TWI616006B - 磁性感測器 - Google Patents

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Toshiaki Fukunaka
Hidenori Hasegawa
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Asahi Kasei Microdevices Corp
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Abstract

本發明提供一種磁性感測器，其即便於薄型化之片狀件中將電流反向流動之情形時，亦可防止漏電流之增大，且即便反向安裝亦可抑制漏電流之增大。
本發明之磁性感測器包含：引線框10，其包含島狀物11、及配置於該島狀物11之周圍之複數個引線端子12~15；片狀件20，其經由接著層而安裝於島狀物11上；及複數條金屬細線41~44，其等將片狀件20所具有之複數個電極部23a~23d與複數個引線端子12~15分別電性連接。引線端子12為電性連接於島狀物11之島狀物端子。又，接著層為將島狀物11與片狀件20之間絕緣之絕緣膏30、或固晶膜150之黏著層130。

Description

磁性感測器
本發明係關於一種磁性感測器，尤其關於一種即便於薄型化之片狀件中電流反向流動之情形時，亦可防止漏電流之增大之磁性感測器。
作為利用霍爾效應之磁性感測器，已知有例如檢測磁性(磁場)並輸出與其大小成比例之類比信號之霍爾元件、或檢測磁性並輸出數位信號之霍爾IC。例如於專利文獻1中，揭示有具備引線框、片狀件(即，磁性感測器晶片)及金屬細線之磁性感測器。於該磁性感測器中，引線框具有為獲得與外部之電性連接而配置於四角隅之端子，片狀件搭載於引線框之島狀物上。且，片狀件所具有之電極與引線框所具有之各端子以金屬細線連接。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-95788號公報
另外，於專利文獻1所揭示之磁性感測器中，可將引線框所具有之配置於四角隅之引線端子中之連接於接地電位之端子(以下，為接地端子)與島狀物設為一體。藉此，島狀物之電位成為接地電位，而可防止電荷積存於島狀物中，故可抑制磁性感測器檢測磁性時產生雜訊。
又近年來，伴隨電子機器之小型化等，磁性感測器之小型、薄型化亦正在發展。例如，磁性感測器之封裝後之大小(即，封裝尺寸)已實現縱1.6mm、橫0.8mm、厚度0.38mm。又，藉由進一步減薄片狀件，亦可使封裝尺寸之厚度為0.30mm。
此處，若如上述般磁性感測器之小型、薄型化發展，則於將磁性感測器安裝於配線基板或插口等時，俯視下看錯磁性感測器之朝向之可能性變高。例如圖8(a)所示，將磁性感測器300正確地安裝於配線基板400之情形時，引線框之接地端子311係連接於配線基板400之接地用配線411，引線框之電源端子313係連接於配線基板400之電源用配線413。然而，若磁性感測器300如上述般小型化，則難以利用肉眼識別印刷於封裝表面之文字、符號等(例如，A、B、C、D)，而難以基於該等符號等判斷磁性感測器300之朝向。其結果，例如圖8(b)所示，導致反向地安裝磁性感測器300，將接地端子311連接於電源用配線413，將電源端子313連接於接地用配線411之可能性變高。
再者，暫時如圖8(b)所示般反向地安裝磁性感測器300之情形時，雖電流自接地端子311向電源端子313(即，反向)流動，但可於其他引線端子312、314間測定電位差。又，由於島狀物315固定為電源電位，而累積於島狀物315之電荷保持為固定量，故亦可抑制產生雜訊。因此，即便於反向地安裝磁性感測器300之情形時，其動作亦應該不會產生較大之問題。
然而，本案發明人發現若反向地安裝磁性感測器300，而電流反向流動，則漏電流會變大(第1個問題)。又，發現配置於島狀物315上之片狀件越薄，則該漏電流越會增大(第2個問題)。
因此，本發明係鑒於如上述般本案發明人所發現之第1、第2個問題而完成者，其目的在於提供一種即便於薄型化之磁性感測器中電流反向流動之情形時，亦可防止漏電流之增大之磁性感測器。
本發明者針對產生上述第1、第2個問題之原因(機制)，如以下般進行研究。
圖9(a)及(b)係表示本案發明人所研究之漏電流增大之機制之概念圖。於圖9(a)及(b)所示之磁性感測器300中，片狀件320係經由銀(Ag)膏340而安裝於引線框310之島狀物315上。又，引線框310具有與島狀物315成為一體之引線端子(即，島狀物端子)311、與自島狀物315分離之電源端子313。如圖9(a)所示，將磁性感測器300正確地安裝於配線基板或插口等之情形時，島狀物端子311成為接地端子。又，片狀件320與Ag膏340之接合面成為半導體(例如，GaAs)與金屬(Ag)之肖特基接面。
圖9(a)所示之情形時，由於對該肖特基接面施加反向偏壓，故而電流不會自片狀件320流向島狀物315。電流係自電源端子313通過金屬細線351、片狀件320之活性層321、金屬細線352，而流向島狀物端子311。
另一方面，如圖9(b)所示，反向地安裝磁性感測器300之情形時，島狀物端子311成為電源端子，電源端子313成為接地端子。該情形時，對片狀件320與Ag膏340之肖特基接面施加正向偏壓。
此處，由於構成片狀件320之半導體(例如，GaAs)為半絕緣性(≒超高電阻)，故而片狀件320較厚時即便對肖特基接面施加正向偏壓，仍幾乎不流通電流。然而，若將片狀件320薄化，則電阻值與其厚度之減少量成比例地減少。因此，伴隨片狀件320之薄型化，電流易朝肖特基接面之正向流動。即，漏電流易以島狀物端子311→島狀物315→Ag膏340→片狀件320→金屬細線351→電源端子313之路徑流動。
基於以上之研究，作為解決第1、第2個問題之方法，本案發明 人提案出於具有島狀物端子之磁性感測器中使用絕緣性接著層代替Ag膏。
<磁性感測器>
即，本發明之一態樣之磁性感測器之特徵在於包含：引線框，其包含島狀物及配置於該島狀物之周圍之複數個引線端子；片狀件，其經由接著層而安裝於上述島狀物上；及複數條導線，其將上述片狀件所具有之複數個電極部與上述複數個引線端子分別電性連接；上述複數個引線端子包含電性連接於上述島狀物之島狀物端子；且上述接著層為將上述島狀物與上述片狀件之間絕緣之絕緣性接著層。此處，「片狀件」係指磁性感測器晶片，可列舉例如霍爾元件或霍爾IC。
又，上述磁性感測器之特徵亦可在於：上述絕緣性接著層包含熱硬化型樹脂作為其成分。
又，上述磁性感測器之特徵亦可在於：上述絕緣性接著層進而包含紫外線硬化型樹脂作為其成分。
又，上述磁性感測器之特徵亦可在於：上述絕緣性接著層中之介置於上述島狀物與上述片狀件之間之部分的厚度為至少2μm以上。
<磁性感測器之製造方法>
本發明之另一態樣之磁性感測器之製造方法之特徵在於包括以下步驟：經由接著層將片狀件安裝於包含島狀物及配置於該島狀物之周圍之複數個引線端子之引線框的上述島狀物上；及以複數條導線將上述片狀件所包含之複數個電極部與上述複數個引線端子分別電性連接；上述複數個引線端子包含電性連接於上述島狀物之島狀物端子；且於安裝上述片狀件之步驟中，藉由使用絕緣性接著層作為上述接著層，而將上述島狀物與上述片狀件之間絕緣。
又，上述磁性感測器之製造方法之特徵亦可在於進而包括以下步驟：於安裝上述磁性感測器之前，於嵌入有複數之上述片狀件之基 板之與具有上述各電極部之面為相反側之面，貼附固晶膜；切割貼附有上述固晶膜之上述基板，而將嵌入於該基板之複數之上述片狀件單片化；及自上述固晶膜分離單片化之上述片狀件；於自上述固晶膜分離上述片狀件之步驟中，自該固晶膜之基材將絕緣性之黏著層與上述片狀件一起剝離；且於安裝上述磁性感測器之步驟中，使用自上述基材剝離之上述黏著層作為上述絕緣性接著層。
根據本發明之一態樣，由於利用絕緣性接著層使島狀物與片狀件之間絕緣，故而可防止於島狀物(金屬)與片狀件(半導體)之間形成肖特基接面，而可防止電流朝該肖特基接面之正向(即，自金屬向半導體之方向)流動。藉此，即便於薄型化之片狀件中電流反向流動之情形時，亦可防止漏電流之增大。
10‧‧‧引線框
11‧‧‧島狀物
12‧‧‧島狀物端子(連接於島狀物之引線端子)
13‧‧‧引線端子
14‧‧‧引線端子
15‧‧‧引線端子
20‧‧‧片狀件
21‧‧‧GaAs基板
22‧‧‧活性層
23a‧‧‧電極
23b‧‧‧電極
23c‧‧‧電極
23d‧‧‧電極
30‧‧‧絕緣膏
41‧‧‧金屬細線
42‧‧‧金屬細線
43‧‧‧金屬細線
44‧‧‧金屬細線
50‧‧‧鑄模樹脂
100‧‧‧磁性感測器
110‧‧‧引線框基板
130‧‧‧黏著層
140‧‧‧膜基材
150‧‧‧固晶膜
160‧‧‧半導體晶圓
170‧‧‧刀片
180‧‧‧頂銷
190‧‧‧筒夾
200‧‧‧磁性感測器
210‧‧‧載台
300‧‧‧磁性感測器
310‧‧‧引線框
311‧‧‧接地端子
312‧‧‧引線端子
313‧‧‧電源端子
314‧‧‧引線端子
315‧‧‧島狀物
320‧‧‧片狀件
321‧‧‧活性層
340‧‧‧Ag膏
351‧‧‧金屬細線
352‧‧‧金屬細線
400‧‧‧配線基板
411‧‧‧接地用配線
413‧‧‧電源用配線
A‧‧‧符號
B‧‧‧符號
C‧‧‧符號
D‧‧‧符號
圖1(a)~(c)係表示本發明之第1實施形態之磁性感測器100之構成例之圖。
圖2(a)~(e)係表示磁性感測器100之製造方法且按步驟順序予以表示之圖。
圖3係用以說明第1實施形態之效果之圖。
圖4係模式性表示補償電壓Vu相對於輸入電壓Vin之偏差減少之效果之圖。
圖5(a)~(c)係表示本發明之第2實施形態之磁性感測器200之構成例之圖。
圖6(a)~(e)係表示第2實施形態之磁性感測器200之製造方法之圖。
圖7係比較作為絕緣性接著層，使用絕緣膏30之情形與使用固晶膜150之黏著層130之情形之圖。
圖8(a)、(b)係用以說明問題之圖。
圖9(a)、(b)係對產生問題之原因進行研究之圖。
以下，使用圖式說明本發明之實施形態。再者，於以下說明之各圖中，亦有對具有相同之構成之部分附加相同之符號，而省略其重複之說明之情形。
<第1實施形態> (構成)
圖1(a)~(c)係表示本發明之第1實施形態之磁性感測器100之構成例之剖面圖與平面圖、及外觀圖。圖1(a)表示於虛線A-A'處切斷圖1(b)所得之剖面。又，於圖1(b)中，為避免圖式之複雜化，而省略表示鑄模樹脂。
如圖1(a)~(c)所示，磁性感測器100具備引線框10、片狀件(即，磁性感測器晶片)20、絕緣膏30、複數條金屬細線41~44、及鑄模樹脂50。
引線框10具有用以載置片狀件20之島狀物11、與用以獲得與外部之電性連接之複數個引線端子12~15。如圖1(b)所示，引線端子12~15配置於島狀物11之周圍(例如，磁性感測器100之四角隅附近)。又，引線端子12與島狀物11成為一體，並與島狀物11電性連接。以下，將該引線端子12稱為島狀物端子。
於本實施形態中，作為引線端子，較佳為具備島狀物端子12、夾隔島狀物11而與島狀物端子對向之第一引線端子14、第二引線端子15、及夾隔島狀物11而與第二引線端子15對向之第三引線端子13的形態。
引線框10包含例如銅(Cu)等金屬。又，引線框10之面側或背面之一部分亦可經蝕刻(即，半蝕刻)。
片狀件20為例如霍爾元件，其係經由絕緣膏30而安裝於引線框10之島狀物11上。片狀件20具有例如半絕緣性之砷化鎵(GaAs)基板21、形成於該GaAs基板21上且包含半導體薄膜之活性層(即，敏感部)22、及電性連接於活性層22之電極23a~23d。活性層22例如於俯視下為十字(交叉)型，且於交叉之4個前端部上分別設置有電極23a~23d。俯視下相對之一對電極23a、23c為用以將電流流向霍爾元件之輸入端子，於與連結電極23a、23c之線在俯視下正交之方向上相對之另一對電極23b、23d為用以自霍爾元件輸出電壓之輸出端子。片狀件20之厚度為例如0.12mm以下。
絕緣膏30包含例如環氧系之熱硬化型樹脂與作為填料之二氧化矽(SiO2)作為其成分。於第1實施形態中，利用該絕緣膏30，將片狀件20之背面(即，與具有與活性層22之面為相反側之面)接著並固定於島狀物11之表面。又，藉由該絕緣膏30，片狀件20與島狀物11之間絕緣。片狀件20與島狀物11之間之絕緣膏30之厚度由填料尺寸決定，例如為5μm以上。
金屬細線41~44係將片狀件20所具有之電極23a~23d與島狀物端子12或引線端子13~15分別電性連接之導線，包含例如金(Au)。如圖1(b)所示，金屬細線41將島狀物端子12與電極23a連接，金屬細線42將引線端子13與電極23b連接。又，金屬細線43將引線端子14與電極23c連接，金屬細線44將引線端子15與電極23d連接。
鑄模樹脂50係覆蓋片狀件20與金屬細線41~44及引線框10之至少正面側而予以保護。鑄模樹脂50包含例如環氧系之熱硬化型樹脂，可耐受回焊時之高熱。
(動作)
於使用上述磁性感測器100檢測磁性(磁場)之情形時，將引線端子14連接於正電位(+)，且將島狀物端子12連接於接地電位(GND)，從 而電流自引線端子14流向島狀物端子12。且，測定引線端子13、15間之電位差V1-V2(=霍爾輸出電壓VH)。根據霍爾輸出電壓VH之大小而檢測磁場之大小，根據霍爾輸出電壓VH之正負而檢測磁場之方向。
(製造方法)
圖2(a)~(e)係表示磁性感測器100之製造方法且按步驟順序予以表示之平面圖。再者，於圖2(a)~(e)中，省略切割之刀片寬度(即，切口寬度)之圖示。如圖2(a)所示，首先，準備引線框基板110。該引線框基板110係複數個圖1(b)所示之引線框10在俯視下於縱向及橫向相連而成之基板。
其次，如圖2(b)所示，於引線框基板110之各島狀物11上塗佈絕緣膏30。此處，以使完成後之磁性感測器100中，於島狀物11與片狀件20之間不產生空隙，或島狀物11與片狀件20不接觸的方式，調整絕緣膏30之塗佈條件(例如，塗佈之範圍、塗佈之厚度等)。
繼而，如圖2(c)所示，於塗佈有絕緣膏30之島狀物11上配置片狀件20(即，進行晶粒接合)。且，於接合後進行熱處理(即，固化)，使絕緣膏30硬化。
其次，如圖2(d)所示，將金屬細線41~44之一端分別連接於島狀物端子12或引線端子13~15，將金屬細線41~44之另一端分別連接於電極23a~23d(即，進行打線接合)。
繼而，如圖2(e)所示，以鑄模樹脂50覆蓋片狀件20與金屬細線41~44及引線框10之至少正面側而予以保護(即，進行樹脂密封)。於樹脂密封後，於鑄模樹脂50之表面標記例如符號等(未圖示)。且，沿著例如2點鏈線，使刀片相對於引線框基板110相對地移動，而切斷鑄模樹脂50及引線框基板110(即，進行切割)，經過以上之步驟而完成圖1(a)~(c)所示之磁性感測器100。
於該第1實施形態中，絕緣膏30對應於本發明之「絕緣性接著層」，金屬細線41~44對應於本發明之「複數條導線」。
(第1實施形態之效果)
本發明之第1實施形態發揮以下效果。
(1)以絕緣性接著層(例如，絕緣膏30)使島狀物11與片狀件20之間絕緣。藉此，可防止於島狀物11(金屬)與片狀件20(半導體)之間形成肖特基接面，而可防止電流朝該肖特基接面之正向(即，自金屬向半導體之方向)流動。例如圖3所示，即便於電流朝與本來相反之方向(即，島狀物端子12→金屬細線41→電極23a→活性層22→電極23c→金屬細線43→引線端子14之方向)流動之情形時，亦可防止電流自島狀物11向片狀件20流動。因此，即便於反向地安裝薄型化之磁性感測器100，而電流反向流動之情形時，亦可防止漏電流之增大。
即，於將本實施形態之磁性感測器安裝於印刷基板作為磁性感測器裝置之情形時，無論為以下任一形態均可抑制漏電流之增大：1)將印刷基板之接地端子連接於磁性感測器之島狀物端子，將印刷基板之電源端子連接於磁性感測器之第一引線端子之形態；2)將印刷基板之接地端子連接於磁性感測器之第一引線端子，將印刷基板之電源端子連接於磁性感測器之島狀物端子之形態。
若磁性感測器之小型、薄型化進展，則在將磁性感測器安裝於配線基板或插口等時，於俯視下看錯磁性感測器之朝向之可能性會變高，但即便於此情形時，根據本實施形態，亦無漏電流增大之問題而可加以使用。
圖4係模式性表示補償電壓Vu相對於輸入電壓Vin之偏差減少之效果之圖。圖4之橫軸表示對於磁性感測器之輸入電壓Vin，縱軸表示磁性感測器之補償電壓Vu。輸入電壓Vin為磁性感測器之輸入端子間之電位差。Vin之正(+)係於自磁性感測器之第1引線端子向島狀物端 子流通電流之方向施加電壓之情形，負(-)係於朝與本來相反之方向流通電流之方向施加電壓之情形。又，補償電壓Vu為無磁性之環境下之輸出端子間之電位差。補償電壓Vu較理想為無論輸入電壓Vin之大小如何均為零(0)。
於片狀件之安裝中使用Ag膏之構造中，在輸入電壓為負(-)之情形時，相對於肖特基接面成為正向偏壓且電流自島狀物向片狀件流動。若將片狀件薄型化則肖特基接面之正向流動之電流變大，因此如圖4之虛線所示般補償電壓Vu之偏差變大。與此相對，於本發明之第1實施形態中說明之構造(即，片狀件之安裝中使用絕緣性接著層之構造)中，由於島狀物與片狀件之間絕緣，故而即便將片狀件薄型化，於島狀物與片狀件之間亦不會流通電流。因此，即便於薄型化之磁性感測器中將輸入電壓設為負(-)之情形時，亦如圖4之實線所示般，補償電壓Vu之偏差較小。如此，使用絕緣性接著層之構造與使用Ag膏之構造相比，可減少輸入電壓為負(-)時之補償電壓之偏差。
(2)又，由於可防止漏電流之增大，故而可使片狀件20之薄型化更加進展。因此，可有助於磁性感測器100之更加小型、薄型化。
(3)又，由於可防止漏電流之增大，故而可抑制消耗電力之增大。
(4)又，絕緣性接著層包含例如環氧系之熱硬化型樹脂作為其成分。因此，藉由於晶粒接合後進行固化，可容易地將片狀件20固定於島狀物11上。
(5)再者，絕緣性接著層中之介置於片狀件20與島狀物11之間之部分的厚度較佳為至少確保2μm以上。根據本案發明人之見解，只要上述厚度為至少2μm以上，便可提高片狀件20與島狀物11之間之絕緣之可靠性，而可防止形成肖特基接面。
(變化例)
於上述第1實施形態中，片狀件20亦可為霍爾IC而非霍爾元件。即便為此種構成，亦發揮第1實施形態之效果(1)~(5)。
<第2實施形態>
於上述第1實施形態中，已對使用絕緣膏30作為使片狀件20與島狀物11之間絕緣之絕緣性接著層之情形予以說明。然而，本發明中，絕緣性接著層只要為具備絕緣性與接著性者即可，並不限定於絕緣膏30。作為絕緣性接著層，亦可以片狀之形態使用例如固晶膜(即，切晶．黏晶一體型膜)之黏著層。於第2實施形態中，對該點進行說明。
(構成)
圖5(a)~(c)係表示本發明之第2實施形態之磁性感測器200之構成例之剖面圖與平面圖、及外觀圖。圖5(a)表示於虛線B-B'處切斷圖5(b)所得之剖面。又，於圖5(b)中，為避免圖式之複雜化，而省略表示鑄模樹脂50。
如圖5(a)~(c)所示，磁性感測器200具備引線框10、片狀件20、絕緣性之黏著層130、複數條金屬細線41~44、及鑄模樹脂50。
黏著層130例如較佳為包含環氧系之熱硬化型樹脂、紫外線(UV)硬化型樹脂、及黏合劑樹脂作為其成分。
於第2實施形態中，利用該黏著層130，將片狀件20之背面(即，與具有活性層22之面為相反側之面)接著並固定於島狀物11之表面。又，藉由該黏著層130，片狀件20與島狀物11之間絕緣。片狀件20與島狀物11之間之黏著層130之厚度較佳為例如2μm以上且30μm。更佳為10μm以上20μm以下。
再者，磁性感測器200之除黏著層130以外之構成與例如第1實施形態中說明之磁性感測器100相同。又，磁性感測器200之動作亦與磁性感測器100相同。
(製造方法)
圖6(a)~(e)係按步驟順序表示本發明之第2實施形態之磁性感測器200之製造方法之剖面圖。
如圖6(a)所示，首先準備固晶膜150。固晶膜150具有膜基材140、與配置於膜基材140之一面上之絕緣性之黏著層130。使嵌入有複數之片狀件20之半導體晶圓160之背面(即，與具有活性層22之面為相反側之面)接觸並接著於該固晶膜150之黏著層130(即，進行晶圓安裝)。
再者，於該第2實施形態中，為使後述之圖6(b)之步驟中維持利用黏著層130之片狀件20與膜基材140之接著，並使圖6(c)之步驟中黏著層130易自膜基材140剝離，亦可進行調整黏著層130之黏著力之處理。該調整黏著力之處理係於進行晶圓安裝之時序或其前後之時序進行。例如，可於進行晶圓安裝時，介隔載台加熱固晶膜150，而朝提高黏著層130之成分之一的黏合劑樹脂成分之黏著力，使半導體晶圓160與黏著層130更強地黏著之方向調整。又，可於進行晶圓安裝後，自固晶膜150之具有黏著層130之面之相反側，向該固晶膜150照射UV，使黏著層130之成分之一的UV硬化型樹脂成分硬化、凝固，藉此朝切割變得容易之方向，又，朝於接合時減小膜基劑140與黏著層130之黏著力之方向調整。如上述般，藉由進行介隔載台之加熱或UV照射之至少一者，而可朝提高黏著層130之黏著力，或使其稍微硬化而減小其黏著力之方向調整。
其次，如圖6(b)所示，使用例如刀片170切割半導體晶圓160，而將嵌入於半導體晶圓160之複數之片狀件20單片化。此處，不僅切割半導體晶圓160亦一同切割黏著層130。
繼而，如圖6(c)所示，以針狀之頂銷180上推片狀件20之背面，且以筒夾190吸附片狀件20之正面並上提(即，拾取)。再者，固晶膜150之黏著層130係如上述般預先藉由進行例如加熱或UV照射之至少 一者而朝減小其黏著力之方向進行過調整。因此，於拾取片狀件20之步驟中，黏著層130係在接著於片狀件20之背面之狀態下，自膜基材140剝離。
其次，如圖6(d)所示，將片狀件20之背面側經由黏著層130而安裝於引線框基板110之島狀物11上。此處，藉由以預先設定之載荷向島狀物11側按壓片狀件20，而將片狀件20接著並固定於島狀物11。又，於該安裝時，可介隔載台210加熱引線框10及黏著層130。藉由除施加載荷以外，亦進行加熱，有可提高片狀件20與島狀物11之接著力之情形。該安裝後，實施熱處理(固化)，使環氧樹脂系之熱效應型樹脂成分硬化，而獲得更充分之接著強度。此後之步驟與第1實施形態相同。即，如圖6(e)所示般進行打線接合，其後，進行樹脂密封。且，切割鑄模樹脂50及引線框基板110。經過此種步驟，而完成圖5(a)~(c)所示之磁性感測器200。
於該第2實施形態中，半導體晶圓160對應於本發明之「基板」。又，黏著層130對應於本發明之「絕緣性接著層」，膜基材140對應於本發明之「基材」。其他之對應關係與第1實施形態相同。
(第2實施形態之效果)
本發明之第2實施形態除發揮第1實施形態之效果(1)~(5)之效果以外，亦發揮以下之效果。
(1)使用固晶膜150之黏著層130作為使片狀件20與島狀物11之間接著且絕緣之絕緣性接著層。藉此，由於無須對複數之片狀件20之各者(或，島狀物11之各者)塗佈絕緣膏30，故而可有助於削減步驟數。
(2)又，黏著層130例如包含黏合劑樹脂與UV硬化型樹脂作為其成分。因此，藉由進行熱處理，可朝提高黏著層130之黏著力而使半導體晶圓160與黏著層130更強地黏著之方向調整，又，藉由進行UV照射，可朝切割變得容易之方向，且朝減小膜基劑140與黏著層130之 黏著力之方向調整。藉此，於拾取片狀件20之步驟中，可與片狀件20一起將黏著層130自膜基材140容易地剝離。
(3)又，由於黏著層130之黏性較高，故而與使用絕緣膏30之情形相比，可使片狀件20之側面之附膠極小。藉此，不會產生於片狀件20之正面附著樹脂之不良，又，有黏著層130之厚度亦不會變薄而可使厚度均一化之優點。
(4)又，如圖7所示，於使用黏著層130之情形時，關於其保管條件，有可以冷藏進行保管而不進行冷凍之優點。冷藏保管之情形時，有無需絕緣性接著層之解凍，而可於需要時馬上使用之優點。進而，關於步驟條件，亦有無須管理塗佈量，且濕潤擴散較小，附膠較小，厚度之偏差較小等優點。
(變化例)
於第2實施形態中，亦可應用第1實施形態中說明之變化例。即，片狀件20可為霍爾IC而非霍爾元件。即便為此種構成，仍除發揮第1實施形態之效果(1)~(5)以外，亦發揮第2實施形態之效果(1)~(4)。
<其他>
本發明並不限定於以上記載之各實施形態。可基於本領域技術人員之知識對各實施形態添加設計之變更等，此種添加變更等而成之態樣亦包含於本發明之範圍內。
10‧‧‧引線框
11‧‧‧島狀物
12‧‧‧島狀物端子(連接於島狀物之引線端子)
13‧‧‧引線端子
14‧‧‧引線端子
15‧‧‧引線端子
20‧‧‧片狀件
21‧‧‧GaAs基板
22‧‧‧活性層
23a‧‧‧電極
23b‧‧‧電極
23c‧‧‧電極
23d‧‧‧電極
30‧‧‧絕緣膏
41‧‧‧金屬細線
42‧‧‧金屬細線
43‧‧‧金屬細線
44‧‧‧金屬細線
50‧‧‧鑄模樹脂
100‧‧‧磁性感測器

Claims (9)

  1. 一種磁性感測器，其特徵在於包含：引線框，其包含島狀物及配置於該島狀物之周圍之複數個引線端子；片狀件，其包含直接形成於GaAs基板上之活性層及電性連接於該活性層之複數個電極，且經由接著層而安裝於上述島狀物上；複數條導線，其等將上述片狀件所含有之複數個電極部與上述複數個引線端子分別電性連接；及鑄模樹脂；且上述島狀物、上述引線端子、及上述鑄模樹脂於上述磁性感測器之底面露出；上述片狀件之厚度為0.10mm以下；上述複數個引線端子包含電性連接於上述島狀物之島狀物端子；且上述接著層為將上述島狀物與上述片狀件之間絕緣之絕緣性接著層。
  2. 如請求項1之磁性感測器，其中上述絕緣性接著層中之介置於上述島狀物與上述片狀件之間之部分的厚度為至少2μm以上。
  3. 如請求項1之磁性感測器，其中上述片狀件之厚度為0.12mm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之磁性感測器，其中上述引線端子包含：上述島狀物端子；第一引線端子，其夾隔上述島狀物而與上述島狀物端子對 向；第二引線端子；及第三引線端子，其夾隔上述島狀物而與上述第二引線端子對向。
  5. 如請求項4之磁性感測器，其中上述島狀物端子接地；上述第一引線端子連接於電源；且上述第二引線端子與上述第三引線端子連接於輸出端子。
  6. 一種磁性感測器裝置，其包含：如請求項4之磁性感測器；及印刷基板；且上述印刷基板之接地端子連接於上述磁性感測器之上述島狀物端子，上述印刷基板之電源端子連接於上述磁性感測器之上述第一引線端子。
  7. 一種磁性感測器裝置，其包含：如請求項5之磁性感測器；及印刷基板；且上述印刷基板之接地端子連接於上述磁性感測器之上述島狀物端子，上述印刷基板之電源端子連接於上述磁性感測器之上述第一引線端子。
  8. 一種磁性感測器裝置，其包含：如請求項4之磁性感測器；及印刷基板；且上述印刷基板之接地端子連接於上述磁性感測器之上述第一引線端子，上述印刷基板之電源端子連接於上述磁性感測器之上述島狀物端子。
  9. 一種磁性感測器裝置，其包含： 如請求項5之磁性感測器；及印刷基板；且上述印刷基板之接地端子連接於上述磁性感測器之上述第一引線端子，上述印刷基板之電源端子連接於上述磁性感測器之上述島狀物端子。
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