TWI609836B - 空間光調變元件之製造方法、空間光調變元件、空間光調變器及曝光裝置 - Google Patents

Description

空間光調變元件之製造方法、空間光調變元件、空間光調變器及曝光裝置

本發明是關於一種空間光調變元件之製造方法、空間光調變元件、空間光調變器及曝光裝置。

有一種空間光調變元件，藉由微影技術製造，將以扭轉鉸鏈支持的反射鏡藉由靜電力驅動，於照射光束來形成圖案(參照專利文獻1)。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】特開平09-101467號公報

由於空間光調變元件在強光下曝光，所以特性容易變化。又，空間光調變器在製造程序以及完成後的使用中，有反射膜劣化且性能降低的狀況。因此，空間光調變器的有效壽命短。

在本發明的第一狀態中，提供一種空間光調變元件，具備：基板；平坦部，可相對於基板移動；平板，被貼附於平坦部；以及介電質膜，被形成於平板的貼附面的相反側的面，反射入射光。

在本發明的第二狀態中，提供一種空間光調變元件，具備：基板；平坦部，相對於基板搖動；介電質多 層膜，與平坦部一起搖動，具有彼此積層的複數個介電質層來反射入射光；以及保護層，包含與複數個介電質層中的任一者相同的材料，且比該介電質層更厚，覆蓋在介電質層的平坦部的相反側的至少一部分的面。

在本發明的第三狀態中，提供一種空間光調變元件，具備：基板；平坦部，相對於基板搖動；介電質多層膜，與平坦部一起搖動，具有彼此積層的複數個介電質層來反射入射光；以及保護層，包含與複數個介電質層中的任一者相同的材料，且覆蓋介電質多層膜的側端面。

在本發明的第四狀態中，提供一種空間光調變器，有複數個上述空間光調變元件排列著。

在本發明的第五狀態中，提供一種曝光裝置，具備上述空間光調變器。

在本發明的第六狀態中，提供一種空間光調變元件的製造方法，其步驟包括：準備基板以及對於基板可移動的平坦部；在平板的一面將反射入射光的介電質膜成膜；以及將平板的介電質膜未被形成側的面貼合於平坦部。

在本發明的第七狀態中，提供一種空間光調變元件的製造方法，具備：在基板上，形成支持部與被支持成可在支持部搖動的平坦部的階段；在支持部與平坦部的至少一者接於犧牲層的狀態下，將反射入射光的介電質多層膜，形成於平坦部的一面的階段；在犧牲層存在下，藉由對於除去犧牲層的蝕刻劑具有耐性的保護層， 來覆蓋介電質多層膜表面的至少一部分的階段；以及在保護層存在下，藉由蝕刻劑除去犧牲層的階段。

在本發明的第八狀態中，提供一種空間光調變元件，以上述製造方法製造。

在本發明的第九狀態中，提供一種空間光調變器，具備複數個上述空間光調變元件。

在本發明的第十狀態中，提供一種曝光裝置，具備上述空間光調變器。

上述發明概要並非列舉所有本發明必要特徵者。又，這些特徵群的次結合也可以做為本發明。

以下，雖然經由發明實施形態來說明本發明，但下述實施形態並非限定關於申請專利範圍的發明。又，在實施形態中所說明的所有特徵組合，也不限於發明解決手段所必須。

第一圖是表示空間光調變器100的外觀的概略斜視圖。空間光調變器100具備：基板211以及反射部240。

在基板211上形成二維排列矩陣的複數個反射部240，分別具有一邊從數μm到數百μm程度的正方形的反射面，可以對於基板211個別搖動。藉此，如圖示，在一部分的反射部240搖動並傾斜的狀態下使光反射，則反射光的照度(illumination)分佈會變化。因此，藉由控制反射部240的搖動，可以形成任意的照度分佈。

第二圖是空間光調變元件200的概略分解斜視圖。空間光調變元件200係對應一個反射部240被形成。在空間光調變器100中，關於各複數個反射部240形成同樣結構。各空間光調變元件200具有基板211、驅動部220、平坦部230以及反射部240。

基板211具有：複數個電極212、214、216；以及供給驅動電力至電極212、214的CMOS電路。又，在空間光調變器100中，雖然有許多個空間光調變元件200排列著，但電極216被連接於共同的電位，例如接地電位，使空間光調變器100整體的基準電位共同。

驅動部220被形成於基板211上，具有固定框222以及可動部226。固定框222由上面開放的中空部件所形成，成為包圍空間光調變元件200的外周的方形框體。固定框222在基板211上固定於電極216上。

在固定框222對於基板211被固定的狀況下，基板211上的一對電極212、214，如圖中虛線所示，位於可動部226的緣部附近。因此，可動部226的下面與電極212、214彼此相面對。

可動部226係在固定框222的內側，從固定框222的內側的面經由扭轉軸部224被支持。扭轉軸部224的一端，對於固定框222的內面被固定。

扭轉軸部224的他端，對於從可動部226的周緣部往下方延伸的肋225被固定。由於扭轉軸部224彈性地扭轉變形，可動部226將扭轉軸部224做為搖動軸，對於基板221搖動。但是，由於藉由肋225來具有高彎曲 剛性，所以可動部226難以變形。

又，在肋225的下端，有向著可動部226的外方擴張的凸緣狀的部分。這是在圖案化包含肋225的層的狀況下所留下的區域，也可以沒有該凸緣狀的部分。但是，並非是使可動部226的剛性減低者，由於反而是在使剛性提升的狀況下，所以也可以留下。

平坦部230，包含平坦面234與支柱232。平坦面234成為向著圖中上方的平滑平面。支柱232，向著圖中下方突出，被固定於在圖中以虛線所示的可動部226的大致中央。

藉此，平坦部230係在與可動部226分離的狀態下，對於可動部226被連接。又，在可動部226對於基板211搖動的狀態下，平坦部230也會與可動部226共同搖動。又，平坦部230係由例如做為薄膜堆積的氧化物、氮化物、碳化物等所形成。

又，平坦部230具有沿著周緣部形成的肋236。藉此，平坦部230具有高彎曲剛性，超越由材料物性與尺寸決定的剛性。

反射部240具有平板部242以及介電質膜244。平板部242是平滑板狀部件，被驅動部的平坦面234支持。因此，在平坦部230搖動的狀況下，平板部242也會一起搖動。

介電質膜244被配置於平板部242的圖中上面，被平板部242支持。介電質膜244係使折射率相異的材料交互積層來形成。藉此，具有對於入射光極高的反射 率。又，換句話說，由於對於入射光的反射率高，所以因吸收入射光的能量所導致的溫度上昇也少。

如此，具有空間光調變元件200的空間光調變器100，由於是個別形成平坦部230與反射部240的結構，所以可以個別選擇適合各機能的結構、材料、製法。又，由於可以形成反射部240，反射部240具有比平坦部230的面積更大的反射面積，所以可提昇空間光調變器100的反射效率。

第三圖是空間光調變元件200的概略剖面圖。空間光調變元件200在將固定框222固定於基板211，將平坦部230固定於可動部226的狀態，表示第二圖所示的A-A剖面。賦予相同元件符號於與第二圖共同的元件並省略重複說明。

如圖示，可動部226在下面具有電極228。電極228面對基板211上的電極212。

又，可動部226具有從緣部往下方延伸的肋225。藉此，可動部226具有高彎曲剛性。另一方面，扭轉軸部224不具有相當於肋225的元件。因此，在後述的驅動力作用於可動部226的狀況下，扭轉軸部224會彈性變形，可動部226在不變形下移位。

第四圖是空間光調變元件200的概略剖面圖，表示第二圖所示的B-B剖面。又，賦予相同元件符號於與第二圖、第三圖共同的元件並省略重複說明。

如圖示，基板211上的一對電極212、214，各面對可動部226的端部附近。因此，在將驅動電壓施加於電 極212、214的任一者的狀況下，靜電力會作用於電極228的任一端部。

可動部226被扭轉軸部224結合於固定框222。因此，在靜電力從電極212、214中的任一者作用於電極228的狀況下，可動部226將扭轉軸部224做為搖動軸來搖動。藉此，對於可動部226被固定的平坦部230也會搖動。藉此，反射部240也會搖動。

又，在圖示的例，驅動電壓被施加於電極214的狀況下，電極228的圖中右側被吸引至基板211方向。藉此，平坦部230的平坦面234往右方傾斜。

再參照第一圖，藉由對於設在各反射部240的上述結構，將驅動電力個別供給或遮蔽，可以個別控制複數個反射部240的傾斜。因此，藉由使空間光調變器100反射一次，可以形成任意的照射圖案，可以做為可變光源、曝光裝置、圖像顯示裝置、光開關等來使用。

從第五圖到第三十八圖，表示從第一圖到第四圖所示的空間光調變器100的製造過程的剖面圖。從第五圖~第十七圖，表示在基板211上，形成電極212、214、216以及驅動部220的過程。從第十八圖到第二十六圖，表示將平坦部230搭載於驅動部220的過程。從第二十七圖到第三十三圖，表示製作反射部240的過程。從第三十四圖到第三十八圖，表示安裝反射部240於平坦部230的過程。

又，從第五圖到第三十八圖所示者為空間光調變器100的製作過程，所以有包含對應空間光調變器100的 元件在不同形狀或狀態下的狀況。因此，關於這些圖賦予固有的元件編號並說明各圖內容，在各元件完成的階段，隨時說明從第一圖到第四圖所示的空間光調變器100的對應關係。

如第五圖所示，在空間光調變器100被形成的基板211的表面正上方，堆積有下側絕緣層312。藉此，基板211的表面被絕緣層312覆蓋。

做為基板211的材料，除了矽單結晶基板之外，可以廣泛使用化合物半導體基板、陶瓷基板等，具有平坦表面的部件。做為絕緣層312的材料，可以使用例如基板211的材料的氧化物、氮化物等。又，絕緣層312也可以是介電常數高的多孔質體。做為絕緣層312的成膜方法，可以根據絕緣層312的材料，從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法來適當選擇。

接下來，如第六圖所示，在絕緣層312上，形成圖案化的導體層320。導體層320在空間光調變器100成為電極212、214、216。做為導體層320的材料，可以舉出鋁、銅等金屬。做為導體層320的成膜方法，可以根據導體層320的材料，從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法、鍍金法等來適當選擇。

接下來，如第七圖所示，在導體層320的表面以及導體層320的圖案的縫隙露出的下側絕緣層312的表面，藉由上側絕緣層314來覆蓋。此時，對應導體層320是否存在於上側絕緣層314下，上側絕緣層314的表面會產生起伏。

接下來，如第八圖所示，在上側絕緣層314的表面所形成的起伏藉由抗蝕層332平坦化。藉此，在平坦的基礎之上，實行以下所說明的步驟。又，抗蝕層332的塗佈可以適當選擇旋鍍法、噴鍍法等。

接下來，如第九圖所示，在形成非反射膜的狀況下的成膜基礎被形成。成膜基礎是由兩層組成，在第九圖所示的階段，被形成於下側抗蝕層334被平坦化的絕緣層314上。抗蝕層334可藉由依序實行抗蝕材料的塗佈、預烤、曝光、顯像、後烤來圖案化，形成兩對側壁335。

接下來，如第十圖所示，在下側抗蝕層334之上，形成上側抗蝕層336。抗蝕層336也被圖案化，在下側抗蝕層334的側壁335的上方分別形成側壁337，進一步形成與側壁337不同之兩對側壁339。藉此，從上側抗蝕層336的表面來看，淺側壁339與深側壁337、335被形成。

這些下側及上側抗蝕層334、336，可藉由光蝕刻法來圖案化。也就是說，藉由感光性材料形成抗蝕層334、336，藉由依據設計規格的圖案來曝光，可以將抗蝕層334、336成形為對應需求的形狀。又，也可以藉由電漿蝕刻等乾式蝕刻法，加工抗蝕層334、336來圖案化。

但是，以光蝕刻法進行的圖案化是平面者，以形成如側壁335、337、339的立體結構的目的，形成立體的基礎層是困難的。因此，如第九圖與第十圖所示，藉由 採用複數個抗蝕層334、336，可以形成立體的成膜基礎。

接下來，如第十一圖所示，在由絕緣層314以及抗蝕層334、336所形成的成膜基礎上，堆積非導體層342。被形成的非導體層342，仿照抗蝕層334、336的形狀，具有立體形狀。藉此，包含被形成的非導體層342的薄膜結構物，具有高剖面二次矩(second moment of area)。

做為非導體層342的材料，可以使用各種氧化物、氮化物。又，做為形成非導體層342的方法，可以根據非導體層342的材料，從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法來適當選擇。

接下來，如第十二圖所示，除去抗蝕層334、336的側壁335、337的內側底部，來形成到達導體層320的接觸孔315。接觸孔315可藉由例如乾式蝕刻來形成。

接下來，如第十三圖所示，在非導體層342之上，形成被圖案化的導體層344。藉此，從接觸孔315的內側到達側壁335、337上端的一對柱狀結構物，與在被側壁339夾住的抗蝕層336的連接區(land)上所形成的平坦區域，做為導體層344留下。在側壁335、337的內側所形成的導體層344的結構物，與導體層320的任一連接區電性結合。

接下來，如第十四圖所示，形成導體層346，導體層346覆蓋非導體層342以及導體層344的表面整體。藉此，被圖案化的導體層344，被這次的導體層346電 性結合。導體層346的材料，可以與導體層344的材料相同，也可以不同。

接下來，如第十五圖所示，形成上側非導體層348，上側非導體層348覆蓋導體層346的表面整體。上側非導體層348是由與位於導體層344、346下側的非導體層342相同材料所形成。成膜方法也可以與下側非導體層342相同的方法來成膜。

藉此，藉由具有彼此相同的圖案與形狀的下側非導體層342、導體層344、346以及上側非導體層348來形成三層結構的不透明膜340。又，不透明膜340的表面是由不適合光學功能的非導體層342、348所形成，所以在區別其他膜結構的目的，將三層結構整體在此稱為不透明膜340。但是，這不是指識別預先決定的光學特性來形成。

不透明膜340具有以相同材料來形成於表裡的非導體層342、348，所以抵消溫度變化引起在導體層344、346以及非導體層342、348之間產生的雙金屬效果。藉此，不透明膜340的形狀安定。又，做為不透明膜340整體，採用與後述平坦膜相同的材料來形成，所以也不會產生與平坦膜的熱膨脹率差。

接下來，如第十六圖所示，除去一部分的不透明膜340，形成驅動部220的外形。藉此，在不透明膜340的兩端，位於不透明膜340下層的抗蝕層334會露出。不透明膜340可藉由乾式蝕刻來圖案化。如此，如第二圖所示的基板211以及驅動部220的結構被形成。

接下來，如第十七圖所示，將不透明膜340的上面，即，將非導體層348的表面藉由抗蝕層352來平坦化。藉此，保護既存的驅動部220的結構，準備用於後述的反射鏡安裝階段。又，抗蝕層332的塗佈可以適當選擇旋鍍法、噴鍍法等。

接下來，再次藉由兩層結構的抗蝕層來產生成膜基礎。也就是說，如第十八圖所示，在平坦化的抗蝕層352以及非導體層348的表面，兩層結構中的下側抗蝕層354被形成。再者，抗蝕層354被圖案化，在大致中央形成側壁353。

接下來，如第十九圖所示，在下側抗蝕層354上，形成兩層結構中的上側抗蝕層356。上側抗蝕層356也被圖案化，具有在下側抗蝕層354的側壁353上方所形成的側壁355與在側方兩端附近所形成的側壁357。如此，藉由抗蝕層354、356，立體的成膜基礎被形成。

接下來，如第二十圖所示，在抗蝕層354、356的表面整體，形成非導體層362。此時，在側壁353的內側，非導體層362被結合於不透明膜340的表面。

做為非導體層362的材料，可以使用SiNx等各種氧化物、氮化物、碳化物等。又，做為形成非導體層362的方法，可以根據非導體層362的材料，從物理氣相沈積法、化學氣相沈積法來適當選擇。

接下來，如第二十一圖所示，在非導體層362的表面整體，使平坦結構層364堆積。平坦結構層364較佳為選擇與接合於平坦部230的反射部240的支柱232材 料親緣性佳者。

平坦結構層364也可以鋁等與不透明膜340或非導體層342、348相同的材料來形成。又，做為平坦結構層364的形成方法，可以根據平坦結構層364的材料從物理氣相沈積法、化學氣相沈積法來適當選擇。

接下來，如第二十二圖所示，除去非導體層362以及平坦結構層364的側端部，形成平坦部230的外形。藉此，在非導體層362以及平坦結構層364的兩側端，位於非導體層362下層的抗蝕層354會露出。非導體層362以及平坦結構層364可藉由乾式蝕刻來圖案化。

接下來，如第二十三圖所示，在平坦結構層364表面與露出的抗蝕層354的表面上，堆積非導體層366。如此，由下側非導體層362、平坦結構層364以及上側非導體層366所形成的三層結構被形成。

與不透明膜340的狀況一樣，藉由形成三層結構，抵消在非導體層362、366以及平坦結構層364之間產生的雙金屬效果。因此，對於起因於溫度變化的內部應力作用，形狀會安定。但是，平坦膜360的結構並不限於三層結構，若是在表面存在具有適合後述反射部240的接合的表面特徵的材料，則也可以是單層結構，也可以是更多層結構。

接下來，如第二十四圖所示，藉由除去非導體層366的緣部形成平坦膜360的外緣形狀。非導體層366可藉由乾式蝕刻來圖案化。藉此，在平坦膜360的兩端側，位於非導體層362下層的抗蝕層354會露出。

第二十五圖是以到第二十四圖為止的步驟來製作出的下部結構物201的剖面圖。在第二十五圖除了抗蝕層332、334、336、352、354、356之外，單獨表示被製作出的下部結構物201。

但是，在空間光調變器100的製造中的此階段，為了在之後的步驟保護下部結構物201，到第二十二圖為止所示的抗蝕層332、334、336、352、354、356會留著。又，為了使說明書簡潔，在之後記載的中，會有將複數個抗蝕層332、334、336、352、354、356一起做為抗蝕層350來記載的狀況。

在下部結構物201，基板211上的導體層320相當於電極212、214、216中的任一者。不透明膜340的中央部分相當於可動部226。又，位於相當於可動部226部分下面的導體層344，相當於電極228。再者，位於相當於可動部226部分的側方外側的部分，相當於一對扭轉軸部224。再者，相當於扭轉軸部224部分的外側，相當於固定框222。

又，在下部結構物201，平坦膜360相當於在空間光調變器100的平坦部230。在此，在平坦膜360的中央部所形成的陷沒部361的下面，相當於平坦部230的支柱232。又，平坦膜360的上面，相當於平坦面234。

又，不透明膜340的兩側端，水平延伸至比成為固定框222的部分更外側為止。此部分形成遮光部341，遮光部341遮蔽從與鄰接的空間光調變元件200之間隙向基板211射入的光。藉此，防止因入射光射入基板211 上的CMOS元件等而劣化。

第二十六圖概略表示如上述的下部結構物201被形成的基板211的狀態。如圖所示，在基板211上整批地形成複數個下部結構物201。

複數個下部結構物201，每形成一個空間光調變器100的數量為一群，形成複數個群。藉此，以對於一片基板211的晶圓程序，可以整批地製造許多的空間光調變器100。又，在圖式的階段，各下部結構物201被埋設在抗蝕層350，露出的平坦面234的表面與抗蝕層350的表面成為大致同一面。

接下來，參照第二十七圖到第三十三圖，說明反射部240的製作過程。首先，如第二十七圖所示，在已準備的塊材基板372的表面，形成介電質膜380。塊材基板372為例如矽單結晶基板，具有高度平滑化的表面特徵。因此，塊材基板372的表面，可以形成做為反射膜的高品質介電質層。

第二十八圖是介電質膜380的剖面圖。如圖示，介電質膜380是藉由使折射率不同的兩種以上的介電質薄膜，例如藉由使Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384交互堆積來形成。Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384為一組時，也有到達數十組以上的狀況。做為介電質膜380的成膜方法，可舉出離子束濺鍍法，但並非受限於此方法。

又，在塊材基板372上所形成的介電質膜380，不可避免地產生殘留應力。因此，堆積有介電質膜380的 塊材基板372經退火(anneal)處理，可以大幅緩和殘留應力。藉此，在使用時反覆加熱與冷卻的介電質膜380的安定性提昇，延長空間光調變器100的壽命。

接下來，如第二十九圖所示，在塊材基板372的內部，形成與表面平行的剝離層374。剝離層374為例如藉由離子注入法將氫離子注入塊材基板372內部來形成。

接下來，如第三十圖所示，經由暫時接著層392，將介電質膜380往上暫時接著於虛擬基板390。再者，藉由在將包含介電質層380的塊材基板372加熱的狀態下施加負載，塊材基板372係將剝離層374做為劈開面在厚度方向被剝離。藉此，在介電質膜380側，留下薄的平板膜370。

又，平板膜370也可以藉由機械研磨或化學機械研磨來薄化並形成塊材基板372。又，藉由智切法(smart cut)形成的平板膜370，也可以藉由機械研磨或化學機械研磨來進一步薄化。

又，暫時接著層392，可以由例如抗蝕材料來形成。又，在虛擬基板390，也可以設有穿孔394，穿孔394在厚度方向貫穿虛擬基板390。穿孔394可利用在於之後的步驟剝離虛擬基板390的狀況。

接下來，如第三十一圖所示，將保持在虛擬基板390的平板膜370以及介電質膜380，配合在空間光調變器100的反射部240形狀來圖案化。圖案化方法可以適當選擇乾式蝕刻或濕式蝕刻的各種方法。

接下來，如第三十二圖所示，在被圖案化的各平板膜370的下面，形成接合層376。做為接合層376，可以使用Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Zn、Sn-Pb、Sn-Bi、Sn-Zn-Bi、Sn-Au等合金材料。

又，在上述例子中，在圖案化平板膜370後，設有接合層376。但是，也可以於圖案化前的平板膜370形成接合層376後，將接合層376與平板膜370一起圖案化。

接下來，如第三十三圖所示，切割(dicing)虛擬基板390。藉此，在虛擬基板390所保持的平板膜370以及介電質膜380的晶片，被保持在分割成複數個相當於單一的空間光調變器100的部分的虛擬基板390。

第三十四~三十八圖表示空間光調變器100的組裝過程。首先，如第三十四圖所示，對於在基板211上所形成的下部結構物201，將在虛擬基板390所保持的平板膜370以及介電質膜380位置對齊。

接下來，如第三十五圖所示，在熔化狀態下使接合層376與下部結構物201的平坦面234面對面，接合平板膜370以及平坦面234。藉此，平板膜370以及平坦面234被一體化。

接下來，如第三十六圖所示，除去虛擬基板390。在此，虛擬基板390可藉由使暫時接著層392熔化來剝離。溶劑是經由虛擬基板390的穿孔394，也作用在連接於介電質膜380的部分。

如此，在基板211上，在下部結構物201上接合平 板膜370，在平板膜370的表面介電質膜380向著上方露出。介電質膜380相當於第二~四圖所示的介電質膜244，成為在空間光調變器100的反射部240。

接下來，如第三十七圖所示，藉由切割，基板211被切開分成各空間光調變器100。然後，如第三十八圖所示，除去保護著下部結構物201的抗蝕層350。

在此，再參照第二十二圖，在平坦膜360的兩端側，抗蝕層354的表面露出。由於在平坦膜360內側的抗蝕層356，被積層在抗蝕層354上，所以兩者會連續。

又，由於抗蝕層354被積層於抗蝕層352上，所以兩者會連續。在不透明膜340的兩端側，抗蝕層352與抗蝕層334、332連續。再者，由於位於不透明膜340內側的抗蝕層336被積層於抗蝕層334上，所以兩者會連續。

如此，由於所有的抗蝕層332、334、336、352、354、356會連續，所以可以從第三十七圖所示的狀態一起除去。因此，在形成平坦面234的平坦膜360，也可以設有用來除去抗蝕劑的蝕刻孔。

又，抗蝕層332、334、336、352、354、356的除去，也可以用溶解材料的濕式程序。又，也可以用電漿的焚化導致的乾式程序。再者，抗蝕層332、334、336、352、354、356只不過是犧牲材料的層的一例，即使用其他犧牲材料也可以實施同樣程序。

如此，具有與第一~四圖所示的空間光調變器100相同結構的空間光調變器100，可以藉由光蝕刻技術來 製造。藉由以光蝕刻技術來製造可形成細微的空間光調變元件200，所以可製造解像度高的空間光調變器100。

又，由於在反射部240成為反射面的介電質膜380，是以不同於下部結構物201製作的步驟來製作，所以可最佳化介電質膜380的成膜條件，並在成膜後退火處理來緩和殘留應力。藉此，可形成對於熱歷程安定性高的空間光調變器100。

再者，在平坦的平板膜370形成的介電質膜380直接可做為反射面。因此，做為反射面的介電質膜380也可以製成平坦，在空間光調變器100的有效反射面積可以更寬廣。

又，做為各層材料的組合，可舉出例如導體層320、344、346是由鋁所形成，非導體層342、348以及平坦結構層364是由氮化矽所形成。但是，各部分的材料並不限於上述材料，也可以從SiOx、SiNx、Al、Cr、Al合金等適當選擇。

又，在上述例的順序中，對於複數個下部結構物201被形成的基板211，搭載複數個反射部240於各空間光調變器100。但是，也可以在不切割將整批製作出的反射部240保持的虛擬基板390之條件下，將下部結構物201的基板211與反射部240的基板整批貼合。

相反地，也可以將下部結構物201側的基板211，平均切割成各空間光調變器100的部分，以所謂的晶片到晶片(chip-to-chip)之方式與反射部240貼合。再者，也可以一個下部結構物201為單位，切割分成各反射部 240來個別安裝。像這種組合順序的選擇，可根據下部結構物201以及反射部240的製造良率，對於完成的空間光調變器100的需求精確度來適當選擇。

第三十九圖是具有其他結構的空間光調變元件200的概略分解斜視圖。又，此空間光調變元件200除了以下說明的部分以外，具有與第二圖所示的空間光調變元件200的共同結構。因此，賦予相同元件符號於與第二圖共同的元件並省略重複說明。

空間光調變元件200具有：重疊於基板211上配置的驅動部220、平坦部230以及反射部240。反射部240具有與第一圖所示的空間光調變元件200相同的形狀。另一方面，在基板211的表面，除了電極212、214、216以外，更配置有一對電極213、215。

驅動部220在固定框222以及可動部226之間，更具有被配置成所謂同芯狀的可動框227。可動框227經由一對扭轉軸部223從固定框222被支持。藉此，可動框227對於固定框222，將扭轉軸部223做為搖動軸來搖動。扭轉軸部223對於扭轉軸部224為垂直。

支持可動部226的扭轉軸部224的一端，被結合於可動框227的內側。藉此，可動部226對於可動框227，將扭轉軸部224做為搖動軸來搖動。因此，可動部226對於固定部222，是在彼此垂直的兩扭轉軸部223、224搖動。

又，可動框227具有：肋229，從外側以及內側緣部向著下方延伸。藉此，使可動框227具有高彎曲剛性 以及扭轉剛性。因此，在可動框227以及可動部226個別搖動並且扭轉軸部223、224彈性變形的狀況下，可動框227以及可動部226幾乎不變形。又，在藉由殘留應力的緩和，內部應力作用的狀況下，可動框227以及可動部226難以變形。

第四十圖是空間光調變元件200的概略剖面圖。空間光調變元件200將固定框222固定於基板211，在依序將反射部240固定於平坦部230、將平坦部230固定於可動部226的狀態下，表示第三十九圖所示的C-C剖面。又，賦予相同元件符號於與第三十九圖共同的元件並省略重複說明。

如圖示，可動框227在下面具有電極221。電極221面對基板211上的電極213、215。因此，在驅動電壓被施加至電極213、215的狀況下，可動框227的圖中左側或右側會被吸引向基板211。

又，可動框227，具有：肋229，從緣部向下方延伸。藉此，可動框227具有高彎曲剛性。另一方面，扭轉軸部224不具有相當於肋225的元件。

因此，在藉由被施加至電極212、214的電壓，使驅動力作用於可動部226的狀況下，扭轉軸部224會彈性變形，可動部226會對於可動框227搖動。再者，被支持於可動部226的平坦部230以及反射部240也會搖動。

又，在肋229的下端，有凸緣樣的部分，凸緣樣的部分向著可動框227的外方以及內方擴張。這是在將包 含肋229的層圖案化的狀況下所留下的區域，即使沒有也可以。

但是，並非是使可動框227的剛性減低者，反而是在提升的狀況下也有，所以留下也可以。藉此，由於避免了圖案化的精確度顯著提升，所以也貢獻於生產性提升。

第四十一圖是空間光調變元件200的概略剖面圖。表示第三十九圖所示的D-D剖面。賦予相同元件符號於與第三十九圖以及第四十圖共同的元件並省略重複說明。

如圖示，結合固定框222以及可動框227的扭轉軸部223，不具有相當於肋229的元件。因此，在施加驅動電壓至電極213、215的任一者的狀況下，可動框227將扭轉軸部223做為搖動軸，來對於基板211搖動。再者，被支持於可動部226的平坦部2302以及反射部240也會搖動。

第四十二圖是概略表示空間光調變器100的斜視圖。空間光調變器100，具備：單一基板211、被配置於基板211上的複數個反射部240。反射部240的表面成為反射入射光的反射面。

複數個反射部240被矩陣狀地配置在基板211上。複數個反射板240中的每一個，分別為空間光調變元件200的一部分，對於基板211會個別搖動。藉此空間光調變器100可在反射光形成照度分佈。

因此，例如，藉由以空間光調變器100反射具有均 勻照度分佈的光源光，使反射光的傳播方向變化成二維，可意圖地形成偏移的照射圖案。又，也可以空間光調變器100反射具有不均勻照度分佈的光源光，改變成均勻的照射圖案。藉此，在形成目的的照射圖案的狀況下的驅動圖案自由度會擴張。

如此的空間光調變器100，可利用光蝕刻技術做為微機器來製造。藉此，可以製造具備數百~數百萬個微小的空間光調變元件200、解像度高的空間光調變器100。如此的空間光調變器100，可以做為可變光源、曝光裝置、圖像表示裝置、光開關等來使用。

用空間光調變器100的狀況下的照射光利用效率，視空間光調變元件200的反射部240的反射率而定，所以較佳為反射率高者。又，在製造後的空間光調變元件200，藉由因反射部240的劣化導致抑制反射率減低，可以將空間光調變器100的壽命延長。

第四十三圖概略表示上述空間光調變元件200結構的斜視圖。空間光調變元件200具備依序積層的電路部210、支持部250以及反射部260。

電路部210具有基板211與電極212、213、214、215、216。基板211是在第四十二圖所示的空間光調變器100的基板211的一部分，內建CMOS電路。

一部分的電極212、213、214、215被配置於兩對相面對的位置。這兩對電極212、213、214、215從內建的CMOS電路供給驅動電壓。其他的電極216完全覆蓋基板211的周邊部，被結合於基準電壓例如接地電 壓。

第四十四圖是單獨表示支持部250形狀的平面圖。賦予相同元件符號於與第四十三圖共同的元件。關於支持部250，合併參照第四十三圖以及第四十四圖來說明。

支持部250具有：下部支柱252、短彎曲部分(short flexure)253、支持框254、長彎曲部分(long flexure)256以及搖動板258。四根下部支柱252被固定於空間光調變元件200的一個基板211的四角落，垂直於基板211的表面。

支持框254，以整體來說具有矩形狀，四角落被配置於下部支柱252的附近。支持框254的角部，藉由配置於支持框254外側的短彎曲部分253，分別結合於下部支柱252的上端。

短彎曲部分253具有反覆曲折的線狀形狀。藉此，由於短彎曲部分253具有小彈性率所以容易變形。

在支持框254的內側支持框254的在對角線方向配置有兩對長彎曲部分256。長彎曲部分256也具有反覆曲折的線狀形狀。又，由於長彎曲部分256比短彎曲部分253更長，所以比短彎曲部分253更容易變形。

搖動板258經由長彎曲部分256被結合在支持框254的四角落。藉此，搖動板258平行於基板211，被位置對齊在基板211的大致中央。

再參照第四十三圖，反射部260具有上部支柱262以及平坦部264。平坦部264在圖中上側具有平面。

上部支柱262從平坦部264的圖中下面中央向著圖中下方突出。上部支柱262的下端面，具有與搖動板258大致相同形狀，被結合於搖動板258。

又，在第四十三圖中，在電路部210的表面以虛線表示空間光調變元件200的支持部250的形狀與位置。藉此，判斷支持部250的各部與電極212、213、214、215的位置關係。也就是說，基板211上的電極212、213、214、215與長彎曲部分256，彼此避開重疊位置來配置。藉此，在電極212、213、214、215產生的靜電力會有效率地作用於平坦部264。

第四十五圖是空間光調變元件200的概略剖面圖。在第四十五圖，表示在第四十三圖以箭頭A所示的剖面。在第四十五圖中，賦予相同元件符號於與第四十三圖共同的元件並省略重複說明。

下部支柱252的下端，被固定於基板211的電極216。下部支柱252的上端，經由短彎曲部分253被結合於支持框254。由於下部支柱252的高度比支持框254的厚度更大，所以支持框254在從基板211分離的狀態下，被位置對齊成平行於基板211。

由於短彎曲部分253容易變形，所以即使是在產生基板211的熱膨脹等狀況下，不會傳達移位至支持框254。如此，由於短彎曲部分253遮蔽了來自包含下部支柱252的基板211側的機械影響，所以空間光調變元件200的溫度特性安定。

又，支持框254對於短彎曲部分253的厚度具有大 厚度。因此，支持框254對於短彎曲部分253具有相對高的剛性。因此，即使是在藉由基板211的熱膨脹等，下部支柱252移位的狀況下，支持框254也難以移位。

搖動板258經由長彎曲部分256被結合於支持框254。由於長彎曲部分256容易變形，所以搖動板258對於基板211可容易搖動。

由於搖動板258具有與長彎曲部分256同樣程度的厚度，所以其本身的彎曲剛性低。但是，在與上部支柱262結合的狀態下，變得幾乎不變形。

在搖動板258的上面，反射部260的上部支柱262下端被一體地結合。藉此，反射部260的平坦部264被水平地支持於支持部250的上方。又，被結合於搖動板258的反射部260，與搖動板258一起對於基板211搖動。

在反射部260的平坦部264的圖中上面，配置有反射膜266。反射膜266對於入射光具有高反射率。在反射部260搖動的狀況，由於反射膜266也會搖動，所以反射光的照射方向會對應反射部的搖動來變化。

第四十六圖是空間光調變元件200的概略剖面圖。在第四十六圖表示在第四十三圖以箭頭B所示的剖面。在第四十六圖中，賦予相同元件符號於與第四十三圖、第四十四圖以及第四十五圖共同的元件並省略重複說明。

在圖示的剖面中，支持框254以及搖動板258在從基板211分離的狀態下，被支持成大致平行於基板 211。電極213、215將上部支柱262的中心做為對稱軸，被配置在彼此對稱的位置。電極213、215經由電路部210的CMOS電路，來施加驅動電壓。

又，電極213、215面對於平坦部264的下面。平坦部264經由電極216、支持部250以及上部支柱262被電性結合於基準電位。因此，在驅動電壓被施加至電極213、215的狀況下，靜電力作用於電極213、215與平坦部264之間。

第四十七圖是空間光調變元件200的剖面圖，表示與第四十六圖相同的剖面。賦予相同元件符號於與第四十六圖共同的元件並省略重複說明。

在空間光調變元件200中，在極性反轉的驅動電壓被施加至一對電極213、215的狀況下，藉由靜電力作用，平坦部264會搖動並傾斜。藉此，由於反射膜266也會傾斜，所以藉由反射膜266所反射的入射光的照射方向會變化。平坦部264的傾斜，是對應施加於電極213、215的驅動電壓高度來變化。如此，空間光調變元件200藉由電性控制，可使反射光的照射方向變化。

又，在對於電極213、215的驅動電壓的施加停止的狀況下，藉由長彎曲部分256的彈性，搖動板258以及反射部260會回到對於基板211大致平行的狀態。因此，驅動電壓被解除的狀況，空間光調變元件200的反射特性會回到初期狀態。

除了第六十一圖之外，從第四十八~六十七圖，是在與第四十五圖相同的剖面，階段地表示空間光調變元 件200的製造過程的剖面圖。第四十八圖以及第四十九圖表示製作一部分的電路部210的過程，第五十~五十六圖表示製作支持部250的過程，第五十七~六十二圖表示製作反射部260的過程。又，第六十三圖以後，表示關聯於反射膜266的保護的過程。

又，在製作過程中的空間光調變元件200的各元件，在完成的空間光調變元件200中有被包含在與對應元件不同形狀或狀態的狀況。因此，在下述說明中，將固有元件賦予元件符號於製作階段的元件並說明，並在各元件完成的階段，說明目前為止所說明的空間光調變元件200的元件的對應關係。

首先，如第四十八圖所示，預備將空間光調變元件200形成的基板211，並使成為電極212、213、214、215、216的導體層322全面堆積。做為基板211的材料，除了矽單結晶基板外，可廣泛使用化合物半導體基板、陶瓷基板等具有平坦表面的部件。在基板211預先形成有供給驅動電力的配線、CMOS電路等。

導體層322除了Al、Cu等一般導體材料外，可由以Ti為主體的合金、以Al為主體的合金、以Cu為主體的合金等金屬來形成。導體層322的成膜方法，可根據導體層322的材料，從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法、鍍金法等來適當選擇。

接下來，如第四十九圖所示，導體層322被圖案化。藉此，在空間光調變元件200的電極216被形成。又，雖然在圖示的剖面沒有出現，但其他電極212、213、 214、215也同時被形成。

又，做為電極212、214、216來圖案化的導體層322的表面，也可以藉由絕緣性的薄膜被覆蓋。藉此，可以提升對於電極212、213、214、215的短路的耐性。

做為絕緣層的材料可使用例如基板211的材料的氧化物、氮化物等。又，絕緣層也可以是介電常數高的多孔質體。絕緣材料層的成膜方法可根據材料從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法來適當選擇。

接下來，如第五十圖所示，以犧牲層393覆蓋基板211以及導體層322，在比基板211以及導體層322的表面更上方形成平坦的成膜基礎。犧牲層393可藉由用例如氧化矽來形成平坦的成膜基礎。犧牲層393的成膜方法可從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法來適當選擇。

接下來，如第五十一圖所示，藉由乾式蝕刻圖案化金屬層323。藉此，在空間光調變元件200形成成為一部分支持框254的金屬圖案。

接下來，形成空間光調變元件200中的支持部250的支持框254以外的部分。首先，如第五十二圖所示，使新的犧牲層395堆積於犧牲層393以及金屬層323的表面整體。藉此，金屬層323被埋入犧牲層395。犧牲層395的材料以及成膜方法，也可以與最初的犧牲層393相同，但也可以不同。

接下來，如第五十三圖所示，調整犧牲層395的表面高度，做為在犧牲層395的表面與金屬層323的表面 成為連續表面的狀態。犧牲層395表面的高度可以例如經HF蒸氣法將犧牲層395的表面在厚度方向除去一部分，來調整。

接下來，如第五十四圖所示，合併兩個犧牲層並圖案化，形成到達接觸孔317的導體層322。接觸孔317可藉由例如乾式蝕刻來形成。如此，在基板211上，形成具有立體形狀的成膜基礎。

接下來，如第五十五圖所示，新的金屬層325被堆積在露出的導體層322、犧牲層395以及金屬層323的表面整體。藉此，一部分的金屬層325與金屬層323一體化。

如此，包含厚度不同區域的一體的金屬層被形成。金屬層325可由例如以Ti為主體的合金、以Al為主體的合金等，與成為一部分基礎的金屬層323相同的材料，或至少親和性高的材料來形成。成膜方法可從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法、鍍金法等來適當選擇。

接下來，如第五十六圖所示。金屬層325藉由乾式蝕刻被圖案化。藉此，形成在空間光調變元件200中的支持部250的元件。也就是說，如圖中以括弧包圍來表示，下部支柱252、短彎曲部分253、支持框254、長彎曲部分256以及搖動板258，是由金屬層323所形成。

由於金屬層325與下層金屬層323一體化，所以支持框254比短彎曲部分253、長彎曲部分256以及搖動板258的膜厚更大，支持框254具有高剛性。如此，藉 由將兩層的犧牲層393、395做為成膜基礎來使用，可以光蝕刻技術形成立體結構。

接下來，如第五十七圖所示，堆積新犧牲層397。藉此，金屬層325以及犧牲層395的表面，被埋入犧牲層397。犧牲層395的材料以及成膜方法，可以與最初的犧牲層393相同，也可以不同。

再者，如第五十八圖所示，犧牲層397被圖案化，接觸孔319被形成。接觸孔319到達由金屬層325所形成的搖動板258表面。接觸孔319可藉由例如乾式蝕刻來形成。如此，在基板211上的最表面，再次形成具有立體形狀的成膜基礎。

接下來，如第五十九圖所示，新金屬層327被堆積在犧牲層397以及金屬層325的表面整體。金屬層327可由例如以Ti為主體的合金、以Al為主體的合金等來形成。做為成膜方法，可從各種物理氣相沈積法、化學氣相沈積法、鍍金法等來適當選擇。

如此形成的金屬層327，在鄰接於金屬層325形成的搖動板258的部分，成為反射部260的上部支柱262。又，金屬層327中，在犧牲層397的上面所堆積的部分，成為在反射部260的平坦部264。

又，在上述例中，藉由金屬層327一起形成上部支柱262以及平坦部264。因此，平坦部264的中央會產生陷沒部。在避免如此的陷沒部產生的狀況，也可以將陷沒部埋在其他犧牲層，並再形成平坦部264。藉此，可在整體形成平坦的平坦部264。

接下來，如第六十圖所示，介電質多層膜381被堆積在金屬層327的表面。介電質多層膜381在空間光調變元件200成為反射膜266。

第六十一圖是表示介電質多層膜381的結構的概略剖面圖。介電質多層膜381是由折射率不同的兩種以上介電質薄膜，例如使Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384交互堆積來形成。

Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384為一組。積層複數個組。Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384的各膜厚為數十~數百nm程度，積層數也有達數十組以上的狀況。介電質多層膜381的成膜方法可舉出離子束濺鍍法，但並非受限於此方法。

又，藉由材料的組合，有在金屬層327與介電質多層膜381的最下層之間產生化學反應、擴散等狀況。如此狀況，是使介電質多層膜381堆積在金屬層327的表面前，將障壁層設於金屬層327的表面，較佳為使介電質多層膜381堆積在該障壁層的表面。

又，介電質多層膜381的平坦性，會影響到做為反射膜266的反射率。又，介電質多層膜381的平坦性，會受到成為基礎的金屬層327的平坦性的影響。因此，在介電質多層膜381形成之前，也可以藉由研磨等進行將金屬層327表面變平坦的處理。

再者，在金屬層327的表面所形成的介電質多層膜381，有產生殘留應力的狀況。因此，在使介電質多層膜381堆積後，也可以加熱等使殘留應力緩和。藉此， 由於反射膜266的平坦性會安定，所以可提升反射效率。

接下來，如第六十二圖所示，介電質多層膜381的緣部被修整(trimming)。藉此，一部分的金屬層327會露出。介電質多層膜381可藉由例如乾式蝕刻來修整。

接下來，如第六十三圖所示，犧牲保護層396被堆積在介電質多層膜381的表面與在其周圍露出的金屬層327的表面。由於藉由上述修整，金屬層327在介電質多層膜381的側方延伸存在，所以犧牲保護層396沒有縫隙地覆蓋介電質多層膜381的上面與側面。

做為犧牲保護層396的材料，若是對於除去在金屬層327的下層所形成的犧牲層393、395、397的狀況下所使用的蝕刻劑具有耐性者，則可選擇任意材料。但是，犧牲保護層396的材料，較佳為其本身對於介電質多層膜381為化學上安定。

做為如此材料，可舉出例如正抗蝕劑(positive resist)、奈米壓印(nanoimprint)用的有機膜等。在做為犧牲保護層396來用抗蝕劑的狀況下，可藉由旋鍍來塗佈。

接下來，如第六十四圖所示，犧牲保護層396的緣部被修整。犧牲保護層396可藉由例如乾式蝕刻來修整。藉此，在犧牲保護層396的周圍，一部分的金屬層327會露出。

在修整犧牲保護層396的狀況下，犧牲保護層396 較佳為留下比介電質多層膜381更寬廣的區域。藉此，犧牲保護層396可保護介電質多層膜381的側端面。

接下來，如第六十五圖所示，將犧牲保護層396做為罩(mask)，將金屬層327圖案化。金屬層327可藉由例如乾式蝕刻來圖案化。藉此，在金屬層327以及犧牲保護層396的外側區域，犧牲層397的上面會露出。介電質多層膜381的表面也包含側端面，被覆蓋於所有的金屬層327或犧牲保護層396。

又，從使犧牲層397露出的觀點來看，若除去一部分的金屬層327就足夠，但在一起形成複數個空間光調變元件200於一片基板211上的狀況下，在此階段，鄰接的空間光調變元件200的金屬層327會被切斷。藉此，獨立於各空間光調變元件200的平坦部264被形成。

接下來，如第六十六圖所示，犧牲層393、395、397被除去。由於三層的犧牲層393、395、397彼此連續形成，所以可用氣體蝕刻劑的HF蒸氣法來一起除去。

在此階段，由於介電質多層膜381被犧牲保護層396覆蓋，所以不接觸蝕刻劑。由於犧牲保護層396對於HF蒸氣等有耐性，所以可以保護介電質多層膜381免於蝕刻劑的影響。

接下來，如第六十七圖所示，犧牲保護層396被除去。犧牲保護層396藉由例如用氧電漿的乾式蝕刻，可以不施加影響於介電質多層膜381來移除。如此，完成空間光調變元件200，空間光調變元件200具備藉由具有高反射率的介電質多層膜381所形成的反射膜266。

在上述製造過程，藉由被犧牲保護層396保護，防止因在除去犧牲層393、395、397的狀況使用的蝕刻劑導致介電質多層膜381的劣化。因此，藉由整批形成複數個如此的空間光調變元件200於單一基板211，可以製造反射率高的空間光調變器100。

又，藉由移除保護介電質多層膜381的犧牲保護層396，犧牲保護層396的表面所殘留的蝕刻劑成分也完全被除去。藉此，在空間光調變元件200的反射效率經過時間而劣化會被抑制。

又，在上述例中，在第六十四圖所示的階段，修整犧牲保護層396後，在第六十五圖所示的階段將金屬層327圖案化。但是，若要避免傷害介電質多層膜381的程序，也可以進行將金屬層372先圖案化後形成犧牲保護層396，並進一步圖案化犧牲保護層396的順序。在任一狀況下，藉由在犧牲保護層396存在下除去犧牲層393、395、397，較佳為保護介電質多層膜381免於蝕刻劑的影響。

第六十八圖是具有與上述例子不同結構的介電質多層膜383的剖面圖。介電質多層膜383在第六十圖所示的階段，被形成於金屬層327的表面。

圖示的介電質多層膜383，由彼此平行積層的折射率不同的兩種以上的介電質薄膜，例如使Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384交互堆積來形成。再者，在介電質多層膜383的最上層的Al₂O₃薄膜382，環繞在介電質多層膜383的側面，連續形成至金屬層327的表面為止。

形成介電質多層膜383的Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384中，Al₂O₃薄膜382對於除去犧牲層393、395、397的狀況下用的如HF蒸氣的蝕刻劑具有化學耐性。因此，具有如上述結構的介電質多層膜383，可以將其本身的Al₂O₃薄膜382做為永久保護層398。藉由以例如濺鍍法、化學氣相沈積法等成膜法使Al₂O₃薄膜382堆積，可形成從介電質多層膜383的表面連續至側端面為止的永久保護層398。

藉此，可以省略從第六十三~六十六圖所示的犧牲保護層396的形成、圖案化以及除去階段。又，由於永久保護層398是以與一部分的介電質多層膜381相同的材料所形成，所以可在介電質多層膜381的成膜環境持續成膜。因此，可以更加簡單化空間光調變元件200的製造過程。

又，因Al₂O₃薄膜382導致的永久保護層398，在空間光調變元件200完成後，也可以做為介電質多層膜381的保護層來永久地利用。藉此，抑制空間光調變元件200的經過時間的特性劣化，並可將壽命延長。

做為永久保護層398的Al₂O₃薄膜382，較佳為比其他的Al₂O₃薄膜382膜厚更大。藉此，可提升做為永久保護層398的性能。

又，永久保護層398在空間光調變元件200完成後也會留在介電質多層膜381的表面，使照射光以及反射光透過。因此，為了防止對照射光以及反射光產生光學影響的目的，較佳為永久保護層398具有對於介電質多 層膜381反射的入射光的波長成為1/2波長的整數倍的膜厚。

第六十九圖是其他介電質多層膜385的剖面圖。在第六十圖所示的階段，被形成於金屬層327的表面。

圖示的介電質多層膜385，由介電質彼此平行積層的折射率不同的兩種以上的介電質薄膜，例如使Al₂O₃薄膜382以及SiO₂薄膜384交互堆積來形成。但是，在介電質多層膜385的最上層，運用對於犧牲層393、395、397的蝕刻劑具有耐性的Al₂O₃薄膜382。

又，介電質多層膜385更具有永久保護層398，永久保護層398從上端連續至金屬層327的表面為止來覆蓋介電質多層膜385的側端面。藉此，可以從外部遮蔽對於犧牲層393、395、397的蝕刻劑沒有耐性的SiO₂薄膜384。

因此，在與第六十八圖所示的介電質多層膜383的狀況一樣，不使用犧牲保護層396，可以除去犧牲層393、395、397。又，可以在介電質多層膜381的成膜環境下連續形成永久保護層398。再者，即使在空間光調變元件200完成後，也可以保護介電質多層膜381。

又，在介電質多層膜381的側面所形成的永久保護層398，不會影響做為介電質多層膜381的反射膜266的特性。因此，可以自由選擇永久保護層398的厚度以及形狀。

第七十圖是空間光調變元件202的剖面圖。空間光調變元件202除了在具備永久保護層398來覆蓋被介電 質多層膜381形成的反射膜266的表面這點之外，具有與第六十七圖所示的空間光調變元件200相同的結構。因此，賦予相同元件符號於共同的元件並省略重複說明。

在製造空間光調變元件200的狀況，移除犧牲保護層396後，再形成永久保護層398。藉此，如已說明過的，在除去犧牲層393、395、397的狀況下，可以除去殘留在犧牲保護層396表面的蝕刻劑成分。又，藉由設置永久保護層398，可永久保護介電質多層膜381免於大氣中的氧氣等的影響，並延長空間光調變元件200的壽命。

到此為止，說明了關於單獨的空間光調變元件200的製作過程。但是，可以藉由將複數個空間光調變元件200一起製作於一個基板211上，來做出空間光調變器100。又，也可以用大型基板211製造分別具有複數個空間光調變元件200的複數個空間光調變器100。

第七十一~七十三圖，概略表示在製造複數個空間光調變器100的狀況下的一部分製造過程。賦予相同元件符號於到第七十圖為止的共同元件並省略重複說明。又，在第七十一~七十三圖的犧牲層391，一起表示在第六十五圖為止所示的三層的犧牲層393、395、397。

在第七十一圖所示的狀態中，與第六十五圖所示的狀態一樣，包含金屬層327的圖案化來對於空間光調變元件200的加工已經結束。但是，比空間光調變元件 200的平坦部264下方的部分，被埋在犧牲層391。又，金屬層327以及介電質多層膜381的表面，被犧牲保護層396覆蓋。

如已經說明的，藉由在犧牲保護層396存在下除去犧牲層391，在基板211上完成空間光調變元件200。但是，若除去犧牲層391，則在空間光調變元件200的反射部260會變得容易搖動。

因此，如在第七十二圖以虛線D所示，也可以維持留下犧牲層391以及犧牲保護層396並切割基板211。藉此，可以保護空間光調變元件200的支持部250、反射部260等，免於受到因切割以及搬送產生的振動等機械負載。

在經切割而分開的空間光調變器100，由於留有犧牲保護層396，所以如第七十三圖所示，即使以HF蒸氣法等方法除去犧牲層391，也不會使介電質多層膜381劣化。如此，可以使空間光調變器100的製造良率提昇。

又，在上述例，在空間光調變元件200中，介電質多層膜381以外的結構物主要是用金屬材料來形成。但是，空間光調變元件200的材料並非受限於金屬材料，也可以用例如形成基板211材料的氧化物、氮化物、碳化物等。又，也可以用複數個材料將各層做為積層板(laminate)，來達成部件的輕量化等。

又，在如上述的空間光調變元件200中，形成介電質膜380的介電質薄膜的各層膜厚T，對於入射光線的 波長λ、介電質薄膜的折射率n、入射光線的入射角θ，較佳為包含以下式所示值的範圍。

T=λ/(4ncos θ)[nm]

例如，在入射光線的波長λ為193nm的狀況下，在介電質膜380中，若以Al₂O₃形成高折射率層，以SiO₂形成低折射率層，則較佳為高折射率層Al₂O₃的厚度為25nm程度，低折射率層SiO₂的厚度為30nm程度。

又，介電質膜380，也可以重疊並形成於具有高反射率的反射基材上。藉此，可減少介電質多層膜的層數，並獲得高反射率。再者，相較於不設置反射基材的狀況下，可以將介電質多層膜的層數變少，所以可減低因介電質多層膜的應力導致反射部240、260的彎曲。

當舉出入射光線的波長λ為193nm的狀況為例，則做為反射基材的材料，具有高反射率的材料，可舉出Al或Al合金。又，雖然與Al比較反射率低，但在193nm具有相對高反射率的材料，可舉出為矽。

在矽係有單結晶矽與非晶質矽，非晶質矽比單結晶矽反射率略低。但是，具有可以數微米程度的膜厚成膜的優點。再者，於膜厚的非晶質矽上形成薄膜的Al合金，也可以兼顧基材厚膜化與高反射率化兩者。

例如，在由鋁(Al)形成的反射基材，將反射基材的正上方做為Al₂O₃，並交互積層藉由Al₂O₃所形成的高折射率層與藉由SiO₂所形成的低折射率層，來做為 積層結構的狀況下，在九層以上係獲得95%以上的反射率。再者，若層數增加則反射率也會增加，但在十九層以上係反射率的增加率會變差。又，若考慮反射鏡的彎曲增大，則介電質多層膜的層數較佳為十九層以下。

再者，在上述實施形態中，藉由二維排列可以個別變更反射部240的傾斜方向以及傾斜角度的空間光調變元件200，來形成空間光調變器100。但是，在形成空間光調變器100的狀況下，也可以用具有其他結構的空間光調變元件200。

做為其他的空間光調變元件200，如美國專利第7,206,117號公報所揭露的，可舉出一元件的例子，該元件藉由使對於基板211的反射部240的高度變化，來使反射光之光路變化。如此，做為空間光調變元件200，在一維或二維排列的狀況下，可以廣泛選擇可個別變更反射部240的位置以及姿勢者。

第七十四圖是包含空間光調變器100的曝光裝置400的概略圖。曝光裝置400具備：照明光產生部500、照明光學系統600以及投影光學系統700。空間光調變器100，被配置於照明光產生部500。

照明光產生部500，具有：控制部510、光源520、空間光調變器100、稜鏡530、成像光學系統540、分束鏡(beam splitter)550以及測量部560。光源520產生照明光L。光源520產生的照明光L，具有對應光源520的發光機構特性的照度分佈。因此，照明光L，在垂直於照明光L的光路的截面上，具有原圖像I₁。

從光源520出射的照明光L，入射至稜鏡530。稜鏡530將照明光L導引至空間光調變器100後，使被空間光調變器100反射的照明光L再次射出至外部。空間光調變器100在控制部510的控制下將所入射的照明光L調變並反射。關於空間光調變器100的結構與動作，參照第四十二圖已經說明過的。

經過空間光調變器100，從稜鏡530出射的照明光L，經過成像光學系統540，入射至後段的照明光學系統600。成像光學系統540將照明光圖像I₃形成於照明光學系統600的入射面612。

分束鏡550在成像光學系統540與照明光學系統之間，配置於照明光L的光路上。分束鏡550將入射至照明光學系統600前的一部分照明光L分離，並導引至測量部560。

測量部560在與照明光學系統600的入射面612光學上的耦合位置測量照明光L的圖像。藉此，測量部560測量與入射至照明光學系統600照明光圖像I₃同樣的圖像。因此，控制部510可參照被測量部560測量的照明光圖像I₃，來回饋控制空間光調變器100。

照明光學系統600包含：蠅眼透鏡610、聚光光學系統620、視野光闌630以及成像光學系統640。在照明光學系統600的出射端，配置有保持罩710的罩台720。

蠅眼透鏡610具備並列緻密地配置的許多透鏡元件，在後側焦點面形成二次光源，該二次光源包含與透 鏡元件數同數的照明光圖像I₃。聚光光學系統620將從蠅眼透鏡610出射的照明光聚光，並重疊地照明視野光闌630。

經過視野光闌630的照明光L，藉由成像光學系統640，在罩710的圖案面，形成照明光圖像I₄(即視野光闌630開口部的像)。如此，照明光學系統600係將配置於其出射端的罩710的圖案面，藉由照明光學圖像I₄來進行科勒照明(Koehler illumination)。

又，在照明光學系統600的入射面612，也是在蠅眼透鏡610的入射端所形成的照度分佈，與在蠅眼透鏡610的出射端所形成的二次光源整體的全局照度分佈，顯示出高相關。因此，照明光產生部500使入射至照明光學系統600的照明光圖像I₃，也反映在照明光圖像I₄(即照明光學系統600照射於罩710的照明光L的照度分佈)。

投影光學系統700被配置於罩台720的正後方，具備孔徑光闌730。孔徑光闌730被配置於與照明光學系統600的蠅眼透鏡610的出射端耦合的位置。在投影光學系統700的出射端，配置有基板台820，基板台820保持塗佈有感光性材料的基板810。

被保持於罩台720的罩710，具有罩圖案，該罩圖案是由將被照明光學系統600所照射的照明光L反射或透過的區域與吸收的區域所組成。因此，藉由將照明光圖像I₄照射至罩710，並藉由罩710的罩圖案與照明光圖像I₄本身的照度分佈的相互作用來產生投影光圖像 I₅。

投影光圖像I₅被投影至基板810的感光性材料，並隨著需求的圖案使感光材料感光。如此，具備空間光調變器100的曝光裝置400，可實行光源罩最佳化法。

又，在第七十四圖中，雖然將照明光L的光路描繪成直線狀，但藉由使照明光L的光路彎曲可將曝光裝置400小型化。又，雖然第七十四圖描繪成照明光L透過罩710，但也有使用反射型罩710的狀況。

第七十五圖是照明光產生部500的擴大圖，表示在曝光裝置400的空間光調變器100的角色。稜鏡530具有一對反射面532、534。入射至稜鏡530的照明光L，藉由其中之一反射面532，向著空間光調變器100照射。

如已經說明過的，空間光調變器100具有複數個反射部260，複數個反射部260可以個別搖動。因此，藉由控制部510控制空間光調變器100，可以對應需求形成任意的光源圖像I₂。

從空間光調變器100出射的光源圖像I₂，被稜鏡530的另一反射面534反射，從圖中稜鏡530右端面出射。從稜鏡560出射的光源圖像I₂，藉由成像光學系統540，在照明光學系統600的入射面612形成照明光圖像I₃。

以上，雖然用本發明的實施形態來說明，但本發明的技術範圍並不受限於上述實施形態所記載的範圍。在上述實施形態，本領域具有通常知識者明白可施加多樣變更或改良。經施加如此變更或改良的形態也可包含在本發明的技術範圍內，係從申請專利範圍的記載就能知 道。

在申請專利範圍、說明書以及圖式中所示的裝置以及系統的動作、順序、步驟以及階段等實行順序，只要沒有特別明示「在更之前」、「之前」等，不是將之前的處理輸出用在之後的處理的狀況，即可實現任意順序。在申請專利範圍、說明書以及圖式中，即使在方便上用「首先」、「接下來」來說明，也並非意味著必須以此順序來實施者。

100‧‧‧空間光調變器

200、202‧‧‧空間光調變元件

201‧‧‧下部結構物

210‧‧‧電路部

211‧‧‧基板

212、213、214、215、216、221、228‧‧‧電極

220‧‧‧驅動部

222‧‧‧固定框

223、224‧‧‧扭轉軸部

225、229、236‧‧‧肋

226‧‧‧可動部

227‧‧‧可動框

230、264‧‧‧平坦部

232‧‧‧支柱

234‧‧‧平坦面

240、260‧‧‧反射部

242‧‧‧平板部

244‧‧‧介電質膜

250‧‧‧支持部

252‧‧‧下部支柱

253‧‧‧短彎曲部分

254‧‧‧支持框

256‧‧‧長彎曲部分

258‧‧‧搖動板

262‧‧‧上部支柱

266‧‧‧反射膜

312、314‧‧‧絕緣層

315、317、319‧‧‧接觸孔

320、322、344、346‧‧‧導體層

323、325、327‧‧‧金屬層

332、334、336、350、352、354、356‧‧‧抗蝕層

335、337、339、353、355、357‧‧‧側壁

340‧‧‧不透明膜

341‧‧‧遮光部

342、348、362、366‧‧‧非導體層

360‧‧‧平坦膜

361‧‧‧陷沒部

364‧‧‧平坦結構層

370‧‧‧平板膜

372‧‧‧塊材基板

374‧‧‧剝離層

376‧‧‧接合層

380‧‧‧介電質膜

381、383、385‧‧‧介電質多層膜

382‧‧‧Al₂O₃薄膜

384‧‧‧SiO₂薄膜

390‧‧‧虛擬基板

392‧‧‧暫時接著層

391、393、395、397‧‧‧犧牲層

394‧‧‧穿孔

396‧‧‧犧牲保護層

398‧‧‧永久保護層

400‧‧‧曝光裝置

500‧‧‧照明光產生部

510‧‧‧控制部

520‧‧‧光源

530‧‧‧稜鏡

532、534‧‧‧反射面

540‧‧‧成像光學系統

550‧‧‧分束鏡

560‧‧‧測量部

600‧‧‧照明光學系統

610‧‧‧蠅眼透鏡

612‧‧‧入射面

620‧‧‧聚光光學系統

630‧‧‧視野光闌

640‧‧‧成像光學系統

700‧‧‧投影光學系統

710‧‧‧罩

720‧‧‧罩台

730‧‧‧孔徑光闌

810‧‧‧基板

820‧‧‧基板台

I₁‧‧‧原圖像

I₂‧‧‧光源圖像

I₃‧‧‧照明光圖像

I₄‧‧‧照明光圖像

I₅‧‧‧投影光圖像

L‧‧‧照明光

第一圖：概略表示空間光調變器100的外觀的斜視圖。

第二圖：空間光調變元件200的分解斜視圖。

第三圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第四圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第五圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第六圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第七圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第八圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第九圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十一圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十二圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十三圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十四圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十五圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十六圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十七圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十八圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第十九圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第二十圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第二十一圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第二十二圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖 面圖。

第二十三圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第二十四圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第二十五圖：下部結構物201的剖面圖。

第二十六圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第二十七圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第二十八圖：介電質膜380的剖面圖。

第二十九圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第三十圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第三十一圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第三十二圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第三十三圖：表示反射部240的製造過程的剖面圖。

第三十四圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第三十五圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第三十六圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第三十七圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第三十八圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第三十九圖：空間光調變元件200的分解斜視圖。

第四十圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第四十一圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第四十二圖：空間光調變元件100的斜視圖。

第四十三圖：空間光調變元件200的分解斜視圖。

第四十四圖：支持部250的平面圖。

第四十五圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第四十六圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第四十七圖：空間光調變元件200的剖面圖。

第四十八圖：表示空間光調變元件200的製造過程的剖面圖。

第四十九圖：表示接續著空間光調變元件200的第四十八圖的製造過程的剖面圖。

第五十圖：表示接續著空間光調變元件200的第四十九圖的製造過程的剖面圖。

第五十一圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十圖的製造過程的剖面圖。

第五十二圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十一圖的製造過程的剖面圖。

第五十三圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十二圖的製造過程的剖面圖。

第五十四圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十三圖的製造過程的剖面圖。

第五十五圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十四圖的製造過程的剖面圖。

第五十六圖：表示接續著空間光調變元件200的第五 十五圖的製造過程的剖面圖。

第五十七圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十六圖的製造過程的剖面圖。

第五十八圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十七圖的製造過程的剖面圖。

第五十九圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十八圖的製造過程的剖面圖。

第六十圖：表示接續著空間光調變元件200的第五十九圖的製造過程的剖面圖。

第六十一圖：介電質多層膜381的概略剖面圖。

第六十二圖：表示接續著空間光調變元件200的第六十圖的製造過程的剖面圖。

第六十三圖：表示接續著空間光調變元件200的第六十二圖的製造過程的剖面圖。

第六十四圖：表示接續著空間光調變元件200的第六十三圖的製造過程的剖面圖。

第六十五圖：表示接續著空間光調變元件200的第六十四圖的製造過程的剖面圖。

第六十六圖：表示接續著空間光調變元件200的第六十五圖的製造過程的剖面圖。

第六十七圖：表示接續著空間光調變元件200的第六十六圖的製造過程的剖面圖。

第六十八圖：介電質多層膜383的概略剖面圖。

第六十九圖：介電質多層膜385的概略剖面圖。

第七十圖：空間光調變元件202的剖面圖。

第七十一圖：表示空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第七十二圖：表示接續著空間光調變器100的製造過程的剖面圖。

第七十三圖：空間光調變器100的剖面圖。

第七十四圖：曝光裝置400的概略圖。

第七十五圖：照明光產生部500的概略圖。

200‧‧‧空間光調變元件

211‧‧‧基板

212、216、228‧‧‧電極

220‧‧‧驅動部

222‧‧‧固定框

224‧‧‧扭轉軸部

225、236‧‧‧肋

226‧‧‧可動部

230‧‧‧平坦部

232‧‧‧支柱

234‧‧‧平坦面

240‧‧‧反射部

242‧‧‧平板部

244‧‧‧介電質膜

Claims (35)

1. 一種空間光調變元件，具備：基板；平坦部，其表面具有非導體層以形成三層結構，該平坦部相對於前述基板可移動；平板，被貼附於前述平坦部；以及介電質膜，被形成於前述平板的貼附面的相反側的面，反射入射光。
2. 如申請專利範圍第1項所述之空間光調變元件，其中前述介電質膜，包含：兩種以上的介電質層，彼此被積層，折射率與相鄰的層相異，被反覆地積層。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之空間光調變元件，其中前述介電質膜係Al₂O₃膜與SiO₂膜被交互積層而形成。
4. 如申請專利範圍第1項所述之空間光調變元件，其中前述平坦部的表面包含SiNx薄膜。
5. 如申請專利範圍第1項所述之空間光調變元件，其中前述平板的厚度，比前述平坦部的厚度更大。
6. 如申請專利範圍第5項所述之空間光調變元件，其中前述平板係藉由薄化塊材(bulk material)所形成。
7. 如申請專利範圍第1項所述之空間光調變元件，其中在前述平板的反射有效區域，具有單一平坦面。
8. 如申請專利範圍第1項所述之空間光調變元件，其中前述基板更具有：可動部，使前述平坦部可移動；以及連結部，使前述平坦部從前述可動部分離。
9. 一種空間光調變元件，具備：基板；平坦部，相對於前述基板搖動；介電質多層膜，與前述平坦部一起搖動，具有彼此積層的複數個介電質層來反射入射光；以及保護層，包含與前述複數個介電質層中的任一者相同的材料，且比該介電質層更厚，覆蓋前述介電質層的前述平坦部的相反側的至少一部分的面。
10. 一種空間光調變元件，具備：基板；平坦部，相對於前述基板搖動；介電質多層膜，與前述平坦部一起搖動，具有彼此積層的複數個介電質層來反射入射光；以及保護層，包含與前述複數個介電質層中的任一者相同的材料，且覆蓋前述介電質多層膜的側端面。
11. 如申請專利範圍第9或10項所述之空間光調變元件，其中前述保護層，對於氟、氧，以及包含氟與氧中的至少一者的化合物中的至少一者，係成為障壁。
12. 如申請專利範圍第9或10項所述之空間光調變元件，其中前述保護層覆蓋至前述介電質多層膜的側端面為止。
13. 如申請專利範圍第9或10項所述之空間光調變元件，其中前述保護層包含氧化鋁(Al₂O₃)。
14. 如申請專利範圍第9或10項所述之空間光調變元件，其中前述保護層具有對於前述介電質多層膜反 射的入射光的波長為1/2波長的整數倍的膜厚。
15. 一種空間光調變器，有如申請專利範圍第1~10項中任一項所述之空間光調變元件複數個排列著。
16. 一種曝光裝置，具備：如申請專利範圍第15項所述的空間光調變器。
17. 一種空間光調變元件的製造方法，其步驟包括：準備基板以及對於前述基板可移動的平坦部；在平板的一面將反射入射光的介電質膜成膜；以及將前述平板的前述介電質膜未被形成側的面貼合於前述平坦部。
18. 如申請專利範圍第17項所述之空間光調變元件的製造方法，其中在前述介電質膜的成膜步驟中，前述平板是塊材，該製造方法更具備：在前述介電質膜的成膜步驟後，前述貼合步驟前，薄化前述塊材的步驟。
19. 如申請專利範圍第18項所述之空間光調變元件的製造方法，更具備：在將前述介電質膜成膜的步驟後，將前述平板薄化的步驟前，將前述介電質膜被成膜的前述平板退火的步驟。
20. 如申請專利範圍第17項所述之空間光調變元件的製造方法，更具備：在前述貼合步驟前，將前述平板圖案化的步驟。
21. 如申請專利範圍第17項所述之空間光調變元件的製造方法，其中前述平坦部是以薄膜成膜來形成。
22. 一種空間光調變元件的製造方法，具備：在基板上，形成支持部與被支持成可在前述支 持部搖動的平坦部的階段；在前述支持部與前述平坦部中的至少一者接於犧牲層的狀態下，將反射入射光的介電質多層膜，形成於前述平坦部的一面的階段；在前述犧牲層存在下，藉由對於除去前述犧牲層的蝕刻劑具有耐性的保護層，來覆蓋前述介電質多層膜表面的至少一部分的階段；以及在前述保護層存在下，藉由前述蝕刻劑除去前述犧牲層的階段。
23. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，更包含：除去前述犧牲層後，除去前述保護層的階段。
24. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，更包含：將前述犧牲層做為基礎來形成前述平坦部的階段。
25. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，更包含：在前述犧牲層存在下，將前述保護層圖案化的階段。
26. 如申請專利範圍第25項所述之空間光調變元件的製造方法，更包含：將圖案化的前述保護層做為光罩，將前述平坦部圖案化的階段。
27. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，包含：將前述介電質多層膜圖案化的階段；以及在前述犧牲層存在下，形成覆蓋前述圖案化的前述介電質多層膜的至少一側端的保護層的階段。
28. 如申請專利範圍第27項所述之空間光調變元件的製 造方法，包含：形成完全覆蓋在前述介電質多層膜露出的表面的保護膜的階段。
29. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，其中前述保護層在前述平坦部被圖案化後被形成。
30. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，包含：在前述保護層被形成前，緩和前述介電質多層膜的殘留應力。
31. 如申請專利範圍第22項所述之空間光調變元件的製造方法，包含：以對於前述蝕刻劑有耐性的材料來形成前述介電質多層膜的最表面的介電質層，做為前述保護層的階段。
32. 如申請專利範圍第31項所述之空間光調變元件的製造方法，其中前述最表面的介電質層，具有比形成前述介電質多層膜的其他介電質層更厚的膜厚度。
33. 一種空間光調變元件，以申請專利範圍第17~32項中任一項所述之空間光調變元件的製造方法來製造。
34. 一種空間光調變器，具備複數個如申請專利範圍第33項所述的空間光調變元件。
35. 一種曝光裝置，具備如申請專利範圍第34項所述的空間光調變器。