TWI612535B - 閃爍器面板及閃爍器面板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的為提供一種閃爍器面板,其係能夠以大面積且高精密度形成細窄的間隔物,發光亮度高,並可實現鮮明的畫質。本發明提供一種閃爍器面板,其係具有平板狀基板、設置於該基板上的格子狀間隔物、及含有填充至被上述間隔物區隔的單元內的螢光體之閃爍器層之閃爍器面板,其中,上述間隔物係以低熔點玻璃為主成分,上述基板係以陶瓷為主成分的材料所構成,該陶瓷係選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組。
Description
本發明關於一種閃爍器面板,其係構成醫療診斷裝置、非破壞檢查機器等所使用的放射線偵測裝置。
以往,使用底片的X光影像被廣泛使用在醫療現場。但是,使用底片的X光影像是類比影像資訊,因此近年來開發出電腦放射拍攝(computed radiography:CR)或平板型放射線偵測器(flat panel detector:FPD)等的可輸出數位影像的放射線偵測裝置。另外,在X光CT裝置之中,也於與X光放射線源對向的位置上使用了偵測放射線強度的放射線偵測裝置。
放射線偵測裝置可大致區別成直接轉換型偵測裝置與間接轉換型偵測裝置。其中,在間接轉換型偵測裝置之中,為了將放射線轉換成可見光而使用了閃爍器面板。閃爍器面板中含有碘化銫(CsI)等的X光螢光體,相應於所照射的X光,該X光螢光體會發出可見光,藉由使用TFT或CCD將該發光轉換成電子訊號,可偵測出X光的強度。但是,這種構成的放射線偵測裝置會有S/N比低的問題。這是因為在X光螢光體發光時,螢光體本身造成可見光散射等。為了縮小此光線散射的影響,有文獻提出了在被間隔物隔開的單元內填充螢光體的方法(專利文獻1~4)。
但是,形成這種間隔物的方法,過去以來所使用的方法是對矽晶圓蝕刻加工的方法,或將顏料或陶瓷粉末與低熔點玻璃粉末的混合物的玻璃糊劑使用網版印刷法進行多層圖案印刷,然後進行燒成而形成間隔物圖案之方法等。在將矽晶圓蝕刻加工的方法中,可形成的閃爍器面板的尺寸會受到矽晶圓的尺寸所限定,無法得到500mm見方這樣的大尺寸的面板。為了製作出大尺寸的面板,而將多個小尺寸的面板並排來製作,然而其製作在精密度上有困難,而難以製作大面積的閃爍器面板。另外,由於使用了高價的單結晶矽晶圓,因此在成本方面也不利。
另外,在使用玻璃糊劑的多層網版印刷法中,因為網版印刷版的尺寸變化等,而難以進行高精密度加工。另外,在進行多層網版印刷時,為了防止間隔物圖案崩壞缺損以及為了提高間隔物圖案的強度,必須具有一定的間隔物寬度。若間隔物圖案的寬度變寬,則間隔物之間的空間相對變狹小,可填充螢光體的體積變小,而且填充量變得不均勻。因此,此方法所得到的閃爍器面板中,X光螢光體的量少,因此會有發光變弱,產生光斑這些缺點。這些缺點在低輻射量的拍攝時,會對鮮明的拍攝造成障礙。
亦即,為了製作出發光效率高、實現鮮明的畫質的閃爍器面板,須要有一種能夠以大面積且高精密度進行加工,且可降低間隔物寬度的間隔物之加工技術。
專利文獻1 特開平5-60871號公報
專利文獻2 特開平5-188148號公報
專利文獻3 特開2011-7552號公報
專利文獻4 特開2011-21924號公報
本發明之課題為提供一種能夠以大面積且高精密度形成細窄的間隔物、發光亮度高、實現鮮明的畫質之閃爍器面板。
此課題可藉由下述任一技術手段來達成。
(1)一種閃爍器面板,其係具有含有平板狀的基板、設置於該基板上的格子狀間隔物、及填充至上述被間隔物區隔的單元內的螢光體之閃爍器層之閃爍器面板,上述間隔物係由以低熔點玻璃為主成分的材料所構成,上述基板係由以陶瓷為主成分的材料所構成,該陶瓷係選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組。
(2)如上述(1)所記載之閃爍器面板,其中,上述低熔點玻璃係含鹼金屬氧化物2~20質量%。
(3)一種閃爍器面板之製造方法,其係具有:由以陶瓷為主成分的材料所構成,且該陶瓷係選自由氧化鋁、
氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組的平板狀基板;設置於該基板上的格子狀間隔物;及含有填充至被該間隔物區隔的單元內的螢光體之閃爍器層之閃爍器面板之製造方法,其中,具備:在基板上塗佈含有低熔點玻璃粉末及感光性有機成分的感光性糊劑,而形成感光性糊劑塗膜之步驟;將所得到的感光性糊劑塗膜透過具有既定開口部的光罩進行曝光之步驟;將曝光後的感光性糊劑塗膜中可溶於顯影液的部分溶解除去之顯影步驟;將顯影後的感光性糊劑塗膜圖案加熱至500~700℃以除去有機成分,同時使低熔點玻璃軟化及燒結,而形成間隔物之燒成步驟;及在被該間隔物區隔的單元內填充螢光體之步驟。
藉由本發明,能夠以大面積且高精密度形成細窄的間隔物,因此可提供一種用來實現大尺寸及鮮明拍攝的閃爍器面板及其製造方法。
1‧‧‧放射線偵測裝置
2‧‧‧閃爍器面板
3‧‧‧輸出基板
4‧‧‧基板
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧間隔物
7‧‧‧閃爍器層
8‧‧‧隔膜層
9‧‧‧光電轉換層
10‧‧‧輸出層
11‧‧‧基板
12‧‧‧電源部
第1圖係示意性表示含有本發明之閃爍器面板之放射線偵測裝置的構成之剖面圖。
第2圖係示意性表示本發明之閃爍器面板的構成之立體圖。
以下使用圖式,針對本發明之閃爍器面板及使用其之放射線偵測裝置的合適構成作說明,然而本發明不受該等所限定。
第1圖係示意性表示含有本發明之閃爍器面板之放射線偵測裝置的構成之剖面圖。第2圖係示意性表示本發明之閃爍器面板的構成之立體圖。放射線偵測裝置1係由閃爍器面板2、輸出基板3、及電源部12所構成。閃爍器面板2含有具備螢光體的閃爍器層7,會吸收X光等的入射的放射線的能量,而發出波長在300~800nm的範圍的電磁波,亦即,以可見光為中心,自紫外光至紅外光的範圍的電磁波(光)。
閃爍器面板2係由含有基板4、用以隔開形成於其上的單元的格子狀間隔物6、填充至該間隔物所形成的空間內之螢光體之閃爍器層7所構成。另外,藉由在基板1與間隔物6之間進一步形成緩衝層5,可安定地形成間隔物6。另外,藉由提高此緩衝層5對可見光的反射率,閃爍器層7所發出的光線可效率良好地到達輸出基板上3之光電轉換層9。
輸出基板3係具有在基板11上以二維平面狀形成之由光感測器與TFT所構成的畫素的光電轉換層9及輸出層10。藉由使閃爍器面板2的發光面與輸出基板3的光電轉換層9隔著由聚醯亞胺樹脂等所構成的隔膜層8而接著或密著,製成放射線偵測裝置1。閃爍器層7所發出的光線會到達光電轉換層9,在光電轉換層9進行光電轉換而輸出。本發明之閃爍器面板中,間隔物會將各單元隔開,因此配置成格子狀的光電轉換元件的畫素的大小及節距(pitch),與閃爍器面板的單元的大小及節距一致,藉此,即使光線因為螢光體而散射,也可防
止散射光到達相鄰的單元,藉由這種方式,可減少光散射造成的影像模糊,而能夠進行高精密度的拍攝。
本發明之閃爍器面板所使用的基板,必須由以陶瓷為主成分的材料所構成,該陶瓷係選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組。這種基板具有高反射性、高強度、高平坦性、高X光透過性及高耐熱性,而且熱膨脹係數適合作為用以藉由感光性糊劑法形成間隔物的基板。此外,以陶瓷為主成分,是指構成基板的材料的20~100質量%為陶瓷,而以50~100質量%為陶瓷較佳。陶瓷的含量小於20質量%的情況,基板之反射性會變低。
此處,所謂的富鋁紅柱石是指具有3Al2O3.2SiO2~2Al2O3.SiO2之組成的材料。另外,所謂的塊滑石是指以滑石(3MgO.4SiO2.H2O)的燒成體,MgO.SiO2為主體的材料。
為了提高閃爍器面板的發光亮度,能夠達成更鮮明的拍攝,基板在波長550nm的光線反射率係以20%以上為佳,40%以上為較佳,70%以上為更佳。
構成基板的材料,除了選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組中的陶瓷以外,亦可在小於80質量%的範圍含有其他陶瓷材料、或硼矽酸玻璃等的其他成分。適合採用例如由在氧化鋁50~95質量%中添加二氧化鋯5~50質量%而成的二氧化鋯強化氧化鋁所構成的基板、或氧化鋁20~80質量%與玻璃粉末20~80質量%的混合物的玻璃陶瓷基板。
為了控制玻璃陶瓷基板之反射性、著色性、熱膨脹係數或面板強度,作為上述玻璃陶瓷基板的原料的玻璃粉末係以硼矽酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃、矽酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃、鉛硼酸鹽玻璃、鉛硼矽酸鹽玻璃或鉍矽酸鹽玻璃等的氧化物玻璃為佳。
上述玻璃陶瓷基板,可藉由將由陶瓷微粉末、玻璃粉末及黏結劑所構成的綠帶(Green Sheet)燒成來製作。上述玻璃陶瓷基板,亦可藉由單層的綠帶的燒成而得到,為了提升反射性,以積層多層的綠帶並且燒成而成的積層玻璃陶瓷基板為佳。
本發明之閃爍器面板所使用的基板,宜為藉由將含有選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組中的陶瓷的微粉末作為無機成分中的主成分的原料燒成所產生的多結晶體為佳。由於是多結晶體,光的散射不容易發生,基板的反射率會提升。
基板的化學組成,可簡易地藉由使用螢光X
光分析對所含有的元素種類作定量分析來確認。更詳細而言,藉由將ICP發光分光分析、原子吸光分析或粉末X光繞射法等的手段組合使用,可決定多結晶體的各成分的含有率。
為了抑制會導致面板破裂或發出之光的串擾(crosstalk)等的彎曲現象,基板之熱膨脹係數係以40~90×10-7/K為佳。進一步如果使基板的熱膨脹係數大於構成間隔物的低熔點玻璃的熱膨脹係數,則可使閃爍器面板與輸出基板緊密貼合而減低串擾,故為較佳。
從使基板的強度、基板的反射率及X光透過性充足的觀點看來,基板的厚度係以0.1~2.0mm為佳,0.1~0.7mm為較佳。在基板的厚度小於0.1mm的情況,基板的反射率容易變低,另外,基板的強度會降低,閃爍器面板容易破裂。另一方面,在基板厚度大於2.0mm的情況,X光透過率會變低。
在此基板上形成間隔物,而從耐久性及耐熱性的觀點看來,間隔物係以由玻璃材料所構成為佳。本發明之閃爍器面板的特徵為:間隔物係由以低熔點玻璃為主成分的材料所構成。以低熔點玻璃為主成分的材料由於具有適當的軟化溫度,因此適合於藉由感光性糊劑法以大面積且高精密度形成細窄的間隔物上。此處,低熔點玻璃是指軟化溫度在700℃以下的玻璃。另外,以低熔點玻璃為為主成分是指構成間隔物的材料的50~100質量%為低熔點玻璃粉末。在低熔點玻璃並非為主成分的情況,間隔物的強度會變低。
本發明之閃爍器面板之製造方法係具備:在以陶瓷為主成分的材料所構成且該陶瓷係選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組的基板上,塗佈含有低熔點玻璃粉末及感光性有機成分的感光性糊劑,而形成感光性糊劑塗膜之步驟;將所得到的感光性糊劑塗膜透過具有既定開口部的光罩進行曝光之曝光步驟;將曝光後的感光性糊劑塗膜中可溶於顯影液的部分溶解除去之顯影步驟;以及顯影後的感光性糊劑塗膜圖案加熱至高溫以除去有機成分,同時使低熔點玻璃
軟化及燒結,而形成間隔物之燒成步驟。在曝光步驟之中,藉由曝光使感光性糊劑塗膜中須要的部分發生光硬化,或使感光性糊劑塗膜中不須要的部分發生光分解,而使感光性糊劑塗膜對顯影液的溶解產生差異。在顯影步驟之中,將曝光後的感光性糊劑塗膜中不需要的部分以顯影液除去,可得到僅殘存須要的部分的感光性糊劑塗膜圖案。
在燒成步驟之中,以將所得到的感光性糊劑塗膜圖案在500~700℃下燒成為佳,在500~650℃下燒成較佳。藉由在這種溫度範圍進行燒成,有機成分會被分解餾除,同時低熔點玻璃粉末軟化及燒結,而形成含有低熔點玻璃的間隔物。為了完全除去有機成分,燒成溫度係以500℃以上為佳。另外,若燒成溫度超過700℃,則燒成步驟中的基板的變形會變大,因此燒成溫度係以700℃以下為佳。
本發明之閃爍器面板之製造方法所使用的感光性糊劑,宜以低熔點玻璃為主成分。以低熔點玻璃為主成分是指感光性糊劑中的無機成分的50~100質量%為低熔點玻璃粉末。藉由使用這種感光性糊劑,可形成由以低熔點玻璃為主成分的材料所構成的間隔物。
本發明之閃爍器面板之製造方法係在相較於藉由多層網版印刷將玻璃糊劑積層印刷之後進行燒成的加工方法之下,可達成更高精密度的加工。
感光性糊劑是由含有感光性有機成分的有機成分與含有低熔點玻璃粉末的無機粉末所構成。為了形
成燒成前的感光性糊劑塗膜圖案,必須具有一定量的有機成分,而若有機成分過多,則在燒成步驟所除去的物質的量變多,燒成收縮率會變大,因此在燒成步驟中容易發生圖案缺損。另一方面,若有機成分過少,則糊劑中的無機微粒子的混合及分散性降低,因此燒成時容易產生缺陷,不僅如此,糊劑的黏度會上昇,因此糊劑的塗佈性降低,甚至對糊劑的安定性也會有不良影響。於是,感光性糊劑中的無機粉末含量係以30~80質量%為佳,40~70質量%較佳。另外,相對於無機粉末全體,低熔點玻璃粉末係以50~100質量%為佳。
在燒成步驟之中,為了將有機成分幾乎完全除去,且使所得到的間隔物具有一定的強度,宜為採用由軟化溫度為480℃以上的低熔點玻璃所構成的玻璃粉末。在軟化溫度小於480℃的情況,在燒成時,低熔點玻璃會在有機成分被充分除去之前軟化,有機成分的殘存物會被吸收進玻璃中。此情況下,有機成分在後來會徐緩地釋放,會有降低製品品質的顧慮。另外,被吸收進玻璃中的有機成分的殘存物會成為玻璃著色的主因。藉由使用軟化溫度為480℃以上的低熔點玻璃粉末,並在500℃以上的溫度燒成,可完全除去有機成分。如前述般,燒成步驟中的燒成溫度係以500~700℃為佳,500~650℃較佳,因此低熔點玻璃的軟化溫度係以480~700℃為佳,480~640℃較佳,480~620℃更佳。
軟化溫度是使用示差熱分析裝置(DTA;Rigaku股份有限公司製;「差動型示差熱天秤TG8120」)
對樣品作測定,由所得到的DTA曲線,藉由切線法外插而求得吸熱峰的吸熱結束溫度。具體而言,使用示差熱分析裝置,以氧化鋁粉末為標準試樣,並以20℃/分鐘由室溫開始昇溫,對於作為測定樣品的無機粉末進行測定,而得到DTA曲線。由所得到的DTA曲線,藉由切線法外插求得吸熱峰的吸熱結束溫度,將此軟化點Ts定義為軟化溫度。
低熔點玻璃之熱膨脹係數係以40~90×10-7/K為佳。在基板上形成含有低熔點玻璃的感光性糊劑塗膜並燒成時,若熱膨脹係數大於90×10-7/K,則面板大幅彎曲,因此難以當作放射線偵測裝置來組裝。另外,面板發生彎曲的放射線偵測裝置,在面板面內會發生發出之光的串擾,或發出之光的光量的偵測感度發生偏差,因此難以達成高精細的影像偵測。另外,在熱膨脹係數小於40×10-7/K的情況,無法充分降低低熔點玻璃的軟化溫度。
為了得到低熔點玻璃,可採用能夠有效使玻璃低熔點化的材料,如選自氧化鉛、氧化鉍、氧化鋅及鹼金屬氧化物的金屬氧化物。其中,以使用鹼金屬氧化物,來調整玻璃的軟化溫度為佳。此外,一般而言,鹼金屬是指鋰、鈉、鉀、銣及銫,而在本發明中的鹼金屬氧化物是指選自由氧化鋰、氧化鈉及氧化鉀所構成的群組中的金屬氧化物。
低熔點玻璃中的鹼金屬氧化物的含量X(M2O)係以定在2~20質量%為佳。在鹼金屬氧化物的含量小
於2質量%的情況,由於軟化溫度變高,而必須在高溫進行燒成步驟。因此,在燒成步驟之中,由於基板變形,所得到的閃爍器面板容易歪斜、或間隔物容易產生缺陷,故不適合。另外,在鹼金屬氧化物的含量高於20質量%的情況,在燒成步驟之中,玻璃的黏度會過度降低。因此,所得到的間隔物的形狀容易產生歪斜。另外,由於所得到的間隔物之空隙率會變得過小,所得到的閃爍器面板的發光亮度會變低。
另外,除了鹼金屬氧化物之外,為了調整在高溫下的玻璃黏度,低熔點玻璃係以含有氧化鋅3~10質量%為佳。在氧化鋅的含量為3質量%以下的情況,在高溫下的玻璃黏度變高,若為10質量%以上,則玻璃的成本會有變高的傾向。
此外,藉由使低熔點玻璃中含有上述鹼金屬氧化物及氧化鋅,以及含有氧化矽、氧化硼、氧化鋁或鹼土類金屬之氧化物等,可控制低熔點玻璃的安定性、結晶性、透明性、折射率或熱膨脹特性等。藉由將低熔點玻璃的組成定在以下所示的組成範圍,可製作出具有適合於本發明的黏度特性的低熔點玻璃,故為適合。
鹼金屬氧化物:2~20質量%
氧化鋅:3~10質量%
氧化矽:20~40質量%
氧化硼:25~40質量%
氧化鋁:10~30質量%
鹼土類金屬氧化物:5~15質量%
此處,鹼土類金屬是指選自由鎂、鈣、鋇及鍶所構成的群組中之1種以上的金屬。
低熔點玻璃粉末的粒徑可使用粒度分布測定裝置(日機裝股份有限公司製;「MT3300」)進行評估。測定方法是在充滿水的試樣室投入無機粉末,實施超音波處理300秒鐘後進行測定。
低熔點玻璃粉末之粒徑係以50%體積平均粒徑(D50)在1.0~4.0μm的範圍內為佳。在D50小於1.0μm的情況,粒子的凝集變強,難以得到均勻的分散性,糊劑的流動性會變得不安定。這種情況下,塗佈糊劑時厚度均勻性降低。另外,若D50超過4.0μm,則所得到的燒結體的表面凹凸變大,成為在後續步驟中容易造成圖案破碎的原因。
本發明之閃爍器面板之製造方法所使用的感光性糊劑,除了上述低熔點玻璃粉末以外,還可含有即使在700℃也不會軟化的高熔點玻璃、或氧化矽、堇青石、富鋁紅柱石或長石等的陶瓷粒子作為填料。藉由同時使用填料與低熔點玻璃粉末,會有控制糊劑組成物的燒成收縮率或保持所形成的間隔物形狀的效果。但是,若填料占無機粉末全體的比例超過50質量%,則會阻礙低熔點玻璃粉末的燒結,而發生間隔物強度降低等的問題,故為不佳。另外,因為與低熔點玻璃粉末同樣的理由,填料的D50係以0.5~4.0μm為佳。填料的D50可藉由與低熔點玻璃粉末同樣的手段進行評估。
感光性糊劑係低熔點玻璃粉末或填料的折射率n1與感光性有機成分的平均折射率n2以滿足-0.1<n1-n2<0.1為佳,滿足-0.01≦n1-n2≦0.01較佳,滿足-0.005≦n1-n2≦0.005更佳。藉由滿足此條件,在曝光步驟之中,低熔點玻璃粉末或填料與感光性有機成分的界面的光散射會被抑制,可進行高精密度的圖案形成。藉由調整構成低熔點玻璃粉末的氧化物的摻合比率,可得到兼具適當的熱特性以及適當的折射率的低熔點玻璃粉末。
低熔點玻璃粉末或填料的折射率可藉由貝克線偵測法作測定。將25℃時在波長436nm(g射線)的折射率定為低熔點玻璃粉末或填料的折射率。另外,感光有機成分的平均折射率,可藉由橢圓偏振儀對於由感光性有機成分所構成的塗膜進行測定而求得。將25℃時在波長436nm(g射線)的折射率定為感光性有機成分的平均折射率。
藉由使感光性糊劑含有感光性有機成分作為有機成分,能夠以如上述般的感光性糊劑法進行圖案加工。藉由感光性有機成分採用感光性單體、感光性寡聚物、感光性聚合物或光聚合起始劑等,可控制反應性。此處,感光性單體、感光性寡聚物及感光性聚合物的感光性意指在糊劑受到活性光線照射時,感光性單體、感光性寡聚物或感光性聚合物會發生光交聯、光聚合等的反應而改變化學構造。
感光性單體適合採用具有活性碳-碳雙鍵的化合物,具有乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯胺基作為官能基的單官能化合物及多官能化合物。從提高藉由光反應而硬化時的交聯密度,提升圖案形成性的觀點看來,尤其以在有機成分中含有選自多官能丙烯酸酯化合物及多官能甲基丙烯酸酯化合物的化合物10~80質量%者為佳。作為多官能丙烯酸酯化合物及多官能甲基丙烯酸酯化合物,目前已開發出了多種的化合物,因此可考慮反應性、折射率等,由該等之中適當地選擇。
感光性寡聚物及感光性聚合物適合採用具有活性碳-碳雙鍵的寡聚物及聚合物。感光性寡聚物及感光性聚合物,可藉由例如使丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、3-丁烯酸或該等的酸酐等的含羧基的單體及甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、苯乙烯、丙烯腈、醋酸乙烯酯、丙烯酸2-羥乙酯等的單體發生共聚合而得到。將活性碳-碳雙鍵導入寡聚物或聚合物之方法,可採用使寡聚物或聚合物中之巰基、胺基、羥基或羧基與丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯或烯丙基氯、具有縮水甘油基或異氰酸酯基的乙烯性不飽和化合物或馬來酸等的羧酸發生反應而製作之方法等。
藉由感光性單體或感光性寡聚物採用具有胺甲酸乙酯構造的單體或寡聚物,可得到在燒成步驟之中圖案不易缺損的感光性糊劑。藉由玻璃粉末採用低熔點玻璃粉末,在燒成步驟後期進行玻璃粉末燒結的過程不易發生急劇收縮,可抑制圖案缺損。此外,在有機成分
採用具有胺甲酸乙酯構造的化合物的情況,燒成步驟初期的有機成分分解及餾除的過程中會產生應力緩和,圖案不易缺損。藉由這兩種效果,可在廣溫度範圍抑制圖案缺損。
光聚合起始劑是可藉由活性光源的照射而產生自由基的化合物。具體的例子,可列舉二苯酮、o-苯甲醯基安息香酸甲酯、4,4-雙(二甲基胺基)二苯酮、4,4-雙(二乙基胺基)二苯酮、4,4-二氯二苯酮、4-苯甲醯基-4-甲基二苯酮、二苄基酮、茀酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基丙醯苯、噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苄基甲氧基乙基縮醛、安息香、安息香甲基醚、安息香丁基醚、蒽醌、2-第三丁基蒽醌、蔥酮、苯并蔥酮、二苯并環庚酮、亞甲基蔥酮、4-疊氮基亞苄基苯乙酮、2,6-雙(對疊氮基亞苄基)環己酮、2,6-雙(對疊氮基亞苄基)-4-甲基環己酮、1-苯基-1,2-丁二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1,3-二苯基丙三酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基丙三酮-2-(O-苯甲醯基)肟、米其勒酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)苯基]-2-啉基-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)丁酮-1、萘磺醯氯、喹啉磺醯氯、N-苯基硫代吖啶酮、苯并噻唑二硫化物、三苯膦、過氧化安息香及曙紅、亞甲基藍等的光還原性的色素與抗壞血酸、三乙醇胺等的還原劑的組合等。另外還可將該等2種以上組合使用。
感光性糊劑可含有具有羧基的共聚物作為黏結劑。具有羧基的共聚物,可藉由例如選擇丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、巴豆酸、馬來酸、富馬酸、3-丁烯酸或該等的酸酐等的含羧基的單體、及甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯、苯乙烯、丙烯腈、醋酸乙烯酯、2-羥乙基丙烯酸酯等的其他單體,並使用如偶氮雙異丁腈般的起始劑,進行共聚合而得到。從燒成時的熱分解溫度低的觀點看來,具有羧基的共聚物適合採用以丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯及丙烯酸或甲基丙烯酸為共聚合成分的共聚物。
藉由使感光性糊劑含有具有羧基的共聚物,會成為在鹼水溶液中溶解性優異的糊劑。具有羧基的共聚物的酸價係以50~150mgKOH/g為佳。藉由將酸價定在150mgKOH/g以下,可增加顯影容許幅度。另外,藉由將酸價定在50mgKOH/g以上,未曝光部對顯影液的溶解性不會降低。所以,沒有必要增加顯影液濃度,可防止曝光部的剝落,而得到高精細的圖案。此外,具有羧基的共聚物亦可在側鏈具有乙烯性不飽和基。乙烯性不飽和基可列舉丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基或烯丙基等。
感光性糊劑,可藉由在由低熔點玻璃粉末、感光性單體、感光性寡聚物、感光性聚合物或光聚合起始劑等所構成的感光性有機成分中,因應必要加入有機溶劑及黏結劑,將各種成分調合成既定組成之後,以三輥機或混練機均質地混合分散來製作。
感光性糊劑的黏度可藉由無機粉末、增黏劑、有機溶劑、聚合禁止劑、可塑劑或防沉降劑等的添加比例來適當地調整,而其範圍係以2~200Pa.s為佳。例如以旋轉塗佈法將感光性糊劑塗佈至基板的情況,黏度係以2~5Pa.s為佳。以網版印刷法將感光性糊劑塗佈至基板時,為了塗佈1次即得到10~40μm的膜厚,黏度係以50~200Pa.s為佳。在使用刮刀式塗佈機法或模具塗佈機法等的情況,黏度係以10~50Pa.s為佳。
像這樣將所得到的感光性糊劑塗佈在基板上,藉由光微影法形成所希望的圖案,進一步燒成,藉此可形成間隔物。針對藉由光微影法並使用上述感光性糊劑製造間隔物的一例作說明,然而本發明並不受其限定。
在基板上的整個表面或其中一部分塗佈感光性糊劑,而形成感光性糊劑塗膜。塗佈方法可採用網版印刷法、棒式塗佈機、輥式塗佈機、模具塗佈機、刮刀式塗佈機等的方法。塗佈厚度可藉由選擇塗佈次數、網版的網目大小及糊劑的黏度來調整。
接下來進行曝光步驟。如進行通常的光蝕刻般,一般係透過光罩進行曝光之方法。另外,亦可採用不使用光罩而以雷射光等直接描繪之方法。曝光裝置可採用近接式曝光機等。另外,在進行大面積曝光的情況,藉由在基板上塗佈感光性糊劑之後,同時進行搬運以及曝光,能夠以小曝光面積的曝光機進行大面積曝光。此時所使用的活性光線可列舉例如近紅外線、可見光、紫
外線等。該等之中,以紫外線為最佳,其光源可採用例如低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、鹵素燈、殺菌燈等。該等之中,以超高壓水銀燈為適合。曝光條件會依照塗佈厚度而有所不同,通常是使用輸出為1~100mW/cm2的超高壓水銀燈曝光0.01~30分鐘。
曝光後,利用感光性糊劑塗膜之曝光部分與未曝光部分對顯影液的溶解度差來進行顯影,而得到所希望的格子狀感光性糊劑塗膜圖案。顯影可藉由浸漬法或噴霧法、塗刷法來進行。顯影液可採用能夠使糊劑中的有機成分溶解的溶劑。顯影液宜以水為主成分。在糊劑中存在具有羧基等的酸性基的化合物的情況,能夠以鹼水溶液來進行顯影。鹼水溶液亦可採用,氫氧化鈉、碳酸鈉、氫氧化鈣等的無機鹼水溶液,然而使用有機鹼水溶液的情況在進行燒成時容易除去鹼成分,故為適合。有機鹼具體而言,可列舉四甲基銨氫氧化物、三甲基苄基銨氫氧化物、單乙醇胺、二乙醇胺等。鹼水溶液之濃度係以0.05~5質量%為佳,0.1~1質量%為較佳。如果鹼濃度過低,則可溶部無法除去,如果鹼濃度過高,則會使圖案部剝離,而且會有腐蝕非可溶部的顧慮。另外,從步驟管理上來考量,顯影時的顯影液溫度以定在20~50℃下為佳。
接下來在燒成爐中進行燒成步驟。燒成步驟的氣體環境或溫度會依照感光性糊劑或基板的種類而有所不同,在空氣中,氮、氫等的氣體環境中燒成。燒成爐可採用批次式燒成爐或帶式的連續型燒成爐。燒成通
常以在500~700℃的溫度保持10~60分鐘進行燒成為佳。燒成溫度係以500~650℃較佳。藉由以上的步驟,可由格子狀感光性糊劑塗膜圖案將有機成分除去,同時,該塗膜圖案所含有的低熔點玻璃軟化及燒結,可得到在基板上形成實質上由無機物所構成的格子狀間隔物的間隔物構件。
間隔物高度(H)係以100~1000μm為佳,160~500μm較佳,250~500μm更佳。若間隔物高度超過1000μm,則加工時難以進行圖案形成。另一方面,若間隔物高度變低,則可填充的螢光體量變少,因此所得到的閃爍器面板之發光亮度降低,難以達成鮮明的拍攝。
間隔物的圖案形狀並未受到特別限定,而以格子狀或條紋狀為佳。在形成格子狀圖案的情況,間隔物之節距(P)係以60~1000μm為佳。若節距小於60μm,則加工時難以進行圖案形成。另外,若節距過大,則使用所得到的閃爍器面板而進行高精密度的影像拍攝變得困難。
間隔物底部寬度(Lb)宜為20~150μm、間隔物頂部寬度(Lt)宜為15~80μm。若間隔物底部寬度小於20μm,則間隔物容易在燒成時產生缺陷。另一方面,若間隔物底部寬度變大,則可填充至被間隔物區隔的空間之螢光體量會減少。若間隔物頂部寬度小於15μm,則間隔物的強度降低。另一方面,若間隔物頂部寬度超過80μm,則可將閃爍器層的發光取出的區域會變狹小。間隔物高度(H)除以間隔物底部寬度(Lb)的縱橫比
(H/Lb)係以1.0~25.0為佳。除以間隔物底部寬度的縱橫比(H/Lb)愈高的間隔物,被間隔物區隔的每個畫素的空間愈廣,可填充愈多的螢光體。
間隔物高度(H)除以間隔物節距(P)的縱橫比(H/P)係以0.1~3.5為佳。除以間隔物節距的縱橫比(H/P)愈高的間隔物,能夠以愈高的精細度區隔1個畫素,且可在每個畫素的空間填充愈多的螢光體。
被格子狀間隔物區隔的單元的形狀,可適當地選擇正方形、長方形、平行四邊形、梯形等的形狀。在本發明之閃爍器面板之中,從間隔物底部寬度的均勻性、或1個畫素內螢光體發光強度的均勻性的觀點看來,以單元的形狀為如正方形般的格子狀間隔物為佳。
間隔物高度及寬度是使垂直於基板的間隔物剖面露出,以掃描式電子顯微鏡(日立製作所製;「S2400」)來觀察剖面,並進行測定。以在間隔物與基板的接觸部的間隔物寬度作為底部寬度(Lb)來進行測定。另外,以間隔物最上方的頂部寬度作為頂部寬度(Lt)進行測定。
間隔物是感光性糊劑所含有的無機粉末燒結所形成。形成間隔物的無機粉末彼此會熔接,而在其間會殘存空隙部分。間隔物所含有的該空隙的比率,可藉由設計將間隔物燒成之燒成步驟的溫度來調整。藉由將空隙部分占間隔物全體的比率(空隙率)定為2~25%,可形成兼顧可見光的反射特性與強度的間隔物,故為適合。在空隙率小於2%的情況,由於間隔物的反射率低,所得到的閃爍器面板的發光亮度會變低。若空隙率超過
25%,則間隔物的強度不足而容易崩壞。為了兼顧反射特性與強度,將空隙率定在5~25%較佳,5~20%更佳。
空隙率的測定方法是將間隔物的剖面精密研磨,然後以電子顯微鏡觀察,將無機材料部分與空隙部分轉換成2階影像,以空隙部分面積佔間隔物剖面面積的比例來計算。
另外,在間隔物與基板之間,宜設置由選自低熔點玻璃及陶瓷的無機成分所構成的緩衝層。緩衝層可在燒成步驟之中緩和施加在間隔物上的應力,會有實現安定形成間隔物的效果。另外,若緩衝層具有高反射率,則藉由使由螢光體所發出的可見光反射至光電轉換元件的方向,可提高閃爍器面板的發光亮度,故為適合。為了提高反射率,緩衝層係以由低熔點玻璃及陶瓷所構成者為佳。低熔點玻璃可採用與間隔物同樣者。陶瓷係以氧化鈦、氧化鋁或氧化鋯等為佳。
為了形成緩衝層,將使有機成分與低熔點玻璃粉末、陶瓷粉末等的無機粉末分散於溶劑而成的糊劑塗佈於基材並使其乾燥,形成緩衝層用糊劑塗膜。接下來,將緩衝層用糊劑塗膜燒成,而形成緩衝層,而燒成溫度係以500~700℃為佳,500~650℃較佳。
另外,該緩衝層的燒成與間隔物的燒成亦可同時實施。藉由採用這樣的同時燒成,可減少燒成步驟數,並可減少燒成步驟所消耗的能量。在採用緩衝層與間隔物同時燒成的情況,係以緩衝層用糊劑的有機成分採用與上述間隔物用感光性糊劑同樣的感光性有機成
分,在形成緩衝層用糊劑塗膜之後,使緩衝層用糊劑塗膜的整個表面曝光,使塗膜硬化為佳。另外,緩衝層用糊劑的有機成分可採用含有選自聚合性單體、聚合性寡聚物及聚合性聚合物之任一聚合性化合物及熱聚合起始劑的熱硬化性有機成分,在形成緩衝層用糊劑塗膜之後進行熱硬化亦為適合。藉由這些方法,可使緩衝層用糊劑塗膜不會溶於溶劑,因此在其上塗佈間隔物用感光性糊劑之步驟中,可防止緩衝層用糊劑塗膜溶解或剝落。
在緩衝層用糊劑中,除了上述成分以外,還可適當地添加乙基纖維素等的黏結劑、分散劑、增黏劑、可塑劑或防沉降劑等。
接下來,藉由在被間隔物區隔的單元內填充螢光體,可完成閃爍器面板。此處,單元是指被格子狀間隔物區隔的空間。另外,將含有填充至該單元的螢光體的層稱為閃爍器層。閃爍器層所含有的螢光體以外的成分,可列舉例如乙基纖維素等的有機黏結劑,或銦(In)等的賦活劑,亦可僅由螢光體形成閃爍器層。
螢光體可採用各種周知的螢光體材料。特別是X光轉換成可見光的轉換率較高的CsI、CsBr、BaF2、BaFI、BaFBr、GOS(Gd2O2S)、GSO(Gd2SiO5)、BGO(BiGe3O12)、LSO(Lu2SiO5)或CaWO4等為佳。另外,為了提高發光效率,亦可在螢光體中添加各種賦活劑。例如在螢光體中添加銦(In)、鉈(Tl)、鋰(Li)、鉀(K)、銣(Rb)、鈉(Na)、鋱(Tb)、銪(Eu)或鐠(Pr)等的賦活劑為佳。
閃爍器層的形成,可採用例如藉由真空蒸鍍來蒸鍍螢光體的方法;將分散於水中的螢光體漿料塗佈於基板的方法;將螢光體粉末、乙基纖維素或丙烯酸樹脂等的有機黏結劑、萜品醇或γ-丁內酯等的有機溶劑混合所製作出的螢光體糊劑以網版印刷或點膠塗佈機進行塗佈之方法。
填充至被間隔物區隔的單元內的螢光體的量,相對於單元內部空間體積,螢光體所占的體積分率(以下稱為螢光體的體積填充率)係以55~100%為佳,60~100%較佳,70~100%更佳。若螢光體的體積分率小於55%,則無法將入射的X光有效率地轉換為可見光。為了提高入射的X光的轉換效率,在單元的空間中以高密度填充螢光體為佳。
以下,藉由實施例來對本發明作具體的說明。但是,本發明並不受其限定。
使用分光測色計(Konica Minolta公司製;「CM-2002」),以SCI模式測定基板在波長550nm的光線反射率。
使用以下的基板。基板尺寸任一者皆定為150×150mm。
基板A:氮化鋁基板(AlN 96質量%、Y2O3 4質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率45%、熱膨脹係數46×10-7/K
基板B:氧化鋁基板(Al2O3 96質量%、SiO2 3質量%、MgO 1質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率75%、熱膨脹係數71×10-7/K
基板C:氧化鋁基板(Al2O3 96質量%、SiO2 3質量%、MgO 1質量%之組成的多結晶體)厚度1.0mm反射率84%、熱膨脹係數71×10-7/K
基板D:氧化鋁基板(Al2O3 96質量%、SiO2 3質量%、MgO 1質量%之組成的多結晶體)厚度2.0mm反射率88%、熱膨脹係數71×10-7/K
基板E:二氧化鋯強化氧化鋁基板(Al2O3 90質量%、ZrO2 10質量%之組成的多結晶體)厚度0.3mm反射率80%、熱膨脹係數75×10-7/K
基板F:富鋁紅柱石基板(Al6Si2O13>99質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率80%、熱膨脹係數50×10-7/K
基板G:塊滑石基板(MgO+SiO2>99質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率72%、熱膨脹係數77×10-7/K
基板H:玻璃陶瓷基板(Al2O3 20質量%、硼矽酸玻璃80質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率43%、熱膨脹係數58×10-7/K
基板I:玻璃陶瓷基板(Al2O3 50質量%、硼矽酸玻璃50質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率71%、熱膨脹係數63×10-7/K
基板J:玻璃基板(SiO2 65質量%、B2O3 11質量%、MgO 1質量%、CaO 8質量%、Al2O3 15質量%之組成之玻璃)厚度0.7mm反射率8%、熱膨脹係數38×10-7/K
基板K:氮化矽基板(Si3N4>96質量%之組成的多結晶體)厚度0.7mm反射率18%、熱膨脹係數32×10-7/K
基板L:玻璃陶瓷基板(Al2O3 80質量%、硼矽酸玻璃20質量%之組成的多結晶體)、厚度0.7mm反射率73%、熱膨脹係數69×10-7/K
基板M:玻璃陶瓷基板(Al2O3 80質量%、鉍矽酸鹽玻璃20質量%之組成的多結晶體)、厚度0.7mm反射率75%、熱膨脹係數74×10-7/K
基板N:玻璃陶瓷基板(Al2O3 80質量%、鉍矽酸鹽玻璃20質量%之組成的多結晶體)、厚度0.3mm反射率67%、熱膨脹係數74×10-7/K
基板O:積層10枚厚度0.07mm的玻璃陶瓷薄膜(Al2O3 80質量%、鉍矽酸鹽玻璃20質量%之組成的多結晶體)而成的積層玻璃陶瓷基板厚度0.7mm、反射率88%、熱膨脹係數74×10-7/K
實施例的感光性糊劑所使用的原料如以下所述。
感光性單體M-1:三羥甲基丙烷三丙烯酸酯
感光性單體M-2:四丙二醇二甲基丙烯酸酯
感光性單體M-3:在下述式(A)之中,R1、R2為丙烯醯基、R3為環氧乙烷-環氧丙烷共寡聚物、R4為異佛耳酮二異氰酸酯殘基、分子量為19,000
R1-(R4-R3)n-R4-R2 (A)
感光性聚合物:使由甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=40/30/30的質量比所構成的共聚物之羧基與0.4當量的縮水甘油基甲基丙烯酸酯進行加成反應而成的聚合物(重量平均分子量43000、酸價100)
聚合禁止劑:1,6-己二醇-雙[(3,5-二第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯]
紫外線吸收劑溶液:Sudan IV(東京應化工業股份有限公司製)之γ-丁內酯0.3質量%溶液
溶劑:γ-丁內酯
黏度調整劑:Furonon EC121(共榮社化學公司製)
SiO2 28質量%、B2O3 30質量%、ZnO 6質量%、Li2O 2質量%、MgO 3質量%、CaO 3質量%、BaO 3質量%、Al2O3 25質量%、折射率(ng):1.551、軟化溫度649℃、熱膨脹係數49×10-7/K、50%體積平均粒徑2.1μm
SiO2 27質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、Li2O 7質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 23質量%、折射率(ng):1.56、軟化溫度588℃、熱膨脹係數68×10-7/K、50%體積平均粒徑2.3μm
SiO2 28質量%、B2O3 23質量%、ZnO 4質量%、Li2O 5質量%、K2O 15質量%、MgO 4質量%、BaO 1質量%、Al2O3 20質量%、折射率(ng):1.563、軟化溫度540℃、熱膨脹係數86×10-7/K、50%體積平均粒徑2.2μm
SiO2 30質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 27質量%、折射率(ng):1.55、軟化溫度790℃、熱膨脹係數32×10-7/K、50%體積平均粒徑2.3μm
使用上述材料並藉由以下的方法製作出間隔物糊劑。
間隔物用感光性糊劑A:將8質量份的感光性單體M-1、6質量份的感光性單體M-2、6質量份的感光性單體M-3、感光性聚合物48質量份、光聚合起始劑12質量份、聚合禁止劑0.4質量份及紫外線吸收劑溶液25.6質量份在溶劑76質量份中並在溫度80℃下加熱溶解。使所得到的溶液冷卻之後,添加黏度調整劑18質量份,而製作出有機溶液1。藉由將有機溶液1塗佈於玻璃基板,並使其乾燥,所得到的有機塗膜的折射率(ng)為1.555。
接下來,在150質量份所製作出的有機溶液1中添加低熔點玻璃粉末A80質量份、高熔點玻璃粉末20質量份之後,以三輥混練機進行混練,而製作出間隔物用感光性糊劑A。
間隔物用感光性糊劑B:與間隔物用感光性糊劑A同樣地製作出有機溶液1。接下來,在150質量份的所製作出的有機溶液1中,添加低熔點玻璃粉末B90質量份、高熔點玻璃粉末10質量份之後,以三輥混練機進行混練,而製作出間隔物用感光性糊劑B。
間隔物用感光性糊劑C:與間隔物用感光性糊劑A同樣地製作出有機溶液1。接下來,在150質量份的所製作出的有機溶液1中添加低熔點玻璃粉末C80質量份、高熔點玻璃粉末20質量份之後,以三輥混練機進行混練,而製作出間隔物用感光性糊劑C。
將所製作出的閃爍器面板設置在PaxScan2520,而製作出放射線偵測裝置。由閃爍器面板的基板側來照射管電壓80kVp的X光,並偵測由螢光體層發出的光線的發光量。亮度的評估是將實施例1的結果定為100%,以相對評估來進行。
在基板A以模具塗佈機塗佈上述間隔物用感光性糊劑A,使其乾燥厚度成為500μm,並使其乾燥,而形成間隔物用感光性糊劑塗膜。接下來,透過形成了對應於所希望的間隔物圖案的開口部的光罩(縱橫皆具有節距127μm、線寬20μm的格子狀開口部的鉻光罩),使用超高壓水銀燈以600mJ/cm2使間隔物用感光性糊劑塗膜曝光。在0.5%的乙醇胺水溶液中使曝光後的間隔物用感光性糊劑塗膜顯影,除去未曝光部分,而形成格子
狀感光性糊劑塗膜圖案。進一步在585℃下並在空氣中將感光性糊劑塗膜圖案燒成15分鐘,而得到具有間隔物節距127μm且大小為125×125mm的格子狀間隔物之間隔物構件。
然後,將作為螢光體的CsI:Tl(CsI:Tl=1mol:0.003mol)填充至被間隔物區隔的空間,在580℃下燒成,製作出螢光體的體積填充率85%之閃爍器面板1。對於由所製作出的閃爍器面板1與PaxScan2520所構成的放射線偵測裝置進行評估,其結果,可得到良好的影像。
基板採用上述基板B,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為115%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板C,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為120%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板D,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為100%,可得到良好的影像。與實施例3相比,儘管基板的反射率較高,但相
對亮度較低,認為是因為伴隨基板厚度增加,基板造成X光的吸收變大,由螢光體發出的發光量減低。
基板採用上述基板E,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑C,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為115%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板F,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為120%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板G,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑C,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為110%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板H,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為100%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板I,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為110%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板L,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為113%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板M,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為115%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板N,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為115%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板O,間隔物用感光性糊劑採用上述間隔物用感光性糊劑B,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度為125%,可得到良好的影像。
基板採用上述基板J,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度低至80%。另外,因為基板與間隔物之熱膨脹係數差的影響,基板發生彎曲,而產生發出之光的串擾,因此影像為不良。
基板採用上述基板K,除此之外,與實施例1同樣地進行評估。相對發光亮度低至90%。另外,因為基板與間隔物之熱膨脹係數差的影響,基板發生彎曲,而產生發出之光的串擾,因此影像為不良。
由這些結果可知,在本發明所關連之實施例之中,可得到發光亮度高、可得到良好影像的放射線偵測裝置。
1‧‧‧放射線偵測裝置
2‧‧‧閃爍器面板
3‧‧‧輸出基板
4‧‧‧基板
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧間隔物
7‧‧‧閃爍器層
8‧‧‧隔膜層
9‧‧‧光電轉換層
10‧‧‧輸出層
11‧‧‧基板
12‧‧‧電源部
Claims (4)
- 一種閃爍器面板,其係具有閃爍器層之閃爍器面板,該閃爍器層係含有平板狀基板、設置於該基板上的格子狀間隔物、及填充至被前述間隔物區隔的單元內之螢光體,前述間隔物係由以低熔點玻璃為主成分的材料所構成,前述基板係由以陶瓷為主成分的材料所構成的多結晶體,該陶瓷係選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組。
- 如請求項1之閃爍器面板,其中前述基板之厚度為0.1至2.0mm。
- 如請求項1或2之閃爍器面板,其中前述低熔點玻璃係含鹼金屬氧化物2~20質量%。
- 一種閃爍器面板之製造方法,其係具有:平板狀基板;設置於該基板上的格子狀間隔物;及含有填充至被該間隔物區隔的單元內之螢光體之閃爍器層之閃爍器面板之製造方法,該基板係藉由以選自由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石及塊滑石所構成的群組中的陶瓷作為主成分的材料所構成的多結晶體,其具備:在基板上塗佈含有低熔點玻璃粉末及感光性有機成分的感光性糊劑,而形成感光性糊劑塗膜之步驟、將所得到的感光性糊劑塗膜透過具有既定開口部的光罩進行曝光之步驟、將曝光後的感光性糊劑塗膜中可溶於顯影液的部 分溶解除去之顯影步驟、將顯影後的感光性糊劑塗膜圖案加熱至500~700℃以除去有機成分,同時使低熔點玻璃軟化及燒結,而形成間隔物之燒成步驟、及在被該間隔物區隔的單元內填充螢光體之步驟。
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