TWI581356B - Wafer processing apparatus and method - Google Patents
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Description
本發明涉及積體電路製造領域,具體涉及一種矽片處理裝置及方法。
電鍍是IC電路後封裝非常重要的製程之一,其利用矽片的邊緣做陽極,矽片中間的電鍍視窗做陰極,然後在陰陽兩極之間加一定的直流工作電壓,藉由控制電流大小及電鍍槽中電鍍液的濃度來控制金屬凸塊的高度。
由於光刻膠不導電,因此在電鍍製程之前需將矽片邊緣的光刻膠去掉,去邊寬度大小取決於前道矽片邊緣曝光(Wafer Edge Exclusion,WEE)製程的去邊寬度。傳統的矽片去邊方法很多,但總的歸納起來有兩大類:化學去邊法及邊緣曝光法。化學去邊法是在矽片塗膠過程中,藉由向矽片邊緣噴灑溶劑以消除矽片邊緣光刻膠,該方法的缺點是去邊時間長、溶劑耗材成本高且溶劑易噴灑到矽片中間繪圖區域,嚴重影響圖形品質。
邊緣曝光法是將矽片藉由真空吸附在旋轉平臺上,在矽片邊緣上方固定一套紫外曝光鏡頭以產生一定大小尺寸的均勻照明光斑,然後利用旋轉台的旋轉來實現矽片邊緣曝光。相比化學去邊法,邊緣曝光法具有生產效率高、裝置成本低及過程易於控制等優點。
在邊緣曝光過程中,矽片被傳輸到矽片旋轉台上後,首先要
對矽片進行預對準處理,這是因為矽片被傳輸到預對準系統的位置是隨機的,存在位置誤差,預對準的目的就是要調整這些偏差,完成矽片的定心及缺口的定向。定心就是要把矽片的型心移動到旋轉台的型心上,使二者重合,定向就是把矽片的缺口轉動到指定位置上,這樣就保證矽片能以一個固定的姿態被傳輸到曝光台上進行曝光。預對準是矽片邊緣曝光前的一次精確定位,其定位精度直接影響到整個矽片處理裝置的工作效率。
目前市場上對預對準及邊緣曝光的要求越來越高,自動化程度越來越高。針對預對準功能,不僅要求可以完成多種類型片材的預對準,如通孔片,翹曲片,超薄片等,還要求同時實現對6/8/12英寸矽片的處理。
針對邊緣曝光功能,不僅要求實現邊緣曝光,環形曝光、分段曝光等多種曝光方式,還要求實現曝光視場可調及曝光能量監控功能。同時,要求矽片處理裝置的成本越來越低。
目前已有的技術中,矽片預對準及矽片邊緣曝光通常由兩套裝置來完成,需要兩套獨立的控制系統,佔用空間大,而且控制的物件較多,需要同時實現對切換軸、旋轉軸、升降軸、定心軸等運動軸的控制,預對準方法繁瑣、系統設計複雜、能源消耗大,成本也較高。
本發明為了克服以上不足,提供了一種既能同時實現矽片的預對準及邊緣曝光功能,又能減少控制物件,降低系統複雜度的矽片處理裝置。
為了解決上述技術問題,本發明的技術方案是:一種矽片處理裝置,用於對矽片進行預對準及邊緣曝光,包括:一旋轉台,用於承載矽片;一運動模組,由上到下依次包括相互連接的一旋轉模組、一升降模
組及一直線模組,旋轉模組的頂端與旋轉台相連,用於帶動矽片及旋轉台進行旋轉,升降模組用於帶動旋轉模組及旋轉台沿豎直方向移動,且能使矽片至少在一第一高度及一第二高度之間移動,直線模組用於帶動升降模組及旋轉模組沿水平方向移動;一預對準模組,用於當矽片位於一預對準高度時採集矽片的位置資訊;一邊緣曝光模組,用於對矽片進行邊緣曝光,預對準模組及邊緣曝光模組分別位於矽片的兩側;以及一控制模組,與預對準模組、邊緣曝光模組及運動模組之間電連接,用於接收矽片的位置資訊並根據矽片的位置資訊控制運動模組對旋轉台的位置進行調整,實現矽片預對準,控制模組還用於控制邊緣曝光模組對矽片進行邊緣曝光。
較佳地,矽片處理裝置還包括一固定模組,預對準模組、邊緣曝光模組、運動模組及控制模組均與固定模組相連,直線模組能夠在固定模組的一表面上沿水平方向移動。
較佳地,預對準模組包括預對準光源及預對準鏡頭,預對準光源的安裝高度低於預對準高度,預對準鏡頭的安裝高度高於預對準高度,當矽片位於預對準高度時,預對準光源發出照射光線照射矽片的邊緣,並到達預對準鏡頭後由一圖像感測器採集矽片邊緣的位置資訊。
較佳地,預對準光源為可見光波段光源。
較佳地,矽片預對準包括水平方向上矽片的圓心與旋轉台的中心對準。
較佳地,控制模組還包括資料處理元件,用於根據採集到的矽片的位置資訊計算出矽片圓心相對於旋轉台中心的偏移量及/或矽片缺口頂點位置。
較佳地,邊緣曝光模組包括一邊緣曝光鏡頭,邊緣曝光鏡頭位於矽片的一曝光高度上方,邊緣曝光鏡頭的中心軸與預對準模組的中心
軸所在的平面經過矽片的圓心,邊緣曝光鏡頭包括曝光光源及可變視場光闌,曝光光源位於可變視場光闌上方,曝光光源發出的光線經過可變視場光闌之後照射到矽片上進行曝光。
較佳地,曝光高度與預對準高度相同或不同。
較佳地,曝光光源為紫外波段光源。
較佳地,旋轉模組、升降模組及直線模組三者的中心軸重合。
較佳地,的矽片處理裝置還包括一定位台,位於第一、第二高度之間,定位台允許旋轉台豎直向經過,但不允許矽片豎直向經過,且在矽片靠近定位台時用於吸附矽片。
較佳地,定位台是一側開口的U型結構,U型結構中空處的徑向大小大於旋轉模組及旋轉台的徑向大小,且小於矽片的半徑。
較佳地,定位台吸附矽片採用兩點吸附的方式。
較佳地,定位台開口兩邊分別對應設有一個或多個用於吸附矽片的真空吸附孔及若干個用於輔助支撐的凸起。
較佳地,真空吸附孔周圍設有柔性吸盤。
較佳地,矽片選自多種不同尺寸的矽片,預對準模組及邊緣曝光模組的水平設置位置與多種不同尺寸的矽片中最大尺寸矽片的邊緣位置對應。
本發明還提供一種採用上述矽片處理裝置對矽片進行預對準及邊緣曝光的方法,包括如下步驟:(1)對運動模組的位置進行初始化;
(2)將矽片放置到旋轉台上,使矽片與旋轉台的位置相對固定,並判斷矽片的尺寸;(3)根據矽片的尺寸,使運動模組帶動旋轉台向預對準模組一側移動;(4)控制模組控制旋轉模組帶動旋轉台及矽片進行旋轉,同時預對準模組採集矽片的位置資訊,並將矽片的位置資訊傳送至控制模組;(5)控制模組根據得到的矽片的位置資訊控制運動模組對旋轉台的位置進行調整,完成矽片的預對準工作;(6)根據矽片的尺寸使運動模組帶動旋轉台向邊緣曝光模組一側移動;(7)控制模組控制邊緣曝光模組對矽片進行邊緣曝光處理。
較佳地,矽片處理裝置還包括一定位台,位於第一、第二高度之間,定位台允許旋轉台豎直向經過,但不允許矽片豎直向經過,且在矽片靠近定位台時用於吸附矽片。
較佳地,矽片處理裝置的預對準模組包括預對準光源及預對準鏡頭,預對準光源的安裝高度低於預對準高度,預對準鏡頭的安裝高度高於預對準高度,當矽片位於預對準高度時,預對準光源發出照射光線照射矽片的邊緣,並到達預對準鏡頭後由一圖像感測器採集矽片邊緣的位置資訊。
較佳地,步驟(5)包括以下步驟:
(5a)控制模組根據矽片圓心相對於旋轉台中心的位置偏移
量,驅動升降模組帶動旋轉台及矽片向下運動,到達與定位台的交接位,此時定位台吸附矽片;(5b)升降模組帶動旋轉台繼續向下運動,到達定位台下方的調整位,調整位位於定位台及升降模組之間;(5c)控制模組控制直線模組帶動旋轉台根據偏移量在水平方向上進行移動,使旋轉台的中心與矽片的圓心對齊;(5d)控制模組控制升降模組帶動旋轉台向上運動至交接位,使矽片脫離定位台回到旋轉台上;(5e)重複步驟(4)至步驟(5d),直至滿足矽片與旋轉台的定心精度;(5f)旋轉模組帶動旋轉台轉動將矽片的缺口位置旋轉至預對準鏡頭一側;(5g)圖像感測器採集缺口的位置資訊並傳送至控制模組,控制模組對缺口的位置資訊進行處理得到矽片缺口的頂點位置;(5h)控制模組下發命令至旋轉模組,旋轉模組根據命令旋轉,使矽片缺口處於預對準鏡頭的下方;(5i)重複步驟(5g)至(5h),直至滿足矽片定向精度。
較佳地,步驟(7)還包括藉由控制模組調節直線模組及旋轉模組對矽片進行指定位置曝光或分段曝光。
本發明提供的矽片處理裝置和方法,藉由設置預對準模組和邊緣曝光模組同時實現對矽片的預對準及邊緣曝光處理,降低了系統的佔用空間;同時藉由直線模組帶動升降模組和旋轉模組在水平方向上進行移
動,實現了對不同尺寸矽片的預對準和邊緣曝光功能,使用一個直線模組實現了切換軸和定心軸的共同功能,減少了控制物件,簡化了控制難度和系統結構設計複雜度,大大降低了能源消耗和成本。
1‧‧‧預對準模組
11‧‧‧預對準光源
12‧‧‧預對準鏡頭
2‧‧‧邊緣曝光模組
21‧‧‧邊緣曝光鏡頭
3‧‧‧運動模組
31‧‧‧旋轉模組
32‧‧‧升降模組
33‧‧‧直線模組
4‧‧‧控制模組
5‧‧‧固定模組
6‧‧‧旋轉台
7‧‧‧矽片
8‧‧‧定位台
81‧‧‧真空吸附孔
82‧‧‧凸起
83‧‧‧柔性吸盤
9‧‧‧支架
第1圖是本發明矽片處理裝置的結構示意圖。
第2圖是本發明定位台的結構示意圖。
第3圖是本發明矽片處理裝置處理矽片的方法流程圖。
如第1圖及第2圖所示,本發明提供一種矽片處理裝置,用以對矽片7進行預對準和邊緣曝光,包括預對準模組1、邊緣曝光模組2、運動模組3、控制模組4和固定模組5、旋轉台6和定位台8;預對準模組1、邊緣曝光模組2、運動模組3、控制模組4、和定位台8分別藉由相應的支架9與固定模組5相連,控制模組4與預對準模組1、邊緣曝光模組2和運動模組3之間電連接,運動模組3包括由上到下依次連接的旋轉模組31、升降模組32和直線模組33,且三者的中心軸重合,旋轉模組31頂端與旋轉台6相連,旋轉台6用於承載和固定矽片7,旋轉模組31帶動旋轉台6進行旋轉,定位台8位於旋轉台6下方,定位台8用於吸附矽片7,升降模組32帶動旋轉模組31和旋轉台6沿豎直方向,即第1圖中的Z方向進行移動,直線模組33的底面與固定模組5滑動相連,具體的,固定模組5與直線模組33相接觸的面上設有導軌(圖中未標出),在直線模組33相應的面上設有與導軌相匹配的運動絲杆(圖中未標出),在電
機(圖中未標出)的驅動下,直線模組33可帶動升降模組32和旋轉模組31沿固定模組5上的導軌在水平方向,即第1圖中的X方向上進行移動;預對準模組1和邊緣曝光模組2分別與矽片7兩側的邊緣相對應,具體的,矽片7的半徑為6英寸、8英寸或12英寸,預對準模組1和邊緣曝光模組2的中心軸分別位於12英寸矽片7在X方向上兩側的邊緣處;
當矽片位於一預對準高度時,旋轉模組31首先帶動旋轉台6和矽片7進行旋轉,與此同時預對準模組1採集矽片7的位置資訊,並將位置資訊傳送至控制模組4,接著控制模組4控制運動模組3對矽片7的位置進行調整,實現矽片7的預對準,然後控制模組4藉由控制運動模組3和邊緣曝光模組2對矽片7進行邊緣曝光。
預對準模組1包括預對準光源11和預對準鏡頭12,預對準光源11為可見光波段光源,預對準光源11位於矽片7在X方向上一側邊緣的下方,即預對準光源11的安裝高度低於預對準高度,預對準鏡頭12位於與預對準光源11相對應的矽片7的邊緣上方,即預對準鏡頭12的安裝高度高於預對準高度,當矽片位於預對準高度時,預對準光源11照射矽片7的邊緣並到達預對準鏡頭12,圖像感測器(圖中未標出)採集矽片邊緣的位置資料和缺口資料,並將採集到的資料傳送給控制模組4的資料處理元件計算矽片中心相對於旋轉台中心的偏移量和/或缺口頂點的位置。
邊緣曝光模組2包括一個邊緣曝光鏡頭21,邊緣曝光鏡頭21位於一曝光高度上方,在本實施例中如第1圖所示位於矽片7邊緣的上方,其中,曝光高度與預對準高度相同或不同。邊緣曝光鏡頭21的中心軸與預對準模組1的中心軸所在的平面經過矽片的圓心,邊緣曝光鏡頭21包括曝光光源和可變視場光闌(圖中均未標出),曝光光源為紫外波段光
源,且位於可變視場光闌上方,曝光光源發出的光線經過可變視場光闌之後照射到矽片上進行曝光。
定位台8是一側開口的U型結構,開口位置與預對準模組1相對應,即開口方向朝向預對準模組1,U型結構中空的徑向大小大於旋轉模組31和旋轉台6的徑向大小,且小於矽片7的半徑,即旋轉模組31和旋轉台6可以從定位台8的中空處通過,而矽片7不能通過,定位台8吸附矽片7採用兩點吸附的方式,具體地,定位台8的U型結構開口兩邊分別對應設有一個或多個用於吸附矽片7的真空吸附孔81和若干個用於輔助支撐的凸起82,如第2圖所示,真空吸附孔81用於對矽片7在靠近預對準模組1一側進行吸附,凸起82用於矽片7在遠離預對準模組1一側的輔助支撐,以更好的吸附固定矽片7,凸起82的位置分別與6英寸、8英寸和12英寸矽片7的尺寸相適配;較佳地,真空吸附孔81周圍還設有柔性吸盤83,用於進一步提高定位台8對通孔片、翹曲片等不標準矽片的吸附能力。
以上的矽片處理裝置對不同尺寸的矽片7進行預對準和邊緣曝光處理的方法具體包括如下步驟,如第3圖所示:(1)將預對準模組1、邊緣曝光模組2、運動模組3、控制模組4和固定模組5、旋轉台6和定位台8之間按照設定的初始位置進行裝配,即預對準模組1和邊緣曝光模組2的中心軸分別位於12英寸矽片7在X方向上兩側的邊緣處,兩者到運動模組3中心處的距離相等;(2)將矽片7放置到旋轉台6上,使矽片7與旋轉台6的位置相對固定,並判斷矽片7的尺寸,具體的,由人工來判斷矽片7的尺寸;(3)根據矽片7的半徑,使運動模組3帶動旋轉台6向預
對準模組1一側移動相應距離,具體的,若矽片7的半徑為12英寸,則無需對直線模組33進行移動;若矽片7的半徑為8英寸,則控制模組4驅動直線模組33向預對準模組1一側移動一段距離使得8英寸的矽片7的邊緣位於對準模組1處,本實施例較佳為移動50mm;若矽片7的半徑為6英寸,則控制模組4驅動直線模組33向預對準模組1一側移動一段距離使得6英寸的矽片7的邊緣位於對準模組1處,本實施例較佳為移動75mm;
(4)控制模組4控制旋轉模組31帶動旋轉台6和矽片7進行旋轉,同時圖像感測器採集矽片7的位置資訊,並將矽片7的位置資訊傳送至控制模組4中的資料處理元件。具體的,預對準光源11發出可見波段的光照射矽片7的邊緣,並到達預對準鏡頭12後由圖像感測器根據設定的採樣頻率採集矽片7邊緣的資料並傳送至資料處理元件,為了盡可能多的採集點數,採樣頻率盡可能高,且使採樣的時間足夠長,即一次採樣矽片7旋轉多圈的資料,資料處理元件根據採樣資料計算出X方向上矽片7中心相對於旋轉台6中心的偏移量,需要說明的是,由於旋轉台6和矽片7都呈圓形狀,因此此時兩者的中心位於X方向上;
(5)控制模組4根據矽片7中心相對於旋轉台6中心的位置偏移量資訊控制運動模組3對旋轉台6的位置進行調整,完成矽片7的預對準工作,具體的,包括以下三個步驟:
(5a)控制模組4根據矽片7中心相對於旋轉台6中心的位置偏移量資訊驅動升降模組32帶動旋轉台6和矽片7向下運動,到達與定位台8的交接位,即定位台8的上平面,將矽片7交接給定位台8,此時矽片7被吸附在定位台8上,接著升降模組32帶動旋轉台6繼續向下運動,到達定位台8下方的調整位,調整位位於定位台8和升降模組32
之間,具體位置可根據需要進行設定;(5b)控制模組4控制直線模組33帶動旋轉台6根據偏移量在X方向上進行補償,使旋轉台6的中心與矽片7的中心重合;調整結束之後,控制模組4控制升降模組32帶動旋轉台6向上運動至交接位,使矽片7脫離定位台8回到旋轉台6上;(5c)重複步驟(4)至(5b),直至滿足矽片7的定心精度。
(5d)旋轉模組31帶動旋轉台6轉動將矽片7的缺口位置旋轉至預對準鏡頭12一側,藉由圖像感測器採集缺口的位置資訊,資料處理元件對缺口的位置資訊進行處理得到缺口的頂點位置,控制模組4下發命令至旋轉模組31,旋轉模組31根據命令旋轉,使矽片缺口處於預對準鏡頭12的下方,然後旋轉模組31小角度來回旋轉2到3次,精確採集缺口資訊,資料上傳後經處理回饋到旋轉模組31,補償旋轉角度,直至實現矽片7的精確定向;(6)根據矽片7的尺寸使運動模組3帶動旋轉台6向邊緣曝光模組2一側移動相應距離;具體的,若矽片7的半徑為12英寸,則直線模組33無需移動;若矽片7的半徑為8英寸,則控制模組4驅動直線模組33向邊緣曝光模組2一側移動一段距離使得8英寸的矽片7的邊緣位於邊緣曝光模組2處,本實施例較佳為移動100mm;若矽片7的半徑為6英寸,則控制模組4驅動直線模組33向邊緣曝光模組2一側移動一段距離使得6英寸的矽片7的邊緣位於邊緣曝光模組2處,本實施例較佳為移動150mm;(7)控制模組4控制邊緣曝光模組2對矽片7進行邊緣曝光處理,具體的,控制模組4開啟曝光光源發出紫外波段光,並控制可變
視場光闌根據需要曝光的寬度進行調節,紫外波段光纖藉由可變視場光闌之後照射到矽片7的邊緣進行曝光處理。
當需要對矽片7進行指定位置曝光或者分段曝光時,可藉由控制模組4調節直線模組33和旋轉模組31來實現。
綜上所述,本發明提供的矽片處理裝置和方法,藉由設置預對準模組1和邊緣曝光模組2同時實現對矽片7的預對準和邊緣曝光處理,降低了系統的佔用空間;同時藉由直線模組33帶動升降模組32和旋轉模組31在水平方向上進行移動,實現了對不同尺寸矽片7的預對準和邊緣曝光功能,使用一個直線模組33實現了切換軸和定心軸的共同功能,減少了控制物件,簡化了控制難度和系統結構設計複雜度,同時在預對準的定心過程中只需要從X方向上對矽片7的位置偏差進行補償,降低了預對準的操作複雜度,大大降低了能源消耗和成本。
雖然說明書中對本發明的實施方式進行了說明,但這些實施方式只是作為提示,不應限定本發明的保護範圍。在不脫離本發明宗旨的範圍內進行各種省略、置換和變更均應包含在本發明的保護範圍內。
1‧‧‧預對準模組
11‧‧‧預對準光源
12‧‧‧預對準鏡頭
2‧‧‧邊緣曝光模組
21‧‧‧邊緣曝光鏡頭
3‧‧‧運動模組
31‧‧‧旋轉模組
32‧‧‧升降模組
33‧‧‧直線模組
4‧‧‧控制模組
5‧‧‧固定模組
6‧‧‧旋轉台
7‧‧‧矽片
8‧‧‧定位台
9‧‧‧支架
Claims (21)
- 一種矽片處理裝置,用於對一矽片進行預對準和邊緣曝光,其包括:一旋轉台,用於承載該矽片;一運動模組,由上到下依次包括相互連接的一旋轉模組、一升降模組及一直線模組,該旋轉模組的頂端與該旋轉台相連,用於帶動該矽片及該旋轉台進行旋轉,該升降模組用於帶動該旋轉模組及該旋轉台沿豎直方向移動,且能使該矽片至少在一第一高度及一第二高度之間移動,該直線模組用於帶動該升降模組及該旋轉模組沿水平方向移動;一預對準模組,用於當該矽片位於一預對準高度時採集該矽片的位置資訊;一邊緣曝光模組,用於對該矽片進行邊緣曝光,該預對準模組及該邊緣曝光模組分別位於該矽片的兩側;以及一控制模組,與該預對準模組、該邊緣曝光模組及該運動模組之間電連接,用於接收該矽片的位置資訊並根據該矽片的位置資訊控制該運動模組對該旋轉台的位置進行調整,實現該矽片預對準,該控制模組還用於控制該邊緣曝光模組對該矽片進行邊緣曝光。
- 如申請專利範圍為第1項所述之矽片處理裝置,其進一步包括一固定模組,該預對準模組、該邊緣曝光模組、該運動模組及控制模組均與該固定模組相連,該直線模組能夠在該固定模組的一表面上沿水平方向移動。
- 如申請專利範圍為第1項所述之矽片處理裝置,其中該預對準 模組包括一預對準光源及一預對準鏡頭,該預對準光源的安裝高度低於該預對準高度,該預對準鏡頭的安裝高度高於該預對準高度,當該矽片位於該預對準高度時,該預對準光源發出照射光線照射該矽片的邊緣,並到達該預對準鏡頭後由一圖像感測器採集該矽片邊緣的位置資訊。
- 如申請專利範圍為第3項所述之矽片處理裝置,其中該預對準光源為可見光波段光源。
- 如申請專利範圍為第1項所述之矽片處理裝置,其中該矽片預對準包括水平方向上該矽片的圓心與該旋轉台的中心對準。
- 如申請專利範圍為第5項所述之矽片處理裝置,其中該控制模組進一步包括一資料處理元件,用於根據採集到的該矽片的位置資訊計算出該矽片圓心相對於該旋轉台中心的偏移量及/或矽片缺口頂點位置。
- 如申請專利範圍為第5項所述之矽片處理裝置,其中該邊緣曝光模組包括一邊緣曝光鏡頭,該邊緣曝光鏡頭位於該矽片的一曝光高度上方,該邊緣曝光鏡頭的中心軸與該預對準模組的中心軸所在的平面經過該矽片的圓心,該邊緣曝光鏡頭包括一曝光光源及一可變視場光闌,該曝光光源位於該可變視場光闌上方,該曝光光源發出的光線經過該可變視場光闌之後照射到該矽片上進行曝光。
- 如申請專利範圍為第7項所述之矽片處理裝置,其中該曝光高度與該預對準高度相同或不同。
- 如申請專利範圍為第7項所述之矽片處理裝置,其中該曝光光源為紫外波段光源。
- 如申請專利範圍為第1項所述之矽片處理裝置,其中該旋轉模組、該升降模組及該直線模組三者的中心軸重合。
- 如申請專利範圍為第1項所述之矽片處理裝置,其進一步包括一定位台,位於該第一高度及該第二高度之間,該定位台允許該旋轉台豎直向經過,但不允許該矽片豎直向經過,且在該矽片靠近該定位台時用於吸附該矽片。
- 如申請專利範圍為第11項所述之矽片處理裝置,其中該定位台是一側開口的一U型結構,該U型結構中空處的徑向大小大於該旋轉模組及該旋轉台的徑向大小,且小於該矽片的半徑。
- 如申請專利範圍為第12項所述之矽片處理裝置,其中該定位台吸附該矽片採用兩點吸附的方式。
- 如申請專利範圍為第12項所述之矽片處理裝置,其中該定位台開口兩邊分別對應設有用於吸附該矽片的至少一真空吸附孔及用於輔助支撐的複數個凸起。
- 如申請專利範圍為第14項所述之矽片處理裝置,其中該真空吸附孔周圍設有柔性吸盤。
- 如申請專利範圍為第1項所述之矽片處理裝置,其中該矽片選自多種不同尺寸的矽片,該預對準模組及該邊緣曝光模組的水平設置位置與多種不同尺寸的該矽片中最大尺寸該矽片的邊緣位置對應。
- 一種採用如申請專利範圍第1項所述之矽片處理裝置對一矽片進行預對準及邊緣曝光的方法,其包括如下步驟:(1)對該運動模組的位置進行初始化; (2)將該矽片放置到該旋轉台上,使該矽片與該旋轉台的位置相對固定,並判斷該矽片的尺寸;(3)根據該矽片的尺寸,使該運動模組帶動該旋轉台向該預對準模組一側移動;(4)該控制模組控制該旋轉模組帶動該旋轉台及該矽片進行旋轉,同時該預對準模組採集該矽片的位置資訊,並將該矽片的位置資訊傳送至該控制模組;(5)該控制模組根據得到的該矽片的位置資訊控制該運動模組對該旋轉台的位置進行調整,完成該矽片的預對準工作;(6)根據該矽片的尺寸使該運動模組帶動該旋轉台向該邊緣曝光模組一側移動;(7)該控制模組控制該邊緣曝光模組對該矽片進行邊緣曝光處理。
- 如申請專利範圍為第17項所述之方法,其中該矽片處理裝置進一步包括一定位台,位於該第一高度及該第二高度之間,該定位台允許該旋轉台豎直向經過,但不允許該矽片豎直向經過,且在該矽片靠近該定位台時用於吸附該矽片。
- 如申請專利範圍為第18項所述之方法,其中該矽片處理裝置的該預對準模組包括一預對準光源及一預對準鏡頭,該預對準光源的安裝高度低於該預對準高度,該預對準鏡頭的安裝高度高於該預對準高度,當該矽片位於該預對準高度時,該預對準光源發出照射光線照射該矽片的邊緣,並到達該預對準鏡頭後由一圖像感測器採集該矽片邊緣的位置資訊。
- 如申請專利範圍為第19項所述之方法,其中該步驟(5)包括 以下步驟:(5a)該控制模組根據該矽片圓心相對於該旋轉台中心的位置偏移量,驅動該升降模組帶動該旋轉台及該矽片向下運動,到達與該定位台的交接位,此時該定位台吸附該矽片;(5b)該升降模組帶動該旋轉台繼續向下運動,到達該定位台下方的調整位,調整位位於該定位台及該升降模組之間;(5c)該控制模組控制該直線模組帶動該旋轉台並根據偏移量在水平方向上進行移動,使該旋轉台的中心與該矽片的圓心對齊;(5d)該控制模組控制該升降模組帶動該旋轉台向上運動至交接位,使該矽片脫離該定位台回到該旋轉台上;(5e)重複步驟(4)至步驟(5d),直至滿足該矽片與該旋轉台的定心精度;(5f)該旋轉模組帶動該旋轉台轉動將該矽片的缺口位置旋轉至該預對準鏡頭一側;(5g)該圖像感測器採集缺口的位置資訊並傳送至該控制模組,該控制模組對缺口的位置資訊進行處理得到該矽片缺口的頂點位置;(5h)該控制模組下發一命令至該旋轉模組,該旋轉模組根據該命令旋轉,使該矽片缺口處於該預對準鏡頭的下方;(5i)重複步驟(5g)至(5h),直至滿足該矽片定向精度。
- 如申請專利範圍為第19項所述之方法,其中該步驟(7)進一步包括藉由該控制模組調節該直線模組及該旋轉模組對該矽片 進行指定位置曝光或分段曝光。
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Families Citing this family (25)
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---|---|---|---|---|
KR102330017B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6444909B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2018-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN107561864B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 边缘曝光装置和方法 |
CN108803245B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-04-10 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 硅片处理装置及方法 |
CN109427616B (zh) * | 2017-09-05 | 2020-08-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种硅片涂胶及预对准检测装置及方法 |
CN107845598B (zh) * | 2017-12-05 | 2024-05-14 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 一种太阳能电池片旋转90°的旋转机构 |
CN110068989B (zh) * | 2018-01-23 | 2021-03-02 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 硅片处理装置及方法 |
KR102219879B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2021-02-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법 |
CN110231756A (zh) * | 2018-08-10 | 2019-09-13 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 曝光装置、曝光方法、半导体器件及其制造方法 |
CN110943021B (zh) * | 2018-09-21 | 2022-05-31 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 预对准装置及方法 |
CN111106053B (zh) * | 2018-10-25 | 2023-08-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种硅片预对准装置和方法 |
CN111381451B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-12-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 预对准系统、预对准方法及光刻设备 |
KR20210001315A (ko) | 2019-06-27 | 2021-01-06 | 주식회사 쿠온솔루션 | 웨이퍼 처리 시스템 및 이에 있어서 냉각 방법 |
CN113467202B (zh) * | 2020-03-30 | 2023-02-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻设备及硅片预对准方法 |
CN112051708A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-12-08 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | 对中上料装置及纳米压印设备 |
CN112366165A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-12 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高度可调的晶圆对中找平边载片机构 |
CN114578655B (zh) * | 2020-11-30 | 2024-04-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种边缘曝光装置、方法及光刻设备 |
KR102535354B1 (ko) * | 2021-06-04 | 2023-05-26 | (주)이오테크닉스 | 웨이퍼 정렬 장치 |
US20230036587A1 (en) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Wafer alignment device, wafer alignment method and wafer alignment system |
CN113932734B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-08-18 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 晶片边缘轮廓测试仪 |
CN117219552A (zh) * | 2022-06-02 | 2023-12-12 | 华为技术有限公司 | 晶圆处理装置和晶圆处理方法 |
CN115063432B (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-11 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 对准标记图形的识别方法及装置、计算机设备和存储介质 |
CN115732380B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-11-24 | 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司 | 一种晶圆偏心调节方法、装置及存储介质 |
CN115547915B (zh) * | 2022-11-28 | 2023-02-14 | 四川上特科技有限公司 | 一种晶圆曝光夹具及曝光装置 |
CN118483874A (zh) * | 2023-02-10 | 2024-08-13 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 基板交接机构及曝光台系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0920053A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-02 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Device for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer |
US20050248754A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Chun-Sheng Wang | Wafer aligner with WEE (water edge exposure) function |
US20070085988A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | Wafer edge exposure method in semiconductor photolithographic processes, and orientation flatness detecting system provided with a WEE apparatus |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4328553A (en) * | 1976-12-07 | 1982-05-04 | Computervision Corporation | Method and apparatus for targetless wafer alignment |
US4836733A (en) * | 1986-04-28 | 1989-06-06 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
US4880348A (en) * | 1987-05-15 | 1989-11-14 | Roboptek, Inc. | Wafer centration device |
JP2835746B2 (ja) | 1989-08-24 | 1998-12-14 | 富士通株式会社 | ウェーハの周辺露光装置 |
JP3180357B2 (ja) | 1990-04-06 | 2001-06-25 | 株式会社ニコン | 円形基板の位置決め装置および方法 |
US5043973A (en) * | 1990-07-30 | 1991-08-27 | Conner Peripherals, Inc. | Disk centering method and apparatus for centering disks for disk drives |
JP2949528B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1999-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハの中心位置検出方法及びその装置 |
JP2547212Y2 (ja) * | 1992-03-30 | 1997-09-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板用測定装置 |
US5452521A (en) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Niewmierzycki; Leszek | Workpiece alignment structure and method |
JP3172085B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2001-06-04 | キヤノン株式会社 | 周辺露光装置 |
US6077026A (en) * | 1998-03-30 | 2000-06-20 | Progressive System Technologies, Inc. | Programmable substrate support for a substrate positioning system |
US6275742B1 (en) * | 1999-04-16 | 2001-08-14 | Berkeley Process Control, Inc. | Wafer aligner system |
US6517130B1 (en) * | 2000-03-14 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Self positioning vacuum chuck |
KR20030090057A (ko) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | 삼성전자주식회사 | 얼라인먼트기능을 갖는 노광유니트 및 그 얼라인방법 |
JP2006071395A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Nikon Corp | 較正方法及び位置合わせ方法 |
CN100524684C (zh) * | 2005-02-22 | 2009-08-05 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | 晶片的定位方法 |
WO2007023501A2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Camtek Ltd. | Wafer inspection system and a method for translating wafers |
CN100355055C (zh) * | 2005-10-28 | 2007-12-12 | 清华大学 | 硅晶圆预对准控制方法 |
JP4522360B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2010-08-11 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置 |
JP4439464B2 (ja) | 2005-12-06 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送方法及び基板搬送装置 |
DE102007017630B4 (de) | 2006-05-16 | 2009-08-20 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zum Steigern der Messgenauigkeit beim Bestimmen der Koordinaten von Strukturen auf einem Substrat |
CN101216686B (zh) * | 2008-01-10 | 2010-08-25 | 上海微电子装备有限公司 | 一种晶片预对准平台及使用该平台的晶片预对准方法 |
TW200941630A (en) | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Fujitsu Ltd | An apparatus for alignment of a planar body, an apparatus for manufacuturing, a method for alignment of a planar body, and a method for manufacturing |
CN101640181A (zh) | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 佳能安内华股份有限公司 | 基底对准设备和基底处理设备 |
CN101498897B (zh) | 2008-12-17 | 2011-11-30 | 上海微电子装备有限公司 | 边缘曝光装置及其控制方法 |
JP5324231B2 (ja) * | 2009-01-08 | 2013-10-23 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハのアライメント装置 |
CN101963766B (zh) | 2009-07-23 | 2012-02-01 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻机的掩模预对准装置及方法 |
US20110024879A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to reduce pre-alignment error using multi-notch pattern or in combination with flat side |
CN102157421B (zh) | 2010-02-11 | 2013-01-16 | 上海微电子装备有限公司 | 一种硅片预对准装置及预对准方法 |
CN102569113B (zh) * | 2010-12-09 | 2014-11-05 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 去边宽度检测方法 |
US20130005056A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Semes Co., Ltd. | Method and apparatus for processing wafer edge portion |
CN103034062B (zh) * | 2011-09-29 | 2014-11-26 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统 |
KR101414830B1 (ko) | 2011-11-30 | 2014-07-03 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 얼라이먼트 방법, 전사 방법 및 전사장치 |
CN202434487U (zh) * | 2011-12-13 | 2012-09-12 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 晶圆寻边定位装置及蚀刻机台 |
JP6023451B2 (ja) * | 2012-04-05 | 2016-11-09 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN103472680B (zh) * | 2012-06-08 | 2016-03-30 | 上海微电子装备有限公司 | 硅片预对准装置 |
CN103811387B (zh) | 2012-11-08 | 2016-12-21 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆预对准方法及装置 |
US9879977B2 (en) * | 2012-11-09 | 2018-01-30 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for optical metrology with optimized system parameters |
CN203472680U (zh) | 2013-08-05 | 2014-03-12 | 北京汽车股份有限公司 | 一种车辆后视野辅助系统 |
JP6360287B2 (ja) | 2013-08-13 | 2018-07-18 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、位置合わせ方法、および物品の製造方法 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0920053A2 (en) * | 1997-11-26 | 1999-06-02 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Device for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer |
US20050248754A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Chun-Sheng Wang | Wafer aligner with WEE (water edge exposure) function |
US20070085988A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | Wafer edge exposure method in semiconductor photolithographic processes, and orientation flatness detecting system provided with a WEE apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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