TWI582845B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板。
半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，有一方面藉由旋轉夾頭使基板旋轉、一方面依序供給溫度相異之處理液的情形。例如日本專利特開2009-238862號公報中，揭示有在將高溫之SPM(硫酸-過氧化氫混合液Sulfuric Acid-Hydrogen Peroxide Mixture)供給至旋轉中之基板上表面後，對由SPM所覆蓋的基板上表面供給常溫DIW(去離子水，Deionized Water)，將附著於基板上表面之SPM予以沖洗。
若對基板供給高溫之SPM等之高溫處理液，則基板本身變為高溫。若在以高溫處理液覆蓋基板的狀態下，開始供給常溫DIW等低溫處理液，則低溫處理液之著液位置及其附近之位置(以下稱為「著液位置附近區域」)基板溫度急遽且急速降低。因此，使基板收縮之應力於著液位置附近區域產生，同時因著液位置附近區域與呈高溫 狀態之其他區域間的溫度差而使基板變形為翹曲或波浪狀。若低溫處理液充分遍及基板，則基板各部之溫度差變小，雖然解除此種變形，但在至此為止的期間仍持續著基板變形的狀態。
挾持式之旋轉夾頭係使複數之夾銷按壓於基板周緣部。若依複數之夾銷按壓著基板周緣部之狀態下基板發生變形，則各夾銷對基板的按壓壓力改變，有由旋轉夾頭之基板保持的穩定性降低之虞。又，真空式之旋轉夾頭係使基板下表面吸附於旋轉底盤(吸著底盤)上表面。若於基板下表面吸附於旋轉底盤上表面之狀態下基板發生變形，則基板下表面與旋轉底盤上表面間之密著狀態改變，有由旋轉夾頭之基板保持的穩定性降低之虞。
上述公報中，揭示了將高溫(例如150℃)之SPM、與常溫(例如25℃)之DIW供給至基板。因此，在基板與DIW間存在100℃以上之溫度差的狀態下，開始供給作為低溫處理液之DIW。根據本發明者等人之檢討，確認到上述基板之變形不僅在基板與低溫處理液間之溫度差為100℃以下的情況發生，在未滿100℃(例如60℃)的情況下亦可能發生。因此，上述基板之變形不僅發生於依序供給高溫SPM與常溫DIW的情況，亦可能發生於對基板依序供給具溫度差之其他處理液的情況。
本發明之目的之一在於抑制處理液供給開始時之基板的局部性溫度變化。
本發明之一實施形態為提供一種基板處理方法，其包含有：將第1溫度之藥液供給至基板主表面的藥液供給步驟；在上述藥液供給步驟之後，將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液供給至基板 主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體的清洗液供給步驟；及在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，將反應液供給至基板主表面的反應液供給步驟，該反應液係藉由與藥液混合而發生發熱反應，並且液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上。基板之主表面可為形成裝置之表面，亦可為表面之相反側的背面。
根據此方法，將第1溫度(供給至基板前之藥液溫度)之藥液供給至基板主表面。然後，於藥液為殘留在基板之狀態下，將反應液供給至基板主表面。供給至基板之反應液係與殘留於基板的藥液混合。因此，殘留於基板之液體(包含藥液及反應液之液體)中之反應液的比例提高、藥液濃度降低。較第1溫度低之第2溫度(供給至基板前之清洗液溫度)的清洗液，係在將反應液供給至基板後，被供給至基板主表面。藉此，沖洗殘留於基板的液體。
反應液之供給開始時，基板溫度逐漸接近反應液溫度。供給至基板前之反應液溫度係低於藥液溫度(第1溫度)、且清洗液溫度(第2溫度以上)。反應液因與藥液混合而使藥液發生發熱反應。因此，當於藥液為殘留在基板之狀態下對基板主表面供給反應液之時，於反應液之著液位置及其附近位置發生發熱反應，使著液位置附近區域之基板溫度降低量減低。因此，基板溫度徐緩地接近反應液溫度。藉此，相較於接著藥液之供給而將較第1溫度低之第2溫度之清洗液供給至基板的情況，可抑制基板之急遽且急速的溫度降低，可減低基板的變形量。
於本發明之一實施形態中，上述反應液供給步驟亦可包含有：於將旋轉中之基板主表面全域以藥液加以覆蓋之狀態下，在中 央部與周緣部之間的中間部，開始對於基板主表面之反應液的供給的供給開始步驟；及在上述供給開始步驟之後，於將旋轉中之基板主表面全域以藥液及反應液加以覆蓋之狀態下，使對於基板主表面之反應液的著液位置由中間部移動至中央部的著液位置移動步驟。
根據此方法，於基板旋轉中、基板主表面全域由藥液所覆蓋的狀態下，於中央部與周緣部之間的中間部開始反應液對基板主表面的供給。接著，使對基板主表面之反應液的著液位置由中間部移動至中央部。由於因基板旋轉所造成之離心力施加至反應液，故供給至基板的反應液沿著基板主表面朝外方流動至周緣部。藉此，反應液被供給至基板主表面全域。因此，覆蓋基板主表面全域之液膜中之反應液的比例徐緩提高，基板各部之溫度逐漸接近反應液溫度。
基板與反應液之溫度差係於反應液之供給開始時為最大。基板主表面中間部之周速(朝旋轉方向之速度)由於大於基板主表面中央部之周速，故相較於在基板主表面中央部開始反應液供給的情況，其每單位面積之反應液供給流量較少。因此，可抑制或防止著液位置之基板及藥液的溫度因多量之反應液供給而急遽且急速降低的情形。再者，由於著液於基板主表面中央部之反應液係經由基板主表面周緣部而排出至基板周圍，故相較於在基板主表面周緣部開始反應液供給的情況，其基板上之反應液的滯留時間較長。因此，可有效率地利用反應液。
本發明之一實施形態中，上述反應液供給步驟亦可包含有：朝向相對於基板主表面而呈傾斜之吐出方向吐出反應液的步驟。
根據此方法，反應液係朝相對於基板主表面呈傾斜之方向對基板主表面所吐出。因此，反應液係相對於基板主表面呈斜向地 入射。因此，相較於反應液相對於基板主表面呈垂直地入射的情況，其反應液著液於基板時之衝擊較小。在於基板主表面形成有圖案的情況，若施加至基板的衝擊減低，則施加至圖案的衝擊亦減低。因此，可抑制或防止圖案傾壞等之損傷發生。
本發明之一實施形態中，上述反應液供給步驟亦可包含有：以隨著接近至基板主表面而位於基板中心側之方式，朝向相對於基板主表面而呈傾斜之吐出方向吐出反應液的步驟。
根據此方法，反應液係依隨著越接近基板主表面而越位於基板中心側的方式，朝相對於基板主表面呈傾斜之方向對基板主表面所吐出。因此，反應液於基板上主要由著液位置流動至內方(基板中心側)。因此，相較於使反應液朝基板主表面之垂直方向吐出的情況、或朝相對於基板主表面呈向外傾斜之方向吐出的情況，其可依短時間使反應液擴展至較著液位置更內方的區域。進而，由於相較於此等情況，由著液位置流動至內方的反應液的流量增加，故基板上之反應液的滯留時間增加。因此，可有效利用反應液。
本發明之一實施形態中，在上述藥液供給步驟供給至基板的藥液，亦可為液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上之反應藥液，與藉由與反應藥液混合而發熱之發熱藥液的混合液。上述反應液供給步驟亦可包含有：將作為反應液之反應藥液加以供給至基板主表面的步驟。
根據此方法，使液溫較第1溫度低且第2溫度以上之反應藥液、與因與反應藥液混合而發熱之發熱藥液混合。藉此，發熱藥液及反應藥液藉由發熱藥液之發熱而溫度上升至第1溫度，生成第1溫度之藥液。然後，於藥液為殘留在基板的狀態下，將作為反應液之 反應藥液供給至基板主表面。因此，作為反應液之反應藥液與基板上之藥液所含的發熱藥液混合，在反應液之著液位置及其附近之位置發生發熱反應。因此，使在著液位置附近區域之基板的溫度降低量減低。進而，由於使用與藥液所含之成分藥液(於此為反應藥液)同種的藥液、亦即與藥液之親和性高的液體作為反應液，故可有效率地混合藥液與反應液。
本發明之一實施形態中，上述反應液供給步驟亦可包含有：於以大於基板之旋轉速度的旋轉速度使基板進行旋轉之狀態下，(在自朝向基板之藥液的供給被開始之後至朝向基板之反應液的供給被開始之前為止之至少一部分期間中)朝向基板主表面將反應液加以吐出的步驟。
根據此方法，反應液係在以相對較大之旋轉速度、亦即以大於在自藥液對基板之供給開始起至反應液對基板之供給開始前的至少一部分期間中之基板之旋轉速度的旋轉速度使基板旋轉的狀態，朝基板主表面所吐出。因此，對附著於基板之液體所施加的離心力增加。因此，殘留於基板之藥液快速地被甩至基板周圍，且供給至基板之反應液快速地遍及基板主表面全域。藉此，由於基板主表面全域之溫度均勻降低，故可抑制或防止以溫度差為起因的基板變形。
本發明之一實施形態中，上述反應液供給步驟亦可包含有：於基板旋轉中之狀態下，朝向基板之主表面中央部、主表面中間部、及主表面周緣部同時地吐出反應液的步驟。
根據此方法，反應液係依基板旋轉中之狀態，朝距基板中心之距離分別相異之基板主表面內的複數位置同時所吐出。更具體而言，係朝基板之主表面中央部、主表面中間部、及主表面周緣部使 反應液同時吐出。因此，當基板旋轉1周以上，則反應液遍及基板主表面全域。因此，反應液於短時間內遍及基板主表面全域，基板主表面全域之溫度均勻降低。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板變形。
本發明之一實施形態中，上述反應液供給步驟亦可包含有：於基板旋轉中之狀態下，使反應液同時地著液於包括基板半徑之基板主表面內的區域全體的步驟。
根據此方法，反應液係於基板旋轉中之狀態下，朝包括基板半徑之基板主表面內的區域全體同時吐出，同時著液於此區域全體。亦即，反應液係同時供給至由基板中心至基板周緣於基板徑方向上連續的區域全體。因此，在基板旋轉1周以上時，反應液遍及基板主表面全域。因此，反應液於短時間內遍及基板主表面全域，基板主表面全域之溫度均勻降低。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板變形。
上述基板處理方法亦可進一步包含：於上述反應液供給步驟之前，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板的藥液為殘留在基板的狀態下，依較第1溫度高之加熱溫度對基板及藥液進行加熱的加熱步驟。此時，上述加熱步驟亦可包含：藉由與基板主表面相對向之紅外線加熱器依加熱溫度對基板及藥液進行加熱的紅外線加熱步驟。
根據此方法，基板及藥液之溫度由於上升至較供給至基板前之藥液溫度(第1溫度)高的加熱溫度，故使供給反應液前之基板與清洗液間之溫度差更加增大。因此，藉由在供給清洗液前將反應液供給至基板，則在清洗液被供給至基板時，可抑制或防止基板溫度局部性降低、於基板內產生較大溫度差的情況。藉此，可減低基板的變形 量。
本發明之其他實施形態為提供一種基板處理裝置，其包含有：將基板加以保持並使其旋轉之基板保持單元；朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將第1溫度之藥液加以吐出的藥液供給單元；朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液加以吐出的清洗液供給單元；朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將反應液加以吐出的反應液供給單元，該反應液係液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上，且藉由與藥液混合而發生發熱反應；與控制上述基板保持單元、藥液供給單元、清洗液供給單元及反應液供給單元的控制裝置。
上述控制裝置係實行以下之步驟：將第1溫度之藥液供給至基板主表面的藥液供給步驟；在上述藥液供給步驟之後，將第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體的清洗液供給步驟；及在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，將液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上的反應液，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，加以供給至基板主表面的反應液供給步驟。根據此構成，控制裝置對基板處理裝置進行控制，藉此實行上述基板處理方法之各步驟。因此，可發揮與上述效果同樣的效果。
本發明之另外其他之實施形態為提供一種基板處理方法，其包含有：將第1溫度之藥液供給至基板主表面的藥液供給步驟；在上述藥液供給步驟之後，將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體的清洗液供給步驟；在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，於在上述藥液 供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，朝向基板主表面將反應液含有液加以吐出的反應液供給步驟，該反應液含有液係至少於吐出開始時包含有藉由與在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液進行混合而發生發熱反應之反應液、及藉由與反應液混合而進行發熱之發熱液，且液溫為在第1溫度以下且在第2溫度以上；及上述反應液供給步驟並行，使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度的反應液濃度變更步驟。
根據此方法，第1溫度(供給至基板前之藥液溫度)之藥液被供給至基板主表面。然後，於藥液為殘留在基板之狀態下，將反應液含有液供給至基板主表面。供給至基板之反應液含有液係與殘留於基板的藥液混合。因此，殘留於基板之液體中之反應液含有液的比例變高，藥液濃度降低。較第1溫度低之第2溫度(供給至基板前之清洗液溫度)之清洗液，係在反應液含有液被供給至基板後，供給至基板主表面。藉此，沖洗殘留於基板的液體(含有藥液及反應液含有液的液體)。
吐出開始時之反應液含有液，係藉由混合反應液與發熱液所生成的混合液。反應液係因與藥液混合而發生發熱反應的液體。發熱液係因與反應液混合而發熱的液體。反應液係藉由與發熱液混合，而藉發熱液所加熱。
當反應液含有液之供給開始時，基板溫度逐漸接近反應液含有液之溫度。供給至基板前之反應液含有液之溫度為藥液溫度(第1溫度)以下，清洗液溫度(第2溫度)以上。反應液含有液係因與藥液混 合而發生發熱反應。因此，當於藥液為殘留在基板之狀態下將反應液含有液供給至基板主表面，則在反應液含有液之著液位置及其附近之位置發生發熱反應，使著液位置附近區域之基板的溫度降低量減低。因此，基板溫度徐緩地接近反應液含有液的溫度。
再者，由於反應液含有液所含之發熱液的比例較反應液含有液之吐出開始時減少，故較發熱液低溫之反應液的比例增加，其結果，反應液含有液之溫度降低。因此，較吐出開始時之反應液含有液低溫的反應液含有液被供給至基板主表面，反應液含有液之溫度逐漸接近清洗液溫度(第2溫度)。因此，在著液位置附近區域之基板溫度降低變得更緩慢。因此，相較於接著藥液供給而供給清洗液的情況，其可抑制基板之急遽且急速的溫度降低，可減低基板的變形量。
本發明之其他實施形態中，上述反應液濃度變更步驟亦可包含有：將反應液與發熱液之混合比，由發熱液之比例為大於反應液之比例的第1混合比加以變更為發熱液之比例為小於反應液之比例的第2混合比，藉此使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液之比例減少，而使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度的步驟。
根據此方法，發熱液之比例較大的反應液含有液係朝基板主表面吐出。其後，使朝基板所吐出之反應液含有液所含之發熱液的比例減少。因此，朝基板吐出之反應液含有液之溫度徐緩地大幅降低。因此，即使在藥液與清洗液之溫度差較大的情況、亦即第1溫度與第2溫度之差較大的情況，仍可使基板溫度徐緩且均勻地接近清洗液溫度。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板變形。
本發明之其他實施形態中，上述反應液濃度變更步驟亦 可包含有：使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少至零，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度的步驟。
根據此方法，使反應液含有液所含之發熱液的比例減少至零。因此，反應液含有液所含之發熱液消失，僅有反應液朝基板吐出。因此，朝基板吐出之反應液含有液的溫度徐緩地大幅降低，反應液含有液之溫度變化量增加。藉此，即使在藥液與清洗液之溫度差較大的情況，仍可使基板溫度徐緩且均勻地接近清洗液溫度。
本發明之其他實施形態中，在上述藥液供給步驟被供給至基板的藥液，係為反應藥液，與較反應藥液為高溫且藉由與反應藥液混合而發熱之發熱藥液的混合液，且吐出開始時之反應液含有液，亦可為作為反應液之反應藥液，與作為發熱液之發熱藥液的混合液。
根據此方法，藉由使較反應藥液(例如過氧化氫水)高溫之發熱藥液(例如硫酸)依既定混合比與反應藥液混合，而生成第1溫度之藥液。同樣地，藉由使發熱藥液依既定混合比與反應藥液混合，而生成反應液含有液。含有發熱藥液與反應藥液之反應液含有液，係於藥液為殘留在基板的狀態下，朝基板吐出。因此，反應液含有液所含之反應藥液與殘留於基板之藥液所含的發熱藥液混合，在反應液含有液之著液位置及其附近之位置發生發熱反應。因此，著液位置附近區域之基板溫度降低量減低。再者，由於使用含有與藥液相同成分藥液的液體、亦即與藥液之親和性高的液體作為反應液含有液，故可有效地混合藥液與反應液含有液。
本發明之其他實施形態中，在上述藥液供給步驟中被供給至基板的藥液，亦可為反應藥液，與較反應藥液為高溫且藉由與反 應藥液混合而發熱之發熱藥液的混合液。吐出開始時之反應液含有液，亦可為藉由與在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液進行混合而發生發熱反應之反應液，與作為包含有發熱藥液之發熱液的發熱藥液含有液的混合液。
根據此方法，藉由使較反應藥液(例如過氧化氫水)高溫之發熱藥液(例如硫酸)依既定混合比與反應藥液混合，而生成第1溫度之藥液。同樣地，藉由使作為含有發熱藥液之發熱液的發熱藥液含有液依既定混合比與反應液(例如純水)混合，而生成反應液含有液。含有反應液及發熱藥液含有液的反應液含有液，係於藥液為殘留在基板的狀態下，朝基板吐出。因此，反應液含有液所含之反應液與殘留於基板之藥液混合，在反應液含有液之著液位置及其附近之位置發生發熱反應。因此，著液位置附近區域之基板的溫度降低量減低。再者，由於使用含有與藥液相同成分藥液的液體作為反應液含有液，故可有效地混合藥液與反應液含有液。
本發明之其他實施形態中，反應液係亦可其組成為與在上述清洗液供給步驟中被供給至基板的清洗液相同，藉由與在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液進行混合而發生發熱反應的液體。上述反應液濃度變更步驟亦可包含有：使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少至零，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度低於吐出開始時之反應液含有液的溫度，並且使朝向基板被吐出之反應液含有液之組成與在上述清洗液供給步驟中被供給至基板之清洗液之組成產生一致的步驟。
根據此方法，反應液含有液所含之反應液組成係與清洗液相同，反應液含有液所含之發熱液的比例減少至零。因此，反應液 含有液所含之發熱液消失，僅有反應液、亦即與清洗液同種之液體朝基板吐出。因此，不僅反應液含有液之溫度徐緩地大幅降低，在清洗液供給步驟前殘留於基板之液體與清洗液的親和性提高。藉此，在反應液含有液之供給後供後清洗液，而可滑順地沖洗殘留於基板的液體。
本發明之其他實施形態為提供一種基板處理裝置，其包含有：將基板加以保持並使其旋轉之基板保持單元；朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將第1溫度之藥液加以吐出的藥液供給單元；朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液加以吐出的清洗液供給單元；反應液供給單元，其包含有：朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將反應液含有液加以吐出的反應液噴嘴，該反應液含有液係將藉由與藥液混合而發生發熱反應之反應液，與較反應液為高溫且藉由與反應液混合而發熱之發熱液加以混合而藉此加以生成，且液溫為在第1溫度以下且在第2溫度以上；及將於自上述反應液噴嘴所吐出之反應液含有液所含有之發熱液之比例加以變更的濃度變更單元；及控制上述基板保持單元、藥液供給單元、清洗液供給單元及反應液供給單元的控制裝置。
上述控制裝置係實行以下之步驟：將第1溫度之藥液供給至基板主表面的藥液供給步驟；在上述藥液供給步驟之後，將第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體的清洗液供給步驟；在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，將液溫為在第1溫度以下且在第2溫度以上的反應液含有液，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態，朝向基板主表面加以吐出的反應液供給步驟；及與上述反應液供給步驟並行，使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減 少，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度的反應液濃度變更步驟。根據此構成，控制裝置對基板處理裝置進行控制，藉此實行上述基板處理方法之各步驟。因此，可發揮與上述效果相同的效果。
本發明之上述或其他目的、特徵及效果，將參照隨附圖式而由下述實施形態之說明所闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉夾頭
6‧‧‧杯
7‧‧‧旋轉底盤
8‧‧‧夾銷
9‧‧‧旋轉軸
10‧‧‧旋轉馬達
11‧‧‧第1藥液噴嘴
12‧‧‧第1噴嘴臂
13‧‧‧第1噴嘴移動裝置
14‧‧‧第1藥液配管
15‧‧‧攪拌配管
16‧‧‧混合閥
17‧‧‧硫酸槽
18‧‧‧硫酸配管
19‧‧‧硫酸閥
20‧‧‧硫酸流量調整閥
21‧‧‧第1加熱器
22‧‧‧過氧化氫水槽
23‧‧‧第1過氧化氫水配管
24‧‧‧第1過氧化氫水閥
25‧‧‧第1過氧化氫水流量調整閥
26‧‧‧第2過氧化氫水配管
27‧‧‧第2過氧化氫水閥
28‧‧‧第2過氧化氫水流量調整閥
29‧‧‧第2藥液噴嘴
30‧‧‧第2噴嘴臂
31‧‧‧第2噴嘴移動裝置
33‧‧‧第2藥液配管
34‧‧‧第2藥液閥
36‧‧‧清洗液噴嘴
37‧‧‧第3噴嘴臂
38‧‧‧第3噴嘴移動裝置
39‧‧‧第1清洗液配管
40‧‧‧第1清洗液閥
41‧‧‧第1清洗液流量調整閥
42‧‧‧第2清洗液配管
43‧‧‧第2清洗液閥
44‧‧‧第2清洗液流量調整閥
45‧‧‧下表面噴嘴
45a‧‧‧吐出口
46‧‧‧加熱液配管
47‧‧‧加熱液閥
48‧‧‧加熱液流量調整閥
49‧‧‧加熱液加熱器
50‧‧‧圓板部
51‧‧‧筒狀部
52‧‧‧氣體流路
53‧‧‧氣體吐出口
54‧‧‧氣體配管
55‧‧‧氣體閥
56‧‧‧氣體流量調整閥
57‧‧‧氣體加熱器
58‧‧‧紅外線加熱器
58a‧‧‧照射面
59‧‧‧加熱器臂
60‧‧‧加熱器移動裝置
61‧‧‧紅外線燈
62‧‧‧燈箱
63‧‧‧圓環部
64‧‧‧鉛直部
65‧‧‧收容部
66‧‧‧底板部
67‧‧‧蓋構件
68‧‧‧支撐構件
245‧‧‧下表面噴嘴
271‧‧‧伸縮臂
272‧‧‧伸縮配管
273‧‧‧第1臂部
274‧‧‧第2臂部
275‧‧‧第1關節部
276‧‧‧第2關節部
277‧‧‧第1彈簧
278‧‧‧第2彈簧
279‧‧‧第1套管
280‧‧‧第1軸承
281‧‧‧第2套管
282‧‧‧第2軸承
283‧‧‧流體吐出口
311A‧‧‧中央噴嘴
311B‧‧‧中間噴嘴
311C‧‧‧周緣噴嘴
311a‧‧‧中央吐出口
311b‧‧‧中間吐出口
311c‧‧‧周緣吐出口
311X‧‧‧反應液噴嘴
311x‧‧‧吐出口
311Y‧‧‧反應液噴嘴
311y‧‧‧吐出口
384‧‧‧中央配管
385‧‧‧中央流量調整閥
386‧‧‧中間配管
387‧‧‧中間流量調整閥
388‧‧‧周緣配管
389‧‧‧周緣流量調整閥
390‧‧‧過氧化氫水配管
391‧‧‧過氧化氫水閥
392‧‧‧純水配管
393‧‧‧純水閥
394‧‧‧第4噴嘴臂
395‧‧‧第4噴嘴移動裝置
426‧‧‧純水配管
427‧‧‧純水閥
428‧‧‧純水流量調整閥
A1‧‧‧基板旋轉軸線
A2‧‧‧第1噴嘴旋轉軸線
A3‧‧‧第2噴嘴旋轉軸線
A4‧‧‧加熱器旋轉軸線
A5‧‧‧屈伸軸線
CR‧‧‧基板搬送機器人
V1‧‧‧第1藥液旋轉速度
V2‧‧‧第2藥液旋轉速度
V3‧‧‧清洗旋轉速度
V4‧‧‧第3藥液旋轉速度
V4a‧‧‧第3藥液旋轉速度
W‧‧‧基板
圖1為本發明第1實施形態之基板處理裝置的示意俯視圖。
圖2為由水平觀看本發明第1實施形態之基板處理裝置所具備之腔室之內部的示意圖。
圖3為旋轉底盤及與其相關之構成的示意俯視圖。
圖4為紅外線加熱器的縱剖面圖。
圖5為表示藉處理單元所進行之第1處理例之概略的時序圖。
圖6為第1處理例之一部分的具體時序圖。
圖7為表示藉處理單元所進行之第2處理例之一部分的具體時序圖。
圖8為表示藉處理單元所進行之第3處理例之一部分的具體時序圖。
圖9為表示藉處理單元所進行之第4處理例之一部分的具體時序圖。
圖10為本發明第2實施形態之旋轉夾頭的俯視圖。
圖11為本發明第2實施形態之旋轉夾頭的正面圖。
圖12為表示下表面噴嘴之示意俯視圖。
圖13為表示下表面噴嘴內部構造的示意剖面圖。
圖14為表示藉處理單元所進行之第5處理例之一部分的具體時序圖。
圖15為由水平觀看本發明第3實施形態之基板處理裝置所具備之腔室之內部的示意圖。
圖16為表示藉處理單元所進行之第6處理例之一部分的具體時序圖。
圖17為表示反應液噴嘴之變形例的示意俯視圖。
圖18為表示反應液噴嘴之其他變形例的示意俯視圖。
圖19為由水平觀看本發明第4實施形態之基板處理裝置所具備之腔室之內部的示意圖。
圖20為表示藉處理單元所進行之第7處理例之概略的時序圖。
圖21為第7處理例之一部分的具體時序圖。
圖1為本發明第1實施形態之基板處理裝置1的示意俯視圖。圖2為由水平觀看本發明第1實施形態之基板處理裝置所具備之腔室4之內部的示意圖。圖3為旋轉底盤7及與其相關之構成的示意俯視圖。圖4為紅外線加熱器58的縱剖面圖。
如圖1所示般，基板處理裝置1係對半導體晶體等之圓板狀基板W依逐片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1具備：藉處理液或處理氣體對基板W進行處理的複數之處理單元2；對各處理單元2之腔室4進行基板W之搬入及搬出的基板搬送機器人CR；與控制基板處理裝置1所具備之裝置的動作或閥之開閉等的控制裝置3。
如圖2所示，各處理單元2為單片式之單元。各處理單 元2包含：具有內部空間之箱形腔室4，於腔室4內以水平姿勢保持一片基板W，於通過基板W中心之鉛直之基板旋轉軸線A1周圍使基板W旋轉的旋轉夾頭5；將藥液或清洗液等之處理液供給至保持於旋轉夾頭5之基板W的處理液供給裝置；對保持於旋轉夾頭5之基板W由基板W上方進行加熱的加熱裝置；與在基板旋轉軸線A1周圍包圍旋轉夾頭5的筒狀之杯6。
如圖2所示，相當於基板保持單元之旋轉夾頭5，係包含：依水平姿勢所保持之圓板狀的旋轉底盤7；由旋轉底盤7上表面外周部朝上方突出之複數的夾銷8；與使複數之夾銷8開閉之未圖示的夾具開閉機構。旋轉夾頭5係進一步包含：由旋轉底盤7之中央部沿著基板旋轉軸線A1延伸至下方的旋轉軸9；藉由使旋轉軸9旋轉而使旋轉底盤7及夾銷8於基板旋轉軸線A1周圍旋轉的旋轉馬達10。
如圖2所示，旋轉底盤7之外徑大於基板W直徑。旋轉底盤7之中心線係配置於基板旋轉軸線A1上。複數之夾銷8係於旋轉底盤7之外周部保持於旋轉底盤7。複數之夾銷8係於周方向(基板旋轉軸線A1周圍之方向)上隔著間隔而配置。夾銷8係在夾銷8按壓基板W周端面之閉位置、與夾銷8由基板W周端面離開之開位置之間，於鉛直之銷轉動軸線周圍可相對於旋轉底盤7進行旋轉。夾具開閉機構係使夾銷8於銷轉動軸線周圍轉動。
控制裝置3係藉由控制夾具開閉機構，而在複數之夾銷8把持基板W的閉狀態、與解除由複數之夾銷8對基板W之把持的開狀態之間，切換複數之夾銷8的狀態。在基板W被搬送至旋轉夾頭5時，控制裝置3係使各夾銷8退避至開位置。於此狀態，控制裝置3係藉由使基板搬送機器人CR動作，將基板W載置於複數之夾銷8。 其後，控制裝置3使各夾銷8移動至閉位置。藉此，依基板W下表面與旋轉底盤7上表面於上下方向上離開的狀態，基板W由複數之夾銷8所把持。於此狀態，在控制裝置3使旋轉馬達10旋轉時，基板W係與旋轉底盤7及夾銷8一起於基板旋轉軸線A1周圍進行旋轉。
如圖2所示，處理單元2係包含：將SPM(含有H2SO4與H2O2的混合液)等藥液朝基板W上表面吐出的第1藥液噴嘴11；於前端部安裝著第1藥液噴嘴11的第1噴嘴臂12；與藉由使第1噴嘴臂12移動，而使第1藥液噴嘴11移動的第1噴嘴移動裝置13。
如圖2所示，兼為反應液噴嘴之第1藥液噴嘴11係依向內姿勢保持於第1噴嘴臂12。所謂向內姿勢，係依使處理液著液於較處理液吐出口更靠內方(基板旋轉軸線A1側)之位置的方式，朝相對於基板W上表面呈傾斜之吐出方向吐出處理液的姿勢。第1藥液噴嘴11並不侷限於向內姿勢，亦可依朝垂直於基板W上表面之方向吐出處理液的垂直姿勢而保持於第1噴嘴臂12，或可依使處理液著液於較處理液吐出口更靠外方(基板旋轉軸線A1之相反側)之位置的方式，以朝相對於基板W上表面呈傾斜之吐出方向吐出處理液的向外姿勢保持於第1噴嘴臂12。
如圖3所示，第1噴嘴移動裝置13係藉由在旋轉夾頭5周圍於朝鉛直方向延伸之第1噴嘴旋轉軸線A2周圍使第1噴嘴臂12轉動，而於俯視下沿著通過基板W上表面中央部之軌跡使第1藥液噴嘴11水平移動。第1噴嘴移動裝置13係於由第1藥液噴嘴11所吐出之藥液著液於基板W上表面之處理位置、與第1藥液噴嘴11在俯視下退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置(圖3所示位置)之間，使第1藥液噴嘴11水平移動。再者，第1噴嘴移動裝置13係於由第1藥液噴嘴 11所吐出之藥液著液於基板W上表面中央部的中央位置、由第1藥液噴嘴11所吐出之藥液著液於基板W上表面中間部之中間位置、與由第1藥液噴嘴11所吐出之藥液著液於基板W上表面周緣部的周緣位置之間，使第1藥液噴嘴11水平移動。中央位置、中間位置、及周緣位置均為處理位置。
基板W之上表面中央部係包含上表面中心的圓形區域，基板W之上表面周緣部係包含上表面外緣的環狀區域。基板W之上表面中間部係上表面中央部之外緣與上表面周緣部之內緣間的環狀區域。基板W之上表面中央部、上表面中間部、及上表面周緣部的寬度一例，係如下述。中央部之寬度(自基板W中心至中央部外線的徑方向的距離)：基板W之半徑的5/15。中間部之寬度(自中間部內緣至中間部外緣的徑方向的距離)：基板W之半徑的9/15。周緣部之寬度(自周緣部內緣至周緣部外緣的徑方向的距離)：基板W之半徑的1/15。此等比例僅為一例，並不妨礙其他比例的應用。
如圖2所示，處理單元2係包含：將SPM等藥液引導至第1藥液噴嘴11的第1藥液配管14；攪拌第1藥液配管14內之硫酸及過氧化氫水的攪拌配管15；將供給至第1藥液配管14之硫酸及過氧化氫水於攪拌配管15之上游進行混合的混合閥16。
如圖2所示，處理單元2包含：收容作為發熱藥液一例之硫酸(液體)的硫酸槽17；藉由對硫酸進行加熱，而將硫酸槽17內之硫酸溫度維持於高於室溫之溫度(60~90℃之範圍內的一定溫度，例如80℃)的第1加熱器21；將硫酸槽17內之硫酸引導至混合閥16的硫酸配管18；對硫酸配管18內部進行開閉的硫酸閥19；使由硫酸配管18供給至混合閥16之硫酸流量增減的硫酸流量調整閥20。雖未圖示，硫 酸流量調整閥20係包含：內部設有閥座之閥體；對閥座進行開閉的閥盤；與在開位置與閉位置之間使閥盤移動的致動器。關於其他之流量調整閥亦同樣。
如圖2所示，處理單元2包含：收容作為反應藥液一例之過氧化氫水的過氧化氫水槽22；將過氧化氫水槽22內之室溫(20~30℃範圍內，例如25℃)之過氧化氫水引導至混合閥16的第1過氧化氫水配管23；對第1過氧化氫水配管23內部進行開閉的第1過氧化氫水閥24；使由第1過氧化氫水配管23供給至混合閥16之過氧化氫水流量增減的第1過氧化氫水流量調整閥25。
如圖2所示，處理單元2進一步包含：將過氧化氫水槽22內之過氧化氫水引導至第1藥液配管14內的第2過氧化氫水配管26；對第2過氧化氫水配管26內部進行開關的第2過氧化氫水閥27；使由第2過氧化氫水配管26供給至第1藥液配管14之過氧化氫水流量增減的第2過氧化氫水流量調整閥28。第2過氧化氫水配管26之上游端，係於較第1過氧化氫水閥24及第1過氧化氫水流量調整閥25更靠上游側的位置連接於第1過氧化氫水配管23，且第2過氧化氫水配管26之下游端，係在較攪拌配管15更靠上游側的位置連接於第1藥液配管14。
在硫酸閥19打開時，高溫之硫酸係依對應於硫酸流量調整閥20之開度的流量，由硫酸配管18供給至混合閥16。又，在第1過氧化氫水閥24打開時，過氧化氫水槽22內之室溫之過氧化氫水係依對應於第1過氧化氫水流量調整閥25之開度的流量，由第1過氧化氫水配管23供給至混合閥16。藉此，硫酸及過氧化氫水係依既定比例(將硫酸之比例設為「X1」、將過氧化氫水之比例設為「Y1」時，為例 如X1>Y1)供給至混合閥16。
被供給至混合閥16之硫酸及過氧化氫水，係經由攪拌配管15由第1藥液配管14供給至第1藥液噴嘴11。此過程中，硫酸及過氧化氫水於混合閥16進行混合，且由攪拌配管15所攪拌。藉此，硫酸及過氧化氫水均勻混合，由於硫酸及過氧化氫水之反應而硫酸及過氧化氫水之混合液(SPM)被加熱至較混合前之硫酸及過氧化氫水之溫度高的第1溫度(100℃以上，例如160℃)。因此，藉由硫酸及過氧化氫水之混合所生成的高溫(第1溫度)SPM由第1藥液噴嘴11吐出。SPM係含有強氧化力之過氧單硫酸(Peroxymonosulfuric acid)的混合藥液。
另外，在硫酸閥19及第1過氧化氫水閥24關閉、且第2過氧化氫水閥27打開時，過氧化氫水槽22內之室溫之過氧化氫水係避開混合閥16而由第2過氧化氫水配管26流至第1藥液配管14。藉此，室溫之過氧化氫水係依對應至第2過氧化氫水流量調整閥28之開度的流量，由第2過氧化氫水配管26供給至第1藥液配管14。然後，供給至第1藥液配管14之室溫之過氧化氫水，係由第1藥液噴嘴11吐出。
如圖2所示，處理單元2係包含：將SC1(含有NH4OH與H2O2的混合液)等藥液朝基板W上表面吐出的第2藥液噴嘴29；於前端部安裝著第2藥液噴嘴29的第2噴嘴臂30；與藉由使第2噴嘴臂30移動，而使第2藥液噴嘴29移動的第2噴嘴移動裝置31。圖2例示了第2藥液噴嘴29依向內姿勢保持於第2噴嘴臂30的例子。第2藥液噴嘴29並不侷限於向內姿勢，亦可依垂直姿勢或向外姿勢保持於第2噴嘴臂30。
如圖3所示，第2噴嘴移動裝置31係藉由在旋轉夾頭5周圍於朝鉛直方向延伸之第2噴嘴旋轉軸線A3周圍使第2噴嘴臂30轉動，而於俯視下沿著通過基板W上表面中央部之軌跡使第2藥液噴嘴29水平移動。第2噴嘴移動裝置31係於由第2藥液噴嘴29所吐出之藥液著液於基板W上表面之處理位置、與第2藥液噴嘴29在俯視下退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使第2藥液噴嘴29水平移動。再者，第2噴嘴移動裝置31係於中央位置、中間位置、與周緣位置之間，使第2藥液噴嘴29水平移動。
如圖2所示，處理單元2包含：將較SPM溫度(第1溫度)低且高於室溫之溫度(例如30~50℃)的SC1引導至第2藥液噴嘴29的第2藥夜配管33；與對第2藥液配管33內部進行開閉的第2藥液閥34。在第2藥液閥34打開時，來自第2藥液供給源的SC1係由第2藥液配管33供給至第2藥液噴嘴29。藉此，例如40℃之SC1(液體)由第2藥液閥29吐出。
如圖2所示，處理單元2係包含：將清洗液朝基板W上表面吐出的清洗液噴嘴36；於前端部安裝著清洗液噴嘴36的第3噴嘴臂37；與藉由使第3噴嘴臂37移動，而使清洗液噴嘴36移動的第3噴嘴移動裝置38。圖2例示了清洗液噴嘴36依向內姿勢保持於第3噴嘴臂37的例子。清洗液噴嘴36並不侷限於向內姿勢，亦可依垂直姿勢或向外姿勢保持於第3噴嘴臂37。
雖未圖示，第3噴嘴移動裝置38係藉由在旋轉夾頭5周圍於朝鉛直方向延伸之第3噴嘴旋轉軸線周圍使第3噴嘴臂37轉動，而於俯視下沿著通過基板W上表面中央部之軌跡使清洗液噴嘴36水平移動。第3噴嘴移動裝置38係於由清洗液噴嘴36所吐出之清洗 液著液於基板W上表面之處理位置、與清洗液噴嘴36在俯視下退避至旋轉夾頭5周圍的退避位置之間，使清洗液噴嘴36水平移動。進而，第3噴嘴移動裝置38係於中央位置、中間位置、與周緣位置之間，使清洗液噴嘴36水平移動。
如圖2所示，處理單元2包含：將來自清洗液供給源之清洗液引導至清洗液噴嘴36的第1清洗液配管39；對第1清洗液配管39內部進行開閉的第1清洗液閥40；使由第1清洗液配管39供給至清洗液噴嘴36之清洗液流量增減的第1清洗液流量調整閥41。處理單元2進一步包含：將來自清洗液供給源之清洗液引導至清洗液噴嘴36的第2清洗液配管42；對第2清洗液配管42內部進行開閉的第2清洗液閥43；使由第2清洗液配管42供給至清洗液噴嘴36之清洗液流量增減的第2清洗液流量調整閥44。
在第1清洗液閥40打開時，室溫(例如25℃)之清洗液係依對應至第1清洗液流量調整閥41之開度的流量，由清洗液噴嘴36吐出。同樣地，在第2清洗液閥43打開時，室溫(例如25℃)之清洗液係依對應至第2清洗液流量調整閥44之開度的流量，由清洗液噴嘴36吐出。由清洗液噴嘴36吐出之清洗液，為純水(去離子水：Deionized water)。供給至清洗液噴嘴36之清洗液並不限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)或稀釋濃度(例如10~100ppm左右)的鹽酸水等。
第1清洗液流量調整閥41之開度，可大於或小於第2清洗液流量調整閥44的開度，亦可與第2清洗液流量調整閥44的開度相等。在第1清洗液流量調整閥41及第2清洗液流量調整閥44的開度相異時，藉由第1清洗液閥40及第2清洗液閥43的切換，可於 不致改變第1清洗液流量調整閥41及第2清洗液流量調整閥44之開度之下，而變更由清洗液噴嘴36所吐出的清洗液流量。
如圖2所示，處理單元2包含：將加熱液朝基板W下表面中央部吐出的下表面噴嘴45；將加熱液引導至下表面噴嘴45的加熱液配管46；對加熱液配管46內部進行開閉的加熱液閥47；使由加熱液配管46供給至下表面噴嘴45之加熱液流量增減的加熱液流量調整閥48；與將由加熱液配管46供給至下表面噴嘴45之加熱液進行加熱至較SPM溫度(第1溫度)低且高於室溫之溫度(例如50~90℃)的加熱液加熱器49。
在加熱液閥47打開時，來自加熱液供給源之加熱液係依對應至加熱液流量調整閥48之開度的流量，由加熱液配管46供給至下表面噴嘴45。藉此，作為加熱流體(加熱液)一例之高溫(例如60℃)的加熱液，由下表面噴嘴45所吐出。如圖2所示，供給至下表面噴嘴45之加熱液為純水。供給至下表面噴嘴45之加熱液的種類並不限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)或稀釋濃度(例如10~100ppm左右)的鹽酸水等。
如圖2及圖3所示，下表面噴嘴45包含：在旋轉底盤7之上表面中央部與基板W之下表面中央部之間的高度，依水平姿勢配置的圓板部50；與由圓板部50朝下方延伸的筒狀部51。來自加熱液配管46的加熱液係供給至筒狀部51內部，由在圓板部50上表面開口之吐出口45a朝上吐出。圓板部50及筒狀部51係未接觸於旋轉軸9等之旋轉部，下表面噴嘴45係固定於一定位置。筒狀部51係配置於筒狀之旋轉軸9內。旋轉軸9之內周面係於徑方向上隔著間隔而在筒狀部51外周面依全周予以包圍。如圖2所示，旋轉軸9之內周面與筒 狀部51之外周面，係形成了沿著基板旋轉軸線A1延伸的筒狀的氣體流路52。作為氣體吐出口53之氣體流路52的上端，係於旋轉底盤7之上表面中央部呈開口。
如圖2所示，處理單元2包含：將來自氣體供給源之氣體引導至氣體流路52氣體配管54；對氣體配管51內部進行開閉的氣體閥55；使由氣體配管54供給至氣體流路52之氣體流量增減的氣體流量調整閥56；與將由氣體配管54供給至氣體流路52之氣體進行加熱至較SPM溫度(第1溫度)低且高於室溫之溫度(例如50~90℃)的氣體加熱器57。
在氣體閥55打開時，來自氣體供給源之氣體係依對應至氣體流量調整閥56之開度的流量，由氣體配管54供給至氣體流路52。供給至氣體流路52之氣體係於氣體流路52內流動至上方，由氣體吐出口53吐出至上方。然後，由氣體吐出口53吐出之氣體，係在基板W下表面與旋轉底盤7上表面之間放射狀地擴展。藉此，基板W下表面與旋轉底盤7上表面之間的空間被作為加熱流體(加熱氣體)一例的高溫(例如80℃)氣體所充滿。由氣體吐出口53吐出之氣體，係惰性氣體之一例的氮氣。氣體並不限於氮氣，亦可為氮氣以外的惰性氣體，或可為水蒸氣等其他氣體。
如圖2所示，杯6係配置於較旋轉夾頭5所保持之基板W更靠外方。杯6包圍著旋轉底盤7。在依旋轉夾頭5使基板W旋轉之狀態下將處理液供給至基板W時，處理液由基板W飛散至基板W周圍。在處理液供給至基板W時，向上開放之杯6之上端部係配置於較旋轉底盤7更上方。因此，由基板W周圍所排出之藥液或清洗液等處理液係由杯6所承接。然後，由杯6承接之處理液被送至未圖示的 回收裝置或排液裝置。
如圖2所示，加熱裝置係包含：配置在保持於旋轉夾頭5之基板W上方的紅外線加熱器58；前端部安裝有紅外線加熱器58的加熱器臂59；與藉由使加熱器臂59移動，而使紅外線加熱器58移動的加熱器移動裝置60。
如圖2所示，紅外線加熱器58包含：發出含紅外線之光的紅外線燈61；與收容紅外線燈61之燈箱62。紅外線燈61配置於燈箱62內。如圖3所示，燈箱62於俯視下小於基板W。因此，紅外線加熱器58係於俯視下小於基板W。紅外線燈61及燈箱62係安裝於加熱器臂59。因此，紅外線燈61及燈箱62係與加熱器臂一起移動。
如圖4所示，紅外線燈61係連接於控制裝置3。供給至紅外線燈61的電力係由控制裝置3所調整。紅外線燈61為例如鹵素燈。紅外線燈61亦可為碳加熱器等其他發熱體，以取代鹵素燈。紅外線燈61係包含燈絲、與收容燈絲的石英管。燈箱62之至少一部分為由石英等具有光穿透性及耐熱性的材料所形成。因此，在紅外線燈61發光時，來自紅外線燈61之光將穿透燈箱62而由燈箱62外面射出至外方。
如圖4所示，燈箱62係具有與基板W上表面平行的底壁。紅外線燈61係配置於底壁上方。底壁之下表面包含與基板W上表面平行且平坦之基板對向面58a。在紅外線加熱器58配置於基板W上方的狀態下，紅外線加熱器58之基板對向面58a係隔著間隔而與基板W上表面於上下方向上呈相對向。若於此狀態下紅外線燈61發光，則含有紅外線之光係由基板對向面58a朝基板W上表面，照射至基板W上表面。基板對向面58a為例如直徑小於基板W半徑的圓形。基板 對向面58a並不限於圓形，亦可為長度方向之長度為基板W半徑以上且未滿基板W半徑的矩形狀，或可為圓形及矩形以外的形狀。
如圖4所示，紅外線燈61係包含：沿著水平面配置之有端的圓環部63；與由圓環部63之一端部及另一端部朝上方延伸之一對的鉛直部64。燈箱62係包含使紅外線穿透的穿透構件。穿透構件包含：於上下方向延伸的筒狀的收容部65；與封閉收容部65下端之圓板狀的底板部66。燈箱62進一步包含：封閉收容部65上端的蓋構件67；與支撐紅外線燈61之一對鉛直部64的支撐構件68。紅外線燈61係經由支撐構件68而支撐於蓋構件67。紅外線燈61之圓環部63係配置於藉由收容器65與底板部66與蓋構件67所畫分的空間中。底板路66配置於紅外線燈61下方，隔著間隔而於上下方向上與紅外線燈61相對向。
如圖2所示，加熱器移動裝置60係依既定高度保持著紅外線加熱器58。如圖3所示，加熱器移動裝置60係藉由在旋轉夾頭5周圍於朝鉛直方向延伸之加熱器旋轉軸線A4周圍使加熱器臂59轉動，而紅外線加熱器58水平移動。藉此，照射紅外線之照射位置(基板W上表面內之一部分區域)於基板W上表面內移動。加熱器移動裝置60係使紅外線加熱器58於俯視下沿著通過基板W中心之軌跡水平移動。因此，紅外線加熱器58係於包含旋轉夾頭5上方之水平面內移動。又，加熱器移動裝置60係藉由使紅外線加熱器58於鉛直方向上移動，而改變基板對向面58a與基板W間的距離。
如圖4所示，來自紅外線加熱器58之光照射至基板W上表面內之照射位置。控制裝置3係於紅外線加熱器58發出紅外線的狀態下，一方面藉由旋轉夾頭5使基板W旋轉，一方面藉加熱器移動 裝置60使紅外線加熱器58於加熱器轉動軸線A4周圍轉動。藉此，基板W上表面被作為加熱位置之照射位置所掃描。因此，在紅外線燈61依處理液等液體被保持於基板W上之狀態發出紅外線時，基板W及處理液的溫度上升。
「第1處理例」
圖5為表示藉處理單元2所進行之第1處理例之概略的時序圖。圖6為第1處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖2及圖5，說明將不需要之抗蝕劑圖案由基板W去除之抗蝕劑去除步驟。並適當參照圖6。
在藉處理單元2對基板W進行處理時，係進行將基板W搬入至腔室4內的搬入步驟(圖5之步驟1)。具體而言，控制裝置3係於所有噴嘴等由旋轉夾頭5上方退避的狀態下，使保持著基板W之基板搬送機器人CR之手部進入至腔室4內。然後，控制裝置3藉由基板搬送機器人CR將基板W載置於複數之夾銷8上。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部由腔室4內退避。又，控制裝置3係在將基板W載置於複數之夾銷8上後，使各夾銷8由開位置移動至閉位置。其後，控制裝置3藉由旋轉馬達10使基板W之旋轉開始。
接著，進行將作為第1藥液一例之高溫(第1溫度)的SPM供給至基板W的第1藥液供給步驟(圖5之步驟S2)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使基板W加速至第1藥液旋轉速度V1(參照圖6)，依第1藥液旋轉速度V1使基板W旋轉。亦即，控制裝置3係將基板W之旋轉速度維持為第1藥液旋轉速度V1。再者，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11由退避 位置移動至處理位置。藉此，第1藥液噴嘴11配置於基板W上方。其後，控制裝置3打開硫酸閥19及第1過氧化氫水閥24，將第1溫度(例如160℃)之SPM朝依第1藥液旋轉速度V1旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，於此狀態下使對基板W上表面之SPM的著液位置於中央部與周緣部之間移動。
由第1藥液噴嘴11所吐出之SPM，係在著液於基板W上表面後，因離心力而沿基板W上表面流動至外方。因此，SPM供給至基板W上表面全域，於基板W上形成覆蓋基板W上表面全域的SPM液膜。藉此，抗蝕劑膜與SPM進行化學反應，基板W上之抗蝕劑膜藉SPM由基板W所去除。再者，控制裝置3係於基板W旋轉中之狀態下，使SPM對於基板W上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SPM之著液位置係通過基板W上表面全域，掃描基板W上表面全域。因此，由第1藥液噴嘴11所吐出之SPM被供給至基板W上表面全域，對基板W上表面全域進行均勻處理。
接著，進行依停止了SPM吐出的狀態而將SPM液膜保持於基板W上的液置(puddle)步驟(圖5之步驟S3)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，依基板W上表面全域被SPM液膜覆蓋的狀態，使基板W減速至較第1藥液供給步驟中之基板W旋轉速度(第1藥液旋轉速度V1)小的第2藥液旋轉速度V2(參照圖6)，使基板W依第2藥液旋轉速度V2旋轉。因此，施加至基板W上SPM的離心力變弱，由基板W上排出之SPM的流量減少。控制裝置3係依基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉之狀態，關閉硫酸閥19及第1過氧化氫水閥24，使來自第1藥液噴嘴11之SPM的吐出停止。藉此， 依SPM吐出停止的狀態，覆蓋基板W上表面全域之SPM液膜被保持於基板W上。控制裝置3係在停止SPM吐出後，藉由控制第1噴嘴移動裝置13，而使第1藥液噴嘴11於基板W上方待機。
另外，藉由紅外線加熱器58對基板W及基板W上之SPM依較供給至基板W前之SPM溫度(第1溫度)更高溫的加熱溫度進行加熱的加熱步驟(圖5之步驟S4)，係與第1藥液供給步驟(圖5之步驟S2)及液置步驟(圖5之步驟S3)並行進行。具體而言，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置60，使紅外線加熱器58由退避位置移動至處理位置。藉此，紅外線加熱器58配置於基板W上方。其後，控制裝置3使紅外線加熱器58開始發光。藉此，紅外線加熱器58之溫度上升至SPM之其濃度下的沸點以上的加熱溫度(例如200℃以上)，並維持於加熱溫度。
在紅外線加熱器58於基板W上方開始發光後，控制裝置3係藉由加熱器移動裝置60使紅外線加熱器58移動，而使對基板W上表面之紅外線的照射位置於基板W上表面內移動。然後，控制裝置3係在進行了既定時間之由紅外線加熱器58對基板W的加熱後，於基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉、且覆蓋基板W上表面全域之SPM液膜被保持於基板W上的狀態下，使紅外線加熱器58停止發光。其後，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置60，使紅外線加熱器58由基板W上方退避。又，紅外線加熱器58之發光與移動可同時進行，亦可於發光後再開始移動。
如此，控制裝置3係在使基板W旋轉的狀態下，使紅外線對基板W上表面之照射位置於基板W上表面內移動，故基板W被均勻加熱。因此，覆蓋基板W上表面全域之SPM液膜亦被均勻加 熱。由紅外線加熱器58進行之基板W的加熱溫度，係設定為SPM其濃度下之沸點以上的溫度。因此，基板W上之SPM被加熱至其濃度下之沸點。尤其是在由紅外線加熱器58進行之基板W的加熱溫度設定為較SPM其濃度下之沸點更高溫的情況，基板W與SPM之界面的溫度被維持為較沸點高溫，而促進自基板W的異物(抗蝕劑膜)去除。
接著，並行進行：依供給至基板W前之溫度低於SPM溫度(第1溫度)、且為於後述第1清洗液供給步驟(圖5之步驟S7)中供給至基板W之清洗液溫度(第2溫度)以上、因與硫酸混合而發生發熱反應的反應液一例的過氧化氫水，供給至基板W的反應液供給步驟(圖5之步驟S5)；與供給至基板W前之溫度較SPM溫度(第1溫度)低、且較清洗液溫度(第2溫度)高之第1中間溫度之加熱流體一例的純水，供給至基板W下表面的第1溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S6)。
關於反應液供給步驟，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11位於由第1藥液噴嘴11吐出之處理液著液於基板W上表面中央部之中間位置。其後，控制裝置3打開第2過氧化氫水閥27，將室溫之過氧化氫水，朝以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。藉此，於基板W上表面中間部開始供給較基板W及SPM低溫的過氧化氫水。
如圖6所示，在基板W之上表面中間部開始過氧化氫水之供給後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，在基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉之狀態下，使第1藥液噴嘴11由中間位置移動至中央位置。藉此，過氧化氫水之著液位置由基板W上表面中間部移動至上表面中央部。其後，控制裝置3關閉第2過氧化氫水閥27，使來自第1藥液噴嘴11之過氧化氫水的吐出停止。接著，控制裝 置3藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11退避至基板W上方。
關於第1溫度降低抑制步驟，控制裝置3係將第1中間溫度(例如高於室溫之溫度)的純水，朝向以第2藥液旋轉速度V2旋轉之基板W下表面由下表面噴嘴45吐出。由下表面噴嘴45吐出之純水，係在著液於基板W下表面中央部後，因離心力而沿著基板W下表面向外方流動至基板W周緣。藉此，純水被供給至基板W下表面全域。因此，抑制基板W及SPM的溫度降低。控制裝置3係在打開加熱液閥47並經過既定時間時，關閉加熱液閥47使來自下表面噴嘴45之純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由對氣體閥55進行開閉，使氮氣暫時地由氣體吐出口53吐出。藉此，由基板W與旋轉底盤7之間排出純水。
於反應液供給步驟中，較供給至基板W之SPM低溫的過氧化氫水，係朝基板W上表面中央部由第1藥液噴嘴11吐出。著液於基板W上表面中央部之過氧化氫水，係在基板W上由著液位置擴展至著液位置之周圍。再者，基板W上之過氧化氫水係一方面於基板W上在周方向上流動至旋轉方向之下游側，一方面朝基板W之周緣於基板W上流動至外方。藉此，過氧化氫水被供給至由SPM液膜所覆蓋的基板W上表面全域。因此，由第1藥液噴嘴11吐出之過氧化氫水，係一方面奪取較過氧化氫水高溫之基板W及SPM的熱、一方面於基板W上流動。
基板W上之SPM的一部分，係因過氧化氫水之供給而由基板W周緣被排出至其周圍，藉杯6所承接。又，基板W上殘留之SPM被過氧化氫水稀釋，濃度逐漸降低。因此，基板W上表面全 域被含有SPM與過氧化氫水的液膜覆蓋，該液膜中之過氧化氫水的比例逐漸增加。因此，SPM中之硫酸濃度逐漸降低。
由於較基板W及SPM低溫之過氧化氫水被供給至基板W，故基板W及SPM之溫度(尤其是著液位置及其附近之溫度)降低。然而，由於SPM所含之硫酸係因與過氧化氫水的反應而發熱，故抑制或防止於著液位置之基板W及SPM的大幅溫度降低。再者，由於與反應液供給步驟並行第1溫度降低抑制步驟，故減低著液位置之基板W及SPM的溫度降低量。因此，可抑制著液位置與其他位置間之基板W之溫度差增加。藉此，可抑制以溫度差為起因的基板W變形，可減低基板W的應變量。
反應液供給步驟中，基板W及SPM的溫度係因作為反應液之過氧化氫水的供給而逐漸降低。因此，基板W及SPM與過氧化氫水間之溫度差係在過氧化氫水供給開始時為最大。過氧化氫水之供給係在周速大於基板W上表面中央部的基板W上表面中間部開始。因此，相較於在基板W上表面中央部開始供給過氧化氫水的情況，其每單位面積之過氧化氫水的供給流量較少。因此，可抑制或防止著液位置之基板W及SPM的溫度因多量之過氧化氫水供給而急遽且急速降低的情形。再者，由於著液於基板W上表面中央部之過氧化氫水，係經由基板W上表面周緣部而被排出至基板W周圍，故相較於在基板W上表面周緣部開始供給過氧化氫水的情況，其過氧化氫水於基板W上之滯留時間較長。因此，可有效利用過氧化氫水。
另外，如圖2所示，第1藥液噴嘴11係向內地吐出過氧化氫水。因此，由第1藥液噴嘴11吐出之過氧化氫水係於基板W上主要由著液位置朝內方流動。因此，相較於使第1藥液噴嘴11朝基板 上表面之垂直方向吐出過氧化氫水的情況、或第1藥液噴嘴11向外吐出過氧化氫水的情況，其可依短時間使過氧化氫水擴展至較著液位置更內方的區域。再者，由於相較於此等情況，由著液位置流動至內方的過氧化氫水的流量增加，故基板上之過氧化氫水的滯留時間增加。因此，可有效利用過氧化氫水。
接著，進行將作為第2溫度之清洗液一例的室溫之純水供給至基板W的第1清洗液供給步驟(圖5之步驟S7)。具體而言，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36由退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置3係打開第1清洗液閥40，將室溫之純水朝基板W上表面中央部由清洗液噴嘴36吐出。再者，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使基板W加速至較第1藥液旋轉速度V1及第2藥液旋轉速度V2更大的清洗旋轉速度V3(參照圖6)，依清洗旋轉速度V3使基板W旋轉。然後，在第1清洗液閥40打開經過既定時間時，控制裝置3係關閉第1清洗液閥40，使來自清洗液噴嘴36的純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36由基板W上方退避。
由清洗液噴嘴36所吐出之純水，係著液於由藥液或反應液所覆蓋之基板W上表面中央部。因此，基板W上之藥液係由中央部推流至其周圍。著液於基板W上表面中央部的純水，係因離心力而沿著基板W上表面流動至外方。同樣地，基板W上之藥液係因離心力而沿著基板W上表面流動至外方。再者，由於使基板W依較第1藥液旋轉速度V1及第2藥液旋轉速度V2大的清洗旋轉速度V3旋轉，故對基板W上之液體施加較第1藥液供給步驟及反應液供給步驟時更大的離心力。因此，純水之液膜由基板W中央部瞬間擴展至基板W周 緣，基板W上之藥液於短時間內被純水所置換。藉此，基板W上之藥液被純水所沖洗。
接著，並行進行：依供給至基板W前之溫度低於SPM溫度(第1溫度)、且高於清洗液溫度(第2溫度)的第2藥液一例的SC1，供給至基板W的第2藥液供給步驟(圖5之步驟S8)；與供給至基板W前之溫度較SPM溫度(第1溫度)低、且較清洗液溫度(第2溫度)高之第2中間溫度之加熱流體一例的純水，供給至基板W下表面的第2溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S9)。
關於第2藥液供給步驟，控制裝置3係藉由控制第2噴嘴移動裝置31，使第2藥液噴嘴29由退避位置移動至處理位置。控制裝置3係在使第2藥液噴嘴29配置於基板W上方後，打開第2藥液閥34，將SC1朝旋轉狀態之基板W上表面由第2藥液噴嘴29吐出。控制裝置3係藉由於此狀態下控制第2噴嘴移動裝置31，使SC1對於基板W上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動。然後，在打開第2藥液閥34經過既定時間後，控制裝置3係關開第2藥液閥34使SC1吐出停止。其後，控制裝置3藉由控制第2噴嘴移動裝置31，使第2藥液噴嘴29退避至基板W上方。
由第2藥液噴嘴29所吐出之SC1，係著液於基板W上表面後，因離心力而沿著基板W上表面流動至外方。因此，基板W上之純水被SC1推流至外方，而排出至基板W周圍。藉此，基板W上之純水之液膜，被置換為覆蓋基板W上表面全域的SC1液膜。再者，由於控制裝置3係在基板W旋轉中之狀態下，使SC1對基板W上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SC1之著液位置係通過基板W上表面全域，掃描基板W上表面全域。因此，由第2藥液噴 嘴29吐出之SC1，被供給至基板W上表面全域，對基板W上表面全域進行均勻處理。
關於第2溫度降低抑制步驟，控制裝置3係將第2中間溫度的純水，朝向旋轉之基板W下表面由下表面噴嘴45吐出。藉此，高溫純水被供給至基板W下表面全域。因此，可防止因第2溫度之清洗液供給而溫度降低至第2溫度的基板W的溫度、因較第2溫度高溫之SC1的供給而發生局部性變化的情形。控制裝置3係在打開加熱液閥47並經過既定時間時，關閉加熱液閥47使來自下表面噴嘴45之純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由對氣體閥55進行開閉，使氮氣暫時地由氣體吐出口53吐出。藉此，由基板W與旋轉底盤7之間排出純水。
接著，進行將作為清洗液一例的室溫之純水供給至基板W的第2清洗液供給步驟(圖5之步驟S10)。具體而言，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36由退避位置移動至處理位置。控制裝置3係在清洗液噴嘴36配置於基板W上方後，打開第1清洗液閥40，將純水朝旋轉狀態之基板W上表面由清洗液噴嘴36吐出。藉此，基板W上之SC1被純水推流至外方，由基板W周圍排出。因此，基板W上之SC1液膜被置換為覆蓋基板W上表面全域的純水液膜。然後，在第1清洗液閥40打開經過既定時間時，控制裝置3係關閉第1清洗液閥40使純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使清洗液噴嘴36由基板W上方退避。
接著，進行使基板W乾燥的乾燥步驟(圖5之步驟S11)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，將基板W加速至自第1藥液供給步驟(圖5之步驟S2)至第2清洗液供給步驟(圖5之步驟S10) 為止之旋轉速度更大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，依乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加至基板W上的液體，使附著於基板W之液體甩至基板W周圍。如此，由基板W去除液體，使基板W乾燥。然後，在開始基板W之高速旋轉經過既定時間時，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使由旋轉夾頭5所進行之基板W旋轉停止。
接著，進行由腔室4內搬出基板W的搬出步驟(圖5之步驟S12)。具體而言，控制裝置3係將各夾銷8由閉位置移動至開位置，解除由旋轉夾頭5對基板W的把持。其後，控制裝置3係在所有噴嘴等由旋轉夾頭5上方退避的狀態下，使基板搬送機器人CR之手部進入至腔室內。然後，控制裝置3係於基板搬送機器人CR之手部保持旋轉夾頭5上之基板W。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部由腔室4退避。藉此，由腔室4搬出處理完成的基板W。
再者，於上述第1處理例之說明中，雖針對將作為反應例一例之室溫之過氧化氫水於反應液供給步驟中供給至基板W上表面的情況進行說明，但亦可取代過氧化氫水，將作為反應例一例之室溫的純水供給至由SPM所覆蓋之基板W上表面。具體而言，如圖6所示，取代將室溫之過氧化氫水供給至基板W的反應液供給步驟(步驟S5)，使將室溫純水供給至基板W之反應液供給步驟(步驟S5a)與第1溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S6)並行實施。
此時，控制裝置3係藉由控制第2噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36位於由清洗液噴嘴36吐出之清洗液著液於基板W上表面中間部的中間位置。其後，控制裝置3係打開第2清洗液閥43，將溫度較SPM溫度(第1溫度)低、因與硫酸混合而發生發熱反應的室溫 之純水，朝向依第2藥液旋轉速度V2進行旋轉、由SPM液膜所覆蓋之基板W上表面由清洗液噴嘴36吐出。藉此，在基板W上表面中間部開始較基板W及SPM低溫的純水的供給。
如圖6所示，在基板W上表面中間部開始純水供給後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，於基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉之狀態下，使清洗液噴嘴36由中間位置移動至中央位置。藉此，純水之著液位置係由基板W上表面中間部移動至上表面中央部。再者，與供給過氧化氫水的情況同樣地，基板W上之SPM係一方面因純水供給而發熱，一方面藉純水所稀釋。在第2清洗液閥43打開經過既定時間時，控制裝置3係關閉第2清洗液閥43，於清洗液噴嘴36位於中央位置的狀態下，使來自清洗液噴嘴36之純水吐出停止。其後，控制裝置3係開始第1清洗液供給步驟(圖5之步驟S7)。亦即，控制裝置3係依第1清洗液閥40打開的狀態，以清洗旋轉速度V3旋轉基板W。
「第2處理例」
圖7為表示藉處理單元2所進行之第2處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖2及圖7。
第2處理例與第1處理例的相異點在於，係在反應液供給步驟中使反應液對於基板W上表面之著液位置由周緣部移動至中央部。換言之，關於反應液供給步驟以外的步驟，係與第1處理例同樣。因此，以下針對反應液為過氧化氫水時之反應液供給步驟(圖7之步驟S5)、與反應液為純水時之反應液供給步驟(圖7之步驟S5a)進行說明。
在反應液為過氧化氫水時，控制裝置3係藉由控制第1 噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11位於由第1藥液噴嘴11吐出之處理液著液於基板W上表面周緣部的周緣位置。其後，控制裝置3係打開第2過氧化氫水閥27，將室溫之過氧化氫水朝由以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。藉此，在基板W上表面周緣部開始較基板W及SPM低溫的過氧化氫水的供給。
在基板W上表面周緣部開始供給過氧化氫水後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，於基板W以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之狀態下，使第1藥液噴嘴11由周緣位置移動至中央位置。藉此，過氧化氫水之著液位置由基板W上表面周緣部移動至上表面中央部。其後，控制裝置3關閉第2過氧化氫水閥27，使來自第1藥液噴嘴11之過氧化氫水的吐出停止。接著，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11由基板W上方退避。
另一方面，在反應液為純水時，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36位於由清洗液噴嘴36吐出之清洗液著液於基板W上表面周緣部的周緣位置。其後，控制裝置3係打開第2清洗液閥43，將室溫之純水朝由以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由清洗液噴嘴36吐出。藉此，在基板W上表面周緣部開始較基板W及SPM低溫的純水的供給。
在基板W上表面周緣部開始供給純水後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，於基板W以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之狀態下，使清洗液噴嘴36由周緣位置移動至中央位置。藉此，純水之著液位置由基板W上表面周緣部移動至上表面中央部。因此，與供給過氧化氫水之情況同樣地，基板W上之SPM係一方面因純水供給而發熱，一方面藉純水所稀釋。然後，控制裝置3係關閉第2 清洗液閥43，依清洗液噴嘴36位於中央位置的狀態，使來自清洗液噴嘴36之純水吐出停止。其後，控制裝置3係開始第1清洗液供給步驟(圖5之步驟S7)。
如此，於第2處理例中，由於在基板W上表面周緣部開始反應液供給，故由基板W周緣部起溫度徐緩降低。因此，可較基板W中央部及中間部更預先防止施加夾銷8之把持力之基板W周緣部的變形。藉此，可抑制或防止旋轉之基板W的振動。再者，藉由使反應液對於基板W上表面之著液位置朝基板W中央部移動，可使反應液於短時間擴展至基板W上表面全域。藉此，可一方面抑制因SPM與反應液之發熱反應而基板W局部性溫度降低的情況，一方面減低基板W變形量。
「第3處理例」
圖8為表示藉處理單元2所進行之第3處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖2及圖8。
第3處理例與第1處理例的相異點在於，反應液供給步驟中之基板W的旋轉速度係大於液置步驟中之基板W的旋轉速度V2、且小於第1清洗液供給步驟中之基板W的旋轉速度V3的第3藥液旋轉速度V4。換言之，關於反應液供給步驟以外的步驟，係與第1處理例同樣。因此，以下針對反應液為過氧化氫水時之反應液供給步驟(圖8之步驟S5)、與反應液為純水時之反應液供給步驟(圖8之步驟S5a)進行說明。
在反應液為過氧化氫水情形時，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11位於中間位置或周緣位置。 其後，控制裝置3係打開第2過氧化氫水閥27，將室溫之過氧化氫水朝由以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。藉此，在基板W上表面中間部或上表面周緣部開始較基板W及SPM低溫的過氧化氫水的供給。
在過氧化氫水之供給開始後或供給開始之同時，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使基板W加速為較第2藥液旋轉速度V2更大之第3藥液旋轉速度V4，依第3藥液旋轉速度V4使基板W旋轉。其後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，依基板W以第3藥液旋轉速度V4進行旋轉之狀態，使第1藥液噴嘴11由中間位置或周緣位置移動至中央位置。藉此，過氧化氫水之著液位置由基板W上表面中間部或上表面周緣部移動至上表面中央部。其後，控制裝置3關閉第2過氧化氫水閥27，使來自第1藥液噴嘴11之過氧化氫水的吐出停止。接著，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11由基板W上方退避。
另一方面，在反應液為純水時，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36位於中間位置或周緣位置。其後，控制裝置3係打開第2清洗液閥43，將室溫之純水朝由以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由清洗液噴嘴36吐出。藉此，在基板W上表面中間部或上表面周緣部開始較基板W及SPM低溫的純水的供給。
在純水之供給開始後或供給開始之同時，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使基板W加速為較第2藥液旋轉速度V2更大之第3藥液旋轉速度V4a，依第3藥液旋轉速度V4a使基板W旋轉。其後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，依基板W以第3 藥液旋轉速度V4a進行旋轉之狀態，使清洗液噴嘴36由中間位置或周緣位置移動至中央位置。藉此，純水之著液位置由基板W上表面周緣部移動至上表面中央部。因此，與供給過氧化氫水之情況同樣地，基板W上之SPM係一方面因純水供給而發熱，一方面藉純水所稀釋。然後，控制裝置3係關閉第2清洗液閥43，依清洗液噴嘴36位於中央位置的狀態，使來自清洗液噴嘴36之純水吐出停止。其後，控制裝置3係開始第1清洗液供給步驟(圖5之步驟S7)。
圖8例示了不論反應液為過氧化氫水及純水之任一種時，吐出反應液時之基板W的旋轉速度(第3藥液旋轉速度V4、V4a)為一定的例子。然而，第3藥液旋轉速度V4、V4a亦可非一定。
另外，圖8例示了反應液為純水時之第3藥液旋轉速度V4a小於反應液為過氧化氫水時之第3藥液旋轉速度V4的例子。此係由於若反應液種類以外之條件相同，則SPM之發熱量係比起在反應液為過氧化氫水時於反應液為純水時較小所致。藉由將反應液為純水時之第3藥液旋轉速度V4a設為小於反應液為過氧化氫水時之第3藥液旋轉速度V4，則使純水於基板W上之滯留時間增加，藉此增加SPM發熱量，可較佳地抑制基板W及SPM的急遽溫度變化。
然而，並不限定於上述，亦可使反應液為純水時之第3藥液旋轉速度V4a等於、或大於反應液為過氧化氫水時之第3藥液旋轉速度V4。
「第4處理例」
圖9為表示藉處理單元2所進行之第4處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖2及圖9。
第4處理例與第1處理例的相異點在於，於圖9之步驟S13中，一方面藉紅外線加熱器58依較第1藥液供給步驟(圖9之步驟S2)及液置步驟(圖9之步驟S3)中基板W之加熱溫度低的溫度對基板W進行加熱，一方面對基板W供給反應液。換言之，除了將依較加熱步驟(圖9之步驟S4)中基板W之加熱溫度低的後加熱溫度藉紅外線加熱器58對基板W進行加熱的後加熱步驟(圖9之步驟S13)，與反應液供給步驟(圖9之步驟S5)一起並行之外，其餘與第1處理例相同。因此，以下針對與第1處理例之相異點進行說明。
在進行藉由配置於基板W上方之紅外線加熱器58對基板W及基板W上之SPM依既定加熱溫度進行加熱的加熱步驟(圖9之步驟S4)後，將藉由紅外線加熱器58依較加熱步驟中基板W之加熱溫度低的後加熱溫度對基板W及基板W上之液體(含有SPM、過氧化氫水、及純水之至少一種的液體)進行加熱的後加熱步驟(圖9之步驟S13)，與反應液供給步驟(圖9之步驟S5)並行。
具體而言，控制裝置3係在紅外線加熱器58於加熱步驟中對基板W依加熱溫度進行加熱後，使作為反應液之過氧化氫水朝基板W上表面吐出，於紅外線加熱器58位於基板W上方的狀態下，控制裝置3使供給至紅外線加熱器58電力降低為小於加熱步驟中之電力(第1電力)的第2電力。第2電力係小於第1電力、零以上的值。因此，控制裝置3係一方面使紅外線加熱器58發光、或一方面停止紅外線加熱器58之發光，而一方面藉由從紅外線加熱器58所發出之熱能或紅外線加熱器58之餘熱對基板W及基板W上之液體依後加熱溫度進行加熱。圖9表示了第2電力為大於零之值、紅外線加熱器58之發光繼續的情形。
在由紅外線加熱器58依後加熱溫度對基板W及基板W上之液體的加熱進行了既定時間時，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置60，於使紅外線加熱器58之發光停止的狀態下，使紅外線加熱器58由基板W上方退避。在基板W及基板W上之液體藉紅外線加熱器58依後加熱溫度所加熱時，控制裝置3係藉由以加熱器移動裝置60使紅外線加熱器58移動至基板W上方，而可使紅外線加熱器58進行之加熱位置移動，亦可使紅外線加熱器58靜止於基板W上方。又，控制裝置3亦可使供給至紅外線加熱器58之電力由第1電力連續或階段性地降低為第2電力。控制裝置3亦可停止對紅外線加熱器58之電力供給，藉由紅外線加熱器58之餘熱對基板W及基板W上之液體進行加熱。
另外，後加熱步驟中供給至紅外線加熱器58的電力(第2電力)，亦可含有：較加熱步驟中供給至紅外線加熱器58之電力(第1電力)小且大於零的初期電力；與小於初期電力且零以上之終期電力。亦即，亦可使供給至紅外線加熱器58的電力，由初期電力連續或階段性地降低為終期電力，使後加熱步驟中傳達至基板W及基板W上之液體的熱能隨著時間經過而降低。此時，可一方面防止基板W之局部性溫度變化之下，一方面使基板W及基板W上之液體的溫度徐緩降低。
如以上，本實施形態中，係將第1溫度之藥液(高溫SPM)供給至基板W上表面。然後，於藥液為殘留在基板W之狀態下，將反應液(室溫之過氧化氫水或純水)供給至基板W上表面。供給至基板W的反應液係與殘留於基板W的藥液混合。因此，殘留於基板W之液體(含有藥液及反應液的液體)中之反應液的比例提高，藥液的濃度降 低。在將反應液供給至基板W後，將低於第1溫度之第2溫度的清洗液(室溫純水)供給至基板W上表面。藉此，沖洗殘留於基板W的液體。
在反應液之供給開始時，基板W之溫度係逐漸接近反應液之溫度。供給至基板W前的反應液的溫度，係較藥液溫度(第1溫度)低，且為清洗液溫度(第2溫度)以上。反應液係藉由與藥液混合而對藥液發生發熱反應。因此，當於藥液為殘留在基板W之狀態下將反應液供給至基板W上表面時，於反應液之著液位置及其附近位置發生發熱反應，使著液位置附近區域的基板W的溫度降低量減少。因此，基板W之溫度徐緩地接近反應液溫度。藉此，相較於接著藥液之供給而供給清洗液的情況，其可抑制基板W之急遽且急速的溫度降低，可減低基板W變形量。
進而，與反應液對基板W上表面之供給並行地，將高溫之加熱流體(高溫純水或氮氣)供給至基板W下表面。供給至基板W前之加熱流體的溫度係較藥液溫度(第1溫度)低、且較供給至基板W前之反應液液溫高。因此，藉由與反應液之供給並行地、將加熱流體供給至基板W，將抑制因反應液供給所造成的基板W局部性溫度降低。再者，加熱流體由於係供給至與藥液及反應液之供給面相反側的基板W下表面，故在不致防礙藥液與基板W間之反應之下，可抑制基板W之溫度降低。
另外，本實施形態中，係依旋轉基板W、且於基板W上表面全域被藥液覆蓋的狀態下，在中央部與周緣部之間的中間部開始反應液對基板W上表面的供給。接著，使反應液對基板W上表面的著液位置由中間部移動至中央部。由於因基板W旋轉所造成之離心力施加至反應液，故供給至基板W的反應液係沿著基板W上表面朝 外方流動至周緣部。藉此，反應液被供給至基板W上表面全域。因此，覆蓋基板W上表面全域的液體中之反應液的比例徐緩提高，基板W各部之溫度逐漸接近反應液溫度。
基板W與反應液間之溫度差，係在反應液之供給開始時為最大。由於基板W上表面中間部之周速(朝旋轉方向之速度)大於基板W上表面中央部的周速，故相較於在基板W上表面中央部開始反應液供給的情況，其每單位面積之反應液供給流量較少。因此，可抑制著液位置之基板W及藥液的溫度因多量的反應液供給而急遽且急速降低的情形。再者，由於著液於基板W上表面中央部的反應液係經由基板W上表面周緣部而排出至基板W周圍，故相較於在基板W上表面周緣部開始反應液供給的情況，其反應液於基板W上的滯留時間較長。因此，可有效利用反應液。
另外，本實施形態中，反應液係朝相對於基板W上表面呈傾斜之吐出方向對基板W上表面吐出。因此，反應液係相對於基板W上呈傾斜地吐出。因此，相較於使反應液垂直入射於基板W上表面的情況，其反應液著液於基板W時之衝擊較小。在基板W上表面形成有圖案的情況，若施加至基板W的衝擊減低，則施加至圖案的衝擊亦減低。因此，可抑制或防止圖案傾壞等之損傷發生。
另外，本實施形態中，反應液係依隨著越接近基板W上表面而越位於基板W中心側的方式，朝相對於基板W上表面呈傾斜之方向對基板W上表面所吐出。因此，反應液於基板W上主要由著液位置流動至內方(基板W中心側)。因此，相較於使反應液朝基板W上表面之垂直方向吐出的情況、或朝相對於基板W上表面呈向外傾斜之方向吐出的情況，其可依短時間使反應液擴展至較著液位置更內方 的區域。再者，由於相較於此等情況，由著液位置流動至內方的反應液的流量增加，故基板W上之反應液的滯留時間增加。因此，可有效利用反應液。
又，本實施形態中，使液溫較第1溫度低且第2溫度以上之反應藥液(過氧化氫水)、與因與反應藥液混合而發熱之發熱藥液(硫酸)混合。藉此，發熱藥液及反應藥液藉由發熱藥液之發熱而溫度上升至第1溫度，生成第1溫度之藥液(SPM)。然後，於藥液為殘留在基板W的狀態下，將作為反應液之反應藥液供給至基板W上表面。因此，作為反應液之反應藥液與基板W上之藥液所含的發熱藥液混合，在反應液之著液位置及其附近之位置發生發熱反應。因此，使在著液位置附近區域之基板W的溫度降低量減低。再者，由於使用與藥液所含之成分藥液(於此為反應藥液)同種的藥液、亦即與藥液之親和性高的液體作為反應液，故可有效率地混合藥液與反應液。
另外，第3處理例中，反應液係在以相對較大之旋轉速度V4、亦即在自藥液對基板之供給開始起至反應液對基板之供給開始前的至少一部分期間中以大於基板之旋轉速度V2的旋轉速度V4使基板旋轉的狀態，朝基板W上表面所吐出。因此，對附著於基板W之液體所施加的離心力增加。因此，殘留於W基板之藥液快速地被甩至基板W周圍，且供給至基板W之反應液快速地遍及基板W上表面全域。藉此，由於基板W上表面全域之溫度均勻降低，故可抑制或防止以溫度差為起因的基板變形。
另外，本實施形態中，在使藥液(SPM)對基板W之吐出停止後，開始加熱流體(高溫純水)對基板W的供給。在將藥液朝基板W吐出時，先前供給之藥液係由基板W周圍排出。因此，在與藥液吐 出並行地將加熱流體朝基板W吐出時，有多量藥液於基板W周圍與加熱流體混合的情形。具體而言，有多量之SPM在基板W周圍與純水混合的情形。因此，由基板W所排出之藥液溫度大幅上升，隨此有杯6溫度大幅上升的情形。
相對於此，在停止藥液吐出時，由於由基板W排出之藥液係較少量或為零，故並無多量藥液在基板W周圍與加熱流體混合的情形。因此，並無多量之SPM於基板W周圍與純水混合的情形。因此，即使是在因與加熱流體混合而藥液發熱的情況(例如藥液為含有硫酸之液體，加熱流體為含有水之氣體或液體的情況)，仍可防止由基板W排出之藥液溫度大幅上升的情形。因此，可抑制杯6等捕集由基板W排出之液體的筒狀捕集構件的溫度上升。
[第2實施形態]
接著，說明本發明第2實施形態。以下圖10~圖14中，有關與上述圖1~圖9所示各部同等的構成部分，係加註與圖1等相同的符號並省略其說明。
圖10為本發明第2實施形態之旋轉夾頭5的俯視圖。圖11為本發明第2實施形態之旋轉夾頭5的正面圖。圖12為表示下表面噴嘴245之示意俯視圖。圖13為表示下表面噴嘴245內部構造的示意剖面圖。
如圖10及圖11所示，處理單元2係取代第1實施形態中之下表面噴嘴45，而包含可變更自基板旋轉軸線A1至處理液著液位置為止的距離的下表面噴嘴245。如圖11及圖12所示，下表面噴嘴245係包含：可沿著基板W下表面進行伸縮之伸縮臂271；配置於伸 縮臂271內部的伸縮配管272。
如圖13所示，伸縮臂271係包含：配置於旋轉底盤7上方之中空的複數臂部(第1臂部273及第2臂部274)；使第1臂部273之根底部與第2臂部274之前端部於鉛直之屈伸軸線A5周圍可相對旋轉地連結的第1關節部275；與使第2臂部274之根底部對於旋轉底盤7於基板旋轉軸線A1周圍可旋轉地支撐的第2關節部276。伸縮臂271係進一步包含：依對應至屈伸軸線A5周圍之第1臂部273及第2臂部274之相對旋轉量的賦予勢能力，對第1臂部273及第2臂部274於屈伸軸線A5周圍賦予勢能的第1彈簧277；與依對應至基板旋轉軸線A1周圍之第2臂部274及旋轉底盤7之相對旋轉量的賦予勢能力，對第2臂部274及旋轉底盤7於基板旋轉軸線A1賦予勢能的第2彈簧278。
如圖13所示，第1關節部275係包含：沿著屈伸軸線A5於上下方向延伸的第1套管279；與於屈伸軸線A5周圍可旋轉地支撐第1套管279的第1軸承280。第1套管279係固定於第2臂部274之前端部，且由第2臂部274朝上方延伸至第1臂部273內部。第1軸承280係配置於第1臂部273之內部，且保持於第1臂部273。第1彈簧277係捲附於第1套管279。第1彈簧277之一端部係安裝於第1套管279，第1彈簧277之另一端部則安裝於第1臂部273。第1彈簧277可於屈伸軸線A5周圍彈性伸縮。在第1關節部275由屈曲位置(圖12所示位置)伸展時，第1臂部273及第2臂部274係依對應至第1關節部275之變位量的來自第1彈簧277的賦予勢能力朝屈曲位置被拉引。
如圖13所示，第2關節部276係包含：沿著基板旋轉 軸線A1於上下方向延伸的第2套管281；與於基板旋轉軸線A1周圍可旋轉地支撐第2套管281的第2軸承282。第2套管281係依無法於基板旋轉軸線A1周圍旋轉之方式固定於腔室4，由旋轉底盤7內部沿著基板旋轉軸線A1朝上方延伸至第2臂部274內部。第2軸承282係配置於第2臂部274之內部，保持於第2臂部274。第2彈簧278係捲附於第2套管281。第2彈簧278之一端部係安裝於第2套管281，第2彈簧278之另一端部則安裝於第2臂部274。第2彈簧278可於基板旋轉軸線A1周圍彈性伸縮。在第2關節部276由屈曲位置(圖12所示位置)順時針轉時，第2臂部274及旋轉底盤7係依對應至第2關節部276之變位量的來自第2彈簧278的賦予勢能力朝屈曲位置被拉引。
如圖13所示，伸縮配管272係通過第2套管281內進入第2臂部274，進而通過第1套管279進入第1臂部273內部。伸縮配管272之上端部係固定於第1臂部273之前端部。朝基板W下表面吐出處理液或處理氣體之流體吐出口283係設於第1臂部273之前端部。伸縮配管272連接於加熱液配管46或氣體配管54。圖11例示了伸縮配管272連接於加熱液配管46的例子。因此，在加熱液閥47打開時，藉加熱液加熱器49被加熱至高於室溫之溫度的清洗液(加熱流體之一例)，係依對應於加熱液流量調整閥48之開度，由加熱液配管46供給至伸縮配管272，由流體吐出口283朝基板W下表面向上方吐出。
由加熱液配管46供給至伸縮配管272的處理液的供給流量，係藉由以控制裝置3變更加熱液流量調整閥48之開度而予以增減。在處理液對伸縮配管272內之供給流量為零或較小時，如圖13所示，伸縮配管272係沿著伸縮臂271縮短為折彎之屈曲狀態。若處理 液對伸縮配管272內的供給流量增加，則於伸縮配管272內部產生使伸縮配管272直線狀延伸而接近直線狀態的力(液壓)，使伸縮配管272朝直線狀態伸長。又，若在伸縮配管272延伸之狀態(屈曲狀態以外之狀態)下使處理液對伸縮配管272內的供給流量減少，則由於伸縮配管272內之液壓降低，故伸縮配管272藉由伸縮配管272之復原力而收縮為屈曲狀態。因此，伸縮配管272係配合處理液之供給流量進行伸縮。
如圖10中實線所示，在處理液對伸縮配管272內之供給流量為零或較小時，伸縮臂271係藉由第1彈簧277及第2彈簧278，而維持為由流體吐出口283朝上方吐出之處理液著液於基板W下表面中央部的屈伸狀態。在使處理液對伸縮配管272內之供給流量增加時，由於伸縮配管272欲接近直線狀態，故使其接近成為由流體吐出口283朝上方吐出之處理液著液於基板W下表面周緣部之伸長狀態的力，係由伸縮配管272施加於伸縮臂271。因此，如圖10中二點鏈線所示，伸縮臂271之第1關節部275及第2關節部276之至少一者抵抗第1彈簧277及第2彈簧278之至少一者而旋轉，流體吐出口283移動至外方。又，在停止處理液對伸縮配管272內之供給時，伸縮臂271藉由第1彈簧277及第2彈簧278之復原力而回復為屈曲狀態，流體吐出口283移動至內方。
處理液對基板W下之著液位置，係配合由基板旋轉軸線A1至流體吐出口283之距離而於基板W徑方向上移動。處理液對伸縮配管272內之供給流量、與由基板旋轉軸線A1至流體吐出口283之距離之間的關係，係例如由第1彈簧277及第2彈簧278之彈簧常數所調整。如圖10所示，第1彈簧277及第2彈簧278之彈簧常數，係設定為使流體吐出口283沿著基板W半徑水平移動。因此，處理液 對基板W下表面之著液位置係沿著基板W半徑呈直線狀移動。第1彈簧277之彈簧常數，係例如小於第2彈簧278之彈簧常數。因此，第1關節部275係依小於第2關節部276的力進行伸長。因此，即使處理液之供給流量較小，流體吐出口283仍配合供給流量而於基板W徑方向上移動。再者，隨著處理液之供給流量增加，由於處理液對基板W下表面之著液位置朝外方移動，故可減低每單位面積之處理液供給流量的差。
[第5處理例]
圖14為表示藉處理單元2所進行之第5處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖10、圖11及圖14。
第5處理例與第1處理例的相異點在於，係在第1溫度降低抑制步驟(圖14之步驟S6)中使加熱液對於基板W下表面之著液位置於基板W半徑方向上移動。換言之，關於第1溫度降低抑制步驟以外的步驟，係與第1處理例同樣。因此，以下主要針對與第1處理液之相異點進行說明。又，以下中，主要針對與第1藥液供給步驟並行之第1溫度降低抑制步驟進行說明，但對於與第2藥液供給步驟並行之第2溫度降低抑制步驟，亦可進行與第1溫度降低抑制步驟同樣的控制。
第1溫度降低抑制步驟(圖14之步驟S6)中，控制裝置3係將作為加熱流體(加熱液)一例之純水，朝依第2藥液旋轉速度V2旋轉之基板W下表面由下表面噴嘴245吐出。藉此，抑制基板W及SPM的溫度降低。
於反應液供給步驟(圖14之步驟S5)中，如圖14所示， 控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，於基板W以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉的狀態下，使過氧化氫水(反應液之一例)對於基板W上表面的著液位置由中間部移動至中央部。於第1溫度降低抑制步驟(圖14之步驟S6)中，如圖14所示，控制裝置3係藉由變更加熱液流量調整閥48之開度、亦即藉由變更伸縮臂271之伸縮量，而依與過氧化氫水從基板W之上表面中間部朝上表面中央部之著液位置移動同期的方式，使純水(加熱液之一例)對基板W下表面之著液位置由中間部移動至中央部。然後，控制裝置3關閉第2過氧化氫水閥27及加熱液閥47，使來自第1藥液噴嘴11及下表面噴嘴245之過氧化氫水及純水的吐出停止。其後，控制裝置3係藉由開閉氣體閥55，使氮氣由氣體吐出口53暫時吐出。藉此，由基板W與旋轉底盤7之間排出純水。
如此，控制裝置3係依基板旋轉軸線A1至純水著液位置之距離、與基板旋轉軸線A1至過氧化氫水著液位置為止之距離相等的方式，控制第1噴嘴移動裝置13及加熱液流量調整閥48。若距離基板旋轉軸線A1之距離相等，則過氧化氫水之著液位置與純水之著液位置亦可為遠離基板W周方向的位置。於此處理例中，過氧化氫水之著液位置與純水之著液位置係相對於基板W而互為相反側的位置。因此，相較於純水之著液位置固定於基板W下表面中央部的情況，可進一步使過氧化氫水之著液位置的基板W溫度降低減少。再者，即使未形成覆蓋基板W下表面全域的純水液膜，仍可抑制基板W局部性溫度降低，故可減低純水消費量。
如以上，本實施形態中，控制裝置3係依與反應液對基板W上表面之著液位置之移動並行地、減少自基板W中心至反應液著液位置之距離與自基板W中心至加熱流出吐出位置之距離間的差的 方式，使加熱流量對基板W下表面之吐出位置移動。藉此，在接近反應液著液位置的位置噴附加熱流體。具體而言，係在與反應液著液位置相反側之位置噴附加熱流體。因此，加熱流體之熱由反應液著液位置相反側之位置傳達至基板W，進一步減低反應液著液位置及其附近位置的溫度降低量。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板W變形。
[第3實施形態]
接著，說明本發明第3實施形態。以下圖15~圖16中，有關與上述圖1~圖14所示各部同等的構成部分，係加註與圖1等相同的符號並省略其說明。
圖15為由水平觀看本發明第3實施形態之基板處理裝置1所具備之腔室4之內部的示意圖。
處理單元2係除了第1實施形態之構成以外，尚包含：具有朝基板W上表面中央部吐出反應液之中央吐出口311a的中央噴嘴311A；具有朝基板W上表面中間部吐出反應液之中間吐出口311b的中間噴嘴311B；與具有朝基板W上表面周緣部吐出反應液之周緣吐出口311c的周緣噴嘴311C。中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C均為朝基板W吐出反應液之反應液噴嘴的一例。
處理單元2進一步包含：將反應液引導至中央吐出口311a之中央配管384；使由中央配管384供給至中央吐出口311a之反應液流量增減的中央流量調整閥385；將反應液引導至中間吐出口311b之中間配管386；使由中間配管386供給至中間吐出口311b之反應液流量增減的中間流量調整閥387；將反應液引導至周緣吐出口311c之 周緣配管388；使由周緣配管388供給至周緣吐出口311c之反應液流量增減的周緣流量調整閥389。處理單元2進一步包含：分別對中央配管384、中間配管386及周緣配管388供給室溫之過氧化氫水的過氧化氫水配管390；對過氧化氫水配管390內部進行開閉的過氧化氫水閥391；分別對中央配管384、中間配管386及周緣配管388供給純水的純水配管392；與對純水配管392內部進行開閉的純水閥393。
處理單元2進一步包含：保持中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C的第4噴嘴臂394；與藉由使第4噴嘴臂394移動，而使中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C水平移動的第4噴嘴移動裝置395。第4噴嘴移動裝置395係在由中央吐出口311a、中間吐出口311b及周緣吐出口311c所吐出之反應液各著液於基板W之上表面中央部、上表面中間部及上表面周緣部的處理位置，與中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C於俯視下退避至旋轉夾頭5周圍之退避位置之間，使中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C水平移動。
中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C均依向內姿勢保持於第4噴嘴臂394。亦可使中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C之一個以上依垂直姿勢或向外姿勢所保持。在中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C配置於處理位置時，中央吐出口311a、中間吐出口311b及周緣吐出口311c係分別配置在距離基板旋轉軸線A1之直線距離分別相異的位置。中央吐出口311a、中間吐出口311b及周緣吐出口311c係配置於同等高度。亦可中央吐出口311a、中間吐出口311b及周緣吐出口311c之一個以上配置於相異高度。
「第6處理例」
圖16為表示藉處理單元2所進行之第6處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖15及圖16。
第6處理例與第1處理例的相異點在於，係在反應液供給步驟中依使複數之反應液噴嘴靜止的狀態朝基板W上表面內之複數位置吐出反應液。換言之，關於反應液供給步驟以外的步驟，係與第1處理例同樣。因此，以下主要針對反應液為過氧化氫水時之反應液供給步驟(圖16之步驟S5)、與反應液為純水時之反應液供給步驟(圖16之步驟S5a)進行說明。
反應液供給步驟中，控制裝置3係藉由控制第4噴嘴移動裝置395，依使第1藥液噴嘴11由基板W退避之狀態，使中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C由退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置3打開過氧化氫水閥391及純水閥393之任一者，將作為反應液之過氧化氫水或純水，朝依第2藥液旋轉速度V2旋轉之基板W上表面由中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C吐出。藉此，於基板W上表面中央部、上表面中間部及上表面周緣部開始較基板W及SPM低溫之反應液的供給。
反應液供給步驟中之來自中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C的反應液吐出流量，可為相等或相異。例如，可依吐出流量以中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C之順序變大的方式，藉由控制裝置3調整中央流量調整閥385、中間流量調整閥387及周緣流量調整閥389之開度。此時，由於依中央部、中間部、周緣部之順序使處理液對基板W上表面的供給流量增加，故可減低每單位面積之處理液的供給流量差。藉此，可抑制局部之基板W的 溫度降低。
控制裝置3係依使中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C靜止於基板W上方的狀態，以既定時間繼續反應液對基板W上表面的供給。其後，控制裝置3將過氧化氫水閥391及純水閥393中呈打開的閥予以關閉，停止來自中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C之反應液吐出。接著，控制裝置3開始第1清洗液供給步驟(圖5之步驟S7)。由於中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C連接於純水供給源，故控制裝置3亦可取代使用清洗液噴嘴36進行第1清洗液供給步驟，而使用中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C進行第1清洗液供給步驟。
如以上，本實施形態中，反應液於係於基板W旋轉中之狀態下，朝距離基板W中心之距離分別相異之基板W上表面內之複數位置所同時吐出。更具體而言，朝向基板W之上表面中央部、上表面中間部及上表面周緣部，同時吐出反應液。因此，在基板W旋轉1周以上時，反應液遍及基板W上表面全域。因此，反應液依短時間遍及基板W上表面全域，使基板W上表面全域之溫度均勻降低。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板W變形。
再者，圖15中，係針對處理單元2具備了複數之反應液噴嘴(中央噴嘴311A、中間噴嘴311B及周緣噴嘴311C)的例子進行了說明，但處理單元2亦可具備朝距離基板W中心之距離分別相異之基板W上表面內之複數位置同時吐出反應液的單一反應液噴嘴。此時，處理單元2係如圖17所示，亦可具備有：具有於俯視下自基板W上表面中央部至基板W上表面周緣部為止、於基板W徑方向上延伸之狹隙狀吐出口311x的反應液噴嘴311X。又，處理單元2亦可如圖 18所示般，具備有：具有於俯視下自基板W上表面中央部至基板W上表面周緣部為止、排列於基板W徑方向上之複數吐出口311y的反應液噴嘴311Y。
於圖17及圖18所示構成中，反應液係於基板W旋轉之狀態下，朝包括基板W半徑之基板W上表面內區域全體同時吐出，同時著液於此區域全體。亦即，反應液係同時供給至自基板W中心至基板W周緣為止於基板W徑方向上連續的區域全體。因此，在基板W旋轉1周以上時，反應液遍及基板W上表面全域。因此，反應液依短時間遍及基板W上表面全域，使基板W上表面全域之溫度均勻降低。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板W變形。
[第4實施形態]
接著，說明本發明第4實施形態。以下圖19~圖21中，有關與上述圖1~圖18所示各部同等的構成部分，係加註與圖1等相同的符號並省略其說明。
如圖19所示，處理單元2係包含：將來自純水供給源之純水引導至第1藥液配管14之純水配管426；對純水配管426內部進行開閉的純水閥427；與使來自純水配管426並供給至第1藥液配管14之純水的流量增減的純水流量調整閥428。純水配管426之下游端係於較攪拌配管15更上游側的位置連接於第1藥液配管14。
在關閉了硫酸閥19及過氧化氫水閥24、打開純水閥427時，來自純水供給源之室溫純水係避開混合閥16而由純水配管426流至第1藥液配管14。藉此，室溫之純水係依對應至純水流量調整閥428之開度的流量，由純水配管426供給至第1藥液配管14。因此，在硫 酸閥19、過氧化氫水閥24及純水閥427呈打開時，依對應至3個流量調整閥(硫酸流量調整閥20、過氧化氫水流量調整閥25及純水流量調整閥428)之開度的混合比所混合的SPM與純水的混合液，係自第1藥液噴嘴11被吐出。
[第7處理例] 圖20為表示藉處理單元2所進行之第7處理例之概略的時序圖。圖21為第7處理例之一部分的具體時序圖。以下參照圖19及圖20，說明將不需要之抗蝕刻圖案由基板W去除的抗蝕刻去除步驟。適當參照圖21。
在藉處理單元2處理基板W時，進行將基板W搬入至腔室4內的搬入步驟(圖20之步驟S1)。具體而言，控制裝置3係於所有噴嘴等由旋轉夾頭5上方退避的狀態下，使保持著基板W之基板搬送機器人CR之手部進入至腔室4內。然後，控制裝置3藉由基板搬送機器人CR將基板W載置於複數之夾銷8上。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部由腔室4內退避。又，控制裝置3係在將基板W載置於複數之夾銷8上後，使各夾銷8由開位置移動至閉位置。其後，控制裝置3藉由旋轉馬達10使基板W之旋轉開始。
接著，進行將作為第1藥液一例之高溫(第1溫度)的SPM供給至基板W的第1藥液供給步驟(圖20之步驟S2)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使基板W加速至第1藥液旋轉速度V1(參照圖21)，依第1藥液旋轉速度V1使基板W旋轉。亦即，控制裝置3係將基板W之旋轉速度維持為第1藥液旋轉速度V1。再者，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11由退 避位置移動至處理位置。藉此，第1藥液噴嘴11配置於基板W上方。其後，控制裝置3打開硫酸閥19及過氧化氫水閥24，將第1溫度(例如160℃)之SPM朝依第1藥液旋轉速度V1旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，於此狀態下使對基板W上表面之SPM的著液位置於中央部與周緣部之間移動。
由第1藥液噴嘴11所吐出之SPM，係在著液於基板W上表面後，因離心力而沿基板W上表面流動至外方。因此，SPM供給至基板W上表面全域，於基板W上形成覆蓋基板W上表面全域的SPM液膜。藉此，抗蝕劑膜與SPM進行化學反應，基板W上之抗蝕劑膜藉SPM由基板W所去除。進而，控制裝置3係於基板W旋轉中之狀態下，使SPM對於基板W上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SPM之著液位置係通過基板W上表面全域，掃描基板W上表面全域。因此，由第1藥液噴嘴11所吐出之SPM被供給至基板W上表面全域，對基板W上表面全域進行均勻處理。
接著，進行於使SPM之吐出停止的狀態下而將SPM液膜保持於基板W上的液置(puddle)步驟(圖20之步驟S3)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，於基板W上表面全域被SPM液膜覆蓋的狀態下，使基板W減速至較第1藥液供給步驟中之基板W旋轉速度(第1藥液旋轉速度V1)小的第2藥液旋轉速度V2(參照圖21)，使基板W依第2藥液旋轉速度V2旋轉。因此，施加至基板W上SPM的離心力變弱，由基板W上排出之SPM的流量減少。控制裝置3係於基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉之狀態下，關閉硫酸閥19及過氧化氫水閥24，使來自第1藥液噴嘴11之SPM的吐出停止。藉此， 依SPM吐出停止的狀態，覆蓋基板W上表面全域之SPM液膜被保持於基板W上。控制裝置3係在停止SPM吐出後，藉由控制第1噴嘴移動裝置13，而使第1藥液噴嘴11於基板W上方待機。
另外，藉由紅外線加熱器58對基板W及基板W上之SPM依較供給至基板W前之SPM溫度(第1溫度)更高溫的加熱溫度進行加熱的加熱步驟(圖20之步驟S4)，係與第1藥液供給步驟(圖20之步驟S2)及液置步驟(圖20之步驟S3)並行進行。具體而言，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置60，使紅外線加熱器58由退避位置移動至處理位置。藉此，紅外線加熱器58配置於基板W上方。其後，控制裝置3使紅外線加熱器58開始發光。藉此，紅外線加熱器58之溫度上升至SPM之其濃度下的沸點以上的加熱溫度(例如200℃以上)，並維持於加熱溫度。
在紅外線加熱器58於基板W上方開始發光後，控制裝置3係藉由加熱器移動裝置60使紅外線加熱器58移動，而使對基板W上表面之紅外線的照射位置於基板W上表面內移動。然後，控制裝置3係在進行了既定時間之由紅外線加熱器58對基板W的加熱後，依基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉、且覆蓋基板W上表面全域之SPM液膜保持於基板W上的狀態下，使紅外線加熱器58停止發光。其後，控制裝置3係藉由控制加熱器移動裝置60，使紅外線加熱器58由基板W上方退避。再者，紅外線加熱器58之發光與移動可同時進行，且亦可於發光後再開始移動。
如此，控制裝置3係於使基板W旋轉的狀態下，使紅外線對基板W上表面之照射位置於基板W上表面內移動，故基板W被均勻加熱。因此，覆蓋基板W上表面全域之SPM液膜亦被均勻加 熱。由紅外線加熱器58進行之基板W的加熱溫度，係設定為SPM其濃度下之沸點以上的溫度。因此，基板W上之SPM被加熱至其濃度下之沸點。尤其是在由紅外線加熱器58進行之基板W的加熱溫度設定為較SPM其濃度下之沸點更高溫的情況，基板W與SPM之界面的溫度被維持為較沸點高溫，而促進自基板W的異物(抗蝕劑膜)之去除。
接著，並行進行：將作為反應液含有液一例之SPM供給至基板W的反應液供給步驟(圖20之步驟S5)；與藉由減少與過氧化氫水混合之硫酸的比例，而使朝基板吐出之SPM中之過氧化氫水之比例增加的反應液濃度變更步驟(圖20之步驟S6)。進而，與反應液供給步驟及反應液濃度變更步驟並行地，進行：將較SPM溫度(第1溫度)低、且較於後述第1清洗液供給步驟(圖20之步驟S8)中供給至基板W之清洗液溫度(第2溫度)高之第1中間溫度之加熱流體一例的純水，供給至基板W下表面的第1溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S7)。
關於反應液供給步驟，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11位於由第1藥液噴嘴11吐出之處理液著液於基板W上表面中央部之中間位置。其後，控制裝置3打開硫酸閥19及過氧化氫水閥24，將第1溫度之SPM(反應液含有液)，朝以第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。藉此，於基板W上表面中間部開始供給未與基板W反應之新的SPM(反應液含有液)。
在開始SPM(反應液含有液)之供給後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，於基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉之狀態下，使第1藥液噴嘴11由上表面中間部移動至中央位置。藉此，SPM對基板W上表面之著液位置移動至中央部。其後，控制裝置3關 閉硫酸閥19及過氧化氫水閥24，使來自第1藥液噴嘴11之SPM的吐出停止。接著，控制裝置3藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11退避至基板W上方。藉此，結束反應液供給步驟。
關於反應液濃度變更步驟，控制裝置3係在進行反應液供給步驟的期間，藉由調整硫劃酸流量調整閥20及過氧化氫水流量調整閥25的開度，一方面使由第1藥液噴嘴11吐出之反應液含有液的吐出流量維持一定，一方面變更硫酸及過氧化氫水的混合比。如圖21上段所示，控制裝置3係例如在使供給至第1藥液噴嘴11之硫酸流量徐緩減少的同時，將供給至第1藥液噴嘴11之過氧化氫水流量徐緩增加。最終地，控制裝置3係連續地或階段性地將硫酸及過氧化氫水的混合比由例如2(硫酸)比1(過氧化氫水)變更為1(硫酸)比1(過氧化氫水)。因此，即將停止SPM吐出前的混合比係設定為1(硫酸)比1(過氧化氫水)。
再者，反應液濃度變更步驟中，亦可在依第1藥液供給步驟(圖20之步驟S2)之混合比(例如10(硫酸)比1(過氧化氫水))開始處理後，徐緩地變更混合比。再者，亦可於反應液濃度變更步驟之最終階段，將硫酸比例減少為零。
關於第1溫度降低抑制步驟，控制裝置3係將第1中間溫度(例如高於室溫之溫度)的純水，朝向以第2藥液旋轉速度V2旋轉之基板W下表面由下表面噴嘴45吐出。由下表面噴嘴45吐出之純水，係在著液於基板W下表面中央部後，因離心力而沿著基板W下表面向外方流動至基板W周緣。藉此，純水被供給至基板W下表面全域。因此，抑制基板W及SPM的溫度降低。控制裝置3係在打開加熱液閥47並經過既定時間時，關閉加熱液閥47使來自下表面噴嘴45之純 水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由對氣體閥55進行開閉，使氮氣暫時地由氣體吐出口53吐出。藉此，由基板W與旋轉底盤7之間排出純水。
於反應液供給步驟中，反應液含有液(SPM)所含之過氧化氫水的比例徐緩提高。若提高室溫之過氧化氫水的比率，反應液含有液之溫度將降低至低於第1溫度、且室溫以上的溫度。著液於基板W上表面中央部之反應液含有液，係在基板W上由著液位置擴展至著液位置之周圍。再者，基板W上之反應液含有液係一方面於基板W上在周方向上流動至旋轉方向之下游側，一方面朝基板W之周緣於基板W上流動至外方。藉此，較基板W及SPM低溫之反應液含有液被供給至由SPM液膜所覆蓋的基板W上表面全域。因此，由反應液含有液係一方面奪取較反應液含有液高溫之基板W及SPM的熱、一方面於基板W上流動。
反應液供給步驟中，由於較由紅外線加熱器58進行之加熱溫度低溫的反應液含有液被供給至基板W，故基板W及SPM之溫度(尤其是著液位置及其附近之溫度)降低。然而，基板W上之SPM所含之硫酸與反應液含有液所含之硫酸，係因與反應液含有液所含之過氧化氫水的反應而發熱，故抑制或防止於著液位置之基板W及SPM的大幅溫度降低。再者，由於與反應液供給步驟並行第1溫度降低抑制步驟，故減低著液位置之基板W及SPM的溫度降低量。因此，可抑制著液位置與其他位置間之基板W之溫度差增加。藉此，可抑制以溫度差為起因的基板W變形，可減低基板W的應變量。
再者，由於與反應液供給步驟並行地進行反應液濃度變更步驟，故反應液含有液中之硫酸濃度徐緩降低，藉此使反應熱的生 成量徐緩減少。因此，反應液供給步驟中，基板W及SPM的溫度係因反應液含有液的供給而逐漸降低。因此，基板W及SPM與反應液含有液間之溫度差係在反應液含有液供給開始時為最大。反應液含有液之供給係在周速大於基板W上表面中央部的基板W上表面中間部開始。因此，相較於在基板W上表面中央部開始供給反應液含有液的情況，其每單位面積之反應液含有液的供給流量較少。因此，可抑制或防止著液位置之基板W及SPM的溫度因多量之反應液含有液供給而急遽且大幅降低的情形。再者，由於著液於基板W上表面中央部之反應液含有液，係經由基板W上表面周緣部而排出至基板W周圍，故相較於在基板W上表面周緣部開始供給反應液含有液的情況，其反應液含有液於基板W上之滯留時間較長。因此，可有效利用反應液含有液。
另外，第1藥液噴嘴11係向內地吐出反應液含有液。因此，由第1藥液噴嘴11吐出之反應液含有液係於基板W上主要由著液位置朝內方流動。因此，相較於使第1藥液噴嘴11朝基板上表面之垂直方向吐出反應液含有液的情況、或第1藥液噴嘴11向外吐出反應液含有液的情況，其可依短時間使反應液含有液擴展至較著液位置更內方的區域。再者，由於相較於此等情況，由著液位置流動至內方的反應液含有液的流量增加，故基板上之反應液含有液的滯留時間增加。因此，可有效利用反應液含有液。
接著，進行將作為第2溫度之清洗液一例的室溫之純水供給至基板W的第1清洗液供給步驟(圖20之步驟S8)。具體而言，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36由退避位置移動至處理位置。其後，控制裝置3係打開第1清洗液閥40，將 室溫之純水朝基板W上表面中央部由清洗液噴嘴36吐出。再者，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使基板W加速至較第1藥液旋轉速度V1及第2藥液旋轉速度V2更大的清洗旋轉速度V3(參照圖21)，依清洗旋轉速度V3使基板W旋轉。然後，在第1清洗液閥40打開經過既定時間時，控制裝置3係關閉第1清洗液閥40，使來自清洗液噴嘴36的純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36由基板W上方退避。
由清洗液噴嘴36所吐出之純水，係著液於由藥液或反應液含有液所覆蓋之基板W上表面中央部。因此，基板W上之藥液係由中央部推流至其周圍。著液於基板W上表面中央部的純水，係因離心力而沿著基板W上表面流動至外方。同樣地，基板W上之藥液係因離心力而沿著基板W上表面流動至外方。再者，由於使基板W依較第1藥液旋轉速度V1及第2藥液旋轉速度V2大的清洗旋轉速度V3旋轉，故對基板W上之液體施加較第1藥液供給步驟及反應液供給步驟時更大的離心力。因此，純水之液膜由基板W中央部瞬間擴展至基板W周緣，基板W上之藥液於短時間內被純水所置換。藉此，基板W上之藥液被純水所沖洗。
接著，並行進行：依供給至基板W前之溫度低於SPM溫度(第1溫度)、且高於清洗液溫度(第2溫度)的第2藥液一例的SC1，供給至基板W的第2藥液供給步驟(圖20之步驟S9)；與供給至基板W前之溫度較SPM溫度(第1溫度)低、且較清洗液溫度(第2溫度)高之第2中間溫度之加熱流體一例的純水，供給至基板W下表面的第2溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S10)。
關於第2藥液供給步驟，控制裝置3係藉由控制第2噴 嘴移動裝置31，使第2藥液噴嘴29由退避位置移動至處理位置。控制裝置3係在使第2藥液噴嘴29配置於基板W上方後，打開第2藥液閥34，將SC1朝旋轉狀態之基板W上表面由第2藥液噴嘴29吐出。控制裝置3係藉由於此狀態下控制第2噴嘴移動裝置31，使SC1對於基板W上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動。然後，在打開第2藥液閥34經過既定時間後，控制裝置3係關閉第2藥液閥34使SC1吐出停止。其後，控制裝置3藉由控制第2噴嘴移動裝置31，使第2藥液噴嘴29退避至基板W上方。
由第2藥液噴嘴29所吐出之SC1，係著液於基板W上表面後，因離心力而沿著基板W上表面流動至外方。因此，基板W上之純水被SC1推流至外方，排出至基板W周圍。藉此，基板W上之純水之液膜，被置換為覆蓋基板W上表面全域的SC1液膜。再者，控制裝置3係於基板W旋轉中之狀態下，使SC1對基板W上表面之著液位置於中央部與周緣部之間移動，故SC1之著液位置係通過基板W上表面全域，掃描基板W上表面全域。因此，由第2藥液噴嘴29吐出之SC1，被供給至基板W上表面全域，對基板W上表面全域進行均勻處理。
關於第2溫度降低抑制步驟，控制裝置3係將第2中間溫度的純水，朝向旋轉之基板W下表面由下表面噴嘴45吐出。藉此，高溫純水被供給至基板W下表面全域。因此，可防止因第2溫度之清洗液供給而溫度降低至第2溫度的基板W的溫度、因較第2溫度高溫之SC1的供給而發生局部性變化的情形。控制裝置3係在打開加熱液閥47並經過既定時間時，關閉加熱液閥47使來自下表面噴嘴45之純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由對氣體閥55進行開閉，使氮氣 暫時地由氣體吐出口53吐出。藉此，自基板W與旋轉底盤7之間排出純水。
接著，進行將作為清洗液一例的室溫之純水供給至基板W的第2清洗液供給步驟(圖20之步驟S11)。具體而言，控制裝置3係藉由控制第3噴嘴移動裝置38，使清洗液噴嘴36由退避位置移動至處理位置。控制裝置3係在清洗液噴嘴36配置於基板W上方後，打開第1清洗液閥40，將純水朝旋轉狀態之基板W上表面由清洗液噴嘴36吐出。藉此，基板W上之SC1被純水推流至外方，由基板W周圍排出。因此，基板W上之SC1液膜被置換為覆蓋基板W上表面全域的純水液膜。然後，在第1清洗液閥40打開經過既定時間時，控制裝置3係關閉第1清洗液閥40使純水吐出停止。其後，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使清洗液噴嘴36由基板W上方退避。
接著，進行使基板W乾燥的乾燥步驟(圖20之步驟S12)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，將基板W加速至較自第1藥液供給步驟(圖20之步驟S2)至第2清洗液供給步驟(圖20之步驟S11)為止之旋轉速度更大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，依乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，較大之離心力施加至基板W上的液體，使附著於基板W之液體甩至基板W周圍。如此，由基板W去除液體，使基板W乾燥。然後，在開始基板W之高速旋轉後經過既定時間時，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，使由旋轉夾頭5所進行之基板W旋轉停止。
接著，進行由腔室4內搬出基板W的搬出步驟(圖20之步驟S13)。具體而言，控制裝置3係將各夾銷8由閉位置移動至開位置，解除由旋轉夾頭5對基板W的把持。其後，控制裝置3係依所有 噴嘴等由旋轉夾頭5上方退避的狀態，使基板搬送機器人CR之手部進入至腔室內。然後，控制裝置3係於基板搬送機器人CR之手部保持旋轉夾頭5上之基板W。其後，控制裝置3使基板搬送機器人CR之手部由腔室4退避。藉此，由腔室4搬出處理完成的基板W。
再者，於上述第7處理例之說明中，雖針對將作為反應液含有液之過氧化氫水含有液(硫酸及過氧化氫水的混合液或過氧化氫水)於反應液供給步驟中供給至基板W上表面的情況進行說明，但亦可將含有藉由與硫酸混合而發生發熱反應之純水、液溫為第1溫度以下且第2溫度以上的純水含有液(硫酸及純水之混合液，SPM及純水之混合液，或純水)，於反應液供給步驟中供給至基板W。具體而言，取代將過氧化氫水含有液供給至基板W的反應液供給步驟(圖21之步驟S5)，使將作為反應液含有液一例之純水含有液供給至基板W之反應液供給步驟(圖21之步驟S5a)、與反應液濃度變更步驟及第1溫度降低抑制步驟並行實施。
此時，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11位於由第1藥液噴嘴11吐出之處理液著液於基板W上表面中間部的中間位置。其後，控制裝置3係打開硫酸閥19及純水閥427，將溫度較第1溫度低、較第2溫度高溫之硫酸與純水的混合液(純水含有液)，朝向依第2藥液旋轉速度V2進行旋轉之基板W上表面由第1藥液噴嘴11吐出。藉此，在基板W上表面中間部開始硫酸與純水之混合液(純水含有液)的供給。
在基板W上表面中間部開始硫酸與純水之混合液(純水含有液)供給後，控制裝置3係藉由調整硫酸流量調整閥20及純水流量調整閥428之開度，一方面使由第1藥液噴嘴11吐出之純水含有液 的吐出流量維持一定之下，一方面變更硫酸及純水的混合比。如圖21下段所示，控制裝置3係例如藉由使硫酸供給流量徐緩減少，而將由第1藥液噴嘴11吐出之硫酸吐出流量徐緩減少。控制裝置3係與此並行地，使供給至第1藥液噴嘴11的純水流量增加。最終地，控制裝置3使硫酸流量調整閥20之開度減少至零。因此，硫酸及純水的混合比最終變更為0(硫酸)比1(純水)，由第1藥液噴嘴11僅吐出室溫純水(純水含有液)。
另外，控制裝置3係藉由控制第1噴嘴移動裝置13，與硫酸及純水之混合比的變更並行地，於基板W以第2藥液旋轉速度V2旋轉之狀態下，使第1藥液噴嘴11由中間位置移動至中央位置。藉此，純水含有液之著液位置係由基板W上表面中間部移動至上表面中央部。其後，控制裝置3係開始將作為第2溫度清洗液之一例的室溫純水供給至基板W的第1清洗液供給步驟(圖20之步驟S8)。具體而言，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達10，於第1藥液噴嘴11朝基板W上表面中央部吐出室溫純水之狀態下，使基板W以清洗旋轉速度V3旋轉。其後，控制裝置3關閉純水閥427，使來自第1藥液噴嘴11之純水吐出停止。接著，控制裝置3藉由控制第1噴嘴移動裝置13，使第1藥液噴嘴11由基板W上方退避。
如以上，本實施形態中，係將第1溫度(供給至基板W前之藥液溫度)之藥液供給至基板W上表面。然後，於藥液為殘留在基板W之狀態下，將反應液含有液(含有作為反應液之過氧化氫水或純水的液)供給至基板W上表面。供給至基板W之反應液含有液係與殘留於基板W之藥液混合。因此，殘留於基板W之液體中之反應液含有液的比例提高，藥液濃度降低。較第1溫度低之第2溫度(供給至基板 W前的清洗液溫度)的清洗液，係在反應液含有液被供給至基板W後，被供給至基板W上表面。藉此，沖洗殘留於基板W之液體(含有藥液及反應液含有液之液體)。
在反應液含有液之供給開始時，基板W之溫度係逐漸接近反應液含有液之溫度。供給至基板W前之反應液含有液的溫度為藥液溫度(第1溫度)以下，清洗液溫度(第2溫度)以上。反應液含有液所含之反應液(過氧化氫水或純水)係因與藥液(SPM)混合而發生發熱反應。因此，當於藥液為殘留在基板W之狀態下將反應液含有液供給至基板W上表面，則在反應液含有液之著液位置及其附近之位置發生發熱反應，使著液位置附近區域之基板W的溫度降低量減低。因此，基板溫度徐緩地接近反應液含有液的溫度。亦即，抑制基板W的急遽溫度變化。
再者，由於反應液含有液所含之發熱液(硫酸或SPM)的比例較反應液含有液之吐出開始時減少，故較發熱液低溫之反應液(過氧化氫水或純水)的比例增加，其結果，反應液含有液之溫度降低。因此，較吐出開始時之反應液含有液低溫的反應液含有液被供給至基板W上表面，反應液含有液之溫度逐漸接近清洗液溫度(第2溫度)。因此，在著液位置附近區域之基板W溫度降低變得更緩慢。因此，相較於接著高溫SPM供給而供給室溫純水的情況，其可抑制基板W之急遽且急速的溫度降低，可減低基板W的變形量。
另外，本實施形態中，發熱液(SPM)之比例較大的反應液含有液係朝基板W上表面吐出。其後，使朝基板W所吐出之反應液含有液所含之發熱液的比例減少。因此，朝基板W吐出之反應液含有液之溫度徐緩地大幅降低。因此，即使在藥液與清洗液之溫度差較 大的情況、亦即第1溫度與第2溫度之差較大的情況，仍可使基板W溫度徐緩且均勻地接近清洗液溫度。藉此，可抑制或防止以溫度差為起因的基板W變形。
另外，本實施形態中，使反應液含有液所含之發熱液(硫酸)的比例減少至零。因此，反應液含有液所含之發熱液消失，僅有反應液(純水)朝基板W吐出。因此，朝基板W吐出之反應液含有液的溫度徐緩地大幅降低，反應液含有液之溫度變化量增加。藉此，即使在藥液與清洗液之溫度差較大的情況，仍可使基板W溫度徐緩且均勻地接近清洗液溫度。
又，本實施形態中，反應液含有液係由硫酸與純水所構成，反應液含有液所含之發熱液(硫酸)的比例被減少至零。因此，反應液含有液所含之發熱液消失，僅有反應液、亦即與於第2清洗液供給步驟(圖20之步驟S8)中供給至基板W之清洗液同種之液體朝基板W吐出。因此，不僅反應液含有液之溫度徐緩地大幅降低，在第2清洗液供給步驟(圖20之步驟S8)前殘留於基板W之液體與清洗液的親和性提高。藉此，在反應液含有液之供給後供給清洗液，而可滑順地沖洗殘留於基板W的液體。
[其他實施形態]
本發明實施形態之說明如以上所述，但本發明並不限定於上述實施形態之內容，可於本發明範圍內進行各種變更。
例如，於上述各處理例中，雖針對依使來自第1藥液噴嘴11之SPM吐出停止的狀態下，進行使基板W與SPM進行反應的液置步驟的情況進行說明，但亦可省略液置步驟，在第1藥液供給步驟 結束時接著開始反應液供給步驟。
另外，上述各處理例中，雖針對藉紅外線加熱器58對基板W及SPM進行加熱的情況進行說明，但亦可省略藉紅外線加熱器58對基板W及SPM進行加熱的加熱步驟(圖5之步驟S4)。同樣地，亦可省略第1溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S6)及第2溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S9)之至少一者。
另外，上述各處理例中，雖針對與反應液供給步驟(圖5之步驟S5)同時開始第1反應液供給步驟的情況進行說明，但第1溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S6)亦可於反應液供給步驟之開始前或開始後開始。同樣地，第2溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S9)亦可於第2藥液供給步驟(圖5之步驟S8)之開始前或開始後開始。
另外，上述各處理例中，係針對在結束第1溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S6)後、亦即停止加熱流體之吐出後，開始第2溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S9)的情況進行說明，但亦可在反應液供給步驟(圖5之步驟S5)之開始至第2藥液供給步驟(圖5之步驟S8)結束為止，持續加熱流體之吐出。
另外，上述各處理例中，係針對處理單元2進行抗蝕劑去除步驟的情況進行說明，但處理單元2所進行之處理並不限於抗蝕劑去除步驟，亦可為洗淨步驟或蝕刻步驟等其他步驟。
另外，上述實施形態中，係針對旋轉夾頭5為具備複數之夾銷8的挾持式夾頭的情況進行說明，但旋轉夾頭5亦可為使基板W下表面(背面)吸附於旋轉底盤(吸附底盤)上表面的真空式夾頭。
另外，上述實施形態中，係針對將第1藥液噴嘴11、第2藥液噴嘴29及清洗液噴嘴36安裝於各別之噴嘴臂的情況進行說明， 但亦可將此等噴嘴中之2個以上安裝於共通的噴嘴臂。同樣地，紅外線加熱器58亦可與第1藥液噴嘴11等吐出處理液的處理液噴嘴安裝於共通的臂。
另外，上述實施形態中，係針對在第1藥液噴嘴11設有供給過氧化氫水之2個配管(第1過氧化氫水配管23及第2過氧化氫水配管26)的情況進行說明，但亦可省略其中一配管。同樣地，上述針對在清洗液噴嘴36設有供給清洗液之2個配管(第1清洗液配管39及第2清洗液配管42)的情況進行說明，但亦可省略其中一配管。
另外，上述實施形態中，係針對供給至基板前之反應液(過氧化氫水或純水)之溫度為室溫的情況進行說明，但若為較供給至基板前之SPM溫度(第1溫度)低，則供給至基板前之反應液的溫度亦可高於室溫。
另外，上述實施形態中，係針對將作為加熱液一例之溫水(加熱為第1中間溫度之純水)供給至基板W下表面的情況進行說明，但亦可取代加熱液而將加熱氣體供給至基板W下表面。
具體而言，控制裝置3係於第1溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S6)及第2溫度降低抑制步驟(圖5之步驟S9)之至少一者中，打開氣體閥55，將第1中間溫度(例如高於室溫之溫度)之氮氣由在旋轉底盤7之上表面中央部呈開口的氣體吐出口53吐出。此時，由氣體吐出口53所吐出之氮氣，係在基板W下表面與旋轉底盤7上表面之間的空間由旋轉底盤7上表面中央部起呈放射狀擴展。藉此，於基板W下表面與旋轉底盤7上表面之間的空間被第1中間溫度之氮氣充滿，藉由作為加熱氣體一例之氮氣抑制基板W的溫度降低。
另外，上述第7處理例中，雖針對藉紅外線加熱器58 對基板W及SPM進行加熱的情況進行說明，但亦可省略藉紅外線加熱器58對基板W及SPM進行加熱的加熱步驟(圖20之步驟S4)。同樣地，亦可省略第1溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S7)及第2溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S10)之至少一者。
另外，上述第7處理例中，雖針對在基板W上表面中間部開始反應液含有液對基板W上表面之供給的情況進行說明，但亦可於基板W上表面中間部以外之位置(例如上表面周緣部)開始反應液含有液的供給。
另外，上述第7處理例中，雖針對硫酸及過氧化氫水之混合比最終變更為1(硫酸)比1(過氧化氫水)的情況進行說明，但亦可將硫酸比例最終減少為零，由第1藥液噴嘴11僅吐出室溫之過氧化氫水(過氧化氫水含有液)。
另外，上述第7處理例中，雖針對與反應液供給步驟(圖20之步驟S5)同時開始第1反應液供給步驟的情況進行說明，但第1溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S7)亦可於反應液供給步驟之開始前或開始後開始。同樣地，第2溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S10)亦可於第2藥液供給步驟(圖20之步驟S9)之開始前或開始後開始。
另外，上述第7處理例中，雖針對在結束第1溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S7)後、亦即停止加熱流體之吐出後，開始第2溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S10)的情況進行說明，但亦可在反應液供給步驟(圖20之步驟S5)之開始至第2藥液供給步驟(圖20之步驟S9)結束為止，持續加熱流體之吐出。
另外，上述第7處理例中，係針對處理單元2進行抗蝕劑去除步驟的情況進行說明，但處理單元2所進行之處理並不限於抗 蝕劑去除步驟，亦可為洗淨步驟或蝕刻步驟等其他步驟。
另外，上述第7處理例中，雖針對將事先混合之反應液含有液(硫酸及過氧化氫水之混合液，或硫酸及純水之混合液)供給至第1藥液噴嘴11的情況進行說明，但反應液含有液亦可於基板W所混合。例如，在反應液含有液為硫酸及純水之混合液的情況，可在由第1藥液噴嘴11吐出硫酸的同時，使清洗液噴嘴36吐出純水。
另外，上述實施形態中，雖針對旋轉夾頭5為具備複數之夾銷8的挾持式夾頭的情況進行說明，但旋轉夾頭5亦可為使基板W下表面(背面)吸附於旋轉底盤(吸附底盤)上表面的真空式夾頭。
另外，上述實施形態中，雖針對將第1藥液噴嘴11、第2藥液噴嘴29及清洗液噴嘴36安裝於各別之噴嘴臂的情況進行說明，但亦可將此等噴嘴中之2個以上安裝於共通的噴嘴臂。同樣地，紅外線加熱器58亦可與第1藥液噴嘴11等吐出處理液的處理液噴嘴安裝於共通的臂。
另外，上述實施形態中，係針對將作為加熱液一例之溫度(加熱為第1中間溫度之純水)供給至基板W下表面的情況進行說明，但亦可取代加熱液而將加熱氣體供給至基板W下表面。
具體而言，控制裝置3係於第1溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S7)及第2溫度降低抑制步驟(圖20之步驟S10)之至少一者中，打開氣體閥55，將第1中間溫度(例如高於室溫之溫度)之氮氣由在旋轉底盤7之上表面中央部呈開口的氣體吐出口53吐出。此時，由氣體吐出口53所吐出之氮氣，係在基板W下表面與旋轉底盤7上表面之間的空間由旋轉底盤7上表面中央部起呈放射狀擴展。藉此，於基板W下表面與旋轉底盤7上表面之間的空間被第1中間溫度之氮氣 充滿，藉由作為加熱氣體之一例之氮氣抑制基板W的溫度降低。
另外，上述實施形態中，雖針對基板處理裝置1為對圓板狀基板W進行處理之裝置的情況進行說明，但基板處理裝置1亦可為對液晶顯示裝置用基板等之多角形基板W進行處理的裝置。
另外，亦可將上述所有實施形態中之2種以上加以組合。
本申請案係與於2013年9月2日向日本專利局提出之日本專利特願2013-181508號與特願2013-181510號對應，且該等申請案之所有揭示內容均藉由引用而併入本文中。
雖針對本發明之實施形態進行了詳細說明，但此等僅為用於闡明本發明之技術內容的具體例，本發明並不應限定於此等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。

Claims (15)

  1. 一種基板處理方法，其包含有：藥液供給步驟，其將第1溫度之藥液供給至基板主表面；清洗液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後，將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體；及反應液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，將反應液供給至基板主表面，該反應液係藉由與藥液混合而發生發熱反應，並且液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上；上述反應液供給步驟係包含有：供給開始步驟，其於將旋轉中之基板的主表面全域以藥液加以覆蓋之狀態下，在中央部與周緣部之間的中間部，開始對於基板主表面之反應液之供給；及著液位置移動步驟，其在上述供給開始步驟之後，於將旋轉中之基板主表面全域以藥液及反應液加以覆蓋之狀態下，使對於基板主表面之反應液的著液位置由中間部移動至中央部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述反應液供給步驟係包含有以下之步驟：朝向相對於基板主表面而呈傾斜之吐出方向吐出反應液。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，上述反應液供給步驟係包含有以下之步驟：以隨著接近至基板主表面而位在基板中心側之方式，朝向相對於基板主表面而呈傾斜之吐出方向吐出反應液。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在上述藥液供給步驟中被供給至基板的藥液，係為液溫為低於第1溫度且在第2溫度以 上之反應藥液，與藉由與反應藥液混合而發熱之發熱藥液的混合液；且上述反應液供給步驟係包含有以下之步驟：將作為反應液之反應藥液加以供給至基板主表面。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述反應液供給步驟係包含有以下之步驟：於以大於基板之旋轉速度的旋轉速度使基板進行旋轉之狀態下(在自朝向基板之藥液的供給被開始之後至朝向基板之反應液的供給被開始之前為止之至少一部分期間中)，朝向基板主表面將反應液加以吐出。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述反應液供給步驟係包含有以下之步驟：於基板旋轉中之狀態下，朝向基板之主表面中央部、主表面中間部、及主表面周緣部同時地吐出反應液。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上述反應液供給步驟係包含有以下之步驟：於基板旋轉中之狀態下，使反應液同時地著液於包括基板半徑之基板主表面內的區域全體。
  8. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板加以保持並使其旋轉；藥液供給單元，其朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將第1溫度之藥液加以吐出；清洗液供給單元，其朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液加以吐出；反應液供給單元，其朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將反應液加以吐出，該反應液係液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上，且藉由與藥液混合而發生發熱反應；及 控制裝置，其控制上述基板保持單元、藥液供給單元、清洗液供給單元及反應液供給單元；且上述控制裝置係實行以下之步驟：藥液供給步驟，其將第1溫度之藥液供給至基板主表面；清洗液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後，將第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體；及反應液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，將液溫為低於第1溫度且在第2溫度以上的反應液，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，加以供給至基板主表面；上述反應液供給步驟係包含有：供給開始步驟，其於將旋轉中之基板的主表面全域以藥液加以覆蓋之狀態下，在中央部與周緣部之間的中間部，開始對於基板主表面之反應液之供給；及著液位置移動步驟，其在上述供給開始步驟之後，於將旋轉中之基板主表面全域以藥液及反應液加以覆蓋之狀態下，使對於基板主表面之反應液的著液位置由中間部移動至中央部。
  9. 一種基板處理方法，其包含有：藥液供給步驟，其將第1溫度之藥液供給至基板主表面；清洗液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後，將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體；反應液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，朝向基板主表面將反應液含有液加以吐出，該反應液含有液係至少於吐出開始時包含有藉由與在上述藥液供給步驟中被供給 至基板之藥液進行混合而發生發熱反應之反應液、及藉由與反應液混合而進行發熱之發熱液，且液溫為在第1溫度以下且在第2溫度以上；及反應液濃度變更步驟，其與上述反應液供給步驟並行，使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，上述反應液濃度變更步驟係包含有以下之步驟：將反應液與發熱液之混合比，由發熱液之比例為大於反應液之比例的第1混合比加以變更至發熱液之比例為小於反應液之比例的第2混合比，藉此使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液之比例減少，而使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，上述反應液濃度變更步驟係包含有以下之步驟：使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少至零，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度。
  12. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，在上述藥液供給步驟中被供給至基板的藥液，係為反應藥液，與較反應藥液為高溫且藉由與反應藥液混合而發熱之發熱藥液的混合液，且吐出開始時之反應液含有液，係為作為反應液之反應藥液，與作為發熱液之發熱藥液的混合液。
  13. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，在上述藥液供給步驟中被供給至基板的藥液，係為反應藥液，與較反應藥液為高溫且 藉由與反應藥液混合而發熱之發熱藥液的混合液，且吐出開始時之反應液含有液，係藉由與在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液進行混合而發生發熱反應之反應液，與作為包含有發熱藥液之發熱液之發熱藥液含有液的混合液。
  14. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，反應液係其組成為與在上述清洗液供給步驟中被供給至基板的清洗液相同，藉由與在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液進行混合而發生發熱反應的液體；上述反應液濃度變更步驟係包含有以下之步驟：使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少至零，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度低於吐出開始時之反應液含有液的溫度，並且使朝向基板被吐出之反應液含有液之組成與在上述清洗液供給步驟中被供給至基板之清洗液之組成產生一致。
  15. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板加以保持並使其旋轉；藥液供給單元，其向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將第1溫度之藥液加以吐出；清洗液供給單元，其朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將較第1溫度為低之第2溫度之清洗液加以吐出；反應液供給單元，其包括有：朝向被上述基板保持單元所保持之基板主表面將反應液含有液加以吐出的反應液噴嘴，該反應液含有液係將藉由與藥液混合而發生發熱反應之反應液，與較反應液為高溫且藉由與反應液混合而發熱之發熱液加以混合而藉此加以生成，且液溫為在第1溫度以下且在第2溫度以上；及將於自上述反應液噴嘴所吐出 之反應液含有液所含有之發熱液之比例加以變更的濃度變更單元；及控制裝置，其控制上述基板保持單元、藥液供給單元、清洗液供給單元及反應液供給單元；且上述控制裝置係實行以下之步驟：藥液供給步驟，其將第1溫度之藥液供給至基板主表面；清洗液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後，將第2溫度之清洗液供給至基板主表面，藉此沖洗殘留在基板之液體；反應液供給步驟，其在上述藥液供給步驟之後且在上述清洗液供給步驟之前，將液溫為在第1溫度以下且在第2溫度以上的反應液含有液，於在上述藥液供給步驟中被供給至基板之藥液為殘留在基板之狀態下，朝向基板主表面加以吐出；及反應液濃度變更步驟，其與上述反應液供給步驟並行，使於朝向基板被吐出之反應液含有液所含有之發熱液的比例減少，藉此使朝向基板被吐出之反應液含有液的溫度，降低至低於吐出開始時之反應液含有液的溫度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI666064B (zh) * 2017-09-22 2019-07-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6222818B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US9966282B2 (en) * 2014-09-30 2018-05-08 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6779701B2 (ja) * 2016-08-05 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体
KR101927696B1 (ko) * 2016-08-31 2019-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6875811B2 (ja) * 2016-09-16 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス パターン倒壊回復方法、基板処理方法および基板処理装置
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
KR102099433B1 (ko) * 2018-08-29 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7149802B2 (ja) * 2018-10-24 2022-10-07 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
JP7390837B2 (ja) * 2019-09-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110143550A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device, apparatus for processing substrate, and computer readable medium
US20120180828A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-19 Jiro Higashijima Liquid Processing Apparatus and Liquid Processing Method
JP2012156264A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
US20130014786A1 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Tokyo Electron Limited Liquid process apparatus and liquid process method
JP2013521658A (ja) * 2010-03-03 2013-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フォトレジスト除去プロセッサ及び方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05121388A (ja) 1991-10-28 1993-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の洗浄方法と洗浄装置
JP3532837B2 (ja) * 2000-08-07 2004-05-31 住友精密工業株式会社 回転式基板処理装置
JP2003031536A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Nec Corp ウエハの洗浄方法
JP4672487B2 (ja) * 2005-08-26 2011-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト除去方法およびレジスト除去装置
JP4795854B2 (ja) 2006-06-05 2011-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008066400A (ja) 2006-09-05 2008-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5016351B2 (ja) * 2007-03-29 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板洗浄装置
JP5215013B2 (ja) 2008-03-26 2013-06-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP5606992B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9640383B2 (en) 2011-08-26 2017-05-02 Tokyo Electron Limited Liquid treatment apparatus and liquid treatment method
JP5639556B2 (ja) * 2011-09-21 2014-12-10 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法及び装置
CN103187340B (zh) * 2011-12-28 2016-08-03 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
CN203118920U (zh) * 2013-04-02 2013-08-07 金杰 晶圆注入系统监测装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110143550A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Renesas Electronics Corporation Method for manufacturing semiconductor device, apparatus for processing substrate, and computer readable medium
JP2013521658A (ja) * 2010-03-03 2013-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フォトレジスト除去プロセッサ及び方法
US20120180828A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-19 Jiro Higashijima Liquid Processing Apparatus and Liquid Processing Method
JP2012156264A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
US20130014786A1 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Tokyo Electron Limited Liquid process apparatus and liquid process method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI666064B (zh) * 2017-09-22 2019-07-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160236241A1 (en) 2016-08-18
US9340761B2 (en) 2016-05-17
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KR20150026967A (ko) 2015-03-11

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