TWI620223B - 具有整合式多極電極結構之電子發射體裝置 - Google Patents

具有整合式多極電極結構之電子發射體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI620223B
TWI620223B TW103131966A TW103131966A TWI620223B TW I620223 B TWI620223 B TW I620223B TW 103131966 A TW103131966 A TW 103131966A TW 103131966 A TW103131966 A TW 103131966A TW I620223 B TWI620223 B TW I620223B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitter
substrate
electrode plates
electrode
conductive vias
Prior art date
Application number
TW103131966A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201519273A (zh
Inventor
湯瑪士 普雷特納
葛德西 梅瑞 奈瑟
Original Assignee
克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 克萊譚克公司 filed Critical 克萊譚克公司
Publication of TW201519273A publication Critical patent/TW201519273A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI620223B publication Critical patent/TWI620223B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
    • H01J2203/02—Electron guns
    • H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
    • H01J2203/0208—Control electrodes
    • H01J2203/0212—Gate electrodes
    • H01J2203/0216—Gate electrodes characterised by the form or structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/063—Electron sources
    • H01J2237/06375—Arrangement of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/939—Electron emitter, e.g. spindt emitter tip coated with nanoparticles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

本發明揭示一種場發射裝置，其包括一或多個發射體元件，各發射體元件具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面；及一或多個分段電極，各分段電極圍繞該一或多個發射體之一者。該一或多個分段電極之各者具有多個電極板。提供本摘要以遵守需要一摘要之規定，該摘要將使一查詢者或其他閱讀者可快速確定本技術發明之標的。本摘要之提交條件係其將不用於解釋或限制申請專利範圍之範疇或意義。

Description

具有整合式多極電極結構之電子發射體裝置 優先權主張
此申請案係2013年9月16日申請、由Tomas Plettner等人共同所有且標題為「INTEGRATED GUN MULTI-POLE EMITTER GATE STRUCTURE」、同在申請中的美國臨時專利申請案第61/878,545號之一非臨時申請案且主張其優先權權利，該案之全部揭示內容以引用的方式併入本文。
本發明之實施例係關於一種場發射裝置及其製造方法，且更特定言之，係關於一種其中分段電極經設置靠近發射體以進行軸向校正及偏轉與像散校正之場發射裝置。
場發射係由一高強度靜電場引起之電子發射。一習知場發射裝置包括一陰極及與該陰極分隔開之一陽極。該陰極可係包含一或多個場發射體元件之一場發射體陣列。施加在陽極與陰極之間之一電壓引起電子朝向陽極發射。場發射裝置已被用作高解析度電子顯微鏡之明亮電子源。
為產生一高強度電場(例如，每釐米大約1×107伏特)以自發射體提取電子，開發尖端式/針式發射體。例如，碳奈米管(CNT)係具有一 銳利尖端之一碳材料，該銳利尖端具有一奈米大小的一微細結構，該微細結構具有一高縱橫比。由於CNT之高導電性、用於最佳幾何場增強之高縱橫比「似針」形狀、及顯著的熱穩定性，CNT越來越多地被用作電子場發射體。
製造尖端式/針式發射體(諸如CNT)之一習知方法涉及在陰極之較佳位置上之一圖案化觸媒層上沈積CNT。CNT直接生長在陰極上且理想狀況下垂直於陰極基板表面生長，且因此相對於施加在一閘極場發射結構中之電場很好地對準。然而，尖端式/針式發射體不一定係筆直生長或至相同長度。為在一顯微鏡或其他電子束系統中將此等針用作發射體，自針式發射體射出之電子束需經校正。
習知場電子裝置可包含用於控制/校正電子束之若干電極。可由靠近發射體之一抑制電極執行發射電流控制。在一些系統中，由提取電極及兩個靜電透鏡調整電流，該兩個靜電透鏡經設置相對遠離發射體，同時將一焦點維持在影像平面上。另外，消隱通常由位於發射體區域下游之偏轉器元件執行。亦在發射體區域之下游執行消像散及射束引導。因為用於光學像差校正之此等電極經設置遠離發射體(例如，1mm)，所以需要相對大之電壓來引導射束，執行消隱操作，或調整射束電流。另外，因為第一可行之射束引導及消像散控制在射束聚集之後發生，所以在發射體區域中不具有控制來將個別射束集中至一發射體陣列架構中之集光透鏡光心。
本發明之態樣出現在此上下文內。
根據本發明之態樣，一場發射裝置包括一或多個發射體元件。各發射體元件係具有一奈米級截面之一高縱橫比結構。一或多個分段電極相應地圍繞該一或多個發射體元件。各分段電極包含多個電極板。
在一些實施方案中，在相應發射體之尖端後方設置該一或多個分段電極。
在一些實施方案中，該一或多個發射體元件包含奈米管。
在一些實施方案中，該一或多個分段電極具有4、8、12或16個電極板。
在一些實施方案中，該一或多個發射體之各者的一長度在大約100奈米與大約1毫米之間，且一截面尺寸在大約10奈米(nm)與大約1微米(μm)之間。
根據本發明之態樣，一方法包括在一基板上形成一或多個發射體元件，其中該一或多個發射體元件之各者具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面；及形成一或多個分段電極，各分段電極圍繞該一或多個發射體之一者。該一或多個分段電極之各者包含多個電極板。
100‧‧‧帶電粒子束系統
101‧‧‧目標/樣本
102‧‧‧帶電粒子光學柱/電子束柱
104‧‧‧浸沒透鏡
106‧‧‧靜電偏轉器板
108‧‧‧射束掃描器驅動器/成像裝置掃描器驅動器
110‧‧‧次級粒子偵測器
111‧‧‧置物台掃描機構/置物台掃描器
112‧‧‧放大器
114‧‧‧影像產生器
115‧‧‧電子源
116‧‧‧影像分析器
117‧‧‧背向散射之電子/次級電子
118‧‧‧置物台
119‧‧‧置物台掃描器驅動器
120‧‧‧控制器
121‧‧‧電源供應器
122‧‧‧中央處理單元(CPU)/處理器單元
123‧‧‧輸入/輸出(I/O)功能
124‧‧‧記憶體
125‧‧‧程式碼
126‧‧‧時脈
127‧‧‧使用者介面
128‧‧‧支援電路
129‧‧‧顯示單元
130‧‧‧控制系統匯流排
132‧‧‧選用大容量儲存裝置
134‧‧‧快取記憶體
135‧‧‧射束光學元件/電子束驅動器
136‧‧‧射束驅動器/電子器件
144‧‧‧信號處理器
201‧‧‧場發射裝置
210‧‧‧發射體元件
220‧‧‧分段電極
222‧‧‧電極板
400‧‧‧發射體陣列裝置
401‧‧‧場發射體裝置
410‧‧‧基板
420‧‧‧障壁島
430‧‧‧觸媒結構
440‧‧‧積體多極電極板
442‧‧‧導電通孔
444‧‧‧絕緣材料
450‧‧‧發射體元件
在閱讀下列詳細描述且參考隨附圖式後，本發明之目標及優點將變得明顯，其中：圖1A係一帶電粒子束系統的一示意圖，該帶電粒子束系統經調適以包含根據本發明之一態樣之一場發射體裝置。
圖1B係圖1A之系統的一方塊圖。
圖2係展示一場發射體元件之一側視圖，其中一分段電極圍繞根據本發明之一態樣的發射體元件。
圖3A至圖3B係展示場發射體之俯視圖，其中一分段電極圍繞根據本發明之一態樣的發射體。
圖4係展示場發射體之一截面圖，其中一分段電極圍繞根據本發明之一態樣的發射體。
在下列實施方式中，參考隨附圖式，隨附圖式形成其一部分，且其中藉由圖解說明展示可實行本發明之特定實施例。圖式展示根據實施例之實例(在本文中亦稱為「實例」)之圖解說明。足夠詳細地描述圖式，以使熟習此項技術者能夠實行本標的。因為本發明之實施例之組件可以多個不同定向定位，所以出於圖解說明目的且絕無限制之意，使用方向性術語。應瞭解，在不背離本發明之範疇的情況下，可利用其他實施例且可進行結構或邏輯改變。
在此文件中，如常見於專利文件，使用術語「一」及「一個」以包含一個或多於一個。在此文件中，術語「或」用以指代一非排他性「或」，使得除非另有指示，否則「A或B」包含「A但非B」、「B但非A」、及「A及B」。因此，下列實施方式不被視為限制之意，且本發明之範疇由隨附申請專利範圍界定。
根據本發明之一場發射裝置包含：一或多個發射體，該一或多個發射體具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面；及一分段電極，其經設置接近發射體之尖端用於光學像差校正(例如，軸向校正及偏轉與像散校正)。根據本發明之場發射裝置中之分段電極可具有4、8、12或16個電極板，且各電極板與其他電極板電隔離。電極板經組態使得一分離電壓可獨立地施加至各電極板。取決於施加至電極板之電壓，分段電極可用作一閘極及一引導元件以提供區塊發射之高速消隱、射束之高頻寬伺服控制及高頻寬消像散及射束引導控制。如在本文中所使用，術語消像散控制一般指代歸因於橫向於射束軸之正交方向上之不同聚焦性質的射束圓度控制。根據本發明之分段電極可獨立於發射裝置製造或可透過諸如奈米製造/微機電系統(MEMS)之技術製成發射裝置之一積體部分。
圖1A及圖1B繪示合併本發明之某些態樣的一帶電粒子束系統100之一實例。在此非限制性實例中，系統100經組態為具有帶電粒子光 學柱102之一掃描電子顯微鏡(SEM)，該系統100具有一電子源115、射束光學元件135、一浸沒透鏡104。光學柱102可受控於在本文中被稱為一射束驅動器之電子器件136。射束驅動器136可控制電子源115、射束光學元件135及浸沒透鏡104。在此實例中，射束光學元件135包含兩個或更多個導電氣缸，該等導電氣缸維持在產生電場以自源115提取電子且將該等電子形成為在一目標101之方向上行進之一初級射束103之電壓。浸沒透鏡104將該初級射束聚焦為一窄點於目標表面上。
電子源115包含一場發射裝置201。一場發射裝置包括一場發射體陰極及與該陰極分隔開之一陽極。該陰極可係尖端式或針式場發射體元件210。因為尖端式/針式發射體可非筆直或長度不同，所以根據本發明之場發射裝置201包含根據本發明之態樣的一分段電極220，該分段電極220接近發射體元件210之尖端及/或位於該尖端後方用於校正電子光學像差。儘管圖1A中展示一單個場發射裝置201，然熟習此項技術者將認知，電子源115可包含含有可獨立控制之多個場發射裝置之一場發射體陣列。此外，儘管分段電極220被描繪為位於發射體元件210之尖端後方，然此非一限制性特徵。替代地，分段電極220可與發射體元件210之尖端齊平或在尖端之前方。例如，發射體元件210可形成於基板中之一空腔中，且分段電極可圍繞基板表面上之空腔形成。取決於空腔之深度及發射體元件之長度，分段電極可位於發射體尖端之後方、發射體尖端之前方或與發射體尖端相同之高度上。
來自電子束柱102之一電子束e-聚焦至目標101之一表面上，該目標101可係一積體電路晶圓或一測試晶圓。目標101由一置物台118支撐。電子可跨目標101之表面掃描，例如藉由由一或多個靜電偏轉器板106提供之磁鐵偏轉場。電壓經由一射束掃描器驅動器108提供至偏轉器板106。在一些實施方案中，射束掃描器驅動器108可施加電流至 磁性線圈以跨目標101掃描電子束。替代地，置物台118可包含一置物台掃描機構111及置物台掃描器驅動器119，該置物台掃描機構111及置物台掃描器驅動器119經組態以沿平行於目標101之表面的一X-Y平面在一或多個方向上相對於光學柱102移動目標。在一些實施方案中，在一直線掃描中，置物台掃描機構111及置物台掃描器驅動器119可在一方向(例如，X方向)上移動置物台，而射束掃描器驅動器108使射束在一不同方向(例如，Y方向)上進行掃描。
舉例而言，且非限制而言，可藉由以一光柵型樣驅動射束掃描器產生影像，其中如本技術中為人熟知，初級射束結合射束掃描器驅動器108及射束掃描器線圈106(或偏轉器板)在一方向上跨樣本101掃描，且依據射束位置將偵測器信號轉換為一行影像。在一方向(例如，X方向)上之射束掃描結束時，可在一不同方向(例如，Y方向)上小量(例如，可與樣本上之射束點大小相當之量)調整射束位置，且可執行另一掃描以產生另一行影像。藉由重複此過程，可產生樣本之部分的一影像。
在替代實施方案中，藉由在一直線掃描中，使電子束e-在一方向(例如，X方向)上跨樣本101掃描進行，及依據射束位置將次級偵測器信號轉換為一行影像，而可產生影像。置物台掃描器驅動器119及置物台掃描機構可藉由在各列掃描結束時在一不同方向(例如，Y方向)上將樣本101進行小量平移。
替代地，置物台掃描器驅動器119可在X及Y兩個方向上相對於光學柱102驅動置物台以使射束跨目標掃描，同時射束相對於光學柱保持固定。
撞擊目標101之電子e-背向散射或起始次級發射。電子束柱收集自目標101之表面射出之此等背向散射之電子或次級電子117(或其他次級粒子，諸如離子、X射線、紫外光子)之一部分。在所繪示之實例 中，次級粒子偵測器經組態以偵測往回行進向上穿過電子束柱102且沖射在一次級粒子偵測器110上之背向散射之初級電子或次級電子，該次級粒子偵測器110產生與背向散射或次級發射之量成比例之一次級信號。該信號可由一放大器112放大。經放大信號及來自射束掃描器驅動器108及/或置物台掃描器驅動器119之一信號由一影像產生器114組合以產生目標101之表面的一經放大影像。由影像產生器114產生之影像可由影像分析器116分析，例如以判定所得之形成結構的經修改表面或形狀及大小之品質的一量測。在替代實施方案中，次級粒子偵測器110可位於電子光學柱102外部，且可經定位接近目標以收集次級粒子117。
次級粒子偵測器110一般經組態以回應於次級粒子到達偵測器上而產生一信號。次級粒子偵測器110之設計可取決於經偵測之粒子之類型。在某些實施方案中，次級粒子偵測器110可係具有一接面及空乏區域之一二極體裝置。舉例而言，且非限制而言，偵測器110可係一PN接面，即一PIN接面。在替代實施方案中，偵測器110可係一CMOS偵測器(例如，CDD)、以矽為基礎之偵測器或III至V族偵測器、多通道板、光二極體陣列、雪崩光二極體及/或肖特基(Schottky)二極體。在一實例中，偵測器110係包含一正摻雜P區域及一負摻雜N區域之PN接面二極體。一空乏區域，即一中性電荷區域，存在於P區域與N區域之間。當一光子進入裝置時，結晶結構中之電子變得經激發。若光子之能量大於材料之帶隙能量，則電子將移動進入傳導帶中，在價帶中產生電洞，電子處於價帶中。貫穿裝置產生此等電子-電洞對。在空乏區域中產生之該等電子-電洞對漂移至其等各自之電子。此導致一正電荷累積在P層中且一負電荷累積在N層中。電荷量與落至偵測器上之光量成正比例。
如在圖1B之方塊圖中所展示，影像產生器114及影像分析器可係 一控制器120之部分。控制器120可係一獨立微控制器。替代地，控制器120可係一通用電腦，其經組態以包含耦合至一控制系統匯流排130之一中央處理單元(CPU)122、記憶體124(例如，RAM、DRAM、ROM等等)及為人熟知的支援電路128，諸如電源供應器121、輸入/輸出(I/O)功能123、時脈126、快取記憶體134等等。記憶體124可含有CPU 122執行以促進系統100之效能的指令。記憶體124中之指令可呈程式碼125之形式。程式碼125可控制(例如)由源115產生之電子束電壓及電流、結合射束光學器件135及浸沒透鏡104之射束聚焦、藉由線圈106之電子束掃描、藉由置物台掃描器111之置物台118之掃描、及以一習知方式結合來自次級粒子偵測器110之信號的影像形成。程式碼125亦可實施影像分析。
程式碼125可符合多種不同程式化語言(諸如組合語言(Assembly)、C++、JAVA或多種其他語言)之任一者。控制器120亦可包含一選用大容量儲存裝置132，諸如CD-ROM硬碟及/或可移除式儲存裝置、快閃記憶體等等，該大容量儲存裝置132可耦合至控制系統匯流排130。控制器120可視需要包含耦合至CPU 122為接收來自一操作者(未展示)之輸入而提供的一使用者介面127，諸如一鍵盤、一滑鼠、或一光筆。控制器120亦可視需要包含一顯示單元129以在處理器單元122之控制下提供呈圖形顯示及/或文數字元之形式的資訊給操作者。顯示單元129可係(例如)一陰極射線管(CRT)或平面螢幕監控器。
回應於由記憶體124儲存且擷取之資料及程式碼指令，控制器120可透過I/O功能123與成像裝置掃描器驅動器108、電子束驅動器135及偵測器110或放大器112交換信號。取決於控制器120之組態或選擇，掃描器驅動器108、偵測器110、及/或放大器112可經由調節電路與I/O功能123介接。該等調節電路可以硬體或軟體形式實施，例如在程式碼125內。又，在一些實施方案中，信號處理器144之功能可在程 式碼125內以軟體實施。
圖2係展示根據本發明之態樣用於電子源115之一場發射裝置201之細節的一側視圖。該場發射裝置包含一或多個場發射體元件210，其中一分段電極220圍繞發射體元件。該場發射體元件210具有一發射尖端，該發射尖端具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面。該縱橫比(特性截面尺寸除以長度)可係在大約10與大約100之間。針對作為一發射尖端之實際用途，特性截面尺寸(例如，直徑)之範圍可係自大約10奈米(nm)至大約1微米(μm)。
舉例而言且非限制而言，發射體元件210可係一碳奈米管或一奈米結構尖端式發射體。碳奈米管之替代物包含其他奈米發射體，諸如類似尺寸或以一類似方式製造之碳化鎢尖端、矽尖端。舉例而言且非限制而言，發射體元件210之長度之範圍可係自大約100nm至大約1毫米。相較於習知的閘極閉合之概念，根據本發明之一態樣之發射體210維持一半開區域以保持高效真空電導。若發射體基本上封閉(例如，若發射體元件形成於一空腔中)，則將難以從發射體圍封體泵抽出來獲得高真空或超高真空。在此等情況中，使發射體元件形成於一開口區域中係有利的。然而，此對於不涉及高真空或超高真空之應用並不是一個問題。
一分段電極220經設置接近發射體210之尖端。在一些實施方案中，該分段電極經設置位於發射體之尖端後方。在一些實施方案中，該分段電極經設置接近相應發射體之尖端且在大約一至兩個發射體長度之一距離內。分段電極220之內徑係大約1微米。外徑係大約數十微米等級。分段電極220具有多個電極板222。在一些實施例中，電極板之數目係待校正之多極矩的兩倍。例如，四個電極板用於校正X-Y偏轉(即，一偶極矩)。如在圖3A中所展示，需要八個電極板來完全控制像散(即，一四極矩)。即，一四極矩對準X及Y，且另一四極矩與X及 Y成45°對準。十二個板用於一六極矩(如在圖3B中所展示)，且十六個板用於一八極矩。因此，在一些實施例中，分段電極220可具有4、8、12、16個電極板222。應注意，在一些實施例中，可製作之極的數目由微影術限制。電極板222彼此電隔離，使得電壓可獨立地施加至板之各者。施加至板222之電壓可透過程式碼125由射束驅動器136單獨控制用於電子束校正。鄰近電極板之間的間隙足夠大以阻止電場崩潰保證安全。舉例而言，間隙係1微米等級。
應注意，除SEM系統外，許多其他帶電粒子系統亦可使用根據本發明之場發射裝置。系統之實例可包含場發射體顯示器、用於加速或自由電子雷射之陣列電子源、用於小型宇宙飛船應用之帶電粒子推進器陣列、或利用場發射體陣列之其他應用。
根據本發明之分段電極可獨立於發射裝置製造或可透過諸如奈米製造/MEMS之技術製成發射裝置之一積體部分。圖4係展示含有多個場發射體裝置401之一發射體陣列裝置400之一截面圖，各場發射體裝置401具有圍繞根據本發明之一態樣之發射體元件450之一積體多極電極板440。在所繪示之實例中，發射體陣列裝置400包含一基板410。在一實施方案中，基板410可由輕摻雜矽製成。多個障壁島420形成於基板410之頂部上。觸媒結構430形成於障壁島420上。在場發射裝置中，通常提供一障壁層以阻止材料自基板410擴散至觸媒結構430中。在一實施方案中，障壁島可由氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、銦錫氧化物(ITO)、或二氧化矽(SiO2)製成。障壁島420可藉由一障壁層之毯覆式沈積及隨後之一蝕刻程序形成。障壁島420可形成於裝置特徵(即，場發射體)之位置上。
在將碳奈米管或其他奈米結構用作場發射體之一實例中，一金屬層被用作一觸媒用於在其頂部生長奈米管。觸媒結構430可由形成於障壁島420頂部上之一圖案化金屬層形成。舉例而言且非限制而 言，用以形成觸媒結構430之金屬層可由鎳(Ni)、鉻(Cr)、用於奈米管之鐵(Fe)或用於其他奈米結構之金(Au)製成。在一實例中，可藉由一微影程序由一金屬層形成觸媒結構430，該微影程序涉及圖案化及選擇性蝕刻形成在障壁島420上之一氧化物層，接著係金屬沈積及化學機械拋光(CMP)。呈奈米管形式之發射體元件450隨後可生長在觸媒結構430上。鄰近之發射體通常分隔開超過100微米之一距離，例如在大約100微米與大約1毫米(1000微米)之間。
多個電極板440圍繞各障壁島420且在基板上形成。舉例而言且非限制而言，電極板440可由一金屬(諸如鋁或銅或其他導電材料，諸如經摻雜多晶矽)製成。電極板440可使用在半導體積體電路裝置製造中使用之習知微影技術製造。此等技術可涉及金屬之毯覆式沈積，其後係金屬之圖案化蝕刻或圖案化沈積。獨立電壓可施加至電極板440，例如透過導電通孔442，該等導電通孔442經形成穿過基板410且藉由絕緣材料444與基板隔離且彼此隔離。
在某些實施方案中，上述場發射裝置包含圍繞尖端式/針式發射體之一分段電極。該分段電極藉由程式化電極電壓以在所要方向上產生校正射束路徑之一偶極場，而允許快速或靜態引導發射體之任一射束指向或位置變動校正。另外，其可藉由施加電壓至分段電極從而產生所要四極場以進行消像散校正，而提供對於發射射束橢圓度之任一波動的快速或靜態校正。此外，其可允許快速或靜態之更高階校正。例如，若電極結構係一十二極，則其可允許一可程式化六極場用於電子柱中未來更高階之光學像差校正。
圍繞發射體元件之分段電極允許對發射體擾動作出更大程度之補償及在調諧電子束時進行更大量之解耦。習知裝置需要顯著調諧槍下游之射束光學元件以校正槍內之擾動。由於分段電極圍繞發射體元件，所以藉由將合適之電壓組合施加至組成此電極之板(需少許或無 需進一步下游校正)可將發射體上之擾動調出。另外，因為分段電極經放置接近發射體之尖端，所以需要更小之電壓用於校正。根據本發明之裝置亦允許恰在發射平面上實施射束消隱。
儘管上文包含本發明之較佳實施例的一完整描述，然可使用各種替代物、修改物或等效物。因此，本發明之範疇不應參考上文描述判定，而是應參考隨附申請專利範圍及其等效物的全部範疇判定。任一特徵(無論較佳與否)可組合任一其他特徵(無論較佳與否)。
隨附申請專利範圍不應被解釋為包括構件附加功能限制，除非使用片語「用於……之構件」在一給定請求項中明確陳述此一限制。如35 U.S.C.§ 112(f)中所規定，在未明確敘述「用於執行一指定功能的構件」之一請求項中的任一元件不應被解釋為一「構件」或一「步驟」子句。特定言之，在本文申請專利範圍中使用「……之步驟」並非旨在調用35 U.S.C.§ 112(f)之規定。

Claims (24)

  1. 一種場發射裝置，其包括：一或多個發射體元件，其形成於一基板上，各發射體元件具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面；及一或多個分段電極，其形成於該基板上，各分段電極圍繞該一或多個發射體元件之一相應者，其中該一或多個分段電極之各者包含多個電極板，該多個電極板之一數量係待校正之多極矩(multipole moments)之一數量的兩倍，其中多個獨立電壓經由多個導電通孔而被施加至該多個電極板之各者，該等導電通孔經形成穿過該基板，且該等導電通孔藉由一絕緣材料而與該基板及與其他導電通孔隔離，且其中該一或多個分段電極經組態作為一引導元件(steering element)以提供射束引導控制(beam steering control)。
  2. 如請求項1之裝置，其中該一或多個分段電極經設置位於相應發射體之尖端後方。
  3. 如請求項1之裝置，其中該一或多個分段電極經設置接近相應發射體之尖端且在兩個發射體長度之一距離內。
  4. 如請求項1之裝置，其中該一或多個發射體之各者的一長度在大約100奈米與大約1毫米之間，且一截面尺寸在大約10奈米(nm)與大約1微米(μm)之間。
  5. 如請求項1之裝置，其中該一或多個發射體係奈米管。
  6. 如請求項1之裝置，其中該等電極板彼此電隔離。
  7. 如請求項1之裝置，其中該一或多個分段電極具有4、8、12或16個電極板。
  8. 如請求項1之裝置，其中該一或多個發射體元件之各者係形成於 該基板之一空腔中，且相對應之一或多個分段電極係形成於該基板之一頂部表面上。
  9. 一種製造一場發射裝置之方法，其包括：在一基板上形成一或多個發射體元件，其中該一或多個發射體元件之各者具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面；及在該基板上形成一或多個分段電極，各分段電極圍繞該一或多個發射體元件之一者，其中該一或多個分段電極之各者具有多個電極板，該多個電極板之一數量係待校正之多極矩之一數量的兩倍，其中多個獨立電壓經由多個導電通孔而被施加至該多個電極板，該等導電通孔經形成穿過該基板，且該等導電通孔藉由一絕緣材料而與該基板及與其他導電通孔隔離，且其中該一或多個分段電極經組態作為一引導元件以提供射束引導控制。
  10. 如請求項9之方法，其中於該一或多個發射體元件之尖端後方形成該一或多個分段電極。
  11. 如請求項9之方法，其中接近相應發射體之尖端且在兩個發射體長度之一距離內形成該一或多個分段電極。
  12. 如請求項9之方法，其中該一或多個發射體元件之各者係形成於該基板之一空腔中，且相對應之一或多個分段電極係形成於該基板之一頂部表面上。
  13. 如請求項9之方法，其進一步包括在介於該一或多個發射體元件與該基板之間的該一或多個發射體元件之位置處形成一障壁層。
  14. 一種帶電粒子束系統，其包括：一場發射裝置，其包括： 形成於一基板上之一或多個發射體元件，各發射體元件具有一高縱橫比結構，該結構具有一奈米級截面；及形成於該基板上之一或多個分段電極，各電極圍繞該一或多個發射體元件之一相應者，其中該一或多個分段電極之各者包含多個電極板，該多個電極板之一數量係待校正之多極矩之一數量的兩倍，其中多個獨立電壓經由多個導電通孔而被施加至該多個電極板，該等導電通孔經形成穿過該基板，且該等導電通孔藉由一絕緣材料而與該基板及與其他導電通孔隔離，且其中該一或多個分段電極經組態作為一引導元件以提供射束引導控制；及一電子光學柱，其經組態以將自該一或多個發射體元件射出之電子形成為一或多個電子束且使該一或多個電子束成像至一目標上。
  15. 如請求項14之系統，其中該一或多個分段電極經設置位於相應發射體之尖端後方，藉此該等相應發射體之該等尖端位於該一或多個分段電極與該等尖端下游之具該電子光學柱之一或多個電子光學元件之間。
  16. 如請求項14之系統，其進一步包括一次級粒子偵測器，該次級粒子偵測器經組態以偵測因該目標與該一或多個電子束之交互作用而產生之次級粒子，且產生對應於該次級粒子偵測器上之該等次級粒子之一通量的一信號。
  17. 如請求項16之系統，其進一步包括一影像產生器，該影像產生器經組態以自對應於該次級粒子偵測器上之該等次級粒子之該通量的該信號產生該目標的一或多個影像。
  18. 如請求項16之系統，其中該系統經組態以作為一掃描電子顯微鏡操作。
  19. 如請求項16之系統，其中系統經組態以跨樣本在一第一方向上結合該樣本在不同於該第一方向之一第二方向上的平移執行一初級電子束之一直線掃描。
  20. 如請求項19之系統，其進一步包括一影像產生器，該影像產生器經組態以結合該樣本在不同於該第一方向之一第二方向上的平移自該次級粒子偵測器所產生之該信號產生該樣本之一影像。
  21. 如請求項14之系統，其中該一或多個發射體元件係奈米管。
  22. 如請求項14之系統，其中該一或多個分段電極具有4、8、12或16個電極板。
  23. 如請求項14之系統，其中該一或多個分段電極具有四個或更多個電極板，其中該四個或更多個電極板之各電極板經組態使得分離電壓可獨立地施加至各電極板。
  24. 如請求項14之系統，其中該一或多個發射體元件之各者係形成於該基板之一空腔中，且相對應之一或多個分段電極係形成於該基板之一頂部表面上。
TW103131966A 2013-09-16 2014-09-16 具有整合式多極電極結構之電子發射體裝置 TWI620223B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361878545P 2013-09-16 2013-09-16
US61/878,545 2013-09-16
US14/485,588 US9793089B2 (en) 2013-09-16 2014-09-12 Electron emitter device with integrated multi-pole electrode structure
US14/485,588 2014-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201519273A TW201519273A (zh) 2015-05-16
TWI620223B true TWI620223B (zh) 2018-04-01

Family

ID=52666424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103131966A TWI620223B (zh) 2013-09-16 2014-09-16 具有整合式多極電極結構之電子發射體裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9793089B2 (zh)
EP (1) EP3047499A4 (zh)
JP (1) JP6608367B2 (zh)
TW (1) TWI620223B (zh)
WO (1) WO2015039101A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI819505B (zh) * 2021-03-01 2023-10-21 德商Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司 影響帶電粒子束的方法，多極裝置，及帶電粒子束設備

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102076380B1 (ko) * 2012-03-16 2020-02-11 나녹스 이미징 피엘씨 전자 방출 구조체를 갖는 장치
US9666407B2 (en) * 2015-02-25 2017-05-30 Industry-University Cooperation Foundation Sunmoon University Electrostatic quadrupole deflector for microcolumn
US9754759B2 (en) * 2015-11-20 2017-09-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device
US10378521B1 (en) 2016-05-16 2019-08-13 United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solid electrolyte-based microthrusters
RU2653505C1 (ru) * 2017-09-04 2018-05-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Ускоритель электронов на основе сегнетоэлектрического плазменного катода
WO2019118489A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-20 Applied Materials Israel Ltd. Charged particle beam source and a method for assembling a charged particle beam source
RU2705207C2 (ru) * 2018-03-23 2019-11-06 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Ускоритель электронов на основе сегнетоэлектрического плазменного катода

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050105690A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Stanley Pau Focusable and steerable micro-miniature x-ray apparatus
TW200823953A (en) * 2006-11-27 2008-06-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface-conduction electron emitter and electron source using the same
US20090166557A1 (en) * 2005-01-26 2009-07-02 Hiroshi Makino Charge control apparatus and measurement apparatus equipped with the charge control apparatus
US20100090579A1 (en) * 2007-03-01 2010-04-15 Josef Sellmair Device for the field emission of particles and production method
CN102201309A (zh) * 2010-03-25 2011-09-28 清华大学 场发射装置的制备方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5363021A (en) 1993-07-12 1994-11-08 Cornell Research Foundation, Inc. Massively parallel array cathode
JP3006425B2 (ja) 1994-09-09 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH09134665A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子ビーム装置
JPH09134695A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JPH09134664A (ja) 1995-11-10 1997-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界放射型電子源及びその製造方法
US6498349B1 (en) * 1997-02-05 2002-12-24 Ut-Battelle Electrostatically focused addressable field emission array chips (AFEA's) for high-speed massively parallel maskless digital E-beam direct write lithography and scanning electron microscopy
US5892231A (en) * 1997-02-05 1999-04-06 Lockheed Martin Energy Research Corporation Virtual mask digital electron beam lithography
KR20010080286A (ko) 1998-10-21 2001-08-22 추후제출 열전계 방출 정렬 방법 및 장치
ATE438922T1 (de) 2000-03-16 2009-08-15 Hitachi Ltd Vorrichtung zum erzeugen eines stromes von ladungsträgern
US6979947B2 (en) * 2002-07-09 2005-12-27 Si Diamond Technology, Inc. Nanotriode utilizing carbon nanotubes and fibers
US6940218B2 (en) 2002-08-09 2005-09-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Doped field-emitter
AU2003304297A1 (en) * 2002-08-23 2005-01-21 Sungho Jin Article comprising gated field emission structures with centralized nanowires and method for making the same
KR100932975B1 (ko) 2003-03-27 2009-12-21 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 그리드 플레이트를 구비한 전계 방출표시장치
US6720569B1 (en) 2003-05-13 2004-04-13 Motorola, Inc. Electro-optical device including a field emission array and photoconductive layer
JP2005057003A (ja) 2003-08-01 2005-03-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積回路装置
US20050056881A1 (en) 2003-09-15 2005-03-17 Yee-Chia Yeo Dummy pattern for silicide gate electrode
US6871439B1 (en) 2003-09-16 2005-03-29 Zyberwear, Inc. Target-actuated weapon
JP4317779B2 (ja) * 2004-03-26 2009-08-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電界放出型電子銃およびそれを用いた電子ビーム応用装置
CN1725416B (zh) * 2004-07-22 2012-12-19 清华大学 场发射显示装置及其制备方法
US7868850B2 (en) * 2004-10-06 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Field emitter array with split gates and method for operating the same
JP2007080704A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Mie Univ 電界放出型電子銃およびその電源電圧制御方法
KR100745734B1 (ko) 2005-12-13 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 탄소나노튜브의 형성방법 및 이를 이용한 전계방출소자의제조방법
JP2008078081A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Toshiba Corp 電界放出電子源及びその製造方法
US20090072409A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 International Business Machines Corporation Interconnect Structures Incorporating Air-Gap Spacers
JP4997076B2 (ja) * 2007-11-22 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置における画像生成方法
KR20100007387A (ko) 2008-07-14 2010-01-22 주식회사 동부하이텍 마스크 및 그 형성 방법
JP5246765B2 (ja) 2008-10-29 2013-07-24 国立大学法人 東京大学 カーボンナノチューブ形成方法
US9343463B2 (en) 2009-09-29 2016-05-17 Headway Technologies, Inc. Method of high density memory fabrication
JP5705610B2 (ja) 2010-08-05 2015-04-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8299544B2 (en) 2011-01-04 2012-10-30 International Business Machines Corporation Field effect transistor having ohmic body contact(s), an integrated circuit structure incorporating stacked field effect transistors with such ohmic body contacts and associated methods
US8618513B2 (en) 2011-05-23 2013-12-31 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for forming an electrical conduction path through an insulating layer
US9105744B2 (en) 2012-03-01 2015-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices having inactive fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof
US8513619B1 (en) 2012-05-10 2013-08-20 Kla-Tencor Corporation Non-planar extractor structure for electron source
US9513230B2 (en) 2012-12-14 2016-12-06 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for optical inspection, magnetic field and height mapping
US9053833B2 (en) 2013-02-27 2015-06-09 Kla-Tencor Technologies, Corporation DC high-voltage super-radiant free-electron based EUV source

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050105690A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Stanley Pau Focusable and steerable micro-miniature x-ray apparatus
US20090166557A1 (en) * 2005-01-26 2009-07-02 Hiroshi Makino Charge control apparatus and measurement apparatus equipped with the charge control apparatus
TW200823953A (en) * 2006-11-27 2008-06-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Surface-conduction electron emitter and electron source using the same
US20100090579A1 (en) * 2007-03-01 2010-04-15 Josef Sellmair Device for the field emission of particles and production method
CN102201309A (zh) * 2010-03-25 2011-09-28 清华大学 场发射装置的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI819505B (zh) * 2021-03-01 2023-10-21 德商Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司 影響帶電粒子束的方法，多極裝置，及帶電粒子束設備

Also Published As

Publication number Publication date
EP3047499A1 (en) 2016-07-27
TW201519273A (zh) 2015-05-16
US9793089B2 (en) 2017-10-17
EP3047499A4 (en) 2017-04-26
WO2015039101A1 (en) 2015-03-19
US20150076988A1 (en) 2015-03-19
JP6608367B2 (ja) 2019-11-20
JP2016531413A (ja) 2016-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI620223B (zh) 具有整合式多極電極結構之電子發射體裝置
US7109493B2 (en) Particle beam generator
US8785879B1 (en) Electron beam wafer inspection system and method of operation thereof
TWI262361B (en) Electron beam exposure apparatus, exposure method of using electron beam, control method of electron beam, and manufacturing method of semiconductor device
JP2010519698A (ja) 高スループットｓｅｍツール
US8895922B2 (en) Electron beam apparatus
US8314404B2 (en) Distributed ion source acceleration column
JP2008519423A (ja) 一体化されたサブナノメートルスケール電子ビームシステム
JP2020013790A (ja) 高性能検査走査電子顕微鏡装置およびその動作方法
JP2021048114A (ja) 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の２次電子検出方法
KR101405357B1 (ko) 콤팩트 초소형 전자 광학 컬럼
US9245709B1 (en) Charged particle beam specimen inspection system and method for operation thereof
JP2003513407A (ja) 改良された熱電界放出の整列
US9418819B2 (en) Asymmetrical detector design and methodology
US20220108862A1 (en) Electron source with magnetic suppressor electrode
KR101818079B1 (ko) 정렬이 용이한 나노구조팁을 구비한 초소형전자칼럼
CN115398591A (zh) 用于3d装置的检验及检视的电子束系统
KR20160102587A (ko) 정렬이 용이한 나노구조팁을 구비한 초소형전자칼럼
JP2007141689A (ja) 荷電粒子ビーム照射装置