TWI591326B - 檢查一晶圓及／或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵 - Google Patents

檢查一晶圓及／或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵 Download PDF

Info

Publication number
TWI591326B
TWI591326B TW102127676A TW102127676A TWI591326B TW I591326 B TWI591326 B TW I591326B TW 102127676 A TW102127676 A TW 102127676A TW 102127676 A TW102127676 A TW 102127676A TW I591326 B TWI591326 B TW I591326B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dies
defects
error
focus
wafer
Prior art date
Application number
TW102127676A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201415008A (zh
Inventor
吉諾 馬庫西里
艾米爾 威德曼
艾莉絲 張
約翰 羅賓森
艾倫 派克
Original Assignee
克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 克萊譚克公司 filed Critical 克萊譚克公司
Publication of TW201415008A publication Critical patent/TW201415008A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI591326B publication Critical patent/TWI591326B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10056—Microscopic image
    • G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

檢查一晶圓及/或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵
本發明大體而言係關於用於檢查一晶圓及/或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之方法。
以下說明及實例並不由於其包含於此章節中而被承認為係先前技術。
製作諸如積體電路之半導體裝置涉及在一晶圓上形成多個層。在該晶圓之不同層上形成不同結構，且不同層上之某些結構意欲彼此電連接，而不同層上之其他結構意欲彼此絕緣。若一個層上之結構並未與其他層之其他結構適當地對準，則該等結構之未對準可阻止某些結構之適當電連接及/或其他結構之適當絕緣。因此，在可行之半導體裝置之成功製造中，量測及控制多個層在一晶圓上之對準係重要的。
一般而言，一晶圓上之一個層與另一層之對準係藉由在對該晶圓執行之一微影程序之一曝光步驟中晶圓之對準來判定。特定而言，由於微影程序涉及在一抗蝕材料中形成經圖案化特徵、然後使用其他製作程序將該等經圖案化特徵轉印至一裝置材料，因此該微影程序一般而言控制將該等經圖案化特徵(及因此根據該等經圖案化特徵形成 之裝置結構)形成於晶圓上之何處。因此，在製作程序中，在微影程序之前、期間及/或之後量測及控制晶圓之對準及因此一個層上之特徵相對於另一層上之特徵之疊對係一關鍵步驟。
除疊對以外的微影程序之參數亦影響形成於該晶圓上之所得經圖案化特徵。舉例而言，在微影程序中使用之曝光工具之聚焦及劑量可影響經圖案化特徵之各種特徵，諸如臨界尺寸、側壁角度及高度。若經圖案化特徵並未形成於此等特徵之規範內，則根據該等經圖案化特徵形成之裝置結構可不能適當地彼此絕緣或適當地彼此連接。另外，此等特徵亦可影響形成於晶圓上之裝置之電特徵。因此，監視及控制微影程序之多個參數以確保製作可行之裝置且亦確保製作具有合適功能之裝置係重要的。
相應地，開發可用於藉由在製作裝置之前消除設計問題且監視及控制微影程序來改良製作於晶圓上之裝置之系統及/或方法將係有利的。
各種實施例之以下說明不應以任何方式視為限制隨附申請專利範圍之標的物。
一項實施例係關於一種用於檢查一晶圓之方法。該方法包含：獲取印刷於一晶圓上之多個晶粒之影像。該多個晶粒中之每一者係藉由對該晶圓執行一雙重圖案化微影程序而印刷。該多個晶粒包含以針對該雙重圖案化微影程序之疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒。該方法亦包含：比較針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像與針對以該等經調變值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像。另外，該方法包含：基於該比較步驟之結果來偵測以該等經調變值印刷之該多個晶粒中之缺陷。
另一實施例係關於一種用於預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之方法。該方法包含：使用一微影程序對形成於一晶圓上之一或多個晶粒執行度量衡。該方法亦包含：基於該度量衡之結果來判定該微影程序在該一或多個晶粒中之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合。另外，該方法包含：藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之設計資料來模擬由該一或多個晶粒形成之一裝置之一或多個特徵，諸如輪廓。
可如本文中進一步闡述來執行上文所闡述之方法實施例之步驟中之每一者。上文所闡述之方法可包含本文中所闡述之任何其他(一或多個)方法之任何其他(一或多個)步驟，且可使用本文中所闡述之系統中之任一者來執行。
20‧‧‧晶圓
22‧‧‧列
24‧‧‧行
200‧‧‧影像獲取子系統
202‧‧‧光源
204‧‧‧光束分離器
206‧‧‧折射光學元件
208‧‧‧晶圓
210‧‧‧台
212‧‧‧偵測器
214‧‧‧傳輸媒體
216‧‧‧電腦子系統
300‧‧‧電腦可讀媒體
302‧‧‧程式指令
304‧‧‧電腦系統
400‧‧‧度量衡工具
402‧‧‧光源
404‧‧‧光學元件
406‧‧‧晶圓
408‧‧‧光學元件
410‧‧‧光學元件
412‧‧‧偵測器
414‧‧‧光學元件
416‧‧‧光學元件
418‧‧‧偵測器
420‧‧‧電腦子系統
A‧‧‧晶粒
B‧‧‧晶粒
在閱讀以下詳細說明並參考隨附圖式時，將明瞭本發明之其他目的及優點，在圖式中：圖1係圖解說明印刷於一晶圓上之多個晶粒之一項實施例之一示意圖，該晶圓包含以一雙重圖案化微影程序之一參數之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該參數之經調變值印刷之一或多個晶粒；圖2係圖解說明經組態用於檢查一晶圓之一系統之一項實施例之一側視圖之一示意圖；圖3係圖解說明儲存程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一項實施例之一方塊圖，該等程式指令可執行於一電腦系統上用於執行本文中所闡述之一或多種方法；且圖4係圖解說明經組態用於預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之一系統之一項實施例之一側視圖之一示意圖。
儘管易於對本發明做出各種修改及替代形式，但其特定實施例係以實例方式展示於圖式中且將在本文中進行詳細闡述。然而，應理 解，圖式及對圖式之詳細說明並非意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，而是相反，本發明意欲涵蓋歸屬於如隨附申請專利範圍所界定之本發明精神及範疇內之所有修改形式、等效形式及替代形式。
現在轉至圖式，應注意，圖並非按比例繪製。特定而言，該等圖中之某些元件之比例經極力放大以強調該等元件之特徵。亦應注意，該等圖並未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可以類似方式組態之展示於一個以上圖中之元件。
一項實施例係關於一種用於檢查一晶圓之方法。該方法包含：獲取印刷於一晶圓上之多個晶粒之影像。該多個晶粒中之每一者係藉由對該晶圓執行一雙重圖案化微影(DPL)程序而印刷。一DPL程序可涉及兩個單獨的微影圖案化步驟。在該等微影圖案化步驟中之每一者之後，可執行一蝕刻程序(可能後續接著其他程序步驟)。該DPL程序亦可係包含於一微影程序中或係為其部分之一程序，其包含兩次以上的單獨曝光。舉例而言，對該晶圓執行之微影程序可係一三重圖案化微影(TPL)程序或一四重圖案化微影(QPL)程序。以此方式，如本文中所使用之術語「DPL」程序意欲指代包含至少兩個單獨的微影圖案化步驟之任何多重圖案微影(MPL)程序。
該多個晶粒包含以針對該DPL程序之疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒。以此方式，本文中所闡述之實施例出於隨著光罩疊對誤差增加而有意地致使缺陷之目的來利用逐晶粒(或逐場)疊對之有意調變。
圖1中展示多個晶粒在一晶圓上之一佈局之一項實施例。如圖1中所展示，該多個晶粒可印刷於晶圓20上成列22及行24。如圖1中進一步展示，該晶圓可針對每一行「A」晶粒包含兩行「B」晶粒。「B」晶粒係以疊對之標稱值印刷，且「A」晶粒係以疊對之經調變 值印刷。因此，可以相同值印刷晶圓上之「B」晶粒中之每一者。另外，可以彼此不同之疊對值印刷任何一行中之「A」晶粒中之每一者。以此方式，可在晶圓上逐列地調變疊對之值。該等疊對值可以任何合適增量調變，且經調變之疊對值之範圍可取決於(舉例而言)可印刷於晶圓上之經調變晶粒之數目而變化。可沿x方向及y方向調變該疊對。舉例而言，沿x方向之疊對之經調變值可係用於沿x方向對準之一標稱值外加沿x方向之對準之某一誤差。沿y方向之疊對可以一類似方式調變。
獲取該多個晶粒之影像可在已對該晶圓執行該DPL程序之兩個曝光步驟之後加以執行。以此方式，可在晶圓之第二次曝光之後執行疊對特徵化。獲取該晶圓上之多個晶粒之影像可使用一寬頻帶圖案化晶圓缺陷檢查系統來執行，諸如可自加利福尼亞州苗必達市(Milpitas,Calif.)之KLA-Tencor購得之亮視野(Bright-Field)工具中之一者，或此項技術中已知之任何其他合適的檢查工具。獲取該多個晶粒之影像可替代地包含自一電腦可讀儲存媒體獲取影像，其中該等影像已藉由一影像獲取系統儲存於該電腦可讀儲存媒體中。因此，可或可不使用該晶圓來執行獲取該等影像。另外，獲取以疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒之影像可包含：模擬將如何以該等標稱值將該兩個或兩個以上晶粒印刷於該晶圓上，或自一電腦可讀儲存媒體獲取此等經模擬影像。可以任何合適的方式模擬此等影像。因此，針對該等標稱值之影像可包含其上已使用一曝光系統印刷多個晶粒之一晶圓之經模擬標稱影像或實際標稱影像。因此，可將經模擬標稱影像用作本文中進一步闡述之比較步驟之影像源。
該方法亦包含：比較針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像與針對以該等經調變值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像。可以任何合適的方式來執行以此方式比較該等影像。比較該等 影像亦可包含：比較針對以該等經調變值印刷之晶粒中之一者所獲取之影像與以該等標稱值印刷之多個晶粒中之兩者。另一選擇係，比較該等影像可包含：比較針對以該等經調變值印刷之晶粒中之一者所獲取之影像與以該等標稱值印刷之多個晶粒中之僅一者。
該方法進一步包含：基於該比較步驟之結果來偵測以該等經調變值印刷之多個晶粒中之缺陷。該等缺陷可使用任何合適的缺陷偵測演算法及/或方法來偵測。舉例而言，偵測該等缺陷可包含：將一缺陷偵測臨限值應用於該比較步驟之結果(例如，所比較影像之間的差)，且可將視為高於該缺陷偵測臨限值之任何結果識別為一缺陷或一可能缺陷。
因此，本文中所闡述之方法類似於程序窗鑒定(PWQ)檢查程序，諸如在頒予Peterson等人之美國專利第6,902,855號、頒予Peterson等人之第7,418,124號及頒予Kekare等人之第7,769,225號中所闡述之彼等檢查程序，該等美國專利以全文引用的方式併入本文中。然而，不同於彼等專利中所闡述之系統及方法，本文中所闡述之實施例提供檢查PWQ程序與疊對量測之間的一連結。以此方式，本文中所闡述之實施例可包含針對在已對晶圓執行一DPL程序之一第二曝光之後執行之疊對之PWQ分析。在針對疊對之PWQ分析之後，可使用一最終蝕刻程序來處理該晶圓，該最終蝕刻程序可後續接著一最終特徵化步驟。
在一項實施例中，該方法包含：獲取印刷於另一晶圓上之多個晶粒之影像，該另一晶圓上之多個晶粒中之每一者係藉由對該另一晶圓執行DPL程序而印刷，且該另一晶圓上之多個晶粒包含以針對該DPL程序之聚焦及曝光之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒，以及以聚焦及曝光之經調變值印刷之一或多個晶粒。此一實施例亦包含：比較針對以該聚焦及曝光之標稱值印刷之多個晶粒所獲取之影像與針對以該聚焦及曝光之經調變值印刷之多個晶粒所獲取之影像，及基於該 比較步驟之結果來偵測以該聚焦及曝光之經調變值印刷之多個晶粒中之缺陷。該多個晶粒可以類似於上文所闡述之方式的一方式印刷於另一晶圓上(例如，其中以標稱值印刷兩行晶粒，後續接著以經調變值印刷一行晶粒)。聚焦及曝光之值可自標稱值以0.1增量調變(例如，若標稱值為0.00，則經調變值可在自0.6至-0.6之間變化)。經調變值之範圍可取決於(舉例而言)可以經調變值印刷於晶圓上之晶粒之數目而變化。以此方式，本文中所闡述之實施例可包含針對在已對晶圓執行一DPL程序之一第二次曝光之後執行之拓撲之PWQ分析。獲取另一晶圓上之多個晶粒之影像可使用一寬頻帶圖案化晶圓缺陷檢驗系統來執行，諸如自KLA-Tencor可購得之28xx工具中之一者。在此實施例中，可如本文中進一步闡述來執行比較該等影像及偵測缺陷。
在一項此實施例中，該方法包含：比較在以聚焦及曝光之經調變值印刷之多個晶粒中之實質上相同的晶粒內位置處所偵測之缺陷；及基於比較該等缺陷之結果以及對應於該等缺陷之聚焦及曝光之經調變值，判定針對該多個晶粒之一設計中最易於由於聚焦及曝光之調變而產生缺陷之點。比較在實質上相同的晶粒內位置處所偵測之缺陷可經執行以判定該等經調變晶粒中之一個以上內之實質上相同位置處是否存在缺陷。以此方式，比較在實質上相同的晶粒內位置處所偵測之缺陷可識別在一晶粒內之實質上相同位置處重複地出現之缺陷。因此，可將此等缺陷識別為潛在系統化缺陷。此等缺陷之存在可指示：在彼位置處之設計存在一問題(例如，該設計具有防止將該設計適當地印刷於晶圓上之一或多個特徵)。另外，對應於該等潛在系統化缺陷之聚焦及曝光之經調變值可指示該設計中之哪些區域最易於由於該等值之調變而產生缺陷。換言之，對應於該等潛在系統化缺陷之聚焦及曝光之經調變值可指示該設計在該等潛在系統化缺陷之位置處之敏感度如何。舉例而言，與一設計中之其他區域相比，該設計中以更接 近於標稱值之值發生潛在系統化缺陷之區域可比該等其他區域更易於產生缺陷或對缺陷更敏感。則可將此等區域識別為設計中之關鍵區域。
在另一此種實施例中，該方法包含：比較設計資料空間中之接近在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之缺陷之位置的設計資料部分；基於比較該等部分之結果來判定該等部分中之設計資料是否係至少類似的；將在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷區化(binning)成若干群組，以使得接近該等群組中之每一者中之該等缺陷之位置的該設計資料之該等部分係至少類似的；及基於該區化之結果來判定在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷中之哪些缺陷係系統化缺陷。因此，該等實施例可包含對藉由PWQ所偵測之缺陷執行基於設計之區化(design-based binning)。基於設計之區化可如頒予Zafar等人之美國專利第7,570,796號中所闡述來執行，該美國專利以全文引用的方式併入本文中。舉例而言，比較設計資料空間中之接近缺陷之位置的設計資料部分可包含：針對該等缺陷中之每一者來提取設計片段，且可基於設計資料空間中之該等缺陷之位置來判定所提取之設計片段。可基於將檢查資料空間中之檢查資料對準至設計資料空間中之設計資料之結果來判定設計資料空間中之缺陷之位置，此亦可如上文所引用之專利中所闡述來執行。該比較步驟亦可包含：比較該等片段與其他片段中之每一者以判定該等所提取片段中之哪些係至少類似的。至少類似之所提取片段則可經分群以使得任何一個群組中之所有所提取片段係至少類似的。對應於任何一個群組中之所提取片段之缺陷則可被區化至一對應群組中。以此方式，將群組中之缺陷區化以使得接近該等群組中之每一者中之缺陷之位置的設計資料之部分係至少類似的。由於系統化缺陷將在設計資料中之類似位置處重複 地出現，因此含有多於預定數目個缺陷之缺陷群組可識別為一系統化缺陷群組，且此一群組中之缺陷中之每一者可識別為一系統化缺陷。
在一額外此種實施例中，該方法包含：基於在以該聚焦及曝光之經調變值印刷之多個晶粒中所偵測之缺陷來識別印刷於該多個晶粒中之經圖案化特徵中之問題。以此方式，可使用疊對度量衡來判定DPL中之印刷爭論點。更具體而言，可執行PWQ以判定聚焦及曝光之值對任何拓撲爭論點之影響。舉例而言，以聚焦及曝光之經調變值所偵測之缺陷可經檢驗以判定該等缺陷是否係在印刷於晶圓上之經圖案化特徵或拓撲中之缺陷。可使用在晶圓上之缺陷之位置處獲取之影像或藉由使用一晶圓檢查系統、一缺陷審查系統或一度量衡系統來獲取關於缺陷之新影像或資訊來檢驗該等缺陷。可基於該等經圖案化特徵或拓撲中之缺陷之一或多個特徵來判定聚焦及曝光之經調變值之影響。舉例而言，此等特徵可包含：有缺陷之經圖案化特徵或拓撲之位置、尺寸、側壁角度及諸如此類。
在另一此種實施例中，該方法包含：基於在以該聚焦及曝光之經調變值印刷之多個晶粒中所偵測之缺陷來識別針對該多個晶粒之一設計中之問題。以此方式，可執行PWQ以判定聚焦及曝光之值對任何設計爭論點之影響。舉例而言，可以任何合適的方式使用以聚焦及曝光之經調變值所偵測之缺陷以判定該等缺陷是否係由印刷於晶圓上之設計中之問題或爭論點導致。
在一項實施例中，該方法包含：基於該等缺陷來判定DPL程序之一程序窗。舉例而言，該方法可包含關於整個場之設計之疊對誤差來判定程序窗。如本文中進一步所闡述來判定雙重圖案化設計之曝光中之弱區域將允許判定程序窗。舉例而言，判定該程序窗可包含：判定以疊對之經調變值中之哪些經調變值印刷於晶圓上之經圖案化特徵具有可接受之特徵(例如，落入經圖案化特徵之預定規範內之特徵)，及 界定該程序窗以包含疊對之彼等經調變值同時排除疊對之其他經調變值。
在另一實施例中，該等缺陷包含由該疊對之經調變值導致的系統化缺陷。以此方式，該方法可用於判定DPL內之受疊對干擾之系統化缺陷。舉例而言，諸如本文中進一步闡述之彼亮視野(BF)檢查工具的BF檢查工具可用於檢查晶圓以允許偵測系統化缺陷。特定而言，可將系統化缺陷識別為顯現於印刷於晶圓上之多個經調變晶粒內之實質上相同位置處之彼等缺陷。與本文中所闡述之實施例相比，當前使用之方法依賴於量測場中之目標以計算對準效能，且對準邊界係基於設計模擬。
在一項實施例中，該方法包含：比較設計資料空間中之接近缺陷之位置的設計資料部分，基於比較該等部分之結果來判定該等部分中之設計資料是否係至少類似的，將該等缺陷區化成若干群組以使得接近該等群組中之每一者中之該等缺陷之位置的該設計資料之該等部分係至少類似的，及基於該區化之結果來判定該等缺陷中之哪些缺陷係系統化缺陷。以此方式，本文中所闡述之實施例可對藉由疊對調變而偵測之缺陷執行基於設計之區化。可如本文中進一步所闡述來執行基於設計之區化。
在一項此種實施例中，該方法包含：產生圖解說明區化至型樣群組中之兩者或兩者以上中之缺陷之數目之一帕累托圖(pareto chart)。在該帕累托圖中，可沿著x軸識別將缺陷區化至其中之不同群組，且可沿著y軸圖解說明區化至每一群組中之缺陷之數目。以此方式，可使用帕累托圖來識別最頻繁地出現缺陷之群組(及因此設計及/或晶粒或場之對應部分)。則彼資訊可用於執行本文中所闡述之其他步驟，諸如產生一檢查程序、變更晶圓之一設計等。
在另一實施例中，該方法包含：比較在以疊對之經調變值印刷 之多個晶粒中之實質上相同的晶粒內位置處所偵測之缺陷，及基於比較該等缺陷之結果以及對應於該等缺陷之疊對之經調變值，判定針對該多個晶粒之一設計中最易於由於疊對之調變而產生缺陷之點。可如上文所闡述來執行此等步驟。以此方式，該方法可包含：使用晶圓檢查程序來判定與型樣設計相關的弱點。特定而言，本文中所闡述之在檢查(PWQ)程序與疊對量測之相關性之間的連結允許關於疊對來判定個別設計上之弱位置。本文中所闡述之實施例可實施於一大規模生產工廠中，其中引入一新光罩組以判定在雙重圖案化設計之曝光中之弱區域。以此方式，該等實施例可對與疊對相關之設計爭論點提供反饋。與本文中所闡述之實施例相比，當前使用之方法並不考量場內之可導致一惡性故障之任何設計誤差，此乃因此等誤差可僅藉助晶圓檢查程序來偵測。此等誤差亦可受DPL中之疊對誤差影響。
在一項此種實施例中，該方法包含：判定疊對之調變對設計中最易於產生缺陷之點之一影響。以此方式，本文中所闡述之實施例可用以判定疊對調變對場之邊界區域之影響。可如本文中進一步所闡述來判定疊對調變對最易於產生缺陷之點之影響。
在某些實施例中，該方法包含：基於該等缺陷來判定在DPL程序中使用之一或多個光罩之一或多個特徵。舉例而言，在本文中所闡述之實施例中使用之佈局及檢查允許雙重圖案化光罩之特徵化。該(等)光罩之特徵化可包含判定該等特徵是否在規範內印刷於光罩上。舉例而言，晶粒或場中之其中判定為將出現系統化缺陷之區域可用於識別該(等)光罩中之對應區域，該等對應區域則可識別為光罩之可能問題區域。光罩之彼等區域則可經進一步檢驗(例如，藉由光罩檢查)以判定彼等區域中是否存在尚未藉由該(等)光罩之鑒定期間之光罩檢查而偵測之問題。
在另一實施例中，該方法包含：基於該等缺陷來變更DPL程序之 一或多個參數。舉例而言，該方法可包含：變更用於DPL程序之疊對之標稱值。在一項此種實例中，如本文中進一步所闡述來判定之程序窗可不同於針對DPL程序而設置之一初始程序窗。若兩個程序窗不同，則如本文中所闡述來判定之程序窗可用作DPL之程序窗，且可將標稱值設定為在所判定程序窗之中心中(或附近)之疊對之值。
在某些實施例中，該方法包含：基於該等缺陷來變更用於DPL程序之一控制程序之一或多個參數。舉例而言，如本文中進一步所闡述來判定雙重圖案化設計之曝光中之弱區域將允許控制該程序。所判定之控制程序可包含在用於判定如何執行該DPL程序之檢查或度量衡期間所檢查或量測之晶圓上之區域。舉例而言，判定該控制程序之一或多個參數可包含識別該設計中偵測到系統化缺陷之區域或該設計中之弱點，以使得可在控制程序期間監視彼等區域或點。另外，判定該控制程序可包含判定用於該DPL程序之檢查或度量衡程序之任何其他參數。該控制程序之經變更之一或多個參數亦可包含用於該DPL程序之反饋控制或原位控制技術之一或多個參數。
在另一實施例中，該方法包含：基於該等缺陷來變更針對該多個晶粒之一設計之一或多個參數。舉例而言，如本文中進一步所闡述來判定雙重圖案化設計之曝光中之弱區域將允許將需要對針對未來裝置之設計做出之任何改變反饋至該設計。
上文所闡述之比較及偵測步驟可用於特徵化晶圓上之經調變晶粒或場之疊對。亦可使用未經調變之晶粒或場來執行類似的比較及偵測步驟以特徵化晶圓上之未經調變區域之疊對。舉例而言，在一項實施例中，該方法包含：將針對以標稱值印刷之多個晶粒所獲取之影像中之兩者或兩者以上彼此比較，及基於將針對以標稱值印刷之多個晶粒所獲取之兩個或兩個以上影像彼此比較之結果來偵測以該等標稱值印刷之多個晶粒中之缺陷。以此方式，該方法可包含對該等未經調變 之場或晶粒之一疊對基線特徵化。可如本文中進一步所闡述來執行此等步驟。
在另一實施例中，該方法包含：對該多個晶粒中之一或多者執行度量衡，基於該度量衡之結果來判定DPL程序之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合，及藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於該多個晶粒中之該一或多者之設計資料來模擬由該多個晶粒中之該一或多者形成之一裝置之一或多個特徵。可如本文中進一步所闡述來執行此等步驟。
圖2圖解說明根據本文中所闡述之實施例中之任一者可用於檢查一晶圓之一系統之一項實施例。圖2中所展示之系統包含經組態以獲取印刷於一晶圓上之多個晶粒之影像之影像獲取子系統200。該影像獲取子系統包含經組態以產生光之光源202。該光源可包含任何合適的光源，諸如一寬頻帶光源。來自該光源之光指向光束分離器204，該光束分離器經組態以將來自光源之光引導至折射光學元件206。折射光學元件206經組態以將來自光束分離器之光聚焦至晶圓208。晶圓208由台210支撐及平移。光束分離器204、折射光學元件206及台210可包含此項技術中已知的任何合適的此種元件。另外，儘管折射光學元件206在圖2中展示為一單個折射光學元件，但應瞭解，該折射光學元件可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。
自晶圓反射之光由折射光學元件206收集且穿過光束分離器204被引導至偵測器212。該偵測器經組態以偵測所反射之光且回應於所反射之光來產生影像。該偵測器可包含此項技術中已知的任何合適的偵測器。該影像獲取子系統亦可包含定位於光源與晶圓之間及/或偵測器與晶圓之間的任何其他合適的光學元件。此等光學元件可包含波長濾波器、空間濾波器、偏光鏡、分析器及諸如此類。該系統可包含傳輸媒體214，該傳輸媒體將偵測器212耦合至電腦子系統216以使得 該電腦子系統可接收由該偵測器產生之影像。
該電腦子系統可經組態為本文中所闡述之一電腦系統，其用於執行本文中所闡述之方法之各種步驟。舉例而言，使用一電腦系統來執行：獲取印刷於晶圓上之多個晶粒之影像、比較該等影像及偵測缺陷。該電腦系統可包含此項技術中已知的任何合適的電腦系統。舉例而言，該電腦系統可採取各種形式，包含一個人電腦系統、主機電腦系統、工作站、影像電腦、平行處理器或此項技術中已知的任何其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可廣義地定義為涵蓋具有一或多個處理器之任何裝置，其執行來自一記憶體媒體之指令。可如本文中所闡述來進一步組態圖2中所展示之系統。
本文中所闡述之所有方法可包含將方法之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。該等結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任何方式加以儲存。儲存媒體可包含此項技術中已知的任何合適的非暫時性電腦可讀儲存媒體。在已儲存該等結果之後，該等結果可在儲存媒體中存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用、經格式化以顯示給一使用者、由另一軟體模組、方法或系統使用等。
圖3圖解說明儲存可在電腦系統304上執行以執行一方法之程式指令302之非暫時性電腦可讀媒體300之一項實施例。在電腦系統304上執行程式指令302所達成之方法可包含本文中所闡述之任何(一或多個)方法之任何(一或多個)步驟。在某些實施例中，電腦系統304可耦合至一影像獲取子系統，或可係如本文中進一步所闡述之一檢查或度量衡系統之一電腦子系統。然而，在其他實施例中，電腦系統304可不耦合至一影像獲取子系統、檢查系統或度量衡系統或包含於其中。在某些此等實施例中，電腦系統304可經組態為一獨立電腦系統。可如本文中所闡述來進一步組態電腦可讀媒體300、程式指令302及電腦 系統304。
實施諸如本文中所闡述之彼等方法的方法之程式指令302可儲存於電腦可讀媒體300上。該電腦可讀媒體可係一儲存媒體，諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟、一磁帶或其他非暫時性電腦可讀媒體。
可以包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術以及其他技術之各種方式中之任一者來實施該等程式指令。舉例而言，可視需要使用ActiveX控件、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)或其他技術或方法來實施該等程式指令。
另一實施例係關於一種用於預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之方法。該方法包含：使用一微影程序對形成於一晶圓上之一或多個晶粒執行度量衡。可使用一個或數個度量衡工具、藉助一個或數個積體式或獨立式度量衡感測器來執行該度量衡。該度量衡可包含此項技術中已知的任何合適的度量衡，且該微影程序可包含本文中所闡述之任何微影程序或此項技術中已知的任何其他合適的微影程序。
該方法亦包含：基於該度量衡之結果來判定該微影程序在該一或多個晶粒中之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合。舉例而言，該度量衡之結果可包含形成於該一或多個晶粒中之特徵之一線寬度，且基於該線寬度，可基於使線寬度與疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合相關之實驗結果(或使用一模型)來判定用於藉助此一線寬度形成經圖案化特徵之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合。
該方法進一步包含：藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之設計資料來模擬由該一或多個晶粒形成之一裝置之一或多個特徵。舉例而言，該模擬步驟可 包含將模型化之疊對、聚焦及劑量應用於該裝置之一多邊形檔案(polygon file)以模擬真實裝置波動。以此方式，本文中所闡述之實施例可以部分取樣或全層覆蓋之方式將真實晶圓疊對、聚焦及劑量資料應用於GDS設計佈局。舉例而言，該模擬步驟可包含：取得可自度量衡工具獲得之資訊，包含在特定地點處之疊對及CD、來自K-T分析器(其可自KLA-Tencor購得)之模型化結果、疊對可校正值、聚焦/輪廓可校正值及劑量/CD可校正值；及將彼資訊一起或個別地應用於GDS中之特定多邊形上。
與本文中所闡述之實施例相比，當前已使用之方法完全地單獨用於疊對及CD。在疊對中，經由迴歸法來模型化度量衡結果。模型化結果用於校正掃描器且用於晶圓之配置。CD程序窗經單獨地分析且通常用於線性晶圓/批平均劑量校正與配置。另外，當前使用之方法同等地處理所有圖案元素且跨越場單獨地針對疊對、聚焦及劑量來應用一個模型。此並非允許基於在當前程序窗下之真實行為來驅動一決策。
使用一電腦系統來執行判定疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合及模擬該一或多個特徵，此可如本文中進一步所闡述來組態。另外，一自動化軟體/硬體解決方案可用於連結度量衡系統、GDS系統等，以使得可更有效地執行本文中所闡述之各種步驟。
在一項實施例中，該方法包含：判定該裝置之一或多個特徵對疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合之一敏感度。舉例而言，基於對該設計應用該等模型，可識別係為關鍵裝置區域之區域。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於發現及監視關鍵的與型樣相關的爭論點。
在另一實施例中，該方法包含：基於該裝置之一或多個特徵對疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合之敏感度來判定將使用 該微影程序形成於其他晶圓上之一或多個度量衡目標之一或多個位置。舉例而言，該一或多個度量衡目標之一或多個位置可位於比該裝置之其他區域對於疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合具有一更高敏感度之區域中或其周圍。換言之，度量衡目標可放置於其中裝置之敏感度較大之區域中。以此方式，本文中所闡述之實施例之一優點係：監視其中對裝置之風險較高之高優先權區域可用於確保在程序窗內程序係良好的。
與本文中所闡述之實施例相比，當前使用之方法將疊對目標放置於光罩中/上在曝光場之邊緣處或中心中而不意欲監視曝光場中之一特定區域。使用跨越該場之4至6個疊對目標來模型化跨越該曝光場之疊對。此一途徑使用模型化方法來平均化跨越相對大區域之疊對。
在某些實施例中，該方法包含：基於該裝置之一或多個特徵來配置該晶圓。配置該晶圓包含判定應如何處理該晶圓。舉例而言，基於該裝置之一或多個特徵，可判定若該一或多個裝置特徵可接受(例如，在規範內)則可對該晶圓執行進一步生產，或若該一或多個裝置特徵不可接受則應廢棄或重新加工該晶圓。
在另一實施例中，該模擬步驟包含：基於疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合而將設計資料中之個別多邊形重新定大小，以判定該設計資料中可由於疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合而具有一或多個故障機制之區域。舉例而言，一GDS設計佈局之個別多邊形可經重新定大小以判定可具有開口、短路或其他故障機制之關鍵區域。另外，在此應用中可考量微影模擬之角色。舉例而言，並非幾何考量，而是可考量經由實體模擬之影響。特定而言，在調整設計佈局之後，可將一現有OPC模擬(而非僅一疊對模型)應用於經調整之設計佈局。以此方式，可使用或擷取程序模型化之每一階段。
在另一實施例中，該方法包含：基於該裝置之一或多個特徵來預測包含微影程序之一製作程序之良率，且預測該良率係線上(in-line)執行的。舉例而言，將模型應用於設計之結果將指示良率問題。另外，裝置之所模擬一或多個特徵可用於線上良率預測。此外，本文中所闡述之實施例達成在疊對、聚焦及劑量量測之後的較好線上良率預測。舉例而言，本文中所闡述之實施例允許基於疊對及CD量測之較好線上良率預測。
在另一實施例中，該方法包含：基於該裝置之一或多個特徵來判定晶圓之一取樣方案，且判定該取樣方案係線上執行的。舉例而言，裝置之所模擬一或多個特徵可用於線上良率取樣推薦。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於動態地擴充參數取樣及模型化。可針對諸如檢查、缺陷審查或度量衡等任何程序來判定取樣方案。另外，取樣方案可經判定以使得與其中缺陷不太可能致使一或多個裝置特徵中之爭論點之裝置區域相比，對其中更可能出現缺陷且致使一或多個特徵之爭論點之裝置區域更重地取樣。
在一項實施例中，該方法包含：基於裝置之一或多個特徵來判定將對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓執行之一檢查程序之一或多個參數。舉例而言，裝置之所模擬一或多個特徵可用於缺陷檢查推薦。特定而言，判定檢查程序之一或多個參數可包含界定晶圓檢查之關鍵區域(例如，以最佳化處方敏感度)。以此方式，本文中所闡述之實施例提供較好的晶圓檢查策略(例如，於何時及何地進行檢查)。因此，將模型應用於設計之結果將驅動較好的晶圓檢查策略。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於開發一最佳化晶圓檢查處方。
在某些實施例中，該方法包含：基於裝置之一或多個特徵來判定將對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓執行之一度量衡 程序之一或多個參數。舉例而言，裝置之所模擬一或多個特徵可用於關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CDSEM)量測地點推薦。另外，本文中所闡述之實施例提供較好的參數度量衡及CDSEM量測策略(於何時及何地進行量測)。舉例而言，基於模擬步驟之結果，可將其中疊對及CD度量衡更關鍵之區域識別及選定為將藉由一度量衡程序來量測之地點。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於開發一最佳化CDSEM量測處方。
在一項實施例中，該模擬步驟包含藉由以下步驟來模擬裝置之一或多個特徵：分別根據疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合，且將該等疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之設計資料。可以任何合適的方式分別根據疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合。可如本文中所闡述來執行將疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合應用於設計資料。
在另一實施例中，該方法包含：基於該一或多個特徵以及疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定設計資料之一程序窗。以此方式，判定一程序窗可涉及一全觀途徑，該全觀途徑可同時地包含疊對、聚焦、劑量、烤板等程序窗。與本文中所闡述之實施例相比，獨立地考量當前此等態樣中之每一者(例如，單獨度量衡、單獨分析、單獨決策等)。實際上，微影程序之所有不同參數係連結的，因此應連結/協調/組合度量衡、分析及/或決策。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於減少新程序開發時間且改良程序斜變時間(ramp time)。
在一項實施例中，該方法包含：基於該一或多個特徵以及疊對 誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定針對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓之一重工策略。舉例而言，基於對GDS上方之程序窗之分析，可開發一全觀及良率相關之重工策略，此可係一運行時間規範內決策。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於改良之重工(以降低α及β風險)。因此，本文中所闡述之實施例可用以減少生產環境中之偏離解決時間。
在另一實施例中，該方法包含：判定該設計資料中疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合對該裝置之一或多個特徵更關鍵之一或多個區域。舉例而言，該方法可包含：識別其中疊對及CD度量衡更關鍵之區域。以此方式，該等實施例可包含：發現及監視關鍵的型樣相關爭論點。
在一項此種實施例中，該方法包含：將疊對、劑量及聚焦之一局域模型應用於該一或多個區域中之至少一者。舉例而言，該方法可包含：應用所識別之特定區域(例如，一場之四分之一)之疊對、劑量及聚焦之一局域模型。該局域模型可包含任何合適的此種模型。此一實施例亦可包含：比較應用該局域模型之結果與將疊對、劑量及聚焦之一全域模型應用於該設計資料之結果以判定該全域模型之一準確度。舉例而言，當前應用之一規則(或全域)模型可與一局域模型相比較以驗證該規則模型之準確度。該局域模型可用於在全域模型與局域模型並不一致的情形中進行準確度校正及調整。
在一項實施例中，該微影程序係一DPL程序，該度量衡係在微影程序之一第一圖案化步驟之後執行，且該方法包含：基於疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定微影程序之一第二圖案化步驟之一或多個參數。以此方式，本文中所闡述之實施例可用於基於一第一印刷步驟來增強一DPL程序之一第二印刷步驟。
在一項實施例中，該微影程序係一DPL程序，該一或多個晶粒包 含以疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒，且該方法包含：獲取以該疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒中之至少一者以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒中之至少一者之影像，比較針對以該疊對之標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒中之該至少一者所獲取之影像與針對以該疊對之經調變值印刷之該一或多個晶粒中之該至少一者所獲取之影像，及基於該比較步驟之結果來偵測以該等經調變值印刷之一或多個晶粒中之缺陷。可如本文中進一步所闡述來執行此等步驟。
圖4圖解說明經組態以預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之一系統之一項實施例。如圖4中所展示，該系統包含經組態以對使用一微影程序形成於一晶圓上之一或多個晶粒執行度量衡之度量衡工具400。該度量衡工具包含光源402。光源402可包含此項技術中已知的任何合適的光源。來自光源402之光可被引導穿過一或多個光學元件，諸如光學元件404，其可係一偏光鏡。離開該偏光鏡之光可以一斜入射角入射於晶圓406上。
由於照明之結果而自晶圓繞射之光可由光學元件408收集，光學元件408可係一集光器且可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。離開光學元件408之光可被引導穿過一或多個光學元件，諸如光學元件410，其可係一分析器。離開光學元件410之光可被引導至偵測器412，偵測器412可包含此項技術中已知的任何合適的偵測器。偵測器412可回應於由偵測器偵測之繞射光而產生輸出。
由於照明之結果而自晶圓繞射之光亦可由光學元件414收集，光學元件414可係一集光器且可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。離開光學元件414之光可被引導穿過一或多個光學元件，諸如光學元件416，其可係一分析器。離開光學元件416之光可被引導至偵測器418，偵測器418可包含此項技術中已知的任何合適的 偵測器。偵測器418可回應於由該偵測器偵測之繞射光而產生輸出。
該系統亦包含耦合至該(等)偵測器之電腦子系統420，以使得該電腦子系統可接收由偵測器產生之輸出。該電腦子系統經組態以使用由該度量衡子系統之偵測器產生之輸出來判定該晶圓之一或多個特徵或該晶圓上之經圖案化特徵。該電腦子系統亦可經組態以執行本文中所闡述之方法中之任一者之一或多個步驟。舉例而言，該電腦子系統可經組態以基於該度量衡之結果來判定該微影程序在該一或多個晶粒中之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合，如本文中進一步所闡述。該電腦子系統亦可經組態以藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之設計資料來模擬由該一或多個晶粒形成之一裝置之一或多個特徵，如本文中進一步所闡述。可如本文中所闡述來進一步組態該電腦子系統。可如本文中所闡述來進一步組態圖4中所展示之系統。
鑒於此說明，熟習此項技術者將明瞭本發明之各種態樣之進一步修改及替代實施例。舉例而言，本發明提供用於檢查一晶圓及/或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之方法。相應地，此說明應視為僅係說明性的，且係出於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示及闡述之本發明之形式應視為目前較佳之實施例。如熟習此項技術者在受益於本發明之此說明之後皆將明瞭，可替換本文中所圖解說明及闡述之彼等元件及材料，可顛倒部件及程序，且可獨立地利用本發明之某些特徵。可在不背離如以下申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇的情形下對本文中所闡述之元件做出改變。
20‧‧‧晶圓
22‧‧‧列
24‧‧‧行

Claims (74)

  1. 一種用於檢查一晶圓之方法，其包括：獲取印刷於一晶圓上之多個晶粒之影像，其中該多個晶粒中之每一者係藉由對該晶圓執行一雙重圖案化微影程序而印刷，且其中該多個晶粒包括以針對該雙重圖案化微影程序之疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒；比較針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像與針對以該等經調變值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像；及基於該比較之結果來偵測以該等經調變值印刷之該多個晶粒中之缺陷，其中使用一電腦系統來執行該獲取、該比較及該偵測。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：獲取印刷於另一晶圓上之多個晶粒之影像，其中該另一晶圓上之該多個晶粒中之每一者係藉由對該另一晶圓執行該雙重圖案化微影程序而印刷，且其中該另一晶圓上之該多個晶粒包括以針對該雙重圖案化微影程序之聚焦及曝光之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒，以及以該聚焦及曝光之經調變值印刷之一或多個晶粒；比較針對以該聚焦及曝光之該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之影像與針對以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒所獲取之影像；及基於該比較之結果來偵測以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中之缺陷。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包括：比較在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中之實質上相同的晶粒內位置處 所偵測之該等缺陷；及基於該比較該等缺陷之結果以及對應於該等缺陷之該聚焦及曝光之該等經調變值，判定針對該多個晶粒之一設計中最易於由於該聚焦及曝光之調變而產生缺陷之點。
  4. 如請求項2之方法，其進一步包括：比較設計資料空間中之接近在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷之位置的設計資料部分；基於該比較該等部分之結果來判定該等部分中之該設計資料是否係至少類似的；將在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷區化成若干群組，以使得接近該等群組中之每一者中之該等缺陷之該等位置的該設計資料之該等部分係至少類似的；及基於該區化之結果來判定在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷中之哪些缺陷係系統化缺陷。
  5. 如請求項2之方法，其進一步包括：基於在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷來識別印刷於該多個晶粒中之經圖案化特徵中之問題。
  6. 如請求項2之方法，其進一步包括：基於在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷來識別針對該多個晶粒之一設計中之問題。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包括基於該等缺陷來判定該雙重圖案化微影程序之一程序窗。
  8. 如請求項1之方法，其中該等缺陷包括由該疊對之值之調變導致的系統化缺陷。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包括：比較設計資料空間中之接近該等缺陷之位置的設計資料部分；基於該比較該等部分之結果 來判定該等部分中之該設計資料是否係至少類似的；將該等缺陷區化成若干群組，以使得接近該等群組中之每一者中之該等缺陷之該等位置的該設計資料之該等部分係至少類似的；及基於該區化之結果來判定該等缺陷中之哪些缺陷係系統化缺陷。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包括產生圖解說明區化至該等群組中之兩者或兩者以上中之缺陷之數目之一帕累托圖。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包括：比較在以該疊對之該等經調變值印刷之該多個晶粒中之實質上相同的晶粒內位置處所偵測之該等缺陷；及基於該比較該等缺陷之結果以及對應於該等缺陷之該疊對之該等經調變值，判定針對該多個晶粒之一設計中最易於由於該疊對之調變而產生缺陷之點。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包括：判定該疊對之該調變對該設計中最易於產生該等缺陷之該等點之一影響。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包括：基於該等缺陷來判定在該雙重圖案化微影程序中使用之一或多個光罩之一或多個特徵。
  14. 如請求項1之方法，其進一步包括基於該等缺陷來變更該雙重圖案化微影程序之一或多個參數。
  15. 如請求項1之方法，其進一步包括基於該等缺陷來變更用於該雙重圖案化微影程序之一控制程序之一或多個參數。
  16. 如請求項1之方法，其進一步包括基於該等缺陷來變更針對該多個晶粒之一設計之一或多個參數。
  17. 如請求項1之方法，其進一步包括：將針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像中之兩者或兩者以上彼此比較；及基於該將針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該兩個或兩個以上影像彼此比較之結果來偵測以該等標稱值印刷之該多個晶粒中之缺陷。
  18. 如請求項1之方法，其進一步包括：對該多個晶粒中之一或多者執行度量衡；基於該度量衡之結果來判定該雙重圖案化微影程序之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合；及藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該多個晶粒中之該一或多者之設計資料來模擬由該多個晶粒中之該一或多者形成之一裝置之一或多個特徵。
  19. 如請求項1之方法，其中該獲取包括：藉由模擬將如何以該等標稱值將該兩個或兩個以上晶粒印刷於該晶圓上來獲取以該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒之該等影像。
  20. 如請求項1之方法，其中以該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒之該等影像包括自一電腦可讀儲存媒體獲取之模擬影像。
  21. 一種用於預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之方法，其包括：使用一微影程序對形成於一晶圓上之一或多個晶粒執行度量衡；基於該度量衡之結果來判定該微影程序在該一或多個晶粒中之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合；及藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之設計資料來模擬由該一或多個晶粒形成之一裝置之一或多個特徵，其中使用一電腦系統來執行模擬該判定及該模擬。
  22. 如請求項21之方法，其進一步包括：判定該裝置之該一或多個特徵對該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合之一敏感度。
  23. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該裝置之該一或多個特徵對該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合之敏 感度來判定將使用該微影程序形成於其他晶圓上之一或多個度量衡目標之一或多個位置。
  24. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該裝置之該一或多個特徵來配置該晶圓。
  25. 如請求項21之方法，其中該模擬包括：基於該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合而將該設計資料中之個別多邊形重新定大小，以判定該設計資料中可由於該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合而具有一或多個故障機制之區域。
  26. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該裝置之該一或多個特徵來預測包含該微影程序之一製作程序之良率，其中預測該良率係線上執行的。
  27. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該裝置之該一或多個特徵來判定該晶圓之一取樣方案，其中判定該取樣方案係線上執行的。
  28. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該裝置之該一或多個特徵來判定將對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓執行之一檢查程序之一或多個參數。
  29. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該裝置之該一或多個特徵來判定將對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓執行之一度量衡程序之一或多個參數。
  30. 如請求項21之方法，其中該模擬包括：藉由分別根據該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合及將該等疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之該設計資料而模擬該裝置之該一或多個 特徵。
  31. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該一或多個特徵以及該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定該設計資料之一程序窗。
  32. 如請求項21之方法，其進一步包括：基於該一或多個特徵以及該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定針對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓之一重工策略。
  33. 如請求項21之方法，其進一步包括：判定該設計資料中該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合對於該裝置之該一或多個特徵更關鍵之一或多個區域。
  34. 如請求項21之方法，其進一步包括：將疊對、劑量及聚焦之一局域模型應用於該一或多個區域中之至少一者。
  35. 如請求項34之方法，其進一步包括：比較該應用該局域模型之結果與將疊對、劑量及聚焦之一全域模型應用於該設計資料之結果以判定該全域模型之一準確度。
  36. 如請求項21之方法，其中該微影程序係一雙重圖案化微影程序，其中在該微影程序之一第一圖案化步驟之後執行該執行該度量衡，且其中該方法進一步包括：基於該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定該微影程序之一第二圖案化步驟之一或多個參數。
  37. 如請求項21之方法，其中該微影程序係一雙重圖案化微影程序，其中該一或多個晶粒包括以疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒，且其中該方法進一步包括：獲取以該疊對之該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒中之至少一者及以該疊對之該等經調變值印刷之該一或多個晶粒中之至少一者之影像；比較針對以該疊 對之該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒中之該至少一者所獲取之該等影像與針對以該疊對之該等經調變值印刷之該一或多個晶粒中之該至少一者所獲取之該等影像；及基於該比較之結果來偵測以該等經調變值印刷之該一或多個晶粒中之缺陷。
  38. 一種晶圓檢查系統，其包括：一光學子系統，其經組態以獲取印刷於一晶圓上之多個晶粒的影像，其中該多個晶粒中之每一者係藉由對該晶圓上執行一雙重圖案化微影程序而印刷，且其中該多個晶粒包括以針對該雙重圖案化微影程序之疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒；及一或多個電腦子系統，其耦合至該光學子系統，其中該一或多個電腦子系統經組態以：比較針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像與針對以該等經調變值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像；及基於該比較之結果來偵測以該等經調變值印刷之該多個晶粒中之缺陷。
  39. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：獲取印刷於另一晶圓上之多個晶粒之影像，其中該另一晶圓上之該多個晶粒中之每一者係藉由對該另一晶圓執行該雙重圖案化微影程序而印刷，且其中該另一晶圓上之該多個晶粒包括以針對該雙重圖案化微影程序之聚焦及曝光之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒，以及以該聚焦及曝光之經調變值印刷之一或多個晶粒；比較針對以該聚焦及曝光之該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之影像與針對以該聚焦及曝光之該 等經調變值印刷之該多個晶粒所獲取之影像；及基於該比較之結果來偵測以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中之缺陷。
  40. 如請求項39之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：比較在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中之實質上相同的晶粒內位置處所偵測之該等缺陷；及基於該比較該等缺陷之結果以及對應於該等缺陷之該聚焦及曝光之該等經調變值，判定針對該多個晶粒之一設計中最易於由於該聚焦及曝光之調變而產生缺陷之點。
  41. 如請求項39之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：比較設計資料空間中之接近在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷之位置的設計資料部分；基於該比較該等部分之結果來判定該等部分中之該設計資料是否係至少類似的；將在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷區化成若干群組，以使得接近該等群組中之每一者中之該等缺陷之該等位置的該設計資料之該等部分係至少類似的；及基於該區化之結果來判定在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷中之哪些缺陷係系統化缺陷。
  42. 如請求項39之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：基於在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷來識別印刷於該多個晶粒中之經圖案化特徵中之問題。
  43. 如請求項39之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：基於在以該聚焦及曝光之該等經調變值印刷之該多個晶粒中所偵測之該等缺陷來識別針對該多個晶粒之一設計 中之問題。
  44. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：基於該等缺陷來判定該雙重圖案化微影程序之一程序窗。
  45. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該等缺陷包括由該疊對之值之調變導致的系統化缺陷。
  46. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：比較設計資料空間中之接近該等缺陷之位置的設計資料部分；基於該比較該等部分之結果來判定該等部分中之該設計資料是否係至少類似的；將該等缺陷區化成若干群組，以使得接近該等群組中之每一者中之該等缺陷之該等位置的該設計資料之該等部分係至少類似的；及基於該區化之結果來判定該等缺陷中之哪些缺陷係系統化缺陷。
  47. 如請求項46之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：產生圖解說明區化至該等群組中之兩者或兩者以上中之缺陷之數目之一帕累托圖。
  48. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：比較在以該疊對之該等經調變值印刷之該多個晶粒中之實質上相同的晶粒內位置處所偵測之該等缺陷；及基於該比較該等缺陷之結果以及對應於該等缺陷之該疊對之該等經調變值，判定針對該多個晶粒之一設計中最易於由於該疊對之調變而產生缺陷之點。
  49. 如請求項48之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：判定該疊對之該調變對該設計中最易於產生該等缺陷之該等點之一影響。
  50. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進 一步組態以：基於該等缺陷來判定在該雙重圖案化微影程序中使用之一或多個光罩之一或多個特徵。
  51. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：基於該等缺陷來變更該雙重圖案化微影程序之一或多個參數。
  52. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：基於該等缺陷來變更用於該雙重圖案化微影程序之一控制程序之一或多個參數。
  53. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：基於該等缺陷來變更針對該多個晶粒之一設計之一或多個參數。
  54. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：將針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該等影像中之兩者或兩者以上彼此比較；及基於該將針對以該等標稱值印刷之該多個晶粒所獲取之該兩個或兩個以上影像彼此比較之結果來偵測以該等標稱值印刷之該多個晶粒中之缺陷。
  55. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以：對該多個晶粒中之一或多者執行度量衡；基於該度量衡之結果來判定該雙重圖案化微影程序之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合；及藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該多個晶粒中之該一或多者之設計資料來模擬由該多個晶粒中之該一或多者形成之一裝置之一或多個特徵。
  56. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中該獲取包括：藉由模擬將如何以該等標稱值將該兩個或兩個以上晶粒印刷於該晶圓上來獲 取以該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒之該等影像。
  57. 如請求項38之晶圓檢查系統，其中以該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒之該等影像包括自一電腦可讀儲存媒體獲取之模擬影像。
  58. 一種用於預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵之系統，其包括：一度量衡子系統，其經組態以使用一微影程序對形成於一晶圓上之一或多個晶粒執行度量衡；及一或多個電腦子系統，其耦合至該度量衡子系統，其中該一或多個電腦子系統經組態以：基於該度量衡之結果來判定該微影程序在該一或多個晶粒中之疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合；及藉由將該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之設計資料來模擬由該一或多個晶粒形成之一裝置之一或多個特徵。
  59. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：判定該裝置之該一或多個特徵對該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合之一敏感度。
  60. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該裝置之該一或多個特徵對該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合之敏感度來判定將使用該微影程序形成於其他晶圓上之一或多個度量衡目標之一或多個位置。
  61. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該裝置之該一或多個特徵來配置該晶圓。
  62. 如請求項58之系統，其中該模擬包括：基於該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合而將該設計資料中之個別多邊 形重新定大小，以判定該設計資料中可由於該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合而具有一或多個故障機制之區域。
  63. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該裝置之該一或多個特徵來預測包含該微影程序之一製作程序之良率，其中預測該良率係線上執行的。
  64. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該裝置之該一或多個特徵來判定該晶圓之一取樣方案，其中判定該取樣方案係線上執行的。
  65. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該裝置之該一或多個特徵來判定將對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓執行之一檢查程序之一或多個參數。
  66. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該裝置之該一或多個特徵來判定將對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓執行之一度量衡程序之一或多個參數。
  67. 如請求項58之系統，其中該模擬包括：藉由分別根據該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合及將該等疊對可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合應用於針對該一或多個晶粒之該設計資料而模擬該裝置之該一或多個特徵。
  68. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該一或多個特徵以及該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定該設計資料之一程序窗。
  69. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：基於該一或多個特徵以及該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定針對該晶圓或將在其上執行該微影程序之其他晶圓之一重工策略。
  70. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：判定該設計資料中該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合對於該裝置之該一或多個特徵更關鍵之一或多個區域。
  71. 如請求項58之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：將疊對、劑量及聚焦之一局域模型應用於該一或多個區域中之至少一者。
  72. 如請求項71之系統，其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以：比較該應用該局域模型之結果與將疊對、劑量及聚焦之一全域模型應用於該設計資料之結果以判定該全域模型之一準確度。
  73. 如請求項58之系統，其中該微影程序係一雙重圖案化微影程序，其中在該微影程序之一第一圖案化步驟之後執行該執行該度量衡，且其中該方法進一步包括：基於該等疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來判定該微影程序之一第二圖案化步驟之一或多個參數。
  74. 如請求項58之系統，其中該微影程序係一雙重圖案化微影程序，其中該一或多個晶粒包括以疊對之標稱值印刷之兩個或兩個以上晶粒以及以該疊對之經調變值印刷之一或多個晶粒，且其中該方法進一步包括：獲取以該疊對之該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒中之至少一者及以該疊對之該等經調變值印刷之該一或多個晶粒中之至少一者之影像；比較針對以該疊 對之該等標稱值印刷之該兩個或兩個以上晶粒中之該至少一者所獲取之該等影像與針對以該疊對之該等經調變值印刷之該一或多個晶粒中之該至少一者所獲取之該等影像；及基於該比較之結果來偵測以該等經調變值印刷之該一或多個晶粒中之缺陷。
TW102127676A 2012-08-01 2013-08-01 檢查一晶圓及／或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵 TWI591326B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261678576P 2012-08-01 2012-08-01
US13/783,291 US8948495B2 (en) 2012-08-01 2013-03-02 Inspecting a wafer and/or predicting one or more characteristics of a device being formed on a wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201415008A TW201415008A (zh) 2014-04-16
TWI591326B true TWI591326B (zh) 2017-07-11

Family

ID=50025524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102127676A TWI591326B (zh) 2012-08-01 2013-08-01 檢查一晶圓及／或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8948495B2 (zh)
EP (1) EP2880427A1 (zh)
JP (4) JP6282650B2 (zh)
KR (2) KR102129826B1 (zh)
CN (1) CN104620097B (zh)
IL (2) IL236957B (zh)
TW (1) TWI591326B (zh)
WO (1) WO2014022682A1 (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5960198B2 (ja) 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
KR102427139B1 (ko) 2014-02-12 2022-07-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법
US10576603B2 (en) * 2014-04-22 2020-03-03 Kla-Tencor Corporation Patterned wafer geometry measurements for semiconductor process controls
KR102202517B1 (ko) 2014-07-13 2021-01-13 케이엘에이 코포레이션 오버레이 및 수율 임계 패턴을 이용한 계측
US10712289B2 (en) * 2014-07-29 2020-07-14 Kla-Tencor Corp. Inspection for multiple process steps in a single inspection process
WO2016096524A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US10036964B2 (en) * 2015-02-15 2018-07-31 Kla-Tencor Corporation Prediction based chucking and lithography control optimization
GB2546922B (en) * 2015-03-06 2019-04-10 Blatchford Products Ltd Lower limb prosthesis
US10012599B2 (en) * 2015-04-03 2018-07-03 Kla-Tencor Corp. Optical die to database inspection
KR102377411B1 (ko) * 2015-04-10 2022-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사와 계측을 위한 방법 및 장치
US9767548B2 (en) * 2015-04-24 2017-09-19 Kla-Tencor Corp. Outlier detection on pattern of interest image populations
US9410902B1 (en) 2015-05-05 2016-08-09 United Microelectronics Corp. Overlay measurement method
US9940429B2 (en) 2015-06-29 2018-04-10 International Business Machines Corporation Early overlay prediction and overlay-aware mask design
KR20170016681A (ko) * 2015-08-04 2017-02-14 에스케이하이닉스 주식회사 레지스트레이션 제어된 포토마스크의 결함 검출 방법
US9679100B2 (en) 2015-08-21 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Environmental-surrounding-aware OPC
US9916965B2 (en) * 2015-12-31 2018-03-13 Kla-Tencor Corp. Hybrid inspectors
US10181185B2 (en) 2016-01-11 2019-01-15 Kla-Tencor Corp. Image based specimen process control
JP6752593B2 (ja) * 2016-03-07 2020-09-09 東レエンジニアリング株式会社 欠陥検査装置
US10068323B2 (en) * 2016-04-10 2018-09-04 Kla-Tencor Corporation Aware system, method and computer program product for detecting overlay-related defects in multi-patterned fabricated devices
US10740888B2 (en) 2016-04-22 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Computer assisted weak pattern detection and quantification system
CN113467195A (zh) * 2016-05-12 2021-10-01 Asml荷兰有限公司 获得测量的方法、用于执行过程步骤的设备和计量设备
US10902576B2 (en) * 2016-08-12 2021-01-26 Texas Instruments Incorporated System and method for electronic die inking after automatic visual defect inspection
US10679909B2 (en) 2016-11-21 2020-06-09 Kla-Tencor Corporation System, method and non-transitory computer readable medium for tuning sensitivies of, and determining a process window for, a modulated wafer
US10761128B2 (en) * 2017-03-23 2020-09-01 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for inline parts average testing and latent reliability defect detection
US10262408B2 (en) * 2017-04-12 2019-04-16 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for systematic and stochastic characterization of pattern defects identified from a semiconductor wafer
JP6778666B2 (ja) * 2017-08-24 2020-11-04 株式会社日立製作所 探索装置及び探索方法
EP3451061A1 (en) * 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
WO2019145092A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Asml Netherlands B.V. Computational metrology based sampling scheme
US10867877B2 (en) * 2018-03-20 2020-12-15 Kla Corporation Targeted recall of semiconductor devices based on manufacturing data
CN111426701B (zh) * 2019-06-25 2024-01-30 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆缺陷检测方法及其装置
US11494895B2 (en) * 2020-02-14 2022-11-08 KLA Corp. Detecting defects in array regions on specimens
DE102020104167B4 (de) 2020-02-18 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung von Photomasken
WO2021223940A1 (en) * 2020-05-04 2021-11-11 Asml Netherlands B.V. System and method for generating level data for a surface of a substrate
CN111721779B (zh) * 2020-05-27 2023-02-28 联宝(合肥)电子科技有限公司 一种产品重工方法、装置及存储介质

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215896B1 (en) * 1995-09-29 2001-04-10 Advanced Micro Devices System for enabling the real-time detection of focus-related defects
JPH09260446A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Fujitsu Ltd 半導体装置の位置ずれ測定方法
JP3757482B2 (ja) * 1996-08-09 2006-03-22 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JPH11186132A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Sony Corp 半導体装置の製造工程のフィードバック方法
JPH11274037A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および装置
US6020957A (en) 1998-04-30 2000-02-01 Kla-Tencor Corporation System and method for inspecting semiconductor wafers
US6910203B2 (en) * 2001-12-10 2005-06-21 Toppan Photomasks, Inc. Photomask and method for qualifying the same with a prototype specification
US20040032581A1 (en) 2002-01-15 2004-02-19 Mehrdad Nikoonahad Systems and methods for inspection of specimen surfaces
JP2003257838A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Hitachi Ltd 露光方法およびそのシステム
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
JP4597859B2 (ja) 2002-07-15 2010-12-15 ケーエルエー−テンカー コーポレイション マイクロリソグラフパターンの製作におけるパターンの認定、パターン形成プロセス、又はパターン形成装置
US8185230B2 (en) 2002-08-22 2012-05-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for predicting device electrical parameters during fabrication
US7003758B2 (en) * 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7403264B2 (en) * 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US7729529B2 (en) 2004-12-07 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
US7769225B2 (en) * 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
EP1929474A2 (en) * 2005-08-30 2008-06-11 Camtek Ltd. An inspection system and a method for inspecting a diced wafer
JP2007081292A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Toshiba Corp 検査方法、検査システムおよびプログラム
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
JP4333770B2 (ja) * 2007-04-12 2009-09-16 ソニー株式会社 マスクパターン作成プログラム、半導体製造方法、マスクパターン作成方法および半導体設計プログラム
JP2008294352A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nuflare Technology Inc 露光方法及び露光用フォトマスク
US20080304025A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP4973876B2 (ja) * 2007-08-22 2012-07-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材
JP5065943B2 (ja) * 2008-02-29 2012-11-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 製造プロセスモニタリングシステム
DE102008017645A1 (de) 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats
US9710903B2 (en) * 2008-06-11 2017-07-18 Kla-Tencor Corp. System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features
JP5268532B2 (ja) 2008-09-30 2013-08-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料計測方法、及び計測装置
US8041106B2 (en) * 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
JP5235719B2 (ja) * 2009-02-27 2013-07-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン測定装置
NL2004531A (nl) 2009-05-29 2010-11-30 Asml Netherlands Bv Apparatus and method for providing resist alignment marks in a double patterning lithographic process.
WO2011008688A2 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Kla-Tencor Corporation Scanner performance comparison and matching using design and defect data
JP5644290B2 (ja) * 2010-09-08 2014-12-24 凸版印刷株式会社 フォトマスクの製造方法
US9140998B2 (en) 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN104620097B (zh) 2017-08-29
IL236957B (en) 2018-07-31
KR20150036789A (ko) 2015-04-07
IL255772A (en) 2018-01-31
JP2021182162A (ja) 2021-11-25
JP2018097376A (ja) 2018-06-21
WO2014022682A1 (en) 2014-02-06
KR20200045577A (ko) 2020-05-04
EP2880427A1 (en) 2015-06-10
US8948495B2 (en) 2015-02-03
CN104620097A (zh) 2015-05-13
TW201415008A (zh) 2014-04-16
JP2020057008A (ja) 2020-04-09
US20140037187A1 (en) 2014-02-06
JP2015527740A (ja) 2015-09-17
KR102129826B1 (ko) 2020-07-06
JP6282650B2 (ja) 2018-02-21
IL255772B (en) 2020-09-30
KR102169564B1 (ko) 2020-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI591326B (zh) 檢查一晶圓及／或預測形成於一晶圓上之一裝置之一或多個特徵
KR102287785B1 (ko) 반도체 타겟의 계측을 위한 차동 방법 및 장치
JP6326465B2 (ja) ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための方法
TWI616721B (zh) 針對極紫外光光罩之臨界尺寸均勻性監測
KR102109059B1 (ko) 계측 방법, 컴퓨터 제품 및 시스템
TWI668582B (zh) 用於判定由一檢查子系統在設計資料空間中產生之輸出之一位置的系統、方法及非暫時性電腦可讀媒體
KR102649158B1 (ko) 반도체 제조 공정의 수율을 예측하는 방법
JP6789920B2 (ja) 被検査物上の関心対象領域の座標決定
TWI780470B (zh) 用於微影製程效能判定之方法及設備
CN106158679B (zh) 结合晶圆实体测量与数位模拟以改善半导体元件制程方法
TW201531662A (zh) 多重圖案化參數之量測
TW201804547A (zh) 電腦輔助弱圖案偵測及量化系統
US20230175983A1 (en) Process window qualification modulation layouts
KR20230156063A (ko) 반도체 제조 프로세스를 특성화하기 위한 방법 및 장치