TWI566842B - 塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體 - Google Patents

塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體 Download PDF

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一野克憲
吉原孝介
寺下裕一
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東京威力科創股份有限公司
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Description

塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體
本發明，係關於在基板形成塗佈膜之塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法及使用於前述裝置之包含電腦程式的記憶媒體。
在向基板進行塗佈膜之形成處理例如光阻膜之形成處理時，由於要快速地進行成膜，因此，廣泛地使用被稱為旋轉塗佈的手法。在該旋轉塗佈中，係將基板之背面保持於旋轉夾盤，對基板之表面的中心部供給光阻劑。且，使基板旋轉，藉由離心力將光阻劑擴散到基板之周緣部。接下來，亦繼續基板之旋轉而使基板表面之光阻劑乾燥，形成光阻膜。
為了快速地進行前述光阻劑之乾燥，而考慮提高基板之旋轉數，並促進光阻劑中之溶劑的揮發。但是，因基板上之氣流的雷諾數，該旋轉數之上限會被限制。具體說明，越提高基板之旋轉數，則前述雷諾數越高，當雷諾數超過預定值時，基板上之氣流會形成為亂 流。於是，已亂流化之氣流會被轉印於光阻膜表面。亦即，在光阻膜上形成有沿著氣流之凹凸，而基板之面內中之光阻膜的面內均勻性會下降。
作為基板之半導體晶圓(以下，記載為晶圓)，係朝大型化進展，例如探討使用其直徑為450mm者。如此一來，當晶圓變大時，如後述之評定試驗所示，在晶圓之周緣部中可抑制前述凹凸之形成之旋轉數的上限會降低。亦即，在光阻劑塗佈後之乾燥工程需要長時間，進而預測生產率會下降。
在專利文獻1中，記載有下述技術：關於以與方形基板之角隅部對向的方式在該基板之上方設置環狀的板體，如上述，對塗佈有光阻劑之基板上的氣流進行整流。但是，如在實施形態中進行詳細說明般，當設置像這樣的板體時，朝向該板體之開口部的氣流會在該板體的內周端附近急遽變化而朝向下方。如此一來，存在有下述問題：藉由暴露於朝向下方的氣流而進行乾燥的方式，基板面內之前述板體之內周端附近的乾燥速度與其他部位之乾燥速度不同的結果，乾燥後之光阻膜會在該內周端附近局部變大。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-235950號公報
本發明，係有鑑於對像這樣之情事進行研究者，其目的，係在基板形成塗佈膜時，提高生產率並且提高基板面內之塗佈膜之膜厚的均勻性。
本發明之塗佈膜形成裝置，係具備有：基板保持部，水平地保持基板；旋轉機構，使保持於前述基板保持部的基板旋轉；塗佈液供給機構，為了在前述基板形成塗佈膜而供給塗佈液；環狀構件，為了在前述基板之旋轉所進行之塗佈液之液膜的乾燥時，對基板之周緣部上方的氣流進行整流，而以覆蓋基板之周緣部上方的方式，沿著基板之圓周方向設成為環狀；及突起部，為了減少前述環狀構件之內周端附近之朝向氣流正下方的成分，而在前述環狀構件的內周緣部沿著圓周方向而設，且向上方突出。
根據本發明，為了覆蓋保持於基板保持部之基板的周緣部上方，並對該周緣部上的氣流進行整流，而設置有環狀構件，在該環狀構件之內周緣部沿著圓周方向設置有向上方突出的突起部。藉由前述整流構件，可抑制 在提高基板之旋轉數時亂流形成於基板之周緣部上的情形。且，藉由前述突起部，可減少內周端附近之朝向氣流正下方的成分，且在該內周端附近抑制基板之塗佈膜的局部隆起。作為其結果，可提高生產率，且可提高塗佈膜之膜厚的均勻性。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧光阻塗佈裝置
10‧‧‧控制部
11‧‧‧旋轉夾盤
13‧‧‧旋轉驅動部
16‧‧‧風扇過濾單元
2‧‧‧杯體
33‧‧‧光阻劑噴嘴
41‧‧‧環板
45‧‧‧突起部
[圖1]光阻塗佈裝置之縱剖面側視圖。
[圖2]前述光阻塗佈裝置之平面圖。
[圖3]前述光阻塗佈裝置之立體圖。
[圖4]前述光阻塗佈裝置所進行之晶圓處理的工程圖。
[圖5]前述光阻塗佈裝置所進行之晶圓處理的工程圖。
[圖6]前述光阻塗佈裝置所進行之晶圓處理的工程圖。
[圖7]前述光阻塗佈裝置中之環板周圍之氣流的示意圖。
[圖8]比較例之前述光阻塗佈裝置中之環板周圍之氣流的示意圖。
[圖9]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖10]圖9之環板周圍之氣流的示意圖。
[圖11]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖12]圖10之環板周圍之氣流的示意圖。
[圖13]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖14]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖15]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖16]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖17]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖18]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖19]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖20]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖21]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖22]表示其他環板之構成的平面圖。
[圖23]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖24]表示其他環板之構成的縱剖面側視圖。
[圖25]表示評估試驗之結果的圖表。
[圖26]表示評估試驗之結果的圖表。
[圖27]表示評估試驗之結果的圖表。
[圖28]表示評估試驗之結果的圖表。
[圖29]表示評估試驗之結果的圖表。
[圖30]表示評估試驗之結果的圖表。
[圖31]表示評估試驗之結果的圖表。
為本發明之塗佈膜形成裝置的一實施形態，且參閱圖1之縱剖面側視圖與圖2之平面圖，說明關於對 晶圓W供給光阻劑而形成光阻膜的光阻塗佈裝置1。光阻塗佈裝置1，係透過真空吸附晶圓W的背面中央部，具備有作為水平保持該晶圓W之基板保持部的旋轉夾盤11。該旋轉夾盤11，係由下方經由軸部12被連接於作為旋轉機構的旋轉驅動部13，並可藉由該旋轉驅動部13在垂直軸旋轉。
在旋轉夾盤11之下方側，係包圍軸部12而設置有圓形板14。經由設置於圓形板14的孔，3根升降銷15可進行升降(在圖1中，升降銷15係僅表示2個)。能夠在光阻塗佈裝置1之外部的搬送機構與旋轉夾盤11之間，收授晶圓W。圖中17，係使升降銷15升降的銷升降機構。
以包圍前述旋轉夾盤11，而設有杯體2。杯體2，係為了接取自旋轉之晶圓W飛散灑落的廢液並且將該廢液排出至光阻塗佈裝置1外，而進行引導。杯體2，係具備有環狀設置於前述圓形板14之周圍的山型導引部21。山型導引部21，係具有將自晶圓W灑落的液體引導至晶圓W外側下方的功能，其剖面形狀係形成為山型。以從山型導引部21之外周端向下方延伸的方式，設置有環狀的垂直壁22。
又，設置有：垂直的筒狀部23，包圍山型導引部21之外側；上側導引部24，從該筒狀部23之上緣朝向內側上方傾斜延伸。在上側導引部24，係於圓周方向設有複數個開口部25。又，筒狀部23的下方側係形成 為凹部狀，在山型導引部21的下方形成有環狀的液體承接部26。在該液體承接部26中，係連接有排液路徑27並且以從下方突入的形式設置有排氣管28。
垂直的筒狀部31，係以從上側導引部24之基端向上方延伸的方式而設，且以從該筒狀部31之上緣向內側上方延伸出的方式設置有傾斜壁32。藉由傾斜壁32、上側導引部24及筒狀部23、31，從晶圓W予以接取因該晶圓W之旋轉而飛散的液體，所接取的液體會被引導到晶圓W之外側下方而導入至排液路徑27。在杯體2之上方設置有風扇過濾單元16。在處理晶圓W的期間，係從風扇過濾單元16朝向下方之杯體2供給潔淨的氣體，並且藉由前述排氣管28進行杯體2內的排氣。
在該光阻塗佈裝置1設置有光阻劑噴嘴33。光阻劑噴嘴33，係連接於光阻劑供給源34。如圖2所示，光阻劑噴嘴33，係被設置於支臂35的前端。支臂35之基端，係使該支臂35升降，且沿著導引件36連接於可在水平方向移動自如的移動機構37。藉由移動機構37，光阻劑噴嘴33可在晶圓W之上方的預定位置與杯體2之外側的待機區域38之間移動。
光阻塗佈裝置1，係具備有作為整流構件的環板41。在圖3表示環板41之立體圖。該環板41，係以圓形的方式形成為平板的環狀構件，且以覆蓋被保持於旋轉夾盤11之晶圓W之周緣部的方式，沿著該周緣部而形成。環板41，係藉由支撐構件42來水平地予以支撐。支 撐構件42，係連接於升降構件43，該升降構件43，係使環板41在圖1中以虛線所示的上升位置與以實線所示的下降位置之間升降。在使塗佈於晶圓W之光阻劑乾燥時，環板41係位於前述下降位置。該下降位置之環板41的下面與晶圓W表面的距離d1(參閱圖1)，係例如為0.5mm~50mm。在晶圓W之搬送機構與旋轉夾盤11之間收授晶圓W時，環板41係位於上升位置，以使其不干涉前述搬送機構及晶圓W。
將設置於環板41之內側的開口部設為44。該開口部44，形成為圓形。在晶圓W進行旋轉，其周圍形成為負壓環璄時，氣體係經由開口部44從開口部44之上方流入到晶圓W之周圍。藉由該氣體的流入，可防止由形成有前述負壓環境所致之晶圓W周圍的氣流紊亂。
該開口部44之中心與環板41之中心，係位於旋轉夾盤11的旋轉軸上。晶圓W之直徑，係例如為450mm，該情況下，開口部44之直徑，係例如150mm~300mm，在該裝置1中係設成為200mm。在環板41之內周緣部，設置有向上方突出的突起部45。該突起部45，係沿著前述內周緣部於平面視圖下形成為圓環狀。又，在該例中，突起部45，係於環板41之縱剖側面下觀看，設成為矩形。關於突起部45之作用，如後之詳述。
在光阻塗佈裝置1，設置有作為電腦的控制部10。在控制部10中，係安裝有儲存於例如軟碟片、光碟、硬碟、MO(光磁碟)及記憶卡等之記憶媒體的程式。 予以安裝的程式，係包含有如下述般之命令(各步驟)，以使對光阻塗佈裝置1之各部發送控制訊號並控制其動作。具體而言，由旋轉驅動部13所致之晶圓W之旋轉數的變更、光阻劑噴嘴33的移動及從光阻劑供給源34對光阻劑噴嘴33供給光阻劑與否及環板41的升降等之動作，係藉由程式予以控制。
接下來，使用圖4~圖6之工程圖，說明關於使用了上述光阻塗佈裝置1之處理。在環板41位於上升位置的狀態下，藉由未圖示的搬送機構，將晶圓W搬送至光阻塗佈裝置1。藉由升降銷15，將晶圓W收授至旋轉夾盤11，其背面的中央部被吸附保持於旋轉夾盤11(圖4)。晶圓W係以例如3000rpm進行旋轉，並且藉由從待機區域38移動至晶圓W之中心部上的光阻劑噴嘴33，使光阻劑吐出至該晶圓W之中心部。所吐出的光阻劑，係藉由離心力擴展到晶圓W之周緣部而形成光阻膜30，剩餘的光阻劑會從晶圓W之周緣部被甩開(圖5)。在進行該光阻劑之吐出及甩開時，為了防止從晶圓W飛散的光阻劑附著到環板41，而將環板41設成維持為位於上升位置。
停止光阻劑之吐出，晶圓W之旋轉數會下降為例如100rpm，從而調整晶圓W面內之光阻膜30的膜厚。然後，為了使光阻膜30乾燥而使旋轉數上升，並且環板41會移動到下降位置(圖6)。晶圓W之旋轉數達到例如1500rpm，而以該1500rpm繼續進行旋轉。光阻劑噴 嘴33，係退避至待機區域38。
圖7，係以箭頭示意地表示進行該乾燥工程時之環板41周圍之氣流的流向。如上述，從風扇過濾單元16朝向下方之晶圓W供給氣體。又，由於晶圓W係以高速進行旋轉，因此，晶圓W之周圍將形成為負壓環境。藉此，從前述風扇過濾單元16供給的氣體，係經由環板41之開口部44被供給至晶圓W表面的中央部，並形成朝向晶圓W之周緣部流動的氣流。從藉由晶圓W之下方的排氣管28進行排氣的情形來看，流至晶圓W之周緣部的前述氣流，係朝向晶圓W之下方，藉由該排氣管28進行排氣。
從晶圓W之中央部朝向周緣部之氣流之流路的高度會被環板41之下面限制。藉此，可縮小通過環板41之下面之氣流的雷諾數。因此，從前述晶圓W之中央部朝向周緣部的氣流不會形成為亂流，而是作為層流進行流動，如上述，被排氣至排氣管28。如此一來，藉由暴露於層流的方式，在環板41之下面使均勻性提高且進行光阻膜30之乾燥。
又，藉由晶圓W之周圍形成為負壓的方式，從風扇過濾單元16供給至環板41上的氣體，係形成在環板41表面從其外側朝向開口部44流動的氣流。該氣流，係如圖7所示，藉由與突起部45之外側面衝突的方式，分成為：沿著該外側面朝向上方的氣流；及通過突起部45流入至開口部44內之緣部，朝向晶圓W的氣流。且， 通過突起部45的氣流，係在直至供給至晶圓W的期間，受到來自晶圓W之離心力及排氣管28之排氣的作用，並向晶圓W之周緣部側彎曲，朝向該周緣部流動。如上述，由於以氣流被分散的方式，可抑制流入開口部44之氣流的量，因此，流入的氣流會較強地受到前述離心力及排氣的作用，如上述，向晶圓W之周緣部彎曲。亦即，藉由突起部45，可在環板41之內周端附近，減少朝向氣流正下方之晶圓W的成分。
亦參閱圖8進行說明。在該圖8中，係在使用環板100代替環板41而使晶圓W乾燥的情況下，與圖7相同，示意地表示形成於該環板100之周圍的氣流。環板100，係環板41之比較例，除了未設置有突起部45以外，構成為與環板41相同。
在使用環板100的情況下，在環板100上從其外側朝向開口部44流動的氣流不會被突起部45分散，而從開口部44之緣部吸入到下方。亦即，相較於使用環板41的情況，由於大多的氣流會流入至開口部44內，因此，即使受到上述離心力或排氣所致之作用，所吸入的氣流亦直至到達晶圓W為止不會完全朝向晶圓W之周緣部彎曲，而與晶圓W衝突，然後，朝向晶圓W之周緣部流動。亦即，具有多個朝向正下方之成分的氣流會作用於環板41之內周端附近的晶圓W表面。當在氣流中包含多個朝向正下方的成分時，則對於光阻膜30的乾燥作用會變大。因此，前述環板100之內周端附近的光阻膜30容易 乾燥，作為結果，亦如後述之評估試驗所示，在乾燥工程結束之後變得具有比較大的膜厚。
返回到圖7，在使用環板41的情況下，如上述，減少前述內周端附近之朝向氣流正下方的成分。因此，在該內周端附近與其他部位可抑制乾燥狀態不一致的情形。且，如上述，藉由環板41，由於可在晶圓W之周緣部上抑制亂流的發生，因此，晶圓W表面全體會暴露於層流，在晶圓W面內使均勻性提高且進行光阻膜之乾燥。且，在結束光阻劑之吐出之後，經過一預定時間後，停止晶圓W之旋轉。然後，環板41將移動至上升位置，晶圓W會從旋轉夾盤11被收授至未圖示的搬送機構，並搬送到裝置1的外部。
根據該光阻塗佈裝置1，在晶圓W之周緣部上設置有沿著該周緣部而形成的環板41，且沿著該環板41之內周緣部設置有朝向上方的突起部45。透過像這樣的構成，即使為了使光阻膜乾燥而以比較高的旋轉數使晶圓W旋轉，亦可對晶圓W之周緣部上的氣流進行整流而抑制形成為亂流的情形。且，在該旋轉時，由於可抑制具有朝向正下方之成分的氣流聚集在環板41之內周端附近，因此，在晶圓W之面內，可防止前述環板41之前述內周端附近之光阻膜的膜厚局部變大。因此，可控制乾燥工程所需的時間而達到提高生產率，並且可防止光阻膜之膜厚的面內均勻性下降。
說明環板之其他的例子。圖9所示的環板 51，係有關其縱剖面的形狀，與環板41不同。為了說明而將環板之上面設成為52時，該上面52，係構成為從環板51之外周緣部側隨著朝向內周緣部側，相對於水平面的高度逐漸變大。
如此一來，亦參閱圖10說明構成上面52的理由。在圖10中，係在使用環板51代替環板41進行上述之乾燥工程時，以箭頭表示形成於環板51之周圍的氣流。如上述，在光阻膜之乾燥工程中，形成有從環板51之外周緣部側朝向內周緣部側(突起部側)的氣流。透過如上述形成前述上面52的方式，前述氣流會被導引而朝向上方，且可更確實地抑制該氣流流入至開口部44。因此，在環板51之內周端附近，對於上述的晶圓W，可使朝向正下方之氣流的成分更加減少，並提高膜厚之均勻性。在該例中，上面52，係於環板51的縱剖面下觀看，雖形成為曲線狀，但亦可構成為直線狀。如此一來，在構成為直線狀的情況下，亦可將從環板51之外周端直至突起部為止構成為一直線狀，或亦可構成為折線狀。
在環板51，設有突起部53來代替前述突起部45。該突起部53，係於前述縱剖面下觀看，構成為大致呈圓形。以後，為了方便說明，將有關突起部之外側面設成為54，將內側面設成為55進行說明。如上述，由於突起部53之縱剖面為圓形，因此，其外側面54，係構成為具有朝向環板51之內側(中央部側)下降的傾斜面。另外，當前述上面52之開口部44側的端部亦視為構成突起 部者時，該突起部53之外側面54，係具有向內側凹陷的部分，且藉由該凹陷形成有前述傾斜面。
藉由朝向上述之內側下降所形成的傾斜面，從環板51之外周緣部側朝向突起部53流動的氣流，係被引導成朝向前述外周緣部回流(參閱圖10)。藉此，可更確實地抑制流入到開口部44之氣流的量。如此一來，為了使氣流回流，而亦可將前述傾斜面設成為平面來代替曲面。又，如前述圖1之突起部45的外側面般，亦可以具備有垂直面的方式構成外側面54。由於藉由該垂直面可將氣流引導到上方，因此，與具備有前述傾斜面的情況相同，可抑制氣流流入到開口部44。
如上述，由於突起部53，係以前述縱剖面觀看大致呈圓形，因此，其內側面55係構成為向環板51之內側突出，其下部側係構成朝向外側下降的傾斜面。流入至開口部44的氣流，係藉由該傾斜面被引導而朝向晶圓W之周緣部側。因此，可更確實地抑制光阻膜在正下方從氣流受到強烈作用的情形。雖然該內側面55之傾斜面，在該例中為曲面，但亦可構成為平面。
可是，作為設置於環板51的突起部，係從遮敝自環板51之外側朝向內側之氣流的目的來看，於環板51之內周緣部陡峭突出較佳。藉由圖9具體說明突起部為陡峭之情形。將環板51之內周端(在該例中，係突起部53之內周端)的點稱為P1，將從該點P1至環板51之30mm外側的區域稱為L1。在該區域L1中，將頂部稱為 P2，且將比該頂部P2更往外方側區域中之與最低部位P3的差H1為30mm以上的狀態在此稱為突起部陡峭者。
在圖11表示環板61。該環板61，係具備有突起部62，且構成為環板61之上面52與突起部62之外側面54相互連續的曲面。突起部62之內側面係構成為垂直面，突起部62之頂部係構成為水平面。與環板51不同，在環板61中，前述高度的差H1，係設成為小於30mm。亦即，該突起部62未被以陡峭的方式予以構成。
在圖12中，以箭頭表示在晶圓W之乾燥工程時，形成於環板61之周圍的氣流。如上述，藉由設置突起部62，在環板61中，與上述的環板100相比，可抑制流入至開口部44的氣流。但是，由於使用環板51者藉由以突起部53予以遮住的方式，可更確實地抑制從環板之外周緣部朝向開口部44而流至橫方向的氣流流入到該開口部44，因此，可獲得更高的膜厚均勻性。
圖13，係表示關於其他環板的構成例。圖13之環板71，係與前述圖12所說明之環板61大致相同而構成，差異點，係突起部62之內周緣更向上方突出，而形成其剖面之寬度薄的環狀突起部72。突起部72之內側面55、外側面54，係形成為垂直。在圖13中，與圖10、12相同，以箭頭表示光阻膜之乾燥工程時所形成的氣流。圖13之突起部72的寬度L2，係例如為0.01mm~20mm。
圖14之環板73，係除了突起部的形狀以外， 構成為與圖13之環板71相同，且設置有突起部74來代替突起部72。突起部74，係構成為於剖面觀察下為三角形狀，其外側面54係在外側形成下降的傾斜面，內側面55係各別構成垂直。圖15之環板75，亦除了突起部的形狀以外，構成為與圖13之環板71相同，且在環板75設置有突起部76。突起部76，係構成為於剖面觀察下為扇狀，其外側面54係形成垂直面，內側面55係構成曲面。如此一來，由於外側面54為垂直，因此，如上述，抑制氣流流入到開口部44的效果大。
圖16所示之環板77，係在突起部62上設置有於剖面觀察下為半圓狀的突起部78，且構成為以板體之上面52、突起部78之外側面54、內側面55為連續的曲面。圖17之環板81，係設置有於剖面觀察下為三角形狀的突起部82。板體之上面52的外周端部會被垂直地拉出，形成突起部82之外側面54，突起部82之內側面55，係構成朝向內側下降的傾斜面。但是，如圖9、圖10所說明，內側面55，係構成為具備有朝向板體之外側下降的傾斜面為更佳。
圖18之環板83，係具備有突起部84，構成為與圖13之環板71大致相同。差異點，係環板之徑方向中之突起部84的厚度大於環板71之突起部72的該厚度。圖19之環板85，係具備有突起部86。該突起部86和前述圖18之突起部84之間的差異點，係突起部86之外側面54會形成朝向板體之內側下降的傾斜面，與圖10 所說明的環板51相同，可使流到開口部44的氣流回流至環板85的外周緣部側。
突起部之頂部，係如圖18、圖19所示的突起部84、86般，相較於以使環板之徑方向之長度變大的方式來構成，以使該長度變小的方式來構成為較佳。亦即，如圖13所示之突起部72般，構成為於剖面下觀看之寬度小的矩形狀，如圖14~圖17所示的突起部74、76、78、82般，於剖面下觀看以逐漸變細的方式來構成為較佳。這將導致供給至前述頂部的氣流不會被突起部遮住，而流入到開口部44。亦即，因為當前述頂部之徑方向的長度較大時，被突起部所限制之氣流的量將會變少。
在圖20中，更表示其他環板的構成例。有關該環板91之下面，於縱剖面下觀看時，該環板91之外周緣部側係構成為直線狀，內周緣部側係構成為曲線狀。且，該環板91之下面，係構成為越朝向外周緣部側則與晶圓W表面的距離越小。藉此，在晶圓W之周緣部，能夠使氣流的流路更小，從而更確實地抑制氣流的紊亂。又，在晶圓W之中央部側，由於前述下面與晶圓W的距離大，因此，直至進入開口部44後朝向下方的氣流到達晶圓W為止，由於上述的離心力及排氣，而容易朝向晶圓W之周緣部彎曲，且可更確實抑制對晶圓W供給朝向正下方的氣流成分。
又，環板91，係具備有突起部92。突起部92，係於縱剖面下觀看，構成為大致圓形。且，突起部 92之內側面55、其下方之前述環板91之內側面及環板91之下面，係形成為連續的曲面，藉此，構成為從該突起部92之內側面55起直至環板91之下面，未形成角部。藉由該角部，防止氣流紊亂之情形。突起部92之外側面54，係具備有垂直面。
圖21，係表示環板93。該環板93，係除了其下面之形狀不同以外，以與環板91相同的方式來構成。該環板93之下面，係於剖面下觀看，在沿著板體之徑方向而相互分離的複數個部位彎曲，構成為折線狀。如該些圖20、21之例子所示，於徑方向觀看環板，其下面的至少一部位會彎曲，藉此，可構成為從晶圓W表面至前述下面的距離越朝向晶圓W之周緣部則越小。
在上述之各例中，突起部雖係於平面下觀察形成為圓環狀，但不限於構成像這樣的圓環狀，只要是沿著環板之內周緣部形成即可。圖22，係環板94之平面圖。圖中之突起部95，係構成為與例如圖1、圖2之突起部45大致相同。但是，突起部95，係如圖22所示，不是形成為圓環狀，而是在環板94的圓周方向，隔著間隔設置複數個。
可是，在圖17所示的環板81中，在突起部82，係具備有：垂直面，就面臨環板之外方側的外側面54進行下降；及傾斜面，在該垂直面以連續的方式，朝向前述外方側下降，該傾斜面係在環板81之上面52，以連續的方式來形成。雖然朝向前述外方側下降的傾斜面係 曲面，且於剖面下觀看，構成為形成向環板81之內側下方突出的弧，但並不限於像這樣之構成。圖23所示的環板96，係有關前述傾斜面，與環板81不同。該環板96中之傾斜面雖構成為曲面，但如圖示，於剖面下觀看，構成為形成向環板之外側上方突出的弧。又，在外側面54中，朝向前述外方側下降的傾斜面，係不限於如環板81、96般設成為曲面，亦可設成為平面。
又，在圖9所示之環板51，係形成為具備有面臨環板51之中央部側的內側面55朝向內側下降的傾斜面。該傾斜面，雖係於剖面下觀看，形成為構成向環板51之前述中央部側上方突出的弧，但並不限於像那樣之構成。圖24所示之環板97，係具備有突起98。該突起98之內側面55，係與前述環板51之內側面55相同，具備有朝向內側下降而形成的曲面(亦即傾斜面)。但是，該傾斜面，係如圖示，於剖面下觀看，構成為形成向環板97之外側下方突出的弧。又，在內側面55中，像這樣朝向內側下降的傾斜面亦可構成為平面。
關於使環板41移動至上述之下降位置的時機，係不限於上述之例子，亦可在光阻劑吐出時移動至該下降位置。又，將旋轉夾盤11構成升降自如，藉由旋轉夾盤11之升降，亦可構成為在向晶圓W吐出光阻劑時與晶圓W上之光阻劑乾燥時，晶圓W與環板41之下面的距離產生變化。
雖說明了使用光阻劑作為塗佈液之情形，但 亦可將本發明應用於在基板塗佈反射防止膜形成用之藥液或絕緣膜形成用之藥液的情形。又，基板不限於圓形基板，亦可使用方形基板。關於開口部44，亦可形成為方形，在其情況下，沿著方形之開口部44形成突起部。又，到現在為此所說明之環板的各構成，可相互組合。
可是，上述之各突起部，係構成為從環板之內周端的正下方，沿著板體之徑方向，使內側35mm之位置與外側35mm之位置之間的區域中之膜厚分布成為2%以內為較佳。前述膜厚分布，係{(前述區域中之膜厚的最大值-前述區域中之膜厚的最小值)/前述區域所測定之膜厚的平均值}×100。
(評估試驗) 評估試驗1
使用與上述之光阻塗佈裝置1大致相同的裝置，在複數個晶圓W形成光阻膜。但是，在該評估試驗1中所使用的光阻塗佈裝置中，並未設置有上述之環板。晶圓W，係使用直徑為300mm的晶圓W(以後，記載為300mm晶圓W)與450mm的晶圓W(以後，記載為450mm晶圓W)，且在每一晶圓W改變乾燥工程時之旋轉數，並調查光阻膜乾燥所需的時間(稱為膜乾燥時間)。又，針對形成有光阻膜之各300mm晶圓W、450mm晶圓W，調查晶圓W之面內之複數個部位之膜厚的3Sigma。
在圖25之圖表中，表示該評估試驗1之結 果。圖表之縱軸係表示前述膜乾燥時間及3Sigma，圖表之橫軸係表示乾燥工程時之晶圓W的旋轉數。如該圖表所示，越使乾燥工程時之晶圓W的旋轉數上升，越可使前記膜乾燥時間縮短。就3Sigma觀察可知，相較於300mm晶圓W，450mm晶圓W係即使前述旋轉數低但3Sigma仍大，亦即面內均勻性會下降。由該結果可認為，透過在晶圓W上配置實施形態所說明的各環板，且使晶圓W之周緣部上之氣流之流路變小的方式，抑制該氣體之雷諾數的上升，藉此從而抑制亂流發生是有效的。
評估試驗2
與評估試驗1相同，針對複數個晶圓W，改變乾燥工程時之旋轉數，進行光阻膜之形成，且針對該些各晶圓W測定複數個部位之膜厚，計算3Sigma。晶圓W，係與評估試驗1相同，使用300mm晶圓W與450mm晶圓W。關於300mm晶圓W，係與評估試驗1相同，藉由沒有設置環板的光阻塗佈裝置來進行處理。將使用該300mm晶圓W而進行的試驗稱為評估試驗2-1。針對450mm晶圓W，各別使用具備有環板的光阻塗佈裝置與不具備有環板的裝置來進行試驗。針對450mm晶圓W，將使用不具備有前述環板之光阻塗佈裝置1而進行的試驗稱為評估試驗2-2，將使用具備有環板的裝置1而進行的試驗稱為評估試驗2-3。
在圖26之圖表中，表示該評估試驗2之結 果。圖表之縱軸係表示前述膜厚的3Sigma，圖表之橫軸係表示乾燥工程時之晶圓W的旋轉數。又，關於評估試驗2-2、2-3，係藉由在黑色反白的圖示與未反白的黑色圖示來表示試驗之結果。反白之圖示，係表示在晶圓W之周緣部的光阻膜上已確認到有因氣流之轉印而被稱為風切的標記。該風切標記，係從晶圓W之中心部側朝向周緣部側之條紋狀的標記。未反白之圖示，係表示未確認到有前述風切標記。
在乾燥工程之旋轉數為500rpm~800rpm的範圍中，評估試驗2-1、2-2的3Sigma雖為相同程度，但當前述旋轉數變成900rpm以上時，評估試驗2-2的3Sigma係比評估試驗2-1的3Sigma更大。又，當乾燥工程時之旋轉數變成為900rpm以上時，則在評估試驗2-2中確認到有前述風切標記。在評估試驗2-1中，係於乾燥時之旋轉數為500rpm~1800rpm的範圍，未確認到有風切標記。又，於前述旋轉數為800rpm~1200rpm的範圍，評估試驗2-3的3Sigma係小於評估試驗2-1、2-2的3Sigma。且，在評估試驗2-3中，係於前述旋轉數為800rpm~1100rpm的範圍，未確認到有風切標記。
針對將乾燥工程時之旋轉數設成為1200rpm之評估試驗2-1的晶圓W，於圖27之圖表中表示其徑方向的膜厚分布。針對將乾燥工程時之旋轉數設成為1100rpm之評估試驗2-2、2-3的晶圓W，於圖28之圖表中表示其徑方向的膜厚分布。亦即，在圖表中表示評估試驗2- 2中已確認到有風切標記之晶圓W的膜厚分布、評估試驗2-3中未確認到有風切標記之晶圓W的膜厚分布。各圖27、28之圖表的橫軸，係表示從晶圓W之中心的距離，縱軸係表示所測定之光阻膜的膜厚。如該些圖表所示，評估試驗2-3的晶圓W，係與評估試驗2-1的晶圓W相同程度，可抑制各部之膜厚的偏差。特別是，可知相較於評估試驗2-2之晶圓W，評估試驗2-3之晶圓W，係更可抑制周緣部中之膜厚的偏差。
由該評估試驗2之結果，可知藉由設置環板的方式，即使使用直徑比較大的晶圓W，且提高乾燥工程時之該晶圓W的旋轉數，亦可抑制在該晶圓W之周緣部形成有風切標記之情形，並可抑制晶圓W之面內之膜厚的偏差。
評估試驗3
使用光阻塗佈裝置1，在直徑為450mm之晶圓W上形成光阻膜，並沿著晶圓W之徑方向測定光阻膜之膜厚。乾燥時之旋轉數，係設成為1200rpm。該光阻塗佈裝置1，係構成為具備有與圖11、12所示者相同的環板。亦即，在該評估試驗3中，係使用具備有非陡峭構成之突起部62的環板61。所使用之環板61之開口部44的半徑，係100mm。
圖29，係表示評定試驗3之結果。圖表之橫軸，係表示從晶圓W之中心的距離。圖表之縱軸，係表 示光阻膜之膜厚與從晶圓W之表面至環板61之下面的高度。如圖表所示，在環板61之內周緣部下方，雖小至數nm，但確認到有局部之光阻膜隆起。
評估試驗4
使用光阻塗佈裝置，在直徑為450nm的晶圓W上形成光阻膜。作為該光阻塗佈裝置，係使用2種類的裝置。一方的裝置，係與評估試驗3所使用的裝置相同，具備有具備非陡峭形成之突起部62的環板。將使用該一方之裝置的試驗稱為評估試驗4-1。環板之開口部44的半徑，係100mm。另一方之裝置，係具備有具備圖20所示之突起部92的環板，該突起部92係陡峭地予以構成。除了突起部之構成不同以外，一方之裝置與另一方之裝置係相同構成，將使用該另一方之裝置的試驗稱為評估試驗4-2。評估試驗4-1、4-2皆於每一晶圓W改變乾燥工程時的旋轉數，在複數個晶圓W形成光阻膜。且，在各晶圓W確認有無風切標記，並且針對沿著徑方向之複數個部位的膜厚進行測定。
評估試驗4-1、4-2皆針對將乾燥工程時之旋轉數各別設成為800、1000、1100rpm的晶圓W，未確認到有前述風切之標記。由此可認為，不管突起部是否為陡峭，任一環板亦可抑制晶圓W之周緣部的亂流。
在圖30中表示於評估試驗4-1、4-2，乾燥工程之旋轉數設定為1100rpm之晶圓W中之膜厚分布的圖 表。圖表之縱軸係表示膜厚，橫軸係表示從晶圓W之中心的距離。如該圖表所示，評估試驗4-2，係相較於評估試驗4-1，晶圓W之徑方向中之膜厚的變動更小。特別是，在環板之內周緣部下方，可防止膜厚局部變大。又，如此一來，針對前述旋轉數為1100rpm的晶圓W，計算各測定部位中之膜厚的3Sigma後，在評估試驗4-1中係3.4nm，在評估試驗4-2中係1.1nm。因此，透過陡峭地構成突起部的方式，表示可更確實地抑制環板之開口緣部下方之膜厚的上升，並提高晶圓W之面內之膜厚的均勻性。
圖31，係表示各旋轉數中之晶圓W之膜厚之測定結果的棒狀圖。圖表之縱軸，係表示晶圓W之面內所測定之膜厚的最大值-最小值(表示為膜厚差)。乾燥時之晶圓W的旋轉數為800rpm、1000rpm、1100rpm、1200rpm、1400rpm時，任一膜厚差，係評估試驗4-1者大於評估試驗4-2。由該結果可認為，透過陡峭地構成突起部的方式，即使改變乾燥工程時的旋轉數，亦可提高晶圓W之膜厚的均勻性。
1‧‧‧光阻塗佈裝置
10‧‧‧控制部
11‧‧‧旋轉夾盤
12‧‧‧軸部
13‧‧‧旋轉驅動部
14‧‧‧圓形板
15‧‧‧升降銷
16‧‧‧風扇過濾單元
17‧‧‧銷升降機構
21‧‧‧山型導引部
22‧‧‧垂直壁
23‧‧‧筒狀部
24‧‧‧上側導引部
25‧‧‧開口部
26‧‧‧液體承接部
27‧‧‧排液路徑
28‧‧‧排氣管
31‧‧‧筒狀部
32‧‧‧傾斜壁
33‧‧‧光阻劑噴嘴
34‧‧‧光阻劑供給源
41‧‧‧環板
42‧‧‧支撐構件
43‧‧‧升降構件
45‧‧‧突起部
W‧‧‧晶圓
d1‧‧‧距離

Claims (8)

  1. 一種塗佈膜形成裝置，係具備有：基板保持部，水平地保持基板；旋轉機構，使保持於前述基板保持部的基板旋轉；塗佈液供給機構，為了在前述基板形成塗佈膜而供給塗佈液；環狀構件，為了在前述基板之旋轉所進行之塗佈液之液膜的乾燥時，對基板之周緣部上方的氣流進行整流，而以覆蓋基板之周緣部上方的方式，沿著基板之圓周方向設成為環狀；及突起部，為了減少前述環狀構件之內周端附近之朝向氣流正下方的成分，而在前述環狀構件的內周緣部沿著圓周方向而設，且向上方突出，前述突起部中之面臨前述環狀構件之外方側的外側面，係包含垂直面或包含朝向內側及外側中之任一下降的傾斜面，前述傾斜面，係曲面。
  2. 一種塗佈膜形成裝置，係具備有：基板保持部，水平地保持基板；旋轉機構，使保持於前述基板保持部的基板旋轉；塗佈液供給機構，為了在前述基板形成塗佈膜而供給塗佈液；環狀構件，為了在前述基板之旋轉所進行之塗佈液之液膜的乾燥時，對基板之周緣部上方的氣流進行整流，而 以覆蓋基板之周緣部上方的方式，沿著基板之圓周方向設成為環狀；及突起部，為了減少前述環狀構件之內周端附近之朝向氣流正下方的成分，而在前述環狀構件的內周緣部沿著圓周方向而設，且向上方突出，前述突起部中之面臨前述環狀構件之外方側的外側面，係包含向內側凹陷的部分。
  3. 一種塗佈膜形成裝置，係具備有：基板保持部，水平地保持基板；旋轉機構，使保持於前述基板保持部的基板旋轉；塗佈液供給機構，為了在前述基板形成塗佈膜而供給塗佈液；環狀構件，為了在前述基板之旋轉所進行之塗佈液之液膜的乾燥時，對基板之周緣部上方的氣流進行整流，而以覆蓋基板之周緣部上方的方式，沿著基板之圓周方向設成為環狀；及突起部，為了減少前述環狀構件之內周端附近之朝向氣流正下方的成分，而在前述環狀構件的內周緣部沿著圓周方向而設，且向上方突出，前述突起部中之面臨前述環狀構件之中央部側的內側面，係包含垂直面或朝向內側下降的傾斜面，前述傾斜面，係曲面。
  4. 一種塗佈膜形成裝置，係具備有：基板保持部，水平地保持基板； 旋轉機構，使保持於前述基板保持部的基板旋轉；塗佈液供給機構，為了在前述基板形成塗佈膜而供給塗佈液；環狀構件，為了在前述基板之旋轉所進行之塗佈液之液膜的乾燥時，對基板之周緣部上方的氣流進行整流，而以覆蓋基板之周緣部上方的方式，沿著基板之圓周方向設成為環狀；及突起部，為了減少前述環狀構件之內周端附近之朝向氣流正下方的成分，而在前述環狀構件的內周緣部沿著圓周方向而設，且向上方突出，前述突起部中之面臨前述環狀構件之中央部側的內側面，係包含向內側突出的突出面。
  5. 如申請專利範圍第4項之塗佈膜形成裝置，其中，前述突出面，係包含隨著朝向外方側下降的傾斜面。
  6. 如申請專利範圍第第1~5項中任一項之塗佈膜形成裝置，其中，在從前述環狀構件之內周端至30mm外側的區域，頂部與比頂部更往外方側區域中之最低部位之高度的差為30mm以上。
  7. 如申請專利範圍第1~5項中任一項之塗佈膜形成裝置，其中，前述環狀構件之上面，係從該環狀構件之外周緣部側隨著朝向前述突起部而變高。
  8. 如申請專利範圍第1~5項中任一項之塗佈膜形成裝 置，其中，設置有使前述環狀構件對前述基板相對地進行升降之升降機構，前述升降機構，係在藉由前述塗佈液供給機構對基板供給塗佈液時，使前述環狀構件位於第1位置，塗佈液之供給結束後，係使前述環狀構件位於相對於旋轉之基板而比前述第1位置更往接近該基板的第2位置。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10262880B2 (en) * 2013-02-19 2019-04-16 Tokyo Electron Limited Cover plate for wind mark control in spin coating process
JP6032189B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
JP6212066B2 (ja) * 2015-03-03 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
WO2016206708A1 (de) * 2015-06-22 2016-12-29 Ev Group E. Thallner Gmbh Beschichtungskammer
TWI666684B (zh) * 2015-11-16 2019-07-21 日商東京威力科創股份有限公司 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及記憶媒體
JP6465000B2 (ja) * 2015-11-16 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
KR102447277B1 (ko) * 2017-11-17 2022-09-26 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템
WO2020054424A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
JP7202901B2 (ja) * 2019-01-18 2023-01-12 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
US11300880B2 (en) * 2019-12-09 2022-04-12 Nanya Technology Corporation Coating system and calibration method thereof
JP2021167459A (ja) * 2020-04-13 2021-10-21 有限会社 渕田ナノ技研 成膜装置
KR102624576B1 (ko) * 2020-11-23 2024-01-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
TWI792523B (zh) * 2021-08-24 2023-02-11 天虹科技股份有限公司 可提高沉積均勻度的薄膜沉積設備及其遮擋構件
CN116984194A (zh) * 2023-09-27 2023-11-03 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种晶圆涂胶单元风道结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5395649A (en) * 1992-02-04 1995-03-07 Sony Corporation Spin coating apparatus for film formation over substrate
JPH08153668A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sony Corp 粘性材料の塗布装置
TW200807491A (en) * 2006-04-28 2008-02-01 Applied Materials Inc Apparatus for single-substrate processing with multiple chemicals and method of use

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927229B2 (ja) * 1979-09-19 1984-07-04 富士通株式会社 スピンナ−
JPH03175615A (ja) * 1989-12-04 1991-07-30 Hitachi Ltd スピン塗布装置
JP3086022B2 (ja) * 1991-09-13 2000-09-11 東芝キヤリア株式会社 圧縮機
KR100282658B1 (ko) * 1992-02-04 2001-03-02 이데이 노부유끼 기판상에 막형성을 위한 회전도포방법 및 장치
JP3605852B2 (ja) * 1994-05-18 2004-12-22 ソニー株式会社 基板の回転塗布装置
JPH09122558A (ja) * 1995-11-06 1997-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式塗布装置
JP4090648B2 (ja) * 1999-11-18 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
JP2002110513A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 液状膜乾燥方法及び液状膜乾燥装置
JP4043444B2 (ja) * 2004-02-18 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP4895984B2 (ja) * 2007-11-29 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP5514667B2 (ja) * 2010-08-09 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 回転塗布方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5395649A (en) * 1992-02-04 1995-03-07 Sony Corporation Spin coating apparatus for film formation over substrate
JPH08153668A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sony Corp 粘性材料の塗布装置
TW200807491A (en) * 2006-04-28 2008-02-01 Applied Materials Inc Apparatus for single-substrate processing with multiple chemicals and method of use

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