TWI616910B - 電容器及其製造方法 - Google Patents
電容器及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI616910B TWI616910B TW105125858A TW105125858A TWI616910B TW I616910 B TWI616910 B TW I616910B TW 105125858 A TW105125858 A TW 105125858A TW 105125858 A TW105125858 A TW 105125858A TW I616910 B TWI616910 B TW I616910B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal
- capacitor
- surface area
- specific surface
- metal powder
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 611
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 611
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 228
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 263
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 81
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 80
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 76
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 71
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 71
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 141
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 37
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 18
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- -1 AuSn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002711 AuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/085—Vapour deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/306—Stacked capacitors made by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
本發明提供一種電容器，其特徵在於：其係具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成者，且高比表面積導電性基材整體係由金屬燒結體構成。
Description
本發明係關於一種電容器及其製造方法。
近年來，隨著電子機器之高密度安裝化而要求具有更高靜電電容之電容器。作為此種電容器，例如專利文獻1中揭示有使用藉由蝕刻處理而多孔化之高比表面積鋁箔之電解電容器。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2009-270140號公報
[發明所欲解決之問題] 如專利文獻1之記載，作為獲得電容器用之高比表面積導電性基材之方法，已知對金屬箔進行蝕刻處理之方法。蝕刻處理為化學處理，例如藉由將待處理金屬箔浸漬於電解液中通入電流而進行。因此，蝕刻箔之細孔內可能殘留有化學處理中使用之化學品、例如源自電解液之雜質。若細孔內存在此種雜質，則有可能發生電容器之耐電壓降低等不良情況。 本發明者等人為了獲得細孔內雜質較少之高比表面積導電性基材，經過研究，結果想到使用金屬燒結體作為電容器之高比表面積導電性基材。本發明者等人進一步深入研究，結果注意到若單單使金屬粉燒結，則存在如以下所示之問題，難以提供具有優異性能之電容器。 (1)若單單使金屬粉燒結，則無法兼具充分之靜電電容與強度。例如為了獲得具有充分強度之高比表面積導電性基材，必須於高溫下進行處理且進一步進行燒結。然而，若進行金屬粉之燒結，則金屬燒結體之細孔被破壞，難以獲得充分之靜電電容。另一方面，為了獲得可實現充分之靜電電容之高比表面積導電性基材，必須於低溫下進行處理而幾乎不進行燒結以保持金屬燒結體之細孔。然而，若燒結欠充分，則無法確保充分之強度。 (2)又，若為了確保強度而於金屬支持體上形成金屬燒結體，則可能因金屬粉燒結時之收縮導致金屬支持體產生翹曲。 (3)進而，於對金屬支持體與金屬燒結體進行焙燒之情形時，燒結體不易接合至金屬支持體上，為了使之充分接合，必須於更高溫下進行處理。然而，如上所述若於高溫下進行焙燒，則高比表面積導電性基材之細孔會被破壞而難以獲得充分之靜電電容。 本發明之目的在於提供一種使用燒結體作為高比表面積導電性基材之具有較高之靜電電容且強度較高的電容器。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人對上述問題進行努力研究，結果發現藉由併用複數種金屬粉，無需使用金屬支持體即可兼具充分之靜電電容與強度，從而可解決問題(1)，進而由於可在相對低溫下進行焙燒，故而可解決問題(2)。進而發現藉由對金屬支持體表面進行粗化處理、或藉由對金屬支持體表面提供低熔點金屬，可使金屬支持體與燒結體以充分之強度接合，從而可解決問題(3)。 因此，本發明提供 [1]一種電容器，其特徵在於：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 上述高比表面積導電性基材整體係由金屬燒結體構成； [2]如上述[1]記載之電容器，其特徵在於：上述金屬燒結體為平均粒徑不同之至少2種金屬粉之燒結體； [3]如上述[2]記載之電容器，其特徵在於：平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下； [4]如上述[1]至[3]中任一項記載之電容器，其特徵在於：金屬燒結體為熔點不同之至少2種金屬粉之燒結體； [5]如上述[4]記載之電容器，其特徵在於：相對於構成作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上； [6]一種電容器，其特徵在於：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體及金屬支持體而成， 金屬燒結體藉由頸縮而支持於金屬支持體， 連結上述金屬燒結體與上述金屬支持體之頸縮之平均徑大於金屬燒結體中之金屬粉彼此之頸縮之平均徑， 上述介電層係由與上述高比表面積導電性多孔基材不同之起源之原子形成； [7]如上述[6]記載之電容器，其特徵在於：相較於構成金屬燒結體之大致中央部之金屬之熔點，構成上述金屬燒結體與上述金屬支持體之界面附近之金屬之熔點低100℃以上； [8]如上述[6]或[7]記載之電容器，其特徵在於：相較於構成金屬支持體之金屬之熔點，構成上述金屬燒結體與上述金屬支持體之界面附近之金屬之熔點低100℃以上； [9]如上述[6]至[8]中任一項記載之電容器，其特徵在於：上述金屬燒結體為平均粒徑不同之至少2種金屬粉之燒結體； [10]如上述[9]記載之電容器，其特徵在於：平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下； [11]如上述[6]至[10]中任一項記載之電容器，其特徵在於：上述金屬燒結體為熔點不同之至少2種金屬粉之燒結體； [12]如上述[11]記載之電容器，其特徵在於：相對於構成作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上； [13]如上述[1]至[12]中任一項記載之電容器，其特徵在於：構成上述金屬燒結體之金屬為選自Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co及Fe中之1種或其以上之金屬； [14]如上述[1]至[13]中任一項記載之電容器，其特徵在於：上述介電層係藉由原子層堆積法形成； [15]如上述[1]至[14]中任一項記載之電容器，其特徵在於：上述上部電極係藉由原子層堆積法形成； [16]如上述[1]至[5]中任一項記載之電容器，其特徵在於：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 於一上述高比表面積導電性基材上具有由上述高比表面積導電性基材、上述介電層及上述上部電極所構成之第1、第2、第3及第4靜電電容形成部， 第1靜電電容形成部及第2靜電電容形成部存在於高比表面積導電性基材之一主面上， 第3靜電電容形成部及第4靜電電容形成部存在於高比表面積導電性基材之另一主面上， 第1靜電電容形成部及第3靜電電容形成部隔著高比表面積導電性基材而對向配置， 第2靜電電容形成部及第4靜電電容形成部隔著高比表面積導電性基材而對向配置； [17]如上述[1]至[15]中任一項記載之電容器，其特徵在於：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 於上述高比表面積導電性基材之一主面上具有由上述高比表面積導電性基材、上述介電層及上述上部電極所構成之第1及第2靜電電容形成部， 於高比表面積導電性基材之另一主面上具有絕緣層； [18]一種基板，其安裝有如上述[1]至[17]中任一項記載之電容器； [19]一種基板，其配置有如上述[6]至[17]中任一項記載之電容器，該電容器係以其高比表面積導電性基材之金屬支持體密接於基板之方式配置； [20]一種電容器集合基板，其特徵在於：藉由高比表面積導電性基材連結有複數個如上述[16]或[17]記載之電容器； [21]一種電容器之製造方法，上述電容器之特徵在於具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成，且 上述高比表面積導電性基材整體係由金屬燒結體構成，該電容器之製造方法包括如下步驟： 對至少2種金屬粉之混合物進行焙燒而製作上述高比表面積導電性基材； [22]如上述[21]記載之電容器之製造方法，其特徵在於：上述金屬粉之混合物包含平均粒徑不同之至少2種金屬粉； [23]如上述[21]或[22]記載之電容器之製造方法，其特徵在於：上述金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下； [24]如上述[21]至[23]中任一項記載之電容器之製造方法，其特徵在於：上述金屬粉之混合物包含熔點不同之至少2種金屬粉； [25]如上述[24]記載之電容器之製造方法，其特徵在於：相對於構成上述金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上； [26]如上述[21]至[25]中任一項記載之電容器之製造方法，其特徵在於：上述金屬粉之混合物包含熔點不同之至少2種金屬粉，相對於構成上述金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上，上述作為主成分之金屬粉之平均粒徑為熔點較構成上述作為主成分之金屬粉之金屬之熔點低100℃以上的上述金屬粉之平均粒徑之3倍以上； [27]一種電容器之製造方法，上述電容器具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成，且 上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體、及支持金屬燒結體之金屬支持體，該電容器之製造方法包括如下步驟： 將上述金屬支持體之表面粗化，於其上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作上述高比表面積導電性基材； [28]如上述[27]記載之電容器之製造方法，其特徵在於：經粗化之金屬支持體之表面上的金屬支持體表面之面內方向之凹部間之平均距離為配置於其上之金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑之1/30以上且1/2以下； [29]一種電容器之製造方法，上述電容器具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成，且 上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體、及支持金屬燒結體之金屬支持體，該電容器之製造方法包括如下步驟： 於上述金屬支持體上配置第1金屬粉，於其上配置第2金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作上述高比表面積導電性基材； [30]如上述[29]記載之電容器之製造方法，其特徵在於：上述第1金屬粉之平均粒徑為上述第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑之1/30以上且1/2以下； [31]如上述[29]或[30]記載之電容器之製造方法，其特徵在於：相較於構成上述第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成上述第1金屬粉之金屬之熔點低100℃以上； [32]一種電容器之製造方法，上述電容器具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成，且 上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體、及支持金屬燒結體之金屬支持體，該電容器之製造方法之特徵係包括如下步驟： 於上述金屬支持體上形成低熔點金屬之層，於其上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作上述高比表面積導電性基材，並且 相較於構成金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，上述低熔點金屬之熔點低100℃以上； [33]如上述[27]至[32]中任一項記載之電容器之製造方法，其特徵在於：金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下； [34]如上述[27]至[33]中任一項記載之電容器之製造方法，其特徵在於：相對於構成金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成金屬粉混合物中至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上。 [發明之效果] 根據本發明，於使用金屬燒結體作為電容器之高比表面積導電性基材之電容器中，藉由併用複數種金屬粉而形成金屬燒結體，能夠同時獲得充分之靜電電容與強度該兩者。又，於在金屬支持體上配置金屬粉後對該等進行焙燒而獲得高比表面積導電性基材之情形時，藉由對金屬支持體表面進行粗化處理、或藉由對金屬支持體表面提供低熔點金屬，能夠使金屬支持體與燒結體以充分之強度接合。
以下，一面參照圖式一面詳細地說明本發明之電容器。但各實施形態之電容器及各構成要素之形狀及配置等並不限定於圖示例。 再者，本說明書中，所謂「靜電電容形成部」係電容器中用以獲得靜電電容之部分，具有導電體(電極)-介電體-導電體(電極)之構造。例如靜電電容形成部可為高比表面積導電性基材-介電層-上部電極之構造。又，亦將高比表面積導電性基材中之構成靜電電容形成部之部分稱為「多孔部」。再者，所謂多孔部，典型而言意指具有複數個細孔之構造部分，但並不限定於此，亦意指具有用以實現高比表面積之其他構造之部分。 1.高比表面積導電性基材不具有金屬支持體之電容器 根據第1要旨，本發明提供一種電容器，其特徵在於：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 上述高比表面積導電性基材整體係由金屬燒結體構成。 圖1表示一實施形態之電容器1之概略剖視圖(其中，為了簡化圖式而未顯示高比表面積導電性基材之多孔構造)，圖2表示高比表面積導電性基材之概略俯視圖。又，圖3及圖4分別模式性地表示高比表面積導電性基材之高空隙率部(多孔部)及低空隙率部之剖面之放大圖。 如圖1、圖2、圖3及圖4所示，本實施形態之電容器1大致呈長方體形狀。電容器1概略而言具有4個靜電電容形成部2a、2a'、2b及2b'。靜電電容形成部2a係由高比表面積導電性基材3之高空隙率部5a、形成於高空隙率部5a上之介電層6a、及形成於介電層6a上之上部電極7a構成。靜電電容形成部2a'係以與靜電電容形成部2a隔著高比表面積導電性基材3而對向之方式由高空隙率部5a、介電層6a'及上部電極7a'構成。靜電電容形成部2b係由高比表面積導電性基材3之高空隙率部5b、形成於高空隙率部5b上之介電層6b、及形成於介電層6b上之上部電極7b構成。靜電電容形成部2b'係以與靜電電容形成部2b隔著高比表面積導電性基材3而對向之方式由高空隙率部5b、介電層6b'及上部電極7b'構成。高比表面積導電性基材3具有空隙率相對較高之高空隙率部(亦稱為多孔部)5a、5b、與空隙率相對較低之低空隙率部4。低空隙率部4位於高空隙率部5a、5b之周圍。即，低空隙率部4包圍高空隙率部5a、5b。高空隙率部5a、5b具有多孔構造，即相當於多孔部。靜電電容形成部2a與靜電電容形成部2a'藉由高比表面積導電性基材3之高空隙率部5a而電性連接，靜電電容形成部2b與靜電電容形成部2b'藉由高比表面積導電性基材3之高空隙率部5b而電性連接。又，靜電電容形成部2a及2a'與靜電電容形成部2b及2b'藉由高比表面積導電性基材3之低空隙率部4而串聯地電性連接。上部電極7a、7a'、7b及7b'上分別形成有外部電極8a、8a'、8b及8b'。低空隙率部4上形成有絕緣部9。絕緣部9將靜電電容形成部2a及2a'之上部電極及外部電極、與靜電電容形成部2b及2b'之上部電極及外部電極之間電性隔離。 如上所述之使用包含金屬燒結體之高比表面積導電性基材的電容器由於高比表面積導電性基材整體係由金屬燒結體構成，故而可將基材之大部分用作靜電電容形成部，可獲得更高之靜電電容密度。又，高比表面積導電性基材之多孔部之細孔係以貫通基材之方式形成，因此於藉由氣相法、例如原子層堆積法形成介電層之情形時，氣體會效率良好地到達細孔之細部，從而可縮短處理時間。進而，由於不具有支持體，故而可抑制高比表面積導電性基材之翹曲。 如上所述之特徵在於具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成，且上述高比表面積導電性基材整體係由金屬燒結體構成的電容器可藉由包括對至少2種金屬粉之混合物進行焙燒之步驟之方法獲得。例如可藉由如下方式製造。 首先，準備包含金屬燒結體之高比表面積導電性基材3(圖5-1(a))。 上述高比表面積導電性基材3(即金屬燒結體)可藉由對1種或2種以上之金屬粉進行焙燒而獲得。 於較佳態樣中，金屬燒結體可藉由將至少2種金屬粉加以混合後進行焙燒而獲得。如此藉由將2種以上之金屬粉加以混合後進行焙燒，即便不具有支持體，亦可獲得具有較高強度之高比表面積導電性基材，可兼具高靜電電容密度及高強度。 此處，本說明書中所謂「金屬粉」係金屬粒子之集合物，意指粒度分佈實質上呈現單峰者。即，即便為由同一構成元素、例如Ni構成之金屬粉，只要粒度分佈不同，則視作不同之金屬粉。又，金屬粉之形狀並無特別限定，可為球狀、橢圓狀、針狀、棒狀、線狀等。 作為構成金屬粉之金屬，只要為導電性，則並無特別限定，例如可列舉：Al、Ti、Ta、Nb、Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co、Fe、或該等之合金。 構成金屬粉之金屬較佳為Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co或Fe。藉由使用此種金屬，可減小金屬燒結體之等效串聯電阻(ESR：Equivalent Series Resistance)。又，該等金屬由於比電阻較低且為高熔點，故而能夠於高溫下進行退火處理，從而可獲得高品質之介電膜。 於一態樣中，金屬粉之混合物包含平均粒徑不同之至少2種、例如2種、3種或4種金屬粉。藉由使用平均粒徑不同之金屬粉，即便於相對低溫下進行焙燒之情形時，燒結體之強度亦提高。 此處，金屬粉之所謂「平均粒徑」意指平均粒徑D50(相當於體積基準之累積百分率50%之粒徑)。該平均粒徑D50可藉由例如動態光散射式粒度分析計(日機裝股份有限公司製造，UPA)進行測定。 又，金屬燒結體之平均粒徑可藉由如下方式求出：藉由聚焦離子束(FIB：Focused Ion Beam)加工將金屬燒結體加工成薄片，使用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)對該薄片試樣之特定區域(例如5 μm×5 μm)進行拍攝，對所獲得之圖像進行圖像解析。 於較佳態樣中，金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下，較佳為1/4以下，進而較佳為1/5以下。藉由設為此種平均粒徑比，可確保足以用作高比表面積導電性基材之機械強度，可降低電容器之不良率。另一方面，金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為較佳為1/30以上，更佳為1/20以上，進而較佳為1/15以上。藉由設為此種平均粒徑比，可進一步增大空隙率，可獲得更大之靜電電容。 關於金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量，相對於金屬粉混合物整體，可較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，進而較佳為20質量%以上。藉由將金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量設為5質量%以上，金屬燒結體之強度變得更高。另一方面，金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量可較佳為48質量%以下，更佳為40質量%以下，進而較佳為30質量%以下。藉由將金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量設為48質量%以下，可進一步保持空隙，可獲得更高之靜電電容。 於另一態樣中，金屬粉之混合物包含熔點不同之至少2種、例如2種、3種或4種金屬粉。藉由使用熔點不同之金屬粉，即便於相對低溫下進行焙燒之情形時，燒結體之強度亦提高。 於較佳態樣中，金屬粉混合物中，相對於構成成為金屬燒結體之主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上，更佳為低150℃以上，進而較佳為低200℃以上。如此藉由使用熔點不同之金屬粉，即便於相對低溫下進行焙燒之情形時，亦可利用低熔點金屬粉進行焙燒而獲得具備充分之空隙率與強度之金屬燒結體。 成為金屬燒結體之主成分之金屬粉與低熔點之金屬粉的組合並無特別限定，例如可列舉Ni與Cu之組合。 繼而，於上述所獲得之高比表面積導電性基材3形成槽部11(圖5-1(b))。上述槽部對應於低空隙率部4，其他部分對應於高空隙率部5a、5b(以下亦統稱為「高空隙率部5」)。 本說明書中，所謂「高空隙率部」意指高比表面積導電性基材中空隙率高於低空隙率部且比表面積較大之部分，於本發明中構成靜電電容形成部。高空隙率部5增大了高比表面積導電性基材3之比表面積，使電容器1之靜電電容進一步變大。 就增大比表面積、使電容器之靜電電容進一步變大之觀點而言，高空隙率部5之空隙率可較佳為30%以上，更佳為40%以上。又，就確保機械強度之觀點而言，較佳為90%以下，更佳為80%以下。 本說明書中，所謂「空隙率」係指高比表面積導電性基材中空隙所占之比率。該空隙率可藉由如下方式測定。再者，上述高比表面積導電性基材之空隙有可能於製作電容器之製程中最終被介電層及上部電極等填充，上述「空隙率」不考慮如此經填充之物質，亦將經填充之部位視作空隙而算出。 首先，藉由聚焦離子束(FIB：Focused Ion Beam)加工將高比表面積導電性基材加工成薄片。使用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)對該薄片試樣之特定區域(例如5 μm×5 μm)進行拍攝。對所獲得之圖像進行圖像解析，藉此求出高比表面積導電性基材中之金屬存在之面積。進而，根據下述等式可計算空隙率。 空隙率(%)＝((測定面積－基材中之金屬存在之面積)/測定面積)×100 上述低空隙率部4可藉由破壞(或填埋)以如上方式所獲得之金屬燒結體之一部分細孔而形成。作為破壞(填埋)細孔之方法，並無特別限定，例如可列舉：藉由雷射照射等使金屬熔融而破壞細孔之方法、或藉由模具加工、衝壓加工進行壓縮而破壞細孔之方法。作為上述雷射，並無特別限定，可列舉：CO2
雷射、YAG雷射、準分子雷射、以及飛秒雷射、皮秒雷射及奈秒雷射等全固體脈衝雷射。就更精細地控制形狀及空隙率之方面而言，較佳為飛秒雷射、皮秒雷射及奈秒雷射等全固體脈衝雷射。 低空隙率部4之空隙率較佳為25%以下，更佳為15%以下。又，低空隙率部之空隙率亦可為0%。即，低空隙率部可具有或不具有空隙。低空隙率部之空隙率越低則電容器之機械強度越提高。 再者，低空隙率部於本發明中並非必需之構成要素，亦可不存在。例如於圖1中，亦可不存在低空隙率部4，低空隙率部4存在之部位成為高空隙率部。其中，於該情形時，在代替低空隙率部4而存在之高空隙率部上未形成上部電極、外部電極等而形成絕緣部。 本實施形態中，高比表面積導電性基材3包含高空隙率部5、與存在於其周圍之低空隙率部4，但本發明並不限定於此。即，高空隙率部及低空隙率部之存在位置、設置數量、大小、形狀、兩者之比率等並無特別限定。例如高比表面積導電性基材可僅包含高空隙率部。又，藉由調整高空隙率部與低空隙率部之比率，可控制電容器之靜電電容。 上述高空隙率部5之厚度並無特別限定，可根據目的而適當選擇，例如可為5 μm以上，較佳為20 μm以上，又，較佳為1000 μm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為50 μm以下。再者，所謂高空隙率部之厚度意指假設所有細孔均被填埋之情形時之高空隙率部之厚度。 繼而，向低空隙率部4上(槽11內)注入樹脂而形成絕緣部9(圖5-1(c))。絕緣部9係以填埋低空隙率部4內部之空隙之方式形成。如此藉由填埋內部之空隙，可防止其後之介電層及上部電極形成至低空隙率部上。因此，絕緣部9發揮將鄰接之靜電電容形成部之上部電極間及外部電極間電性隔離的功能。 形成絕緣部9之材料只要為絕緣性，則並無特別限定，於其後利用原子層堆積法之情形時，較佳為具有耐熱性之樹脂。作為形成絕緣部9之絕緣材料，較佳為各種玻璃材料、陶瓷材料、聚醯亞胺系樹脂、氟系樹脂。 絕緣部9係藉由塗佈上述絕緣材料而形成。作為絕緣材料之塗佈方法，可列舉：氣動分注法、噴射分注法、網版印刷、靜電塗佈、噴墨法、光微影法等。 再者，於本發明之電容器中，絕緣部9並非必需之要素，亦可不存在。 繼而，於高空隙率部5上分別形成介電層6a、6a'、6b、6b'(以下亦統稱為「介電層6」)(圖5-2(d))。 上述介電層較佳為藉由氣相法、例如真空蒸鍍法、化學蒸鍍(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、濺鍍法、原子層堆積(ALD：Atomic Layer Deposition)法、脈衝雷射堆積法(PLD：Pulsed Laser Deposition)等或使用超臨界流體之方法形成。就甚至高空隙率部之細孔之細部均可形成更均質且緻密之膜之方面而言，更佳為ALD法。 形成上述介電層6之材料只要為絕緣性，則並無特別限定，可較佳地列舉：AlOx
(例如Al2
O3
)、SiOx
(例如SiO2
)、AlTiOx
、SiTiOx
、HfOx
、TaOx
、ZrOx
、HfSiOx
、ZrSiOx
、TiZrOx
、TiZrWOx
、TiOx
、SrTiOx
、PbTiOx
、BaTiOx
、BaSrTiOx
、BaCaTiOx
、SiAlOx
等金屬氧化物；AlNx
、SiNx
、AlScNx
等金屬氮化物；或AlOx
Ny
、SiOx
Ny
、HfSiOx
Ny
、SiCx
Oy
Nz
等金屬氮氧化物，較佳為AlOx
、SiOx
、SiOx
Ny
、HfSiOx
。再者，上述式僅表現材料之構成，並不限定組成。即，“O”及“N”所附之下標x、y及z可為大於0之任意值，包含金屬元素之各元素之存在比率為任意。又，介電層亦可為包含不同之複數層之層狀化合物。 介電層之厚度並無特別限定，例如較佳為3 nm以上且100 nm以下，更佳為5 nm以上且50 nm以下。藉由將介電層之厚度設為3 nm以上，可提高絕緣性，能夠減小洩漏電流。又，藉由將介電層之厚度設為100 nm以下，能夠獲得更大之靜電電容。介電層6a、6b亦可形成於絕緣部9上。 繼而，於介電層6a、6a'、6b及6b'上分別形成上部電極7a、7a'、7b及7b'(以下亦統稱為「上部電極7」)(圖5-2(e))。 上部電極可藉由ALD法形成。藉由採用ALD法，可進一步增大電容器之靜電電容。作為其他方法，可藉由能夠被覆介電層並實質上填埋基材之細孔的化學蒸鍍(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、鍍敷、偏壓濺鍍、Sol-Gel(溶膠-凝膠)法、導電性高分子填充等方法形成上部電極。可較佳地於介電層上藉由ALD法形成導電性膜，自其上藉由其他方法利用導電性材料、較佳為電阻更小之物質填充細孔而形成上部電極。藉由設為此種構成，可有效率地獲得更高之靜電電容密度及更低之等效串聯電阻(ESR：Equivalent Series Resistance)。 構成上述上部電極7之材料只要為導電性，則並無特別限定，可列舉：Ni、Cu、Al、W、Ti、Ag、Au、Pt、Zn、Sn、Pb、Fe、Cr、Mo、Ru、Pd、Ta及該等之合金、例如CuNi、AuNi、AuSn、以及TiN、TiAlN、TiON、TiAlON、TaN等金屬氮化物、金屬氮氧化物、導電性高分子(例如PEDOT(聚(3,4-乙二氧基噻吩))、聚吡咯、聚苯胺)等，較佳為TiN、TiON。 上部電極之厚度並無特別限定，例如較佳為3 nm以上，更佳為10 nm以上。藉由將上部電極之厚度設為3 nm以上，可減小上部電極本身之電阻。 再者，形成上部電極後，於上部電極不具有足以作為電容器電極之導電性之情形時，可藉由濺鍍、蒸鍍、鍍敷等方法於上部電極之表面追加形成包含Al、Cu、Ni等之引出電極層。 又，上部電極層7a、7b及引出電極層較佳為藉由不會形成至絕緣部9上之方法形成。例如為了不會將上部電極層7a、7b及引出電極層形成至絕緣部9上，可先於絕緣部9上形成遮罩後形成上部電極層7a、7b及引出電極層，其後去除遮罩及遮罩上之上部電極層7a、7b及引出電極層。於絕緣部9上形成有上部電極層或引出電極層之情形時，可藉由例如雷射、研磨去除上部電極層及引出電極層。作為其他方法，可藉由使用藥液之蝕刻處理而去除上部電極層及引出電極層。 繼而，於上部電極7a、7a'、7b、7b'上分別形成外部電極8a、8a'、8b、8b'(以下亦統稱為「外部電極8」)(圖5-2(f))。 外部電極8之形成方法並無特別限定，例如可採用CVD法、電解鍍敷、無電解鍍敷、蒸鍍、濺鍍、導電膏之燒附等，較佳為電解鍍敷、無電解鍍敷、蒸鍍、濺鍍等。 構成上述外部電極8之材料並無特別限定，例如可列舉：Au、Pb、Pd、Ag、Sn、Ni、Cu等金屬及合金、以及導電性高分子等。 再者，上述外部電極8並非必需要素，亦可不存在。於該情形時，上部電極7亦發揮作為外部電極之功能。即，上部電極7a及上部電極7b可作為一對電極發揮功能。於該情形時，可為上部電極7a發揮作為陽極之功能，上部電極7b發揮作為陰極之功能。或者亦可為上部電極7a發揮作為陰極之功能，上部電極7b發揮作為陽極之功能。 如此獲得之基板藉由高比表面積導電性基材而連結有複數個呈矩陣狀配置之本實施形態之電容器1，而成為電容器集合基板12(圖6)。 因此，本發明亦提供一種電容器集合基板，其特徵在於：藉由高比表面積導電性基材連結有複數個本發明之電容器。 繼而，藉由對所獲得之電容器集合基板12之絕緣部9之中心部進行全切而單片化為各零件(圖5-2(g))。 上述切割可使用各種雷射裝置、切片機、各種刃具、模具進行，較佳為使用雷射裝置、尤其光纖雷射裝置、奈秒雷射裝置。 如此所獲得之電容器1具有如下特徵：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 於一高比表面積導電性基材上具有由高比表面積導電性基材、介電層及上部電極所構成之第1、第2、第3及第4靜電電容形成部， 第1靜電電容形成部及第2靜電電容形成部存在於高比表面積導電性基材之一主面上， 第3靜電電容形成部及第4靜電電容形成部存在於高比表面積導電性基材之另一主面上， 第1靜電電容形成部及第3靜電電容形成部隔著高比表面積導電性基材而對向配置， 第2靜電電容形成部及第4靜電電容形成部隔著高比表面積導電性基材而對向配置。 以上說明了本實施形態之電容器1，但本發明之電容器可進行各種改變。 例如於本實施形態中，電容器為大致長方體形狀，但本發明並不限定於此。本發明之電容器可設為任意形狀，例如平面形狀可為圓形、橢圓形或圓角四邊形等。 又，本實施形態中，於高比表面積導電性基材之兩主面側具有靜電電容形成部，但亦可僅於一主面側具有靜電電容形成部。即，圖1之下表面側之靜電電容形成部2a'及2b'可不存在，而取而代之存在絕緣部9。又，4個外部電極8a、8a'、8b、8b'中，8a或8a'中之任一者可不存在，而取而代之存在絕緣部9，8b或8b'中之任一者可不存在，而取而代之存在絕緣部9。 即，如上所述之電容器係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 於高比表面積導電性基材之一主面上具有由高比表面積導電性基材、介電層及上部電極所構成之第1及第2靜電電容形成部， 於高比表面積導電性基材之另一主面上具有絕緣層。 進而，於各層間可具有用以提高層間密接性之層、或用以防止各層間發生成分擴散之緩衝層等。又，於電容器之側面等可具有保護層。 2.高比表面積導電性基材具有金屬支持體與其所支持之金屬燒結體的電容器 根據第2要旨，本發明提供一種電容器，其特徵在於：其係具有 高比表面積導電性基材、 位於高比表面積導電性基材上之介電層、及 位於介電層上之上部電極而成者，且 高比表面積導電性基材具有金屬燒結體及金屬支持體而成， 金屬燒結體支持於金屬支持體。 圖7表示一實施形態之電容器21之概略剖視圖(其中，為了簡化圖式而未顯示空隙)，圖8表示高比表面積導電性基材之概略俯視圖。又，圖9模式性地表示高比表面積導電性基材之高空隙率部之剖面之放大圖。 如圖7、圖8及圖9所示，本實施形態之電容器21大致呈長方體形狀，概略而言具有高比表面積導電性基材22、形成於高比表面積導電性基材22上之介電層23、及形成於介電層23上之上部電極24而成。高比表面積導電性基材22於一主面側具有空隙率相對較高之高空隙率部25與空隙率相對較低之低空隙率部26。高空隙率部25位於高比表面積導電性基材22之第1主面之中央部，低空隙率部26位於其周圍。即，低空隙率部26包圍高空隙率部25。高空隙率部25具有多孔構造。又，高比表面積導電性基材22於另一主面(第2主面)側具有金屬支持體27。即，高空隙率部25及低空隙率部26構成高比表面積導電性基材22之第1主面，支持體27構成高比表面積導電性基材2之第2主面。圖7中，第1主面為高比表面積導電性基材22之上表面，第2主面為高比表面積導電性基材22之下表面。於電容器21之末端部，在低空隙率部26與介電層23之間存在絕緣部28。電容器21於上部電極24上具備第1外部電極29，且於高比表面積導電性基材22之支持體27側之主面上具備第2外部電極30。本實施形態之電容器21中，第1外部電極29與上部電極24電性連接，第2外部電極30與支持體27電性連接。上部電極24與高比表面積導電性基材22之高空隙率部25隔著介電層23相對向，若對上部電極24與高比表面積導電性基材22通電，則可將電荷儲存至介電層23內。 具有金屬支持體及其所保持之金屬燒結體的高比表面積導電性基材強度較高，不易發生介電層出現裂痕等不良情況。 如上所述之具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成，且上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體及支持金屬燒結體之金屬支持體的電容器可藉由包括如下步驟之方法獲得，即，於金屬支持體上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作具有高比表面積之導電性基材法。例如藉由如下方式製造。 首先，準備包含金屬燒結體與支持金屬燒結體之金屬支持體的高比表面積導電性基材。 上述高比表面積導電性基材可藉由於金屬支持體上配置金屬粉或金屬粉之混合物，繼而對該等進行焙燒而獲得。 構成金屬支持體之金屬並無特別限定，例如可列舉：Al、Ti、Ta、Nb、Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co、Fe、或該等之合金。構成金屬支持體之金屬較佳為Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co或Fe。藉由使用此種金屬，可減小等效串聯電阻(ESR：Equivalent Series Resistance)。又，該等金屬由於比電阻較低且為高熔點，故而能夠於高溫下進行退火處理，而可獲得高品質之介電膜。 配置於高比表面積導電性基材上之金屬粉之混合物可為與上述電容器1中所使用之金屬粉之混合物相同者。 作為構成金屬粉之金屬，只要為導電性則並無特別限定，例如可列舉：Al、Ti、Ta、Nb、Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co、Fe、或該等之合金。 構成金屬粉之金屬較佳為Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co或Fe。藉由使用此種金屬，可減小金屬燒結體之等效串聯電阻(ESR：Equivalent Series Resistance)。又，該等金屬由於比電阻較低且為高熔點，故而能夠於高溫下進行退火處理，而可獲得高品質之介電膜。 於一態樣中，金屬粉之混合物包含平均粒徑不同之至少2種、例如2種、3種或4種金屬粉。藉由使用平均粒徑不同之金屬粉，即便於相對低溫下進行焙燒之情形時，燒結體之強度亦提高。 於較佳態樣中，金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下，較佳為1/4以下，進而較佳為1/5以下。藉由設為此種平均粒徑比，可確保足以用作高比表面積導電性基材之機械強度，可降低電容器之不良率。另一方面，金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為較佳為1/30以上，更佳為1/20以上，進而較佳為1/15以上。藉由設為此種平均粒徑比，可進一步增大空隙率，可獲得更大之靜電電容。 金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量可較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，進而較佳為20質量%以上。藉由將金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量設為5質量%以上，金屬燒結體之強度變得更高。另一方面，金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量可較佳為48質量%以下，更佳為40質量%以下，進而較佳為30質量%以下。藉由將金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之含量設為48質量%以下，可進一步保持空隙，可獲得更高之靜電電容。 於另一態樣中，金屬粉之混合物包含熔點不同之至少2種、例如2種、3種或4種金屬粉。藉由使用熔點不同之金屬粉，即便於相對低溫下進行焙燒之情形時，燒結體之強度亦提高。 於較佳態樣中，金屬粉混合物中，相對於構成成為金屬燒結體之主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上，更佳為低150℃以上，進而較佳為低200℃以上。如此藉由使用熔點不同之金屬粉，即便於相對低溫下進行焙燒之情形時，亦可利用低熔點金屬粉進行焙燒而獲得具備充分之空隙率與強度之金屬燒結體。 成為金屬燒結體之主成分之金屬粉與低熔點之金屬粉的組合並無特別限定，例如可列舉Ni與Cu之組合。 於一較佳態樣中，高比表面積導電性基材係藉由將金屬支持體之表面粗化，於其上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而獲得。 作為將金屬支持體之表面粗化之方法，例如可列舉：使用硫酸-過氧化氫系蝕刻劑、硝酸系蝕刻劑等之蝕刻等化學方法、或噴砂、銼磨等物理方法。 經粗化之金屬支持體之表面具有凹凸，金屬支持體表面之面內方向之凹部間之平均距離可為配置於其上之金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的較佳為1/30以上，更佳為1/20以上，進而較佳為1/15以上，又，較佳為1/2以下，更佳為1/3以下，進而較佳為1/4以下。藉由將金屬支持體表面之凹凸之短邊長設為此種範圍，可更牢固地接合金屬支持體與金屬燒結體。 關於金屬支持體表面之面內方向之凹部間之平均距離，可使用表面掃描式探針顯微鏡(SPM：Scanning Probe Microscope)，於特定區域(例如3 μm×3 μm)引出將該區域分成4個正方形之2條直線，求出該直線上之凹部間之距離之平均值，將其設為上述凹部間之平均距離。 該態樣下所獲得之高比表面積導電性基材中，連結金屬燒結體與金屬支持體之頸縮(即，構成金屬燒結體之金屬粉與金屬支持體之頸縮)之平均徑大於金屬燒結體中之金屬粉彼此之頸縮之平均徑。 頸縮之平均徑可藉由如下方式求出，即，使用TEM對經FIB加工所獲得之薄片試樣之特定區域進行拍攝，對所獲得之圖像進行圖像解析。即，測定金屬粉與金屬支持體、或金屬粉彼此連結之頸縮部分之最小寬度，頸縮之平均徑係定義為20個頸縮之測定值之平均。再者，上述20個頸縮係自隨機選擇之50個頸縮中選擇測定值較大之20個頸縮。例如金屬粉彼此之頸縮之平均徑係如圖12中箭頭所示之金屬燒結體31中之粒子間之頸縮部位33之最細部之平均值。又，金屬粉與金屬支持體之間之頸縮係如圖13中箭頭所示之金屬燒結體31粒子與金屬支持體27之間之頸縮部位34之最細部之平均值。 於一較佳態樣中，高比表面積導電性基材係藉由於金屬支持體上配置第1金屬粉，於其上配置第2金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而獲得。 上述第2金屬粉或金屬粉混合物對應於上述態樣中之金屬粉及金屬粉混合物，上述第1金屬粉為與該等不同之金屬粉。 作為構成第1金屬粉之金屬，只要為導電性則並無特別限定，例如可列舉：Al、Ti、Ta、Nb、Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co、Fe、或該等之合金。 於一態樣中，第1金屬粉之平均粒徑為第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的1/2以下，較佳為1/3以下，更佳為1/4以下，進而較佳為1/5以下。又，第1金屬粉之平均粒徑為第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的較佳為1/30以上，更佳為1/20以上，進而較佳為1/15以上。藉由將第1金屬粉之平均粒徑設為此種範圍，可更牢固地接合金屬燒結體與金屬支持體。 該態樣下所獲得之高比表面積導電性基材中，連結金屬燒結體與金屬支持體之頸縮之平均徑大於金屬燒結體之大致中央部中之頸縮之平均徑。 於一態樣中，相較於構成第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成第1金屬粉之金屬之熔點低100℃以上，更佳為低150℃以上，進而較佳為低200℃以上。藉由選擇熔點較低之金屬作為構成第1金屬粉之金屬，可更牢固地接合金屬支持體與金屬燒結體。 該態樣下所獲得之高比表面積導電性基材中，金屬燒結體與金屬支持體之界面附近存在熔點較構成金屬燒結體之大致中央部之金屬低100℃以上、更佳為低150℃以上、進而較佳為低200℃以上的金屬。 於較佳態樣中，相較於構成金屬支持體之金屬之熔點，構成第1金屬粉之金屬之熔點低100℃以上，更佳為低150℃以上，進而較佳為低200℃以上。 該態樣下所獲得之高比表面積導電性基材中，金屬燒結體與金屬支持體之界面附近存在熔點較構成金屬支持體之金屬低100℃以上、更佳為低150℃以上、進而較佳為低200℃以上的金屬。 於該態樣中，第1金屬粉較佳為Cu。又，第1金屬粉與第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉的組合並無特別限定，例如較佳為Ni與Cu之組合。 第1金屬粉係以較佳為0.3 μm以上、更佳為1 μm以上、進而較佳為3 μm以上之層之形式配置於高比表面積導電性基材上。藉由將第1金屬粉之層設為1 μm以上之層，可使金屬燒結體與金屬支持體更牢固地結合。又，第1金屬粉係以較佳為50 μm以下、更佳為30 μm以下、進而較佳為10 μm以下之層之方式配置於高比表面積導電性基材上。藉由將第1金屬粉之層設為30 μm以下之層，可進一步增大靜電電容。 於一較佳態樣中，高比表面積導電性基材係藉由於金屬支持體上形成低熔點金屬層，於其上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而獲得。 構成低熔點金屬層之金屬之熔點相較於構成配置於其上之金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，低100℃以上，更佳為低150℃以上，進而較佳為低200℃以上。藉由選擇熔點較低之金屬作為構成低熔點金屬層之金屬，可更牢固地接合金屬支持體與金屬燒結體。 作為構成低熔點金屬層之金屬，例如可列舉：Al、Ti、Ta、Nb、Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co、Fe、或該等之合金。 低熔點金屬層之厚度可較佳為0.3 μm以上，更佳為1 μm以上，進而較佳為3 μm以上。藉由將低熔點金屬層之厚度設為1 μm以上，可更牢固地接合金屬支持體與金屬燒結體。又，低熔點金屬層之厚度可較佳為50 μm以下，更佳為30 μm以下，進而較佳為10 μm以下。藉由將低熔點金屬層之厚度設為30 μm以下，可進一步增大靜電電容。 該態樣下所獲得之高比表面積導電性基材中，於金屬燒結體與金屬支持體之界面附近存在熔點較構成金屬燒結體之大致中央部之金屬低100℃以上、更佳為150℃以上、進而較佳為200℃以上的金屬。 上述金屬支持體之粗化處理、金屬支持體上之第1金屬粉之配置、及金屬支持體上之低熔點金屬層之形成可於金屬支持體整個面上進行，或者亦可僅於金屬燒結體形成部位形成。例如於對金屬支持體之上表面整體進行處理而整體形成有金屬燒結體之情形時，如圖10(a)所示，獲得於金屬支持體27整體上設置有金屬燒結體31之高比表面積導電性基材22。另一方面，於僅對金屬支持體之一部分進行處理而於其上形成有金屬燒結體之情形時，如圖10(b)所示，獲得於金屬支持體27之一部分設置有金屬燒結體31之高比表面積導電性基材22。 如此所形成之高比表面積導電性基材由於在金屬支持體與金屬燒結體之界面附近進行燒結，故而金屬支持體與金屬燒結體牢固地接合，又，由於界面附近以外之處比較不進行金屬燒結體之燒結，故而基材不易發生翹曲。又，由於具有金屬支持體，故而強度較高，不易發生於介電層出現裂痕等不良情況。 繼而，於上述所獲得之高比表面積導電性基材22(圖11-1(a))形成槽部32(圖11-1(b))。上述槽部對應於低空隙率部26，其他部分對應於高空隙率部25。 槽部(低空隙率部)之形成方法中，可藉由將上述所獲得之高比表面積導電性基材之一部分空隙加以破壞(或填埋)而形成槽部。 再者，低空隙率部26於本發明中並非必需之構成要素，亦可不存在。例如亦可為自圖11-1(b)所示之高比表面積導電性基材去除低空隙率部26所得之高比表面積導電性基材。又，亦可為將位於槽部32之下方之低空隙率部26換成高空隙率部所得之高比表面積導電性基材。 又，本實施形態中，高比表面積導電性基材22包含高空隙率部25與存在於其周圍之低空隙率部26，但本發明並不限定於此。即，高空隙率部及低空隙率部之存在位置、設置數量、大小、形狀、兩者之比率等並無特別限定。例如高比表面積導電性基材可僅包含高空隙率部。又，藉由調整高空隙率部與低空隙率部之比率，可控制電容器之靜電電容。 破壞(填埋)空隙之方法、低空隙率部及低空隙率部之空隙率及厚度等可與上述電容器1之低空隙率部4之有關記載相同。 繼而，向低空隙率部26上(槽內)注入樹脂而形成絕緣部28(圖11-1 (c))。藉由設置絕緣部28，可防止上部電極24與高比表面積導電性基材22間發生短路(short)。 再者，本實施形態中，絕緣部28存在於整個低空隙率部26上，但並不限定於此，亦可僅存在於低空隙率部26之一部分上，又，亦可超出低空隙率部而甚至存在至高空隙率部上。 又，本實施形態中，絕緣部28位於低空隙率部26與介電層23之間，但並不限定於此。絕緣部28只要位於高比表面積導電性基材22與上部電極24之間即可，例如亦可位於介電層23與上部電極24之間。 絕緣部28之厚度並無特別限定，就更確實地防止端面放電之觀點而言，較佳為0.3 μm以上，例如可為1 μm以上或5 μm以上。又，就電容器之低背化之觀點而言，較佳為100 μm以下，例如可為50 μm以下或20 μm以下。 絕緣部28之形成材料及形成方法可與上述電容器1之絕緣部9相同。 再者，本發明之電容器中，絕緣部28並非必需要素，亦可不存在。 繼而，於上述高空隙率部25及絕緣部28上形成介電層23，進而於其上形成上部電極24(圖11-2(d))。又，於上部電極24上形成第1外部電極29，於金屬支持體27上形成第2外部電極30(圖11-2(e))。 關於介電層23、上部電極24、第1外部電極29及第2外部電極30，使用材料、形成方法、厚度等可與上述電容器1之介電層6、上部電極7及外部電極8相同。 繼而，藉由對所獲得之電容器集合基板之絕緣部28之中心部進行全切而單片化為各零件(圖11-2(f))。 以上說明了本實施形態之電容器21，但本發明之電容器可進行各種改變。 例如於本實施形態中，電容器為大致長方體形狀，但本發明並不限定於此。本發明之電容器可設為任意形狀，例如平面形狀可為圓形、橢圓形或圓角四邊形等。 又，於各層間可具有用以提高層間密接性之層、或用以防止各層間發生成分擴散之緩衝層等。又，於電容器之側面等可具有保護層。 又，上述實施形態中，電容器之末端部依序設置有高比表面積導電性基材22、絕緣部28、介電層23、上部電極24，但本發明並不限定於此。例如該設置順序只要絕緣部28位於上部電極24與高比表面積導電性基材22之間，則並無特別限定，例如亦可依序設置高比表面積導電性基材22、介電層23、絕緣部28、上部電極24。 進而，上述實施形態之電容器21中，甚至電容器之邊緣部仍存在上部電極及外部電極，但本發明並不限定於此。於一態樣中，上部電極(較佳為上部電極及第1外部電極)係以與電容器之邊緣部隔離之方式設置。藉由如此設置，可防止端面放電。即，上部電極可並非以被覆高空隙率部整體之方式形成，上部電極亦可以僅被覆高空隙率部之方式形成。 進而，上述實施形態之電容器僅於一主面具有金屬燒結體，亦可隔著金屬支持體而於兩主面具有金屬燒結體。 於較佳態樣中，本發明之電容器藉由堆積法(例如氣相法，較佳為原子層堆積法)形成介電層。於藉由陽極氧化而形成介電層之情形時，介電膜具有極性，若對其施加逆電場，則存在發生絕緣破壞之問題。又，陽極氧化膜中存在羥基等缺陷，因此無法獲得破壞電壓較高之電容器。本態樣中之電容器藉由利用堆積法形成無缺陷之非陽極氧化膜之介電膜，可獲得無極性、且破壞電壓較高之電容器。 本發明之電容器由於金屬燒結體中之金屬粉充分頸縮、或牢固地接合於金屬支持體，故而具有較高強度。使用陽極氧化膜作為介電體、使用導電性高分子或電解質作為電極之電解電容器即便於介電層被破壞而發生短路之情形時，亦具有恢復絕緣性之自我修復效果，但藉由積層法獲得之電容器則未必具有自我修復效果。因此，即便僅存在微小之破壞起點，亦有可能導致絕緣破壞。就防止該絕緣破壞之觀點而言，具有較高強度之本發明之電容器較為有利。 本發明之電容器由於強度相對較高，故而適於進行基板安裝。 本發明之電容器可於基板上、例如有機基板、矽、陶瓷、玻璃基板等、尤其有機基板上直接形成。 本發明之電容器由於焙燒步驟相對低溫，故而可減少對基板產生之熱影響，尤其於使用有機基板之情形時，可抑制釋氣之產生、翹曲等。 因此，本發明亦提供一種基板，其配置有本發明之電容器，該電容器係以高比表面積導電性基材之金屬支持體密接於基板、尤其有機基板之方式配置。 實施例 實施例1 準備具有表1所示之平均粒徑之Ni粉及Cu粉。單獨使用表1所示之金屬原料1、或以特定比率與金屬原料2混合使用，且於乙醇中使用1 mm之氧化鋯球，利用球磨機進行分散。於該分散液中添加聚乙烯醇，製作對應於試樣編號1〜16之金屬粉漿料。 使用該等漿料，藉由刮刀法於平坦之氧化鋁基板上以乾燥後之厚度約為100 μm之方式形成金屬粉層。將該試樣於焙燒爐中在200℃〜300℃下脫脂後，於氮氣環境中在300〜650℃下進行5分鐘之熱處理而獲得金屬燒結體。金屬燒結體並未固接於氧化鋁基板，可作為金屬燒結體自氧化鋁基板分離。 使用該金屬燒結體作為高比表面積導電性基材。金屬燒結體為邊長約50 mm之板狀，加工為集合基板。繼而，使用光纖雷射裝置或奈秒雷射裝置於集合基板上形成槽部。槽部所對應之部分為低空隙率部。 繼而，使用氣動分注裝置向槽部內以槽部之細孔內亦被充分浸透之方式填充聚醯亞胺樹脂。 繼而，於金屬燒結體上藉由ALD法進行25 nm之SiOx
之成膜而形成介電層，繼而，於介電層之上藉由ALD法進行TiN之成膜而形成上部電極。 繼而，於集合基板之上下表面藉由蒸鍍形成圖案，藉由無電解鍍敷形成作為外部電極之Cu層。 對槽部內所填充之絕緣體之中心部進行全切，藉此單片化為各零件，而獲得1.0 mm×0.5 mm尺寸之電容器(試樣編號1〜16)。再者，試樣編號1、2、3、7及13為比較例。 評價 使用阻抗分析器，以1 MHz、1 mV測定如此製作之電容器之靜電電容。又，將於施加有5 V之DC電場時緣電阻成為1 kΩ以下之試樣判定為短路試樣，算出短路(short)率。將結果一併示於表1。 藉由如下方式求出金屬燒結體之空隙率。首先，採用FIB微取樣加工法將電容器試樣之大致中央部加工成薄片，而準備分析試樣。再者，FIB加工時所形成之試樣表面之變質層係藉由Ar離子研磨而去除。關於分析試樣之加工，FIB係使用SMI3050SE(Seiko Instruments公司製造)，Ar離子研磨係使用PIPS model 691(Gatan公司製造)。繼而，利用掃描式穿透電子顯微鏡(STEM)對分析試樣之3 μm×3 μm之範圍進行觀察。STEM係使用JEM-2200FS(JEOL製造)(加速電壓＝200 kV)。對觀察區域進行圖像解析，根據金屬燒結體中之金屬存在面積求出空隙率。求出任意3個部位之空隙率，將3個部位之平均值一併示於表1。 [表1]
如表1所示，可確認混合2種金屬粉焙燒而成之本發明之電容器達成較高之靜電電容與較低之短路率。 實施例2 準備具有表2所示之平均粒徑之Ni粉及Cu粉。單獨使用表2所示之金屬原料1、或以特定比率與金屬原料2混合使用，且於乙醇中使用1 mm之氧化鋯球，利用球磨機進行分散。於該分散液中添加聚乙烯醇，製作對應於試樣編號21〜35之金屬粉漿料。 另一方面，準備Ni箔及Cu箔作為金屬支持體，浸漬於鹼性溶液中進行表面處理後，利用硫酸-過氧化氫系蝕刻劑，改變處理時間而對金屬箔表面進行粗化處理。 藉由刮刀法於該Ni及Cu箔上塗佈上述漿料，以乾燥後之厚度約為50 μm之方式形成金屬粉層。將該試樣於焙燒爐中在200〜300℃下脫脂後，於氮氣環境中在300〜600℃下進行5分鐘之熱處理而獲得金屬燒結體。 使用如此獲得之僅單側面形成有金屬燒結體之基材作為高比表面積導電性基材。金屬燒結體為邊長約50 mm之板狀，加工為集合基板。 首先，使用光纖雷射裝置或奈秒雷射裝置於集合基板上形成槽部。槽部所對應之部分為低空隙率部。 繼而，於金屬燒結體上藉由ALD法進行15 nm之SiON之成膜而形成介電層。繼而，使用氣動分注裝置向槽部內填充聚醯亞胺樹脂而形成絕緣部。繼而，於介電層及絕緣部之上藉由ALD法進行TiN之成膜而形成上部電極，於基材之上下表面藉由濺鍍形成Ti及Cu膜，繼而，藉由無電解鍍敷形成Cu之外部電極。 藉由使用光纖雷射裝置或奈秒雷射裝置對槽部內所填充之絕緣部之中心部進行全切而單片化為各零件，獲得1.5 mm×1.5 mm尺寸之電容器(試樣編號21〜35)。再者，試樣編號21、27、32及34為比較例。 評價 藉由與實施例1相同之方式測定靜電電容、短路率及空隙率。將結果一併示於表2。 [表2]
進而，藉由如下方式對試樣編號21及23測定頸縮之平均徑。藉由與上述空隙率之測定相同之方式準備電容器試樣之薄片試樣，進行圖像解析。隨機選擇金屬粉與金屬支持體間之頸縮、及金屬粉間連結之頸縮各50個，測定頸縮部分之最小寬度，求出測定值較大之20個之平均值。將結果示於下述表3。 [表3]
如表2所示，可確認表面經充分粗化之本發明之電容器其短路率較低。認為其原因在於藉由將金屬支持體之表面粗化而使金屬燒結體與金屬支持體充分頸縮。又，如表3所示，可確認表面經充分粗化之本發明之電容器中，金屬燒結體與金屬支持體間之頸縮之平均徑大於金屬粉間之頸縮之平均徑。 實施例3 準備具有表3所示之平均粒徑之Ni粉及Cu粉。單獨使用表3所示之金屬原料1、或以特定比率與金屬原料2混合使用，且於乙醇中使用1 mm之氧化鋯球，利用球磨機進行分散。於該分散液中添加聚乙烯醇，製作對應於試樣編號41〜56之金屬粉漿料。 另一方面，準備表面未經粗化之厚度10 μm之Ni箔(試樣編號41〜53)、及表面以凹部間距離為0.15 μm之方式經粗化之厚度10 μm之Ni箔(試樣編號54)作為支持體。進而，於平板玻璃上藉由旋轉塗佈而塗佈環氧樹脂，並藉由濺鍍形成0.5 μm之Ni金屬層而作為支持體(試樣編號55)。又，於平板玻璃上藉由旋轉塗佈而塗佈環氧樹脂，並藉由無電解鍍敷形成1 μm之Cu層而作為支持體(試樣編號56)。 使用噴墨塗佈機於該等支持體上進行表3之金屬粒子層1所示之金屬粉之漿料之圖案塗佈，使之乾燥。其後，使用噴嘴徑較大之噴墨塗佈機塗佈平均粒徑相對較大之表3之金屬粒子層2所示之金屬粉之漿料，於金屬粒子層1上大概形成數μm之層，經過反覆之乾燥、塗佈，而形成乾燥後之合計厚度約100 μm之金屬粉層。將該試樣於焙燒爐中在200〜300℃下脫脂後，於氮氣環境中在300〜600℃下進行5分鐘之熱處理而獲得金屬燒結體。 使用如此獲得之僅單側面形成有金屬燒結體之基材作為高比表面積導電性基材。金屬燒結體為邊長約50 mm之板狀，加工為集合基板。 繼而，藉由ALD法進行20 nm之AlOx
之成膜而作為介電層，試樣編號41〜54係單片化為0.4 mm×0.4 mm尺寸之電容器，試樣編號55及56係單片化為0.3 mm×0.3 mm尺寸之電容器，除此以外，藉由與實施例2相同之方式獲得電容器(試樣編號41〜56)。試樣編號41、48及49為比較例。 評價 藉由與實施例1相同之方式測定靜電電容、短路率及空隙率。將結果一併示於表4。 [表4]
進而，藉由與實施例2相同之方式對試樣編號21及23測定頸縮之平均徑。將結果示於下述表5。 [表5]
如表4所示，可確認於金屬支持體之表面配置具有特定粒徑之金屬粉所製作之本發明之電容器其短路率較低。認為其原因在於藉由金屬支持體之表面之金屬粉而使金屬支持體與金屬燒結體之界面充分頸縮。又，如表5所示，可確認於金屬支持體之表面配置具有特定粒徑之金屬粉所製作之本發明之電容器中，金屬燒結體與金屬支持體間之頸縮之平均徑大於金屬粉間之頸縮之平均徑。 實施例4 準備於正反面配設有10 μm之Cu箔或Ni箔之邊長約100 mm之環氧系樹脂基板。預先對樹脂基板上之金屬箔進行圖案化以形成電子電路。 另一方面，準備具有表4所示之平均粒徑之Ni粉及Cu粉。單獨使用表4所示之金屬原料1、或以特定比率與金屬原料2混合使用，且於乙醇中使用1 mm之氧化鋯球，利用球磨機進行分散。於該分散液中添加聚乙烯醇，製作對應於試樣編號61〜71之金屬粉漿料。 於樹脂基板上之金屬箔(表4之有機基板上之金屬種類)上，採用噴墨法將表4之金屬粒子層1所示之金屬粉之漿料以間隔1.5 mm多次塗佈於對應於每個電容器之1 mm之範圍，使之乾燥。其後，使用噴嘴徑較大之噴墨塗佈機塗佈平均粒徑相對較大之表4之金屬粒子層2所示之金屬粉之漿料而形成數μm之層，經過反覆之乾燥、塗佈，而形成乾燥後之合計厚度約為20 μm之金屬粉層。將該試樣於焙燒爐中在200〜300℃下脫脂後，於氮氣環境中在290〜450℃下進行5分鐘之熱處理而獲得金屬燒結體。 使用如此獲得之僅單側面形成有金屬燒結體之基材作為高比表面積導電性基材。 繼而，藉由ALD法於300℃下進行15 nm之AlOx
之成膜而形成介電層。繼而，使用氣動分注裝置於金屬燒結體間塗佈聚醯亞胺樹脂而形成絕緣部。繼而，藉由ALD法於350℃下形成TiN膜作為上部電極。繼而，僅於基板之金屬燒結體之上表面藉由蒸鍍法形成Cu層圖案，藉由鍍敷形成外部電極，而獲得電容器(試樣編號61〜71)。再者，試樣編號61、63、69及70為比較例。 評價 藉由與實施例1相同之方式測定靜電電容、短路率及空隙率。將結果一併示於表6。又，將基板以凹部朝下之方式置於平坦之定盤上，利用平面規(surface gauge)測定翹曲量。將自測定值中去除平均箔厚所得之值作為翹曲量。 [表6]
如表6所示，可確認使用複數種金屬粉焙燒而成之本發明之電容器即便於基板上進行焙燒之情形時，短路率亦較低，基板之翹曲較小。認為其原因在於即便焙燒未過度進行，亦可獲得強度充分之金屬燒結體。再者，認為短路率整體上高於實施例1之原因在於：於ALD中，自樹脂基板產生之排氣導致發生局部CVD反應等，而引起介電體之膜厚及膜質之不均。 [產業上之可利用性] 本發明之電容器由於具有較高之靜電電容，故而適用於各種電子機器。本發明之電容器係安裝於基板上而用作電子零件。或者本發明之電容器係埋設至基板或插入式基板內而用作電子零件。
1‧‧‧電容器
2a、2a'、2b、2b'‧‧‧靜電電容形成部
3‧‧‧高比表面積導電性基材
4‧‧‧低空隙率部
5、5a、5b‧‧‧高空隙率部
6、6a、6a'、6b、6b'‧‧‧介電層
7、7a、7a'、7b、7b'‧‧‧上部電極
8、8a、8a'、8b、8b'‧‧‧外部電極
9‧‧‧絕緣部
11‧‧‧槽部
12‧‧‧電容器集合基板
21‧‧‧電容器
22‧‧‧高比表面積導電性基材
23‧‧‧介電層
24‧‧‧上部電極
25‧‧‧高空隙率部
26‧‧‧低空隙率部
27‧‧‧金屬支持體
28‧‧‧絕緣部
29‧‧‧第1外部電極
30‧‧‧第2外部電極
31‧‧‧金屬燒結體
32‧‧‧槽部
33‧‧‧頸縮部位
34‧‧‧頸縮部位
2a、2a'、2b、2b'‧‧‧靜電電容形成部
3‧‧‧高比表面積導電性基材
4‧‧‧低空隙率部
5、5a、5b‧‧‧高空隙率部
6、6a、6a'、6b、6b'‧‧‧介電層
7、7a、7a'、7b、7b'‧‧‧上部電極
8、8a、8a'、8b、8b'‧‧‧外部電極
9‧‧‧絕緣部
11‧‧‧槽部
12‧‧‧電容器集合基板
21‧‧‧電容器
22‧‧‧高比表面積導電性基材
23‧‧‧介電層
24‧‧‧上部電極
25‧‧‧高空隙率部
26‧‧‧低空隙率部
27‧‧‧金屬支持體
28‧‧‧絕緣部
29‧‧‧第1外部電極
30‧‧‧第2外部電極
31‧‧‧金屬燒結體
32‧‧‧槽部
33‧‧‧頸縮部位
34‧‧‧頸縮部位
圖1係本發明之一實施形態之電容器1之概略剖視圖。 圖2係圖1所示之電容器1之導電性金屬基材之概略俯視圖。 圖3係模式性地表示圖1所示之電容器1之高空隙率部之剖面的放大圖。 圖4係模式性地表示圖1所示之電容器1之低空隙率部之剖面的放大圖。 圖5-1(a)〜(c)係用以說明圖1所示之電容器1之製造方法之概略剖視圖。 圖5-2(d)〜(g)係用以說明圖1所示之電容器1之製造方法之概略剖視圖。 圖6係圖5-2(f)所示之集合基板之概略立體圖。 圖7係本發明之一實施形態之電容器21之概略剖視圖。 圖8係圖7所示之電容器21之導電性金屬基材之概略俯視圖。 圖9係模式性地表示圖7所示之電容器21之高空隙率部之剖面的放大圖。 圖10(a)及(b)係包含金屬支持體與金屬燒結體之導電性金屬基材之概略剖視圖。 圖11-1(a)〜(c)係用以說明圖7所示之電容器21之製造方法之概略剖視圖。 圖11-2(d)〜(f)係用以說明圖7所示之電容器21之製造方法之概略剖視圖。 圖12係模式性地表示用以說明本發明之金屬燒結體之頸縮之平均徑的、金屬燒結體之剖面之圖。 圖13係模式性地表示用以說明本發明之金屬燒結體與金屬支持體間之頸縮之平均徑的、高比表面積導電性基材之剖面之圖。
1‧‧‧電容器
2a、2a'、2b、2b'‧‧‧靜電電容形成部
3‧‧‧高比表面積導電性基材
4‧‧‧低空隙率部
5a、5b‧‧‧高空隙率部
6a、6b‧‧‧介電層
7a、7b‧‧‧上部電極
8a、8b‧‧‧外部電極
9‧‧‧絕緣部
Claims (23)
- 一種電容器，其特徵在於：其係具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成者，且上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體及金屬支持體而成，上述金屬燒結體藉由頸縮而支持於上述金屬支持體，連結上述金屬燒結體與上述金屬支持體之頸縮之平均徑大於金屬燒結體中之金屬粉彼此之頸縮之平均徑，構成上述金屬燒結體之金屬為選自Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co及Fe中之1種或其以上之金屬，上述介電層係由與上述高比表面積導電性多孔基材不同之起源之原子形成。
- 如請求項1之電容器，其中相較於構成金屬燒結體之大致中央部之金屬之熔點，構成上述金屬燒結體與上述金屬支持體之界面附近之金屬之熔點低100℃以上。
- 如請求項1之電容器，其中相較於構成金屬支持體之金屬之熔點，構成上述金屬燒結體與上述金屬支持體之界面附近之金屬之熔點低100℃以上。
- 如請求項2之電容器，其中相較於構成金屬支持體之金屬之熔點，構成上述金屬燒結體與上述金屬支持體之界面附近之金屬之熔點低100℃以上。
- 如請求項1至4中任一項之電容器，其中上述金屬燒結體為平均粒徑不同之至少2種金屬粉之燒結體。
- 如請求項5之電容器，其中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下。
- 如請求項1至4中任一項之電容器，其中上述金屬燒結體為熔點不同之至少2種金屬粉之燒結體。
- 如請求項7之電容器，其中相對於構成作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上。
- 如請求項1至4中任一項之電容器，其中上述介電層係藉由原子層堆積法形成。
- 如請求項1至4中任一項之電容器，其中上述上部電極係藉由原子層堆積法形成。
- 如請求項1至4中任一項之電容器，其係具有 高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成者，且於上述高比表面積導電性基材之一主面上具有由上述高比表面積導電性基材、上述介電層及上述上部電極所構成之第1及第2靜電電容形成部，於高比表面積導電性基材之另一主面上具有絕緣層。
- 一種基板，其安裝有如請求項1至11中任一項之電容器。
- 一種基板，其配置有如請求項1至11中任一項之電容器，該電容器係以其高比表面積導電性基材之金屬支持體密接於基板之方式配置。
- 一種電容器集合基板，其特徵在於：藉由高比表面積導電性基材連結有複數個如請求項11之電容器。
- 一種電容器之製造方法，上述電容器具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成，且上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體、及支持金屬燒結體之金屬支持體，構成上述金屬燒結體之金屬為選自Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、 Ag、Rh、Ru、Co及Fe中之1種或其以上之金屬，上述介電層係由與上述高比表面積導電性多孔基材不同之起源之原子形成；該電容器之製造方法包括如下步驟：將上述金屬支持體之表面粗化，於其上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作上述高比表面積導電性基材。
- 如請求項15之電容器之製造方法，其中經粗化之金屬支持體之表面上的金屬支持體表面之面內方向之凹部間之平均距離為配置於其上之金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑之1/30以上且1/2以下。
- 一種電容器之製造方法，上述電容器具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成，且上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體、及支持金屬燒結體之金屬支持體，構成上述金屬燒結體之金屬為選自Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co及Fe中之1種或其以上之金屬，上述介電層係由與上述高比表面積導電性多孔基材不同之起源之原子形成；該電容器之製造方法包括如下步驟：於上述金屬支持體上配置第1金屬粉，於其上配置第2金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作上述高比表面積導電 性基材。
- 如請求項17之電容器之製造方法，其中上述第1金屬粉之平均粒徑為上述第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑之1/30以上且1/2以下。
- 如請求項17之電容器之製造方法，其中相較於構成上述第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成上述第1金屬粉之金屬之熔點低100℃以上。
- 如請求項18之電容器之製造方法，其中相較於構成上述第2金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成上述第1金屬粉之金屬之熔點低100℃以上。
- 一種電容器之製造方法，上述電容器具有高比表面積導電性基材、位於高比表面積導電性基材上之介電層、及位於介電層上之上部電極而成，且上述高比表面積導電性基材具有金屬燒結體、及支持金屬燒結體之金屬支持體，構成上述金屬燒結體之金屬為選自Ni、Cu、W、Mo、Au、Ir、Ag、Rh、Ru、Co及Fe中之1種或其以上之金屬，上述介電層係由與上述高比表面積導電性多孔基材不同之起源之 原子形成；該電容器之製造方法之特徵係包括如下步驟：於上述金屬支持體上形成低熔點金屬之層，於其上配置金屬粉或金屬粉混合物，繼而對該等進行焙燒而製作上述高比表面積導電性基材，並且相較於構成金屬粉或金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，上述低熔點金屬之熔點低100℃以上。
- 如請求項15至21中任一項之電容器之製造方法，其中金屬粉混合物中平均粒徑最小之金屬粉之平均粒徑相對於上述金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之平均粒徑的比為1/3以下。
- 如請求項15至21中任一項之電容器之製造方法，其中相對於構成上述金屬粉混合物中作為主成分之金屬粉之金屬之熔點，構成金屬粉混合物中至少1種金屬粉之金屬之熔點低100℃以上。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015-159581 | 2015-08-12 | ||
| JP2015159581 | 2015-08-12 | ||
| WOPCT/JP2016/072518 | 2016-08-01 | ||
| PCT/JP2016/072518 WO2017026316A1 (ja) | 2015-08-12 | 2016-08-01 | コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201721686A TW201721686A (zh) | 2017-06-16 |
| TWI616910B true TWI616910B (zh) | 2018-03-01 |
Family
ID=57983186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105125858A TWI616910B (zh) | 2015-08-12 | 2016-08-12 | 電容器及其製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10546691B2 (zh) |
| JP (3) | JP6512297B2 (zh) |
| CN (1) | CN107924763B (zh) |
| TW (1) | TWI616910B (zh) |
| WO (1) | WO2017026316A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019167773A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔および電解コンデンサ、ならびに、それらの製造方法 |
| KR102546515B1 (ko) | 2018-03-05 | 2023-06-23 | 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. | 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422062A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-27 | Kuraray Chem Corp | 分極性電極板 |
| JPH06232006A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気二重層キャパシタ |
| JP2003338433A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ用の陽極体、その製造方法及び固体電解コンデンサ |
| CN101066560A (zh) * | 2001-05-15 | 2007-11-07 | 昭和电工株式会社 | 铌粉、铌烧结体和使用该烧结体的电容器 |
| JP2009081429A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Tosoh Corp | 高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| KR20100043295A (ko) * | 2001-12-10 | 2010-04-28 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 콘덴서용 전극 |
| TW201027578A (en) * | 2008-09-23 | 2010-07-16 | Starck H C Gmbh | Valve metal and valve metal oxide agglomerate powder and process for production thereof |
| US20100213407A1 (en) * | 2001-05-15 | 2010-08-26 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monooxide sintered body and capacitor using the sintered body |
| JP2011204728A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Hitachi Aic Inc | 電解コンデンサ用陽極および電解コンデンサ |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3088907B2 (ja) * | 1994-07-05 | 2000-09-18 | エイ ブイ エックス コーポレイション | 固体コンデンサとその製作方法 |
| US5790368A (en) * | 1995-06-27 | 1998-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor and manufacturing method thereof |
| JP2001185460A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法並びに回路基板 |
| JP2003197468A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-07-11 | Nec Tokin Toyama Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2003213301A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ |
| JP2004143477A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Cabot Supermetal Kk | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ |
| EP1505611B9 (de) * | 2003-07-22 | 2012-12-05 | H.C. Starck GmbH | Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren |
| WO2006014753A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Sundew Technologies, Llp | Capacitors with high energy storage density and low esr |
| WO2006062234A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Cabot Supermetals K.K. | 金属粉末および多孔質焼結体の製造方法、金属粉末、およびコンデンサ |
| US7745281B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-06-29 | Kemet Electronics Corporation | Thin solid electrolytic capacitor embeddable in a substrate |
| US8889507B2 (en) * | 2007-06-20 | 2014-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MIM capacitors with improved reliability |
| JP5104525B2 (ja) | 2008-05-01 | 2012-12-19 | 日本軽金属株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
| US8587928B2 (en) * | 2008-11-19 | 2013-11-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrode for capacitor and capacitor |
| JP2012517717A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | ラオール・コンサルティング・エルエルシー | 焼結ナノ細孔電気キャパシタ、電気化学キャパシタおよびバッテリーならびにその製造方法 |
| KR20150036806A (ko) * | 2009-06-15 | 2015-04-07 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 알루미늄 전해 커패시터 전극 재료 및 그 제조 방법 |
| US8865351B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-10-21 | Ut-Battelle, Llc | Carbon composition with hierarchical porosity, and methods of preparation |
| EP2820661B1 (en) * | 2012-02-28 | 2023-08-30 | Teknologian tutkimuskeskus VTT Oy | Integrable electrochemical capacitor |
| KR101823160B1 (ko) * | 2012-04-26 | 2018-01-29 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| US20150057144A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-02-26 | The Johns Hopkins University | Nanostructured composite materials comprising refractory elements |
| JP6420697B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-11-07 | 日本碍子株式会社 | 複合体、ハニカム構造体及び複合体の製造方法 |
| GB201413701D0 (en) * | 2014-08-01 | 2014-09-17 | Isis Innovation | Process |
| JP2014241453A (ja) * | 2014-09-25 | 2014-12-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2016
- 2016-08-01 JP JP2017534189A patent/JP6512297B2/ja active Active
- 2016-08-01 CN CN201680045289.6A patent/CN107924763B/zh active Active
- 2016-08-01 WO PCT/JP2016/072518 patent/WO2017026316A1/ja active Application Filing
- 2016-08-12 TW TW105125858A patent/TWI616910B/zh active
-
2018
- 2018-02-05 US US15/888,351 patent/US10546691B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-11 JP JP2019075483A patent/JP6954325B2/ja active Active
- 2019-04-11 JP JP2019075481A patent/JP2019169714A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422062A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-27 | Kuraray Chem Corp | 分極性電極板 |
| JPH06232006A (ja) * | 1993-02-08 | 1994-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気二重層キャパシタ |
| CN101066560A (zh) * | 2001-05-15 | 2007-11-07 | 昭和电工株式会社 | 铌粉、铌烧结体和使用该烧结体的电容器 |
| US20100213407A1 (en) * | 2001-05-15 | 2010-08-26 | Showa Denko K.K. | Niobium monoxide powder, niobium monooxide sintered body and capacitor using the sintered body |
| KR20100043295A (ko) * | 2001-12-10 | 2010-04-28 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 콘덴서용 전극 |
| JP2003338433A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ用の陽極体、その製造方法及び固体電解コンデンサ |
| JP2009081429A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Tosoh Corp | 高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| TW201027578A (en) * | 2008-09-23 | 2010-07-16 | Starck H C Gmbh | Valve metal and valve metal oxide agglomerate powder and process for production thereof |
| JP2011204728A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Hitachi Aic Inc | 電解コンデンサ用陽極および電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019169714A (ja) | 2019-10-03 |
| US10546691B2 (en) | 2020-01-28 |
| TW201721686A (zh) | 2017-06-16 |
| WO2017026316A1 (ja) | 2017-02-16 |
| JP6954325B2 (ja) | 2021-10-27 |
| CN107924763B (zh) | 2020-04-17 |
| JP6512297B2 (ja) | 2019-05-15 |
| JP2019169715A (ja) | 2019-10-03 |
| US20180158610A1 (en) | 2018-06-07 |
| CN107924763A (zh) | 2018-04-17 |
| JPWO2017026316A1 (ja) | 2018-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI616912B (zh) | Capacitor and method of manufacturing same | |
| TWI597747B (zh) | Capacitor and its manufacturing method | |
| TWI596630B (zh) | 電容器 | |
| JP6954325B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP6558439B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| US9865400B2 (en) | Capacitor | |
| US20180114647A1 (en) | Capacitor and method for manufacturing the capacitor | |
| US20190355524A1 (en) | Capacitor | |
| WO2018151029A1 (ja) | コンデンサ | |
| JPWO2017026295A1 (ja) | コンデンサ | |
| WO2018151028A1 (ja) | コンデンサ | |
| US20170040114A1 (en) | Capacitor and manufacturing method therefor | |
| TW201841178A (zh) | 電容器 | |
| TWI621222B (zh) | Capacitor film |