TWI613292B - 剝離用組成物及剝離用組成物之製造方法 - Google Patents

Description

剝離用組成物及剝離用組成物之製造方法

本發明係關於剝離用組成物及剝離用組成物之製造方法。

近年來，隨著行動電話、數位影音裝置及晶片卡等之高機能化，對於半導體矽晶片之小型化、薄型化及高積體化的要求提高。例如，於一個半導體封裝中搭載複數之半導體晶片的系統級封裝(SiP)係將所搭載的晶片予以小型化、薄型化及高積體化，在實現將電子機器高性能化、小型化且輕量化方面為非常重要的技術。為了對應於對如此之薄型化及高積體化的要求，並非僅為以往之引線接合技術，亦需要將形成有貫通電極的晶片進行層合，而在晶片的背面形成凸緣之貫通電極技術。

另外，於半導體晶片的製造中，由於半導體晶圓本身薄且脆，且於電路圖型具有凹凸，因此若於搬運至研削步驟或切割步驟時施加外力則容易破損。因此，開發有一種晶圓承載系統：其係藉由使由被稱為支撐板的玻 璃、硬質塑膠等所構成的板貼合於欲進行研削的晶圓，而保持晶圓的強度，以防止龜裂的發生以及晶圓的翹曲。由於可藉由晶圓承載系統而維持晶圓的強度，因此可將經薄板化的半導體晶圓之搬送予以自動化。

晶圓與支撐板，係使用黏著帶、熱塑性樹脂、黏著劑等來加以貼合。在將貼附有支撐板的晶圓薄板化之後，在切割晶圓之前將支撐板剝離，而將支撐板從晶圓移除。例如，於使用溶解型之接著劑來貼合晶圓與支撐板的情況中，係使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(以下，記述為「PGMEA」)作為剝離液使接著劑溶解後，將支撐板剝離，而從晶圓移除(專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-119646號公報(2007年5月17日公開)

然而，於使用有以往之剝離液的剝離方法中，會於剝離後的晶圓表面產生剝離液的液跡殘渣。剝離後的殘渣，會引起所製造的晶片之電特性降低及產率降低的問題。

因此，本發明係鑑於上述之問題點而完成 者，其目的為提供一種將於晶圓表面之剝離後的液跡殘渣之發生減低的剝離用組成物及剝離用組成物之製造方法。

為了解決上述課題，本發明之含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物，其特徵為，具有高於上述溶劑的沸點25℃以上之沸點的高沸點雜質的含量為5重量%以下。

本發明之含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物之製造方法，其特徵為包含：將溶劑以該溶劑之沸點以上、且未達高於該溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾的蒸餾步驟。

本發明之含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物，由於具有高於上述溶劑的沸點25℃以上之沸點的高沸點雜質的含量為5重量%以下，因此藉由使用其來將基板從支撐板剝離，可減低在基板表面之支撐板剝離後的液跡殘渣之發生。此外，可提供一種將於基板表面之支撐板剝離後的液跡殘渣之發生減低的剝離用組成物。

[第1圖]係為展示實施例4所示之對薄荷烷的氣相層析分析結果之圖。

[第2圖]係為展示比較例1所示之對薄荷烷的氣相層析分析結果之圖。

[第3圖]係為展示使用有高沸點雜質之含量不同的對薄荷烷之液跡殘渣的評估結果之圖。

[第4圖]係為展示使用有對薄荷烷以外的溶劑之液跡殘渣的評估結果之圖。

〔剝離用組成物〕

本發明之含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物，係具有高於上述溶劑的沸點25℃以上之沸點的高沸點雜質的含量為5重量%以下。

本發明之剝離用組成物係為溶解使支撐板貼附於基板的接著劑者，藉由溶解接著劑而將基板從支撐板剝離者。塗佈剝離用組成物使接著劑溶解，並將支撐板剝離後的基板之表面，雖在去除接著劑之後予以乾燥，但此時，會因來自剝離用組成物的雜質，而導致基板表面發生液跡殘渣。

本發明者們，屢次銳意探討的結果發現，支撐板剝離後之基板表面所產生的液跡殘渣，會受剝離用組成物中所含有的高沸點雜質影響。本發明之剝離用組成物，由於高沸點雜質的含量為5重量%以下，因此，藉由使用此來將基板從支撐板剝離，可減低於基板表面之支撐板剝離後的液跡殘渣之發生。

於本發明之剝離用組成物中，雖具有高於溶劑的沸點25℃以上的沸點之高沸點雜質的含量為5重量%以下，但較佳為1重量%以下，最佳為0.1重量%以下。

(高沸點雜質)

「高沸點雜質」係意指溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑中所含有的雜質，且具有高於該溶劑之沸點25℃以上的沸點之雜質。亦即，將溶劑以溶劑之沸點以上、且未達高於該溶劑之沸點25℃的溫度進行加熱後，槽底所築底的物質可能為高沸點雜質。依據溶劑的種類，所含有的高沸點雜質雖不相同，但溶劑為烴系溶劑時，係含有異莰醇、葑醇等之類的高沸點雜質。

溶劑為對薄荷烷時，於其99.2kPa時之沸點，由於在順型為168.8℃，在反型為168.1℃，因此，高於此等溫度25℃以上沸點的雜質可能為高沸點雜質。

對薄荷烷等之烴系溶劑所含有的異莰醇、葑醇等之雜質係具有高於溶劑之沸點25℃以上的沸點。若 剝離用組成物中含有含如此之雜質的高沸點雜質，則會在將基板與支撐板之間的接著劑溶解，使基板乾燥後，成為液跡殘渣之發生的原因。本發明之剝離用組成物，由於如此之高沸點雜質的含量為5重量%以下，因此，藉由使用此來將基板從支撐板剝離，可減低使支撐基板剝離後之基板表面乾燥後時，於基板表面發生液跡殘渣。

(溶劑)

本發明之剝離用組成物所含有的溶劑，只要是溶解將基板與支撐板接著的接著劑之溶劑即可，且被使用來將基板從支撐板剝離者。如此之溶劑可列舉：烴系溶劑、對薄荷烷、四氫萘、十氫萘、環己烷、環辛烷、蒎烷、二甲苯、D-檸檬烯、α-蒎烯等，且可因應欲溶解的接著劑之組成而適當選擇。例如，於使用含有烴樹脂作為接著成分的接著劑來將基板與支撐板進行接著的情況中，係適合使用烴系溶劑作為溶劑。

構成烴系溶劑的烴係可列舉例如：萜烯系烴、環烷系烴、脂肪族系烴、異烷烴系烴等。烴系溶劑之具體例係可列舉例如：對薄荷烷、D-檸檬烯、環己烷、己烷、辛烷、環辛烷、蒎烷、及壬烷等。此等可單獨使用，亦可混合2種以上使用。另外，將2種以上之溶劑混合使用時，高沸點雜質係指具有高於混合溶劑之沸點25℃以上的沸點之雜質。

烴系溶劑係可列舉：直鏈狀、分支狀或環狀 之烴、縮合多環式烴。直鏈狀、分支狀或環狀之烴係可列舉例如：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等直鏈狀之烴、碳數3至15的分支狀之烴；對薄荷烷、鄰薄荷烷、間薄荷烷、二苯基薄荷烷、α-萜品烯、β-萜品烯、γ-萜品烯、1,4-萜二醇、1,8-萜二醇、莰烷、降莰烷、蒎烷、α-蒎烯、β-蒎烯、側柏烷、α-側柏酮、β-側柏酮、蒈烷、長葉烯等。

此外，縮合多環式烴係2個以上之單環為能彼此僅供給1個各自的環之邊的縮合環之烴，且以使用將2個單環加以縮合而成之烴為佳。

如此之烴係可列舉5員環及6員環之組合，或2個6員環之組合。組合有5員環及6員環的烴係可列舉例如：茚、并環戊二烯、二氫茚、四氫茚等，組合有2個6員環的烴係可列舉例如：萘、四氫萘(tetrahydronaphthalene)及十氫萘(decahydronaphthalene)等。

本發明之剝離用組成物係在不損及本發明之效果的範圍內，亦可含有其他的成分。

本發明之剝離用組成物所含有的溶劑，可能為以該溶劑之沸點以上、且未達高於該溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾所得到的溶劑。亦即，藉由將上述任何一種溶劑以溶劑之沸點以上、且未達高於溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾，而得到含有具有高於溶劑之沸點25℃以上的沸點之高沸點雜質的含量為5重量%以下之溶劑的 剝離用組成物。

本發明之剝離用組成物，雖可藉由後述的本發明之剝離用組成物之製造方法而製造，但亦可藉由其他的方法而製造出高沸點雜質之含量成為5重量%以下者。

(剝離用組成物之用途)

本發明之剝離用組成物係被使用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑，而將基板從支撐板剝離。

基板係可列舉例如以往所周知的材質之半導體晶圓等。

支撐體係為例如在將基板予以薄化的步驟中發揮支撐基板的功效之構件，且藉由接著劑而接著於基板。於一實施形態中，支撐體係由例如其膜厚為500~1000μm之玻璃或矽所形成。

於一實施形態中，於支撐體係設有於厚度方向貫穿支撐體的孔。因而，將基板從支撐體剝離時，藉由讓本發明之剝離用組成物透過此孔流入支撐板與基板之間，可將接著劑有效率地溶解，而將基板容易地從支撐板剝離。

另外，使用本發明之剝離用組成物來將基板與支撐體剝離的方法、將電極形成於從支撐體剝離後的基板等之基板處理方法亦為本發明的範疇。

使用本發明之剝離用組成物來將基板從支撐體剝離時，例如，藉由將本發明之剝離用組成物供給至基 板與支撐板之間的接著劑，使接著劑溶解而將基板從支撐體剝離，在將從支撐體剝離後的基板表面洗淨後使其乾燥。若對如上述方法所得到的基板施以其後的處理，則在基板表面不會產生液跡殘渣，因此，可防止基板之電特性降低或產率降低。

[剝離用組成物之製造方法]

本發明之剝離用組成物之製造方法，係為含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物之製造方法，其係包含將溶劑以該溶劑之沸點以上、且未達高於該溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾的蒸餾步驟。

(蒸餾步驟)

於蒸餾步驟中，例如，藉由分批式蒸餾或連續式蒸餾，將溶劑以溶劑之沸點以上、且未達高於溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾。

於分批式蒸餾的情況中，將溶劑導入蒸餾塔底部的蒸餾槽，並以溶劑之沸點以上、且未達高於溶劑之沸點25℃的溫度進行加熱。若將溶劑持續加熱，則首先溶劑中所含有的低沸點雜質會蒸發，接著溶劑成分會蒸發，而從塔頂作為餾出液被取出。在此，低沸點雜質係意指沸點比溶劑成分更低的物質。若在這樣的條件下蒸餾，則只要形成共沸組成而不餾出高沸點雜質，高沸點雜質會 在蒸餾槽中作為槽底而被分離。

進行連續式蒸餾時，將因加熱而氣化的溶劑導入蒸餾塔的中段，而分離出含有從蒸餾塔的塔頂所得到的低沸點雜質及溶劑成分之餾出液、與含有從蒸餾塔的底部所得到的高沸點雜質之底出液。於分批式蒸餾中，由於只有蒸餾槽的容積份可進行處理，因此於將多量的溶劑進行蒸餾之情況中，係以連續式蒸餾者為佳。

此外，於蒸餾步驟中，蒸餾雖可為1段，但為了精確度更佳地蒸餾，以進行多段蒸餾者為佳。於多段蒸餾中，雖依據溶劑的種類而異，但例如，於將對薄荷烷進行蒸餾的情況中，係以使用包含塔頂及塔底的段數為2~15段之多段塔來進行蒸餾者為佳，以使用10段之多段塔來進行蒸餾者為更佳。多段塔之段數，例如，只要是使氣液的組成平衡，且使各段之間的物質移動成為定常狀態的段數即可。

若依據多段蒸餾，則含有揮發性較高的低沸點雜質之氣體會被送至上段，含有揮發性較低高沸點雜質之液體會流落至下段，因此，使越上部的段越富含揮發性高的低沸點雜質，越下部的段越富含揮發性低的高沸點雜質，而可使分離性能提昇。

於蒸餾步驟中，亦可以使從蒸餾塔的塔頂所得到的蒸氣之凝縮液的一部分作為迴流液再供給至蒸餾塔的方式使其迴流。

於蒸餾步驟中之蒸餾條件，雖可因應成為蒸 餾對象之溶液的種類而適當設定，但例如，於將對薄荷烷進行蒸餾的情況，係以20~100mmHg之減壓條件下者為佳，以60mmHg之減壓條件下者為更佳。蒸餾溫度係只要為溶劑之沸點以上、且未達高於溶劑之沸點25℃的溫度即可。

於蒸餾步驟中高沸點雜質會被分離，於蒸餾塔的塔頂或是多段蒸餾的情況中，藉由將從比蒸餾槽更上方的各段作為蒸氣所取出的餾出液冷卻，而將溶劑予以回收。接著，得到含有該溶劑的本發明之剝離用組成物。

對薄荷烷(bp：168℃)等之烴系溶劑中所含有的異莰醇(bp：212℃)、葑醇(bp：202℃)、葑酮(bp：194℃)等具有極性基(羥基、羰基等)之雜質係具有高於溶劑之沸點25℃以上的沸點。若剝離用組成物中含有含如此之雜質的高沸點雜質，則會在將基板與支撐板之間的接著劑溶解，使基板乾燥後時，成為液跡殘渣之發生的原因。若依據本發明之剝離用組成物之製造方法，則由於以溶劑之沸點以上、且未達高於溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾，因此可從該溶劑中將如此之高沸點雜質分離。

於蒸餾步驟中，係較佳為將溶劑進行蒸餾，以使含有蒸餾後之溶劑的剝離用組成物中之具有高於溶劑之沸點25℃以上的沸點之高沸點雜質的含量成為5重量%以下。

藉此，於含有該溶劑之剝離用組成物中，由 於高沸點雜質的含量成為5重量%以下，因此，藉由使用此來將基板從支撐板剝離，可減低使支撐基板剝離後之基板表面乾燥後時，於基板表面發生液跡殘渣。

於蒸餾步驟中所得到的溶液中含有之高沸點雜質的含量係可藉由氣相層析分析來進行測量。

[實施例] (1：依蒸餾階段而異的高沸點雜質之含量的分析)

將純度95.7%的對薄荷烷進行蒸餾，藉由氣相層析來對依蒸餾階段而異的高沸點雜質之含量進行分析。將由對薄荷烷所進行的蒸餾，以分離能力10段，且在60mmHg之減壓條件下，設定成迴流比5來進行。將餾出液予以回收，藉由氣相層析來分析該成分。

<氣相層析分析條件>

Agilent公司製之6890N

檢測器：FID(Flame Ionization Detector)

注入口溫度：250℃、檢測器溫度：250℃

烘箱溫度：50℃(1分鐘)→10℃昇溫/分鐘→220℃(保持3分鐘)

使用管柱：惰性管1

0.25mm×60m

藉由上述氣相層析分析條件來分析蒸餾階段1~8中之各餾出液中的成分。接著，使用蒸餾階段1~8中之各 餾出液，來評估出接著劑溶解後之晶圓表面的液跡殘渣。

首先，以使濃度成為25重量%的方式將降莰烯與乙烯共聚合後之環烯烴共聚物(Polyplastics公司製之「TOPAS(商品名)8007」，降莰烯：乙烯=65：35(重量比)、重量平均分子量：98,200、Mw/Mn：1.69)溶解於對薄荷烷中。相對於此溶液100重量份，添加5重量份之BASF公司製的「1IRGANOX(商品名)1010」作為抗氧化劑，而調製出接著劑組成物。

接著，將該接著劑組成物塗佈於12吋矽晶圓上，各以100℃、160℃及220℃進行烘烤3分鐘而形成膜厚15μm的接著劑層。藉由蒸餾前之對薄荷烷、各蒸餾階段的餾出液、槽底之底出液來溶解所形成的接著劑層。此時，一面將各溶劑滴下至接著劑層，一面使晶圓以500rpm旋轉5分鐘。將接著劑層溶解後，藉由使晶圓以2000rpm旋轉60秒鐘，而使晶圓表面乾燥。然後，藉由目視確認出經乾燥的晶圓表面是否有液跡殘渣產生。

將蒸餾前之對薄荷烷、各蒸餾階段的餾出液、及槽底的底出液之成分分析結果，以及使用有此等之晶圓表面的液跡殘渣之評估結果展示於表1。於表1中，將各成分的含量以area%展示。

於表1中，於對薄荷烷2(反型)右側所記載的檢測成分峰值為高沸點雜質。於蒸餾前之對薄荷烷中，係共包含0.22area%之高沸點雜質。接著，於蒸餾階段1~4(分取比率0~50%)中，雖含有低沸點雜質，但並未含有高沸點雜質。於蒸餾階段5~8(分取比率50~94%)中，將各階段之餾出液全體設為100area%時，含有0.10~0.49area%的高沸點雜質。於槽底，將底出液全體設為100重量%時，含有40.29area%的高沸點雜質。另外，由於所使用的對薄荷烷之純度為95.7%，因此只能進行蒸餾至分取率94%為止。再者，高沸點雜質，係可藉由核磁共振(NMR；nuclear magnetic resonance)及氣相層析質量分析(GC-MS)而確認出異莰醇、葑醇、葑酮。

使用未含有高沸點雜質之蒸餾階段1~4的餾出液來溶解接著劑時，於晶圓表面並無觀察到液跡殘渣(A)。此外，於接著劑之溶解使用有高沸點雜質的含量為0.10area%之蒸餾階段5的餾出液時，於晶圓表面並無觀察到液跡殘渣(A)。此外，使用蒸餾前之對薄荷烷、蒸餾階段6~8的餾出液來溶解接著劑時，雖於晶圓表面觀察到些許的液跡殘渣，但達成將液跡殘渣減低一事，故接著劑溶解後之晶圓為可無問題地使用之水準(B)。另一方面，於接著劑之溶解中使用有槽底的底出液時，於晶圓表面觀察到液跡殘渣(C)。

此外，如表1所示，於蒸餾階段1~4的餾出液中，對薄荷烷的順型與反型之合計比率無論是否低於蒸 餾階段6~8的餾出液，皆於接著劑溶解後之晶圓表面未觀察到液跡殘渣，因此，可以說並非對薄荷烷的純度而是高沸點雜質的含量會影響液跡殘渣的發生。亦即，就解決液跡殘渣的問題而言，溶液中之低沸點雜質的含量係可不列入考慮。

(2：使用有高沸點雜質的含量不同之溶劑的液跡殘渣發生之評估)

根據上述1.所記載的方法，將純度95.7%的對薄荷烷進行蒸餾，如以下表2所示般，準備有高沸點雜質的含量不同之10種類的對薄荷烷溶劑。使用此等之對薄荷烷，來評估將晶圓上之接著劑溶解後所產生的液跡殘渣。

如表2所示般，於溶劑中之高沸點雜質的含量為5重量%以下之實施例1~8中，係可將基板表面之支撐板剝離後的液跡殘渣之發生減低至可無問題地使用之水準。亦即，於實施例1~5中，於將接著劑溶解後之晶圓表面並無觀察到液跡殘渣(A)。此外，於實施例6~8中，雖於晶圓表面觀察到些許的液跡殘渣，但達成將液跡殘渣減低一事，故接著劑溶解後之晶圓為可無問題地使用之水準(B)。另一方面，於溶劑中之高沸點雜質的含量超過5重量%的比較例1及2中，於將接著劑溶解後的晶圓表面確認出液跡殘渣(C)。

在此，各對薄荷烷之高沸點雜質的含量係根據上述1.所記載的方法來分析。將於第1圖展示實施例4中所示之對薄荷烷的氣相層析分析結果、及於第2圖展示比較例1中所示之對薄荷烷的氣相層析分析結果作為以氣相層析所進行的分析結果之例子。

於第1及2圖中，2個大的峰值係表示對薄荷烷之順型與反型，於圖中較右側的區域展示高沸點雜質。如第1圖所示，於實施例4之對薄荷烷中，於比順型及反型的峰值更右側的區域X，幾乎不存在峰值，而幾乎不含有高沸點雜質。另一方面，如第2圖所示，於比較例1之對薄荷烷中，於比順型及反型的峰值更右側的區域Y，存在複數之峰值，而含有複數之高沸點雜質。

首先，與上述1.同樣地進行以實施例1~8及比較例1及2之各對薄荷烷溶劑所致之晶圓表面的液跡殘渣之評估。將結果展示於第3圖。

第3圖係藉由將晶圓表面攝像後的影像來展 示使用有高沸點雜質之含量不同的對薄荷烷之液跡殘渣的評估結果。如第3圖所示，於實施例1~5中係於乾燥後之晶圓表面完全未觀察到液跡，即使實施例6~8也幾乎未觀察到殘跡。另一方面，於比較例1及2中，係於乾燥後之晶圓表面觀察到殘跡。

(3：使用有對薄荷烷以外之溶劑的液跡殘渣發生之評估)

使用對薄荷烷以外之溶劑，根據上述1.所記載的方法來評估將晶圓上之接著劑溶解後所產生的液跡殘渣。溶劑係分別使用有：D-檸檬烯(bp：176℃、實施例9)、環辛烷(bp：151℃、實施例10)、蒎烷(bp：167℃、實施例11)、將D-檸檬烯與對薄荷烷混合成1：1者(實施例12)、將環辛烷與對薄荷烷混合成1：1者(實施例13)、將蒎烷與對薄荷烷混合成1：1者(實施例14)、將環辛烷與蒎烷混合成1：1者(實施例15)。另外，溶劑之混合比皆以重量比表示。

D-檸檬烯係使用純度97.5%者，環辛烷係使用純度98.2%者，蒎烷係使用純度99.6%者。此等對薄荷烷以外的溶劑，係藉由以與實施例相同的條件進行蒸餾而加以純化者。對薄荷烷係根據上述1.所記載的方法並使用相當實施例5所蒸餾出的對薄荷烷。

將於實施例9~15中使用的各溶劑、各溶劑之高沸點雜質的含量及液跡評估的結果係展示於表3。

如表3所示般，即使於使用有對薄荷烷以外的溶劑之情況中，於溶劑中之高沸點雜質的含量為5重量%以下的實施例9~15中，也可將基板表面之支撐板剝離後的液跡殘渣之發生減低至可無問題地使用的水準。亦即，於實施例10~15中，於將接著劑溶解後之晶圓表面並無觀察到液跡殘渣(A)。此外，於實施例9中，雖於晶圓表面觀察到些許的液跡殘渣，但達成將液跡殘渣減低一事，故接著劑溶解後之晶圓為可無問題地使用之水準(B)。

此外，第4圖係藉由將晶圓表面攝像後的影像來展示使用有對薄荷烷以外的溶劑之液跡殘渣的評估結果。如第4圖所示，於實施例9中，於乾燥後的晶圓表面所殘存的液跡殘渣係為薄者。此外，於實施例10~15，係於乾燥後之晶圓表面完全未觀察到液跡。

本發明並不限定於上述的實施形態，在申請項所表示的範圍內可做各種的變更，針對適當組合實施形態所揭示的技術手段所得到的實施形態亦包含於本發明之 技術性範圍中。

[產業上之可利用性]

本發明係例如可適合使用於經微細化的半導體裝置之製造步驟中。

Claims (6)

1. 一種剝離用組成物，其係含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物，其特徵為：上述溶劑為對薄荷烷，其中具有極性基的高沸點雜質的含量為5重量%以下，前述高沸點雜質具有高於對薄荷烷的沸點25℃以上之沸點。
2. 如申請專利範圍第1項之剝離用組成物，其中上述極性基為羥基或羰基。
3. 如申請專利範圍第1或2項之剝離用組成物，其中上述溶劑，係以該溶劑之沸點以上、且未達高於該溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾所得到之溶劑。
4. 如申請專利範圍第1或2項之剝離用組成物，其中上述基板係為晶圓。
5. 一種剝離用組成物之製造方法，其係含有用來溶解使支撐板貼附於基板的接著劑而將該基板從該支撐板剝離的溶劑之剝離用組成物之製造方法，其特徵為包含：將溶劑以該溶劑之沸點以上、且未達高於該溶劑之沸點25℃的溫度進行蒸餾的蒸餾步驟。
6. 如申請專利範圍第5項之剝離用組成物之製造方法，其中於上述蒸餾步驟中，係將溶劑進行蒸餾，以使上述剝離用組成物中具有高於上述溶劑的沸點25℃以上之沸點的高沸點雜質的含量成為5重量%以下。