TWI573308B - 顯示器之陣列基板及其製造方法 - Google Patents
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Description
本揭露是關於一種製造陣列基板之方法，特別是一種顯示器之陣列基板的製造方法。
有機發光二極體顯示器及液晶顯示器廣泛地使用在電視、顯示器、行動電話等。第1圖為常見有機發光二極體顯示器之一個像素的等效電路。如第1圖所示，像素P包含資料線DL、掃描線SL、開關薄膜電晶體ST、驅動薄膜電晶體DT，及有機發光二極體EM、電源線PL及共用線GD。開關薄膜電晶體ST電連接至掃描線SL及資料線DL。驅動薄膜電晶體DT電連接至開關薄膜電晶體ST及電源線PL。有機發光二極體EM包含陽極、陰極且有機發光層配置於其間。有機發光二極體EM之陽極和陰極分別電連接至驅動薄膜電晶體DT的源極和共用線，用於分別接收自電源線傳來的電源訊號以及自共用線GD傳來的接地電壓，以驅動有機發光層並產生光。相應地，電容C形成在開關薄膜電晶體ST的源極與驅動薄膜電晶體DT的源極之間。
在有機發光二極體顯示器之製造方法中，沉積和
顯影蝕刻剝膜(develop-etch-strip)製程多次應用在形成有機發光二極體顯示器之薄膜。然而，困擾的問題可能發生。例如，若發光二極體具有不相等之厚度或不佳的均勻性，元件效能及發光效率將會更差，元件的快速退化以及短壽命也會隨之發生。
對於液晶顯示器領域，液晶顯示器包含陣列基板，彩色濾光片及配置在其間的液晶層。特別地，當應用陣列上彩色濾光片(color filter-on-array；COA)技術，液晶顯示器包含陣列上彩色濾光片基板、對向基板，以及其間的液晶層。在陣列上彩色濾光片形式的液晶顯示器的製造方法中，沉積和顯影蝕刻剝膜製程多次應用在依序形成薄膜電晶體的薄膜、堤及彩色濾光片層。類似於上述之問題，若彩色濾光片層具有不相等的厚度或不佳的均勻度，發光效率或液晶效率將會變差。
為克服前述的問題，本揭露之一目的便是提供一種陣列基板之製作方法，使色層具有相同厚度且在像素區內為均勻分布。
在本揭露之一實施例中，陣列基板之製造方法包含在第一基板上形成第一堤材料層，其中第一堤材料層之材料包含疏水性材料；圖案化第一堤材料層以形成具有至少一第一凹部的第一堤；在圖案化第一堤材料層以形成第一堤的步驟之後，於第一堤上及第一凹部中形成第一電極；以及在第一電極
上形成色層。
在本揭露之一實施例中，此方法更包含在形成色層之前，於第一電極上形成第二堤材料層，其中第二堤材料層之材料包含親水性材料；圖案化第二堤材料以形成具有至少一第二凹部的第二堤；以及在有機發光層上形成第二電極，其中有機發光層位於第二凹部中。
在本揭露之一實施例中，此方法更包含在第一基板上形成第一堤材料層之前，於第一基板上形成驅動薄膜電晶體；以及在位於驅動薄膜電晶體上的第一堤材料層上方配置光罩，其中圖案化第一堤材料層的步驟利用光罩以移除第一堤材料之一部分以形成至少一第一凹部及位於驅動薄膜電晶體之源極上方的接觸孔。
在本揭露之一實施例中，第二凹部完全位於第一凹部中，且其中第二凹部之邊緣與第一凹部之邊緣之間隙距離約3μm至約5μm。
在本揭露之一實施例中，陣列基板之製造方法包含在具有至少一第一凹部之第一基板上形成第一堤；在第一堤上與第一凹部中形成第二堤材料層，其中第二堤材料層之材料包含親水性材料；圖案化第二堤材料層以形成具有至少一凹部的第二堤；在第一堤上和第一凹部與第二凹部中形成第一電極；以及在第一電極上形成色層。
在本揭露之一實施例中，陣列基板包含第一基板，具有至少一第一凹部之第一堤，形成在第一基板上，其中第一堤之材料包含疏水性材料，第一電極形成在第一堤上及第
一凹部中，以及色層，形成在第一電極中。
110‧‧‧基板
120‧‧‧導電層
122‧‧‧掃描線
124‧‧‧電源線
126a‧‧‧閘極
126b‧‧‧閘極
128‧‧‧電容電極
130‧‧‧絕緣層
140‧‧‧主動層
142a‧‧‧通道層
142b‧‧‧通道層
144‧‧‧電容電極
150‧‧‧蝕刻停止層
160‧‧‧導電層
162‧‧‧資料線
164a‧‧‧汲極
164b‧‧‧汲極
166a‧‧‧源極
166b‧‧‧源極
168‧‧‧電容電極
170‧‧‧堤材料層
172‧‧‧堤
174‧‧‧堤
180‧‧‧鈍化層
192‧‧‧電極
200‧‧‧陣列基板
210‧‧‧基板
222‧‧‧掃描線
224‧‧‧閘極
230‧‧‧絕緣層
242‧‧‧通道層
262‧‧‧資料線/汲極
264‧‧‧源極
272‧‧‧堤
274‧‧‧堤
300‧‧‧基板
400‧‧‧液晶層
1501‧‧‧開口
1502‧‧‧開口
1503‧‧‧開口
1504‧‧‧開口
1505‧‧‧開口
1506‧‧‧開口
1507‧‧‧開口
1720‧‧‧凹部
1720a‧‧‧邊緣
1722‧‧‧接觸孔
1724‧‧‧通孔
1742‧‧‧凹部
1742a‧‧‧邊緣
1802‧‧‧開口
1910‧‧‧電極
1912‧‧‧輔助線
2720‧‧‧凹部
2722‧‧‧接觸孔
2742‧‧‧凹部
2742a‧‧‧邊緣
2910‧‧‧電極
C‧‧‧電容
DL‧‧‧資料線
DT‧‧‧驅動薄膜電晶體
EM‧‧‧發光二極體
G‧‧‧間隙
GD‧‧‧共用線
M‧‧‧光罩
M1‧‧‧第一部分
M2‧‧‧第二部分
M3‧‧‧第三部分
OL‧‧‧色層
P‧‧‧像素
PL‧‧‧電源線
ST‧‧‧開關薄膜電晶體
C-C’-C”-C'''‧‧‧線
I-I’‧‧‧線
L-L’‧‧‧線
藉由閱讀本揭露之實施例子的詳細描述並伴隨著參考圖式，將可更完整地了解本揭露。
第1圖為常見有機發光二極體顯示器之像素的等效電路圖；第2A圖至第10C圖為本揭露之較佳實施例之製造方法的流程圖，圖示有機發光二極體顯示器之陣列基板的二個像素之剖面圖以及對應之上視圖；第11A圖至第14C圖為本揭露之較佳實施例之製造方法的流程圖，圖示液晶顯示器之陣列基板的一個像素之剖面圖以及對應之上視圖；以及第15圖為依據本揭露之一實施例之液晶顯示器。
本揭露係關於提升陣列基板之色層之厚度均勻性，更特別是關於陣列基板的製造方法。
如以下所述，提供本揭露之實施例之多個特殊細節以全面性的了解本揭露。本技術領域之具有通常知識者應了解，本揭露的實施可省略一個或多個特殊細節，亦可伴隨或結合其他組件。
第2A圖至第10C圖為根據本揭露之較佳實施例之製造方法的流程所繪示之有機發光二極體顯示器之陣列基
板的二個像素之剖面示意圖以及對應之上視圖。為了解釋及描述之方便，僅圖示兩個子像素及對應之區域，並不以此為限。陣列基板具有超過兩個子像素。首先，參照第2A圖及第2B圖，其中第2B圖為沿著第2A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。在第一基板110上形成經圖案化的第一導電層120。經圖案化的第一導電層120包含金屬、金屬氧化物或其他適合之材料。經圖案化的第一導電層120可為單層或多層。經圖案化的第一導電層120包含掃描線122、電源線124、用以驅動薄膜電晶體之閘極126a、用以開關薄膜電晶體之閘極126b，以及第一電容電極128。第一電容電極128與閘極126a連接。隨後，參照第3圖，在經圖案化的第一導電層120上形成閘極絕緣層130。
隨後，請參照第4A圖及第4B圖，第4B圖為為沿著第4A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。在閘極絕緣層130上形成經圖案化的主動層140。經圖案化的主動層140之材料包含氧化銦鎵鋅(IGZO)、非晶矽、多晶矽、單晶矽或其他適合之半導體材料。經圖案化的主動層140可為單層或多層。經圖案化的主動層140包含驅動薄膜電晶體之通道層142a、開關薄膜電晶體之通道層142b以及電容電極144。第二電容電極144電連接至通道層142a。選擇性地，第二電容電極144可依據其他設計上的需求而省略。
接著，如第5A圖及5B圖所示，第5B圖為沿著第5A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。在經圖案化之主動層140上形成經圖案化之蝕刻停止層150。經圖案化之蝕刻停
止層150具有第一開口1501及第二開口1502以曝露通道層142a之一部分、第三開口1503以曝露第二電容電極144之一部分、第四開口1504及第五開口1505以曝露通道層142b之一部分、第六開口1506以曝露第二電容電極之另一部分、第七開口1507以曝露經圖案化之主動層140之一部分，位於第七開口1507下之經圖案化之主動層140之一部分舉例係僅位於電源線124上方且與電源線124重疊。為了圖式之清晰，第5A圖中，僅圖示第一開口1501、第二開口1502、第三開口1503、第四開口1504、第五開口1505、第六開口1506、第七開口1507，且蝕刻停止層150之實體部分並未上色以便說明。
隨後，參照第6A圖及第6B圖，第6B圖為沿著第6A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。為了方便解釋與考量圖式的清晰程度下，在此步驟中，經圖案化之主動層140及經圖案化的蝕刻停止層150之實體部分並未圖示於第6A圖，但並不以此為限。在經圖案化之蝕刻停止層150上形成經圖案化之第二導電層160。經圖案化之第二導電層160的材料包含金屬、金屬氧化物或其他適合之材料。經圖案化之第二導電層160可為單層或多層結構。經圖案化之第二導電層160包含資料線162、驅動薄膜電晶體DT之汲極164a和源極166a、開關薄膜電晶體ST之汲極164b和源極166b、第三電容電極168。舉例而言，汲極164b與資料線162直接連接。在本實施例中，汲極164a透過開口1501電連接至通道層142a。源極166a透過開口1502電連接至通道層142a。汲極164b透過開口1505電連接至通道層142b。源極166b透過開口1504電連接至通道層142b。
在此步驟中，開關薄膜電晶體ST及驅動薄膜電晶體DT全部形成。驅動薄膜電晶體DT包含閘極126a、通道層142a、汲極164a和源極166a。開關薄膜電晶體ST包含閘極126b、通道層142b、汲極164b和源極166b。
第6C圖為依據本揭露之一實施例之沿著第6A圖的I-I’線所繪示之剖面圖。第6D圖為依據本揭露之另一實施例之沿著第6A圖的I-I’線所繪示之剖面圖。如6C圖所示，驅動薄膜電晶體DT之汲極164a與電源線124電連接使得電訊號可傳輸至汲極164a。特別地，閘極絕緣層130，經圖案化之主動層140的一部分以及經圖案化之蝕刻停止層150之一部分合併具有一通孔(未圖示)，包含開口1507以曝露電源線124之一部分，並透過上述之通孔，驅動薄膜電晶體DT之汲極164a與電源線124電連接。依據本揭露之另一實施例，第6D圖中所示之連接構僅有一處與第6C圖不相同，省略了第6C圖中經圖案化之主動層140。意即，在形成圖案化之主動層140的步驟中，圖案化之主動層140並沒有與電源線124及隨後形成的開口1507以及驅動薄膜電晶體DT之汲極164a重疊。
完成上述之步驟後，在本實施例之有機發光二極體顯示器中，所謂的薄膜電晶體陣列便形成。薄膜電晶體陣列包含掃描線、資料線、開關薄膜電晶體、驅動薄膜電晶體及電源線。
接著，請參照第7A圖及第7B圖，第7B圖為沿著第7A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。在薄膜電晶體陣列上形成第一堤材料層170。為了妥善的界定子像素區，第一
堤材料層170包含疏水性材料及有機材料，而詳細的描述將會在後續的圖式中解說。疏水性材料可為氟，有機材料可為正光阻或負光阻。在第一堤材料層170上配置光罩M。舉例而言，光罩M可為半調式(half-tone)光罩或灰階式(grey-tone)光罩。光罩M具有第一部分M1對應至驅動薄膜電晶體DT之源極166a，第二部分M2實質上至少部分包圍或至少部分環繞第一部分M1，第三部分M3實質上至少部分包圍第二部分M2。第一部分M1的第一光穿透率T1高於第二部分M2的第二光穿透率T2。第二部分M2的第二光穿透率T2高於第三部分M3的第二光穿透率T3。請參照第7C圖，圖案化第一堤材料層170以形成第一凹部1720與接觸孔1722。接觸孔1722曝露驅動薄膜電晶體DT之源極166a的一部分。詳細而言，圖案化第一堤材料層170之步驟係利用光罩M以移除第一堤材料層170之一部分以形成第一堤172。第一堤172具有對應至子像素區的第一凹部1720。
第7D圖為本揭露之一實施例的製造方法。不同於第7C圖，在第一基板110上形成第一堤材料層170的步驟之前以及形成有機發光二極體顯示器之薄膜電晶體的步驟之後，在驅動薄膜電晶體DT上形成鈍化層(未圖示)，隨後圖案化鈍化層以形成經圖案化之鈍化層180，鈍化層180具有開口1802以曝露源極166a。舉例而言，鈍化層之材料包含8-羥基喹啉鋁(8-hydroxyquinolinate aluminum；Alq)、氧化矽、氮化矽。在形成開口1802的步驟之後，在經圖案化之鈍化層180上形成第一堤材料層170。開口1802與接觸孔1722互相重疊且互相連
接，然而，實施例將不限定於此。或者，在形成鈍化層的步驟之後(未圖示)，繼續在鈍化層上形成第一堤材料層170。隨後，利用相同之光罩同時圖案化第一堤材料層及鈍化層以自發性地形成第一凹部1720、接觸孔1722及開口1802。接觸孔1722及開口1802合併形成通孔以曝露源極166a。舉例而言，接觸孔1722的水平剖面區和開口1802的水平剖面區實質上為相等。第一凹部1720分別對應至子像素區。子像素區可為紅、綠、藍或白子像素區。由於第一堤172具有疏水性特性，隨後形成的彩色區將不會溢出子像素區，因此將可避免色彩混合的問題或降低其發生的可能性。
隨後，參照第8A圖及第8B圖，為解釋及圖式的清晰度，部分元件將不顯示於第8A圖中，但非用以侷限本發明。形成第一電極1910及選擇性在第一堤172上形成輔助線1912。舉例而言，第一電極1910之材料包含鋁釹(AlNd)、氧化銦錫(ITO)、鈦(Ti)、鋁(Al)或銀(Ag)。第一電極1910及輔助線1912可藉由圖案化相同的導電層形成，並可為相同材料。部分第一電極1910位於接觸孔1722中以電連接驅動薄膜電晶體DT的汲極166a。舉例而言，電源線124和輔助線1912間具有通孔1724以電連接彼此，以使得電訊號依序自輔助線1912、電源線124、汲極164a、源極166a傳輸至第一電極1910。然而，此處並不加以限制，電訊號可從位於扇出區之其他訊號線傳輸至電源線124，而不一定須經由輔助線1912。
第9B圖為沿著第9A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。在第一電極1910形成後，在第一電極1910上形成
第二堤材料層(未圖示)。第二堤材料層的材料包含親水性材料。如第9A圖所示，圖案化第二堤材料層以形成第二堤174。第二堤174可為長方形或圓形，但不限定於此。舉例而言，第二堤174具有第二凹部1742，第二凹部1742完全位於第一凹部1720中。請參照第9B圖，位於第二凹部1742的邊緣1742a以及第一凹部1720的邊緣1720a之間的水平間隙G之長度約3μm至5μm。第二堤174的寬度約為3μm至5μm。
第10B圖為沿著第10A圖之C-C’-C”-C'''線所繪製的剖面圖。接著，參考第10A圖及第10B圖，例如，藉由噴墨印刷製程在第一電極1910上形成色層OL。例如，色層OL包含有機發光層。有機發光層位於第二凹部1742中。此外，有機發光層可位於第一凹部1720中及第二堤174之表面上。
特別地，形成第一堤172的步驟在形成第一電極1910之前，所以包含在第一堤172之疏水性材料不會(或不容易)擴散至第一電極1910之表面。由於第一電極1910上不具有(或具有極微量)疏水性材料，因此色層OL可均勻地在子像素區內散佈且具有相同厚度，由此可避免色層OL之衰退且元件之壽命將可以增加。相反地，若疏水性材料形成在第一電極1910之後，堤中的疏水性材料將會不受控制且無預警地擴散至第一電極1910，以至於在相鄰的色層OL之表面以及第一電極1910之間將會產生空氣。
此外，第二堤174具有親水性結構且寬度為約3μm至約5μm，由此可在色層OL與第一凹部1720(或第二凹部1742)之間達成較佳附著力之需求。
如第10C圖所示，在形成色層OL的步驟之後，於色層OL上形成第二電極192。第二電極192之材料包含氧化銦錫、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(aluminum doped zinc oxide；AZO)。第一電極1910、色層OL及第二電極192構成發光二極體。例如，第一電極1910作為陽極，第二電極192作為陰極。如上述解釋，本揭露之一實施例中，有機發光二極體顯示器之陣列基板製造完成。本實施例之有機發光二極體顯示器包含第一基板110、形成在第一基板110上之薄膜電晶體陣列、第一電極1910、第一堤172、第二堤174、色層OL及第二電極192。
第11A圖至第14C圖為依據本揭露之一實施例，繪製液晶顯示器之陣列基板的一像素之製造流程的剖面圖及對應之上視圖。
第11A圖為依據本實施例，圖示薄膜電晶體陣列之上視圖。第11B圖為沿著第11A圖之L-L’線所繪製的剖面圖。請參照第11A圖及第11B圖，在第一基板210上形成薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列之製造方法可參考前實施例，並省略細節說明且不限定於此。
在第11A圖中，為了說明及圖式清晰之目的，僅圖示一像素。薄膜電晶體陣列包含掃描線222、資料線262，分別電連接至掃描線222及資料線262之驅動薄膜電晶體DT。驅動薄膜電晶體DT包含閘極224、通道層242、汲極262和源極264。閘極絕緣層230形成在閘極224和通道層242之間。驅動薄膜電晶體DT之源極262電連接至對應的資料線262，而閘
極224電連接至對應的掃描線222。
隨後，參照第12A圖及第12B圖，在薄膜電晶體陣列上形成第一堤材料層(未圖示)。形成第一堤材料層之步驟可參考前實施例之對應步驟，但不限定於此。例如，第一堤材料層可包含黑色光阻。為妥善的界定子像素區，第一堤材料層之材料包含疏水性材料及有機材料。疏水性材料可為氟。有機材料可為正光阻或負光阻。隨後，圖案化第一材料層以形成第一堤272之步驟可以參考前實施例之對應步驟，但不限定於此。第一堤272具有對應至子像素區的第一凹部2720，且具有接觸孔2722以曝露源極264。更詳細而言，第一堤272於子像素區上各自具有第一凹部2720。
接著，參照第13A圖及第13B圖，在第一堤272上形成第一電極2910並與源極264電連接。第一電極2910作為像素電極。在本實施例中，第一電極2910完全位於第一堤272的第一凹部2720中。然而，在此不加以限制，在一實施例中，第一電極2910可自第一凹部2720之底部延伸至第一堤272之頂部，意即，第一凹部2720之輪廓完全位於第一電極2910內。
隨後，參照第14A圖及第14B圖，在第一電極2910上形成第二堤材料層(未圖示)。第二堤材料層之材料包含疏水性材料。如第14A圖所示，圖案化第二堤材料層以形成第二堤274。第二堤274可為長方形或圓形，但不限定於此。類似於前實施例與第9B圖，例如，第二堤274具有完全位於第一凹部2720內之第二凹部2742。參照第14B圖，位於第二凹部2742之邊緣2742a與第一凹部2720之邊緣2720a之間的水平間隙G
之寬度為約3μm至約5μm。意即，第二堤274之寬度為約3μm至約5μm。
接著，如第14C圖所示。例如，藉由噴墨印刷製程於第一電極2910上形成色層OL。色層OL包含紅色濾光片、綠色濾光片或藍色濾光片。色層OL之材料包含如顏料或染料。色層OL位於第二凹部2742中。
特別地，形成第一堤272之步驟位於形成第一電極2910之前，因此包含在第一堤272內的疏水性材料將不會(或極困難)擴散至第一電極2910之表面。由於第一電極2910之表面上不具有(或極難具有)疏水性材料，使色層OL可均勻地分布在子像素區中且具有相等厚度，由此可避免子像素區之退化且延長元件之壽命。此外，由於第二堤274為親水性，當執行噴墨印刷製程時，油墨的覆蓋可提升且易於控制。相反地，若疏水性堤形成在第一堤272之後，包含在堤內的疏水性材料將會不受控制且無預警地擴散至第一電極2910中，以至於將會形成在相鄰的色層OL之表面與第一電極2910之間產生空氣。此外，第二堤274具有親水性結構且厚度為約3μm至5μm由此在色層OL與第一凹部2720之側壁之間可達成較佳附著力。
如上述所解釋，依據本揭露之實施例，液晶顯示器之陣列基板200的製造完成。陣列基板200通稱為陣列上彩色濾光片基板。陣列基板200包含第一基板210、驅動薄膜電晶體DT、掃描線222、資料線262、第一堤272、第二堤274、色層OL、第一電極2910。
第15圖為依據本揭露之一實施例之液晶顯示
器。液晶顯示器D包含陣列基板200、相對之基板300及位於兩者之間的液晶層400。此外，保護層(未圖示)及/或配向層(alignment layer)(未圖示)可形成於陣列基板200之上且相鄰於液晶層400，而一般電極及/或配向層(未圖示)可形成於相對之基板300上且相鄰於液晶層400，且不限定於此。
本揭露可適當地包含、包括或主要包括本發明之任何元件、部分或特徵及其同等物。更進一步地，本發明於此教示之揭露可以在省略元件下實施，無論這些元件是否揭露於此。顯然，依據上述所教示之內容，本揭露具有多種調整及變化的可能性。因此本技術領域具有通常知識者應了解，在不脫離本揭露之範疇下，可對本揭露做更多的實施。
166a‧‧‧源極
172‧‧‧堤
174‧‧‧堤
180‧‧‧保護層
192‧‧‧電極
1720a‧‧‧邊緣
1722‧‧‧接觸孔
1742a‧‧‧邊緣
1910‧‧‧電極
G‧‧‧間隙
OL‧‧‧色層
C-C’-C”-C'''‧‧‧線
Claims (18)
- 一種製造陣列基板之方法，包含：在一第一基板上形成一第一堤材料層，其中該第一堤材料層之一材料包含疏水性材料；圖案化該第一堤材料層以形成具有至少一第一凹部的一第一堤；在圖案化該第一堤材料層以形成該第一堤的步驟之後，於該第一堤上及該第一凹部內形成一第一電極；於該第一電極上形成一第二堤材料層，其中該第二堤材料層之一材料包含親水性材料；圖案化該第二堤材料層以形成具有至少一第二凹部的一第二堤；於該第一電極上形成一色層，該色層包含一有機發光層；以及於該有機發光層上形成一第二電極，其中該有機發光層位於該第二凹部中。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二堤實質上至少部分包圍該色層。
- 如請求項1所述之方法，其中該第一電極之一材料包含鋁釹、氧化銦錫、鈦、鋁或銀，而該第二電極之一材料包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、摻鋁氧化鋅。
- 如請求項1所述之方法，更包含：在形成該第一堤材料層於該第一基板上的步驟之前，於該第一半導體上形成一驅動薄膜電晶體；以及在位於該驅動薄膜電晶體上之該第一堤材料層的上方配置一光罩，其中圖案化該第一堤材料層的步驟係利用該光罩移除部分該第一堤材料層以形成至少一第一凹部及位於該驅動薄膜電晶體之一源極上之一接觸孔。
- 如請求項4所述之方法，其中該光罩為一半調式光罩或一灰階光罩。
- 如請求項4所述之方法，更包含：在形成該第一堤材料層於該第一基板上的步驟之前，於該驅動薄膜電晶體上形成一鈍化層；以及圖案化該鈍化層以形成一開口以曝露該驅動薄膜電晶體之源極，其中該開口與該第一堤之該接觸孔彼此連接。
- 如請求項4所述之方法，其中該第一電極更位於該接觸孔內並電性地連接至該驅動薄膜電晶體之該源極。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二凹部之一邊緣與該第一凹部之一邊緣之間的一水平距離為約3μm至約5μm。
- 如請求項8所述之方法，其中該第二堤完全位於該第一凹部中。
- 如請求項1所述之方法，其中該疏水性材料包含氟。
- 如請求項1所述之方法，其中該色層包含一紅色濾光片、一綠色濾光片或一藍色濾光片。
- 一種製造陣列基板之方法，包含：在具有至少一第一凹部之一第一基板上形成一第一堤；在該第一堤上形成一第一電極；在該第一堤、該第一電極上及該第一凹部中形成一第二堤材料層，其中該第二堤材料層之一材料包含親水性材料；圖案化該第二堤材料層以形成具有至少一第二凹部的一第二堤；以及在該第一電極上形成一色層。
- 如請求項12所述之方法，其中該色層包含一有機發光層，該方法更包含在該有機發光層上形成一第二電極，其中該有機發光層位於該第二凹部中。
- 如請求項13所述之方法，更包含： 在形成該第一堤的步驟之前，形成一驅動薄膜電晶體並形成一鈍化層於該驅動薄膜電晶體上，其中該第一堤更具有位於該驅動薄膜電晶體之一源極上方的一接觸孔；以及圖案化該鈍化層以形成一開口以曝露該驅動薄膜電晶體的該源極，其中該開口及該第一堤的該接觸孔彼此互相連接。
- 如請求項12所述之方法，其中該第二凹部完全位於該第一凹部中，且其中該第二凹部之一邊緣與該第一凹部之一邊緣之間的一水平距離為約3μm至約5μm。
- 如請求項12所述之方法，其中該第二堤實質上至少部分包圍該色層。
- 如請求項12所述之方法，其中該色層包含一紅色濾光片、一綠色濾光片或一藍色濾光片。
- 一種陣列基板，包含：一第一基板；一第一堤，具有至少一第一凹部，形成在該第一基板上，其中該第一堤之一材料包含疏水性材料；一第一電極，形成在該第一堤上及該第一凹部中；一第二堤，具有至少一第二凹部，形成在該第一電極上，其中該第二堤材料層包含親水性材料； 一色層，形成在該第一電極上，其中該色層包含一有機發光層；以及一第二電極，形成在該有機發光層上。
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