TWI613756B - 用於薄基板搬運的靜電載體 - Google Patents

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Abstract

本文所提供之實施例大體係關於靜電卡盤(electrostatic chuck；ESC)。靜電卡盤可包含減少數目之應力引發點，諸如穿過靜電卡盤之孔，此舉可改良靜電卡盤之機械完整性。安置在靜電卡盤內之電極可經由導電導線連接至電觸點及電源，該等導電導線可沿靜電卡盤之周緣耦接或形成。由此，可減少或消除對靜電卡盤中形成之孔的需求。此外，氣體通道可形成於頂表面、底表面或頂表面與底表面兩者之上。氣體通道可減少或消除對穿過靜電卡盤而形成之氣體通道之需求，及可有助於基板支座、靜電卡盤與耦接至靜電卡盤之基板之間的熱傳遞。

Description

用於薄基板搬運的靜電載體
本文所述之實施例大體係關於靜電卡盤(electrostatic chuck；ESC)。更具體而言，本文所述之實施例係關於用於薄基板搬運的改良之靜電載體設計。
在諸如半導電基板及顯示器之基板之處理中，基板在處理期間經固持在製程腔室中之支座上。支座可包括靜電卡盤，該靜電卡盤具有能夠經電偏壓以將基板固持在支座上之電極。支座可包含在腔室中支撐靜電卡盤之台座，及支座可能能夠升起或降低靜電卡盤及基板之高度。台座亦可為連接至支座部分之連接導線、氣管等提供保護外殼。
在用以處理基板之一些電漿處理中，經激勵氣體用以藉由例如蝕刻基板上材料或在基板上沉積材料來處理基板，或用以清潔腔室中之表面。該等經激勵之氣體可包含諸如化學蝕刻劑之強腐蝕性之物質，及可腐蝕靜電卡盤之部分之經激勵的離子物質及自由基物質。經腐蝕靜電卡盤可能有問題，因為損壞的靜電卡盤可不提供處理基板或固持基板所需 之電特性。此外，已因靜電卡盤而腐蝕而產生之粒子可能污染腔室內正在進行處理之基板。
由陶瓷製成之靜電卡盤可是合乎需要的，因為該等靜電卡盤已改良對經激勵之處理氣體之腐蝕的抗性，及該等靜電卡盤可甚至在超過數百攝氏度之高基板處理溫度下維持該等靜電卡盤的結構完整性。然而，具有整合靜電卡盤之習用支座的問題在於：陶瓷靜電卡盤與支撐台座之間可能發生熱膨脹不匹配，尤其是在高溫下執行基板處理期間。陶瓷材料與金屬台座之熱膨脹係數差異可能導致熱應力及機械應力，該等應力可能導致陶瓷破裂或碎裂。
此外，具有穿過靜電卡盤而形成之多個孔的陶瓷靜電卡盤可能尤其易遭受開裂。用以將靜電卡盤內之電極耦接至電源之通孔的孔可為應力點一個實例，該應力點可誘發陶瓷材料之開裂或破裂。孔大體上被視作靜電卡盤之機械完整性中的固有弱點。當靜電卡盤開裂或破裂時，靜電卡盤可能喪失有效固定基板的能力，及可能提高粒子之產生。此外，對不斷更換開裂靜電卡盤之需要係代價昂貴及浪費的。
由此，在本技術中需要具有改良之機械完整性及減少或消除之應力引發點，同時能夠維持所需之靜電耦合特性之靜電卡盤。
在一實施例中，提供靜電卡盤。靜電卡盤可包括：具有界定靜電卡盤底部之底表面之大體上剛性支撐層、第一 電極，及具有界定靜電卡盤頂部之頂表面之介電層。第一電極可安置於介電層之頂表面與支座層之間。支座層、第一電極，及介電層可形成整體主體，及第一連接器可耦接至第一電極及可曝露於靜電卡盤之底部。第一導線可在支座層及介電層之週邊表面上形成，從而連接第一連接器與第一電極。
在另一實施例中，提供用於夾持基板之設備。設備可包括支撐構件及安置於支撐構件頂表面上之靜電卡盤。靜電卡盤可包括：具有界定靜電卡盤底部之底表面的大體上剛性支撐層、至少部分與第二電極交錯之第一電極，及具有界定靜電卡盤頂部之頂表面之介電層。第一電極及第二電極可安置於介電層之頂表面與支座層之頂表面之間。導線可將第一及第二電極電耦接至安置於支座層上之連接器，及導線可形成於支座層及介電層之週邊表面上。
在另一實施方式中，提供靜電卡盤。靜電卡盤包括：具有界定靜電卡盤底部之底表面的大體上剛性支撐層、第一電極、至少部分與第一電極交錯放置之第二電極，及具有界定靜電卡盤頂部之頂表面之介電層。第一電極可安置於介電層之頂表面與支座層之間。支座層、第一電極、第二電極，及介電層可形成整體主體。第一連接器可耦接至第一電極及可曝露於靜電卡盤之底部。第一導線可在支座層及介電層之週邊表面上形成，及可連接第一連接器與第一電極。第二連接器可耦接至第二電極及可曝露於靜電卡盤之底部。第二導線可在支座層及介電層之週邊表面上形成，及可連接第二連接器與第二電極。
100‧‧‧真空處理腔室
105‧‧‧製程空間
106‧‧‧噴嘴
108‧‧‧狹縫閥開口
112‧‧‧氣體導管
113‧‧‧射頻線圈
118‧‧‧基板支座主體
119‧‧‧側壁
120‧‧‧靜電卡盤
121‧‧‧基板
123‧‧‧升舉銷
124‧‧‧氣源
125‧‧‧升舉銷孔
126‧‧‧壁
128‧‧‧排氣區域
130‧‧‧壁
136‧‧‧真空泵
138‧‧‧氣體面板
140‧‧‧匹配網路
145‧‧‧產生器
150‧‧‧基板支座
160‧‧‧升舉銷孔
166‧‧‧支座表面
168‧‧‧表面
190‧‧‧致動器
202‧‧‧電源
204‧‧‧支座層
206‧‧‧介電層
208‧‧‧第一電極
210‧‧‧第二電極
212‧‧‧第一電極導線
214‧‧‧支座層
216‧‧‧第一連接器
218‧‧‧第二連接器
220‧‧‧導體
222‧‧‧第一電源導線
224‧‧‧第二電源導線
226‧‧‧間隔物
228‧‧‧氣體通道
230‧‧‧氣室
231‧‧‧間隔物
232‧‧‧氣體通道
250‧‧‧週邊外表面
302‧‧‧第一電極導線
304‧‧‧第二電極導線
306‧‧‧底部
308‧‧‧第一指狀元件
320‧‧‧靜電卡盤
502‧‧‧升舉銷孔
604‧‧‧開口
為能夠詳細理解本揭示案之上述特徵，可藉由參考實施例對揭示案進行更為具體之描述，該特定描述在上文中已簡明概述，該等實施例中之一些實施例在附圖中圖示。應注意，附圖僅圖示本揭示案之典型實施例，因此將不被視作限制本揭示案之範疇，因為本揭示案可承認其他同等有效的實施例。
第1圖係具有基板支座之處理腔室之示意性橫剖面視圖。
第2圖係耦接至基板支座之靜電卡盤的一實施例之示意性的略微分解橫剖面視圖。
第3圖係耦接至基板支座之靜電卡盤的另一實施例之示意性的略微分解橫剖面視圖。
第4圖係曝露電極之靜電卡盤之俯視圖。
第5圖係第4圖之靜電卡盤之仰視圖。
第6圖係靜電卡盤之俯視圖。
為便於理解，在可能之情況下已使用相同元件符號以指定圖式中共有之相同元件。設想一實施例之元件及特徵可以有利方式併入其他實施例而無需贅述。
本文中所提供之實施例大體係關於靜電卡盤(electrostatic chuck；ESC)。靜電卡盤可包括減少數目之應力引發點，諸如穿過靜電卡盤之孔，此舉可改良靜電卡盤之機 械完整性。安置於靜電卡盤內之電極可經由導電導線連接至電觸點及電源，該等導電導線可沿靜電卡盤之週邊外表面耦接或形成。由此，可減少或消除對在靜電卡盤中形成之孔之需求。在一些實施例中，氣體通道可在頂表面、底表面，或頂表面與底表面兩者上形成。氣體通道可減少或消除對穿過靜電卡盤形成之氣體通道的需求，及可有助於在基板支座、靜電卡盤與耦接至靜電卡盤之基板之間的熱傳遞。
第1圖係真空處理腔室100之示意性橫剖面視圖，該真空處理腔室包括基板支座150及靜電卡盤120之一個實施例。靜電卡盤120經配置以在處理期間將基板121固定在靜電卡盤120上。靜電卡盤120可能尤其可用於處理薄基板121。儘管處理腔室100經圖示為蝕刻腔室，但諸如沉積、離子佈植、退火、電漿處置等之其他類型之處理腔室亦可經調適以利用本文所述之基板支座及靜電卡盤中之至少一者。
處理腔室100大體包括界定製程空間105之壁130及噴嘴106。可經由狹縫閥開口108進出製程空間105，以便基板121可由機器人傳送進出腔室100。排氣區域128可包含壁126，及可耦接至真空泵136，該真空泵可經調適以自製程空間105經由排氣區域128將處理氣體排出腔室100。
基板支座150可安置於腔室100內。基板支座150可包含基板支座主體118，該主體可安置於製程空間105內。側壁119可自支座主體118之表面168延伸。靜電卡盤120及基板121(可選地)可安置於側壁119內。側壁119可大體上界定靜電卡盤120及基板121，及與靜電卡盤120及基板 121相間隔。支座主體118可為靜止，如第1圖所示，或可耦接至致動器以升舉或降低基板支座主體118。支座主體118包括複數個升舉銷孔160。靜電卡盤120經配置以在處理期間將基板121固定在靜電卡盤上。靜電卡盤120包括與複數個升舉銷孔160對準之升舉銷孔125。
複數個升舉銷123可以可移動方式穿過支座主體118及靜電卡盤120之孔160、125而安置。複數個升舉銷123介連在致動器190中，該致動器190使升舉銷123穿過支座主體118及靜電卡盤120在第一或下降位置與第二或升高位置之間移動，該第一或下降位置與靜電卡盤120之基板支座表面166齊平或在該表面166下方，該第二或升高位置在該支座表面166上方延伸。在第一位置中，基板121就位於支座表面166之上。在第二位置中，基板121以間隔方式位於支座表面166上方，以允許機器人將基板傳送進出處理腔室100。
相關於靜電卡盤120，支座主體118可包括氣體導管112及電導管(第1圖中未圖示)以用於向靜電卡盤120提供電力及背側氣體，氣體導管及電導管將關於第2圖進行更詳細之描述。支座主體118亦可包括經調適以將支座主體118維持在所需溫度下的加熱及/或冷卻元件(未圖示)。加熱及/或冷卻元件可為電阻加熱器、流體導管，等等。
處理腔室100亦包括用於向處理腔室100提供處理及/或清潔氣體之氣體輸送設備。在第1圖繪示之實施例中，氣體輸送設備為穿過腔室壁130形成之至少一個噴嘴106之 形式。氣體面板138可耦接至穿過壁130而形成之噴嘴106，以經由穿過噴嘴106而形成之氣體通道向製程空間105提供處理氣體。氣體面板138可包括含矽氣體供應源、含氧氣體供應源，及含氮氣體供應源，或適用於在腔室100內處理基板之其他氣體。
電漿產生器亦可耦接至腔室100。電漿產生器可包含耦接至電極或天線之訊號產生器145。訊號產生器145大體以適用於在腔室100中形成及/或維持電漿之頻率提供能量。例如，訊號產生器145可提供頻率為約50kHz至約2.45GHz之訊號。訊號產生器145可經由匹配網路140耦接至電極以將使用期間之反射功率降至最低。
電極可為包含至少一個射頻線圈113之天線。射頻線圈113可安置於腔室100之上，及可經配置以按電感方式將射頻能量耦接至自氣體面板138經由噴嘴106提供至製程空間105之製程氣體。
第2圖係安置於支座主體118上之靜電卡盤120之示意性略微分解橫剖面視圖。儘管第2圖中未圖示，孔125可安置於靜電卡盤120內以有助於升舉銷穿過靜電卡盤120之移動，如下文中將參考第4圖更詳細描述。靜電卡盤120經繪示為耦接至支座主體118。儘管為清晰起見而經圖示為與支座主體118相間隔，但在處理期間，靜電卡盤120固定至支座主體118之表面168。靜電卡盤120可包含支座層204及介電層206。支座層204可由能夠支撐介電層206及具有所需熱傳遞特性之材料形成，諸如玻璃；諸如氮化鋁或氧化鋁 之陶瓷材料；或諸如鉬、矽、或矽鋁合金之金屬材料及半導體材料。介電層206可由諸如陶瓷材料或玻璃之介電材料形成，或可為彼此疊層之多個介電材料層。陶瓷材料或介電材料之適合實例包括聚合物(亦即聚醯亞胺)、藍寶石、諸如石英或玻璃之氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、含釔材料、氧化釔、釔鋁柘榴石、氧化鈦、氮化鈦、碳化矽，及類似物。經選擇用於支座層204及介電層206之材料可具有相似之熱膨脹係數，以降低層之間的機械應力機率。
靜電卡盤120可包含至少一個電極，該電極可經激勵夾持安置於支座表面166上之基板121。在第2圖繪示之實施例中，圖示第一電極208及第二電極210。第一電極208及第二電極210可安置於支座層214上，及可經調適以按靜電方式將基板121耦接至靜電卡盤120。靜電卡盤120可為大體圓形，或靜電卡盤可獲得諸如方形或矩形之其他形狀。第一電極208及第二電極210可包含複數個交錯之指狀元件，該等指狀元件經調適以提供所需之靜電夾持力。下文將關於第4圖更詳細地論述交錯之指狀元件。
第一電極208經由第一電極導線212、第一連接器216、導體220，及第一電源導線222電耦接至電源202。第一電極208可由一金屬材料製造而成，該金屬材料所具有之熱膨脹係數與介電層206之鄰接材料類似。第一電極導線212可由諸如銅或鋁之導電材料製造而成，及第一電極導線212可例如藉由使用單個沉積製程同時形成導線212及電極208而形成為與第一電極208之整體結構。第一連接器216可在 支座層204上形成，及亦可由諸如銅或鋁之導電材料製造而成。如圖所示，第一連接器216與支座主體118之導體220接觸。當將靜電卡盤120自基板支座118升舉起來以自腔室中移除時，導體220可延伸越過支座主體118之表面168。諸如彈簧之導體220可由諸如銅或鋁之導電材料製造而成。導體220可諸如藉由焊接而耦接至支座主體118，及第一電源導線222可電耦接至導體220。第一電源導線222將導體220耦接至電源202。第一電源導線222亦可由諸如銅或鋁之導電材料製造而成。
第二電極210可經由第二電極導線214、第二連接器218、導體220，及第二電源導線224電耦接至電源202。第二電極210及關連元件可經排列，排列方式類似於關於上述第一電極208而描述之元件，及因此，為了簡明起見，將省略對此排列之描述。
第一導線212及第二導線214可形成於介電層206及支座層204之週邊外表面250上。因此，導線212、214並非如習用之靜電卡盤中之佈線經由靜電卡盤120中形成之通孔或孔向下延伸至連接器216、218。由此，減少或消除了在靜電卡盤120中形成之孔之必需性，及可提高靜電卡盤120之機械完整性。導線212、214可藉由物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)、電鍍製程，或絲網印刷製程而形成於靜電卡盤120之週邊外表面250之上。亦設想導線212、214亦可塗覆有絕緣材料，以防止在導線212、214接觸諸如支座主體118之另一導電設備之情況下發生不當的電短路。
在操作中，當自電源202提供功率時，可將正電荷施加於第一電極208及可將負電荷施加於第二電極210以產生靜電力。在夾持期間，產生自電極208、210之靜電力將安置於靜電卡盤之上之基板121夾緊及固持在牢固之位置。當關閉自電源202供應之功率時，消除了在電極208、210中產生之電荷，從而釋放固持在靜電卡盤120上之基板121。在一些實施例中，可利用短暫的逆極性以更有效地鬆開基板121。
側壁119可大體上限定靜電卡盤120且該側壁119與靜電卡盤120相間隔一距離以形成氣室230。氣體導管112可耦接至氣源124及可延伸穿過支座主體118至表面168。氣體導管112可經調適以經由氣室230將諸如氦、氫、氮、氬，或其他惰性氣體之氣體提供至靜電卡盤120與基板支座118之間及靜電卡盤120與基板121之間的一區域。氣體可經調適以分別促進靜電卡盤120與支座主體118之間及靜電卡盤120與基板121之間的熱傳遞。
靜電卡盤120可額外包含一或更多個氣體通道228。氣體通道228可形成於靜電卡盤120之支座表面166之上，該支座表面166接觸基板121。一或更多個氣體通道228可以多個定向排列，諸如網格圖案。經由氣體導管112自氣源124提供至氣室230之氣體可經由一或更多個氣體通道228分散，以促進基板121與靜電卡盤120之間之熱傳遞。設想一或更多個氣體通道228之深度可經調適以促進藉由熱傳導進行熱傳遞。諸如柱或其他幾何形狀之一或更多個間隔物226可分隔及界定一或更多個氣體通道228。間隔物226可接觸基 板121及可自一或更多個氣體通道228延伸諸如約1μm與約10μm之間，例如，約2μm與約5μm之間的數微米。氣體通道228可延伸穿過靜電卡盤120之週邊外表面250，以便使存在於氣室230中之氣體可移動通過在基板121下方之氣體通道228。
支座主體118可額外包含一或更多個氣體通道232。氣體通道232可形成於可接觸靜電卡盤120之支座主體118之表面168中。一或更多個氣體通道232可以多個定向排列，諸如網格圖案。經由氣體導管112自氣源124提供之氣體可經由一或更多個氣體通道232分散，以促進靜電卡盤120與支座主體118之間之熱傳遞。諸如柱或其他幾何形狀之一或更多個間隔物231可分隔及界定一或更多個氣體通道232。間隔物231之表面168可接觸靜電卡盤120及可自一或更多個氣體通道232延伸諸如約1μm與約10μm之間，例如，約2μm與約5μm之間的數微米。氣體通道232可藉由任何適合之方法形成於支座主體118中，該等方法如切削加工、噴砂法，或蝕刻。亦設想氣體通道可形成於支座層204底部之上，而非基板支座118之上。
第3圖係靜電卡盤320之另一實施例之示意性略微分解橫剖面視圖。第3圖之靜電卡盤320可大體上類似於第2圖之靜電卡盤120，可在上文中找到到對該靜電卡盤120之描述。然而，第一電極208及第二電極210可安置於介電層206內，及與支座層214相間隔開。設想在沒有穿過靜電卡盤120、320而形成孔之情況下，想像針對單極(單個電極)及 其他習知式樣之靜電卡盤使用導線212、214，同時提供本揭示案之相同優勢。
第4圖是靜電卡盤120之俯視圖，該圖繪示所曝露之電極208、210。該圖未圖示封裝介電層，不提供關於電極208、210之排列之更多細節。第一電極208可具有正極性或負極性，及第二電極210可具有與第一電極208相反之極性。第一電極208可沿靜電卡盤120之週邊外表面250延伸，及複數個第一指狀元件308可自第一電極208向靜電卡盤120之中間延伸。第二電極210亦可沿鄰近靜電卡盤120之週邊外表面250之部分延伸，及複數個第二指狀元件306可自第二電極210向靜電卡盤120之中間延伸。複數個第一指狀元件308及複數個第二指狀元件306可形成至少部分交錯之圖案，諸如橫穿靜電卡盤120直徑之交替之第一及第二指狀元件。設想在其他配置中可交錯電極208、210之部分。
第一電極208可自靜電卡盤120之週邊外表面250橫向向外延伸，及耦接至第一電極導線302。第二電極210可自靜電卡盤120之週邊外表面250橫向向外延伸，及耦接至第二電極導線304。第一電極導線302及第二電極導線304可橫穿靜電卡盤120之直徑與彼此相對定位。
第5圖係第4圖之靜電卡盤120之仰視圖。第一電極導線302經圖示自第一電極208沿靜電卡盤120之週邊外表面250經佈線至靜電卡盤120之底部306之上，該底部306可為支座層214。類似於第一電極導線302，第二電極導線304經圖示為沿週邊外表面250經佈線至靜電卡盤120之底部 306。第一電極導線302可耦接至連接器216。第二電極導線304可耦接至連接器218。複數個升舉銷孔502經圖示延伸穿過靜電卡盤120。設想在升舉指狀元件或環箍用以傳送靜電卡盤120之情況下，可不需要升舉銷孔。
第6圖係靜電卡盤120之俯視圖。氣體通道228可形成於靜電卡盤120之支座表面166中，及可形成諸如網格圖案之多種圖案。氣體通道228可朝向靜電卡盤120之週邊外表面250開口及自該週邊外表面250延伸穿過靜電卡盤120之內部區域。開口604可形成於靜電卡盤120之週邊外表面250中氣體通道228所形成之處。由此，氣體可自週邊外表面250以外之區域經由橫穿靜電卡盤120之氣體通道228移動。氣體可經由開口604流入及流出氣體通道228。因此，靜電卡盤120與固定在靜電卡盤120上之基板之間的熱傳遞可得以改良。
與習用靜電卡盤相比，靜電卡盤120可需要更少材料及更少處理步驟來製造。由此，製作及使用靜電卡盤120之成本可大幅降低。此外，靜電卡盤120之機械完整性可得以改良，此舉可降低靜電卡盤120之破損或開裂之機率。對用於至少導線之孔之消除，及在一些實施例中，對用於氣體通道及升舉銷之孔之消除，減少應力引發點，此舉可改良靜電卡盤120之機械完整性。進一步地，導熱性可藉由本文所述之實施例而得以改良。
儘管前述內容係針對本揭示案之實施例，但可在不背離本揭示案之基本範疇之情況下設計本揭示案之其他及更 多實施例，及本揭示案之範疇由下文之專利申請範圍決定。
112‧‧‧氣體導管
118‧‧‧基板支座主體
119‧‧‧側壁
120‧‧‧靜電卡盤
121‧‧‧基板
124‧‧‧氣源
150‧‧‧基板支座
166‧‧‧支座表面
168‧‧‧表面
202‧‧‧電源
204‧‧‧支座層
206‧‧‧介電層
208‧‧‧第一電極
210‧‧‧第二電極
212‧‧‧第一電極導線
214‧‧‧支座層
216‧‧‧第一連接器
218‧‧‧第二連接器
220‧‧‧導體
222‧‧‧第一電源導線
224‧‧‧第二電源導線
226‧‧‧間隔物
228‧‧‧氣體通道
230‧‧‧氣室
231‧‧‧間隔物
232‧‧‧氣體通道
250‧‧‧週邊外表面

Claims (20)

  1. 一種靜電卡盤，該靜電卡盤包含：一支座層，該支座層具有一底表面，該底表面界定該靜電卡盤之一底部；一第一電極；一介電層，該介電層具有一頂表面，該頂表面界定該靜電卡盤之一頂部，該第一電極安置於該介電層之該頂表面與該支座層之間，其中該支座層、該第一電極及該介電層形成一整體主體；一第一連接器，該第一連接器耦接至該第一電極及曝露於該靜電卡盤之該底部；及一第一導線，該第一導線連接該第一連接器及該第一電極，該第一電極形成於該支座層及該介電層之一週邊表面上。
  2. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該第一連接器包含一導電襯墊。
  3. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該第一導線不延伸穿過該支座層。
  4. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該支座層包含一玻璃或陶瓷材料。
  5. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該介電層包含一玻璃或陶瓷材料。
  6. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該介電層包含一熱膨脹係數，該熱膨脹係數大約等於該支座層之一熱膨脹係數。
  7. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該第一電極包含複數個指狀元件，該等指狀元件與一第二電極之複數個指狀元件相交錯。
  8. 如請求項1所述之靜電卡盤，其中該介電層之該頂表面中形成有氣體通道，該等氣體通道朝向該介電層之該週邊表面開口，其中該介電層沒有連接至該等氣體通道之通孔。
  9. 如請求項1所述之靜電卡盤，該靜電卡盤進一步包含一第二電極及一第二連接器，該第二電極與該第一電極至少部分交錯，該第二連接器耦接至該第二電極及曝露於該靜電卡盤之該底部，其中一第二導線形成於該支座層及該介電層之該週邊表面上，該第二導線連接該第二連接器與該第二電極。
  10. 一種用於夾持一基板之設備，該設備包含：(a)一支座構件；(b)一靜電卡盤，該靜電卡盤安置於該支座構件之一頂表面上，該靜電卡盤包含： 一支座層，該支座層具有一底表面，該底表面界定該靜電卡盤之一底部；一第一電極，該第一電極與一第二電極至少部分交錯；一介電層，該介電層具有一頂表面，該頂表面界定該靜電卡盤之一頂部，該第一電極及該第二電極安置於該介電層之該頂表面與該支座層之一頂表面之間；及導線，該等導線將該第一電極及該第二電極電耦接至安置在該支座層之上之連接器，其中該等導線形成於該支座層及該介電層之一週邊表面上。
  11. 如請求項10所述之設備，其中該支座構件之該頂表面經調適以收納該靜電卡盤。
  12. 如請求項10所述之設備，其中該靜電卡盤包含：一或更多個氣體輸送溝槽，該一或更多個氣體輸送溝槽形成於該靜電卡盤之該頂表面之中，該一或更多個氣體輸送溝槽在該支座構件之該頂表面上方開口。
  13. 如請求項10所述之設備，其中沒有氣體導管是穿過該靜電卡盤而形成的。
  14. 如請求項10所述之設備，其中該靜電卡盤及該支座構件具有電連接件，該等電連接件經配置以回應於該靜電卡盤相對於該支座構件之位置而自動嚙合及脫離。
  15. 如請求項10所述之設備，其中該支座層包含一玻璃或陶瓷材料。
  16. 如請求項10所述之設備，其中該介電層包含一玻璃或陶瓷材料。
  17. 如請求項10所述之設備，其中該介電層包含一熱膨脹係數，該熱膨脹係數大約等於該支座層之一熱膨脹係數。
  18. 如請求項10所述之設備，其中該第一電極包含複數個指狀元件，該等指狀元件與該第二電極之複數個指狀元件相交錯。
  19. 如請求項10所述之設備，其中一氣室形成於一側壁與一靜電卡盤之間，該側壁形成凹部，該靜電卡盤耦接至該支座構件。
  20. 一種靜電卡盤，該靜電卡盤包含：一支座層，該支座層具有一底表面，該底表面界定該靜電卡盤之一底部； 一第一電極；一第二電極，該第二電極與該第一電極至少部分交錯；一介電層，該介電層具有一頂表面，該頂表面界定該靜電卡盤之一頂部，該第一電極安置於該介電層之該頂表面與該支座層之間，其中該支座層、該第一電極，該第二電極，及該介電層形成一整體主體；一第一連接器，該第一連接器耦接至該第一電極及曝露於該靜電卡盤之該底部；一第一導線，該第一導線連接該第一連接器及該第一電極，該第一電極形成於該支座層及該介電層之一週邊表面上；一第二連接器，該第二連接器耦接至該第二電極及曝露於該靜電卡盤之該底部；及一第二導線，該第二導線連接該第二連接器及該第二電極，該第二電極形成於該支座層及該介電層之該週邊表面上。
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