TWI619829B - 材料沉積裝置、真空沉積系統及沉積材料的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種用於在真空腔室中沉積蒸發材料於基板上的材料沉積裝置，包括用於提供欲被蒸發之材料的坩堝、與坩堝具有流體之交流的線性分配管、以及分配管中用於將蒸發材料導引至真空腔室中之數個噴嘴。各噴嘴可具有接收蒸發材料之噴嘴入口、將蒸發材料釋放至真空腔室的噴嘴出口、以及噴嘴入口與噴嘴出口之間的噴嘴通道。至少一個噴嘴的噴嘴通道包括具有第一區段長度和第一區段尺寸的第一區段、以及具有第二區段長度和第二區段尺寸的第二區段。第二區段尺寸和第一區段尺寸的比率介於2和10之間。

Description

材料沉積裝置、真空沉積系統及沉積材料的方法
實施例是有關於一種材料沉積裝置、一種真空沉積系統及一種沉積材料於基板上之方法。實施例特別是有關於一種包括真空腔室之材料沉積裝置，以及在真空腔室中沉積材料於基板上之方法。
有機蒸發器是用於有機發光二極體(organic light-emitting diode,OLED)的生產的工具。OLED是發光二極體的一種特殊類型，其中發射光層包括某些有機化合物的薄膜。有機發光二極體(OLED)用在電視螢幕、電腦顯示器、行動電話、其他手持裝置等等的製造，以顯示資訊。OLED也能夠用於一般的空間照明。由於OLED畫素直接發出光且不需要背光源，OLED顯示器可達成的顏色、亮度及視角之範圍大於傳統LCD顯示器的顏色、亮度及視角之範圍。因此，OLED顯示器的耗能大幅低於 傳統LCD顯示器的耗能。此外，OLED能夠被製造至可撓性基板上的事實帶來了另外的應用。典型的OLED顯示器，舉例來說，可包含有機材料的層，其以形成具有可獨立供能的畫素的矩陣顯示器面板的方式，位於皆沉積在基板上的二個電極之間。OLED一般位在二個玻璃平板之間，並且玻璃平板的邊緣係被密封以將OLED封裝於其中。
在這類顯示器裝置的製造中遇到了很多挑戰。OLED顯示器或OLED照明之應用包括幾種有機材料之層疊(例如是在真空中被蒸發)。有機材料係透過陰影遮罩隨後(in a subsequent manner)沉積。為了高效率之OLED層疊之製造，需要以兩種或更多種的材料(例如是主發光體材料(host)及摻雜劑)共沉積或共蒸發以產生混合/摻雜的多個層。並且，須考量到相當敏感的有機材料之蒸發的多個製程條件。
對於沉積材料於基板上，係對材料加熱直到材料蒸發為止。管透過多個出口或噴嘴，將被蒸發的材料導引至基板。過去幾年中，沉積製程的精密度已有提升，例如能夠提供越來越小的畫素尺寸。在一些製程中，遮罩係當蒸發材料通過遮罩開孔時，用來定義畫素。然而，由於遮罩的遮蔽效應、蒸發材料的擴散等，使其難以進一步增加蒸發製程的精密度與可預測性。
鑒於上述，本文所描述的實施例之目標係提供一種材料沉積裝置、一種真空沉積系統及一種沉積材料於基板上之方法，以克服此領域中所遭遇到的至少一些問題。
有鑑於上述內容，提供根據本案獨立項之一種材料沉積裝置、一種真空沉積系統以及一種沉積材料於基板上之方法。
根據一實施例，提出一種用於在真空腔室中沉積蒸發材料於基板上之材料沉積裝置。材料沉積裝置可包括一坩堝以及一線性分配管，坩堝用於提供欲被蒸發之材料，線性分配管與坩堝具有流體之交流。材料沉積裝置更可包括在分配管中的數個噴嘴，用以將蒸發材料導引至真空腔室中。各個噴嘴可具有噴嘴入口、噴嘴出口以及噴嘴通道，噴嘴入口用於接收蒸發材料，噴嘴出口以用於將蒸發材料釋放至真空腔室，噴嘴通道位於噴嘴入口與噴嘴出口之間。根據本文所述實施例，數個噴嘴中的至少一者之噴嘴通道包括第一區段和第二區段，第一區段具有第一區段長度和第一區段尺寸，第二區段具有第二區段長度和第二區段尺寸。第二區段尺寸和第一區段尺寸之比率係介於2和10之間。
根據另外的實施例，係提出一種真空沉積系統。真空沉積系統包括真空沉積腔室以及在真空腔室中之根據本文所述實施例之材料沉積裝置。真空沉積系統更包括基板支撐件，用以在沉積期間支撐基板。
根據另外的實施例，係提出一種用於在真空沉積腔室中沉積材料於基板上的方法。方法包括在坩堝中蒸發欲被沉積 的材料，以及提供蒸發材料至與坩堝處於流體交流的線性分配管。分配管典型地處於第一壓力位準。方法更包括將蒸發材料通過線性分配管中的噴嘴導引至真空沉積腔室。真空沉積腔室可提供不同於第一壓力位準的第二壓力位準。將蒸發材料導引通過噴嘴的步驟包括將蒸發材料導引通過噴嘴的第一區段，以及將蒸發材料導引通過噴嘴的第二區段，第一區段具有第一區段長度和第一區段尺寸，第二區段具有第二區段長度和第二區段尺寸，其中第二區段尺寸和第一區段尺寸的比率係介於2和10之間。
實施例係針對用於實現所揭露之方法之設備，並包括用於執行各個所述之方法特徵的設備零件。此方法特徵可藉由硬體部件的方式、由合適軟體所編程之計算機、兩者之任何組合或任何其它方法所執行。另外，實施例也針對用於操作所述設備之方法。它包括用於實現設備所有功能的方法特徵。
100‧‧‧材料沉積裝置
102、102a、102b‧‧‧蒸發器
104‧‧‧坩堝
106、106a、106b‧‧‧分配管
110‧‧‧真空腔室
121‧‧‧基板
131‧‧‧遮罩框架
132‧‧‧遮罩
205、207‧‧‧閥門
209‧‧‧縱向方向
210‧‧‧真空腔室
300‧‧‧沉積系統
320‧‧‧軌道或線性導件
322、324、326‧‧‧壁
352、354、355‧‧‧箭頭
400、712‧‧‧噴嘴
401‧‧‧噴嘴入口
402‧‧‧噴嘴通道
403‧‧‧噴嘴出口
410‧‧‧第一區段
411‧‧‧第一區段尺寸
412‧‧‧第一區段長度
420‧‧‧第二區段
421‧‧‧第二區段尺寸
422‧‧‧第二區段長度
430‧‧‧第三區段
431‧‧‧第三區段尺寸
432‧‧‧第三區段長度
440‧‧‧邊緣區段
442‧‧‧邊緣區段長度
450‧‧‧過渡區段
452‧‧‧過渡區段尺寸
460‧‧‧軸線
500‧‧‧方法
510、520、530‧‧‧區塊
703‧‧‧凸緣單元
710‧‧‧內中空空間
715‧‧‧加熱單元
717‧‧‧熱屏蔽
725‧‧‧加熱單元
800、801‧‧‧曲線
為了能夠理解本發明上述特徵的細節，可參照實施例，得到對於簡單總括於上之本發明更詳細的敘述。所附之圖式是關於本發明的實施例，並敘述如下：第1A至1E圖根據本文所述實施例，繪示用於材料沉積裝置之噴嘴的實施例示意圖。
第2A圖根據本文所述實施例，繪示材料沉積裝置之材料分佈的圖表。
第2B圖繪示一已知系統的沉積裝置之材料分佈的圖表。
第3A至3C圖根據本文所述實施例，繪示一材料沉積裝置。
第4圖根據本文所述實施例，繪示一材料沉積裝置的側視示意圖。
第5圖根據本文所述實施例，繪示一真空沉積系統。
第6A及6B圖根據本文所述實施例，繪示一材料沉積裝置之分配管與噴嘴的示意圖。
第7圖根據本文所述實施例，繪示沉積材料於基板上之方法的流程圖。
現在將對於本發明的各種實施例進行詳細說明，本發明的一或多個例子係繪示於圖中。在以下對於圖式的敘述中，係使用相同的元件符號來指示相同的元件。一般來說，只會對於各個實施例的不同處進行敘述。各個例子的提供只是用以解釋本發明，而非欲用以限制本發明。另外，作為一個實施例的一部分而被繪示或敘述的特徵，可用於或結合其他實施例，以產生又一實施例。所述內容意欲包含這樣的調整及變化。
本文所使用之用語「流體交流」可理解為流體交流的兩元件能夠經由連接頭相互交換流體，其中連接頭能夠讓流體於兩元件間流動。在一範例中，流體交流的元件可包括一空心結構，流體可流過此空心結構。根據一些實施例，流體交流的至少一元件可為管狀元件。
另外，在下述內容中，材料沉積裝置或材料源裝置(在本文中，兩用語皆可同義地使用)可理解為提供欲被沉積於基板上之材料的裝置(或源)。特別地，材料沉積裝置可用於在真空腔室(例如真空沉積腔室或系統)中提供欲被沉積於基板上之材料。根據一些實施例，材料沉積裝置以蒸發欲被沉積之材料的配置，而可提供欲被沉積於基板上之材料。舉例來說，材料沉積裝置可包括一蒸發器或一坩堝，以及一分配管，蒸發器或坩堝係蒸發欲被沉積於基板上之材料，分配管特別是在朝向基板的方向上釋放所蒸發的材料，例如是透過一出口或一噴嘴。
根據本文所述的一些實施例，分配管可理解為用於導引與分配所蒸發之材料的管。特別地，分配管可從蒸發器將所蒸發之材料導引至分配管中的出口(例如是噴嘴或開孔)。線性分配管可理解為在一第一方向(尤其是縱向)延伸之管。在一些實施例中，線性分配管包括具有圓柱形狀的管，其中圓柱可具有圓形的底部形狀或任何其它適合的底部形狀。
本文所指之噴嘴可理解為用於導引流體的裝置，尤其是用於控制流體之方向或特性(例如從噴嘴流出之流體的流動速率、速度、形狀及/或壓力)的裝置。根據本文所述的一些實施例，噴嘴可為用於導引或導向蒸氣(例如是所蒸發之欲被沉積於基板上之材料的蒸氣)的裝置。噴嘴可具有用於接收流體的一入口、一通道(例如用於導引流體穿過噴嘴的一孔或開孔)，以及用於釋放流體的一出口。根據本文所述實施例，噴嘴之通道或開孔可包 括一限定的幾何形狀，以實現流過噴嘴之流體的方向或特性。根據一些實施例，噴嘴可為分配管的一部分，或可連接至提供蒸發材料的分配管，且可從分配管接收蒸發材料。
根據本文所述實施例，係提供用於在真空腔室中沉積蒸發材料於基板上的材料沉積設備。材料沉積設備可包括用於提供欲被蒸發之材料的坩堝，以及與坩堝處於流體交流的線性分配管。在一範例中，坩堝可為用於蒸發有機材料(例如具有約100℃至約600℃之蒸發溫度的有機材料)的坩堝。另外，材料沉積設備包括分配管中的複數個噴嘴，用於將蒸發材料導引進真空腔室中。每個噴嘴可具有用於接收蒸發材料的噴嘴入口、用於將蒸發材料釋放至真空腔室的噴嘴出口、以及於噴嘴入口與噴嘴出口之間的噴嘴通道。根據本文所述實施例，數個噴嘴中的至少一噴嘴的噴嘴通道包括一第一區段及一第二區段，第一區段具有一第一長度和一第一尺寸，第二區段具有一第二長度和一第二尺寸。第二區段尺寸和第一區段尺寸的比率通常介於2和10之間，更典型地介於3和8之間，甚至更為典型地介於3和7之間。在一範例中，第二尺寸和第一尺寸的比率可為4。
第1A至1E圖根據本文所述實施例，繪示噴嘴的範例，其可使用於材料沉積裝置中。噴嘴400的所有範例顯示一噴嘴入口401、一噴嘴出口403以及位於噴嘴入口401與噴嘴出口403之間的一噴嘴通道402。根據一些實施例，來自於坩堝的蒸發材料係在分配管中被導引並通過噴嘴入口進入噴嘴。蒸發材料 接著通過噴嘴通道402，並從噴嘴出口403離開噴嘴。蒸發材料的流動方向可描述為從噴嘴入口401流動至噴嘴出口403。
第1A圖繪示具有一第一區段410與一第二區段420的噴嘴400。噴嘴400的第一區段410提供一第一區段尺寸411和一第一區段長度412。噴嘴400的第二區段420提供一第二區段尺寸421和一第二區段長度422。根據本文所述實施例，第二區段尺寸通常可比第一區段尺寸大2至10倍之間，更典型地是比第一區段尺寸大2至8倍之間，甚至更為典型地是比第一區段尺寸大3至7倍之間。在一範例中，第二區段尺寸可比第一區段尺寸大4倍。
根據本文所述的一些實施例，噴嘴的區段尺寸可理解為噴嘴通道(或開孔)之一區段的尺寸。在一實施例中，區段尺寸可理解為區段的一維度，其並非為區段長度。根據一些實施例，區段尺寸可為噴嘴區段之截面的最小維度。舉例來說，圓形噴嘴區段可具有一尺寸，該尺寸為區段直徑。根據本文所述的一些實施例，噴嘴之區段的區段長度可理解為沿著噴嘴長度方向、或是沿著噴嘴中蒸發材料的主要流動方向之區段的維度。
在一些可與本文所述其它實施例結合的實施例中，噴嘴之第一區段可包括噴嘴入口。在一些可與本文所述其它實施例結合的實施例中，噴嘴之第二區段可包括噴嘴出口。根據一些實施例，第一區段之尺寸通常可介於1.5毫米與約8毫米之間，更典型地介於約2毫米與約6毫米之間，甚至更典型地介於約2 毫米與約4毫米之間。根據一些實施例，第二區段之尺寸通常可介於3毫米與約20毫米之間，更典型地介於約4毫米與約15毫米之間，甚至更典型地介於約4毫米與約10毫米之間。根據一些可與本文所述其它實施例結合的實施例，本文所述之噴嘴區段的長度通常可介於2毫米與約20毫米之間，更典型地介於約2毫米與約15毫米之間，甚至更典型地介於約2毫米與約10毫米之間。在一些範例中，噴嘴區段中的一個的長度可為約5毫米至約10毫米。
根據一些實施例，於根據本文所述實施例的材料沉積系統中使用的噴嘴內的質量流量(mass flow)通常可少於1sccm，更典型地僅為1sccm部分的量，甚至更典型地為低於0.5sccm。在一範例中，於根據本文所述實施例的噴嘴中的質量流量可少於0.1sccm，例如是0.05或0.03sccm。在一些實施例中，分配管中的壓力以及噴嘴中至少部分的壓力通常可介於約10-2毫巴(mbar)與10-5mbar之間，且更典型地介於約10-2mbar與10-3mbar之間。本領域之通常知識者將理解根據本文所述實施例之噴嘴中的壓力可取決於噴嘴內的位置，且尤其可介於分配管中的上述壓力與存在於真空腔室(根據本文所述實施例的材料沉積裝置可位於此真空腔室中)中的壓力之間。典型地，在真空腔室(根據本文所述實施例之材料沉積裝置可位於此真空腔室)中的壓力可介於10-5mbar及約10-8mbar之間，更典型地介於10-5mbar及10-7mbar之間，且甚至更為典型地介於約10-6mbar及約10-7mbar之間。 根據一些實施例，真空腔室中的壓力可被認為是真空腔室內之蒸發材料的分壓或總壓中的一者(當只有蒸發材料作為在真空腔室中沉積之元件而存在的情況下，分壓和總壓大致上可以是相同的)。在一些實施例中，真空腔室中的總壓可為約10-4mbar至約10-7mbar之間的範圍，尤其是當除了蒸發材料之外的第二元件存在於真空腔室中的情況下(例如是氣體或類似物)。
根據一些實施例，第一區段可配置成比第二區段具有較小尺寸，或是配置成與分配管之直徑相比時具有較小的尺寸，以增加從分配管導入噴嘴之蒸發材料的均勻度。根據一些實施例，分配管的直徑可典型地介於約70毫米及約120毫米之間，更典型地介於約80毫米及約120毫米之間，甚至更典型地介於約90毫米及約100毫米之間。在一些實施例中(例如是分配管具有如下詳細說明的實質上為三角形之類似形狀的情況)，上述之直徑的數值可指分配管的液壓直徑。根據一些實施例，比較窄的第一區段可迫使蒸發材料的粒子以更為均勻的方式排列。使第一區段中的蒸發材料更為均勻可例如包括使蒸發材料的密度、單一粒子的速度及/或蒸發材料的壓力更為均勻。本領域之通常知識者可理解，在根據本文所述實施例之材料沉積裝置中，例如是用於蒸發有機材料之材料沉積裝置，在分配管與噴嘴(或噴嘴的一部分)中流動的蒸發材料可視為克努森流(Knudsen flow)。尤其，鑒於分配管和噴嘴中的氣流和壓力條件的上述例子，蒸發材料可視為一克努森流。根據本文所述之一些實施例，噴嘴之一部份(例如靠近或鄰近 噴嘴出口的一部分)中的氣流可為一分子流。舉例來說，根據本文所述實施例之噴嘴的第二區段可提供克努森流和分子流之間的過渡區域。在一例子中，在真空腔室內但在噴嘴外的氣流可為一分子流。根據一些實施例，在分配管中的氣流可視為一黏滯流或一克努森流。在一些實施例中，噴嘴可被描述為提供從克努森流或黏滯流轉換至分子流的一過渡區域。
根據本文所述之實施例，第二區段(典型為鄰近第一區段排列)可配置用於增加蒸發材料的方向性。舉例來說，從第一區段流動至第二區段的蒸發材料將在離開第一區段時擴散，其中第一區段比第二區段具有較小的尺寸。然而，第二區段可捕獲從第一區段擴散的蒸發材料，並可指引蒸發材料朝向基板。當從根據本文所述實施例之材料沉積裝置之蒸發材料的煙流(plume)和已知系統之蒸發材料的煙流相比時，煙流係更準確地被導向基板、或導向一遮罩(例如一畫素遮罩)，參照以下第2A及2B圖將有更詳細的說明。
根據本文所述實施例之材料沉積裝置能夠使蒸發材料形成之煙流更為準確地從噴嘴釋放。尤其，第一區段中蒸發材料之粒子的擴散係被噴嘴之第二區段捕捉與導向。此外，根據本文所述的一些實施例，噴嘴的不同區段提供材料沉積裝置的分配管與真空沉積腔室中不同壓力位準之間的一相對平緩與逐步的過渡，其中材料沉積裝置可放置在真空沉積腔室中。平緩的壓力過渡能夠以改進的方式控制蒸發材料的流動。
參照第2A及2B圖，可看出根據本文所述實施例之材料沉積裝置之噴嘴之效果，並可與一已知的材料沉積系統相比較。在第2A圖中，顯示從根據本文所述實施例之材料沉積裝置釋放之蒸發材料之測試數據分布。曲線800顯示從上述具有一第一區段和一第二區段之噴嘴釋放之一蒸發材料的實驗結果。第2A圖的範例顯示蒸發材料的分佈大致上呈現一類似cos10的形狀。根據一些實施例，材料沉積裝置的材料分佈可具有大致對應於一類似cos12的形狀或甚至類似cos14的形狀。詳細地說，從根據本文所述實施例之材料沉積裝置之噴嘴釋放的蒸發材料之分佈僅針對上部部分可對應於上述名為cos-形狀。舉例來說，所示的曲線並沒有如同餘弦曲線跨越零位線。此曲線可描述為下述的克勞辛(Clausing)公式。如第2B圖中所示，與一已知的材料沉積裝置之間的比較顯示傳統的材料沉積裝置之分佈係對應於一cos1形狀，如曲線801所示。根據一些實施例，已知的沉積系統之噴嘴的曲線也可呈現類似cos5或類似cos6的形狀。由根據本文所述實施例之材料沉積裝置產生的曲線800與已知系統之曲線801之間的差異實質上在於蒸發材料之煙流的寬度以及煙流中之蒸發材料的濃度分佈。舉例來說，假如遮罩是用於沉積材料於一基板上，例如是在一OLED生產系統中，遮罩可為一畫素遮罩，其具有尺寸為約50微米×50微米、或甚至50微米×50微米以下的開孔，例如具有截面維度(例如一截面的最小維度)為約30微米或30微米以下、或約20微米的畫素開孔。在一範例中，畫素遮罩可具有 約40微米的厚度。考慮到遮罩的厚度和畫素開孔的尺寸，可能產生遮蔽效應，即遮罩中之畫素開孔的壁面遮蔽畫素開孔。根據本文所述實施例之材料沉積裝置可有利於減少遮蔽效應。
根據本文所述實施例之材料沉積裝置的氣流模擬顯示本文所述之噴嘴設計係能夠在一基板上正/負30度(或正/負20度)的一小區域上(材料(氣)流的方向上從噴嘴往基板看過去)集中材料沉積。在例如是用於OLED製造之Alq3之沉積的特殊情況下，小區域可被視為在顯示器上形成高畫素密度(dpi)的一項因素。
高方向性可透過使用根據本文所述實施例之材料沉積裝置的蒸發來實現，高方向性進一步使蒸發材料產生改善的利用，因為事實上有更多的蒸發材料到達基板(且例如不是在基板之上或之下的區域)。
往回參照第1A至1C圖，可看出達成上述效果的不同實施例。第1A圖已在上述內容中詳細討論。第1B圖繪示一噴嘴400，其可用在根據本文所述實施例之材料沉積裝置中。噴嘴400包括一第一區段410和一第二區段420。在第1B圖所示的範例中，第一區段包括噴嘴入口401。所示的範例更顯示第二區段420，第二區段420包括噴嘴出口403。然而，此僅為一範例，而非限制噴嘴的設計。相較於具有第二區段尺寸421之第二區段420，第一區段410具有較小的第一區段尺寸411。在第1B圖所示的實施例中，第一區段長度412係大於第二區段長度422。在一替代的實施例中，如第1A圖中可見，第一區段長度412係小於第二 區段長度422。根據另外的範例，第一區段長度和第二區段長度可具有實質上相同、或相似的長度。
第1C圖繪示一噴嘴400，其可用在根據本文所述實施例之材料沉積裝置中。第1C圖之噴嘴400包括具有第一區段尺寸411和第一區段長度412的第一區段410、具有第二區段尺寸421和第二區段長度422的第二區段420、以及具有第三區段尺寸431和第三區段長度432的第三區段430。在第1C圖中所示的實施例中，第三區段尺寸431係大於第二區段尺寸421，且第二區段尺寸421係大於第一區段尺寸411。舉例來說，第三區段尺寸431和第二區段尺寸421之間的比率及/或第二區段尺寸和第一區段尺寸之間的比率可典型地介於約1.5至約10之間，更典型地介於約1.5和8之間，且甚至更典型地介於約2和6之間。
在第1C圖所示的實施例中，第三區段430包括噴嘴出口403。如第1C圖之範例中所示，第一區段410包括噴嘴入口401。根據一些實施例，噴嘴可包括另外的區段，例如是n個彼此相鄰排列的區段。典型地，n個區段中的每一個區段在從噴嘴入口到噴嘴出口的方向上可提供比前個區段更大的尺寸。在一範例中，n典型地大於2，更典型地大於3。
根據本文所述的一些實施例，靠近噴嘴出口設置的(多個)區段(或包括噴嘴出口之區段)相較靠近噴嘴入口設置的(多個)區段(或包括噴嘴入口之區段)，可具有更大的區段尺寸。舉例來說，在噴嘴之縱向方向中(如第1A圖中的軸線460所示，且為 了有更佳的概述，在接下來的圖中係省略)的噴嘴中心點可作為靠近噴嘴入口或靠近噴嘴出口設置之區段的參考。
第1D圖繪示一噴嘴400，其可用在根據本文所述實施例之材料沉積裝置中，且可與本文所述其它實施例結合。第1D圖中所示的噴嘴400之範例包括具有第一區段長度412的第一區段410、具有第二區段長度422的第二區段420、以及具有邊緣區段長度442的邊緣區段440。所有的區段可具有如第1A至1C圖所示之測定的區段尺寸。邊緣區段440可典型地位於噴嘴出口403。根據一些實施例，邊緣區段440順著邊緣區段長度442可具有不同的邊緣區段尺寸。舉例來說，邊緣區段尺寸在鄰近另一區段(例如第二區段420)之邊緣區段440的第一端可小於噴嘴出口403之邊緣區段的第二端。在第1D圖的剖視圖中，邊緣區段440提供錐形壁。在一實施例中，邊緣區段440的形狀可被描述為漏斗狀或帽狀。根據一些實施例，邊緣區段440的長度可等於或小於第一及/或第二區段的長度。在一範例中，邊緣區段的長度可典型地介於第一及/或第二區段長度的1/6和2/3之間。
本領域之通常知識者可理解，用於根據本文所述實施例之材料沉積裝置的其它噴嘴的實施例可裝設有如同第1D圖示例性的示出之邊緣區段。
第1E圖繪示可與本文所述其它實施例結合之一實施例。噴嘴400可用於根據本文所述實施例之材料沉積裝置中，包括第一區段410及第二區段420。第一區段及第二區段可以是 上述具有區段尺寸和區段長度的區段。第1E圖中所示的範例更包括一過渡區段450，其設置在第一區段410和第二區段420之間。過渡區段450典型地提供第一區段410與第二區段420之間的平滑過渡區域。當第1E圖之範例與第1A至1D圖中所示之範例相比時，可看出第1A至1D圖之範例顯示在不同區段之間具有階梯狀的過渡區。第1E圖之範例利用過渡區段450提供一坡度於不同區段之間。根據一些實施例，過渡區段尺寸452可為從第一區段尺寸至第二區段尺寸的範圍。在一些實施例中，過渡區段長度452可為對過渡區段任何合適的長度。舉例來說，過渡區段長度452可相似於第一及/或第二區段的區段長度，或可為第一及/或第二區段之長度的一小部分。在一範例中，過渡區段的長度可典型地介於第一及/或第二區段的1/6和4/6之間，更典型地介於第一及/或第二區段的1/6和1/2之間，且甚至更典型地介於第一及/或第二區段的1/3和1/2之間。本領域的通常知識者可理解，過渡區段可在本文所述之噴嘴的任何區段之間使用，且不限於第1E圖中所示的配置。
根據本文所述的一些實施例，噴嘴(特別是不同的噴嘴區段)可使距離噴嘴入口越遠處提供增加的導電值。舉例來說，每個區段可提供至少一導電值，其中導電值係越靠近噴嘴出口之區段處越大。作為一範例(但不限於特定的實施例)，第1A圖之第二區段420相較於第一區段410可具有較高的導電值，其中從噴嘴入口到噴嘴出口的方向上，第一區段是在第二區段前面。根據 一些實施例，每個區段使距離噴嘴出口越近之區段提供較低的壓力位準(從噴嘴入口到噴嘴出口的方向上看過去，與前一個區段相比)。根據一些實施例，導電值可以l/s為單位測量。在一範例中，低於1sccm之噴嘴內的氣流也可被描述為低於1/60mbar l/s。在一些實施例中，可選擇區段尺寸，以使距離噴嘴出口越近的每個區段提供增加的導電值。根據本文所述的一些實施例，一區段可提供典型大於或實質上相等於從噴嘴入口到噴嘴出口的方向上前一個區段的導電值。
根據一些實施例，噴嘴通道的形狀可為用於將蒸發材料導引通過噴嘴之任何合適的形狀。舉例來說，噴嘴通道的截面可具有實質上為圓形的形狀，但也可為橢圓形的形狀、或細長孔的形狀。在一些實施例中，噴嘴通道的截面可具有實質上為矩形、實質上為正方形、或甚實質上為三角形的形狀。
本文所使用的用語「實質上」可代表從「實質上」所表示的特性可能具有一定程度的偏差。典型地，維度為約15%的偏差或以「實質上」所表示之特性的形狀可以是可能的。舉例來說，用語「實質上為圓形」代表可與正圓形具有一定程度偏差的形狀，例如在一方向上一般延伸約1至15%或10%的偏差，假如合適的話。在一些實施例中，一數值可以「實質上」來描述。本領域之通常知識者可理解，以「實質上」來描述的數值可具有偏離命名值約1%至約10%或15%的偏差。
根據可與本文所述其它實施例結合的一些實施例， 噴嘴的第一區段和第二區段可在噴嘴當中一體成形。舉例來說，噴嘴可形成為包含第一區段和第二區段的單一元件。根據一些實施例，噴嘴並沒有提供用於提供第一區段和第二區段的額外部分。在一些實施例中，噴嘴可以由具有不同尺寸的孔(例如鑽孔)的單一件材料所製成。本領域的通常知識者可理解，即使在一些實施例中被描述為單一件噴嘴，噴嘴可提供於外表面及/或內表面上的一塗層，例如是對蒸發之有機材料具有化學惰性之材料的一塗層。
第3A至3C圖繪示根據本文所述實施例之一材料沉積裝置100。材料沉積裝置可包括一分配管106及作為如第3A圖所示之蒸發器之一蒸發坩堝104。分配管106可與坩堝具有流體交流，以分散坩堝104所提供的蒸發材料。分配管可例如是具有加熱單元715的延長管。蒸發坩堝可以是具有加熱單元725之欲蒸發的有機材料的貯庫(reservoir)。根據可與本文所述之其它實施例結合的典型實施例，分配管106提供線源。根據本文所述的一些實施例，材料沉積裝置100更包括複數個噴嘴712，用以使蒸發之材料朝向基板釋放，例如是沿著至少一線排列之噴嘴。根據一些實施例，用於第3A至3C圖之材料沉積裝置之噴嘴712可為第1A至1E圖所述之噴嘴。
根據可與本文所述其它實施例結合之一些實施例，分配管之噴嘴可適於使蒸發材料沿不同於分配管的長度方向之方向釋放，例如是實質上垂直於分配管之長度方向的方向。根據 一些實施例，噴嘴係被配置為具有水平±20°的主要蒸發方向。根據一些特定實施例，蒸發方向可輕微地向上定向，例如是從水平朝上15度的範圍內，比如朝上3至7度。因此，基板可稍微傾斜，以實質上垂直於蒸發方向。可降低不需要的顆粒(particle)的產生。然而，噴嘴和根據本文所述實施例之材料沉積裝置也可使用在真空沉積系統中，真空沉積系統係配置來沉積材料在一水平定向的基板上。
在一範例中，分配管106的長度至少對應於沉積系統中欲被沉積的基板的高度。在許多情況中，分配管106的長度將比欲被沉積之基板的高度長至少10%或甚至20%。可提供基板上端及/或基板下端均勻的沉積。
根據可與本文所述其它實施例結合的一些實施例，分配管的長度可為1.3公尺或大於1.3公尺，例如是2.5公尺或大於2.5公尺。根據一個配置，如第3A圖所示，蒸發坩堝104係提供在分配管106的下端。有機材料係在蒸發坩堝104中蒸發。有機材料的蒸氣在分配管之底部進入分配管106，且透過分配管中的複數個噴嘴被實質上地側向引導，例如是朝向實質上為垂直的基板。
第3B圖繪示材料沉積裝置之一部分的放大示意圖，其中分配管106係連接於蒸發坩堝104。凸緣單元703係配置以提供蒸發坩堝104及分配管106之間的連接。例如，蒸發坩堝及分配管係提供作為分開的單元，此兩單元可被分開且連接或者在 凸緣單元組裝，例如是用於材料沉積裝置之操作。
分配管106具有一內中空空間710。加熱單元715可被提供以加熱分配管。因此，分配管106可被加熱至一溫度，使得蒸發坩堝104所提供的有機材料之蒸氣不會凝結於分配管106之壁(wall)的內部部分。舉例來說，分配管可保持在一溫度，典型地為約1℃至約20℃，更典型地為約5℃至約20℃，且甚至更典型地為約10℃至約15℃高於待沉積於基板上之材料的蒸發溫度的溫度。兩個或多個熱屏蔽717係提供於分配管106之管的周圍。
在操作期間，分配管106可於凸緣單元703連接於蒸發坩堝104。蒸發坩堝104係配置為用以接收欲蒸發的有機材料，並用以蒸發有機材料。根據一些實施例，欲蒸發的材料可包括ITO、NPD、Alq3、喹吖酮(Quinacridone)、Mg/AG、星爆(starburst)材料及其類似物中之至少一者。
如本文所述，分配管可以是中空圓柱。因此，「圓柱」之用語可理解為具有圓形底部的形狀、圓形上部的形狀、及曲狀表面區域或連接於上部圓形及小的下部圓形的殼層。根據可與本文所述之其它實施例結合的又一另外的或替代性的實施例，「圓柱」之用語可更被理解為數學上的斷定，例如具有任意底部形狀、相同的上部形狀、及曲狀表面區域或連接於上部形狀及下部形狀的殼層。因此，「圓柱」並不一定需要具有圓形剖面。反而，基面及上部表面可以是具有不同於圓形的形狀。
第4圖繪示根據本文所述實施例之材料沉積裝置100。材料沉積裝置包括兩個蒸發器102a及102b，以及與蒸發器102a及102b處於流體交流的兩個分配管106a及106b。材料沉積裝置更包括在分配管106a及106b中的噴嘴712。噴嘴712可為上述第1A至1E圖之噴嘴。第一分配管之噴嘴712具有一縱向方向209，縱向方向209可對應於第1A圖中示例性所示之噴嘴400的軸線460。根據一些實施例，噴嘴712彼此間可具有一距離。在一些實施例中，噴嘴712之間的距離可依照各噴嘴間之縱向方向209之間的距離來測量。根據可與本文所述其它實施例結合的一些實施例，噴嘴之間的距離可典型地介於約10毫米與約50毫米之間，更典型地介於約10毫米與約40毫米之間，且甚至更典型地介於約10毫米與約30毫米之間。根據本文所述的一些實施例，噴嘴之間的上述距離對於有機材料透過畫素遮罩(例如具有開孔尺寸為50微米×50微米之遮罩，或甚至50微米×50微米以下之遮罩，例如具有截面維度(例如截面的最小維度)為約30微米或30微米以下、或約20微米之畫素開孔)之沉積係有幫助的。在一些實施例中，噴嘴的第二區段尺寸可按照噴嘴之間的距離來作選擇。舉例來說，假如噴嘴之間的距離為20毫米，噴嘴之第二區段尺寸(或包括噴嘴出口之區段的區段尺寸、或具有在噴嘴中之區段之最大尺寸的區段)可高達15毫米、或15毫米以下。根據一些實施例，噴嘴之間的距離可用於決定第二區段尺寸與第一區段尺寸之比率。
根據一些實施例，係提供一真空沉積系統。真空沉積系統包括一真空腔室和如以上示例性描述之實施例中之一材料沉積裝置。真空沉積系統更包括用於在沉積期間支撐基板之一基板支撐件。後續內容中，係描述根據本文所述實施例之真空沉積系統的範例。
第5圖繪示一真空沉積系統300，根據本文所述實施例之材料沉積裝置與噴嘴可於真空沉積系統300中使用。沉積系統300包括在真空腔室110之一位置中的材料沉積裝置100。根據可與本文所述其它實施例結合的一些實施例，材料沉積裝置係配置為可平移運動(translational movement)及圍繞一軸線旋轉。材料沉積裝置100具有一個或多個蒸發坩堝104以及一個或多個分配管106。第5圖中繪示兩個蒸發坩堝以及兩個分配管。兩個基板121係提供於真空腔室110之中。典型地，用於屏蔽基板上之層沉積之一遮罩132可提供於基板與材料沉積裝置100之間。有機材料係由分配管106蒸發。根據一些實施例，材料沉積裝置可包括如第1A至1E圖中所示的噴嘴。在一範例中，分配管中的壓力可介於約10-2mbar至約10-5mbar之間，或介於約10-2至約10-3mbar之間。根據一些實施例，真空腔室可提供約10-5至約10-7mbar的壓力。
根據本文所述之實施例，係在一實質上垂直之位置以有機材料塗佈基板。第5圖所示之視圖是包括材料沉積裝置100之系統的上視圖。典型地，分配管係一蒸氣分配噴頭，特別是一 線性的蒸氣分配噴頭。分配管提供實質上垂直延伸的線源(line source)。根據可與本文所述之其它實施例結合的實施例，實質上垂直被理解為特別是當表示基板之方向時，允許由垂直方向之20°或20°以下的偏差，例如是10°或10°以下。此偏差可能例如是因為基板支撐件與垂直方向具有一些偏差(可產生更穩定之基板位置)所造成。然在有機材料沉積的期間，基板之方向係視為實質上垂直，不同於水平的基板方向。基板的表面典型地係藉由對應一基板維度之方向延伸的線源以及沿著對應於另一基板維度之另一方向的平移運動進行塗佈。根據其它實施例，沉積系統可為用於沉積材料於實質上水平定向之基板上的沉積系統。舉例來說，在沉積系統中的基板之塗佈可在向上或向下的方向上進行。
第5圖繪示用於在一真空腔室110中沉積有機材料的沉積系統300之實施例。材料沉積裝置100在真空腔室110內係可移動的，例如是旋轉或平移運動。第5圖之範例中所示的材料源係佈置在軌道上，例如是一環形軌道或線性導件320。軌道或線性導件320係配置為用於材料沉積裝置100的平移運動。根據可與本文所述其它實施例結合之不同實施例，可以在真空腔室110內的材料沉積裝置100中、或是其之組合提供用於平移或旋轉運動的驅動裝置。第5圖顯示閥門205(例如是閘閥)。閥門205可具有對於鄰近的真空腔室之真空密封件(未繪示於第5圖中)。閥門可在運送基板121或遮罩132進入或移出真空腔室110之時開啟。
根據可與本文所述之其它實施例結合之一些實施例，另外的真空腔室(例如是維護真空腔室210)係提供於鄰近真空腔室110之處。典型地，真空腔室110與維護真空腔室210係與閥門207連接。閥門207係配置為在真空腔室110及維護真空腔室210之間用於開啟及關閉真空密封件。當閥門207係在開啟狀態時，材料沉積裝置100可被運送至維護真空腔室210。此後，閥門可關閉以提供真空密封件於真空腔室110及維護真空腔室210之間。若閥門207係關閉，維護真空腔室210可排氣且在不會破壞真空腔室110之真空的情況下開啟以維護材料沉積裝置100。
兩個基板121係在真空腔室110內於各自的運送軌道上被支撐，如第5圖所示的實施例。並提供兩個軌道，以提供遮罩132於兩個軌道上。基板121之塗佈可藉由各自的遮罩132受到屏蔽。根據典型的實施例，遮罩132(亦即是對應於第一基板121的第一遮罩132以及對應於第二基板121的第二遮罩132)係提供於遮罩框架131中，以支承遮罩132於預定的位置中。
所述之材料沉積裝置可在各種應用中使用，包括用於OLED裝置製造之應用，OLED裝置製造包括處理步驟，其中兩種或大於兩種的有機材料係同時被蒸發。因此，如第5圖所示之範例，兩個分配管及對應的蒸發坩堝可以提供於彼此鄰近之處。
雖然第5圖中所示的實施例提供具有可移動源的沉積系統，本領域之通常知識者可理解上述實施例也可應用在基板 處理期間基板在其中移動的沉積系統中。舉例來說，待塗佈之基板可沿著靜止的材料沉積裝置而被導引和驅動。
本文所述之實施例特別有關於有機材料之沉積，例如是用於在大面積基板上之OLED顯示器製造。根據一些實施例，大面積之基板或支撐一個或多個基板的載體可具有至少0.174平方公尺(m2)的尺寸。舉例來說，沉積系統可適於處理大面積之基板，例如是對應於約1.4m2之基板(1.1公尺(m)×1.3m)的第5代、對應於約4.29m2之基板(1.95m×2.2m)的第7.5代、對應於約5.7m2之基板(2.2m×2.5m)的第8.5代、或甚至是對應於約8.7m2之基板(2.85m×3.05m)的第10代。甚至可類似地實現更高代(例如是第11代及第12代)及對應的基板面積。根據可與本文所述之其它實施例結合的典型實施例，基板的厚度可以是0.1至1.8mm，且基板的支承配置可適於此基板厚度。然而，特別是基板的厚度可以為約0.9mm或小於0.9mm(例如是0.5mm或0.3mm)，且支承配置係適於此基板厚度。典型地，基板可由適用於材料沉積之任何的材料所製成。例如，基板可由選自於玻璃(例如是鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃等等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纖維材料或任何其它材料或可藉由沉積製程所塗佈的材料之組合所組成之群組的一材料所製成。
根據可與本文所述其它實施例結合的一些實施例，根據本文所述實施例之材料沉積裝置的分配管可具有一實質上三角形的截面。第6A圖繪示分配管106的剖面之範例。分配管 106具有環繞內中空空間710的壁322、326及324。壁322係提供於具有噴嘴712之材料源之出口側。分配管之截面可描述為實質上三角形，亦即是對應於一部分三角形之分配管之主要部分，且/或分配管截面可以是圓角(rounded corner)及/或截角(cut-off corner)的三角形。如第6A圖所示，例如位於出口側之三角形的角是截角。
分配管之出口側的寬度(例如是第6A圖所示之截面圖中的壁322的尺寸)係以箭頭352所表示。並且，其它分配管106之截面的尺寸以箭頭354及355所表示。根據本文所述之實施例，分配管之出口側的寬度係截面的最大尺寸的30%或小於30%，例如是較大尺寸的箭頭354及355所示之尺寸的30%。鑑於分配管的尺寸和形狀，鄰近分配管106的噴嘴712可以一較小的距離提供。此較小的距離改善彼此相鄰以蒸發的有機材料的混合。
第6B圖繪示提供有兩個互相靠近的分配管的實施例。因此，如第6B圖所示之具有兩分配管配置的材料沉積裝置可蒸發兩種彼此互相靠近的有機材料。如第6B圖所示，分配管106的截面形狀能夠將相鄰的分配管的噴嘴設置為互相靠近。根據可與本文所述之其它實施例結合的一些實施例，第一分配管之第一噴嘴以及第二分配管之第二噴嘴可具有30mm或小於30mm的距離(例如是由5mm至25mm)。更確切地說，第一出口或噴嘴至第二出口或噴嘴的距離可以是10mm或小於10mm。
根據一些實施例，可提供用於沉積材料於基板上的方法。流程圖繪示根據本文所述實施例之方法500。方法500中，材料可於真空沉積腔室中沉積在基板上。根據一些實施例，真空沉積腔室可為上述實施例所述之真空沉積腔室(例如第5圖)。在區塊510中，方法500包括在一坩堝中蒸發欲被沉積的材料。舉例來說，欲被沉積的材料可為用於形成OLED裝置的有機材料。坩堝可依照材料之蒸發溫度來加熱。在一些範例中，材料係加熱高達600℃，例如是加熱高達約100℃與600℃之間的一溫度。根據一些實施例，坩堝係與分配管處於流體交流。在區塊520中，蒸發材料係提供至與坩堝處於流體交流的線性分配管。典型地，分配管係處於第一壓力位準。在一範例中，第一壓力位準典型地介於約10-2mbar至10-5mbar之間，更典型地介於約10-2mbar與10-3mbar之間。
在一些實施例中，材料沉積裝置係配置為僅使用真空中蒸發材料的蒸汽壓來移動蒸發材料，亦即蒸發材料係僅藉由蒸汽壓(例如藉由材料蒸發所產生的壓力)而驅動至分配管(及/或通過分配管)。舉例來說，沒有使用其它的工具(例如是風扇、幫浦或其類似物)來使蒸發材料驅動至分配管並通過分配管。分配管典型地包括數個出口或噴嘴，以使蒸發材料導引至於其中進行沉積的真空腔室、或在操作期間材料沉積裝置設置於其中的真空腔室。
根據一些實施例，區塊530中的方法包括將蒸發材 料通過線性分配管中的噴嘴導引至提供第二壓力位準的真空沉積腔室。在一些實施例中，第二壓力位準可介於約10-5至10-7mbar之間。根據一些實施例，將蒸發材料導引通過噴嘴之步驟包括將蒸發材料導引通過具有第一區段長度和第一區段尺寸之噴嘴的第一區段，以及將蒸發材料導引通過具有第二區段長度和第二區段尺寸之噴嘴的第二區段，其中第二尺寸和第一尺寸的比率係介於2和10之間。在一範例中，第二尺寸和第一尺寸的比率約為4。根據一些實施例，噴嘴可為上述實施例中所述之噴嘴，例如是第1A至1E圖中所示之實施例。
根據一些實施例，方法可更包括影響噴嘴之第一區段中之蒸發材料的均勻度，以及影響由噴嘴之第二區段釋放至真空腔室之蒸發材料的方向性。區段尺寸的比率可有助於增加蒸發材料的均勻度以及蒸發材料的方向性。舉例來說，第一區段(蒸發材料率先通過之處)的較小尺寸可使蒸發材料的均勻度增加，均勻度例如是有關於材料密度、材料速度、及/或材料壓力。根據本文所述的一些實施例，第二區段可當蒸發材料離開第一區段時，藉由捕捉從第一區段的較小截面擴散之蒸發材料來增加方向性。蒸發材料可以小的擴散角度到達基板或畫素遮罩。
根據本文所述實施例之材料沉積裝置中所使用的噴嘴輪廓可使蒸發材料的材料流動集中至基板。根據本文所述實施例之噴嘴係用來使氣態的蒸發材料從蒸發器源集中至真空腔室內的基板，例如用於在基板上產生OLED主動層。
根據一些實施例，根據本文所述實施例之材料沉積裝置中所述的噴嘴設計提供一較小、特別是圓柱的區段以及一較大、特別是圓柱的區段，其中較大的區段係指向基板、或噴嘴的出口。根據本文所述實施例之材料沉積裝置的實驗結果顯示在±30度區域中之基板上高於+17%的材料濃度以及在±20度區域中之基板上高於+23%的材料濃度。相對於噴嘴之中心中的吸收峰與具有單一圓柱噴嘴的已知噴嘴相比可高於約40%。與已知的系統相比，其改善是十分有效的，且無法如同一般以簡單的圓柱噴嘴所完成的設計變更來達成。
根據一些實施例，係提供如本文所述的材料沉積裝置之使用，及/或如本文所述的真空沉積系統之使用。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (18)

  1. 一種用於在一真空腔室中沉積一蒸發材料於一基板上之材料沉積裝置，包括：一坩堝，用以提供欲被蒸發之材料；一線性分配管，與該坩堝具有流體之交流；以及在該線性分配管中的複數個噴嘴，用以將該蒸發材料導引至該真空腔室中，各該噴嘴具有一噴嘴入口、一噴嘴出口及一噴嘴通道，該噴嘴入口用以接收該蒸發材料，該噴嘴出口用以將該蒸發材料釋放至該真空腔室，該噴嘴通道位於該噴嘴入口與該噴嘴出口之間；其中該些噴嘴中的至少一者之該噴嘴通道包括一第一區段及一第二區段，該第一區段具有一第一區段長度與一第一區段尺寸，該第二區段具有一第二區段長度與一第二區段尺寸，其中該第一區段包括噴嘴入口，及/或其中該第二區段包括噴嘴出口，其中該第二區段尺寸與該第一區段尺寸的比率係介於2和10之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段係配置用以增加該蒸發材料的均勻度，且該第二區段係配置用以增加該蒸發材料的方向性。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段和該第二區段係一體地形成於各該噴嘴中。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段和該第二區段係一體地形成於各該噴嘴中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段長度和該第二區段長度具有實質上相同或相似的長度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段和該第二區段中的至少一者之長度係介於5毫米和10毫米之間。
  7. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段尺寸和該第二區段尺寸係根據各自區段之截面的最小尺寸所定義。
  8. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之材料沉積裝置，其中該材料沉積裝置係配置用於少於1sccm之蒸發材料的質量流量。
  9. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之材料沉積裝置，其中該噴嘴通道包括n個區段，其中各該區段在沿著從該噴嘴入口到該噴嘴出口的方向上具有比前一個區段更大的尺寸。
  10. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之材料沉積裝置，其中該第一區段和該第二區段皆在沿著從該噴嘴入口到該噴嘴出口的方向上提供與前一個區段相比相等或更大的導電值。
  11. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之材料沉積裝置，其中該材料沉積裝置係配置用以沉積一個或多個有機材料於該基板上。
  12. 一種真空沉積系統，包括：一真空沉積腔室；根據申請專利範圍第1至6項任一項所述之該真空腔室中的該材料沉積裝置；以及一基板支撐件，用以在沉積期間支撐該基板。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之真空沉積系統，其中該真空沉積腔室更包括一畫素遮罩，位於該基板支撐件與該材料沉積裝置之間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之真空沉積系統，其中該材料沉積裝置之該線性分配管提供一第一壓力位準，該真空腔室提供不同於該第一壓力位準的一第二壓力位準，其中各該噴嘴之該第一區段之該第一區段尺寸以及各該噴嘴之該第二區段之該第二區段尺寸提供該線性分配管中之該第一壓力位準以及該真空腔室中之該第二壓力位準之間的一過渡區域。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之真空沉積系統，其中該材料沉積裝置的該線性分配管提供一第一壓力位準，該真空腔室提供不同於該第一壓力位準的一第二壓力位準，其中各該噴嘴之該第一區段之該第一區段尺寸以及各該噴嘴之該第二區段之該第二區段尺寸提供該線性分配管中之該第一壓力位準以及該真空腔室中之該第二壓力位準之間的一過渡區域。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之真空沉積系統，其中該真空沉積系統係適於同時容納該真空沉積腔室內之兩個基板支撐件上之欲被塗佈的兩個基板，其中該材料沉積裝置係可移動地佈置在該真空沉積腔室內的該兩個基板支撐件之間，該材料沉積裝置之該坩堝係用於蒸發有機材料；其中該畫素遮罩包括小於50微米之開孔；以及其中該線性分配管中的一第一壓力位準係介於10-2mbar與10-3mbar之間，該真空沉積腔室中的一第二壓力位準係介於10-5mbar與10-7mbar之間。
  17. 一種用於在一真空沉積腔室中沉積材料於一基板上的方法，包括：在一坩堝中蒸發欲被沉積之一材料；提供該蒸發材料至一線性分配管，該線性分配管與該坩堝具有流體之交流，該線性分配管處於一第一壓力位準；將該蒸發材料通過該線性分配管中之一噴嘴導引至該真空沉積腔室，該真空沉積腔室提供不同於該第一壓力位準之一第二壓力位準；其中將該蒸發材料導引通過該噴嘴之步驟包括將該蒸發材料導引通過該噴嘴之一第一區段，以及將該蒸發材料導引通過該噴嘴之一第二區段，該第一區段具有一第一區段長度和一第一區段尺寸，該第二區段具有一第二區段長度和一第二區段尺寸，其中該第一區段包括噴嘴入口，及/或其中該第二區段包括噴嘴出口，其中該第二區段尺寸和該第一區段尺寸之比率係介於2和10之間。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，更包括影響該噴嘴之該第一區段中之該蒸發材料的均勻度，以及影響由該噴嘴之該第二區段釋放至該真空沉積腔室之該蒸發材料的方向性。
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