TWI629692B - 導電物品 - Google Patents
導電物品 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI629692B TWI629692B TW102144273A TW102144273A TWI629692B TW I629692 B TWI629692 B TW I629692B TW 102144273 A TW102144273 A TW 102144273A TW 102144273 A TW102144273 A TW 102144273A TW I629692 B TWI629692 B TW I629692B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- conductive
- conductive metal
- microns
- metal traces
- article
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 212
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 212
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 15
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 12
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 12
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 51
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 22
- 238000013461 design Methods 0.000 description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- -1 poly(ethylene terephthalate) Polymers 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 8
- 235000013599 spices Nutrition 0.000 description 8
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 1
- OXBIGOITHYOHGV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;naphthalene Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 OXBIGOITHYOHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Cl-].[Cu+2] MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 239000010934 sterling silver Substances 0.000 description 1
- 229910000898 sterling silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
一種物品包含：具有一第一主表面之一基板；該基板之該第一主表面上之一電導體圖案，該電導體圖案包含複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線。視情況，該等物品進一步包含一第一導電層。本文中所描述之物品的實施例係用於(例如)顯示器、觸控感測器、發光元件、光伏電池、電致變色窗及顯示器，以及電致發光燈及顯示器中。
Description
使用導電且透明之材料及組件作為(例如)液晶顯示器、光伏電池、觸控顯示器感測器、光偵測器、電致變色窗、無機電致發光燈、有機發光二極體(OLED)燈及顯示器中之電極。此等器件之效率或效能取決於(例如)電輸運特性(藉由以每平方歐姆為單位量測的薄片電阻Rs定量地描述)及光學特性(主要藉由以百分比為單位量測的透光率%T定量地描述)。對於多數器件，當透明電極薄片電阻減少或透光率增加時，效率或效能增強。低薄片電阻及高透光率在材料中係衝突的性質，其迫使在器件設計、效能及效率方面折衷。諸如氧化銦錫或導電聚合物(諸如PEDOT-PSS)之個別材料提供其固有之有限位準及薄片電阻與透光率之間的折衷。因此，此項技術中需要改良現有透明導電材料及組件，以相比於標準材料減少薄片電阻或增加透光率。
在一個態樣中，本發明描述一種物品，其包含：具有一第一主表面之一基板；該基板之該第一主表面上之一電導體圖案，該電導體圖案包含：複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線(例如，參看圖1至圖5)，每一對之第一及第二導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍(在一些實
施例中，至少10倍、25倍、50倍或100倍；或在5倍至1000倍、10倍至500倍、15倍至250倍或甚至50倍至200倍之一範圍中)，且其中每cm2存在至少50個(在一些實施例中，至少75個、100個、150個、200個、250個、500個、1000個、5000個、10000個、25000個、50000個、75000個、100000個或甚至至少150000個；在一些實施例中，在100個至150000個、500個至150000個、1000個至150000個、5000個至150000個、10000個至150000個或甚至25000個至150000個之一範圍中)導電金屬跡線。
視情況，本文中所描述之物品進一步包含具有第一及第二大體上對置之主表面之一第一導電層，其中該第一導電層之一主表面與該複數對第一及第二導電金屬跡線之至少一部分(在一些實施例中，大體上平行於該基板之該第一主表面的該複數對第一及第二導電金屬跡線之至少1%、2%、3%、4%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、99%或甚至100%)接觸。視情況，該導電層經圖案化且包含第一及第二分開區域(在一些實施例中，額外(例如，一第三)分開區域)，且視情況進一步包含電連接至該第一區域之一第一位址跡線，及電連接至該第二區域之一第二位址跡線(且，在一些實施例中，視情況電連接至一(多個)額外區域之一(多個)額外位址跡線，若存在)。
在另一態樣中，本發明描述一種製造本文中所描述之一物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；及將複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線沈積至該基板之該第一主表面上以提供該物品。
在另一態樣中，本發明描述一種製造本文中所描述之一物品的
方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；將一金屬層提供至該基板之該第一主表面上；及蝕刻一金屬層以在該基板之該第一主表面上提供複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線以提供該物品。
在另一態樣中，本發明描述一種製造本文中所描述之一物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；將一導電層沈積至該第一主表面上；將複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線沈積至該導電層上以提供該物品。
在另一態樣中，本發明描述一種製造本文中所描述之一物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；將一導電層沈積至該第一主表面上；將一金屬層沈積至該導電層上以提供該物品；及蝕刻該金屬層以在該基板之該第一主表面上提供複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線以提供該物品。
本文中所描述之物品之實施例係用於(例如)顯示器、觸控感測器、發光元件(例如，發光二極體(例如，有機發光二極體))、光伏電池、電致變色窗及顯示器，以及電致發光燈及顯示器中。
由本文中所描述之物品之實施例及其製造提供的優點包括不需要可同時達成特徵大小(亦即，來自同一製程之微觀(例如，次微米)網格跡線及宏觀(例如，毫米)結合焊墊)之大範圍的單一圖案化製程、用於每一器件設計反覆之具有可受益於微觀網格跡線之透明導體的昂貴高解析度定製工具及，任何後續圖案化製程與金屬微圖案的對齊。
10‧‧‧電導體圖案
11‧‧‧第一導電金屬跡線/第一無分岔導電金屬跡線
12‧‧‧第二導電金屬跡線/第二無分岔導電金屬跡線
20‧‧‧電導體圖案
21‧‧‧第一導電金屬跡線/第一分岔導電金屬跡線
22‧‧‧第二導電金屬跡線/第二分岔導電金屬跡線
30‧‧‧電導體圖案
31‧‧‧第一導電金屬跡線/第一分岔導電金屬跡線
32‧‧‧第二導電金屬跡線/第二分岔導電金屬跡線
40‧‧‧電導體圖案
41‧‧‧第一導電金屬跡線/第一分岔導電金屬跡線
42‧‧‧第二導電金屬跡線/第二分岔導電金屬跡線
51‧‧‧第一導電金屬跡線
51A‧‧‧區段
51B‧‧‧區段
51C‧‧‧區段
52‧‧‧第二導電金屬跡線
53A‧‧‧區段
53B‧‧‧區段
53C‧‧‧區段
59‧‧‧基板
60‧‧‧物品
63‧‧‧導電層
69‧‧‧基板
70‧‧‧物品
71‧‧‧第一導電金屬跡線
72‧‧‧第二導電金屬跡線
73‧‧‧導電層
79‧‧‧基板
80‧‧‧物品
85‧‧‧區域
86‧‧‧區域
88‧‧‧導電金屬跡線之圖案
89‧‧‧基板
90‧‧‧例示性物品
91‧‧‧第一導電金屬跡線
92‧‧‧第二導電金屬跡線
95‧‧‧導電層區域
96‧‧‧導電層區域
99‧‧‧基板
99A‧‧‧基板
100‧‧‧物品
100A‧‧‧物品
104‧‧‧區域
104A‧‧‧區域
105‧‧‧區域
105A‧‧‧區域
106‧‧‧接觸焊墊
106A‧‧‧接觸焊墊
107‧‧‧位址跡線
107A‧‧‧位址跡線
110‧‧‧觸控螢幕組件總成
111‧‧‧光學清透黏接劑
113‧‧‧光學清透黏接劑
115‧‧‧保護鏡
N1‧‧‧節點
N2‧‧‧節點
N5A1‧‧‧節點
N5A2‧‧‧節點
N5B1‧‧‧節點
N5B2‧‧‧節點
圖1至圖4為用於本文中所描述之物品之例示性導電金屬跡線的說明；圖2A、圖5A及圖5B為用於本文中所描述之物品之導電金屬跡線之例示性對的說明；圖6至圖11為用於本文中所描述之物品的例示性說明；且圖12說明包括本文中所描述之例示性物品之觸控螢幕組件的組合。
例示性基板包括玻璃及聚合物膜(例如，選自由以下各者組成之群組之聚合物膜：聚(對苯二甲酸伸乙酯)(PET)、環烯聚合物(COP)、聚(萘二甲酸伸乙酯)(PEN)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)及環聚烯烴共聚物)。在一些實施例中，基板為透明的(亦即，以至少50%(在一些實施例中，至少75%、80%、85%、90%或甚至至少95%)之百分比透射可見光)。在不需要透明性之一些實施例中，基板為不透明的(亦即，以小於5%(在一些實施例中，小於4%、3%、2%、1%、0.5%或甚至小於0.1%)之百分比透射可見光)。
通常，電導體圖案具有大於80、90、95、96、97、98、99或甚至至少99.5(在一些實施例中，在80至99.75、90至99.75、90至99.5、95至99.75或甚至95至99.5之一範圍中)的開口面積分率，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
圖1至圖4中說明例示性電導體圖案。參看圖1，電導體圖案10具有複數個分開對分開的第一(11)及第二(12)無分岔導電金屬跡線，每一對之第一(11)及第二(12)導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍。術語導電描述呈跡線或層之形式的展現至少10西門子/公分之有效體電導率
的材料。舉例而言，已知展現(例如)至少1000西門子/公分之體電導率的導電聚合物。氧化銦錫之組合物可展現(例如)10000西門子/公分之體電導率。純銀展現6.3x105西門子/公分之體電導率。術語有效(在有效體電導率中)意欲考慮本發明之導電材料之範疇內之複合材料的可能性，該等複合材料具有具不同局部體電導率之多個相。術語重疊係指組成一對(如本文中所描述)或各自為分開但相鄰之對的成員的兩個相鄰分開導電金屬跡線之部分，導電跡線在基板之平面內彼此分開(實體地及電力地)，該等部分彼此近似平行或在重疊距離(長度)上相對於彼此維持一近似恆定分離。「分開」意謂跡線除(例如)經由導電層電連接時外彼此不實體或電接觸。術語重疊既不指實體或電接觸，亦不指在基板之平面中之重合位置。導電金屬跡線具有長度、寬度及厚度。電導體圖案10具有開口面積分率(亦即，導電金屬跡線所在的表面之未由導電金屬跡線覆蓋的表面積)。
參看圖2及圖2A，電導體圖案20具有複數個分開對分開的第一(21)及第二(22)分岔導電金屬跡線，每一對之第一(21)及第二(22)導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度OL2，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離D2的至少5倍。導電金屬跡線具有長度L2、寬度及厚度。電導體圖案20具有開口面積分率及間距P2。
參看圖3，電導體圖案30具有複數個分開對分開的第一(31)及第二(32)分岔導電金屬跡線，每一對之第一(31)及第二(32)導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍。導電金屬跡線具有長度、寬度及厚度。電導體圖案30具有開口面積分率。
參看圖4，電導體圖案40具有複數個分開對分開的第一(41)及第二(42)分岔導電金屬跡線，每一對之第一(41)及第二(42)導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之
分離距離的至少5倍。導電金屬跡線具有長度、寬度及厚度。電導體圖案40具有開口面積分率。
在一些實施例中，第一及第二導電金屬跡線為線性的(例如，參看圖1至圖3)、非線性的(例如，參看圖4)，或包括兩者。在一些實施例中，第一及第二導電金屬跡線係分岔的(亦即，21、22、31、32、41、42；例如，參看圖2至圖4)、無分岔的(亦即，11、12；例如，參看圖1)，或包括兩者。分岔導電跡線係包括至少一頂點(本文中亦稱作節點)之導電跡線，其中至少兩個線性或非線性(例如，弧形)伸長導電導體元件會聚(連接)。在頂點處，該等元件之間可界定一角。一些分岔導電跡線具有會聚於一頂點處之三個元件。一些分岔導電跡線具有會聚於一頂點處之四個元件。一些分岔導電跡線具有會聚於一頂點處之四個以上元件。分岔跡線之長度係可自跡線之一個伸長導電導體元件之末端經由至少一頂點至跡線之另一伸長導電導體元件之末端界定的最長路徑之長度，如(例如)圖2A中之L2所例證。在一些實施例中，該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一重複圖案(亦即，平行線之一般形式、方格網或斜方格網之一般形式、六邊形網狀結構之一般形式；參看例如圖1至圖3)。在一些實施例中，該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一重複線系(亦即，平行線之一般形式；參看例如圖1)。在一些實施例中，該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成二維網狀結構。短語大體上形成(或形成)二維網狀結構指代導電金屬跡線之配置，其中路徑之連續網狀結構(呈具有開口單元結構之網格形式)將藉由電連接跡線對之導電金屬跡線及電連接相鄰對之相鄰導電金屬跡線而產生，相鄰對之相鄰導電金屬跡線具有本文中所描述之重疊及分離關係。在一些實施例中，該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一柵格(亦即，方格網或斜方格網之一般形式；參看例如圖2)。在一些實施例中，該複數對第一及第二
導電金屬跡線大體上形成一重複六邊形圖案(參看例如圖3)。包括大體上呈方格網、斜方格網或重複六邊形圖案之形式的複數對第一及第二導電金屬跡線之此等實施例係大體上呈二維網狀結構形式的複數對之實例。在一些實施例中，金屬的第一及第二導電金屬跡線大體上呈偽隨機二維網狀結構(亦即，偽隨機二維網狀結構之一般形式；參看例如圖4)之形式。偽隨機係指導電跡線之缺乏平移對稱性但可自確定性製造製程(例如，光微影或印刷)(例如，包括一計算設計製程，其包括藉由隨機化演算法產生圖案幾何形狀)得到之配置。在一些實施例中，第一及第二金屬導電金屬跡線之該等對之至少一部分相對於彼此互補地漸縮(參看例如圖5A)，較佳針對分岔跡線且較佳在跡線隨距分岔跡線之頂點(或節點)之距離增加而朝較窄寬度逐漸減少的情況下。參看圖5A，第一導電金屬跡線51及第二導電金屬跡線52之例示性對各自相對於彼此互補地漸縮，且具有節點N5A1、N5A2。
參看圖5B，區段51A、51B、51C、53A、53B、53C中的第一及第二導電金屬跡線之例示性對分別具有節點N5B1、N5B2、間距P5B、區段(具有區段長度SL5B)之間的間隙GS5B及重疊長度OL5B。
通常，存在至少1000(在一些實施例中，至少10000、100000、1000000或甚至至少10000000)對導電金屬跡線，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，複數對內之相鄰對之相鄰導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍(在一些實施例中，在5倍至1000倍、10倍至500倍、15倍至250倍或甚至50倍至200倍之一範圍中)。
較佳地，存在每cm2至少50個(在一些實施例中，至少75個、100個、150個、200個、250個、500個、1000個、5000個、10000個、25000個、50000個、75000個、100000個或甚至至少150000個；在一
些實施例中，在100個至150000個、500個至150000個、1000個至150000個、5000個至150000個、10000個至150000個或甚至25000個至150000個之一範圍中)導電金屬跡線。在一些實施例中，存在每cm2小於50個導電金屬跡線，例如，在每cm2 2個至50個、5個至50個、5個至40個或10個至30個之一範圍中的導電金屬跡線。
通常，該等對之所有導電金屬跡線具有相對於相鄰對之導電跡線之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍(在一些實施例中，在5倍至1000倍、10倍至500倍、15倍至250倍或甚至50倍至200倍之一範圍中)。
通常，導電金屬跡線具有不大於5歐姆/平方(在一些實施例中，不大於2歐姆/平方、1歐姆/平方、0.5歐姆/平方、0.4歐姆/平方、0.3歐姆/平方、0.2歐姆/平方、0.1歐姆/平方、0.05歐姆/平方、0.025歐姆/平方、0.01歐姆/平方、0.05歐姆/平方或甚至不大於0.01歐姆/平方(在一些實施例中，在0.01歐姆/平方至5歐姆/平方、0.05歐姆/平方至2.5歐姆/平方、0.1歐姆/平方至1歐姆/平方或甚至0.2歐姆/平方至0.5歐姆/平方之一範圍中)的薄片電阻(亦即，體電阻率除以導電金屬跡線厚度(z軸尺寸，垂直於基板之平面))，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
在一些實施例中，導電金屬跡線變黑(亦即，導電跡線之可見光反射率小於將特性化金屬與絕緣體(例如，空氣)之間的平滑界面之反射率)。可藉由(例如)導電金屬跡線之表面的受控反應(例如，銀跡線之硫化反應、銀或銅跡線之電漿氧化反應)來達成導電金屬跡線之變黑。亦可藉由(例如)在一適當奈米結構化之基板表面上製造或沈積導電金屬跡線(如(例如)2012年8月9日公開之PCT公開案第WO2012/106417號中所描述，該案之揭示內容以引用之方式併入本文中)來達成導電金屬跡線之變黑。在透明導體之一些應用(例如，用於
觸控螢幕感測器)中，需要透明導體反射最小比例之入射光。在觸控螢幕感測器之狀況下，透明電導體(例如，組成透明電導體之至少一部分的導電金屬跡線)之低反射率最小化下伏資訊顯示器與觸控感測器之間的視覺干擾，尤其在強環境照明情形下(例如，在太陽光下)。未變黑之導電金屬跡線可具有大於80%的可見光反射率。變黑之導電金屬跡線具有小於50%(在一些實施例中，小於40%、30%、25%、20%、15%、10%、5%、4%、3%、2%或甚至小於1%)之可見光反射率。
例示性導電金屬跡線包含銀、金、鈀、鋁、鎳、鉬、鎢、鉻、銅、錫或鎳中之至少一者。
通常，導電金屬跡線具有不大於25微米(在一些實施例中，不大於15微米、10微米、5微米、4微米、3微米、2微米或甚至不大於1微米；在一些實施例中，在0.1微米至25微米、0.25微米至10微米、0.5微米至5微米或甚至0.75微米至25微米之一範圍中)之寬度，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，導電金屬跡線具有至少5微米(在一些實施例中，至少10微米、25微米、50微米、75微米、100微米、250微米、500微米、1000微米、5000微米、10000微米、25000微米或甚至至少50000微米；在一些實施例中，在100微米至500微米之一範圍中；在一些實施例中，10微米至10毫米、25微米至1微米或甚至50微米至500微米之一範圍中)之長度，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，該等第一及該等第二導電金屬跡線具有在10奈米至20微米(在一些實施例中，在20奈米至5微米、30奈米至1微米、40奈米至500奈米或甚至50奈米至400奈米之一範圍中)之一厚度，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，存在至少1000對(在一些實施例中，至少5000對、10000
對、25000對、50000對、75000對、100000對、500000對、1000000對、5000000對或甚至至少10000000對)導電金屬跡線，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，一對導電金屬跡線之重疊長度為至少5微米(在一些實施例中，至少10微米、25微米、50微米、100微米、250微米、500微米、1000微米、10000微米、25000微米或甚至至少50000微米；在一些實施例中，在5微米至9毫米、10微米至1毫米、25微米至500微米、250微米至500微米或甚至30微米至300微米之一範圍中)，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，相鄰對之相鄰導電金屬跡線具有至少5微米(在一些實施例中，至少10微米、25微米、50微米、100微米、250微米、500微米、1000微米、10000微米、25000微米或甚至至少50000微米；在一些實施例中，在5微米至9毫米、10微米至1毫米、25微米至500微米、250微米至500微米或甚至30微米至300微米之一範圍中)之重疊長度，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，一對中之每一導電金屬跡線彼此分開至多100微米(在一些實施例中，至多75微米、50微米、25微米、15微米、10微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.75微米、0.5微米或甚至至多0.25微米；在一些實施例中，在大於0至100微米、0.5微米至50微米、0.5微米至25微米、0.5微米至15微米、0.5微米至10微米、0.5微米至5微米、0.75微米至3微米或甚至1微米至2微米之一範圍中)，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
通常，相鄰對之相鄰導電金屬跡線彼此分開至多100微米(在一些實施例中，至多75微米、50微米、25微米、15微米、10微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.75微米、0.5微米或甚至至多0.25微米；在一些實施例中，在大於0至100微米、0.5微米至50微米、
0.5微米至25微米、0.5微米至15微米、0.5微米至10微米、0.5微米至5微米、0.75微米至3微米或甚至1微米至2微米之一範圍中)。
參看圖6，展示本文中所描述之例示性物品20，其具有經添加以接觸複數對第一(21)及第二(22)導電金屬跡線之導電層63。圖6A展示源於圖6之物品60的截面，該物品具有基板59、複數對第一(21)及第二(22)導電金屬跡線及導電層63。
圖7展示在基板69、複數對第一(71)及第二(72)導電金屬跡線及導電層73之配置方面具有不同構造的替代物品70之截面。
圖8展示具有基板79之例示性物品80，該基板具有：區域85，其包含複數對第一(21)及第二(22)導電金屬跡線之圖案(例如，如圖1至圖4中之任一者所示之圖案)(圖8中未展示)與一導電層(圖8中未展示)(例如，導電金屬跡線上之一透明導電材料層)；及區域86，其包含導電金屬跡線且不包含導電層。圖8為可自用於圖案化複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線之一最佳化第一製程步驟、繼之以用於圖案化一導電層(例如，印刷一透明導電材料層)之一最佳化第二製程步驟(如將為用於製造一高效能觸控螢幕感測器之一系列方便步驟)得到的一般性物品。
圖9展示具有基板89之例示性物品90，該基板具有複數對第一(91)及第二(92)導電金屬跡線之圖案88以及在該等導電金屬跡線(21,22)上之分開的導電層區域95、96。
在一些實施例中，導電層為透明的(亦即，以至少50%(在一些實施例中，至少75%、80%、85%、90%或甚至至少95%)之百分比透射可見光)。在不需要透明性之一些實施例中，導電層為不透明的(亦即，以小於5%(在一些實施例中，小於4%、3%、2%、1%、0.5%或甚至小於0.1%)之百分比透射可見光)。
導電層為透明之實施例可用作(例如)液晶顯示器、光伏電池、觸
控顯示器感測器、光偵測器、電致變色窗、無機電致發光燈、有機發光二極體(OLED)燈及顯示器中之電極組件。除需要改良之透明電極(亦即，不透明性係可接受的)之應用外，本文中所揭示之物品及方法(例如)在印刷電路板(PCB)、印刷線路板(PWB)、可撓性印刷電路(FPC)之製造中可係有利的。在不需要透明性之實施例中，導電層包含銅、銀、鋁、金、鎳、鎢或鉬中之至少一者。
例示性導電層包含金屬氧化物(例如，氧化銦錫)、導電聚合物(例如，聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))、金屬奈米線、奈米碳管、石墨烯或金屬中之至少一者。
通常，導電層具有不大於10000歐姆/平方(在一些實施例中，不大於5000歐姆/平方、1000歐姆/平方、750歐姆/平方、500歐姆/平方、400歐姆/平方、300歐姆/平方、200歐姆/平方、100歐姆/平方、50歐姆/平方、25歐姆/平方或甚至不大於10歐姆/平方；在一些實施例中，在10歐姆/平方至10000歐姆/平方、100歐姆/平方至10000歐姆/平方、250歐姆/平方至2500歐姆/平方或甚至500歐姆/平方至2000歐姆/平方之一範圍中)之薄片電阻，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
在一些實施例中，導電層具有在5奈米至10微米之一範圍中(在一些實施例中，在10奈米至1微米之一範圍中、在20奈米至500奈米之一範圍中或甚至在30奈米至250奈米之一範圍中)之一厚度，但在此等典型值之外的值亦係可用的。
在一些實施例中，導電層經圖案化且包含第一及第二分開區域(且視情況包含額外(例如，第三)分開區域)，且視情況進一步包含電連接至該第一區域之一第一位址跡線及電連接至該第二區域之一第二位址跡線(且視情況若一第三區域存在，則進一步包含電連接至該第三區域之一第三位址跡線)。
舉例而言，圖10展示例示性物品100，其包含：區域104，其具有在基板99上之導電金屬跡線(例如，如圖1至圖4中之任一者所示之圖案)(圖10中未展示)；及區域105，其具有在又在基板99上之導電金屬跡線上之導電層。物品100亦包括經由位址跡線(例如，107)電連接至諸如104及105中所示之區域的接觸焊墊(例如，106)。
此外，例如，圖10A展示例示性物品100A，其包含：區域104A，其具有在基板99A上之導電金屬跡線(例如，如圖1至圖4中之任一者中所示之圖案)(圖10A中未展示)；及區域105A，其具有在又在基板99A上之導電金屬跡線上之導電層。物品100A亦包括經由位址跡線(例如，107A)電連接至諸如104A及105A中所示之區域的接觸焊墊(例如，106A)。
在一些實施例中，本文中所描述之物品呈一捲筒之形式。因此，基板呈足夠薄以捲繞至核心上之薄片之形式。聚合或玻璃基板可足夠薄。此等基板可經由製程設備自輸入輥及核心輸送至一收緊輥及核心。以此方式處理基板在本文中被稱作捲輪式(roll-to-roll)。根據本文中所描述之方法及物品，適於捲輪式處理之基板之厚度通常在5微米至500微米之一範圍中(在一些實施例中，在10微米至250微米或甚至25微米至125微米之一範圍中)。本文中之例示性捲輪式處理方法包括在基板上塗佈導電層、直接印刷導電金屬跡線、直接印刷圖案化之導電層、蝕刻。
在一些實施例中，本文中所描述之物品進一步包含一襯墊(liner)。襯墊為可施加至本文中所描述之基板的任一側或兩側的弱(可移除)結合(例如，如經由靜電吸引而達成)聚合物膜。襯墊可用來保護導電金屬導體跡線或導電層，尤其在製程步驟(例如，如上所述之捲輪式製程步驟)期間。
用於提供導電金屬跡線之技術係此項技術中已知的，該等技術包括微觸印刷(薄膜金屬上之SAM印刷，繼之以化學蝕刻)、光微影
(金屬層上之光阻之光圖案化，繼之以化學蝕刻)、直接印刷(例如，藉由凹版印刷、柔性凸版印刷、網版印刷、平版印刷及噴墨印刷)。
用於提供導電金屬跡線之技術係此項技術中已知的且包括產生鑲嵌於基板中之通道中的導電金屬跡線之技術，(例如)如美國專利第8,179,381號(Frey等人)中所描述。此等技術可包括藉由微複製、壓印或奈米壓模微影術結合蝕刻、金屬之物理汽相沈積及在基板上電鍍金屬而形成結構化基板。
可(例如)藉由物理汽相沈積(例如，濺鍍、蒸發)、無電電鍍或電解電鍍來沈積經蝕刻以提供導電金屬跡線之金屬層。用於選擇特定金屬之準則包括所得導電金屬跡線之所要薄片電阻。在一些實施例中，可需要減少導電金屬跡線之反射率。用於減少導電金屬跡線之反射率之技術係此項技術中已知的，如上文描述為變黑。
例示性導電層包含導電之氧化物(例如，氧化銦錫、氧化銦鋅、氟化氧化錫)、奈米碳管塗層、金屬奈米線塗層(例如，銀、銅及鎳)、石墨烯及導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)。用於提供導電層之技術係此項技術中已知的，該等技術包括輥塗、狹縫型擠壓式塗佈、濺鍍、蒸發、柔性凸版印刷、網版印刷、凹版印刷、平版印刷及噴墨印刷，如可適用於包含該層之特定材料。用於選擇用於導電層之特定材料之準則包括所得導電層之所要薄片電阻。
用於製造接觸焊墊及至其之電連接(位址跡線)之例示性材料包括分散於有機黏合劑(印刷墨水)中之金屬粒子。此等材料之實例包括分散於環氧聚合物中之銀粒子。其他有用導電材料包括含奈米粒子或奈米粒子衍生之材料(例如，印刷墨水)。奈米粒子衍生之材料之實例包括含奈米級銀粒子之墨水。用於接觸焊墊及至其之電連接(位址跡線)之其他有用導電材料包括經圖案化(例如，藉由光微影及蝕刻)之薄膜金屬(例如，經濺鍍)。在將印刷用於圖案化位址跡線之情況下，有用
印刷方法包括柔性凸版印刷、凹版印刷、網版印刷及噴墨印刷。
本文中所描述之物品的各種組件之幾何形狀可根據特定應用所需而修改。舉例而言，儘管導電層之區域係以配置為近似正交線性陣列之直線之形式展示於圖10、圖10A及圖12中，但該等區域亦可為彎曲的且經配置使得不建立一重複陣列。
圖11及圖12說明本文中所描述之物品在觸控螢幕應用中之例示性使用。觸控螢幕組件總成110包含本文中所描述之例示性物品100、100A、光學清透黏接劑111、113及覆蓋鏡115。光學清透黏接劑用來固定感測器層，藉此保證該等感測器層之一致視覺外觀、高光透射率(藉由避免材料與空氣形成界面)及穩定位置(考慮相符靜電條件，作為用於準確觸碰位置偵測之必要起始點)。
關於本文中所描述之物品之至少一些實施例觀測到的一個優點為相對低薄片電阻之圖案可藉由相對高薄片電阻之材料來提供，其中歸因於導電金屬跡線對基板光學性質之整個小影響，相對高薄片電阻之材料可具有導電金屬跡線之相對低圖案可見度。舉例而言，聚(對苯二甲酸伸乙酯)上的以商業名稱「CLEVIOS」(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，亦稱作PEDOT-PSS)出售的習知導電聚合物已代表性地在2012FLEX Flexible Electronics and Displays Conference and Exhibition(2012年2月6日至9日，Phoenix,Arizona)由Ron Lubianez(Heraeus KG Conductive Polymers Division(Clevios),Leverkusen,Germany)報告以展現350歐姆/平方下的91.7%光透射率(與PET基底膜自身相同)。可產生本文中所描述之物品之例示性實施例，其具有350歐姆/平方導體之可見度屬性，但具有小於100歐姆/平方之薄片電阻。
與(例如)微觸印刷觸控感測器相比，本文中所描述之方法及/或物品具有包括相對低成本工具、用以獲得用於特定設計之工具的較短擷取時間及具有對透明導體圖案之低可見度的相對低薄片電阻的優
點。一般而言，可與用於習知印刷導電聚合物、奈米碳管及奈米線觸控感測器之特性相比的本文中所描述之方法及/或物品之選定所要特性包括相對低成本工具、用以獲得用於特定設計之工具的相對短擷取時間及具有對導電跡線圖案之低可見度的低薄片電阻。
本文中所描述之物品之實施例係用於(例如)顯示器、觸控感測器、發光元件(例如，發光二極體(例如，有機發光二極體))、光伏電池、電致變色窗及顯示器以及電致發光燈及顯示器中。
1.一種物品，其包含：具有一第一主表面之一基板；該基板之該第一主表面上之一電導體圖案，該電導體圖案包含：複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線，該複數對中之每一對的該第一及該第二導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍(在一些實施例中，至少10倍、25倍、50倍或100倍；或在5倍至1000倍、10倍至500倍、15倍至250倍或甚至50倍至200倍之一範圍中)，且其中存在每cm2至少50個(在一些實施例中，至少75個、100個、150個、200個、250個、500個、1000個、5000個、10000個、25000個、50000個、75000個、100000個或甚至至少150000個；在一些實施例中，在100個至150000個、500個至150000個、1000個至150000個、5000個至150000個、10000個至150000個或甚至25000個至150000個之一範圍中)該等導電金屬跡線。
2.如例示性實施例1之物品，其中該複數對內之相鄰對之相鄰導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍(在一些實施例中，在5倍至1000倍、
10倍至500倍、15倍至250倍或甚至50倍至200倍之一範圍中)。
3.如例示性實施例1之物品，其中該電導體圖案具有大於80%、90%、95%、96%、97%、98%、99%或甚至至少99.5%；在一些實施例中，在80%至99.75%、90%至99.75%、90%至99.5%、95%至99.75%或甚至95%至99.5%之一範圍中)的一開口面積分率。
4.如任一前述例示性實施例之物品，其中一對中之每一導電金屬跡線彼此分開至多100微米(在一些實施例中，至多75微米、50微米、25微米、15微米、10微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.75微米、0.5微米或甚至至多0.25微米；在一些實施例中，在大於0至100微米、0.5微米至50微米、0.5微米至25微米、0.5微米至15微米、0.5微米至10微米、0.5微米至5微米、0.75微米至3微米或甚至1微米至2微米之一範圍中)。
5.如任一前述例示性實施例之物品，其中該等導電金屬跡線具有不大於25微米(在一些實施例中，不大於15微米、10微米、5微米、4微米、3微米、2微米或甚至不大於1微米；在一些實施例中，在0.1微米至25微米、0.25微米至10微米、0.5微米至5微米或甚至0.75微米至25微米之一範圍中)之寬度。
6.如任一前述例示性實施例之物品，其中存在至少1000對(在一些實施例中，至少5000對、10000對、25000對、50000對、75000對、100000對、500000對、1000000對、5000000對或甚至至少10000000對)導電金屬跡線。
7.如任一前述例示性實施例之物品，其中該等導電金屬跡線具有至少5微米(在一些實施例中，至少10微米、25微米、50微米、75微米、100微米、250微米、500微米、1000微米、5000微米、10000微米、25000微米或甚至至少50000微米；在一些實施例中，在100微米至500微米之一範圍中)之長度。
8.如任一前述例示性實施例之物品，其中一對該等導電金屬跡線之重疊長度為至少5微米(在一些實施例中，至少10微米、25微米、50微米、100微米、250微米、500微米、1000微米、10000微米、25000微米、50000微米；在一些實施例中，在5微米至9毫米、10微米至1毫米、250微米至500微米、25微米至500微米或甚至30微米至300微米之一範圍中)。
9.如任一前述例示性實施例之物品，該等導電金屬跡線具有不大於5歐姆/平方(在一些實施例中，不大於2歐姆/平方、1歐姆/平方、0.5歐姆/平方、0.4歐姆/平方、0.3歐姆/平方、0.2歐姆/平方、0.1歐姆/平方、0.05歐姆/平方、0.025歐姆/平方、0.01歐姆/平方、0.05歐姆/平方或甚至不大於0.01歐姆/平方)之一薄片電阻。
10.如任一前述例示性實施例之物品，其中該等導電金屬跡線變黑。
11.如任一前述例示性實施例之物品，其中該等導電金屬跡線包含銀、金、鈀、鋁、鎳、鉬、鎢、鉻、銅、錫或鎳中之至少一者。
12.如任一前述例示性實施例之物品，其中該基板為透明的。
13.如任一前述例示性實施例之物品，其中該基板為玻璃。
14.如任一前述例示性實施例之物品，其中該基板為一聚合物膜。
15.如例示性實施例14之物品，其中該聚合物膜係選自由以下各者組成之群組：聚(對苯二甲酸伸乙酯)、環烯聚合物、聚(萘二甲酸伸乙酯)、聚碳酸酯、三醋酸纖維素及環聚烯烴共聚物。
16.如任一前述例示性實施例之物品，其中該等第一及該等第二導電金屬跡線為線性的。
17.如例示性實施例1至15中任一項之物品，其中該等第一及該等第二導電金屬跡線為非線性的。
18.如任何前述例示性實施例中任一項之物品，其中該等第一及該等第二導電金屬跡線係分岔的。
19.如例示性實施例1至17中任一項之物品，其中該等第一及該等第二導電金屬跡線係無分岔的。
20.如任一前述例示性實施例之物品，其中該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一重複圖案。
21.如任一前述例示性實施例之物品，其中該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一重複線系。
22.如例示性實施例1至20中任一項之物品，其中該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一柵格。
23.如例示性實施例1至20中任一項之物品，其中該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一重複六邊形圖案。
24.如例示性實施例1至20中任一項之物品，其中該複數對第一及第二導電金屬跡線大體上形成一偽隨機二維網狀結構。
25.如任一前述例示性實施例之物品，其中該等第一及該等第二導電金屬跡線具有在10奈米至20微米之一範圍中(在一些實施例中，在20奈米至5微米、30奈米至1微米、40奈米至500奈米或甚至50奈米至400奈米之一範圍中)之一厚度。
26.如任一前述例示性實施例之物品，其中第一及第二金屬導電金屬跡線之該等對之至少一部分相對於彼此互補地漸縮。
27.如任一前述例示性實施例之物品，其進一步包含具有第一及第二大體上對置之主表面的一導電層，其中該導電層之一主表面與該複數對第一及第二導電金屬跡線之至少一部分(在一些實施例中，大體上平行於該基板之該第一主表面的該複數對第一及第二導電金屬跡線之至少1%、2%、3%、4%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、
85%、90%、95%、99%或甚至100%)接觸。
28.如例示性實施例27之物品，其中該導電層係安置於該基板與該複數對第一及第二導電金屬跡線之間。
29.如例示性實施例27之物品，其中該複數對第一及第二導電金屬跡線係安置於該基板與該導電層之間。
30.如例示性實施例27至29中任一項之物品，其中該導電層為透明的。
31.如例示性實施例30之物品，其中該導電層包含金屬氧化物(例如，氧化銦錫)、導電聚合物(例如，聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))、金屬奈米線、奈米碳管、石墨烯或金屬中之至少一者。
32.如例示性實施例27至31中任一項之物品，其中該導電層具有不大於10000歐姆/平方(在一些實施例中，不大於5000歐姆/平方、1000歐姆/平方、750歐姆/平方、500歐姆/平方、400歐姆/平方、300歐姆/平方、200歐姆/平方、100歐姆/平方、50歐姆/平方、25歐姆/平方或甚至不大於10歐姆/平方)之一薄片電阻。
33.如例示性實施例27至32中任一項之物品，其中該導電層具有在5奈米至10微米之一範圍中(在一些實施例中，在10奈米至1微米之一範圍中，在20奈米至500奈米之一範圍中，或在30奈米至250奈米之一範圍中)之一厚度。
34.如例示性實施例27至33中任一項之物品，其中該導電層經圖案化且包含第一及第二分開區域。
35.如例示性實施例34之物品，其進一步包含與該第一及該第二區域分開的一第三區域。
36.如例示性實施例35之物品，其進一步包含電連接至該第一區域之一第一位址跡線，及電連接至該第二區域之一第二位址跡線。
37.如例示性實施例36之物品，其進一步包含電連接至該第三區
域之一第三位址跡線。
38.如例示性實施例34之物品，其進一步包含電連接至該第一區域之一第一位址跡線，及電連接至該第二區域之一第二位址跡線。
39.一種顯示器，其包含如任一前述例示性實施例之物品。
40.一種觸控感測器，其包含如例示性實施例1至38中任一項之物品。
41.一種發光元件，其包含如例示性實施例1至38中任一項之物品。
42.如例示性實施例41之發光元件，其中該發光元件包括一發光二極體。
43.如例示性實施例41或42之發光元件，其中該發光元件包括一有機發光二極體。
44.如例示性實施例27至29中任一項之物品，其中該導電層為不透明的。
45.如例示性實施例44之物品，其中該導電層包含銅、銀、鋁、金、鎳、鎢或鉬中之至少一者。
46.如例示性實施例1至38、44或45中任一項之物品，該物品呈一捲筒之形式。
47.如例示性實施例1至38或44至46中任一項之物品，其進一步包含一可移除襯墊。
48.一種製造例示性實施例1至26中任一項之物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；及將複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線沈積至該基板之該第一主表面上以提供該物品。
49.如例示性實施例48之方法，其中沈積該複數個分開對分開的
第一及第二導電金屬跡線係經由直接印刷。
50.如例示性實施例48或49之方法，其進一步包含將一導電層沈積至該複數個第一及第二導電金屬跡線上。
51.如例示性實施例50之方法，其中該導電層為透明的。
52.如例示性實施例50或51之方法，其中該沈積該導電層係經由直接印刷。
53.如例示性實施例48至52中任一項之方法，其中該物品呈一捲筒之形式。
54.一種製造例示性實施例1至26中任一項之物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；將一金屬層提供至該基板之該第一主表面上；及蝕刻一金屬層以在該基板之該第一主表面上提供複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線以提供該物品。
55.如例示性實施例54之方法，其進一步包含將一導電層沈積至該複數個第一及第二導電金屬跡線上。
56.如例示性實施例55之方法，其中該沈積該導電層係經由直接印刷。
57.如例示性實施例54或55之方法，其中該導電層為透明的。
58.如例示性實施例54至57中任一項之方法，其中該物品呈一捲筒之形式。
59.一種製造例示性實施例28之物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；將一第一導電層沈積至該第一主表面上；將複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線沈積至該導電層上以提供該物品。
60.如例示性實施例59之方法，其中該第一導電層為透明的。
61.如例示性實施例59或60之方法，其中該沈積該第一導電層係經由直接印刷。
62.如例示性實施例59至61中任一項之方法，其進一步包含將一第二導電層沈積至該複數個第一及第二導電金屬跡線上。
63.如例示性實施例62之方法，其中該沈積該第二導電層係經由直接印刷。
64.如例示性實施例62或63之方法，其中該第二導電層為透明的。
65.如例示性實施例59至63中任一項之方法，其中該物品呈一捲筒之形式。
66.一種製造例示性實施例28之物品的方法，該方法包含：提供具有一第一主表面之一基板；將一導電層沈積至該第一主表面上；將一金屬層沈積至該導電層上以提供該物品；及蝕刻該金屬層以在該基板之該第一主表面上提供複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線以提供該物品。
67.如例示性實施例66之方法，其中該導電層為透明的。
68.如例示性實施例66或67之方法，其中該沈積該導電層係經由直接印刷。
69.如例示性實施例66至68中任一項之方法，其中該沈積該金屬層係經由直接印刷。
70.如例示性實施例66至69中任一項之方法，其中該物品呈一捲筒之形式。
藉由以下實例來進一步說明本發明之優點及實施例，但此等實例中所列之特定材料及其量以及其他條件及細節不應理解為過度地限
制本發明。除非另外指出，否則所有份數及百分比係以重量計。
下文描述之所有實例係基於針對主要電導體跡線之不同幾何形狀的預期電性質之理論計算。藉由模擬可藉由以二維方式複製一單位單元而產生的混合電導體之單位單元上的電阻來估計混合透明導體之薄片電阻(例如，根據圖2、圖2A、圖6及圖6A，對於第一區域)。混合導體係指主要電導體(複數個分開對分開的第一及第二導電金屬跡線)與次要電導體(導電層)之組合。分析包括兩個步驟：(1)針對與駐留於密集、平行之主要導電跡線(參看圖2A)之間的次要電導體(例如，透明電導體)之部分組合的主要電導體(金屬跡線)判定一第一薄片電阻；及(2)藉由自步驟1之輸出開始且認為「步驟1電薄片導體」與駐留於密集、平行之主要導電跡線之間的位置外的次要電導體之剩餘部分並聯地存在來計算「總」薄片電阻(1/RS-total=1/RS-stepl+1/RS-secondary)。為簡單起見，考慮將主要導電分岔跡線之大體上方格網配置用於分析，如圖2中所說明。在此狀況下，可將節點(或頂點)之間的電阻視為步驟1電薄片導體(與駐留於密集導電跡線之間的次要電導體之部分組合的密集、平行之主要導電跡線)之薄片電阻。
為了建立模擬結果之高可信度，藉由兩種不同方法來執行上述第一步驟。在第一方法(使用以商業名稱「LTSPICE IV」自Linear Technology Corporation(Milpitas,CA)獲得之軟體)中，使用以積體電路為重點之模擬程式(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis，「SPICE」)以根據每一實例設計計算透明導電材料之薄片電阻。至SPICE軟體中之輸入係使用以商業名稱「MATLAB」自MathWorks,Inc.(Natick,MA)獲得之軟體產生，其中每一材料設計係由電阻性元件之等效電路來表示。至MATLAB程式之輸入包括單元大小、重疊長度、跡線寬度、跡線間隔、導體電阻及透明電導體電阻。
輸出為以電力方式表示結構的基於文字之SPICE檔案。以1微米網格以電力方式分解電組件之粒度。所得電路使用理論DC(直流)供應與SPICE軟體一起運行。使用自SPICE軟體模擬得到之所得理論電流來判定結構之歐姆/平方。在第二種方法(本文中指定之「有限元分析」)中，使用一有限元模型化軟體(以商業名稱「COMSOL MULTIPHYSICS」自COMSOL,Inc.(Burlington,MA)獲得，具有AC/DC模組)。使用「COMSOL MULTIPHYSICS」軟體，產生理論模型，該等理論模型包括金屬跡線(主要導體，通常展示為所提及諸圖中之水平線)以及該等導電金屬跡線之間的透明(次要)電導體。給定兩種材料之幾何形狀及薄片電阻，將一理論電壓差施加於兩個主要電導體末端(亦即，所提及之圖2A、圖5A、圖5B中之節點N1、N2、N5A1、N5A2、N5B1、N5B2)之間，且計算電流密度。將電流密度之積分(亦即，電流)除以施加電壓產生用於每一實例狀況之有效薄片電阻(RS-stepl)。對於本文中所呈現之理論結果，密集、平行之主要導電跡線外的次要電導體不包括於該等模型中，但改為如上文所展示地計算該次要電導體之效應以獲得(RS-total)。然而，對於兩個實例，此次要電導體包括於使用「COMSOL」軟體之模擬中，從而導致理論上確認簡單並聯電阻器公式為一良好近似。儘管不想受理論束縛，但咸信結果之小差異係由主要導電跡線之尖端處的額外邊緣電流引起。
針對混合透明導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為針對圖6及圖6A中所描述之物品呈現的電導體。如上所述，將分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖2A、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。相鄰導電跡線之平行區段之間的間隔在0.1微米與10微米之間變化。表1(下文)中給出電導體設計之其他參數以及計算結果。
主要導體之理論薄片電阻(0.4歐姆/平方)符合經濺鍍銀(在4.25微歐-cm之有效體電導率下)的近似105奈米之實體厚度。次要導體可為具有指定薄片電阻之任何透明導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)或石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於(例如)PET膜(例如，以商業名稱「ST580」自Dupont Teijin Film(Chester,VA)可得)之主表面上。此外，此膜可(例如)採取如圖10至圖12所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
關於具有如圖10至圖12所示之設計的觸控感測器，歸因於可發生在非導電區域中之密集導電跡線區段之間的耦合，可能要擔心相鄰透明導電條之間的電容耦合。相鄰電導體之間的電容耦合(串擾)可對觸控螢幕功能性有害。為了調查此電容耦合，使用SPICE軟體進行其他模擬，但此次經修改以使用導體之平行區段之間的電容。於MATLAB軟體內使用同平面帶狀線(CPS)方程以判定SPICE軟體模型內之結構之理論電容，該結構又沿跡線對分佈。使用1安培之AC電流供應來模擬電路。以1安培驅動允許所得電壓被視為所得阻抗(數
值)。自100kHz至1MHz執行理論AC分析以展示所得阻抗。電容導致最終阻抗之大部分，使得進行決策以將電容看作一個組件而非使用SPICE軟體分佈電容。最終，比較本文中所報告之結構的理論串擾與商品化的基於ITO之投射電容式觸控感測器之串擾，以便估計此串擾可戰勝投射電容式觸控感測器中之新結構之功能性的可能性。來自此比較之理論結果展示使用電流方法之感測器設計之電容耦合。如表2(下文)中所報告，本文中所報告之新設計方法展示與現有設計類似之串擾。
針對本文中所描述之例示性混合透明導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為圖6及圖6A中所描述之物品中所示的電導體。如上所述，將分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖2A、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。點至點分離距離或間距(本文中亦稱作「單元大小」)及導電跡線寬度係變化的。表3(下文)中給出導電導體設計之其他參數以及計算結果。
主要電導體之薄片電阻(0.4歐姆/平方)符合經濺鍍銀(在4.25微歐-cm之有效體電導率下)的近似105奈米之實體厚度。次要電導體可為具有指定薄片電阻之任何透明電導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)、石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於PET膜(例如，「ST580」)之主表面上。此外，此膜可採取圖10至圖12中所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
針對本文中所描述之物品之例示性實施例的混合透明電導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為針對圖6及圖6A中所描述之物品呈現的電導體。如上所述，將分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖2A、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。次要(透明)電導體之薄片電阻係變化的。表4(下文)中給出電導體設計之其他參數以及計算結果。
主要電導體之薄片電阻(0.4歐姆/平方)符合經濺鍍銀(在4.25微歐-cm之有效體電導率下)的近似105奈米之實體厚度。次要電導體可為具
有指定薄片電阻之任何透明電導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)、石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於PET膜(例如，「ST580」)之主表面上。此外，此膜可採取圖10至圖12中所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
針對本文中所描述之物品之例示性實施例的混合透明導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為針對圖6及圖6A中所描述之物品呈現的電導體。如上所述，將分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖2A、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。主要(金屬跡線)電導體之薄片電阻自0.5歐姆/平方變至0.1歐姆/平方。薄片電阻之此範圍分別符合85奈米(在4.25微歐-cm之有效體電導率下)至360奈米(在3.6微歐-cm之有效體電導率下)之經濺鍍銀的實體厚度範圍。表5(下文)中給出電導體設計之其他參數以及計算結果。
次要電導體可為具有指定薄片電阻之任何透明電導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)、石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於PET膜(例
如，「ST580」)之主表面上。此外，此膜可採取圖10至圖12中所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
針對本文中所描述之物品之例示性實施例的混合透明電導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為針對圖6及圖6A中所描述之物品呈現的電導體。如上所述，將分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖5A、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。導電跡線具有漸縮寬度，如表6(下文)中所列出。
用於導電跡線寬度之漸縮設計在本文中亦被描述為用於導電跡線之楔形設計。表6(上文)中之主要導電跡線寬度記法係指導電跡線寬度自頂點至導電跡線之末端的漸變，在圖5A中遠離頂點延伸。主要電導體之薄片電阻(0.4歐姆/平方)符合經濺鍍銀(在4.25微歐-cm之有效體電導率下)的近似105奈米之實體厚度。表6(上文)中給出電導體設計之其他參數以及計算結果。次要電導體可為具有指定薄片電阻之任何透明電導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)、石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於PET膜(例如，「ST580」)之主表面上。此外，此膜可採取圖
10至圖12中所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
針對本文中所描述之物品之例示性實施例的混合透明電導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為針對圖6及圖6A中所描述之物品呈現的電導體。如上所述，將分岔及無分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖5B、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。導電跡線具有選定斷口，如表7中所列出及圖5B中所示意地展示。主要電導體之薄片電阻(0.4歐姆/平方)符合經濺鍍銀(在4.25微歐-cm之有效體電導率下)的近似105奈米之實體厚度。表7(下文)中給出電導體設計之其他參數以及計算結果。
次要電導體可為具有指定薄片電阻之任何透明電導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)、石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於PET膜(例如，「ST580」)之主表面上。此外，此膜可採取圖10至圖12中所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
針對本文中所描述之物品之例示性實施例的混合透明電導體計算理論有效薄片電阻(「有效Rs」)。此等理論實例之混合透明電導體可被視為針對圖6及圖6A中所描述之物品呈現的電導體。如上所述，將分岔導電跡線之近似正方形配置(如圖2、圖5B、圖6及圖6A中所描繪)用於此等計算。導電跡線具有選定斷口，如表8(下文)中所列出及圖5B中所示意地展示。
主要電導體之薄片電阻(0.2歐姆/平方)符合經濺鍍銀(在3.60微歐-cm之有效體電導率下)的近似180奈米之實體厚度。表8(上文)中給出電導體設計之其他參數以及計算結果。次要電導體可為具有指定薄片電阻之任何透明電導體(例如，ITO、奈米碳管塗層、金屬(例如，Ag)奈米線塗層、導電聚合物(例如，PEDOT-PSS)、石墨烯)。上文所描述之電導體可沈積於PET膜(例如，「ST580」)之主表面上。此外，此膜可採取圖10至圖12中所示之經圖案化觸控感測器元件之形式。
在不偏離本發明之範疇及精神的情況下，本發明之可預見修改
及更改對熟習此項技術者而言將顯而易見。本發明不應限制於本申請案中出於說明性目的而闡明之實施例。
Claims (10)
- 一種導電物品，其包含：具有一第一主表面之一基板；該基板之該第一主表面上之一電導體圖案，該電導體圖案包含：複數個分開對(separated pairs)之分開的第一及第二導電金屬跡線，該複數對中之每一對的該第一及該第二導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍，且其中每cm2存在至少50個導電金屬跡線。
- 如請求項1之導電物品，其中該複數對內之相鄰對之相鄰導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少5倍。
- 如請求項1之導電物品，其中該電導體圖案具有大於80%之一開口面積分率，其中該開口面積分率係指未由該第一及第二導電金屬跡線覆蓋的該第一主表面積之一總表面積之一分率。
- 如請求項1之導電物品，其中一對中之每一導電金屬跡線彼此分開至多5微米；該等導電金屬跡線具有不大於15微米之寬度；且該等導電金屬跡線具有至少50微米之長度。
- 如請求項1之導電物品，其中該複數對中之每一對的該第一及該第二導電金屬跡線具有相對於彼此之一重疊長度，該重疊長度為該等導電金屬跡線之分離距離的至少10倍。
- 如請求項1之導電物品，其中該基板為透明的。
- 如請求項1之導電物品，其中該等第一及該等第二導電金屬跡線係分岔的。
- 如請求項1之導電物品，其進一步包含具有第一及第二大體上對置之主表面的一導電層，其中該導電層之一主表面與該複數對第一及第二導電金屬跡線之至少一部分接觸。
- 如請求項8之導電物品，其中該導電層為透明的且包含金屬氧化物、金屬奈米線、導電聚合物、奈米碳管或石墨烯中之至少一者。
- 如請求項9之導電物品，其中該導電層經圖案化且包含第一及第二分開區域。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261734706P | 2012-12-07 | 2012-12-07 | |
| US61/734,706 | 2012-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201423773A TW201423773A (zh) | 2014-06-16 |
| TWI629692B true TWI629692B (zh) | 2018-07-11 |
Family
ID=50883870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102144273A TWI629692B (zh) | 2012-12-07 | 2013-12-03 | 導電物品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10076026B2 (zh) |
| EP (1) | EP2929544A4 (zh) |
| JP (1) | JP6289494B2 (zh) |
| CN (1) | CN104838449B (zh) |
| TW (1) | TWI629692B (zh) |
| WO (1) | WO2014088798A1 (zh) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11630366B2 (en) | 2009-12-22 | 2023-04-18 | View, Inc. | Window antennas for emitting radio frequency signals |
| US11342791B2 (en) | 2009-12-22 | 2022-05-24 | View, Inc. | Wirelessly powered and powering electrochromic windows |
| US20130271813A1 (en) | 2012-04-17 | 2013-10-17 | View, Inc. | Controller for optically-switchable windows |
| US11205926B2 (en) | 2009-12-22 | 2021-12-21 | View, Inc. | Window antennas for emitting radio frequency signals |
| US11732527B2 (en) | 2009-12-22 | 2023-08-22 | View, Inc. | Wirelessly powered and powering electrochromic windows |
| US11300848B2 (en) | 2015-10-06 | 2022-04-12 | View, Inc. | Controllers for optically-switchable devices |
| CN105188592B (zh) | 2013-03-15 | 2018-07-27 | Sri国际公司 | 超灵巧型手术系统 |
| CN103294271A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-11 | 南昌欧菲光科技有限公司 | 触摸屏导电膜及其制作方法 |
| US20150107878A1 (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Carestream Health, Inc. | Invisible patterns for transparent electrically conductive films |
| EP4145379A1 (en) | 2014-03-05 | 2023-03-08 | View, Inc. | Monitoring sites containing switchable optical devices and controllers |
| KR101586902B1 (ko) * | 2014-04-09 | 2016-01-19 | 인트리 주식회사 | 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체 및 그 제조방법 |
| US9984029B2 (en) * | 2014-04-18 | 2018-05-29 | Qualcomm Incorporated | Variable interconnect pitch for improved performance |
| EP4207485A1 (en) | 2014-11-25 | 2023-07-05 | View, Inc. | Window antennas |
| US11114742B2 (en) | 2014-11-25 | 2021-09-07 | View, Inc. | Window antennas |
| US10294567B2 (en) * | 2014-12-11 | 2019-05-21 | The Research Foundation For The State University Of New York | Electroless copper plating polydopamine nanoparticles |
| JP6481236B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-03-13 | トッパン・フォームズ株式会社 | 電極およびタッチパネル |
| WO2016158517A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | トッパン・フォームズ株式会社 | 電極およびタッチパネル |
| JP6532011B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-06-19 | トッパン・フォームズ株式会社 | 電極およびタッチパネル |
| JP6521513B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-05-29 | トッパン・フォームズ株式会社 | 電極およびタッチパネル |
| WO2016163323A1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-13 | 株式会社カネカ | 透明導電フィルムおよび表示デバイス |
| JP6607713B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2019-11-20 | 高周波熱錬株式会社 | シミュレーションプログラム |
| JP6563497B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2019-08-21 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル用導電フィルム、タッチパネル、および、タッチパネル付き表示装置 |
| JPWO2017086487A1 (ja) * | 2015-11-20 | 2018-09-13 | リンテック株式会社 | シートの製造方法 |
| US11654651B2 (en) | 2015-11-20 | 2023-05-23 | Lintec Corporation | Sheet, heating element, and heating device |
| CN109791338B (zh) | 2016-08-22 | 2023-06-23 | 唯景公司 | 电磁屏蔽电致变色窗 |
| US10978396B2 (en) * | 2016-09-30 | 2021-04-13 | Vanderbilt University | Transient electronics using thermoresponsive materials |
| CN106553789B (zh) * | 2016-10-09 | 2019-12-13 | 无锡第六元素电子薄膜科技有限公司 | 一种屏幕智能贴膜及其制备方法 |
| JP7103718B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2022-07-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | メッシュ電極 |
| US20180330842A1 (en) * | 2017-05-15 | 2018-11-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Layered metal-graphene-metal laminate structure |
| EP3425763B1 (en) * | 2017-07-03 | 2020-11-18 | France Brevets | Coupling interface and method of operation |
| CN109561526B (zh) * | 2017-09-26 | 2023-04-25 | 杜邦电子公司 | 加热元件和加热装置 |
| CN108845702B (zh) * | 2018-06-28 | 2021-12-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 触控显示面板及其测试方法、触控显示装置 |
| US10942349B2 (en) * | 2018-08-21 | 2021-03-09 | Facebook Technologies, Llc | Illumination assembly with in-field micro devices |
| US20200274300A1 (en) * | 2019-02-27 | 2020-08-27 | Te Connectivity Corporation | High speed connector with moldable conductors |
| US11947233B2 (en) * | 2019-12-30 | 2024-04-02 | Sage Electrochromics, Inc. | Controlled randomization of electrochromic ablation patterns |
| TW202206925A (zh) | 2020-03-26 | 2022-02-16 | 美商視野公司 | 多用戶端網路中之存取及傳訊 |
| US11631493B2 (en) | 2020-05-27 | 2023-04-18 | View Operating Corporation | Systems and methods for managing building wellness |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120013545A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Harald Philipp | Enhanced conductors |
| CN102598891A (zh) * | 2009-07-16 | 2012-07-18 | Lg化学株式会社 | 电导体及其制造方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8166649B2 (en) | 2005-12-12 | 2012-05-01 | Nupix, LLC | Method of forming an electroded sheet |
| KR101163789B1 (ko) | 2006-02-07 | 2012-07-09 | 삼성전자주식회사 | 투명전극 및 그의 제조방법 |
| US20080095988A1 (en) | 2006-10-18 | 2008-04-24 | 3M Innovative Properties Company | Methods of patterning a deposit metal on a polymeric substrate |
| WO2008131304A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-30 | Cambrios Technologies Corporation | Composite transparent conductors and methods of forming the same |
| KR20100038310A (ko) | 2007-06-29 | 2010-04-14 | 도레이 필름 카코우 가부시키가이샤 | 디스플레이용 필터 |
| US7804245B2 (en) | 2008-01-24 | 2010-09-28 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved brightness uniformity |
| KR101720919B1 (ko) | 2008-02-28 | 2017-03-28 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 터치 스크린 센서 |
| WO2009108771A2 (en) | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 3M Innovative Properties Company | Methods of patterning a conductor on a substrate |
| CN103713771B (zh) | 2008-08-01 | 2017-09-08 | 3M创新有限公司 | 具有复合电极的触敏装置 |
| JP5368760B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-12-18 | 積水化学工業株式会社 | 絶縁被覆導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体 |
| US20100101832A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Compound magnetic nanowires for tco replacement |
| CN102308366B (zh) * | 2009-02-06 | 2015-08-12 | Lg化学株式会社 | 触摸屏及其制备方法 |
| US20100328248A1 (en) | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Ocular Lcd Inc. | Capacitive touch screen with reduced electrode trace resistance |
| KR101073684B1 (ko) | 2009-08-25 | 2011-10-14 | 주식회사 지니틱스 | 낮은 저항 값을 가지는 캐패시티브 방식 터치 스크린의 투명전극 패턴 구조 |
| US8749394B2 (en) | 2009-10-23 | 2014-06-10 | Innovalarm Corporation | System and method for efficiently generating audible alarms |
| US9632628B2 (en) * | 2009-10-23 | 2017-04-25 | Atmel Corporation | Interdigitated touchscreen electrodes |
| US20120231248A1 (en) | 2009-11-11 | 2012-09-13 | Toray Industries, Inc. | Conductive laminate and method of producing the same |
| US8941395B2 (en) * | 2010-04-27 | 2015-01-27 | 3M Innovative Properties Company | Integrated passive circuit elements for sensing devices |
| US8963874B2 (en) * | 2010-07-31 | 2015-02-24 | Symbol Technologies, Inc. | Touch screen rendering system and method of operation thereof |
| JP5645581B2 (ja) | 2010-10-05 | 2014-12-24 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル |
| EP2671438A4 (en) | 2011-02-02 | 2017-06-14 | 3M Innovative Properties Company | Patterned substrates with darkened conductor traces |
| JP2012209030A (ja) | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toray Advanced Film Co Ltd | 透明導電積層体およびその製造方法 |
| JP2012216449A (ja) | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明電極の製造方法及び有機電子素子 |
| KR101835004B1 (ko) * | 2011-05-24 | 2018-03-06 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 패턴층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US20130050228A1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Glass as a substrate material and a final package for mems and ic devices |
| US9817523B2 (en) * | 2012-02-09 | 2017-11-14 | Qualcomm Incorporated | Capacitive touch panel for mitigating and/or exaggerating floating condition effects |
-
2013
- 2013-11-19 CN CN201380064152.1A patent/CN104838449B/zh active Active
- 2013-11-19 WO PCT/US2013/070712 patent/WO2014088798A1/en active Application Filing
- 2013-11-19 EP EP13860946.6A patent/EP2929544A4/en not_active Withdrawn
- 2013-11-19 JP JP2015546493A patent/JP6289494B2/ja active Active
- 2013-11-19 US US14/437,511 patent/US10076026B2/en active Active
- 2013-12-03 TW TW102144273A patent/TWI629692B/zh not_active IP Right Cessation
-
2018
- 2018-08-09 US US16/059,621 patent/US11449181B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102598891A (zh) * | 2009-07-16 | 2012-07-18 | Lg化学株式会社 | 电导体及其制造方法 |
| US20120013545A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Harald Philipp | Enhanced conductors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6289494B2 (ja) | 2018-03-07 |
| US20150289366A1 (en) | 2015-10-08 |
| WO2014088798A1 (en) | 2014-06-12 |
| US11449181B2 (en) | 2022-09-20 |
| EP2929544A4 (en) | 2016-07-06 |
| US20180376588A1 (en) | 2018-12-27 |
| JP2016507801A (ja) | 2016-03-10 |
| CN104838449A (zh) | 2015-08-12 |
| CN104838449B (zh) | 2018-06-15 |
| EP2929544A1 (en) | 2015-10-14 |
| TW201423773A (zh) | 2014-06-16 |
| US10076026B2 (en) | 2018-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI629692B (zh) | 導電物品 | |
| JP6444004B2 (ja) | 光学スタック、及びディスプレイ | |
| TWI601464B (zh) | 導電結構體及其製造方法 | |
| TWI446229B (zh) | 觸控螢幕感測器 | |
| JP5548428B2 (ja) | 透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルム | |
| JP6843215B2 (ja) | 透明コンダクタ、及び、透明コンダクタを製作するプロセス | |
| TWI550463B (zh) | 導電膜及其製造方法 | |
| WO2017176498A1 (en) | Nanowire contact pads with enhanced adhesion to metal interconnects | |
| CN104376898A (zh) | 图案化的导电薄膜、其制造方法及触控面板 | |
| US10932364B2 (en) | Transparent conductive film | |
| TWI712934B (zh) | 透明電極及包括其之電子裝置 | |
| Cui et al. | 27.5 L: Late‐News Paper: Hybrid Printing of High Resolution Metal Mesh as A Transparent Conductor for Touch Panels and OLED Displays | |
| CN104850252A (zh) | 触控面板及其制造方法 | |
| US10165680B2 (en) | Light-transmitting conductor having nanostructure pattern and method for manufacturing same | |
| CN107660279A (zh) | 导电结构体及其制造方法 | |
| CN105320330A (zh) | 光电调变堆叠 | |
| KR20130033538A (ko) | 투명전극 필름의 제조 방법 | |
| US20140262443A1 (en) | Hybrid patterned nanostructure transparent conductors | |
| CN212391785U (zh) | 透明导电薄膜及触控面板 | |
| CN212515719U (zh) | 具虚设图案的触控面板 | |
| JP6340252B2 (ja) | 透明電極付き基板の製造方法 | |
| KR101370402B1 (ko) | 터치패널의 전극형성방법 및 이를 이용한 터치패널의 전극구조 | |
| JP2015141741A (ja) | パターン化透明導電積層体の製造方法 | |
| JP2013179046A (ja) | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |