KR20130038212A - 포토레지스트 제거 프로세서 및 방법들 - Google Patents
포토레지스트 제거 프로세서 및 방법들 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130038212A KR20130038212A KR1020127025818A KR20127025818A KR20130038212A KR 20130038212 A KR20130038212 A KR 20130038212A KR 1020127025818 A KR1020127025818 A KR 1020127025818A KR 20127025818 A KR20127025818 A KR 20127025818A KR 20130038212 A KR20130038212 A KR 20130038212A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- temperature
- sulfuric acid
- chamber
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 95
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 85
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 77
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 19
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 59
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- -1 disulfide peroxide Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000013461 intermediate chemical Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])[O-] QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
프로세싱 챔버(20)는 황산과 같은 산이 있는 곳에서, 선택적으로 과산화수소와 같은 산화제와 함께 웨이퍼상에 직접적인 적외 복사선을 통해 경화된 포토레지스트를 성공적으로 제거한다. 프로세싱 챔버는 웨이퍼를 홀딩하고 그리고 선택적으로 회전시키기 위한 웨이퍼 홀더(26)를 포함한다. 적외선 복사 조립체(126)는 적외선 광을 프로세싱 챔버 내로 복사하도록 위치되는 프로세싱 챔버의 외측에 적외선 램프(140)를 갖는다. 적외선 램프는 실질적으로 홀더상의 웨이퍼의 전체 표면을 조사하도록 배치될 수 있다. 급속한 냉각을 제공하고 오버-프로세싱을 피하기 위해 냉각 조립체가 적외선 복사 조립체에 연결될 수 있다. 소량의 화학물질 용액을 사용하여 포토레지스트가 제거된다.
Description
본 발명은 포토레지스트 제거 프로세서 및 방법들에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 패턴들은 전형적으로 웨이퍼 표면에 포토레지스트(photoresist)를 공급함으로써 생성된다. 웨이퍼 상에 패턴을 노출시키는 것은 포토레지스트의 화학적 결합을 변형하는데, 이러한 화학적 결합은 다른 영역들이 현상제(developer)에 대해 비교적 불활성이 되면서 일정 영역들은 현상제를 이용하여 제거되도록 허용한다. 포토레지스트는 포지티브(positive) 또는 네거티브(negative)일 수 있으며, 이는 광에 노출된 영역 또는 광에 노출되지 않은 영역이 현상제 내에서 제거되는지의 여부를 나타낸다. 모든 경우에 있어서, 커버된 영역들을 마스킹(mask)하는데 사용되는 웨이퍼 상에 패턴이 생성된다. 마스킹 효과는 아래에 놓이는 층을 다양한 부식액들(etchants)의 효과 및 이온 주입들(ion implants)로부터 보호할 것이다.
역사적으로, 포토레지스트는 산소, 오존, 또는 아산화질소(nitrous oxide) 함유 환경에서의 플라즈마 애싱(plasma ashing)에 의해, 황산 또는 황산과 과산화수소의 혼합물들 내에서의 산화에 의해, 또는 오존/물 용액들 내에서의 제거에 의해 제거되어 왔다. 유기 용제들(organic solvents)내의 포토레지스트 용해가 또한 사용되지만, 이 용해는 강한 산화 환경들에 의해 공격받을 수 있는 제공된 금속 막들(films) 또는 패턴들이 존재하는 반도체 웨이퍼들에 대해서는 통상적으로 보호된다.
포토레지스트를 제거하기 위해 다양한 습식 프로세스 화학물질들(wet process chemicals)이 사용되어 왔다. 그러나, 많은 경우에 있어서, 종래의 웨이퍼 프로세싱은 액체 화학물질들이 포토레지스트를 제거하는데 있어서 더 이상 효과적이지 않은 정도까지, 포토레지스트를 경화 또는 가교-결합(cross-link)시킨다. 포토레지스트의 경화는 에칭 프로세스 동안 과도한 플라즈마 노출로 인한 것일 수 있다. 또한, 예를 들어 1E15 atoms/㎠ 이상의 용량(dosage)으로 이온 주입이 발생할 때의, 포토레지스트 경화는 매우 통상적이다. 플라즈마 애싱 및 건식 오존 애싱은 경화된 포토레지스트를 제거하는데 매우 효과적이다. 그러나, 플라즈마 손상, 고온 전자 인젝션(hot-electron injection)을 위한 포텐셜(potential), 모바일 이온 영동(migration), 및 표면 공격으로 인해, 이들 프로세스는 디바이스 성능의 악화를 유발시킬 수 있다. 결과적으로, 제조중인 반도체 디바이스들에 치명적인 영향 없이 경화된 포토레지스트를 제거하기 위한 새로운 기술들이 요망되고 있다.
새로운 프로세싱 챔버는 경화된 포토레지스트를 성공적으로 제거한다. 웨이퍼상으로의 직접 IR 복사선(radiation)을 사용함으로써, 황산과 같은 산의 존재시, 과산화수소와 같은 산화제(oxidizer)와 함께 선택적으로, 포토레지스트가 신속하게 그리고 효과적으로 제거된다. 일 양태에 있어서, 새로운 프로세싱 챔버는 웨이퍼를 홀딩 및 회전시키기 위한 회전자(rotor)를 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버의 외측에 적외선 램프들을 갖는 적외선 조사(照射)(irradiating) 조립체는, 프로세싱 챔버 내에 적외선 광을 복사(radiate)하도록 배열될 수 있다. 적외선 램프들은 회전자 상에서 웨이퍼의 실질적으로 전체 표면을 조사하도록 배열될 수 있다. 급속 냉각을 제공하고 오버-프로세싱(over-processing)을 회피하기 위해, 냉각 조립체는 적외선 복사 조립체와 관련될 수 있다.
새로운 프로세스에서, 황산과 같은 산의 매우 작은 용적이 과산화수소와 같은 산화제와 함께 선택적으로 웨이퍼상의 포토레지스트 층으로 공급된다. 웨이퍼 온도는 복사 가열을 통해 급속히 증가된다. 그 후, 웨이퍼가 냉각된다. 복사 에너지 및/또는 가열과 함께 화학 반응은 포토레지스트를 제거하면서, 화학물질 소모가 최소화된다. 본 발명은 서술되는 프로세서의 서브-콤비네이션들(sub-combinations) 및 서브-시스템들(sub-systems)에도 속한다.
도면들에서 동일한 도면부호는 각각의 도면에서 동일한 엘리먼트를 나타낸다.
도 1은 포토레지스트를 제거하기 위한 프로세서의 전방 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 프로세서의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 프로세서의 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 프로세서의 후방 사시도이다.
도 5는 대안적인 디자인의 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 히터 하우징을 올려다 본 저면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 램프 하우징을 올려다 본 저면도이다.
도 8은 커버가 제거된 도 6에 도시된 적외선 복사 하우징의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 프로세서의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 프로세서의 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 프로세서의 후방 사시도이다.
도 5는 대안적인 디자인의 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 히터 하우징을 올려다 본 저면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 램프 하우징을 올려다 본 저면도이다.
도 8은 커버가 제거된 도 6에 도시된 적외선 복사 하우징의 사시도이다.
도면들에 대한 상세한 설명에 있어서, 도1에 도시된 바와 같이, 프로세서(20)는 제1 또는 하부 챔버 조립체(22) 및 제2 또는 상부 챔버 조립체(24)를 포함할 수 있다. 도1에 도시된 디자인에서, 하부 챔버 조립체(22)는 베이스 플레이트(30)상에서 지지되는 보울(bowl)(32)을 포함한다. 실리콘 웨이퍼와 같은 웨이퍼(70)를 홀딩 및 회전시키도록 구성된 회전자 조립체(26)는 하부 챔버 조립체(22) 내에 포함된다. 대안적으로, 고정된 또는 회전하지 않는 웨이퍼 홀더가 사용될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 유체를 수집 및 제거하기 위해, 보울(32)은 배수 피팅(drain fitting)(36)을 갖는 유체 수집 트로프(trough)(34)를 포함할 수 있다. o-링과 같은 밀봉 엘리먼트(40)가 보울(32)의 상부면(38)상에 제공된다. 회전자 조립체(26)는 웨이퍼(70)를 홀딩하는 플레이트 조립체(80)를 회전시키는 모터(50)를 포함한다. 차폐(shield) 플레이트(64)는 회전자 허브(hub)(56)에 부착된 회전자 플레이트(82)와 상부 플레이트(81) 사이에 끼워진다. 플레이트 클립(86)은 플레이트 조립체(80)의 부품들을 함께 홀딩한다. 핑거(finger)(84)는 플레이트 조립체(80)로부터 수직으로 연장하고, 그리고 회전자 플레이트(82)의 둘레에 위치된다. 웨이퍼(70)는 회전자 플레이트(82)로부터 이격되어 있고 그리고 회전자 플레이트(82)와 실질적으로 평행한 핑거(84)상에 놓인다. 도 2에 도시된 특수한 디자인에서, 또한 회전자 조립체(26)는 상부 및 하부 샤프트(54 및 60)에 각각 연결된 회전자 허브(56)를 포함한다. 구동 샤프트는 모터(50)가 제 위치에 고정되어 유지될 동안 자유롭게 스피닝(spin)한다. 하부 챔버 조립체(22)에 회전자 조립체(26)를 회전 가능하게 지지하기 위해, 모터(50)는 베이스 플레이트(30)에 부착된 모터 장착 플레이트(52)상에 지지될 수 있다.
엣지들에서 웨이퍼(70)를 지지 및 홀딩하기 위해, 회전자 조립체상의 핑거들 또는 유사한 디바이스들이 플레이트 조립체(80)에 부착된다. 액체가 상부 구동 샤프트(54), 하부 구동 샤프트(60), 및 모터(60)에 도달하는 것을 방지하는 쉴드(66)는, 회전자 조립체(26)에 부착된다. 회전자 조립체(26)는 사용될 수 있는 다양한 디자인들 중 하나를 나타낸다.
도 2를 더 참조하여, 상부 챔버 조립체(24)는 하부 립(lip)(104) 및 상부 립(106)을 갖는 환형의 상부 챔버 본체(102)를 포함할 수 있다. 본체(102)는 하부 리테이너(retainer) 링(98)을 통해 리프트(lift) 링(90)에 부착될 수 있다. 도 1, 도 2, 및 도 3에서, 리프팅(lifting) 작동기(92)는 리프트 링(90)상의 링 탭들(tabs)(95)에 부착될 수 있다. 따라서, 작동기의 리프팅 움직임은 전체 상부 조립체(24)를 위로 리프팅하여 하부 챔버 조립체(22)로부터 이격시킨다. 리프트 링(90)은 내식성 스틸 또는 유사한 물질로 제조될 수 있다. 프로세서(20) 내에 사용되는 내식성 프로세스 유체들로부터 리프트 링(90)을 차폐하기 위해, 보울 링(96)이 리프트 링(90) 위에 제공될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 폐쇄된 또는 프로세스 위치의 프로세서(20)를 이용하여, 하부 챔버 조립체(22)로 상부 챔버 조립체(24)를 밀봉하기 위해, 보울 링(96)의 바닥면이 밀봉 엘리먼트(40)와 맞물린다.
도시된 디자인에서, 사용된 리프팅 작동기는 베이스 플레이트(30)에서 지지되며 그리고 위로 신장되고 링 탭(95)에 부착된 샤프트를 갖는 리프트 작동기(92)를 포함한다. 도 1은 3개의 리프트 작동기들의 사용을 도시하고 있지만, 이 보다 많거나 적은 수가 사용될 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 디자인과 동일한 엘리먼트들을 갖지만 그러나 상이한 특수한 부품들이 선택된 대안적인 프로세서를 도시하고 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 상이한 모터(50), 보울(32), 회전자 조립체(26), 및 다른 부품들이 사용된다.
도 2 및 5에 도시된 바와 같이, 프로세서(20)가 폐쇄된 또는 프로세스 위치에 있을 때, 일반적으로 도면부호 28로 나타난 프로세싱 챔버는 하부 및 상부 챔버 조립체들(22, 24) 사이에 형성된다. 유체 출구들 또는 노즐들은 챔버(28) 내로 프로세스 유체들을 제공한다. 다양한 노즐 개수들, 타입들, 및 위치들이 사용될 수 있다. 도 2 및 도 5는 상부 챔버 본체(102)의 원통형 측벽(108)에 부착된 노즐들을 도시한다. 공급 라인들(도시되지 않음)은 프로세스 유체들을 노즐들에 전달한다. 분무(atomizing) 및 분사 노즐을 포함하여, 다양한 타입의 노즐이 사용될 수 있다. 하기에 서술된 프로세스들을 수행하기 위해, 프로세서(20)에는 적어도 하나의 황산 분무기 노즐(112) 및 과산화수소 분무기 노즐(114)이 설치된다. 또한, 프로세서(20)는 일반적으로 상부 및 하부 탈이온수 노즐들(116)을 포함한다. 물 노즐들(116)의 상부 쌍 및 하부 쌍이 사용될 수 있다. 전형적으로, 2개 또는 3개 이상의 이 노즐들이 사용된다. 도 4는 노즐들 및 유체 피팅들의 후방 단부를 도시하고 있다. 도 2를 다시 참조하여, 열전쌍(thermocouple) 또는 프록시(proxy) 센서와 같은 하나 또는 둘 이상의 챔버 온도 센서들(122)이 프로세싱 동안 웨이퍼의 온도로의 근사치를 내기 위해 챔버(28)내에 제공될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 헤드 플레이트(130)는 상부 리테이너 플레이트(134)를 통해 상부 챔버 본체(102)에 고정된다. 배기 플레이트(132)는 헤드 플레이트(130)에 기밀하게 홀딩되며, 그들 사이에 투명한 적외선 윈도우(window)(148)를 홀딩한다. 헤드 플레이트(130) 및 배기 플레이트(132)는 일반적으로 플레이트 조립체(80)상에서 합치(matching)되어 중심을 둔 중심 관통 개구(central through opening)를 각각 갖는다. 투명한 적외선 윈도우(148)는 개구를 확장하여(span), 헤드 플레이트(130) 및 배기 플레이트(132) 모두에 밀봉될 수 있다. 투명한 적외선 윈도우(148)는, 광 및/또는 적외 복사선으로 하여금 윈도우를 통과하여 플레이트 조립체(80)상에 위치된 웨이퍼(70)에 의해 흡수되는 것을 허용하도록 위치된다. 배기 플레이트(132)는 적어도 하나의 배기 포트(133)를 갖는다. 배기 포트(133)는 액체들, 가스들, 및 증기들을 프로세싱 챔버(28)로부터 제거하게 한다.
도 2, 도 5, 도 6, 및 도 8은 상부 챔버 조립체(24)의 헤드 플레이트(130)상에도 지지될 수 있는 복사선 또는 적외선(IR) 조립체(126)를 도시하고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, IR 램프(140)는 투명한 적외선 윈도우(148) 위에 어레이(array)로 제공된다. 램프(140)는 홀더들 또는 브래킷들(bracket)(142)상의 램프 하우징(138) 내에 현수(suspend)될 수 있다. 도8에 도시된 바와 같이, 열전쌍과 같은 하나 또는 둘 이상의 하우징 온도 센서들(144)이 램프 하우징에 부착될 수 있다. 전기 전력 케이블들(156)은 램프들(140)에 전력을 제공한다.
도 6에서, 램프들(140)은 일반적으로 윈도우(148)의 전체 표면적에 균일하게 확장하도록, 어레이 내에서 서로로부터 균등하게 이격되어 있다. 300mm 직경 웨이퍼를 프로세싱하기 위해, 8개의 단일 엘리먼트 램프들(140)이 사용될 수 있다. 이 램프들은 웨이퍼(70)의 전체 표면상에 윈도우(148)를 통해 실질적으로 균일한 직접적인[가시선(line of sight)] IR 복사선을 제공한다. 웨이퍼 표면상에서 충돌하는 IR 복사 에너지는 웨이퍼 표면에 걸쳐 30, 20, 10, 또는 5% 미만으로 변화하는 것이 바람직하다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 근처의 램프들을 통해 램프들상의 단부 피팅들의 가열을 감소시키기 위해, 램프들(140)은 램프 하우징(138)의 슬롯들(170)내에 위치될 수 있다.
도 2, 도 6, 도 7, 및 도 8에 도시된 바와 같이, 냉각 시스템(150)이 IR 조립체(126)상에 제공된다. 냉각 시스템은 램프 하우징(138) 위에 또는 내에 튜브들(152)을 포함할 수 있다. IR 조립체(126)를 냉각시키기 위해, 튜브들(152)을 통해 액체 냉각제가 적절한 시간에 펌핑된다. 액체 냉각제는 피팅들(154)에 연결하는 공급 라인들을 통해 튜브들(152)에 공급되며, 이는 IR 조립체(126)의 하우징 커버(128)상에 위치될 수 있다. 튜브들(152)은 램프 하우징(138)내의 히트 싱크 플레이트들(160)을 통해 연장할 수 있다. 또한, 냉각 시스템(150)은 램프 하우징(138)을 통해 및/또는 그 주변에 흐름 경로 및 에어 매니폴드(146)를 포함할 수 있다. 냉각 에어가, 공급 파이프(도시되지 않음)를 통한 연통을 위해 에어 입구(145)를 통해서 도입되어 통과되고, IR 조립체(126)를 통해서 이동하도록 에어 매니폴드(146)를 통해서 분산되어 에어 배기 라인(158)을 통해서 빠져나갈 수 있다.
사용 시, 프로세서(20)는 도1에 도시된 바와 같이초기에 로드/언로드 위치에 있다. 상부 챔버 조립체(24)는 하부 챔버 조립체(22)로부터 위로 승강되어, 측부로부터 플레이트 조립체(80)로의 액세스를 허용한다. 웨이퍼(70)는 수동으로, 또는 더욱 전형적으로는 로봇에 의해 상부 플레이트(81)상에 위치된다. 웨이퍼는 핑거들(84)상에 놓인다. 그 후, 리프트 작동기들(92)은 하부 챔버 조립체(22)상으로 상부 챔버 조립체(24)를 아래로 하강시켜, 그들 사이에 프로세싱 챔버(28)를 형성한다. 그 후, 프로세서(20)는 도 2 및 도 5에 도시된 프로세스 위치에 있다. 보울 링(96)은 챔버(28)를 실질적으로 밀봉하기 위해 밀봉부(40)에 대해 밀봉할 수 있다. 챔버(28)는 기밀될 필요는 없으며 (진공 라인을 통해)배기될 수 있다. 오히려, 사용된 프로세스 화학물질들의 증기들이 주변 환경으로 쉽게 탈출할 수 없도록, 프로세서(20)는 대안적으로 설계될 수 있다.
프로세스 위치의 프로세서를 이용하여, 램프들(140)이 턴 온되어, 윈도우(148)를 통해 웨이퍼(70)를 조사한다. 석영이 실질적으로 IR 복사선을 투과시키고 또한 화학적으로 불활성이고 높은 내열성이기 때문에, 윈도우(148)는 석영일 수 있다. 윈도우(148)의 스팬(span)에 걸친 램프들(140)의 일반적으로 균일한 분포는 웨이퍼(70)의 전체 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 열로 나타난다. IR 복사선에의 노출로 인한 높은 프로세싱 온도에 더욱 잘 견디기 위해, 상부 챔버 본체(102) 및 상부 플레이트(81)는 석영일 수 있다. 플레이트 조립체(80) 내의 차폐 플레이트(64)는 IR 복사선이 하부 챔버 조립체(22) 내로 침투하는 것을 차단하도록 돕는다. 차폐 플레이트(64)는 내화(reflective) 코팅을 갖는 석영 플레이트일 수 있다. 차폐 플레이트(64) 아래의 부품들은 이들이 극단적인 온도에 노출되지 않기 때문에 일반적으로 종래의 금속 및 플라스틱 물질들일 수 있다.
과산화수소와 함께 선택적으로 황산이 챔버(28) 내로 동시에, 또는 후속으로, 또는 교호하는(alternating) 펄스들로 공급된다. 이들 프로세스 화학물질들은 일반적으로 노즐들에 액체들로서 공급되며, 그 후 챔버(28)에 도입된다. 프로세스 화학물질 중 어느 하나 또는 모두는 프로세스 챔버(28)내의 별도의 노즐들 또는 포트들로부터 분무된 스트림의 작은 액적들(droplets)의 형태로 챔버(28)에 동시에 전달될 수 있다. (더 큰 액적들을 형성하는)분사가 아닌 [에어로졸(aerosol) 또는 미스트(mist)를 형성하는]분무는, 웨이퍼의 국부적인 임시 냉각을 피하는데 도움을 준다. 이것은 웨이퍼에 걸쳐 프로세싱 균일도를 향상시킨다. 회전자 조립체(26) 및 웨이퍼(70)를 회전시키기 위해 모터(50)가 작동된다. 프로세스 화학물질들이 웨이퍼(70)에 공급될 때, 10-300RPM 의 회전 속도들이 사용될 수 있다. 추가적으로, 회전은 웨이퍼(70)의 표면상에 IR 복사선의 균일성 및 그에 따른 가열을 부가한다.
과산화수소와 황산을 조합하는 것은 높은 산화 포텐셜을 갖는 불안정한(quasi-stable) 중간의 화학적 화합물들을 형성한다. 더욱 통상적인 것 중의 2개는 H2SO5[카로산(Caro's acid) 또는 과산화 일황산(peroxy monosulfuric acid)] 및 H2S2O8(과산화 이황산 또는 PDSA)이다. 이 화합물들은 분해되어 다시 황산을 형성하기 전에, 제한된 수명을 갖는다. 챔버(28) 내로 개별적으로 공급되는 경우, 과산화수소 및 황산은 웨이퍼(70) 둘레의 영역의 챔버 내에서, 이에 따라 웨이퍼 표면상에서도 직접 증기 구름(cloud)과 반응한다. 이것은, 이들의 상호작용에 의해 형성된 매우 산화성인 불안정한 화학물질이 웨이퍼 표면상의 포토레지스트의 산화를 즉시 지원하게 하며, 웨이퍼 표면에서는 화합물들이 분해를 시작하기 전에 포토레지스트 제거 프로세스에 기여할 수 있도록 허용한다. 웨이퍼 표면상에 높은 산화 포텐셜의 불안정한 화합물들의 공급을 제공하기 위해, 프로세스는 제어된 양의 과산화수소 및 황산을 웨이퍼 표면에 공급할 수 있다.
웨이퍼(70)의 온도, 또는 웨이퍼상의 프로세스 화학물질 액체 막의 온도는, 온도 센서(122)에 의해 모니터링될 수 있다. 웨이퍼 온도는 온도 센서(122)를 통해 폐쇄된 피드백 루프로 제어될 수 있으며 그리고 램프들(140)로의 전력을 조정할 수 있다. 이것은 프로세서(20)와 관련된, 또는 설비에 원격으로 위치된 전자 제어기 또는 컴퓨터에 의해 수행될 수 있다. 또한, 제어기는 프로세서의 다른 동작들을 제어할 수 있다.
프로세스 파라미터들은 제거될 포토레지스트의 타입에 따라 변할 수 있다. 일 예로서, 분무된 황산 및 과산화수소가 분무용 노즐들(112 및 114) 각각을 통해 챔버(28) 내로 디스펜싱될 동안, 웨이퍼(70) 온도는 실온(20℃)으로부터 200, 250, 300, 또는 350℃ 보다 크게 급속히 램프 업(ramp up)된다. 램프-업 인터벌은 약 5초 내지 30-45초일 수 있다. 온도 램프 업 후, 온도는 약 20 내지 180초 동안 또는 더 길게 드웰 인터벌 온도(dwell interval temperature)로 안정되게 유지될 수 있다. 더욱 균일한 가열 및 프로세스 화학물질 디스펜싱을 제공하기 위해, 웨이퍼(70)는 선택적으로 동시에 회전될 수 있다. 드웰 인터벌 후, 프로세싱 시간을 단축시키기 위해, 웨이퍼(70)는 급속히 냉각될 수 있다. 냉각 조립체(150)를 통해 급속 냉각이 달성될 수 있으며, 이는 주로 IR 램프들(140) 및 램프 하우징(138)을 냉각한다. 웨이퍼(70)상의 유체 분사는 주로 웨이퍼(70)를 냉각한다. 유체 분사는 노즐(116)로부터의 DI 물로 이루어질 수 있다. 램프-업 인터벌 동안 일부 포토레지스트들이 완전히 제거될 수 있어서, 드웰 인터벌을 필요없게 한다.
포토레지스트 제거 후, 그리고 급속 냉각의 일부로서, 웨이퍼(70)는 뜨거운 DI 물로 그리고 그 후 주변 온도의 DI 물로 린스(rinse)될 수 있다. 이는, 동일한 챔버(28)에서 또는 상이한 프로세싱 챔버에서 수행된 세척 단계를 이용하여, 황산염 잔류물들 또는 다른 물질들을 제거하기 위한 세척 단계가 선택적으로 후속될 수 있다.
램프 하우징 온도 센서들(144)에 의해 검출되는 바와 같이, 램프 하우징(138)이 미리 세팅된 온도를 초과할 때, 냉각 조립체(150)의 튜브들(152)을 통해 냉각수가 펌핑된다. 일반적으로, 램프들(140)이 켜져 있을 때는 어느 때나 그리고 램프들이 꺼진 후의 시간의 주기 동안, 냉각수는 튜브들 또는 코일들(152)을 통해 이동한다. 추가적인 냉각을 제공하기 위해, 깨끗하고 건조한 에어가 IR 조립체(126)를 통해 유사하게 펌핑 또는 인출된다. 냉각 조립체(150)는 IR 조립체(126)로부터의 빗나간(stray) IR 복사선을 차단하고, 근처의 장치를 가열시키는 것을 감소 또는 회피한다.
프로세싱이 완료되었을 때, 리프트 작동기들(92)은 상부 챔버 조립체(24)를 다시 위로 그리고 하부 챔버 조립체(22)로부터 리프팅시킨다. 그 후, 프로세싱된 웨이퍼(70)가 제거되고, 후속의 웨이퍼가 프로세서(20) 내로 로딩된다.
과산화수소 및 황산을 사용하는 종래의 분사 또는 습식 벤치(wet bench) 프로세싱과는 대조적으로, 프로세서(20)는 매우 높은 온도들에서의 프로세싱을 허용한다. 이들 프로세스 화학물질 용액들의 비등(boiling)은 프로세싱 온도들을 제한하지 않는데, 그 이유는 이 용액들이 벌크 액체 형태로 제공되지 않기 때문이다. 또한, 예비-가열 화학물질 용액들과 관련된 복잡함을 피할 수 있다. 유사하게, 고온의 화학물질 용액들의 펌핑 및 취급이 요구되지 않으며, 이는 설비 디자인을 단순화시키고, 신뢰성을 개선한다.
실험적 결과들은 포토레지스트를 제거하는데 있어서 직접적인 IR 복사선이 다른 형태들의 가열보다 더욱 효과적임을 나타내고 있다. IR 복사선 자체는 포토레지스트의 화학 결합 및 가교-결합에 영향을 미치는 것으로 나타난다. 직접적인 IR 을 사용하는 포토레지스트 제거 레이트들은, IR 복사선으로부터 가려진(shadowed) 웨이퍼의 부분들 상에서조차도 고온-플레이트(hot-plate) 테스팅에서 보다 높다.
온-웨이퍼(on-wafer) 혼합 및 가열을 이용한 과산화수소 및 황산의 분무는 프로세스 화학물질 소모를 최소화한다. 아래의 예들에서 서술되는 바와 같이 테스팅은 300mm 웨이퍼상에 화학물질 용액들을 10㎖ 로 적게 사용하여 일부 포토레지스트들이 완전히 제거되었음을 나타내고 있다. 단지 소량의 화학물질 용액들만 필요하기 때문에, 이들은 한번 사용될 수 있으며, 이들을 재활용하는 것과 관련된 필요성 및 문제점들을 제거한다. 필요로 하는 화학물질 용액의 양은 제거되는 포토레지스트의 타입에 따라 변할 수 있다. 아래의 예 1 및 예 8 내지 예 11에서, 사용된 화학물질 용액들의 전체 용적은 45㎖ 이다. 이와는 대조적으로, 알려진 포토레지스트 제거 방법들은 전형적으로 300mm 웨이퍼 당 약 1500㎖ 의 화학물질 용액을 사용한다. 유사하게, 아래의 예 1 및 예 8 내지 예 11 은 H2O2 의 10㎖/분으로 H2SO4 의 20㎖/분의 유량을 사용하는 반면에, 알려진 포토레지스트 제거 방법은 전형적으로 약 1000㎖/분의 조합된 유량에 대해 H2SO4 및 H2O2 모두 약 500㎖/분의 유량을 사용한다.
예 2 및 예 6은 전체 10㎖ 및 9㎖ 각각의 매우 낮은 화학물질 용액 소모를 나타내고 있다. 따라서, 상기 방법들은 매우 소량의 화학물질 용액들을 사용하여 작동될 수 있다. 예를 들어, 300mm 직경 웨이퍼 상에서의 포토레지스트를 제거하는 프로세스에서, 전체 화학물질 용액 소모(전형적으로 H2SO4 및 H2O2)는 500㎖, 250㎖, 100㎖, 50㎖, 30㎖, 15㎖, 또는 10㎖ 이하일 수 있다. 따라서, 이 프로세스에서, H2SO4 의 유량은 100, 50, 20, 10, 또는 5㎖/분 이하일 수 있으며, 일반적으로 H2O2 유량은 H2SO4 유량의 약 절반과 동일하다. 이것은 150, 75, 30, 20, 또는 10㎖/분 이하인 본 프로세스에서 조합된 유량을초래한다. 비례하여 많거나 적은 최대량의 화학물질 용액들(및 유량)은 비례하여 크거나 작은 표면적들을 갖는 다른 크기들의 웨이퍼들 상에서 유사하게 사용될 수 있다.
프로세서(20)는 웨이퍼들 이외의 기판들로부터 포토레지스트를 제거하는데 사용될 수 있다. 따라서, 여기에서 사용되는 용어 웨이퍼는 다른 기판들 및 워크피스들을 또한 포함한다.
가변 파라미터들을 갖는 예들
하기와의 파라미터들을 변화시키면서 테스팅이 실행되었다: 1) 온도 램핑(temperature ramping); 2) 유지되는 온도(℃ 로, 기판의 온도를 기록함으로써 측정되는 바와 같이); 3) 노출 시간(초 단위); 4) H2O2 에 대한 H2SO4 의 비율; 5) 밀리미터로 사용되는 액체 화학물질의 전체 용적; 6) 분당 회전수("RPM's")로 측정된 웨이퍼 회전.
포토-레지스트 제거는 포토-레지스트의 타입, 주입 용량(implant dose), 주입 에너지, 주입 종들(species), 및 포토-레지스트의 두께에 따라 변할 수 있다. 하기의 예들에 의해 서술되는 조건들은 달리 포기되지 않는 한 30 KeV 및 4E15 atoms/㎠ 의 용량으로 BF2 를 통해 주입된 1 um 두께의 248 nm DUV 레지스트의 세트에 대한 파라미터 최적화에 의해 설정되었다.
예 1--일반적인 프로세스: 레지스트 코팅된 웨이퍼가 2의 화학 비율(H2SO4 의 2 부분 : H2O2 의 1 부분)을 조건으로 하여 90초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 물 온도를 20초 내에 주변 온도(ambient)로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 45㎖ 의 화학물질이었다. 테스팅은 많이 주입된 레지스트 샘플들의 95% 를 제거하는데 있어서 이 방법이 효과적임을 제안한다.
예 2--저 용적 화학물질 사용량 프로세스. 주입되지 않은 1um 248 DUV 레지스트 웨이퍼가 2의 화학물질 비율을 조건으로 20초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 웨이퍼 온도는 이러한 전체 프로세스에 걸쳐서 25℃에서 250℃ 까지 변하였다. 온도가 250℃ 에 도달하자마자, 웨이퍼는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 10㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 작은 화학물질 용적들을 이용하여 어떠한 타입들의 레지스트라도 완전히 제거될 수 있음을 나타내고 있다.
예 3--과산화수소가 사용되지 않음: 레지스트 웨이퍼는 무한한 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 웨이퍼는 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 물 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 포토-레지스트가 실질적으로 제거되었다. H2O2 의 유량은 0.0㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 30㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 추가된 H2O2 가 프로세스 성능을 강화시키지만, 모든 레지스트 타입들에는 요구되지 않음을 나타내고 있다.
예 4--과잉 과산화물 비율: 레지스트 웨이퍼는 0.1 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 포토-레지스트가 부분적으로 제거되었다. H2O2 의 유량은 20㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 2㎖/분이었다. 전체 사용량은 33㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 황산 보다 과산화수소를 훨씬 많이 갖는 화학물질 혼합물이 아직까지 포토레지스트를 제거할 수는 있지만 높은 황산 비율에 비해 효과적이지 않음을 나타내고 있다. 후속의 관찰은 낮은 H2SO4 혼합물들이 250℃ 아래에서 비등할 것을 나타내고 있다. 화학물질의 액체-가스 변환(liquid to gas conversion)은 이 프로세스의 유효성을 제한할 수 있다.
예 5--높은 전체 화학물질 용적: 웨이퍼는 2의 화학물질 비율을 조건으로 100초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 온도를 주변 온도로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었으며, 이는 이제 30초가 요구되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 100㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 200㎖/분이었다. 전체 사용량은 500㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 레지스트 제거의 관점에서 높은 디스펜싱율 및 화학물질의 사용이 실현 가능하지만 그러나 화학물질을 가열하기 위한 더 많은 에너지 및 주어진 세팅 지점을 그 온도에서 유지하기 위한 더 많은 에너지를 필요로 한다는 것을 보여주고 있다.
예 6--낮은 화학물질 디스펜싱 레이트.: 주입되지 않은 1 um 248 DUV 레지스트 웨이퍼가 2의 화학물질 비율을 조건으로 20초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃까지 구동시키도록 세팅되었다. 웨이퍼 온도는 이 전체 프로세스에 걸쳐서 25℃에서 250℃까지 변하였다. 온도가 250℃ 에 도달하자마자, 웨이퍼는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 실질적으로 제거되었다. H2O2 의 유량은 2㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 4㎖/분이었다. 전체 사용량은 90초에 걸쳐 디스펜싱된 9㎖ 의 화학물질이었다. 이 예들은 작은 디스펜싱 용적들을 이용하여 어떠한 타입의 포토레지스트라도 제거될 수 있지만 높은 레이트를 사용하는 것보다 덜 효과적임을 보여주고 있다.
예 7--연장된 시간: 40KeV 및 5E16 atoms/㎠ 의 용량으로 BF2 가 주입된 4um 두께의 레지스트 웨이퍼가 2의 화학 비율을 조건으로 600초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 580초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 탈이온수(DI) 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 300㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 반도체 산업에서의 극단적인 평탄한(even) 레지스트 조건들이 연장된 노출 시간에서 표준 조건들로 제거될 수 있음을 보여주고 있다.
예 8--더 높은 노출 온도: 레지스트 웨이퍼는 2의 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 60초 내에 주변 온도로부터 350℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 30초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 45㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 높은 온도가 사용될 수 있으며 완벽한 레지스트 제거로 나타날 수 있음을 보여주고 있다.
예 9--더 낮은 최대 온도: 주입되지 않은 레지스트 웨이퍼가 2의 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 기판은 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 100℃ 까지 20초로 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 기판으로부터 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 45㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 낮은 온도 프로세싱이 몇몇 레지스트 타입들을 이용하여 완벽한 포토-레지스트 제거로 여전히 나타날 수 있음을 보여주고 있다.
예 10--더 느린 온도 램프 비율: 레지스트-코팅된 웨이퍼가 2의 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 웨이퍼는 IR 램프들 아래에서 100RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 40초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 상승시키도록 세팅되었다. 이 온도는 50초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 포토-레지스트가 기판으로부터 실질적으로 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 45㎖ 의 화학물질이었다. 이 예는 온도의 램프 비율이 포토-레지스트 스트립(strip)의 엘리먼트일 수도 있음을 보여주고 있다.
예 11--제로 RPM: 레지스트-코팅된 웨이퍼가 2의 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 웨이퍼는 정지되어 있으며 그리고 IR 램프들 아래에서 회전되지 않는다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 증가시키도록 세팅되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었으며, 그 시간에 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 45㎖ 의 화학물질이었다. 제로 RPM 에서도, 웨이퍼는 완벽히 스트립되어 RPM 이 레지스트 제거에 주요한 엘리먼트가 아닐 수 있음을 제안하고 있다.
예12--500RPM: 레지스트-코팅된 웨이퍼가 2의 화학물질 비율을 조건으로 90초 동안 노출되었다. 웨이퍼는 IR 램프들 아래에서 500RPM 으로 회전되었다. 램프 전력은 웨이퍼 온도를 20초 내에 주변 온도로부터 250℃ 까지 구동시키도록 세팅되었다. 이 온도는 70초 동안 유지되었다. 그 후, 램프 전력이 차단되었고, 온도는 DI 린스를 이용하여 주변 온도에 가깝게 복귀되었다. 모든 포토-레지스트가 제거되었다. H2O2 의 유량은 10㎖/분이었으며, H2SO4 레이트는 20㎖/분이었다. 전체 사용량은 45㎖ 의 화학물질이었다. 500RPM 에서, 웨이퍼는 완벽히 스트립되어RPM 이 레지스트 제거에 주요한 엘리먼트가 아닐 수 있음을 나타내고 있다.
기판으로부터 제거될 포토레지스트 또는 다른 유기 코팅의 타입에 따라, 위의 예들은 위에 서술한 각각의 단계 또는 파라미터가 본 발명을 수행하는데 필수적으로 기본적이 아님을 나타내고 있다. 따라서, 각각의 단계 단독으로는 본 발명에 필수적으로 기본적이지 않기 때문에, 이들 예는 서술한 각각의 단계를 필수적으로 포함하지 않고서도 본 발명을 청구하는 의지를 나타내고 있다.
Claims (46)
- 웨이퍼로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 방법으로서:
폐쇄된 챔버 내에 웨이퍼를 위치시키는 단계;
상기 챔버의 윈도우를 통해 상기 웨이퍼의 표면상에 직접 복사하는 적외선 에너지를 이용하여, 상기 챔버의 외측에 위치된 적외선 램프들을 통해 상기 웨이퍼의 표면을 조사 및 가열하는 단계;
상기 웨이퍼의 표면으로부터 포토레지스트를 제거하도록 작용하는 황산과 과산화수소 및 적외 복사선을 이용하여, 상기 웨이퍼를 상기 황산 및 과산화수소에 접촉시키는 단계; 및
적외선 램프들 주위의 표면들을 냉각시키는 단계를 특징으로 하는 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 챔버 내에 과산화수소 및 황산의 분무된 미스트들의 혼합물을 동시에 제공하는 단계를 더 포함하는, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 2항에 있어서,
상기 챔버 내에서 적외 복사선의 존재 시에, 생산을 위해 별도의 분무화 노즐들로부터 상기 챔버 내에 분사된 과산화수소 및 황산을 가지며, 그리고 상기 황산의 분무화된 미스트와 혼합하는 상기 과산화수소의 분무화된 미스트를 갖는, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼는 300mm 직경 웨이퍼이고, 공급된 과산화수소와 황산의 전체 조합된 양은 100㎖ 이하인, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼는 300mm 직경 웨이퍼이고, 공급된 과산화수소와 황산의 전체 조합된 양은 50㎖ 이하인, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼는 300mm 직경 웨이퍼이고, 과산화수소와 황산의 함께 조합된 유량은 30㎖/분 이하인, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 300mm 직경 웨이퍼로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 방법으로서:
폐쇄된 챔버 내에 상기 웨이퍼를 위치시키는 단계;
적외 복사선을 통해 상기 웨이퍼의 표면을 조사하는 단계; 및
상기 웨이퍼의 표면으로부터 포토레지스트를 제거하도록 작용하는 과산화수소, 황산, 및 적외 복사선을 이용하여, 과산화수소와 황산의 100㎖ 보다 많지 않은 조합된 용적을 상기 웨이퍼 상에 공급하는 단계를 포함하는, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 7항에 있어서,
사용되는 과산화수소와 황산의 50㎖ 보다 많지 않은 조합된 용적을 공급하는 단계를 더 포함하는, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 7항에 있어서,
상기 챔버의 윈도우를 통해 상기 웨이퍼의 표면상에 직접적으로 적외 복사선을 투사하는 단계를 더 포함하는, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 제 7항에 있어서,
상기 포토레지스트는 주입되지 않고, 과산화수소와 황산의 20㎖ 보다 많지 않은 조합된 용적이 사용되는, 포토레지스트를 제거하기 위한 방법. - 기판으로부터 유기 코팅을 제거하기 위한 방법으로서:
프로세스 챔버 내에 상기 기판을 위치시키고, 황산 에어로졸과 과산화수소 에어로졸의 별도의 흐름들을 상기 챔버 내로 도입시키는 단계;
상기 기판을 적외 복사선으로 조사하고, 램프-업 시간 인터벌 내에서 상기 기판의 표면 온도를 주변 온도로부터 램프-업 온도로 증가시키는 단계;
드웰 시간 인터벌 동안 상기 표면 온도를 상기 램프-업 온도에서 유지하는 단계;
상기 드웰 시간 인터벌의 말기에 상기 적외 복사선을 중지하는 단계; 및
상기 기판에 탈이온수를 분사하는 단계를 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 11항에 있어서,
상기 램프-업 온도는 적어도 200℃ 이며, 상기 램프-업 시간 인터벌은 30초 미만인 것을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 11항에 있어서,
상기 기판은 120초 미만의 전체 시간 동안 에어로졸 혼합물에 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 11항에 있어서,
사용된 황산 및 과산화수소의 전체량은 60㎖ 미만인 것을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 11항에 있어서,
상기 기판을 회전시키는 단계를 더 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 기판으로부터 유기 코팅을 제거하기 위한 방법으로서:
황산과 과산화수소의 에어로졸 혼합물에 상기 기판을 노출시키는 단계;
상기 기판을 적외 복사선으로 조사하고, 램프-업 시간 인터벌 내에서 상기 기판의 표면 온도를 주변 온도로부터 램프-업 온도로 증가시키는 단계;
상기 기판의 표면 온도가 상기 램프-업 온도에 도달할 때 상기 적외 복사선을 중지하는 단계; 및
상기 기판에 탈이온수를 분사하는 단계를 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 16항에 있어서,
15㎖ 미만의 황산과 과산화수소의 전체 조합된 용적을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 램프-업 온도는 적어도 200℃ 인 것을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 기판으로부터 유기 코팅을 제거하기 위한 방법으로서:
상기 기판상에 황산을 공급하는 단계;
상기 기판을 적외 복사선으로 조사하고, 램프-업 시간 인터벌 내에서 상기 기판의 표면 온도를 주변 온도로부터 램프-업 온도로 증가시키는 단계;
드웰 시간 인터벌 동안 상기 표면 온도를 상기 램프-업 온도에서 유지하는 단계;
상기 드웰 시간 인터벌의 말기에 상기 적외 복사선을 중지하는 단계; 및
상기 기판에 탈이온수를 분사하는 단계를 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 19항에 있어서,
상기 드웰 시간 인터벌은 적어도 60초 이고, 상기 기판은 전체 110초 미만 동안 황산의 에어로졸에 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 19항에 있어서,
40초 미만의 상기 램프-업 시간 인터벌을 갖는(with), 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 기판으로부터 유기 코팅을 제거하기 위한 방법으로서:
상기 기판상에 황산 및 과산화수소를 공급하는 단계;
상기 기판을 적외 복사선으로 조사하고, 램프-업 시간 인터벌 내에서 상기 기판의 표면 온도를 주변 온도로부터 램프-업 온도로 증가시키는 단계;
드웰 시간 인터벌 동안 상기 표면 온도를 상기 램프-업 온도에서 유지하는 단계;
상기 드웰 시간 인터벌의 말기에 상기 적외 복사선을 중지하는 단계; 및
상기 기판에 탈이온수를 분사하는 단계를 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 22항에 있어서,
상기 램프-업 온도는 적어도 350℃ 인, 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 22항에 있어서,
상기 램프-업 온도는 적어도 100℃ 인, 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 22항에 있어서,
에어로졸 혼합물로서 제공되는 황산 및 과산화수소를 갖는, 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 기판으로부터 유기 코팅을 제거하기 위한 방법으로서:
프로세스 챔버 내에 상기 기판을 위치시키는 단계;
하나 또는 둘 이상의 황산 에어로졸 노즐들을 통해 상기 챔버 내로 유동 황산 에어로졸을 제공하는 단계;
상기 프로세스 챔버 내에서 황산 에어로졸과 혼합되는 과산화수소 에어로졸을 이용하여, 하나 또는 둘 이상의 과산화수소 에어로졸 노즐을 통해 상기 챔버 내로 과산화수소 흐름 에어로졸을 제공하는 단계;
상기 프로세스 챔버의 윈도우를 통해 상기 기판을 적외 복사선으로 조사하고, 램프-업 시간 인터벌 내에서 상기 기판의 표면 온도를 주변 온도로부터 램프-업 온도로 증가시키는 단계;
상기 램프-업 시간 인터벌의 말기에 상기 적외 복사선을 중지하는 단계;
상기 황산 및 상기 과산화수소에 120초 미만 동안 노출된 상기 기판을 갖고, 전체 20㎖ 미만으로 사용된 황산과 과산화수소의 조합된 용적을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 제 26항에 있어서,
상기 기판을 회전시키고, 상기 램프-업 시간 인터벌의 말기에 DI 물을 상기 기판에 분사하는 단계를 추가로 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 기판으로부터 유기 코팅을 제거하기 위한 방법으로서:
15-25㎖/분의 유량의 황산 및 5-15㎖/분의 유량의 과산화수소의 존재시에 상기 기판을 회전시키는 단계;
상기 기판을 적외 복사선으로 조사하고, 상기 기판의 표면 온도를 주변 온도로부터 적어도 250℃의 온도로 증가시키는 단계;
적어도 360초의 드웰 시간 인터벌 동안 상기 기판 온도를 램프-업 온도로 유지하는 단계;
상기 드웰 시간 인터벌의 말기에 상기 적외 복사선을 중지하는 단계; 및
상기 기판에 탈이온수를 분사하는 단계를 특징으로 하는 유기 코팅을 제거하기 위한 방법. - 프로세서(20)로서:
프로세싱 챔버(28);
웨이퍼(70)를 홀딩하기 위한 상기 프로세싱 챔버 내의 홀더(26);
상기 프로세싱 챔버의 복수의 노즐들(112, 114, 116, 118); 및
상기 프로세싱 챔버의 외측에 복수의 적외선 램프들을 포함하고, 상기 프로세싱 챔버 내로 그리고 실질적으로 상기 프로세싱 챔버의 웨이퍼의 전체 표면상으로 적외선 광을 직접 복사하도록 위치된 적외선 복사 조립체(126); 및
상기 적외선 복사 조립체와 관련된 냉각 조립체(150)를 특징으로 하는 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
이격되어 있고 그리고 일반적으로 서로에 대해 평행한 적외선 램프들을 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
회전자(26)를 포함하는 홀더를 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
불균등하게 이격되어 있는 적외선 램프들을 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
상기 홀더는 상기 하나 또는 둘 이상의 적외선 램프들의 길이 미만의 직경을 갖는 웨이퍼를 홀딩하도록 구성되는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
상기 홀더와 상기 냉각 조립체 사이에 적외선 램프들을 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
상기 적외선 램프들과 상기 홀더 사이에 석영 윈도우(148)를 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
헤드 플레이트(130)상의 히터 하우징(138) 내에 적외선 램프들을 가지며, 상기 히터 하우징의 외측 표면상에 상기 냉각 조립체를 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
상기 히터 하우징 상에 차가운 물 튜브들(chilled water tubes)(152)을 포함하는 냉각 조립체를 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
냉각 에어 유동 매니폴드(146)를 포함하는 히터 하우징을 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
상기 홀더상에 적외선 차단층(64)을 갖는, 프로세서(20). - 제 29항에 있어서,
분무용 노즐들을 포함하는 노즐들을 가지며, 적어도 제 1노즐에 연결하는 황산의 소스 및 적어도 제 2노즐에 연결하는 과산화수소의 소스를 갖는, 프로세서(20). - 웨이퍼 프로세서(20)로서:
웨이퍼 회전자(26) 및 프로세스 액체 수집 보울(32)을 포함하는 제 1 챔버 조립체(22);
중심 개구를 갖는 헤드 플레이트(130)에 부착된 챔버 본체(102); 상기 챔버 본체상의 노즐(112, 114, 116, 118); 상기 개구를 커버하는 윈도우(148); 상기 윈도우를 통해 복사하도록 위치된 복수의 적외선 램프들(140); 및 상기 적외선 램프들 주위의 냉각 시스템(150)을 포함하는 제 2 챔버 조립체(24); 및
상기 제 1 챔버 조립체와 상기 제 2 챔버 조립체가 이격되어 있는 로드/언로드 위치로부터, 상기 제 2 챔버가 상기 제 1 챔버 조립체에 대해 밀봉되고 그리고 상기 챔버 본체가 상기 회전자를 둘러싸는 프로세스 위치로 이동 가능한 상기 제 2 챔버를 갖는 것을 특징으로 하는 프로세서(20). - 제 41항에 있어서,
석영을 포함하는 윈도우 및 본체를 갖는, 프로세서(20). - 제 41항에 있어서,
어레이로 정렬된 램프들을 갖고, 적어도 하나의 다른 램프와 중첩하는 각각의 램프로부터 상기 회전자를 향해 지향된 복사선을 갖는, 프로세서(20). - 제 41항에 있어서,
상기 프로세스 위치로부터 상기 로드/언로드 위치로 상기 제 2 챔버 조립체를 이동시키기 위한 상기 제 2 챔버 조립체에 부착된 하나 또는 둘 이상의 리프터들(92)을 더 포함하는, 프로세서(20). - 제 41항에 있어서,
상기 램프들에 인접한 냉각수 라인들(152)을 포함하는 냉각 시스템을 갖는, 프로세서(20). - 제 41항에 있어서,
상기 램프들에 걸쳐 강제적인 에어 유동(forced air flow)을 포함하는 냉각 시스템을 갖는, 프로세서(20).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/717,079 | 2010-03-03 | ||
| US12/717,079 US20110217848A1 (en) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | Photoresist removing processor and methods |
| PCT/US2011/026895 WO2011109540A1 (en) | 2010-03-03 | 2011-03-02 | Photoresist removing processor and methods |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130038212A true KR20130038212A (ko) | 2013-04-17 |
Family
ID=44531713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127025818A KR20130038212A (ko) | 2010-03-03 | 2011-03-02 | 포토레지스트 제거 프로세서 및 방법들 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110217848A1 (ko) |
| JP (1) | JP2013521658A (ko) |
| KR (1) | KR20130038212A (ko) |
| CN (1) | CN102725440A (ko) |
| TW (1) | TW201140654A (ko) |
| WO (1) | WO2011109540A1 (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI609100B (zh) | 2012-03-30 | 2017-12-21 | 諾發系統有限公司 | 使用反向電流除鍍以清洗電鍍基板夾持具 |
| US10504719B2 (en) * | 2012-04-25 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber |
| JP6009858B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP6094851B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2017-03-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US10416092B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-09-17 | Lam Research Corporation | Remote detection of plating on wafer holding apparatus |
| WO2014164493A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for removing photoresist from substrates with atomic hydrogen |
| KR102239421B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2021-04-12 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| JP6191953B2 (ja) | 2013-09-02 | 2017-09-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6222818B2 (ja) | 2013-09-10 | 2017-11-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US10464107B2 (en) | 2013-10-24 | 2019-11-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| KR101494207B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-02-23 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 세정장치 |
| JP6438649B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2018-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US20160379854A1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Vacuum Compatible LED Substrate Heater |
| JP7145893B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2022-10-03 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ保持装置上におけるめっきの遠隔検知 |
| JP2019161157A (ja) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262279A (en) * | 1990-12-21 | 1993-11-16 | Intel Corporation | Dry process for stripping photoresist from a polyimide surface |
| JP3277404B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2002-04-22 | ソニー株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
| JP3242566B2 (ja) * | 1995-04-27 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | 分析試料の調製方法、不純物の分析方法及び高純度燐酸の調製方法ならびに半導体装置の製造方法 |
| US8066819B2 (en) * | 1996-12-19 | 2011-11-29 | Best Label Co., Inc. | Method of removing organic materials from substrates |
| US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
| US6276072B1 (en) * | 1997-07-10 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating and cooling substrates |
| KR100265286B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법 |
| US6429142B1 (en) * | 1999-02-23 | 2002-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | In-situ photoresist removal by an attachable chamber with light source |
| JP3348695B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法及び除去装置 |
| FR2815395B1 (fr) * | 2000-10-13 | 2004-06-18 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif de chauffage rapide et uniforme d'un substrat par rayonnement infrarouge |
| US7075037B2 (en) * | 2001-03-02 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus using a lamp for rapidly and uniformly heating a wafer |
| TWI225849B (en) * | 2001-09-21 | 2005-01-01 | Toshiba Machine Co Ltd | Apparatus for forming glass elements |
| US6969619B1 (en) * | 2003-02-18 | 2005-11-29 | Novellus Systems, Inc. | Full spectrum endpoint detection |
| KR100498495B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 세정 시스템 및 이를 이용한 세정방법 |
| JP2005079212A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Trecenti Technologies Inc | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
| US7288489B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-10-30 | Semitool, Inc. | Process for thinning a semiconductor workpiece |
| US7235479B2 (en) * | 2004-08-26 | 2007-06-26 | Applied Materials, Inc. | Organic solvents having ozone dissolved therein for semiconductor processing utilizing sacrificial materials |
| US7902042B2 (en) * | 2004-09-13 | 2011-03-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing SOI wafer and thus-manufactured SOI wafer |
| US20060254616A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Brian Brown | Temperature control of a substrate during wet processes |
| US20070227556A1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-04 | Bergman Eric J | Methods for removing photoresist |
| TWI411474B (zh) * | 2006-05-08 | 2013-10-11 | Akrion Technologies Inc | 噴霧清洗裝置及方法 |
| JP5214261B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2013-06-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010017811A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
| US7763508B2 (en) * | 2008-11-05 | 2010-07-27 | Globalfoundries Inc. | Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods |
| US20110073039A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Ron Colvin | Semiconductor deposition system and method |
| US20120160272A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | United Microelectronics Corp. | Cleaning method of semiconductor process |
-
2010
- 2010-03-03 US US12/717,079 patent/US20110217848A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-03-02 JP JP2012556215A patent/JP2013521658A/ja not_active Withdrawn
- 2011-03-02 WO PCT/US2011/026895 patent/WO2011109540A1/en active Application Filing
- 2011-03-02 CN CN2011800072235A patent/CN102725440A/zh active Pending
- 2011-03-02 TW TW100106978A patent/TW201140654A/zh unknown
- 2011-03-02 KR KR1020127025818A patent/KR20130038212A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201140654A (en) | 2011-11-16 |
| US20110217848A1 (en) | 2011-09-08 |
| JP2013521658A (ja) | 2013-06-10 |
| CN102725440A (zh) | 2012-10-10 |
| WO2011109540A1 (en) | 2011-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20130038212A (ko) | 포토레지스트 제거 프로세서 및 방법들 | |
| US10573542B2 (en) | Heater cleaning method | |
| US10032654B2 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| US8883653B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
| US20120015523A1 (en) | Systems and methods for etching silicon nitride | |
| US10464107B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| TWI575595B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| US9543162B2 (en) | Substrate processing method | |
| US9064908B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
| KR102088539B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| EP2854163A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| TW201620039A (zh) | 晶圓狀物件之處理方法及設備 | |
| US20140060573A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
| US10651058B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| CN117373950A (zh) | 基板处理装置 | |
| JP2007273598A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| CN107833845A (zh) | 低氧环境下通过控制暴露于vuv光减少表面和嵌入衬底电荷 | |
| TWI805354B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
| TWI686867B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
| WO2023223768A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR20170024212A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |