CN114599814A - 材料沉积布置、真空沉积系统和用于制造材料沉积布置的方法 - Google Patents
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Abstract
描述了一种用于在真空沉积腔室中将材料沉积在基板上的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括：坩埚，所述坩埚被配置为通过开口蒸发材料；分配组件，所述分配组件被配置为通过多个喷嘴排出蒸发的材料；以及第一碳环和第二碳环，所述第一碳环和所述第二碳环在所述坩埚与所述分配组件之间，其中所述坩埚包括围绕所述开口向外延伸的第一凸缘，其中所述分配组件包括在与所述坩埚的连接部分处的第二凸缘，其中所述第一凸缘包括在所述第一凸缘的上表面上的第一钼环，其中所述第二凸缘包括在所述第二凸缘的下表面上的第二钼环，并且其中所述第一碳环与所述第一钼环接触，并且所述第二碳环与所述第二钼环接触。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于将材料沉积在基板上的材料沉积设备。更具体地，本公开内容的实施方式涉及用于在真空沉积腔室中将金属材料沉积在基板上的材料沉积布置、真空沉积系统和用于制造材料沉积布置、特别是用于OLED制造的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是其中电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物膜的发光二极管。由于OLED直接地发射光，而不涉及任何背光和滤色器，因此OLED显示器可能的色域和视角大于传统的LCD显示器可能的色域和视角。另外，OLED可在柔性基板上进行制造，并且相应地，它们可用于多种应用中。
有机材料和金属材料在真空沉积腔室中被沉积在基板上以用于OLED制造。金属材料用作例如电极材料或电子传输层(ETL)材料。要沉积的材料在材料沉积布置中被蒸发，并且蒸发的材料通过喷嘴被沉积在基板上。金属材料在材料沉积布置中在约1,000℃或以上或约1,500℃或以上的温度下被蒸发。
发明内容
技术问题
常规的材料沉积布置具有竖直地延伸的管形主体。要沉积的材料通过设置在主体的顶部处的开口馈送。对于金属材料，要馈送的材料具有尺寸在约1mm至约5mm之间的颗粒或丸粒的形状。从材料沉积布置的顶部馈送的金属颗粒或丸粒可能导致材料沉积布置的内壁的损坏。
为了更方便地馈送和重填要沉积的材料和维护材料沉积布置，已经提出具有可拆卸坩埚的材料沉积布置。坩埚可从材料沉积布置的分配组件拆卸，以便馈送要沉积的材料。由于要沉积的材料可从已经拆卸的坩埚的顶部馈送到坩埚中，因此可防止分配组件的内壁的损坏。
在具有可拆卸坩埚的材料沉积布置中，重要的是，密封在坩埚与分配组件之间的连接部分。蒸发的材料可能渗入在坩埚与分配组件之间的间隙或可能通过间隙泄漏。特别地，已经渗入在坩埚与分配组件之间的间隙的金属材料可能将坩埚和分配组件焊接在一起，由此使得不可能将坩埚和分配组件彼此分离。常规的密封元件(例如，橡胶O形环)不能在约1,000℃或以上的温度下使用来蒸发金属材料。
问题解决方案
本公开内容的实施方式提供了一种材料沉积布置、一种真空沉积系统和一种用于制造材料沉积布置的方法，可防止蒸发的材料、特别是蒸发的金属材料的泄漏。
根据独立权利要求提供了一种材料沉积布置、一种真空沉积系统和一种用于制造材料沉积布置的方法。另外的方面、优点和特征从从属权利要求、描述和附图中显而易见。
根据本公开内容的一方面，提供了一种用于将材料沉积在基板上的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括：坩埚，所述坩埚具有内容积和第一凸缘，所述内容积用于接收材料；分配组件，所述分配组件具有内中空空间和第二凸缘，所述第二凸缘要紧固到所述第一凸缘；以及第一密封环和第二密封环，所述第一密封环和所述第二密封环插置在所述第一凸缘与所述第二凸缘之间，其中所述第一凸缘包括在上表面的至少区域中的第一含钼区域，其中所述第二凸缘包括在下表面的至少区域中的第二含钼区域，其中所述第一密封环与所述第一含钼区域接触，其中所述第二密封环与所述第二含钼区域接触，并且其中至少所述第一密封环和所述第二密封环的表面包括碳材料。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于在真空沉积腔室中将材料沉积在基板上的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括：坩埚，所述坩埚被配置为通过开口蒸发材料；分配组件，所述分配组件被配置为通过多个喷嘴排出蒸发的材料；以及第一碳层和第二碳层，所述第一碳层和所述第二碳层在所述坩埚与所述分配组件之间，其中所述坩埚包括围绕所述开口的第一凸缘，其中所述分配组件包括在与所述坩埚的连接部分处的第二凸缘，其中所述第一凸缘包括在所述第一凸缘的表面的至少一部分上的第一钼层，其中所述第二凸缘包括在所述第二凸缘的表面的至少一部分上的第二钼层，并且其中所述第一碳层与所述第一钼层接触，并且所述第二碳层与所述第二钼层接触。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种真空沉积系统。所述真空沉积系统包括：真空沉积腔室；以及根据本文描述的任何实施方式的材料沉积布置。
根据本公开内容的又一方面，提供了一种用于制造材料沉积布置的方法。所述用于制造材料沉积布置的方法包括：提供坩埚，所述坩埚具有第一凸缘，所述第一凸缘包括在至少上表面上的第一含钼区域，其中所述第一含钼区域基本上由钼(Mo)组成，或者由含有至少50重量％的钼的合金；将第一密封环放置在所述第一凸缘的所述上表面上，其中至少所述第一密封环的表面由碳材料形成；将第二密封环放置在所述第一密封环上，其中至少所述第二密封环的表面由碳材料形成；以及将分配组件放置在所述第二密封环上，所述分配组件具有第二凸缘，所述第二凸缘包括在至少下表面上的第二含钼区域，其中所述第二含钼区域基本上由钼(Mo)组成，或者由含有至少50重量％的钼的合金形成。
附图说明
本公开内容的以上和其他方面、特征和优点将从以下结合附图对以下方面的详细描述变得显而易见，其中：
图1示出了根据本公开内容的实施方式的真空沉积系统的示意性横截面侧视图；
图2示出了根据本公开内容的实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的横截面侧视图；
图3示出了根据本公开内容的实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的分解透视图；
图4示出了根据本公开内容的另一个实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的横截面侧视图；
图5示出了根据本公开内容的其他实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的分解透视图；并且
图6示出了说明根据本公开内容的另一方面的用于制造材料沉积布置的方法的流程图。
发明模式
现将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示出于各图中。每个示例以解释本公开内容的方式提供，并且不意在作为本公开内容的限制。例如，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或结合其他实施方式使用，以产生又一个实施方式。说明书旨在包括此类修改和变化。在以下对附图的描述内，相同的附图标记是指相同的部件。仅仅描述了相对于单独实施方式的差异。
在更详细地描述本公开内容的各种实施方式之前，说明与本文使用的一些术语和表达有关的一些方面。
在本公开内容中，“真空沉积系统”将被理解为被配置用于将材料真空沉积在基板上的系统或布置。特别地，“真空沉积布置”可被理解为被配置用于真空沉积有机或金属材料例如以用于OLED显示器制造的系统或布置。
在本公开内容中，“真空沉积腔室”将被理解为被配置用于真空沉积的腔室。如本文所使用的术语“真空”可在具有小于例如10毫巴的真空压力的技术真空的意义上进行理解。典型地，如本文所描述的真空腔室中的压力可在10-5毫巴与约10-8毫巴之间，更典型地在10-5毫巴与10-7毫巴之间，并且甚至更典型地在约10-6毫巴与约10-7毫巴之间。
在本公开内容中，“材料沉积布置”将被理解为被配置用于如本文所描述的那样将材料沉积在基板上的布置。特别地，“材料沉积布置”可被理解为被配置用于提供要沉积在基板上的材料的源的布置或组件。特别地，“材料沉积布置”可被理解为具有被配置为蒸发要沉积的源材料的坩埚和被配置为将蒸发的材料提供到基板的分配组件的布置或组件。例如，要沉积的源材料可以是在有机发光二极管(OLED)生产中用作电极材料或电子传输层材料的金属材料。
在本公开内容中，“坩埚”可被理解为具有用于要通过加热坩埚来蒸发的材料的贮存器的装置。因此，“坩埚”可被理解为源材料贮存器，所述源材料贮存器可被加热以通过源材料的蒸发和升华中的至少一者来将源材料蒸发成气体。典型地，坩埚包括加热器以将坩埚中的源材料蒸发成气态源材料。例如，初始地，要蒸发的材料可以是粉末或颗粒的形式。贮存器可具有用于接收要蒸发的源材料(例如，金属材料)的内容积。
在本公开内容中，“分配组件”可被理解为被配置用于从分配组件向基板提供蒸发的材料、特别是蒸发的材料的羽流的组件。例如，分配组件可包括分配管。例如，如本文所描述的分配管可提供具有多个开口和/或喷嘴的线源，所述多个开口和/或喷嘴沿分配管的长度布置在至少一条线中。
相应地，分配组件可以是线性分配喷头，例如所述线性分配喷头中设置有多个开口(或者细长狭缝)。如本文所理解的喷头可具有可在其中提供或引导蒸发材料(例如，从蒸发坩埚到基板)的罩壳、中空空间或管。根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，分配管的长度可至少对应于要沉积的基板的高度。特别地，分配管的长度可比要沉积的基板的高度长至少10％或甚至20％。因此，可提供在基板的上端和/或基板的下端处的均匀沉积。
在本公开内容中，“加热器”可被理解为加热单元或加热装置，被配置为加热源材料、特别是将源材料蒸发成气态源材料。在如本文所描述的那样由加热器加热源材料时，设置在坩埚的内容积中的源材料被加热到源材料蒸发的温度。对于金属源材料，加热器可将源材料加热到例如至少约1,000℃或至少约1,500℃的温度。
在本公开内容中，“环形状”可被理解为弯曲或弯折环圈形状，所述弯曲或弯折环圈形状围绕中心开口闭合。例如，“环形状”可被理解为包括矩形环或多边形环以及圆环的形状。
图1示出了根据本公开内容的实施方式的真空沉积系统的示意性横截面侧视图。
示例性地参考图1，根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，真空沉积系统1被配置为在真空沉积腔室10中将材料沉积在基板20上。真空沉积系统1包括真空沉积腔室10、被配置为支撑基板20的基板支撑件30和用于蒸发源材料50的一个或多个材料沉积布置100。材料沉积布置100包括被配置为蒸发要沉积的源材料50的坩埚110和被配置为将蒸发的材料提供到基板20的分配组件160。
源材料50可以是在OLED制造中用作电极材料或电子传输层(ETL)材料的金属材料。例如，源材料50可包括银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)或镱(Yb)。
坩埚110和分配组件160可由在用于蒸发源材料50的温度(至少约1,000℃或至少约1,500℃)下具有热/机械稳定性并还具有对源材料50的化学稳定性的材料形成。坩埚110和分配组件160可例如由以下材料形成，所述材料包括选自由钽(Ta)、钼(Mo)和钨(W)或它们的组合组成的群组的材料。
坩埚110包括第一壁120和加热器，所述第一壁120用于限定用于在所述第一壁120中存储源材料50的内容积130，所述加热器用于提供热量以蒸发内容积130内的源材料50。第一壁120朝向第一壁120的顶部敞开以形成第一开口132。例如，加热器可包括设置在坩埚110的第一壁120外部的加热线圈112。加热器可将用作电极材料或ETL材料的金属源材料加热到例如至少约1,000℃或至少约1,500℃。
第一壁120包括用于限定坩埚120的底部的第一底壁121、从第一底壁121向上延伸的第一侧壁122、从第一侧壁122径向向内且向上延伸的第一瓶颈壁123和从第一瓶颈壁123的上端径向向外延伸的第一凸缘124。
分配组件160包括用于限定内中空空间180的第二壁170。第二壁170可具有实质上管状形状。第二壁170朝向第二壁170底部敞开以形成第二开口182。
第二壁170包括用于限定分配组件160的顶部的第二顶壁171、从第二顶壁171向下延伸的第二侧壁172、从第二侧壁172径向向内且向下延伸的第二瓶颈壁173和从第二瓶颈壁173的下端径向向外延伸的第二凸缘174。
坩埚110中的第一开口132和分配组件160中的第二开口182彼此连通。来自坩埚110的蒸发的材料通过第一开口132和第二开口182流入分配组件160的内中空空间180，并且然后蒸发的材料被分配到形成在第二侧壁172上的多个喷嘴184。
坩埚110的第一凸缘124和分配组件160的第二凸缘174彼此连接，其中第一密封环140、第二密封环190和间隔物150插置在两者间。第一凸缘124和第二凸缘174可由紧固件(诸如夹具155)紧固和夹紧。
图2示出了根据本公开内容的实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的横截面侧视图，并且图3示出了根据本公开内容的实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的分解透视图。
示例性参考图2和图3，根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，第一凸缘124围绕坩埚110的第一开口132径向向外延伸。第一台阶126可形成在第一凸缘124的上表面125上。第二凸缘174围绕分配组件160的第二开口182径向向外延伸。第二台阶176可形成在第二凸缘174的下表面175上。
第一密封环140可具有上表面和下表面实质上平坦的环形状。第一密封环140的内径实质上等于或大于坩埚110的第一开口132的直径，并且第一密封环140的外径小于第一凸缘124的外径。第一密封环140放置在第一凸缘124的上表面125上。第一密封环140由第一凸缘124的上表面125的第一台阶126引导到精确位置。
第二密封环190可具有上表面和下表面实质上平坦的环形状。第二密封环190的内径实质上等于或大于分配组件160的第二开口182的直径，并且第二密封环190的外径小于第二凸缘的外径174。第二密封环190可具有与第一密封环140实质上相同的形状。第二密封环190放置在第二凸缘174的下表面175下方。第二密封环190由第二凸缘174的下表面175的第二台阶176引导到精确位置。
第一密封环140和第二密封环190由在用于蒸发源材料的温度下具有热/机械稳定性并还具有对源材料化学稳定性和不可润湿性的材料形成。第一密封环140和第二密封环190可由包括碳的材料形成。在一个实施方式中，第一密封环140和第二密封环190可由无孔石墨形成，诸如玻璃化石墨(玻璃态石墨)。在另一个实施方式中，第一密封环140和第二密封环190的表面可由包括碳的材料形成。例如，第一密封环140和第二密封环190的内主体可由热解氮化硼(PBN)或氮化铝(AlN)等形成，并且第一密封环140和第二密封环190的表面可由玻璃化石墨形成。
坩埚110的第一凸缘124的上表面125包括第一含钼区域127。分配组件160的第二凸缘174的下表面175包括第二含钼区域177。含钼区域127和177由含有钼的合金形成。含钼区域127和177含有至少50重量％、典型地70重量％或更多、更典型地90重量％或更多的钼(Mo)。含钼区域127和177可由钼(Mo)或含有钼的合金(例如镧系钼(Mo-La)合金)形成。
第一含钼区域127和第二含钼区域177分别与第一密封环140和第二密封环190直接接触。例如，第一含钼区域127可形成在第一凸缘124的上表面125上的区域中，在所述上表面125上的区域上搁置有第一密封环140，并且第二含钼区域177可形成在第二凸缘174的下表面175上的区域中，在所述下表面175上的区域上搁置有第二密封环190。
第一含钼区域127和第一密封环140彼此接触的区域完全地包围坩埚110的第一开口132。在一个实施方式中，第一含钼区域127可以是第一凸缘124的整个上表面125。在另一个实施方式中，第一含钼区域127可以是坩埚110的整个第一凸缘124。在另一个实施方式中，第一含钼区域127可以是整个坩埚110。换句话说，坩埚110可由钼(Mo)或含有钼(Mo)的合金(例如镧系钼(Mo-La)合金)形成。
同样地，第二含钼区域177和第二密封环190彼此接触的区域完全地包围分配组件160的第二开口182。在一个实施方式中，第二含钼区域177可以是第二凸缘174的整个下表面175。在另一个实施方式中，第二含钼区域177可以是分配组件160的整个第二凸缘174。在另一个实施方式中，第二含钼区域177可以是整个分配组件160。换句话说，分配组件160可由钼(Mo)或含有钼(Mo)的合金(例如镧系钼(Mo-La)合金)形成。
间隔物150可放置在第一密封环140和第二密封环190的径向外侧。间隔物150可具有环形状，在所述环形状中，间隔物150的上表面和下表面实质上平坦。间隔物150的内径与第一密封环140和第二密封环190的外径实质上相同。间隔物150的外径与第一凸缘124和第二凸缘174的外径实质上相同或小于第一凸缘124和第二凸缘174的外径。间隔物150防止第一凸缘124和第二凸缘174彼此直接接触。间隔物150可由第一密封环140和/或第二密封环190的外径引导以搁置在精确位置。在替代实施方式中，可由形成在第一凸缘124的上表面125上和第二凸缘174的下表面175上的台阶引导间隔物150搁置在精确位置。在这种情况下，第一密封环140和第二密封环190可被引导以放置在间隔物150的内径中。
间隔物150被配置为防止坩埚110和分配组件160的部分的变形和破裂，特别是第一凸缘124和第二凸缘174因在用于蒸发源材料50的温度下第一凸缘124和第二凸缘174的热膨胀而变形和破裂。在一个实施方式中，间隔物150可由含有钨的合金(诸如钨-铈氧化物(WC)、钨-镧氧化物(WL)、钨-镧氧化物-锆氧化物(WLZ)、钨-铼(WRe))或钨-铜(WCu))形成。
坩埚110被加热到至少约1,000℃或至少约1,500℃的温度以蒸发源材料50。第一含钼区域127中的钼与第一密封环140中的碳在约1,000℃或以上的温度下彼此反应以形成钼碳化物(MoxCy)，例如Mo2C或MoC。
就是说，钼碳化物(MoxCy)形成在第一凸缘124的上表面125与第一密封环140之间的界面处。形成在界面处的钼碳化物(MoxCy)将第一凸缘124和第一密封环140结合在一起，以便气密地密封界面。因此，从坩埚110蒸发的材料不从第一凸缘124和第一密封环140之间泄漏。
同样地，第二含钼区域177中的钼和第二密封环190中的碳彼此反应以在它们之间的界面处形成钼碳化物(MoxCy)。就是说，钼碳化物(MoxCy)形成在第二凸缘174的下表面175与第二密封环190之间的界面处。形成在界面处的钼碳化物(MoxCy)将第二凸缘174和第二密封环190结合在一起，以便气密地密封界面。因此，从坩埚110蒸发的材料不从第二凸缘174与第二密封环190之间泄漏。
由于第一密封环140和第二密封环190借助夹具155彼此压紧，因此从坩埚110蒸发的材料难以渗入第一密封环140与第二密封环190之间。另外，第一密封环140和第二密封环190不能够被蒸发材料、特别是金属气体润湿。例如，第一密封环140和第二密封环190由不能够被银(Ag)、镁(Mg)或镱(Yb)气体润湿的玻璃化石墨形成。因此，蒸发的材料几乎不从第一密封环140与第二密封环190之间泄漏。
因此，本公开内容的实施方式可在可拆卸坩埚110与分配组件160之间提供牢固密封。
图4示出了根据本公开内容的另一个实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的横截面侧视图，并且图5示出了根据本公开内容的其他实施方式的在材料沉积布置的坩埚和分配组件之间的连接结构的分解透视图。
示例性参考图4和图5，根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，环形状的第一凹陷部128形成在第一凸缘124的上表面125上，并且环形状的第二凹陷部178形成在第二凸缘174的下表面175上。
第一钼环129安置在第一凹陷部128中，并在第一凹陷部128中焊接到第一凸缘124。类似地，第二钼环179安置在第二凹陷部178中，并在第二凹陷部178中焊接到第二凸缘174。例如，可通过电子束焊接(EBW)来执行焊接。
第一钼环129和第二钼环179用作上述第一含钼区域127和第二含钼区域177。第一钼环129和第二钼环179可基本上由钼(Mo)组成，或者可由含有钼(Mo)的合金(例如，镧系钼(Mo-La)合金)形成。
第一钼环129和第二钼环179的采用提供了选择坩埚110和分配组件160、特别是第一凸缘124和第二凸缘174的材料的自由度。例如，坩埚110和分配组件160的材料可不含有钼(Mo)。这可允许坩埚110和分配组件160由提供更高热/机械稳定性的材料形成。例如，坩埚110和分配组件160可由钽(Ta)或钨(W)形成，或者由含有钽(Ta)或钨(W)中的一种或多种的合金形成。
第一密封环140放置在第一凸缘124的上表面125上、特别是第一钼环129上，并且第二密封环190放置在第二凸缘174的下表面175之下、特别是第二个钼环179之下。第一密封环140和第二密封环190由对源材料50有化学稳定性和不可润湿性的材料形成。例如，第一密封环140和第二密封环190可由玻璃化碳形成。
第一钼环129中的钼(Mo)和第一密封环140中的碳在约1,000℃或更高的温度下彼此反应以形成钼碳化物(MoxCy)。同样地，第二钼环179中的钼(Mo)和第二密封环190中的碳在约1,000℃或更高的温度下彼此反应以在它们之间的界面处形成钼碳化物(MoxCy)。由此，在第一凸缘124的上表面125与第一密封环140之间和在第二凸缘174的下表面175与第二密封环190之间的间隙可被完全地密封。
另外，第一密封环140包括从第一密封环140的上表面141突出的一个或多个环形凸块143。图4和图5示出了仅形成在第一密封环140的上表面141上的凸块143，环形凸块可替代地形成在第二密封环190的下表面191上，或者形成在第一密封环140的上表面141和第二密封环190的下表面191两者上。
环形垫片层153放置在第一密封环140与第二密封环190之间。垫片层153的内径与第一密封环140和第二密封环190的内径实质上相同。垫片层153的外径与第一密封环140和第二密封环190的外径实质上相同或比第一密封环140和第二密封环190的外径更大。在一个实施方式中，垫片层153的外径与第一凸缘124和第二凸缘174的外径实质上相同。
垫片层153由比第一密封环140和第二密封环190的材料更柔软的材料形成，以便更牢固地密封可能因由相对刚性的材料形成的第一密封环140和第二密封环190的表面而导致的任何间隙，所述表面是不完全平整的。垫片层153由在用于蒸发源材料的温度下具有热/机械稳定性并还具有对源材料化学稳定性和不可润湿性的材料形成。根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，垫片层153可包括石墨垫片，诸如多个堆叠的石墨箔。
当第一密封环140和第二密封环190由紧固件(例如，由螺栓156和螺母157)彼此夹紧和压紧时，垫片层153可提供在第一密封环140和第二密封环190之间的更气密的密封。例如，由石墨箔形成的垫片层153更完全地密封了间隙，所述间隙可能存在于由相对刚性的玻璃化碳形成的第一密封环140和第二密封环190的表面之间。此外，形成在第一密封环140的上表面141上的多个环形凸块143对垫片层153施加更大的压力，由此提高垫片层153的密封性能。
第一间隔物151放置在第一密封环140的径向外侧，并且第二间隔物159放置在第二密封环190的径向外侧。第一间隔物151和第二间隔物159被配置为防止第一凸缘124和第二凸缘174因第一凸缘124和第二凸缘174的热膨胀而变形和破损。在一个实施方式中，第一间隔物151和第二间隔物159可由含有钨的合金(诸如钨-铈氧化物(WC)、钨-镧氧化物(WL)、钨-镧氧化物-锆氧化物(WLZ)、钨-铼(WRe))或钨-铜(WCu))形成。
第一凸缘124和第二凸缘174可由紧固件夹紧，例如由螺栓156和螺母157夹紧。例如，在第一凸缘124、第一间隔物151、垫片层153、第二间隔物159和第二凸缘174中的每一者中形成供螺栓156穿过的通孔，并且螺栓156从第二凸缘174的上侧穿过到第一凸缘124的下侧。然后，将螺母157紧固到螺栓156的穿过第一凸缘124下侧的一端，由此夹紧第一凸缘124和第二凸缘174。
图6示出了说明根据本公开内容的另一方面的用于制造材料沉积布置的方法的流程图。材料沉积布置可以是根据本文描述的实施方式的材料沉积布置100。
方法600包括提供坩埚110，所述坩埚110具有第一凸缘124，所述第一凸缘124包括在至少第一凸缘124的上表面125上的第一含钼区域127(框610)。根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，提供具有包括在至少第一凸缘124的上表面125上的第一含钼区域127的第一凸缘124的坩埚110(框610)可包括提供具有第一凸缘124的坩埚110，其中环形状的第一凹陷部128形成在上表面125上并将第一钼环129焊接到第一凹陷部128中。
方法600进一步包括将第一密封环140放置在第一凸缘124的上表面125上(框620)。第一密封环140和第一含钼区域127在至少一个区域上彼此直接接触，其中接触区完全地包围坩埚110的第一开口132。
方法600进一步包括将第一间隔物151放置在第一密封环140的径向外侧(框630)，将垫片层153放置在第一密封环140上(框640)，将第二密封环190放置在垫片层153上(框650)，并且将间隔物159放置在第二密封环190的径向外侧(框660)。
此外，方法600包括提供分配组件160，所述分配组件160具有第二凸缘174，所述第二凸缘174包括至少在第二凸缘174的下表面175上的第二含钼区域177(框670)。根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，提供分配组件160，所述分配组件160具有第二凸缘174，所述第二凸缘174包括至少在第二凸缘174的下表面175上的第二含钼区域177(框670)可包括提供具有第二凸缘174的分配组件160，其中环形状的第二凹陷部178形成在下表面175上并将第二钼环179焊接到第二凹陷部178中。
方法600进一步包括将坩埚110的第一凸缘124与分配组件160的第二凸缘174对准并且使用紧固件将第一凸缘124和第二凸缘174夹紧在一起(框680)。
此外，方法600进一步包括加热坩埚110以在第一含钼区域127与第一密封环140之间和在第二含钼区域177和第二密封环190之间形成钼碳化物(框690)。
鉴于本文描述的实施方式，将了解，提供了改善的材料沉积布置、真空沉积系统和制造材料沉积布置的方法，特别是用于OLED制造。
本文描述的材料沉积布置的实施方式提供了关于在约1,000℃或以上或约1,500℃或以上的温度下蒸发的金属材料的改善的密封性能。此外，即使在材料沉积工艺之后，本文描述的材料沉积布置的实施方式仍然维持坩埚与分配组件分离的可能性。以此方式，本文描述的材料沉积布置的实施方式在馈送和重填要沉积的材料以及维护材料沉积布置的坩埚方面提供便利。
虽然前述内容针对的是本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书的范围确定。
特别地，本书面描述使用示例来公开内容本公开内容，包括最佳模式，并且还使得本领域任何技术人员能够实践所描述的主题，包括制造和使用任何装置或系统以及执行任何所并入的方法。尽管前述内容中已经公开了各种具体的实施方式，但是以上描述的实施方式的不互斥的特征可彼此组合。专利保护范围由权利要求书限定，并且预期其他示例在权利要求书的范围内，只要权利要求具有与权利要求的字面语言无不同的结构要素即可，或者只要权利要求包括与权利要求的字面语言无实质差异的等同结构要素即可。
Claims (15)
1.一种材料沉积布置，包括：
坩埚，所述坩埚具有内容积和第一凸缘，所述内容积用于接收材料；
分配组件，所述分配组件具有内中空空间和第二凸缘，所述第二凸缘要紧固到所述第一凸缘；以及
第一密封环和第二密封环，所述第一密封环和所述第二密封环插置在所述第一凸缘与所述第二凸缘之间，
其中所述第一凸缘包括在上表面的至少区域中的第一含钼区域，
其中所述第二凸缘包括在下表面的至少区域中的第二含钼区域，
其中所述第一密封环与所述第一含钼区域接触，
其中所述第二密封环与所述第二含钼区域接触，并且
其中至少所述第一密封环和所述第二密封环的表面包括碳材料。
2.如权利要求1所述的材料沉积布置，
其中至少所述第一密封环和所述第二密封环的所述表面由玻璃化石墨形成。
3.如权利要求1所述的材料沉积布置，
其中所述第一密封环和所述第二密封环具有实质上相同的形状，并且所述第二密封环放置在所述第一密封环上。
4.如权利要求1所述的材料沉积布置，
其中所述第一含钼区域或所述第二含钼区域中的至少一者基本上由钼(Mo)组成，或者由含有至少50重量％的钼的合金形成。
5.如权利要求1所述的材料沉积布置，
其中所述第一含钼区域包括设置在形成在所述第一凸缘的所述上表面上的环形凹陷部内的钼环。
6.如权利要求1所述的材料沉积布置，
其中所述第二含钼区域包括设置在形成在所述第二凸缘的所述下表面上的环形凹陷部内的钼环。
7.如权利要求1所述的材料沉积布置，所述材料沉积布置进一步包括：
垫片层，所述垫片层设置在所述第一密封环与所述第二密封环之间，其中所述垫片层由碳材料形成。
8.如权利要求7所述的材料沉积布置，
其中所述垫片层包括至少一个石墨箔层。
9.如权利要求1所述的材料沉积布置，
其中以环形状突出的至少一个凸块形成在所述第一密封环的所述上表面或所述第二密封环的所述下表面中的至少一者上。
10.如权利要求1所述的材料沉积布置，所述材料沉积布置进一步包括：
至少一个间隔物，所述至少一个间隔物布置在所述第一密封环和所述第二密封环的径向外侧上。
11.一种材料沉积布置，包括：
坩埚，所述坩埚被配置为通过开口蒸发材料；
分配组件，所述分配组件被配置为通过多个喷嘴排出蒸发的材料；以及
第一碳层和第二碳层，所述第一碳层和所述第二碳层在所述坩埚与所述分配组件之间，
其中所述坩埚包括围绕所述开口的第一凸缘，
其中所述分配组件包括在与所述坩埚的连接部分处的第二凸缘，
其中所述第一凸缘包括在所述第一凸缘的表面的至少一部分上的第一钼层，
其中所述第二凸缘包括在所述第二凸缘的表面的至少一部分上的第二钼层，并且
其中所述第一碳层与所述第一钼层接触，并且所述第二碳层与所述第二钼层接触。
12.一种真空沉积系统，包括：
真空沉积腔室；以及
如权利要求1至11中任一项所述的材料沉积布置，所述材料沉积布置在所述真空沉积腔室中。
13.一种用于制造材料沉积布置的方法，包括：
提供坩埚，所述坩埚具有第一凸缘，所述第一凸缘包括在至少上表面上的第一含钼区域，其中所述第一含钼区域基本上由钼(Mo)组成，或者由含有至少50重量％的钼的合金；
将第一密封环放置在所述第一凸缘的所述上表面上，
其中至少所述第一密封环的表面由碳材料形成；
将第二密封环放置在所述第一密封环上，其中至少所述第二密封环的表面由碳材料形成；以及将分配组件放置在所述第二密封环上，所述分配组件具有第二凸缘，所述第二凸缘包括在至少下表面上的第二含钼区域，其中所述第二含钼区域基本上由钼(Mo)组成，或者由含有至少50重量％的钼的合金形成。
14.如权利要求13所述的方法，
其中提供所述坩埚包括：
提供坩埚，所述坩埚具有第一凸缘，其中所述第一凸缘的上表面上形成有第一环形凹陷部；以及
将第一钼环焊接到所述第一凹陷部中。
15.如权利要求13所述的方法，所述方法进一步包括：
将垫片层放置在所述第一密封环与所述第二密封环之间，
其中所述垫片层包括至少一个石墨箔层。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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