TWI625653B - Sensing device, input device and electronic device - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可抑制因來自外部之電磁雜訊之影響而導致之檢測精度降低的感測裝置、輸入裝置及電子機器。
本技術之一實施形態之感測裝置包括電極基板及屏蔽層。上述電極基板包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成。上述屏蔽層設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域。
Description
本技術係關於一種可靜電檢測輸入操作之感測裝置、輸入裝置及電子機器。
作為電子機器用之感測裝置，已知有如下構成：例如具備電容元件，而可檢測針對輸入操作面之操作子之操作位置與按壓力(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開2011-170659號公報
近年來，推行有藉由利用手指動作之手勢操作進行自由度較高之輸入之方法，但進而可期待，若能夠以較高之精度穩定地檢測操作面上之按壓力，則可實現更多樣之輸入操作。例如，於以靜電檢測輸入操作之方式構成之感測裝置中，必須抑制因來自外部之電磁雜訊之影響而導致之檢測精度降低。
鑒於如上情況，本技術之目的在於提供一種可抑制因來自外部之電磁雜訊之影響而導致之檢測精度降低之感測裝置、輸入裝置及電子機器。
為達成以上目的，本技術之一形態之感測裝置包括電極基板及屏蔽層。
上述電極基板包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成。
上述屏蔽層設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域。
於上述感測裝置中，上述屏蔽層作為被覆上述配線區域之電磁遮罩而發揮功能。藉此，可抑制因來自外部之電磁雜訊之影響而導致之各電容感測器之檢測精度降低。
上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線亦可於上述電極基板之厚度方向上相隔而配置。於此情形時，上述複數個電容感測器分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉區域。
上述電極基板亦可包含支持上述複數條第1電極線之第1絕緣層、及支持上述複數條第2電極線之第2絕緣層。於此情形時，上述屏蔽層例如設置於上述第1絕緣層。
上述屏蔽層亦可設置於與上述複數條第1電極線同一平面上。上述導體膜亦可由與上述複數條第1電極線相同之材料構成。上述導體膜亦可包含配置於上述複數條第1電極線各者之間的複數條第3電極線。上述導體膜亦可進而包含將上述複數條第3電極線相互連接之配線部。
另一方面，上述複數個電容感測器亦可分別形成於與在上述電極基板之面內方向上相互對向之上述複數條第1電極線及上述複數條第2電極線之對向區域。於此情形時，上述屏蔽層亦可進而包含配置
於上述導體膜與上述配線區域間之絕緣膜。
上述電極基板亦可包含設置於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉部之複數個跨接配線部。上述導體膜亦可設置於與上述複數個跨接配線部同一平面上。上述屏蔽層亦可被覆上述複數個跨接配線部。上述導體膜亦可由與上述複數個跨接配線部相同之材料構成。上述屏蔽層亦可進而遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第1電極線之至少一部分配線區域。
上述複數條第2電極線亦可包含外周配線部，該外周配線部形成於形成有呈矩陣狀排列之上述複數個電容感測器之檢測區域之外側。於此情形時，上述屏蔽層亦可進而遮蔽上述外周配線部之至少一部分。
上述感測裝置亦可進而包括：可變形之第1導體層，其與上述電極基板之一主面對向而配置；及第1支持體，其包含連接上述第1導體層與上述電極基板間之複數個第1構造體。又，上述感測裝置亦可進而包括：第2導體層，其與上述電極基板之另一主面對向而配置；及第2支持體，其包含連接上述第2導體層與上述電極基板間之複數個第2構造體。
本技術之一形態之輸入裝置包括操作構件、電極基板及屏蔽層。
上述操作構件包含輸入操作面。
上述電極基板包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成。
上述屏蔽層設置於上述操作構件與上述電極基板之間且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域。
本技術之一形態之電子機器包括顯示元件、電極基板及屏蔽層。
上述顯示元件包含輸入操作面。
上述電極基板包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成。
上述屏蔽層設置於上述顯示元件與上述電極基板之間且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域。
如上所述，根據本技術，可抑制因來自外部之電磁雜訊之影響而導致之檢測精度降低。
再者，本技術未必限定於此處所記載之效果，亦可為本揭示中所記載之任一效果。
1‧‧‧感測裝置
10‧‧‧操作構件
11‧‧‧可撓性顯示器
12‧‧‧金屬膜
13‧‧‧接著層
20‧‧‧電極基板
20C‧‧‧電極基板
20Cs‧‧‧檢測部
20s‧‧‧檢測部
20sa1‧‧‧檢測部
20sa2‧‧‧檢測部
20sa3‧‧‧檢測部
20sb1‧‧‧檢測部
20sb2‧‧‧檢測部
21‧‧‧第1配線基板
21a‧‧‧緣部
21b‧‧‧緣部
21C‧‧‧緣部
22‧‧‧第2配線基板
23‧‧‧接著層
30‧‧‧第1支持體
31‧‧‧基材
32‧‧‧構造層
35‧‧‧接著層
40‧‧‧第2支持體
50‧‧‧導體層
60‧‧‧控制部
61‧‧‧運算部
62‧‧‧信號產生部
70‧‧‧電子機器
100‧‧‧輸入裝置
100C‧‧‧輸入裝置
110‧‧‧第1面
113‧‧‧配線基板
120‧‧‧第2面
210‧‧‧第1電極線
210a‧‧‧引出線
210b‧‧‧電極線
210C‧‧‧第1電極線
210D‧‧‧第1電極線
210Dm‧‧‧單位電極體
210m‧‧‧單位電極體(第1單位電極體)
210p‧‧‧電極線部
210w‧‧‧輔助電極
210w1‧‧‧輔助電極
210w2‧‧‧輔助電極
210w3‧‧‧輔助電極
210y‧‧‧連接部
210z‧‧‧連接部
211‧‧‧第1基材
211C‧‧‧基材
220‧‧‧第2電極線
220b‧‧‧配線區域
220C‧‧‧第2電極線
220D‧‧‧電極線
220E‧‧‧電極線
220F‧‧‧電極線
220m‧‧‧單位電極體(第2單位電極體)
220p‧‧‧電極線部
220q‧‧‧跨接配線部
220r‧‧‧絕緣層
220r1‧‧‧絕緣膜
220w‧‧‧輔助電極
220w1‧‧‧輔助電極
220w2‧‧‧輔助電極
220w3‧‧‧輔助電極
220y‧‧‧連接部
220z‧‧‧連接部
221‧‧‧第2基材
310‧‧‧第1構造體
310a1‧‧‧第1構造體
310a2‧‧‧第1構造體
310a3‧‧‧第1構造體
310b1‧‧‧第1構造體
310b2‧‧‧第1構造體
310p1‧‧‧第1構造體
310p2‧‧‧第1構造體
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310p4‧‧‧第1構造體
320‧‧‧第1殼體
321‧‧‧第1凸部
322‧‧‧第2凸部
323‧‧‧凹部
330‧‧‧第1空間部
330b1‧‧‧第1空間部
330p0‧‧‧第1空間部
341‧‧‧接合部
410‧‧‧第2構造體
410p0‧‧‧第2構造體
410p1‧‧‧第2構造體
410p2‧‧‧第2構造體
420‧‧‧第2殼體
430‧‧‧第2空間部
430a2‧‧‧第2空間部
430b1‧‧‧第2空間部
430b2‧‧‧第2空間部
710‧‧‧控制器
Ca1、Ca2、Ca3‧‧‧靜電電容之變化量
Cb1、Cb2‧‧‧靜電電容之變化量
Cc11、Cc12、Cc13、Cc14、Cc15‧‧‧靜電電容
F‧‧‧力
F1‧‧‧力
F2‧‧‧力
F3‧‧‧力
F4‧‧‧力
h‧‧‧操作子
P‧‧‧點
S1‧‧‧屏蔽層
S2‧‧‧屏蔽層
S3‧‧‧屏蔽層
S11‧‧‧電極線(第3電極線)
S11b‧‧‧帶狀部
S12‧‧‧配線部
S12a‧‧‧引出線
S20‧‧‧開口部
S21‧‧‧導體膜
S22‧‧‧導體膜
圖1係本技術之第1實施形態之輸入裝置之概略剖面圖。
圖2係上述輸入裝置之分解立體圖。
圖3係上述輸入裝置之主要部分之概略剖面圖。
圖4係使用上述輸入裝置之電子機器之方塊圖。
圖5係表示於利用操作子將上述輸入裝置之第1面之點向Z軸方向下方按壓時，對上述第1及第2構造體附加之力之情況的概略剖面圖。
圖6A、B係表示上述第1面之第1構造體上之點受到操作子之操作時之上述輸入裝置之態樣的模式性主要部分剖面圖、及表示此時自上述檢測部輸出之輸出信號之一例的圖。
圖7係上述輸入裝置之電極基板之主要部分俯視圖。
圖8係構成上述電極基板之第1配線基板之主要部分俯視圖。
圖9係構成上述電極基板之第2配線基板之主要部分俯視圖。
圖10A、B係概略性地表示上述第1配線基板之整體之俯視圖。
圖11A係本技術之第2實施形態之輸入裝置之概略剖面圖，B係將輸入裝置之主要部分放大表示之剖面圖。
圖12A、B係表示上述輸入裝置中之第1電極線及第2電極線之構成之主要部分俯視圖。
圖13A係上述輸入裝置中之電極基板之主要部分俯視圖，B係其A-A線剖面圖。
圖14係用以說明上述輸入裝置之檢測部之構成的模式性剖面圖。
圖15A係包含屏蔽層之電極基板之主要部分俯視圖，B係其B1-B1線剖面圖，C係其C1-C1線剖面圖。
圖16A係包含屏蔽層之電極基板之主要部分俯視圖，B係其B2-B2線剖面圖，C係其C2-C2線剖面圖。
圖17係表示第1電極線之構成之變化例之主要部分俯視圖。
圖18係表示第1電極線之另一構成例之概略俯視圖。
圖19A-C係表示第2電極線之構成之變化例之主要部分俯視圖。
圖20係表示上述輸入裝置之構成之變化例之概略剖面圖。
以下，一面參照圖式一面對本技術之實施形態進行說明。
圖1係本技術之第1實施形態之輸入裝置100之概略剖面圖，圖2係輸入裝置100之分解立體圖，圖3係輸入裝置100之主要部分之概略剖面圖，圖4係使用輸入裝置100之電子機器70之方塊圖。以下，對本實施形態之輸入裝置100之構成進行說明。再者，圖中，X軸及Y軸表示相互正交之方向(輸入裝置100之面內方向)，Z軸表示與X軸及Y軸
正交之方向(輸入裝置100之厚度方向或上下方向)。
輸入裝置100包括：可撓性顯示器(顯示元件)11，其受理使用者之操作；及感測裝置1，其檢測使用者之操作。輸入裝置100例如構成為可撓性觸控面板顯示器，並組入下述電子機器70中。感測裝置1及可撓性顯示器11為於與Z軸垂直之方向上延伸之平板狀。
可撓性顯示器11包括第1面110及第1面110之相反側之第2面120。可撓性顯示器11兼具作為輸入裝置100中之輸入操作部之功能、及作為顯示部之功能。即，可撓性顯示器11使第1面110作為輸入操作面及顯示面發揮功能，而自第1面110朝向Z軸方向上方顯示對應於使用者之操作之圖像。於第1面110顯示例如對應於鍵盤之圖像或GUI(Graphical User Interface，圖形使用者介面)等。作為對可撓性顯示器11進行操作之操作子，例如可列舉手指或筆(觸控筆)等。
可撓性顯示器11之具體構成並無特別限定。例如，可採用所謂電子紙、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板、無機EL面板、液晶面板等作為可撓性顯示器11。又，可撓性顯示器11之厚度亦無特別限定，例如為0.1mm~1mm左右。
感測裝置1包含金屬膜(第1導體層)12、導體層(第2導體層)50、電極基板20、第1支持體30、及第2支持體40。感測裝置1配置於可撓性顯示器11之第2面120側。
金屬膜12構成為可變形之片狀。導體層50與金屬膜12對向而配置。電極基板20包含複數條第1電極線210、及與複數條第1電極線210對向配置且與複數條第1電極線210交叉之複數條第2電極線220，且可變形地配置於金屬膜12與導體層50間，而可靜電檢測分別與金屬膜12及導體層50之距離之變化。第1支持體30包含：複數個第1構造體310，其等連接金屬膜12與電極基板20間；及第1空間部330，其形成
於複數個第1構造體310間。第2支持體40包含：複數個第2構造體410，其等分別配置於相鄰之複數個第1構造體310間而連接導體層50與電極基板20間；及第2空間部430，其形成於複數個第2構造體410間。
本實施形態之感測裝置1(輸入裝置100)係藉由靜電檢測因在可撓性顯示器11之第1面110上之輸入操作而導致之金屬膜12及電極基板20與導體層50及電極基板20間之距離之變化，而檢測該輸入操作。該輸入操作並不限定於有意識地按壓(push)第1面110上之操作，亦可為接觸(touch)操作。即，如下所述，即便為藉由通常之觸控操作而附加之微小之按壓力(例如約數十g左右)，輸入裝置100亦可檢測出，故而構成為可進行與通常之觸控感測器相同之觸控操作。
輸入裝置100包含控制部60，該控制部60包含運算部61及信號產生部62。運算部61係基於檢測部20s之靜電電容之變化而檢測使用者之操作。信號產生部62係基於運算部61之檢測結果而產生操作信號。
圖4所示之電子機器70包含控制器710，該控制器710進行基於輸入裝置100之信號產生部62所產生之操作信號的處理。藉由控制器710處理後之操作信號例如作為圖像信號被輸出至可撓性顯示器11。可撓性顯示器11隔著可撓性配線基板113(參照圖2)而連接於搭載在控制器710之驅動電路。上述驅動電路亦可搭載於配線基板113。
作為電子機器70，典型而言可列舉行動電話、智慧型手機、筆記型PC(Personal Computer，個人電腦)、平板型PC、可攜式遊戲機等，但並不限定於該等可攜式電子機器，亦可應用於ATM(Automatic Teller Machine，現金自動存取款機)、自動售票機等固定式電子機器等。
可撓性顯示器11於本實施形態中構成為輸入裝置100之操作構件10之一部分。即，輸入裝置100包含操作構件10、電極基板20、第1支
持體30、第2支持體40、及導體層50。以下，對該等各要素進行說明。
操作構件10具有包含第1面110及第2面120之可撓性顯示器11、與金屬膜12之積層構造。即，操作構件10包含受理使用者之操作之第1面110、及形成有金屬膜12且與第1面110為相反側之第2面120，且構成為可變形之片狀。
金屬膜12仿照可撓性顯示器11之變形而構成為可變形之片狀，例如由Cu(銅)、Al(鋁)等金屬箔或網狀材料構成。金屬膜12之厚度並無特別限定，例如為數10nm~數10μm。金屬膜12連接於特定之基準電位(例如，接地電位)。藉此，金屬膜12於安裝於電子機器70時發揮對電磁波之一定的屏蔽功能。即，例如可抑制電磁波自安裝於電子機器70之其他電子零件等之侵入及電磁波自輸入裝置100之洩漏，而有助於作為電子機器70之動作之穩定性。
再者，金屬膜12之構成材料並不限定於金屬，例如亦可為如ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)等金屬氧化物材料或碳等之其他導電材料。
例如，如圖3所示，金屬膜12係藉由將形成有金屬箔之黏著性之接著層13貼附於可撓性顯示器11而形成。接著層13之材料只要具有黏著性則無特別限定，亦可製成應用有樹脂材料之樹脂膜。或者，可由直接形成於可撓性顯示器11之蒸鍍膜或濺鍍膜等構成，亦可為印刷於可撓性顯示器11之表面之導電膏等塗膜。
導體層50構成輸入裝置100之最下部，並與金屬膜12於Z軸方向上對向而配置。導體層50例如亦作為輸入裝置100之支持板發揮功能，例如以具有較操作構件10及電極基板20更高之撓曲剛度之方式構
成。導體層50例如亦可由含有Al合金、Mg(Magnesium，鎂)合金等金屬材料之金屬板或碳纖維強化型塑膠等之導體板構成。或者，導體層50亦可具有於塑膠材料等絕緣體層上形成有鍍敷膜、蒸鍍膜、濺鍍膜、金屬箔等導體膜之積層構造。又，導體層50之厚度並無特別限定，例如為約0.3mm左右。
導體層50連接於特定之基準電位(例如，接地電位)。藉此，導體層50發揮作為安裝於電子機器70時之電磁屏蔽層之功能。即，例如可抑制電磁波自安裝於電子機器70之其他電子零件等之侵入及電磁波自輸入裝置100之洩漏，而有助於作為電子機器70之動作之穩定性。
電極基板20由包含第1電極線210之第1配線基板21與包含第2電極線220之第2配線基板22之積層體構成。
第1配線基板21包含第1基材211(參照圖2)及複數條第1電極線(X電極)210。第1基材211(第1絕緣層)例如由具有可撓性之片材構成，具體而言，由PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(Polyethylene Naphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)、PC(Poly Carbonate，聚碳酸酯)、PMMA(Poly(methyl methacrylate)，聚甲基丙烯酸甲酯)、及聚醯亞胺等電絕緣性之塑膠片(膜)構成。第1基材211之厚度並無特別限定，例如為數10μm~數100μm。
複數條第1電極線210一體地設置於第1基材211之一面。複數條第1電極線210沿著X軸方向隔開特定間隔而排列，且沿著Y軸方向呈大致直線狀形成。第1電極線210分別被引出至第1基材211之緣部等，且分別連接於不同端子。又，第1電極線210分別經由該等端子而電性連接於控制部60。
再者，複數條第1電極線210各者可由單一電極線構成，亦可由沿著X軸方向排列之複數個電極群構成。又，構成各個電極群之複數
條電極線可連接於共用之端子，亦可分成2個以上之不同之端子而連接。
另一方面，第2配線基板22包含第2基材221(參照圖2)及複數條第2電極線(Y電極)220。第2基材221(第2絕緣層)與第1基材211同樣地例如由具有可撓性之片材構成，具體而言由PET、PEN、PC、PMMA、聚醯亞胺等電絕緣性之塑膠片(膜)等構成。第2基材221之厚度並無特別限定，例如為數10μm~數100μm。第2配線基板22與第1配線基板21對向而配置。
複數條第2電極線220係與複數條第1電極線210同樣地構成。即，複數條第2電極線220一體地設置於第2基材221之一面，並沿著Y軸方向隔開特定間隔而排列，且沿著X軸方向呈大致直線狀形成。又，複數條第2電極線220分別可由單一之電極線構成，亦可由沿著Y軸方向排列之複數個電極群構成。
第2電極線220分別被引出至第2基材221之緣部等，且分別連接於不同之端子。構成各個電極群之複數條電極線可連接於共用之端子，亦可分成2個以上之不同之端子而連接。又，第2電極線220分別經由該等端子而電性連接於控制部60。
第1電極線210及第2電極線220可利用網版印刷、凹版膠印、或噴墨印刷等印刷法形成導電膏等，亦可利用使用有金屬箔或金屬層之光微影技術之圖案化方法而形成。又，藉由將第1及第2基材211、221均由具有可撓性之片材構成，而可使電極基板20之整體成為具有可撓性之構成。
如圖3所示，電極基板20包含將第1配線基板21與第2配線基板22相互接合之接著層23。接著層23具有電絕緣性，例如由接著劑之固化物、膠帶等黏著材料等構成。
如上所述，於本實施形態之電極基板20中，複數條第1電極線
210與複數條第2電極線220於電極基板20之厚度方向(Z軸方向)上相隔而配置。因此，電極基板20係由分別形成於複數條第1電極線210與複數條第2電極線220之複數個對向區域之複數個檢測部20s(電容感測器)呈矩陣狀排列而成。複數個檢測部20s分別形成於複數條第1電極線210與複數條第2電極線220之交叉區域。
於本實施形態中，複數條第1電極線210配置於較複數條第2電極線220靠操作構件10側，但並不限定於此，亦可將複數條第2電極線220配置於較複數條第1電極線210靠操作構件10側。
控制部60電性連接於電極基板20。更詳細而言，控制部60經由端子而分別連接於複數條第1及第2電極線210、220各者。控制部60構成信號處理電路，該信號處理電路可基於複數個檢測部20s之輸出而產生關於對第1面110之輸入操作之資訊。控制部60一面以特定之週期掃描複數個檢測部20s之各者一面獲取各檢測部20s之電容變化量，並基於該電容變化量而產生關於輸入操作之資訊。
典型而言，控制部60由包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)/MPU(Micro Processor Unit，微處理機單元)、記憶體等之電腦構成。控制部60可由單一之晶片零件構成，亦可由複數個電路零件構成。控制部60可搭載於輸入裝置100，亦可搭載於組裝有輸入裝置100之電子機器70。於前者之情形時，例如，安裝於連接在電極基板20之可撓性配線基板上。於後者之情形時，亦可與控制電子機器70之控制器710一體地構成。
如上所述，控制部60包含運算部61及信號產生部62，且根據儲存於未圖示之記憶部之程式執行各種功能。運算部61係基於自電極基板20之第1及第2電極線210、220之各者輸出之電信號(輸入信號)而算出第1面110上之XY座標系統中之操作位置，信號產生部62基於該結
果產生操作信號。藉此，可對可撓性顯示器11顯示基於在第1面110上之輸入操作之圖像。
圖3、4所示之運算部61係基於來自分配有固有之XY座標之各檢測部20s之輸出而算出第1面110上之操作子之操作位置之XY座標。具體而言，運算部61係基於自各X電極(第1電極線210)、Y電極(第2電極線220)獲得之靜電電容之變化量而算出形成於各X電極、Y電極之交叉區域(對向區域)之各檢測部20s中之靜電電容之變化量。根據該各檢測部20s之靜電電容之變化量之比率等，可算出操作子之操作位置之XY座標。
例如，運算部61係基於以特定之週期對第1及第2電極線210、220中之相當於驅動電極(E1)之電極線施加驅動信號時所得之來自相當於檢測電極(E2)之電極線之輸出，而獲取各檢測部20s之電容變化量。信號產生部62係基於運算部61之輸出(各檢測部20s之電容變化量)，而產生關於對輸入操作面之輸入操作之資訊(控制信號)。
於本實施形態中，將第1電極線210設為驅動電極(E1)，將第2電極線220設為檢測電極(E2)。由於驅動電極(E1)與檢測電極(E2)相比電位較穩定，故而較檢測電極(E2)而言不易受到電磁雜訊之影響。就此種觀點而言，第1電極線210亦具有作為保護第2電極線220免受電磁雜訊之影響之屏蔽層之功能。
又，運算部61可判定第1面110是否接受操作。具體而言，例如，於檢測部20s整體之靜電電容之變化量或各個檢測部20s之靜電電容之變化量等為特定之閾值以上之情形時，可判定為第1面110接受操作。又，藉由將該閾值設為2以上，例如可區別觸控操作與(意識性)按壓操作而進行判定。進而，亦可基於檢測部20s之靜電電容之變化量而算出按壓力。
信號產生部62係基於運算部61之算出結果而產生特定之操作信
號。該操作信號亦可為例如用以產生對可撓性顯示器11輸出之顯示圖像之圖像控制信號、對應於顯示在可撓性顯示器11上之操作位置之鍵盤圖像之鍵之操作信號、或關於對應於GUI(Graphical User Interface)之操作的操作信號等。
此處，輸入裝置100中，作為藉由於第1面110上之操作而使金屬膜12及導體層50之各者與電極基板20(檢測部20s)之距離產生變化之構成，包含第1及第2支持體30、40。以下，對第1及第2支持體30、40進行說明。
第1支持體30配置於操作構件10與電極基板20之間。第1支持體30包含複數個第1構造體310、第1殼體320、及第1空間部330。本實施形態中，第1支持體30經由接著層35而接合於電極基板20上(參照圖3)。接著層35可為接著劑，亦可由黏著劑、膠帶等黏著材料構成。
如圖3所示，本實施形態之第1支持體30具有基材31、設置於基材31之表面(上表面)之構造層32、及形成於構造層32上之特定位置之複數個接合部341之積層構造。基材31由PET、PEN、PC等電絕緣性之塑膠片材構成。基材31之厚度並無特別限定，例如為數μm~數100μm。
構造層32由UV(Ultraviolet，紫外線)樹脂等電絕緣性之樹脂材料構成，且於基材31上形成複數個第1凸部321、第2凸部322及凹部323。各個第1凸部321具有例如於Z軸方向上突出之圓柱狀、角柱狀、錐台形狀等形狀，並以特定間隔排列於基材31上。第2凸部322係以包圍基材31之周圍之方式而以特定之寬度形成。
又，構造層32雖由具有可藉由於第1面110上之輸入操作而使電極基板20變形之程度之剛性的材料構成，但亦可由在輸入操作時可與操作構件10一併變形之彈性材料構成。即，構造層32之彈性模數並無特
別限定，可於能夠獲得目標之操作感或檢測感度之範圍內適當選擇。
凹部323由形成於第1及第2凸部321、322間之平坦面構成。即，凹部323上之空間區域構成第1空間部330。又，本實施形態中，於凹部323上形成由黏著性較低之UV樹脂等形成之接著防止層342(圖3中未圖示)。接著防止層342之形狀並無特別限定，可形成為島狀，亦可於凹部323上由平坦膜形成。
進而，於第1及第2凸部321、322之各者上形成由黏著性之樹脂材料等構成之接合部341。即，各個第1構造體310由第1凸部321與形成於第1凸部321上之接合部341之積層體構成，各個第1殼體320由第2凸部322與形成於第2凸部322上之接合部341之積層體構成。藉此，第1構造體310及第1殼體320之厚度(高度)構成為大致相同，於本實施形態中，例如為數μm~數100μm之範圍。再者，接著防止層342之高度只要低於第1構造體310及第1殼體320之高度，則無特別限定，例如以變得較第1及第2凸部321、322低之方式形成。
複數個第1構造體310係對應於各個檢測部20s之配置而配置。於本實施形態中，複數個第1構造體310例如係於Z軸方向上與複數個檢測部20s之各者之中心對向而配置，但並不限定於此，亦可配置於相對於各檢測部20s之中心偏移之位置。又，與各檢測部20s對向之構造體310之數量並不限定於1個，亦可為複數個。
第1殼體320係以沿著電極基板20之周緣而包圍第1支持體30之周圍之方式形成。第1殼體320之短邊方向之長度即寬度只要可充分確保第1支持體30及輸入裝置100整體之強度，則無特別限定。
另一方面，第2支持體40配置於電極基板20與導體層50之間。第2支持體40包含複數個第2構造體410、第2殼體420及第2空間部430。
如圖3所示，本實施形態之第2支持體40係於導體層50上直接形成第2構造體410及第2殼體420。第2構造體410及第2殼體420例如由具
有黏著性之絕緣性之樹脂材料構成，亦兼具接合導體層50與電極基板20間之接合部之功能。第2構造體410及第2殼體420之厚度並無特別限定，例如為數μm~數100μm。
第2構造體410分別配置於相鄰之第1構造體310間。即，第2構造體410分別配置於相鄰之檢測部20s間。並不限定於此，第2構造體410亦能夠以與各檢測部20s對向之方式配置。
第2殼體420係以沿著導體層50之周緣而包圍第2支持體40之周圍之方式形成。第2殼體420之寬度只要可充分確保第2支持體40及輸入裝置100整體之強度，則無特別限定，例如以與第1殼體320大致相同之寬度構成。
又，第2構造體410與構成第1構造體310之構造層32同樣地其彈性模數並無特別限定。即，可於能夠獲得目標之操作感或檢測感度之範圍內適當選擇，亦可由在輸入操作時能夠與電極基板20一併變形之彈性材料構成。
又，第2空間部430形成於第2構造體410間，而構成第2構造體410及第2殼體420之周圍之空間區域。於本實施形態中，自Z軸方向觀察時，第2空間部430收容各檢測部20s及各第1構造體310。
如上所述，本實施形態之第1及第2支持體30、40：(1)包括第1及第2構造體310、410與第1及第2空間部330、430；(2)自Z軸方向觀察時，第1構造體310與第2構造體410不重疊，第1構造體310配置於第2空間部430上。
因此，如以下所示，即便藉由操作時之數十g左右之微小按壓力，亦可使金屬膜12及導體層50變形。
圖5係表示利用操作子h將第1面110上之點P向Z軸方向下方按壓時之對第1及第2構造體310、410附加之力之情況的概略剖面圖。圖中
之中空箭頭模式性地表示向Z軸方向下方(以下，簡稱為「下方」)按壓之力的大小。圖14中未示出金屬膜12及電極基板20等之撓曲、以及第1及第2構造體310、410之彈性變形等態樣。再者，於以下之說明中，即便於使用者進行無意識地按壓之觸控操作之情形時，實際上亦會附加微小之按壓力，故而將該等輸入操作總括為「按壓」進行說明。
例如，於利用力F將第1空間部330p0上之點P向下方按壓之情形時，點P之正下方之金屬膜12向下方撓曲。隨之，鄰接於第1空間部330p0之第1構造體310p1、310p2受到力F1，於Z軸方向上彈性變形而厚度略微減少。又，由於金屬膜12之撓曲，鄰接於第1構造體310p1、310p2之第1構造體310p3、310p4亦受到小於F1之力F2。進而，藉由力F1、F2而亦對電極基板20施加力，從而使第1構造體310p1、310p2正下方之區域於中心向下方撓曲。藉此，配置於第1構造體310p1、310p2間之第2構造體410p0受到力F3，於Z軸方向上彈性變形而厚度略微減少。又，配置於第1構造體310p1、310p3間之第2構造體410p1、及配置於第1構造體310p2、310p4間之第2構造體410p2亦分別受到小於F3之力F4。
如此，可藉由第1及第2構造體310、410而於厚度方向上傳遞力，可使電極基板20易於變形。又，藉由金屬膜12及電極基板20之撓曲，並於面內方向(與X軸方向及Y軸方向平行之方向)上受到按壓力之影響，而力不僅可影響到操作子h之正下方之區域，亦可影響到其附近之第1及第2構造體310、410。
又，關於上述(1)，可藉由第1及第2空間部330、430而使金屬膜12及電極基板20易於變形。進而，可藉由以柱體等構成之第1及第2構造體310、410而使電極基板20受到較操作子h之按壓力高之壓力，而可使電極基板20有效率地撓曲。
進而，關於上述(2)，由於第1及第2構造體310、410自Z軸方向觀察時不重疊地配置，故而第1構造體310可隔著其下之第2空間部430而使電極基板20易於撓曲。
以下表示具體操作時之檢測部20s之靜電電容之變化量的一例。
圖15A、B係表示第1面110受到操作子h之操作時之輸入裝置100之態樣的模式性主要部分剖面圖、及表示此時自檢測部20s輸出之輸出信號之一例的圖。圖15A、B中之沿著X軸而表示之柱形圖模式性地表示各檢測部20s中之靜電電容自基準值之變化量。又，圖15A係表示操作子h按壓第1構造體310(310a2)上時之態樣，圖15B係表示操作子h按壓第1空間部330(330b1)上時之態樣。
於圖15A中，操作位置之正下方之第1構造體310a2最受力，第1構造體310a2本身發生彈性變形，並且向下方移位。因該移位而使第1構造體310a2正下方之檢測部20sa2向下方移位。藉此，檢測部20sa2與導體層50介隔第2空間部430a2而接近。即，藉由檢測部20sa2與金屬膜12之距離發生稍微變化，且與導體層50之距離發生較大變化，而獲得靜電電容之變化量Ca2。另一方面，由於金屬膜12之撓曲之影響，第1構造體310a1、310a3亦略微向下方移位，檢測部20sa1、20sa3中之靜電電容之變化量分別成為Ca1、Ca3。
於圖15A所示之例中，Ca2最大，Ca1與Ca3大致相同，且小於Ca2。即，如圖15A所示，靜電電容之變化量Ca1、Ca2、Ca3表示以Ca2為頂點之山形之分佈。於此情形時，運算部61可基於Ca1、Ca2、Ca3之比率而算出重心等，且算出檢測部20sa2上之XY座標作為操作位置。
另一方面，於圖15B中，由於金屬膜12之撓曲而使操作位置附近之第1構造體310b1、310b2略微地彈性變形，並且向下方移位。藉由
該移位而使電極基板20撓曲，並使第1構造體310b1、310b2正下方之檢測部20sb1、20sb2向下方移位。藉此，檢測部20sb1、20sb2與導體層50介隔第2空間部430b1、430b2而接近。即，藉由檢測部20sb1、20sb2與金屬膜12之距離略微地變化，且與導體層50之距離相對較大地變化，而分別獲得靜電電容之變化量Cb1、Cb2。
於圖15B所示之例中，Cb1與Cb2大致相同。藉此，運算部61可算出檢測部20sb1、20sb2間之XY座標作為操作位置。
如此，根據本實施形態，由於檢測部20s及金屬膜12與檢測部20s及導體層50之厚度均因按壓力而可變，故而可進一步增大檢測部20s中之靜電電容之變化量。藉此，可提高輸入操作之檢測感度。
又，即便可撓性顯示器11上之操作位置為第1構造體310上、第1空間部330上之任一點，亦可算出操作位置之XY座標。即，藉由使金屬膜12於面內方向上受到按壓力之影響，不僅使操作位置正下方之檢測部20s發生靜電電容變化，亦可使自Z軸方向觀察時為操作位置附近之檢測部20s發生靜電電容變化。藉此，可抑制第1面110內之檢測精度之不均，維持整個第1面110上之較高之檢測精度。
此外，構成操作構件10之可撓性顯示器11如上所述般被控制器710驅動控制。可撓性顯示器11典型而言係於面內藉由控制呈矩陣狀排列之複數個像素之發光而顯示圖像。此時，有如下情形：自驅動各像素之像素電路產生對感測裝置1而言無法忽視之級別之電磁雜訊。
如上所述，感測裝置1係以如下方式構成：依據基於相對於金屬膜12及導體層50之對向距離之變化之檢測部20s之靜電電容之變化，而檢測對輸入操作面(第1面110)之操作位置及操作量(按壓力)。因此，若電磁雜訊侵入檢測部20s，則檢測部20s之電容變化量之檢測精度降低，並且該電容變化量越微小該問題越顯著。
另一方面，可藉由配置於各檢測部20s與可撓性顯示器11間之金屬膜12而確保一定之遮罩功能。然而，由於該金屬膜12必須以能夠追隨對輸入操作面(第1面110)之輸入操作而變形之厚度形成，故而未必可確保能夠遮蔽電磁雜訊之程度之厚度。如此，靜電檢測輸入操作之輸入裝置必須為如下構造：於謀求檢測精度之提高時，能夠充分保護檢測部20s免受電磁雜訊影響。
因此，本實施形態之感測裝置1包括用以電磁性地遮蔽構成檢測部20s之電極線免受雜訊源影響之屏蔽層S1。如圖2及圖3所示，屏蔽層S1設置於電極基板20。
屏蔽層S1由設置於支持複數條第1電極線210之第1基材211之導體膜構成。於本實施形態中，屏蔽層S1設置於第1基材211上與複數條第1電極線210同一平面上。藉此，可不另行設置支持屏蔽層S1之構件而形成屏蔽層S1。進而，由於屏蔽層S1係由與複數條第1電極線210相同之材料構成，故而可利用同一步驟形成第1電極線與屏蔽層S1。
圖7係電極基板20之主要部分俯視圖，圖8係第1配線基板21之主要部分俯視圖，圖9係第2配線基板22之主要部分俯視圖。
圖示之例中，第1及第2電極線210、220分別由包含複數條電極細線之電極線群構成，但當然並不限定於此，亦可分別由單一之寬幅之電極線構成。
本實施形態中，屏蔽層S1包含配置於複數條第1電極線210之各者間之複數條電極線S11(第3電極線)。複數條電極線S11與第1電極線210空出特定之間隙而排列。複數條電極線S11以分別相同之寬度形成，各電極線S11之長度以與第1電極線210之長度大致相等之長度形成。複數條電極線S11分別與金屬膜12及導體層50同樣地連接於特定之基準電位(例如接地電位)。
根據上述構成，複數條第2電極線220於自可撓性顯示器11觀察
時，藉由屏蔽層S1(電極線S11)而遮蔽連接複數個檢測部20s(第1電極線210與第2電極線220之對向區域)間之配線區域220b。藉此，上述配線區域220b自可撓性顯示器11被電磁性地遮蔽。
各電極線S11可利用網版印刷、凹版膠印、或噴墨印刷等印刷法而形成導電膏等，亦可利用使用金屬箔、金屬層或ITO等透明導電膜之材料、碳材料等導體材料之光微影技術之圖案化方法而形成。各電極線S11之厚度並無特別限定，典型而言，以與第1電極線210相等之厚度(例如數10nm~數10μm)形成。
各電極線S11並不限定於利用與第1電極線210同一步驟而形成之例。又，各電極線S11可由與第1電極線210不同之材料構成，亦可以較第1電極線210之厚度厚之厚度形成。
上述配線區域220b被屏蔽層S1遮蔽之區域係利用構成屏蔽層S1之各電極線S11之寬度而調整。由於屏蔽層S1形成於與第1電極線210同一平面上，故而上述配線區域220b之一部分區域被屏蔽層S1遮蔽。
為了使上述配線區域220b之全部區域被屏蔽層S1遮蔽，例如，只要另外形成被覆第1電極線210之絕緣膜，並於該絕緣膜上設置屏蔽層即可。此時，亦能夠以藉由該屏蔽層亦被覆連接複數個檢測部20s間之第1電極線210之配線區域之至少一部分之方式構成。於此情形時，該屏蔽層亦可由在與複數個檢測部20s對向之區域成為開口之格子狀之導體膜構成。
圖10A係概略性地表示第1配線基板21之整體之俯視圖。屏蔽層S1進而包含將複數條電極線S11相互連接之配線部S12。配線部S12於第1配線基板21之一長邊側之緣部21a分別與複數條電極線S11連接。配線部S12經由第1配線基板21之一側之短邊側之緣部21b被向另一側之長邊側之緣部21c牽引。於緣部21c形成與配線部S12連接之引出線S12a，且經由控制部60連接於特定之基準電位(接地電位)。藉此，可
將配置於複數條第1電極線210間之複數條電極線S11共同地連接於接地電位。
於第1配線基板21之緣部21c進而形成與複數條第1電極線210之各者連接之引出線210a，經由該等引出線210a而將各第1電極線210連接於控制部60。
雖未圖示，但第2配線基板22設有與複數條第2電極線220之各者連接之引出線，該等引出線典型而言形成於第2配線基板22之一短邊側之緣部。因此，為了被覆該等第2電極線220之引出線(於形成有複數個檢測部20s之檢測區域之外側形成之外周配線部)之至少一部分而使其免受電磁雜訊影響，而可如圖10B所示般由設置於第1配線基板21之屏蔽層S遮蔽該引出線。
圖10B係表示屏蔽層S1之構成之變化例之第1配線基板的俯視圖。該屏蔽層S1進而包含形成於第1配線基板21之緣部21b之帶狀部S11b。帶狀部S11b連接於配線部S12與引出線S12a間，且立體狀地被覆複數條第1電極線210中之位於最靠緣部21b側之電極線210b與該緣部間之區域。藉此，可保護位於帶狀部S11b之正下方之第2電極線220之外周配線部免受電磁雜訊影響。
此處，作為對感測裝置1之檢測感度造成影響之機器之一，可列舉可撓性顯示器11。假設，於將金屬膜12、導體層50及屏蔽層S1僅連接於控制部60之情形時，可撓性顯示器11有可能對控制部60之接地電位造成影響，而有可能無法充分發揮電磁遮罩效果。因此，藉由於連接可撓性顯示器11之控制器710之接地連接金屬膜12、導體層50及屏蔽層S1，而可維持為更穩定之接地電位，並可使電磁遮罩效果提昇。進而，即便藉由以更多之接點連接金屬膜12、導體層50及屏蔽層S1，亦可使電磁遮罩效果提昇。
繼而，對本技術之第2實施形態進行說明。
於上述第1實施形態中，複數條第1電極線與複數條第2電極線於電極基板之厚度方向上相互隔開，且於該等各電極線之交叉區域構成複數個檢測部(電容感測器)。相對於此，本實施形態中，複數條第1電極線與複數條第2電極線於電極基板之面內相互隔開，且於該等各電極線之對向區域構成複數個檢測部(電容感測器)。
圖11A係本技術之第2實施形態之輸入裝置100C之概略剖面圖，圖11B係將輸入裝置100C之主要部分放大而表示之剖面圖。本實施形態與第1實施形態之不同點在於：電極基板20C根據XY平面內之電容耦合之變化量而靜電檢測與金屬膜12及導體層50各者之距離之變化。即，Y電極220C包含與X電極210C於電極基板20C之面內方向上對向之對向部，且該對向部構成檢測部20Cs。
電極基板20C包含配置有複數條第1電極線(X電極)210C及複數條第2電極線(Y電極)220C之基材211C，該等複數個X電極210C及Y電極220C配置於同一平面上。
參照圖12A、B，對X電極(第1電極線)210C及Y電極(第2電極線)220C之構成之一例進行說明。此處表示如下之例：各X電極210C與各Y電極220C分別包含梳齒狀之複數個單位電極體(第1單位電極體)210m及複數個單位電極體(第2單位電極體)220m，且1個單位電極體210m與1個單位電極體220m形成各檢測部20Cs。
如圖12A所示，X電極210C包含複數個單位電極體210m、電極線部210p及複數個連接部210z。電極線部210p於Y軸方向上延伸。複數個單位電極體210m以固定間隔配置於Y軸方向上。電極線部210p與單位電極體210m隔開特定間隔而配置，且兩者間藉由連接部210z而連接。
如上所述，單位電極體210m整體具有梳齒狀。具體而言，單位
電極體210m包含複數個輔助電極210w與連結部210y。複數個輔助電極210w於X軸方向上延伸。相鄰之輔助電極210w之間隔開特定之間隔。複數個輔助電極210w之一端連接於在X軸方向上延伸之連結部210y。
如圖12B所示，Y電極220C包括複數個單位電極體220m、電極線部220p及複數個連接部220z。電極線部220p於X軸方向上延伸。複數個單位電極體220m以固定間隔配置於X軸方向上。電極線部220p與單位電極體220m隔開特定間隔而配置，且兩者間藉由連接部220z而連接。再者，亦可採用省略連接部220z，而於電極線部220p上直接設置單位電極體220m之構成。
如上所述，單位電極體220m整體具有梳齒狀。具體而言，單位電極體220m包括複數個輔助電極220w及連結部220y。複數個輔助電極220w於X軸方向上延伸。相鄰之輔助電極220w之間隔開特定之間隔。複數個輔助電極220w之一端連接於在Y軸方向上延伸之連結部220y。
如圖13A所示，於各個單位電極體210m與各個單位電極體220m相互組合之區域形成各檢測部20Cs。單位電極體210m之複數個輔助電極210w與單位電極體220m之複數個輔助電極220w朝向Y軸方向而交替地排列。即，輔助電極210w、220w於電極基板20C之面內方向(例如Y軸方向)上相互對向而配置。
圖13B係自圖13A之A-A方向觀察之剖面圖。Y電極220C雖與第1實施形態同樣地與X電極210C交叉而設置，但形成於與X電極210C同一平面上。因此，如圖13B所示，X電極210C與Y電極220C交叉之區域係以各X電極210C及各Y電極220C不直接接觸之方式構成。即，於X電極210C之電極線部210p及Y電極220C之電極線部220p上設置有絕緣層220r。並且，於X電極210C與Y電極220C交叉之區域，以跨越該
絕緣層220r之方式設置有跨接配線部220q。藉由該跨接配線部220q而連結電極線部220p。
圖14係用以說明本實施形態之檢測部20Cs之構成之模式性剖面圖。該圖所示之例中，於檢測部20Cs，輔助電極210w1與輔助電極220w1、輔助電極220w1與輔助電極210w2、輔助電極210w2與輔助電極220w2、輔助電極220w2與輔助電極210w3、及輔助電極210w3與輔助電極220w3分別電容耦合。即，構成為，將基材211C作為介電層，各輔助電極間之靜電電容Cc11、Cc12、Cc13、Cc14、Cc15可根據金屬膜12及導體層50之各者與包含輔助電極之第1及第2電極線210C、220C之電容耦合而變化。
根據上述構成，無需電極基板之第2基材及接著層，而可對輸入裝置100C之薄型化做貢獻。又，多個輔助電極彼此電容耦合，且可縮短電容耦合之輔助電極間之距離。藉此，可使輸入裝置100C整體之電容耦合量增加，並且可提高檢測感度。
又，本實施形態之感測裝置亦包括用以電磁性地遮蔽構成檢測部20Cs之電極線免受雜訊源影響之屏蔽層S2。如圖15A~C所示，屏蔽層S2設置於電極基板20C。
圖15A係電極基板20C之主要部分俯視圖，圖15B係圖15A之B1-B1線剖面圖，圖15C係圖15A之C1-C1線剖面圖。
如圖15A所示，屏蔽層S2包含：第1導體膜S21，其被覆第1電極線210C之電極線部210p；及第2導體膜S22，其被覆第2電極線220C之電極線部220p之至少一部分。該等電極線部210p、220p相當於連接複數個檢測部20Cs間之第1及第2電極線210、220之配線區域。
又，屏蔽層S2分別包含配置於第1導體膜S21與電極線部210p間之絕緣膜、及配置於第2導體膜S22與電極線部220p間之絕緣膜。本實施形態之上述各絕緣膜分別相當於被覆電極線部210p、220p之絕緣層
220r。
即，本實施形態之屏蔽層S2設置於與跨接配線部220q及絕緣層220r同一平面上。第1及第2導體膜S21、S22設置於與跨接配線部220q同一平面上。因此，藉由利用與跨接配線部220q相同之材料構成第1及第2導體膜S21、S22，而能夠以同一步驟形成第1及第2導體膜S21、S22與跨接配線部220q。即，於此例中，可於形成第1電極線210C及第2電極線220C後，在第1電極線210C與第2電極線220C之交叉部同時形成存在於跨接配線部220q與第1電極線210C間之絕緣層220r、以及被覆第1電極線210C及第2電極線220C之絕緣層220r。進而，此後可同時形成跨接配線部220q與上述第1及第2導體膜S21、S22。形成方法並無特別限定，典型而言可應用網版印刷等印刷法。
再者，為了避免第1及第2導體膜S21、S22與跨接配線部220q之電性接觸，屏蔽層S2包含使跨接配線部220q露出之開口部S20。當然，並不限定於此，亦可藉由利用屏蔽層S被覆跨接配線部220q而提昇遮罩效果。於此情形時，可採用圖16A~C所示之屏蔽層S3之構成。
圖16A係電極基板20C之主要部分俯視圖，圖16B係圖16A之B2-B2線剖面圖，圖16C係圖16A之C2-C2線剖面圖。
於此例中，於形成跨接配線部220q後，形成被覆跨接配線部220q之絕緣膜220r1，進而於該絕緣膜220r1上分別形成上述第1及第2導體膜S21、S22。即，本例之屏蔽層S3包含：第1及第2導體膜S21、S22；及絕緣膜220r1，其配置於該等導體膜S21、S22與電極線部210p、220p間。
以上，對本技術之實施形態進行了說明，但本技術並不僅限於上述實施形態，當然可於不脫離本技術之主旨之範圍內加以各種變更。
例如，以上之第1實施形態係利用直線狀之電極線或電極線群構成為第1電極線210，但並不限定於此，可採用各種形狀之電極。
例如，如圖17所示，第1電極線210D亦可分別包含複數個單位電極體210Dm。單位電極體210Dm形成於與第2電極線交叉之對向區域，而構成電容感測器。X電極210D之單位電極體210Dm雖藉由複數個輔助電極構成，但亦可由平板狀之固體電極構成。
單位電極體之構成並不限定於上述之例，可採用例如圖18(A)~(P)所示之各種形態者。
關於複數條第2電極線220，亦同樣地可採用如圖19A所示般分別由包含複數條電極細線之電極線群構成之電極線220D，亦可採用如圖19B所示般分別包含複數個單位電極體之電極線220E。或者，亦可由如圖19C所示般分別由單一電極線220F構成。
又，用以遮蔽檢測部20s使其免受電磁雜訊影響之屏蔽層S1、S2雖配置於可撓性顯示器11與檢測部20s間，但於雜訊源存在於導體層50側之情形(例如設置有輸入裝置之驅動電路等配線基板之情形)時，亦可於電極基板之背面側亦配置屏蔽層。
並且，以上各實施形態雖對以一對支持體30、40支持電極基板20之構成進行了說明，但亦可僅以其中任一支持體支持電極基板20。圖20係表示省略第2支持體40之輸入裝置之構成例。
並且，以上各實施形態雖列舉具備第1及第2支持體30、40之輸入裝置為例進行了說明，但本技術亦可適用於僅具備該等支持體中之任一者之輸入裝置、或不具備任何支持體之輸入裝置。
進而，雖列舉可撓性顯示器11作為操作構件10為例進行了說明，但並不限定於此，本技術亦可適用於例如顯示有鍵序列之鍵盤等。
再者，本技術亦可獲得如下之構成。
(1)一種感測裝置，其包括：
電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域。
(2)如上述(1)之感測裝置，其中上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線係於上述電極基板之厚度方向上相隔而配置，且上述複數個電容感測器分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉區域。
(3)如上述(2)之感測裝置，其中上述電極基板包含：第1絕緣層，其支持上述複數條第1電極線；及第2絕緣層，其支持上述複數條第2電極線；且上述屏蔽層設置於上述第1絕緣層。
(4)如上述(3)之感測裝置，其中上述屏蔽層設置於與上述複數條第1電極線同一平面上。
(5)如上述(2)至(4)中任一項之感測裝置，其中上述導體膜由與上述複數條第1電極線相同之材料構成。
(6)如上述(2)至(5)中任一項之感測裝置，其中上述導體膜包含配置於上述複數條第1電極線各者間之複數條第3電極線。
(7)如上述(6)之感測裝置，其中上述導體膜進而包含將上述複數條第3電極線相互連接之配線部。
(8)如上述(1)之感測裝置，其中上述複數個電容感測器分別形成於與在上述電極基板之面內方向上相互對向之上述複數條第1電極線及上述複數條第2電極線之對向區域，且上述屏蔽層進而包含配置於上述導體膜與上述配線區域間之絕緣膜。
(9)如上述(8)之感測裝置，其中上述電極基板包含設置於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉部之複數個跨接配線部。
(10)如上述(9)之感測裝置，其中上述導體膜設置於與上述複數個跨接配線部同一平面上。
(11)如上述(9)之感測裝置，其中上述屏蔽層被覆上述複數個跨接配線部。
(12)如上述(9)至(11)中任一項之感測裝置，其中上述導體膜係由與上述複數個跨接配線部相同之材料構成。
(13)如上述(1)至(12)中任一項之感測裝置，其中上述屏蔽層進而遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第1電極線之至少一部分配線區域。
(14)如上述(1)至(13)中任一項之感測裝置，其中上述複數條第2電極線包含外周配線部，該外周配線部形成於形成有呈矩陣狀排列之上述複數個電容感測器之檢測區域之外側；且上述屏蔽層進而遮蔽上述外周配線部之至少一部分。
(15)如上述(1)至(14)中任一項之感測裝置，其進而包括：可變形之第1導體層，其與上述電極基板之一主面對向而配置；及第1支持體，其包含連接上述第1導體層與上述電極基板間之複
數個第1構造體。
(16)如上述(15)之感測裝置，其進而包括：第2導體層，其與上述電極基板之另一主面對向而配置；及第2支持體，其包含連接上述第2導體層與上述電極基板間之複數個第2構造體。
Claims (16)
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線係於上述電極基板之厚度方向上相離而配置，上述複數個電容感測器分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉區域；且上述電極基板包含：第1絕緣層，其支持上述複數條第1電極線；及第2絕緣層，其支持上述複數條第2電極線；且上述屏蔽層設置於上述第1絕緣層。
- 如請求項1之感測裝置，其中上述屏蔽層設置於與上述複數條第1電極線同一平面上。
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線係於上述電極基板之厚度方向上相離而配置，上述複數個電容感測器分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉區域；且上述導體膜由與上述複數條第1電極線相同之材料構成。
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線係於上述電極基板之厚度方向上相離而配置，上述複數個電容感測器分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉區域；且上述導體膜包含配置於上述複數條第1電極線各者之間的複數條第3電極線。
- 如請求項4之感測裝置，其中上述導體膜進而包含將上述複數條第3電極線相互連接之配線部。
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；上述複數個電容感測器分別形成於與在上述電極基板之面內方向上相互對向之上述複數條第1電極線及上述複數條第2電極線之對向區域，且上述屏蔽層進而包含配置於上述導體膜與上述配線區域間之絕緣膜。
- 如請求項6之感測裝置，其中上述電極基板包含設置於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之交叉部之複數個跨接(jumper)配線部。
- 如請求項7之感測裝置，其中上述導體膜設置於與上述複數個跨接配線部同一平面上。
- 如請求項7之感測裝置，其中上述屏蔽層被覆上述複數個跨接配線部。
- 如請求項7之感測裝置，其中上述導體膜由與上述複數個跨接配線部相同之材料構成。
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；且上述屏蔽層進而遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第1電極線之至少一部分配線區域。
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；且上述複數條第2電極線包含外周配線部，該外周配線部形成於形成有呈矩陣狀排列之上述複數個電容感測器之檢測區域之外側；且上述屏蔽層進而遮蔽上述外周配線部之至少一部分。
- 一種感測裝置，其包括：電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；屏蔽層，其設置於上述電極基板且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；可變形之第1導體層，其與上述電極基板之一主面對向而配置；及第1支持體，其包含連接上述第1導體層與上述電極基板間之複數個第1構造體。
- 如請求項13之感測裝置，其進而包括：第2導體層，其與上述電極基板之另一主面對向而配置；及第2支持體，其包含連接上述第2導體層與上述電極基板間之複數個第2構造體。
- 一種輸入裝置，其包括：操作構件，其包含輸入操作面；電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述操作構件與上述電極基板之間且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；且上述屏蔽層進而遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第1電極線之至少一部分配線區域。
- 一種電子機器，其包括：顯示元件，其包含輸入操作面；電極基板，其包含複數條第1電極線及複數條第2電極線，且由分別形成於上述複數條第1電極線與上述複數條第2電極線之複數個對向區域的複數個電容感測器呈矩陣狀排列而成；及屏蔽層，其設置於上述顯示元件與上述電極基板之間且包含導體膜，該導體膜遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第2電極線之至少一部分配線區域；上述屏蔽層進而遮蔽連接上述複數個對向區域間之上述複數條第1電極線之至少一部分配線區域。
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