TWI567149B - Composition and surface protective film - Google Patents

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TWI567149B TW104111305A TW104111305A TWI567149B TW I567149 B TWI567149 B TW I567149B TW 104111305 A TW104111305 A TW 104111305A TW 104111305 A TW104111305 A TW 104111305A TW I567149 B TWI567149 B TW I567149B
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Toshikazu Hoshina
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Description

組合物及表面保護膜
本發明係關於一種組合物及表面保護膜。
作為表面保護膜之黏著層所使用之黏著劑，先前以來，主要使用丙烯酸系黏著劑或天然橡膠、聚異丁烯等將橡膠作為主體之橡膠系黏著劑。作為將該等黏著劑塗佈於特定之支持體膜之方法，可利用使用輥、噴霧器等塗佈將黏著劑溶解於溶劑而成之黏著劑溶液之方法。該等方法具有可將黏著劑層均勻且較薄地塗敷之優點，但溶劑之使用就大氣污染、火災、製造時之安全衛生性、經濟性等觀點而言不佳。
另一方面，作為不使用溶劑之熱熔型之表面保護膜之製造技術，已知藉由將黏著劑層與支持體膜之積層體共擠出而製造之技術，關於黏著劑，亦開發各種熱熔型黏著劑(例如，參照專利文獻1)。
又，作為具有優異黏著力之黏著劑，提出包含環氧改性氫化嵌段共聚物之黏著性組合物，該環氧改性氫化嵌段共聚物係包含將乙烯基芳香族化合物作為主體之嵌段、及將共軛二烯作為主體之嵌段，使共軛二烯部分之雙鍵之一部分氫化，並使剩餘之雙鍵之一部分環氧化而成(例如，參照專利文獻2)。
進而，於使用作為難接著材料之代表之烯烴系樹脂膜作為支持體膜之情形時，提出使用與烯烴系樹脂膜之親和性較高、以乙烯為主成分之共聚物例如EVA(Ethylene vinyl acetate，乙烯-乙酸乙烯酯)形成黏著劑層之共擠出膜(例如，參照專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4115791號說明書
[專利文獻2]日本專利特開平8-73699號公報
[專利文獻3]日本專利特公平7-116410號公報
然而，如專利文獻1般，藉由將黏接著劑層與支持體膜之積層體共擠出而製造表面保護膜之技術具有如下問題：難以對支持體膜表面進行作為對提高支持體膜與黏接著劑層之黏著力有效之方法之電暈處理、鹼處理、火焰處理等，故不易於獲得具有牢固之黏著力之共擠出膜。具體而言，於將支持體膜與黏接著劑層之積層體貼附於金屬板等之情形時，有於支持體膜與黏接著劑層之間產生界面剝離，容易產生糊劑殘留之問題。
又，關於專利文獻2所揭示之黏著性組合物，由加熱或長期保存所導致之凝膠化或劣化激烈，有關長期穩定性方面具有應解決之問題。
進而，上述專利文獻3中，例如亦進行有關於烯烴系樹脂膜上形成有使用A-B-A(A為苯乙烯聚合物嵌段、B為乙烯/丁烯共聚物嵌段)嵌段共聚物之黏接著劑層之表面保護用接著膜之揭示，關於該黏接著劑，於被黏著體發生變形，或具有複雜形狀之情形時，無法獲得良好之密接性。另一方面，於貼附於平滑之被黏著體之情形時，具有接著強度因長時間保存而變化，若剝離膜，則產生糊劑殘留之問題。關於表面保護膜，若黏著性過高，則於貼附後剝離膜時，容易於被黏著體產生糊劑殘留，黏著性過低時作業性亦較差。
本發明係鑒於上述先前技術之問題而成者，其目的在於提供一 種組合物及含有該組合物之表面保護膜，該組合物對於被黏著體之密接性優異，發揮實用上良好之初期黏著力，即便長時間接著，接著強度之經時變化亦較少，可始終容易地剝離。
本發明者等人為了解決上述問題反覆努力研究，結果發現含有特定之氫化嵌段共聚物(1)及氫化共聚物(2)之組合物有效地解決上述問題，從而完成本發明。
即，本發明如下所述。
[1]一種組合物，其含有：氫化嵌段共聚物(1)，其含有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A及將共軛二烯單體單元作為主體之嵌段B，且氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為50%以上；及氫化共聚物(2)，其含有無規地包含乙烯基芳香族化合物單體單元及共軛二烯單體單元之嵌段C，且基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為90%以上。
[2]如[1]之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為5~30質量%，且上述氫化共聚物(2)中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為40~80質量%。
[3]如[1]或[2]之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為90%以上。
[4]如[1]至[3]中任一項之組合物，其中上述氫化共聚物(2)之基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為93%以上。
[5]如[1]至[4]中任一項之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之熔體流動速率(g/10min)於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下為1.0~30。
[6]如[1]至[5]中任一項之組合物，其中上述氫化共聚物(2)進而具有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A。
[7]如[6]之組合物，其中上述氫化共聚物(2)中所含之嵌段A之含量為5.0~30質量%。
[8]如[1]至[7]中任一項之組合物，其中上述氫化共聚物(2)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量未達50%。
[9]如[1]至[8]中任一項之組合物，其中上述氫化共聚物(2)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為20%以上且未達50%。
[10]如[1]至[9]中任一項之組合物，其中於上述氫化共聚物(2)之動態黏彈性之圖譜中，於-70~50℃之範圍僅具有1個損耗正切之峰頂。
[11]如[1]至[10]中任一項之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之重量平均分子量超過10萬。
[12]如[1]至[11]中任一項之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)相對於上述氫化共聚物(2)之質量比為95~5/5~95。
[13]如[1]至[12]中任一項之組合物，其進而含有重量平均分子量為上述氫化共聚物(2)之0.30~0.70倍之氫化共聚物(3)。
[14]如[13]之組合物，其中上述氫化共聚物(3)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量未達50%。
[15]一種組合物，其相對於如[1]至[14]中任一項之組合物100質量份，含有0~100質量份之黏著賦予樹脂。
[16]一種表面保護膜，其含有如[1]至[15]中任一項之組合物。
根據本發明，可獲得一種組合物及含有該組合物之表面保護膜，該組合物對於被黏著體之密接性優異，發揮實用上良好之初期黏著力，即便長時間接著，接著強度之經時變化亦較少，可始終容易地 剝離。
以下，對用以實施本發明之形態(以下簡稱為「本實施形態」)詳細地進行說明。本發明並不限定於以下實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變化而實施。
[組合物]
本實施形態之組合物含有：氫化嵌段共聚物(1)，其含有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A及將共軛二烯單體單元作為主體之嵌段B，且氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為50%以上；及氫化共聚物(2)，其含有無規地包含乙烯基芳香族化合物單體單元及共軛二烯單體單元之嵌段C，且基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為90%以上。由於如此構成，故本實施形態之組合物對於被黏著體之密接性優異，發揮實用上良好之初期黏著力，即便長時間接著，接著強度之經時變化亦較少，可始終容易地剝離。
再者，本實施形態中，構成嵌段共聚物之各單體單元之命名設為依據作為該單體單元之來源之單體之命名。例如，所謂「乙烯基芳香族化合物單體單元」，意指使作為單體之乙烯基芳香族化合物聚合之結果下生成之聚合物之結構單元，其結構為源自取代乙烯基之取代伸乙基之兩個碳成為鍵結部位之分子結構。
又，所謂「共軛二烯單體單元」，意指使作為單體之共軛二烯聚合之結果下生成之聚合物之結構單元，其結構為源自共軛二烯單體之烯烴之兩個碳成為鍵結部位之分子結構。
又，本說明書中，所謂「作為主體」，意指聚合物嵌段中含有超過75質量%之單體單元。較佳為含有80質量%以上之單體單元，較佳 為含有85質量%以上，更佳為含有90質量%以上，進而較佳為含有95質量%以上。
作為上述「乙烯基芳香族化合物單體」，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、二乙烯苯、1,1-二苯乙烯、N,N-二甲基-對胺基乙基苯乙烯、N,N-二乙基-對胺基乙基苯乙烯等乙烯基芳香族化合物，但並不限定於以上。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述「共軛二烯單體」為具有一對共軛雙鍵之二烯烴，例如可列舉：1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯(異戊二烯)、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、1,3-己二烯，但並不限定於以上。尤佳為1,3-丁二烯、異戊二烯。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。於使用1,3-丁二烯及異戊二烯之情形時，就本實施形態之組合物獲得較高機械強度之觀點而言，較佳為將1,3-丁二烯作為主體。共軛二烯中之1,3-丁二烯含量較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，進而較佳為95質量%以上。
(氫化嵌段共聚物(1))
關於構成本實施形態中之氫化嵌段共聚物(1)之共軛二烯單體單元之微結構，氫化前共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為50%以上，較佳為60%以上，更佳為70%以上。上限並無特別限定，較佳為95%以下，更佳為90%以下。所謂乙烯基鍵結量，設為嵌段共聚物中以1,2-鍵結、3,4-鍵結及1,4-鍵結之鍵結方式組入之共軛二烯單體單元之中，以1,2-鍵結及3,4-鍵結之鍵結方式組入者之比率。若氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量未達50%，則使本實施形態中之組合物長時間密接後之接著強度較大地變化，剝離變得困難，成為產生糊劑殘留之原因，故而不佳。共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量例如可藉由如下等方式進行控制：於使共軛二烯化合物單體與乙烯基芳香族 烴化合物單體共聚時，添加三級胺化合物或醚化合物調整其添加量。作為三級胺化合物，例如可列舉N,N,N',N'-四甲基乙二胺(TMEDA)等，但並不限定於以上。共軛二烯單體單元之微結構可藉由核磁共振裝置(NMR)等分析。具體而言，可藉由下述實施例中所記載之方法分析。
本實施形態中之氫化嵌段共聚物(1)之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量較佳為5.0~30質量%之範圍，更佳為10~25質量%之範圍，進而較佳為13~20質量%之範圍。氫化嵌段共聚物(1)之共軛二烯單體單元之含量較佳為70~95質量%之範圍，更佳為75~90質量%之範圍，進而較佳為80~87質量%之範圍。若乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為30質量%以下，則有組合物之黏著性變得更良好之傾向。反之，若為5質量%以上，則有可有效地防止黏著性變得過高，於貼附後剝離膜之情形時更不易產生對被黏著體之糊劑殘留之傾向，故而較佳。本實施形態之氫化共聚物(1)之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量可藉由下述實施例中所記載之方法測定。再者，乙烯基芳香族化合物單體單元之含量於氫化前後大致相等，故亦可利用氫化前之共聚物中之乙烯基芳香族化合物含量加以掌握。
本實施形態中之氫化嵌段共聚物(1)之基於共軛二烯系單體之雙鍵之氫化率較佳為90%以上，更佳為92%以上，進而較佳為94%以上。上限並無特別限定，較佳為100%以下，更佳為99%以下。若上述氫化率為90%以上，則有可充分確保組合物之黏著力，而可發揮實用上更良好之初期接著力之傾向。再者，上述氫化率例如可藉由調整下述氫化觸媒之量而控制。上述氫化率可藉由下述實施例中所記載之方法測定。
關於本實施形態中之氫化嵌段共聚物(1)之熔體流動速率(g/10min)之較佳範圍，於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下，較佳為1.0~ 30之範圍，更佳為5.0~25之範圍，進而較佳為10~20之範圍。若熔體流動速率(g/10min)於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下為1.0以上，則有下述本實施形態之組合物之熔融黏度變得更低，成形加工性進一步提高之傾向。若上述熔體流動速率(g/10min)為30以下，則有可充分確保黏著力，如下述般使用本實施形態之組合物形成表面保護膜之黏著層時，可更加降低剝離該表面保護膜時之糊劑殘留量之傾向，故而較佳。上述熔體流動速率可藉由下述實施例中所記載之方法測定。
本實施形態中之氫化嵌段共聚物(1)之重量平均分子量較佳為超過10萬，更佳為超過10萬且為25萬以下，進而較佳為11萬~23萬。藉由重量平均分子量超過10萬，有上述熔體流動速率不變得過高，可更加降低剝離表面保護膜時之糊劑殘留量之傾向，故而較佳。若上述重量平均分子量為25萬以下，則有下述本實施形態之組合物之熔融黏度變得更低，成形加工性更加提高之傾向。上述重量平均分子量可藉由下述實施例中所記載之方法測定。
(氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3))
本實施形態中之氫化共聚物(2)及/或下述氫化共聚物(3)包含無規地含有乙烯基芳香族化合物單體單元及共軛二烯單體單元之嵌段C。進而，本實施形態中之氫化共聚物(2)之基於共軛二烯系單體之雙鍵之氫化率為90%以上，更佳為92%以上，進而較佳為93%以上，進而更佳為94%以上。上限並無特別限定，較佳為100%以下，較佳為99%以下。於上述氫化率未達90%之情形時，組合物之黏著力變得不充分，無法發揮實用上良好之初期接著力，故不佳。再者，上述氫化率可藉由調整下述氫化觸媒之量而控制。上述氫化率可藉由下述實施例中所記載之方法而測定。
本實施形態中之氫化共聚物(2)及/或下述氫化共聚物(3)之乙烯基 芳香族化合物單體單元之含量較佳為40~80質量%之範圍，更佳為44~75質量%之範圍，進而較佳為48~70質量%之範圍。氫化共聚物(2)之共軛二烯單體單元之含量較佳為20~60質量%之範圍，更佳為25~56質量%之範圍，進而較佳為30~52質量%之範圍。若乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為80質量%以下，則有組合物之黏著性更加提高之傾向。反之，若為40質量%以上，則有可有效地防止黏著性變得過高，於貼附後即便剝離膜，亦不易在被黏著體產生糊劑殘留之傾向，故而較佳。再者，尤佳為氫化嵌段共聚物(1)中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為5.0~30質量%，進而氫化共聚物(2)中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為40~80質量%。本實施形態之氫化共聚物之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量可藉由下述實施例中所記載之方法測定。再者，乙烯基芳香族化合物單體單元之含量於氫化前後大致相等，故亦可利用氫化前之共聚物中之乙烯基芳香族化合物含量加以掌握。
本實施形態中之氫化共聚物(2)及/或下述氫化共聚物(3)存在至少一個無規地含有乙烯基芳香族化合物單體單元及共軛二烯單體單元之嵌段C，除此以外，就獲得實用上良好之初期黏著力之觀點及減少接著強度之經時變化之觀點而言，較佳為進而含有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A。此處，關於嵌段C中之乙烯基芳香族化合物單體單元與共軛二烯單體單元之分佈，可均勻地分佈，亦可為錐狀。
嵌段C中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量較佳為25質量%以上且75質量%以下，更佳為30質量%以上且70質量%以下，進而較佳為35質量%以上且65質量%以下。嵌段C中之共軛二烯單體單元之含量較佳為25質量%以上且75質量%以下，更佳為30質量%以上且70質量%以下，進而較佳為35質量%以上且65質量%以下。於具有將乙 烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A之情形時，氫化共聚物(2)中之嵌段A之含量較佳為5.0~30質量%之範圍，更佳為8.0~28質量%之範圍，進而更佳為10~25質量%之範圍。若氫化共聚物(2)中之嵌段A之含量為5質量以上，則有如下傾向：可有效地防止黏著性變得過高，易於使氫化共聚物(2)維持為粒狀物，粒彼此變得難以凝聚。因此，於製作本實施形態之組合物時，有變得易於使氫化共聚物(2)定量地進料之傾向，故較佳。若為30質量%以下，則有對被黏著體之密接性更優異之傾向，故較佳。本實施形態中之氫化共聚物(2)中之嵌段A之含量可藉由下述實施例中所記載之方法測定。
本實施形態之氫化共聚物(2)及/或氫化共聚物(3)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量較佳為未達50%，更佳為20%以上且未達50%，進而較佳為20%以上且45%以下。若上述乙烯基鍵結量未達50%，則有黏著性更優異之傾向，故而較佳。若上述乙烯基鍵結量為20%以上，則有發揮良好密接性之傾向，故而較佳。共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量例如可藉由如下等方式進行控制：於使共軛二烯化合物單體與乙烯基芳香族烴化合物單體共聚時，添加三級胺化合物或醚化合物調整其添加量。共軛二烯單體單元之微結構可藉由核磁共振裝置(NMR)等分析。上述共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量及上述乙烯基芳香族化合物單體單元之含量可藉由下述實施例中所記載之方法測定。
本實施形態中之氫化共聚物(2)及/或下述氫化共聚物(3)之動態黏彈性之圖譜中，較佳為於-70~50℃之範圍僅具有一個損耗正切之峰頂，更佳為於-60~40℃之範圍僅具有一個損耗正切之峰頂，進而較佳為於-50~30℃之範圍僅具有一個損耗正切之峰頂。若損耗正切之峰頂為-70℃以上，則有對於被黏著體之密接性優異之傾向，故而較佳。若為50℃以下，則發揮實用上良好之初期黏著力，故而較佳。藉 由於-70℃~50℃之範圍具有一個損耗正切之峰頂，有減少接著強度之經時變化之傾向，故而較佳。動態黏彈性之圖譜中之-70~50℃之範圍之損耗正切之峰頂為下述嵌段B及嵌段C引起之峰，可藉由控制嵌段C中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量、氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量、基於共軛二烯系單體之雙鍵之氫化率等而調整。上述損耗正切之峰頂可藉由下述實施例中所記載之方法測定。
關於本實施形態中之氫化共聚物(2)及/或下述氫化共聚物(3)之熔體流動速率(g/10min)之較佳範圍，於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下，較佳為1.0~30之範圍，更佳為3.0~25之範圍，進而較佳為5.0~20之範圍。若熔體流動速率(g/10min)於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下為1.0以上，則有下述本實施形態之組合物之熔融黏度變得更低，成形加工性更加提高之傾向。若上述熔體流動速率(g/10min)為30以下，則有可充分確保黏著力，如下述般使用本實施形態之組合物形成表面保護膜之黏著層時，可更加降低剝離該表面保護膜時之糊劑殘留量之傾向，故而較佳。上述熔體流動速率可藉由下述實施例中所記載之方法測定
本實施形態之組合物除氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)以外，就接著強度之經時變化較少，獲得良好之製膜性之觀點而言，較佳為進而含有氫化共聚物(3)。此處，氫化共聚物(3)之重量平均分子量較佳為氫化共聚物(2)之重量平均分子量之0.30~0.70倍，更佳為0.35~0.65倍，進而較佳為0.40~0.60倍。本實施形態中，若氫化共聚物(3)之重量平均分子量為氫化共聚物(2)之重量平均分子量之0.30倍以上，則有成形加工性更優異之傾向。若為氫化共聚物(2)之重量平均分子量之0.70倍以下，則有黏著性更優異之傾向。
再者，氫化共聚物(2)之重量平均分子量較佳為10萬~25萬，更佳為12萬~23萬。重量平均分量可藉由下述實施例中所記載之方法測 定。
又，本實施形態之組合物中，亦可含有氫化共聚物(2)作為氫化共聚物(3)之偶合體。
本實施形態中，關於氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)之結構，(2)具有無規地含有乙烯基芳香族化合物單體單元及共軛二烯單體單元之嵌段C，除此以外，並無特別限定，可使用任意結構者，尤其推薦者為具有選自下述通式之至少一種結構之共聚物之氫化物。本實施形態中所使用之氫化共聚物可為包含具有下述通式所表示之結構之共聚物之氫化物之任意混合物。又，氫化共聚物中亦可混合乙烯基芳香族化合物聚合物。
C、(A-C)n、A-(C-A)n、C-(A-C)n、[(C-A)n]m-X、[(A-C)n]m-X、[(C-A)n-C]m-X、[(A-C)n-A]m-X、(C-A)n-X-(A)p、(B-C)n、B-(C-B)n、C-(B-C)n、[(B-C)n]m-X、[(C-B)n-C]m-X、[(B-C)n-B]m-X、B-(C-A)n、B-(A-C)n、B-(A-C-A)n、B-(C-A-C)n、A-B-(C-A)n、A-B-(A-C)n、A-B-(C-A)n-C、[(A-C-B)n]m-X、[A-(C-B)n]m-X、[(A-C)n-B]m-X、[(A-C-A)n-B]m-X、[(C-A-C)n-B]m-X、[(B-C-A)n]m-X、[B-(C-A)n]m-X、[B-(A-C-A)n]m-X、[B-(C-A-C)n]m-X
(此處，A為乙烯基芳香族化合物聚合物嵌段(嵌段A)，C為共軛二烯與乙烯基芳香族化合物之無規共聚物或共軛二烯與乙烯基芳香族化合物之無規共聚物嵌段(嵌段C)、B為共軛二烯聚合物嵌段(嵌段B)。各嵌段之交界未必需要明確地區分。m為2以上之整數，較佳為2~10之整數，n及p為1以上之整數，較佳為1~10之整數。X表示偶合劑之殘基或多官能起始劑殘基。通式中，無規共聚物或無規共聚物嵌段C中之乙烯基芳香族烴可均勻地分佈，或亦可分佈為錐狀。又，該共聚物或該共聚物嵌段C中，亦可分別共存複數個乙烯基芳香族烴均勻地分佈之部分及/或分佈為錐狀之部分。又，無規共聚物或無規共 聚物嵌段C中，亦可共存複數個乙烯基芳香族烴含量不同之片段。於共聚物中分別存在複數個嵌段A、嵌段C之情形時，該等之分子量或組成等結構可相同，亦可不同。又，鍵結於X之聚合物鏈之結構可相同，亦可不同)
關於本實施形態之黏著性組合物中之氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)之組成，以氫化嵌段共聚物(1)相對於氫化共聚物(2)之質量比計，較佳為氫化嵌段共聚物(1)/氫化共聚物(2)=95~5/5~95之範圍，更佳為90~10/10~90，進而較佳為85~15/15~85。就獲得實用上之初期接著力之觀點而言，較佳為氫化嵌段共聚物(1)/氫化共聚物(2)=85~55/15~45之範圍，就接著強度之經時變化較少之觀點而言，較佳為氫化嵌段共聚物(1)/氫化共聚物(2)=45~15/55~85之範圍。
於含有氫化共聚物(3)之情形時，關於本實施形態之黏著性組合物中之氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)之組成，較佳為氫化嵌段共聚物(1)/(氫化共聚物(2)+氫化共聚物(3))=95~5/5~95之範圍，更佳為90~10/10~90，進而較佳為85~15/15~85。就獲得實用上之初期接著力之觀點而言，較佳為氫化嵌段共聚物(1)/(氫化共聚物(2)+氫化共聚物(3))=85~55/15~45之範圍，就減少接著強度之經時變化之觀點而言，較佳為氫化嵌段共聚物(1)/(氫化共聚物(2)+氫化共聚物(3))=45~15/55~85之範圍。
又，關於黏著性組合物中之氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)之各含量，於將氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)、氫化共聚物(3)之質量之合計設為100質量份時，較佳為氫化共聚物(2)/氫化共聚物(3)=3.0~97質量份/97~3.0質量份之範圍，更佳為6.0~94質量份/94~6質量份，進而較佳為10~90質量份/90~10質量份。
(氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及(3)之製造方法)
關於使本實施形態之氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)聚合之方法，並無特別限定，例如可列舉配位聚合、陰離子聚合或陽離子聚合等。就結構之控制之容易度之觀點而言，較佳為陰離子聚合。
作為藉由陰離子聚合之嵌段共聚物之製造方法，可應用公知之方法。例如可列舉：日本專利特公昭36-19286號公報、日本專利特公昭43-17979號公報、日本專利特公昭46-32415號公報、日本專利特公昭49-36957號公報、日本專利特公昭48-2423號公報、日本專利特公昭48-4106號公報、日本專利特公昭56-28925號公報、日本專利特開昭59-166518號公報、日本專利特開昭60-186577號公報所記載之方法，但並不限定於以上。
作為使本實施形態之氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)之共軛二烯之部分氫化之方法，例如可列舉於氫化觸媒之存在下供給氫，將不飽和部氫化之方法，但並不限定於以上。
作為氫化觸媒，並無特別限定，例如可列舉作為先前公知之氫化觸媒之(1)使Ni、Pt、Pd、Ru等金屬擔載於碳、二氧化矽、氧化鋁、矽藻土等而成之擔載型不均勻系氫化觸媒、(2)使用Ni、Co、Fe、Cr等之有機酸鹽或乙醯丙酮鹽等過渡金屬鹽及有機鋁等還原劑之所謂齊格勒(Ziegler)型氫化觸媒、(3)Ti、Ru、Rh、Zr等之有機金屬化合物等所謂有機金屬錯合物等之均勻系氫化觸媒等。具體而言，例如可列舉：日本專利特公昭42-8704號公報、日本專利特公昭43-6636號公報、日本專利特公昭63-4841號公報、日本專利特公平1-37970號公報、日本專利特公平1-53851號公報、日本專利特公平2-9041號公報等所記載之氫化觸媒，但並不限定於以上。
本實施形態所使用之氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及(3)亦可分別具有含官能基之原子團。
作為上述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、羰基、硫羰基、醯鹵化物基、酸酐基、硫羧酸基、醛基、硫醛基、羧酸酯基、醯胺基、磺酸基、磺酸酯基、磷酸基、磷酸酯基、胺基、亞胺基、腈基、吡啶基、喹啉基、環氧基、硫代環氧基、硫基、異氰酸酯基、異硫氰酸酯基、鹵化矽基、烷氧基矽基、鹵化錫基、硼酸基、含硼基、硼酸鹽基、烷氧基錫基、苯基錫基，但並不限定於以上。
(黏著賦予樹脂)
本實施形態之組合物亦可含有黏著賦予樹脂。作為本實施形態中之黏著賦予樹脂，只要為可對本實施形態之組合物賦予黏性之樹脂，則並無特別限定，例如可列舉松香系萜烯系樹脂、氫化松香系萜烯系樹脂、熏草咔系樹脂、酚系樹脂、萜烯-酚系樹脂、芳香族烴樹脂、脂肪族烴樹脂等公知之黏著賦予樹脂。黏著賦予樹脂可單獨使用，亦可混合2種以上使用。作為黏著賦予樹脂之具體例，可使用「橡膠、塑膠調配藥品」(Rubber digest公司編)所記載者。藉由使用黏著賦予樹脂，可謀求黏著力之改良。
關於本實施形態之組合物中之黏著賦予樹脂之含量，於將氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)、及氫化共聚物(3)之質量之合計設為100質量份時，較佳為0~100質量份，更佳為0.1~80質量份，進而較佳為1.0~60質量份。若黏著賦予樹脂之含量為100質量份以下，則有可有效地防止長期貼附後之黏著力變得過強，而可更加減少剝離時之糊劑殘留量之傾向，故而較佳。
(其他添加劑)
<氫化苯乙烯系彈性體>
本實施形態之組合物亦可進而含有具有上述本實施形態之嵌段共聚物以外之結構之氫化苯乙烯系彈性體。
作為上述氫化苯乙烯系彈性體，並無特別限定，例如可列舉藉 由氫化使苯乙烯-丁二烯-苯乙烯(SBS)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯飽和而成之苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯(SEPS)作為代表性氫化苯乙烯系彈性體，另外，亦可為苯乙烯-乙烯-丁烯(SEB)、苯乙烯-乙烯-丙烯(SEP)等結構之彈性體。
又，上述氫化苯乙烯系彈性體亦可使用賦予各種官能基之反應性彈性體。作為上述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、羰基、硫羰基、醯鹵化物基、酸酐基、硫羧酸基、醛基、硫醛基、羧酸酯基、醯胺基、磺酸基、磺酸酯基、磷酸基、磷酸酯基、胺基、亞胺基、腈基、吡啶基、喹啉基、環氧基、硫代環氧基、硫基、異氰酸酯基、異硫氰酸酯基、鹵化矽基、烷氧基矽基、鹵化錫基、硼酸基、含硼基、硼酸鹽基、烷氧基錫基、苯基錫基，但並不限定於以上。
<乙烯-乙酸乙烯酯共聚物>
本實施形態之組合物亦可進而含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。乙烯-乙酸乙烯酯共聚物並無特別限定，例如可藉由將乙烯與乙酸乙烯酯於高溫、高壓條件下進行自由基共聚而製造。乙烯-乙酸乙烯酯共聚物根據乙酸乙烯酯之含有率而性質不同，但並無特別限定。
<丙烯酸系共聚物>
本實施形態之黏著性組合物亦可進而含有丙烯酸系共聚物。丙烯酸系共聚物並無特別限定，例如可列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈等與乙酸乙烯酯、氯乙烯、苯乙烯等之共聚物。
<軟化劑>
本實施形態之組合物亦可進而含有軟化劑。作為軟化劑，並無特別限定，例如可使用礦物油系軟化劑及合成樹脂系軟化劑之任一者。作為礦物油系軟化劑，一般而言，可列舉：芳香族系烴、環烷系烴及石蠟系烴之混合物。再者，將石蠟系烴之碳原子數占總碳原子中 之50%以上者稱為石蠟系油，將環烷系烴之碳原子為30~45%者稱為環烷系油，又，將芳香族系烴之碳原子為35%以上者稱為芳香族系油。作為礦物油系軟化劑，較佳為作為橡膠用軟化劑之石蠟系油，作為合成樹脂系軟化劑，較佳為聚丁烯、低分子量聚丁二烯等。藉由含有軟化劑，有本實施形態之黏著性組合物之黏著性更加改善之傾向。
關於本實施形態之組合物中之軟化劑之含量，就確保軟化劑之滲出抑制、或本實施形態之組合物於實用上充分之黏著力之觀點而言，於將上述氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及(3)之質量之合計設為100質量份時，較佳為0~100質量份，更佳為0.1~80質量份。
<抗氧化劑、光穩定劑等>
本實施形態之黏著性組合物中亦可進而添加抗氧化劑、光穩定劑等穩定劑。
作為抗氧化劑，例如可列舉：2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、3-(4'-羥基-3',5'-二-第三丁基苯基)丙酸正十八烷基酯、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、2,4-雙[(辛硫基)甲基]-鄰甲酚、2-第三丁基-6-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、2,4-二-第三戊基-6-[1-(3,5-二-第三戊基-2-羥基苯基)乙基]苯基丙烯酸酯、2-[1-(2-羥基-3,5-二-第三戊基苯基)]丙烯酸酯等受阻酚系抗氧化劑；硫代二丙酸二月桂酯、硫代二丙酸月桂酯硬脂酯季戊四醇四(β-月桂基硫代丙酸酯)等硫系抗氧化劑；亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三(2,4-二-第三丁基苯基)酯等磷系抗氧化劑；但並不限定於以上。
作為光穩定劑，例如可列舉：2-(2'-羥基-5'-甲基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-第三丁基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-二-第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑等苯并三唑系紫外線吸收劑或2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系紫外線吸收劑、或者受阻胺系光穩定劑， 但並不限定於以上。
<顏料、蠟類、熱塑性樹脂、天然橡膠、合成橡膠>
本實施形態之組合物除上述以外，可視需要含有各種添加劑。作為上述添加劑，例如可列舉：鐵丹、二氧化鈦等顏料；石蠟、微晶蠟、低分子量聚乙烯蠟等蠟類；無定形聚烯烴、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等聚烯烴系或低分子量之乙烯基芳香族系熱塑性樹脂；天然橡膠；聚異戊二烯橡膠、聚丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、乙烯-丙烯橡膠、氯丁二烯橡膠、丙烯酸系橡膠、異戊二烯-異丁烯橡膠、聚戊烯橡膠等合成橡膠；但並不限定於以上。作為上述合成橡膠，除上述以外，可列舉「橡膠、塑膠調配藥品」(Rubber digest公司編)所記載者。
(組合物之製造方法)
作為本實施形態之組合物之製造方法，並無特別限定，可藉由先前公知之方法製造。例如，可利用：使用班布里混合機、單螺桿擠出機、雙螺桿擠出機、雙向捏合機、多螺桿擠出機等通常之混合機之熔融混練方法；將各成分溶解或分散混合後，藉由塗佈機等塗敷於基材膜，然後將溶劑加熱去除之方法等。
對於本實施形態之組合物，為了謀求輕量化、柔軟化及密接性之提高效果，亦可實施發泡處理。作為發泡方法，例如有化學方法、物理方法、熱膨脹型微球之利用等，但並不限定於以上。可分別藉由無機系發泡劑、有機系發泡劑等化學發泡劑、物理發泡劑等之添加、熱膨脹型微球之添加等使氣泡分佈於材料內部。又，亦可藉由添加中空填料(已膨脹之球)，謀求輕量化、柔軟化、及密接性之提高。
(表面保護膜)
本實施形態之表面保護膜含有本實施形態之組合物。再者，本實施形態之表面保護膜較佳為具有如下構成：具備於特定基材膜上積 層形成上述本實施形態之氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)、以及組合物而成之黏著劑層。
作為基材膜之材料，並無特別限定，可使用非極性樹脂及極性樹脂之任一者，就性能或價格方面等而言，作為非極性樹脂，可例示聚乙烯、均聚或嵌段之聚丙烯作為較佳者，作為極性樹脂，可例示聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及其水解物等作為較佳者。
構成本實施形態之表面保護膜之黏著劑層之厚度較佳為1.0μm以上且100μm以下，更佳為5.0μm以上且100μm。若黏著劑層之厚度為100μm以下，則有操作性更優異之傾向，經濟上亦較佳。又，若為1μm以上，則有密接性更優異之傾向，且有亦易於獲得均勻厚度之傾向。基材膜之厚度較佳為5.0mm以下，更佳為3.0mm以下，進而較佳為1.0mm以下，進而更佳為300μm以下，進一步更佳為10μm以上且200μm以下。一般而言，厚度超過300μm者稱為「片」，本說明書中，亦包含該等在內記載為膜。
(表面保護膜之製造方法)
作為本實施形態之表面保護膜之製造方法，例如可列舉將本實施形態之組合物之溶液或熔融物塗敷於上述基材膜上之方法、使用膜擠出機之方法等，但並不限定於以上。此處，於使用本實施形態之組合物之溶液之情形時，可製成組合物後製成溶液或熔融物，亦可將氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及視情形之氫化共聚物(3)各自製成溶液或熔融物後混合。
關於塗敷本實施形態之組合物之溶液之方法，例如可藉由溶於可使該等溶解之溶劑，使用塗佈機等塗敷於基材膜上，並將溶劑加熱乾燥等方法而製造，但並不限定於以上。
關於使本實施形態之組合物熔融並進行塗敷之方法，例如可藉 由使用熱熔塗佈機等將熔融之本實施形態之組合物塗敷於基材膜上等方法而製造，但並不限定於以上。於該情形時，較佳為使用具有高於塗敷溫度之玻璃轉移溫度、熔點或軟化點之各種基材膜。
作為藉由膜擠出機之方法，例如可藉由如下方法製造：將含有本實施形態之組合物之接著劑層之成分及可構成基材膜層之熱塑性樹脂等成分利用熔融共擠出機設為兩個流向，即黏著劑層形成用流體及基材體膜形成用流體，使兩者於模嘴內合流，形成單一流體並擠出，而將黏著劑層與樹脂膜層複合，但並不限定於以上。
於藉由膜擠出機之方法之情形時，本實施形態之組合物亦可藉由預先將黏接著劑用嵌段共聚物或黏接著劑組合物之各成分乾摻而製造，故為生產性優異之方法。又，於擠出成型之情形時，有所製作之表面保護膜之密接性、接著強度尤其優異之傾向。
[實施例]
以下，列舉具體實施例及比較例對本實施形態詳細地說明，但本實施形態並不限定於以下實施例。首先，對應用於實施例及比較例之評價方法及物性之測定方法表示如下。
[I.氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)之組成及結構之評價]
(I-1)乙烯基芳香族化合物單體單元之含量(苯乙烯含量)、共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量、基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率
藉由核磁共振譜解析(NMR)，以下述條件測定並求出聚合物中之苯乙烯含量、共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量、及基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率。
測定機器：JNM-LA400(JEOL製造)
溶劑：氘氯仿
測定樣品：使聚合物氫化前、或氫化後之抽樣品
樣品濃度：50mg/mL
觀測頻率：400MHz
化學位移基準：TMS(四甲基矽烷)
脈衝延遲：2.904秒
掃描次數：64次
脈衝寬度：45°
測定溫度：26℃
(I-2)MFR(熔體流動速率)
依據ISO1133，於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下測定MFR。
(I-3)重量平均分子量
於下述條件下，藉由凝膠滲透層析法(GPC)進行測定，根據所獲得之峰下之PS(聚苯乙烯)換算校準曲線，由分子量求出重量平均分子量。
測定裝置：GPC HLC-8220(TOSOH公司製造、商品名)
管柱：TAKgelGMHXL SuperH5000：1根、SuperH4000：2根 (TOSOH公司製造、商品名)
溶劑：四氫呋喃
溫度：40℃
校準曲線用樣品：市售(TOSOH公司製造)之標準樣品、測定10處
(I-4)嵌段A(苯乙烯嵌段)之含量
使用氫化前之共聚物，藉由I.M.Kolthoff,et al.,J.Polym.Sci.1,429(1946)所記載之四氧化鋨酸法進行分解、測定。再者，共聚物之分解使用鋨酸0.1g/125mL之第三丁醇溶液。
(I-5)損耗正切之峰頂
將測定樣品設於裝置ARES(TA instruments股份有限公司製造、商品名)之扭轉型之幾何形狀，以下述條件進行測定，求出損耗正切 之峰頂。峰溫度為藉由RSI Orchestrator(TA instruments股份有限公司製造、商品名)之自動測定求出之值。
測定樣品尺寸：厚度2.0mm、寬度12.6mm、長度40mm
有效測定長度：22mm
應變：0.5%
頻率：1Hz
測定溫度範圍：-100~-150℃
升溫速度：3℃/min
[II.組合物之特性]
(II-1)密接性
於PMMA板(聚甲基丙烯酸甲酯板、表面之算術平均粗糙度：1.1μm)貼附下述實施例、比較例所製作之表面保護膜，於23℃×50%相對濕度中，使重量1kg之橡膠輥(直徑10cm)滾動而貼附表面保護膜，其後，將密接部分與空隙部分之面積比設為密接性之指標，以目視進行觀察、評價。於下述表3、4中，密接性之評價以◎、○、△、×之四個階段進行。對該等評價基準進行表示。
◎：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之氣泡全無者。
○：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之氣泡為1處者。
△：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之氣泡為2~4處者。
×：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之氣泡為5處以上者。
(II-2)接著強度(g/25mm)
使用萬能拉伸壓縮試驗機「Technograph TGE-500N：Minebea股份有限公司製造」作為測定裝置。下述實施例1~14、比較例1~5中，於溫度23℃×50%相對濕度中，使將所製作之表面保護膜設為25mm寬而成者貼附於PMMA板(表面之算術平均粗糙度：0.1μm)，且使重量2kg之橡膠輥(直徑10cm)滾動而貼附表面保護膜，放置30分鐘， 其後，將剝離速度設為300mm/min，測定剝離強度。於溫度23℃×50%相對濕度中進行初期接著及加熱黏著促進後之2種180度剝離試驗。再者，關於初期黏著力，使用初期之接著強度進行評價，關於長時間接著時之接著強度之經時變化，使用加熱黏著促進後之接著強度進行評價。關於初期接著，若為250g/25mm以上，則判斷為具有實用上良好之初期黏著力。關於加熱黏著促進後之接著強度，若相對於初期之接著強度為2倍以內，則判斷為經時變化較少。
關於加熱黏著促進後之評價，下述實施例1~14、比較例1~5中，將所製作之表面保護膜以上述方法貼附後，於吉爾老化恆溫箱(Geer Oven)內以80℃加熱30分鐘，進行黏著促進，於測定環境下放置30分鐘後進行測定。
上述「180度剝離試驗」係依據JIS K6854-2之接著劑-剝離接著強度試驗方法-第2部：180度剝離之規格進行。
(II-3)糊劑殘留性
於PMMA板(表面之算術平均粗糙度：1.1μm)貼附下述實施例、比較例所製作之表面保護膜，於23℃×50%相對濕度中，使重量2kg之橡膠輥(直徑10cm)滾動而貼附表面保護膜後，於吉爾老化恆溫箱內以80℃加熱30分鐘，進行黏著促進，於測定環境下放置30分鐘後剝離表面保護膜，評價PMMA板上之糊劑殘留之狀態。下述表2中，糊劑殘留性之評價以○、△、×之三個階段進行。對該等評價基準進行表示，
○：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之糊劑殘留為0~1處者。
△：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之糊劑殘留為2~4處者。
×：對於剝離面積(1m2)，可以目視觀察之糊劑殘留為5處以上 者。
[III.氫化觸媒之製備]
嵌段共聚物之氫化反應所使用之氫化觸媒利用下述方法製備。於經氮氣置換之反應容器中添加經乾燥、精製之環己烷1升，並添加雙(環戊二烯基)鈦二氯化物100毫莫耳，一面充分地攪拌一面添加含有三甲基鋁200毫莫耳之正己烷溶液，於室溫下反應約3天，製備氫化觸媒。
[IV.氫化共聚物之製備]
<聚合物1：丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(B1-A1-B2-A2)>
此處，A1、A2、B1、B2、C1分別設為表示下述聚合物嵌段者。
A1、A2：聚苯乙烯聚合物嵌段
B1、B2：聚丁二烯共聚物嵌段
C1：苯乙烯與丁二烯之無規共聚物嵌段
使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下方法進行分批聚合。首先，使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於投入於反應器之丁二烯單體及苯乙烯單體之總量(以下設為總單體)100質量份添加正丁基鋰0.07質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加N,N,N',N'-四甲基乙二胺(以下設為TMEDA)1.8莫耳，相對於TMEDA添加第三戊氧化鈉(以下設為NaOAm)0.05莫耳。
作為第1步驟，花費6分鐘投入含有丁二烯4.5質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯8.3質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合 轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費70分鐘投入含有丁二烯80.5質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第4步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯6.7質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物1)。所獲得之(聚合物1)之苯乙烯含量為15.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為75.2%，重量平均分子量為16.7萬，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為7.0g/10min，損耗正切峰頂僅於-24.2℃有一個。
<聚合物2：丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(B1-A1-B2-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。首先，使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.1質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 1.0莫耳。
作為第1步驟，花費6分鐘投入含有丁二烯4.5質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化 率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯11.0質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費70分鐘投入含有丁二烯75.5質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第4步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯9.0質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為95ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物2)。所獲得之(聚合物2)之苯乙烯含量為20.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為60.0%，重量平均分子量為12.2萬，氫化率為90%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為5.1g/10min，損耗正切峰頂僅於-46.9℃有一個。
<聚合物3：丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(B1-A1-B2-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。首先，使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.06質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 1.8莫 耳，相對於TMEDA添加NaOAm 0.06莫耳。
作為第1步驟，花費6分鐘投入含有丁二烯4.5質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯4.4質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費90分鐘投入含有丁二烯87.5質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為60℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第4步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯3.6質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物3)。所獲得之(聚合物3)之苯乙烯含量為8.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為90.0%，重量平均分子量為19.9萬，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為5.3g/10min，損耗正切峰頂僅於-20.0℃有一個。
<聚合物4：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(A1-B1-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。首先，使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.075質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 1.0莫耳。
作為第1步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯8.3質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，花費70分鐘投入含有丁二烯85.0質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費10分鐘投入含有苯乙烯6.7質量份之環己烷溶液(濃度20質量%)，其後，進而進行10分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物4)。所獲得之(聚合物4)之苯乙烯含量為15.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為75.2%，重量平均分子量為14.7萬，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為7.0g/10min，損耗正切峰頂僅於-24.2℃有一個。
<聚合物5：丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(B1-A1-B2-A2)>
相對於正丁基鋰1莫耳，將TMEDA自添加1.8莫耳改變為添加1.5莫耳，不添加NaOAm。其他條件與上述(聚合物1)之合成相同，如此進行合成。所獲得之(聚合物5)之氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為47.0質量%，損耗正切峰頂僅於-30.5℃有一個。
<聚合物6：丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(B1-A1-B2-A2)>
相對於總單體100質量份，將正丁基鋰自添加0.07質量份改變為添加0.05質量份。其他條件與上述(聚合物1)之合成相同，如此進行合成。所獲得之(聚合物6)之重量平均分子量為20.0萬，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為0.5g/10min，損耗正切峰頂僅於-24.0℃有一個。
<聚合物7：丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯之氫化物(B1-A1-B2-A2)>
相對於聚合物每100質量份，將氫化觸媒自以鈦計添加100ppm改變為以鈦計添加65ppm，而進行氫化反應。其他條件與上述(聚合物1)之合成相同，如此進行合成。所獲得之(聚合物7)之氫化率為60%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為15.0g/10min，損耗正切峰頂僅於-30.2℃有一個。
<聚合物8：苯乙烯-苯乙烯/丁二烯無規-苯乙烯之氫化物(A1-C1-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.05質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 0.4莫耳。
作為第1步驟，花費3分鐘投入含有苯乙烯5質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，將含有苯乙烯42質量份及丁二烯48質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)花費60分鐘以一定速度連續地投入 反應器，其後，進而進行30分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯-丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費約3分鐘投入含有苯乙烯5質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物8)。所獲得之(聚合物8)之苯乙烯含量為52.0質量%，嵌段A含量為10.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為26.0質量%，重量平均分子量為16.3萬，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為4.5g/10min，損耗正切峰頂僅於-12.8℃有一個。
<聚合物9：苯乙烯-苯乙烯/丁二烯無規之二官能偶合((A1-C1)×2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.085質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 0.7莫耳。
作為第1步驟，花費3分鐘投入含有苯乙烯10質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，將含有苯乙烯57質量份及丁二烯33質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)花費60分鐘以一定速度連續地投入 反應器，其後，進而進行30分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯-丁二烯之聚合轉化率及重量平均分子量，結果聚合轉化率為100%，重量平均分子量為9.5萬。
其後，相對於正丁基鋰中之鋰含量1莫耳，添加苯甲酸乙酯0.5莫耳，使其反應10分鐘，進行偶合反應(反應中，溫度控制為70℃)。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物9)。所獲得之(聚合物9)之苯乙烯含量為67.0質量%，嵌段A含量為10.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為29.0質量%，重量平均分子量為19.0萬，偶合率為53%，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為6.0g/10min，損耗正切峰頂僅於22.5℃有一個。再者，關於偶合前後之聚合物之比率，重量平均分子量9.5萬之聚合物為47質量%，重量平均分子量19.0萬之聚合物為53質量%。
<聚合物10：苯乙烯-苯乙烯/丁二烯無規-苯乙烯之氫化物(A1-C1-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.08質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 1.2莫耳，相對於TMEDA添加NaOAm 0.05莫耳。
作為第1步驟，花費5分鐘投入含有苯乙烯12.5質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉 化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，將含有苯乙烯15質量份及丁二烯60質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)花費60分鐘以一定速度連續地投入反應器，其後，進而進行30分鐘反應(聚合中，溫度控制為60℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯-丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費約3分鐘投入含有苯乙烯12.5質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為95ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物10)。所獲得之(聚合物10)之苯乙烯含量為40.0質量%，嵌段A含量為25質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為40.0質量%，重量平均分子量為13.6萬，氫化率為93%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為6.8g/10min，損耗正切峰頂僅於-33.1℃有一個。
<聚合物11：苯乙烯-苯乙烯/丁二烯無規-苯乙烯之氫化物(A1-C1-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.05質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 0.7莫耳。
作為第1步驟，花費3分鐘投入含有苯乙烯5質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制 為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，將含有苯乙烯68質量份及丁二烯25質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)花費60分鐘以一定速度連續地投入反應器，其後，進而進行30分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯-丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，花費約3分鐘投入含有苯乙烯2質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物11)。所獲得之(聚合物11)之苯乙烯含量為75.0質量%，嵌段A含量為7.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為20.0質量%，重量平均分子量為13.8萬，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為9.9g/10min，損耗正切峰頂僅於38.5℃有一個。
<聚合物12：苯乙烯-苯乙烯/丁二烯無規-苯乙烯之氫化物(A1-C1-A2)>
相對於聚合物每100質量份，將氫化觸媒自以鈦計添加100ppm改變為以鈦計添加45ppm，而進行氫化反應。其他條件與上述(聚合物7)之合成相同，如此進行合成。所獲得之(聚合物12)之氫化率為53%，損耗正切峰為-13.8℃。
<聚合物13：苯乙烯-苯乙烯/丁二烯無規-苯乙烯之氫化物(A1-C1-A2)>
相對於正丁基鋰1莫耳，將TMEDA自添加0.4莫耳改變為添加1.8莫耳，與此同時，相對於TMEDA，新添加NaOAm 0.06莫耳。又，於第2步驟中，將含有苯乙烯13.5質量份及丁二烯76.5質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)代替含有苯乙烯42質量份及丁二烯48質量份之環己烷溶液投入反應器，將溫度自控制為70℃改變為控制為60℃，進行聚合。其他條件與上述(聚合物7)之合成相同，如此進行合成。所獲得之(聚合物13)之苯乙烯含量為23.5質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為55%，重量平均分子量為14.7萬，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為4.9g/10min，損耗正切峰頂僅於-34.7℃有一個。
<聚合物14：苯乙烯-丁二烯-苯乙烯/丁二烯無規-苯乙烯之氫化物(A1-B1-C1-A2)>
與上述(聚合物1)之合成相同地，使用內容積為10L之攪拌裝置及附有套管之槽型反應器，利用以下之方法進行分批聚合。使環己烷1L充滿反應器，溫度調整為70℃後，相對於總單體100質量份添加正丁基鋰0.05質量份，相對於正丁基鋰1莫耳添加TMEDA 0.5莫耳。
作為第1步驟，花費6分鐘投入含有苯乙烯10質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第2步驟，花費10分鐘投入含有丁二烯20質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯-丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第3步驟，將含有苯乙烯35質量份及丁二烯25質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)花費45分鐘以一定速度連續地投入反應器，其後，進而進行30分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於 該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯-丁二烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，作為第4步驟，花費約6分鐘投入含有苯乙烯10質量份之環己烷溶液(單體濃度22質量%)，其後，進而進行20分鐘反應(聚合中，溫度控制為70℃)。於該時間點，對聚合物溶液取樣，測定苯乙烯之聚合轉化率，結果為100%。
其次，於所獲得之共聚物中，相對於聚合物每100質量份添加以鈦計為100ppm之上述氫化觸媒，以氫壓0.7MPa、溫度70℃進行氫化反應。其後，添加甲醇，其次，相對於聚合物100質量份，添加3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸十八烷基酯0.3質量份作為穩定劑，獲得(聚合物14)。所獲得之(聚合物14)之苯乙烯含量為55.0質量%，嵌段A含量為20.0質量%，氫化前之丁二烯嵌段部之乙烯基鍵結量為30.5質量%，重量平均分子量為15.8萬，氫化率為98%，MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)為4.3g/10min，損耗正切峰頂為-45.2℃及20.1℃二者。
將所獲得之氫化共聚物(聚合物1~14)之組成、結構、分子量等測定結果示於下述表1、2。
(實施例1~16、比較例1~5)
將構成基材層之聚乙烯(旭化成化學公司製造、商品名「CREOLEX T5070L」、MFR(190℃、2.16kg荷重)=7.0g/10min)及構成黏著劑層之上述氫化嵌段共聚物(1)、氫化共聚物(2)及氫化共聚物(3)以表3、4所示之比率調配，供給至各擠出機，藉由T模方式共擠出法將兩層一體化而共同擠出，製作基材層厚度40μm、黏著劑層厚度15μm之表面保護膜。為了評價實施例1~16及比較例1~5所獲得之表面保護膜之性能，對接著強度(初期接著強度、加熱黏著促進後接著強度)、密接性及糊劑殘留性進行測定、評價。將該等結果示於表3、4。再者，表中之黏著賦予劑樹脂為Yasuhara Chemical公司製造之商品名「Clearon P125」。
如表3、4所示，實施例1~16中，均於初期具有充分之接著強度，加熱促進後之接著強度不變得過高，發揮優異密接性。即，評價為對於被黏著體之密接性優異，發揮實用上良好之初期黏著力，即便長時間接著，接著強度之經時變化亦較少，可始終容易地剝離。進而，該等實施例於糊劑殘留性之方面亦發揮優異性能。
另一方面，比較例1中，由於為僅有聚合物1之組成，故雖然初期接著力優異，但因加熱黏著促進，接著強度變得過強，無法獲得實用上良好之評價。
比較例2、3中，由於分別為僅有聚合物8、9之組成，故接著強度較差，無法獲得實用上良好之評價。
又，比較例4中，氫化嵌段共聚物(聚合物5)之乙烯基含量較低，故於密接性、加熱黏著促進接著強度之任一方面均無法獲得實用上良好之評價，進而，關於糊劑殘留性，亦無法獲得良好之評價。
實施例13中，氫化嵌段共聚物(聚合物6)之MFR(溫度230℃、荷重2.16kg)較高，故於密接性、初期接著強度、加熱黏著促進接著強度、進而糊劑殘留性方面均獲得實用上良好之評價，但於製膜時例如可見各層之厚度不均，關於成型加工性，雖無實用上之問題，但與其他實施例相比稍差。
實施例14中，氫化嵌段共聚物(聚合物7)之氫化率較低，故於密接性、初期接著強度、加熱黏著促進接著強度、進而糊劑殘留性方面均獲得實用上良好之評價，但關於密接性，與其他實施例相比較差。此外，於製膜時例如於黏著層可見凝膠，關於成型加工性，亦與其他實施例相比稍差。
進而，比較例5中，氫化共聚物(聚合物12)之氫化率較低，故於密接性、糊劑殘留性之任一方面均無法獲得實用上良好之評價，進而，關於糊劑殘留性，亦無法獲得良好之評價。
實施例15中，氫化共聚物(聚合物13)之乙烯基含量較低，故於密接性、初期接著強度、加熱黏著促進接著強度、進而糊劑殘留性方面均獲得實用上良好之評價，但關於加熱黏著促進接著強度，雖無實用上之問題，但與實施例2相比稍差。
實施例16中，氫化共聚物(聚合物14)之損耗正切之峰頂於特定之範圍內有2個，故於密接性、初期接著強度、加熱黏著促進接著強度、進而糊劑殘留性方面均獲得實用上良好之評價，但關於密接性、加熱黏著促進接著強度，雖無實用上之問題，但與實施例2相比稍差。
本申請案係基於2014年4月8日向日本專利廳提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2014-79719)者，其內容作為參照被編入本文。
[產業上之可利用性]
本發明之黏著性組合物及具備其之表面保護膜對於被黏著體具有適度之初期黏著性，並且即便於置於嚴酷加熱環境下之情形時，亦抑制接著增強，可將表面保護膜自被黏著體容易地剝離，且不因糊劑殘留或污點等污染被黏著體表面。可暫時黏於合成樹脂板、金屬板、化妝合板、被覆塗裝鋼板、各種銘牌等之表面，用以防止該等被黏著體之加工時或搬送、保管時之損傷或污染。

Claims (18)

  1. 一種組合物，其含有：氫化嵌段共聚物(1)，其含有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A及將共軛二烯單體單元作為主體之嵌段B，且氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為50%以上；及氫化共聚物(2)，其含有無規地包含乙烯基芳香族化合物單體單元及共軛二烯單體單元之嵌段C，不具將共軛二烯單體單元作為主體之嵌段B，且基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為90%以上。
  2. 如請求項1之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為5~30質量%，且上述氫化共聚物(2)中之乙烯基芳香族化合物單體單元之含量為40~80質量%。
  3. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為90%以上，上述氫化共聚物(2)進而具有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A，上述氫化共聚物(2)之基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為93%以上，上述氫化共聚物(2)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為20%以上且未達50%，且於上述氫化共聚物(2)之動態黏彈性之圖譜中，於-70~50℃之範圍僅具有1個損耗正切之峰頂。
  4. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化共聚物(2)具有下述結 構：C、(A-C)n、A-(C-A)n、C-(A-C)n、[(C-A)n]m-X、[(A-C)n]m-X、[(C-A)n-C]m-X、[(A-C)n-A]m-X、(C-A)n-X-(A)p。(此處，A為乙烯基芳香族化合物聚合物嵌段(嵌段A)，C為共軛二烯與乙烯基芳香族化合物之無規共聚物或共軛二烯與乙烯基芳香族化合物之無規共聚物嵌段(嵌段C)，m為2以上之整數，n及p為1以上之整數，X表示偶合劑之殘基或多官能起始劑殘基。
  5. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為90%以上。
  6. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化共聚物(2)之基於共軛二烯單體單元之雙鍵之氫化率為93%以上。
  7. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之熔體流動速率(g/10min)於溫度230℃、荷重2.16kg之條件下為1.0~30。
  8. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化共聚物(2)進而具有將乙烯基芳香族化合物單體單元作為主體之嵌段A。
  9. 如請求項8之組合物，其中上述氫化共聚物(2)中所含之嵌段A之含量為5.0~30質量%。
  10. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化共聚物(2)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量未達50%。
  11. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化共聚物(2)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量為20%以上且未達50%。
  12. 如請求項1或2之組合物，其中於上述氫化共聚物(2)之動態黏彈性之圖譜中，於-70~50℃之範圍僅具有1個損耗正切之峰頂。
  13. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)之重量平均分子量超過10萬。
  14. 如請求項1或2之組合物，其中上述氫化嵌段共聚物(1)相對於上 述氫化共聚物(2)之質量比為95~5/5~95。
  15. 如請求項1或2之組合物，其進而含有重量平均分子量為上述氫化共聚物(2)之0.30~0.70倍之氫化共聚物(3)。
  16. 如請求項15之組合物，其中上述氫化共聚物(3)之氫化前之共軛二烯單體單元之乙烯基鍵結量未達50%。
  17. 一種組合物，其相對於如請求項1至16中任一項之組合物100質量份，含有0~100質量份之黏著賦予樹脂。
  18. 一種表面保護膜，其含有如請求項1至17中任一項之組合物。
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