KR20060010153A

KR20060010153A - 수율을 높일 수 있는 로드록 챔버를 가지는 반도체 제조장치

Info

Publication number: KR20060010153A
Application number: KR1020040058756A
Authority: KR
Inventors: 김현철; 정창구
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-07-27
Filing date: 2004-07-27
Publication date: 2006-02-02

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 웨이퍼가 적재되는 보우트가 내부에 설비된 로드록 챔버를 갖는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 보우트는 적재되는 웨이퍼의 상하 각각에 상판과 하판을 포함하고, 상기 상판은 적재되는 웨이퍼의 표면 전체를 가릴 수 있는 구조인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 보우트 내부의 상판을 웨이퍼 전체를 커버할 수 있는 형태로 변경하여 줌으로써 로드록 챔버 내부에 잔존하던 수분이나 파티클이 펌핑시 상판에만 영향을 주게되고 웨이퍼에는 직접적인 영향이 가해지지 않게 된다. 따라서, 웨이퍼에는 결함이 생길 여지가 줄어들거나 없어지게 되어 반도체 칩의 생산 수율이 향상되는 효과가 있다.

Description

수율을 높일 수 있는 로드록 챔버를 가지는 반도체 제조 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH LOAD LOCK CHAMBER TO INCREASE YIELD}

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조 장치에 있어서 로드록 챔버의 보우트 내부를 도시한 사시도이다.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치에 있어서 로드록 챔버의 보우트 내부를 도시한 사시도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

100; 보우트 110,130; 출입구

120; 상판 140; 하판

160; 로드 180; 배기구

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 칩 제조 수율을 높일 수 있는 로드록 챔버를 가지는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정용 설비에는 프로세스 챔버(Process Chamber) 외에 별도의 진공 로드록 챔버(Vacuum Load Lock Chamber) 시스템을 가지는 것이 있다. 종래의 반도체 제조 장치의 로드록 챔버에는 웨이퍼가 적재되는 보우트(Boat)를 포함하는 것이 일반적이다.

도 1을 참조하면, 이 보우트(10) 내에는 소정의 프로세스를 거쳐 로드록 챔버내로 들어온 웨이퍼(W)의 냉각의 취약점을 보완하기 위하여 상판(12)과 하판(14)이 설치된다. 이 상판(12)과 하판(14)은 알루미늄으로 제조되어 일종의 히트 싱크(Heat Sink) 역할을 하는 것으로, 상판(12)과 하판(14)은 로드(16)에 의해 보우트(10) 내에서 상하 대면토록 설치되고, 그 사이에 웨이퍼(W)가 배치된다.

종래에는 상판(12)이 로드(16)를 잡아주기 위하여 그 외관은 주로 직사각형 형태를 취하였다. 직사각형 상판(12)은 원형의 웨이퍼(W) 전체를 다 커버하지 못하는 구조였다. 따라서, 보우트(10) 하부에서 펌핑을 진행하게 되면 챔버 내 상부에서 발생한 수분이나 파티클이 배기구(18)를 향해 빨려 내려오게 될 때, 맨 위쪽 웨이퍼(W)에서 상판(12)에 의해 가려지지 않은 부분이 영향을 받아 결함이 생기는 현상이 있었다. 그 결함으로 인해 반도체 칩 생산 수율이 떨어지는 문제점이 있었다.

이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 보우트 내부 구조를 변경함으로써 반도체 칩 제조 수율을 향상시킬 수 있는 로드록 챔버를 가지는 반도체 제조 장치를 제공함에 있다.

상기 목적을 달성할 수 있는 본 발명에 따른 반도체 장치는 로드록 챔버 내 부에 잔존하던 수분이나 파티클이 펌핑시 보우트 하부의 배기구로 이동하더라도 웨이퍼에는 영향을 주지않도록 상판의 구조를 변경시킨 것을 특징으로 한다.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 웨이퍼가 적재되는 보우트가 내부에 설비된 로드록 챔버를 갖는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 보우트는 적재되는 웨이퍼의 상하 각각에 상판과 하판을 포함하고, 상기 상판은 적재되는 웨이퍼의 표면 전체를 가릴 수 있는 구조인 것을 특징으로 한다.

상기 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 상판은 상기 보우트에 적재되는 웨이퍼의 외관과 동일 유사한 외관을 가질 수 있다. 상기 상판은 원형의 외관을 가질 수 있다. 상기 보우트는 하부에 배기구가 더 형성되어 있을 수 있다. 상기 보우트는 측면에 웨이퍼의 출입을 허용하는 출입구가 더 형성되어 있을 수 있다. 상기 상판은 알루미늄을 포함하는 것으로 구성될 수 있다.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 웨이퍼가 출입되도록 하는 출입구가 측면에 형성된 보우트; 상기 보우트 하부에 설비된 배기구; 및 상기 보우트 내부의 상하 각각에 로드에 의해 일정한 간격으로 이격 배치된 상판과 하판을 포함하고, 상기 상판은, 상기 상판과 상기 하판 사이에 형성된 일정한 공간에 배치되는 웨이퍼의 표면 전체를 가릴 수 있도록 상기 공간에 배치되는 웨이퍼의 직경과 동일하거나 그보다 큰 직경을 가지는 원형의 외관을 지니는 것을 특징으로 한다.

상기 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 상판은 알루미늄을 포함하는 것 으로 구성될 수 있다.

본 발명에 의하면, 보우트 내부의 상판을 웨이퍼 전체를 커버할 수 있는 형태로 변경하여 줌으로써 로드록 챔버 내부에 잔존하던 수분이나 파티클이 펌핑시 상판에만 영향을 주게되고 웨이퍼에는 직접적인 영향이 가해지지 않게 된다. 따라서, 웨이퍼에는 결함이 생길 여지가 줄어들거나 없어지게 되어 반도체 칩의 생산 수율이 향상된다.

이하, 본 발명에 따른 반도체 칩 제조 수율을 높일 수 있는 로드록 챔버를 가지는 반도체 제조 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명에 따른 레티클 박스 클리너는 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명에 따른 레티클 박스 클리너는 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.

(실시예)

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 로드록 챔버의 보우트(100)는 아래쪽으로는 펌핑을 하기 위한 배기구(180)가 있고, 그 위쪽으로는 복수개의 웨이퍼(W), 가령 25매의 웨이퍼(W)가 놓여지는 구조를 취한다.

보우트(100)의 측면에는 웨이퍼의 출입을 허용하는 출입구(110,130)가 설치된다. 예를 들어, 이것들 중 어느 하나(110)는 프로세스 챔버와의 웨이퍼 수수 기능을 담당하는 로보트가 배치된 부분과 접하고, 다른 하나(130)는 푸프(FOUP)와의 웨이퍼 수수 기능을 담당하는 로보트가 배치된 부분과 접한다.

보우트(100) 내부에는 프로세스 챔버(Process Chamber)에서 소정의 프로세스를 거쳐 로드록 챔버(Load Lock Chamber)로 들어온 웨이퍼(W)의 냉각상의 취약점을 보완하기 위하여 상판(120)과 하판(140)이 설치된다. 이 상판(120)과 하판(140)은 알루미늄(Al)으로 제조되어 일종의 히트 싱크(Heat Sink) 역할을 한다. 상판(120)과 하판(140)은 로드(160)에 의해 보우트(100) 내에서 상하 대면토록 설치되고, 그 사이에는 웨이퍼(W)가 배치된다.

여기서, 상판(120)은 웨이퍼(W) 전체를 커버할 수 있는 형태와 크기를 지니는 것이 바람직하다. 이를 위해, 상판(120)은 웨이퍼(W)와 동일 유사한 형태, 즉 원형의 외관을 가질 수 있다. 그리고, 원형의 상판(120)의 직경은 적어도 웨이퍼(W)의 직경과 동일하거나 그보다는 커야 할 것이다. 상판(120)의 크기와 형태는 상술한 원형에 한정되지하고 보우트(100)의 내부 구조가 허용하는 임의적이다.

상기와 같이 구성된 보우트(100)는 다음과 같이 동작한다.

프로세스 챔버에서 소정의 프로세스를 받은 웨이퍼가 출입구(110)를 거쳐 로드록 챔버의 보우트(100)로 유입된다. 유입된 웨이퍼(W)는 보우트(100)내에서 냉각되는데, 복수매의 웨이퍼 중에서 나중에 유입된 웨이퍼는 냉각에 있어서 취약점을 가질 수 있다. 따라서, 보우트(100) 내부에 설비된 히트 싱크(Heat Sink) 역할을 하는 알루미늄 상판(120)과 하판(140)에 의해 냉각 취약점을 갖는 웨이퍼에 대해 효율적으로 냉각된다.

한편, 보우트(100) 하부에는 배기구(180)가 형성되어 있어 펌핑 진행시 보우트(100) 상부에서 하부의 배기구(180) 쪽으로 수분이나 파티클이 이동하게 된다. 이때, 하강하는 수분이나 파티클은 상판(120)에만 영향을 미치고, 상판(120)에 의해 전체가 가려진 웨이퍼(W)에 대해서는 영향을 주지 못하게 된다. 이에 따라, 종래에 발생했던 웨이퍼(W) 결함이 최소화되거나 억제된다. 충분히 냉각된 웨이퍼(W)는 출입구(130)를 거쳐 푸프(FOUP)로 적재되어 예정된 다음 공정을 받기 위해 대기하거나 소정의 설비로 이동된다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 보우트 내부의 상판을 웨이퍼 전체를 커버할 수 있는 형태로 변경하여 줌으로써 로드록 챔버 내부에 잔존하던 수분이나 파티클이 펌핑시 상판에만 영향을 주게되고 웨이퍼에는 직접적인 영향이 가해지지 않게 된다. 따라서, 웨이퍼에는 결함이 생길 여지가 줄어들거나 없어지게 되어 반도체 칩의 생산 수율이 향상되는 효과가 있다.

Claims

웨이퍼가 적재되는 보우트가 내부에 설비된 로드록 챔버를 갖는 반도체 제조 장치에 있어서,

상기 보우트는 적재되는 웨이퍼의 상하 각각에 상판과 하판을 포함하고,

상기 상판은 적재되는 웨이퍼의 표면 전체를 가릴 수 있는 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
제1항에 있어서,

상기 상판은 상기 보우트에 적재되는 웨이퍼의 외관과 동일 유사한 외관을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
제2항에 있어서,

상기 상판은 원형의 외관을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 보우트는 하부에 배기구가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
제4항에 있어서,

상기 보우트는 측면에 웨이퍼의 출입을 허용하는 출입구가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 상판은 알루미늄을 포함하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
웨이퍼가 출입되도록 하는 출입구가 측면에 형성된 보우트;

상기 보우트 하부에 설비된 배기구; 및

상기 보우트 내부의 상하 각각에 로드에 의해 일정한 간격으로 이격 배치된 상판과 하판을 포함하고,

상기 상판은, 상기 상판과 상기 하판 사이에 형성된 일정한 공간에 배치되는 웨이퍼의 표면 전체를 가릴 수 있도록 상기 공간에 배치되는 웨이퍼의 직경과 동일하거나 그보다 큰 직경을 가지는 원형의 외관을 지니는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
제7항에 있어서,

상기 상판은 알루미늄을 포함하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.