TWI583796B - Heat treatment device - Google Patents

Description

熱處理裝置

　　本發明是關於在藉由超音波浮起(ultrasonic levitation)使形成有塗佈膜的基板(substrate)浮起的狀態下進行加熱及運送之熱處理裝置。

　　在液晶顯示器(liquid crystal display)或電漿顯示器(plasma display)等的平面面板顯示器(flat panel display)於基板上塗佈有光阻(resist)液者(稱為塗佈基板)被使用。該塗佈基板是藉由透過塗佈裝置將光阻液均勻地塗佈於基板上而形成塗佈膜，然後藉由透過例如如下述專利文獻1所示的熱處理裝置使塗佈膜加熱乾燥而生產。
　　該熱處理裝置具有:平板狀的振動板部；配設於振動板的下方之加熱器部(heater part)；使振動板超音波振動之超音波產生部，透過加熱器部加熱，透過超音波產生部超音波振動的振動板一邊使基板超音波振動浮起，一邊加熱，在該狀態下運送基板。如此藉由基板加熱中的運送手段採用浮起運送，可防止例如在使用輸送滾柱(conveyor roller)的情形產生的塗佈膜的乾燥不均。也就是說，可防止在滾柱和基板接觸的部位與其他的部位之間產生熱特性(thermal characteristic)的差異，起因於該熱特性的差異而產生塗佈膜的乾燥不均。
　　再者，可藉由連結設定溫度不同的振動板部，基板被浮起運送於該等振動板部之上，在運送中實施到塗佈膜的乾燥、烘烤、冷卻為止。
　　[專利文獻1] 日本國特開2011-120762號公報

　　但是，在記載於上述專利文獻1的熱處理裝置中，仍然有在塗佈膜表面產生乾燥不均之虞的問題。具體上在設定溫度不同的振動板部接鄰的部分中，即使各個振動板部各自全面被均勻地加熱，也會由溫度高之處到低之處，受到由其接鄰的振動板部產生的熱的對流及輻射的影響而在振動板部內產生溫度不均。當處於塗佈膜未乾燥的基板停在該溫度不均已產生的振動板部的狀態時，因在基板面內產生溫度不均，故有產生塗佈膜的乾燥不均之虞。
　　而且，即使是乾燥已進行的塗佈膜，也有因曝露於比設定溫度高的溫度而發生貝納得穴流現象(Benard cell phenomenon)之虞。
　　本發明是鑒於上述問題點所進行的創作，其目的為提供一種熱處理裝置，可抑制在塗佈膜形成有乾燥不均。
　　為了解決上述課題，本發明的熱處理裝置，包含:排列於運送基板的方向之複數個振動板部；給予各個前述振動板部超音波振動之超音波產生部；將規定的前述振動板部的溫度控制於規定的溫度之溫度控制部，一邊使基板超音波振動浮起並運送基板，一邊對基板施加熱處理，其特徵為:在一部分或全部的前述振動板部彼此之間更配置有透過氣體的噴出使基板浮起的氣體浮起部。
　　依照上述熱處理裝置，因可藉由在振動板部彼此之間更配置有透過氣體的噴出使基板浮起的氣體浮起部，緩衝由振動板部給予相鄰的振動板部溫度的影響，故可無不均地保持振動板部的溫度於規定的溫度，可防止塗佈膜的乾燥不均。具體上振動板部會因該振動板部所發出的熱的對流及輻射而將氣體浮起部及其周圍的環境加熱，因氣體浮起部及其周圍的環境透過由氣體浮起部持續噴出的氣體冷卻，故氣體浮起部的溫度不會達到振動板部的溫度而在某溫度穩定，可抑制給予相鄰的振動板部溫度的影響。
　　而且，至少在溫度有差異的前述振動板部彼此之間配置有前述氣體浮起部也可以。
　　據此，因可對有由振動板部傳熱到振動板部之虞之處確實地隔絕傳熱，故可更進一步防止塗佈膜的乾燥不均。
　　而且，在前述振動板部與前述氣體浮起部之間設置間隙也可以。
　　據此，因由氣體浮起部噴出的氣體不停滯於振動板部與基板之間而由該間隙脫離，故可防止振動板部上的基板的浮起變成不穩定。而且，停滯的氣體造成的塗佈膜的乾燥不均難以產生。

【發明的功效】
　　依照本發明的熱處理裝置，可抑制在塗佈膜形成有乾燥不均並進行熱處理。

　　圖1是本發明的一實施形態中的熱處理裝置之概略圖且斜視圖。
　　圖2(a)、(b)是顯示本實施形態中的氣體浮起部之概略圖。
　　圖3(a)、(b)是使用本實施形態的熱處理裝置的塗佈膜熱處理線的一例。
　　圖4(a)、(b)是習知的塗佈膜熱處理線的一例。

　　使用圖面說明與本發明有關的實施的形態。
　　圖1是本發明的一實施形態中的熱處理裝置之斜視圖。熱處理裝置1具備:振動板部2、溫度控制部3、超音波產生部4、運送部5及氣體浮起部6，振動板部2藉由溫度控制部3加熱。而且，振動板部2藉由超音波產生部4進行超音波振動，透過由該振動產生的輻射壓(radiation pressure)使振動板部2上的基板W浮起。透過該等構件，基板W一邊透過振動板部2浮起、被加熱，一邊透過運送部5被運送於振動板部2上。而且，在一部分的振動板部2與振動板部2之間配設有氣體浮起部6，一邊維持基板W的浮起運送，一邊抑制由振動板部2傳熱到振動板部2。
　　此外在以下的說明中，設基板W被運送的方向為Y軸方向，設在水平面上與Y軸方向正交的方向為X軸方向，設正交於X軸及Y軸方向的雙方的方向為Z軸方向而進行說明。
　　振動板部2在本實施形態中為具有矩形板狀的形狀之振動板21，考慮導熱性(thermal conductivity)，以鋁製(鋁合金製)。該振動板21透過後述的超音波產生部4進行超音波振動，使位於振動板21的上方的基板W超音波浮起。再者，藉由該振動板21連續地排列於基板運送方向(Y軸方向)，在基板W的運送中，各個振動板21使基板W持續浮起。
　　此處，各個振動板21的X軸方向的尺寸被設定為比基板W被承載於振動板21時的基板W的X軸方向尺寸大。據此，在基板W藉由運送部5運送於振動板部2之上時，因關於X軸方向，不會存在基板W由振動板部2突出的部分，基板W的全面通過振動板部2之上，故可藉由透過溫度控制部3加熱的振動板部2，至少關於X軸方向均勻地將基板W加熱。而且，更藉由透過運送部5以等速運送基板W，如後述使基板W的全面被均勻地加熱。
　　溫度控制部3位於振動板部2之使基板W浮起的面的背面側，將規定的振動板部2的溫度加熱或冷卻到規定的溫度。此處所謂的[規定的振動板部2]是指無論是一片振動板部2，或是複數片振動板部2，或是全部的振動板部2都無妨。
　　在本實施形態中，溫度控制部3為複數個加熱器單元31，藉由該加熱器單元31被排列於X軸方向及Y軸方向而形成一個加熱器集合體33。該加熱器集合體33與振動板部2之使基板W浮起的面的背面對向，由背面側將振動板部2加熱。而且，振動板部2與加熱器集合體33透過間隔物(spacer)32設置規定的間隔而被分離。
　　加熱器單元31在本實施形態中為插裝加熱器(cartridge heater)或護套加熱器(sheathed heater)被插入矩形板狀的鋁板而構成的板式加熱器(plate heater)，該等加熱器單元31無間隙地被排列於X軸方向及Y軸方向。此外，此處使用雲母加熱器(mica heater)以取代板式加熱器也可以。
　　此處，加熱器集合體33的X軸方向的尺寸比振動板部2的X軸方向的尺寸大，而且加熱器集合體33的Y軸方向的尺寸為與振動板部2的Y軸方向同等以上。再者，成為在沿著Z軸方向由振動板部2看加熱器集合體33時，振動板部2的區域放進加熱器集合體33的區域的配置。據此，加熱器集合體33可同時將振動板部2的全面加熱，可將振動板部2全體加熱成均勻的溫度。此外，若一個加熱器單元31的X軸方向及Y軸方向的尺寸比振動板21大，則不形成加熱器集合體33僅使用一個加熱器單元31將振動板21加熱也可以。
　　間隔物32例如為樹脂製的小徑的塊(block)，被設置於一部分的加熱器單元31與振動板21之間且支撐振動板21。在本實施形態中，藉由間隔物32在振動板部2與加熱器集合體33之間設置1mm的間隔。如此藉由使振動板部2與加熱器集合體33分離，使得透過加熱器集合體33對振動板部2的加熱不是直接加熱而是成為輻射加熱，與直接加熱比較，使振動板部2全體的溫度均勻變的容易。
　　而且，當為振動板部2與加熱器集合體33接觸的配置時，由於兩者的固有振動數等振動特性的差異，有時加熱器集合體33會成為振動板部2的振動的妨礙，而藉由使兩者分離，使得振動板部2不會因加熱器集合體33而妨礙振動，可照設定的那樣振動。
　　此處，間隔物32在相當於振動板21的振動的節點(node)的位置支撐振動板21而被配置於加熱器單元31上較佳。據此，因可使間隔物32受到來自振動板21的振動極小，故可防止間隔物32因與振動板21的干涉而磨耗。
　　超音波產生部4具有超音波振動器(ultrasonic vibrator)41及振幅放大器(horn)42。超音波振動器41由Z軸方向看位於相對於振動板21與加熱器單元31同側，配置於比加熱器單元31還遠離振動板21的位置。在超音波振動器41連接有振幅放大器42，該振幅放大器42貫穿加熱器單元31並接觸振動板21。
　　超音波振動器41是根據來自未圖示的振盪器(oscillator)的振盪信號激勵對象物，例如有具有電極及壓電元件(piezo element)的朗之萬型振動器(Langevin type vibrator)。朗之萬型振動器藉由透過振盪器對電極施加驅動電壓(drive voltage)而使壓電元件振動，以規定的振幅及頻率振盪。如此振盪的超音波振動器41的振動經由振幅放大器42傳播給對象物的振動板21，使振動板21振動。藉由振動板21振動，由振動板21發出輻射聲壓(radiated sound pressure)，透過該輻射聲壓，向上的力施加於位於振動板21上的基板W。據此，可在使基板W浮起於振動板21的上方約略規定的浮起量的狀態下保持基板W。
　　而且，超音波振動器41的振動可藉由控制由振盪器給予的驅動電壓調整振幅及頻率，據此可調整在振動板部2上浮起的基板W的浮起量。基板W的浮起量在本實施形態中是以0.1mm左右。
　　振幅放大器42採用圓柱或連接複數個圓柱的形狀，一端與超音波振動器41連接，他端接觸振動板21，將超音波振動器41發出的振動的振幅放大或衰減並傳播至振動板21。而且，因成為振幅放大器42貫穿加熱器單元31的配置，故在配置有振幅放大器42的位置中於加熱器單元31設置貫通孔或缺口(notch)，迴避與振幅放大器42的干涉。
　　而且，振幅放大器42藉由設置於超音波振動器41與振動板21之間，也兼具自加熱器集合體33分離超音波振動器41的任務。因超音波振動器41對熱很脆弱，若被加熱則會發生壓電元件的損傷等的異常，故為了使來自加熱器集合體33的熱不會傳導到超音波振動器41，使用振幅放大器42使超音波振動器41遠離加熱器集合體33。
　　而且，在本實施形態中因振幅放大器42以鈦製，降低熱傳導率(thermal conductivity)，故即使在振幅放大器42與振動板接觸的端部以及與加熱器單元31接近的部分中被加熱，該熱也很難傳導到與超音波振動器41連接的端部。而且，透過未圖示的氣冷裝置(air cooling device)等冷卻超音波振動器41，進而在加熱器單元31之與超音波振動器41對向的面配設未圖示的隔熱材料(heat insulating material)，使加熱器集合體33給予超音波振動器41的影響極小。
　　而且，在振動板21中的振幅放大器42的安裝部及其近旁，有與其他的位置比較溫度變低之虞，若該溫度變低的部分存在於浮起的基板W的下方，則有使基板W的塗佈膜產生乾燥不均的可能性。因此，在本實施形態中，在使振動板部2之使基板W浮起的區域(圖1中的區域R1)的背面側不存在該安裝部，而在區域R1以外的位置中將振幅放大器42安裝於振動板21。
　　運送部5具有手(hand)51及進退機構52。手51例如具有L字型的塊，在基板W的角部中與基板W的兩邊接觸並支撐。對基板W一片的支撐在基板W的對角方向配設兩個，以便手51可將基板W的對角定位並支撐。而且，進退機構52為氣缸(air cylinder)等的直動機構(direct acting mechanism)，安裝手51，在基板W的支撐時及解除支撐時使各自的手51移動。透過該進退機構52，手51在基板W的支撐時接近基板W，在解除支撐時自基板W退避。此處因在手51退避的狀態下基板W為X軸方向及Y軸方向的限制被解除的狀態，故接著在手51接近時有基板W的位置偏移，與手51碰撞而使基板W及手51破損的可能性。此情形，也可以將上下移動的銷(pin)配設於振動板21，手51退避時銷上升並限制基板W的位置，基板W被運送於振動板部2上時銷下降而不妨礙運送動作。
　　而且，進退機構52被連接於未圖示的Y軸方向的行走軸。在手51接近基板W的角部，支撐基板W的狀態下，藉由透過該行走軸使手51及進退機構52移動於Y軸方向，基板W朝Y軸方向被運送。
　　此處，在行走軸上配設有複數個進退機構52，以一片基板W若被運送於Y軸方向約略規定距離，則遞送至下一個手51的方式，一邊依序被遞送至安裝於該等進退機構52的手51，一邊被運送於Y軸方向。據此，與透過一個手51由熱處理裝置的端到端運送一片基板W比較，因能以各個手51同時支撐、運送基板W，故可連續實施基板W的熱處理。
　　而且，為了防止手51與振動板21接觸而使手51或振動板21磨耗及產生微粒(particle)，也可以在手51的底面配設空氣軸承(air bearing)，使手51與振動板21保持一定的間隔。
　　氣體浮起部6配置於振動板21與振動板21之間，藉由噴出氣體使基板W浮起。
　　針對氣體浮起部6的構成的詳細，顯示於圖2。
　　圖2(a)是氣體浮起部6的側視圖。氣體浮起部6具有一個或複數個氣體浮起單元61，在本實施形態中為兩個氣體浮起單元61排列於Y軸方向。
　　氣體浮起單元61具有框體62與頂面部63，藉由組合該框體62與頂面部63，形成在內部具有空洞部64的長方體狀的箱體。在框體62連接有配管，通過該配管，氣體由未圖示的氣體供給源流入空洞部64。而且，空洞部64的下端位於比振動板21的下端還下面。
　　在圖2(a)中以影線表示的頂面部63是由多孔金屬(porous metal)構成，若氣體由氣體供給源持續流入空洞部64，該氣體脫離頂面部63所具有的多數個孔，由頂面部63的全面噴出到氣體浮起單元61的外部。透過該噴出的氣體的壓力使基板W浮起。
　　藉由由該頂面部63噴出的氣體的壓力在頂面部全體成均勻而構成頂面部63，不會產生撓曲等而使基板W浮起。而且，因與局部地噴出氣體並使基板W浮起的情形比較，能以小的風壓使基板W浮起，故也無使周邊的微粒飛揚之虞。此處，噴出的氣體的種類只要不使基板W及塗佈膜變質等就無特別限制，例如乾燥空氣、N2等被使用。
　　而且，頂面部63的高度及由頂面部63噴出的氣體的壓力被調節，以便在基板W由振動部21轉移到氣體浮起單元61時，基板W由氣體浮起單元61轉移到氣體浮起單元61時，以及基板W由氣體浮起單元61轉移到振動板21時，基板W不會干涉氣體浮起單元61及振動板21。
　　藉由這種氣體浮起部6配設於振動板21與振動板21之間，振動板21會藉由本身發出的熱的對流及輻射對氣體浮起部6及氣體浮起部6的周邊的環境加熱，不會對隔著氣體浮起部6位於相反側的振動板21直接加熱。
　　再者，在氣體浮起部6中，因如上述使基板W浮起用的氣體不斷地通過氣體浮起單元61的空洞部64，由頂面部63噴出，故氣體浮起部6透過該氣體冷卻，且因其周邊的環境也透過噴出的氣體冷卻，故氣體浮起部6及氣體浮起部6的周邊的環境的溫度不會達到振動板21的設定溫度而在某溫度穩定。
　　而且，在振動板21與氣體浮起單元61之間，及氣體浮起單元61彼此之間設置間隙，該間隙的寬度在本實施形態中為約1mm。圖2(a)的箭頭是概略地表示被由氣體供給源供給的氣體的流動，而流入空洞部64，由頂面部63噴出的氣體可能由該間隙逃逸。據此，當基板W位於振動板21及/或氣體浮起單元61的上方時，氣體不會停滯於振動板21及/或氣體浮起單元61與基板W之間，可防止基板W的浮起量變的不穩定。而且，可抑制因停滯的氣體使基板W受到意料之外的熱影響而在塗佈膜產生乾燥不均。
　　圖2(b)是氣體浮起部6的頂視圖。本實施形態中的氣體浮起單元61的空洞部64的X軸方向的尺寸比振動板21的X軸方向的尺寸大。而且關於X軸方向，以振動板21的兩端位於存在空洞部64的範圍內的方式，配置氣體浮起單元61，空洞部64在氣體浮起單元61內不被區分成複數個小區域而連通。
　　其次，顯示使用本實施形態的熱處理裝置的塗佈膜熱處理線的一例於圖3。圖3(a)是塗佈膜熱處理線之概略圖，圖3(b)是運送方向各位置中的振動板部2及氣體浮起部6的頂面溫度分布之概略圖。
　　此處，首先顯示習知的不具氣體浮起部6的塗佈膜熱處理線的一例於圖4，當作比較例。與圖3一樣，圖4(a)是塗佈膜熱處理線之概略圖，圖4(b)是運送方向各位置中的振動板部2的頂面溫度分布之概略圖。
　　在圖4(a)的實施形態中，首先在振動板部2a於常溫(20℃)使基板W浮起，進入塗佈膜乾燥的準備，接著，藉由將基板W運送到頂面的溫度被設定為60℃的振動板部2b及振動板部2c的上方將基板W加熱，使塗佈膜中的溶劑揮發。然後，藉由將基板W運送到頂面的溫度被設定為120℃的振動板部2d至振動板部2g的上方更進一步將基板W加熱，並進行使塗佈膜中的顏料固定住的預烘烤(prebake)處理，最後，藉由將基板W運送到常溫的振動板部2h的上方，使基板W的溫度返回到常溫。
　　此處，為了使溶劑揮發的程序、預烘烤處理的程序及使基板W的溫度返回到常溫的程序而設的振動板部2的個數是依照到各自的程序完了為止的時間及基板W的運送速度而決定。而且，為了使基板W一直浮起，各振動板部2大致無間隙而被排列。
　　此時，如振動板部2a與振動板部2b般當比鄰設定溫度不同時，由於溫度高之處的振動板部2的影響，透過熱的對流及輻射使溫度低之處的振動板部2被加熱到設定溫度以上。也就是說如圖4(b)所示，在振動板部2a、振動板部2c及振動板部2h中，在各個振動板部2內產生溫度的不均勻。據此，當因手51的換手等使得基板W一定時間不會被運送於Y軸方向而在振動板部2a上浮起時，僅基板W的一部分曝露於設定溫度以上的溫度環境，塗佈膜的乾燥產生不均。而且，在振動板部2c上同樣地當基板W一定時間不會被運送於Y軸方向而浮起時，發生意料之外的貝納得穴流現象，有在塗佈膜面產生龜裂之虞。而且，發生振動板部2h的溫度一變高，就無法使基板W的溫度返回到常溫的問題。
　　因此，在本實施形態中，至少在比鄰設定溫度不同的振動板部之間配置有氣體浮起部6。具體上如圖3(a)所示，在振動板部2a與振動板部2b之間配設有氣體浮起部6a，在振動板部2c與振動板部2d之間配設有氣體浮起部6b，在振動板部2g與振動板部2h之間配設有氣體浮起部6c。
　　以下使用振動板部2a、振動板部2b及氣體浮起部6a說明如此藉由配設氣體浮起部6而得到的功效。此外，設由氣體浮起部6a噴出的氣體的溫度為常溫(20℃)。
　　首先，藉由氣體浮起部6a位於振動板部2a與振動板部2b之間，如前面提到的，振動板部2b透過熱的對流及輻射而加熱的對象不是振動板部2a，而是氣體浮起部6a及氣體浮起部6a的周邊的環境。
　　再者，在氣體浮起部6a中，如上述因為了使基板W浮起的氣體不斷地通過氣體浮起單元61的空洞部64而由頂面部63噴出，故氣體浮起部6a透過該氣體冷卻，且因其周邊的環境也透過噴出的氣體冷卻，故氣體浮起部6a及氣體浮起部6a的周邊的環境的溫度不會達到振動板部2b的設定溫度而在某溫度穩定。
　　進而，因藉由在振動板部2b與氣體浮起部6a之間設置間隙，確保氣體的逃逸路徑，使被加熱的氣體擴散到外部，故氣體浮起部6a周邊的溫度更難以上升。
　　如此得到的氣體浮起部6a的頂面的溫度如圖3(b)所示，因比振動板部2b的溫度低，故給予該氣體浮起部6a所接鄰的振動板部2a的熱的影響如圖4所示，與振動板部2b接鄰振動板部2a的情形比較，變小。
　　而且如圖2所示，在本實施形態中兩個氣體浮起單元61並排構成氣體浮起部6，在氣體浮起單元61彼此之間設置間隙。如此藉由設置間隙且氣體浮起單元61並排，即使是一方的氣體浮起單元61透過振動板部2加熱的情形，另一方的氣體浮起單元61也透過本身噴出的氣體而被冷卻，而且，因被加熱的氣體由氣體浮起單元61彼此的間隙擴散，故難以受到熱的影響。
　　因此，藉由氣體浮起部6a也由兩個氣體浮起單元61構成，離振動板部2b遠之處，亦即靠近振動板部2a的氣體浮起單元61更難以受到來自振動板部2b的熱的影響，溫度難以上升。因此，該氣體浮起單元61給予振動板部2a的熱的影響也變小，可抑制振動板部2a的溫度的上升。
　　而且如前面提到的，關於本實施形態中的氣體浮起單元61的空洞部64，X軸方向的尺寸比振動板21的X軸方向的尺寸大，Z軸方向的下端位於比振動板21的下端還下面。而且，空洞部64在氣體浮起單元61內連通，關於X軸方向，振動板21的兩端位於存在空洞部64的範圍內。如此藉由配設氣體浮起部6a及空洞部64，來自振動板部2b的輻射熱不會直接到達振動板部2a，在振動板部2a與振動板部2b之間始終存在空洞部64，振動板部2b所產生的熱的對流及輻射都透過氣體浮起部6a緩衝。
　　此外，在本實施形態中，雖然包含振動板21的兩端而設置X軸方向的空洞部64存在範圍，但因在振動板21內關於至少將基板W加熱的區域若抑制振動板部間的熱的影響的話即可，故關於X軸方向至少使空洞部64包含圖1及圖2(b)所示的區域R1也無妨。
　　如以上，可藉由配置氣體浮起部6a，抑制振動板部2b的溫度的影響及於振動板部2a。因此，即使是因手51的換手等使得基板W一定時間不會被運送於Y軸方向而在振動板部2a上浮起的情形，也能抑制塗佈膜的乾燥產生不均。
　　而且與此一樣，因可藉由配置氣體浮起部6b，抑制振動板部2d的溫度的影響及於振動板部2c，故可抑制在振動板部2c上產生由貝納得穴流現象造成的龜裂。
　　而且，因可藉由配置氣體浮起部6c，抑制振動板部2g的溫度的影響及於振動板部2h，故也能抑制基板W的冷卻的延遲。
　　此外，雖然在將基板W由振動板部2a經過氣體浮起部6a運送至振動板部2b時，基板W會受到氣體浮起部6a的溫度的影響，但為了不會在基板W的一部分來到氣體浮起部6a的上方的狀態下運送被停止，藉由以等速通過氣體浮起部6a，使基板W全體均勻地受到氣體浮起部6a的溫度的影響，故此點會成為塗佈膜的乾燥不均的原因的可能性低。
　　此外，因振動板部2a及振動板部2h為常溫設定，故未配設溫度控制部3，但在振動板部2h的下方配設未圖示的冷卻裝置，使振動板部2h的溫度在常溫以下並加快基板W的冷卻速度也可以。而且，因未如此配設溫度控制部3的振動板部2，關於溫度容易受到擾動(disturbance)的影響，故關於接鄰這種振動板部2的氣體浮起部6，增加構成氣體浮起部6的氣體浮起單元61的個數也可以。在圖2及圖3中，雖然是顯示排列兩個氣體浮起單元61的氣體浮起部6，但藉由將氣體浮起單元61增加為3個，可更進一步抑制熱由溫度高的振動板部2到溫度低的振動板部2之的影響。
　　依照以上說明的熱處理裝置，可抑制在塗佈膜形成有乾燥不均並進行熱處理。

1．．．熱處理裝置

2、2a~2h．．．振動板部

3．．．溫度控制部

4．．．超音波產生部

5．．．運送部

6、6a~6c．．．氣體浮起部

21．．．振動板

31．．．加熱器單元

32．．．間隔物

33．．．加熱器集合體

41．．．超音波振動器

42．．．振幅放大器

51．．．手

52．．．進退機構

61．．．氣體浮起單元

62．．．框體

63．．．頂面部

64．．．空洞部

R1．．．振動板部之使基板W浮起的區域

W．．．基板

1．．．熱處理裝置

2．．．振動板部

3．．．溫度控制部

4．．．超音波產生部

5．．．運送部

6．．．氣體浮起部

21．．．振動板

31．．．加熱器單元

32．．．間隔物

33．．．加熱器集合體

41．．．超音波振動器

42．．．振幅放大器

51．．．手

52．．．進退機構

R1．．．振動板部之使基板W浮起的區域

W．．．基板

Claims (3)

1. 一種熱處理裝置，包含:
   排列於運送基板的方向之複數片振動板部；
   給予各個該振動板部超音波振動之超音波產生部；以及
   將規定的該振動板部的溫度控制於規定的溫度之溫度控制部，
   一邊使基板超音波振動浮起並運送基板，一邊對基板施加熱處理，其特徵為:
   在一部分或全部的該振動板部彼此之間更配置有透過氣體的噴出使基板浮起的氣體浮起部。
2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中至少在溫度有差異的該振動板部彼此之間配置有該氣體浮起部。
3. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中在該振動板部與該氣體浮起部之間設置間隙。