TWI589448B - 溫度及腐蝕穩定的表面反射器 - Google Patents

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Description

溫度及腐蝕穩定的表面反射器
本發明係有關於一種溫度穩定的層系統，其在300至2700nm之波長範圍內具有高反射性能，該層系統佈置在金屬基板上，並具有一層金屬性鏡面或反射層，佈置在該鏡面或反射層上之增強反射性的“交替層系統”，係由具有折射率n1之介電LI層(低折射率層)，以及佈置於其上具有高於n1之折射率n2之介電HI層(高折射率層)所構成，本發明之層系統係應用在作為溫度及腐蝕穩定之表面反射器。在基板與反射層之間至少有一層，其既能增強鏡面金屬層的附著度又作為擴散障壁，其既抑制基板中之原子擴散至反射層，又抑制反射層中之原子擴散至基板。否則此種擴散會因表面反射器在應用領域中所出現的高溫而增強及加速，從而削弱反射層或鏡面層之反射特性。此外為增強溫度穩定性而在前述之擴散障壁與反射層之間設有更多防護層，其視情況亦對於反射層之黏聚(結塊)進行抑制。為增強溫度穩定性及腐蝕穩定性，在反射層與LI/HI層系統之間亦設更多防護層，其防止反射層氧化、黏聚(結塊)以及擴散至其他層。此外，本發明之層系統的各層採用某種設計方案，使其良好地彼此 附著或附著在基板上，以及使該表面反射器具有良好的耐磨性及耐腐蝕性。
表面反射器及相當之物體通常係鋁製品。為達到較高的反射，原鋁應儘可能純淨，如具有99.8%之純度。純鋁非常軟，故傾向使用所謂“滾壓包覆”材料。該工藝係將純鋁單面或雙面地滾壓至具有符合機械性能之鋁合金。採用高純度之原因在於，所含雜質會在加工過程中，例如在脫脂槽中或在電化學拋光時造成穿孔腐蝕，從而增大漫反射分量，此點不利於相關應用領域。
未經防護之鋁表面在環境影響下會迅速反應並具一定程度之反射：在乾燥氣氛中會形成氧化鋁，在水分條件下會形成氫氧化鋁(拜三水鋁石)且在高於75℃時會形成偏氫氧化鋁(水鋁礦)。此外，未經防護之鋁表面非常不耐刮。為獲得高反射並對鋁表面加以防護，通常實施以下操作步驟：透過在化學浴中施加應力來對表面進行電化學光澤處理，該表面在經剝除物質後變得光滑，且剝除未經定義之反應產物，從而獲得純鋁表面，此點可增強反射並降低漫反射分量。隨後，通常對經過前述處理之鋁實施陽極氧化。在此過程中，含有羥基之層自外朝內增長，即朝基板芯部增長，而產生多孔氧化鋁層，通常會採用浸泡熱水浴來閉合孔隙。此種氧化鋁層之機械硬度遠大於未經防護之鋁表面，以致於 鏡面表面較為耐刮。由於氧化鋁層之厚度約為0.4-2μm，大部分約為0.5至2μm，故其會有反射光不利的干擾，此外，一部分的光會被氧化鋁層中之雜質散射或吸收。因此，該產品之全反射僅為約84至90%(依照DIN 5035-3)。
就某些應用領域而言，透過上述方式所實現之反射率過低。有鑒於此，先前技術提出許多具有高反射率之多層式層系統，其可藉由週知的薄膜塗層法(如PVD、CVD或PECVD)並透過金屬層與透明(通常係介電)層之適當組合而沈積下來。舉例而言，EP 0 456488 A1及EP 0 583871 A1提出，可透過將介電LI-HI層狀結構鍍覆至金屬反射層來增強鏡面層系統之整體反射性能，該層狀結構係由若干的低折射率與高折射率之層所交替構成。若將此等層系統沈積在機械硬度相對較低之金屬基板上，則此等層系統會非常易受機械性的損傷，即使在許多常用之介電層的硬度極高的情況下亦是如此。亦即，在實施機械性的作用時，此等層系統可能會被壓進硬度較軟的金屬表面。因此，將此等層系統沈積到經過陽極氧化處理而硬度較高的鋁表面上，是較佳的做法，透過此種方式製成之反射器的抗機械性損傷會顯著增強。
為提高反射性並抑制有害的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到“光密”的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾 效果。此類干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾。美國專利5 527 562建議，鍍覆有機矽溶膠作為PVD塗層的基礎，而EP 0 918 234 B1案則建議，在鋁基板鍍上漆料，如此便不需要陽極氧化層。但EP 0918 234 B1案並未提到在沈積反射層之前必須在陽極氧化層上鍍覆黏接層。高純度的鋁或銀係經常作為反射層之材料，因為此二種材料本身具有較高的反射率。
WO2007/095876A1提及一種黏接層，係在鍍覆厚度<90nm的第一功能性反射層之前，先鍍覆在陽極氧化層上，而第一功能性反射層並非光密。在藉由電子束蒸發鍍覆第二功能性反射層之前，在第一功能性反射層上先鍍覆第二助黏層。藉由將該二並非光密之反射層相結合，來製作一個光密之反射層系統。該方案之優點在於，可藉由電子束蒸發來鍍覆第二反射層。若無第一功能性反射層，只能藉由濺鍍法方能濺鍍光密反射層。
為進一步提高金屬層之反射，先前技術通常在反射層上佈置某個透明材質之層系統，其具有引起反射光之相長干涉的厚度，如此便能進一步提高金屬層之反射並保護反射層免受環境因素的影響。此等層之厚度遠小於經過陽極氧化而製成之氧化鋁層，因此基本上避免了有害的干擾。此種系統通常由前述之具有低折射率之下層(LI層)與具有高折射率之上層(HI層)構成。所用材料係週知的材料：常見之 一組對層係由使用於LI層之氧化矽與使用於HI層之二氧化鈦所構成。設置這些層並對層的厚度進行精確的調整後，對於波長範圍在300至2700nm之入射輻射仍達到頗佳的高反射程度。WO 2006/033877針對的是此種以玻璃/鋁/SiO2/TiO2之順序排列之鏡面，該案為增強鋁在玻璃及介電覆蓋層上的附著度從而提高機械特性而建議，在鋁層下方鍍覆一層金屬氧化物層，特別是氧化鋁層。該層可採用某種梯度，使得鋁含量朝鋁層遞增，氧含量朝基板遞增。此種氧化鋁層亦可佈置在鋁層與介電覆蓋層之間。在美國專利7,678,459所描述之替代方案中，係使用視情況而定而具有梯度之SiAlOx來取代氧化鋁。
上述反射層系統大部分皆在可見光的範圍內達到盡可能最高的反射程度，以便將其作為照明用途之反射器，通常不要求特別的溫度或腐蝕穩定性。
EP 0 762 152採用一種薄的陽極鍍層，其厚度最大75nm，同時用作針對機械及化學影響的防護件，且用作LI-HI層系統之低折射率層，即用來替代SiO2。此類反射器“特別適合作為紅外輻射或者光學技術(特別是晝光技術)之燈光的反射器”。
在某些應用中，此等反射層系統能夠在連續工作中承受高溫：例如在作為太陽能鏡面、高性能輻射器(如泛光燈)之鏡面、雷射鏡或者LED晶片之基板的情況下。
此外，金屬反射層可能發生氧化，反射層之原子可能擴散至位於其上方或下方之層。此外特別是使用銀作為反射層時，可能發生銀黏聚(結塊)現象，從而削弱層系統之反射。
在高溫條件下，黏接層成分或者反射層上之光學層的成分亦可能擴散至反射層。此類效應通常會削弱反射層系統之反射效能。
例如，太陽能鏡經常應用於菲涅耳發電站。在此情況下，主鏡面例如可吸收太陽光並將其集中至注滿可升溫液體的吸收管。為提高太陽光的吸收，通常在吸收管後方安裝第二鏡面(次鏡面)。其緊鄰吸收管且會變得很熱；並且必須在連續運作下承受約250℃至300℃之溫度。在此等條件下，反射層基於前述原因會變得不耐用。為對此情況提出修正，EP 2 418 521 A2建議，棄用反射層。為此，基板必須本身或與位於其上方之層相結合後而具有預期的之反射性能，此點可透過使用經電化學光澤處理之高純度鋁作為基板而實現，以某種方式對此種鋁進行陽極氧化，從而形成厚度為20至100nm、高密度、高硬度、無孔隙的氧化鋁障壁層，隨後可藉由PVD工序(程序)在其上鍍覆由LI層與LI層所構成之常見的層系統，而產生耐熱性提高之鏡面。為增強該鏡面之耐刮性，EP 2 530 496 A1建議，可為由LI層與HI層構成之層系統密封一層熱發射或機械性防護塗層，如溶膠-凝膠塗層，在 此過程中同樣為鏡面底面配設一層熱發射之層，例如由鋁基板之厚度為3至5μm之陽極氧化層構成之層。但為了達到最高反射率，通常就不能棄用由高純度金屬構成之反射層。舉例而言，唯有用銀質反射層方能實現大於92%的太陽光反射。例如，US 5,019,458提出一種在玻璃基板上之太陽光反射為95.5%的太陽能鏡，其銀質反射層嵌入在由NiCr與ZnS構成之層之間，該反射在95-100%相對濕度及140℉(60℃)的條件下，在一週內未發生變化，亦即，所設定的工作溫度並不特別高。
將全反射大於95%之溫度穩定之高反射鏡面系統應用於不同於太陽能領域之應用領域，亦有其必要。在此情況下亦需使用銀作為反射層。舉例而言，通常在鏡面基板上安裝具有許多LED的LED晶片，以提高光吸收，即所謂之“MC-COB”(金屬核心-板上晶片(Metal Core-Chip On Board))。在基板上佈置所謂之“PCB”(印刷電路板(Printed Circuit Board))，即若干帶薄膜之區域整合在導電通路中，或者例如具有凹槽的類似元件。在此等凹槽中相應設有直接黏貼至表面反射器的LED。
為晶片澆注可具有“磷”，即發光物質的聚合物或類似物質。鏡面基板一般由銀塗層之銅片，係相對較貴之材料構成。但其耐熱性有待提高，此點非常不利，因為此類LED晶片會產生150℃左右的溫度且應具有至少20000小時的 使用壽命。DE 20 2011 050 976 U1亦建議一種以鋁材質為基礎的層狀結構，其中該層狀結構被一層高介電(抗電)強度的電絕緣層封閉，以便在可良好地散熱的同時提高光的吸收。依照DIN 5036-3，光反射率“通常情況下為92.0%”。
在經常使用主要由銀構成之超薄金屬鏡面層之窗戶鑲嵌玻璃的領域，有提出建議，在金屬鏡面層下方及上方增設防護層，以免其受氧化、黏聚(結塊)及擴散過程的影響。但此類層系統所追求之目的不在於在太陽輻射之總波長範圍(300-2700nm)內達到盡可能最高的總反射，而是不同於要在紅外光譜範圍內達到高反射，是要在可見光譜範圍內達到高透射率，以便配設有採用前述塗層方式(即所謂之low-E塗層)之窗戶的建築物在熱輻射損失較小的同時，利用太陽輻射進行最有效的發電。
為在可見光譜範圍內實現高透射率，所用銀層必須極薄(<50nm)，亦即，無論何種情況下皆不得光密。因此，此等銀層極易腐蝕，不過其並無須承受高溫。
DE 33 07 661 A1描述一種位於玻璃板上的層序列，其中，在厚度為5至50nm之銀層下方，即在緊挨玻璃板處鍍覆有氧化銦或氧化錫層，而在銀層上方鍍覆有選自Al、Ti、Ta、Cr、Mn及Zr的一種金屬，其厚度為2nm，其對銀黏聚(結塊)進行抑制，在其上另設氧化銦或氧化錫層。EP 0 104 870亦公開一種類似的層序列。EP 1 174 397 B1建議，為汽車 擋風玻璃等諸如此類的物件配設一組低發射(“low-E”)之層序列，其分別在兩個由鎳或鎳合金構成之層之間具有至少一層紅外反射之銀層，此類鎳或鎳合金層至少要有部分的氧化。此等層之氧含量朝背離銀層之方向遞增。在該層結構與玻璃基板之間可設有作為抗反射層之第一介電層，其例如由TiOx、SiOx或SixOy或類似物質構成，以及設有作為降低散射層之第二介電層，其可由Si3N4或者混有鋁及/或不鏽鋼的矽構成。WO 2012/036720描述一種位於玻璃基板上的結構，其具有至少一層由硼摻雜氧化鋅構成之介電層(稱作“晶種層”)、一層由銀及/或金構成之紅外反射層，以及一層位於紅外反射層上方之介電層。介電層亦可由硼摻雜氧化鋅構成；在替代方案上可由鎳及/或鉻之氧化物構成。硼摻雜氧化鋅層可增強塗層之物理及化學耐受性，而不會對其荷電及光學特性造成負面影響。用於玻璃板的銀層必須極薄，從而可見光之透射率可保持在較高水平。但其毋需承受高溫。
在其他應用領域亦提出對於金屬反射層之防護層之建議：DE 10 2004 010 689 B3公開一種具有可過濾輻射的吸收塗層之太陽能吸收器，該吸收塗層在金屬基板上具有擴散阻擋層、金屬反射層、金屬陶瓷層及抗反射層。由該金屬基板之氧化構件組成部分所構成的氧化層，係作為擴散阻擋層。該案未說明適用於金屬反射層之材料。
DE 10 2005 000 911 A1公開一種“在可見光譜範圍內具有較高反射特性(“遠大於90%”)的環境耐受型鏡面層系統，其沈積在“介電基板”上，應用在可用於LCD投影儀或DLP投影儀之光路中的光積分器部件或光隧道部件等光學儀器中“。該案係將銀質鏡面層嵌入在兩個ZnOx層之間，再用一組由SiO2及TiO2構成之雙重LI-HI層系統對該鏡面層之反射性進行優化。
US 6,078,425A公開一種用於望遠鏡的以銀材質為基礎的鏡面系統。該案係將銀質鏡面層嵌入在兩個Ni-CrN層之間，再為其配設一LI-HI層系統。
DE 930428公開一種位於金屬基板上的表面反射器，具有由鉻構成之黏接層及位於其上之反射層，該反射層由Al、AlMg或Ag構成且嵌進兩個SiOx層之間。位於反射層下方之SiOx層係作為擴散障壁且防止Cr與反射層間在高溫條件下發生擴散從而削弱反射性能。
US 6,222,207 B1及US 6,593,160 B2公開了Ni、NiV或TiW：N作為擴散障壁之應用，用來在高性能LED晶片焊接至某個系統載體或類似元件的情況下，防止作為焊接材料的銦位移到該等高性能LED晶片之背面反射器的銀反射層。
本發明之目的在於，提供一種溫度穩定的層系統，其在可見光的範圍內以及此外在300至2700nm之太陽輻 射的範圍內具有極高之均勻反射。在可見光的範圍內，該層系統依照DIN5036(ASTM E 1651)之全反射應為至少94%，較佳為至少97%，尤佳為至少98%。就太陽反射器而言，該層系統依照ASTM 891-87之太陽反射應為至少89%，較佳為至少92%，尤佳為95%。在依照DIN 5036-3(1°孔徑)的特別實施方式中，該漫反射分量小於11%，尤佳小於7%，最佳小於3%。
該層系統能夠用(例如)在LED晶片(MC-COB)之應用領域中、雷射投影儀中或類似元件(在約100至約150℃溫度條件下具有必要之長期穩定性)中的反射器，甚至作為第二太陽能鏡面更佳鏡面(到約250℃的情況下，更好甚至到300℃或更高的溫度條件下具有必要的溫度穩定性)。
此種由反射層與反射性較高之LI-HI層系統構成之反射層的真正功能在於免受溫度引發之衰減機制，如氧化、擴散及黏聚(結塊)，以及提供抗腐蝕保護。
透過將多種其他層置入該反應器層以及佈置在其下方及上方來實現此點。
高反射對於LED-COB應用領域而言特別重要，因為光吸收會在全反射發生變化的情況下相對於反射而言提高或降低約4個數量級。在該應用領域中，特別重要的是在400至460nm之波長範圍內獲得盡可能最大的反射，而所用LED或雷射二極體的發射波長通常就處於該波長範圍之內(視具體實施方式而定)。此外，該反射器應具良好的抗腐蝕性，因 為在較高之工作溫度條件下，膠黏劑、聚合物及磷對鏡面的腐蝕作用可能會加劇。
本發明用以達成上述目的之解決方案為，該層系統佈置在一常見基板上且配設有先前技術所公開之反射層，該反射層由例如銀、鋁、鉑、銠、鉬、鉭、鎢的金屬或者由使用上述金屬中的一或多個的合金構成，以及該反射層透過某種特殊層序列而變得溫度穩定且有較佳抗腐蝕及機械作用。
本發明之層系統可基於其特性而作為表面反射器；該層系統具有以下構件，下面主要結合圖1對此等構件進行詳細說明： 任一具有第一表面-面(A)及第二表面-面(B)的金屬基板(1)，其較佳由以下構件構成：1a)由較佳鋁、鋁合金、銅、鉬、鈦、鉭、優質鋼、鋼、鐵、鍍錫板或者由使用上述材料中的至少一個的合金或者由上述材料中的至少兩個，更佳由鋁，構成之芯部，厚度例如為0.1-2mm，較佳為0.3-1mm，1b/c)其中該芯部可選擇性地可配設有滾壓包覆部，由高純度(含量更佳為至少99.5%，尤佳為至少99.8%，最佳為至少99.9%)鋁構成更佳，厚度例如為0.02至0.5mm，其中該滾壓包覆部可單面(層1b)設置在該第一面(A)上或者雙面設置，以及2a/2b)在基板具有宜透過例如用熱水進行熱壓縮而密封 (在密封工藝中將孔隙閉合，該層變得少孔，因而變得更緊密且穩定)之表面的情況下，位於可選擇配設的滾壓包覆之芯部之上的由氧化鋁構成的層，宜透過其鋁表面之陽極氧化(“陽極氧化層”、“陽極化層”)而製成，厚度例如為20至2000nm，較佳為400至900nm，其中該氧化鋁層可單面(層2a)設置在該第一面(A)上或者雙面設置在該等面(A)及(B)，其中另外在基板上方之面(A)上，在設有層2a)的情況下，在該層2a上方依序自內向外設有以下層：4)特別是用來增強用於該反射層金屬的附著度且作為擴散障壁的一層，該層由亞化學計量之氧化鈦(TiOx)或氧化鋯(ZrOx)構成，其中x<2，或者由亞化學計量之氮氧化鈦(TiNxOy，通常亦稱TiON)或氮氧化鋯(ZrNxOy)構成，其中x1且y<2且x+y具有某個值，使得鈦原子或鋯原子在化學式上不完全飽和，或者由選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬構成，或者由使用上述金屬中的一個的合金構成，或者由上述金屬中的至少兩個構成，由亞化學計量之TiNxOy構成更佳，厚度以5至50nm為佳，10至30nm更佳，5a)提供用於讓反射層較佳增長的縮合核的一層(“晶種”層)，該層增強反射層之附著度，特別是防止反射層之金屬在將來發生黏聚(結塊)，從而提高溫度穩定性，該層由鎳合金構成，其合金組成以鉻、鋁、釩、鉬、鈷、鐵、鈦及/或銅為佳，而以採用鎳-釩更佳，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬之一的合金或上述金屬中的至少兩個構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成， 由NiV合金、Cu或優質鋼構成更佳，厚度以2-40nm為佳，5-30nm更佳，在實施濺鍍以及與鋁反射層一起使用的情況下，選用鋁更佳，下文將對此進行詳細說明，6)一層反射層，其由高純度金屬構成，該金屬之純度至少99.9%為佳，選自銀、鋁、金、鉑、銠、鉬及鉻，或者由使用上述金屬中的一個的合金構成，或者由上述金屬中的至少兩個構成更佳，由銀或鋁構成尤佳，如由銀構成則又更佳，以某種方式選擇其厚度，使其光密，亦即，不會或者基本上不會(小於1%為佳)有任何介於300-2700nm(特別是可見光)之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層，厚度以50至200nm乃至300nm較佳，通常為90至300nm，80至180nm，或者100至200nm更佳，7)一層，其特別是對該反射層之金屬的黏聚(結塊)進行抑制且增強該反射層上之層的附著度。該層宜選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計量的氧化物，或者選自上述金屬中的兩個或兩個以上之混氧化物，或者選自鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者由上述金屬中的至少兩個構成，該層以亞化學計量之氧化鉻或者亞化學計量之氧化鈦構成尤佳，厚度宜約為2至20nm，約為2至10nm更佳，9)與緊鄰之層10(HI層)相比具有低折射率的層(LI層)，折射率通常為n=1.3至1.8，選自本領域通常知識者所熟知的材料，例如金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及金屬碳氮氧化物，如SiOx、Al2O3、MgF2、AlF3、CeF3、YF3、BaF2LaF3、SiAlOx(SiLa)、TiAlOx及硼矽 玻璃，其中可以某種方式選擇該等氧化物中之指數x，使得不是出現化學計量之化合物，就是氧化物之陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)，特別是由SiOX或Al2O3構成，厚度通常為10至200nm，而以40至100nm較佳，及10)緊鄰層9且與層9(LI層)相比具有高折射率的層(HI層)，折射率通常為n=1.8至3.2，選自本領域通常知識者所熟知的材料，例如金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳氮氧化物，如TiOx、TiAlOx、ZrOx、HfOx、La2O3、Y2O3、Bi2O3、ZnO、SnO2、Nb2O5、Y2O3、Si3N4，其中可以某種方式選擇指數x，使得不是出現化學計量之化合物，就是氧化物之陽離子在化學式上不完全飽和，特別是由TiOX或ZrOx構成，厚度通常為10至200nm，較佳為40至100nm。
該層系統可有選擇性的，包含更多層。例如可另設有一或多個以下之層：3)在層2a與層4之間設有另一層，其特別是作為針對基板之金屬原子之穿透以及針對抗反射層之原子之穿透的擴散障壁，選自特別是鉻、鈦、鈦鋁及鋁的氮化物及氮氧化物以及ZAO(氧化鋅-氧化鋁)為佳，由CrN構成更佳，厚度較佳為5至50nm，5b)位於反射層6下方而以非光密為佳的層，其以在層5a)所提供之縮合核上增長為佳，並且會有助於反射層金屬之特別緊密的增長(“晶種層2”)，而此層以由與反射層相 同之金屬構成為佳，其中藉由PVD工序，特別是濺鍍來鍍覆該層，特定言之，為了沈積該反射層之金屬，透過不同於濺鍍之工藝，如透過電子束蒸發來鍍覆該層會更有利，厚度以2至100nm為佳，2至90nm更佳，5至40nm則又更佳，8)在層7與層9之間設有一層，其特別是防止反射層之原子朝外擴散，以及氧擴散至反射層，並且可提高層狀結構之腐蝕穩定性，由以下某種材料構成，其選自化學計量及亞化學計量之ZnAlOx(ZAO)、ZnO、TiOx、TiAlnOxNy、TiOxNy、ZrOx、ZrAlnOxNy、ZrOxNy、Si3N4、Al2O3及AlOxNy為佳，由TiOx、ZAO或Al2O3構成更佳，其中指數x及x+y之和具有某個值，使得不是出現化學計量之化合物，就是金屬陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)，且n之值可>1至2或者更大，厚度較佳為2至30nm，10至20nm更佳，其中與亞化學計量之化合物相比，使用化學計量之化合物較佳，及11)朝外部閉合之防護層，特別是由氟化物、氧化物、氮氧化物或碳氮氧化物構成，由LaF3、ZrOx、SiOx、SiOXNyCz、SnO2、In2O3、SnInOx、InZnOx(ITO)、ZnAlOx(ZAO)或DLC(DLC表示sp3鍵之比例較高的“類鑽碳(diamond like carbon)”碳層)構成為佳，其中指數x及x+y+z之和具有某個值，使得不是出現化學計量之化合物，就是金屬陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)。該層亦可構建作為膠黏系統之助黏層，以便將LED二極體或PCB等組件黏貼至反射層。在採用太陽能鏡的情形下，該層亦可構建作為另一溶膠-凝膠或漆料塗層之助黏層。防護層11亦可為 漆料(以氟聚合物尤佳)或溶膠-凝膠層(具有三維之氧化網狀結構，特別是矽網狀結構)。此在以下情況下特別有利：將表面鏡面作為太陽光反射器，或者作為MC-COB，而以FLIP-CHIP(覆晶)技術安裝LED。
在將表面鏡面例如作為LED之MC-COB的情形下，往背面(面A上)鍍覆一絕緣層12)為佳，該絕緣層例如係由漆料或黏貼之絕緣膜構成，其以鍍覆一絕緣漆料為佳，介電強度應以2000V為佳，又以4000V更佳。
可藉由工業薄膜塗層法(如PVD、CVD、PECVD)將本發明之層系統鍍覆至金屬基板上。成本特別低之方式在於，該基板作為帶材(捆材)，在連續工序中既被預先處理，也在所謂的真空帶材塗層設備中連同該層系統一起進行塗層，該塗層設備尤以配備「空氣對空氣」的裝置為佳，以便在不發生生產中斷的情況下前後連續地塗層多個帶材(捆材)。
藉由PVD工序(如濺鍍)來鍍覆該等層3、4、5a)、5b、7及8為佳，亦可透過濺鍍來鍍覆反射層6及由層9與10構成之交替層系統；不過以透過電子束蒸發來沈積上述層較佳。防護層11可為溶膠-凝膠層(具有三維之氧化網狀結構，較佳係矽網狀結構)或者任一種塗覆之漆料，亦可不採此種方法而透過任一種其他工藝，例如PVD工序(如濺鍍)或者透過CVD或PECVD(電漿增強化學氣相沈積)來鍍覆防護層。
該等層4、5a、6、7、9及10，視情況與層3及/或5b及/或8及/或11相結合，視為光學活性層系統。其中，層9及10按週知的方式作為增強反射之“交替層系統”。該二層亦可多重使用，其中緊鄰著HI層的是LI層。該增強反射之交替層系統宜採用某種構建與最佳化的方案，使得在採用LED或雷射器的情形下，其發射波長內得到特別高的反射，或者在採用太陽能鏡的情形下，得到特別高的太陽反射，具體視應用領域而定。此可藉由本領域通常知識者所熟知的光學計算來實現。
可採用某種態樣選擇位於反射層下方之各層，使其毋需高透明。而位於該反射層上方之各層：其應盡可能高透明。根據此種態樣，宜為層7選用一層氧化層，而其尤以亞化學計量更佳，因為一層亞化學計量之層除具良好透明度外，亦確保上方之層具有良好的附著度。
由具有前述之較佳材料組成之層4、5a、5b、6、7、9及10構成之層系統，以及另具層3及8之層系統，具有98%的全反射，其中自470nm之波長起，其反射隨波長的增大基本上保持不變而且完全連續延伸(參閱圖2)。
透過將層4與5a相結合，如亦結合層5b更佳，以提高溫度穩定性，在這種情況下，在陽極氧化的鋁作為基板的情況下，基板中之原子，如源自於陽極氧化過程的剩餘化學品，將無法穿透層4及3之擴散障壁。否則，此種移動會污 染高純度金屬反射層，從而造成發射性能迅速變差。本發明之層組合還能防止反射層中之金屬原子擴散至基板，而此會使得反射層不再光密，在發生此種情況時，發射性能同樣會迅速變差。
根據本發明之表面反射器的一種優勢的設計方案，將始於層4或3之層序列鍍覆至滾壓包覆之鋁基板，其中該滾壓包覆部由高純度鋁含量為至少99.5%構成，至少達99.8%甚至99.9%的高純度鋁構成更佳，該鋁基板受到電化學光澤處理、隨後被陽極氧化並在水浴中透過熱封而被密封。
該基板之優點在於，機械特性可取決於鋁芯之合金，但表面仍然由雜質較少之鋁構成。例如就太陽能鏡而言，重要之處在於鏡面具有極高的剛度，以使其焦點即使在風荷載的情況下亦不會發生明顯變化。此外，(例如)LED晶片亦對基板之剛度提出極高要求，以便將此等晶片儘可能配合地接合至散熱器。而高純度鋁非常軟，通常無法滿足機械特性方面的要求。
而高純度鋁之優點在於，在電化學光澤處理過程中，雜質不會造成任何穿孔腐蝕，如此便能製成漫反射分量極小之特別光滑的表面，此點對相關用途而言非常重要。
根據一種較佳實施方式，藉由連續式濕式化學工藝對此種帶狀基板之表面進行處理，其中基板穿過多種浴槽：帶狀基板首先穿過清洗槽，以便去除滾壓工藝中之表面 雜質。帶材隨後穿過浴槽，以便對其進行電化學光澤處理(拋光)。隨後，帶狀基板穿過浴槽，以便透過陽極氧化而在表面上形成氧化鋁層。在下一水浴中，透過熱封來閉合氧化鋁層之孔隙，從而產生光滑且穩定的層，其可藉由真空法而被塗層。此類層被稱作ELOXAL或ANOX層。
宜藉由連續式真空帶材塗層過程(空氣-空氣過程)來鍍覆本發明之層系統。
在鍍覆第一層4或3前，透過電漿清洗步驟對基板進行預處理會更好，以便去除在每個技術表面上與空氣形成之水膜及基板表面上的其他雜質，尤其透過用氬、氬氫或氬-氧混合物實施所謂之“輝光放電”之方式來實現尤佳。此舉使得層4與基板表面牢固連接，從而產生該層系統之足夠的附著度。
可採用PVD、CVD及PECVD法來沈積該層系統，以沈積法例如為濺鍍、熱蒸發或電子束蒸發(既可反應性又可非反應性)尤佳。
宜採反應性濺鍍層3，以便與該基板產生良好的附著度並獲得非常緊密之層，該層極佳地滿足作為擴散障壁的功能。
宜藉由濺鍍來將該黏接與障壁層4鍍覆至該基板。採用TiOx或TiOxNy的情況下，藉由反應性濺鍍透過添加氧及/或氮來鍍覆該層，採用鈦靶材為佳，而採用TiOx靶材更 佳。
溫度測試表明，TiOx為陽極氧化之鋁基板上的較佳擴散障壁，TiOxNy特別有效，因而是陽極氧化之鋁基板上的較佳擴散障壁。
金屬層特別適用於具有金屬表面的基板。
就層5a(晶種層1)而言，宜採用某種材料，使其在電化序中與構成該反射層之材料的標準電極電位具有最小差異。此點對於表鏡面之良好的腐蝕穩定性而言非常重要。因而當反射層例如由鋁構成時，層5a主要採用鈦、鉻或鎳或者鎳合金。當反射層由鉻構成時，例如可採用鋁、鈦或鉬，當反射層由銅構成時，則可選用鐵、鉬或銀。反射層由鉬構成時，可選用鎳或鎳合金、鉻或者鐵作為層5a之材料。反射層由銀構成時，則主要採用銅、NiV或鉑作為層5a。此外，宜以某種方式選擇材料，使其可與反射層之材料構成一合金，從而在層5a與反射層6之介面內會引起該二層之原子發生穿透。此點對於確保良好的層間附著度以及反射層未來在溫度作用下發生黏聚(結塊)而言，非常重要。
採用鎳合金尤佳，因而該等合金在溫度作用下具有良好的氧化穩定性且具有極佳的耐腐蝕性。在此採用非鐵磁鎳合金更為有利，以便在磁控濺鍍時實現高沈積率。純鎳具鐵磁性並干擾磁控濺鍍單元的磁場，因而可能大幅降低沈積率並提高濺鍍工藝的成本。透過針對性的合金處理便能對 鎳的鐵磁性加以抑制。舉例而言，以下鎳合金不具鐵磁性，因而適宜進行磁控濺鍍：NiCr 80：20%、NiV 93：7%、NiAl 90：10%(皆以重量百分比為單位)，其中採用NiV尤佳。
溫度測試表明，NiV亦特別有效地阻止銀遷移，因為NiV為良好的擴散障壁，銀極佳地附著在NiV上，因為鎳易於與銀形成合金。腐蝕穩定性同樣極佳。
較佳地，較薄的銅層(4-10nm)亦適合用作銀質反射層6的晶種層，因為銅易於與銀形成合金且與銀之標準電極電位的差異極小。>10nm之較厚的銅層不適用，因為銅在溫度作用下會擴散至銀，從而降低銀層之反射。
宜將高純度鋁層；尤其將高純度銀層作為反射層6更佳，因為該等材料在本發明之波長範圍內本身就具有極高的反射(鋁TR=90%；銀TR=95%)。
宜藉由電子束蒸發來沈積該等材料，因為該方法提高沈積率從而降低工藝成本，還能以遠小於濺鍍的壓力(1E-6至1E-4mbar，而濺鍍時之壓力為1E-3至6E-3mbar)來沈積該材料，從而使得該層僅會被極少量的殘餘氣體量污染。
但蒸鍍層之缺點在於，粒子僅會以極小的動能撞擊基板(小於10eV)，因而該等層之附著度通常較差。為彌補該項缺點，首先宜將一層由金屬-如係構成反射層6之金屬則更佳-構成之“晶種層2”(層5b)濺鍍至層5a。實施濺鍍時，粒子具有大得多的動能(50-500eV)，故其非常有效地附著在 “晶種層1”(層5a)所提供之縮合核上。在此情況下，蒸鍍材料便能極佳地在該濺鍍層上增長。
在反射層6由鋁構成之特殊情形下，可將濺鍍之鋁作為“晶種層1”。蒸鍍之鋁反射層6極佳地附著在此種晶種層上，如此便毋需設置第二“晶種層”。
而當反射層6完全透過濺鍍而被沈積時，則可棄用層5b。
層7同樣宜藉由濺鍍而被沈積，因為必須非常精確地保持該層之厚度，以免大幅降低反射層的高反射。透過濺鍍便能極佳地滿足此項要求，因為採用濺鍍時，能夠透過所用電功率非常精確地調節沈積率。
將金屬材料應用於層7時，精確控制層厚尤為重要，因為幾奈米便會大幅降低反射層的反射。因而在採用上述材料的情況下，使用亞化學計量之氧化物或混氧化物較佳。其優點在於，該等金屬透過氧化而部分透明，因而即使在層厚較大時，反射層的反射僅會小幅降低。而在使用化學計量之氧化物的情況下，層7之作為黏接層的功能會受到影響，因為所有金屬化合物皆已飽和，遂使該層在反射層上的附著度變差，且該層之防止發生黏聚(結塊)之功能以及與其上方之層的助黏功能皆會受到影響。
宜採用反應性濺鍍技術並透過在濺鍍室中對氧含量進行監測來沈積該等亞化學計量之層。為對氧化程度進 行精確控制，採用電漿監視器或氧感測器來調節氧氣流尤佳，從而對該層之氧含量進行精確調整。此外，反應性輸入之氧的精確配量同樣非常重要，因為過量配量可能造成下方之金屬反射層的氧化，從而降低其反射。
層8作為擴散障壁。與位於該反射層下方之擴散障壁層不同，層8必須高透明，因而採用介電材料較佳。必須以足夠的密度沈積該等介電材料，以滿足其作為擴散障壁的功能。因此，宜藉由反應性中頻濺鍍或反應性脈衝直流濺鍍來沈積該等層。上述工藝特別適用於沈積較密的介電材料，利用陶瓷靶材尤佳。
層9及10必須相對較厚，以便滿足其作為增強反射之層狀結構的光學功能，有鑒於此，宜藉由電子束蒸發來沈積該等層，因為該工藝可實現高沈積率及低沈積成本。
根據另一有利方案，可根據所用材料而藉由另一工藝來沈積層9及10這兩層。視情況亦可將用於沈積層9與10之不同工藝相結合。舉例而言，宜可將藉由電子束蒸發所鍍覆之層9(如SiOx層，因為SiOx難以濺鍍)與濺鍍之層10相結合。
宜對層11進行濺鍍，以便與該層10產生良好的附著度並獲得非常緊密之層，該層極佳地滿足作為擴散障壁的功能。若另需為該層提供抗磨損保護，則濺鍍亦較佳，因為用濺鍍能製成硬度極高的層。防護層11亦可為漆料(尤佳為 氟聚合物)或溶膠-凝膠層(具有三維之氧化網狀結構，特別是矽網狀結構)。
1‧‧‧基板
1a‧‧‧芯部
1b‧‧‧高純度鋁，經滾壓包覆
1c‧‧‧純鋁，經滾壓包覆(可選)
2a‧‧‧陽極氧化層(密封)
2b‧‧‧陽極氧化層
3‧‧‧擴散障壁
4‧‧‧用於銀及擴散障壁的黏接層
5a‧‧‧“晶種層1”
5b‧‧‧“晶種層2”，用金屬濺鍍的層
6‧‧‧由高純度金屬(純度至少為99.9%)構成之光學活性反射層
7‧‧‧用於反射層之防護與黏接層
8‧‧‧擴散障壁
9‧‧‧具有低折射率的LI層，n=1.3-1.8
10‧‧‧具有高折射率的HI層，n=1.8-3.2
11‧‧‧防護層
12‧‧‧可選之絕緣層
圖1係本發明一實施例之層系統；圖2係本發明一實施例之層系統之波長及反射率示意圖；圖3係本發明另一實施例之層系統之波長及反射率示意圖；圖4及圖5係本發明不同實施例之層系統之波長及反射率示意圖。
下面結合若干特殊實施例對本發明進行詳細說明。
實施例1
用於鋁基板上之LED用MB-COB的表面鏡面
將滾壓包覆之鋁作為基板，包含由硬度為H18及H19之鋁合金構成的芯部，及具有99.9%純鋁之單面滾壓包覆。該包覆的厚度約為芯部厚度的10%。其中，宜使用厚度為0.7至1.0mm，0.7mm的鋁浴尤佳。寬度可為最大1600mm，1250mm尤佳。
藉由連續式濕式化學工藝對此種帶狀基板之表面進行處理，其中該基板穿過多種浴槽：該帶狀基板首先穿 過清洗槽，以便去除滾壓工藝中之表面雜質。該帶材隨後穿過浴槽，以便對其進行電化學光澤處理(拋光)。隨後，該帶狀基板穿過浴槽，以便透過陽極氧化而在該表面上形成一氧化鋁層(層2)。在下一水浴中，透過熱封來閉合該氧化鋁層之孔隙，從而產生光滑且穩定的層，其可藉由真空法而被塗層。
層2的第一實施方案
在一種優選實施方式中，鍍覆厚度為400至900nm之氧化鋁層2。與照明用途中常用之1000至2000nm之厚度相比，上述厚度之優點在於，對表面反射器之表面進行充分的抗機械損傷保護的同時，該厚度所含之源於濕式化學工藝的化學品及水的剩餘量較小，因而在隨後之真空塗層法過程中，不會產生任何壓力問題，將來在施加溫度時，僅有少量雜質自氧化鋁層擴散至位於上方之層系統。
層2的第二實施方案1b
在另一較佳實施方式中，鍍覆厚度僅為20至80nm之氧化鋁層2。該層厚尚足以對鋁表面提供有效保護並實現良好的可真空塗層性。該實施方式儘管未提供非常高的抗機械損傷保護，但其優點在於，該氧化鋁層所含之可能在施加溫度時擴散至位於上方之層系統(從而削弱層系統之反射性能)的化學品及水的剩餘量更小，體積相應亦更小。此外，TEM實驗表明，即使在基板與反射層之間佈置有極佳之擴散障壁層的 情況下，在高溫(>80℃)的長時間作用下(大於10000小時)，亦可能出現反射層之原子擴散至氧化鋁層之情形。據觀察，陽極氧化層之孔隙隨時間推移而被反射層中之原子填滿。最後當所有孔隙被填滿時，該過程停止。在該反射層在初始狀態下的厚度至少為該陽極氧化層的兩倍之情形下，據觀察，剩餘反射層之厚度足以實現光密而不會出現嚴重的反射損耗。
隨後，藉由一空氣-空氣PVD帶材塗層設備對經上述預處理之基板進行塗層。
該帶材經由真空閘而進入真空後，藉由電漿法對基板表面進行清洗。隨後，該帶材穿過多種塗層工位，以便藉由多種前述之PVD工序沈積該層系統的各層。在此過程中，透過橢圓偏光計對該等各層之層厚進行量測及調節。在該塗層過程結束時，透過光譜儀來量測整個層系統的光學特性。
具體言之，以下面的順序沈積以下之層系統。
塗層工位1
層4由TiNxOy構成且藉由反應性磁控濺鍍而以3-50nm之層厚被沈積。
塗層工位2
層5a(晶種層1)由NiV 93：7重量百分比構成且藉由磁控濺鍍而以2至40nm之層厚被沈積。
塗層工位3
層5b(晶種層2)由銀構成且藉由磁控濺鍍而以2-20nm之層厚被沈積。
塗層工位4
層6由高純度銀(99.99%)構成且藉由電子束蒸發而被沈積。層厚為80至180nm。
塗層工位5
層7由亞化學計量之CrOx或TiOx構成且藉由濺鍍而被沈積。層厚為2至10nm。
塗層工位6
層9由SiOx構成且藉由電子束蒸發而被沈積。層厚為60nm。
塗層工位7
層10由TiOx構成且藉由電子束蒸發而被沈積。層厚為50nm。
更多實施方案
在一種可與本發明的所有其他設計方案相結合的特別實施方案中，將另一由Al2O3或TiOx構成之擴散障壁層(8)嵌入在層(7)與(9)之間。如此便能進一步提高該層系統之溫度穩定性。該方案與層2的第一實施方案相結合特別有利。
下表列出實施例1的具體之層系統，表中部分的說明特別有利的厚度範圍：
該層系統之全反射大於98%(參閱圖3)。溫度穩定性極佳。處於150℃之溫度條件下經過3000小時後，全反射最多降低2%。
該層系統之腐蝕穩定性同樣極佳。在10%的K2S溶液中，該反射在48小時後降低不到2%，而不含NiV層之層系統在1小時後便會澈底損毀。在10%的硫酸中，該反射在100小時之時間段內降低不到2%，而不含NiV層之層系統的反射在24小時後便會降低2%以上。
在氣候測試中，在85℃、85%相對濕度的條件下經過1000小時後，全反射降低不到1%，而就照明用標準產品而言，其全反射降低4%以上。
實施例1a'
作為實施例1a之替代方案，亦可將ZrOx而非TiOx應用於層10。從而進一步提高腐蝕穩定性。在此情況下，全反射之值同樣大於98%。
實施例1b
下表列出替代性實施例1b之層系統。該實例將Al2O3用作附加之擴散障壁(層8)：
實施例1b'
下表列出相對實例1b之替代性實施例之層系統。該實例將TiOx用作擴散障壁(層8)：
層系統1b及1b'之全反射皆大於98%(參閱圖3)。溫度穩定性同樣極佳。處於150℃之溫度條件下經過3000小時後，全反射最多降低2%。
實施例1c
下表列出另一實施例1c之層系統。此時僅鍍覆厚度為 40-80nm之較薄的陽極氧化層(“flash anodized”)：
在實施方案1c中，溫度穩定性有所提高(處於150℃之溫度條件下經過3000小時後，全反射最多降低1%)，但腐蝕穩定性較實施例1a稍有降低。該層系統之全反射亦大於98%(參閱圖3)。
實施例1d
在替選方案方面，該反射層亦可嵌入在優質鋼層與TiOx層之間。下表列出實施例1d之層系統：
該層系統之全反射大於98%。
實施例1e
為進一步增強用於LED之膠黏系統的表面附著度並減輕膠黏劑成分對層系統的腐蝕作用，宜往該層系統再濺鍍一覆蓋層11。
以SiOx、ZrOx或ZAO作為該覆蓋層為佳，其中又以採用SiOx更佳。
下表列出實施例1e之層系統：
實施例2
銅基板上之用於MB-COB的表鏡面
需要為高性能LED晶片提供導熱性極高的基板，以便進行有效散熱。其中宜將該層系統沈積到銅上。為此，例如可使用導熱性大於340W/mK的DHP銅或DLP銅，使用導熱性特別高(>390W/mK)的OF銅更佳，而使用銀合金(0.03%)的OF銅則尤佳，其耐溫性較好。
同樣藉由PVD帶材塗層設備來塗層該帶狀銅。銅表面上可能因滾壓過程而存在少量油殘餘，因此，除輝光處理外還應對銅進行電漿蝕刻。與採用鋁基板之情形相同，該帶材在塗層過程中亦穿過多種塗層工位。但此處之層4)由一層金屬層構成，採用鉻尤佳。如此便產生了以下用於銅基板之尤佳層系統：
該層系統之全反射大於97%。
實施例3a
具有濺鍍防護層之太陽反射器
就用作太陽反射器之表鏡面而言重要之處在於，定向反射之分量特別高，以便對太陽輻射進行最佳聚焦，亦即，漫反射分量應當儘可能低。其中以採用具有特別光滑之表面的滾壓包覆之鋁(Ra<0.1μm)較佳。
該層系統具有特別宜由反應性濺鍍之ZiOx所構成之防護層11，以便為該系統提供抗磨損與抗腐蝕保護。
下表列出實施例3a之層系統：
該層系統之太陽反射高於95%(依照ASTM 891-87)，故其反射遠高於具有鋁質反射層之太陽能鏡，後者之太陽反射僅約為92%(參閱圖4)。依照DIN 5036-3(1°孔徑)，漫反射分量低於6%，因此，該表鏡面特別適合用作太陽反射器。溫度穩定性極佳。處於250℃之溫度條件下經過1000小時後，反射最多降低2%。
實施例3b
具有溶膠-凝膠防護層之太陽反射器
該層系統另具有特別宜由用溶膠-凝膠法沈積之SiOx所構成之防護層11，以便為該系統提供極佳之抗磨損與抗腐蝕保護。
下表列出實施例3b之層系統：
該層系統之太陽反射高於92%(依照ASTM 891-87)，依照DIN 5036-3(1°孔徑)，漫反射分量低於6%(參閱圖5)。溫度穩定性極佳。處於250℃之溫度條件下經過1000小時後，全反射最多降低1%。
實施例3c
具有漆料防護層之太陽反射器
該層系統另具有特別宜由漆料構成，最佳由氟聚合物所構成之防護層11，以便為該系統提供極佳之抗污染與抗腐蝕保護。
下表列出實施例3c之層系統：
該層系統之半球形太陽反射高於91%(依照ASTM 891-87)。
實施例3d
應用於玻璃暖房之太陽反射器
就某些應用領域而言，將太陽能鏡安裝在玻璃暖房中是較佳的做法。此時需要對其提供抗沙暴保護。但此處之作為戶外鏡面的太陽能鏡必須承受高溫(最高90℃)及部分承受較高空氣濕度(最高90%之相對濕度)。在此等應用領域中，特別是以下層系統具有極高之耐受性：
該層系統之全反射高於98%(依照DIN 5036-3)， 太陽反射高於94%(依照ASTM 891-87)。在“濕熱測試”(85℃，85%空氣濕度)中，在1000小時後，全反射(依照DIN 5036-3)及太陽反射(依照ASTM 891-87)皆最多降低1%。
該層系統之全反射高於98%(依照DIN 5036-3)，太陽反射高於94%(依照ASTM 891-87)。
在“濕熱測試”(85℃，85%空氣濕度)中，在1000小時後，全反射(依照DIN 5036-3)及太陽反射(依照ASTM 891-87)皆最多降低1%。
其中，宜藉由反應性濺鍍法使用由矽構成之鋁含量為1%(重量百分比)的靶材來鍍覆該氮化矽層(10)，其中將氮作為反應氣體輸入。
該層系統之全反射高於98%(依照DIN 5036-3)，太陽反射高於94%(依照ASTM 891-87)。
在“濕熱測試”(85℃，85%空氣濕度)中，在1000小時後，全反射(依照DIN 5036-3)及太陽反射(依照ASTM 891-87)皆最多降低1%。
其中，宜藉由濺鍍法鍍覆ZAO層(10)(氧化鋅鋁)，。鋁含量以2%(重量百分比)尤佳。
該層系統之全反射高於98%(依照DIN 5036-3)，太陽反射高於94%(依照ASTM 891-87)。
在“濕熱測試”(85℃，85%空氣濕度)中，在1000小時後，全反射(依照DIN 5036-3)及太陽反射(依照ASTM 891-87)皆最多降低1%。
其中，宜藉由濺鍍法鍍覆ZAO層(10)(氧化鋅 鋁)，鋁含量以2%(重量百分比)尤佳。
另置入一由TiOx構成之擴散障壁層(8)。
該層系統之全反射高於98%(依照DIN 5036-3)，太陽反射高於94%(依照ASTM 891-87)。
在“濕熱測試”(85℃，85%空氣濕度)中，在1000小時後，全反射(依照DIN 5036-3)及太陽反射(依照ASTM 891-87)皆最多降低1%。
實施例3e
具有鋁反射層之太陽反射器
依照ASTM 891-87，該層系統之全反射高於89%(參閱圖4)。
實施例4
用於DLP雷射投影儀(英語：Digital Light Processing)中之色輪的鏡面
下表列出實施例4之層系統：
1a‧‧‧芯部
1b‧‧‧高純度鋁，經滾壓包覆
1c‧‧‧純鋁，經滾壓包覆(可選)
2a‧‧‧陽極氧化層(密封)
2b‧‧‧陽極氧化層
3‧‧‧擴散障壁
4‧‧‧用於銀及擴散障壁的黏接層
5a‧‧‧“晶種層1”
5b‧‧‧“晶種層2”，用金屬濺鍍的層
6‧‧‧由高純度金屬(純度至少為99.9%)構成之光學活性反射層
7‧‧‧用於反射層之防護與黏接層
8‧‧‧擴散障壁
9‧‧‧具有低折射率的LI層，n=1.3-1.8
10‧‧‧具有高折射率的HI層，n=1.8-3.2
11‧‧‧防護層
12‧‧‧可選之絕緣層

Claims (30)

  1. 一種層系統，包括一金屬基板(1)，具有一第一面(A)，在該第一面(A)上依序自內向外鍍覆有以下層：選自某種材料的層(4)，該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，或者使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個，層(5a)，其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、鈷、鐵、鈦及/或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成，由高純度金屬構成的光密反射層(6)，層(7)，其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個，LI層(9)，與緊鄰之HI層(10)相比具有低折射率，及該HI層(10)，緊鄰該LI層(9)且與該LI層(9)相比具有高折射率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)含有鋁、銅或優質鋼或者由以上材料構成的一芯部(1a)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)由以下構件構成： 一芯部(1a)，其由鋁、鋁合金、銅、鉬、鈦、鉭、優質鋼、鋼、鐵、鍍錫板，或者由使用上述材料中的至少一個的合金，或者由上述材料中的至少兩個構成，位於該芯部(1a)的一面上的氧化鋁層(2a)，或者位於該芯部(1a)的該面上的氧化鋁層(2a)以及位於該芯部(1a)的另一面上的氧化鋁層(2b)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之層系統，其中該芯部(1a)在單面或雙面配設有滾壓包覆部(1b；1c)，其位於該芯部(1a)與該氧化鋁層之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之層系統，其中該滾壓包覆部(1b；1c)由含量為至少99.5%的高純度鋁所構成。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之層系統，其中該基板(1)之芯部(1a)由鋁構成，以及/或者該基板(1)之芯部(1a)在單面或雙面配設有滾壓包覆部(1b；1c)，該滾壓包覆部(1b；1c)由含量為至少99.5%的高純度鋁構成，且該氧化鋁層(2a；2b)係透過陽極氧化而製成。
  7. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該層(4)之厚度為5至50nm，以及/或者該層(5a)之厚度為2至40nm，以及/或者該反射層(6)之厚度為50至200nm，以及/或者該層(7)之厚度為2至20nm，以及/或者該LI層(9)之厚度為10至200nm，以及/或者該HI層(10)之厚度為10至200nm。
  8. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該層(4)之材料選自TiOx及TiNxOy。
  9. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該層(5a)之材料選自非鐵磁鎳合金，特別是NiV、優質鋼及銅。
  10. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該反射層(6)之高純度金屬選自純度至少為99.9%之金屬，且選自銀、鋁、金、鉑、銠、鉬及鉻，或者使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之層系統，其中該反射層(6)之高純度金屬選自銀及鋁。
  12. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該層(7)由亞化學計量之氧化鉻或氧化鈦構成。
  13. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該LI層(9)之折射率n為1.3至1.8，且該LI層(9)之材料選自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及金屬碳氮氧化物。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之層系統，其中該LI層(9)之材料選自SiOX、Al2O3、MgF2、AlF3、CeF3、YF3、BaF2LaF3、SiAlOx、TiAlOx及硼矽玻璃。
  15. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該HI層(10)之折射率n為1.8至3.2，且該HI層(10)之材料選自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及金屬碳氮氧化物。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之層系統，其中該HI層(10)之材料選自TiOx、TiAlOx、ZrOx、HfOx、La2O3、Y2O3、Bi2O3、ZnO、SnO2、而具有8%原子比之Al的ZAO、Nb2O5、 Y2O3及Si3N4尤佳。
  17. 如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，另外包括一或多個以下之層：由一無機金屬化合物構成的層(3)，該層(3)位於如申請專利範圍第3項之該氧化鋁層(2a)與該層(4)之間，位於該反射層(6)下方之透過PVD工序鍍覆的一金屬層(5b)，位於該層(7)與該LI層(9)之間的層(8)，其化學成分選自TiOx、TiAlnOxNy、TiOxNy、ZrOx、ZrAlnOxNy、ZrOxNy、ZAO、ZnO、Si3N4、Al2O3及AlOxNy，朝外部閉合之防護層(11)。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之層系統，其中該層(3)之厚度為5至50nm，以及/或者該金屬層(5b)之厚度為2至100nm，以及/或者該層(8)之厚度為2至30nm。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之層系統，其中該層(3)選自氮化物及氮氧化物，以及氧化鋅鋁(ZAO)。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之層系統，其中該層(3)之氮化物及氮氧化物選自鉻、鈦、鈦鋁及鋁的氮化物及氮氧化物。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之層系統，其中該金屬層(5b)在該層(5a)所提供之縮合核上增長，並由與該反射層(6)相同之金屬構成。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之層系統，其中該金屬層(5b)係透過濺鍍而被鍍覆。
  23. 如申請專利範圍第1至6項任一項之層系統，其中該層(5a)係由鋁構成，該反射層(6)係由鋁構成，且該層(5a)係由濺鍍之鋁構成。
  24. 如申請專利範圍第23項之層系統，其中當該反射層(6)的直接下方不設置透過PVD工序鍍覆的一金屬層(5b)時，該反射層(6)係由蒸鍍之鋁構成。
  25. 如申請專利範圍第17項所述之層系統，其中該防護層(11)由氟化物、氧化物、氮氧化物、碳氮氧化物或類鑽碳(DLC)構成。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之層系統，其中該防護層(11)之材料選自LaF3、ZrOx、SiOx、SiOxNyCz；SnO2、In2O3、SnInOx、InZnOx(ITO)、或ZnAlOx(ZAO)。
  27. 如申請專利範圍第17項所述之層系統，其中該防護層(11)之材料為藉由溶膠-凝膠法鍍覆的三維氧化物，或者為一漆料。
  28. 如申請專利範圍第7項所述之層系統，其中該層(4)之厚度為10至30nm，以及/或者該層(5a)之厚度為5至30nm，以及/或者該反射層(6)之厚度為80至180nm，以及/或者該層(7)之厚度為2至10nm，以及/或者該LI層(9)之厚度為40至100nm，以及/或者該HI層(10)之厚度為40至100nm。
  29. 如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)具有由鋁或鋁合金構成的一芯部(1a)，其中該芯部(1a)在單 面或雙面配設有由含量為至少99.5%的高純度鋁構成的滾壓包覆部，氧化鋁層(2a)配設在該滾壓包覆部(1b)上，且氧化鋁層(2b)配設在該芯部的另一面上，其中在該氧化鋁層(2a)上依序自內向外鍍覆有以下層：該層(4)，其中該層(4)之材料選自TiOx及TiNxOy，該層(5a)，其中該層(5a)之材料選自非鐵磁鎳合金，特別是NiV及銅，選擇性的金屬層(5b)，其係由濺鍍之銀構成，該反射層(6)，其中該反射層(6)之材料為高純度銀，該層(7)，其中該層(7)由亞化學計量之氧化鉻或氧化鈦構成，該LI層(9)，其中該LI層(9)之材料選自SiOX及Al2O3，以及該HI層(10)，其中該HI層(10)之材料選自TiOx及Nb2O5。
  30. 一種如申請專利範圍前述任一項所述之層系統之應用，作為與LED一起使用更佳之表面反射器，特別是用於LED之MC-COB、作為太陽反射器，或者作為雷射鏡，特別是用於DLP雷射投影儀中之色輪。
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