TWI585627B - 導電片、觸摸面板與顯示裝置以及該導電片的製造方法及非暫態性記憶媒體 - Google Patents

導電片、觸摸面板與顯示裝置以及該導電片的製造方法及非暫態性記憶媒體 Download PDF

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Description

導電片、觸摸面板與顯示裝置以及該導電片的製造方法及非暫態性記憶媒體
本發明是有關於一種導電片、觸控面板及顯示裝置以及該導電片的製造方法及非暫態性(non-transitory)記憶媒體。
近來，組裝有觸控面板(touch panel)的電子設備正在廣泛普及。觸控面板多搭載於行動電話或個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)等包含小尺寸畫面的設備中。今後，可充分設想將觸控面板亦組裝至個人電腦(Personal Computer，PC)用顯示器等包含大尺寸畫面的設備中。
先前的觸控面板電極中，自透光性的觀點考慮，主要使用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)。眾所周知，與金屬等相比，ITO的每單位面積的電阻相對較高。即，於ITO之情形時，隨著畫面的尺寸(觸控面板的總面積)增大，整個電極上的表面電阻升高。其結果為，電極間的電流傳輸速度變慢，自接觸至觸控面板後至檢測接觸位置為止的時間(即，響應速度)變慢的課題顯現出來。
因此，已提出利用含有電阻較低的金屬的細線(金屬細線)形成多個格子而構成電極，藉此降低表面電阻的各種技術(參照國際公開第1995/27334號、國際公開第1997/18508號、日本專利特開2003-099185號公報)。
例如，當有規則地排列同一網格形狀時，在與構成顯 示畫面的各畫素的關係中，存在容易產生波紋(moire)(干涉條紋(interference fringe))的問題。因此，已提出藉由有規則或無規則地配置各網格形狀，來抑制波紋及雜訊粒狀感(亦稱為顆粒感)，以提高觀察對象物的視認性的各種技術。
例如，於日本專利特開2009-137455號公報中，揭示有一種搭乘用移動體用窗及其圖案PT1的俯視形狀，該搭乘用移動體用窗如圖57A所示，將擷取圓的一部分而成的圓弧狀的具有導電性的線材2重疊配置成格子狀，並且於上述圓弧狀的線材2的端部，設置有與相鄰的圓弧狀的線材2的中央部附近連接的網格層4。藉此，記載有如下內容：不僅可提高視認性，而且可提高電磁波的屏蔽性及耐破損性。
於日本專利特開2009-16700號公報中揭示有一種透明導電性基板及其圖案PT2的俯視形狀，該透明導電性基板如圖57B所示，是利用塗佈於基板上的一面而放置後自然於基板上形成網格狀構造的溶液、即經自我組織化的金屬微粒溶液而製造。藉此，記載有如下內容：可獲得不發生波紋現象的不規則的網格狀構造。
於日本專利特開2009-302439號公報中，揭示有一種光透過性電磁波屏蔽材料及其圖案PT3的俯視形狀，該光透過性電磁波屏蔽材料如圖57C所示，電磁波屏蔽層6具有海島構造的海洋區域的構造，由電磁波屏蔽層6包圍的包含開口部的島狀區域8的形狀各不相同。藉此，記載有 如下內容：不會產生波紋，光透過性及電磁波屏蔽性得到提高。
且說，當使用非透光性材質，即，金屬作為觸控面板的電極時，根據金屬細線的有無，透過電極的光量差增大。藉此，與電極所形成的圖案形狀對應的濃淡變得顯著，從而容易被使用者視認。特別於當無間隙地排列著不同的網格形狀的網格圖案的情形時，存在容易產生顆粒感(雜訊粒狀感)的問題。
本發明是為解決上述問題而開發的，目的在於提供一種可抑制由圖案所引起的顆粒感的產生，能夠大幅度提高觀察對象物的視認性的導電片、觸控面板及顯示裝置以及該導電片的製造方法及非暫態性記憶媒體。
本發明的導電片包括：基體；第1導電部，形成於上述基體的一主面上，包含多根金屬細線；第1保護層，設置於上述一主面上，覆蓋上述第1導電部；第2導電部，形成於上述基體的另一主面上，包含多根金屬細線；以及第2保護層，設置於上述另一主面上，覆蓋上述第2導電部；且上述基體相對於上述第1保護層的相對折射率、及/或上述基體相對於上述第2保護層的相對折射率為0.86~1.15。
如上所述，將基體相對於第1保護層的相對折射率及/或基體相對於第2保護層的相對折射率設為0.86~1.15，因此相對於上述基體的法線方向稍斜而射入的光中，於上述基體與上述第1保護層的界面、及/或上述基體與上述第 2保護層的界面上直線前進的光量相對增加。即，無論包含非透光性材料的金屬細線的位置如何，不散射而通過基體內部的光量一律增加。藉此，可降低由金屬細線所導致的光學濃度的對比度，從而難以被觀察者(使用者)視認。
本發明的導電片包括：第1基體；第1導電部，形成於上述第1基體的一主面上，包含多根金屬細線；第1保護層，設置於上述第1基體的一主面上，覆蓋上述第1導電部；第2基體；第2導電部，形成於上述第2基體的一主面上，包含多根金屬細線；以及第2保護層，設置於上述第2基體的一主面上，覆蓋上述第2導電部；且上述第1基體相對於上述第1保護層的相對折射率、及/或上述第2基體相對於上述第2保護層的相對折射率為0.86~1.15。
如上所述，將第1基體相對於第1保護層的相對折射率、及/或第2基體相對於第2保護層的相對折射率設為0.86~1.15，因此相對於上述第1基體及第2基體的法線方向稍斜而射入的光中，於上述第1基體與上述第1保護層的界面及/或上述第2基體與上述第2保護層的界面上直線前進的光量相對增加。即，無論包含非透光性材料的金屬細線的位置如何，不散射而通過基體內部的光量一律增加。藉此，可降低由金屬細線所導致的光學濃度的對比度，從而難以被觀察者(使用者)視認。
並且，上述第1導電部包括：多個第1導電圖案，分別沿第1方向延伸，且沿與上述第1方向正交的第2方向排列；以及多個第1虛擬圖案(dummy pattern)，配置於 相鄰的上述第1導電圖案彼此間的間隙部，與各上述第1導電圖案電性絕緣；且上述第1虛擬圖案的配線密度較佳為等於上述第1導電圖案的配線密度。於此情形時，對於來自一主面側的入射光的於第1虛擬圖案的平面區域內的光反射率、與於第1導電圖案的平面區域內的光反射率大致一致。即，無論第1導電圖案是否規則配置，均可使反射光的強度分布接近一樣。藉此，即使為在導電片的兩面上形成有包含金屬細線的電極的構成，亦可抑制由作為反射光源的外部光所引起的第1導電圖案的視認。
並且，較佳為上述第1導電部包含俯視時隨機地排列著不同網格形狀的網格圖案。
此外，較佳為上述網格圖案滿足下述第1條件及第2條件中的至少一者。第1條件是關於各上述網格形狀的重心位置分布的功率頻譜(power spectral)，較規定的空間頻率更高的空間頻率側的平均強度大於較上述規定的空間頻率更低的空間頻域側的平均強度。第2條件是在上述網格圖案的功率頻譜與人類標準視覺響應特性的捲積積分(convolution integral)中，大於等於相當於上述金屬細線的平均線寬的空間頻率的1/4倍頻率、且小於等於相當於上述金屬細線的平均線寬的空間頻率的1/2倍頻率的空間頻域內的各積分值大於零空間頻率時的積分值。
此外，較佳為上述網格圖案是基於實施以下資料製作製程而獲得的輸出用圖像資料而形成。該資料製作製程包括：選擇步驟，自規定的二維圖像區域中選擇多個位置； 製作步驟，根據所選擇的上述多個位置製作表示網格圖案的圖樣的圖像資料；計算步驟，根據所製作的上述圖像資料，計算出對上述網格圖案的雜訊特性進行定量化的評價值；以及決定步驟，根據所算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料作為上述輸出用圖像資料。
另外，較佳為於上述資料製作製程中，根據重疊圖像資料，計算出上述評價值，並根據該評價值決定上述輸出用圖像資料，該重疊圖像資料是使包含與上述網格圖案的圖樣不同的圖樣的結構圖案重疊於上述網格圖案而獲得。
並且，較佳為上述第2導電部包含分別沿上述第2方向延伸、且沿上述第1方向排列的多個第2導電圖案，藉由使上述第1導電部與上述第2導電部組合起來，而構成俯視時排列著相同的或不同的網格形狀的網格圖案。
此外，較佳為上述網格圖案是隨機地排列著不同網格形狀的圖案。
另外，較佳為上述網格圖案滿足以下第1條件及第2條件中的至少一者。第1條件是關於各上述網格形狀的重心位置分布的功率頻譜，較規定的空間頻率更高的空間頻率側的平均強度大於較上述規定的空間頻率更低的空間頻域側的平均強度。第2條件是在上述網格圖案的功率頻譜與人類標準視覺響應特性的捲積積分中，大於等於相當於上述金屬細線的平均線寬的空間頻率的1/4倍頻率、且小於等於相當於上述金屬細線的平均線寬的空間頻率的1/2倍頻率的空間頻域內的各積分值大於零空間頻率時的積分 值。
此外，較佳為上述網格圖案是根據實施以下資料製作製程而獲得的輸出用圖像資料而形成。該資料製作製程包括：選擇步驟，自規定的二維圖像區域中選擇多個位置；製作步驟，根據所選擇的上述多個位置製作表示網格圖案的圖樣的圖像資料；計算步驟，根據所製作的上述圖像資料，計算出對上述網格圖案的雜訊特性進行定量化的評價值；以及決定步驟，根據所算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料作為上述輸出用圖像資料。
此外，較佳為於上述資料製作製程中，根據重疊圖像資料計算出上述評價值，並根據該評價值決定上述輸出用圖像資料，該重疊圖像資料是使包含與上述網格圖案的圖樣不同的圖樣的結構圖案重疊於上述網格圖案而獲得。
並且，較佳為上述各網格形狀為多邊形狀。
此外，較佳為各上述網格形狀是基於位於1個平面區域內的多個位置，根據維諾圖(voronoi diagram)來決定。
並且，關於上述網格形狀中的頂點數的直方圖(histogram)，較佳為具有存在頻率(existence frequency)最高的頂點數的多邊形的比例為40%~70%。
並且，較佳為上述網格圖案具有重複形狀。
此外，較佳為上述各第1導電圖案是相對於上述重複形狀的排列方向傾斜規定角度而形成。
本發明的觸控面板包括：上述任一導電片；以及檢測控制部，檢測自上述導電片的一主面側算起的接觸位置或 接近位置。
本發明的顯示裝置包括：上述任一導電片；檢測控制部，檢測自上述導電片的一主面側算起的接觸位置或接近位置；以及顯示部，根據顯示信號將圖像顯示於顯示畫面上；且上述導電片是使另一主面與上述顯示部相對向，而配置於上述顯示畫面上。
本發明的導電片的製造方法的特徵在於包括：選擇步驟，自規定的二維圖像區域中選擇多個位置；製作步驟，根據所選擇的上述多個位置，製作表示網格圖案的圖樣的圖像資料；計算步驟，根據所製作的上述圖像資料，計算出對上述網格圖案的雜訊特性進行定量化的評價值；決定步驟，根據所算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料作為輸出用圖像資料；圖像擷取步驟，自所決定的上述輸出用圖像資料，擷取表示基體的一主面側的圖樣的第1圖像資料，並且擷取表示上述基體的另一主面側的圖樣的第2圖像資料；以及輸出步驟，根據所擷取的上述第1圖像資料，將線材輸出並形成於上述基體的一主面側，並且根據所擷取的上述第2圖像資料，將線材輸出並形成於上述基體的另一主面側，於俯視時，獲得於上述基體上形成有上述網格圖案的導電片。
本發明的非暫態性記憶媒體是儲存有製作用以將線材輸出並形成於基體上的圖像資料的程式的非暫態性記憶媒體，且上述程式使電腦作為如下構件而發揮作用：位置選擇部，自規定的二維圖像區域中選擇多個位置；圖像資料 製作部，根據藉由上述位置選擇部所選擇的上述多個位置，製作表示網格圖案的圖樣的圖像資料；評價值計算部，根據藉由上述圖像資料製作部所製作的上述圖像資料，計算出對上述網格圖案的雜訊特性進行定量化的評價值；資料決定部，根據藉由上述評價值計算部所計算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料作為輸出用圖像資料；以及圖像擷取部，自藉由上述資料決定部所決定的上述輸出用圖像資料，擷取表示上述基體的一主面側的圖樣的第1圖像資料，並且擷取表示上述基體的另一主面側的圖樣的第2圖像資料。
根據本發明的導電片、觸控面板及顯示裝置，將基體相對於第1保護層的相對折射率、及/或基體相對於第2保護層的相對折射率設為0.86~1.15，因此相對於上述基體的法線方向稍斜而射入的光中，在上述基體與上述第1保護層的界面及/或上述基體與上述第2保護層的界面上直線前進的光量相對地增加。
根據本發明的導電片、觸控面板及顯示裝置，將第1基體相對於第1保護層的相對折射率、及/或第2基體相對於第2保護層的相對折射率設為0.86~1.15，因此相對於上述第1基體及第2基體的法線方向稍斜而射入的光中，在上述第1基體與上述第1保護層的界面、及/或上述第2基體與上述第2保護層的界面上直線前進的光量相對地增加。
即，無論包含非透光性材料的金屬細線的位置如何， 不散射而通過基體內部的光量一律增加。藉此，可降低由金屬細線所導致的光學濃度的對比度，從而難以被觀察者(使用者)視認。
根據本發明的導電片的製造方法及非暫態性記憶媒體，可根據自規定的二維圖像區域中選擇的多個位置製作表示網格圖案的圖樣的圖像資料，根據上述圖像資料計算出對上述網格圖案的雜訊特性進行定量化的評價值，並根據上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料作為輸出用圖像資料，因此可決定具有滿足上述規定的評價條件的雜訊特性的網格圖案的形狀。換而言之，可藉由適當控制網格圖案的雜訊特性，來降低雜訊感。並且，自同一輸出用圖像資料，分別擷取表示一主面的圖樣的第1圖像資料及表示另一主面的圖樣的第2圖像資料，因此即使於分為2層來輸出並形成線材的情形時，亦可於俯視時維持網格圖案的視認性。
藉由隨附圖式及以下較佳實施形態例的說明，上述目的、特徵及優點將更進一步清楚明白。
以下，在與組裝有本發明的導電片的觸控面板及顯示裝置的關係方面列舉較佳的實施形態，一面參照隨附圖式，一面對本發明的導電片進行詳細說明。在與實施本發明的導電片的製造方法的製造裝置及非暫態性記憶媒體(程式)的關係方面，對本發明的導電片的製造方法進行詳細說明。為便於說明，有時將下述實施形態或其變形例 的導電片10A~導電片10F、導電片230、導電片240加以總稱而記作導電片10。
再者，於本說明書中表示數值範圍的「~」作為如下含義來使用：包含記載於其前後的數值作為下限值及上限值。
[第1實施形態的導電片10A的構成]
第1實施形態的導電片10A如圖1及圖2所示，包含透明基體12(基體)。具有絕緣性且透光性高的透明基體12包含樹脂、玻璃、矽酮(silicone)等材料。作為樹脂，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、三醋酸纖維素(Triacetylcellulose，TAC)、環烯烴共聚物(Cycloolefin Copolymer，COC)等。
於透明基體12的一主面(圖2的箭頭s1方向側)上，形成有第1導電部14a。第1導電部14a包含金屬製的細線{以下記作金屬細線16。(並且，有時記作金屬細線16p、金屬細線16q、金屬細線16r、金屬細線16s)}以及由開口部18形成的網格圖案20。金屬細線16包含例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)等金屬材料。
金屬細線16的線寬可自30μm或30μm以下的範圍進行選擇。當將導電片10A應用於觸控面板時，金屬細線16的線寬較佳為大於等於0.1μm且小於等於15μm，更佳為大於等於1μm且小於等於9μm，進一步更佳為大於等 於1μm且小於等於7μm，更進一步更佳為大於等於1μm且小於等於5μm。作為線寬的上限值，更佳為5μm，進一步更佳為4μm，更進一步3μm。作為線寬的下限值，更佳為0.5μm，進一步更佳為0.8μm，更進一步更佳為1μm。再者，於圖1所例示的隨機圖案的情形時，自視認性及通電特性的觀點而言，金屬細線16的線寬更佳為3μm左右。
詳細而言，第1導電部14a包含無間隙且隨機地排列著不同的網格形狀22的網格圖案20。換而言之，網格圖案20是各網格形狀22無規則性(統一性)的隨機圖案。例如，網格圖案20中，標附有剖面線的網格形狀22為四邊形狀，包括以直線連結頂點C1與頂點C2的金屬細線16p、以直線連結頂點C2與頂點C3的金屬細線16q、以直線連結頂點C3與頂點C4的金屬細線16r、及以直線連結頂點C4與頂點C1的金屬細線16s。如自本圖所知，網格形狀22均為至少具有3條邊的多邊形狀。
以下，於本說明書中的「多邊形」中，不僅包含幾何學上絕對的多邊形，而且亦包含對上述絕對的多邊形加以輕微變更的「真實多邊形」。作為輕微變更的例示，可列舉較網格形狀22更微小的點要素、線要素的添加，或者構成網格形狀22的各邊(金屬細線16)的局部缺損等。
於第1導電部14a的大致整個面上，以覆蓋金屬細線16的方式，經由第1黏著層24a而黏著有第1保護層26a。作為第1黏著層24a的材料，可列舉濕式積層(wet laminate)黏著劑、乾式積層(dry laminate)黏著劑或熱熔融(hot melt)黏著劑等。
第1保護層26a與透明基體12同樣地，含有包含樹脂、玻璃、矽酮在內的高透光性的材料。第1保護層26a的折射率n1為等於透明基體12的折射率n0、或接近於折射率n0的值。於此情形時，透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1為接近於1的值。
此處，本說明書中的折射率是指波長589.3nm(鈉的D線)的光的折射率，例如，若為樹脂，則以國際標準規格，即ISO14782：1999(對應於JIS K 7105)來定義。並且，透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1是以nr1=(n1/n0)來定義。此處，相對折射率nr1只要在大於等於0.85且小於等於1.17的範圍內即可，更佳為大於等於0.86且小於等於1.15，進一步更佳為大於等於0.91且小於等於1.08。
當透明基體12包含PET時，藉由採用例如聚三氟氯乙烯(poly(chlorotrifluoroethylene)，PCTFE)、PMMA、PS、PET、聚硫胺甲酸酯(polythiourethane，PTU)或高折射率玻璃等作為第1保護層26a，來滿足關於折射率的上述關係。並且，關於下述第2保護層26b亦相同。
以下，有時將形成於透明基體12的一主面(圖2的箭頭s1方向側)的各部(包括第1導電部14a、第1黏著層24a及第1保護層26a)總稱為第1積層部28a。
另外，於透明基體12的另一主面(圖2的箭頭s2方 向側)上，形成有第2導電部14b。第2導電部14b與第1導電部14a同樣地，包含金屬細線16以及由開口部18形成的網格圖案20。透明基體12包含絕緣性材料，第2導電部14b處於與第1導電部14a電性絕緣的狀態下。
於第2導電部14b的大致整個面上，以覆蓋金屬細線16的方式，經由第2黏著層24b而黏著有第2保護層26b。第2黏著層24b的材質既可與第1黏著層24a相同，亦可與第1黏著層24a不同。第2保護層26b的材質既可與第1保護層26a相同，亦可與第1保護層26a不同。
第2保護層26b的折射率n2為等於透明基體12的折射率n0或接近於折射率n0的值。於此情形時，透明基體12相對於第2保護層26b的相對折射率nr2為接近於1的值。此處，折射率及相對折射率的定義設為如上所述。並且，透明基體12相對於第2保護層26b的相對折射率nr2是以nr2=(n2/n0)來定義。此處，相對折射率nr2只要在大於等於0.85且小於等於1.17的範圍內即可，更佳為大於等於0.86且小於等於1.15，進一步更佳為大於等於0.91且小於等於1.08。
以下，有時將形成於透明基體12的另一主面(圖2的箭頭s2方向側)的各部(包括第2導電部14b、第2黏著層24b及第2保護層26b)總稱為第2積層部28b。
如上所述，導電片10A包括：透明基體12；第1導電部14a，形成於透明基體12的一主面上，包含多根金屬細線16；第1保護層26a，設置於一主面上，覆蓋第1導電 部14a；第2導電部14b，形成於透明基體12的另一主面上，包含多根金屬細線16；以及第2保護層26b，設置於另一主面上，覆蓋第2導電部14b。
該導電片10A例如應用於顯示單元30(顯示部)的觸控面板。該顯示單元30亦可包含液晶面板、電漿面板、有機電致發光(Electro-Luminescence，EL)面板、無機EL面板等。
如圖3中省略一部分所示，顯示單元30是將多個畫素32排列成矩陣狀而構成。1個畫素32是將3個副畫素(紅色副畫素32r、綠色副畫素32g及藍色副畫素32b)沿水平方向排列而構成。1個副畫素設為在垂直方向上設為縱長的長方形狀。畫素32的水平方向的排列間距(水平畫素間距Ph)與畫素32的垂直方向的排列間距(垂直畫素間距Pv)設為大致相同。亦即，由1個畫素32以及包圍該1個畫素32的黑色矩陣34(圖案材料)所構成的形狀(參照藉由標附網線表示的區域36)成為正方形。並且，1個畫素32的縱橫比(aspect ratio)並非為1，而形成為水平方向(橫向)的長度>垂直方向(縱向)的長度。當將導電片10配置於具有上述畫素排列的顯示單元30的顯示面板上時，畫素32的排列週期與隨機形成的金屬細線16之間的空間頻率幾乎無干擾，從而波紋的產生得到抑制。
[組裝有導電片10A的顯示裝置40的構成]
其次，一面參照圖4~圖8，一面對組裝有第1實施形態的導電片10A的顯示裝置40進行說明。此處，舉出投 影型靜電電容方式的觸控面板作為示例進行說明。再者，關於其他實施形態的導電片10B~導電片10F等亦可同樣地組裝進去。
如圖4所示，顯示裝置40包括：顯示單元30，可顯示彩色圖像(color image)及/或黑白圖像(monochrome image)(參照圖3)；觸控面板44，檢測自輸入面42(箭頭Z1方向側)算起的接觸位置；以及殼體46，收納顯示單元30及觸控面板44。經由設置於殼體46的一面(箭頭Z1方向側)的較大的開口部，使用者可觸及觸控面板44。
觸控面板44除上述導電片10A(參照圖1及圖2)以外，亦包括：覆蓋構件48，積層於導電片10A的一面(箭頭Z1方向側)；可撓性基板52，經由電纜50電性連接於導電片10A；以及檢測控制部54，配置於可撓性基板52上。
於顯示單元30的一面(箭頭Z1方向側)上，經由黏著層56黏著有導電片10。導電片10A使另一主面側(第2導電部14b側)與顯示單元30相對向，而配置於顯示畫面上。
覆蓋構件48藉由覆蓋導電片10A的一面，而發揮作為輸入面42的功能。並且，藉由防止接觸體58(例如，手指或手寫筆(stylus pen))的直接接觸，可抑制擦痕的產生或塵埃的附著等，可使導電片10A的導電性穩定。
覆蓋構件48的材質例如亦可為玻璃、樹脂薄膜。亦可於已利用氧化矽等塗佈覆蓋構件48的一面(箭頭Z2方向 側)的狀態下，使覆蓋構件48的一面(箭頭Z2方向側)密接於導電片10的一面(箭頭Z1方向側)。並且，為防止因摩擦等而引起的損傷，亦可使導電片10A與覆蓋構件48黏合而構成。
可撓性基板52是具備可撓性的電子基板。於本圖例中，可撓性基板52是固定於殼體46的側面內壁，但配設位置亦可進行各種變更。檢測控制部54構成如下電子電路：於將作為導體的接觸體58與輸入面42接觸(或接近)時，捕捉接觸體58與導電片10A之間的靜電電容的變化，檢測其接觸位置(或接近位置)。
如圖5A所示，於導電片10A的一主面上，於朝向箭頭Z2方向側俯視時，設有配置於顯示單元30(參照圖3及圖4)的顯示區域的第1感測部60a、以及配置於上述顯示區域的外周區域的第1端子配線部62a(所謂邊框)。
導電片10A的外形於俯視時具有矩形狀，並且第1感測部60a的外形亦具有矩形狀。於第1端子配線部62a中導電片10的與箭頭Y方向平行的一邊側的周邊部，在其長度方向中央部分，沿箭頭Y方向排列形成有多個第1端子64a。沿第1感測部60a的一邊(本圖例中為與箭頭Y方向平行的邊)，將多個第1結線部66a排列成大致一行。自各第1結線部66a導出的第1端子配線圖案68a被導引繞向上述顯示區域的外周區域的第1端子64a，且分別電性連接於對應的第1端子64a。
於對應於第1感測部60a的部位，含有以多根金屬細 線16(參照圖1)所形成的2個以上的第1導電圖案70a(網格圖案)。第1導電圖案70a分別沿箭頭X方向(第1方向)延伸，且沿與箭頭X方向正交的箭頭Y方向(第2方向)排列。並且，各第1導電圖案70a是將2個以上的第1探測部72a沿箭頭X方向串聯連接而構成。該輪廓為大致菱形狀的各第1探測部72a分別具有相同的輪廓形狀。於相鄰的第1探測部72a之間，形成有將該些第1探測部72a加以電性連接的第1連接部74a。更詳細而言，一個第1探測部72a的頂角部經由第1連接部74a，而連結於上述一個第1探測部72a的沿箭頭X方向相鄰的其他第1探測部72a的頂角部。
於各第1導電圖案70a的一端部側，於第1探測部72a的開放端未形成第1連接部74a。於各第1導電圖案70a的另一端部側，於第1探測部72a的端部分別設置有第1結線部66a。並且，各第1導電圖案70a經由各第1結線部66a，電性連接於第1端子配線圖案68a。
並且，分別形成由相鄰的第1導電圖案70a中的各一對(即兩對)第1探測部72a、第1探測部72a所圍成的大致菱形狀的第1間隙部75a。
如圖6所示，各第1探測部72a分別是使2個以上的第1網格要素78a組合起來而構成。第1網格要素78a的形狀與上述網格形狀22(參照圖1)同樣地，為至少具有3條邊的多邊形狀。並且，將相鄰的第1探測部72a之間加以連接的第1連接部74a包含至少1個第1網格要素 78a。
再者，構成各第1探測部72a的周邊部的第1網格要素78a既可為拓樸學(topology)上的封閉空間，亦可為拓樸學上的開放空間。關於第1連接部74a亦相同。並且，於相鄰的第1導電圖案70a之間，分別配置有經電性絕緣的第1絕緣部80a。
另一方面，如圖5B所示，於導電片10A的另一主面上，於朝向箭頭Z1方向側俯視時，設置有配置於顯示單元30(參照圖3及圖4)的顯示區域的第2感測部60b、以及配置於上述顯示區域的外周區域的第2端子配線部62b(所謂邊框)。
導電片10的外形於俯視時具有矩形狀，並且第2感測部60b的外形亦具有矩形狀。於第2端子配線部62b中導電片10的與箭頭Y方向平行的一邊側的周邊部，在其長度方向中央部分沿箭頭Y方向排列形成有多個第2端子64b。沿第2感測部60b的一邊(於本圖例中為與箭頭X方向平行的邊)，將多個第2結線部66b(例如，奇數編號的第2結線部66b)排列成大致一行。沿第2感測部60b的另一邊(與上述一邊相對向的邊)，將多個第2結線部66b(例如，偶數編號的第2結線部66b)排列成大致一行。自各第2結線部66b導出的第2端子配線圖案68b被導引繞向上述顯示區域的外周區域的第2端子64b，且分別電性連接於對應的第2端子64b。
於與第2感測部60b對應的部位，含有以多根金屬細 線16(參照圖1)所形成的2個以上的第2導電圖案70b(網格圖案)。第2導電圖案70b分別沿箭頭Y方向(第2方向)延伸，且沿與箭頭Y方向正交的箭頭X方向(第1方向)排列。並且，各第2導電圖案70b是將2個以上的第2探測部72b沿箭頭Y方向串聯連接而構成。該輪廓為大致菱形狀的各第2探測部72b分別具有相同的輪廓形狀。於相鄰的第2探測部72b之間，形成有將該些第2探測部72b加以電性連接的第2連接部74b。更詳細而言，一個第2探測部72b的頂角部經由第2連接部74b，而連結於上述一個第2探測部72b的沿箭頭Y方向相鄰的其他第2探測部72b的頂角部。
於各第2導電圖案70b的一端部側，於第2探測部72b的開放端未形成第2連接部74b。於各第2導電圖案70b的另一端部側，於第2探測部72b的端部分別設置有第2結線部66b。並且，各第2導電圖案70b經由各第2結線部66b而電性連接於第2端子配線圖案68b。
並且，分別形成由相鄰的第2導電圖案70b中的各一對(即兩對)第2探測部72b、第2探測部72b所圍成的大致菱形狀的第2間隙部75b。
如圖7所示，各第2探測部72b分別是使2個以上的第2網格要素78b組合起來而構成。第2網格要素78b的形狀與上述網格形狀22(參照圖1)同樣地，為至少具有3條邊的多邊形狀。將相鄰的第2探測部72b之間加以連接的第2連接部74b包含至少1個第2網格要素78b。
再者，構成各第2探測部72b的周邊部的第2網格要素78b既可為拓樸學上的封閉空間，亦可為拓樸學上的開放空間。關於第2連接部74b亦相同。
並且，於相鄰的第2導電圖案70b之間，分別配置有經電性絕緣的第2絕緣部80b。
如圖8所示，於俯視包含第1感測部60a及第2感測部60b的導電片10A時，導電片10A成為如下形態：以填埋形成於一面(箭頭Z2方向側)的第1導電圖案70a的間隙(第1間隙部75a的一部分)的方式，排列著形成於另一面(箭頭Z2方向側)的第2導電圖案70b。並且，於第1導電圖案70a的輪廓與第2導電圖案70b的輪廓重合的平面區域內，兩者的金屬細線16的位置完全一致。其結果為，於俯視導電片10A時，導電片10A成為鋪滿有多個多邊形(polygon)82(網格形狀)的形態。於第1探測部72a及第2探測部72b的各周邊部的金屬細線16是於俯視時分別無接縫地配置，因此無法視認出大致菱形狀的圖案。
第1探測部72a(及第2探測部72b)的一邊的長度較佳為3mm~10mm，更佳為4mm~6mm。若一邊的長度小於上述下限值，則當將導電片10A應用於觸控面板時，檢測時的第1探測部72a(及第2探測部72b)的靜電電容減少，因此導致檢測不良的可能性提高。另一方面，若一邊的長度超過上述上限值，則接觸位置的檢測精度有下降之虞。自同樣觀點考慮，多邊形82(第1網格要素78a、第2網格要素78b)的一邊的平均長度如上所述，較佳為 100μm~400μm，更佳為150μm~300μm，最佳為210μm~250μm或210μm~250μm以下。於多邊形82的一邊處於上述範圍時，進而亦可確保良好的透明性，當安裝於顯示單元30的前面時，可無異樣感覺地視認顯示。
返回至圖6，第1連接部74a的寬度w1較佳為0.2mm~1.0mm，更佳為0.4mm~0.8mm。當寬度w1小於上述下限值時，將各第1探測部72a加以連接的配線數減少，因此電極間電阻上升。另一方面，當寬度w1超過上述上限值時，與第2探測部72b的重合面積增加，因此雜訊量增大。再者，關於第2連接部74b(參照圖7)的寬度，亦與寬度w1相同。
並且，亦可藉由在第1探測部72a及/或第2探測部72b的周邊設置虛擬圖案(經絕緣的金屬細線16的圖案)，利用上述虛擬圖案填補第1探測部72a與第2探測部72b之間隙，來實現圖8所示的形態。於此情形時，第1探測部72a與第2探測部72b間隔的寬度w2較佳為0.1mm~0.6mm，更佳為0.2mm~0.5mm。當寬度w2小於上述下限值時，伴隨著接觸體58的接觸(或接近)的靜電電容的變化量減小，因此信號量下降。另一方面，當寬度w2超過上述上限值時，第1探測部72a的密度下降，因此感測器的分辨率下降。
[第1變形例的導電片10B的構成]
繼而，一面參照圖9A~圖10，對第1實施形態的第1變形例的導電片10B的構成進行說明。以下，對發揮與導 電片10A的構成要素相同功能的構成要素標附相同的參照符號，並且省略其詳細說明。關於以後的實施形態及變形例，亦相同。
圖9A是第1變形例的導電片10B的部分省略剖面圖。圖9B是表示圖9A所示的第1積層部28a的圖案例的平面圖。圖10是圖9B的第1感測部60c的部分放大平面圖。關於該導電片10B，於透明基體12的一主面(圖9A的箭頭s1方向側)上，遍布大致整個面地形成有第1導電部14a。
如圖9B及圖10所示，於對應於第1感測部60c的部位，更包括包含多根金屬細線16(參照圖1)的2個以上的第1虛擬圖案76a(網格圖案)。各第1虛擬圖案76a配置於相鄰的第1導電圖案70a彼此間的第1間隙部75a(參照圖6)。該輪廓為大致菱形狀的第1虛擬圖案76a是與各第1導電圖案70a(第1探測部72a及第1連接部74a)相隔規定間隔而配置。即，第1虛擬圖案76a處於與各第1導電圖案70a電性絕緣的狀態下。
再者，該間隔(寬度)與第1探測部72a的一邊的長度相比極小。因此，於第1感測部60c上，遍及其整個面以大致同樣的密度配置有金屬細線16。
為便於說明，於圖10中，僅限1個第1虛擬圖案76a(圖式的中央右部)詳細標明有各網格形狀。於其他的第1虛擬圖案76a中，則用虛線表示其輪廓，並省略其內部形狀。
如圖10所示，各第1虛擬圖案76a分別是使2個以上的第1網格要素78a組合起來而構成。第1網格要素78a的形狀與上述網格形狀22(參照圖1)同樣地，為至少具有3條邊的多邊形狀。並且，構成各第1虛擬圖案76a的周邊部的第1網格要素78a既可為拓樸學上的封閉空間，亦可為拓樸學上的開放空間。
此處，第1虛擬圖案76a的配線密度等於第1導電圖案70a(第1探測部72a及第1連接部74a)的配線密度。於此情形時，第1虛擬圖案76a的平面區域內的光反射率與第1導電圖案70a的平面區域內的光反射率相一致。因為當金屬細線16的線寬為固定時，於配線密度與光反射率之間存在較高的相關關係。
再者，本說明書中所謂「配線密度相等」，不僅包括完全相等的情況，而且包括實質上相等的情況(密度比大概為0.8~1.2的範圍內)的概念。即，只要是對人類(觀察者)的視覺而言無法檢測出來的程度的光反射率的差即可。並且，考慮到測定精度等，金屬細線16的配線密度的測定面積只要大於等於1mm2即可。
並且，各第1導電圖案70a與各第1虛擬圖案76a的間隔距離亦可設為無論位置如何均為固定(亦包括大致固定的情況)。藉此，金屬細線16的配線密度接近於相同，因而較佳。
此外，第1虛擬圖案76a相對於第1間隙部75a的覆蓋率(配置比例)較佳為大概30%~95%的範圍，更佳為 70%~95%的範圍。
此外，各第1虛擬圖案76a的輪廓可採用包括三角形、矩形、圓形等的各種形狀。例如，各第1虛擬圖案76a的輪廓亦可具有與各第1探測部72a的輪廓的形狀(圖10例中為大致菱形狀)相同或相似的形狀。
於俯視包括第1感測部60c及第2感測部60b(參照圖5B)的導電片10B時，如圖8所示，導電片10B成為如下形態：以填埋形成於一面(箭頭Z1方向側)的第1導電圖案70a及第1虛擬圖案76a的間隙的方式，排列著形成於另一面(箭頭Z2方向側)的第2導電圖案70b。並且，於第1導電圖案70a及第1虛擬圖案76a的輪廓與第2導電圖案70b的輪廓重合的平面區域內，兩者的金屬細線16的位置完全一致。其結果為，於俯視導電片10B時，導電片10B成為鋪滿有多個多邊形82的形態。
[第2變形例的導電片10C的構成]
繼而，一面參照圖11A~圖12，一面對第1實施形態的第2變形例的導電片10C的構成進行說明。
圖11A是第2變形例的導電片10C的部分省略剖面圖。圖11B是表示圖11A所示的第2積層部28b的圖案例的平面圖。圖12是圖11B的第2感測部60d的部分放大平面圖。
關於該導電片10C，於透明基體12的一主面(圖11A的箭頭s1方向側)上遍布大致整個面地形成有第1導電部14a，並且於另一主面(圖11A的箭頭s2方向側)上遍布 大致整個面地形成有第2導電部14b。
如圖11B及圖12所示，於與第2感測部60d對應的部位，更包括包含多根金屬細線16(參照圖1)的2個以上的第2虛擬圖案76b(網格圖案)。各第2虛擬圖案76b配置於相鄰的第2導電圖案70b彼此間的第2間隙部75b(參照圖7)。該輪廓為大致菱形狀的第2虛擬圖案76b與各第2導電圖案70b(第2探測部72b及第2連接部74b)間隔規定間隔而配置。即，第2虛擬圖案76b處於與各第2導電圖案70b電性絕緣的狀態下。
為便於說明，於圖12中，僅限1個第2虛擬圖案76b(圖式的中央下部)詳細標明有各網格形狀。於其他的第2虛擬圖案76b中，用虛線表示其輪廓，並省略其內部的形狀。並且，第2虛擬圖案76b的配線密度等於第2導電圖案70b(第2探測部72b及第2連接部74b)的配線密度。該「配線密度相等」的定義與上述定義相同，故省略其說明。
於俯視包括第1感測部60c(參照圖9B)及第2感測部60d的導電片10C時，如圖8所示，導電片10C成為如下形態：以填埋形成於一面(箭頭Z1方向側)的第1導電圖案70a及第1虛擬圖案76a的間隙的方式，排列著形成於另一面(箭頭Z2方向側)的第2導電圖案70b及第2虛擬圖案76b。並且，在第1導電圖案70a及第1虛擬圖案76a的輪廓與第2導電圖案70b及第2虛擬圖案76b的輪廓重合的平面區域內，兩者的金屬細線16的位置完全一致。其結果為，於俯視導電片10C時，導電片10C成為鋪 滿有多個多邊形82的形態。
再者，於該導電片10C上，是於大致整個區域內以位置完全重合的方式設置有各金屬細線16，但亦可於第1感測部60c及第2感測部60d之間在可相互填補的位置上設置有金屬細線16。具體而言，亦可以區域單位或線段單位來填補，只要在可發揮導電片10的功能的範圍，則不論形態如何。藉由儘量減少金屬細線16的重疊範圍，可抑制因形成位置的偏離而引起的線增粗的產生，其結果可進一步提高導電片10的視認性。
並且，於藉由遍布透明基體12的兩面側地設置金屬細線16，來將導電片10C組裝至顯示裝置40(參照圖4)時，無論表面的配置還是背面的配置，均可獲得本發明的作用效果。
[第2實施形態的導電片10D]
繼而，一面參照圖13等，一面對第2實施形態的導電片10D的構成進行說明。圖13是第2實施形態的導電片10D的部分省略剖面圖。
如圖13所示，導電片10D是自下方起依序積層第2片材構件11b及第1片材構件11a而構成。第1片材構件11a包含第1透明基體12a(第1基體)，第2片材構件11b包含第2透明基體12b(第2基體)。第1透明基體12a及第2透明基體12b包含具有絕緣性且透光性高的材料，例如樹脂、玻璃、矽酮等。作為樹脂，例如可列舉PET、PMMA、PP、PS、TAC等。
第1片材構件11a包含形成於第1透明基體12a的一主面(箭頭s1方向側)的第1導電部14a。於第1導電部14a的大致整個面上，以覆蓋金屬細線16的方式，經由第1黏著層24a黏著有第1保護層26a。此處，當將第1透明基體12a相對於第1保護層26a的相對折射率定義為nr1時，與第1實施形態同樣地，相對折射率nr1只要在大於等於0.85且小於等於1.17的範圍即可，更佳為大於等於0.86且小於等於1.15，進一步更佳為大於等於0.91且小於等於1.08。
第2片材構件11b包括形成於第2透明基體12b的一主面(箭頭s1方向側)的第2導電部14b。於第2導電部14b的大致整個面上，以覆蓋金屬細線16的方式，經由第2黏著層24b黏著有第2保護層26b。此處，當將第2透明基體12b相對於第2保護層26b的相對折射率定義為nr2時，與第1實施形態同樣地，相對折射率nr2只要在大於等於0.85且小於等於1.17的範圍即可，更佳為大於等於0.86且小於等於1.15，進一步更佳為大於等於0.91且小於等於1.08。
如上所述，導電片10D包括：第1透明基體12a；第1導電部14a，形成於第1透明基體12a的一主面上，包含多根金屬細線16；第1保護層26a，設置於第1透明基體12a的一主面上，覆蓋第1導電部14a；第2透明基體12b；第2導電部14b，形成於第2透明基體12b的一主面上，包含多根金屬細線16；以及第2保護層26b，設置於第2 透明基體12b的一主面上，覆蓋第2導電部14b。
再者，於第1透明基體12a的一主面側，設置有與第1實施形態同樣的第1感測部60a(參照圖5A及圖6)。並且，於第2透明基體12b的一主面側，設置有與第1實施形態同樣的第2感測部60b(參照圖5B及圖7)。
於是，如圖8所示，於俯視包含第1感測部60a及第2感測部60b的導電片10D時，導電片10D成為鋪滿有多個多邊形82(網格形狀)的形態。
如上所述構成導電片10D，亦可獲得與第1實施形態同樣的作用效果。再者，亦可於第1片材構件11a與第2片材構件11b之間介插有其他層(例如黏著層)。並且，只要第1導電部14a與第2導電部14b為絕緣狀態，則亦可將第1片材構件11a與第2片材構件11b對向配置。
[第1變形例的導電片10E]
繼而，一面參照圖14A，一面對第2實施形態的第1變形例的導電片10E的構成進行說明。圖14A是第1變形例的導電片10E的部分省略剖面圖。關於該導電片10E，於第1透明基體12a的一主面(箭頭s1方向側)上，遍布大致整個面地形成有第1導電部14a。
即，於導電片10E的箭頭s1方向側設置有第1感測部60c(圖9B及圖10)，於箭頭s2方向側設置有第2感測部60b(圖5B及圖7)。藉此，如圖8所示，於俯視導電片10E時，導電片10E成為鋪滿有多個多邊形82的形態。
[第2變形例的導電片10F]
繼而，一面參照圖14B，一面對第2實施形態的第2變形例的導電片10F的構成進行說明。圖14B是第2變形例的導電片10F的部分省略剖面圖。關於該導電片10F，於第1透明基體12a的一主面(箭頭s1方向側)上，遍布大致整個面地形成有第1導電部14a。並且，於第2透明基體12b的一主面(箭頭s1方向側)上，遍布大致整個面地形成有第2導電部14b。
即，於導電片10F的箭頭s1方向側設置有第1感測部60c(圖9B及圖10)，於箭頭s2方向側設置有第2感測部60d(圖11B及圖12)。藉此，如圖8所示，於俯視導電片10F時，導電片10F成為鋪滿有多個多邊形82的形態。
[第3變形例的第1感測部60e及第2感測部60f]
繼而，一面參照圖15A及圖15B，一面對第2實施形態的第3變形例的第1感測部60e及第2感測部60f的構成進行說明。圖15A是第3變形例的第1感測部60e的部分放大平面圖。圖15B是第3變形例的第2感測部60f的部分放大平面圖。
為便於說明，於圖15A及圖15B中，僅將包含多根金屬細線16的網格圖案20的輪廓用單線標明。即，若將圖15A及圖15B所示的各單線的一部分加以放大，則顯現出圖1所示的網格圖案20的構造。
如圖15A所示，於與第1感測部60e對應的部位，包括包含多根金屬細線16的2個以上的第1導電圖案202a。第1導電圖案202a分別沿箭頭Y方向延伸，且沿與箭頭Y 方向正交的箭頭X方向以相等間隔排列。並且，第1導電圖案202a與第2導電圖案70b(參照圖5B等)不同，是具有大致固定線寬的帶狀圖案。於各第1導電圖案202a之間，分別配置有格子狀的第1虛擬圖案204。第1虛擬圖案204包括沿箭頭Y方向延伸且以相等間隔配置的4條長線圖案206、以及與4條長線圖案206分別交叉地配置的多個短線圖案208。各短線圖案208均具有相同長度，且以4條為重複單位，朝向箭頭Y方向以相等間隔並列設置。
如圖15B所示，於與第2感測部60f對應的部位，包括包含多根金屬細線16的2個以上的第2導電圖案202b。第2導電圖案202b分別沿箭頭X方向延伸，且沿與箭頭X方向正交的箭頭Y方向以相等間隔排列。並且，第2導電圖案202b與第2導電圖案70b(參照圖5B等)不同，是具有大致固定線寬的帶狀圖案。於各第2導電圖案202b之間，配置有多個沿箭頭X方向延伸的直線狀的第2虛擬圖案210。各第2虛擬圖案210均具有相同長度，且以4條為重複單位，朝向箭頭Y方向以相等間隔並列設置。
即，於俯視時，形成於第1感測部60e(參照圖15A)及第2感測部60f(參照圖15B)的圖樣相互填補，藉此以格子要素212為單位的格子形狀完成。如上所述構成導電片，亦可獲得與第1實施形態及第2實施形態同樣的作用效果。
[提高導電片10的視認性的第1機制]
繼而，一面參照圖16A~圖17B，一面詳細說明藉由使透明基體12相對於第1保護層26a的相對折射率nr1為接近於1的值而獲得的作用效果。為易於理解，省略導電片10的一部分構成，僅標明透明基體12、第1導電部14a及第1保護層26a。
如圖16A所示，自顯示單元30(參照圖4)側照射的平行光102入射至透明基體12的內部，且沿箭頭Z1方向直線前進。繼而，平行光102於透明基體12與金屬細線16的第1界面104上，作為反射成分106而沿箭頭Z2方向大致全部反射。即，對應於作為非透光性材料的金屬細線16的有無，透過導電片10的光量的差增大。其結果為，與網格圖案20的形狀對應的濃淡變得顯著，從而容易產生波紋。與此相對，於使用透光性高的導電性材料(典型的是ITO)的導電片時，則幾乎不會受到上述影響。
以下，利用圖16B及圖16C，說明當透明基體12與第1保護層26a的折射率差較大時、即相對折射率nr1遠離1時的光學現象。
如圖16B所示，相對於箭頭Z1方向稍斜而射入的光(斜入光108)入射至透明基體12的內部，且直線前進至第1導電部14a(開口部18)與第1保護層26a的第2界面110為止。繼而，斜入光108藉由利用第2界面110所產生的折射現象，使一部分光(直線前進成分112)透過，並且使剩餘的光(反射成分114)反射。此時，由於相對折射率nr1遠離1，故界面透過率下降，直線前進成分112 (或反射成分114)的光量相對減少(或增加)。
例如，如圖16C所示，於對應於開口部18的位置，透過導電片10而檢測I=Iw的光量，於對應於金屬細線16的位置，透過導電片10而檢測I=Ib的光量。於此情形時，以於開口部18的檢測光量為基準，由金屬細線16所導致的光學濃度以△D1=-log(Ib/Iw)表示。
繼而，利用圖17A及圖17B，說明透明基體12與第1保護層26a的折射率差較小時、即相對折射率nr1為接近於1的值時的光學現象。
當相對折射率nr1為接近於1的值時，界面透過率接近於1(界面反射率為0)，以便自光學研究而言容易導出。因此，直線前進成分116(或反射成分118)的光量與圖16B的情況相比相對增加(或減少)。換而言之，無論包含非透光性材料的金屬細線16的位置如何，不散射而通過透明基體12內部的光量一律增加。以下，為便於說明，檢測光量設為增加ε(正值)。
此時，如圖17A及圖17B所示，於對應於開口部18的位置，透過導電片10而檢測I=Iw+ε的光量，於對應於金屬細線16的位置，透過導電片10而檢測I=Ib+ε的光量。以於開口部18的檢測光量為基準，由金屬細線16所導致的光學濃度以△D2=-log{(Ib+ε)/(Iw+ε)}表示。
當Iw>Ib≧0且ε>0時，滿足(Ib/Iw)<(Ib+ε)/(Iw+ε)的不等式，因此△D1>△D2的關係始終成立。即，藉由使透明基體12及第1保護層26a的相對折射率nr1為接近於 1的值，可降低由金屬細線16所導致的光學濃度的對比度。藉此，於俯視顯示裝置40時，金屬細線16的圖樣難以被使用者所視認。
再者，不僅圖2、圖9A及圖11A中的透明基體12與第1保護層26a的關係，而且關於透明基體12與第2保護層26b的關係(參照圖2等)亦與上述相同。並且，關於圖13~圖14B中的第1透明基體12a與第1保護層26a的關係、或第2透明基體12b與第2保護層26b的關係亦相同。
相對折射率nr1、相對折射率nr2若為0.85~1.17則較佳，若為0.86~1.15則更佳，若為0.91~1.08則進而更佳。特別是若第1保護層26a及/或第2保護層26b為與透明基體12相同的材料，則nr1=1(nr2=1)，故而更佳。
如上所述，將透明基體12(或第1透明基體12a)相對於第1保護層26a的相對折射率nr1、及/或透明基體12(或第2透明基體12b)相對於第2保護層26b的相對折射率nr2設為0.86~1.15，故相對於透明基體12等的法線方向(箭頭Z1方向)稍斜而射入的光(斜入光108)中，在透明基體12等與第1保護層26a的界面、及/或透明基體12等與第2保護層26b的界面上直線前進的光量(直線前進成分116)相對增加。即，無論包含非透光性材料的金屬細線16的位置如何，不散射而通過透明基體12等的內部的光量一律增加。藉此，可降低由金屬細線16所導致的光學濃度的對比度，從而難以被觀察者(使用者)所視 認。特別是若為無間隙地排列著不同的網格形狀22的網格圖案20，可抑制雜訊粒狀感的產生，故更為有效。再者，毋庸置言，不僅各網格形狀22為多邊形狀的情況，而且即使各網格形狀22為各種形狀均可獲得上述作用效果。
[提高導電片10的視認性的第2機制]
繼而，一面參照圖18A~圖19C，一面說明藉由在導電片10上設置第1虛擬圖案76a而獲得的作用效果。以下，為易於理解，省略第1保護層26a等的構成，並且設為由光的折射效果所帶來的影響微乎其微來說明光學現象。
圖18A是參考例的第1感測部120的概略平面圖。第1感測部120僅包括第1導電圖案70a，具有已缺少第1虛擬圖案76a(參照圖9B、圖10等)的形態。
圖18B是表示入射至第1感測部120的外部光122的路徑的概略說明圖。本圖相當於圖18A所示的第1導電圖案70a的邊界Bd附近的概略剖面圖。
位置P1相當於在第1導電部14a與第2導電部14b上均不存在金屬細線16的位置。自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射的外部光122入射至導電片10的內部，沿箭頭Z2方向大致平行地直線前進。繼而，外部光122在開口部18與透明基體12的第1界面104上，沿箭頭Z2方向大致全部透過。此時，透過光的一部分作為直線前進成分124而沿箭頭Z2方向直線前進，同時剩餘的一部分作為散射成分126而散射。其後，直線前進成分124在透明基體12 與開口部18的第3界面128上，沿箭頭Z2方向大致全部透過。透過光的一部分作為直線前進成分130而沿箭頭Z2方向直線前進，同時剩餘的一部分作為散射成分132而散射。其結果為，照射至位置P1的外部光122中的大部分被放出至導電片10的箭頭Z2方向側。
位置P2相當於在第1導電部14a(第1導電圖案70a)上存在金屬細線16，且在第2導電部14b上不存在金屬細線16的位置。自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射的外部光122在第1導電部14a(作為非透光性材料的金屬細線16)的表面上，作為反射成分134而沿箭頭Z1方向大致全部反射。
位置P3相當於在第1導電部14a(第1導電圖案70a)上不存在金屬細線16，且在第2導電部14b(第2導電圖案70b)上存在金屬細線16的位置。自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射的外部光122入射至導電片10的內部，且沿箭頭Z2方向大致平行地直線前進。繼而，外部光122在第1界面104上，沿箭頭Z2方向大致全部透過。此時，透過光的一部分作為直線前進成分124而沿箭頭Z2方向直線前進，同時剩餘的一部分作為散射成分126而散射。繼而，直線前進成分124在第3界面128(作為非透光性材料的金屬細線16的表面)上，作為反射成分135沿箭頭Z1方向大致全部反射。其後，反射成分135沿箭頭Z1方向在透明基體12內部直線前進，且在第1界面104上沿箭頭Z1方向大致全部透過。其結果為，照射至位置P3的外 部光122中的一部分作為直線前進成分136(或散射成分137)而放出至導電片10的外側(箭頭Z1方向側)。
如上所述可知，位置P2上的反射光量Ir(反射成分134)多於位置P3上的反射光量Ir(直線前進成分136)。這是因抵達至金屬細線16的位置之前的光路長的差異(相當於透明基體12的厚度的2倍值)所引起。
圖18C是表示圖18A的第1感測部120上的反射光的強度分布的圖表。圖表的橫軸表示箭頭X方向的位置，圖表的縱軸表示反射光的強度(反射光量Ir)。該反射光量Ir是指無論箭頭X方向的位置如何均入射同樣的外部光122時的反射至導電片10的一面側(箭頭Z1方向側)的光量。
其結果為，於第1感測部120上不存在第1導電圖案70a的位置上，反射光量Ir採用極小值(Ir=I1)。並且，於第1感測部120上存在第1導電圖案70a的位置上，反射光量Ir採用極大值(Ir=I2)。即，反射光量Ir具有與第1探測部72a的規則配置對應的特性，換而言之，具有使極小值(I1)與極大值(I2)交替反覆的週期性特性。
與此相對，於使用透光性高的導電性材料(典型的是ITO)的導電片的情形時，反射光量Ir約等於0(I1=I2=0)。因此，幾乎不存在因第1導電圖案70a的有無而引起的對比度(亮度差)。即，與將金屬細線16應用於第1導電圖案70a的情況相比，幾乎不會受到上述影響。
另一方面，圖19A是第2實施形態的第1感測部60c (參照圖9B及圖10)的概略平面圖。第1感測部60c包括第1導電圖案70a及第1虛擬圖案76a。
圖19B是表示入射至第1感測部60c的外部光122的路徑的概略說明圖。本圖相當於在圖19A所示的第1導電圖案70a的邊界Bd附近的概略剖面圖。
關於對應於位置P1的位置Q1，由於與圖18B相同，故省略說明。關於對應於位置P2的位置Q2亦相同。
在對應於位置P3的位置Q3，自顯示裝置40(參照圖4)的外部照射的外部光122在第1虛擬圖案76a(作為非透光性材料的金屬細線16)的表面上，作為反射成分138而沿箭頭Z1方向大致全部反射。即，導電片10無論第2導電部14b上有無金屬細線16，均以與位置Q2相同的程度反射外部光122。
其結果為，如圖19C所示，無論第1探測部72a是否規則配置，反射光量Ir均具有使Ir=I2的同樣的特性。再者，在第1導電圖案70a與第1虛擬圖案76a的間隔部，可觀察到反射光量Ir少許(ε)減少的傾向。藉由縮小該間隔部的寬度，而使第1探測部72a的形狀更進一步難以視認。
如以上所述，將配置於相鄰的第1導電圖案70a彼此間的第1間隙部75a的第1虛擬圖案76a的配線密度設為等於第1導電圖案70a的配線密度，故對於來自一主面側的外部光122的在第1虛擬圖案76a的平面區域內的光反射率，與在第1導電圖案70a的平面區域內的光反射率大 致一致。即，無論第1探測部72a是否規則配置，均可使反射光(反射成分134、反射成分138)的強度分布接近於相同。藉此，即使為在透明基體12的兩面上形成有包含金屬細線16的電極的構成，亦可抑制由作為反射光源的外部光122所引起的第1探測部72a(或第2探測部72b)的視認。
[導電片10的配線形狀的數理特徵]
繼而，一面參照圖20A~圖31，一面說明第1實施形態及第2實施形態(以下有時統稱為本實施形態)的導電片10的配線形狀(網格圖案20的形狀)的數理特徵。
首先，一面參照圖20A~圖21C，一面說明第1導電部14a及第2導電部14b的配線形狀的決定方法的一例。
本實施形態中，由存在於1個平面區域100內的多個位置決定網格圖案20。如圖20A所示，自正方形狀的平面區域100內，隨機選擇8個種子點P1~種子點P8。
圖20B是表示根據維諾圖(維諾分割法)決定配線形狀的結果的概略說明圖。藉此，分別劃定分別圍繞8個種子點P1~種子點P8的8個區域V1~區域V8。此處，表示藉由維諾圖而劃分的區域Vi(i=1~8)是種子點Pi為最接近的點的點集合體。此處，是使用歐幾里德(Euclid)距離作為距離函數，但亦可使用各種函數。
圖20C是表示根據德洛涅圖(德洛涅三角剖分法)決定配線形狀的結果的概略說明圖。所謂德洛涅三角剖分法，是將種子點P1~種子點P8中相鄰的點彼此連接而劃定 三角形狀的區域的方法。藉此，分別劃定以8個種子點P1~種子點P8中的任一點為頂點的8個區域V1~區域V8。
如上所述，決定將圖20B(或圖20C)所示的各邊界線設為金屬細線16，且以各區域Vi作為開口部18的配線形狀，即，使第1導電部14a與第2導電部14b重合時的各網格形狀22。並且，網格圖案20滿足以下所說明的第1條件、第2條件及第3條件中的至少1個條件。
(第1數理特徵；第1條件)
第1數理特徵是關於網格形狀22的重心位置上的功率頻譜。以下，一面參照圖21A~圖28B，一面進行詳細說明。
圖21A是使表示網格圖案20的圖樣的圖像資料Img可視化的概略說明圖。以下，舉出該圖像資料Img為例進行說明。該圖像資料Img既可為利用掃描儀等輸入裝置而讀取的導電片10的顏色值資料，亦可為實際用於網格圖案20的輸出形成的曝光資料。無論何種情況，圖像資料Img均具有可將金屬細線16的平均線寬以1個或1個以上的畫素來表現的程度的高分辨率(小畫素尺寸)。
首先，對圖21A所示的圖像資料Img實施傳立葉變換(Fourier transform)，例如實施快速傳立葉變換(Fast Fourier Transformation，FFT)。藉此，關於網格圖案20的形狀，可作為整體的傾向(空間頻率分布)而非局部形狀來把握。
圖21B是對圖21A的圖像資料Img實施FFT而獲得 的功率頻譜(以下僅稱為譜Spc)的分布圖。此處，當該分布圖的橫軸表示針對X軸方向的空間頻率，其縱軸表示針對Y軸方向的空間頻率。並且，每個空間頻域的顯示濃度越薄則強度位準(譜的值)越小，顯示濃度越濃則強度位準越大。於本圖的示例中，該譜Spc的分布為各向同性(isotropic)，並且具有兩個環狀的峰值。
圖21C是圖21B所示的譜Spc的分布的沿XXIC-XXIC線的剖面圖。譜Spc為各向同性，故圖21C相當於針對所有角度方向的矢徑方向分布。如自本圖所知，具有所謂帶通(band-pass)型的特性，即，低空間頻域及高空間頻域內的強度位準減小，僅中間的空間頻域的強度位準升高。即，根據圖像工學領域的技術用語，圖21A所示的圖像資料Img可謂為表示具有「綠色雜訊(green noise)」的特性的圖樣的圖像資料。
圖22是表示人類標準視覺響應特性的一例的圖表。
本實施形態中，使用明視狀態下觀察距離300mm處的杜利肖(Dooley-Shaw)函數作為人類標準視覺響應特性。杜利肖函數是視覺轉移函數(Visual Transfer Function，VTF)的一種，是模擬人類標準視覺響應特性的代表性函數。具體而言，相當於亮度的對比度比特性的平方值。再者，圖表的橫軸是空間頻率(單位：cycle/mm(週期/毫米))，縱軸是VTF的值(單位為無因次)。
若將觀察距離設為300mm，則於0cycle/mm~1.0cycle/mm的範圍內，VTF的值為固定(等於1)，存在隨 著空間頻率升高，VTF的值逐漸減少的傾向。即，該函數作為隔斷中空間頻域至高空間頻域的低通濾波器(lowpass filter)而發揮作用。
再者，實際的人類標準視覺響應特性在0cycle/mm附近為小於1的值，具有所謂帶通濾波器的特性。但是，於本實施形態中，如圖22所例示，即使為極低的空間頻域亦使VTF的值為1，藉此提高對下述評價值EVP的有助程度。藉此，可獲得抑制由網格圖案20的重疊配置所引起的週期性的效果。
圖23是對表示本實施形態的網格圖案20及先前例的各種圖案PT1~圖案PT3的圖樣的圖像資料Img分別實施FFT而獲得的譜Spc的沿X軸的剖面圖。
圖57A所示的圖案PT1的譜Spc具有以約10cycle/mm為頂點的寬度較寬的峰值(2cycle/mm~30cycle/mm的範圍)。並且，圖57B所示的圖案PT2的譜Spc具有以約3cycle/mm為中心的寬度較寬的峰值(3cycle/mm~20cycle/mm的範圍)。此外，圖57C所示的圖案PT3的譜Spc具有以約10cycle/mm為中心的寬度稍窄的峰值(8cycle/mm~18cycle/mm的範圍)。與此相對，網格圖案20(本圖中標記為M。以下，圖27中亦同)的譜Spc具有以8.8cycle/mm為中心的寬度較窄的峰值。
另外，以下說明圖21C所示的譜Spc的特徵與各網格形狀22的重心位置的關係。如圖24所示，對於與圖20B同樣的平面區域100，利用上述維諾圖劃定多邊形狀的各 區域V1~區域V8。再者，分別屬於各區域V1~V8內的各點C1~點C8表示各區域的重心位置。
圖25是表示本實施形態的網格圖案20與各網格形狀22的重心位置的關係的概略說明圖。圖26A是使表示圖25的網格圖案20所具有的各網格形狀22的重心位置的分布(以下稱為「重心位置分布C」)的圖像資料(以下稱為「重心圖像資料Imgc」)可視化的概略說明圖。如自本圖所知，重心位置分布C是各重心位置適度地分散而不相互重疊。
圖26B是對圖26A的重心圖像資料Imgc實施FFT而獲得的二維功率頻譜(以下稱為「重心頻譜Spcc」)的分布圖。此處，當該分布圖的橫軸表示針對X軸方向的空間頻率，其縱軸表示針對Y軸方向的空間頻率。並且，每個空間頻域的顯示濃度越薄則強度位準(譜的值)越小，顯示濃度越濃則強度位準越大。於本圖的示例中，該重心頻譜Spcc的分布為各向同性，並且具有1個環狀的峰值。
圖26C是圖26B所示的重心頻譜Spcc的分布的沿XXVIC-XXVIC線的剖面圖。重心頻譜Spcc為各向同性，故圖26C相當於針對所有角度方向的矢徑方向分布。如自本圖所知，低空間頻域內的強度位準減小，於中間的空間頻域內具有寬度較寬的峰值。此外，具有與低空間頻域相對，高空間頻域內的強度位準升高的所謂高通(high-pass)型的特性。即，根據圖像工學領域的技術用語，圖26A所示的重心圖像資料Imgc可謂為表示具有「藍色雜訊(blue noise)」的特性的圖樣的圖像資料。
再者，導電片10上的重心位置分布C的功率頻譜可藉由以下過程而取得。首先，取得表示網格圖案20的圖樣的圖像資料Img，識別出各網格形狀22(封閉空間)，分別計算出其重心位置(例如1個畫素的點)而求出重心圖像資料Imgc，計算出其二維功率頻譜。藉此，獲得重心位置分布C的功率頻譜(重心頻譜Spcc)。
圖27是圖21C及圖26C的圖表的比較圖。具體而言，對網格圖案20的譜Spc與重心位置分布C的重心頻譜Spcc進行比較。為方便起見，對譜Spc及重心頻譜Spcc的強度進行規格化，以使最大的峰值Pk的值相一致。
根據本圖，峰值Pk的空間頻率Fp相一致，該值相當於8.8cycle/mm。於超過空間頻率Fp的高空間頻域內，譜Spc的強度逐漸減少，與此相對，重心頻譜Spcc的強度仍然維持較高值。其理由可推測為，網格圖案20的構成要素是相互交叉的具有規定寬度的線段，與此相對，重心位置分布C的構成要素是點。
圖28A是表示圖26C的重心頻譜Spcc的特徵的概略說明圖。重心頻譜Spcc的值在0cycle/mm~5cycle/mm的範圍內逐漸增加，在6cycle/mm的周邊急遽增加，在約10cycle/mm處具有寬度較寬的峰值。並且，重心頻譜Spcc的值在10cycle/mm~15cycle/mm的範圍內逐漸減少，在超過15cycle/mm的高空間頻域內維持較高值。
此處，將基準空間頻率Fb(規定的空間頻率)設定為 6cycle/mm。將低於基準空間頻率Fb的空間頻域側、即0~Fb[cycle/mm]的範圍內的重心頻譜Spcc的平均強度(平均值)設為PL。另一方面，將高於基準空間頻率Fb的空間頻域側、即Fb[cycle/mm]~尼奎士頻率(Nyquist frequency)時的重心頻譜Spcc的平均強度(平均值)設為PH。如此一來，PH大於PL。重心頻譜Spcc具有如上所述的特徵，因此對觀察者而言視覺上感覺到的雜訊感減少。其根據如下。
例如，基準空間頻率Fb的值經設定成為人類視覺響應特性相當於最大響應的5%的空間頻率。因為只要為該強度位準，即為難以視認的位準。並且，如圖22所示，使用基於明視距離為300mm的杜利肖函數而獲得的視覺響應特性。因為本函數非常適合於人類視覺響應特性。
即，在明視距離為300mm的杜利肖函數中，可使用相當於最大響應的5%的空間頻率6cycle/mm作為基準空間頻率Fb的值。再者，6cycle/mm相當於167μm間隔。
並且，如圖28B所示，亦可將重心頻譜Spcc的值為最大的空間頻率Fp設定為基準空間頻率Fb。於此情形時，亦滿足上述關係(PH>PL)。
(第2數理特徵；第2條件)
第2數理特徵是關於網格形狀22中的功率頻譜。以下，一面參照圖29及圖30，一面進行詳細說明。
與人類視覺響應特性相關性較高的值即雜訊強度NP(Ux，Uy)可使用譜Spc的值F(Ux，Uy)，以下述(1) 式來定義。
換而言之，雜訊強度NP(Ux,Uy)相當於譜Spc與人類標準視覺響應特性(VTF)的捲積積分(Ux、Uy的函數)。例如，關於超過尼奎士頻率Unyq的空間頻域，通常作為F(Ux,Uy)=0來計算。此處，尼奎士頻率Unyq與相當於金屬細線16的平均線寬的空間頻率相一致。
再者，鑒於圖像資料Img的空間對稱性，VTF具有空間頻率的對稱性{VTF(U)=VTF(-U)}。但是，於本實施形態中，是留意關於負方向的空間頻率特性未考慮到的方面。即，設為VTF(-U)=0(U為正值)。並且，關於譜Spc亦相同。
圖29是表示譜Spc與偏移至高空間頻率側的VTF的位置關係的概略說明圖。此處，VTF的偏移量對應於U=(Ux2+Uy2)1/2(單位為cycle/mm)。以虛線表示的VTF0、VTF1、VTF2及VTF3相當於偏移量分別為0、Unyq/4、Unyq/2及3．Unyq/4的VTF。
圖30是表示對圖21B及圖21C所示的譜Spc捲積於人類標準視覺響應特性(參照圖22)的結果的圖表。本圖表的橫軸是以尼奎士頻率Unyq為基準(100%)時的空間頻率的偏移量(單位：%)。本圖表的縱軸是以零空間頻率 時的雜訊強度NP(0,0)為基準時的沿Ux軸方向的雜訊強度NP(Ux,0)。
如本圖所示，雜訊強度NP(Ux,0)具有以Ux=0.25．Unyq周邊為峰值，隨著空間頻率升高而單調遞減的特性。當空間頻率的範圍為0.25．Unyq≦Ux≦0.5．Unyq時，一直滿足NP(Ux,Uy)>NP(0,0)的關係。再者，雜訊強度NP(Ux,Uy)不僅在Ux軸，而且在空間頻率U=(Ux2+Uy2)1/2的矢徑方向上亦獲得同樣的關係。
如上所述，設為具有如下特性，即，俯視時的譜Spc與人類標準視覺響應特性(VTF)的捲積積分中，大於等於相當於金屬細線16的平均線寬的空間頻率(尼奎士頻率Unyq)的1/4倍頻率、且小於等於相當於金屬細線16的平均線寬的空間頻率(尼奎士頻率Unyq)的1/2倍頻率的空間頻域內的各積分值{雜訊強度NP(Ux，Uy)}大於積分值{雜訊強度NP(0，0)}，因此與低空間頻域側的雜訊量相比，高空間頻域側的雜訊量相對更大。人類視覺具有在低空間頻域內的響應特性較高，而在中空間頻率至高空間頻域內響應特性急遽下降的性質，因此對人類而言視覺上感覺到的雜訊感減少。藉此，由導電片10所具有的圖案而引起的雜訊粒狀感減少，故觀察對象物的視認性大幅提高。並且，包含多個多邊形狀的網格，因此裁斷後的各配線的剖面形狀亦大致固定，從而具有穩定的通電性能。
(第3數理特徵；第3條件)
第3數理特徵是關於多邊形的網格形狀22中的頂點數 的分布。以下，一面參照圖31，一面進行詳細說明。
圖31是較佳的網格形狀22的頂點數Nv的直方圖。例如，自多個第1探測部72a中隨機抽取2個第1探測部72a，分別製作每邊為3mm的正方區域內的第1網格要素78a(多邊形82)的頂點數Nv的直方圖。
於第1樣品中，頂點數Nv處於4~7的範圍，存在比例按五邊形、六邊形、七邊形及四邊形的順序由高到低。並且，於第2樣品中，頂點數Nv處於4~8的範圍，存在比例按六邊形、五邊形、七邊形、四邊形及八邊形的順序由高到低。
作為第1樣品及第2樣品中共同的特徵，可列舉：[1]具有存在頻率最高的頂點數的多邊形的比例為40%~50%；[2]具有存在頻率最高的頂點數的多邊形的比例與具有存在頻率第二高的頂點數的多邊形的比例之和為70%~85%；[3]直方圖為具有1個峰值的山型。
此外，根據關於自波紋及雜訊粒狀感的觀點考慮可充分容許的多種網格圖案製作上述直方圖的結果，獲得如下見解：只要具有存在頻率最高的頂點數的多邊形的比例為40%~70%、及/或具有存在頻率最高的頂點數的多邊形的比例與具有存在頻率第二高的頂點數的多邊形的比例之和為70%~90%即可。
[製造裝置310的構成]
圖32是用以製造本實施形態的導電片10的製造裝置310的概略構成方塊圖。
製造裝置310基本上包括：圖像生成裝置312，製作表示與網格圖案20對應的圖樣(配線形狀)的圖像資料Img(包括輸出用圖像資料ImgOut)；第1光源148a，為使藉由圖像生成裝置312而製作的輸出用圖像資料ImgOut所表示的圖樣具體呈現，對製造製程下的導電片(感光材料140；參照圖49A)的一主面照射第1光144a進行曝光；第2光源148b，根據輸出用圖像資料ImgOut對感光材料140的另一主面照射第2光144b進行曝光；輸入部320，將用以製作圖像資料Img的各種條件(包括網格圖案20、下述結構圖案的視認資訊)輸入至圖像生成裝置312；以及顯示部322，顯示輔助輸入部320的輸入操作的圖形使用者介面(graphical user interface，GUI)圖像、經記憶的輸出用圖像資料ImgOut等。
圖像生成裝置312包括：記憶部324，記憶圖像資料Img、輸出用圖像資料ImgOut、候補點SP的位置資料SPd及種子點SD的位置資料SDd；隨機數產生部326，產生偽隨機數而生成隨機數值；初始位置選擇部328，利用藉由隨機數產生部326而生成的上述隨機數值，自規定的二維圖像區域中選擇種子點SD的初始位置；更新候補位置決定部330，利用上述隨機數值自上述二維圖像區域中決定候補點SP的位置(除種子點SD的位置以外)；圖像擷取部332，自輸出用圖像資料ImgOut中分別擷取第1圖像資料及第2圖像資料(下文描述)；以及顯示控制部334，進行將各種圖像顯示於顯示部322的控制。
種子點SD包括並非更新對象的第1種子點SDN、以及作為更新對象的第2種子點SDS。換而言之，種子點SD的位置資料SDd包括第1種子點SDN的位置資料SDNd、以及第2種子點SDS的位置資料SDSd。
再者，包含中央處理單元(Central processing unit，CPU)等的未圖示的控制部藉由讀取記憶於可電腦讀取的記憶媒體(未圖示的唯讀記憶體(Read-only memory，ROM)或記憶部324)中的程式並加以執行，可實現關於該圖像處理的各種控制。
圖像生成裝置312更包括：圖像資訊推定部336，根據自輸入部320輸入的視認資訊(詳細情況將於下文描述)，推定與網格圖案20、結構圖案對應的圖像資訊；圖像資料製作部338，根據自圖像資訊推定部336提供的上述圖像資訊及自記憶部324提供的種子點SD的位置，製作表示與網格圖案20、結構圖案對應的圖樣的圖像資料Img；網格圖樣評價部340，根據藉由圖像資料製作部338而製作的圖像資料Img，計算出用以評價網格形狀22的圖樣的評價值EVP；以及資料更新指示部342，根據藉由網格圖樣評價部340而算出的評價值EVP，指示種子點SD、評價值EVP等的資料的更新/不更新。
圖33是圖32所示的網格圖樣評價部340及資料更新指示部342的詳細功能方塊圖。
網格圖樣評價部340包括：FFT運算部400，對自圖像資料製作部338提供的圖像資料Img實施傳立葉變換， 例如實施FFT而取得二維譜資料(以下僅稱為「譜Spc」)；以及評價值計算部402，根據自FFT運算部400提供的譜Spc，計算評價值EVP。
資料更新指示部342包括：計數器408，計入網格圖樣評價部340的評價次數；模擬溫度管理部410，管理下述模擬退火法中使用的模擬溫度T的值；更新概率計算部412，根據自網格圖樣評價部340提供的評價值EVP及自模擬溫度管理部410提供的模擬溫度T，計算出種子點SD的更新概率；位置更新判定部414，根據自更新概率計算部412提供的上述更新概率，判定種子點SD的位置資料SDd等的更新/不更新；以及輸出用圖像資料決定部416(資料決定部)，根據來自模擬溫度管理部410的通知，決定1個圖像資料Img作為輸出用圖像資料ImgOut。
[製造裝置310的動作說明]
一面參照圖34的流程圖，一面說明基本上如以上所述而構成的製造裝置310的動作、特別是圖像生成裝置312的動作。
首先，輸入製作表示與網格圖案20對應的圖樣的圖像資料Img(包括輸出用圖像資料ImgOut)時所需的各種條件(步驟S1)。
圖35是表示用以設定圖像資料製作條件的第1設定畫面420的圖像圖。顯示控制部334對應於經由輸入部320的操作者的操作，使設定畫面420顯示於顯示部322。
設定畫面420自上方起依序包含左側的下拉式選單 (pull down menu)422，左側的顯示欄424，右側的下拉式選單426，右側的顯示欄428，7個文字盒(text box)430、文字盒432、文字盒434、文字盒436、文字盒438、文字盒440、文字盒442，以及顯示為[中止]、[向下一個]的按鈕444、按鈕446。
於下拉式選單422、下拉式選單426的左方部，顯示有「種類」的字串(character string)。藉由輸入部320(例如滑鼠)的規定操作，於下拉式選單422、下拉式選單426的下方部一併顯示未圖示的選擇欄，自由選擇其中的項目。
顯示欄424包含5個欄448a、欄448b、欄448c、欄448d、欄448e，於該些欄的左方部，分別顯示有「光透過率」、「光反射率」、「顏色值L*」、「顏色值a*」及「顏色值b*」的字串。
顯示欄428與顯示欄424同樣地，包含5個欄450a、欄450b、欄450c、欄450d、欄450e，於該些欄的左方部，分別顯示有「光透過率」、「光反射率」、「顏色值L*」、「顏色值a*」及「顏色值b*」的字串。
於文字盒430的左方部顯示為「總透過率」，於其右方部顯示為「%」。於文字盒432的左方部顯示為「膜厚」，於其右方部顯示為「μm」。於文字盒434的左方部顯示為「配線的寬度」，於其右方部顯示為「μm」。於文字盒436的左方部顯示為「配線的厚度」，於其右方部顯示為「μm」。於文字盒438的左方部顯示為「圖案尺寸H」，於其右方部顯示為「mm」。於文字盒440的左方部顯示為「圖案尺寸V」，於 其右方部顯示為「mm」。於文字盒442的左方部顯示為「圖像分辨率」，於其右方部顯示為「dpi」。
再者，於7個文字盒430、文字盒432、文字盒434、文字盒436、文字盒438、文字盒440、文字盒442中的任一者內，藉由輸入部320(例如鍵盤)的規定操作，自由輸入計算用數字。
操作者經由顯示於顯示部322的設定畫面420，輸入適當的數值等。藉此，可輸入與網格圖案20的視認性有關的視認資訊。此處，所謂網格圖案20的視認資訊，是有助於網格圖案20的形狀或光學濃度的各種資訊，包括線材(金屬細線16)的視認資訊、膜材(透明基體12)的視認資訊。作為線材的視認資訊，例如包括線材的種類、顏色值、光透過率或光反射率、或者金屬細線16的剖面形狀或粗細度中的至少一者。作為膜材的視認資訊，例如包括膜材的種類、顏色值、光透過率、光反射率或透明基體12的膜厚中的至少一者。
操作者關於欲製造的導電片10，利用下拉式選單422選擇一個線材(金屬細線16)的種類。圖35例中，已選擇「銀(Ag)」。當選擇一個線材的種類時，對顯示欄424進行即時更新，顯示新的與該線材的物性對應的已知數值。於欄448a~欄448e中，分別顯示具有100μm的厚度的銀的光透過率(單位：%)、光反射率(單位：%)、顏色值L*、顏色值a*、顏色值b*(CIELAB)。
並且，操作者關於欲製造的導電片10，利用下拉式選 單426選擇一個膜材(透明基體12)的種類。圖35例中，已選擇「PET薄膜」。當選擇一個膜材的種類時，對顯示欄428進行即時更新，顯示新的與該膜材的物性對應的已知數值。於欄450a~欄450e中，分別顯示具有1mm的厚度的PET薄膜的光透過率(單位：%)、光反射率(單位：%)、顏色值L*、顏色值a*、顏色值b*(CIELAB)。
再者，亦可設為藉由選擇下拉式選單422、下拉式選單426的未圖示的「手動輸入」的項目，而可自顯示欄424、顯示欄428直接輸入各物性值。
此外，操作者關於欲製造的導電片10，利用文字盒430等分別輸入網格圖案20的各種條件。
文字盒430、文字盒432、文字盒434、文字盒436的輸入值分別對應於整體的光透過率(單位：%)、透明基體12的膜厚(單位：μm)、金屬細線16的線寬(單位：μm)、金屬細線16的厚度(單位：μm)。
文字盒438、文字盒440、文字盒442的輸入值相當於網格圖案20的橫向尺寸、網格圖案20的縱向尺寸、輸出用圖像資料ImgOut的圖像分辨率(畫素尺寸)。
操作者於完成設定畫面420的輸入操作後，點擊[向下一個]按鈕446。於是，顯示控制部334將設定畫面420變更為設定畫面460之後，使設定畫面460顯示於顯示部322。
圖36是表示用以設定圖像資料製作條件的第2設定畫面460的圖像圖。
設定畫面460自上方起依序包括2個單選按鈕(radio button)462a、單選按鈕462b，6個文字盒464、文字盒466、文字盒468、文字盒470、文字盒472、文字盒474，矩陣狀的圖像476，以及顯示為[返回]、[設定]、[中止]的按鈕478、按鈕480、按鈕482。
於單選按鈕462a、單選按鈕462b的右方部，分別顯示有「有」、「無」的字串。並且，於單選按鈕462a的左方，顯示有「有無矩陣」的字串。
於文字盒464、文字盒466、文字盒468、文字盒470、文字盒472、文字盒474的左方部，分別顯示有「重疊位置的平均樣品數」、「濃度」、「尺寸」、「a」、「b」、「c」及「d」的字串。並且，於文字盒464、文字盒466、文字盒468、文字盒470、文字盒472、文字盒474的右方部，分別顯示有「次」、「D」、「μm」、「μm」、「μm」及「μm」的字串。此處，於文字盒464、文字盒466、文字盒468、文字盒470、文字盒472、文字盒474的任一者中，均藉由輸入部320(例如鍵盤)的規定操作而自由輸入計算用數字。
矩陣狀的圖像476為模擬黑色矩陣34(參照圖3)的形狀的圖像，設置有4個開口部484及窗框486。
操作者經由顯示於顯示部322的設定畫面460，輸入適當的數值等。藉此，可輸入關於黑色矩陣34的視認性的視認資訊。此處，所謂黑色矩陣34的視認資訊，是有助於黑色矩陣34的形狀、光學濃度的各種資訊，包括圖案材料的視認資訊。作為圖案材料的視認資訊，例如包括圖案材 料的種類、顏色值、光透過率或光反射率、或者上述結構圖案的配設位置、單位形狀或單位尺寸中的至少一者。
操作者關於欲重疊的黑色矩陣34，利用文字盒464等分別輸入黑色矩陣34的各種條件。
單選按鈕462a、單選按鈕462b的輸入對應於是否製作表示在網格圖案20上重疊有黑色矩陣34的圖樣的輸出用圖像資料ImgOut。於「有」(單選按鈕462a)的情形時重疊黑色矩陣34，於「無」(單選按鈕462b)的情形時則不重疊黑色矩陣34。
文字盒464的輸入值相當於隨機決定黑色矩陣34的配置位置，進行圖像資料Img的製作與評價的試行次數。例如，當將該值設定為5次時，製作隨機決定網格圖案20與黑色矩陣34的位置關係的5個圖像資料Img，利用各個評價值EVP的平均值，進行網格的圖樣的評價。
文字盒466、文字盒468、文字盒470、文字盒472、文字盒474的輸入值分別對應於黑色矩陣34的光學濃度(單位：D)、畫素32的縱向尺寸(單位：μm)、畫素32的橫向尺寸(單位：μm)、黑色矩陣34的橫格子線的寬度(單位：μm)、黑色矩陣34的縱格子線的寬度(單位：μm)。
根據操作者點擊[設定]按鈕480的動作，圖像資訊推定部336推定對應於網格圖案20的圖像資訊。該圖像資訊是於製作圖像資料Img(包括輸出用圖像資料ImgOut)時被參照。
例如，根據網格圖案20的縱向尺寸(文字盒438的輸 入值)與輸出用圖像資料ImgOut的圖像分辨率(文字盒442的輸入值)，可計算輸出用圖像資料ImgOut的橫方向的畫素數，根據配線的寬度(文字盒434的輸入值)與上述圖像分辨率，可計算相當於金屬細線16的線寬的畫素數。
並且，根據線材的光透過率(欄448a的顯示值)與配線的厚度(文字盒436的輸入值)，可推定金屬細線16單體的光透過率。除此以外，根據膜材的光透過率(欄450a的顯示值)與膜厚(文字盒432的輸入值)，可推定在透明基體12上積層有金屬細線16的狀態下的光透過率。
此外，根據線材的光透過率(欄448a的顯示)、膜材的光透過率(欄450a的顯示)、總透過率(文字盒430的輸入值)、配線的寬度(文字盒434的輸入值)，可推定開口部18的個數，並且推定種子點SD的個數。再者，亦可設為根據決定開口部18的區域的演算法(algorithm)，推定種子點SD的個數。
此外，根據黑色矩陣34的光學濃度(文字盒466)、畫素32的縱向尺寸(文字盒468)、畫素32的橫向尺寸(文字盒470)、黑色矩陣34的橫格子線的寬度(文字盒472)、黑色矩陣34的縱格子線的寬度(文字盒474)，可推定重疊有黑色矩陣34時的網格圖案20的圖樣(形狀及光學濃度)。
其次，製作用以形成網格圖案20的輸出用圖像資料ImgOut(步驟S2)。此處，根據以下所例示的評價值EVP， 決定並且製作輸出用圖像資料ImgOut。
當將譜Spc的值設為NP(Ux,Uy)時，第1評價值EVP藉由以下(2)式而算出。
[數式2]EVP=NP(Ux,Uy)......(2)
根據維納辛欽(Wiener-Khintchine)定理，對譜Spc在整個空間頻域內進行積分所得的值與均方根(root mean square，RMS)的平方值相一致。對該譜Spc乘上VTF，在整個空間頻域內對該新的譜Spc進行積分所得的值成為與人類視覺特性大致一致的評價指標。該評價值EVP可謂為藉由人類視覺響應特性而修正所得的RMS。與通常的RMS相同，評價值EVP始終採用0或0以上的值，可以說評價值EVP越接近於0，雜訊特性越良好。
並且，亦可藉由對圖22所示的VTF實施逆向傳立葉變換(例如IFFT(inverse fast Fourier transform))，來計算與VTF對應的實際空間上的遮罩(mask)，使該遮罩作用於欲評價的圖像資料Img而進行捲積運算，針對新的圖像資料Img求出RMS。藉此，可獲得與使用(2)式的上述方法相等的運算結果。
第2評價值EVP是使用雜訊強度NP(Ux,Uy)，藉由以下(3)式而算出。
此處，Aj(j=1~3)是預先決定的任意係數(非負實數)。並且，Θ(x)是於x>0時為Θ(x)=1，於x≦0時為Θ(x)=0的階梯函數(step function)。此外，Unyq是圖像資料Img的尼奎士頻率。例如，於圖像資料Img的分辨率為1750dpi(dot per inch，每英吋點數)時，相當於Unyq=34.4Cycle/mm。此外，φ是Ux-Uy平面上的角度參數(0≦φ≦2π)。
如由(3)式所知，當高於尼奎士頻率Unyq的1/4倍空間頻率的空間頻域內的各雜訊強度NP(Ux,Uy)大於零空間頻率時的雜訊強度NP(0,0)時，右邊的值變為0。當滿足該條件(規定的空間頻率條件)時，評價值EVP變為最小。評價值EVP越低，網格圖案20的圖樣所具有的譜Spc在低空間頻率頻域越得到抑制。即，網格圖案20的圖樣所具有的粒狀雜訊特性接近於雜訊強度NP(Ux,Uy)偏在於高空間頻域側的所謂藍色雜訊。藉此，可獲得對通常觀察下的人類視覺而言粒狀感不顯眼的網格圖案20。
再者，毋庸置言，可根據用以決定網格圖案20的目標位準(容許範圍)、評價函數，對評價值EVP的計算式進行各種變更。
以下，說明根據上述評價值EVP決定輸出用圖像資料 ImgOut的具體方法。例如，可使用依次重複如下步驟的方法：製作包含多個種子點SD的點圖案；基於多個種子點SD製作圖像資料Img；及藉由評價值EVP進行評價。
此處，決定多個種子點的位置的演算法可採用各種最佳化方法。例如，可使用依次重複如下步驟的方法：製作配置不同的點圖案；及藉由評價值EVP進行評價。於此情形時，作為決定點圖案的最佳化方法，可使用建構法(constructive algorithm)或反覆式改進法(iterative improvement algorithm)等各種搜尋演算法(search algorithm)。作為具體例，可列舉神經網路(neural network)、遺傳演算法、模擬退火法、空位與聚類法(Void and Cluster method)等。
本實施形態中，一面主要參照圖37的流程圖、圖32及圖33的功能方塊圖，一面說明藉由模擬退火法(Simulated Annealing；以下稱為SA法)的網格圖案20的圖樣的最佳化方法。再者，SA法是模擬藉由在高溫狀態下敲打鐵而獲得堅固的鐵的「退火法」的概率性搜尋演算法。
首先，初始位置選擇部328選擇種子點SD的初始位置(步驟S21)。
於選擇初始位置之前，隨機數產生部326使用偽隨機數的產生演算法(generation algorithm)產生隨機數值。此處，作為偽隨機數的產生演算法，亦可使用梅森旋轉演算法(Mersenne Twister)、SFMT(SIMD(Single Instruction Multiple Data)-oriented Fast Mersenne Twister，面向單指令流多資料流的快速梅森旋轉演算法)或異或移位(Xorshift)法等各種演算法。並且，初始位置選擇部328使用自隨機數產生部326提供的隨機數值，隨機地決定種子點SD的初始位置。此處，初始位置選擇部328選擇種子點SD的初始位置作為圖像資料Img上的畫素位址，將種子點SD分別設定於相互不重疊的位置。
再者，初始位置選擇部328根據自圖像資訊推定部336提供的圖像資料Img的縱方向或橫方向的畫素數，預先決定二維圖像區域的範圍。並且，初始位置選擇部328自圖像資訊推定部336預先取得種子點SD的個數，決定其個數。
圖38是表示種子點SD的配置密度與網格圖案20的總透過率的關係的一例的圖表。本圖表示隨著配置密度升高，配線的覆蓋面積增加，其結果為網格圖案20的總透過率下降。
該圖表特性根據膜材的光透過率(圖35的欄450a的顯示)、配線的寬度(圖35的文字盒434的輸入值)及區域決定演算法(例如維諾圖)而發生變化。因此，亦可藉由函數或表(table)等各種資料形式，將與配線的寬度等各參數對應的特性資料預先記憶於記憶部324。
並且，亦可預先取得種子點SD的配置密度與網格圖案20的電阻值之間的對應，根據該電阻值的指定值來決定種子點SD的個數。其原因在於，電阻值是表示第1導電 部14a及第2導電部14b的通電性的1個參數，於網格圖案20的設計中不可或缺。
再者，初始位置選擇部328亦可選擇種子點SD的初始位置而不使用隨機數值。例如，可一面參照自包含未圖示的掃描儀、記憶裝置在內的外部裝置取得的資料，一面決定初始位置。該資料例如亦可為規定的二值圖像資料，具體而言，亦可為印刷用的網點資料。
繼而，圖像資料製作部338製作作為初始資料的圖像資料ImgInit(步驟S22)。圖像資料製作部338根據自記憶部324提供的種子點SD的個數、位置資料SDd以及自圖像資訊推定部336提供的圖像資訊，製作表示與網格圖案20對應的圖樣的圖像資料ImgInit(初始資料)。此處，由多個種子點SD決定各網格形狀22的演算法可採用各種方法。於本實施形態中，是採用維諾圖(參照圖20B等)。
另外，於製作圖像資料Img(包括初始圖像資料ImgInit)之前，預先決定畫素的位址及畫素值的定義。
圖39A是表示圖像資料Img中的畫素位址的定義的說明圖。例如，畫素尺寸為10μm，圖像資料的縱橫的畫素數分別設為8192個。為便於進行下述FFT的運算處理，以圖像資料的縱橫的畫素數分別為2的乘方(例如2的13次方)的方式而設置。此時，圖像資料Img的整個圖像區域對應於約82mm見方的矩形區域。
圖39B是表示圖像資料Img中的畫素值的定義的說明圖。例如，將每個畫素的灰階數設為8位元(256灰階)。 預先使光學濃度0對應於畫素值0(最小值)，且使光學濃度4.5對應於畫素值255(最大值)。對於其中間的畫素值1~254，預先以相對於光學濃度成線性關係的方式而決定值。此處，所謂光學濃度，毋庸置言，不僅為透過濃度，亦可為反射濃度，可根據導電片10的使用形態等來適當地選擇。並且，除光學濃度以外，即使為三刺激值XYZ或顏色值RGB、L*a*b*等，亦可與上述同樣地對各畫素值進行定義。
如此一來，圖像資料製作部338根據圖像資料Img的資料定義以及由圖像資訊推定部336推定的圖像資訊(參照步驟S1的說明)，製作與網格圖案20對應的圖像資料ImgInit(步驟S22)。圖像資料製作部338利用以種子點SD的初始位置(參照圖40A)為基準的維諾圖，決定圖40B所示的網格圖案20的初始狀態。此處，圖像資料Img(包括圖像資料ImgInit)設為是包括光學濃度OD、顏色值L*、顏色值a*、顏色值b*這4個通道的各資料的圖像資料。
另外，於圖像資料Img的尺寸極大的情形時，用以最佳化的運算處理量變得巨大，因此需要圖像生成裝置312的處理能力及處理時間。並且，圖像資料Img(輸出用圖像資料ImgOut)的尺寸增大，因此儲存該圖像資料Img(輸出用圖像資料ImgOut)的記憶體容量亦成為必需。因此，有效的是如下方法：藉由有規則地配置滿足規定的邊界條件的單位圖像資料ImgE，而使圖像資料Img具有重複形 狀。以下，一面參照圖41及圖42，一面詳細說明其具體方法。
圖41是表示於單位區域90的端部的圖樣的決定方法的概略說明圖。圖42是表示有規則地排列單位圖像資料ImgE而製作圖像資料Img的結果的概略說明圖。
如圖41所示，於大致正方形狀的單位區域90內，於其右上角部、左上角部、左下角部及右下角部，分別配置有點P11~點P14。為便於說明，僅標明存在於單位區域90內的點P11~點P14這四點，而省略其他的點。
於單位區域90的右方，相鄰配置有與單位區域90相同的尺寸的假想區域92(用虛線表示)。於假想區域92上，以與單位區域90內的點P12的位置相對應的方式配置有假想點P22。並且，於單位區域90的右上方，相鄰配置有與單位區域90相同尺寸的假想區域94(用虛線表示)。於假想區域94上，以與單位區域90內的點P13的位置相對應的方式配置有假想點P23。此外，於單位區域90的上方，相鄰配置有與單位區域90相同尺寸的假想區域96(用虛線表示)。於假想區域96上，以與單位區域90內的點P14的位置相對應的方式配置有假想點P24。
以下，圖像資料製作部338於該條件下，根據維諾圖(分割法)決定於單位區域90的右上角部的圖樣(配線形狀)。
決定於點P11與假想點P22的關係中與兩個點的距離相等的點的集合，即1條區劃線97。並且，決定於點P11與 假想點P24的關係中與兩個點的距離相等的點的集合，即1條區劃線98。此外，決定於假想點P22與假想點P24的關係中與兩個點的距離相等的點的集合，即1條區劃線99。藉由該區劃線97~區劃線99，劃定於單位區域90的右上角部的圖樣。同樣地，跨單位區域90的整個端部劃定圖樣。以下，將如此製作的單位區域90內的圖像資料稱為單位圖像資料ImgE。
如圖42所示，沿相同方向且沿縱方向及橫方向有規則地排列單位圖像資料ImgE，藉此於平面區域100內製作圖像資料Img。已根據圖41所示的邊界條件決定圖樣，故可於單位圖像資料ImgE的上端與下端之間及單位圖像資料ImgE的右端與左端之間分別無接縫地相連。
藉由如上所述而構成，可縮小單位圖像資料ImgE的尺寸，從而可減少運算處理量及資料尺寸。並且，不會產生因接縫的不齊整所引起的波紋。再者，單位區域90的形狀並不限於圖41及圖42所示的正方形，只要為矩形、三角形、六邊形等可無間隙地排列的形狀，則不論種類如何。
其次，圖像資料製作部338根據步驟S22中所製作的圖像資料ImgInit以及由圖像資訊推定部336推定的圖像資訊(參照步驟S1的說明)，製作圖像資料ImgInit'(步驟S23)。此處，圖像資料ImgInit'是表示於網格圖案20上重疊作為結構圖案的黑色矩陣34而成的圖樣的圖像資料。再者，當藉由單選按鈕462b(參照圖36)的選擇而不重疊黑色矩陣34時，直接將圖像資料ImgInit複製成圖像 資料ImgInit'而進入下一步驟(S24)。
當藉由單選按鈕462a(參照圖36)的選擇而重疊黑色矩陣34時，圖像資料製作部338使用由圖像資訊推定部336推定的圖像資訊以及圖像資料ImgInit，製作重疊圖像資料(圖像資料ImgInit')。該重疊圖像資料是表示於網格圖案20上重疊作為結構圖案的黑色矩陣34而成的圖樣的圖像資料。
當圖像資料ImgInit的畫素值的資料定義為透過濃度時，可加上與黑色矩陣34的配置位置對應的各畫素的透過濃度(圖36的文字盒466的輸入值)，製作圖像資料ImgInit'。並且，當圖像資料ImgInit的畫素值的資料定義為反射濃度時，可置換成與黑色矩陣34的配置位置對應的各畫素的反射濃度(該圖的文字盒466的輸入值)，製作圖像資料ImgInit'。
其次，網格圖樣評價部340計算評價值EVPInit(步驟S24)。再者，於SA法中，評價值EVP發揮作為成本函數(Cost Function)的作用。
具體而言，圖33所示的FFT運算部400對圖像資料ImgInit'實施FFT。繼而，評價值計算部402根據自FFT運算部400提供的譜Spc，計算出評價值EVP。
對圖像資料Img中的顏色值L*、顏色值a*、顏色值b*的各個通道(channel)，分別計算出上述評價值EVP(L*)、EVP(a*)、EVP(b*){參照(2)式或(3)式}。繼而，藉由利用規定的權重係數進行積和運算，來獲得評 價值EVP。
再者，亦可利用光學濃度OD來代替顏色值L*、顏色值a*、顏色值b*。關於評價值EVP，可根據觀察形態的類別，具體而言，可根據輔助光源是透過光佔主導、還是反射光佔主導、或是透過光與反射光的混合光，來適當選擇更適合於人類視覺敏感度的運算方法。
並且，毋庸置言，可根據用以決定網格圖案20的目標位準(容許範圍)、評價函數，對評價值EVP的計算式進行各種變更。
以如上所述方式，網格圖樣評價部340計算出評價值EVPInit(步驟S24)。
其次，記憶部324暫時記憶步驟S22中所製作的圖像資料ImgInit、以及步驟S24中所算出的評價值EVPInit(步驟S25)。同時，於模擬溫度T中代入初始值n△T(n為自然數，△T為正實數)。
其次，計數器408對變數K進行初始化(步驟S26)。即，於K中代入0。
其次，於將種子點SD的一部分(第2種子點SDS)置換為候補點SP的狀態下，製作圖像資料ImgTemp，計算出評價值EVPTemp之後，判定種子點SD的「更新」或「不更新」(步驟S27)。一面參照圖32、圖33的功能方塊圖及圖43的流程圖，一面對該步驟S27更進一步詳細說明。
首先，更新候補位置決定部330自規定的平面區域100 抽取並決定候補點SP(步驟S271)。更新候補位置決定部330例如使用自隨機數產生部326提供的隨機數值，決定與種子點SD中的任意位置均不重疊的位置。再者，候補點SP的個數既可為1個亦可為多個。於圖44A所示的示例中，當前的種子點SD為8個(點P1~點P8)，與此相對，候補點SP為2個(點Q1及點Q2)。
其次，對種子點SD的一部分與候補點SP進行隨機交換(步驟S272)。更新候補位置決定部330預先將各候補點SP與所交換(或更新)的各種子點SD隨機地對應起來。圖44A中，設為將點P1與點Q1對應起來，將點P3與點Q2對應起來。如圖44B所示，對點P1與點Q1進行交換，並且對點P3與點Q2進行交換。此處，將並非交換(或更新)對象的點P2、點P4~P8稱為第1種子點SDN，將作為交換(或更新)對象的點P1及點P3稱為第2種子點SDS。
其次，圖像資料製作部338使用經交換的新的種子點SD(參照圖44B)，製作圖像資料ImgTemp(步驟S273)。此處，由於使用與步驟S22(參照圖37)的情況相同的方法，因此省略說明。再者，當藉由單選按鈕462b(參照圖36)的選擇而不重疊黑色矩陣34時，直接將圖像資料ImgTemp複製成圖像資料ImgTemp'而進入下一步驟(S274)。
當藉由單選按鈕462a(參照圖36)的選擇而重疊黑色矩陣34時，圖像資料製作部338利用由圖像資訊推定部336推定的圖像資訊以及圖像資料ImgTemp，製作重疊圖 像資料(圖像資料ImgTemp')。該重疊圖像資料是表示於網格圖案20上重疊作為結構圖案的黑色矩陣34而成的圖樣的圖像資料。
其次，圖像資料製作部338根據步驟S273中所製作的圖像資料ImgTemp、以及由圖像資訊推定部336推定的圖像資訊(參照步驟S1的說明)，製作圖像資料ImgTemp'(步驟S274)。此時，由於使用與步驟S23(參照圖37)的情況相同的方法，因此省略說明。
其次，網格圖樣評價部340根據圖像資料ImgTemp'，計算出評價值EVPTemp(步驟S275)。此時，由於使用與步驟S24(參照圖37)的情況相同的方法，因此省略說明。
其次，更新概率計算部412計算種子點SD的位置的更新概率Prob(步驟S276)。此處，所謂「位置的更新」，是指將步驟S272中進行暫時交換而獲得的種子點SD(即，第1種子點SDN及候補點SP)決定為新的種子點SD。
具體而言，根據美特羅波利(Metropolis)準則，分別計算更新種子點SD的概率或不更新的概率。更新概率Prob藉由以下(4)式而獲得。
此處，T表示模擬溫度，隨著接近於絶對溫度(T=0)， 種子點SD的更新規則自概率性的變為決定性的。
其次，位置更新判定部414根據藉由更新概率計算部412而算出的更新概率Prob，判定是否更新種子點SD的位置(步驟277)。例如，亦可使用自隨機數產生部326提供的隨機數值，概率性地進行判斷。
當更新種子點SD時對記憶部324側指示「更新」，當不更新種子點SD時對記憶部324側指示「不更新」(步驟S278、步驟S279)。
以如上所述方式，完成步驟S27。
返回至圖37，根據「更新」或「不更新」中任一者的指示，判定是否更新種子點SD(步驟S28)。當不更新種子點SD時，不進行步驟S29而進入下一步驟S30。
另一方面，當更新種子點SD時，記憶部324針對當前記憶著的圖像資料Img，改寫並更新為步驟S273中所獲得的圖像資料ImgTemp(步驟S29)。並且，記憶部324針對當前記憶著的評價值EVP，改寫並更新步驟S275中所獲得的評價值EVPTemp(步驟S29)。進而，記憶部324針對當前記憶著的第2種子點SDS的位置資料SDSd，改寫並更新步驟S271中所獲得的候補點SP的位置資料SPd(步驟S29)。其後，進入至下一步驟S30。
其次，計數器408對此時刻的K的值加上1(步驟S30)。
其次，計數器408對此時刻的K的值與預先決定的Kmax的值之間的大小關係進行比較(步驟S31)。在K的值小的情況下返回至步驟S27，重複以下步驟S27~步驟 S31。再者，為充分確保該最佳化運算中的收斂性，例如可規定為Kmax=10000。
於除此以外的情形時，模擬溫度管理部410自模擬溫度T減去△T(步驟S32)，進入至下一步驟S33。再者，模擬溫度T的變化量不僅可為△T的減法運算，而且可為常數δ(0<δ<1)的乘法運算。於此情形時，自(4)式所示的更新概率Prob(下段)減去固定值。
其次，模擬溫度管理部410判定在此時刻的模擬溫度T是否等於0(步驟S33)。當T不等於0時，返回至步驟S26，重複以下的步驟S26~步驟S33。
另一方面，當T等於0時，模擬溫度管理部410對輸出用圖像資料決定部416通知藉由SA法的評價已結束。繼而，記憶部324將在步驟S29中最後更新的圖像資料Img的內容改寫並更新為輸出用圖像資料ImgOut(步驟S34)。如此，結束輸出用圖像資料ImgOut的製作(步驟S2)。
該輸出用圖像資料ImgOut是用於輸出並且形成金屬細線16。例如，當利用下述兩面統一曝光來製造導電片10時，輸出用圖像資料ImgOut是用於製作光罩的圖案。並且，當藉由包括網版印刷、噴墨印刷的印刷來製造導電片10時，輸出用圖像資料ImgOut是用作印刷用資料。
並且，輸出用圖像資料ImgOut除觸控面板44的電極的配線形狀以外，亦可為無機EL元件、有機EL元件或太陽電池等的各種電極的配線形狀。並且，除電極以外，亦可應用於藉由使電流流動而發熱的透明發熱體(例如，車 輛的除霜器(defroster))、隔斷電磁波的電磁波屏蔽材料。
為使操作者進行目視確認，亦可使所獲得的輸出用圖像資料ImgOut顯示於顯示部322，模擬性地使網格圖案20可視化。以下，說明使輸出用圖像資料ImgOut實際可視化的結果的一例。
圖45A是對表示網格圖案20的圖樣的輸出用圖像資料ImgOut重疊黑色矩陣34而可視化的概略說明圖。於本圖中，分別可識別地標明有網格圖案20、紅色副畫素32r、綠色副畫素32g、藍色副畫素32b及黑色矩陣34。圖45B~圖45D是分別抽取圖45A的輸出用圖像資料ImgOut中的顏色值的R成分、G成分、B成分而計算出譜Spc的圖表。如圖45B~圖45D所示，R、G、B的各成分均可獲得大致相同的譜Spc。無論何者，均以與黑色矩陣34的格子間隔對應的空間頻率為中心而產生有雜訊的峰值。
與此相對，圖46A是使人類視覺響應特性作用於圖45A的輸出用圖像資料ImgOut而加以可視化的概略說明圖。使人類視覺響應特性，換而言之，使低通濾波器(參照圖22)起作用，藉此如圖46A所示，幾乎無法視認出網格圖案20與黑色矩陣34的微細構造輪廓。
圖46B~圖46D是分別抽取圖46A的圖像資料中的顏色值的R成分、G成分、B成分而計算出譜Spcv的圖表。與圖45A相比較，上述雜訊特性的峰值向低空間頻率側偏移，並且譜Spcv所形成的面積減少。
若使用此種方法，可對網格圖案20的雜訊特性進行更 進一步適合於人類視覺響應特性的評價。
最後，圖像擷取部332自輸出用圖像資料ImgOut所表示的平面區域100的配線形狀(網格圖案20的圖樣)，分別擷取2個以上的第1導電圖案70a、2個以上的第1虛擬圖案76a、及2個以上的第2導電圖案70b(步驟S3)。
圖47A是表示已擷取各第1導電圖案70a及各第1虛擬圖案76a的結果的概略說明圖。圖47B是表示已擷取各第2導電圖案70b的結果的概略說明圖。
藉由自圖47A所示的平面區域100中擷取除第1區域R1(標附有剖面線的區域)以外的部位，來製作表示於透明基體12的一主面側(圖9的箭頭s1方向側)的圖樣的第1圖像資料。第1區域R1具有沿箭頭X方向連結多個邊框狀的菱形框而成的形狀。即，第1圖像資料分別表示2個以上的第1導電圖案70a及2個以上的第1虛擬圖案76a(參照圖9B及圖10)。
並且，藉由自圖47B所示的平面區域100中僅擷取第2區域R2(標附有剖面線的區域)，來製作表示透明基體12的另一主面側(圖9的箭頭s2方向側)的圖樣的第2圖像資料。第2圖像資料分別表示2個以上的第2導電圖案70b(參照圖5B及圖7等)。再者，除第2區域R2以外的剩餘區域(圖47B所示的平面區域100內的空白區域)分別對應於各第1導電圖案70a的位置。
於圖47A及圖47B中，與圖42相比，平面區域100以傾斜規定角度(例如，θ=45°)的狀態進行配置。即，單 位圖像資料ImgE的排列方向與各第1導電圖案70a(或各第2導電圖案70b)的延伸方向所成的角度θ被設為非0(0°<θ<90°)的關係。如此，相對於網格圖案20的重複形狀的排列方向傾斜規定角度θ而形成各第1導電圖案70a(或各第2導電圖案70b)，藉此可抑制各第1探測部72a(或各第2探測部72b)與上述重複形狀之間產生波紋。再者，若未產生波紋，則毋庸置言，亦可為θ=0°。自同樣的觀點考慮，較佳為重複形狀的尺寸大於各第1探測部72a(或各第2探測部72b)的尺寸。
再者，所製作的第1圖像資料及第2圖像資料是用於輸出並且形成金屬細線16。例如，當利用下述兩面統一曝光而製造導電片10時，第1圖像資料及第2圖像資料是用於製作光罩的圖案。並且，當藉由包含網版印刷、噴墨印刷的印刷來製造導電片10時，第1圖像資料及第2圖像資料是用作印刷用資料。
[第1導電部14a及第2導電部14b的形成方法]
其次，作為形成第1導電部14a及第2導電部14b(以下，有時稱為第1導電部14a等)的方法，例如，藉由於透明基體12上將含有包含感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料曝光，並實施顯影處理，來於曝光部及未曝光部上分別形成金屬銀部及光透過性部而形成第1導電部14a及第2導電部14b。再者，藉由進而對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理，而使金屬銀部載有導電性金屬。關於圖2等所示的導電片10，可較佳地採用以下所示的製造方 法。即，對形成於透明基體12的兩面上的感光性鹵化銀乳劑層進行統一曝光，於透明基體12的一主面上形成第1導電部14a，於透明基體12的另一主面形成第2導電部14b。
一面參照圖48~圖50，一面說明該製造方法的具體例。
首先，於圖48的步驟S4中，製作長條狀的感光材料140。感光材料140如圖49A所示，包括透明基體12、形成於該透明基體12的一主面上的感光性鹵化銀乳劑層(以下稱為第1感光層142a)、以及形成於透明基體12的另一主面上的感光性鹵化銀乳劑層(以下稱為第2感光層142b)。
於圖48的步驟S5中，對感光材料140進行曝光。於該曝光處理中，對第1感光層142a進行向透明基體12照射光而沿第1曝光圖案對第1感光層142a進行曝光的第1曝光處理，且對第2感光層142b進行向透明基體12照射光而沿第2曝光圖案對第2感光層142b進行曝光的第2曝光處理(兩面同時曝光)。於圖49B的示例中，一面朝一方向搬送長條狀的感光材料140，一面經由第1光罩146a對第1感光層142a照射第1光144a(平行光)，並且經由第2光罩146b對第2感光層142b照射第2光144b(平行光)。第1光144a是藉由利用中途的第1準直透鏡(collimator lens)150a將自第1光源148a射出的光變換為平行光而獲得，第2光144b是藉由利用中途的第2準直 透鏡150b將自第2光源148b射出的光變換為平行光而獲得。
於圖49B的示例中，是表示使用2個光源(第1光源148a及第2光源148b)的情況，但亦可經由光學系統對自1個光源射出的光進行分割，作為第1光144a及第2光144b而照射至第1感光層142a及第2感光層142b。
繼而，於圖48的步驟S6中，對曝光後的感光材料140進行顯影處理。第1感光層142a及第2感光層142b的曝光時間及顯影時間因第1光源148a及第2光源148b的種類、顯影液的種類等而發生各種變化，因此較佳數值範圍無法一概決定，但已調整為顯影率達到100%的曝光時間及顯影時間。
繼而，於第2實施形態的製造方法中，如圖50所示，第1曝光處理是於第1感光層142a上例如密接配置第1光罩146a，自與該第1光罩146a相對向地配置的第1光源148a向第1光罩146a照射第1光144a，藉此對第1感光層142a進行曝光。第1光罩146a包括包含透明的鈉玻璃(soda glass)的玻璃基板、以及形成於該玻璃基板上的遮罩圖案(第1曝光圖案152a)。因此，藉由該第1曝光處理，對第1感光層142a中沿著形成於第1光罩146a上的第1曝光圖案152a的部分進行曝光。亦可於第1感光層142a與第1光罩146a之間設置2μm~10μm左右的間隙。
同樣地，第2曝光處理是將第2光罩146b例如密接配置於第2感光層142b上，自與該第2光罩146b相對向地 配置的第2光源148b向第2光罩146b照射第2光144b，藉此對第2感光層142b進行曝光。第2光罩146b與第1光罩146a同樣地，包括包含透明的鈉玻璃的玻璃基板、以及形成於該玻璃基板上的遮罩圖案(第2曝光圖案152b)。因此，藉由該第2曝光處理，對第2感光層142b中沿著形成於第2光罩146b上的第2曝光圖案152b的部分進行曝光。於此情形時，亦可於第2感光層142b與第2光罩146b之間設置2μm~10μm左右的間隙。
第1曝光處理及第2曝光處理既可使來自第1光源148a的第1光144a的射出時序與來自第2光源148b的第2光144b的射出時序為同時，亦可使該兩個射出時序為不同時。若為同時，則可藉由一次曝光處理，同時對第1感光層142a及第2感光層142b進行曝光，從而使處理時間縮短。
最後，於圖48的步驟S7中，藉由對顯影處理後的感光材料140實施積層處理，來完成導電片10。具體而言，於第1感光層142a側形成第1保護層26a，並且於第2感光層142b側形成第2保護層26b。藉此，成為第1感測部60a、第2感測部60b的保護。
如上所述，藉由利用使用上述兩面統一曝光的製造方法，可容易地形成觸控面板44的電極，從而可使觸控面板44薄型化(低背化)。
上述示例是利用感光性鹵化銀乳劑層形成第1導電部14a及第2導電部14b的製造方法，但作為其他的製造方 法，有如下製造方法。
例如，亦可對形成於透明基體12上的銅箔上的光阻膜進行曝光、顯影處理而形成光阻圖案，並對自光阻圖案露出的銅箔進行蝕刻，藉此形成第1導電部14a等。或者，亦可於透明基體12上印刷包含金屬微粒的糊漿(paste)，於糊漿上進行金屬鍍敷，藉此形成第1導電部14a等。或者，亦可於透明基體12上，藉由網版印刷版或凹版印刷版而印刷形成第1導電部14a等。或者，亦可於透明基體12上，藉由噴墨而形成第1導電部14a等。
[關於另一實施形態的說明]
繼而，一面參照圖51~圖55，一面說明本發明的導電片10的另一實施形態。
[針對電阻膜方式觸控面板的應用例]
關於觸控面板160，不僅適用於靜電電容方式，而且亦可適用於電阻膜方式(此外，數位方式、類比方式)。以下，一面參照圖51~圖53，一面說明構造及動作原理。
數位電阻膜方式的觸控面板160包括：下側面板162；上側面板164，與下側面板162相對向地配置；邊框黏著層166，以下側面板162及上側面板164的周邊部黏合，且使兩者電性絕緣；以及撓性印刷電路168(Flexible Printed Circuits，FPC)，由下側面板162及上側面板164所挾持。
如圖51及圖52A所示，上側面板164包括：包含具有可撓性的材質(例如樹脂)的第1透明基體170a、以及 形成於該第1透明基體170a的一主面(箭頭Z2方向側)的第1感測部172a及第1端子配線部174a。第1感測部172a包括分別包含多根金屬細線16的2個以上的第1導電圖案176a。帶狀的第1導電圖案176a分別沿箭頭Y方向延伸，且沿箭頭X方向以相等間隔排列。各第1導電圖案176a經由第1端子配線部174a電性連接於FPC168。於各第1導電圖案176a之間，分別配置有帶狀的第1虛擬圖案178a。
如圖51及圖52B所示，下側面板162包括包含高剛性的材質(例如玻璃)的第2透明基體170b、形成於該第2透明基體170b的一主面(箭頭Z1方向側)的第2感測部172b及第2端子配線部174b、及以規定間隔配置於第2感測部172b上的多個隔點(dot spacer)180。第2感測部172b包括分別包含多根金屬細線16的2個以上的第2導電圖案176b。帶狀的第2導電圖案176b分別沿箭頭X方向延伸，且沿箭頭Y方向以相等間隔排列。各第2導電圖案176b經由第2端子配線部174b電性連接於FPC168。於各第2導電圖案176b之間，分別配置有帶狀的第2虛擬圖案178b。
如圖51及圖53所示，於使上側面板164與下側面板162相黏合的狀態下，第1感測部172a經由各隔點180而與第2感測部172b相隔規定間隔而配置。並且，藉由各第1導電圖案176a與各第2導電圖案176b分別交叉，而形成多個大致正方形的重疊區域182。此外，於各第1虛擬 圖案178a與各第2虛擬圖案178b分別交叉的位置，分別配置有隔點180。即，處於在各重疊區域182的四角各配置有一個隔點180的位置關係。
其次，說明觸控面板160的動作。受到來自輸入面(第1透明基體170a的箭頭Z1側主面)的按壓，將具有可撓性的第1透明基體170a彎曲成凹狀。於是，在由與按壓位置最近的4個隔點180所包圍的與1個重疊區域182對應的部位，第1導電圖案176a的一部分與第2導電圖案176b的一部分相接觸。於此狀態下，經由FPC168施加電壓，藉此於上側面板164與下側面板162之間產生電位梯度(potential gradient)。即，藉由經由FPC168自上側面板164讀取電壓，可檢測箭頭X方向(X軸)的輸入位置。同樣地，藉由自下側面板162讀取電壓，可檢測箭頭Y方向(Y軸)的輸入位置。
此處，第1導電圖案176a(或第2導電圖案176b)的寬度w3亦可根據分辨率進行各種設定，較佳為例如1mm~5mm左右。第1虛擬圖案178a(或第2虛擬圖案178b)的寬度w4自與第1導電圖案176a(或第2導電圖案176b)的絕緣性及觸控面板160的敏感度的觀點而言，較佳為50μm~200μm的範圍。
若將圖52A及圖52B所示的單剖面線區域(第1導電圖案176a及第2導電圖案176b)以及雙剖面線區域(第1虛擬圖案178a及第2虛擬圖案178b)的一部分加以放大，則出現圖1所示的網格圖案20的構造。即，較佳為於使上 側面板164與下側面板162重疊的狀態下，預先決定可同時實現抑制波紋的產生及減少雜訊粒狀感的配線形狀。
[對重疊的結構圖案的形狀加以考慮的網格圖案]
導電片230不僅包含各向同性的網格圖案20，而且包含各向異性(非各向同性)的網格圖案232。
圖54是包括於使黑色矩陣34(參照圖3)重疊的條件下形狀經最佳化的網格圖案232的導電片230的部分放大平面圖。
如自圖1及圖8所知，與網格圖案20的網格形狀22相比，網格圖案232的網格形狀234(各開口部18)總體而言具有橫長的形狀。其根據推測如下。
如圖3所示，藉由沿箭頭X方向配設紅色副畫素32r、綠色副畫素32g、藍色副畫素32b，將1個畫素32分別劃分於1/3的區域，高空間頻率成分的雜訊粒狀度增加。另一方面，沿箭頭Y方向，僅存在相當於黑色矩陣34的配設週期的空間頻率成分，而不存在除此以外的空間頻率成分，因此決定網格圖案232的圖樣(各網格形狀234)，以降低該配設週期的視認性。即，以與箭頭X方向相比其間隔儘可能變窄的方式，且以有規則地配置於黑色矩陣34之間的方式而決定沿箭頭Y方向延伸的各配線。
如上所述，可實現對包含黑色矩陣34的結構圖案的圖樣加以考慮的網格圖案232的最佳化。亦即，於實際的使用形態下的觀察時降低雜訊粒狀感，使觀察對象物的視認性大幅提高。當導電片230的實際的使用形態為已知時， 尤為有效。
[有規則的網格圖案]
導電片240不僅包含隨機的網格圖案20，而且亦可包含有規則的網格圖案242。即使於此情形時，亦可與隨機的情況同樣地，獲得使視認性提高的第1效果(參照圖16A~圖17B)或第2效果(參照圖18A~圖19C)。
如圖55所示，第1導電部14a(或第2導電部14b)包括由多根金屬細線16q與多根金屬細線16r分別交叉而形成的網格圖案242，該多根金屬細線16q沿箭頭q方向延伸，且沿箭頭r方向以間距Ps排列，該多根金屬細線16r沿箭頭r方向延伸，且沿箭頭q方向以間距Ps排列。於此情形時，箭頭q方向是相對於基準方向(水平方向)以大於等於+30°且小於等於+60°的角度傾斜，箭頭r方向是相對於基準方向以大於等於-30°且小於等於-60°的角度傾斜。因此，網格圖案242的1個網格形狀244，即，1個開口部18與包圍該1個開口部18的4條金屬細線16的組合形狀成為頂角部大於等於60°且小於等於120°的菱形狀。此處，間距Ps可自大於等於100μm且小於等於400μm的範圍中選擇。
如上所述，即使為有規則地配置有相同的網格形狀244的網格圖案242，亦可獲得與上述實施形態同樣的作用效果。
[使用鹵化銀照相感光材料的製造方法]
其次，於本實施形態的導電片10中，以作為特佳形態 的使用鹵化銀照相感光材料的製造方法為中心進行說明。
本實施形態的導電片10的製造方法根據感光材料及顯影處理的形態，包括以下三種形態。
(1)對不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，而使金屬銀部於該感光材料上形成的形態。
(2)對鹵化銀乳劑層中含有物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，而使金屬銀部於該感光材料上形成的形態。
(3)使不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料與包括含有物理顯影核的非感光性層的顯像片重合而進行擴散轉印顯影，使金屬銀部於非感光性顯像片上形成的形態。
上述形態(1)為一體型黑白顯影型，於感光材料上形成透光性導電性膜。所獲得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，由於是高比表面的細絲(filament)，故於後續的鍍敷或物理顯影過程中活性較高。
上述形態(2)是於曝光部中，將與物理顯影核相近的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此於感光材料上形成光透過性導電性膜等透光性導電性膜。該形態亦是一體型黑白顯影型。由於顯影作用是在物理顯影核上的析出，故活性高，而顯影銀是比表面小的球形。
上述形態(3)是於未曝光部中將鹵化銀粒子溶解並且擴散而沈積於顯像片上的顯影核上，藉此於顯像片上形成 光透過性導電性膜等透光性導電性膜。該形態為所謂分離型，將顯像片自感光材料剝離而使用。
所有形態均可選擇負型顯影處理及反轉顯影處理中的任一種顯影(於擴散轉印方式的情形時，可藉由使用直接正(autopositive)型感光材料作為感光材料，進行負型顯影處理)。
此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、擴散轉印顯影具有如本領域中通常使用的用語的含義，於照相化學的一般教科書中，例如菊地真一著「照相化學」(共立出版社、1955年發行)、C.E.K.Mees編「The Theory of Photographic Processes(照相法原理)，4th ed.」(麥克米蘭(Mcmillan)公司、1977年發行)中有所解說。本案為與液體處理相關的發明，但作為其他顯影方式，亦可參考應用熱顯影方式的技術。例如，可應用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、日本專利特願2004-244080號、日本專利特願2004-085655號的各說明書中所記載的技術。
此處，以下詳細說明本實施形態的導電片10的各層的構成。
[透明基體12]
作為透明基體12，可列舉塑料薄膜、塑料板、玻璃板等。
作為上述塑料薄膜及塑料板的原料，例如，可使用包 含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)的聚酯類、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、三醋酸纖維素(TAC)等。
作為透明基體12，較佳為熔點為約290℃或290℃以下的塑料薄膜或塑料板，自光透過性、加工性等的觀點而言，較佳為PET。
[銀鹽乳劑層]
成為第1積層部28a及第2積層部28b的金屬細線16的銀鹽乳劑層除銀鹽及黏合劑(binder)以外，亦含有溶劑、染料等添加劑。
<1.銀鹽>
作為本實施形態中所使用的銀鹽，可列舉鹵化銀等無機銀鹽及醋酸銀等有機銀鹽。本實施形態中，較佳為使用作為光感測器的特性優異的鹵化銀。
銀鹽乳劑層的銀塗佈量(銀鹽的塗佈量)換算成銀較佳為1g/m2~30g/m2，更佳為1g/m2~25g/m2，進一步更佳為5g/m2~20g/m2。藉由使該銀塗佈量處於上述範圍，可於作為導電片10的情形時獲得所需的表面電阻。
<2.黏合劑>
作為本實施形態中所使用的黏合劑，例如可列舉明膠、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl Pyrrolidone，PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環氧乙烷、聚乙烯胺、幾丁聚醣(chitosan)、 聚賴氨酸(polylysine)、聚丙烯酸、聚海藻酸(polyalginic acid)、聚透明質酸(polyhyaluronic acid)、羧基纖維素等。該些物質根據官能基的離子性而具有中性、陰離子性、陽離子性的性質。
本實施形態的銀鹽乳劑層中所含有的黏合劑的含量並無特別限定，可於能夠發揮分散性及密接性的範圍內適當地決定。銀鹽乳劑層中的黏合劑的含量以銀/黏合劑體積比計較佳為1/4或1/4以上，更佳為1/2或1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1或100/1以下，更佳為50/1或50/1以下。並且，銀/黏合劑體積比更佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由使銀鹽乳劑層中的銀/黏合劑體積比處於該範圍內，即使於已調整塗佈銀量的情形時亦可抑制電阻值的不均，從而可獲得具有均一的表面電阻的導電片10。再者，銀/黏合劑體積比可藉由將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(重量比)，進而將銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(體積比)來求得。
<3.溶劑>
用於形成銀鹽乳劑層的溶劑並無特別限定，例如可列舉水、有機溶劑(例如，甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體及該些物質的混合溶劑。
<4.其他添加劑>
關於本實施形態中所使用的各種添加劑，並無特別限 制，可較佳地使用眾所周知的物質。
[第1保護層26a、第2保護層26b]
作為第1保護層26a及第2保護層26b，與透明基體12同樣地，可列舉塑料薄膜、塑料板、玻璃板等。作為上述塑料薄膜及塑料板的原料，例如可使用PET、PEN、PMMA、PP、PS、TAC等。
第1保護層26a及第2保護層26b的厚度並無特別限制，可根據目的來適當選擇。例如，較佳為5μm~100μm，更佳為8μm~50μm，特佳為10μm~30μm。
其次，對導電片10的製作方法的各製程進行說明。
[曝光]
於本實施形態中，包括藉由印刷方式來施加第1導電部14a及第2導電部14b的情況，但除印刷方式以外，亦藉由曝光及顯影等來形成第1導電部14a及第2導電部14b。即，對包含設置於透明基體12上的銀鹽含有層的感光材料、或塗佈有光微影用光聚合物的感光材料進行曝光。曝光可使用電磁波來進行。作為電磁波，例如可列舉可視光線、紫外線等的光、X線等放射線等。此外，對於曝光，既可利用具有波長分布的光源，亦可利用特定波長的光源。
[顯影處理]
於本實施形態中，對乳劑層進行曝光之後，進而進行顯影處理。顯影處理可使用對銀鹽照相膠片、印相紙、印刷製版用薄膜、光罩用乳膠遮罩等使用的通常的顯影處理 的技術。
本發明中的顯影處理可包括為去除未曝光部分的銀鹽以使其穩定化而進行的定影處理。本發明中的定影處理可使用對銀鹽照相膠片、印相紙、印刷製版用薄膜、光罩用乳膠遮罩等使用的定影處理的技術。
已實施顯影、定影處理的感光材料較佳為實施水洗處理、穩定化處理。
關於顯影處理後的曝光部中所含的金屬銀部的質量，較佳為相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量為50質量%以上的含有率，更佳為80質量%以上的含有率。若曝光部中所含的銀的質量相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量為50質量%以上，可獲得高導電性，故而較佳。
經由以上的製程，可獲得導電片10。對顯影處理後的導電片10，亦可進而進行砑光(calender)處理，可藉由砑光處理來調整為所需的表面電阻。所獲得的導電片10的表面電阻較佳為處於0.1Ω/sq.~300Ω/sq.的範圍。
再者，表面電阻因導電片10的用途而不同。例如，於觸控面板用途的情形時，表面電阻較佳為1Ω/sq.~70Ω/sq.，更佳為5Ω/sq.~50Ω/sq.，進一步更佳為5Ω/sq.~30Ω/sq.。並且，於電磁波屏蔽用途的情形時，表面電阻較佳為10Ω/sq.或10Ω/sq.以下，更佳為0.1Ω/sq.~3Ω/sq.。
[物理顯影及鍍敷處理]
本實施形態中，為提高藉由上述曝光及顯影處理而形成的金屬銀部的導電性，亦可進行用以使上述金屬銀部承 載有導電性金屬粒子的物理顯影及/或鍍敷處理。於本發明中，可僅利用物理顯影或鍍敷處理中的任一者使金屬銀部承載有導電性金屬粒子，亦可將物理顯影與鍍敷處理組合起來使金屬銀部載有導電性金屬粒子。再者，將對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理而成的部分包含在內而稱為「導電性金屬部」。
本實施形態中的「物理顯影」，是指於金屬或金屬化合物的核上，藉由還原劑對銀離子等金屬離子進行還原而使金屬粒子析出。該物理現象被用於即時黑白膠片、即時幻燈膠片或印刷版製造等，於本發明中可使用該技術。並且，物理顯影既可與曝光後的顯影處理同時進行，亦可於顯影處理後另外進行。
於本實施形態中，鍍敷處理可使用無電解鍍敷(化學還原鍍敷或置換鍍敷)、電解鍍敷、或無電解鍍敷與電解鍍敷這兩者。本實施形態中的無電解鍍敷可使用公知的無電解鍍敷技術，例如，可使用印刷配線板等中使用的無電解鍍敷技術，無電解鍍敷較佳為無電解鍍銅。
再者，於本實施形態的導電片10的製造方法中，不一定必需進行鍍敷等的製程。因為於本製造方法中，可藉由調整銀鹽乳劑層的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比來獲得所需的表面電阻。
[氧化處理]
於本實施形態中，較佳為對顯影處理後的金屬銀部以及藉由物理顯影及/或鍍敷處理而形成的導電性金屬部實 施氧化處理。藉由進行氧化處理，例如，於光透過性部上稍微沈積有金屬時，可去除該金屬，使光透過性部的透過性約為100%。
[顯影處理後的硬膜處理]
較佳為對銀鹽乳劑層進行顯影處理後，浸漬於硬膜劑中進行硬膜處理。作為硬膜劑，例如可列舉戊二醛、己二醛、2,3-二羥-1,4-二噁烷等二醛類及硼酸等日本專利特開平2-141279號公報中所記載的物質。
本實施形態的導電片10中，亦可賦予反射防止層、硬塗層等功能層。
[砑光處理]
亦可對顯影處理完畢的金屬銀部實施砑光處理而加以平滑化。藉此，金屬銀部的導電性顯著增大。砑光處理可藉由砑光輥來進行。砑光輥通常包含一對輥。
作為砑光處理中使用的輥，可使用環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺等的塑料輥或金屬輥。特別是於兩面包含乳劑層的情形時，較佳為藉由金屬輥類來進行處理。於單面包含乳劑層的情形時，自防止褶皺的方面考慮，亦可設為金屬輥與塑料輥的組合。線壓力的上限值為大於等於1960N/cm(200kgf/cm，若換算為面壓力則為699.4kgf/cm2)，更佳為大於等於2940N/cm(300kgf/cm，若換算為面壓力則為935.8kgf/cm2)。線壓力的上限值為小於等於6880N/cm(700kgf/cm)。
以砑光輥為代表的平滑化處理的適用溫度較佳為 10℃(無溫度調節)~100℃，更佳的溫度因金屬網格圖案、金屬配線圖案的劃線密度、形狀、黏合劑種類而不同，但大致處於10℃(無溫度調節)~50℃的範圍內。
[積層處理]
為保護第1感測部60a等、第2感測部60b等，亦可於銀鹽乳劑層上形成保護層。藉由在保護層與銀鹽乳劑層之間設置第1黏著層24a(或第2黏著層24b)，使得黏著性的調整變得自如。
作為第1黏著層24a及第2黏著層24b的材料，可列舉濕式積層黏著劑、乾式積層黏著劑、或熱熔融黏著劑等。特佳為可黏著的材料種類豐富且黏合速度亦較快的乾式積層黏著劑。作為乾式積層黏著劑，具體而言，可使用胺基樹脂黏著劑、苯酚樹脂黏著劑、氯平橡膠(chloroprene)黏著劑、腈橡膠黏著劑、環氧樹脂黏著劑、胺甲酸乙酯黏著劑、反應型丙烯酸黏著劑等。其中，較佳為使用作為丙烯酸系低酸價黏著劑的住友3M公司製造的OCA(Optical Clear Adhesive(透明光學膠)，註冊商標)。
乾燥條件較佳為於30℃~150℃的溫度環境下1分鐘~30分鐘。乾燥溫度特佳為50℃~120℃。
並且，取代上述黏著層，對透明基體12及保護層中的至少任一者進行表面處理，藉此可調整層間黏著力。為提高與上述銀鹽乳劑層的黏著力，例如亦可實施電暈放電處理、火焰處理、紫外線照射處理、高頻照射處理、輝光放電照射處理、活性電漿照射處理、雷射光線照射處理等。
再者，本發明可與下述表1及表2中記載的公開公報及國際公開小冊子的技術適當組合起來使用。省略「特開」、「號公報」、「號小冊子」等的記載。
[實例]
以下，列舉本發明的實例對本發明進行更具體說明。再者，以下的實例中所揭示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要於未脫離本發明的主旨即可適當變更。因此，本發明的範圍不應藉由以下所示的具體例作限定性解釋。
於本實例中，對實例1~實例7、比較例1~比較例3以及參考例1、參考例2的導電片10，分別評價組裝有該些導電片10的顯示裝置40中的視認性(雜訊粒狀感)及亮度變化率。
<實例1~實例7、比較例1~比較例3、參考例1、參考例2>
(鹵化銀感光材料)
製備乳劑，該乳劑相對於水媒體中的150g的Ag含有10.0g明膠，且含有球當量直徑平均為0.1μm的碘溴氯化銀粒子(I=0.2莫耳%、Br=40莫耳%)。
並且，於該乳劑中以濃度為10-7(莫耳/莫耳銀)的方式添加K3Rh2Br9及K2IrCl6，於溴化銀粒子中摻雜Rh離子及Ir離子。於該乳劑中添加Na2PdCl4，進而使用氯化金酸及硫代硫酸鈉進行金硫增感之後，以銀的塗佈量為10g/m2 的方式與明膠硬膜劑一併塗佈於透明基體(此處為折射率n0=1.64的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))上。此時，Ag/明膠體積比為2/1。
於寬度300mm的PET支撐體上以250mm的寬度塗佈20m，將兩端各切去30mm以保留塗佈寬度的中央部240mm，獲得輥狀的鹵化銀感光材料。
(製作曝光圖案)
利用本實施形態中所說明的SA法(參照圖37等)，製作表示鋪滿有多邊形狀的網格形狀22的網格圖案20(參照圖1)的輸出用圖像資料ImgOut。
網格圖案20的設定條件為：設定總透過率為93%，透明基體12的厚度為20μm，金屬細線16的寬度為20μm，金屬細線16的厚度為10μm。設定平面區域100的尺寸的縱橫均為5mm，設定圖像分辨率為3500dpi(dot per inch，每英吋點數)。使用梅森旋轉演算法隨機地決定種子點SD的初始位置，並且根據維諾圖決定多邊形狀的各網格形狀22。根據圖像資料Img的顏色值L*、顏色值a*、顏色值b*計算出評價值EVP。並且，根據圖42的示例，藉由有規則地配置輸出用圖像資料ImgOut，而形成具有重複形狀的曝光圖案。
第1，於圖36的設定畫面460上選擇單選按鈕462b，將「有無矩陣」設定為「無」之後，製作輸出用圖像資料ImgOut。其結果獲得表示圖21A所示的網格圖案20的圖樣的輸出用圖像資料ImgOut。
另一方面，黑色矩陣34的設定條件為：設定光學濃度為4.5D，畫素32的縱向尺寸、橫向尺寸均為200μm，縱格子線的寬度、橫格子線的寬度均為20μm。
第2，於圖36的設定畫面460上選擇單選按鈕462a，將「有無矩陣」設定為「有」之後，製作輸出用圖像資料ImgOut。其結果獲得表示圖54所示的網格圖案232的圖樣的輸出用圖像資料ImgOut。
其次，如圖47A及圖47B所示，藉由擷取輸出用圖像資料ImgOut，分別製作包含除第1區域R1以外的區域的第1曝光圖案、以及包含第2區域R2的第2曝光圖案。
(曝光)
朝向A4開尺寸(210mm×297mm)的透明基體12的兩面分別進行曝光。曝光是經由上述第1曝光圖案(對應於第1導電部14a側)及第2曝光圖案(對應於第2導電部14b側)的光罩使用以高壓汞燈為光源的平行光進行曝光。再者，為製作實例1~實例6及參考例1、參考例2的導電片10，分別使用與網格圖案20對應的曝光圖案。並且，為製作實例7的導電片10，使用與網格圖案232(參照圖54)對應的曝光圖案。此外，為製作比較例1~比較例3的導電片，分別使用與圖案PT1~PT3(參照圖57A~圖57C)對應的曝光圖案。
(顯影處理)
．1L顯影液的配方
對苯二酚 20g
．1L定影液的配方
使用上述處理劑，利用富士膠片公司製造的自動顯影機FG-710PTS，於顯影35℃ 30秒、定影34℃ 23秒、水洗流水(5L/分)20秒的處理條件下對曝光完畢的感光材料進行處理。
(積層處理)
於顯影完畢的感光材料的兩面上，分別黏附包含相同材質的第1保護層26a及第2保護層26b。如以下所述，對導電片10的每個樣品，使用折射率n1各不相同的保護膜。並且，使用市售的黏著帶(NSS50-1310、新TAC化成公司製造、厚度50μm)作為第1黏著層24a及第2黏 著層24b(參照圖2)。繼而，於黏附第1保護層26a及第2保護層26b之後，為防止氣泡的產生，於0.5氣壓、40℃的環境下加熱20分鐘，實施高壓滅菌(autoclave)處理。
再者，為便於評價，使用已切去片材的一部分的第1保護層26a。即，可一下子視認形成有第1保護層26a的情況(折射率n1)與未形成第1保護層26a的情況(折射率為1.00的空氣層)的差異。以下，將與第1保護層26a的切缺部對應的顯示部位稱為A區域，將剩餘的顯示部位稱為B區域。
(實例1)
將折射率n1=1.42的聚三氟氯乙烯(PCTFE)用作第1保護層26a，製作實例1的導電片10。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.42/1.64)=0.86。
(實例2、比較例1~比較例3)
將折射率n1=1.50的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)用作第1保護層26a，製作實例2的導電片10。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.50/1.64)=0.91。
並且，關於與圖案PT1(參照圖57A)對應的比較例1、與圖案PT2(參照圖57B)對應的比較例2及與圖案PT3(參照圖57C)對應的比較例3，亦藉由覆蓋聚甲基丙烯酸甲酯而製作各樣品。
(實例3、實例7)
將折射率n1=1.60的聚苯乙烯(PS)用作第1保護層26a，製作實例3、實例7的導電片10。於此情形時，相對 折射率nr1為nr1=(1.60/1.64)=0.97。
(實例4)
將折射率n1=1.70的聚硫胺甲酸酯(PTU)用作第1保護層26a，製作實例4的導電片10。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.70/1.64)=1.03。
(實例5)
將折射率n1=1.78的高折射率玻璃用作第1保護層26a，製作實例5的導電片10。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.78/1.64)=1.08。
(實例6)
將折射率n1=1.90的超高折射率玻璃用作第1保護層26a，製作實例6的導電片10。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.90/1.64)=1.15。
(參考例1)
將折射率n1=1.34的四氟乙烯(FEP)用作第1保護層，製作參考例1的導電片。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.34/1.64)=0.81。
(參考例2)
將折射率n1=1.98的超高折射率玻璃用作第1保護層，製作參考例2的導電片。於此情形時，相對折射率nr1為nr1=(1.98/1.64)=1.20。
[評價]
分別將實例1~實例7、比較例1~比較例3及參考例1、參考例2的各樣品黏附於顯示單元30的顯示畫面上。 使用市售的彩色液晶顯示器(畫面尺寸11.6型、1366×768點、畫素間距的縱橫均為約192μm)作為顯示單元30。
(測定表面電阻)
為評價表面電阻率的均一性，藉由DINS公司製造的LORESTA GP(型號MCP-T610)直排四探針式探針(ASP)對實例2、比較例1~比較例3的各樣品在任意10個部位測定表面電阻率，取該些的平均值。
(雜訊粒狀感)
於對顯示單元30進行顯示控制而使其顯示白色(最高亮度)的狀態下，3名研究員分別實施雜訊粒狀感(顆粒感)的感官評價。於此次評價中，對由網格形狀22所引起的亮度的雜訊感以及由副畫素的構造所引起的顏色的雜訊感進行綜合考慮而數值化。再者，分別將自顯示畫面算起的觀察距離設為300mm，將室內照度設為300lx，每個位準使用3個樣品。
於此次感官評價中，對A區域(未形成第1保護層26a的顯示區域)內的視認結果進行對比觀察。具體而言，相對於A區域，分別將B區域內的雜訊粒狀感得到顯著改善時設定為5分，有所改善時設定為4分，無變化時設定為3分，變差時設定為2分，顯著變差時設定為1分。並且，將各研究員的得分的平均值作為雜訊粒狀感的評價值。
(亮度變化率)
於對顯示單元30進行顯示控制而使其顯示白色(最高亮度)的狀態下，測定顯示畫面上的亮度。亮度計是使用 LS-100(柯尼卡美能達公司製造)。再者，分別將自顯示畫面算起的測量距離設定為300mm，將測定角設定為2°，將室內照度設定為小於等於1lx。
當將A區域內的亮度設為La[cd/m2]，將B區域內的亮度設為Lb[cd/m2]時，作為100×(Lb-La)/La而算出亮度變化率(單位：%)。再者，考慮到面內的均一性，將B區域內的測定位置設定於A區域的邊界附近。
[結果]
(測定表面電阻)
實例2、比較例1~比較例3均是表面電阻率亦為可充分地實際用作透明電極的程度，透光性亦良好。特別是實例2(本發明的導電片10)的表面電阻率的不均最小。
(雜訊粒狀感)
表3表示實例1~實例6、參考例1、參考例2中的感官評價的結果，更詳細而言表示於小數點第2位進行四捨五入後的評價值。
[1]關於形狀不同的圖案彼此的視認性，已獲得按實例2、比較例3、比較例1及比較例2的樣品順序由高到低的評價結果。該順序與圖23所示的功率頻譜的峰值所形成的面積由小到大的順序相一致。特別確認到實例2(本發明的導電片10)中的雜訊粒狀感更不明顯。
[2]關於各向異性的圖案彼此的視認性，實例3、實例7均是雜訊感為不明顯，可充分地實際用作透明電極的程度，透光性亦良好。特別確認到實例7與實例3相比雜訊感更不明顯。
進而，使用透明板代替液晶面板，隔著背光源對光進行觀察，進行同樣的目視評價後確認到，實例3與實例7相比雜訊感更不明顯。即，已證實網格圖案20、網格圖案232的圖樣是根據導電片10的視認形態，具體而言，根據紅色副畫素32r等的彩色濾波器或黑色矩陣34的有無而最佳化。
[3]如圖56及表3所示，實例1~實例6、參考例1、參考例2均是評價值超過3，且藉由去除空氣層，而獲得降低雜訊粒狀感的效果。其中，關於實例1~實例6，評價值均超過4，與參考例1、參考例2相比觀察到顯著的效果。
再者，圖56中，一併記載有對評價值的變化程度較大的兩端側各3點的標繪(plot)以直線方式進行模擬的結果。根據該些模擬曲線，相對折射率nr1大致滿足0.85≦nr1≦1.17的關係時評價值大於等於4.0，因而較佳。並且，得出如下結論：於評價值大於等於4.2時，即相對 折射率nr1滿足0.86≦nr1≦1.15的關係時，可抑制雜訊粒狀感。
(亮度的變化率)
如表4所示，實例1~實例6、參考例1、參考例2均是亮度變化率為正值，且藉由去除空氣層(氣隙)，顯示畫面上的亮度得到提高。
其中，關於實例2~實例5，亮度變化率均超過20%，且與實例1、實例6等相比，觀察到以目視可識別的程度的差異。即，當相對折射率nr1滿足0.91≦nr1≦1.08的關係時，獲得可進一步提高顯示亮度的結果。
[補充說明]
除上述實例以外，對導電片10的製作條件進行各種變更而進行同樣的評價，結果獲得以下見解。
(1)透明基體12的材料並不限於PET，於滿足上述相對折射率nr1、相對折射率nr2的關係的範圍內，無論材料如何均獲得同樣的實驗結果。並且，即使第2保護層26b 為與第1保護層26a不同的材料，於滿足上述關係的範圍內亦相同。
(2)藉由將相對折射率nr1、相對折射率nr2中的任一者設為大於等於0.86且小於等於1.15，獲得降低雜訊粒狀感的效果。並且，藉由將相對折射率nr1、相對折射率nr2這兩者設為大於等於0.86且小於等於1.15，獲得顯著的降低效果。
(3)藉由將相對折射率nr1、相對折射率nr2中的任一者設為大於等於0.91且小於等於1.08，獲得提高經由顯示畫面放射至外部的光量的效果，即獲得提高顯示亮度的效果。並且，藉由將相對折射率nr1、相對折射率nr2這兩者設為大於等於0.91且小於等於1.08，獲得顯著的提高效果。
(4)即使於將表面與背面加以翻轉的狀態下配置導電片10，亦獲得與上述大致同樣的評價結果。
再者，當然，本發明並不限定於上述實施形態，而可於未脫離本發明的主旨的範圍內自由地進行變更。
毋庸置言，圖案材料並不限於黑色矩陣34，本發明可適用於對應於各種用途的各種結構圖案的形狀。
2‧‧‧線材
4‧‧‧網格層
6‧‧‧電磁波屏蔽層
8‧‧‧島形區域
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、230、240‧‧‧ 導電片
11a‧‧‧第1片材構件
11b‧‧‧第2片材構件
12‧‧‧透明基體
12a、170a‧‧‧第1透明基體
12b、170b‧‧‧第2透明基體
14a‧‧‧第1導電部
14b‧‧‧第2導電部
16、16p、16q、16r、16s‧‧‧金屬細線
18‧‧‧開口部
20、232、242‧‧‧網格圖案
22、234、244‧‧‧網格形狀
24a‧‧‧第1黏著層
24b‧‧‧第2黏著層
26a‧‧‧第1保護層
26b‧‧‧第2保護層
28a‧‧‧第1積層部
28b‧‧‧第2積層部
30‧‧‧顯示單元
32‧‧‧畫素
32b‧‧‧藍色副畫素
32r‧‧‧紅色副畫素
32g‧‧‧綠色副畫素
34‧‧‧黑色矩陣
36‧‧‧區域
40‧‧‧顯示裝置
42‧‧‧輸入面
44、160‧‧‧觸控面板
46‧‧‧殼體
48‧‧‧覆蓋構件
50‧‧‧電纜
52‧‧‧可撓性基板
54‧‧‧檢測控制部
56‧‧‧黏著層
58‧‧‧接觸體
60a、60c、60e‧‧‧第1感測部
60b、60d、60f‧‧‧第2感測部
62a‧‧‧第1端子配線部
62b‧‧‧第2端子配線部
64a‧‧‧第1端子
64b‧‧‧第2端子
66a‧‧‧第1結線部
66b‧‧‧第2結線部
68a‧‧‧第1端子配線圖案
68b‧‧‧第2端子配線圖案
70a、176a、202a‧‧‧第1導電圖案
70b、176b、202b‧‧‧第2導電圖案
72a‧‧‧第1探測部
72b‧‧‧第2探測部
74a‧‧‧第1連接部
74b‧‧‧第2連接部
75a‧‧‧第1間隙部
75b‧‧‧第2間隙部
76a、204‧‧‧第1虛擬圖案
76b、210‧‧‧第2虛擬圖案
78a‧‧‧第1網格要素
78b‧‧‧第2網格要素
80a‧‧‧第1絕緣部
80b‧‧‧第2絕緣部
82‧‧‧多邊形
90‧‧‧單位區域
92、94、96‧‧‧假想區域
97、98、99‧‧‧區劃線
100‧‧‧平面區域
102‧‧‧平行光
104‧‧‧第1界面
106‧‧‧反射成分
108‧‧‧斜入光
110‧‧‧第2界面
112‧‧‧直線前進成分
114‧‧‧反射成分
116、124、130、136‧‧‧直線前進成分
118‧‧‧反射成分
120‧‧‧第1感測部
122‧‧‧外部光
126、132、137‧‧‧散射成分
128‧‧‧第3界面
134、135、138‧‧‧反射成分
140‧‧‧感光材料
142a‧‧‧第1感光層
142b‧‧‧第2感光層
144a‧‧‧第1光
144b‧‧‧第2光
146a‧‧‧第1光罩
146b‧‧‧第2光罩
148a‧‧‧第1光源
148b‧‧‧第2光源
150a‧‧‧第1準直透鏡
150b‧‧‧第2準直透鏡
152a‧‧‧第1曝光圖案
152b‧‧‧第2曝光圖案
160‧‧‧觸控面板
162‧‧‧下側面板
164‧‧‧上側面板
166‧‧‧邊框黏著層
168‧‧‧FPC
172a‧‧‧第1感測部
172b‧‧‧第2感測部
174a‧‧‧第1端子配線部
174b‧‧‧第2端子配線部
178a‧‧‧第1虛擬圖案
178b‧‧‧第2虛擬圖案
180‧‧‧隔點
182‧‧‧重疊區域
206‧‧‧長線圖案
208‧‧‧短線圖案
212‧‧‧格子要素
310‧‧‧製造裝置
312‧‧‧圖像生成裝置
320‧‧‧輸入部
322‧‧‧顯示部
324‧‧‧記憶部
326‧‧‧隨機數產生部
328‧‧‧初始位置選擇部
330‧‧‧更新候補位置決定部
332‧‧‧圖像擷取部
334‧‧‧顯示控制部
336‧‧‧圖像資訊推定部
338‧‧‧圖像資料製作部
340‧‧‧網格圖樣評價部
342‧‧‧資料更新指示部
400‧‧‧FFT運算部
402‧‧‧評價值計算部
408‧‧‧計數器
410‧‧‧模擬溫度管理部
412‧‧‧更新概率計算部
414‧‧‧位置更新判定部
416‧‧‧輸出用圖像資料決定部
420‧‧‧第1設定畫面
422‧‧‧左側的下拉式選單
424‧‧‧左側的顯示欄
426‧‧‧右側的下拉式選單
428‧‧‧右側的顯示欄
430、432、434、436、438、440、442、464、466、468、470、472、474‧‧‧文字盒
444、446、478、480、482‧‧‧按鈕
448a、448b、448c、448d、448e、450a、450b、450c、450d、450e‧‧‧欄
460‧‧‧設定畫面
462a、462b‧‧‧單選按鈕
476‧‧‧矩陣狀的圖像
484‧‧‧開口部
486‧‧‧窗框
Bd‧‧‧邊界
C‧‧‧重心位置分布
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8‧‧‧點
C1、C2、C3、C4‧‧‧頂點
Fb‧‧‧基準空間頻率
Fp‧‧‧空間頻率
Img‧‧‧圖像資料
Imgc‧‧‧重心圖像資料
ImgE‧‧‧單位圖像資料
ImgOut‧‧‧輸出用圖像資料
ImgInit‧‧‧初始圖像資料
Ir‧‧‧反射光量
L*、a*、b*‧‧‧顏色值
P1、P2、P3、Q1、Q2、Q3‧‧‧位置
P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8‧‧‧種子點
P11、P12、P13、P14‧‧‧點
P22、P23、P24‧‧‧假想點
PH‧‧‧較規定的空間頻率(Fb)更高的空間頻率側的平均強度
PL‧‧‧較上述規定的空間頻率(Fb)更低的空間頻域側的平均強度
Ph‧‧‧水平畫素間距
Pk‧‧‧峰值
Ps‧‧‧間距
PT1、PT2、PT3‧‧‧圖案
Pv‧‧‧垂直畫素間距
q、r、s1、s2、X、Y、Z1、Z2‧‧‧箭頭
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
S1~S7、S21~S34、S271~S279‧‧‧步驟
SD‧‧‧種子點
SDd‧‧‧位置資料
SDN‧‧‧第1種子點
SDS‧‧‧第2種子點
SDNd‧‧‧第1種子點的位置資料
SDSd‧‧‧第2種子點的位置資料
SP、Q1、Q2‧‧‧候補點
Spc、Spcc、Spcv‧‧‧功率頻譜
SPd‧‧‧候補點的位置資料
V1、V2、V3、V4、Vs、V6、V7、V8‧‧‧區域
w1、w2、w3、w4‧‧‧寬度
XXIC-XXIC、XXVIC-XXVIC‧‧‧線
θ、φ‧‧‧角度
圖1是表示各實施形態中共同的導電片的一例的概略平面圖。
圖2是第1實施形態的導電片的部分省略剖面圖。
圖3是表示顯示單元的畫素排列的概略說明圖。
圖4是組裝有圖2的導電片的顯示裝置的概略剖面圖。
圖5A是表示圖2所示的第1積層部的圖案例的平面圖。圖5B是表示圖2所示的第2積層部的圖案例的平面圖。
圖6是圖5A的第1感測部的部分放大平面圖。
圖7是圖5B的第2感測部的部分放大平面圖。
圖8是將第1導電部與第2導電部組合起來的狀態下的導電片的概略平面圖。
圖9A是第1變形例的導電片的部分省略剖面圖。圖9B是表示圖9A所示的第1積層部的圖案例的平面圖。
圖10是圖9B的第1感測部的部分放大平面圖。
圖11A是第2變形例的導電片的部分省略剖面圖。圖11B是表示圖11A所示的第2積層部的圖案例的平面圖。
圖12是圖11B的第2感測部的部分放大平面圖。
圖13是第2實施形態的導電片的部分省略剖面圖。
圖14A是第1變形例的導電片的部分省略剖面圖。圖14B是第2變形例的導電片的部分省略剖面圖。
圖15A是第3變形例的第1感測部的部分放大平面圖。圖15B是第3變形例的第2感測部的部分放大平面圖。
圖16A是表示向金屬細線照射的平行光的路徑的概略說明圖。圖16B是表示向金屬細線照射的斜入光的路徑的概略說明圖。圖16C是表示圖16B中的透過光的強度分布的圖表。
圖17A是表示本發明的構成中，向金屬細線照射的斜 入光的路徑的概略說明圖。圖17B是表示圖17A中的透過光的強度分布的圖表。
圖18A是參考例的第1感測部的概略平面圖。圖18B是表示入射至圖18A的第1感測部的外部光的路徑的概略說明圖。圖18C是表示圖18A的第1感測部上的反射光的強度分布的圖表。
圖19A是本實施形態的第1感測部的概略說明圖。圖19B是表示入射至圖19A的第1感測部的外部光的路徑的概略說明圖。圖19C是表示圖19A的第1感測部上的反射光的強度分布的圖表。
圖20A是表示自1個平面區域中選擇8個點的結果的概略說明圖。圖20B是表示根據維諾圖決定配線形狀的結果的概略說明圖。圖20C是表示根據德洛涅三角剖分法(Delaunay triangulation method)決定配線形狀的結果的概略說明圖。
圖21A是使表示網格圖案的圖樣的圖像資料可視化的概略說明圖。圖21B是對圖21A所示的圖像資料實施FFT而獲得的二維功率頻譜的分布圖。圖21C是圖21B所示的二維功率頻譜分布的沿XXIC-XXIC線的剖面圖。
圖22是表示人類標準視覺響應特性的一例的圖表。
圖23是對本實施形態的網格圖案及先前例的各種圖案的圖像資料分別實施FFT而獲得的二維功率頻譜的沿X軸的剖面圖。
圖24是表示圖20B所示的各區域的重心位置的說明 圖。
圖25是表示網格圖案與各網格形狀的重心位置的關係的概略說明圖。
圖26A是使表示圖25的網格圖案所包含的各網格形狀的重心位置分布的圖像資料可視化的概略說明圖。圖26B是對圖26A的圖像資料實施FFT而獲得的二維功率頻譜的分布圖。圖26C是圖26B所示的二維功率頻譜分布的沿XXVIC-XXVIC線的剖面圖。
圖27是圖21C及圖26C的圖表的比較圖。
圖28A及圖28B是表示重心頻譜的特徵的概略說明圖。
圖29是表示二維功率頻譜與位移至高空間頻率側的VTF的位置關係的概略說明圖。
圖30是表示對圖21B及圖21C所示的功率頻譜捲積於人類標準視覺響應特性的結果的圖表。
圖31是較佳的網格形狀中的頂點數的直方圖。
圖32是用以製造本實施形態的導電片的製造裝置的概略構成方塊圖。
圖33是圖32的網格圖樣評價部及資料更新指示部的功能方塊圖。
圖34是關於圖32的製造裝置的動作的流程圖。
圖35是表示用以設定圖像資料製作條件的第1設定畫面的圖像圖。
圖36是表示用以設定圖像資料製作條件的第2設定畫 面的圖像圖。
圖37是說明輸出用圖像資料的製作方法的流程圖。
圖38是表示種子點的配置密度與總透過率的關係的一例的圖表。
圖39A是表示圖像資料中的畫素位址的定義的說明圖。圖39B是表示圖像資料中的畫素值的定義的說明圖。
圖40A是種子點的初始位置的模式圖。圖40B是以圖40A的種子點為基準的維諾圖。
圖41是表示在單位區域的端部的圖樣(配線形狀)的決定方法的概略說明圖。
圖42是表示有規則地配置單位圖像資料而製作圖像資料的結果的概略說明圖。
圖43是圖37所示的步驟S27的詳細流程圖。
圖44A是表示圖像區域內的第1種子點、第2種子點及候補點的位置關係的說明圖。圖44B是將第2種子點與候補點加以交換而更新種子點的位置的結果的說明圖。
圖45A是將黑色矩陣重疊於輸出用圖像資料而使該輸出用圖像資料可視化的概略說明圖。圖45B~圖45D是分別抽取圖45A的圖像資料中顏色值的R成分、G成分、B成分而計算出二維功率頻譜的圖表。
圖46A是使人類視覺響應特性作用於圖45A的輸出用圖像資料，而使該輸出用圖像可視化的概略說明圖。圖46B~圖46D是分別抽取圖46A的圖像資料中顏色值的R成分、G成分、B成分而計算出二維功率頻譜的圖表。
圖47A是表示擷取各第1導電圖案及各第1虛擬圖案的結果的概略說明圖。圖47B是表示擷取各第2導電圖案的結果的概略說明圖。
圖48是表示第1實施形態的導電片的製造方法的流程圖。
圖49A是部分省略地表示所製作的感光材料的剖面圖。圖49B是表示對感光材料進行兩面同時曝光的概略說明圖。
圖50是表示第1曝光處理及第2曝光處理的實施狀態的概略說明圖。
圖51是另一實施形態的觸控面板的概略剖面圖。
圖52A是圖51所示的第1感測部的部分放大平面圖。圖52B是圖51所示的第2感測部的部分放大平面圖。
圖53是圖51所示的觸控面板的部分省略正面圖。
圖54是另一實施形態的導電片的概略平面圖。
圖55是另一實施形態的導電片的概略平面圖。
圖56是表示本實例的感官評價的結果的說明圖。
圖57A~圖57C是比較例的圖案的放大平面圖。
12‧‧‧透明基體
14a‧‧‧第1導電部
16‧‧‧金屬細線
18‧‧‧開口部
26a‧‧‧第1保護層
108‧‧‧斜入光
110‧‧‧第2界面
116‧‧‧直線前進成分
118‧‧‧反射成分

Claims (30)

  1. 一種導電片(10A、10B、10C、230、240)，其特徵在於包括：基體(12)；第1導電部(14a)，形成於上述基體(12)的一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；第1保護層(26a)，設置於上述一主面上，覆蓋上述第1導電部(14a)；第2導電部(14b)，形成於上述基體(12)的另一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；以及第2保護層(26b)，設置於上述另一主面上，覆蓋上述第2導電部(14b)；且上述基體(12)相對於上述第1保護層(26a)的相對折射率、及/或上述基體(12)相對於上述第2保護層(26b)的相對折射率為0.86~1.15，其中上述第1導電部(14a)包括：多個第1導電圖案(70a)，分別沿第1方向延伸，且沿與上述第1方向正交的第2方向排列；以及多個第1虛擬圖案(76a)，配置於相鄰的上述第1導電圖案(70a)彼此間的間隙部(75a)，與各上述第1導電圖案(70a)電性絕緣；且上述第1虛擬圖案(76a)的配線密度等於上述第1 導電圖案(70a)的配線密度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電片(10B、10C、230、240)，其中上述第2導電部(14b)包括分別沿上述第2方向延伸、且沿上述第1方向排列的多個第2導電圖案(70b)，藉由使上述第1導電部(14a)及上述第2導電部(14b)組合起來，而構成俯視時排列著相同的或不同的網格形狀(22、234、244)的網格圖案(20、232、242)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之導電片(10B、10C、230)，其中上述網格圖案(20、232)是隨機地排列著不同的網格形狀(22、234)的圖案。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之導電片(10B、10C、230)，其中上述網格圖案(20、232)是根據實施以下資料製作製程而獲得的輸出用圖像資料(ImgOut)而形成；上述資料製作製程包括：選擇步驟，自規定的二維圖像區域(100)中選擇多個位置(SD)；製作步驟，根據所選擇的上述多個位置(SD)，製作表示網格圖案(20、232)的圖樣的圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')；計算步驟，根據所製作的上述圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')，計算對上述網格圖案(20、 232)的雜訊特性進行定量化的評價值；以及決定步驟，根據所計算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料(Img)作為上述輸出用圖像資料(ImgOut)。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之導電片(10B、10C、230)，其中於上述資料製作製程中，根據重疊圖像資料(ImgTemp')計算出上述評價值，並根據上述評價值決定上述輸出用圖像資料(ImgOut)，上述重疊圖像資料(ImgTemp')是使包含與上述網格圖案(20、232)的圖樣不同的圖樣的結構圖案(34)重疊於上述網格圖案(20、232)而獲得。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之導電片(10B、10C、230)，其中當將對上述導電片照射白色光時的未形成第1保護層的區域內的亮度設為La，將形成有第1保護層的區域內的亮度設為Lb時，100×(Lb-La)/La所表示的亮度變化率為16.5%以上。
  7. 一種導電片(10A、10B、10C、230、240)，其特徵在於包括：基體(12)；第1導電部(14a)，形成於上述基體(12)的一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)； 第1保護層(26a)，設置於上述一主面上，覆蓋上述第1導電部(14a)；第2導電部(14b)，形成於上述基體(12)的另一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；以及第2保護層(26b)，設置於上述另一主面上，覆蓋上述第2導電部(14b)；且上述基體(12)相對於上述第1保護層(26a)的相對折射率、及/或上述基體(12)相對於上述第2保護層(26b)的相對折射率為0.86~1.15，其中上述第1導電部(14a)包括俯視時隨機地排列著不同的網格形狀(22、234)的網格圖案(20、232)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之導電片(10A、10B、10C、230)，其中上述各網格形狀(22、234)為多邊形狀。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之導電片(10A、10B、10C、230)，其中各上述網格形狀(22、234)是基於位於1個平面區域(100)內的多個位置，根據維諾圖而決定。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之導電片(10A、10B、10C、230)，其中關於上述網格形狀(22、234)中的頂點數的直方圖，具有存在頻率最高的頂點數的多邊形的比例為40%~70%。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之導電片(10A、10B、10C、230)，其中上述網格圖案(20、232)具有重複形狀。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之導電片(10A、10B、10C、230)，其中上述第1導電部(14a)包括多個第1導電圖案(70a)，上述第1導電圖案(70a)分別沿第1方向延伸，且沿與上述第1方向正交的第2方向排列；上述各第1導電圖案(70a)是相對於上述重複形狀的排列方向傾斜規定角度而形成。
  13. 一種觸控面板(44、160)，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項所述之導電片(10A、10B、10C、230、240)；以及檢測控制部(54)，檢測自上述導電片(10A、10B、10C、230、240)的上述一主面側算起的接觸位置或接近位置。
  14. 一種顯示裝置(40)，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項所述之導電片(10A、10B、10C、230、240)；檢測控制部(54)，檢測自上述導電片(10A、10B、10C、230、240)的上述一主面側算起的接觸位置或接近位置；以及顯示部(30)，根據顯示信號將圖像顯示於顯示畫面上；且 上述導電片(10A、10B、10C、230、240)是使上述另一主面與上述顯示部(30)相對向而配置於上述顯示畫面上。
  15. 一種導電片(10D、10E、10F、230、240)，其特徵在於包括：第1基體(12a)；第1導電部(14a)，形成於上述第1基體(12a)的一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；第1保護層(26a)，設置於上述第1基體(12a)的一主面上，覆蓋上述第1導電部(14a)；第2基體(12b)；第2導電部(14b)，形成於上述第2基體(12b)的一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；以及第2保護層(26b)，設置於上述第2基體(12b)的一主面上，覆蓋上述第2導電部(14b)；且上述第1基體(12a)相對於上述第1保護層(26a)的相對折射率、及/或上述第2基體(12b)相對於上述第2保護層(26b)的相對折射率為0.86~1.15，其中上述第1導電部(14a)包括：多個第1導電圖案(70a)，分別沿第1方向延伸，且沿與上述第1方向正交的第2方向排列；以及多個第1虛擬圖案(76a)，配置於相鄰的上述第1導 電圖案(70a)彼此間的間隙部(75a)，與各上述第1導電圖案(70a)電性絕緣；且上述第1虛擬圖案(76a)的配線密度等於上述第1導電圖案(70a)的配線密度。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之導電片(10E、10F、230、240)，其中上述第2導電部(14b)包含分別沿上述第2方向延伸、且沿上述第1方向排列的多個第2導電圖案(70b)，藉由使上述第1導電部(14a)與上述第2導電部(14b)組合起來，而構成俯視時排列著相同的或不同的網格形狀(22、234、244)的網格圖案(20、232、242)。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之導電片(10E、10F、230)，其中上述網格圖案(20、232)是隨機地排列著不同的網格形狀(22、234)的圖案。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之導電片(10E、10F、230)，其中上述網格圖案(20、232)是根據實施以下資料製作製程而獲得的輸出用圖像資料(ImgOut)而形成；上述資料製作製程包括：選擇步驟，自規定的二維圖像區域(100)中選擇多個位置(SD)；製作步驟，根據所選擇的上述多個位置(SD)製作表示網格圖案(20、232)的圖樣的圖像資料(Img、ImgInit、 ImgTemp、ImgTemp')；計算步驟，根據所製作的上述圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')，計算對上述網格圖案(20、232)的雜訊特性進行定量化的評價值；以及決定步驟，根據所計算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料(Img)作為上述輸出用圖像資料(ImgOut)。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之導電片(10E、10F、230)，其中於上述資料製作製程中，根據重疊圖像資料(ImgTemp')計算出上述評價值，並根據上述評價值決定上述輸出用圖像資料(ImgOut)，上述重疊圖像資料(ImgTemp')是使包含與上述網格圖案(20、232)的圖樣不同的圖樣的結構圖案(34)重疊於上述網格圖案(20、232)而獲得。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之導電片(10B、10C、230)，其中當將對上述導電片照射白色光時的未形成第1保護層的區域內的亮度設為La，將形成有第1保護層的區域內的亮度設為Lb時，100×(Lb-La)/La所表示的亮度變化率為16.5%以上。
  21. 一種導電片(10D、10E、10F、230、240)，其特徵在於包括：第1基體(12a)； 第1導電部(14a)，形成於上述第1基體(12a)的一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；第1保護層(26a)，設置於上述第1基體(12a)的一主面上，覆蓋上述第1導電部(14a)；第2基體(12b)；第2導電部(14b)，形成於上述第2基體(12b)的一主面上，包含線寬為大於等於0.1μm且小於等於15μm，且作為非透光性材料的多根金屬細線(16)；以及第2保護層(26b)，設置於上述第2基體(12b)的一主面上，覆蓋上述第2導電部(14b)；且上述第1基體(12a)相對於上述第1保護層(26a)的相對折射率、及/或上述第2基體(12b)相對於上述第2保護層(26b)的相對折射率為0.86~1.15，其中上述第1導電部(14a)包含俯視時隨機地排列著不同的網格形狀(22、234)的網格圖案(20、232)。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之導電片(10D、10E、10F、230)，其中上述各網格形狀(22、234)為多邊形狀。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之導電片(10D、10E、10F、230)，其中各上述網格形狀(22、234)是基於位於1個平面區域(100)內的多個位置，根據維諾圖而決定。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之導電片(10D、 10E、10F、230)，其中關於上述網格形狀(22、234)中的頂點數的直方圖，具有存在頻率最高的頂點數的多邊形的比例為40%~70%。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之導電片(10D、10E、10F、230)，其中上述網格圖案(20、232)具有重複形狀。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之導電片(10D、10E、10F、230)，其中上述第1導電部(14a)包括多個第1導電圖案(70a)，上述第1導電圖案(70a)分別沿第1方向延伸，且沿與上述第1方向正交的第2方向排列；上述各第1導電圖案(70a)是相對於上述重複形狀的排列方向傾斜規定角度而形成。
  27. 一種觸控面板(44、160)，其特徵在於包括：如申請專利範圍第15項所述之導電片(10D、10E、10F、230、240)；以及檢測控制部(54)，檢測自上述導電片(10D、10E、10F、230、240)的一主面側算起的接觸位置或接近位置。
  28. 一種顯示裝置(40)，其特徵在於包括：如申請專利範圍第15項所述之導電片(10D、10E、10F、230、240)；檢測控制部(54)，檢測自上述導電片(10D、10E、10F、230、240)的一主面側算起的接觸位置或接近位置； 以及顯示部(30)，根據顯示信號將圖像顯示於顯示畫面上；且上述導電片(10D、10E、10F、230、240)是使另一主面與上述顯示部(30)相對向而配置於上述顯示畫面上。
  29. 一種導電片(10A、10B、10C、230)的製造方法，其特徵在於包括：選擇步驟，自規定的二維圖像區域(100)中選擇多個位置(SD)；製作步驟，根據所選擇的上述多個位置(SD)製作表示網格圖案(20、232)的圖樣的圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')；計算步驟，根據所製作的上述圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')，計算對上述網格圖案(20、232)的雜訊特性進行定量化的評價值；決定步驟，根據所計算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料(Img)作為輸出用圖像資料(ImgOut)；圖像擷取步驟，自所決定的上述輸出用圖像資料(ImgOut)擷取表示基體(12)的一主面側的圖樣的第1圖像資料(ImgOut1)，並且擷取表示上述基體(12)的另一主面側的圖樣的第2圖像資料(ImgOut2)；以及輸出步驟，根據所擷取的上述第1圖像資料(ImgOut1)將線材(16)輸出並形成於上述基體(12)的一主面側， 並且根據所擷取的上述第2圖像資料(ImgOut2)將線材(16)輸出並形成於上述基體(12)的另一主面側，藉此獲得俯視時於上述基體(12)上形成有上述網格圖案(20、232)的導電片(10A、10B、10C、230)。
  30. 一種非暫態性記憶媒體(324)，其儲存製作用以將線材(16)輸出並形成於基體(12)上的圖像資料(ImgOut)的程式，其特徵在於：上述程式使電腦作為如下構件而發揮作用：位置選擇部(328、330)，自規定的二維圖像區域(100)中選擇多個位置(SD)；圖像資料製作部(338)，根據藉由上述位置選擇部(328、330)所選擇的上述多個位置(SD)，製作表示網格圖案(20、232)的圖樣的圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')；評價值計算部(402)，根據藉由上述圖像資料製作部(338)而製作的上述圖像資料(Img、ImgInit、ImgTemp、ImgTemp')，計算對上述網格圖案(20、232)的雜訊特性進行定量化的評價值；資料決定部(416)，根據藉由上述評價值計算部(402)而計算出的上述評價值及規定的評價條件，決定1個上述圖像資料(Img)作為輸出用圖像資料(ImgOut)；以及圖像擷取部(332)，自藉由上述資料決定部(416)而決定的上述輸出用圖像資料(ImgOut)，擷取表示上述基體(12)的一主面側的圖樣的第1圖像資料(ImgOut1)， 並且擷取表示上述基體(12、12a)的另一主面側的圖樣的第2圖像資料(ImgOut2)。
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