TWI603156B - 局部曝光裝置 - Google Patents

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TWI603156B
TWI603156B TW100149925A TW100149925A TWI603156B TW I603156 B TWI603156 B TW I603156B TW 100149925 A TW100149925 A TW 100149925A TW 100149925 A TW100149925 A TW 100149925A TW I603156 B TWI603156 B TW I603156B
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東京威力科創股份有限公司
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Description

局部曝光裝置
本發明係關於一種對於形成有感光膜的被處理基板進行局部曝光處理之局部曝光裝置。
例如在FPD(平面顯示器)的製造中，藉由所謂的光微影步驟形成電路圖案。
此光微影步驟中，如專利文獻1亦有記載，在玻璃基板等被處理基板上成膜出既定的膜之後，塗佈光阻蝕劑(以下稱光阻)，並藉由使光阻中的溶劑蒸發之預備乾燥處理(減壓乾燥及預烘烤處理)形成光阻膜(感光膜)。並且，該光阻膜對應於電路圖案而曝光，經顯影處理使圖案形成。
但是，此種光微影步驟中，能如圖15(a)使光阻圖案R具有不同的膜厚(厚膜部R1與薄膜部R2)，進而利用這點，進行多次蝕刻處理而減少光罩數及步驟數。另，此種光阻圖案R可藉由使用1片具有不同光穿透率部分的半色調光罩之半(半色調)曝光處理來獲得。
以下使用圖15(a)~(e)具體說明採用應用此半曝光的光阻圖案R時的電路圖案形成步驟。
例如在圖15(a)中，玻璃基板G上依序疊層有：閘極電極200、絶緣層201、由a-Si層(非摻雜非晶層)202a與n+a-Si層202b(稀摻雜非晶Si層)構成的Si層202、以及用來形成電極的金屬層203。
又，於金屬層203上，一樣地形成光阻膜之後，光阻中的溶劑因減壓乾燥及預烘烤處理而蒸發，其後，藉由該半曝光處理及顯影處理而形成光阻圖案R。
此光阻圖案R(厚膜部R1及薄膜部R2)形成後，如圖15(b)所示，以此光阻圖案R作為遮罩進行金屬層203之蝕刻(第1次蝕刻)。
其次，將整個光阻圖案R在電漿中實施灰化(ashing)處理。藉此獲得如圖15(c)所示膜厚減少成一半左右的光阻圖案R3。
並且，如圖15(d)所示，利用此光阻圖案R3作為遮罩，進行對於露出之金屬層203或Si層202的蝕刻(第2次蝕刻)，最後藉由去除圖15(e)所示光阻R3而獲得電路圖案。
但是，在使用如前所述形成厚膜R1與薄膜R2的光阻圖案R之半曝光處理中，光阻圖案R形成時具有以下問題：其膜厚在基板平面中不均勻，形成的圖案之線寬或圖案間的間距紊亂。
亦即，以圖16(a)~(e)來具體說明時，圖16(a)係顯示光阻圖案R之中薄膜部R2的厚度t2形成為厚於圖15(a)所示的厚度t1。
此時，與圖14所示的步驟同樣實施金屬膜203之蝕刻(圖16(b))、對於整個光阻圖案R之灰化處理(圖16(c))。
在此獲得如圖16(c)所示膜厚減少成一半左右的光阻圖案R3，但因為去除的光阻膜厚度與圖15(c)時相同，所以圖示的成對光阻圖案R3間之間距p2窄於圖15(c)所示的間距p1。
所以，從該狀態經過對於金屬膜203及Si層202之蝕刻(圖16(d)及去除光阻圖案R3(圖16(e))而獲得的電路圖案，其間距p2變成窄於圖15(e)所示的間距p1(電路圖案的線寬變寬)。
對於上述問題，以往採用以下方法：對每個在曝光處理時使光透射的遮罩圖案，藉由膜厚測量來標定光阻圖案R的膜厚大於期望值而形成的既定部位，並提高該部位的曝光感度。
亦即，在曝光處理前將光阻膜加熱使容積蒸發之預烘烤處理中，使基板平面中的加熱量互有差異，使在該既定部位的曝光感 度變化，因而使顯影處理後的殘膜厚度受到調整(平面中均勻化)。
具體而言，將用於預烘烤處理的加熱器分割為多個區域，使所分割的加熱器獨立並加以驅動控制，藉此進行每個範圍的溫度調整。
再者，藉由支持基板的接近銷的高度變更(加熱器與基板之間的距離變更)來進行加熱溫度的調整。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2007-158253號公報
然而，如同前述藉由預烘烤的加熱處理進行殘膜厚度之調整時，所分割的加熱器面積係受到硬體的制約，必須確保一定程度的大小，因此無法進行細微範圍之加熱調整，此乃其問題點。
又，藉由接近銷高度之加熱調整中，變更銷高度需要作業工時，因此生產效率低下，此乃其問題點。
本發明有鑑於上述習知技術的問題點，提供一種局部曝光裝置，其能夠容易調整在基板平面中經細微設定之每個範圍的曝光量，能夠提升顯影處理後之光阻殘膜均勻性並且抑制配線圖案的線寬及間距之紊亂。
為解決該問題，本發明之局部曝光裝置，係對於基板上形成的感光膜之既定區域施行曝光處理之局部曝光裝置，其特徵在於包含：基板運送機構，形成基板運送通路並沿著該基板運送通路水 平流動運送該基板；光源，在該基板運送通路的上方，具有在交叉於基板運送方向的方向排列成線狀的多數發光元件，能藉由該發光元件的發光，而對於在其下方沿著基板運送方向相對地移動的基板上之感光膜進行光照射；發光驅動部，能在構成該光源的多數發光元件之中，以1個或多數發光元件作為發光控制單位，選擇性進行發光驅動；照度偵測機構，設成該基板未在該光源下方運送的狀態下，可沿著該光源對於該基板之光照射位置在基板寬度方向前進後退，並偵測由該光源所照射的光之照度；及控制部，將該照度偵測機構所偵測到的照度與該發光元件的驅動電流值之關係作為相關表加以記憶，並且控制該發光驅動部對於該發光元件之驅動；該控制部對於該基板上形成的感光膜之既定區域，依據其膜厚求出待照射的所需照度，並且對於能照射至該既定區域之該光源的發光元件，依據該相關表由該所需照度決定驅動電流值，而根據該驅動電流值控制該發光驅動部，以使該發光元件發光。
另，較佳為：該照度偵測機構，在與該基板相同高度位置在基板寬度方向進退移動。
又，較佳為：該光源設成高度位置可相對於該基板變動；該照度偵測機構在該光源固定於既定高度的狀態下，偵測由該光源所照射的光之照度。
又，較佳為：包含基板檢測機構，係在該基板運送通路中配置於該光源的更上游側，偵測由該基板運送機構所運送之該基板；該控制部依據該基板偵測機構之基板偵測信號與基板運送速度而取得基板運送位置，並控制該發光驅動部，使得在該基板上形成的感光膜之既定區域在該光源下方相對地移動時，該排列成線狀的多數發光元件之中，只有能照射至該既定區域的發光元件 進行發光。
藉由如此構成，能夠容易對於欲使膜厚更薄(或更厚)的任意部位進行局部曝光處理，能根據預先設定的曝光量(照度)減膜至所期望的膜厚。
所以，即使在例如半曝光處理中光阻膜具有不同的膜厚(厚膜部與薄膜部)時(亦即係如薄膜部的較薄膜厚)，也能使顯影處理後的光阻膜厚均勻，能抑制配線圖案的線寬及間距之紊亂。
又，進行曝光量(照度)的設定時，預先使用照度偵測機構，對於成為發光控制單位的所有發光元件進行測量，將該驅動電流值與照度之關係作為相關表來保存，藉此可高精度地調整曝光量。
又，較佳為：在該光源的下方設置有光擴散板；從該光源發出的光經由該光擴散板而放射到該基板。
如此設置光擴散板，藉此自光源放射的光藉由光擴散板適度地擴散，故能使鄰接的發光元件的光連接成線狀而照射至下方。
又，較佳為：該控制部將該光源沿著基板寬度方向區分為多個發光控制群組，並且對每個該發光控制群組將既定範圍內的多個驅動電流值，與根據該驅動電流值的照度記憶於該相關表。
如此，將光源區分為多個發光控制群組，藉此可抑制發光元件間的發光照度之紊亂。
又，較佳為：該控制部將對於該基板上形成的感光膜之既定區域之照射及顯影處理所增減之膜厚變動值，與照射在該既定區域的發光元件的驅動電流值之關係儲存在相關表，並依據該相關表由該膜厚變動值決定驅動電流值，而根據該驅動電流值控制該發光驅動部，以使該發光元件發光。
如此使用膜厚變動值與驅動電流值的相關資料時，可作為參數而省略照度(亦即即使不利用照度與驅動電流值的相關資料亦可 之故)，因此可省去照度與驅動電流值的相關資料之更新作業。
根據本發明，可獲得一種局部曝光裝置，其能夠容易調整在基板平面中經細微設定之每個範圍的曝光量，能提升顯影處理後之光阻殘膜均勻性並且抑制配線圖案之線寬及間距的紊亂。
以下依據圖面說明本發明局部曝光裝置的一實施形態。圖1係顯示本發明局部曝光裝置1之全體概略構成的立體圖。又，圖2係自不同於圖1的角度觀看之局部曝光裝置1之立體圖。又，圖3係圖2的A-A方向剖面視圖。又，圖4係光微影步驟中局部曝光裝置1之配置的示意顯示圖。
圖1至圖3所示的局部曝光裝置1，例如分別於圖4(a)~(c)所示，配置在將被處理基板以水平狀態朝向X方向水平運送(以下記述為水平流動運送)並且進行一連串光微影步驟的單元內。
亦即配置有：光阻塗佈裝置51(CT)，在光微影步驟中，於被處理基板上塗佈作為感光膜的光阻液；以及減壓乾燥裝置52(DP)，在減壓的腔室內中使基板上的光阻膜(感光膜)乾燥。再者，依序配置有：預烘烤裝置53(PRB)，進行用來使光阻膜固著於基板G的加熱處理；冷卻裝置54(COL)，將其冷卻到既定温度；曝光裝置55(EXP)，將既定的電路圖案曝光至光阻膜；以及顯影裝置56(DEV)，對於曝光後的光阻膜進行顯影處理。
在此，本發明之局部曝光裝置1(AE)例如配置於圖4(a)~(c)所示的任一位置。亦即配置於比預烘烤裝置53(PRB)更後段，且比顯影裝置56(DEV)更前段的既定位置。
如此配置的局部曝光裝置1(AE)例如在使用正型光阻來連續 處理多片基板G，而全部的基板G之既定區域比其他區域而言配線圖案變寬、圖案間間距變窄時，實施對於該既定區域的(用來減少膜厚的)局部曝光。
另，在以下實施形態中，雖以正型光阻為例進行說明，但本發明之局部曝光裝置亦可適用於負型光阻，此時，對於欲殘留更厚的光阻殘膜之既定區域施以局部曝光。
以下詳細說明局部曝光裝置1(AE)之構成。如圖1~圖3所示，局部曝光裝置1(AE)具備藉由鋪設成可在基台100上旋轉的多數滾子20而將基板G朝向X方向運送之基板運送通路2。基板運送通路2具有多數在Y方向上延伸的圓柱狀滾子20，這些多數滾子20在X方向上空出既定間隔，並配置成可分別在基台100上旋轉。又，多數滾子20設置成藉由皮帶(未圖示)而可連動，1個滾子20連接有電動機等滾子驅動裝置(未圖示)。又，在圖1中，為了容易說明此局部曝光裝置1之構成，係以部分斷開顯示圖式前側的滾子20。
又，如圖所示，基板運送通路2的上方配置有用來對於基板G進行局部曝光(UV光放射)的光照射單元3。
此光照射單元3具備沿基板寬度方向(Y方向)的線狀光源4，而在此光源4的下方運送基板G。
前述線狀光源4係將分別發出既定波長(例如接近於g線(436nm)，h線(405nm)，i線(364nm)任一者之波長)的UV光之多數UV-LED元件L配置於電路基板7上而構成。例如圖5(a)係自下方觀看電路基板7之平面圖。如圖5(a)所示，於電路基板7上有多數UV-LED元件L排列成3排。
在此，如圖5(a)所示，多個(圖中為9個)UV-LED元件L構成一個發光控制單位(作為發光控制群組GR1~GRn)。如此以多個UV-LED元件L作為發光控制單位，藉此可抑制發光元件間的發 光照度之紊亂。
另，以更少的UV-LED元件L構成光源4時，如圖5(b)所示宜交錯狀配置成元件L在基板運送方向(X方向)及基板寬度方向(Y方向)重疊。
又，如圖3所示，光源4的下方設有由光擴散板構成的照光窗6。亦即，光源4與被照射體即基板G之間配置有照光窗6。
如此設有由光擴散板構成的照光窗6，因而從光源4發射的光藉由照光窗6適度擴散，所以相鄰的UV-LED元件L之光連接成線狀而照射至下方。
又，如圖3所示UV-LED元件L的前後設有往基板寬度方向(Y方向)延伸之光反射壁8，使UV-LED元件L的發光有效地從照光窗6往下方發射。
又，構成光源4的各發光控制群組GR分別藉由發光驅動部9(圖1)獨立控制其發光驅動。再者，可分別控制供給至各發光控制群組GR(的UV-LED元件L)的順電流值。亦即，各發光控制群組GR的UV-LED元件L能藉由發光驅動部9以改變相應於該UV-LED元件L之供給電流的發光之發射照度。
另，該發光驅動部9藉著由電腦構成的控制部40控制其驅動。
又，光照射單元3能相對於在基板運送通路2運送的基板G改變其光發射位置高度。亦即，如圖3所示，設於光照射單元3之支持框15的長邊方向(Y方向)兩端之水平板部15a藉由一對升降軸11而從下方受到支持，升降軸11藉由設於基台100的例如汽壓缸所構成的升降驅動部12(升降機構)而上下可動。
另，如圖2、圖3所示，當光照射單元3位於移動至最下方的位置時，該支持框15的水平板部15a的下面與設於基台100的支持構件16抵接。
又，在基台100中，升降驅動部12的左右兩側直立設置有筒狀的導引構件13。另一方面，在該支持框15的水平板部15a的下面，於該升降軸11的左右兩側分別設有卡合於該導引構件13之導引軸14。因此，隨著光照射單元3的升降，導引軸14在導引構件13之中往上下方向滑動，成為光照射單元3的照光窗6的水平度維持良好精度之構成。
又，光照射單元3的下方(圖中上游側)設有照度感測單元30，用來偵測從光源4發射並通過照光窗6的光線之照度(輻射通量)。
此照度感測單元30具有訊號偵測部面臨上方的照度感測器31，並設置於該照度感測器31可在基板寬度方向(Y方向)移動之移動板32上。又，光源4正下方的基台100上敷設有沿著光源4往基板寬度方向延伸的一對導軌33a、33b。
於上述移動板32的底面側，設有可沿著上述一對軌道33a、33b移動的線性馬達34，於此線性馬達34透過配置於自由彎曲的蛇腹狀纜線被覆35內之電源纜線(未圖示)供給有電源。又，纜線被覆35內配置有控制纜線(未圖示)，用來藉由控制部40控制線性馬達34的動作。
亦即，移動板32上的照度感測器31，可沿著軌道33a、33b於基板寬度方向移動，此時照度感測器31的偵測部經常與基板面的高度一致。換言之，照度感測器31可沿著前述光源4對於基板G之光照射位置，於基板寬度方向前進後退。
又，在局部曝光裝置1運送基板G時，照度感測器31由控制部40所控制，使之退避至軌道33a、33b的一端側，俾不干涉基板G。
如此構成的照度感測器單元30，係用以測量各發光控制群組GR的發光照度，來取得供給至各發光控制群組GR(的LED元件L)之電流值與發光照度之關係。
又，此局部曝光裝置1中，如圖3所示，在光照射單元3的上游側設有基板偵測感測器39，用來偵測在基板運送通路2運送的基板G之既定處(例如前端)，並將其偵測信號輸出至控制部40。因為基板G係在基板運送通路2上以既定速度(例如50mm/sec)運送，所以控制部40能藉由上述偵測信號、取得該偵測信號後的時間、及基板運送速度來取得基板G的運送位置。
又，控制部40在既定記錄區域具有發光控制程式P，用來在既定時序控制控制構成光源4的各發光控制群組GR之輝度，亦即供給至各發光控制群組GR(構成該發光控制群組GR的UV-LED元件L)的電流值。
此發光控制程式P，預先設定有資訊等作為其執行時所用的配方之參數，用來標定對於基板G之既定位置待發射的所需照度(供給至發光控制群組GR的電流值)，以及標定控制對於該基板G的既定位置發光之發光控制群組GR。
在此使用圖6至圖8說明局部曝光裝置1的準備步驟。此準備步驟，係用來對每個在曝光處理時使光透射的遮罩圖案，決定曝光處理的參數(稱為配方)所實施。具體而言，係用來填入如圖8所示的配方表T1的各參數所實施。另，此配方表T1記憶並保存在控制部40。
又，此準備步驟中使用2種取樣基板(稱為取樣對象1、2)其中之一。首先，取樣對象1，係光阻塗佈後施以半曝光及顯影處理之被處理基板。另一方面，取樣對象2，係藉由通常之光微影步驟(不藉由局部曝光裝置1的步驟)形成配線圖案之被處理基板。
如圖6所示，在取樣對象1時，在光阻塗佈後對於已實施半曝光及顯影處理的多數被處理基板進行取樣(圖6之步驟St1)。
其次，測量所取樣的基板G之平面中的光阻殘膜厚度(圖6之 步驟St2)，並如圖7示意性顯示，藉由多數二維座標值(x，y)來標定待減膜的既定範圍AR(圖6之步驟St5)。
另一方面，如圖6所示，在取樣對象2時，對於藉由通常之光微影步驟(不藉由局部曝光裝置1的步驟)形成配線圖案形成的多數被處理基板進行取樣(圖6之步驟St3)。
其次，測量所取樣的基板G之平面中的配線圖案之線寬、圖案間間距(圖6之步驟St4)，並如圖7示意性顯示，藉由多數二維座標值(x，y)標定待減膜的既定範圍AR(圖6之步驟St5)。
標定既定範圍AR後，如圖8的配方表T1所示，控制部40計算既定範圍AR中對於各座標值而言所須減膜厚度(例如在座標(x1，y1)時為1000Å)(圖6之步驟St6)。再依據該減膜厚度值及光阻種類等各種條件，計算減膜所用的待照射照度(座標(x1，y1)時為0.2mJ/cm2)(圖6之步驟St7)。
又，如圖8的配方表T1所示，控制部40分別標定可照射既定範圍AR之各座標值的發光控制群組GR(圖6之步驟St8)，並自圖9所示之相關表T2求出使該發光控制群組GR以期望照度發光所須之順電流值(圖6之步驟St9)。
此相關表T2，顯示發光控制群組GR逐一測量的照度值與電流值之相關關係，並記憶於控制部40的記錄範圍。
該相關表T2，例如以下述方式定期更新。
首先，在光源4(照光窗6)設定在既定高度的狀態下，藉由來自控制部40的控制信號驅動線性馬達34，使位於待機位置的照度感測器31移動至照光窗6的下方。在此，將照光窗6與照度感測器31之間的距離，調整成為和照光窗6與基板G頂面之間的距離相等，故藉由照度感測器31所偵測出的照度成為照射在基板G的照度。
並且，每個發光控制群組GR中，供給至光源4的發光控制群組GR之順電流值在額定電流範圍內增減，其發光照度由照度感測器31所偵測出，並將照度值與電流值之關係記憶於上述相關表T2。
如此，沿著圖6的流程求出全部的參數並設定圖8的配方表T1，完結準備步驟(圖6之步驟St10)。
其次再使用圖10至圖12說明局部曝光裝置1進行的局部曝光之一連串動作。
在前段步驟處理結束後，基板G在基板運送通路2上運送，而被基板偵測感測器39偵測到時，該基板偵測信號供給至控制部40(圖10之步驟S1)。
控制部40依據該基板偵測信號與基板運送速度，開始取得(偵測)基板G之運送位置(圖10之步驟S2)。
並且控制部40在待局部曝光的既定區域通過光照射單元3的下方之時序當中(圖10之步驟S3)，如圖11示意性顯示，對於構成光源4的發光控制群組GR1~GRn進行發光控制(圖10之步驟S4)。
在此，例如發光照射至基板G之既定範圍AR時，控制配置在其上方的發光控制群組GRn-1，GRn-2之發光。更具體而言，如圖12之圖表(每個發光控制群組GRn-1、GRn-2的相對於時間經過之放射束(瓦特)大小)所示，基板G的既定範圍AR通過光源下期間，進行所供給的順電流之控制使得放射束W的大小改變。
如此，不僅單純照射至基板G的既定範圍AR，還能在範圍AR內的局部以任意照度進行照射。
又，在基板G中，具有其他待局部曝光區域時(圖10之步驟S5)，進行在該其他區域中的發光控制群組GR之發光控制，並無其他區域時(圖10之步驟S5)，結束對於該基板G之局部曝光處理。
另，如圖4所示，此局部曝光處理(AE)加上於其前段或後段進行的曝光處理(EXP)，結束了對於基板G的曝光處理，該曝光後的光阻膜藉由顯影裝置56(DEV)進行顯影處理。
如上所述，依據本發明之實施形態，在對於基板G所形成的光阻膜厚之任意部位的局部曝光處理中，由在基板寬度方向(Y方向)成線狀配置的多數UV-LED元件L形成多數之發光控制群組GR，對於在其下方運送的基板G進行所選擇的發光控制群組GR之發光控制。
因此，能容易對於欲使膜厚更薄之任意部位進行局部曝光處理，能藉由預先設定的曝光量(照度)而減少至所期望的膜厚。
所以，例如即使在半曝光處理中使光阻膜具有不同膜厚(厚膜部與薄膜部)時(亦即，使具有如薄膜部纖薄的膜厚)，亦能使顯影處理後之光阻膜厚均勻，能抑制配線圖案之線寬及間距的紊亂。
又，曝光量(照度)的設定中，預先使用照度感測器31對於所有發光控制群組GR進行測量，將其驅動電流值與照度之關係作為相關表來保存，藉此可高精度地調整曝光量。
另，前述實施形態中，雖顯示了以進行局部性追加曝光的區域作為基板面的有效區域內之例，但並不限於此。
例如，如圖13所示，亦可使用使基板G的邊緣部區域(有效區域的周邊)E1曝光之處理。
又，前述實施形態中，雖顯示了以多個UV-LED元件L所構成的發光控制群組作為發光控制單位之例，但並不限於此，亦可以各UV-LED元件L作為發光控制單位，更詳細地進行局部曝光。
又，前述實施形態中，雖以基板G水平流動運送並進行曝光處理為例說明，但本發明不限於該形態，亦可在腔室內將被處理基板固持在靜止的狀態下，並對於固持的基板進行曝光處理。
此時，亦可使線狀光源相對於被處理基板移動(亦即，只要線 狀光源與被處理基板相對而言往相反方向移動即可)。
又，前述實施形態中，雖以半曝光處理後的光阻殘膜厚度均勻為例說明，但本發明的局部曝光方法中，並不限於半曝光處理而可適用之。例如，即使進行通常的曝光處理而非半曝光處理，亦可適用本發明之局部曝光方法，藉此可使光阻殘膜厚度在平面中均勻。
又，並不限於如圖6的步驟St6、St7依據所需殘膜厚度求出所需照度，亦可測量顯影處理後的圖案線寬來求出圖案線寬與照度之相關資料，依據該相關資料作成配方表。
又，前述實施形態中，依據相關表T2由所需照度決定電流值，僅以該電流值來進行照度的控制。此時，光照射單元3的高度雖為固定，但亦可適當調整此高度位置而加以變更。
例如，即使驅動電流為固定，但由於UV-LED元件L的歷時劣化，使其照度降低，此乃令人擔憂。因此，照度測量之結果，即使對於UV-LED元件L施加最大電流的負載亦未能得到所期望的照度時，使光照度單元3靠近基板G再次進行測量，其結果，當取得所期望的照度時，將其高度位置重新設定為光照度單元3的高度位置。
又，前述實施形態中，由形成於基板G的光阻膜之既定區域的膜厚決定待照射的照度，依據相關表由前述照度求出驅動電流值。然而，並不僅限於此種形態，亦可將前述既定區域的膜厚變動值(減膜厚值)，與照射在該既定區域的發光控制群組GR的驅動電流值之關係，作為資料庫預先儲存在如圖14所示之相關表T3，而加以利用。亦即，依據前述相關表T3由前述既定區域的膜厚變動值直接決定驅動電流值，根據前述電流值使發光控制群組GR發光亦可。如此使用相關表T3時，可作為參數而省略照度(亦即即使不利用照度與驅動電流值的相關表T2亦可之故)，因此可省去使用照度感測器31的照度測量之定期相關表T2之更新作業。
另，亦可組合上述實施形態的一部分而實施之，亦能得到同樣的作用、效果。
1‧‧‧局部曝光裝置
2‧‧‧基板運送通路
3‧‧‧光照射單元
4‧‧‧光源
6‧‧‧照光窗
7‧‧‧電路基板
8‧‧‧光反射壁
9‧‧‧發光驅動部
11‧‧‧升降軸
12‧‧‧升降驅動部
13‧‧‧導引構件
14‧‧‧導引軸
15‧‧‧支持框
15a‧‧‧水平板部
16‧‧‧支持構件
20‧‧‧運送滾子(基板運送機構)
30‧‧‧照度感測器單元
31‧‧‧照度感測器
32‧‧‧移動板
33a、33b‧‧‧軌道
34‧‧‧線性馬達
35‧‧‧纜線被覆
39‧‧‧基板偵測感測器(基板偵測機構)
40‧‧‧控制部
51、CT‧‧‧光阻塗佈裝置
52、DP‧‧‧減壓乾燥裝置
53、PRB‧‧‧預烘烤裝置
54、COL‧‧‧冷卻裝置
55、EXP‧‧‧曝光裝置
56、DEV‧‧‧顯影裝置
100‧‧‧基台
200‧‧‧閘極電極
201‧‧‧絕緣層
202‧‧‧Si層
202a‧‧‧非摻雜非晶層
202b‧‧‧稀摻雜非晶Si層
203‧‧‧金屬層
AR‧‧‧範圍
E1‧‧‧邊緣部區域
G‧‧‧玻璃基板(被處理基板)
GR‧‧‧發光控制群組
L‧‧‧UV-LED元件(發光元件)
p1、p2‧‧‧間距
R、R3‧‧‧光阻圖案
R1‧‧‧厚膜部
R2‧‧‧薄膜部
St1~10、S1~5‧‧‧步驟
T1‧‧‧配方表
T2、T3‧‧‧相關表
t1、t2‧‧‧厚度
圖1係顯示本發明一實施形態之全體概略構成的立體圖。
圖2係顯示本發明一實施形態之全體概略構成的平面圖，且顯示送入了被處理基板的狀態的圖。
圖3係圖2的A-A方向剖面視圖。
圖4(a)~(c)係在光微影步驟中局部曝光裝置之配置的示意顯示圖。
圖5(a)~(b)係顯示構成光源的發光元件之排列之平面圖。
圖6係顯示尋求本發明之局部曝光裝置具有的發光控制程式之設定參數之步驟之流程。
圖7係用來說明本發明之局部曝光裝置中的發光元件之發光控制，且係以座標來顯示被處理基板上之局部曝光位置的被處理基板之平面圖。
圖8係顯示本發明之局部曝光裝置具有的發光控制程式之設定參數之例的表格。
圖9係顯示本發明之局部曝光裝置具有的發光控制程式中所利用發光元件的驅動電流值與照度之相關表之例的表格。
圖10係顯示本發明之局部曝光位置所致一連串動作之流程。
圖11係用來說明本發明之局部曝光裝置當中的局部曝光動作之平面圖。
圖12係用來說明本發明之局部曝光裝置當中的局部曝光動作之圖表。
圖13係用來說明本發明之局部曝光裝置的應用例之平面圖。
圖14係顯示本發明之局部曝光裝置具有的發光控制程式中可利用的發光元件的驅動電流值與膜厚之相關表之應用例的表格。
圖15(a)~圖15(e)係用來說明採用半曝光處理的配線圖案形成步驟之剖面圖。
圖16(a)~圖16(e)係顯示採用半曝光處理的配線圖案形成步驟且光阻膜厚大於圖15時之剖面圖。
1‧‧‧局部曝光裝置
2‧‧‧基板運送通路
3‧‧‧光照射單元
4‧‧‧光源
9‧‧‧發光驅動部
13‧‧‧導引構件
15‧‧‧支持框
15a‧‧‧水平板部
16‧‧‧支持構件
20‧‧‧運送滾子(基板運送機構)
30‧‧‧照度感測器單元
31‧‧‧照度感測器
32‧‧‧移動板
33a、33b‧‧‧軌道
34‧‧‧線性馬達
35‧‧‧纜線被覆
40‧‧‧控制部
100‧‧‧基台
G‧‧‧基板

Claims (7)

  1. 一種局部曝光裝置，係對於基板上形成的感光膜之既定區域施行曝光處理，其特徵在於：包含：基板運送機構，形成基板運送通路，並沿著該基板運送通路水平流動運送該基板；光源，在該基板運送通路的上方，具有沿著交叉於基板運送方向的方向排列成線狀的多數發光元件，能藉由該發光元件的發光，而對於在其下方沿著基板運送方向相對地移動的基板上之感光膜進行光照射；發光驅動部，能在構成該光源的多數發光元件之中，以1個或多數發光元件作為發光控制單位，選擇性予以發光驅動；照度偵測機構，設成該基板未在該光源下方運送的狀態下，可沿著該光源對於該基板之光照射位置在基板寬度方向前進後退，並偵測由該光源所照射的光之照度；及控制部，將該照度偵測機構所偵測到的照度與該發光元件的驅動電流值之關係作為相關表加以記憶，並且控制該發光驅動部對於該發光元件之驅動；該控制部對於該基板上形成的感光膜之既定區域，依據其膜厚求出待照射的所需照度，並且對於能照射至該既定區域之該光源的發光元件，依據該相關表由該所需照度決定驅動電流值，而根據該驅動電流值使得該發光元件發光，並且藉由該發光驅動部，以針對相應於該發光元件之供給電流的發光之發射照度進行變更控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之局部曝光裝置，其中，該照度偵測機構，在與該基板相同高度位置，沿基板寬度方向進退移動。
  3. 如申請專利範圍第1項之局部曝光裝置，其中， 該光源係設成相對於該基板，其高度位置為可變動；該照度偵測機構在該光源固定於既定高度的狀態下，偵測由該光源所照射的光之照度。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之局部曝光裝置，其中，包含基板檢測機構，係在該基板運送通路中配置於該光源的更上游側，偵測由該基板運送機構所運送之該基板；該控制部依據該基板偵測機構之基板偵測信號與基板運送速度而取得基板運送位置，並控制該發光驅動部，使得在該基板上形成的感光膜之既定區域在該光源下方相對地移動時，該排列成線狀的多數發光元件之中，只有能照射至該既定區域的發光元件進行發光。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之局部曝光裝置，其中，在該光源的下方設置有光擴散板；從該光源發出的光經由該光擴散板而放射到該基板。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之局部曝光裝置，其中，該控制部將該光源沿著基板寬度方向區分為多個發光控制群組，並對每個該發光控制群組，將既定範圍內的多個驅動電流值，與根據該驅動電流值的照度記憶於該相關表。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之局部曝光裝置，其中，該控制部將對於該基板上形成的感光膜之既定區域之照射及藉由顯影處理所增減之膜厚變動值，與照射在該既定區域的發光元件的驅動電流值之關係儲存在相關表，並依據該相關表由該膜厚變動值決定驅動電流值，而根據該驅動電流值控制該發光驅動部，以使該發光元件發光。
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