KR20160087549A - 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자의 제조방법 - Google Patents
발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160087549A KR20160087549A KR1020150006649A KR20150006649A KR20160087549A KR 20160087549 A KR20160087549 A KR 20160087549A KR 1020150006649 A KR1020150006649 A KR 1020150006649A KR 20150006649 A KR20150006649 A KR 20150006649A KR 20160087549 A KR20160087549 A KR 20160087549A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- bonding layer
- emitting device
- thickness
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 36
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical class [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical class OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 발광구조물과, 상기 발광구조물 상에 본딩층과, 상기 본딩층 상에 지지기판을 포함하고, 상기 지지기판의 두께에 대한 상기 본딩층의 두께의 비가 0.04 이상 0.06 이하이다.
실시예에 따른 발광소자는 발광구조물과, 상기 발광구조물 상에 본딩층과, 상기 본딩층 상에 지지기판을 포함하고, 상기 지지기판의 두께에 대한 상기 본딩층의 두께의 비가 0.04 이상 0.06 이하이다.
Description
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. LED는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하여 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하고, 상기 에너지가 빛으로 발산되면 발광소자가 된다.
질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(blue) 발광소자, 녹색(green) 발광소자, 및 자외선(UV) 발광소자는 상용화되어 널리 사용되고 있다.
수직형 발광소자는 성장 기판 상에 발광 구조물을 형성하고, 그 위에 지지 기판을 본딩시켜 형성하고, CLO 공정을 통해 발광 구조물로부터 성장 기판을 분리하는 과정을 거쳐 제조된다.
성장기판을 제거한 후 지지기판을 박화(thinning)할 경우, 지지기판과 발광구조물간의 열팽창계수 차이에 의해 웨이퍼의 휨이 발생하는 문제가 있다.
실시예는 지지기판과 본딩층을 적정한 두께로 형성하여 웨이퍼 휨 현상이 저하된 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 발광구조물과, 상기 발광구조물 상에 본딩층과, 상기 본딩층 상에 지지기판을 포함하고, 상기 지지기판의 두께에 대한 상기 본딩층의 두께의 비가 0.04 이상 0.06 이하일 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 상기 발광소자를 구비할 수 있다.
실시예는 지지기판과 본딩층을 적정한 두께로 형성하여, 웨이퍼 휨 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법이다.
도 5는 본딩층 두께에 따른 상대적인 휨 정도를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본딩층의 두께가 얇을 때를 나타내는 도면이다.
도 7은 본딩층의 두께가 두꺼울 때를 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 지지기판과 본딩층의 두께 비에 따른 휨 정도를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 12와 도 13은 실시예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 5는 본딩층 두께에 따른 상대적인 휨 정도를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본딩층의 두께가 얇을 때를 나타내는 도면이다.
도 7은 본딩층의 두께가 두꺼울 때를 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 지지기판과 본딩층의 두께 비에 따른 휨 정도를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 12와 도 13은 실시예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법이다.
도 1을 참조하면, 실리콘 재질의 성장기판(110) 상에 발광 구조물(120)을 형성하고, 발광 구조물(120)과 지지기판(150)을 접합하기 위해 금속 재질의 제1 본딩층(130) 및 제2본딩층(140)을 각각 발광 구조물(120)의 일면과 그에 대응하는 지지 기판(150)의 일면에 증착하여 형성한다.
실시예에 따른 발광소자는 성장기판(110), 성장기판(110) 상에 발광구조물(120), 발광구조물(120) 상에 제1본딩층(130)이 배치될 수 있다. 또한, 지지기판(150)과, 지지기판(150) 하부에 제2본딩층(140)이 배치될 수 있다.
성장기판(110)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예컨대, 성장기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 성장기판(110) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있고, 상기 요철 구조의 단면은 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이때, 성장기판(110) 위에는 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 이후 형성되는 발광구조물(120)의 재료와 성장기판(110)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있으며, 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
발광구조물(120)은 성장기판(110) 상에 배치될 수 있다. 발광구조물(120)은 발광을 위한 층으로서, 도시되지는 않았으나, 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. 제1도전형 반도체층 상에는 전극이 더 배치될 수 있다.
상기 활성층은 상기 제1도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2도전형 반도체층은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층을 보호할 수 있다.
실시예에 따라, 발광구조물(120)은 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층은 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층 위에는 상기 제2도전형 반도체층과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다.
발광구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다.
발광구조물(120)은 수평형, 수직형, 플립칩형, 비아 홀 타입의 수직형 중 어느 하나의 구조로 형성될 수 있다.
실시예에서는, 발광구조물(120)과 성장기판(110)을 별도의 구성 요소로 설명하였지만, 성장 기판(110)을 발광구조물(120)의 구성 요소에 포함할 수 있다.
지지기판(150)은 발광구조물(120)을 지지하기 위해 발광 구조물(120)의 일면에 접착되는 층으로 Al2O3, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 실시예에서는 지지기판(150)으로 실리콘(Si)이 사용될 수 있다. 지지기판(150)은 반도체 웨이퍼(Wafer) 일 수 있다.
지지기판(150)의 일면에는 금속 재질의 제2본딩층(140)을 포함하고 있으며, 이와 대응되는 발광 구조물(120)의 일면에도 금속 재질의 제1본딩층(130)이 형성될 수 있다. 이로부터 지지기판(110)은 발광 구조물(120)을 안정적으로 지지할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본딩층(135)은 제1본딩층(130)과 제2본딩층(140)을 포함하고, 제1본딩층(130)과 제2본딩층의 결합에 의해 형성될 수 있다. 실시예에서, 제1본딩층(130)은 제2본딩층(140) 상에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
본딩층(135)은 Ni, Sn, Ti, Cu, In, Zn, Bi, Pb, Au, Pt, Co 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속 또는 합금을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다. 본딩층(135)의 두께는 10um 이하일 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
제1본딩층(130)과 제2본딩층(140)을 포함하는 본딩층(135)에 의해 발광 구조물(120)과 지지 기판(150)을 접합시켜 발광 소자를 마련하는 단계를 수행할 수 있다.
도 3을 참조하면, 성장 기판(110)을 제거하는 단계를 수행할 수 있다. 성장 기판(110)은 식각 용액이 담겨져 있는 수조에 발광 소자를 침지시켜 성장 기판(110)을 발광 구조물(120)로부터 분리시킬 수 있다. 이와 다르게, 성장 기판(110)을 식각 용액이 담겨져 있는 수조에 침지시키기 전에 기계적 연마로 일정 영역을 제거할 수 있다. 식각 용액은 불산 계열, 황산 계열, 수산화테트라메틸암모늄(Tetramethyl ammonium hydroxide, TMAH) 계열, 수산화 칼륨(Potassium hydroxide, KOH) 계열의 식각액을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 지지기판(150)을 박화(thinning)하는 단계를 수행할 수 있다. 예컨대, 지지기판(150)은 0.1mm 이상 0.2mm 이하의 두께로 박화될 수 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니다.
이 때, 박화된 지지기판(150)은 열팽창계수가 작고, 제1본딩층(130), 제2본딩층(140), 발광구조물(120)의 열팽창계수가 커서 휨 현상이 나타날 수 있고, 이러한 휨 현상을 억제하기 위해, 실시예에 따른 발광소자는 지지기판(150)의 두께에 대한 제1본딩층(130)과 제2본딩층(140)의 전체 두께의 비가 0.04 이상 0.06 이하일 수 있다.
도 5는 본딩층 두께에 따른 상대적인 휨 정도를 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 지지기판(150)의 두께가 일정하고, 본딩층(135)의 두께가 8um 일때의 휨 정도를 1이라고 하면, 본딩층(135)의 두께가 6um일 때의 휨 정도는 0.8이고, 본딩층(135)의 두께가 4um일 때의 휨 정도는 0.4이고, 본딩층(135)의 두께가 12um일 때의 휨 정도는 1.2로 나타날 수 있다. 즉, 본딩층(135)의 두께가 얇을수록 휨 정도는 적으나, 보이드가 발생할 수 있고, 본딩층(135)의 두께가 두꺼우면 휨 정도가 커서 파손되는 문제가 있다.
도 6은 본딩층의 두께가 얇을 때를 나타내는 도면이다.
도 5와 도 6을 참조하면, 지지기판(150)의 두께가 일정하고, 본딩층(135)의 두께가 얇은 경우, 휨 정도는 적으나, 본딩층(135) 내에 복수의 보이드(void)가 발생할 수 있다.
도 7은 본딩층의 두께가 두꺼울 때를 나타내는 도면이다.
도 7(a)와 도 7(b)를 참조하면, 지지기판(150)의 두께가 일정하고, 본딩층(135)의 두께가 두꺼운 경우, 휨 정도가 커져 웨이퍼가 파손될 수 있다. 도 7(a)와 같이, 웨이퍼의 표면이 벗겨지는 필링(peeling) 현상이 발생할 수 있고, 도 7(b)와 같이, 웨이퍼가 휘거나 파손되는 현상이 발생할 수 있다.
도 8 내지 도 10은 지지기판과 본딩층의 두께 비에 따른 휨 정도를 나타내는 도면이다.
도 8과 도 9(a)를 참조하면, 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.05 인 경우, 휨 정도의 높이는 0.8mm이고, 도 8과 도 9(b)를 참조하면, 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.06 인 경우, 휨 정도의 높이는 0.9mm이고, 도 8과 도 9(c)를 참조하면, 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.07 인 경우, 휨 정도의 높이는 1.2mm로 나타날 수 있다. 즉, 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.04 이상 0.06 이하일 때, 적절한 두께 비임을 나타내는 그래프이다. 예컨대, 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.04 미만일 경우, 본딩층 내에 보이드가 발생하여 발광소자의 안정성이 저하될 수 있고, 두께비가 0.06 초과일 경우, 웨이퍼의 휨 정도가 커져서 파손될 위험이 높아질 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 10(a)는 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.1일 때를 나타내는 도면으로, 웨이퍼의 휨 정도가 커져 파손될 수 있다. 도 10(b)는 지지기판(150)의 두께에 대한 본딩층(135)의 두께비가 0.05일 때를 나타내는 도면으로, 웨이퍼가 파손 없이 유지될 수 있다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
본 발명에 따른 발광 소자 패키지는 앞서 설명한 바와 같은 구조의 발광 소자가 장착될 수 있다.
발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 패키지 몸체부(205) 상에 배치되어 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.
패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
발광 소자(100)는 패키지 몸체부(205) 상에 배치되거나 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 배치될 수 있다.
발광 소자(100)는 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 발광 소자(100)가 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 각각 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
몰딩부재(230)는 발광 소자(100)를 포위하여 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
도 12와 도 13은 실시예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
예컨대, 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 커버(2100)는 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(2100)는 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(2100)는 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 커버(2100)는 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(2100)는 외부에서 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(2200)은 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
부재(2300)는 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 가이드홈(2310)은 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(2300)는 커버(2100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(2230)와 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(2400)는 광원 모듈(2200)로부터의 열과 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)에 수납되는 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 가이드 돌출부(2510)는 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.
전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(2200)로 제공한다. 전원 제공부(2600)는 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 홀더(2500)에 의해 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
가이드부(2630)는 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 가이드부(2630)는 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(2670)는 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 연장부(2670)는 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 연장부(2670)는 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(2700)는 내부에 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(2600)가 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
또한, 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 개구(3110)를 통해 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다.
커버(3100)는 방열체(3300)와 결합하고, 광원부(3200)와 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 커버(3100)와 방열체(3300)의 결합에 의해, 광원부(3200)와 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 커버(3100)와 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 방열체(3300)의 나사홈에 커버(3100)의 나사선이 결합하는 방식으로서 커버(3100)의 회전에 의해 커버(3100)와 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 커버(3100)의 턱이 방열체(3300)의 홈에 끼워져 커버(3100)와 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.
커버(3100)는 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 커버(3100)는 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 커버(3100)는 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다.
커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.
커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(3100)는 외부에서 광원부(3200)와 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원부(3200)는 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 광원부(3200)는 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 광원부(3200)는 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.
광원부(3200)는 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 광원부(3200)는 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다.
기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 기판(3210)과 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 방열체(3300)를 관통하여 기판(3210)과 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.
발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.
발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.
방열체(3300)는 커버(3100)와 결합하고, 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 방열체(3300)의 상면(3310)은 커버(3100)와 결합할 수 있다. 방열체(3300)의 상면(3310)은 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 방열핀(3370)은 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 방열핀(3370)은 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.
부재(3350)는 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 광원부(3200)의 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.
부재(3350)의 6 개의 측면에는 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 11에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 광원부(3200)가 배치되어 있다.
부재(3350)의 측면에는 기판(3210)이 배치된다. 부재(3350)의 측면은 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 기판(3210)과 방열체(3300)의 상면(3310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다.
부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.
회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 회로부(3400)는 변환된 전원을 광원부(3200)로 공급한다. 회로부(3400)는 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 회로부(3400)는 내부 케이스(3500)에 수납되고, 내부 케이스(3500)와 함께 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다.
회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다.
회로 기판(3410)은 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 회로 기판(3410)과 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 방열체(3300)의 내부에 배치되어 회로 기판(3410)과 기판(3210)을 연결할 수 있다.
다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.
내부 케이스(3500)는 내부에 회로부(3400)를 수납한다. 내부 케이스(3500)는 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다.
수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 수납부(3510)의 형상은 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 내부 케이스(3500)는 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다.
내부 케이스(3500)는 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 내부 케이스(3500)는 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 연결부(3530)는 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 회로부(3400)와 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
소켓(3600)은 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 소켓(3600)은 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 회로부(3400)와 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 회로부(3400)와 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 소켓(3600)은 연결부(3550)의 나사선 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.
110; 성장기판
120; 발광구조물
130; 제1본딩층
140; 제2본딩층
150; 지지기판
120; 발광구조물
130; 제1본딩층
140; 제2본딩층
150; 지지기판
Claims (10)
- 발광구조물;
상기 발광구조물 상에 본딩층;
상기 본딩층 상에 지지기판을 포함하고,
상기 지지기판의 두께에 대한 상기 본딩층의 두께의 비가 0.04 이상 0.06 이하인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 지지기판의 두께에 대한 상기 본딩층의 두께의 비가 0.05인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 본딩층은,
상기 발광구조물 상에 배치되는 제1본딩층; 및
상기 지지기판과 상기 제1본딩층 사이에 배치되는 제2본딩층을 포함하는 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 본딩층의 두께는 10um 이하인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 본딩층은 Ni, Sn, Ti, Cu 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 지지기판의 두께는 0.1mm 이상 0.2mm 이하인 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 지지기판의 열팽창계수가 상기 본딩층의 열팽창계수보다 작은 발광소자. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 발광소자를 구비하는 발광소자 패키지.
- 성장기판과 발광구조물 상에 배치된 제1본딩층과 지지기판 하부에 배치된 제2본딩층이 접합하는 단계;
상기 성장기판을 제거하는 단계; 및
상기 지지기판의 후면을 박화(thinning)하는 단계를 포함하고,
상기 박막화된 지지기판의 두께에 대한 상기 제1본딩층과 제2본딩층의 두께의 합의 비가 0.04 이상 0.06 이하인 발광소자 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 박막화된 지지기판의 두께는 0.1mm 이상 0.2mm 이하인 발광소자 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150006649A KR20160087549A (ko) | 2015-01-14 | 2015-01-14 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150006649A KR20160087549A (ko) | 2015-01-14 | 2015-01-14 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160087549A true KR20160087549A (ko) | 2016-07-22 |
Family
ID=56681199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150006649A KR20160087549A (ko) | 2015-01-14 | 2015-01-14 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20160087549A (ko) |
-
2015
- 2015-01-14 KR KR1020150006649A patent/KR20160087549A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9312433B2 (en) | Light emitting element | |
| KR20160139919A (ko) | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 이를 구비하는 조명시스템 | |
| KR20150116252A (ko) | 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템 | |
| KR20150007482A (ko) | 발광 소자 | |
| EP2854185B1 (en) | Light emitting device | |
| US10199540B2 (en) | Light emitting diode, light emitting diode package including same, and lighting system including same | |
| KR102261948B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템 | |
| KR20160050210A (ko) | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| US10510925B2 (en) | Light-emitting device and lighting system comprising same | |
| US9660145B2 (en) | Light emitting device, light emitting device package having the same and light system having the same | |
| US10199534B2 (en) | Light-emitting diode, light-emitting diode package, and lighting system including same | |
| KR20160093311A (ko) | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR102346615B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR102199983B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비하는 발광소자 패키지 | |
| KR20160087549A (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 발광소자의 제조방법 | |
| KR102304643B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR20160087550A (ko) | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR20140041225A (ko) | 발광소자 | |
| KR102250519B1 (ko) | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR102187482B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템 | |
| KR20140090860A (ko) | 발광소자 | |
| KR101962222B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101920238B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR20140059445A (ko) | 발광소자 | |
| KR20160044186A (ko) | 발광소자, 이를 포함하는 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |