JP2021120759A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021120759A
JP2021120759A JP2021080569A JP2021080569A JP2021120759A JP 2021120759 A JP2021120759 A JP 2021120759A JP 2021080569 A JP2021080569 A JP 2021080569A JP 2021080569 A JP2021080569 A JP 2021080569A JP 2021120759 A JP2021120759 A JP 2021120759A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
exposure
irradiation region
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021080569A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7127714B2 (ja
Inventor
誠司 永原
Seiji Nagahara
誠司 永原
勝 友野
Masaru Tomono
勝 友野
信貴 福永
Nobutaka Fukunaga
信貴 福永
豪介 白石
Gosuke Shiraishi
豪介 白石
幸江 嶺川
Yukie Minekawa
幸江 嶺川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2021080569A priority Critical patent/JP7127714B2/ja
Publication of JP2021120759A publication Critical patent/JP2021120759A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7127714B2 publication Critical patent/JP7127714B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2032Simultaneous exposure of the front side and the backside
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

【課題】基板の表面全体を露光する露光装置において、基板の面内の各部の露光量を精度高く制御することができる技術を提供すること。【解決手段】基板Wの表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、基板Wの表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域30を形成する複数の光照射部4と、載置部33に載置された基板Wを照射領域30に対して相対的に回転させる回転機構34と、照射領域30に対して載置部33を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構36と、を備える露光装置3を構成する。そして、基板Wの表面全体が露光されるように当該基板Wを、第1の照度分布が形成された照射領域30に対して相対的に回転させる。また、基板Wの表面全体が露光されるように、基板Wの回転が停止した状態で当該基板を第2の照度分布が形成された照射領域30に対して前後方向に相対的に移動させる。【選択図】図4

Description

本発明は基板の表面全体を露光する技術に関する。
半導体装置の製造工程のうちの一つであるフォトリソグラフィ工程では、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)の表面全体を露光する処理が行われる場合が有る。例えば、特許文献1にはウエハの表面に光増感化学増幅型レジストと呼ばれるレジストによってレジスト膜を形成し、次いでパターンマスクを用いた露光により当該レジスト膜を露光し、その後に当該ウエハの表面全体を露光することが記載されている。上記のウエハの表面全体の露光(一括露光)により、レジスト膜のうちパターンマスクによって露光された領域において酸が増殖し、この一括露光後に行われる加熱処理と現像処理とによって当該領域が溶解して、レジストパターンが形成される。上記のウエハの表面全体の露光は、各々下方に向けて光を照射する複数のLED(発光ダイオード)を横方向に配列し、当該LEDの列の下方を前後方向にウエハを移動させることで行われる。
特開2015−156472号公報
上記の一括露光の露光量に応じて現像後に形成されるレジストパターンの寸法であるCD(Critical Dimension)が変化するので、当該CDがウエハの面内で揃うように、ウエハの各部の露光量を制御することが検討されている。しかし発明の実施の形態で詳しく述べるように、フォトリソグラフィ工程ではウエハの面内の各部でCDが異なるように作用する複数の要因が存在する。そして、要因毎にウエハの面内のCD分布へ与える影響のパターンが異なるため、ウエハの面内において必要な露光量の分布は複雑なものとなる。
本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板の表面全体を露光する露光装置において、基板の面内の各部の露光量を精度高く制御することができる技術を提供することである。
本発明の露光装置は、基板を載置するための載置部と、
前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する複数の光照射部と、
前記載置部に載置された基板を前記照射領域に対して相対的に回転させる回転機構と、
前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構と、
前記基板の表面全体が露光されるように前記基板を、第1の照度分布が形成された前記照射領域に対して相対的に回転させる第1のステップと、前記基板の表面全体が露光されるように前記基板の回転が停止した状態で当該基板を第2の照度分布が形成された前記照射領域に対して前後方向に相対的に移動させる第2のステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、
を備えることを特徴とする。
本発明の露光方法は、載置部に基板を載置する工程と、
複数の光照射部により、前記基板の表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、前記基板の表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
前記基板の表面全体が露光されるように、前記載置部に載置された基板を第1の照度分布が形成された前記照射領域に対して相対的に回転させる工程と、
前記基板の表面全体が露光されるように、当該基板の回転が停止した状態で前記載置部に載置された基板を第2の照度分布が形成された前記照射領域に対して前後方向に相対的に移動させる工程と、
を備えることを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、基板を露光するための露光装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、本発明の露光方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
本発明によれば、複数の光照射部によって形成される帯状の照射領域に第1の照度分布を形成して、前記基板の表面全体が露光されるように前記基板を前記照射領域に対して相対的に回転させる。また、前記照射領域に第2の照度分布を形成し、前記基板の表面全体が露光されるように前記基板の回転が停止した状態で当該基板を前記照射領域に対して前後方向に移動させる。これによって、基板の各部の露光量について、所望の露光量となるように精度高く制御することができる。
本発明の露光装置が適用された塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる一括露光モジュールの縦断側面図である。 前記一括露光モジュールの横断平面図である。 前記一括露光モジュールに設けられるセルの構成を示すブロック図である。 前記セル及びセルにより構成される照射領域の側面図である。 CDの分布を示すウエハの平面図である。 前記CD分布に対応した露光量の分布を示すウエハの平面図である。 前記CD分布に対応した露光量の分布を示すウエハの平面図である。 前記一括露光モジュールにおけるウエハの処理を示す作用図である。 前記一括露光モジュールにおけるウエハの処理を示す作用図である。 前記一括露光モジュールにおけるウエハの処理を示す作用図である。 CDの分布を示すウエハの平面図である。 前記一括露光モジュールにおけるウエハの処理を示す作用図である。
本発明が適用された塗布、現像装置1について、平面図、概略縦断側面図である図1、図2を参照しながら説明する。塗布、現像装置1は、キャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3と、を水平に直線状に接続することで構成されている。便宜上、これらのブロックD1〜D3の配列方向をY方向、Y方向に直交する水平方向をX方向とする。インターフェイスブロックD3には露光装置D4が接続されている。キャリアブロックD1は、円形の基板であるウエハWを格納するキャリアCが載置される載置部11を備えている。図中12は開閉部、図中13はキャリアCと処理ブロックD2との間でウエハWを搬送するための移載機構である。
処理ブロックD2は、ウエハWに液処理を行う単位ブロックE1〜E6が下方から順番に積層されて構成されており、これらの単位ブロックE1〜E6では互いに並行してウエハWの搬送及び処理が行われる。単位ブロックE1、E2が互いに同様に構成され、単位ブロックE3、E4が互いに同様に構成され、単位ブロックE5、E6が互いに同様に構成されている。
ここでは単位ブロックのうち代表してE5を、図1を参照しながら説明する。キャリアブロックD1からインターフェイスブロックD3へ向かう搬送領域14の左右の一方側には棚ユニットUが前後方向に複数配置され、他方側には2つの現像モジュール21がY方向に並べて設けられている。現像モジュール21は、ウエハWの表面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する。棚ユニットUは、ウエハWを加熱する加熱モジュール22と、一括露光モジュール3と、を備えている。一括露光モジュール3は、本発明に係る露光装置をなし、ウエハWの表面全体を露光する。この表面全体の露光を一括露光とする。この一括露光モジュール3の詳細な構成は後述する。また、上記の搬送領域14には、ウエハWの搬送機構である搬送アームF5が設けられており、この単位ブロックE5に設けられる各モジュール及び後述のタワーT1、T2において単位ブロックE5と同じ高さに設けられるモジュール間でウエハWが搬送される。
単位ブロックE1〜E4は、ウエハWに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックE5、E6と同様に構成される。単位ブロックE1、E2は、現像モジュール21の代わりに、ウエハWに反射防止膜形成用の薬液を供給する反射防止膜形成モジュールを備えている。単位ブロックE3、E4は、現像モジュール21の代わりに、ウエハWに薬液として光増感化学増幅型レジストと呼ばれるレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールを備える。図2では各単位ブロックE1〜E6の搬送アームを、F1〜F6として示している。
処理ブロックD2におけるキャリアブロックD1側には、各単位ブロックE1〜E6に跨って上下に伸びるタワーT1と、タワーT1に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構である受け渡しアーム15とが設けられている。タワーT1は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、ウエハWが載置される受け渡しモジュールTRSを備えている。
インターフェイスブロックD3は、単位ブロックE1〜E6に跨って上下に伸びるタワーT2、T3、T4を備えており、タワーT2とタワーT3に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であるインターフェイスアーム16と、タワーT2とタワーT4に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であるインターフェイスアーム17と、タワーT2と露光装置D4の間でウエハWの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム18が設けられている。露光装置D4はパターンマスクを用いてウエハWの表面を例えば極端紫外線(EUV)により露光する。つまり、一括露光モジュール3と異なり、ウエハWの一部を限定的に露光する。露光装置D4による露光を、一括露光モジュール3による一括露光と区別してパターン露光と記載する場合が有る。
タワーT2は、受け渡しモジュールTRS、露光処理前の複数枚のウエハWを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハWを格納するバッファモジュール、及びウエハWの温度調整を行う温度調整モジュールSCPLなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、バッファモジュール及び温度調整モジュールの図示は省略する。なお、タワーT3、T4にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。
この塗布、現像装置1及び露光装置D4からなるシステムにおけるウエハWの搬送経路について説明する。ウエハWは、キャリア11から移載機構13により、処理ブロックD2におけるタワーT1の受け渡しモジュールTRS0に搬送される。この受け渡しモジュールTRS0からウエハWは、単位ブロックE1、E2に振り分けられて搬送される。例えばウエハWを単位ブロックE1に受け渡す場合には、タワーT1の受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックE1に対応する受け渡しモジュールTRS1(搬送アームF1によりウエハWの受け渡しが可能な受け渡しモジュール)に対して、上記の受け渡しモジュールTRS0からウエハWが受け渡される。また、ウエハWを単位ブロックE2に受け渡す場合には、タワーT1の受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックE2に対応する受け渡しモジュールTRS2に対して、前記TRS0からウエハWが受け渡される。これらのウエハWの受け渡しは、受け渡しアーム15により行われる。
このように振り分けられたウエハWは、受け渡しモジュールTRS1(TRS2)→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→受け渡しモジュールTRS1(TRS2)の順に搬送され、続いて受け渡しアーム15により単位ブロックE3に対応する受け渡しモジュールTRS3と、単位ブロックE4に対応する受け渡しモジュールTRS4とに振り分けられる。
このように受け渡しモジュールTRS3、TRS4に振り分けられたウエハWは、受け渡しモジュールTRS3(TRS4)からレジスト膜形成モジュールに搬送されて、表面全体に上記の光増感化学増幅型レジストが塗布され、レジスト膜が形成される。然る後、ウエハWは、加熱モジュール→タワーT2の受け渡しモジュールTRSの順で搬送される。その後、このウエハWは、インターフェイスアーム16、18により、タワーT3を介して露光装置D4へ搬入され、レジスト膜がパターン露光され、パターン露光された領域に酸と光増感剤とが発生する。
パターン露光後のウエハWは、インターフェイスアーム16、17によりタワーT2、T4間を搬送されて、単位ブロックE5、E6に対応するタワーT2の受け渡しモジュールTRS51、TRS61に夫々搬送される。然る後、一括露光モジュール3にてウエハWの表面全体が露光され、上記の光増感剤が光を吸収し、パターン露光された領域においてさらに酸と光増感剤とが発生する。つまり、一括露光が行われることで、パターン露光が行われた領域において限定的に酸が増殖する。然る後、ウエハWは加熱モジュール22に搬送されて加熱される。いわゆるポストエクスポージャベーク(PEB)が行われる。
このPEBによってパターン露光された領域が、上記の酸によって現像液に可溶となるように変質する。続いてウエハWは、現像モジュール21に搬送されて現像液が供給され、変質した領域が現像液に溶解することによってレジストパターンが形成される。その後、ウエハWはタワーT1の受け渡しモジュールTRS5、TRS6に搬送された後、移載機構13を介してキャリア11に戻される。
続いて、上記の単位ブロックE5に設けられる一括露光モジュール3について、図3の縦断側面図及び図4の横断平面図を参照しながら説明する。図中31は筐体であり、当該筐体31の側壁にはウエハWの搬送口32が開口している。筐体31内には、ウエハWが水平に載置される円形の載置台(載置部)33が設けられている。上記の搬送アームF5は、載置台33に対してウエハWを互いの中心軸が揃うように受け渡す。載置台33は、載置されたウエハWを吸着して保持する。
図中34は載置台33の下方に設けられる回転機構である。この回転機構34はモータを備え、当該モータによって載置台33に載置されたウエハWが中心軸回りに回転するように当該載置台33を回転させる。図中35は支持台であり、回転機構34を下方から支持する。図中36は、モータとボールねじとを含む載置部用移動機構である。モータによりボールねじが回転し、当該ボールねじに接続される上記の支持台35が、載置台33と共に前後に水平移動する。ウエハWに対して後述の一括露光を行う間、載置台33は例えば等速で水平移動する。
上記の支持台35の移動により、載置台33は筐体31内において上記の搬送口32に比較的近く、搬送アームF5によりウエハWの受け渡しが行われる受け渡し位置と、筐体31内において上記の搬送口32から比較的大きく離れ、後述するようにウエハWの向きの調整が行われる向き調整位置との間で移動する。図3では受け渡し位置に位置する載置台33を、図4では向き調整位置に位置する載置台33を夫々示している。これ以降の説明では、この載置台33の移動方向において、受け渡し位置側を前方側、向き調整位置側を後方側とする。
筐体31内の後方側には、ウエハWの周縁に形成された切り欠きであるノッチNを検出する検出部をなす投光部38と受光部39とが設けられている。投光部38及び受光部39は、上記の向き調整位置に位置する載置台33に載置されたウエハWの周縁部を上下に挟むように設けられ、載置台33によるウエハWの回転中、投光部38から受光部39へ光が照射される。この回転中に受光部39が受光する光量の変化に基づいて、後述の制御部10がノッチNを検出する。向き調整機構をなす当該制御部10から出力される制御信号に基づいて回転機構34が回転し、検出されたノッチNが所定の向きを向くようにウエハWの向きが調整される。
上記の載置部用移動機構36によるウエハWの移動路の上方には、光源ユニット40が設けられている。光源ユニット40は、ケース体41、シャッタ44、支持基板46及びLED群48を備えている。ケース体41の下部は、載置部用移動機構36によるウエハWの前後方向の移動路を覆う水平板42として構成されている。この水平板41の前後方向の中央部には、左右方向に伸びる露光用開口部43が設けられており、水平板41上にはシャッタ44が設けられている。シャッタ44はケース体41内に設けられるシャッタ用移動機構45により、露光用開口部43を塞ぐ閉鎖位置と、当該閉鎖位置の後方側で露光用開口部43を開放する開放位置との間で移動する。
ケース体41内において露光用開口部43の上方には支持基板46が水平に設けられており、支持基板46の下面には、多数のLED(発光ダイオード)47が下方に例えば波長が365nmの紫外光を照射することができるように支持されている。このLED47は例えば合計356個設けられており、4×89の行列状に配置されている。前後方向の配置数が4、左右方向の配置数が89である。ただし図4では図示の便宜上、左右方向にはおよそ20個のみLED47が配置されているように示している。以降、この行列状に配置されたLED47を一括してLED群48と記載する。当該LED群48からの紫外光の照射により、載置台33に載置されたウエハWの表面の高さ位置に、帯状の紫外光の照射領域30が形成される。
LED群48のうち、前後方向に一列に配置された4つのLED47を、セル4とする。各セルについて互いに区別するために、セル4−1、4−2、4−3・・・4−89として、セル4にハイフンと1〜89の番号とを付して示す場合が有る。番号は左右の一方から他方へ向けて順番に付されているものとする。図5のブロック図も用いて光照射部であるセル4についてさらに説明すると、各セル4は電流調整部49を介して、例えば筐体31の外部に設けられる電源23に接続されており、電流調整部49は電源23からLED47へ供給する電流をセル4毎に調整する。この供給される電流が大きいほど、セル4から出力される光量が大きくなる。なお、一括露光モジュール3の動作中は、例えば常時LED群48から光が出力される。
図6は、前後方向に見た照射領域30及びセル4を示している。図中の一点鎖線は、各セル4について照射される紫外光の光路を示しており、セル4を構成するLED47の照射角は、例えば100°以下である。この図6に示すように各セル4から照射される紫外光は下方に向かうにつれて左右方向に広がり、ウエハWの任意の位置には、複数のセル4から紫外光が照射されて露光が行われる。
上記のように、各セル4へは個別に供給される電流が制御されて、各セル4からの光量が制御されるので、照射領域30の左右方向における照度分布を調整することができる。一括露光処理は、この照度分布が適切に設定された照射領域30に対して、ウエハWを前後方向に移動させることによって行う。つまり、上記の照射領域30の照度分布を調整することで、ウエハWの各部における露光量を調整することができる。この露光量が大きい領域ほど、酸が多く発生することでパターンのCDが大きくなる。
また、一括露光モジュール3には、図3に示すようにコンピュータからなる制御部10が設けられている。制御部10は、図示しないプログラムを備えている。各プログラムは、一括露光モジュール3の各部に制御信号を送り、後述するウエハWの露光を行うことができるようにステップ群が組み込まれている。具体的にはこのプログラムによって、回転機構34による載置台33の回転、載置部用移動機構36による載置台33の前後方向の移動、投光部38及び受光部39によるノッチNの検出、シャッタ用移動機構45によるシャッタ44の開閉、電流調整部49による照射領域30の照度分布の調整などが行われる。このプログラムは、例えば、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)、メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部10にインストールされる。
ところで発明が解決しようとする課題の項目でも述べたように、ウエハWに各種の要因が関与することでウエハWの面内のCDは設定値からずれる。その要因の1つとしては、ウエハを一端から他端へ向けて直線方向に見たときにCDの大きさについて比較的大きなばらつきが形成され、且つ当該直線に直交する方向に見たときにはCDの大きさについてのばらつきが無いあるいは比較的小さくなるように作用する要因が有る。この要因を要因1とする。この要因1の具体例としては、レジスト塗布後、現像を行うまでに各加熱モジュールでウエハを加熱するにあたり、加熱温度がウエハの直径方向に見たときにばらつくことが挙げられる。
また、他の要因としては、ウエハWの周方向に沿って見たときにCDの大きさについてのばらつきが無いあるいは比較的小さく、ウエハWの直径に沿って見たときには、CDの大きさについてのばらつきが比較的大きくなるように作用する要因が有る。つまり、この要因によれば、同じないしは略同じ大きさのCDを持つ領域が、同心円状に配置される。当該要因を要因2とする。この要因2の具体例としては、スピンコーティングによって形成されるレジスト膜の膜厚がウエハWの径方向に沿ってばらつき、同じないしは略同じ大きさの膜厚を持つ領域が、同心円状に配置されるような膜厚分布となることが挙げられる。さらに詳しくは、このようなウエハWの各部の膜厚の差に起因して、ウエハWの各部においてレジスト中における酸の発生量が異なることが挙げられる。
図7の上段は、一括露光によるウエハW面内各部における露光量が均一な所定の量であるものとして、仮に上記の要因1のみ、要因2のみが夫々作用した場合のウエハWの面内におけるレジストパターンのCD分布を、概略的に示したものである。この要因1のみによって形成されるCD分布を直線CD分布、要因2のみによって形成されるCD分布を同心円CD分布として説明する。なお、この図7の上段及び、後述する図7の下段では、ウエハWの面内においてCDが設定値よりも小さくなるように比較的大きくずれた領域にグレースケールを付して示しており、各領域についてグレースケールの濃さに応じて符号51〜53を付して示している。領域53、52、51の順でグレースケールは薄くなり、設定値からのCDのずれが小さいものとする。また、グレースケールを付していない領域50は、このCDのずれが比較的小さい領域である。
上記のように実際にはウエハWには要因1、要因2の両方が作用するので、ウエハWの面内ではこの要因1によるCDのずれと、要因2によるCDのずれと、が重畳されることになる。そのために、一括露光によるウエハW面内各部の露光量が均一であるものとした場合には、例えば図7の下段に示した比較的複雑なCD分布となる。しかし、そのような複雑なCD分布であっても、上記のように直線CD分布、同心円CD分布が重畳されたCD分布であるため、直線CD分布におけるCDの偏りがキャンセルされるような露光量の分布が形成されるように一括露光を行い、さらにこの一括露光の前または後に、同心円CD分布におけるCDの偏りがキャンセルされるような露光量の分布が形成されるように一括露光を行うことで対処することができる。つまり、一括露光を2回行うことで、ウエハWの面内全体におけるCDの均一化を図ることができる。そして、ウエハWの面内各部において2回の一括露光による露光量の合計が所望の量となるようにして、当該各部のCDを所望の大きさとする。
上記の直線CD分布、同心円分布に対する各一括露光について説明する。既述したように照射領域30は、長さ方向(左右方向)の照度分布を調整できる。そこで直線CD分布に対する一括露光としては、この照度分布を適切に設定した上でウエハWの向きを所定の向きに固定した状態で、ウエハWを照射領域30に対して前後方向に移動させて行う。このように向きを固定しておく一括露光を非回転一括露光とすると、この非回転一括露光においてウエハWの左右方向の露光量の分布は、照射領域30の左右方向の照度分布に対応することになるので、ウエハWの面内において直線CD分布におけるCDの偏りをキャンセルすることができる。
また、同心円CD分布に対する一括露光としては、上記の照度分布を適切に設定した上でウエハWを回転させつつ、ウエハWを照射領域30に対して前後方向に移動させて一括露光を行う。このようにウエハWを回転させて行う一括露光を回転一括露光とすると、この回転一括露光では、ウエハWを回転させることで、ウエハWの周方向における露光量の均一化を図りつつ、ウエハWの径方向の各部における露光量が互いに異なるように露光することができる。従って、ウエハWの面内において上記の同心円CD分布におけるCDの偏りをキャンセルすることができる。
図8、図9のウエハWの平面図では、図7に示したように直線CD分布、同心円CD分布が形成される場合に、各CD分布におけるCDの偏りをキャンセルするためにウエハWの面内に形成する露光量の分布の一例を夫々示している。図8、図9でグレースケールを付した領域55、56は、グレースケールを付していない領域57に比べて露光量が大きく、濃いグレースケールの領域55の方が、薄いグレースケールの領域56よりも露光量が大きいことを示している。また図8、図9では上記のようにグレースケールを付して示したウエハWの下方において、左右の位置が当該ウエハWの左右の位置に対応するように照射領域30を示している。さらに図8、図9では、ウエハWの面内にこのような露光量の分布を形成するための照射領域30の照度分布の一例を表すグラフについても示している。グラフの縦軸は、照度(単位:W/cm)である。さらに詳しく述べると、この照度は、詳しくは照射領域30の長さ方向の任意の位置における当該照射領域30の短手方向の一端から他端に亘る照度(単位:W)/当該照射領域30の短手方向の長さ(単位:cm)である。グラフの横軸の各位置は、グラフ上に示した照射領域30の長さ方向の各位置に対応している。
なお、非回転一括露光及び回転一括露光において、載置台33の前後方向の移動速度は、ウエハWの露光量に影響するため、適切な露光量が得られるように当該移動速度が設定される。具体的に、(照度(W/cm))/(移動速度(cm/秒))=露光量(J/cm)であり、この式中の照度は図8、図9のグラフの縦軸として説明した照度である。図8、図9で示したような非回転一括露光で必要な露光量、回転一括露光で必要な露光量を夫々得るための、載置台33の移動速度及び照射領域30の左右の照度分布については、例えば予め実験を行うことによって取得しておく。
続いて、一括露光モジュール3におけるウエハWの一括露光について図10〜図12を参照して順を追って説明する。この説明では、仮にウエハWの面内の各部の露光量が互いに均一な露光量となるように一括露光を行った場合に、図7の下段で説明したようなCD分布となるウエハWに対して一括露光を行うものとする。
先ず、シャッタ44が閉鎖位置に位置する状態で、図9のグラフで示した照度分布が形成されるように、各セル4から出力される光量が調整される。そして、搬送アームF5によりウエハWが受け渡し位置に位置する載置台33に受け渡されると、シャッタ44が開放位置に移動し、図9のグラフの照度分布を持つ照射領域30が形成される。そして、ウエハWが回転しながら後方へ移動し、当該ウエハWの表面が照射領域30を通過して、ウエハWの面内において図9で示した露光量の分布が形成されるように、回転一括露光が行われる(図10)。
ウエハWの表面全体が露光され、載置台33が向き調整位置に移動すると、シャッタ44が閉鎖位置に移動する。そして、図8のグラフで説明した照度分布が形成されるように、各セル4から出力される光量が調整される。その一方で、回転するウエハWに、投光部38から受光部39へ光が照射される。投光部38の光照射開始からウエハWが1回転し、当該1回転中に受光部39が受光した受光量に基づいて、ウエハWのノッチNの向きが検出される(図11)。
そしてウエハWが回転してノッチNが所定の方向を向くと、当該ウエハWの回転が停止する。そして、シャッタ44が開放位置に移動して図8のグラフの照度分布を持つ照射領域30が形成されると共にウエハWが前方へ移動し、照射領域30を通過して、ウエハWの面内において図8で示した露光量の分布が形成されるように、非回転一括露光が行われる(図12)。その後、シャッタ44が閉鎖位置に移動し、載置台33が受け渡し位置に位置すると、当該ウエハWは、搬送アームF5により一括露光モジュール3から搬出される。
この一括露光モジュール3によれば、ウエハWを回転しながら後方に移動させて、左右方向に配列されたセル4の下方の照射領域30を通過させる回転一括露光を行い、然る後、ウエハWの回転を停止した状態で前方に移動させて、照射領域30を通過させる非回転一括露光を行う。それによって、互いに異なるパターンでCDが設定値からずれるように作用する既述の要因1、要因2の各影響がキャンセルされるように、ウエハWの面内各部における露光量を制御することができる。つまり、ウエハWの面内の各部における露光量が所望の量になるように微細に、精度高く制御することができる。結果として、現像後のウエハWの面内各部におけるレジストパターンのCDの均一性を高くすることができる。
ところで、上記の非回転一括露光、回転一括露光は、1回ずつ行われることには限られない。例えば、上記の要因1の作用を複数回受け、各要因1はCDについて、ウエハWの異なる方向に大きさのばらつきが形成されるように作用する場合が有る。図13では、そのように複数の要因1によって、形成される直線CD分布を図7と同様にグレースケールを用いて例示しており、この例では、ウエハWを2つの互いに異なる方向A1、A2に夫々沿って見たときにCDの大きさが変化するように要因1が作用している。A1、A2はウエハWの中心回りに90°互いに異なる方向である。
この図13に示すように要因1がウエハWに作用する場合における一括露光について説明する。先ず、図13では表示を省略している要因2の影響を除去するために、図10で説明したように回転するウエハWを後方へ移動させて照射領域30を通過させることで、回転一括露光を行う。続いて、方向A2の向きが前後方向に一致するように、図11で説明したようにウエハWの向きを調整する。そして、方向A1の要因1による影響がキャンセルされるような照度分布を持つ照射領域30を形成し、ウエハWの回転が停止した状態で当該ウエハWを前方へ移動させ、図12で説明したように1回目の非回転一括露光を行う。図14の上側は、この1回目の非回転一括露光の様子を示している。
さらにその後、ウエハWを90°回転させる。そして、方向A2の要因1による影響がキャンセルされるような照度分布を持つ照射領域30を形成し、ウエハWの回転が停止した状態で当該ウエハWを後方へ移動させる。つまり1回目の非回転一括露光とは照射領域30に対するウエハWの向きが異なった状態で、当該ウエハWを後方に移動させて2回目の非回転一括露光を行う。図14の下側は、この2回目の非回転一括露光の様子を示している。このように非回転一括露光を複数回行うことで、ウエハWの面内の各部における露光量の制御をより微細に行うことができる。なお、回転一括露光についても、非回転一括露光と同様に複数回行ってよい。
上記の各例では回転一括露光の後に非回転一括露光を行うようにしているが、非回転一括露光の後に回転一括露光を行うようにしてもよい。ところで、回転一括露光は、ウエハWを前後方向に移動させながらウエハWを回転させることで行うことに限られない。例えば、シャッタ44により露光用開口部43が閉じられた状態でウエハWを前後方向に移動させ、当該露光用開口部43の下方に位置させる。当該位置にてウエハWの前後方向の移動が停止した状態で、ウエハWを回転させると共に露光用開口部43を開放し、ウエハWの直径上に照射領域30を形成する。そして、回転するウエハWの表面全体が露光されたら露光用開口部43を閉鎖する。このようにして回転一括露光を行ってもよい。ただし、ウエハWの中心部には周縁部に比べてより多くのセル4から光が照射されるので、ウエハWの中心部に光を照射する各セル4の光量は比較的小さく設定する。なお、図10などで説明した回転一括露光では、そのようにウエハWの中心部の露光量が大きくなることを防ぐために、照射領域30に対してウエハWを前後方向に移動させながらウエハWを回転させることで一括露光を行っている。
また、例えば一括露光モジュール3の前段に、載置台33、回転機構34、投光部38及び受光部39を備えた向き調整モジュールを設け、当該向き調整モジュールにてノッチNの検出と、この検出に基づいたウエハWの向きの調整とが行われるようにすることで、ウエハWが一括露光モジュール3に毎回同じ向きで搬入されるようにする。そして、制御部10により載置台33を回転させる回転機構34のモータを構成する回転軸の向きが検出可能になっており、ウエハWを受け取る際には載置台33は所定の向きとされるようにする。つまり、ウエハWの向きと載置台33の向きとが、毎回同じとなるようにウエハWが載置台33に受け渡されるような構成にする。このような構成とすれば、一括露光モジュール3の組み立て精度の誤差などによって載置台33が微細に傾くとしても、一括露光モジュール3に搬送される各ウエハWは互いに同様に傾く。従って、その傾き分による影響がキャンセルされるように各セル4の光量を設定しておくことで、各ウエハWの面内のCDの均一性を、より高くすることができる。
また、上記のように向き調整モジュールによって、ウエハWが所定の向きで一括露光モジュール3に搬送される場合、ウエハWが載置台33に搬送されてからの上記の回転機構34のモータの回転量を制御部10が検出可能な構成とすることで、非回転一括露光を行うにあたり、一括露光モジュール3内の投光部38及び受光部39によるウエハWの向きの検出を行わなくても、ウエハWを所定の向きに向けることができる。つまり、ウエハWの向きを検出する投光部38及び受光部39は、一括露光モジュール3内に設けられていることに限られない。なお、ウエハWの向きの検出は、投光部38及び受光部39を用いることには限られず、例えば一括露光モジュール3内にウエハWの表面を撮像するカメラを設け、制御部10が当該カメラから出力される画像データを取得してノッチNを検出することで行われるようにしてもよい。
ところで、ウエハWに化学増幅型のレジストではないレジスト膜が形成されたウエハWについても、上記した各実施形態の一括露光モジュールで処理を受けることによって各部の露光量を適切なものとして、ウエハWの面内の各部でレジストパターンの均一化を図ることができる。つまり、各一括露光モジュールは化学増幅型ではないレジストが塗布されたウエハWにも適用することができる。さらに、レジスト膜やレジスト膜以外の有機膜が露光量に応じて硬化する場合、これらの膜に対して既述の一括露光モジュール3による処理を行い、膜の硬化度合を制御することで、エッチング時にこれらの膜がウエハWの面内で均一性高くエッチングされるようにすることができる。また、露光により分解される膜がウエハWの表面に形成されている場合、ウエハWの面内における膜厚分布を調整することができる。つまり、本発明はレジストパターンのCDを調整することのみに用いられるものではない。従って、本発明でいう露光装置とは、レジストを露光する装置であることには限定されず、基板に光を照射して処理を行う光照射処理装置である。
また、既述のようにレジストパターンのCDを調整する場合には、一括露光モジュール3は既述した位置に設けることには限られない。例えば処理ブロックD2とインターフェイスブロックD3との間においてウエハWの受け渡しを行う搬送機構、一括露光モジュール3、受け渡しモジュールを備えたブロック(中間ブロックとする)を設ける。そして、インターフェイスブロックD3からタワーT2の受け渡しモジュールTRS51、TRS61に搬送されたパターン露光済みのウエハWを中間ブロックの搬送機構が、一括露光モジュールに搬送した後、当該中間ブロックの受け渡しモジュールに搬送する。当該受け渡しモジュールに、単位ブロックE5、E6の搬送アームF5、F6がアクセスして一括露光済みのウエハWが単位ブロックE5、E6に搬送されて、以降の処理が行われる構成とすることができる。
ところで、ウエハWの表面全体の露光とは、ウエハWの表面において半導体デバイスが形成される領域全体が露光されていればよく、従って、この半導体デバイスの形成領域の外側が露光されていない場合も当該形成領域全体が露光されていれば、ウエハWの表面全体の露光に含まれる。また、光源ユニット40においてLED47の前後方向の配列数及び左右方向の各配列数は、上記の例には限られない。また、各LED47の下方に、レンズアレイ、フライアイレンズまたはプリズムにより構成されたホモジナイザーを配置し、照射領域30の前後方向における光量の分布が均一化されるように構成されていてもよい。またウエハWを光源ユニット40に対して移動させる代わりに、光源ユニット40をウエハWに対して移動させることで上記の各一括露光が行われるようにしてもよい。なお、本発明は既述した各実施形態に限られず、各実施形態は互いに組み合わせたり、適宜変更したりことができる。
W ウエハ
10 制御部
3 一括露光モジュール
33 載置台
34 回転機構
36 載置部用移動機構
4 セル
40 光源ユニット
47 LED
本発明の露光装置は、基板を載置する載置部と、
前記基板の表面の左右の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成するために、前後に並ぶ複数の発光部によって構成される光照射部が左右に複数並ぶことで構成される発光部群と、
前記光照射部毎に前記発光部群に供給する電流を調整する電流調整部と、
前記基板の表面全体が露光されるように、前記載置部に載置された基板について、前記照射領域に対する相対的な回転、相対的な前後移動を各々行うための移動機構と、
を含む。
本発明の露光方法は、載置部に基板を載置する工程と、
前後に並ぶ複数の発光部によって構成される光照射部が左右に複数並ぶことで構成される発光部群により、前記基板の表面の左右の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
電流調整部により、前記光照射部毎に前記発光部群に供給する電流を調整する工程と、
前記基板の表面全体が露光されるように、移動機構によって前記載置部に載置された基板について、前記照射領域に対する相対的な回転、相対的な前後移動を各々行う工程と、
を含む。

Claims (6)

  1. 基板を載置する載置部と、
    前記基板の表面の左右の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成するために、前後に並ぶ複数の発光部によって構成される光照射部が左右に複数並ぶことで構成される発光部群と、
    前記光照射部毎に前記発光部群に供給する電流を調整する電流調整部と、
    前記基板の表面全体が露光されるように、前記載置部に載置された基板について、前記照射領域に対する相対的な回転、相対的な前後移動を各々行うための移動機構と、
    を含む露光装置。
  2. 前記基板の表面全体が露光されるように前記基板を、第1の照度分布が形成された前記照射領域に対して相対的に回転させる第1のステップと、前記基板の表面全体が露光されるように前記基板の回転が停止した状態で当該基板を第2の照度分布が形成された前記照射領域に対して前後方向に相対的に移動させる第2のステップとが実行されるように制御信号を出力する制御部が設けられる請求項1記載の露光装置。
  3. 前記第1のステップは前記照射領域に第1の照度分布を形成して行われ、
    前記第2のステップは前記照射領域に前記第1の照度分布とは異なる第2の照度分布を形成して行われる請求項2記載の露光装置。
  4. 前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させて前記基板の表面全体を露光する第1の前後移動ステップと、
    次いで、前記基板を回転させて向きを変更するステップと、
    続いて、前記照射領域に対して前記載置部を前後に相対的に移動させて前記基板の表面全体を露光する第2の前後移動ステップと、
    が実行されるように制御信号を出力する制御部が設けられる請求項1ないし3のいずれか一つに記載の露光装置。
  5. 前記照射領域に対して前記基板を前後方向に相対的に移動させながら、前記基板を当該照射領域に対して相対的に回転させて前記基板の表面全体を露光するステップが実行されるように制御信号を出力する制御部が設けられる請求項1ないし4のいずれか一つに記載の露光装置。
  6. 載置部に基板を載置する工程と、
    前後に並ぶ複数の発光部によって構成される光照射部が左右に複数並ぶことで構成される発光部群により、前記基板の表面の左右の一端から他端に亘る帯状の照射領域を形成する工程と、
    電流調整部により、前記光照射部毎に前記発光部群に供給する電流を調整する工程と、
    前記基板の表面全体が露光されるように、移動機構によって前記載置部に載置された基板について、前記照射領域に対する相対的な回転、相対的な前後移動を各々行う工程と、
    を含む露光方法。
JP2021080569A 2016-11-18 2021-05-11 露光装置及び露光方法 Active JP7127714B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021080569A JP7127714B2 (ja) 2016-11-18 2021-05-11 露光装置及び露光方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016225324A JP6885031B2 (ja) 2016-11-18 2016-11-18 露光装置、露光方法及び記憶媒体
JP2021080569A JP7127714B2 (ja) 2016-11-18 2021-05-11 露光装置及び露光方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016225324A Division JP6885031B2 (ja) 2016-11-18 2016-11-18 露光装置、露光方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021120759A true JP2021120759A (ja) 2021-08-19
JP7127714B2 JP7127714B2 (ja) 2022-08-30

Family

ID=60387902

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016225324A Active JP6885031B2 (ja) 2016-11-18 2016-11-18 露光装置、露光方法及び記憶媒体
JP2021080569A Active JP7127714B2 (ja) 2016-11-18 2021-05-11 露光装置及び露光方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016225324A Active JP6885031B2 (ja) 2016-11-18 2016-11-18 露光装置、露光方法及び記憶媒体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10274843B2 (ja)
EP (1) EP3324239B1 (ja)
JP (2) JP6885031B2 (ja)
KR (2) KR102446581B1 (ja)
CN (2) CN113900359A (ja)
TW (1) TWI738908B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016211511A1 (de) * 2016-06-27 2017-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinheit für die Mikrolithographie
CN111338185B (zh) * 2018-12-19 2022-05-20 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 增进晶片曝光品质的方法
JP2021048322A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218619A (ja) * 1989-02-16 1991-09-26 Tokyo Electron Ltd 露光装置および露光方法
JP2003156853A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Pentax Corp 露光装置および露光方法
JP2005303312A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び同方法によって製造されるデバイス
JP2012013814A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 局所露光装置及び局所露光方法
JP2013104934A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Tokyo Electron Ltd 露光装置及び露光方法
JP2015156472A (ja) * 2014-01-20 2015-08-27 東京エレクトロン株式会社 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体
US20160048080A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 Tokyo Electron Limited Critical Dimension Control in Photo-Sensitized Chemically-Amplified Resist

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028955A (en) * 1989-02-16 1991-07-02 Tokyo Electron Limited Exposure apparatus
JPH05347238A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Nikon Corp 露光装置
JP2000173112A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Nikon Corp 螺旋パターンの露光方法
JP2000228351A (ja) * 1999-02-09 2000-08-15 Nikon Corp 荷電粒子線転写露光方法及びそれに用いるマスク
JP3254583B2 (ja) * 2000-07-13 2002-02-12 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US6985425B2 (en) * 2001-06-22 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron beam recorder and method thereof
US20090017487A1 (en) * 2007-05-31 2009-01-15 Dow Agrosciences Llc Biogas production from bmr plants
US20090174873A1 (en) * 2007-12-17 2009-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP2009194346A (ja) 2008-02-18 2009-08-27 Kenichi Kojima 単軸駆動アライナー
JP5014208B2 (ja) * 2008-03-13 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US20100067886A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Ir laser optics system for dielectric treatment module
CN103034062B (zh) * 2011-09-29 2014-11-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218619A (ja) * 1989-02-16 1991-09-26 Tokyo Electron Ltd 露光装置および露光方法
JP2003156853A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Pentax Corp 露光装置および露光方法
JP2005303312A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び同方法によって製造されるデバイス
JP2012013814A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 局所露光装置及び局所露光方法
JP2013104934A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Tokyo Electron Ltd 露光装置及び露光方法
JP2015156472A (ja) * 2014-01-20 2015-08-27 東京エレクトロン株式会社 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体
US20160048080A1 (en) * 2014-08-13 2016-02-18 Tokyo Electron Limited Critical Dimension Control in Photo-Sensitized Chemically-Amplified Resist

Also Published As

Publication number Publication date
CN113900359A (zh) 2022-01-07
TW201833672A (zh) 2018-09-16
EP3324239A1 (en) 2018-05-23
JP2018081279A (ja) 2018-05-24
US10274843B2 (en) 2019-04-30
KR20180056401A (ko) 2018-05-28
KR20220130643A (ko) 2022-09-27
EP3324239B1 (en) 2022-04-20
CN108073050B (zh) 2021-11-02
JP7127714B2 (ja) 2022-08-30
KR102576504B1 (ko) 2023-09-07
KR102446581B1 (ko) 2022-09-22
US20180143540A1 (en) 2018-05-24
JP6885031B2 (ja) 2021-06-09
CN108073050A (zh) 2018-05-25
TWI738908B (zh) 2021-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7127714B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP5017147B2 (ja) 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP2006313862A (ja) 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法
CN108227398B (zh) 光处理装置和基板处理装置
TWI751218B (zh) 曝光裝置、曝光裝置之調整方法及記憶媒體
JP5223897B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US10747121B2 (en) Optical processing apparatus and substrate processing apparatus
KR102469678B1 (ko) 성막 시스템, 성막 방법 및 컴퓨터 기억 매체
TWI607490B (zh) Photoresist pattern forming method, coating, developing device, memory medium
JP4920317B2 (ja) 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板の処理システム
JP7308087B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2011099221A1 (ja) 基板処理方法
US8420303B2 (en) Substrate processing method, computer-readable storage medium and substrate processing system
JP2017130629A (ja) 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法
JP6023017B2 (ja) 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体
KR20230083005A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020136397A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210511

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220719

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7127714

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150