TWI573885B - 蒸鍍裝置 - Google Patents

Description

蒸鍍裝置

本發明是有關於一種用於蒸鍍金屬薄膜、有機材料薄膜、太陽能電池和顯示面板等的金屬電極佈線、有機EL發光層等的蒸鍍裝置。

通常，形成上述薄膜等所使用的蒸鍍在10-4Pa以上的高真空下進行。例如日本專利公開公報特開2004-91858號所示的真空蒸鍍裝置中，在真空室(真空容器)內設置有坩堝和被蒸鍍基板，該坩堝捲繞安裝有電加熱器並收容有蒸鍍材料。在對真空室內進行真空排氣並達到上述的高真空後，通過電加熱器加熱坩堝使坩堝內的蒸鍍材料熔化蒸發，並使熔化的蒸鍍材料附著到被蒸鍍基板，從而形成薄膜。向所述被蒸鍍基板的蒸鍍速率(每單位時間蒸鍍的蒸鍍材料的量)通常由坩堝的加熱溫度進行控制。但是，即使坩堝溫度穩定，由於向坩堝內的蒸鍍材料的熱傳導等導致溫度慢慢傳遞等，所以蒸鍍速率難以穩定。因此，例如日本專利公開公報特開2010-242202號所公開的那樣，在蒸發分子的流路內設置流量調整閥，通過將來自基板附近設置的膜厚感測器(膜 厚計)的信號反饋到流量調整閥來使上述蒸鍍速率穩定。

採用上述流量調整閥的方式時，即使坩堝溫度為高溫以增加蒸發量，由於用閥進行控制，所以不僅蒸發速率能維持穩定，而且可以將坩堝內材料使用到最小量。但是，高溫下長時間加熱時，在採用熱穩定性差的蒸鍍材料的情况下，會發生熱劣化而不能得到蒸鍍材料的特性。反之，將坩堝溫度設為低溫時，蒸鍍材料的蒸發量减少，即使採用了流量調整閥，也會產生難以長時間穩定維持規定的蒸鍍速率的問題，而且還產生了坩堝內的殘留材料變多而浪費蒸鍍材料的問題。

本發明的目的在於提供一種可以防止蒸鍍材料的熱劣化並將蒸鍍材料的殘留降到最低值的蒸鍍裝置。

為了實現上述目的，本發明第一方式的蒸鍍裝置使蒸發的蒸鍍材料在真空槽內附著到被蒸鍍構件上，所述蒸鍍裝置的特徵在於包括：坩堝，加熱所述蒸鍍材料並使其蒸發；以及流路，將從所述坩堝蒸發的蒸鍍材料向所述真空槽內的所述被蒸鍍構件引導，設置有用於檢測所述坩堝的溫度的溫度感測器，在所述流路上設置有具備開度調節功能的閥，在所述真空槽內設置有用於檢測所述被蒸鍍構件的膜厚的膜厚監視器，並且設置有控制器，利用所述膜厚監視器檢測出的膜厚來檢測所述被蒸鍍構件的蒸鍍 速率，調節所述閥的開度以使所述蒸鍍速率成為規定的蒸鍍速率，並且檢測所述閥的開度的變化率，當所述變化率超過穩定在規定的蒸鍍速率的狀態下的穩定變化率時，使所述坩堝的設定溫度以增量上升，從而增加所述蒸鍍材料的蒸鍍量。

按照上述結構，利用膜厚監視器檢測出的膜厚來檢測被蒸鍍構件的蒸鍍速率，並調節閥的開度以使所述蒸鍍速率達到規定的蒸鍍速率。而且，坩堝內的蒸鍍材料减少時，由於蒸發量降低，因此為維持規定的蒸鍍速率而將閥的開度調大，在所述閥的開度的變化率達到穩定變化率以上時，使坩堝的溫度上升規定溫度，來自坩堝的蒸鍍材料的蒸發量增加。這樣，避免了不能將閥的開度調節為實現規定的蒸鍍速率的情况。此外通過使溫度依次以增量上升，可以防止蒸鍍材料的熱劣化並將蒸鍍材料的殘留降到最低值。

本發明第二方式在第一方式的基礎上，控制器進行處理使坩堝的設定溫度以增量上升時，邊將上升後的設定溫度保持一定時間邊調節閥的開度，經過所述一定時間後，當所述閥的開度的變化率超過穩定變化率時，使所述坩堝的設定溫度進一步以所述增量上升。

按照上述結構，使坩堝的溫度以增量上升時，所述溫度被保持一定時間，所述一定時間內坩堝的溫度滯後上升，來自坩堝的蒸鍍材料的蒸發量滯後增加。如此，在一定時間內，與增量的溫度上升對應的蒸鍍材料的蒸發量增加，從而使閥的開度的變 化率變小，或者閥向關閉方向變化。此時，當基於上述增量的坩堝的溫度上升所帶來的蒸鍍材料的蒸發量的增加部分不足時，閥的開度的變化率保持超過穩定變化率。因此，使坩堝的設定溫度進一步以所述增量上升，由此坩堝的溫度依次以所述增量的溫度階段性上升。

本發明第三方式在第一方式或第二方式的基礎上，控制器進行控制，在閥關閉的狀態下，使坩堝的設定溫度上升到所述閥在規定的開度下得到規定的蒸鍍速率的最低溫度，當坩堝的檢測溫度上升到所述最低溫度時，將所述閥打開到設定開度，開始閥的開度調節以得到規定的蒸鍍速率。

按照上述結構，首先在初始狀態下，使坩堝的溫度上升到閥在規定的開度下得到規定的蒸鍍速率的最低溫度，並在所述狀態下將閥打開到所述規定的開度，開始閥的開度調整以得到規定的蒸鍍速率。通過如上所述從最低溫度開始蒸鍍，可以將蒸鍍材料有效使用到最後。另外，如果最初將坩堝的溫度設定為高溫來增加蒸鍍材料的蒸發量，會產生熱劣化而不能得到蒸鍍材料的特性。

此外，本發明第四方式在第一方式至第三方式中任意一種方式的基礎上，控制器進行控制，當坩堝的檢測溫度上升到蒸鍍材料的劣化溫度時，在閥進一步打開時，結束利用坩堝蒸發蒸鍍材料。

按照上述結構，當坩堝的溫度上升到蒸鍍材料的劣化溫 度的狀態下進一步打開閥時，判斷不能得到規定的蒸鍍速率而結束蒸鍍。

本發明的蒸鍍裝置通過在閥的開度的變化率超過穩定變化率時，使坩堝的溫度以增量上升，來增加來自坩堝的蒸鍍材料的蒸發量，避免了不能將閥的開度調節為實現規定的蒸鍍速率的情况。此外根據本發明，通過使溫度依次以增量上升，不僅能防止蒸鍍材料的熱劣化，且可以將蒸鍍材料的殘留降到最低值。

11‧‧‧真空室

12‧‧‧玻璃基板

13‧‧‧蒸鍍室

14‧‧‧真空口

15‧‧‧工件保持件

17‧‧‧材料輸送管

17a‧‧‧開口部

18‧‧‧閘門

19‧‧‧流量控制閥

20‧‧‧第一加熱器

22‧‧‧坩堝

23‧‧‧第二加熱器

24‧‧‧蒸鍍材料

26‧‧‧膜厚監視器

27‧‧‧溫度感測器

29‧‧‧閥開度控制裝置

30‧‧‧坩堝加熱器控制裝置

31‧‧‧蒸鍍速率檢測部

32‧‧‧蒸鍍結束檢測部

33‧‧‧閥開度控制部

34‧‧‧閘門開閉部

35‧‧‧閥開度變化率檢測部

36‧‧‧閥穩定變化率檢測部

37‧‧‧閥開度急劇上升檢測部

41‧‧‧時序部

42‧‧‧目標加熱溫度設定部

43‧‧‧坩堝溫度控制部

44‧‧‧最低溫度到達檢測部

45‧‧‧劣化溫度檢測部

圖1是本發明蒸鍍裝置的實施例的結構圖。

圖2是同一蒸鍍裝置的閥開度控制裝置的控制方塊圖。

圖3是同一蒸鍍裝置的坩堝加熱器控制裝置的控制方塊圖。

圖4是說明同一蒸鍍裝置的動作的流程圖。

圖5是表示同一蒸鍍裝置的蒸鍍速率、坩堝溫度、閥開度的特性的圖。

圖1是本發明蒸鍍裝置的實施例的結構圖。如圖1所示，在真空室(真空槽/蒸鍍用容器)11內設有蒸鍍室13，在所述蒸鍍室13中，在真空氣氛中向玻璃基板(被蒸鍍構件的一例)12的表 面(下表面)蒸鍍蒸發粒子(蒸發的蒸鍍材料，例如有機EL材料)。真空室11形成有通過真空單元(未圖示)將真空室形成真空氣氛的真空口14。真空室11的上部設有保持玻璃基板12的工件保持件15。圖示的蒸鍍裝置為向上蒸鍍型(向上沉積)的蒸鍍裝置，從下方朝向工件保持件15所保持的玻璃基板12的下表面(被蒸鍍面)蒸鍍蒸發粒子。

真空室11的下部設有用於向玻璃基板12引導蒸發粒子的材料輸送管(向玻璃基板引導蒸發粒子的流路的一例)17。而且，材料輸送管17的開口部17a與玻璃基板12的下表面相對配置。材料輸送管17的開口部17a和工件保持件15之間設有開閉式的閘門18，所述閘門18能阻止蒸發粒子到達玻璃基板12。

在真空室11的外部，材料輸送管17上設有流量控制閥(調節流路的開度的閥的一例；控制閥)19。通過調節流量控制閥19的開度，可以控制蒸發粒子的流量。上述材料輸送管17和流量控制閥19上捲繞安裝有第一加熱器20。材料輸送管17和流量控制閥19利用第一加熱器20被加熱成溫度高於周圍溫度。

在真空室11的外部，坩堝(材料收納容器)22設置在材料輸送管17的上游端即材料輸送管17中距離真空室11最遠的位置上。坩堝22上捲繞安裝有第二加熱器(坩堝加熱器)23。利用所述第二加熱器23，坩堝22中收納的蒸鍍材料24被加熱並形成蒸發粒子，形成的蒸發粒子被供給至材料輸送管17。

在蒸鍍室13中與工件保持件15鄰接設置有膜厚監視器 26，所述膜厚監視器26用於檢測玻璃基板12上蒸鍍的蒸鍍材料的膜厚。坩堝22設有溫度感測器27，以檢測所述坩堝22的溫度，具體為坩堝22的內部溫度，即蒸鍍材料24的溫度。

在真空室11的外部設有閥開度控制裝置29和坩堝加熱器控制裝置30。

[閥開度控制裝置29]

如圖1和圖2所示，向閥開度控制裝置29輸入由膜厚監視器26檢測出的膜厚的數據，以及從坩堝加熱器控制裝置30輸出的蒸鍍材料24的最低溫度到達信號和蒸鍍停止信號。此外，利用閥開度控制裝置29，向流量控制閥19輸出閥開度指令L(相當於閥開度0~100%的電信號)，並向坩堝加熱器控制裝置30輸出閥開度急劇上升信號和蒸鍍結束信號，而且向外部(管理蒸鍍步驟的上位計算機等)輸出蒸鍍結束信號。在圖2中，為了簡化圖示，在附圖的左右重複表示了一個坩堝加熱器控制裝置30。

如圖2所示，閥開度控制裝置29具有蒸鍍速率檢測部31、蒸鍍結束檢測部32、閥開度控制部33、閘門開閉部34、閥開度變化率檢測部35、閥穩定變化率檢測部36以及閥開度急劇上升檢測部37。其中，蒸鍍速率檢測部31基於從膜厚監視器26輸入的膜厚信息的變化來求出蒸發粒子向玻璃基板12的蒸鍍速率R。當由膜厚監視器26輸入的信息即膜厚成為所需的蒸鍍膜厚時，作為形成了必要厚度的蒸鍍膜，蒸鍍結束檢測部32向坩堝加熱器控制裝置30、閥開度控制部33和閥開度控制裝置29的外部輸出蒸 鍍結束信號。

(閥開度控制部33)

閥開度控制裝置29中的閥開度控制部33具有下述功能。

(a)在沒有從坩堝加熱器控制裝置30輸入蒸鍍材料24的最低溫度到達信號或輸入了蒸鍍停止信號時，或從蒸鍍結束檢測部32輸入了蒸鍍結束信號時，向流量控制閥19輸出用於使閥全閉的閥開度指令L(相當於閥開度0%的電信號)。

(b)在從坩堝加熱器控制裝置30輸入了蒸鍍材料24的最低溫度到達信號，即輸入了表示蒸鍍材料24通過被加熱而升溫到適於蒸鍍處理的最低溫度的信號時，向流量控制閥19輸出用於使閥慢慢打開到規定的開度(例如70%)的閥開度指令L。

(c)當流量控制閥19打開到所述規定的開度時(閥開度指令L成為規定的開度值)，求出預先設定的規定的蒸鍍速率Re與由蒸鍍速率檢測部31求出的蒸鍍速率R的偏差，來調節閥開度指令L以消除所述偏差。

(閘門開閉部34)

閘門開閉部34確認基於閥開度指令L的流量控制閥19的開度，並在流量控制閥19的開度小於所述規定的開度(例如70%)時將閘門18全閉，在達到規定的開度(例如70%)以上時將閘門18全開。

(閥開度變化率檢測部35)

流量控制閥19伴隨蒸鍍處理的進行，通常將閥開度控制 為慢慢變大。根據閥開度指令L，閥開度變化率檢測部35求出每單位時間的閥開度的變化(稱為“閥開度變化率”)△Z。

△Z ← Z/t

其中，Z：閥開度

t：經過時間

(閥穩定變化率檢測部36)

如上所述，流量控制閥19伴隨蒸鍍處理的進行，通常將閥開度控制為慢慢變大。在由蒸鍍速率檢測部31檢測出的蒸鍍速率R穩定在規定的蒸鍍速率的狀態下，閥穩定變化率檢測部36利用從閥開度控制部33輸入的閥開度指令L，求出每單位時間的閥開度的上升變化(稱為“閥穩定變化率”)△Z1。

△Z1 ← Z1/t1

其中，Z1：蒸鍍速率穩定時的閥開度

t1：蒸鍍速率穩定時的經過時間

(閥開度急劇上升檢測部37)

當閥開度變化率檢測部35檢測出的閥開度變化率△Z相比於閥穩定變化率檢測部36檢測出的閥穩定變化率△Z1急劇上升時(△Z>>△Z1)，閥開度急劇上升檢測部37向坩堝加熱器控制裝置30輸出閥開度急劇上升信號。例如，雖然取决於閥開度-蒸鍍速率特性(因蒸鍍材料而改變)，但在閥穩定變化率△Z1=1，閥開度變化率△Z=2以上時，輸出閥開度急劇上升信號。

[坩堝加熱器控制裝置30]

如圖1和圖3所示，向坩堝加熱器控制裝置30輸入由溫度感測器27檢測出的坩堝22的溫度即蒸鍍材料24的溫度，以及從閥開度控制裝置29輸出的閥開度急劇上升信號和蒸鍍結束信號，此外還從外部輸入蒸鍍開始信號。此外，利用坩堝加熱器控制裝置30，向閥開度控制裝置29輸出蒸鍍材料24的最低溫度到達信號和蒸鍍停止信號，向第一加熱器20輸出用於達到規定(固定)溫度的通電指令和通電停止指令，此外向電氣式的第二加熱器23輸出通電量指令E(相當於通電量0~100%的電信號)，並且向外部輸出蒸鍍停止信號。在圖3中，為了簡化圖示，在附圖的左右重複表示了一個閥開度控制裝置29。

如圖3所示，坩堝加熱器控制裝置30包括：時序(sequence)部41、坩堝22的目標加熱溫度設定部42、坩堝溫度控制部43、最低溫度到達檢測部44以及劣化溫度檢測部45。

(時序部41) 時序部41具有下述功能。

(a)為了開始蒸鍍處理而從外部輸入蒸鍍開始信號時，輸出通電指令以使第一加熱器20達到規定(固定)溫度，並向目標加熱溫度設定部42發送加熱開始信號。

(b)從閥開度控制裝置29輸入蒸鍍結束信號時，或從劣化溫度檢測部45輸入蒸鍍停止信號時，向目標加熱溫度設定部42發送加熱停止信號，並對第一加熱器20輸出通電停止指令。

(目標加熱溫度設定部42)

目標加熱溫度設定部42具有下述功能。

(a)從時序部41輸入加熱開始信號時，將用於坩堝22的目標加熱溫度設定為規定的最低溫度(例如在閥開度Z=70%左右，能得到規定的蒸鍍速率Re程度的最小限的溫度)。

(b)從時序部41輸入加熱停止信號時，將目標加熱溫度設定為蒸鍍材料24不蒸發的溫度以下。

(c)當由溫度感測器27檢測出的坩堝22的溫度達到所述規定的最低溫度以上時，監視是否存在從閥開度控制裝置29輸出的閥開度急劇上升信號。而且，當輸入了閥開度急劇上升信號時，再次如下設定。

目標加熱溫度=目標加熱溫度+X(℃)作為增量的溫度X也取决於蒸鍍材料的加熱溫度-蒸鍍速率特性(根據蒸鍍材料而改變)，例如為3℃以下(大致為1℃)。另外，作為增量的溫度(上升溫度)X過高時，蒸鍍速率大多發生急劇變化，會發生不能用閥控制蒸鍍速率的情况。

(d)再次設定目標加熱溫度後，僅僅在規定的時間T(分鐘)內、停止監視是否存在閥開度急劇上升信號，不進行目標溫度的再次設定。考慮利用溫度X追加的熱量遍佈蒸鍍材料整體所必要的時間，來適當設定所述規定的時間T(大致1分鐘)。

(坩堝溫度控制部43)

坩堝溫度控制部43具有下述功能。

(a)求出通過目標加熱溫度設定部42設定的目標加熱 溫度與坩堝22的溫度的偏差，並向用於加熱坩堝的第二加熱器23輸出通電量指令E以消除所述偏差。

(b)當從閥開度控制裝置29輸入蒸鍍結束信號時，或從劣化溫度檢測部45輸入了蒸鍍停止信號時，停止第二加熱器23的通電(通電量指令E為0%)。

(最低溫度到達檢測部44)

當利用第二加熱器23的加熱使溫度感測器27檢測出的坩堝22的溫度達到預定的最低溫度，從而坩堝22的溫度穩定時，最低溫度到達檢測部44向閥開度控制裝置29輸出蒸鍍材料24的最低溫度到達信號。

(劣化溫度檢測部45)

當溫度感測器27檢測出的坩堝22的溫度達到蒸鍍材料24的劣化溫度以上，且從閥開度控制裝置29輸入了閥開度急劇上升信號時，劣化溫度檢測部45判斷為坩堝22中沒有殘留蒸鍍材料24。而後，向時序部41、坩堝溫度控制部43、閥開度控制裝置29和外部輸出蒸鍍停止信號。

[控制器]

利用上述功能，閥開度控制裝置29和坩堝加熱器控制裝置30構成控制器，該控制器具有如下功能：利用膜厚監視器26檢測出的膜厚來檢測蒸發粒子向玻璃基板12的蒸鍍速率；調節流量控制閥19的開度以使檢測出的蒸鍍速率成為規定的蒸鍍速率；根據溫度感測器27檢測出的坩堝22的溫度即蒸鍍材料24的加熱 溫度，調節第二加熱器23的通電量，控制坩堝22的加熱溫度即蒸鍍材料24的加熱溫度；檢測流量控制閥19的閥開度變化率△Z，當所述閥開度變化率△Z成為穩定在規定的蒸鍍速率的狀態下的閥穩定變化率△Z1以上時，將坩堝22的目標設定溫度升高X℃並增加蒸鍍材料24的蒸鍍量。

[蒸鍍時的動作]

參照圖4和圖5說明上述結構在蒸鍍時的動作。

步驟-1

在向坩堝加熱器控制裝置30輸入蒸鍍開始信號時，向第一加熱器20通電，至少將從流量控制閥19到下游側升溫至規定溫度。

步驟-2

坩堝加熱器控制裝置30向第二加熱器23通電並將坩堝22升溫到上述規定的最低溫度。

步驟-3

坩堝加熱器控制裝置30確認坩堝22的溫度是否穩定在最低溫度。

步驟-4

當坩堝22的溫度穩定時，坩堝加熱器控制裝置30形成最低溫度到達信號並將其輸出到閥開度控制裝置29。這樣，閥開度控制裝置29將流量控制閥19打開到規定開度(例如70%)，且流量控制閥19打開到所述規定的開度時，閘門18全開。

步驟-5、6

閥開度控制裝置29進行閥開度調整，以使當前蒸鍍速率R大致成為規定蒸鍍速率Re。

這樣，如圖5的經過時間“A-B”所示，蒸鍍速率穩定，且流量控制閥19的開度慢慢變大。

步驟-7

閥開度控制裝置29把握當前蒸鍍速率R大致成為規定蒸鍍速率Re且蒸鍍速率穩定時的閥穩定變化率△Z1。

步驟-8

閥開度控制裝置29進行閥開度調整，以使當前蒸鍍速率R大致成為規定蒸鍍速率Re。

步驟-9

閥開度控制裝置29確認當前蒸鍍膜厚是否等於所需的蒸鍍膜厚，當確認兩者相等時輸出蒸鍍結束信號。由此，流量控制閥19全閉，此外停止對第一加熱器20和第二加熱器23供電。

步驟-10

在步驟-9中當前蒸鍍膜厚未達到所需的蒸鍍膜厚的情况下，閥開度控制裝置29求出閥開度變化率△Z。

如圖5的經過時間“B-C”所示，坩堝22內的蒸鍍材料24减少時，蒸鍍材料24的蒸發量减少，流量控制閥19的開度與此對應地急劇變大。

步驟-11

閥開度控制裝置29確認閥開度變化率△Z是否比取得的閥穩定變化率△Z1急劇增大。具體而言，在流量控制閥19的開度如圖5的經過時間“B-C”所示開始急劇上升時，即閥開度變化率△Z比取得的閥穩定變化率△Z1急劇增大時，閥開度控制裝置29向坩堝加熱器控制裝置30輸出閥開度急劇上升信號。否則，返回到步驟-8。

步驟-12

坩堝加熱器控制裝置30確認坩堝22的溫度是否達到蒸鍍材料24的劣化溫度以上。而且，坩堝加熱器控制裝置30在從閥開度控制裝置29輸入了閥開度急劇上升信號，且坩堝22的溫度達到蒸鍍材料24的劣化溫度以上時，判斷如果進一步打開流量控制閥19，則蒸鍍材料24的殘留消失，不能得到規定的蒸鍍速率Re，從而向閥開度控制裝置29發送蒸鍍停止信號。這樣，流量控制閥19全閉，此外停止對第一加熱器20和第二加熱器23供電，使蒸鍍停止。圖5的時刻“F”表示了此時的狀况。

步驟-13

在坩堝22的溫度小於蒸鍍材料24的劣化溫度時，如圖5的時刻“C”和時刻“D”所示，坩堝加熱器控制裝置30使坩堝22的加熱溫度上升X℃(例如1℃)，並保持該狀態T分鐘(例如1分鐘)。此時，閥開度控制裝置29進行閥開度調整，以使當前蒸鍍速率R大致成為規定蒸鍍速率Re。然後返回到步驟-10。

如圖5的時刻“E”所示，通過執行上述步驟-11~步驟 -13，觀察從時刻“D”開始T分鐘後閥開度的變化量，如果沒有急劇的變化，即閥開度變化率△Z與在經過時間“A-B”的區間求出的閥穩定變化率△Z1相等或更小，則不改變坩堝22的溫度並原狀繼續進行蒸鍍。

如上所述，如果在規定的蒸鍍速率Re所必要的最低限的溫度下開始蒸鍍，閥開度變化率△Z急劇變大，即蒸鍍速率即將降低，則依次使目標加熱溫度上升作為規定溫度的X℃，並維持蒸鍍速率。而且，在圖5的經過時間“E-F”期間，重複進行流量控制閥19的開度的監視以及判斷是否需要提高坩堝22的溫度。

根據上述的本實施例，在規定的蒸鍍速率Re所必要的最低限的坩堝22的溫度下進行蒸鍍，當閥開度變化率△Z超過閥穩定變化率△Z1時，即坩堝22內的蒸鍍材料24變少、來自坩堝22的蒸鍍材料24的蒸發量(即應當從坩堝22供給的蒸發粒子的形成量)變少，因而蒸鍍速率降低，從而為維持規定的蒸鍍速率而使流量控制閥19的開度急劇變大時，坩堝22的目標溫度上升X℃，來自坩堝22的蒸鍍材料24的蒸發量增加。這樣，可以維持規定的蒸鍍速率Re，並且能够避免不能將流量控制閥19的開度調節到實現所述規定的蒸鍍速率Re。此外，通過使目標溫度依次上升規定的溫度X℃，不僅能防止蒸鍍材料24的熱劣化，而且可以將蒸鍍材料24使用到最後，因此能使蒸鍍材料24的殘留降到最低值。另外，如果最初將坩堝22的溫度設定為高溫來增加蒸鍍材料24的蒸發量，則蒸鍍材料24發生熱劣化而不能得到蒸鍍材 料24的所需要的特性。

此外，按照本實施例，通過使坩堝22的溫度上升溫度X℃後將所述溫度保持一定時間(T分鐘)，蒸鍍材料24的溫度滯後上升可以帶來蒸鍍材料24的蒸發量的變化。這樣，在一定時間(T分鐘)後，與坩堝22上升溫度X℃對應的蒸鍍材料24的蒸發量增加，因此，流量控制閥19的閥開度變化率△Z變小，或流量控制閥19向關閉方向變化。當坩堝22的溫度上升帶來的、蒸鍍材料24的蒸發量的增加部分不足時，閥開度變化率△Z超過閥穩定變化率△Z1，坩堝22的溫度進一步上升X℃。這樣，坩堝22的溫度按溫度X℃階段性上升。

此外，按照本實施例，首先在初始狀態下，將坩堝22的溫度上升到閥開度Z=70%左右時得到規定蒸鍍速率Re程度的最低限的溫度即最低溫度，所述狀態下，流量控制閥19打開到所述開度70%，並且為得到規定蒸鍍速率Re的流量而開始控制閥19的開度調整。即，通過從規定的蒸鍍速率所必要的坩堝22的最低限溫度開始蒸鍍，可以將蒸鍍材料24有效使用到最後。

在本實施例中，構成了從下方對工件保持件15保持的玻璃基板12的下表面(被蒸鍍面)蒸鍍蒸發粒子的向上蒸鍍型(向上沉積)，也可以採用不選擇蒸鍍方向的朝向的結構，即側面沉積或向下沉積的結構。

11‧‧‧真空室

12‧‧‧玻璃基板

13‧‧‧蒸鍍室

14‧‧‧真空口

15‧‧‧工件保持件

17‧‧‧材料輸送管

17a‧‧‧開口部

18‧‧‧閘門

19‧‧‧流量控制閥

20‧‧‧第一加熱器

22‧‧‧坩堝

23‧‧‧第二加熱器

24‧‧‧蒸鍍材料

26‧‧‧膜厚監視器

27‧‧‧溫度感測器

29‧‧‧閥開度控制裝置

30‧‧‧坩堝加熱器控制裝置

Claims (5)

1. 一種蒸鍍裝置，使蒸發的蒸鍍材料在真空槽內附著到被蒸鍍構件上，所述蒸鍍裝置的特徵在於包括：坩堝，加熱所述蒸鍍材料並使其蒸發；以及流路，將從所述坩堝蒸發的所述蒸鍍材料向所述真空槽內的所述被蒸鍍構件引導，設置有用於檢測所述坩堝的溫度的溫度感測器，在所述流路上設置有具備開度調節功能的閥，在所述真空槽內設置有用於檢測所述被蒸鍍構件的膜厚的膜厚監視器，並且設置有控制器，利用所述膜厚監視器檢測出的所述膜厚來檢測所述被蒸鍍構件的蒸鍍速率，調節所述閥的開度以使所述蒸鍍速率成為規定的蒸鍍速率，並且檢測所述閥的開度的變化率，當所述變化率超過穩定在規定的蒸鍍速率的狀態下的穩定變化率時，使所述坩堝的設定溫度以增量上升，從而增加所述蒸鍍材料的蒸鍍量。
2. 如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍裝置，其中所述控制器進行處理使所述坩堝的設定溫度以所述增量上升時，一邊將上升後的設定溫度保持一定時間，並一邊調節所述閥的開度，經過所述一定時間後，當所述閥的開度的變化率超過穩定變化率時，使所述坩堝的設定溫度進一步以所述增量上升。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的蒸鍍裝置，其特徵 在於，所述控制器進行控制，在所述閥關閉的狀態下，使所述坩堝的設定溫度上升到所述閥在規定的開度下得到規定的蒸鍍速率的最低溫度，當所述坩堝的檢測溫度上升到所述最低溫度時，將所述閥打開到設定開度，開始所述閥的開度調節以得到規定的蒸鍍速率。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的蒸鍍裝置，其特徵在於，所述控制器進行控制，當所述坩堝的檢測溫度上升到所述蒸鍍材料的劣化溫度時，在所述閥進一步打開時，結束利用所述坩堝蒸發所述蒸鍍材料。
5. 如申請專利範圍第3項所述的蒸鍍裝置，其特徵在於，所述控制器進行控制，當所述坩堝的檢測溫度上升到所述蒸鍍材料的劣化溫度時，在所述閥進一步打開時，結束利用所述坩堝蒸發所述蒸鍍材料。