で示すように、加熱処理室
S内からパージガスが冷却室Cへ放出されて加熱処理室
S内の圧力の過度な上昇が防止される。
【0059】このように、本実施の形態によれば、逆止
弁機構90を設けることにより、加熱処理室S内への冷
却ガスの侵入および加熱処理空間Sの内圧の過度の上昇
を防止しているため、これらの問題が生じることなく冷
却ガスにより加熱プレート51を急冷して迅速に所定温
度まで降温することができる。
弁機構90を設けることにより、加熱処理室S内への冷
却ガスの侵入および加熱処理空間Sの内圧の過度の上昇
を防止しているため、これらの問題が生じることなく冷
却ガスにより加熱プレート51を急冷して迅速に所定温
度まで降温することができる。
【0060】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、逆止弁機構の構
成は、図5のものに限るものではなく、加熱処理空間S
への冷却ガスの侵入および加熱処理空間Sの内圧の上昇
を防止することができればどのような構造であってもよ
い。
ず、種々の変形が可能である。例えば、逆止弁機構の構
成は、図5のものに限るものではなく、加熱処理空間S
への冷却ガスの侵入および加熱処理空間Sの内圧の上昇
を防止することができればどのような構造であってもよ
い。
【0061】例えば、図7に示すような逆止弁機構10
0を用いることもできる。この逆止弁機構100は、断
熱リング54に取り付けられたベース部材101と、ベ
ース部材101にヒンジ部105を介して取り付けられ
た開閉部材102と、ベース部材101および開閉部材
102に取り付けられたばね部材103と、開閉部材1
02の周囲に設けられたシール部材104とを有してい
る。この逆止弁機構100は、冷却ガスが供給されてい
ない時には図7の(a)に示すように、ばね部材103
の付勢力により開閉部材102は開の状態になってお
り、加熱処理空間Sからのパージガスの流入が許容され
る。また、冷却ガスを供給する際には、図7の(b)に
示すように、冷却ガスの圧力により開閉部材102が閉
じられる。この場合に、シール部材104によりシール
されているため、加熱処理空間への冷却ガスの侵入を確
実に阻止することができる。
0を用いることもできる。この逆止弁機構100は、断
熱リング54に取り付けられたベース部材101と、ベ
ース部材101にヒンジ部105を介して取り付けられ
た開閉部材102と、ベース部材101および開閉部材
102に取り付けられたばね部材103と、開閉部材1
02の周囲に設けられたシール部材104とを有してい
る。この逆止弁機構100は、冷却ガスが供給されてい
ない時には図7の(a)に示すように、ばね部材103
の付勢力により開閉部材102は開の状態になってお
り、加熱処理空間Sからのパージガスの流入が許容され
る。また、冷却ガスを供給する際には、図7の(b)に
示すように、冷却ガスの圧力により開閉部材102が閉
じられる。この場合に、シール部材104によりシール
されているため、加熱処理空間への冷却ガスの侵入を確
実に阻止することができる。
【0062】また、逆止弁機構が配置される位置は、必
ずしも加熱プレート51の外周側である必要はなく、他
の場所であってもよい。さらに、上記実施形態では、本
発明をレジスト塗布現像処理システムにおけるポストエ
クスポージャーベーク用のホットプレートユニットに適
用した場合について示したが、これに限らず、プリベー
クやポストベーク等の他の加熱処理にも適用することが
可能であるし、レジスト塗布現像処理システム以外に用
いられる加熱処理に適用することも可能である。さらに
また、上記実施形態ではウエハをプロキシミティピン上
に載置して間接的に加熱を行った場合について示した
が、ウエハを加熱プレート上に直接載置して加熱しても
よい。さらにまた、上記実施形態では基板として半導体
ウエハを用いた場合について説明したが、半導体ウエハ
以外の他の被処理基板、例えばLCD基板の加熱処理を
行う場合についても適用可能である。
ずしも加熱プレート51の外周側である必要はなく、他
の場所であってもよい。さらに、上記実施形態では、本
発明をレジスト塗布現像処理システムにおけるポストエ
クスポージャーベーク用のホットプレートユニットに適
用した場合について示したが、これに限らず、プリベー
クやポストベーク等の他の加熱処理にも適用することが
可能であるし、レジスト塗布現像処理システム以外に用
いられる加熱処理に適用することも可能である。さらに
また、上記実施形態ではウエハをプロキシミティピン上
に載置して間接的に加熱を行った場合について示した
が、ウエハを加熱プレート上に直接載置して加熱しても
よい。さらにまた、上記実施形態では基板として半導体
ウエハを用いた場合について説明したが、半導体ウエハ
以外の他の被処理基板、例えばLCD基板の加熱処理を
行う場合についても適用可能である。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱プレートを降温する際には、冷却気体供給手段によ
り加熱プレートの裏面に冷却気体が供給されるので加熱
プレートを迅速に降温することができる。また、これに
加えて、処理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、処理
室内からの気体の排出を許容する逆止弁機構を設けてい
るので、加熱プレート冷却中に冷却気体が処理室に侵入
することを防止することができるとともに、熱雰囲気気
流を発生する気体が処理室から排出することが許容され
る。したがって、処理室へのパーティクルの侵入および
処理室の内圧の上昇を防止することができる。
加熱プレートを降温する際には、冷却気体供給手段によ
り加熱プレートの裏面に冷却気体が供給されるので加熱
プレートを迅速に降温することができる。また、これに
加えて、処理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、処理
室内からの気体の排出を許容する逆止弁機構を設けてい
るので、加熱プレート冷却中に冷却気体が処理室に侵入
することを防止することができるとともに、熱雰囲気気
流を発生する気体が処理室から排出することが許容され
る。したがって、処理室へのパーティクルの侵入および
処理室の内圧の上昇を防止することができる。
【図1】本発明の加熱処理装置の一実施形態である急冷
機構を有するホットプレートユニットを備えたレジスト
塗布・現像処理システムを示す概略平面図。
機構を有するホットプレートユニットを備えたレジスト
塗布・現像処理システムを示す概略平面図。
【図2】本発明の加熱処理装置の一実施形態である急冷
機構を有するホットプレートユニットを備えたレジスト
塗布・現像処理システムを示す概略正面図
機構を有するホットプレートユニットを備えたレジスト
塗布・現像処理システムを示す概略正面図
【図3】本発明の加熱処理装置の一実施形態である急冷
機構を有するホットプレートユニットを備えたレジスト
塗布・現像処理システムを示す概略背面図。
機構を有するホットプレートユニットを備えたレジスト
塗布・現像処理システムを示す概略背面図。
【図4】本発明の加熱処理装置の一実施形態である急冷
機構を有するホットプレートユニットを示す断面図。
機構を有するホットプレートユニットを示す断面図。
【図5】図4のホットプレートユニットに装着された逆
止弁機構を示す断面図。
止弁機構を示す断面図。
【図6】図4のホットプレートユニットの制御系を示す
図。
図。
【図7】逆止弁機構の他の構造例を示す断面図。
51;加熱プレート 53;電気ヒーター 64;蓋体 67;シール部材 71;リング状のノズル 73;電磁弁 74;ノズル 76;電磁弁 80;温度センサー 81;ユニットコントローラ(制御手段) 82;温調器(制御手段) 90,100;逆止弁機構 S;加熱処理室(処理室) C;冷却室 PCH;急冷機構を有するホットプレートユニット(加
熱処理装置) W;ウエハ(基板)
熱処理装置) W;ウエハ(基板)
Claims (10)
- 【請求項1】 基板を所定温度に加熱処理する加熱処理
装置であって、 その表面に基板を近接させまたは載置して、加熱処理す
る加熱プレートと、 この加熱プレートの上方に形成された処理室と、 前記処理室内に熱雰囲気気流を発生する気体を供給する
気体供給手段と、 前記加熱プレートの裏面に冷却気体を供給して、前記加
熱プレートを降温する冷却気体供給手段と、 前記処理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、前記処理
室内からの気体の排出を許容する逆止弁機構とを具備す
ることを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項2】 基板を所定温度に加熱処理する加熱処理
装置であって、 その表面に基板を近接させまたは載置して、加熱処理す
る加熱プレートと、 この加熱プレートの上方空間を覆って処理室を形成する
蓋体と、 この処理室内に熱雰囲気気流を発生する気体を供給する
気体供給手段と、 前記加熱プレートの下方に形成された冷却室と、 前記冷却室内に設けられ、前記加熱プレートの裏面に冷
却気体を供給して、前記加熱プレートを降温する冷却気
体供給手段と、 前記処理室内への気体の浸入を阻止し、かつ、前記処理
室内から前記冷却室への気体の排出を許容する逆止弁機
構とを具備することを特徴とする加熱処理装置。 - 【請求項3】 前記蓋体はその上面中央に排気口が設け
られ、前記気体供給手段は、前記熱雰囲気気流を発生す
る気体を前記加熱プレートの外周側から前記処理室に供
給する供給口を有し、前記供給口から処理室に供給され
た熱雰囲気気流を発生する気体が、前記排気口から排気
されることを特徴とする請求項2に記載の加熱処理装
置。 - 【請求項4】 前記供給口は、前記加熱プレートの外周
に沿って配置されていることを特徴とする請求項3に記
載の加熱処理装置。 - 【請求項5】 前記蓋体の下端を密閉するシール部材を
さらに具備することを特徴とする請求項2から請求項4
のいずれか1項に記載の加熱処理装置。 - 【請求項6】 前記逆止弁機構は、前記冷却気体が供給
されていないときに開放されていることを特徴とする請
求項1から請求項5のいずれか1項に記載の加熱処理装
置。 - 【請求項7】 前記逆止弁機構は、前記処理室の内圧が
所定値以上になったときに開放されることを特徴とする
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の加熱処理
装置。 - 【請求項8】 前記逆止弁機構は、前記加熱プレートの
外周外側に少なくとも1個設けられていることを特徴と
する請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の加
熱処理装置。 - 【請求項9】 前記気体供給手段は、基板を加熱処理し
ている際に熱雰囲気気流を発生する気体を供給し、前記
冷却気体供給手段は基板を加熱処理をしていない時に冷
却気体を供給することを特徴とする請求項1から請求項
8のいずれか1項に記載の加熱処理装置。 - 【請求項10】 加熱プレートの温度に応じて、冷却気
体の供給弁の開閉制御および/または流量制御を行うた
めの制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項
1から請求項9のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35874899A JP2001176764A (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | 加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35874899A JP2001176764A (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | 加熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001176764A true JP2001176764A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18460917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35874899A Pending JP2001176764A (ja) | 1999-12-17 | 1999-12-17 | 加熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001176764A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166659A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
KR101526505B1 (ko) * | 2013-06-20 | 2015-06-09 | 피에스케이 주식회사 | 냉각 유닛 및 이를 이용한 냉각 방법, 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
JP2019510375A (ja) * | 2016-03-18 | 2019-04-11 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 基板熱処理装置 |
-
1999
- 1999-12-17 JP JP35874899A patent/JP2001176764A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166659A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
KR101526505B1 (ko) * | 2013-06-20 | 2015-06-09 | 피에스케이 주식회사 | 냉각 유닛 및 이를 이용한 냉각 방법, 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
JP2019510375A (ja) * | 2016-03-18 | 2019-04-11 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 基板熱処理装置 |
US11854842B2 (en) | 2016-03-18 | 2023-12-26 | Acm Research (Shanghai), Inc. | Substrate heat treatment apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6815647B2 (en) | Heat treatment unit and heat treatment method | |
US20010013515A1 (en) | Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system | |
US20170372926A1 (en) | Substrate treating unit, baking apparatus including the same, and substrate treating method using baking apparatus | |
KR101667434B1 (ko) | 열 처리 장치, 열 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2000252181A (ja) | 熱処理装置、処理装置及び熱処理方法 | |
US6979474B2 (en) | Heat treatment method, heat treatment apparatus and treatment system | |
JP2001168022A (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
US6399518B1 (en) | Resist coating and developing processing apparatus | |
JP3914690B2 (ja) | 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム | |
JP3683788B2 (ja) | 加熱処理装置の冷却方法及び加熱処理装置 | |
JP4294837B2 (ja) | 処理システム | |
JP3617599B2 (ja) | 処理装置 | |
JP4115641B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3552600B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2001176764A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3589929B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4662479B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2002270484A (ja) | 冷却処理装置及び冷却処理方法 | |
JP4014348B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3888836B2 (ja) | レジスト塗布現像処理装置 | |
JP4024980B2 (ja) | 加熱処理方法及び加熱処理装置 | |
JP3555743B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP2002203779A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3966664B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3589939B2 (ja) | 加熱処理方法 |