TWI598033B - 電磁波遮蔽片、電磁波遮蔽性配線電路基板及電子機器 - Google Patents

電磁波遮蔽片、電磁波遮蔽性配線電路基板及電子機器 Download PDF

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Description

電磁波遮蔽片、電磁波遮蔽性配線電路基板及 電子機器
本發明是有關於一種適於與釋放電磁波的組件的一部分接合而利用的電磁波遮蔽片(electromagnetic wave shield sheet)。另外，本發明是有關於一種使用所述電磁波遮蔽片而成的電磁波遮蔽性配線電路基板及電子機器。
以可攜式終端、個人電腦(personal computer，PC)、伺服器(server)等為代表的各種電子機器中內置有印刷配線板(printed wiring board)等基板。為了防止由來自外部的磁場或電波引起的誤動作，且為了減少來自電氣信號的無用輻射，而在該些基板上設置有電磁波遮蔽構造(專利文獻1、專利文獻2)。
在專利文獻1中，以提供良好地遮蔽自遮蔽膜(shield film)的一面側向另一面側行進的電場波、磁場波及電磁波而具有良好的傳送特性的遮蔽膜、遮蔽印刷配線板及遮蔽膜的製造方法作為課題，揭示以下的構成。即，揭示一種遮蔽膜，其特徵在於：以積層狀態包括層厚為0.5μm~12μm的導電層、及異向導電性 接著劑層。並且，揭示一種遮蔽印刷配線板，其是在具有形成有印刷電路的基底構件、及覆蓋印刷電路而設置於該基底構件上的作為覆蓋膜(cover lay film)發揮功能的絕緣膜的印刷配線板上積層有所述遮蔽膜。另一方面，在專利文獻2中，揭示一種具有絕緣性接著層、導電層及絕緣層的積層構造的電磁波遮蔽片，揭示不設置印刷配線板的覆蓋膜而直接設置電磁波遮蔽片的絕緣性接著層代替覆蓋膜的構成。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2013/077108號
[專利文獻2]日本專利特開2014-090151號公報
且說，隨著近年來的高速資料通信技術的發展，信號的傳送速度飛躍性地增加。進行高速傳送時，重要的是傳送路徑的特性阻抗匹配。其原因在於，若在信號的傳送路徑中的送出側電路的輸出阻抗與接收側電路的輸入阻抗的失配點(mismatch point)，入射波反射而信號波衰減，則會產生應變而特性劣化。反射的現象在傳送高頻或高速的脈衝信號(pulse signal)的情況下特別顯著。
圖1中表示在印刷配線基板上貼附有電磁波遮蔽片的遮蔽性配線板的示意性剖面圖。若貼附電磁波遮蔽片10，則如該圖所示，在印刷配線板20的例如配線25與電磁波遮蔽片10的導電 層2之間附加電容器(capacitor)成分而使特性阻抗發生變化。另外，存在傳送特性劣化的問題。即，存在電磁波遮蔽片10對遮蔽的印刷配線板的電氣特性造成影響的問題。特別是高頻信號中，在阻抗的失配點產生信號的反射而容易產生雜訊(noise)，因此特性劣化的問題嚴重。
若可確保電磁波遮蔽性且可改善傳送特性，則可期待進一步高性能化。另外，亦可擴大內部電子電路等的設計範圍(margin)。隨著近年來的信號的高速化或高頻化，傳送特性的改善對維持性能特性並使其逐步提高而言變得重要。
再者，所述中藉由印刷配線板的例子進行了說明，但在具有配線及電子電路的基板中存在同樣的課題。
本發明是鑒於所述背景而完成，其目的在於提供一種電磁波遮蔽片，其與組件的接合性優異，可確保電磁波等的遮蔽性，且即便在用於高頻用途的組件的情況下亦可維持良好的傳送特性。
為了解決所述課題，本發明者等人反覆進行努力研究，結果發現，在以下的實施方式中可解決本發明的課題，從而完成本發明。
本發明的電磁波遮蔽片是包含遮蔽釋放電磁波的組件的至少一部分的積層體的電磁波遮蔽片，且所述積層體包括：接著層，其配置於所述組件上且藉由進行接合處理而與所述組件接 合；導電層，其積層於所述接著層上；及絕緣層，其形成於所述導電層上。並且，所述接著層包含以下至少一者作為黏合劑(binder)成分，(I)熱塑性樹脂(A)、及(II)熱硬化性樹脂(B)及與該熱硬化性樹脂(B)相對應的硬化性化合物(C)，所述接著層進而含有導電性填料(filler)而顯示異向導電性，將所述黏合劑成分進行熱壓接處理後的被膜(X)滿足以下的(i)及(ii)。
(i)相對介電常數在頻率1GHz、23℃下為1~3。
(ii)介電損耗正切在頻率1GHz、23℃下為0.0001~0.02。
本發明的電磁波遮蔽性配線電路基板是在配線電路基板上接合有所述實施方式的電磁波遮蔽片。
本發明的電子機器接合有所述實施方式的電磁波遮蔽片。
根據本發明，發揮出可提供如下電磁波遮蔽片的優異效果，該電磁波遮蔽片與組件的接合性優異，可確保電磁波等的遮蔽性，且即便在用於高頻用途的組件的情況下亦可維持良好的傳送特性。
1、71‧‧‧接著層
2、72‧‧‧導電層
3、73‧‧‧絕緣層
7‧‧‧印刷配線板
8‧‧‧附電磁波遮蔽的印刷配線板
10、61、62‧‧‧電磁波遮蔽片
20‧‧‧印刷配線板(組件)
21‧‧‧基板
22、57b‧‧‧絕緣性接著劑層
23、57a‧‧‧聚醯亞胺膜
24‧‧‧接地圖案
25‧‧‧配線
31‧‧‧通孔
32、33‧‧‧凸塊
34‧‧‧外部接地
35‧‧‧導電性漿料
41‧‧‧接地通孔
50‧‧‧聚醯亞胺膜
51‧‧‧穿通孔
52‧‧‧鍍銅膜
53‧‧‧信號配線
54‧‧‧接地配線
55‧‧‧接地圖案
56‧‧‧背面側接地圖案
57‧‧‧覆蓋層
58‧‧‧突出部
60‧‧‧開口部
w‧‧‧寬度
圖1是用以說明現有例的遮蔽性配線板的電容器成分的示意性剖面圖。
圖2是表示本實施方式的電磁波遮蔽片的一例的示意性切斷部剖面圖。
圖3是表示本實施方式的電磁波遮蔽性配線電路基板的一例的示意性切斷部剖面圖。
圖4是表示第1變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的一例的示意性切斷部剖面圖。
圖5是表示第2變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的一例的示意性切斷部剖面圖。
圖6是表示第3變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的一例的示意性切斷部剖面圖。
圖7是表示第4變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的一例的示意性切斷部剖面圖。
圖8是實施例及比較例的印刷配線板的主面側的示意性平面圖。
圖9是實施例及比較例的印刷配線板的背面側的示意性平面圖。
圖10是實施例及比較例的附電磁波遮蔽片的印刷配線板的示意性平面圖。
圖11是圖10的XI-XI切斷部剖面圖。
圖12是圖10的XII-XII切斷部剖面圖。
以下，對應用本發明的實施方式的一例進行說明。再者，以下的圖中的各構件的尺寸(size)或比率是便於說明者，並不限定於此。另外，在本說明書中，「任意的數A~任意的數B」的記載是指在該範圍內包含數A作為下限值、包含數B作為上限值。另外，本說明書中的「片」不僅包含日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)中所定義的「片」，而且亦包含「膜」。另外，本說明書中所指定的數值是藉由實施方式或實施例中所揭示的方法而求出的值。
如圖2所示，本發明的電磁波遮蔽片10包含至少依序積層接著層1、導電層2、絕緣層3而成的積層體。電磁波遮蔽片10可在組件(未圖示)上配置接著層1，藉由接合處理與該組件接合。接合處理只要可接合即可，但較佳為熱處理或熱壓接處理。絕緣層3擔負保護電磁波遮蔽片10的作用，配置於較導電層2更表層側。導電層2是夾持於絕緣層3與接著層1之間的層，主要擔負遮蔽電磁波的作用。在印刷配線板中，擔負遮蔽自組件內部的信號配線等產生的電磁雜訊，或遮蔽來自外部的信號的作用。
電磁波遮蔽片10亦可進而包括其他層。例如亦可在絕緣層3的表層積層耐擦傷性膜、水蒸氣阻隔性膜、氧阻隔性膜等其他層、或者在接著層1與導電層2及/或導電層2與絕緣層3之間積層強化磁場截止的膜等。
本發明的電磁波遮蔽片適於防止釋放電磁波(電場波及 磁場波)的組件的輻射電磁波及防止由來自外部的磁場或電波所致的誤動作。組件可例示：內置於個人電腦、行動機器或數位相機(digital camera)等的硬碟(hard disk)、電纜(cable)及印刷配線板等。另外，亦適於讀卡機(card reader)等。以下，對各層進行詳細敍述。
[導電層]
導電層2只要為在層內顯示導電性的層即可，並無特別限定，可例示金屬層及在黏合劑樹脂中含有導電性填料的層。導電層的製造方法可使用公知的方法。金屬層的製造方法除使用金屬箔的方法以外，亦可利用真空蒸鍍、濺鍍(sputtering)、化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、金屬有機法(Metal Organic，MO)、鍍敷等形成。該些之中，若考慮量產性，則較佳為真空蒸鍍或鍍敷。在黏合劑樹脂中含有導電性填料的層的製造方法例如可藉由在絕緣膜上塗敷含有導電性填料的樹脂組成物並進行乾燥而獲得。導電層2可為單層，亦可將相同或不同種類積層多層。
金屬箔的較佳例可例示鋁、銅、銀、金等。就遮蔽性、連接可靠性及成本(cost)的方面而言，更佳為銅、銀、鋁，進而較佳為銅。銅例如較佳為使用壓延銅箔或電解銅箔，若使用電解銅箔，則可使導電層更薄，故而更佳。另外，金屬箔可利用鍍敷形成。金屬箔的厚度的下限較佳為0.1μm以上，更佳為0.5μm以上。另一方面，金屬箔的厚度的上限較佳為10μm以下，更佳為5 μm以下。
藉由真空蒸鍍所獲得的金屬層的較佳例可例示鋁、銅、銀、金。該些之中，更佳為銅、銀。另外，藉由濺鍍所獲得的金屬層的較佳例可例示鋁、銅、銀、鉻、金、鐵、鈀、鎳、鉑、銀、鋅、氧化銦、摻銻氧化錫。該些之中，更佳為銅、銀。藉由真空蒸鍍及濺鍍所獲得的金屬層的厚度的下限較佳為0.005μm以上，更佳為0.1μm以上，上限較佳為3μm以下。
[絕緣層]
絕緣層是使絕緣性樹脂組成物成形而成的絕緣性片，擔負保護導電層的作用及確保表層的絕緣性的作用。絕緣性樹脂組成物較佳為使用熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂並無特別限定，可較佳地使用下述接著層中可例示的樹脂。另外，絕緣層可使用聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚苯硫醚等樹脂膜。
絕緣性樹脂組成物中，除樹脂以外，亦可調配矽烷偶合劑(silane coupling agent)、抗氧化劑、顏料、染料、黏著賦予樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑等。
絕緣層的厚度可根據用途而變動，較佳為2μm~10μm。藉由設為所述厚度，變得容易獲得電磁波遮蔽片的各種物性的平衡(balance)。
[接著層]
接著層1是使用如下者：包含(I)熱塑性樹脂(A)、及(II)熱硬化性樹脂(B)及與熱硬化性樹脂(B)相對應的硬化性化合物(C)的至少一者，且將(I)、(II)或(I)與(II)的混合物進行熱壓接後的被膜(X)滿足以下的(i)及(ii)。
(i)相對介電常數在頻率1GHz、23℃下為1~3。
(ii)介電損耗正切在頻率1GHz、23℃下為0.0001~0.02。
再者，所謂熱硬化性樹脂(B)包括至少一部分包含與硬化性化合物(C)發生硬化反應的部位的全部樹脂。
再者，本案說明書的相對介電常數及介電損耗正切是指藉由以下方法所求出的值。即，在經剝離處理的聚酯膜上塗敷(I)、(II)或(I)與(II)的混合物，以乾燥後的膜厚成為70μm的方式均勻地進行塗敷並使其乾燥而獲得塗膜。並且，積層所獲得的塗膜並進行真空層壓，在180℃、2.0MPa的條件下使其熱硬化1小時。繼而，剝離兩面的剝離膜而製作評價用試片。針對該試片，使用AET公司製造的相對介電常數測定裝置(空腔共振器型號ADMS01Oc)，求出測定溫度23℃、測定頻率1GHz下的相對介電常數及介電損耗正切。
所述相對介電常數的下限更佳為1以上，進而較佳為2以上，上限更佳為3以下，進而較佳為2.8以下。另外，所述介電損耗正切較佳為0，但技術上困難，因此就該觀點而言，介電損耗正切的下限較佳為0.0001以上。另一方面，其上限更佳為0.02以 下，進而較佳為0.01以下。
再者，如下所述，在本發明中的接著層中，可使黏合劑成分中含有導電性填料。若含有導電性填料，則相對介電常數及介電損耗正切的值與含有導電性填料之前相比，值變大，但本發明者等人反覆進行研究，結果得知，藉由將(I)、(II)或(I)與(II)的混合物進行熱壓接後的被膜(X)滿足所述(i)及(ii)，即便在添加導電性填料的情況下，亦出乎意料地可解決本案發明的課題。可認為其原因在於，藉由控制接著層的(I)、(II)或(I)與(II)的混合物的介電特性，在添加有導電性填料的導電層中，利用提高遮蔽性的效果與作為黏合劑的樹脂的低介電效果的協同效果而可解決本案發明的課題。
在含有導電填料的接著層、即顯示異向導電性的接著層的情況下，在接著層中混合導電性填料後的相對介電常數的下限更佳為1以上，進而較佳為2以上，上限更佳為10以下，進而較佳為9以下。另外，在接著層中混合導電填料後的介電損耗正切較佳為0，但技術上困難，因此就該觀點而言，介電損耗正切的下限較佳為0.0001以上。另一方面，其上限更佳為0.05以下，進而較佳為0.03以下。
關於接著層1的厚度，在將電磁波遮蔽片用於軟性印刷配線板的情況下，就確保軟性的觀點而言，較佳為設為50μm以下，更佳為設為20μm以下。另外，就確保接著力的觀點而言，較佳為設為3μm以上，更佳為設為6μm以上。
硬化性化合物(C)相對於熱硬化性樹脂(B)100質量份，較佳為0.2質量份以上，更佳為1質量份以上，進而較佳為3質量份以上。另外，較佳為50質量份以下，更佳為30質量份以下，進而較佳為20質量份以下。藉由將硬化性化合物(C)設為0.2質量份~50質量份的範圍，可使交聯密度適當而良好地保持吸濕性或接著性。另外，可適當地保持硬化物的彈性模數而使耐折性變得良好。
在將電磁波遮蔽片與印刷配線板等組件接合的情況下，要求為可耐受回流焊爐(solder reflow oven)等的加熱的積層體。就該觀點而言，接著層1的5%重量熱分解溫度較佳為240℃以上，更佳為260℃以上，進而較佳為280℃以上。
熱塑性樹脂(A)可例示：聚醯胺樹脂、液晶聚合物樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、丁二烯橡膠、酯醯胺、異戊二烯橡膠、纖維素、苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚醯亞胺樹脂及聚醯胺醯亞胺樹脂等。熱塑性樹脂(A)可單獨使用一種或併用多種來使用。
熱硬化性樹脂(B)可例示：丙烯酸樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚胺基甲酸酯脲樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環烯烴樹脂、聚苯醚樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂、聚醯亞胺苯并噁唑樹脂、聚苯并噁唑樹脂、聚酯醯胺樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、乙烯酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、 聚反丁烯二酸酯樹脂、苯并噁嗪樹脂、碳二醯亞胺樹脂、氟樹脂、聚烯烴樹脂及矽樹脂。熱硬化性樹脂(B)可單獨使用一種或併用多種來使用。
硬化性化合物(C)是指可有助於熱硬化性樹脂(B)的硬化的全部化合物。熱硬化性樹脂(B)的與硬化性化合物(C)的反應部位並無限定，例如可列舉：羧基、酚性羥基、(甲基)丙烯醯基、環氧基、氧雜環丁基、胺基、羥基、巰基、氰基、異氰酸酯基、烯丙基、乙烯基等。就良好地發揮出與導電層2的接著性的觀點、及表現出與組件、例如印刷配線基板的覆蓋膜(例如，聚醯亞胺樹脂)的接著性的觀點而言，較佳為含有羥基及羧基中至少一種的熱硬化性樹脂(B)。熱硬化性樹脂(B)中的硬化性官能基的種類可設為一種或多種。
硬化性化合物(C)只要具有兩個以上可與熱硬化性樹脂(B)的官能基反應的部位即可，並無特別限定。較佳的硬化性化合物(C)可例示：環氧化合物、有機金屬化合物(金屬螯合化合物)、含酸酐基的化合物、異氰酸酯化合物、氮丙啶化合物、胺化合物、多元醇化合物、三聚氰胺化合物、矽烷系化合物、碳二醯亞胺系化合物、酚化合物、苯并噁嗪化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、含β-羥基烷基醯胺基的化合物等。該些之中，就謀求接著性及耐熱性的兼顧的觀點而言，較佳為環氧化合物、有機金屬化合物、氮丙啶化合物、異氰酸酯化合物。硬化性化合物(C)可單獨使用一種或併用多種來使用。
在熱硬化性樹脂(B)的硬化性官能基為羥基的情況下，硬化性化合物(C)較佳為異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、碳二醯亞胺化合物、有機金屬化合物(金屬螯合化合物)。另外，在硬化性官能基為胺基的情況下，硬化性化合物(C)較佳為異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、碳二醯亞胺化合物、有機金屬化合物。進而，在熱硬化性樹脂(B)的硬化性官能基為羧基的情況下，硬化性化合物(C)較佳為環氧化合物、有機金屬化合物。
關於接著層，該些之中，尤佳為熱硬化性樹脂(B)包含含羧基的樹脂，硬化性化合物(C)包含環氧化合物，進而包含有機金屬化合物及異氰酸酯化合物的至少一者。環氧化合物相對於羧酸1當量調配較佳為0.5倍~10倍、更佳為1倍~5倍的環氧當量。有機金屬化合物及異氰酸酯化合物的合計的硬化劑當量較佳為相對於羧酸1當量以0.1倍~5倍進行調配，更佳為以0.5倍~3倍的範圍進行調配。如上所述，藉由使用硬化性化合物(C)，可抑制熱硬化後的未反應官能基數，因此介電常數及介電損耗正切進一步降低。
較佳組合可列舉：具有羧基的熱硬化性樹脂(B)與包含環氧化合物及有機金屬化合物的硬化性化合物(C)的組合、或具有酚性羥基的熱硬化性樹脂(B)與具有聚異氰酸酯基的硬化性化合物(C)的組合、具有環氧基的熱硬化性樹脂(B)與包含有機金屬化合物的硬化性化合物(C)的組合等。
硬化性化合物(C)可單獨使用或併用使用。併用使用的情況下的較佳組合可例示環氧化合物及有機金屬化合物、環氧化合物及氮丙啶化合物及有機金屬化合物等。藉由併用使用，可提高交聯密度，有效地改善加熱壓接時接著層向層外的滲出或耐熱性。
所述異氰酸酯化合物例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、聚亞甲基聚苯基異氰酸酯等聚異氰酸酯化合物及該些聚異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷等多元醇化合物的加成體(adduct)、該些聚異氰酸酯化合物的縮二脲(biuret)體或異三聚氰酸酯體，進而可列舉該些聚異氰酸酯化合物與公知的聚醚多元醇或聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等的加成體等。
所述環氧化合物例如可列舉：乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、雙酚A．表氯醇型環氧樹脂、N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、N,N-二縮水甘油基苯胺、N,N-二縮水甘油基甲苯胺等。
所述聚碳二醯亞胺可列舉日清紡織公司製造的Carbodilite系列。其中，Carbodilite V-01、03、05、07、09與有 機溶劑的相溶性優異而較佳。
所述氮丙啶化合物例如可列舉2,2'-雙羥基甲基丁醇三[3-(1-氮丙啶基)丙酸酯]、4,4'-雙(伸乙基亞胺基羰基胺基)二苯基甲烷等。
所述有機金屬化合物是包含金屬及有機物的化合物，與熱硬化性樹脂(B)的官能基反應而形成交聯。有機金屬化合物的種類並無特別限定，可列舉有機鋁化合物、有機鈦化合物、有機鋯化合物等。另外，金屬與有機物的鍵結亦可為金屬-氧鍵結，並不限定於金屬-碳鍵結。此外，金屬與有機物的鍵結樣式可為化學鍵結、配位鍵結、離子鍵結的任一種。
所述有機鋁化合物較佳為鋁螯合化合物。鋁螯合化合物例如可列舉：乙基乙醯乙酸鋁二異丙酯、三(乙基乙醯乙酸)鋁、烷基乙醯乙酸鋁二異丙酯、單乙醯丙酮酸雙(乙基乙醯乙酸)鋁、三(乙醯乙酸)鋁、單乙醯乙酸雙(乙基乙醯乙酸)鋁、二正丁醇單甲基乙醯乙酸鋁、二異丁醇單甲基乙醯乙酸鋁、二第二丁醇單甲基乙醯乙酸鋁、異丙醇鋁、單第二丁氧基鋁二異丙酯、第二丁酸鋁、乙醇鋁等。
所述有機鈦化合物較佳為鈦螯合化合物。鈦螯合化合物例如可列舉：乙醯丙酮酸鈦、四乙醯丙酮酸鈦、乙基乙醯乙酸鈦、辛二醇鈦、乙基乙醯乙酸鈦、1,3-丙烷二氧基雙(乙基乙醯乙酸)鈦、聚乙醯乙醯丙酮酸鈦、鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、鈦酸四辛酯、鈦酸第三戊酯、鈦酸四第三丁酯、鈦酸四 硬脂酯、異硬脂酸鈦、三正丁氧基鈦單硬脂酸酯、二異丙氧基鈦二硬脂酸酯、硬脂酸鈦、二異丙氧基鈦二異硬脂酸酯、(2-正丁氧基羰基苯甲醯氧基)三丁氧基鈦等。
有機鋯化合物較佳為鋯螯合化合物。鋯螯合化合物例如可列舉：四乙醯丙酮酸鋯、三丁氧基乙醯丙酮酸鋯、單丁氧基乙醯丙酮酸雙(乙基乙醯乙酸)鋯、二丁氧基雙(乙基乙醯乙酸)鋯、四乙醯丙酮酸鋯、鋯酸正丙酯、鋯酸正丁酯、硬脂酸鋯、辛酸鋯等。該些之中，就熱硬化反應性與硬化後的耐熱性的方面而言，較佳為有機鈦化合物。
所述(I)或(II)中所使用的樹脂只要滿足所述(i)(ii)，則並無特別限定，就耐熱性的觀點而言，較佳為使用(II)的熱硬化性樹脂(B)及硬化性化合物(C)。
關於包含所述(II)的接著層，就提供即便在用於高頻用途的組件的情況下，亦可維持良好的傳送特性，且發揮出更優異的接著性能的電磁波遮蔽片的觀點而言，較佳為使用接著層的熱硬化後的被膜(Y)滿足以下的(a)、(b)的至少一者的接著層。
(a)氮原子數相對於碳原子數的比例(以下，亦記為[N])為1%~10%，且氧原子數相對於碳原子數的比例(以下，亦記為[O])為3%~20%。
(b)在接著層的熱硬化後的被膜(Y)中，包含選自羧基及羥基中的至少任一種基，在包含羧基的情況下，羧基數相對於碳數的比例(以下，亦記為[COOH])為0.01%~15%，在包含羥基 的情況下，羥基數相對於碳數的比例(以下，亦記為[OH])為0.5%~20%的範圍。此處，接著層的熱硬化後的被膜(Y)是指熱硬化性樹脂(B)藉由硬化性化合物(C)而得以充分硬化的被膜(Y)。其中，[COOH]與[OH]的合計較佳為35%以下，更佳為30%以下，進而較佳為25%以下。
藉由使用所述(a)的範圍的被膜(Y)，可更良好地保持接著性。所述[N]及[O]是根據利用X射線光電子能譜分析(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，ESCA)獲得的1S軌道光譜(spectrum)的峰值面積而求出的值，利用下述實施例中記載的方法求出。[N]的下限更佳為1.5%以上，進而較佳為2%以上，上限更佳為8%以下，進而較佳為7%以下。另外，[O]的下限更佳為3.5%以上，進而較佳為4%以上，上限更佳為18%以下，進而較佳為15%以下。
藉由使用所述(b)的範圍的被膜(Y)，而維持接著層的接著力且使吸水率降低，從而可提供耐濕性較高的接著層。
[OH]的下限更佳為0.7%以上，進而較佳為1%以上，上限更佳為18%以下，進而較佳為15%以下。另外，[COOH]的下限更佳為0.05%以上，進而較佳為0.1%以上，上限更佳為13%以下，進而較佳為10%以下。
接著層1藉由含有導電性填料，可製成具有異向導電性的接著層。此處，異向導電性是指在厚度方向上確保了電性導電狀態的層，與在面內方向亦實現了導通的等向導電性不同。賦予 導電性的方法亦可考慮使用具有等向導電性的接著層的方式，但在等向導電層的情況下，當高頻信號流動時在信號電路與等向導電層間的水平方向上電流流動而傳送損失增加，因此較佳為使用具有異向導電性的接著層。
就充分地確保異向性的觀點而言，導電性填料的平均粒徑較佳為2μm以上，更佳為5μm以上，進而較佳為設為7μm以上。另一方面，就與接著層的薄度兼顧的觀點而言，較佳為30μm以下，更佳為20μm以下，進而較佳為設為15μm以下。導電性填料的含量較佳為相對於接著層的整體量而設為以下的範圍，即，就確保軟性與接著力的觀點而言，在接著劑的固體成分中較佳為50質量%以下，更佳為設為30質量%以下。另外，就確保導電性的觀點而言，較佳為設為1質量%以上，更佳為設為10質量%以上。
再者，平均粒徑是D50平均粒徑，D50平均粒徑是使用雷射繞射．散射法粒度分佈測定裝置LS13320(貝克曼-庫爾特(Beckman Coulter)公司製造)，利用旋風乾燥粉末樣品模組(Tornado dry powder sample module)，測定導電性微粒子而得的數值，且為粒徑累積分佈中的累積值為50%的粒徑。另外，折射率是設定為1.6。
另外，導電性填料的縱橫比(aspect ratio)較佳為1~3。此處，所謂縱橫比是指導電性填料的粒子的長徑與短徑的比率(長徑/短徑)。縱橫比是藉由如下方式而求出：使用電子顯微鏡測定接 著層的厚度方向的切斷面所出現的粒子的長徑與短徑的長度，求出長徑/短徑的比率。在本申請案中，將100個粒子的長徑/短徑的平均值設為縱橫比。所謂長徑是設為成為該粒子的切斷面的最大距離的值，所謂短徑是定義為相對於長徑而為直角的方向上的最短距離。
導電性填料並無特別限定，可列舉金屬填料、碳填料及該些的混合物。金屬填料有銀、銅、鎳等金屬粉、焊料等合金粉、銀塗佈銅粉、金塗佈銅粉、銀塗佈鎳粉、金塗佈鎳粉等。藉由含有銀，可獲得更優異的導電性。該些之中，就成本的觀點而言，尤佳為銀塗佈銅粉。塗佈層對金屬粉的被覆率較佳為相對於表面被覆80%以上。
在導電性填料中，被覆核體的情況下的被覆層只要被覆核體的至少一部分即可，但為了獲得更優異的導電特性，被覆率以高為佳。就良好地保持導電特性的觀點而言，較佳為將利用被覆層的平均被覆率設為60%以上，更佳為設為70%以上，進而較佳為設為80%以上。再者，本說明書中的平均被覆率是指藉由利用ESCA的粉體的測定所求出的值。關於詳細的條件，在AXIS-HS(島津製作所公司製造/Kratos)、X射線源：Dual(Mg)15kV,10mA通能(Pass energy)80eV、步長(Step)：0.1eV/Step、速度(Speed)：120秒/元素、Dell：300、累計次數：8的條件下根據Ag3d：2與Cu2P：1的峰值面積求出銀與銅的質量濃度，將銀的質量濃度的比例設為被覆率。
就塗液穩定性，即，防止填料彼此的凝聚，在塗敷導電性樹脂組成物時，有效地防止在塗面產生條紋或不均的觀點而言，較佳為對玻璃纖維或碳填料等核體實施金屬鍍敷。該些導電性填料是以分散於樹脂的狀態塗佈並進行乾燥而使用。粒子形狀只要可確保異向導電性即可，並無特別限定。例如可例示球狀、樹枝狀(dendrite)、針狀、纖維狀等。就良好地確保異向導電性的觀點而言，較佳為球狀、樹枝狀(dendrite)粒子。
形成接著層的樹脂組成物中，可另外調配作為任意成分的矽烷偶合劑、防鏽劑、還原劑、抗氧化劑、顏料、染料、黏著賦予樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑等。
電磁波遮蔽片10的製造方法並無特別限定，作為一例，可利用以下製法進行製作。首先，可藉由公知的方法將構成接著層1的組成物在剝離基材上形成塗膜。例如可藉由如下方式進行製造：利用刮刀式塗佈(comma coat)、刀式塗佈(knife coat)、模具塗佈(die coat)、唇口塗佈(lip coat)、輥式塗佈(roll coat)、簾幕式塗佈(curtain coat)、棒式塗佈(bar coat)、凹版印刷(gravure printing)、柔版印刷(flexo printing)、浸漬塗佈(dip coat)、噴霧塗佈(spray coat)、旋轉塗佈(spin coat)等塗佈組成物後，通常在40℃~150℃下進行乾燥。
與組件接合後的接著層的厚度可根據用途而變動，但為了獲得充分的接著性、及良好的異向導電特性，較佳為3μm~50 μm。該接著層1的厚度的下限更佳為4μm以上，進而較佳為6μm以上。另外，該接著層1的厚度的上限更佳為30μm以下。
積層接著層、導電層及絕緣層的方法可使用公知的方法。例如，在剝離性片上形成接著層，在導電層的附銅載體的電解銅箔的電解銅箔面側重疊接著層而進行層壓後，將銅載體剝離。並且，有將剝離了銅載體的面與另外形成於剝離性片上的絕緣層重疊而進行層壓的方法。另外，可列舉在剝離性片上形成接著層，在其表面藉由無電解鍍敷處理而形成導電層，將另外形成於剝離性片上的絕緣層與所述導電層重疊而進行層壓的方法等。
其次，對將本發明的電磁波遮蔽片與配線電路基板接合而成的電磁波遮蔽性配線電路基板進行說明。圖3中表示在印刷配線板上接合有電磁波遮蔽片的示意性說明圖的一例。電磁波遮蔽片10是與作為組件的印刷配線板20的表層接合。印刷配線板20包括：包含聚醯亞胺等的基板21、配線25、接地圖案(ground pattern)24、及被覆該些的絕緣性接著劑層22、包含聚醯亞胺膜23的覆蓋層。電磁波遮蔽片10是藉由熱壓接等接合處理而貼附於印刷配線板20上。在印刷配線板20上設置自聚醯亞胺膜23的表面貫通至接地圖案24的表面的接觸孔(contact hole)，經由形成於接觸孔的通孔(via)31而使接地圖案24與電磁波遮蔽片10的顯示異向導電性的接著層1電性導通。僅藉由將電磁波遮蔽片10貼附於印刷配線板20便可實現導通，製造簡便，因此特別是在軟性印刷電路基板等中較佳。
圖4是第1變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的示意性剖面圖。該例中，在導電層2的接著層1側主面上設置凸塊(bump)32代替通孔31，將其與接地圖案24電性連接。凸塊32例如可藉由如下方式而獲得：在形成導電層後，配置於與接地圖案24對應的導電層2上，其後形成接著層1。根據該方法，藉由對印刷配線板20進行電磁波遮蔽片10的接合處理，可實現接地圖案24與導電層2的導通。
圖5是第2變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的示意性剖面圖。該例中，將凸塊33預先形成於接地圖案24上，與電磁波遮蔽片10接合時，可與導電層2電性連接。
圖6是第3變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的示意性剖面圖。該例中，將電磁波遮蔽片10與印刷配線板20接合後，自絕緣層3的表層側，使用外部的接地組件而與導電層2實現導通。
圖7是第4變形例的電磁波遮蔽性配線電路基板的示意性剖面圖。該例中，設置自絕緣層3的表層貫通至接地圖案24的接地通孔(ground via)41，並向其中填充導電性漿料(paste)35，藉此可實現電磁波遮蔽片10與接地圖案24的導通。在絕緣層3的表層露出的導電性漿料35亦可進而在外部接地。
且說，高頻電路的情況下的特性阻抗Z0是由以下的式1及式2所表示。
此處，Z0為特性阻抗，Dk為軟性印刷配線板(以下，亦稱為FPC)的覆蓋層的介電常數，d為FPC的覆蓋層的厚度，S為電磁波遮蔽片的導電層與傳送電路重疊的面積，C為電容(capacitance)。R為導體電阻值(Ω/m)，L為電感(inductance)(H/m)，G為絕緣層(基材)的電導(conductance)(Ω/m)，f為頻率，j為虛數記號，若成為高頻率，則L與C起支配性作用。通常若覆著遮蔽膜，則特性阻抗Z0降低，因此為了獲得阻抗匹配，必須提高特性阻抗Z0。此處，電容C的值是由式2所表示。藉由縮小電容C的值，可提高特性阻抗Z0的值。
根據式2，為了減小電容C的值，可考慮調整配線25的寬度w(參照圖1)的方法、調整覆蓋層(絕緣性接著劑層22+聚醯亞胺膜23)(參照圖1)的厚度的方法、降低覆蓋層的相對介電常數的方法。然而，關於將電路寬度細線化的方法，生產效率差，成本提昇，故而欠佳，將覆蓋層厚膜化的方法與輕薄短小化的需求(needs)相悖，故而不理想。特別是在軟性印刷配線板等中，軟性降低，故而欠佳。藉由使用滿足所述(i)的材料作為接著層，式2的Dk降低，亦可使軟性印刷基板的覆蓋層變薄。再者，構成 覆蓋層的聚醯亞胺膜23為一例，只要為具有保護電路基板的功能的保護層即可，亦可變更為其他材料。
在將電磁波遮蔽片加熱壓接於組件時，若接著層的熱硬化不充分，則有接著層自電磁波遮蔽片的側部滲出而導致外觀不良的情況。因此，謀求藉由熱壓接步驟來貼附電磁波遮蔽片時無滲出性或滲出性小。
根據本發明的電磁波遮蔽片，藉由使用滿足所述(i)及(ii)的接著層，可確保電磁波等的遮蔽性，且即便在用於高頻用途的組件的情況下，亦可維持良好的傳送特性。可認為其原因在於，藉由使用滿足所述(i)及(ii)的接著層，可抑制介電體的電極化變得無法追隨電場的變化而能量(energy)的一部分變為熱的現象，其結果，可減少介電體損失。藉由滿足所述(i)而可改善特性阻抗匹配。另外，藉由滿足所述(i)及(ii)，可改善高頻信號的傳送損失。因此，可在廣泛的頻率範圍內較佳地利用。特別是在針對容易產生阻抗失配與傳送損失的傳送高頻(10MHz以上、較佳為1GHz以上)的信號的信號傳送系統的電磁波遮蔽膜的用途中較佳。
另外，藉由將滿足所述(i)及(ii)的黏合劑成分與導電性填料組合，不僅可實現與組件的導通的簡便化，而且可發揮良好的接著性，且可改善傳送特性，降低特性阻抗。
另外，藉由利用使用滿足所述(i)及(ii)的材料的電磁波遮蔽片，可降低式(1)、式(2)所表示的特性阻抗Z0，故而 在使特性阻抗Z0匹配時，可擴寬信號電路的配線寬度w或/及覆蓋層的厚度的設計範圍。因此，可改善良率，抑制生產成本。因此，可提高電路的生產性。
本發明的電磁波遮蔽片不僅可應用於配線電路基板，而且亦可與必須釋放或遮蔽電磁波的組件．各種電子機器接合而廣泛應用。
<<實施例>>
以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於以下的實施例。另外，實施例中的「份」是表示「質量份」，「%」是表示「質量%」。
首先，以下表示實施例中所使用的原料。
<樹脂>
R1(聚醯胺樹脂)：熱硬化性聚醯胺樹脂 酸值20[mgKOH/g](東洋化學(TOYOCHEM)公司製造)
R2(聚酯樹脂)：加成型聚酯樹脂 酸值19[mgKOH/g](東洋化學(TOYOCHEM)公司製造)
R3(胺基甲酸酯樹脂)：胺基甲酸酯脲樹脂 酸值5[mgKOH/g](東洋化學(TOYOCHEM)公司製造)
R4(烯烴樹脂)：苯乙烯彈性體 酸值17[mgKOH/g](東洋化學(TOYOCHEM)公司製造)
R5(聚醯亞胺樹脂)：熱硬化型聚醯亞胺樹脂 酸值21[mgKOH/g](東洋化學(TOYOCHEM)公司製造)
<導電性填料>
F1(銀塗佈銅粉)：「核體使用銅、被覆層使用銀的樹枝狀粒子D50平均粒徑=11.0μm」(福田金屬箔粉工業公司製造)
<銅箔>
附載體的電解銅箔：「MT18SD-H(在18μm的載體銅箔上有3μm的電解銅箔)」(三井金屬公司製造)
<硬化性化合物>
H1(四苯酚乙烷型環氧硬化劑)：「jER1031S」(三菱化學公司製造)
H2(苯酚酚醛清漆型環氧硬化劑)：「jER152」(三菱化學公司製造)
H3(鈦螯合化合物)：「TC401」(松本精細化學(Matsumoto Fine Chemical)公司製造)
H4(鋁螯合化合物)：「ALCH」(川研精細化學公司製造)
H5(異三聚氰酸酯型封端異氰酸酯)：「BL3175」(住化拜爾聚氨脂(Sumika Bayer Urethane)公司製造)
H6(氮丙啶化合物)：「Chemitite PZ-33」(日本觸媒公司製造)
<電磁波遮蔽片的製作>
[實施例1]
將樹脂R1(聚醯胺樹脂)100份、導電性填料F1(銀塗佈銅粉)50份投入至容器中，以不揮發成分濃度成為40%的方式添加甲苯與異丙醇的混合溶劑(相對於甲苯100份而異丙醇為50份) 並進行混合。繼而，添加硬化性化合物H1(四苯酚乙烷型環氧硬化劑)15份及硬化性化合物H3(鈦螯合化合物)3份，利用分散機(disperser)攪拌10分鐘而獲得樹脂組成物。進而，使用棒式塗佈機(bar coater)將所獲得的樹脂組成物以乾燥厚度成為15μm的方式塗敷於剝離性片上，在100℃的電烘箱(electric oven)中乾燥2分鐘，藉此獲得接著層。
另外，添加樹脂R3(胺基甲酸酯樹脂)100份、硬化性化合物H1(四苯酚乙烷型環氧硬化劑)10份及硬化性化合物H6(氮丙啶化合物)10份並利用分散機攪拌10分鐘，藉此獲得絕緣性樹脂組成物。繼而，使用棒式塗佈機將所獲得的絕緣性樹脂組成物以乾燥厚度成為10μm的方式塗敷於剝離性片上，在100℃的電烘箱中乾燥2分鐘，藉此獲得絕緣層。
將絕緣層貼合於附載體的電解銅箔的電解銅箔側後，剝離載體銅箔，在絕緣層上積層電解銅箔。其次，使接著層貼合於電解銅箔面，藉此獲得包含「剝離性片/絕緣層/電解銅箔/接著層/剝離性片」的電磁波遮蔽片。電解銅箔與接著層的貼合是在溫度90℃、壓力3kgf/cm2下，藉由熱貼合機(thermal laminator)進行貼合。
[實施例2~實施例29、比較例1~比較例6]
將實施例1的接著層的組成、及加熱壓接後的接著層的厚度按照表1所記載般進行變更，除此以外，與實施例1同樣地進行，藉此獲得實施例2~實施例29、比較例1~比較例6的電磁波遮蔽 片。再者，實施例14、實施例16~實施例29是不含有導電性填料的例子，是下述附記1的實施例。
(接著層的膜厚)
電磁波遮蔽片的膜厚是加熱壓接於組件後的接著層的厚度，藉由以下方法進行測定。首先，剝離電磁波遮蔽片的接著層的剝離性片，將露出的接著層與聚醯亞胺膜(東麗．杜邦(Toray．DuPont)公司製造的「Kapton 200EN」)貼合，在2MPa、150℃的條件下加熱壓接30分鐘。將其切成寬度5mm．長度5mm左右的大小後，將環氧樹脂(Petropoxy 154，丸東(Maruto)公司製造)0.05g滴加至載玻片(slide glass)上，使電磁波遮蔽片接著，獲得載玻片/電磁波遮蔽片/聚醯亞胺膜的構成的積層體。針對所獲得的積層體，使用截面離子拋光儀(cross section polisher)(日本電子公司製造，SM-09010)自聚醯亞胺膜側藉由離子束(ion beam)照射進行切斷加工，獲得加熱壓接後的電磁波遮蔽片的測定試樣。
針對所獲得的測定試樣的剖面，使用雷射顯微鏡(laser microscope)(基恩士(KEYENCE)公司製造，VK-X100)，根據所觀察到的放大圖像測定接著層的厚度。倍率是設為500倍~2000倍。將接著層的塗敷．乾燥後的厚度、及加熱壓接後的接著層的厚度示於表1。
[相對介電常數及介電損耗正切]
藉由以下的順序製作包含接著層中所使用的(I)熱塑性樹脂(A)、及(II)熱硬化性樹脂(B)及硬化性化合物(C)的被膜(X)(以下，亦簡稱為「皮膜(X)」)的至少一者的相對介電常 數及介電損耗正切。
<實施例1的測定被膜>
向容器中投入100份的樹脂R1、15份的硬化性化合物H1及3份的硬化性化合物H3，添加相對於甲苯100份而調配有異丙醇50份的混合溶劑，使不揮發成分成為45%。進而利用分散機將溶液攪拌10分鐘後，進行真空脫泡處理，藉此獲得試樣溶液。將所獲得的試樣溶液以乾燥厚度成為30μm的方式均勻地塗敷於剝離性片並使其乾燥，藉此獲得預被膜。
<實施例2~實施例29及比較例1~比較例6的測定用被膜>
變更為表1所示的原料及調配量，除此以外，利用與實施例1的測定用被膜相同的方法，分別獲得實施例2~實施例29及比較例1~比較例6的接著層的預被膜。
針對所述被膜(X)，依據日本電子電路工業會的軟性印刷配線板及軟性印刷配線板用材料-其2統一標準-(JPCA-DG03)按照以下的順序測定相對介電常數、介電損耗正切。
將實施例及比較例中所製作的被膜(X)以成為所需的厚度的方式積層多層，對其進行真空層壓，在180℃、2.0MPa的條件下使其熱硬化1小時，獲得皮膜(X)。將被膜(X)切割成寬度3mm．長度100mm的大小，剝離兩面的脫模片，將厚度為80μm的硬化被膜作為評價用試片。在AET公司製造的相對介電常數測定裝置「ADMS01Oc」上設置3個試片，藉由空腔共振器法，求出 測定溫度23℃、測定頻率1GHz下的相對介電常數及介電損耗正切。將結果示於表3。
[硬化後的接著層的[N]、[O]的定量]
向容器中添加100份的樹脂R1、15份的硬化性化合物H1、3份的硬化性化合物H3，進而添加並投入導電性填料50份，除此以外，藉由與相對介電常數及介電損耗正切的測定被膜相同的方法獲得預接著層，在180℃的烘箱(oven)中進行60分鐘處理，藉此獲得熱硬化後的被膜(Y)。對所獲得的被膜(Y)的表面，在以下條件下進行ESCA分析，根據氮原子數、碳原子數、氧原子數測定[N]及[O]。下述表示測定條件。
裝置：AXIS-HS(島津製作所公司製造/Kratos)
試樣腔室內真空度：1×10-8Torr以下
X射線源：Dual(Mg)15kV,5mA通能(Pass energy)80eV
步長(Step)：0.1eV/Step
速度(Speed)：120秒/元素
Dell：300、累計次數：5
光電子出射角(take-off angle)：相對於試樣表面為90度
鍵結能量：將C1 s主峰值設為284.6eV而進行位移校正(shift correction)
C(1 s)峰值區域：280eV~296eV
O(1 s)峰值區域：530eV~534eV
N(1 s)峰值區域：395eV~405eV
利用直線法對所述峰值區域所出現的峰值畫出基線(base line)，根據各原子的原子濃度「Atomic Conc」算出相對於碳原子數的氮原子數的比例與氧原子數的比例。
[N]=N(1 s)的原子數/C(1 s)的原子數×100
[O]=O(1 s)的原子數/C(1 s)的原子數×100
將所述測定在3個部位、變換位置而進行測定，將其平均值設為硬化後的接著層的[N]、[O]。
[硬化後的接著層的殘存官能基的定量]
其次，在接著層的硬化後的被膜(Y)表面，測定[OH]及[COOH]。樹脂主要包含碳、氫、氧原子，因此通常利用ESCA無法識別羥基或羧基而難以進行定量分析。但是，藉由對與羧酸或羥基選擇性鍵結的氟試劑進行處理，僅羧基或羥基經氟修飾，可利用ESCA識別官能基。另外，由於氟鍵結的ESCA的檢測感度高，故而可實現高感度的表面的官能基定量分析。本發明者等人反覆進行努力研究，結果明確，在被膜(Y)中，羧基數相對於碳數的比例[COOH]為0.01%~15%、羥基數相對於碳數的比例[OH]為0.5%~20%的範圍，藉此可維持對組件的高接著性，且在將本發明的電磁波遮蔽片貼附於印刷配線板等高頻用途的組件的情況下，可維持良好的傳送特性。
將藉由與所述相同的方法所獲得的被膜(Y)切割成寬 度30mm．長度30mm，將所得者貼於玻璃板而製成試樣。在小玻璃瓶(vial bottle)中，形成密閉狀態，在55℃下，使氟修飾試劑與試樣以非接觸的形式進行24小時氣相反應。氣相反應結束後，將試樣自反應容器中取出並在氮氣流中進行乾燥，去除殘留試劑。殘留試劑的去除是適當調整溫度與時間而進行直至N(1 s)峰值面積的變動消失。
將經氟修飾的試樣在與所述[N]、[O]的定量相同的條件下進行ESCA分析，定量接著層的[OH]及[COOH]。製作3個測定試樣，獲得各自所算出的值的平均值。
<[OH]的測定方法>
藉由三氟乙酸酐進行羥基的氣相修飾反應後，去除殘留試劑，藉由ESCA測定算出羥基數的比例。反應式與算出式如下所述。
R-OH+(CF3CO)2O → R-COOCF3+CF3OCOH
[OH]是以藉由下式所算出的值表示。
<式>[OH]={[F(1 s)]/(3k[C(1 s)]-2[F(1 s)])r}×100(%)
[C(1 s)]是C(1 s)的峰值面積，藉由在280eV~296eV的範圍內引出直線的基線而求出，F(1 s)的峰值面積[F(1 s)] 是藉由在682eV~695eV的範圍內引出直線的基線而求出。另外，反應率r是設為1。再者，k是相對於裝置固有的C(1 s)峰值面積的F(1 s)峰值面積的感度校正值，在使用AXIS-HS(島津製作所公司製造/Kratos)的情況下，所述裝置固有的感度校正值是設為3.6。
<[COOH]的測定方法>
藉由三氟乙醇、吡啶、二環己基碳二醯亞胺混合溶液進行羧基的修飾反應後，去除殘留試劑，藉由ESCA測定算出羧基的比例。反應式與算出式如下所述。
R-COOH+CF3CH2-OH C6H11-NCN-C6H11/C5H5N → R-COOCH2CF3+C6H11NCONC6H11
[COOH]是以藉由下式所算出的值表示。
<式>[COOH]={[F(1 s)]/(3k[C(1 s)]-2[F(1 s)])r}×100(%)
[C(1 s)]是C(1 s)的峰值面積，藉由在280eV~296eV的範圍內引出直線的基線而求出，F(1 s)峰值面積[F(1 s)]是藉由在682eV~695eV的範圍內引出直線的基線而求出。另外，與所述同樣地，反應率r設為1、k設為3.6。
[表2]
[吸濕性]
吸濕性是在使電磁波遮蔽片與熔融焊料接觸後，藉由接著層有無外觀變化而進行評價。吸濕性低的試樣的外觀無變化，吸濕性高的試樣產生發泡或剝離。
首先，剝離寬度25mm．長度70mm的電磁波遮蔽片的接著層的剝離性片，將露出的接著層與總厚64μm的經鍍金處理的覆銅積層板(鍍金0.3μm/鍍鎳1μm/銅箔18μm/接著劑20μm/聚醯亞胺膜25μm)的鍍金面在150℃、2.0MPa、30分鐘的條件下進行壓接，使其熱硬化而獲得積層體。將所獲得的積層體切割成寬度10mm．長度65mm的大小而製作試樣。將所獲得的試樣在40℃、90%RH的環境下放置72小時。其後，使試樣的聚醯亞胺膜面朝下在250℃的熔融焊料上漂浮1分鐘，其次取出試樣，以目視觀察其外觀，按照以下基準評價接著層有無發泡、隆起、剝離等異常。
優(Excellent)：外觀完全無變化。
良(Good)：觀察到少量小的發泡。
合格(Acceptable)：未及所述良且超越以下不佳。
不佳(Poor)：觀察到嚴重的發泡或剝離。
[接著力]
準備寬度25mm．長度70mm的電磁波遮蔽片來作為試樣。 剝離設置於接著層上的剝離性片，將厚度50μm的聚醯亞胺膜(東麗．杜邦(Toray．Du Pont)公司製造的「Kapton 200EN」)在150℃、2.0MPa、30分鐘的條件下壓接於露出的接著層並使其熱硬化。繼而，為了測定接著力，以增強試樣為目的而將絕緣層側的剝離性片剝離，在露出的絕緣層使用東洋化學(TOYOCHEM)公司製造的接著片，將厚度50μm的聚醯亞胺膜在150℃、1MPa、30分鐘的條件下進行壓接，藉此獲得「聚醯亞胺膜/接著片/電磁波遮蔽片/聚醯亞胺膜」的構成的積層體。針對該積層體，使用拉伸試驗機(島津製作所公司製造)在23℃、50%RH的環境下，以剝離速度50mm/min、剝離角度90°，將電磁波遮蔽片的導電層與聚醯亞胺膜的界面剝離，藉此測定接著力。評價基準如下所述。
優(Excellent)：6N/25mm以上。
良(Good)：4N/25mm以上且小於6N/25mm，實用上無問題。
不佳(Poor)：小於4N/25mm。
[滲出性]
藉由以下的樣品(sample)，評價滲出性。準備寬度50mm．長度50mm的電磁波遮蔽片，利用打孔機在中央部形成直徑5mm的貫通孔。繼而，剝離接著層的剝離性片，將接著層與聚醯亞胺膜(東麗．杜邦(Toray．Du Pont)公司製造的「Kapton 200EN」)在150℃、2MPa、30分鐘的條件下進行加熱壓接。冷卻至室溫後，利用放大鏡觀察電磁波遮蔽片的孔部分，測定接著層滲出至孔內 側的長度。滲出長度是選擇滲出最多的部位。評價基準如下所述。
優(Excellent)：滲出長度小於0.1mm。
良(Good)：滲出長度為0.2mm以上且小於2.0，實用上無問題。
不佳(Poor)：滲出長度為2mm以上。
[耐折性]
依據JIS C6471藉由MIT試驗來評價電磁波遮蔽片的耐折性。首先，準備寬度15mm、長度120mm的大小的電磁波遮蔽片。另外，作為貼附電磁波遮蔽膜的被黏接體，以將聚醯亞胺膜(厚度12.5μm「Kapton 50EN」東麗．杜邦(Toray．Du Pont)公司製造)與銅箔(厚度18μm)積層而成的兩層覆銅板(copper-clad laminate，CCL)為基底，使配線形成為基於JIS C6471的形狀，並貼合包含厚度12.5μm的聚醯亞胺膜與厚度15μm的熱硬化性接著劑的覆蓋層「CISV1215(尼關工業(Nikkan Industries)公司製造)」而形成覆蓋塗佈層。進而，將剝離電磁波遮蔽片的導電層側的剝離性片而露出的導電層在150℃、30分鐘、2.0MPa的條件下壓接於覆蓋塗佈層，藉此獲得試樣。針對所獲得的試樣，在溫度25℃、濕度50%的環境下，在曲率半徑0.38mm、負荷500g、速度180次/分鐘的條件下使用MIT試驗機來測定耐折性。評價是進行3000次彎曲，測定直至配線發生斷線為止的彎曲次數。評價基準如下所述。
優(Excellent)：即便將彎曲次數進行3000次亦未斷線。
良(Good)：直至斷線為止的彎曲次數為2500次以上且小於3000次，實用上無問題。
不佳(Poor)：小於2500次便斷線。
[高頻用途適應性評價]
使用以下的測定用試樣，對高頻用途適應性進行評價。
圖8中表示測定中所使用的共面構造的軟性印刷配線板(以下，亦稱為印刷配線板)7的主面側的示意性平面圖，圖9中表示背面側的示意性平面圖。首先，準備在厚度50μm的聚醯亞胺膜50的兩面積層厚度12μm的壓延銅箔而成的兩面CCL「R-F775」(松下(Panasonic)公司製造)。並且，在矩形形狀的4個角部附近分別設置6處穿通孔(through hole)51(直徑0.1mm)。再者，圖中為了便於圖示，在各角部僅表示2個穿通孔51。繼而，進行無電解鍍敷處理後，進行電解鍍敷處理而形成10μm的鍍銅膜52，經由穿通孔51而確保兩主面間的導通。其後，如圖8所示，在聚醯亞胺膜50的主面形成長度為10cm的2條信號配線53、及在其外側形成與信號配線53並行的接地配線54、及自接地配線54延伸且形成於聚醯亞胺膜50的短邊方向的包含穿通孔51的區域的接地圖案55。
其後，對形成於聚醯亞胺膜50的背面的銅箔進行蝕刻，在與接地圖案55對應的位置獲得如圖9所示的背面側接地圖案56。電路的外觀、公差的檢測規格是設為日本電子封裝和電路協會(Japan Electronics Packaging Circuits Association，JPCA)標準 (JPCA-DG02)。其次，在聚醯亞胺膜50的主面側貼附包含聚醯亞胺膜57a(厚度12.5μm)與絕緣性接著劑層57b(厚度15μm)的覆蓋層57「CISV1215(尼關工業公司製造)」(參照圖8)。再者，圖8中，為了使信號配線53等的構造可知，以透視圖表示覆蓋層57。其後，對自覆蓋層57露出的銅箔圖案進行鍍鎳(未圖示)，繼而進行鍍金(未圖示)處理。
圖10中表示在所述印刷配線板7的主面側貼附有電磁波遮蔽片的附電磁波遮蔽的印刷配線板8的示意性平面圖。另外，圖11中表示圖10的XI-XI切斷部剖面圖，圖12中表示圖10的XII-XII切斷部剖面圖。圖10中為了便於說明，以透視圖表示電磁波遮蔽片61。準備2片電磁波遮蔽片61、電磁波遮蔽片62，將設置於電磁波遮蔽片61、電磁波遮蔽片62的接著層71上的剝離處理片(未圖示)剝離。並且，以電磁波遮蔽片61、電磁波遮蔽片62的各自的接著層71作為內側來夾持印刷配線板7，在150℃、2.0MPa、30分鐘的條件下進行壓接，藉此獲得附電磁波遮蔽片的印刷配線板8。電磁波遮蔽片61、電磁波遮蔽片62是使用依序積層接著層71、導電層72及絕緣層73而成的片。
如圖10所示，在設置於印刷配線板7的主面側的電磁波遮蔽片61上設置有2個開口部60。自各開口部60露出自2個接地圖案55延伸的突出部58及2個信號配線53的端部。使光譜分析儀(spectrum analyzer)連接於該些露出的接地圖案55及信號配線53而進行試驗。在印刷配線板7的背面側，為與電磁波遮 蔽片61大致相同的形狀且未設置開口部的電磁波遮蔽片62設置於經由印刷配線板7而重疊的區域。使用網路分析儀(network analyzer)E5071C(日本安捷倫(Agilent Japan)公司製造)，將1MHz至20GHz的範圍的信號送至信號配線53，測定附電磁波遮蔽片的印刷配線板8的特性阻抗及傳送損失。再者，實施例1~實施例15及比較例1~比較例4是將信號電路的L/S(線/空間(line/space))設為30μm/100μm，以由式(1)求出的特性阻抗成為100mΩ±5mΩ的範圍內的方式適當調整覆蓋層與遮蔽片的接著劑層的厚度。另一方面，比較例5是將覆蓋層與遮蔽片的接著劑層的合計厚度設為50.5μm，以特性阻抗成為100mΩ±5mΩ的範圍內的方式調整信號電路的配線寬度。再者，實施例1~實施例15及比較例1~比較例5中，接地配線54的寬度設為100μm，接地配線54與信號配線53之間的距離設為1mm。
(覆蓋層與接著層的厚度)
將附電磁波遮蔽的印刷配線板8切斷成寬度5mm．長度5mm左右的大小之後，向載玻片上滴加環氧樹脂(Petropoxy 154，丸東(Maruto)公司製造)0.05g，使附電磁波遮蔽的印刷配線板8與載玻片接著，獲得載玻片/附電磁波遮蔽的印刷配線板8的積層體。使用截面離子拋光儀(日本電子公司製造，SM-09010)自印刷配線板8側藉由離子束照射對所獲得的積層體進行切斷加工，獲得附電磁波遮蔽的印刷配線板8的測定試樣。
針對所獲得的測定試樣的剖面，使用雷射顯微鏡(基恩 士(KEYENCE)公司製造，VK-X100)，根據所觀察到的放大圖像，測定圖12中的以箭頭T所示的位置(未形成電路的位置)的接著層71、聚醯亞胺膜57a及絕緣性接著劑層57b的厚度(以下，在本說明書中，將所述覆蓋層與接著層的厚度的合計定義為FPC的厚度)。將倍率設為500倍~2000倍而測定FPC的厚度，以如下方式進行評價。將結果示於表3。
優(Excellent)：覆蓋層與電磁波遮蔽片的接著層的合計厚度小於48.5μm。
良(Good)：覆蓋層與電磁波遮蔽片的接著層的合計厚度為48.5μm以上且小於52.5μm。
不佳(Poor)：覆蓋層與電磁波遮蔽片的接著層的合計厚度為52.5μm以上。
[傳送損失]
高頻信號下的傳送損失是藉由測定10GHz及20GHz的傳送損失而進行評價。評價基準如下所述。將所獲得的結果示於表3。
[10GHz]
優(Excellent)：小於4.5dB
良(Good)：4.5dB以上且小於5.0dB
不佳(Poor)：5.0dB以上
[20GHz]
優(Excellent)：小於7dB
良(Good)：7dB以上且小於7.5dB
不佳(Poor)：7.5dB以上
如表3所示，可知藉由使用滿足所述(i)及(ii)的材料作為接著層，可不縮窄電路的L/S而有效地抑制高頻信號下的傳送損失。獲得如下結果：使用不含有導電性填料、即不顯示導電性的接著層的實施例14可有效地抑制傳送損失，不僅如此，在將與實施例14相同的熱硬化性樹脂及硬化劑作為黏合劑成分且向其中添加導電性填料的實施例12、實施例13中，亦可使高頻用途中的傳送特性良好(可有效地抑制傳送損失)。比較例2與比較例5的組成相同，但將FPC的厚度與實施例同樣地設為50.5μm的比較例5中，需要縮窄L/S，其結果，生產性降低。
<附記>
本說明書亦揭示由所述實施方式掌握的以下所示的技術思想的發明。
(附記1)：一種電磁波遮蔽片，其是包含遮蔽釋放電磁波的組件的至少一部分的積層體的電磁波遮蔽片，且所述積層體包括：接著層，配置於所述組件上且藉由進行接合處理而與所述組件接合；及導電層，積層於所述接著層上；所述接著層包含以下至少一者作為黏合劑成分， (I)熱塑性樹脂(A)、及(II)熱硬化性樹脂(B)及與該熱硬化性樹脂(B)相對應的硬化性化合物(C)，將所述黏合劑成分進行熱壓接處理後的被膜(X)滿足以下的(i)及(ii)，(i)相對介電常數在頻率1GHz、23℃下為1~3；(ii)介電損耗正切在頻率1GHz、23℃下為0.0001~0.02。
(附記2)：如附記1記載的電磁波遮蔽片，其中熱硬化性樹脂(B)包含含羧基的樹脂，硬化性化合物(C)包含環氧化合物，進而包含有機金屬化合物及異氰酸酯化合物的至少一者。
(附記3)：如附記1或2記載的電磁波遮蔽片，其中所述接合處理後的所述接著層的厚度為3μm~50μm。
(附記4)：如附記1至3中任一項記載的電磁波遮蔽片，其中所述接著層進而含有導電性填料而顯示異向導電性。
(附記5)：如附記4記載的電磁波遮蔽片，其中所述導電性填料選自球狀粒子及樹枝狀粒子的至少一者。
(附記6)：如附記1至5中任一項記載的電磁波遮蔽片，其中所述黏合劑成分包含所述(II)，在所述接著層的熱硬化後的被膜(Y)中，氮原子數相對於碳原子數的比例為1%~10%，且氧原子數相對於碳原子數的比例為3%~20%。
(附記7)：如附記1至6中任一項記載的電磁波遮蔽片，其中所述黏合劑成分包含所述(II)，所述接著層的熱硬化後的被膜(Y)包含選自羧基及羥基中的至少任一種基，在包含所述羧基的情況下，羧基數相對於碳數的比例為0.01%~15%的範圍，在包含所述羥基的情況下，羥基數相對於碳數的比例為0.5%~20%的範圍，羧基數與羥基數的合計相對於所述碳數為35%以下。
(附記8)：如附記1至7中任一項記載的電磁波遮蔽片，其中硬化性化合物(C)含有有機金屬化合物。
(附記9)：如附記1至8中任一項記載的電磁波遮蔽片，其中所述導電層為金屬層。
(附記10)：一種電磁波遮蔽性配線電路基板，其是在配線電路基板上接合有如附記1至9中任一項記載的電磁波遮蔽片。
(附記11)：一種電子機器，其接合有如附記1至9中任一項記載的電磁波遮蔽片。
[產業上之可利用性]
本發明的電磁波遮蔽片可較佳地利用於軟性印刷配線板等電磁波遮蔽性配線電路基板、及搭載有其的電子機器。
1‧‧‧接著層
2‧‧‧導電層
3‧‧‧絕緣層
10‧‧‧電磁波遮蔽片
20‧‧‧印刷配線板(組件)
21‧‧‧基板
22‧‧‧絕緣性接著劑層
23‧‧‧聚醯亞胺膜
24‧‧‧接地圖案
25‧‧‧配線
31‧‧‧通孔

Claims (10)

  1. 一種電磁波遮蔽片，其是包含遮蔽釋放電磁波的組件的至少一部分的積層體的電磁波遮蔽片，且 所述積層體包括：接著層，配置於所述組件上且藉由進行接合處理而與所述組件接合；導電層，積層於所述接著層上；及絕緣層，形成於所述導電層上；所述接著層包含以下至少一者作為黏合劑成分，（I）熱塑性樹脂（A）、及（II）熱硬化性樹脂（B）及與所述熱硬化性樹脂（B）相對應的硬化性化合物（C），所述接著層進而含有導電性填料而顯示異向導電性，將所述黏合劑成分進行熱壓接處理後的被膜（X）滿足以下的（i）及（ii），（i）相對介電常數在頻率1 GHz、23℃下為1～3，（ii）介電損耗正切在頻率1 GHz、23℃下為0.0001～0.02。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電磁波遮蔽片，其中所述熱硬化性樹脂（B）包含含羧基的樹脂， 所述硬化性化合物（C）包含環氧化合物，進而包含有機金屬化合物及異氰酸酯化合物的至少一者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波遮蔽片，其中所述接合處理後的所述接著層的厚度為3 μm～50 μm。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波遮蔽片，其中所述導電性填料選自球狀粒子及樹枝狀粒子的至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波遮蔽片，其中所述黏合劑成分包含所述（II）， 在所述接著層的熱硬化後的被膜（Y）中，氮原子數相對於碳原子數的比例為1%～10%，且氧原子數相對於碳原子數的比例為3%～20%。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波遮蔽片，其中所述黏合劑成分包含所述（II）， 所述接著層的熱硬化後的被膜（Y）包含選自羧基及羥基中的至少任一種基，在包含所述羧基的情況下，羧基數相對於碳數的比例為0.01%～15%的範圍，在包含所述羥基的情況下，羥基數相對於碳數的比例為0.5%～20%的範圍，所述羧基數與羥基數的合計相對於碳數為35%以下。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波遮蔽片，其中所述硬化性化合物（C）含有有機金屬化合物。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電磁波遮蔽片，其中所述導電層為金屬層。
  9. 一種電磁波遮蔽性配線電路基板，其是在配線電路基板上接合有如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的電磁波遮蔽片。
  10. 一種電子機器，其接合有如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的電磁波遮蔽片。
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