TWI601042B - 觸控面板、其製造方法、光學薄膜基板及其製造方法 - Google Patents

Description

觸控面板、其製造方法、光學薄膜基板及其製造方法

本發明係關於一種適合用於觸控面板、其製造方法、光學薄膜基板、及其製造方法之技術。

本申請係基於2013年7月11日在日本提出申請之日本專利特願2013-145755號而主張優先權，將其內容援引至本文中。

近年來，作為以行動電話或攜帶型遊戲機為首之各種電子設備之顯示裝置，廣泛使用兼具輸入裝置之功能的附帶觸控面板之液晶顯示裝置。

該觸控面板具有觸控面板基板，該觸控面板基板係於透明基板上積層有透光性之導電層等並且於最表面側積層形成膜，並根據靜電電容之變化等而檢測手指等之操作位置者。

觸控面板根據其結構及檢測方式之差異而有電阻膜型或靜電電容型等之各種類型。

例如已知有如下觸控面板基板，其具備：為膜狀且具有透光性之上基板及下基板。於上基板之上表面，使氧化銦錫等之具有透光性之大致帶狀之上導電層沿著前後方向排列複數層而形成。又，沿著與上導電層正交之方向之左右方向，形成有於氧化銦錫等上藉由蒸鍍等 而重疊有銅或銀等之導電金屬箔之複數個上電極。於下基板之上表面，使氧化銦錫等之具有透光性之大致帶狀之複數層下導電層沿著與上導電層正交之方向之左右方向排列而形成。又，沿著與下導電層平行之方向之左右方向，形成有一端連結於下導電層端部之與上電極相同之複數個下電極。

進而，於觸控面板基板上，將為膜狀且具有透光性之覆蓋基板重疊於上基板上表面並利用接著劑使之貼合。

圖5係先前之觸控面板之剖面圖。圖5中，符號P為觸控面板基板，符號C為覆蓋基板。對於覆蓋基板C，於觸控面板基板P側，在位於進行操作之觸控區域(顯示區域)T之外周或外側的邊緣部E設置有非透光性之遮光膜th。

已知該遮光膜th如專利文獻1係藉由印刷等而於覆蓋基板C上形成為5μm~20μm程度之厚度。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-226688號公報

但是，若於覆蓋基板C之觸控面板基板P側，藉由印刷而將邊緣部E之非透過性之遮光膜th形成為上述厚度尺寸之程度，則如圖5中以Air所示般會於覆蓋基板C與觸控面板基板P之間產生間隙。藉此，於覆蓋基板C背面位置或觸控面板基板P正面位置會發生反射，因而視認性下降，而存在因該視認性下降而抑制顯示機構之輸出降低的問題。

進而，於如專利文獻1般將金屬等之導體設置於邊緣部E之情形時，由於覆蓋基板C或板部P與邊緣部E之介電常數不同，故而存在電 波特性等特性劣化之可能性，故而欠佳。

本發明係鑒於上述情況而完成，欲達成以下目的。

1.防止視認性下降。

2.謀求邊緣部之薄厚化。

3.邊緣部於維持遮光性能之情況下具有與由玻璃等所形成之基板相同程度之介電常數。

本發明之第一態樣之觸控面板包括：覆蓋基板；連接部，其設置於上述覆蓋基板上之除顯示區域以外之區域，且包含彩色層、及由以使金屬層與厚於上述金屬層之介電層交替地積層之方式構成之多層構造所形成之遮蔽層；及觸控面板基板，其以介隔上述連接部之方式與上述覆蓋基板對向配置。

又，於上述第一態樣中，上述彩色層亦可由以使高折射率層及低折射率層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。

又，於上述第一態樣中，上述低折射率層及上述高折射率層中之至少一者亦可含有金屬元素。

本發明之第二態樣之觸控面板之製造方法包括：準備覆蓋基板；於真空中，於上述覆蓋基板上之除顯示區域以外之區域形成彩色層；於真空中，於上述彩色層上形成遮蔽層，並將觸控面板基板貼合於上述遮蔽層上，該遮蔽層具有藉由以介電層厚於金屬層之方式將上述介電層及上述金屬層交替地積層而獲得之多層構造體。

本發明之第三態樣之光學薄膜基板包括：基板；彩色層，其設置於上述基板上；及遮蔽層，其設置於上述彩色層上，且由以使金屬層與厚於上述金屬層之介電層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。

於本發明之第三態樣中，上述彩色層亦可由以使高折射率層及 低折射率層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。

於本發明之第三態樣中，上述低折射率層及上述高折射率層中之至少一者亦可含有金屬元素。

於本發明之第三態樣中，上述基板亦可為玻璃基板或樹脂基板。

本發明之第四態樣之光學薄膜基板之製造方法包括：準備基板；於真空中，於上述基板上形成彩色層；於真空中，於上述彩色層上形成遮蔽層，該遮蔽層具有藉由以介電層厚於金屬層之方式將上述介電層及上述金屬層交替地積層而獲得之多層構造體。

本發明之第一態樣之觸控面板具有：觸控面板基板；及連接部，其與覆蓋基板重疊而配置，且在該等基板間設置於除顯示區域以外之區域。

於本發明之第一態樣之觸控面板中，上述連接部包含自上述覆蓋基板側朝向上述觸控面板基板側而積層之彩色層與遮蔽層。藉由上述遮蔽層係由交替地積層之介電層及金屬層之多層構造體所形成，可減小顯示區域之周圍所設置之連接部之厚度，而可於顯示區域之外部設置具有所需顏色之框架(邊框)。藉此，可於覆蓋基板與觸控面板基板之間，防止於顯示區域邊界附近形成階差，而防止視認性之降低。

進而，於將此種邊緣部進行薄厚化之情形時，即便將由金屬層所形成之導體設置於邊緣部所設置之連接部之情形時，根據本發明之第一態樣之觸控面板，藉由連接部係由交替地積層之介電層及金屬層之多層構造體所形成，亦可於邊緣部具有遮光性之狀態下維持與基板、玻璃等大致相等之介電常數。因此，不會在對於通信終端等而言重要之電波特性等方面產生不良影響。

於本發明之第一態樣中，藉由使上述遮蔽層具有金屬層及介電層，可同時實現遮蔽層之所需之遮光性與介電常數。

於本發明之第一態樣中，藉由使上述遮蔽層中之介電層厚於金屬層，可實現遮蔽層之所需之遮光性與介電常數。

又，藉由上述彩色層係由交替地積層之高折射率層及低折射率層之多層構造體所形成，或者，使上述彩色層之低折射率層及高折射率層中之至少一者含有金屬元素，可同時實現彩色層之所需之遮光性與介電常數。

本發明之第二態樣之觸控面板之製造方法係具有觸控面板基板及連接部之觸控面板之製造方法，該連接部係與覆蓋基板重疊而配置，在該等基板間設置於除顯示區域以外之區域且包含彩色層與遮蔽層。

本發明之第二態樣之觸控面板之製造方法具有於真空中形成作為將介電層及金屬層交替地積層而成之多層構造體的上述遮蔽層之步驟，於形成上述遮蔽層之步驟中，藉由將上述介電層積層為厚於上述金屬層，而減小顯示區域之周圍所設置之連接部之厚度，從而可製造於顯示區域之外部設置有具有所需顏色之框架(邊框)的觸控面板。藉此，可於覆蓋基板與觸控面板基板之間，防止於顯示區域邊界附近形成階差，而可製造謀求防止視認性下降之觸控面板。進而，即便於將由金屬層所形成之導體設置於邊緣部所設置之連接部之情形時，根據本發明之第二態樣之觸控面板之製造方法，藉由連接部係由將金屬層與厚於金屬層之介電層交替地積層而成之多層構造體所形成，亦可於邊緣部具有遮光性之狀態下維持與基板、玻璃等大致相等之介電常數。又，由於可實現遮蔽層之所需之遮光性與介電常數，故而可製造不會對電波特性等產生不良影響之觸控面板。

於將本發明之第三態樣之光學薄膜基板亦用於觸控面板之情形時，可減小顯示區域之周圍所設置之連接部之厚度，而將具有所需之顏色之框架(邊框)設置於顯示區域之外部。藉此，可於覆蓋基板與觸 控面板基板之間，防止於顯示區域邊界附近形成階差，而防止視認性之降低。

於本發明之第三態樣中，藉由使上述遮蔽層具有金屬層及介電層，可同時實現遮蔽層之所需之遮光性與介電常數。

於本發明之第三態樣中，藉由使上述遮蔽層中之介電層厚於金屬層，可實現遮蔽層之所需之遮光性與介電常數。

又，於本發明之第三態樣中，藉由上述彩色層係由交替地積層之高折射率層及低折射率層之多層構造體所形成，或者，使上述彩色層之低折射率層及高折射率層中之至少一者含有金屬元素，可同時實現彩色層之所需之遮光性與介電常數。

本發明之第四態樣之光學薄膜基板之製造方法具有於真空中形成上述遮蔽層之步驟，該遮蔽層係由將介電層及金屬層交替地積層而成之多層構造體所形成，於形成上述遮蔽層之步驟中，將上述介電層積層為厚於上述金屬層。藉此，於將所製造之光學薄膜基板用於觸控面板之情形時，而減小顯示區域之周圍所設置之連接部之厚度，從而可製造於顯示區域之外部設置有具有所需顏色之框架(邊框)的觸控面板。藉此，於覆蓋基板與觸控面板基板之間，防止於顯示區域邊界附近形成階差，而可製造謀求防止視認性降低之觸控面板。進而，即便於將由金屬層所形成之導體設置於邊緣部所設置之連接部之情形時，根據本發明之第四態樣之光學薄膜基板之製造方法，藉由連接部係由將金屬層與厚於金屬層之介電層交替地積層而成之多層構造體所形成，亦可於邊緣部具有遮光性之狀態下維持與基板、玻璃等大致相等之介電常數。又，由於可實現遮蔽層之所需之遮光性與介電常數，故而可製造不會對電波特性等產生不良影響之觸控面板。

根據本發明之上述各態樣，可發揮出如下效果：可提供可實現 視認性下降之防止、邊緣部(連接部)之薄厚化、及於維持遮光性能之情況下具有與由玻璃等所形成之基板相同程度之介電常數之邊緣部(連接部)的觸控面板、及光學薄膜基板。

1‧‧‧腔室

2‧‧‧轉筒

3‧‧‧CA1煙管道

4‧‧‧CA2煙管道

5‧‧‧氧化源供給部

6‧‧‧AC陰極(靶材)

7‧‧‧AC電源

8‧‧‧氣體導入口

9‧‧‧氣體導入口

10‧‧‧基板座

C‧‧‧覆蓋基板

D‧‧‧彩色層(連接部)

D1‧‧‧高折射率層

D2‧‧‧低折射率層

E‧‧‧邊緣部

M‧‧‧觸控面板

P‧‧‧觸控面板基板

S‧‧‧遮蔽層(連接部)

S1‧‧‧金屬層

S2‧‧‧介電層

T‧‧‧顯示區域

th‧‧‧遮光膜

圖1A係表示本發明之一實施形態之觸控面板的剖面圖。

圖1B係本發明之一實施形態之觸控面板之邊緣部之放大剖面圖。

圖2係表示本發明之一實施形態之觸控面板的立體圖。

圖3係表示本發明之一實施形態之觸控面板之製造方法的步驟圖。

圖4係表示用於製造本發明之一實施形態之觸控面板之製造裝置的模式圖。

圖5係表示先前之觸控面板之剖面圖。

以下，基於圖式，對本發明之一實施形態之觸控面板進行說明。

圖1A係表示本實施形態之觸控面板的剖面圖。圖1B係本實施形態之觸控面板之邊緣部之放大圖。圖2係表示本實施形態之觸控面板的立體圖。於圖1A及圖2中，符號M為觸控面板。

於本實施形態之觸控面板M中，如圖1A、圖2所示，具有顯示區域T而可進行顯示及觸控動作之觸控面板基板P與由玻璃等之透過性基板所形成之覆蓋基板C係重疊而配置。又，於觸控面板基板P與覆蓋基板C之間，於除顯示區域T以外之區域中之顯示區域T周圍之邊緣部E設置有連接部。

觸控面板基板P可用於行動電話等移動終端設備。觸控面板基板P亦可具有將觸控面板感測器部與液晶顯示裝置組合而成之構造。 又，觸控面板基板P亦可具有如下構造：於具備透明透明觸控開關與液晶顯示元件之顯示裝置中之上述液晶顯示元件之顯示面與上述觸控開關之輸入區域背面之間填充透明接著劑，使上述觸控開關與液晶顯示元件接著而成之構造。進而，觸控面板基板P亦可具有如下構造：經由接著劑層使顯示面板與觸控面板之界面密接而一體化的附帶觸控面板之圖像顯示裝置之構造。進而，觸控面板基板P亦可採用該等以外之構造或投影型之靜電電容方式、電阻膜型或靜電電容型等各種類型中之任一者。

覆蓋基板C例如為玻璃或樹脂積層玻璃等之透明基板，以覆蓋觸控面板M之最表面側之方式重疊於觸控面板基板P上。

顯示區域T具有在與視認方向正交之基板面內方向上具有特定之大小與形狀之區域，例如可具有配置於觸控面板基板P之面內中央位置的矩形區域。

顯示區域T之基板面內之外側為邊緣部(邊框部)E。於該邊緣部E，於視認觸控面板M時可辨識特定顏色，並且自覆蓋基板C側朝向觸控面板基板P側積層彩色層D與遮蔽層S作為與覆蓋基板C及觸控面板基板P兩者連接(接觸)之連接部。

作為連接部，於覆蓋基板C之觸控面板基板P側之面積層彩色層D，並於該彩色層D上積層遮蔽層S。再者，連接部之設置位置不限於邊緣部E，連接部可形成於所需區域。

彩色層D係具有非透光性(遮光性)之膜，且係為了呈現出所需顏色而由具有不同折射率之多層膜所形成之光學薄膜。具體而言，彩色層D係將由高折射率材料形成之高折射率層D1與由低折射率材料形成之低折射率層D2交替地大量積層而成之多層構造體。

高折射率層D1可由氧化鈦等高折射率材料所形成，低折射率層D2可由氧化矽等低折射率材料所形成。該等高折射材料與低折射材 料只要折射率互相不同即可，膜厚及積層數例如可藉由將相對於欲利用彩色層D而表現之波長λ為λ/4之薄膜積層n層而實現所需顏色。再者，高折射材料與低折射材料之折射率差越大，積層數可設定為越少。

形成該等高折射率層D1與低折射率層D2之介電體膜材料可自以下所例示之材料中選擇。進而，亦可選擇該等中之2種或3種並加以組合。此處，折射率之高低係藉由對所選擇之材料彼此加以比較而設定，有時亦可根據材料之組合，而決定換為低折射率材料與高折射材料之何者。

‧低折射材料：SiO_x、SiN、SiO_xN_y、Al₂O₃、AlN、MgO、MgF₂、HfO₂

‧高折射材料：Ta₂O₅、Nb_xO_y、TiO₂、Ti₃O₅、ZnO、ZrO₂

例如，上述材料中可選擇作為低折射率材料之氧化矽(n=1.46)、作為高折射率材料之氧化鈦(n=2.4)之組合。

進而，作為彩色層C之例，將與紅色、黃色、藍色、綠色之四種顏色對應之膜厚及積層數之設定例示於表1。

如此，可以低折射率層D2成為100nm左右之厚度尺寸，高折射率層D1成為低折射率層D2之2/3~1/2左右之厚度尺寸之方式設定為低折射率層D2厚於高折射率層D1。

遮蔽層S係具有非透光性(遮光性)之膜，並且係介電常數與玻璃等之基板相同程度而不遮斷電波之膜。該遮蔽層S係為了具有所需介電常數而將具有不同介電常數之多層膜交替地大量積層而成之多層構造體。具體而言，將由低介電常數材料形成之金屬層S1與由高介電常數材料形成之介電層S2大量積層。

金屬層S1可由鈦、鋁等金屬等材料所形成，介電層S2可由氧化矽等高介電常數材料所形成。該等介電體材料與金屬材料係交替地積層，為了使遮蔽層S成為不透過可見光且具有與玻璃等之基板相同之介電常數的所需狀態，而設定各構成材料、膜厚、及積層數。

作為介電體材料可自上述彩色層D中作為介電體膜材料所例示之材料中加以選擇。進而，可選擇該等中之2種或3種並加以組合。

又，作為金屬材料，考慮到遮蔽性與介電常數之特性，可自以下材料中選擇。亦可選擇該等中之2種或3種並加以組合。

‧金屬材料：Si、Ti、Ta、Nb、Al、Ag、Mg、Sb、Zr、Zn、Sn、Ca、Au、Cr、Ge、In、Ni、Pt

尤其是，遮蔽層可遮蔽可見光，同時以不遮斷電波之方式將構成遮蔽層之金屬層S1以單層且為nm級之厚度形成，且設定為金屬層S1之膜厚小於介電層S2之膜厚。又，設定為所積層之金屬層S1之合計膜厚大於不透過可見光所需之最低限度之膜厚值。

作為遮蔽性能，可以於可見光之範圍內透過率成為1%以下之方式進行設定。具體而言，金屬層S1之合計膜厚須為50nm左右。

又，所積層之介電層S2之合計膜厚係設定為大於維持不遮蔽電波之狀態所需之最低限度之膜厚值。具體而言，介電層S2之合計膜厚須為200nm左右。

再者，可根據上述之彩色層D而變更金屬層S1及介電層S2之積層數。

作為遮蔽層S之例，揭示可實現與玻璃相同之介電常數3.5~10(εs)的膜厚、積層數之例。

如此，可以金屬層S1為0.5nm~5nm之厚度尺寸，介電層S2具有金屬層S1之2~10倍左右即1nm~10nm之厚度尺寸之方式，將介電層S2設定為厚於金屬層S1。

進而，作為彩色層D，藉由如遮蔽層S般將鈦與氧化矽大量積層而實現黑色，或藉由將鋁與氧化矽大量積層而實現銀色。

如此，藉由形成將作為本實施形態之光學薄膜之彩色層D與遮光層S積層而成之連接部，關於連接部之合計膜厚，於為黑色之情形時可設定為500nm以下，於紅色之情形時可設定為1.5~2μm。進而，可不使用印刷步驟(print步驟)之類的濕式步驟而藉由濺鍍來形成此種連接部。

其次，對本實施形態之觸控面板之製造方法進行說明。

圖3係表示本實施形態之觸控面板之製造方法的流程圖。

於本實施形態之觸控面板之製造方法中，準備由玻璃形成之覆蓋基板C，對在顯示區域T設置有掩膜之覆蓋基板C，如圖3所示進行彩色層成膜步驟S10而成膜彩色層D，其後進行遮蔽層成膜步驟S20而成膜遮蔽層S，其後去除掩膜，將積層有彩色層D與遮蔽層S之覆蓋基板C(光學薄膜基板)與觸控面板基板貼合。

於彩色層成膜步驟S10中，利用作為彩色層D而適當選擇之材料，以彩色層D成為特定膜厚之方式積層高折射率層D1與低折射率層 D2。此時，將高折射率層成膜步驟S11與低高折射率層成膜步驟S12重複進行多次，而濺鍍成膜彩色層D。

此時，可利用可將2種材料或3種材料交替地積層成膜之蒸鍍裝置或平行平板磁控濺鍍裝置等而進行成膜。將作為本實施形態之裝置例之旋轉型之濺鍍裝置示於圖4。

圖4係表示用於製造本實施形態之觸控面板之一實施形態的製造裝置的模式圖。

本實施形態之製造裝置係旋轉型之濺鍍裝置。本實施形態之製造裝置如圖4所示，於腔室1內具有安裝基板座10並旋轉之轉筒2，且具有面向該轉筒2之外周位置而可濺鍍不同材料之CA1煙管道3與CA2煙管道4、及連接有於進行反應性濺鍍時可供給氧氣等氧化源之氣體導入口9的氧化源供給部5。

如圖4所示，沿著可與旋轉之轉筒2之基板座10對應之位置之周邊進行設置並且與AC電源7連接之AC陰極6與對煙管道供給氬氣等氣體之氣體導入口8分別設置於CA1煙管道3與CA2煙管道4。

再者，於基板座10上安裝在與顯示區域對應之表面部分形成有掩膜之覆蓋基板C、或進而形成有彩色層D之覆蓋基板C。

於彩色層成膜步驟S10中，於CA1煙管道3與CA2煙管道4之陰極6分別設置作為高折射率材料之例的氧化鈦源即鈦、與作為低折射率材料之例的氧化矽源即矽。其後，將形成有掩膜之覆蓋基板C固定於轉筒2之基板座10。進而，自氣體導入口8供給氬等氣體，同時經由氣體導入口9向氧化源供給部5供給氧氣等氧化源，並使轉筒2旋轉。於該氧化環境狀態下，藉由自AC電源7對陰極6供給電力，而可藉由反應性濺鍍利用CA1煙管道3而成膜氧化矽，利用CA2煙管道4而成膜氧化鈦。

於彩色層成膜步驟S10中，如圖3所示，利用作為彩色層D而適當 選擇之材料，以成為特定膜厚之方式將高折射率層D1與低折射率層D2積層。

此時，將高折射率層成膜步驟S11與低折射率層成膜步驟S12重複進行多次，將由高折射率材料形成之高折射率層D1與由低折射率材料形成之低折射率層D2交替地大量積層。

此時，藉由以將對CA1煙管道3與CA2煙管道4之陰極6所供給之電力交替地切換之方式進行控制，可將高折射率層成膜步驟S11與低折射率層成膜步驟S12重複進行所需次數。

於遮蔽層成膜步驟S20中，如圖3所示，利用作為遮蔽層S而適當選擇之材料，以成為特定膜厚之方式將金屬層S1與介電層S2積層。此時，將金屬層成膜步驟S21與介電層成膜步驟S22重複進行多次，以遮蔽層S成為多層構造體之方式進行濺鍍成膜。

於遮蔽層成膜步驟S20中，於CA1煙管道3與CA2煙管道4之陰極6分別設置作為金屬材料之例的鈦、與作為介電常數材料之例的氧化矽源即矽。並且，於轉筒2之基板座10上固定形成有彩色層D之覆蓋基板C，於自氣體導入口8供給氬氣等氣體之特定環境狀態下，自AC電源7對陰極6供給電力，並使轉筒2旋轉。藉由該金屬濺鍍，可將金屬材料即作為金屬之鈦成膜。

進而，經由氣體導入口9對氧化源供給部5供給氧氣等氧化源，形成氧化環境，自AC電源7對陰極6供給電力，並使轉筒2旋轉。藉由該反應性濺鍍，可將氧化矽成膜。

此時，藉由以將對CA1煙管道3與CA2煙管道4之陰極6所供給之電力、與有無對氧化源供給部5供給氧化源(氧氣)交替地切換之方式進行控制，而將金屬層成膜步驟S21與介電層成膜步驟S22重複進行多次。藉此，將由介電常數材料形成之介電層S2與金屬材料形成之金屬層S1交替地大量積層。

如上所述，於彩色層形成步驟S10與遮蔽層形成步驟S20中，藉由將靶材於矽與鈦之間切換，可於一腔室內積層多層膜。

又，可藉由切換對氧化源供給部5之氧氣等氧化源之供給，而在反應性濺鍍與金屬濺鍍之間切換，從而連續進行彩色層形成步驟S10與遮蔽層形成步驟S20。又，亦可於將彩色層D之顯色設定為黑色之情形時等需要金屬濺鍍之情形時進行切換。

根據本實施形態之觸控面板，如上述般其具有連接部，該連接部包含自覆蓋基板C側朝向觸控面板基板T側所積層之彩色層D、及由交替地積層之介電層及金屬層之多層構造體所形成之遮蔽層S。因此，本實施形態之觸控面板於邊緣部E可一面實現所需顯色，一面具有可見光之遮光性，且保持與玻璃相同程度之介電常數，而亦可使電波透過。並且，由於可使該等連接部之厚度小於2μm，故而覆蓋基板C與觸控面板基板T之間不再產生間隙，而可實現防止漫反射而提高視認性之觸控面板M。

<實施例>

以下，對本發明之一實施形態之實施例進行說明。

如圖4所示，於以矽與鈦作為靶材6之旋轉型濺鍍裝置中，使轉筒2以200rpm進行旋轉，於該轉筒2旋轉3次之期間對矽側供給電力，停止放電，對鈦側供給電力。此時，供給氧氣作為氧化源而成膜彩色層D，切換為不供給氧氣而成膜遮蔽層S。

具體而言，設為表1、表2所示之膜構成。

又，於遮蔽層中，作為金屬之鈦之膜厚薄於氧化矽。又，如表1所示，改變膜構成而呈現4種顏色。藉此，為任一顏色時，均可形成具有與玻璃相同之介電常數之層並且使可見光之透過率為1%以下而遮蔽。

進而，可薄於藉由印刷步驟所形成之連接部之厚度(約5μm左右) 而形成。

[產業上之可利用性]

作為本發明之一實施形態之運用例，可應用於安裝至行動電話、智慧型手機、平板、附帶觸控功能之筆記型電腦、附帶觸控功能之自動販賣機等中之觸控面板、及光學薄膜基板。

C‧‧‧覆蓋基板

D‧‧‧彩色層(連接部)

D1‧‧‧高折射率層

D2‧‧‧低折射率層

E‧‧‧邊緣部

M‧‧‧觸控面板

P‧‧‧觸控面板基板

S‧‧‧遮蔽層(連接部)

S1‧‧‧金屬層

S2‧‧‧介電層

T‧‧‧顯示區域

Claims (7)

1. 一種觸控面板，其包括：覆蓋基板；連接部，其設置於上述覆蓋基板上之除顯示區域以外之區域，且包含彩色層、及由以使金屬層與厚於上述金屬層之介電層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成之遮蔽層；及觸控面板基板，其以介隔上述連接部之方式與上述覆蓋基板對向配置，且上述彩色層係由以使高折射率層及低折射率層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。
2. 如請求項1之觸控面板，其中上述低折射率層及上述高折射率層中之至少一者含有金屬元素。
3. 一種觸控面板之製造方法，其包括：準備覆蓋基板，於真空中，於上述覆蓋基板上之除顯示區域以外之區域形成彩色層，於真空中，於上述彩色層上形成遮蔽層，該遮蔽層具有藉由以介電層厚於金屬層之方式將上述介電層與上述金屬層交替地積層而獲得之多層構造體，將觸控面板基板貼合於上述遮蔽層上，且上述彩色層係由以使高折射率層及低折射率層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。
4. 一種光學薄膜基板，其包括：基板；彩色層，其設置於上述基板上；及 遮蔽層，其設置於上述彩色層上，且由以使金屬層與厚於上述金屬層之介電層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成；且上述彩色層係由以使高折射率層及低折射率層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。
5. 如請求項4之光學薄膜基板，其中上述低折射率層及上述高折射率層中之至少一者含有金屬元素。
6. 如請求項4之光學薄膜基板，其中上述基板為玻璃基板或樹脂基板。
7. 一種光學薄膜基板之製造方法，其包括：準備基板，於真空中，於上述基板上形成彩色層，於真空中，於上述彩色層上形成遮蔽層，該遮蔽層具有藉由以介電層厚於金屬層之方式將上述介電層及上述金屬層交替地積層而獲得之多層構造體，且上述彩色層係由以使高折射率層及低折射率層交替地積層之方式構成之多層構造體所形成。