JP2003156853A

JP2003156853A - 露光装置および露光方法

Info

Publication number: JP2003156853A
Application number: JP2001354066A
Authority: JP
Inventors: Masato Hara; 正人原; Yoshinori Kobayashi; 義則小林; Shigetomo Ishibashi; 臣友石橋
Original assignee: Pentax Corp
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 2001-11-20
Filing date: 2001-11-20
Publication date: 2003-05-30

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の部位に応じて露光量を変えられる露光
装置を提供する。【解決手段】本発明に係る露光装置は、露光用の光を
照射する第１及び第２の光源（Ｕ１、Ｕ２）と、基板の
表面に設けられたフォトレジスト層を露光するために、
第１及び第２の光源からの光を走査方向に並べて基板上
で走査させる走査部（１１２）と、基板の部位により露
光量を変えられるように、光の走査方向の位置に応じ
て、第１及び第２の光源の点灯消灯をそれぞれ独立して
制御する点灯制御部（１２６）とを備える。第１および
第２の光源は、それぞれ、２次元配列された複数の発光
部を有する。発光部の数密度は、第１および第２の光源
において異なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感光性のフォトレジス
ト層が設けられている基板を露光するための露光装置に
関し、特に、基板の部位により露光量を変えられる露光
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器は、多種多様な電子デバ
イスを多層プリント基板に取り付け、互いに接続するこ
とにより製作されている。電子デバイスの取り付けに利
用される多層プリント基板は、複数の銅張積層板を重ね
合わせたものである。このような多層プリント基板を製
造するときは、はじめに、銅張積層板と接着シートとを
多数枚互い違いに積層した上で、加熱、加圧する。これ
により、銅張積層板が重ね合わされた状態で接着され、
多層の基板が得られる。

【０００３】次に、得られた基板の表面にラミネータに
よりフォトレジスト層が設けられる。具体的には、例え
ば厚みが３０μｍ前後のドライフィルムレジストを２本
のヒートロールにより基板を挟み込んで熱圧着させる事
により基板表面に貼り付けられる。これにより、ドライ
フィルムレジストが基板の表面に圧着され、露光装置に
よりマスクパターンを露光、転写できる基板が得られ
る。

【０００４】ところで、上記のようにして基板を製造す
る場合、重ね合わせた銅張積層板を接着するために加
熱、加圧する過程において、各銅張積層板の基材である
エポキシ樹脂等が端部から流れ出し、その結果、積層さ
れた基板の端部の厚みが中央部よりも薄くなることがあ
る。基板の中央部に対する端部の厚みの変化は、ときに
は、数１０μｍにも及ぶことがある。このように、端部
と中央部で厚みが異なる基板に前述したドライフィルム
レジストをロールコータを用いて圧着すると、今度は、
ドライフィルムレジストの厚みが端部で中央部より厚く
なってしまう。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、ドライフ
ィルムレジストの厚みが基板の全体において一様でない
場合、露光工程において基板全体を一様な光量で露光す
ると、基板中央のフォトレジスト層が適切な露光量で露
光されるのに、基板端部のフォトレジスト層の露光量が
不足するという事態が生じる。例えばドライフィルムレ
ジストにポジタイプ感光剤を利用している場合、露光量
が不足した基板端部では、現像時にフォトレジスト層が
きれいに剥離せずにゴミとして残り、その後の工程でエ
ッチング不良等を生じさせる原因となる。本発明は、上
記のような問題を解決すべく、基板の部位に応じて露光
量を変えられる露光装置を提供することを目的としてい
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置
は、露光用の光を照射する第１及び第２の光源と、基板
の表面に設けられたフォトレジスト層を露光するため
に、第１及び第２の光源からの光を走査方向に並べて基
板上で走査させる走査部と、第１及び第２の光源の点灯
消灯を制御する点灯制御部とを備える。ここで、点灯制
御部は、基板の部位により露光量を変えられるように、
上記光の走査方向の位置に応じて、第１及び第２の光源
の点灯消灯それぞれ独立して制御する。

【０００７】上記の露光装置では、第１及び第２の光源
から照射されたそれぞれの光が基板上で露光できる領域
の走査方向に直交する非走査方向への幅が、基板の非走
査方向における幅以上であることが好ましい。この条件
が満たされる場合には、一度の走査で基板の全体を露光
できる。

【０００８】例えば、基板が第１の領域と、フォトレジ
スト層の厚みが第１の領域より厚い第２の領域とを有す
る場合には、点灯制御部が、少なくとも第１の領域を露
光するように第１の光源の点灯消灯を制御すると共に、
第２の領域のみを露光するように第２の光源の点灯消灯
を制御すれば、フォトレジスト層の厚みに応じた適切な
露光量で基板を露光することが可能になる。

【０００９】ここで、点灯制御部は、基板のサイズが設
定される基板サイズ設定部と、基板において露光量を変
更すべき領域の走査方向の幅を設定する幅設定部と、基
板サイズ設定部及び幅設定部とに設定されている情報に
基づいて第１又は第２の光源を点灯又は消灯させるべき
位置を求める点灯位置演算部とを含むことが望ましい。

【００１０】上記露光装置では、第１および第２の光源
は、互いに異なる光量で発光することであってもよい。
また、第１および第２の光源は、それぞれ、２次元配列
された複数の発光部を有することであってもよい。この
場合には、第１および第２の光源は、互いに異なる数密
度で複数の発光部を配列させていると、基板のある領域
を第１の光源で露光する一方で、他の領域を第２の光源
で露光することにより、基板の異なる領域を異なる露光
量で露光することが可能になる。なお、発光部として発
光ダイオードを用いると、例えば光源として高圧水銀灯
を使用する場合と比較して消費電力を低く抑制でき、ま
た、露光装置を小型化することが可能となるという利益
がある。

【００１１】また、本発明に係る他の露光装置は、２つ
の補助光源と、２つの補助光源の間に配置され、照射す
る光量がその補助光源より小さい主光源と、主光源およ
び補助光源の各々から照射された光を、当該光が並んで
いる方向に沿って、フォトレジスト層が設けられている
基板上で走査させる走査部と、主光源および補助光源に
よって光が照射される光照射領域内に、その光照射領域
より面積が小さい基板を保持する基板保持部とを備え
る。そして、この露光装置では、走査部が、補助光源の
一方から照射された光が基板の一方の端部を露光する位
置と、補助光源の他方から照射された光が基板の他方の
端部を露光する位置との間で往復するように主光源およ
び補助光源から照射された光を走査する。

【００１２】上記露光装置では、主光源および補助光源
が、それぞれ、基板を一様な露光量で露光できるように
配列された複数の発光部を有することであってもよい。
この場合、補助光源から基板に照射される光の光量が主
光源よりも大となるように、主光源よりも高い数密度で
補助光源に発光部が配列されていることが好ましい。

【００１３】また、走査部は、主光源および補助光源か
らの光が照射される光照射領域の一方の端が前記基板の
一方の端に一致する位置と、前記光照射領域の他方の端
が基板の他方の端に一致する位置との間で露光領域が移
動するように主光源および補助光源からの光を走査する
ことが好ましい。

【００１４】また、本発明は、上記の他に、フォトマス
クのパターンが転写されるパターン領域と、パターンが
転写されない周辺領域とを有する基板を露光するための
露光装置を提供する。この露光装置は、露光用の光を照
射する光照射部と、基板の表面に設けられたフォトレジ
スト層を露光するために、光照射部からの光を基板上で
走査させる走査部とを備える。そして、この露光装置で
は、光照射部が、パターン領域を露光するための光源
と、周辺領域の一部のみを露光するための光源とを有す
る。

【００１５】一方、本発明に係る露光方法では、第１お
よび第２の光源からの光を走査方向に並べて基板上で走
査させ、基板の部位により露光量を変えられるように、
それら光の走査方向の位置に応じて、第１及び第２の光
源の点灯消灯をそれぞれ独立して制御することにより、
表面にフォトレジスト層が設けられている基板を露光す
る。

【００１６】あるいは、本発明に係る他の露光方法で
は、フォトレジスト層が設けられている基板上に、フォ
トマスクを介して、光源からの光を走査させることによ
り前記基板を露光する露光方法において、フォトマスク
に描かれているパターンが基板に転写されるように、光
源を点灯させたまま基板上に前記光を走査させる第１光
走査段階と、基板の一部の部位が他の部位より多い露光
量で露光されるように、光源の点灯消灯を制御しながら
前記基板上に前記光を走査させる第２光走査段階との２
段階で基板を露光する。このような露光方法では、特
に、第１光走査段階と、第２光走査段階とで、同一光源
からの光を基板上に走査させることとすると、当該露光
方法を実施する露光装置の構成を簡単にすることができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の第１実施形態に係る露光装置について説明する。な
お、以下の説明では、露光しようとする基板の露光面に
平行な面をｘｙ平面と呼び、ｘｙ平面内で互いに直交す
る２つの方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向と呼ぶこと
とする。

【００１８】はじめに、本実施形態で露光される基板に
ついて簡単に説明する。図１は、本実施形態で露光する
基板１０の一例を示す斜視図である。図に示されるよう
に、基板１０は、縦横のサイズがそれぞれＬ１およびＬ
２であり、銅張積層板が複数重ね合わされた本体部分１
２と、本体部分の表面に張り付けられたドライフィルム
レジスト１４とからなる。基板１０の図中左右の端部か
ら幅δＬの厚膜領域１０ａおよび１０ｂは、前述した基
板１０の製造上の理由により、本体部分１２の厚みが中
央より薄く、また、ドライフィルムレジスト１４の厚み
が中央部分より厚くなっている領域である。図中２点鎖
線で囲まれている領域は、マスクパターンが露光される
パターン領域１６であり、パターン領域１６の外側は、
マスクパターンが露光されない非パターン領域（周辺領
域）１８である。前述の厚膜領域１０ａおよび１０ｂ
は、周辺領域１８の一部である。

【００１９】次に、基板１０を露光する本実施形態の露
光装置について説明する。図２に、本実施形態の露光装
置１００の構成を模式的に示した。図２に示されるよう
に、露光装置１００は、露光台１０２上に配置され、基
板１０をｘ、ｙの２方向に移動可能に保持する基板ステ
ージ１０４と、基板ステージ１０４の動作を制御する基
板ステージ制御部１０６と、基板１０の露光面に平行に
フォトマスク２０を保持するマスクステージ１０８とを
備えている。本実施形態において、マスクステージ１０
８は、基板１０とフォトマスク２０との間に数ミクロン
から数十ミクロンの間隔があくようにフォトマスク２０
を保持する。あるいは、マスクステージ１０８は、基板
１０の露光面にフォトマスク２０が密着するようにフォ
トマスク２０を保持する。したがって、本実施形態で
は、フォトマスク２０に描かれているパターンがほぼ
１：１の縮尺比で基板１０に露光される。

【００２０】また、露光装置１００は、基板１０に向け
て光を照射する光照射部１１０と、光照射部１１０を予
め定められた走査方向（本実施形態の場合にはｘ方向）
に前後駆動する光走査機構１１２とを備えている。光走
査機構１１２が光照射部１１０をｘ方向に移動させる
と、光照射部１１０からの光が基板１０上をｘ方向に走
査される。露光装置１００は、さらに、光走査機構１１
２の動作を制御することにより光照射部１１０を走査さ
せる光走査制御部１１４と、光照射部１１０の走査方向
位置を検出し、検出結果を光走査制御部１１４および後
述する点灯制御部１２６へ出力するリニアエンコーダ等
の位置検出部１１６とを備えている。

【００２１】図３は、基板ステージ１０４の側から斜め
に見た光照射部１１０の斜視図である。光照射部１１０
は、光照射部１１０の走査方向（ｘ方向）に並べられた
複数の光源Ｕを有する。本実施形態の場合、光照射部１
１０は、主光源Ｕ１および補助光源Ｕ２の２つの光源を
有している。主光源Ｕ１は、少なくとも基板１０のパタ
ーン領域１６を露光するための光源である。一方、補助
光源Ｕ２は、厚膜領域１０ａ、１０ｂを露光するための
光源である。主光源Ｕ１および補助光源Ｕ２は、基板１
０の露光面に平行な面内に２次元配列された複数の発光
部又は発光素子１１８を備えている。

【００２２】図４は、主光源Ｕ１の一部断面図であり、
基板１０の露光面に垂直であり、かつ、ｙ方向に平行な
面に沿った光源Ｕの断面の一部を示している。

【００２３】主光源Ｕ１内には、プリント基板１２０が
配置されており、そのプリント基板１２０に前述した複
数の発光素子１１８が取り付けられている。本実施形態
の場合、発光素子１１８として発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）を用いることが望ましい。発光ダイオードを用いた
場合には、光照射部１１０の耐久性を向上させることが
でき、また、その消費電力を抑制することもできるから
である。なお、発光素子１１８として紫外域の光を発光
する発光ダイオードを利用し、基板１０に、紫外線に反
応するタイプのフォトレジストを利用することとしても
よい。

【００２４】発光素子１１８の基板ステージ１０４側に
は、レンズパネル１２２が備えられている。レンズパネ
ル１２２は、ガラス又は光透過性のある樹脂からなり、
各発光素子１１８から照射された光の通過位置にコリメ
ータレンズ１２４が形成されている。従って、各発光素
子１１８から出た光は、コリメータレンズ１２４によっ
て平行光に変換され、その後、フォトマスク２０及び基
板１０に照射される。

【００２５】図５は、主光源Ｕ１および補助光源Ｕ２に
おける発光素子１１８の配列を説明するための図であ
る。図５において、黒点ｐは発光素子１１８の位置を表
しており、破線による円形部ｑは各発光素子１１８から
コリメータレンズ１２４を介して照射された光が、基板
１０又はフォトマスク２０に形成するビームスポットを
表している。

【００２６】主光源Ｕ１では、等間隔ａでｙ方向に配置
された発光素子１１８の列が、ｘ方向、つまり走査方向
へ等間隔ｂで複数列配置されている。発光素子１１８の
各列は、光源がｘ方向に走査されたときに、１つの光源
内の２つの発光素子１１８によりそれぞれ形成されるビ
ームスポットｑが走査方向において完全に重なることが
ないように、ｙ方向に互いに一定距離ｃだけずらされて
配置されている。

【００２７】また、ビームスポットの径をｄ、主光源Ｕ
１内の発光素子１１８のｘ方向列数をｍとすると、発光
素子１１８は、次式が成立するように配列される；（ｄ×ｍ）≧ａ・・・（１）（ｃ×ｍ）＝ａ・・・（２）式（１）、（２）が満たされている場合には、光源をｘ
方向に走査させたときに、図５において斜線部ｒおよび
ｓで示すように、相前後する列の発光素子１１８のビー
ムスポットがそれぞれ基板１０上を通過する領域が一部
において重複する。このために、光源がｘ方向に走査さ
れたときに、基板１０の全面に光源からの光が照射さ
れ、光が照射されず、露光されない領域が残るという事
態は生じない。

【００２８】発光素子１１８は、補助光源Ｕ２において
も、式（１）および（２）を満たすように配置されてい
る。補助光源Ｕ２では、主光源Ｕ１と同一の間隔で発光
素子１１８を配列してもよく、あるいは、発光素子１１
８の数密度が主光源Ｕ１におけるそれと異なるように発
光素子１１８の間隔を変えて配列してもよい。ここで、
発光素子１１８の数密度とは、発光素子１１８が配列さ
れている面内における単位面積あたりの発光素子１１８
の個数をいう。

【００２９】また、補助光源Ｕ２における発光素子１１
８の数密度は、補助光源Ｕ２のみを用いて基板１０の厚
膜領域１０ａ、１０ｂを露光した場合に、その領域にお
けるフォトレジスト層を適切な露光量で露光できるよう
に定めることであってもよく、あるいは、主光源Ｕ１が
厚膜領域１０ａ、１０ｂを露光し、その後さらに補助光
源Ｕ２が同領域を露光した場合に、同領域におけるフォ
トレジスト層を適切な露光量で露光できるように定める
ことであってもよい。本実施形態の場合には、後者に従
って補助光源Ｕ２における発光素子１１８の数密度を定
めている。

【００３０】なお、図５には、補助光源Ｕ２において、
発光素子１１８のｙ方向間隔、および発光素子１１８の
各列がｙ方向にずらされている間隔がそれぞれ主光源Ｕ
１における間隔ａ、ｃより小さいａ^＊、ｃ^＊に設定され
ている例、つまり、補助光源Ｕ２の数密度が主光源Ｕ１
より大きく設定されている例が示されている。また、主
光源Ｕ１及び補助光源Ｕ２において、発光素子１１８
は、少なくとも基板１０のｙ方向幅Ｌ_１より長い幅Ｌ_３
を露光できるようにｙ方向に十分な数で配列されてい
る。

【００３１】図２に戻って、露光装置１００は、さら
に、主光源Ｕ１および補助光源Ｕ２の点灯消灯をそれぞ
れ独立に制御する点灯制御部１２６と、露光装置１００
の円滑な露光動作が達成されるように、基板ステージ制
御部１０６、光走査制御部１１４、点灯制御部１２６の
動作を統括制御する主制御部１２８とを備えている。

【００３２】図６は、点灯制御部１２６の詳細な構成を
示すブロック図である。点灯制御部１２６は、基板サイ
ズ設定部１４０、厚膜領域幅設定部１４２、点灯位置演
算部１４４、主光源点灯制御部１４６、および補助光源
点灯制御部１４８を有する。

【００３３】主光源点灯制御部１４６は、主光源Ｕ１が
有する発光素子１１８の点灯消灯を制御する。本実施形
態の場合、主光源点灯制御部１４６は、主制御部１２８
からの指示に従い、光照射部１１０が露光のための走査
を開始する前に主光源Ｕ１の全発光素子１１８を点灯さ
せ、光照射部１１０が露光のための走査を終了した後
に、それら発光素子１１８を消灯させる。つまり、主光
源点灯制御部１４６は、基板１０の全面を一様に露光す
るように主光源Ｕ１の点灯消灯を制御する。

【００３４】基板サイズ設定部１４０には、露光装置１
００で露光しようとする基板１０の縦横のサイズＬ１、
Ｌ２が入力、設定される。また、厚膜領域幅設定部１４
２には、その基板１０における厚膜領域１０ａ、１０ｂ
の幅δＬが入力、設定される。点灯位置演算部１４４
は、基板サイズ設定部１４０および厚膜領域幅設定部１
４２に設定されているデータに基づいて補助光源Ｕ２が
有する発光素子１１８を点灯又は消灯させるべき光照射
部１１０の走査方向位置を求める。本実施形態におい
て、点灯位置演算部１４４は、ｙ方向に並んでいる発光
素子１１８の列毎に点灯および消灯の位置を求める。点
灯位置演算部１４４が行う処理内容の詳細については後
述する。

【００３５】補助光源点灯制御部１４８は、補助光源Ｕ
２が備える発光素子１１８の点灯消灯を発光素子１１８
のｙ方向の列毎に制御する。補助光源点灯制御部１４８
は、位置検出部１１６が検出する光照射部１１０の走査
方向位置を監視し、その位置が点灯位置演算部１４４が
求めた発光素子１１８を点灯又は消灯すべき位置に一致
したときに、該当する列の発光素子１１８を点灯又は消
灯させる。

【００３６】次に、図７のフローチャートを用いて、本
実施形態に係る露光装置１００の動作の一例について説
明する。本実施形態では、露光装置１００に基板１０お
よびフォトマスク２０が取り付けられ、また、それらの
アライメントが行われた後に、まず、基板１０の基板サ
イズＬ１、Ｌ２と厚膜領域幅δＬがそれぞれ基板サイズ
設定部１４０および厚膜領域幅設定部１４２に入力、設
定される（Ｓ１０２）。基板サイズＬ１、Ｌ２及び厚膜
領域幅δＬが入力されると、次に、点灯位置演算部１４
４が、それらのデータに基づいて補助光源Ｕ２が備える
発光素子１１８の点灯消灯位置を求める（Ｓ１０４）。

【００３７】図８は、Ｓ１０４において点灯位置演算部
１４４が求める発光素子１１８の点灯消灯位置を説明す
るための図である。図８には、露光位置にアライメント
された基板１０と、露光のための走査開始位置に配置さ
れた光照射部１１０とが示されている。ここで、走査開
始位置は、光照射部１１０において走査方向の最も前方
に位置する発光素子１１８が基板１０より手前に位置
し、その発光素子１１８からの光が直接基板１０を露光
しない位置である。基板１０上で斜線が付されている領
域は、厚膜領域１０ａおよび１０ｂであり、２点鎖線で
囲まれている領域がパターン領域１６である。位置Ｐ
_ｓ１およびＰ_ｓ２は、厚膜領域１０ａと１０ｂのパター
ン領域１６側にある端部の走査方向位置を表している。

【００３８】本実施形態では、補助光源Ｕ２が走査開始
位置に配置されたときに発光素子１１８の各列が位置す
る走査方向位置（ｘ_ａ１、ｘ_ａ２、・・・、ｘ_ａｍ）
と、アライメントされた基板１０の一端の走査方向位置
ｘ_ｂが点灯位置演算部１４４に予め設定される。点灯位
置演算部１４４は、上記の情報と、さらに基板サイズ設
定部１４０及び厚膜領域幅設定部１４２に設定された基
板サイズＬ１、Ｌ２および厚膜領域幅δＬとから、補助
光源Ｕ２が備える発光素子１１８の各列から、位置Ｐ
_ｓ１までの距離（ｘ_１、１、ｘ_１、２、・・・、ｘ
_１、ｍ）と、位置Ｐ_ｓ２までの距離（ｘ_２、１、ｘ
_２、２、・・・、ｘ_２、ｍ）を求める。

【００３９】求められた距離ｘ_１、１、ｘ_１、２、・・
・、ｘ_１、ｍの各々は、対応する発光素子１１８の列が
位置Ｐ_ｓ１に達するまでに光照射部１１０が走査開始位
置から走査される距離を示す。補助光源Ｕ２が厚膜領域
１０ａのみを露光するためには、発光素子１１８が位置
Ｐ_ｓ１を越えるときに消灯されなければならないので、
求められた距離ｘ_１、１、ｘ_１、２、・・・、ｘ_１、ｍ
の各々は、対応する列の発光素子１１８が消灯されるべ
き位置に達したときの光照射部１１０の走査距離を示し
ていることになる。

【００４０】一方、距離ｘ_２、１、ｘ_２、２、・・・、
ｘ_２、ｍの各々は、対応する発光素子１１８の列が位置
Ｐ_ｓ２に達するまでに光照射部１１０が走査される距離
を示す。つまり、距離ｘ_２、１、ｘ_２、２、・・・、ｘ
_２、ｍの各々は、厚膜領域１０ｂを露光するために、対
応する列の発光素子１１８が再び点灯されるべき位置に
達したときの光照射部１１０の走査距離を示している。

【００４１】図７に戻って、点灯位置演算部１４４がＳ
１０４の処理を終了すると、次に、光走査制御部１１４
が光走査機構１１２を制御して、光照射部１１０を走査
開始位置へ移動させる（Ｓ１０６）。光照射部１１０が
走査開始位置に配置されると、次に、主光源点灯制御部
１４６および補助光源点灯制御部１４８がそれぞれ主光
源Ｕ１と補助光源Ｕ２の発光素子１１８を点灯させる
（Ｓ１０８）。その後、光照射部１１０の走査が開始さ
れる（Ｓ１１０）。すなわち、光走査制御部１１４が光
走査機構１１２を介して、予め定められた一定の速度で
光照射部１１０をｘ方向に移動させる。

【００４２】次に、光照射部１１０が走査されている
間、補助光源点灯制御部１４８が、補助光源Ｕ２が有す
る発光素子１１８の点灯消灯を制御する（Ｓ１１２）。
すなわち、補助光源点灯制御部１４８は、位置検出部１
１６が検出する光照射部１１０の走査方向位置を監視
し、それが距離ｘ_１、１、ｘ_１、２、・・・、ｘ_１、ｍ
の各々に達する度に、対応する列の発光素子１１８を順
に消灯させる。また、補助光源点灯制御部１４８は、そ
の後、位置検出部１１６が検出する光照射部１１０の走
査方向位置が距離ｘ_２、１、ｘ_２、２、・・・、ｘ
_２、ｍの各々に達する度に、対応する列の発光素子１１
８を再び点灯させる。これにより、補助光源点灯制御部
１４８は、基板１０の膜厚領域１０ａ及び１０ｂのみを
露光するように補助光源Ｕ２の点灯消灯を制御する。

【００４３】補助光源点灯制御部１４８がＳ１１２を実
行している間、主光源点灯制御部１４６は、Ｓ１０８で
点灯した主光源Ｕ１の各発光素子１１８を点灯状態に維
持している。したがって、本実施形態では、基板１０の
全体が主光源Ｕ１により露光される一方で、厚膜領域１
０ａおよび１０ｂのみがさらに補助光源Ｕ２により露光
される。つまり、本実施形態では、フォトレジスト層の
厚みが厚い厚膜領域１０ａ、１０ｂがパターン領域１６
を露光するよりも多い光量で露光され、厚膜領域１０
ａ、１０ｂが露光不足となることが防止される。

【００４４】Ｓ１１２が実行された後、光照射部１１０
が走査終了位置まで達すると（Ｓ１１４：ｙｅｓ）、光
走査制御部１１４が光走査機構１１２を制御して光照射
部１１０の走査を終了させる（Ｓ１１６）。ここで、走
査終了位置とは、走査された光照射部１１０が基板１０
を完全に通過し、光照射部１１０において走査方向の最
も後方に位置する発光素子１１８からの光がもはや基板
１０を露光しない位置である。

【００４５】また、主光源点灯制御部１４６および補助
光源点灯制御部１４８が、それぞれ主光源Ｕ１および補
助光源Ｕ２の発光素子１１８を消灯させる（Ｓ１１
８）。以上により、露光装置１００の一連の動作は終了
する。

【００４６】次に、本発明の第１実施形態の変形例につ
いて説明する。本変形例では、露光装置１００が基板を
２回露光する。１回目の露光（以下、通常露光という）
では、主光源Ｕ１のみが点灯され、フォトマスク２０に
描かれているパターンが基板１０に転写されるように、
主光源Ｕ１を点灯状態に維持したままで基板１０の全面
が露光される。２回目の露光（以下、追加露光という）
では、基板１０の一部の領域、例えば厚膜領域１０ａ及
び１０ｂが他の領域より多い露光量で露光されるように
補助光源Ｕ２を点灯消灯させながら基板１０が露光され
る。

【００４７】図９は、本変形例での露光装置１００の動
作を示すフローチャートである。本変形例では、第１実
施形態と同様に、露光装置１００に基板１０およびフォ
トマスク２０が取り付けられ、また、それらのアライメ
ントが行われた後に、まず、基板１０の基板サイズＬ
１、Ｌ２と厚膜領域幅δＬがそれぞれ基板サイズ設定部
１４０および厚膜領域幅設定部１４２に入力、設定され
る（Ｓ２０２）。また、点灯位置演算部１４４が、それ
らのデータに基づいて補助光源Ｕ２が備える発光素子１
１８の点灯消灯位置を求める（Ｓ２０４）。ここでは、
図７におけるＳ１０４と同じ内容の処理が行われる。こ
の後、上記した通常露光を実施するための通常露光処理
（Ｓ２０６）と、追加露光を実施するための追加露光処
理（Ｓ２０８）が順に行われる。なお、通常露光処理と
追加露光処理の実行順は図示のものと逆であってもよ
い。

【００４８】図１０は、図９のＳ２０６で行われる通常
露光処理の内容を示すフローチャートである。通常露光
処理では、はじめに、光照射部１１０が走査開始位置へ
移動される（Ｓ２２０）。次に、主光源点灯制御部１４
６が主光源Ｕ１の発光素子１１８を点灯させる（Ｓ２２
２）。このとき、補助光源点灯制御部１４８は動作せ
ず、補助光源Ｕ２の発光素子１１８は消灯状態に維持さ
れる。その後、光照射部１１０の走査が開始され、光照
射部１１０がｘ方向へ移動される（Ｓ２２４）。光走査
部１１０が走査されている間、主光源点灯制御部１４６
は、Ｓ２２２で点灯した主光源Ｕ１の各発光素子１１８
を点灯状態に維持する。したがって、通常露光処理で
は、基板１０の全体が主光源Ｕ１により一様に露光され
る。

【００４９】光照射部１１０が走査終了位置に達すると
（Ｓ２２６：ｙｅｓ）、光照射部１１０の走査が終了さ
れる（Ｓ２２８）。また、主光源点灯制御部１４６が、
主光源Ｕ１の発光素子１１８を消灯させる（Ｓ２３
０）。以上により、通常露光処理の一連の動作が終了す
る。

【００５０】図１１は、図９のＳ２０８で行われる追加
露光処理の処理内容を示すフローチャートである。追加
露光処理でも、はじめに光照射部１１０が走査開始位置
へ移動される（Ｓ２４０）。光照射部１１０が走査開始
位置に配置されると、次に、補助光源点灯制御部１４８
が補助光源Ｕ２の発光素子１１８を点灯させる（Ｓ２４
２）。このとき、主光源点灯制御部１４６は動作せず、
主光源Ｕ１の発光素子１１８は消灯状態に維持される。
その後、光照射部１１０の走査が開始され、光照射部１
１０がｘ方向へ移動される（Ｓ２４４）。

【００５１】光照射部１１０が走査されている間、補助
光源点灯制御部１４８は、補助光源Ｕ２が有する発光素
子１１８の点灯消灯を制御する（Ｓ２４６）。ここで
は、図７におけるＳ１１２と同じ処理が行われる。した
がって、補助光源点灯制御部１４８は、基板１０の膜厚
領域１０ａ及び１０ｂのみが露光されるように補助光源
Ｕ２の点灯消灯を制御する。

【００５２】Ｓ２４６が行われた後、光照射部１１０が
走査終了位置に達すると（Ｓ２４８：ｙｅｓ）、光照射
部１１０の走査が終了される（Ｓ２５０）。また、補助
光源点灯制御部１４８が、補助光源Ｕ２の発光素子１１
８を消灯させる（Ｓ２５２）。以上により、追加露光処
理の一連の動作が終了する。

【００５３】以上説明したように、本変形例では、通常
露光処理により基板１０の全面を一様に露光した後に、
追加露光処理により、基板１０の厚膜領域１０ａ及び１
０ｂのみを選択的に露光する。したがって、本変形例に
よっても、フォトレジスト層の厚みが厚い厚膜領域１０
ａ、１０ｂがパターン領域１６を露光するよりも多い光
量で露光され、厚膜領域１０ａ、１０ｂが露光不足とな
ることが防止される。

【００５４】なお、上記では、光照射部１１０が補助光
源Ｕ２を有し、補助光源点灯制御部１４８が補助光源Ｕ
２の点灯消灯を制御することにより追加露光を行う例を
説明したが、光照射部１１０は、主光源Ｕ１のみを有
し、補助光源点灯制御部１４８が追加露光処理時に主光
源Ｕ１の点灯消灯を制御することにより追加露光を行う
こととしてもよい。

【００５５】次に、本発明の第２実施形態に係る露光装
置について説明する。本発明の第２実施形態に係る露光
装置は、光照射部の構成、点灯制御部の構成、並びに、
光照射部の走査方法及び点灯方法が第１実施形態の露光
装置と異なっており、他の点では第１実施形態の露光装
置と同様である。そこで、以下では、第１実施形態で説
明した要素と同じ要素に同一の符号を付すことでその説
明を省略し、第２実施形態の露光装置が第１実施形態の
露光装置と相違する点についてのみ説明する。

【００５６】図１２は、本発明の第２実施形態に係る露
光装置で用いられる光照射部２０２および露光対象であ
る基板２０４を模式的に示す斜視図である。図に示され
ているように、光照射部２０２は、光走査機構１１２に
よって一体に移動されるｕ_１からｕ_ｎまでのｎ個の光源
を有している。ｎ個の光源ｕ_１〜ｕ_ｎは、第１実施形態
における光照射部１１０と同様に走査方向（ｘ方向）に
並べられている。したがって、光走査機構１１２が光源
ｕ_１〜ｕ_ｎを移動させると、それら光源の各々から照射
された光は、それら光が並んでいる方向に沿って基板２
０４上で走査される。

【００５７】本発明の第２実施形態に係る露光装置は、
主光源ｕ_２〜ｕ_ｎ−１および補助光源ｕ_１、ｕ_ｎによっ
て光が照射される光照射領域２０６より面積が小さい基
板２０４を露光する。第１実施形態で説明した基板１０
と同様に、基板２０４は表面にドライフィルムレジスト
が貼られている。また、基板２０４は、基板１０と同様
にフォトマスクのパターンが露光により転写されるパタ
ーン領域と、そのパターン領域の周囲に位置し、パター
ンが転写されない周辺領域とを有する。さらに、周辺領
域の中には、ドライフィルムレジストがパターン領域内
よりも厚くなっている厚膜領域がある。図１２におい
て、基板２０２中に点線で区切られている端部２０４ａ
及び２０４ｂは、厚膜領域に対応している。

【００５８】光照射部２０２の走査方向の両端に配置さ
れている２つの光源ｕ_１及びｕ_ｎは、第１の実施形態で
説明した補助光源Ｕ２と同じ構成を、そして、２つの光
源ｕ _１とｕ_ｎの間に配置されている少なくとも一つの他
の光源ｕ_２からｕ_ｎ−１は、第１の実施形態において説
明した主光源Ｕ１と同じ構成を有する。つまり、光源ｕ
_１〜ｕ_ｎの各々は、図５において説明したように、ｘｙ
平面に平行な面内で２次元的に配置された複数の発光素
子１１８を有し、光源ｕ_１及びｕ_ｎ（以下、補助光源と
呼ぶ）では、光源ｕ_２〜ｕ_ｎ−１（以下、主光源と呼
ぶ）よりも高い数密度で発光素子１１８が配列されてい
る。したがって、各光源の各発光素子１１８を同じ光量
で発光させた場合には、補助光源ｕ_１及びｕ_ｎの各々が
基板２０４へ照射する光の光量が、主光源ｕ_２〜ｕ_ｎの
各々より多くなる。なお、本実施形態では、各光源ｕ_１
〜ｕ_ｎの走査方向幅ｗ_４が、少なくとも端部２０４ａ、
２０４ｂの幅より長く、周辺領域の幅より短く設定され
ている。

【００５９】図１３は、本実施形態の露光装置が有する
点灯制御部４０２の構成を示すブロック図である。図に
示されるように、点灯制御部４０２は、厚膜領域幅設定
部１４２、点灯位置演算部１４４、及び補助光源点灯制
御部１４８を有していない点で第１実施形態の点灯制御
部１２６（図６参照）と異なっている。また、点灯制御
部４０２は、主光源点灯制御部１４６が主制御部１２８
からの命令に従い、光照射部１１０が有する全ての光源
ｕ_１〜ｕ_ｎの発光素子１１８の点灯消灯、及び発光量の
制御を同時かつ一律に行う点で点灯制御部１２６と異な
っている。その他の点では、点灯制御部４０２は、点灯
制御部１２６と同様の構成を有し、同様に動作する。

【００６０】図１４は、本発明の第２実施形態に係る露
光装置の露光方法を説明するための図である。図１４
（ａ）に示すように、基板２０４は、露光開始前に、図
中２点鎖線で示す光照射領域２０６内に配置される。次
に、光照射部２０２が光走査機構１１２によってｘ方向
に前後駆動される。このとき、光照射部２０２は、光照
射領域２０６の一方の端が基板２０４の一方の端に一致
する位置（図１４（ｂ）参照）と、露光領域２０６の他
方の端が基板２０４の他方の端に一致する位置（図１４
（ｃ））との間で光照射領域２０６が移動、又は往復す
るように走査される。このように光照射部２０２を走査
した場合、基板２０４の中央部は、主光源ｕ_２〜ｕ
_ｎ−１のみによって露光されるが、基板２０４の走査方
向側にある端部２０４ａ及び２０４ｂ（図１２参照）
は、発光素子１１８が高数密度で配列されており、主光
源ｕ_２〜ｕ_ｎ−１より発光量が多い補助光源ｕ_１及びｕ
_ｎによっても露光される。

【００６１】図１５は、本発明の第２実施形態で用いる
光照射部２０２の点灯方法の一例を説明する図である。
図１５（ａ）は、光照射部２０２の走査速度Ｖ_ｘと時間
の関係を示している。一方、図１５（ｂ）は、各光源ｕ
_１〜ｕ_ｎが備える発光素子１１８の発光量と時間との関
係を示している。図１５（ａ）に見られるように、露光
時の光照射部２０２は、加減速（０〜ｔ１、ｔ２〜ｔ
３、ｔ４〜ｔ５）と、一方の方向への一定速度ｖ_１によ
る走査（ｔ１〜ｔ２、ｔ５〜ｔ６）と、逆方向への一定
速度ｖ_１の走査（ｔ３〜ｔ４）とを繰り返すことによ
り、前述した走査方向に沿った前後移動、又は往復移動
を行う。

【００６２】各発光素子１１８は、光照射部２０２が一
定速度ｖ_１で走査されている間は、予め定められている
光量Ｌｓで発光するように点灯制御部４０２によって制
御される。また、光照射部２０２が加減速を行っている
ときには、各発光素子１１８は、光照射部２０２の速度
ｖに比例した光量、すなわち（ｖ／ｖ１）・Ｌｓで発光
するように点灯制御部４０２によって制御される。この
ように発光素子１１８の発光量を制御することにより、
本実施形態では、光照射部１１０が加減速しているとき
に基板１０が過多に露光されることを防止している。

【００６３】以上、本発明の一実施形態について説明し
たが、本発明に係る露光装置は、上記実施形態に限定さ
れず、本発明の技術的思想の範囲内において上記実施形
態に種々の変形を加えることが可能である。

【００６４】例えば、第１実施形態では、点灯制御部１
２６が補助光源Ｕ２が備える発光素子１１８の点灯消灯
の制御を発光素子１１８の列毎に行っているが、補助光
源Ｕ２の点灯消灯の制御は、各発光素子１１８毎に行う
こととしてもよい。各発光素子１１８毎に点灯消灯を制
御できる場合には、補助光源Ｕ２を用いて、基板１０上
の実質的に任意の領域を選択的に露光することが可能に
なり、例えば図１６に示すような、光照射部１１０の走
査方向（ｘ方向）に縦長い膜厚領域１０ｃ、１０ｄをも
選択的に露光することが可能になる。

【００６５】発光素子１１８毎に点灯消灯を行う場合に
は、点灯位置演算部１４４が、図７のＳ１０４の処理に
おいて、前述した点灯消灯位置（ｘ_１、１、・・・、ｘ
_１、 _ｍ、ｘ_２、１、・・・、ｘ_２、ｍ）を求めることに
加えて、光照射部１１０が走査された場合に、厚膜領域
１０ｃ又は１０ｄ上を通過することとなる発光素子１１
８の存在するｙ方向範囲ｗ_１、ｗ_２と、厚膜領域１０ａ
及び１０ｂ上のみを通過することとなる発光素子１１８
のｙ方向範囲ｗ_３を求める。次に、Ｓ１１２では、補助
光源点灯制御部１４８が、範囲ｗ_３にある発光素子１１
８については図７で説明したのと同じ点灯消灯制御を行
い、また、範囲ｗ_１及びｗ_２にある発光素子１１８につ
いては、光照射部１１０の走査開始から終了まで、発光
素子１１８を点灯した状態に維持する。これにより、光
照射部１１０が基板１０上を１回走査するだけで、光照
射部１１０の走査方向に沿って縦長い厚膜領域１０ｃ及
び１０ｄをも補助光源Ｕ２で選択的に露光することがで
きる。

【００６６】さらに、第１実施形態では、点灯制御部１
２６が、補助光源Ｕ２の全発光素子１１８を同時に点灯
消灯させてもよい。例えば、点灯制御部１２６は、補助
光源Ｕ２において走査方向の最も後方に位置する発光素
子１１８のビームスポットが、基板１０の走査方向後端
を通過したときに補助光源Ｕ２の全発光素子１１８を消
灯させ、補助光源Ｕ２において走査方向の最も前方に位
置する発光素子１１８のビームスポットが、基板１０の
走査方向前端に達したときに補助光源Ｕ２の全発光素子
１１８を再び点灯させることができる。なお、このよう
なタイミングで発光素子１１８の点灯消灯を制御する場
合には、補助光源Ｕ２の走査方向幅をｗ _５、厚膜領域１
０ａ、１０ｂがある場所での基板１０の周辺領域１８の
走査方向幅をｗ_６とすれば、ｗ_５をｗ_６より小さく設定
し、補助光源Ｕ２がパターン領域１６をも露光すること
を防ぐことが好ましい。

【００６７】また、第１実施形態では、補助光源Ｕ２と
して、全面からほぼ一様な光量で光を照射する面光源を
用い、面光源から照射された光が、基板１０のパターン
領域を露光することなく、厚膜領域１０ａ、１０ｂ又は
周辺領域１８の一部又は全部を露光するようにその面光
源の点灯消灯を点灯制御部で制御することとしてもよ
い。

【００６８】第２実施形態では、光照射部１１０が加減
速されている間は、光照射部１１０の速度ｖに比例する
光量で発光素子１１８を発光させることとしていたが、
これは、光照射部１１０が加減速されている間は発光素
子１１８を発光させず、光照射部１１０が一定速度ｖ_１
で走査される間のみ、発光素子１１８を予め定められた
光量Ｌｓで発光させることとしてもよい。

【００６９】上記実施形態では、光照射部１１０を基板
１０に対して相対的に移動させることにより基板１０に
照射される光の走査を実現していたが、光の走査は、例
えば、光照射部１１０が照射した光を角度可変のミラー
を用いて基板１０に向けて反射させ、そのミラーの角度
を変えることで反射光を基板１０上に走査させることで
あってもよい。あるいは、光照射部１１０からの光を縦
長いスリットを通して基板１０上へ照射させ、基板１０
をそのスリットに対して相対移動させることにより光を
基板１０上で走査させることであってもよい。

【００７０】上記実施形態では、光源として発光ダイオ
ードを用いる場合を例に説明したが、光源としては、そ
のほかに、水銀灯、レーザ光、Ｘ線等を利用してもよ
い。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、基板を
露光するために第１及び第２の光源を用意し、それら光
源からの光を基板上で走査させ、さらに、その光の走査
に同期して、第１及び第２の光源の点灯消灯それぞれ独
立して制御する。したがって、本発明では、例えば基板
のある領域を第１及び第２の光源の双方で露光しなが
ら、他の領域を一方の光源のみで露光することにより、
基板の異なる領域を異なる露光量で露光することが可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る露光装置で露光す
る基板の一例を示す斜視図である。

【図２】本発明の第１実施形態に係る露光装置の構成を
模式的に示す図である。

【図３】本発明の第１実施形態に係る露光装置で用いて
いる光源の斜視図である。

【図４】光源の一部断面図である。

【図５】主光源および補助光源における発光素子の配列
を説明するための図である。

【図６】点灯制御部の詳細な構成を示すブロック図であ
る。

【図７】本発明の第１実施形態に係る露光装置の動作を
示すフローチャートである。

【図８】図７のＳ１０４において点灯位置演算部が求め
る発光素子の点灯消灯位置を説明するための図である。

【図９】本発明の第１実施形態の変形例に係る露光装置
の動作を示すフローチャートである。

【図１０】本発明の第１実施形態の変形例における通常
露光処理の内容を示すフローチャートである。

【図１１】本発明の第１実施形態の変形例における追加
露光処理の処理内容を示すフローチャートである。

【図１２】本発明の第２実施形態に係る露光装置で用い
られる光照射部および露光対象である基板を模式的に示
す斜視図である。

【図１３】本発明の第２実施形態に係る露光装置が有す
る点灯制御部の構成を示すブロック図である。

【図１４】本発明の第２実施形態に係る露光装置の露光
方法を説明するための図である。

【図１５】本発明の第２実施形態における光照射部の点
灯方法の一例を説明する図である。

【図１６】図７のＳ１０４において点灯位置演算部が求
める発光素子の点灯消灯位置を説明するための図８と異
なる図である。

【符号の説明】

１００露光装置１１０光照射部１１２光走査機構１１４光走査制御部１１６位置検出部１１８発光素子１２６点灯制御部１２８主制御部１４０基板サイズ設定部１４２厚膜領域幅設定部１４４点灯位置演算部１４６主光源点灯制御部１４８補助光源点灯制御部Ｕ１主光源Ｕ２補助光源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石橋臣友東京都板橋区前野町２丁目36番９号旭光学工業株式会社内Ｆターム(参考） 2H097 AA04 AB05 BA10 BB01 BB10 CA11 FA06 GA45 LA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光用の光を照射する第１及び第２の光
源と、基板の表面に設けられたフォトレジスト層を露光するた
めに、前記第１及び第２の光源からの光を走査方向に並
べて前記基板上で走査させる走査部と、前記基板の部位により露光量を変えられるように、前記
光の前記走査方向の位置に応じて、前記第１及び第２の
光源の点灯消灯をそれぞれ独立して制御する点灯制御部
とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】前記第１及び第２の光源から照射された
それぞれの光が前記基板上で露光できる領域の前記走査
方向に直交する非走査方向への幅が、前記基板の前記非
走査方向における幅以上であることを特徴とする請求項
１に記載の露光装置。
【請求項３】前記基板は、第１の領域と、前記フォト
レジスト層の厚みが前記第１の領域より厚い第２の領域
とを有し、前記点灯制御部は、少なくとも前記第１の領域を露光す
るように前記第１の光源の点灯消灯を制御すると共に、
前記第２の領域のみを露光するように前記第２の光源の
点灯消灯を制御することを特徴とする請求項１に記載の
露光装置。
【請求項４】前記点灯制御部は、前記基板のサイズが設定される基板サイズ設定部と、前記基板において露光量を変更すべき領域の前記走査方
向の幅を設定する幅設定部と、前記基板サイズ設定部及び前記幅設定部とに設定されて
いる情報に基づいて前記第１又は第２の光源を点灯又は
消灯させるべき位置を求める点灯位置演算部とを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】前記第１および第２の光源は、互いに異
なる光量で発光することを特徴とする請求項１に記載の
露光装置。
【請求項６】前記第１および第２の光源は、それぞ
れ、２次元配列された複数の発光部を有することを特徴
とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】前記第１および第２の光源は、互いに異
なる数密度で前記複数の発光部を配列させていることを
特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】２つの補助光源と前記２つの補助光源の
間に配置され、照射する光量が前記補助光源より小さい
主光源と、前記主光源および前記補助光源の各々から照射された光
を、当該光が並んでいる方向に沿って、フォトレジスト
層が設けられている基板上で走査させる走査部と、前記主光源および前記補助光源によって光が照射される
光照射領域内に、前記光照射領域より面積が小さい前記
基板を保持する基板保持部とを備え、前記走査部は、前記補助光源の一方から照射された光が
前記基板の一方の端部を露光できる位置と、前記補助光
源の他方から照射された光が前記基板の他方の端部を露
光できる位置との間で前記主光源および前記補助光源か
ら照射された光を走査することを特徴とする露光装置。
【請求項９】前記主光源および前記補助光源は、それ
ぞれ、前記基板を一様な露光量で露光できるように配列
された複数の発光部を有し、前記補助光源では、前記主光源よりも高い数密度で前記
複数の発光部が配列されていることを特徴とする請求項
８に記載の露光装置。
【請求項１０】前記走査部は、前記主光源および前記
補助光源からの光が照射される光照射領域の一方の端が
前記基板の一方の端に一致する位置と、前記光照射領域
の他方の端が前記基板の他方の端に一致する位置との間
で前記光照射領域が移動するように前記主光源および前
記補助光源からの光を走査することを特徴とする請求項
８に記載の露光装置。
【請求項１１】前記発光部は、発光ダイオードである
ことを特徴とする請求項５又は９に記載の露光装置。
【請求項１２】フォトマスクのパターンが転写される
パターン領域と、前記パターンが転写されない周辺領域
とを有する基板を露光するための露光装置であって、露光用の光を照射する光照射部と、前記基板の表面に設けられたフォトレジスト層を露光す
るために、前記光照射部からの光を基板上で走査させる
走査部とを備え、前記光照射部は、前記パターン領域を露光するための光
源と、前記周辺領域の一部のみを露光するための光源と
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】表面にフォトレジスト層が設けられて
いる基板を露光する露光方法において、第１および第２の光源からの光を走査方向に並べて前記
基板上で走査させ、前記基板の部位により露光量を変えられるように、前記
光の前記走査方向の位置に応じて、前記第１及び第２の
光源の点灯消灯をそれぞれ独立して制御することを特徴
とする露光方法。
【請求項１４】フォトレジスト層が設けられている基
板上に、フォトマスクを介して、光源からの光を走査さ
せることにより前記基板を露光する露光方法において、前記フォトマスクに描かれているパターンが前記基板に
転写されるように、前記光源を点灯させたまま前記基板
上に前記光を走査させる第１光走査段階と、前記基板の一部の部位が他の部位より多い露光量で露光
されるように、前記光源の点灯消灯を制御しながら前記
基板上に前記光を走査させる第２光走査段階とを含む露
光方法。
【請求項１５】前記第１光走査段階と、前記第２光走
査段階では、同一光源からの光を前記基板上に走査させ
ることを特徴とする請求項１４に記載の露光方法。