TWI569246B - A display device, a driving device, a driving method, and an electronic device - Google Patents

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TWI569246B
TWI569246B TW102146760A TW102146760A TWI569246B TW I569246 B TWI569246 B TW I569246B TW 102146760 A TW102146760 A TW 102146760A TW 102146760 A TW102146760 A TW 102146760A TW I569246 B TWI569246 B TW I569246B
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Naobumi Toyomura
Tetsuro Yamamoto
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Joled Inc
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Description

顯示裝置、驅動裝置、驅動方法及電子機器
本揭示係關於一種具有電流驅動型之顯示元件之顯示裝置、此種顯示裝置所使用之驅動裝置及驅動方法、以及具備此種顯示裝置之電子機器。
近年來，在進行圖像顯示之顯示裝置之領域中，開發有使用發光亮度根據流通之電流值發生變化之電流驅動型之光學元件、例如有機EL(Electro Luminescence：電致發光)元件作為發光元件之顯示裝置(有機EL顯示裝置)，且商品化發展。發光元件與液晶元件等不同，為自發光元件，無需光源(背光)。因此，有機EL顯示裝置與需要光源之液晶顯示裝置相比較，具有圖像之可見性較高，消耗電力較低，且元件之應答速度較快等特徵。
在顯示裝置中，驅動電路對配置為矩陣狀之像素進行控制。例如，於專利文獻1中，揭示有具備像素陣列部、及包含位移暫存器與複數個緩衝器電路之控制線驅動部之顯示面板。該控制驅動部經由控制線對像素供給控制信號。對該緩衝器電路，供給至少2個電壓(VDD/VSS)，且基於自外部供給之設定信號及重設信號，選擇該等電壓中之1個並輸出。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-223092號公報
然而，一般自成本、或電路之配置面積、電路佈局之自由度等之觀點而言，期望電子電路為簡單之構成，對於顯示裝置之驅動電路，亦期待簡單之構成。
因此，較理想為提供可實現簡單之電路構成之顯示裝置、驅動裝置、驅動方法、及電子機器。
本揭示之一實施形態之顯示裝置具備單位像素、開關、及非線性元件。開關係基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制者。非線性元件係插設於第1端子與第3端子之間者。
本揭示之一實施形態之驅動裝置具備開關與非線性元件。開關係基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制者。非線性元件係插設於第1端子與第3端子之間者。
本揭示之一實施形態之驅動方法係基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制，且在第1端子與第3端子之間進行非線性動作者。
本揭示之一實施形態之電子機器係具備上述顯示裝置者，相當於例如電視裝置、數位相機、個人電腦、視頻攝像機或行動電話等之移動終端裝置等。
在本揭示之一實施形態之顯示裝置、驅動裝置、驅動方法、及電子機器中，基於脈衝信號，對單位像素施加信號。此時，開關基於施加於第1端子之脈衝信號，在施加有直流信號之第2端子與連接有單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制，且在第1端子與第3端子之間由非線性元件進行非線性動作。
根據本揭示之一實施形態之顯示裝置、驅動裝置、驅動方法、 及電子機器，由於設置有基於施加於第1端子之脈衝信號，對予以施加直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制之開關，與插設於第1端子與第3端子之間之非線性元件，故可實現簡單之電路。
1‧‧‧顯示裝置
1H‧‧‧1水平期間
10‧‧‧顯示部
11‧‧‧子像素
11C‧‧‧子像素
20‧‧‧驅動部
21‧‧‧影像信號處理部
22‧‧‧時序產生部
23‧‧‧掃描線驅動部
26‧‧‧電源線驅動部
26B‧‧‧電源線驅動部
26C‧‧‧電源線驅動部
26R‧‧‧電源線驅動部
27‧‧‧資料線驅動部
30‧‧‧基板
31‧‧‧電壓產生部
31C‧‧‧電壓產生部
31R‧‧‧電壓產生部
32‧‧‧位移暫存器
32C‧‧‧位移暫存器
32RA‧‧‧位移暫存器
32RB‧‧‧位移暫存器
33‧‧‧驅動電路
33(k)‧‧‧驅動電路
33(k+1)‧‧‧驅動電路
33(k+2)‧‧‧驅動電路
33B‧‧‧驅動電路
33B(k)‧‧‧驅動電路
33B(k+1)‧‧‧驅動電路
33B(k+2)‧‧‧驅動電路
33C‧‧‧驅動電路
33C(k)‧‧‧驅動電路
33C(k+1)‧‧‧驅動電路
33C(k+2)‧‧‧驅動電路
33R‧‧‧驅動電路
33R(k)‧‧‧驅動電路
33R(k+1)‧‧‧驅動電路
33R(k+2)‧‧‧驅動電路
34‧‧‧電晶體
35‧‧‧電晶體
35B‧‧‧二極體
35R‧‧‧電晶體
36‧‧‧電晶體
37‧‧‧電晶體
39‧‧‧區域
510‧‧‧影像顯示畫面部
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
Cs‧‧‧電容元件
Csub‧‧‧電容元件
CT‧‧‧接點
DRTr‧‧‧驅動電晶體
DS‧‧‧電源信號
DS(k)‧‧‧電源信號
DS(k+1)‧‧‧電源信號
DS(k+2)‧‧‧電源信號
DS(k+3)‧‧‧電源信號
DTL‧‧‧資料線
GP‧‧‧閘極部分
Ids‧‧‧電流
L1‧‧‧配線
L2‧‧‧配線
L2(k)‧‧‧配線
L2(k+1)‧‧‧配線
L2(k+2)‧‧‧配線
L2A‧‧‧配線
L2A(k)‧‧‧配線
L2A(k+1)‧‧‧配線
L2A(k+2)‧‧‧配線
L2B‧‧‧配線
L2B(k)‧‧‧配線
L2B(k+1)‧‧‧配線
L2B(k+2)‧‧‧配線
L3‧‧‧配線
M1‧‧‧下層金屬
M2‧‧‧上層金屬
OLED‧‧‧有機EL元件
P1‧‧‧初始化期間
P2‧‧‧Vth校正期間
P3‧‧‧寫入/μ校正期間
P4‧‧‧發光期間
Pix‧‧‧像素
PL‧‧‧電源線
PL(k)‧‧‧電源線
PL(k+1)‧‧‧電源線
PL(k+2)‧‧‧電源線
PP1‧‧‧脈衝
PP2‧‧‧脈衝
Sdisp‧‧‧影像信號
Sdisp2‧‧‧影像信號
Sig‧‧‧信號
Ss‧‧‧掃描信號
Ss(k)‧‧‧掃描信號
Ss(k+1)‧‧‧掃描信號
Ss(k+2)‧‧‧掃描信號
SsA‧‧‧掃描信號
SsA(k)‧‧‧掃描信號
SsA(k+1)‧‧‧掃描信號
SsA(k+2)‧‧‧掃描信號
SsB‧‧‧掃描信號
SsB(k)‧‧‧掃描信號
SsB(k+1)‧‧‧掃描信號
SsB(k+2)‧‧‧掃描信號
Ss(k)‧‧‧掃描信號
Ss(k+1)‧‧‧掃描信號
Ss(k+2)‧‧‧掃描信號
Ssync‧‧‧同步信號
t0~t14‧‧‧時序
t21~t28‧‧‧時序
Vcath‧‧‧電壓
Vccp‧‧‧電壓
Vel‧‧‧臨限值電壓
Vemi‧‧‧電壓
Vg‧‧‧閘極電壓
VH‧‧‧高位準電壓
Vini‧‧‧電壓
Vofs‧‧‧電壓
VL‧‧‧低位準電壓
Vs‧‧‧源極電壓
Vsig‧‧‧像素電壓
Vth‧‧‧臨限值電壓
WS‧‧‧掃描信號
WS(k)‧‧‧掃描信號
WS(k+1)‧‧‧掃描信號
WS(k+2)‧‧‧掃描信號
WS(k+3)‧‧‧掃描信號
WSL‧‧‧掃描線
WSTr‧‧‧寫入電晶體
μ‧‧‧遷移率
圖1係表示本揭示之實施形態之顯示裝置之一構成例之方塊圖。
圖2係表示圖1所示之子像素之一構成例之電路圖。
圖3係表示圖1所示之電源線驅動部之一構成例之電路圖。
圖4係表示顯示裝置之電源線驅動部之配置之說明圖。
圖5係表示圖3所示之驅動電路及其周邊部之佈局構成例之佈局圖。
圖6(A)-(C)係表示圖1所示之驅動部之一動作例之時序波形圖。
圖7(A)-(E)係表示圖1所示之子像素之一動作例之時序波形圖。
圖8(A)、(B)係表示圖3所示之驅動電路之一動作例之時序波形圖。
圖9係表示比較例之電源線驅動部之一構成例之電路圖。
圖10(A)-(C)係表示圖9所示之驅動電路之一動作例之時序波形圖。
圖11係表示變化例之電源線驅動部之一構成例之電路圖。
圖12係表示其他變化例之電源線驅動部之一構成例之電路圖。
圖13係表示應用有實施形態之顯示裝置之電視裝置之外觀構成之立體圖。
圖14係表示其他變化例之子像素之一構成例之電路圖。
以下，對本揭示之實施形態，參照圖式詳細說明。另，說明係按以下之順序進行。
1.實施形態
2.應用例
<1.實施形態>
[構成例]
圖1係表示實施形態之顯示裝置之一構成例者。顯示裝置1係使用有機EL元件之主動矩陣方式之顯示裝置。另，由於本揭示之實施形態之驅動裝置、驅動方法係藉由本實施形態而具體化，故一併進行說明。該顯示裝置1具備顯示部10及驅動部20。
顯示部10係將複數個像素Pix配置為矩陣狀者。各像素Pix具有紅色、綠色、藍色之子像素11。顯示部10具有朝列方向延伸之複數條掃描線WSL及複數條電源線PL、與朝行方向延伸之複數條資料線DTL。該等掃描線WSL、電源線PL、及資料線DTL之一端連接於驅動部20。上述各子像素11配置於掃描線WSL與資料線DTL之交叉部。
圖2係表示子像素11之電路構成之一例者。子像素11具備寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、有機EL元件OLED、及電容元件Cs、Csub。即，在該例中，子像素11係使用2個電晶體(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr)及2個電容元件Cs、Csub而構成之具有所謂「2Tr2C」之構成者。
寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr係由例如N通道MOS(Metal Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體)型之TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體)構成者。寫入電晶體WSTr係閘極連接於掃描線WSL，源極連接於資料線DTL，汲極連接於驅動電晶體DRTr之閘極及電容元件Cs之一端。驅動電晶體DRTr係閘極連接於寫入電晶體WSTr之汲極及電容元件Cs之一端，汲極連接於電源線PL，源極連接於電容元件Cs之另一端及有機EL元件OLED之陽極等。
電容元件Cs係一端連接於驅動電晶體DRTr之閘極等，另一端連 接於驅動電晶體DRTr之源極等。電容元件Csub係一端連接於有機EL元件OLED之陽極，另一端連接於有機EL元件OLED之陰極。即，在該例中，電容元件Csub係與有機EL元件OLED並聯連接。有機EL元件OLED係射出對應於各子像素11之色(紅色、綠色、藍色)之光之發光元件，陽極連接於驅動電晶體DRTr之源極等，陰極中由驅動部20供給有陰極電壓Vcath。
驅動部20係基於自外部供給之影像信號Sdisp及同步信號Ssync驅動顯示部10者。該驅動部20係如圖1所示，具備影像信號處理部21、時序產生部22、掃描線驅動部23、電源線驅動部26、及資料線驅動部27。
影像信號處理部21係對自外部供給之影像信號Sdisp進行特定之信號處理，而產生影像信號Sdisp2者。作為該特定之信號處理，列舉出例如伽馬校正、或過驅動校正等。
時序產生部22係以基於自外部供給之同步信號Ssync，對掃描線驅動部23、電源線驅動部26、及資料線驅動部27分別供給控制信號，而使該等相互同步動作之方式進行控制之電路。
掃描線驅動部23係根據自時序產生部22所供給之控制信號，對複數條掃描線WSL依次施加掃描信號WS，藉此於每列依次選擇子像素11者。
電源線驅動部26係根據自時序產生部22所供給之控制信號，對複數條電源線PL依次施加電源信號DS，藉此於每列進行子像素11之發光動作及消光動作之控制者。電源信號DS係在電壓Vccp與電壓Vini之間轉變者。如後述般，電壓Vini係用以將子像素11初始化之電壓，電壓Vccp係用以於驅動電晶體DRTr中流通電流Ids而使有機EL元件OLED發光之電壓。
圖3係表示電源線驅動部26之一構成例者。電源線驅動部26具有 電壓產生部31、位移暫存器32、及複數個驅動電路33。
電壓產生部31係產生電壓Vccp者。電壓產生部31經由配線L1將該電壓Vccp供給至各驅動電路33。
位移暫存器32係基於自時序產生部22供給之控制信號(未圖示)，產生用以選擇成為驅動對象之像素列之複數個掃描信號Ss者。各掃描信號Ss係對應於顯示部10之各像素列者。具體而言，例如第k個掃描信號Ss(k)對應於第k列像素列。各掃描信號Ss係在高位準電壓VH與低位準電壓VL之間轉變之信號。該低位準電壓VL係較電壓Vini低驅動電路33之電晶體35(後述)之臨限值電壓Vth之量之電壓(Vini-Vth)。位移暫存器32經由第k條配線L2(k)將例如掃描信號Ss(k)供給至第k個驅動電路33(k)。
各驅動電路33係基於自電壓產生部31所供給之電壓Vccp、及自位移暫存器32所供給之掃描信號Ss，產生電源信號DS者。各驅動電路33係對應於顯示部10之各像素列而設置。具體而言，例如第k個驅動電路33(k)基於電壓Vccp及第k個掃描信號Ss(k)，產生第k個電源信號DS(K)。且，驅動電路33(k)將該電源信號DS(k)施加於第k列像素列之電源線PL(k)。
各驅動電路33具有電晶體34、35。電晶體34、35與寫入電晶體WSTr或驅動電晶體DRTr相同，係例如由N通道MOS型之TFT構成者。在驅動電路33(k)中，電晶體34之閘極連接於電晶體35之源極且連接於配線L2(k)，汲極連接於配線L1，源極連接於電晶體35之汲極及閘極且連接於電源線PL(k)。在驅動電路33(k)中，電晶體35之汲極連接於電晶體35之閘極及電晶體34之源極且連接於電源線PL(k)，源極連接於電晶體34之閘極且連接於配線L2(k)。即，電晶體35連接於所謂二極體。電晶體34係以較電晶體35之通道寬度W更寬之通道寬度W形成。
根據該構成，在驅動電路33(k)中，掃描信號Ss(k)之電壓為高位準電壓VH之情形時，電晶體34成為接通狀態，且電晶體35成為斷開狀態。藉此，驅動電路33(k)將電壓Vccp作為電源信號DS(k)輸出。又，掃描信號Ss(k)之電壓為低位準電壓VL之情形時，電晶體34成為斷開狀態，且電晶體35過渡性地成為接通狀態。藉此，驅動電路33(k)將較低位準電壓VL(=Vini-Vth)高電晶體35之臨限值電壓Vth之量之電壓Vini作為電源信號DS(k)輸出。
圖4係表示顯示裝置1之電源線驅動部26之配置者。在該例中，於基板30中之形成有顯示部10之區域之左側之框架區域中配置有掃描線驅動部23，於右側之框架區域中配置有電源線驅動部26。於配置該電源線驅動部26之區域中，將配線L1設置為朝縱向延伸。且，於該配線L1之右側配置有位移暫存器32，於配線L1之左側之區域39中配置有複數個驅動電路33。
圖5係表示驅動電路33及其周邊部之佈局構成例者。在該例中，顯示裝置1係利用可形成下層金屬M1與上層金屬M2之2個金屬層之製造過程予以製造。下層金屬M1包含例如鉬Mo等，上層金屬M2包含例如鋁Al等。上層金屬M2之薄膜電阻係低於下層金屬M1之薄膜電阻者。
電晶體34、35之閘極(閘極部分GP)係由下層金屬M1構成，電晶體34、35之汲極及源極連接於上層金屬M2。配線L1係由上層金屬M2形成，連接於電晶體34之汲極。配線L2係在與配線L1交叉之部分以外之部分由上層金屬M2形成，在與配線L1交叉之部分由下層金屬M1形成。該配線L2連接於電晶體34之閘極(閘極部分GP)，且經由接點CT與連接於電晶體35之源極之上層金屬M2連接。電源線PL係由上層金屬M2形成，連接於電晶體34之源極及電晶體35之汲極，且經由接點CT連接於電晶體35之閘極。
在圖1中，資料線驅動部27係根據自影像信號處理部21所供給之影像信號Sdisp2及自時序產生部22所供給之控制信號，產生包含指示各子像素11之發光亮度之像素電壓Vsig、及用以進行後述之Vth校正之電壓Vofs之信號Sig，並施加於各資料線DTL者。
根據該構成，驅動部20係如後述般，對子像素11進行用以抑制驅動電晶體DRTr之元件偏差對畫質帶來之影響之校正(Vth校正)。其後，對子像素11進行像素電壓Vsig之寫入，且進行與上述Vth校正不同之μ(遷移率)校正。且，其後，使子像素11之有機EL元件OLED以與所寫入之像素電壓Vsig相應之亮度發光。
此處，子像素11對應於本揭示之「單位像素」之一具體例。電容元件Cs對應於本揭示之「第1電容元件」之一具體例。電容元件Csub對應於本揭示之「第2電容元件」之一具體例。有機EL元件OLED對應於本揭示之「顯示元件」之一具體例。電晶體34對應於本揭示之「開關」之一具體例。電晶體35對應於本揭示之「非線性元件」之一具體例。掃描信號Ss對應於本揭示之「脈衝信號」之一具體例。配線L2對應於本揭示之「第1配線」之一具體例，配線L1對應於本揭示之「第2配線_」之一具體例。高位準電壓VH對應於本揭示之「第1電壓」之一具體例，低位準電壓VL對應於本揭示之「第2電壓」之一具體例。電壓Vini對應於本揭示之「第3電壓」之一具體例，電壓Vccp對應於本揭示之「第4電壓」之一具體例。電壓Vofs對應於本揭示之「重設電壓」之一具體例。
[動作及作用]
接著，對本實施形態之顯示裝置1之動作及作用進行說明。
(整體動作概要)
首先，參照圖1，說明顯示裝置1之整體動作概要。影像信號處理部21對自外部供給之影像信號Sdisp進行特定之信號處理，而產生 影像信號Sdisp2。時序產生部22係以基於自外部供給之同步信號Ssync，對掃描線驅動部23、電源線驅動部26及資料線驅動部27分別供給控制信號，而使該等相互同步動作之方式進行控制。掃描線驅動部23根據自時序產生部22所供給之控制信號，對複數條掃描線WSL依次施加掃描信號WS，藉此於每列依次選擇子像素11。電源線驅動部26根據自時序產生部22所供給之控制信號，對複數條電源線PL依次施加電源信號DS，藉此於每列進行子像素11之發光動作及消光動作之控制。資料線驅動部27根據自影像信號處理部21所供給之影像信號Sdisp2及自時序產生部22所供給之控制信號，產生包含指示各子像素11之發光亮度之像素電壓Vsig、及用以進行Vth校正之電壓Vofs之信號Sig，並施加於各資料線DTL。顯示部10基於自驅動部20所供給之掃描信號WS、電源信號DS、及信號Sig進行顯示。
(詳細動作)
圖6係表示驅動部20之動作之時序圖者，(A)顯示掃描信號WS之波形，(B)顯示電源信號DS之波形，(C)顯示信號Sig之波形。在圖6(A)中，掃描信號WS(k)係驅動第k列子像素11之掃描信號WS，相同地，掃描信號WS(k+1)、WS(k+2)、WS(k+3)係分別驅動第(k+1)列、第(k+2)列、第(k+3)列子像素11之掃描信號WS。關於電源信號DS(圖6(B))亦相同。
驅動部20之掃描線驅動部23對掃描線WSL依次施加具有2個脈衝PP1、PP2之掃描信號WS(圖6(A))。此時，掃描線驅動部23在1水平期間(1H)中，對1條掃描線WSL施加2個脈衝PP1、PP2。電源線驅動部26對電源線PL，施加電源信號DS，其係於包含脈衝PP1之開始時序(例如時序t1)之特定期間(例如時序t0~t2之期間)成為電壓Vini，其他期間成為電壓Vccp(圖6(B))。資料線驅動部27對資料線DTL，於包含脈衝PP2之特定期間(例如時序t4~t7之期間)施加像素電壓Vsig，於其 他期間施加電壓Vofs(圖6(C))。
如此，驅動部20在1水平期間(例如時序t1~t7)中，驅動第k列子像素11，在下一個水平期間(例如時序t7~t8)中，驅動第(k+1)列子像素11。且，驅動部20在1訊框期間中，驅動顯示部10之所有子像素11。
圖7係表示時序t0~t7之期間之子像素11之動作之時序圖者，(A)顯示掃描信號WS之波形，(B)顯示電源信號DS之波形，(C)顯示信號Sig之波形，(D)顯示驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之波形，(E)顯示驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之波形。在圖7(B)~(E)中，使用相同之電壓軸顯示各波形。
驅動部20在1水平期間(1H)內，進行子像素11之初始化(初始化期間P1)，且進行用以抑制驅動電晶體DRTr之元件偏差對畫質帶來之影響之Vth校正(Vth校正期間P2)，對子像素11進行像素電壓Vsig之寫入，且進行μ校正(寫入/μ校正期間P3)。且，其後，子像素11之有機EL元件OLED以與所寫入之像素電壓Vsig相應之亮度發光(發光期間P4)。
此處，初始化期間P1對應於本揭示之「第1子期間」之一具體例，Vth校正期間P2對應於本揭示之「第2子期間」之一具體例。
以下，說明其詳情。
首先，電源線驅動部26於初始化期間P1前之時序t0，使電源信號DS自電壓Vccp變化為電壓Vini(圖7(B))。藉此，驅動電晶體DRTr成為接通狀態，且將驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs設定為電壓Vini(圖7(E))。
接著，驅動部20在時序t1~t2之期間(初始化期間P1)，將子像素11初始化。具體而言，於時序t1，資料線驅動部27將信號Sig設定為電壓Vofs(圖7(C))，掃描線驅動部23使掃描信號WS之電壓自低位準變 化為高位準(圖7(A))。藉此，寫入電晶體WSTr成為接通狀態，將驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定為電壓Vofs(圖7(D))。如此，子像素11係藉由將驅動電晶體DRTr之閘極/源極間電壓Vgs(=Vofs-Vini)設定為大於驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth之電壓而初始化。
接著，驅動部20在時序t2~t3之期間(Vth校正期間P2)進行Vth校正。具體而言，電源線驅動部26於時序t2使電源信號DS自電壓Vini變化為電壓Vccp(圖7(B))。藉此，驅動電晶體DRTr在飽和區域中動作，且自汲極至源極流通電流Ids。因該電流Ids，源極電壓Vs上升(圖7(E))。此時，由於源極電壓Vs低於有機EL元件OLED之陰極之電壓Vcath，故有機EL元件OLED維持反向偏壓狀態，而於有機EL元件OLED中無電流流通。由於如此般源極電壓Vs上升，藉此閘極/源極間電壓Vgs降低，故電流Ids降低。藉由該負反饋動作，電流Ids向“0”(零)收斂。換言之，驅動電晶體DRTr之閘極/源極間電壓Vgs以成為與驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth相等(Vgs=Vth)之方式持續收斂。
接著，掃描線驅動部23於時序t3使掃描信號WS之電壓自高位準變化為低位準(圖7(A))。藉此，寫入電晶體WSTr成為斷開狀態。且，資料線驅動部27於時序t4將信號Sig設定為像素電壓Vsig(圖7(C))。
接著，驅動部20在時序t5~t6之期間(寫入/μ校正期間P3)，對子像素11進行像素電壓Vsig之寫入且進行μ校正。具體而言，掃描線驅動部23於時序t5使掃描信號WS之電壓自低位準變化為高位準(圖7(A))。藉此，寫入電晶體WSTr成為接通狀態，驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg自電壓Vofs上升至像素電壓Vsig(圖7(D))。此時，由於驅動電晶體DRTr之閘極/源極間電壓Vgs大於臨限值電壓Vth(Vgs>Vth)，而自汲極向源極流通電流Ids，故驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs上升(圖7(E))。藉由此種負反饋動作，可抑制驅動電晶體DRTr之元件偏差 之影響(μ(遷移率)校正)，且將驅動電晶體DRTr之閘極/源極間電壓Vgs設定為與像素電壓Vsig相應之電壓Vemi。
接著，驅動部20在時序t6以後之期間(發光期間P4)使子像素11發光。具體而言，於時序t6，掃描線驅動部23使掃描信號WS之電壓自高位準變化為低位準(圖7(A))。藉此，寫入電晶體WSTr成為斷開狀態，驅動電晶體DRTr之閘極成為浮動，故，此後，可維持電容元件Cs之端子間電壓、即驅動電晶體DRTr之閘極/源極間電壓Vgs。且，隨著於驅動電晶體DRTr中流通電流Ids，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs上升(圖7(E))，隨之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg亦上升(圖7(D))。且，藉由此種引導動作，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs大於有機EL元件OLED之臨限值電壓Vel與電壓Vcath之和(Vel+Vcath)時，於有機EL元件OLED之陽極/陰極間流通電流，而有機EL元件OLED發光。即，根據有機EL元件OLED之元件偏差源極電壓Vs上升，而有機EL元件OLED發光。
其後，在顯示裝置1中，經過特定之期間(1訊框期間)後，自發光期間P4過渡至初始化期間P1。驅動部20係以反復進行該一連串之動作之方式進行驅動。
如此，在顯示裝置1中，由於進行Vth校正及μ校正之兩者，故可抑制因驅動電晶體DRTr之元件偏差引起之畫質之降低。又，在顯示裝置1中，由於在發光期間P4，根據有機EL元件OLED之元件偏差而源極電壓Vs上升，故可抑制因有機EL元件OLED之元件偏差引起之畫質之降低。
(驅動電路33之動作)
接著，對驅動電路33之詳細動作進行說明。驅動電路33基於自電壓產生部31所供給之電壓Vccp、及自位移暫存器32所供給之掃描信號Ss，產生電源信號DS。
圖8係表示驅動電路33之動作之時序圖者，(A)顯示掃描信號Ss之波形，(B)顯示電源信號DS之波形。
首先，於時序t11，掃描信號Ss之電壓自低位準電壓VL變化為高位準電壓VH(圖8(A))。藉此，驅動電路33之電晶體34成為接通狀態，且電晶體35成為斷開狀態，電壓產生部31所產生之電壓Vccp經由電晶體34施加於電源線PL。如此，電源信號DS變化為電壓Vccp(圖8(B))。且，驅動電路33在Vth校正期間P2、寫入/μ校正期間P3、及發光期間P4，對連接於該電源線PL之各子像素11供給電流。
接著，於時序t12，掃描信號Ss之電壓自高位準電壓VH變化為低位準電壓VL(=Vini-Vth)(圖8(A))。藉此，驅動電路33之電晶體34成為斷開狀態，且電晶體35過渡性地成為接通狀態，而電源線PL之電壓降低(圖8(B))。且，電源線PL之電壓降低至電壓Vini時，電晶體35成為斷開狀態。且，在連接於該電源線PL之各子像素11中，於初始化期間P1進行初始化。
驅動電路33反復進行以上之動作。藉此，在連接於該電源線PL之各子像素11中，反復進行自初始化至發光之一連串之動作。
如此，在顯示裝置1中，由於使用作為開關發揮功能之電晶體34、與作為非線性元件(二極體)發揮功能之電晶體35構成驅動電路33，故如列舉比較例進行後述般，可簡化電源線驅動部26之電路構成。
又，在驅動電路33中，由於將電晶體34之通道寬度W設為大於電晶體35之通道寬度W，故容易驅動子像素11，且可抑制驅動電路33之電路面積。即，驅動電路33在Vth校正期間P2、寫入/μ校正期間P3、及發光期間P4，將電晶體34設為接通狀態，藉此對子像素11供給電流。尤其，在發光期間P4，供給用以使有機EL元件OLED發光之驅動電流。該驅動電流係有機EL元件OLED之發光亮度越高而越大。因 此，較理想為電晶體34之接通電阻充分低，且較理想為電晶體34之通道寬度W較寬。另一方面，驅動電路33在初始化期間P1，對電源線PL施加電壓Vini，且將子像素11之源極電壓Vs設定為電壓Vini。於該情形時，雖於電晶體35中過渡性地流通電流，但並非恒定流通電流。因此，可縮窄電晶體35之通道寬度W。藉由如此般構成，容易驅動子像素11，且可抑制驅動電路33之電路面積。
又，在電源線驅動部26中，如圖5所示，由於利用薄膜電阻較低之上層金屬M2形成有配線L1，故可降低配線L1之電阻值，而可容易驅動子像素11。
又，在電源線驅動部26中，如圖4、5所示，由於將配線L1配置於驅動電路33與位移暫存器32之間，故可容易驅動子像素11。即，例如將配線L1配置於顯示部10與驅動電路33之間之情形時，配線L1與電源線PL交叉。即，於該情形時，需要以薄膜電阻較高之下層金屬M1形成配線L1或電源線PL，且於其交叉部分形成寄生電容。藉此，施加於電源線PL之電源信號DS之上升時間tr等變長，而有難以產生例如較短時間幅度之脈衝之虞。另一方面，在電源線驅動部26中，由於將配線L1配置於驅動電路33與位移暫存器32之間，故可由薄膜電阻較低之上層金屬M2形成配線L1，而可縮短電源信號DS之上升時間tr等。另，在電源線驅動部26中，如圖5所示，配線L1與配線L2交叉，在該交叉部分需要以薄膜電阻較高之下層金屬M1形成配線L2。然而，由於該配線L2係連接於電晶體33、34者，與於顯示面板10內延伸之電源線PL不同，電容負載較少，故位移暫存器32可相對容易地驅動該配線L2。因此，可減少電源信號DS之波形平緩之虞。
(比較例)
接著，對比較例之電源線驅動部26R進行說明。本比較例係電壓產生部31R產生電壓Vccp、Vini，且驅動電路33R選擇電壓Vccp、Vini 中之一者輸出者。其他構成與本實施形態(圖1)相同。
圖9係表示比較例之電源線驅動部26R之一構成例者。電源線驅動部26R具有電壓產生部31R、位移暫存器32RA、32RB、及複數個驅動電路33R。
電壓產生部31R產生電壓Vccp，並經由配線L1將該電壓Vccp供給至各驅動電路33R，且產生電壓Vini，並經由配線L3將該電壓Vini供給至各驅動電路33R。
位移暫存器32RA係基於自時序產生部22供給之控制信號(未圖示)，產生用以選擇成為驅動對象之像素列之複數個掃描信號SsA者。位移暫存器32RA係例如經由第k條配線L2A(k)將掃描信號SsA(k)供給至第k個驅動電路33R(k)。相同地，位移暫存器32RB係基於自時序產生部22供給之控制信號(未圖示)，產生用以選擇成為驅動對象之像素列之複數個掃描信號SsB者。位移暫存器32RB係例如經由第k條配線L2B(k)將掃描信號SsB(k)供給至第k個驅動電路33R(k)。
各驅動電路33R係基於自電壓產生部31R所供給之電壓Vccp、Vini、自位移暫存器33RA所供給之掃描信號SsA、及自位移暫存器33RB所供給之掃描信號SsB，產生電源信號DS者。各驅動電路33R具有電晶體35R。電晶體35R與電晶體34等相同，係例如由N通道MOS型之TFT構成者。在驅動電路33R(k)中，電晶體35R之汲極連接於電晶體34之源極且連接於電源線PL(k)，閘極連接於配線L2B(k)，源極連接於配線L3。
圖10係表示驅動電路33R之動作之時序圖者，(A)顯示掃描信號SsA之波形，(B)顯示掃描信號SsB之波形，(C)顯示電源信號DS之波形。
首先，於時序t21，掃描信號SsB之電壓自高位準電壓VH變化為低位準電壓VL(圖10(B))。藉此，電晶體35R成為斷開狀態，而停止向 電源線PL施加電壓Vini。接著，於時序t22，掃描信號SsA之電壓自低位準電壓VL變化為高位準電壓VH(圖10(A))。藉此，電晶體34成為接通狀態，電壓產生部31R所產生之電壓Vccp經由電晶體34施加於電源線PL，而電源信號DS變化為電壓Vccp(圖10(C))。
接著，於時序t23，掃描信號SsA之電壓自高位準電壓VH變化為低位準電壓VL(圖10(A))。藉此，電晶體34成為斷開狀態，而停止向電源線PL施加電壓Vccp。接著，於時序t24，掃描信號SsB之電壓自低位準電壓VL變化為高位準電壓VH(圖10(B))。藉此，電晶體35R成為接通狀態，電壓產生部31R所產生之電壓Vini經由電晶體35R施加於電源線PL，而電源信號DS變化為電壓Vini(圖10(C))。
如此，在電源線驅動部26R中，電壓產生部31R產生電壓Vccp、Vini，且驅動電路33R基於位移暫存器32RA、32RB所產生之2個掃描信號SsA、SsB，選擇電壓Vccp、Vini中之一者輸出。
在比較例之電源線驅動部26R中，如此般，使用作為開關發揮功能之2個電晶體34、35R構成驅動電路33R。藉此，於電源線驅動部26R中，需要用以對該等2個電晶體34、35R進行接通斷開控制之2個位移暫存器32RA、RB、與分別傳送電壓Vccp、電壓Vini之2條配線L1、L3。藉此，電源線驅動部26R之電路規模增大，電路及配線之配置面積增大，而有電路佈局之自由度降低之虞。又，亦有使作為顯示裝置整體之商品設計之自由度降低之虞。即，近年來，自商品設計之觀點而言，雖往往較好為框架區域較窄之面板，但電源線驅動部26R係如圖4所示，由於形成於所謂框架區域，故有難以縮窄框架區域之虞。
另一方面，在本實施形態之電源線驅動部26中，使用作為開關發揮功能之電晶體34、與作為非線性元件(二極體)發揮功能之電晶體35構成有驅動電路33。藉此，於電源線驅動部26中，可實現1個位移 暫存器34與1條配線L1之簡單之構成，且可實現與電源線驅動部26R相同之功能。因此，在電源線驅動部26中，可減小電路規模，且可減小電路及配線之配置面積，而可提高電路佈局之自由度。又，由於可實現框架區域較窄之面板，故可提高作為顯示裝置整體之商品設計之自由度。
[效果]
如以上所述，在本實施形態中，由於使用作為開關發揮功能之電晶體、與作為非線性元件(二極體)發揮功能之電晶體構成驅動電路，故可簡化電源線驅動部之構成。藉此，可減小電路規模，可減小電路及配線之配線面積，而可提高電路佈局之自由度，且可提高作為顯示裝置整體之商品設計之自由度。
又，在本實施形態中，由於將電晶體34之通道寬度W設為大於電晶體35之通道寬度W，故容易驅動子像素，且可抑制驅動電路之電路面積。
又，在本實施形態中，由於利用薄膜電阻較低之上層金屬形成有配線L1，故可降低配線L1之電阻值，而可容易驅動子像素。
又，在本實施形態中，由於將配線L1配置於驅動電路與位移暫存器之間，故可容易驅動子像素。
又，在本實施形態中，由於不使用PMOS電晶體而僅使用NMOS電晶體構成顯示部，故例如氧化物TFT(TOSTFT)製程般，以無法製造PMOS電晶體之製程亦可製造顯示部。
[變化例1]
在上述實施形態中，在驅動電路33中，雖設置有二極體連接之電晶體35，但並非限定於此者，亦可代替此，例如如圖11所示，設置二極體35B。該電源線驅動部26B具有驅動電路33B。在驅動電路33B(k)中，二極體35B之陽極連接於電源線PL(k)，陰極連接於配線 L2(k)。
[變化例2]
在上述實施形態中，雖利用N通道MOS型之TFT構成驅動電路之電晶體34、35，但並非限定於此者，亦可例如如圖12所示，利用P通道MOS型之TFT構成。該變化例之電源線驅動部26C具有驅動電路33C、電壓產生部31C、及位移暫存器32C。驅動電路33C具有電晶體36、37。電晶體36、37係P通道MOS型之TFT。電晶體36係作為非線性元件(二極體)發揮功能者，電晶體37係作為開關發揮功能者。電壓產生部31C係產生電壓Vini者。位移暫存器32C係基於自時序產生部22供給之控制信號(未圖示)，產生用以選擇成為驅動對象之像素列之複數個掃描信號Ss者。各掃描信號Ss之高位準電壓VH係較電壓Vccp高驅動電路33C之電晶體36之臨限值電壓之絕對值|Vth|之電壓(Vccp+|Vth|)。
根據該構成，在驅動電路33C(k)中，掃描信號Ss(k)之電壓為低位準電壓VL之情形時，電晶體37成為接通狀態，且電晶體36成為斷開狀態。藉此，驅動電路33C(k)將電壓Vini作為電源信號DS(k)輸出。又，掃描信號Ss(k)之電壓為高位準電壓VH之情形時，電晶體37成為斷開狀態，且電晶體36過渡性地成為接通狀態。藉此，驅動電路33C(k)將較高位準電壓VH(=Vccp+|Vth|)低電晶體36之臨限值電壓之絕對值|Vth|之電壓Vccp作為電源信號DS(k)輸出。在該例中，例如，可將電晶體36之通道寬度(W)設為較電晶體37之通道寬度(W)更寬。
[變化例3]
在上述實施形態中，雖使用驅動電路33構成有電源線驅動部26，但並非限定於此者，亦可代替此，或除此之外，使用驅動電路33構成掃描線驅動部23。於該情形時，可簡化掃描線驅動部23之構成。
[變化例4]
在上述實施形態中，雖將本技術應用於使用有機EL元件之顯示裝置，但並非限定於此者，亦可代替此，而應用於例如使用液晶顯示元件之顯示裝置。具體而言，例如可應用於選擇寫入像素電壓之像素之電路(相當於上述實施形態之掃描驅動部23)。
<2.應用例>
接著，對上述實施形態及變化例所說明之顯示裝置之應用例進行說明。
圖13係表示應用上述實施形態等之顯示裝置之電視裝置之外觀者。該電視裝置係例如具有包含前面板511及濾光玻璃512之影像顯示畫面部510，該影像顯示畫面部510包含上述實施形態等之顯示裝置。
上述實施形態等之顯示裝置係除了此種電視裝置以外，還可應用於數位相機、筆記型個人電腦、行動電話等移動終端裝置、便攜式遊戲機、或視頻攝像機等所有領域之電子機器。換言之，上述實施形態等之顯示裝置可應用於顯示影像之所有領域之電子機器。
以上，雖列舉實施形態及變化例、以及對電子機器之應用例說明本技術，但本技術並不限定於該等實施形態等，而可進行各種變化。
例如，在上述各實施形態中，雖在子像素11中設置有電容元件Csub，但並非限定於此者，亦可代替此，例如如圖14所示，不於子像素11C中設置電容元件Csub。即，在該例中，子像素11C係使用2個電晶體(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr)及1個電容元件Cs構成之具有所謂「2Tr1C」之構成者。
另，本技術可採用如以下之構成。
(1)一種顯示裝置，其包含：單位像素；開關，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之 第2端子與連接於上述單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制；及非線性元件，其插設於上述第1端子與上述第3端子之間。
(2)如上述技術方案(1)之顯示裝置，其中上述非線性元件係具有連接於上述第3端子之汲極及閘極、與連接於上述第1端子之源極之第1電晶體；上述開關係具有較上述第1電晶體之通道寬度更大之通道寬度之第2電晶體。
(3)如上述技術方案(2)之顯示裝置，其中上述第1電晶體之導電型與上述第2電晶體之導電型相同。
(4)如上述技術方案(1)之顯示裝置，其中上述非線性元件係具有連接於上述第3端子之陽極、及連接於上述第1端子之陰極之二極體。
(5)如上述技術方案(1)至(4)中任一項之顯示裝置，其中進而包含：第1配線，其連接於上述第1端子，傳送上述脈衝信號；及第2配線，其連接於上述第2端子且與上述第1配線交叉，傳送上述直流信號。
(6)如上述技術方案(5)之顯示裝置，其中在上述第1配線與上述第2配線之交叉部分中，上述第2配線之薄膜電阻低於上述第1配線之薄膜電阻。
(7)如上述技術方案(1)至(6)中任一項之顯示裝置，其中上述脈衝信號係在使上述開關成為接通狀態且使上述非線性元件成為斷開狀態之第1電壓、與使上述開關成為斷開狀態之第2電壓間轉變者。
(8)如上述技術方案(7)之顯示裝置，其中上述單位像素具有顯示元件、與對上述顯示元件供給驅動電流之驅動電晶體；且上述開關對上述驅動電晶體供給上述驅動電流。
(9)如上述技術方案(8)之顯示裝置，其中上述單位像素進而包含 第1電容元件與寫入電晶體；上述驅動電晶體具有閘極、連接於上述顯示元件之源極、及連接於上述第3端子之汲極；上述第1電容元件插設於上述驅動電晶體之閘極與源極之間；且上述寫入電晶體藉由成為接通狀態，對上述驅動電晶體之閘極，在寫入準備期間施加重設電壓，且在寫入期間施加像素電壓。
(10)如上述技術方案(9)之顯示裝置，其中上述寫入準備期間包含第1子期間、與配置於上述第1子期間之後之第2子期間；且上述脈衝信號，在上述第1子期間為上述第2電壓；在上述第2子期間及上述寫入期間為上述第1電壓。
(11)如上述技術方案(10)之顯示裝置，其中在上述第1子期間，上述非線性元件對上述單位像素施加對應於上述第2電壓之第3電壓；在上述第2子期間及上述寫入期間，上述開關對上述單位像素施加上述直流信號表示之第4電壓。
(12)如上述技術方案(11)之顯示裝置，其中在上述第1子期間，上述非線性元件經由上述驅動電晶體，將上述驅動電晶體之源極電壓設定為上述第3電壓；在上述第2子期間，上述開關藉由於上述驅動電晶體中流通電流，使上述驅動電晶體之源極電壓發生變化。
(13)如上述技術方案(9)之顯示裝置，其中上述單位像素進而包含連接於上述驅動電晶體之源極之第2電容元件。
(14)一種驅動裝置，其包含：開關，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制；及非線性元件，其插設於上述第1端子與上述第3端子之間。
(15)一種驅動方法，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制；且在上述第1端子與上述第3端子之間進行非線性動作。
(16)一種電子機器，其包含：顯示裝置；及對上述顯示裝置進行動作控制之控制部；且上述顯示裝置具有：單位像素；開關，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於上述單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制；及非線性元件，其插設於上述第1端子與上述第3端子之間。
本申請案係以2013年1月7日於日本專利局申請之日本專利申請案第2013-473號為基礎並主張優先權者，該申請案之全部內容係以引用之方式併入本申請案中。
若為本領域技術人員，則可想到根據設計上之要求或其他因素而進行各種修正、組合、子組合、及變更，且可理解其等係包含於隨附之申請專利範圍或其均等物之範圍者。
26‧‧‧電源線驅動部
31‧‧‧電壓產生部
32‧‧‧位移暫存器
33(k)‧‧‧驅動電路
33(k+1)‧‧‧驅動電路
33(k+2)‧‧‧驅動電路
34‧‧‧電晶體
35‧‧‧電晶體
DS(k)‧‧‧電源信號
DS(k+1)‧‧‧電源信號
DS(k+2)‧‧‧電源信號
L1‧‧‧配線
L2(k)‧‧‧配線
L2(k+1)‧‧‧配線
L2(k+2)‧‧‧配線
PL(k)‧‧‧電源線
PL(k+1)‧‧‧電源線
PL(k+2)‧‧‧電源線
Ss(k)‧‧‧掃描信號
Ss(k+1)‧‧‧掃描信號
Ss(k+2)‧‧‧掃描信號
Vccp‧‧‧電壓

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，其包含：單位像素；開關，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於上述單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制；及非線性元件，其插設於上述第1端子與上述第3端子之間；上述非線性元件係第1電晶體，其包含：連接於上述第3端子之汲極及閘極、與連接於上述第1端子之源極；上述開關係具有較上述第1電晶體之通道寬度大之通道寬度之第2電晶體。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述第1電晶體之導電型與上述第2電晶體之導電型相同。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中上述非線性元件係具有連接於上述第3端子之陽極、及連接於上述第1端子之陰極之二極體。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中進而包含：第1配線，其連接於上述第1端子，傳送上述脈衝信號；及第2配線，其連接於上述第2端子且與上述第1配線交叉，傳送上述直流信號。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其中在上述第1配線與上述第2配線之交叉部分中，上述第2配線之薄膜電阻低於上述第1配線之薄膜電阻。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中上述脈衝信號係在使上述開關成為接通狀態且使上述非線性元件成為斷開狀態之第1電壓、與使上述開關成為斷開狀態之第2電壓間轉變者。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中上述單位像素包含顯示元件、與對上述顯示元件供給驅動電流之驅動電晶體；且上述開關對上述驅動電晶體供給上述驅動電流。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中上述單位像素進而包含第1電容元件與寫入電晶體；上述驅動電晶體具有閘極、連接於上述顯示元件之源極、及連接於上述第3端子之汲極；上述第1電容元件插設於上述驅動電晶體之閘極與源極之間；且上述寫入電晶體藉由成為接通狀態，對上述驅動電晶體之閘極，在寫入準備期間施加重設電壓，且在寫入期間施加像素電壓。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中上述寫入準備期間包含第1子期間、與配置於上述第1子期間之後之第2子期間；且上述脈衝信號在上述第1子期間為上述第2電壓，在上述第2子期間及上述寫入期間為上述第1電壓。
  10. 如請求項9之顯示裝置，其中在上述第1子期間，上述非線性元件對上述單位像素施加對應於上述第2電壓之第3電壓；在上述第2子期間及上述寫入期間，上述開關對上述單位像素施加上述直流信號表示之第4電壓。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其中在上述第1子期間，上述非線性元件經由上述驅動電晶體，將上述驅動電晶體之源極電壓設定為上述第3電壓；在上述第2子期間，上述開關藉由於上述驅動電晶體中流通電流，使上述驅動電晶體之源極電壓發生變化。
  12. 如請求項8之顯示裝置，其中上述單位像素進而包含連接於上述 驅動電晶體之源極之第2電容元件。
  13. 一種顯示裝置用之驅動裝置，其包含：開關，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間進行接通斷開控制；及非線性元件，其插設於上述第1端子與上述第3端子之間；且上述非線性元件係第1電晶體，其包含：連接於上述第3端子之汲極及閘極、與連接於上述第1端子之源極；上述開關係具有較上述第1電晶體之通道寬度大之通道寬度之第2電晶體。
  14. 一種顯示裝置用之驅動方法，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於單位像素之第3端子之間藉由開關進行接通斷開控制；且在上述第1端子與上述第3端子之間藉由非線性元件進行非線性動作；上述非線性元件係第1電晶體，其包含：連接於上述第3端子之汲極及閘極、與連接於上述第1端子之源極；上述開關係具有較上述第1電晶體之通道寬度大之通道寬度之第2電晶體。
  15. 一種具有顯示裝置之電子機器，其包含：上述顯示裝置；及對上述顯示裝置進行動作控制之控制部；且上述顯示裝置包含：單位像素；開關，其基於施加於第1端子之脈衝信號，對施加有直流信號之第2端子與連接於上述單位像素之第3端子之間進行接通斷開 控制；及非線性元件，其插設於上述第1端子與上述第3端子之間；上述非線性元件係第1電晶體，其包含：連接於上述第3端子之汲極及閘極、與連接於上述第1端子之源極；上述開關係具有較上述第1電晶體之通道寬度大之通道寬度之第2電晶體。
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