TWI591866B - 發光裝置及方法 - Google Patents

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TWI591866B TW100137044A TW100137044A TWI591866B TW I591866 B TWI591866 B TW I591866B TW 100137044 A TW100137044 A TW 100137044A TW 100137044 A TW100137044 A TW 100137044A TW I591866 B TWI591866 B TW I591866B
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克里斯多弗Ｐ 哈梭
大衛Ｔ 艾默森
傑佛瑞Ｃ 布禮
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克立公司
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Description

發光裝置及方法
本文所揭示之標的物大體而言係關於發光裝置及方法。更特定而言，本文所揭示之標的物係關於用於較高電壓應用中之發光裝置及方法。
本申請案主張於2010年10月13號提出申請之美國臨時專利申請案序列號61/404,985及於2011年9月8日提出申請之美國部分接續專利申請案序列號13/227,961之權益，該等申請案之揭示內容以全文引用之方式併入本文中。
可在用於提供白色光(例如，感知為白色或接近白色)之產品中利用發光裝置(諸如發光二極體(LED))，且該等發光裝置發展為白熾燈、螢光燈及金屬鹵化物燈產品之替代品。一LED燈之一代表性實例包含具有至少一個LED晶片之一封裝，可用一磷光體(諸如，例如釔鋁石榴石(YAG))來塗佈該LED晶片之一部分。該LED晶片可在該LED燈內產生一期望波長之一發射，且該磷光體在接收到該發射時又可發射具有約550 nm之一峰值波長之黃色螢光。來自LED晶片之發射之至少一部分可透射穿過該磷光體，而至少一部分可被該磷光體吸收。透射穿過該磷光體之該光部分與由該磷光體發射之黃色光混合，且觀察者將光發射之混合物感知為白色光。作為磷光體轉換之白色光之一替代方案，可以組合方式操作紅色、藍色及綠色(RGB)發光裝置以產生感知為白色之光。產生白色光之習用LED、封裝及方法可經設計以用於較低電壓應用。
不管市場上之各種LED及LED封裝之實用性如何，適用於諸如彼等利用較高電壓之應用之經改良之封裝仍需要增強光輸出效能、增強熱效能、改良裝置可靠性及促進製造便易性。
根據本發明，提供能夠適應於各種應用及電力要求之新穎發光裝置及方法。因此，本文所揭示之標的物之一目的係提供在較高電壓應用中包含經改良之可靠性之發光裝置及方法。
自本發明變得顯而易見之本發明之此等及其他目的藉由本文所闡述之標的物至少全部或部分地達成。
在本說明書之剩餘部分中(包括參照隨附圖)更特定陳述本文所揭示之標的物之一全面及授權之揭示內容，包括熟習此項技術者所習知之其最佳模式。
現在將詳細參照本文之標的物之可行性態樣或實施例，該等可行性態樣或實施例之一或多個實例展示於該等圖中。每一實例經提供以闡釋該標的物且不充當一限制條件。實際上，圖解說明或闡述為一個態樣或實施例之部分之特徵可用於另一實施例中以產出又一另外實施例。本文所揭示及預想之標的物意欲涵蓋此等修改形式及變化形式。
如在各個圖中所圖解說明，相對於其他結構或部分誇大某些大小之結構或部分以用於圖解說明之目的，且因此該等某些大小之結構或部分經提供以圖解說明本文所揭示之標的物之通用結構。此外，參照正形成於其他結構、部分或兩者上之一結構或一部分來闡述本文所揭示之標的物之各種態樣。如熟習此項技術者將瞭解，參照正形成於另一結構或部分「上」或「上方」之一結構預期可介入額外結構、部分或兩者。在沒有一介入結構或部分之情形下參照正形成於另一結構或部分「上」之一結構或一部分在本文中闡述為正「直接」形成於該結構或部分「上」。類似地，將理解，當稱一元件「連接」、「附接」或「耦合」至另一元件時，其可直接連接、附接或耦合至另一元件，或可存在介入元件。相反，當稱一元件「直接連接」、「直接附接」或「直接耦合」至另一元件時，則不存在介入元件。
此外，在本文中使用諸如「上」、「上方」、「上部」、「頂部」、「下部」或「底部」之相對術語以如該等圖中所圖解說明而闡述一個結構或部分與另一結構或部分之關係。將理解，除該等圖中所繪示之定向之外，諸如「上」、「上方」、「上部」、「頂部」、「下部」或「底部」之相對術語還意欲涵蓋不同裝置定向。舉例而言，若倒轉該等圖中之裝置，則闡述為在其他結構或部分「上方」之結構或部分現在將定向為該等其他結構或部分之「下方」。同樣，若該等圖中之裝置沿一軸線旋轉，則闡述為在其他結構或部分「上方」之結構或部分現在將定向為「靠近」該等其他結構或部分或在其「左邊」。通篇中相同編號指代相同元件。
根據本文中所闡述之實施例之發光裝置可包含製作於一個碳化矽基板上之基於III-V族氮化物(例如，氮化鎵)之發光二極體(LED)或雷射，諸如Durham，North Carolina之Cree公司所製造並出售之彼等裝置。舉例而言，本文中所論述之碳化矽(SiC)基板/層可係4H多型碳化矽基板/層。然而，亦可使用其他碳化矽候選多型體，諸如3C、6H、及15R多型體。適當的SiC基板可自本文標的物之受讓人N.C.，Durham之Cree公司購得，且用於生產此等基板之方法陳述於科學文獻中以及若干個共同讓與之美國專利中，該等美國專利包括(但不限於)美國專利第Re. 34,861號、美國專利第4,946,547號及美國專利第5,200,022號，該等專利之揭示內容以全文引用方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「III族氮化物」係指形成於氮與週期表中III族中之一或多個元素(通常係鋁(Al)、鎵(Ga)及銦(In))之間的彼等半導體化合物。該術語亦係指二價、三價及四價化合物，諸如GaN、AlGaN及AlInGaN。該等III族元素可與氮組合以形成二價(例如，GaN)、三價(例如，AlGaN)及四價(例如，AlInGaN)化合物。此等化合物可具有其中一莫耳氮與總共一莫耳III族元素組合之經驗式。因此，常常使用分子式(諸如AlxGa1-xN，其中1>x>0)來闡述此等化合物。用於III族氮化物之磊晶生長技術已變得合理良好地發展，並報道於適當的科學文獻及共同讓與之美國專利中，該等美國專利包括美國專利第5,210,051號、美國專利第5,393,993號及美國專利第5,523,589號中，該等美國專利之揭示內容藉此以全文引用方式併入本文中。
雖然本文中所揭示之LED之各種實施例可包括一基板，但熟習此項技術者將理解，可移除其上生長包含一LED之磊晶層之結晶磊晶生長基板，且該等獨立磊晶層可安裝於一替代載體基板或基臺上，該替代載體基板或基台可具有比原始基板更好的熱、電、結構及/或光學特性。本文中所揭示之標的物並不限於具有結晶磊晶生長基板之結構且可結合其中已自其原始生長基板移除該等磊晶層並將其接合至替代載體基板之結構而使用。
舉例而言，根據本標的物之某些實施例之基於III族氮化物之LED可製作於生長基板(諸如一個碳化矽基板)上以提供水平裝置(其中兩個電觸點皆位於該LED之一相同側上)或垂直裝置(其中電觸點位於該LED之相對側上)。此外，該生長基板可在製作後維持於該LED上或將其移除(例如，藉由蝕刻、研磨、拋光等)。舉例而言，可移除該生長基板以減小所得LED之一厚度及/或減小穿過一垂直LED之一正向電壓。舉例而言，一水平裝置(具有或不具有生長基板)可覆晶接合(例如，使用焊料)至一載體基板或印刷電路板或線接合至該載體基板或印刷電路板。一垂直裝置(具有或不具有生長基板)可具有焊料接合至一載體基板或印刷電路板之一第一端子及線接合至該載體基板或印刷電路板之一第二端子。垂直LED晶片結構及水平LED晶片結構之實例係藉助實例方式論述於頒予Bergmann等人之美國公開案第2008/0258130號中及頒予Edmond等人之美國專利第7,791,061號中，該等專利之揭示內容藉此以全文引用方式併入本文中。
現在參照圖1至圖12B，圖1圖解說明一發光裝置及封裝(例如一LED封裝，通常指定為10)之一個態樣或實施例之一俯視透視圖。LED封裝10可包含一主體12，主體12可界定一反射器腔18且含納安裝於一或多個熱元件之一上部表面上方之一或多個LED晶片14。LED晶片14可直接安裝至一熱元件，或安裝於一或多個LED晶片14與熱元件之間的一或多個介入基板(未展示)上。LED晶片14可熱連接至該一或多個熱元件。LED晶片14可電連接至一或多個電組件。LED封裝10可進一步包含一靜電放電(ESD)保護裝置16，靜電放電(ESD)保護裝置16安裝於一電組件之一頂部表面上方。舉例而言，ESD保護裝置16可包含一齊納二極體、陶瓷電容器、瞬態電壓抑制(TVS)二極體、貼片壓敏電阻、一削特基二極體及/或此項技術中熟知之任一其他ESD裝置。ESD保護裝置16可使用線接合技術透過(例如)一導電線20與第一及第二電組件電連通。
仍參照圖1，主體12可包含一上部面11、一下部面13及至少一個外部側壁。上部面11可包含一拐角凹口23，拐角凹口23可傳遞該封裝(例如，包含陰極/或陽極之主體12之側)之電屬性。下部面可包含界定於其中之一或多個凹部，該一或多個凹部通常指定為80。在一個態樣中，主體 12可包含分別係15、17、19及21之四個外部側壁。在其他態樣中，主體12可僅包含一個外部壁從而形成一實質上圓形主體。外部壁15、17、19及21可包含一實質上類似及/或實質上相等之長度尺寸以使得LED封裝10包含一實質上正方形之佔用面積。在其他態樣中，該一或多個外部壁之長度可不相等以使得主體12包含一矩形佔用面積及/或製造商及/或一最終使用者所期望之任一其他形狀之佔用面積。舉例而言，主體12可包含一實質上圓形之佔用面積，或包含規則及/或不規則多邊形形狀之一佔用面積。
主體12可包含任一合適材料，諸如(例如)選自由以下成分構成之群組之一材料：模製塑膠、熱固性塑膠、熱塑性塑膠、聚合體、陶瓷、耐綸、液晶聚合物(LCP)、增強型聚合物(包含纖維、陶瓷或複合材料之聚合物)及聚鄰苯二甲醯胺(PPA)，其中主體12可安置於熱元件及電組件周圍從而保留此等元件。舉例而言，主體12可繞包含一傳熱材料32之一熱元件而形成。主體12可同時繞分別包含(例如)第一及第二電引線組件22及24之一或多個電組件而形成。在一個態樣中，可使用一模製程序形成主體12，諸如注模成形可電絕緣之一熱塑性材料及/或熱固性材料。然而可使用此項技術中熟知之任一其他形成方法，包括燒結及/或模製與燒結之組合。主體12可係白色或其他色彩之光以最小化LED封裝10所吸收之光。另外，主體12可包含如可分別形成於(例如)上部模製晶粒部分及下部模製晶粒部分(未展示)中之一上部主體部分12A及一下部主體部分12B。 反射器腔18可形成為(例如)一上部模製晶粒之一中心突出部之反轉。該主體之一或多個隔離部分可形成於各別熱元件與電組件之間。舉例而言，可形成第一及第二隔離部分26及28，第一及第二隔離部分26及28可使一或多個熱元件與一或多個電組件電隔離及/或熱隔離。在形成該主體期間或之後，一或多個LED晶片14可安裝於傳熱材料32上方且使用導線20分別電連接至第一及第二引線組件22及24中之一者或兩者。
現在參照圖2及圖3，展示一引線框架元件，其通常指定為30。引線框架元件30可包含至少一個熱元件及一或多個電組件。熱元件可包含傳熱材料32或基板(諸如，例如一散熱片)。熱元件可與一或多個電組件電隔離及/或熱隔離。電組件可分別包含第一及第二引線組件22及24。第一及第二引線組件22及24亦可統稱作「引線」。熱元件32可視情況安置於分別係第一及第二引線組件22及24之各別中間端38與58之間。主體12可繞引線框架元件30模製、安置或以其他方式形成以使得傳熱材料32可安置於反射器腔18之一底部底面上。主體12可包繞引線框架元件30之至少一部分從而保留傳熱材料32之部分及分別第一及第二引線組件22及24之部分。傳熱材料之一或多個突出部分34可沿主體12之外壁15及19曝露以協助保留傳熱材料32。
一或多個引線框架元件30最初可包含一元件薄板(未展示)。引線框架元件30可係使用任一合適方法(例如衝壓、切割及/或彎曲該薄板之一或多個部分及/或該薄板內之引 線框架元件30)由該薄板形成及/或自該薄板單粒化。LED封裝10之主體12可繞引線框架元件30之至少一部分形成且眾多LED封裝子總成可繞引線框架元件30之薄板形成。可毗鄰外部壁15及19以及分別第一及第二引線組件22及24之終止端40及60藉由切割、剪切或以其他方式分離而自該元件薄板將該眾多LED封裝子總成分離成個別LED封裝10。此分離可沿每一LED封裝10之外部壁15及19曝露傳熱材料32之突出部分34。
仍參照圖2至圖3揭示電組件，該等電組件包含由一引線框架元件30形成之第一及第二引線組件22及24。第一及第二引線組件22及24可用作給LED晶片14供應足以致使發光之電流之一各別陽極及陰極連接。第一及第二引線組件22及24可包含一金屬或此項技術中熟知之任一其他合適導電材料。第一引線組件22可包含一各別基板部分36、一中間端38、一相對終止端40、一分接頭部分42、至少一個孔口44及一或多個彎曲(例如，分別係46及48之第一及第二彎曲)。第一孔口44可在第一引線組件22內形成一或多個引線區段。舉例而言，在一個態樣中，第一引線組件22包含一個孔口44及兩個引線區段50及52。第二引線組件24可相對於第一引線組件22毗鄰且對稱。另外，第二引線組件24可包含在形式及功能兩者上皆類似於第一電引線組件22之特徵之特徵。舉例而言，第二引線組件24可包含一各別基板部分56、一中間端58、一相對終止端60、一分接頭部分62、至少一個孔口64及一或多個彎曲(例如，分別係66及 68之第一及第二彎曲)。每一各別引線組件22及/或24可包含一或多個凹口N，該一或多個凹口N可變為在外部壁15及19處保留於主體12內。該一或多個凹口N可協助處置及放置LED封裝10。舉例而言，凹口N可提供於其中具有一封裝外殼陣列之一引線框架將該等外殼保留於恰當位置直至LED封裝10單粒化時之適當時間為止之區域。該一或多個彎曲(例如，各別第一及第二彎曲46、48、66及/或68)可在LED封裝10之主體12形成之前、期間或較佳地之後界定於引線組件22及24中。參照第二引線組件24，第二孔口64可在第二引線組件24內形成一或多個引線區段。舉例而言，在一個態樣中，第二引線組件24包含一個孔口64及兩個引線區段61及63。在一既定電引線組件中可存在任一數目個孔口及/或引線區段。
分接頭部分42及62可與第一及第二中間端38及58相對。在形成主體12之後，第一及第二分接頭部分42及62可分別遠離LED封裝10之一中心朝外延伸且終止於各別末端40及60處。各別引線組件22及24之孔口44及64可將基板部分36及56分離成多個電引線區段，例如50、52、61及63。在一項實施例中，引線組件22及24中之每一者可包括用以將該等組件分離成兩個以上(例如，三個或三個以上)電引線區段之多個孔口。可用與形成主體12相同之材料填充每一孔口44及64之一第一部分。每一孔口44及64之一第二部分可安置於主體12之外部壁17及21外面以使得個別電引線區段50、52、61及63可沿主體12之外部壁17及21由孔口44及64 而與剩餘引線區段50、52、61及63分離。每一引線組件22及24可包含各別第一及第二彎曲46、48、66及68。彎曲46、48、66及68可分別包含第一及第二彎曲部分47及67。彎曲部分47及67可分別垂直於各別基板部分36及56以及第一及第二引線組件22及24之分接頭部分42及62中之每一者。彎曲部分47及67可安置於相應基板部分36及56與分接頭部分42及62之間。另外，彎曲部分47及67可沿主體12之外部壁17及21朝下包含垂直元件。彎曲部分47及67可包含過渡區域，該過渡區域使第一及第二引線組件22及24之線性基板部分36及56分別垂直過渡至各別線性分接頭部分42及62。分接頭部分42及62可與相應基板部分36及56平行且沿與相應基板部分36及56不同之一平面而定位。彎曲部分47及67可使各別基板部分36及56過渡至各別分接頭部分42及62。
一或多個孔口(例如孔口44及64)可至少部分地延伸至各別引線組件之第一彎曲48及68。孔口44及64可提供多個益處，包括促進引線組件22及24安全保留於該主體內。另外，孔口44及64可減小經受被彎曲以形成第一彎曲46及66之引線材料(例如，金屬)之量。此可減小總封裝之成本且減小形成第一彎曲46及66所需要之彎曲力之一量。彎曲可使每一電引線組件22及24之至少一部分定位至主體12之第一及第二漸縮部分25及27(圖9)中。
如圖3所圖解說明，傳熱材料32可包含一上部表面70、一下部表面72及一或多個橫向突出部(例如分別係74及76 之第一及第二橫向突出部)。傳熱材料32可視需要包含一下部突出部78，下部突出78部包含自安置於LED封裝10之下部面13中之凹部80延伸之下部表面72。橫向突出部74及76可促進主體12安全保留傳熱材料32且亦可減小沿主體12與傳熱材料32之間的介面洩漏(例如，焊料及/或囊封劑)之可能性。此等橫向突出部74、76可在數目、大小、形狀及/或定向上變化(圖12A及圖12B)。傳熱材料32可遠離LED晶片14及LED封裝10傳導熱從而改良其散熱屬性。
圖4圖解說明LED封裝(通常指定為10)之一透視仰視圖。該仰視圖亦可表示一較高電壓LED封裝90(圖6至圖8)。LED封裝10可包含繞引線框架元件30及傳熱材料32形成之主體12。傳熱材料32可自形成於LED封裝10之下部面13中之一凹部80延伸。在一個態樣中，傳熱材料32可包含與LED封裝10之凹部80齊平之下部表面72。在其他態樣中，傳熱材料32可包含自LED封裝10之凹部80延伸之下部突出部分78。下部突出部78可包含此項技術中熟知之任一高度及寬度尺寸。凹部80可提供一空間從而允許例如焊料及/或助銲劑之附接材料(未展示)之任一溢出以移動至凹部80內。此特徵可消除或減小清洗留在(例如)使用一「免清洗」焊料之一附接程序後面之殘留物之需要。凹部80亦可允許在使用(例如)須經歷一清洗程序之一「清洗」焊料之情形下更多地接近溶劑以移除回流程序之後的助銲劑。由於程序變化性，可散佈以用於連接組件(諸如傳熱材料32及一外電路(未展示)(例如一印刷電路板(PCB)))之焊料及/ 或助銲劑之量可顯著變化。由於可極難以自基板(諸如PCB)移除焊料及/或助銲劑，因此凹部80提供一空間以用於使任一過量焊料及/或助銲劑流入至從而產生之後需要清洗之(一或多個)區域。傳熱材料32之一或多個曝露部分(圖10)亦可定位於或以其他方式位於凹部80內。
仍參照圖4，各別第一及第二引線組件22及24之第一及第二分接頭部分42及62可自大約LED封裝10之一中心部分朝外延伸且於外部彎曲以包含實質上水平組件。在替代性方案中，分接頭部分42及62可自LED封裝10延伸且朝向彼此朝內彎曲。因此，分接頭部分42及62可包含此項技術中熟知之一「J-彎曲」及/或「鷗翼」型定向。分接頭部分42及62可實質上與LED封裝之下部面13齊平。分接頭部分42及62可使用任一所期望之附接方法及材料電連接一外電路及散熱器(未展示)(例如，一PCB)且安裝於該外電路及散熱器上方。舉例而言，標準焊接技術可將分接頭部分42及62以及傳熱元件32連接至一外電路或基板，其中焊料可將每一組件之底部表面弄濕。傳熱材料32可熱連接至一散熱器及/或外電路且安裝於該散熱器及/或外電路上方。此等附接方法可進一步包含(例如)在一回流銲爐中焊接LED封裝10與PCB或將LED封裝10及PCB放置於一熱板上。可使用所期望並能夠將熱元件及電組件(亦即傳熱材料32及各別引線組件22及24之分接頭42及62)緊固至PCB之任一合適焊料材料。舉例而言，附接材料可包含金、錫、銀、鉛及/或銅(Au、Sn、Ag、Pb及/或Cu)之焊料膏、回流焊料助銲 劑及/或其任一組合。舉例而言，Sn 96.5/Ag 3.0/Cu 0.5如Sn 95.5/Ag 3.8/Cu 0.7一樣係一普通無Pb焊料。
如圖4所圖解說明之傳熱材料32可包含整體作為一片而形成之一單個組件或其可包含使用所期望及/或此項技術中熟知之任一組裝程序組裝在一起之數個組件。舉例而言，下部突出部分78可整體作為一片傳熱材料32而形成或可組裝至傳熱材料32以使得其自傳熱材料32之一基底部分延伸。在一個態樣中，傳熱材料32可包含一中間熱結構以用於傳熱至另一結構(諸如一傳熱層或一散熱器)以用於進一步散熱。在此態樣中，傳熱材料32可包含具有有限熱能力且在未有效熱連接至一另外傳熱裝置(諸如一實際散熱器)之情形下能夠相當迅速地加熱之一熱結構。
圖5至圖8圖解說明LED封裝(通常指定為10及90)之俯視圖，該等封裝包含LED晶片14之可變配置。一或多個LED晶片14可配置於熱元件上方(例如傳熱材料32)，且該等配置可端視於應用而變化。圖5圖解說明經安置以分別與第一及第二引線組件22及24中之每一者電連通之一或多個LED晶片14。LED晶片14可使用導線20電連接至第一及第二引線組件22及24以使得LED晶片14之一第一部分82A電連接至第一電引線組件22且LED晶片之一第二部分82B電連接至第二電引線組件24。LED晶片14之第一部分82A及第二部分82B可包含不同電極性，亦即，分別係82A及82B之第一及第二部分中之一者充當一陽極且剩餘部分充當一陰極以使得可驅動電流穿過每一LED晶片14從而產生發 光。如圖5所圖解說明，將複數個晶片中之一或多個LED晶片14中之每一者連接至第一及第二引線組件22及24中之每一者包含一第一配置或電組態。在此電組態中，每一LED晶片14可與該複數者中之剩餘LED晶片14並聯而配置。亦即，每一LED晶片14可自一電源接收小於或大約相同之電壓，從而使得能夠使用較低電壓電源。當並聯配置時，LED晶片14亦可安裝於傳熱材料32上方。在一個態樣中，LED晶片可直接安裝至傳熱材料32。在替代性方案中，LED晶片14可安裝至安置於LED晶片14與傳熱材料32之間的一或多個介入基板(未展示)。
圖5所闡述及圖解說明之LED組態允許一封裝與一電源一起操作，該電源包含(例如)大約3.2伏(V)。在某些應用中，可期望LED封裝在小於大約3.2V(例如，大約1.5V至2V或大約2V至3.2V)之較低電壓下操作。在其他應用中，可期望LED封裝在一較高電壓下操作。圖6至圖8圖解說明針對具有大於大約3.2V之電壓之應用可操作之LED封裝(通常指定為90)之實例(不具有限制性)。舉例而言，在一個態樣中，LED封裝90可在大約3.2V至5V之一範圍內操作。在其他態樣中，LED封裝90可在5V至10V之一範圍內操作。在其他態樣中，LED封裝90可在大約10V至20V之一範圍內操作。在進一步態樣中，LED封裝90可在大於20V之電壓下操作。LED封裝90可在該封裝內包含LED晶片14之可變配置，且具有與相對於LED封裝10所闡述類似之形式及功能之LED封裝90之剩餘特徵。舉例而言，LED封裝90可繞引線框架元件30包含一模製之主體12(圖1至圖4)，引線框架包含傳熱材料32及分別係22及24之第一及第二引線組件22及24。
圖6至圖8圖解說明較高電壓封裝，諸如LED封裝90。根據本文之標的物，可藉由使該封裝內之LED晶片14之配置或電組態變化而部分實現較高電壓封裝。舉例而言，圖6至圖8圖解說明包含與至少一個其他LED晶片14串聯電連接之一或多個LED晶片14之LED封裝90。LED封裝90可包含一第一引線組件22及一第二引線組件24。分別係22及24之第一及第二引線組件中之一者可操作為一陰極且剩餘的作為一陽極以用於供應電流至一或多個LED晶片14。分別係22及24之第一及第二引線組件可突出及/或自該主體(例如，自LED封裝90之一橫向側及/或一底部表面)朝外延伸。引線組件22及24可在外部彎曲從而形成可朝下延伸並平行於外側17及21之彎曲部分47及67。LED封裝90可包含第一及第二引線組件22及24，第一及第二引線組件22及24自該主體之一中心部分延伸且在外部彎曲以分別形成線性、朝外延伸之第一及第二分接頭部分42及62。一或多個LED晶片14可藉由使用一或多個導電線20而電連通至第一及/或第二引線組件22及24。第一及第二引線組件22及24亦可與一傳熱材料32電隔離及/或熱隔離，一或多個LED晶片14可直接或間接安裝於傳熱材料32上。LED封裝90之一或多個隔離部分26及28可使傳熱材料32與第一及第二引線組件22及24分別熱隔離及/或電隔離。
圖6至圖8圖解說明在LED封裝90內包含可變配置及電組態之LED晶片14。亦即，一或多個LED晶片14可串聯、並聯及/或以其一組合分別連接至第一及第二引線組件22及24。此可使用一線接合程序而實現，其中一或多個LED晶片14可使用一或多個導線20串聯電連接至另一LED晶片14。一既定串聯序列(series)中之第一及最後一個LED晶片14然後可使用導線20分別連接至第一及第二引線組件22及24以用於驅動電流穿過LED晶片14。當LED晶片14串聯線連接時，來自一電源之電壓可在LED晶片14之間劃分或以其他方式散佈。亦即，一較高電源可與LED、LED封裝及方法一起使用，此乃因該電壓可跨越一或多個LED晶片14之該串聯序列而劃分。由該電源產生之該較高電壓可包含穿過每一個別LED晶片14之一系列各別較低電壓。如前文所揭示，該電源電壓可針對某些應用在5 V至20 V之一範圍中操作，且在其他應用中可期望其在大於20 V下操作。
圖6圖解說明LED晶片14之一配置，該配置通常指定為92。配置92包含配置成一電組態之三個LED晶片14。此處，LED晶片14圖解說明為電連接成一串聯配置。該串聯序列中之第一LED晶片14可連接至第一引線組件22且該串聯序列中之最後LED晶片可連接至第二引線組件24。此類似於LED封裝90內之LED晶片14之圖7中所圖解說明之一替代性配置(通常指定為94)。配置94在LED封裝90內包含電連接成一串聯配置之六個LED晶片。該串聯序列中之第一LED晶片14可電連接至第一引線組件22，且包含配置94之該串聯序列中之最後LED晶片14可電連接至第二引線組件24。一串聯序列內之各別第一及最後一個LED晶片14連接至引線組件以使得電流可供應至LED晶片14之整個串聯序列。本文所圖解說明之配置92及94可包含任一數目個或任一類型之LED晶片14。大體而言，串聯配置可在使用相同類型之LED晶片14之情形下更高效以使得電壓始終如一地並均勻地穿過該串聯序列中之每一晶片而分佈或以其他方式散佈。
圖8圖解說明包含以利用串聯電組態與並聯電組態兩者之一組合安裝之LED晶片14之一配置。舉例而言，圖8圖解說明通常指定為96之一配置。配置96可包含(例如)兩個含三個LED晶片14之群組，其中組成每一群組之至少一個LED晶片14可串聯電連接至該各別群組內之至少一個其他LED晶片14。通常指定為98A之一第一LED晶片群組然後可與通常指定為98B之一第二LED晶片群組並聯電連接。第一及第二群組98A及98B中之每一者可分別包含串聯電連接之一或多個LED晶片14，組成各別串聯序列中之每一者之第一及最後一個LED晶片14可分別連接至第一及第二引線組件22及24。因此，配置96利用包含一串聯組態及一並聯組態中之每一者之電組態，其中第一及第二群組98A及98B中之每一者包含串聯連接之一或多個LED晶片14而第一群組98A可並聯連接至第二群組98B。注意，圖6至圖8中所繪示之配置92、94及96可包含以一串聯安裝之任一數目個晶片，不限於所展示之配置。配置96同樣可包含並聯連接之任一數目個群組。當以串聯方式線連接時，應給予關注以確保線接合各別LED晶片14之恰當LED端子以電連接該等晶片。如早先所繪示，LED晶片14可包含一第一部分82A及一第二部分82B，該等部分包含不同電極性。亦即，第一部分82A可包含負端子且第二部分82B可包含一正端子或反之亦然。當串聯連接LED晶片時，一先前LED晶片14之第一部分82A應較佳地變為線接合及電連接至一後續LED晶片14之第二部分82B。否則，LED晶片14可由於電流可不充分供應至該串聯序列而不照明。如前文所揭示，配置96可包含任一數目個群組且不限於如所展示之第一及第二群組98A及98B。可針對一既定應用及/或期望電壓源來調整以串聯及並聯方式兩者安裝之LED晶片之組合。因此，LED晶片14可有利地以並聯、串聯方式或使用其一組合連接以適應各種電壓應用。
仍參照圖6至圖8，出於圖解說明之目的且在無限制之情形下，LED晶片14圖解說明為串聯配置成串聯對準或設計之一Z形組態，但可使用LED晶片之任一合適對準或組態。舉例而言且在無限制之情形下，LED晶片14可平行及/或垂直串聯配置成一柵格或一陣列或甚至其一組合。而且，關於使用LED封裝之不同應用，且大體而言，並聯線連接物件可比串聯線連接物件更快地耗盡一電源，此乃因並聯之物件結果可自該電源汲取更多電流。在正使用之所有LED晶片具有相同之功率規格之情形下其亦可有幫助。
圖9圖解說明通常指定為90之LED封裝之一側視圖。圖9亦可圖解說明LED封裝10，此乃因除該等封裝內之LED晶片14之一配置之外，LED封裝10及90中之每一者可包含類似形式及功能之類似特徵。圖9圖解說明主體12，主體12包含可分別形成於(例如)上部模製晶粒部分及下部模製晶粒部分(未展示)中之上部主體部分12A及下部主體部分12B。一或多個漸縮部分(例如第一及第二漸縮部分25及27)可係由主體12之外部側壁17及21界定且可毗鄰(例如，在下方)第一及第二引線組件22及24延伸穿過外部側壁17及21之位置。此等第一及第二漸縮部分25、27可經配置以接納第一及第二引線組件22及24之彎曲部分47、67或彎曲部分47、67之厚度之至少一部分。第一及第二漸縮部分25及27中之每一者可相對於相應外部側壁17及21包含一深度。每一第一及第二漸縮部分25及27之深度可分別較佳地包含實質上等於或大於第一及第二電引線組件22及24之一平均厚度之一深度。第一及第二漸縮部分25及27可提供多個益處。舉例而言，第一及第二漸縮部分25及27可實質上消除安置於第一彎曲46及66正下方之材料之一存在從而減小在形成第一彎曲46及66期間施加至主體12之應力之一量，可在將引線框架元件30保留於主體12中之後形成第一彎曲46及66。第一及第二漸縮部分25及27之另一益處係使得第一彎曲46及66中之每一者具有一較緊彎曲半徑。此可減小或消除彎曲部分47及67之朝外延伸，彎曲部分47及67可實質上平行於外壁17及21且至少實質上垂直於下部面13及第一及第二引線組件22及24從而減小LED封裝10之有效佔用面積。LED封裝之有效佔用面積之減小可使得此等封裝10能夠以較高密度安裝於一外基板(未展示)上，及/或視情況與具有減小之孔間距之一朗伯反射器或擴散器(例如，一背光顯示器裝置(諸如一LCD顯示器)內)重疊。因此，漸縮部分25及27可藉由達成較高通量密度及/或較大發光均勻性而使得LED封裝(諸如10及90)能夠顯現出增強之光效能。
圖10圖解說明LED封裝90之一剖面視圖。可用一囊封劑E填充、塗佈或以其他方式覆蓋反射器腔18。囊封劑E可包含此項技術中熟知之任一合適材料且可視情況包含一磷光體或一螢光粉以與由一或多個LED晶片14發射之光相互作用且作為回應發射一期望波長光譜之光。出於圖解說明之目的，囊封劑E展示為經安置並填充反射器腔18以基本上與主體12之一上部面11齊平。然而，囊封劑E可填充至反射器腔18內之任一合適位準或甚至超出並延伸於反射器腔18上方。
圖10圖解說明傳熱材料14之一或多個經曝露部分。舉例而言，傳熱材料32可包含自LED封裝90之通常指定為80之凹部突出且安置於其內之經曝露部分73、75、77、72、81、83及85。每一經曝露部分73、75、77、72、81、83及85可包含傳熱材料32之一外表面，傳熱材料32可整體作為一片而形成或係由一個以上部分(諸如圖3及圖4中所圖解說明之突出部分78)而形成。圖10亦圖解說明延伸主體12之下部部分12B之全厚度之傳熱材料32。第一及第二引線組件22及24分別倚靠於主體12之下部部分12B上方且可安置於主體12之各別上部12A部分與下部12B部分之間。如圖3及圖4所圖解說明，第一及第二引線組件22及24可包含基板36、56，基板36、56可位於各別分接頭部分42及62上方之一水平平面上且相對於彎曲部分47及77垂直配置。
圖11A及圖11B圖解說明可形成LED封裝10及/或90之主體12之簡化示意性剖面視圖。LED封裝可包含由一底面F界限之反射器腔18。底面F可包含第一及第二引線組件22及24之部分、隔離部分26及28、以及傳熱材料32之頂部表面70。反射器腔18可由外側壁15、17、19及21沿邊緣界限。反射器腔18可包含任一形狀，舉例而言，反射器腔18可包含界定圓形反射器腔18之一圓形壁或反射器腔18可包含界定一實質上正方形反射器腔18之內壁。反射器腔18可包含此項技術中熟知之任一大小及/或形狀。反射器腔18可包含一或多個部分，該一或多個部分可自傾斜部分及/或其壁垂直於外壁15、17、19及21之實質上豎直部分過渡。舉例而言，反射器腔18可包含相對於垂直於底面F之一平面具有角度θ之一第一部分。類似地，且在相同封裝中可能的係，反射器腔18可相對於垂直於底面F之一平面包含一角度φ。在一個態樣中，反射器腔18包含至少大約20度之一傾角θ。在另一態樣中，角度θ可包含至少大約30度。在進一步態樣中，角度θ可包含至少大約40度。傾角θ亦可包含至少約45度，或至少約50度。
參照圖11B，反射器腔可包含以至少約30度、至少約40度或至少約50度之一角度φ傾斜。在進一步實施例中，角度φ可包含約55度，或至少約60度。此等角度θ及φ可大於習用LED封裝中通常所採用。雖然本文所闡述之反射器腔18可包含自該腔之底面至該封裝之上部邊緣成角度之豎直壁，但替代性實施例可包含分區及/或彎曲之剖面，亦即自底面F延伸至該封裝之上部邊緣之該壁沿其至少一部分可包含非線性剖面。若此等壁彎曲或分區，則上文所提及之傾角可對應於一彎曲或分區壁之一平均角度，或此一壁之端點之間的一角度。包含交替角度之反射器腔18使得反射器腔18之一正面區域能夠相對於正方形形狀之上部面11最大化，同時期望地提供漫反射輸出光束特性，特別係在多個LED安置於反射器腔18內。
參照圖12A及圖12B，圖解說明傳熱材料32之替代性實施例。傳熱材料32可包含上部表面70、下部表面72、下部突出部分78及自該材料之橫向側壁朝外突出之橫向突出部74及76。圖12A揭示可係非線性且朝上彎曲之橫向突出部74及76。圖12B圖解說明一替代性實施例，其中傳熱材料32包含朝上成角度或以其他方式係漸縮之橫向突出部74及76，橫向突出部74及76自傳熱材料32之側壁朝外及朝上延伸。橫向突出部74及76可包含期望之任一大小、形狀及/或配置。舉例而言，可採用朝下彎曲及/或成角度之橫向突出部。同樣，可採用前述橫向突出部之任一組合。可使用此項技術中熟知之任一合適的製造方法來形成橫向突出部。舉例而言，可使用衝壓、鍛造、擠壓、碾磨及/或機械加工來形成橫向突出部74及76。在某些情形中，可用傳熱材料32之外側壁中之凹部(未展示)來替換或補充橫向突出部74及76以提供一類似密封效用，其中可使用上文所概述之類似方法形成此等凹部。傳熱材料72可包含一表面，一或多個LED晶片14可安裝於該表面上方且其中一反射器腔18可繞LED晶片14而安置。
該等圖式中所展示及上文所闡述之本發明之實施例係可屬於隨附申請專利範圍之範疇內之諸多實施例之實例。能夠達成較高電壓應用之LED裝置、方法及封裝之組態可預期包含除所特定揭示之彼等之外的諸多組態。
10．．．發光二極體封裝
11．．．上部面
12．．．主體
12A．．．上部主體部分
12B．．．下部主體部分
13．．．下部面
14．．．發光二極體晶片
15．．．外側壁
16．．．靜電放電(ESD)保護裝置
17．．．外側壁
18．．．反射器腔
19．．．外側壁
20．．．導電線
21．．．外側壁
22．．．第一電引線組件
23．．．拐角凹口
24．．．第二電引線組件
25．．．第一漸縮部分
26．．．第一隔離部分
27．．．第二漸縮部分
28．．．第二隔離部分
30．．．引線框架元件
32．．．傳熱材料
34．．．突出部分
36．．．基板部分
38．．．中間端
40．．．相對終止端
42．．．分接頭部分
44．．．孔口
46．．．第一彎曲
47．．．第一彎曲部分
48．．．第二彎曲
50．．．電引線區段
52．．．電引線區段
56．．．基板部分
58．．．中間端
60．．．終止端
61．．．電引線區段
62．．．分接頭部分
63．．．電引線區段
64．．．孔口
66．．．第一彎曲
67．．．第二彎曲部分
68．．．第二彎曲
70．．．上部表面
72．．．下部表面
73．．．經曝露部分
74．．．第一橫向突出部
75．．．經曝露部分
76．．．第二橫向突出部
77．．．經曝露部分
78．．．突出部分
80．．．凹部
81．．．經曝露部分
82A．．．第一部分
82B．．．第二部分
83．．．經曝露部分
85．．．經曝露部分
90．．．發光二極體封裝
92．．．配置
94．．．配置
96．．．配置
98A．．．第一發光二極體晶片群組
98B．．．第二發光二極體晶片群組
E．．．囊封劑
F．．．底面
N．．．凹口
圖1圖解說明根據本文之標的物之一態樣之一發光二極體(LED)封裝及LED之一透視俯視圖；
圖2圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED封裝之組件之一透視圖；
圖3圖解說明圖2中所展示之LED組件之一端視圖；
圖4圖解說明根據本文之標的物之一態樣之一LED封裝之一透視仰視圖；
圖5圖解說明圖1中所展示之LED封裝之一頂部平面視圖；
圖6圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED之一頂部平面視圖；
圖7圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED之一頂部平面視圖；
圖8圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED之一頂部平面視圖；
圖9圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED封裝之一側視圖；
圖10圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED封裝之一剖面視圖；
圖11A及圖11B圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED封裝；及
圖12A及圖12B圖解說明根據本文之標的物之一態樣之LED封裝。
10．．．發光二極體封裝
11．．．上部面
12．．．主體
12A．．．上部主體部分
12B．．．下部主體部分
13．．．下部面
14．．．發光二極體晶片
15．．．外側壁
16．．．靜電放電(ESD)保護裝置
17．．．外側壁
18．．．反射器腔
19．．．外側壁
20．．．導電線
21．．．外側壁
22．．．第一電引線組件
23．．．拐角凹口
24．．．第二電引線組件
26．．．第一隔離部分
28．．．第二隔離部分
32．．．傳熱材料
34．．．突出部分
42．．．分接頭部分
62．．．分接頭部分
64．．．孔口
80．．．凹部
N．．．凹口

Claims (19)

  1. 一種發光二極體(LED)之封裝，該封裝包含：一封裝主體；一引線框架，其包含一第一引線組件及一第二引線組件；一熱元件，包括至少一橫向突出部在其側邊，其中該熱元件透過該封裝主體之部分與該第一及第二引線組件物理性及電性的隔離；及一第一LED群組，其配置於該熱元件上方，其中該第一LED群組包含串聯電連接至一第二LED之一第一LED,其中該第一LED群組配置在該熱元件之平面與該引線框架共平面，及其中該封裝主體係包圍該熱元件及一或多個該第一及第二引線組件一體形成，以致該至少一橫向突出部在其三外側邊被該封裝主體所包圍，藉此牢固地支持該熱元件及一或多個該第一及第二引線組件而與該封裝主體形成一單元。
  2. 如請求項1之封裝，其中該封裝主體繞該熱元件之一部分及該等第一及第二引線組件中之每一者之一部分而形成。
  3. 如請求項1之封裝，其中該封裝主體包含一模製塑膠主體。
  4. 如請求項1之封裝，其中該第一LED群組並聯電連接至一 第二LED群組。
  5. 如請求項4之封裝，其中該第二LED群組包含串聯電連接至一後續LED之一先前LED。
  6. 如請求項5之封裝，其中該第一群組包含配置成一第一Z形組態之LED，且該第二群組包含配置成一第二Z形組態之LED。
  7. 一種發光二極體(LED)封裝，該封裝包含：一引線框架，其包含一第一引線組件、一第二引線組件及一熱元件，其中該熱元件包括至少一橫向突出部在側邊且各與該第一及第二引線組件物理性及電性的隔離，且其中該封裝主體係包圍該熱元件及一或多個該第一及第二引線組件一體形成，以致該至少一橫向突出部在其三外側邊被該封裝主體所包圍，藉此牢固地支持該熱元件及一或多個該第一及第二引線組件而與該封裝主體形成一單元；一第一LED群組，其配置在該熱元件之上，該第第一LED群組包含串聯電連接至一第二LED之一第一LED；及一第二LED群組，其配置在該熱元件之上；其中該第一LED群組並聯電連接至該第二LED群組，且其中該第一及第二LED群組所配置之該熱元件之平面與該引線框架共平面。
  8. 如請求項7之封裝，其中該第二LED群組包含串聯電連接至一後續LED之一先前LED。
  9. 如請求項7之封裝，其中該等第一及第二LED群組電連接至第一及第二引線組件。
  10. 如請求項7之封裝，其中該等第一及第二LED群組以非線性之形態配置於該熱元件上方。
  11. 如請求項7之封裝，進一步包含繞該等第一及第二引線組件中之每一者之一部分模製之一封裝主體，其中該封裝主體包括繞該等第一及第二LED群組安置之一腔。
  12. 如請求項11之封裝，其中該封裝主體包括置於該腔之至少一部分中之囊封劑。
  13. 如請求項11之封裝，其中該封裝主體包含形成於該封裝主體之一底部表面中之一凹部。
  14. 一種將發光二極體(LED)配置在一封裝內之方法，該方法包含：提供一引線框架，其包含一第一引線組件、一第二引線組件及一熱元件，其中該熱元件包括至少一橫向突出部在其側邊且各與該第一及第二引線組件物理性及電性的隔離，且其中該封裝主體係包圍該熱元件及一或多個該第一及第二引線組件一體形成，以致該至少一橫向突出部在其三外側邊被該封裝主體所包圍，藉此牢固地支持該熱元件及一或多個該第一及第二引線組件而與該封裝主體形成一單元；提供一第一LED群組在該熱元件之上，其中該第一群組中之一第一LED串聯電連接至該第一群組中之一第二LED； 提供一第二LED群組在該熱元件之上；將該第一LED群組與該第二LED群組並聯電連接；及囊封在該第一或第二LED群組之至少若干LED，其中該第一及第二LED群組所配置之該熱元件之平面與該引線框架共平面。
  15. 如請求項14之方法，其中提供該第二LED群組包含提供包含串聯電連接至一後續LED之一先前LED之一第二LED群組。
  16. 如請求項14之方法，其進一步包含將該等第一及第二LED群組中之每一者電連接至該第一及第二引線組件。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包含將該等第一及第二LED群組配置於一封裝主體內以使得該等第一及第二群組中之每一者包含一Z形串聯配置。
  18. 如請求項17之方法，其中該封裝主體包含模製塑膠。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包含用包含一磷光體之一囊封劑填充該封裝主體之至少一部分。
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WO (1) WO2012050994A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859471B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Cree, Inc. High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US8860043B2 (en) 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
DE102011005047B3 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Ag Leuchtvorrichtung
DE102011083691B4 (de) * 2011-09-29 2020-03-12 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
US9343383B2 (en) * 2012-03-02 2016-05-17 Cree, Inc. High voltage semiconductor devices including electric arc suppression material and methods of forming the same
CN103367344B (zh) * 2012-04-11 2016-04-27 光宝电子(广州)有限公司 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
EP2882002B1 (en) * 2012-07-30 2016-10-05 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light source unit
JP6119240B2 (ja) * 2012-12-27 2017-04-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2014151913A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Hubbell Incorporated Led luminaire having improved performance
CN105190893B (zh) * 2013-03-15 2018-11-13 亮锐控股有限公司 发光结构和底座
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US10234119B2 (en) * 2014-03-24 2019-03-19 Cree, Inc. Multiple voltage light emitter packages, systems, and related methods
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
TWI553264B (zh) 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US9711700B2 (en) 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same
JP6332251B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6680274B2 (ja) * 2017-06-27 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及び樹脂付リードフレーム
CN110858616B (zh) * 2018-08-24 2021-03-19 广东锐陆光电科技有限公司 Led支架加工方法及led支架
KR102011110B1 (ko) * 2019-01-25 2019-08-14 금호이앤지 (주) 고체콘덴서를 이용한 led 컨버터
US11252821B2 (en) 2019-08-13 2022-02-15 CoreLed Systems, LLC Optical surface-mount devices

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34861A (en) 1862-04-01 Improved washing-machine
US4679118A (en) 1984-08-07 1987-07-07 Aavid Engineering, Inc. Electronic chip-carrier heat sinks
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
JPH03154368A (ja) * 1989-11-10 1991-07-02 Nitto Denko Corp 半導体装置
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JP3154368B2 (ja) * 1994-02-25 2001-04-09 新東工業株式会社 ガス硬化式鋳型造型装置
AU2231795A (en) 1994-04-14 1995-11-10 Olin Corporation Electronic package having improved wire bonding capability
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
CN1122304C (zh) 1997-02-10 2003-09-24 松下电器产业株式会社 树脂封装型半导体装置的制造方法
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP3718131B2 (ja) 2001-03-16 2005-11-16 松下電器産業株式会社 高周波モジュールおよびその製造方法
DE10117889A1 (de) 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6936855B1 (en) 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP4211359B2 (ja) 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
CN100420048C (zh) 2003-03-14 2008-09-17 住友电气工业株式会社 半导体器件
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
USD512384S1 (en) 2003-07-09 2005-12-06 Nichia Corporation Light emitting diode
WO2005020338A1 (ja) 2003-08-26 2005-03-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
WO2006065007A1 (en) 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method
US7224047B2 (en) 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7777247B2 (en) 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR101241973B1 (ko) * 2005-03-11 2013-03-08 서울반도체 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR100591687B1 (ko) * 2005-05-06 2006-06-22 럭스피아 주식회사 칼라게멋을 향상한 멀티-칩 발광다이오드 패키지 및 이를채용한 백라이트 유닛
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
US7550319B2 (en) 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
JP2007073836A (ja) 2005-09-08 2007-03-22 Sharp Corp 光結合素子、光結合素子の製造方法及び光結合素子を搭載した電子機器
KR100616695B1 (ko) 2005-10-04 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
US7429790B2 (en) 2005-10-24 2008-09-30 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and method of manufacture
US7943946B2 (en) 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
KR100780176B1 (ko) 2005-11-25 2007-11-27 삼성전기주식회사 측면 방출 발광다이오드 패키지
USD573113S1 (en) 2005-12-09 2008-07-15 Nichia Corporation Light emitting diode
US7400049B2 (en) 2006-02-16 2008-07-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with heat sink
JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR100854328B1 (ko) 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
TW200807745A (en) 2006-07-28 2008-02-01 Delta Electronics Inc Light-emitting heat-dissipating device and packaging method thereof
JP5054345B2 (ja) * 2006-09-12 2012-10-24 リンテック株式会社 ウィンドー用粘着フィルム
JP2008071954A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Mimaki Denshi Buhin Kk 光源装置
USD566055S1 (en) 2006-09-21 2008-04-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
US7852015B1 (en) 2006-10-11 2010-12-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Solid state lighting system and maintenance method therein
USD580375S1 (en) 2006-10-12 2008-11-11 Semi-Photonics Co., Ltd. Lead frame for a two-pin light emitting diode device
TW200845423A (en) * 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
USD594827S1 (en) 2006-12-07 2009-06-23 Cree, Inc. Lamp package
JP2008172125A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Citizen Electronics Co Ltd チップ型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
TW200843130A (en) 2007-04-17 2008-11-01 Wen Lin Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US20080258130A1 (en) 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
USD573114S1 (en) 2007-05-04 2008-07-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
EP2147244B1 (en) 2007-05-07 2015-12-02 Koninklijke Philips N.V. Led-based lighting fixtures for surface illumination with improved heat dissipation and manufacturability
JP4341693B2 (ja) 2007-05-16 2009-10-07 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子およびその製造方法
US8436371B2 (en) 2007-05-24 2013-05-07 Cree, Inc. Microscale optoelectronic device packages
US7566159B2 (en) 2007-05-31 2009-07-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Side-emitting LED package with improved heat dissipation
US20090008662A1 (en) 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US8354992B2 (en) 2007-07-13 2013-01-15 Tte Indianapolis Appearance improvement for zone backlit LCD displays
USD580891S1 (en) 2007-07-20 2008-11-18 Alti-Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
US9090750B2 (en) 2007-07-23 2015-07-28 Dsm Ip Assets B.V. Plastic component for a lighting systems
TWM331086U (en) 2007-10-17 2008-04-21 Tai Sol Electronics Co Ltd Combination of LED and heat conduction device
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
WO2009061352A1 (en) 2007-11-08 2009-05-14 Innovations In Optics, Inc Led illumination system
GB2470802B (en) * 2007-11-16 2011-10-05 Uriel Meyer Wittenberg A silver-based thermally conductive composition for thermally coupling LED chips to heat sinks
US20090140271A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Wen-Jyh Sah Light emitting unit
TW200928203A (en) 2007-12-24 2009-07-01 Guei-Fang Chen LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method
USD597968S1 (en) 2008-03-13 2009-08-11 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
USD597971S1 (en) 2008-03-13 2009-08-11 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
JP2010034262A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2010020105A1 (zh) * 2008-08-22 2010-02-25 Lou Mane 直接用交流电驱动的发光二极管
USD608307S1 (en) 2008-08-28 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode
USD621798S1 (en) 2008-08-29 2010-08-17 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light-emitting diode substrate
US20100059783A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
USD595675S1 (en) 2008-09-24 2009-07-07 Harvatek Corporation Light emitting diode
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
USD621799S1 (en) 2009-01-12 2010-08-17 Cree, Inc. Light emitting diode
USD641719S1 (en) 2009-06-05 2011-07-19 Cree, Inc. Light emitting diode
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
USD648686S1 (en) 2010-04-30 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20100181582A1 (en) 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
JP4640514B2 (ja) * 2009-02-27 2011-03-02 東芝ライテック株式会社 発光モジュール
CN102450103A (zh) * 2009-05-28 2012-05-09 Lynk实验室公司 多电压和多亮度led照明装置和使用它们的方法
US8860043B2 (en) 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
USD648687S1 (en) 2009-06-05 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting device package
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8476812B2 (en) 2009-07-07 2013-07-02 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
US7932532B2 (en) 2009-08-04 2011-04-26 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
USD634716S1 (en) 2009-08-06 2011-03-22 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode illumination device
USD632659S1 (en) 2009-11-11 2011-02-15 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode lamp
USD627310S1 (en) 2009-11-27 2010-11-16 Lite-On Technology Corp. Package of a light emitting diode
USD622680S1 (en) 2009-12-04 2010-08-31 Silitek Electronic (Guangzhou) Go., Ltd. Package of a light emitting diode
USD626095S1 (en) 2009-12-11 2010-10-26 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD634286S1 (en) 2010-02-10 2011-03-15 Lextar Electronics Corporation Lead frame
USD634285S1 (en) 2010-02-10 2011-03-15 Lextar Electronics Corporation Lead frame
USD634284S1 (en) 2010-02-10 2011-03-15 Lextar Electronics Corporation Lead frame
USD632267S1 (en) 2010-02-12 2011-02-08 Lextar Electronics Corp. Light emitting diode packaging carrier
USD658599S1 (en) 2010-03-26 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode module
USD628541S1 (en) 2010-06-14 2010-12-07 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
WO2012109225A1 (en) 2011-02-07 2012-08-16 Cree, Inc. Components and methods for light emitting diode (led) lighting
US8314566B2 (en) * 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859471B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Cree, Inc. High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting

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