TWI565976B - 偏光性積層膜的製造方法及偏光板的製造方法 - Google Patents

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Description

偏光性積層膜的製造方法及偏光板的製造方法
本發明係關於一種偏光性積層膜的製造方法及偏光板的製造方法。
偏光板被廣泛使用作為液晶顯示裝置之偏光的供應元件或偏光的感測元件。傳統上，作為偏光板，主要使用在聚乙烯醇系偏光膜隔著接合劑貼合由三乙醯纖維素等所構成的保護膜者，但是近年伴隨朝液晶顯示裝置的筆記型個人電腦、手機等行動裝置的擴張，再朝大型電視的擴張等，要求偏光板薄型輕量化。
例如於日本特開2000-338329號公報(專利文獻1)，作為製造薄型偏光板的方法，揭露藉由於基材薄膜的單面上塗佈包含聚乙烯醇系樹脂的溶液，形成樹脂層後，進行一軸延伸，然後染色，而得到具有偏光子層的薄膜，然後於該薄膜的偏光子層側，隔著接合劑貼合保護膜，成為偏光性積層膜後，剝離除去基材薄膜之偏光板的製造方法。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2000-338329號公報
具有偏光子層的薄膜與保護膜的貼合，一般係隔著接合劑，積層該些薄膜，將所得之積層體，例如通過一對貼合滾輪之間等而壓合積層體進行。但是，積層體的壓合時，從其寬度方向的端部，接合劑擠出(漏出)，有貼合滾輪等壓合裝置被污染的問題。該問題，於使用長條的基材薄膜及保護膜連續製造長條的偏光性積層膜、偏光板的情況，特別嚴重，於如此的連續製造中，附著於貼合滾輪等壓合裝置之接合劑逐漸地轉印至上述積層體的外側表面(與壓合裝置的接觸面)，而污染偏光性積層膜及偏光板本身。
另一方面，為了抑制接合劑從積層體端部擠出，減少接合劑的供應量，積層體壓合時，接合劑不存在於寬度方向的兩端部分時，該兩端部分會產生接合不良。
因此，本發明的目的，在於提供在保護膜貼合時，可一邊防止薄膜兩端部分的接合不良，一邊防止因接合劑造成之壓合裝置、薄膜表面的污染之偏光性積層膜及偏光板的製造方法。
本發明包含下述者。
[1]偏光性積層膜的製造方法，包括：準備偏光性薄膜的步驟，該偏光性薄膜係於基材薄膜的至少一側的面具備偏光子層，該偏光子層係由吸附配向有二 色性色素之聚乙烯醇系樹脂層所構成，且與前述基材薄膜的寬度相同或比其寬度窄；以及於前述偏光性薄膜的一側的面上，於設置於基材薄膜的前述一側的面之偏光子層上，隔著第1接合劑層，配置寬度比前述偏光性薄膜寬之第1保護膜，於前述偏光性薄膜的另一側的面上，配置寬度比前述偏光性薄膜寬之第2保護膜，得到偏光性積層膜的步驟；其中以下述方式配置前述第1及第2保護膜：使前述第1及第2保護膜的寬度方向兩端，分別位於比前述偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側處，同時使前述第1接合劑層的寬度方向兩端，分別位於比前述偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側處，且位於比前述第1及第2保護膜的寬度方向兩端更內側處。
[2]如[1]記載之偏光性積層膜的製造方法，更包括：於前述配置第1及第2保護膜的步驟後，藉由在前述偏光子層的寬度方向兩端的位置或比其內側的位置切斷，除去前述偏光性積層膜的寬度方向兩端部分之步驟。
[3]如[1]記載之偏光性積層膜的製造方法，其中前述準備偏光性薄膜的步驟包括：於前述基材薄膜的至少一側的面，藉由塗佈含有聚乙烯醇系樹脂的塗佈液，形成聚乙烯醇系樹脂層的步驟；將具有聚乙烯醇系樹脂層的基材薄膜進行一軸延伸的步驟；以及將一軸延伸過的薄膜之聚乙烯醇系樹脂層以二色性色素染色，成為偏光子層的步驟。
[4]偏光板的製造方法，包括：準備藉由[2]記載的方法所製造之偏光性積層膜的步驟；以及從前述偏光性積層膜，剝離除去前述基材薄膜，得到於前述偏光子層貼合有前述第1保護膜之第1偏光板的步驟。
[5]如[4]記載之偏光板的製造方法，其中前述偏光性薄膜，於前述基材薄膜的兩面具備前述偏光子層；前述配置第1及第2保護膜的步驟中，前述第2保護膜係以下述方式配置，於前述偏光性薄膜的另一側的面上，隔著第2接合劑層，使前述第2接合劑層的寬度方向兩端分別位於比前述偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側處，且位於比前述第1及第2保護膜的寬度方向兩端更內側處；從前述偏光性積層膜，剝離除去前述基材薄膜，得到前述第1偏光板以及於前述偏光子層貼合有前述第2保護膜之第2偏光板。
根據本發明的方法，可防止接合劑從薄膜端部擠出，同時遍及偏光膜的與保護膜貼合面的全面且均勻地形成接合劑層。所以，根據本發明的偏光性積層膜及偏光板的製造方法，保護膜貼合時，可一邊防止薄膜兩端部分的接合不良，一邊防止因接合劑造成之壓合裝置、薄膜表面的污染。
100、600‧‧‧基材薄膜
110‧‧‧偏光子層
120、130‧‧‧未塗佈區域
200‧‧‧第1保護膜
250‧‧‧第1接合劑層
300‧‧‧第2保護膜
350‧‧‧第2接合劑層
500‧‧‧偏光性積層膜
700‧‧‧第1偏光板
W1、W2、W3‧‧‧寬度
第1圖係表示關於本發明的偏光性積層膜的製造方法及偏光 板的製造方法之較佳實施態樣的流程圖。
第2圖係表示貼合步驟之一例的斜視示意圖。
第3圖係表示於貼合步驟，第1及第2保護膜貼合於偏光性薄膜之狀態的一例之上視示意圖。
第4圖係表示第3圖所示之IV-IV線的剖面示意圖。
第5圖係表示剝離步驟之基材薄膜的剝離方向與偏光子層的配向方向的關係之上視示意圖。
第6圖係表示剝離點之偏光性積層膜與第1偏光板所成的角度Φp以及偏光性積層膜與基材薄膜所成的角度Φk之關係的側視示意圖。
以下，顯示實施態樣，詳細地說明關於本發明之偏光性積層膜的製造方法及偏光板的製造方法。
〈偏光性積層膜的製造方法〉
第1圖係表示關於本發明的偏光性積層膜的製造方法及偏光板的製造方法之較佳實施態樣的流程圖。
本實施態樣的偏光性積層膜的製造方法，依序包括：準備於基材薄膜的至少一側的面具備偏光子層的偏光性薄膜之步驟；於偏光性薄膜的一側的面上，於設置於基材薄膜的上述一側的面之偏光子層上，隔著第1接合劑層貼合、配置第1保護膜，於偏光性薄膜的另一側的面上，配置第2保護膜，得到偏光性積層膜之貼合步驟S40；以及除去偏光性積層膜的寬度方向兩端部分之除去步驟S50。
而且，於本實施態樣中，上述準備偏光性薄膜之步 驟，依序包括：於基材薄膜的至少一側的面，形成聚乙烯醇系樹脂層之樹脂層形成步驟S10；將具有聚乙烯醇系樹脂層的基材薄膜進行一軸延伸的延伸步驟S20；以及將一軸延伸的薄膜之聚乙烯醇系樹脂層以二色性色素染色，成為偏光子層的染色步驟S30。
於上述貼合步驟S40，第1及第2保護膜，使用寬度比偏光性薄膜寬者。第1、第2保護膜，以使該些的寬度方向兩端分別位於比偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側之方式而配置於偏光性薄膜上。此時，調整第1接合劑層的寬度，以使第1接合劑層的寬度方向兩端，分別位於比偏光性薄膜的寬度方向的兩端更外側，且位於比第1及第2保護膜的寬度方向的兩端更內側。
再者，如後述，於本實施態樣中，偏光板，可藉由實施至除去步驟S50為止，從所得之寬度方向兩端部分經除去的偏光性積層膜，剝離除去基材薄膜而得(剝離步驟S60)。
以下，更詳細說明本實施態樣的偏光性積層膜的製造方法所具備之S10至S50之各步驟。
[1]樹脂層形成步驟S10
本步驟係於基材薄膜的至少一側的表面上，形成聚乙烯醇系樹脂層之步驟。該聚乙烯醇系樹脂層，係經過延伸步驟S20及染色步驟S30，成為偏光子層之層。本步驟，可藉由從將長條的基材薄膜捲取成之捲狀體，連續地捲出基材薄膜，於捲出的基材薄膜上連續地形成聚乙烯醇系樹脂層而連續地實施。
聚乙烯醇系樹脂層，可藉由塗佈含有聚乙烯醇系樹脂的塗佈液於基材薄膜表面，依據需要使塗佈層乾燥而形成。根據如此的方法，可使聚乙烯醇系樹脂層，甚至使偏光子層的厚度 變小，對偏光性積層膜及偏光板的薄型化有利。
塗佈液的塗佈方法，可從線棒塗佈法、逆向塗佈法、凹版塗佈法等滾輪塗佈法；模具塗佈法；缺角輪塗佈法(comma coating)；唇嘴塗佈法；旋轉塗佈法；網版塗佈法；噴泉塗佈法(fountain coating)；浸塗法；或噴塗法等習知的方法適當選擇。
為了提高基材薄膜與聚乙烯醇系樹脂層的密合性，可於基材薄膜與聚乙烯醇系樹脂層之間設置底塗(primer)層。從密合性的觀點，底塗層係以由含有聚乙烯醇系樹脂及交聯劑等之樹脂組成物形成較理想。
於塗佈塗佈液的步驟中，於基材薄膜的寬度方向兩端部分，可設置不塗佈塗佈液之未塗佈區域。未塗佈區域，可為從基材薄膜的寬度方向兩端朝內側分別0.5 cm以上20 cm以下(較理想為10 cm以下)的區域。藉由設置未塗佈區域，可抑制塗佈層乾燥時產生之基材薄膜的寬度方向兩端部分的彎曲。該未塗佈區域，於延伸步驟S20中，或其後捲取薄膜的情況時，因會產生可能引起薄膜斷裂之縐褶，可藉由在延伸步驟S20前或者延伸步驟S20後且捲取薄膜前，切斷未塗佈區域而除去。
當於整面基材薄膜塗佈塗佈液的情況，聚乙烯醇系樹脂層(然後為偏光子層)的寬度與基材薄膜的寬度相同。另一方面，當設置上述未塗佈區域並塗佈塗佈液的情況，聚乙烯醇系樹脂層(然後為偏光子層)的寬度比基材薄膜的寬度窄。
塗佈層的乾燥，係於塗佈液含有溶劑的情況，為了從塗佈層除去溶劑而實施。乾燥溫度及乾燥時間，依據溶劑的種類而設定。乾燥溫度例如為50至200℃，較理想為60至150℃。 乾燥時間例如為2至20分鐘。
聚乙烯醇系樹脂層，可只形成於基材薄膜之一側的面，亦可形成於兩面，可由1個偏光性積層膜得到2個偏光板，由於在偏光板的生產性提高的方面上有利，故以於基材薄膜的兩面形成聚乙烯醇系樹脂層較理想。於該情況，以於基材薄膜的兩面形成上述底塗層較理想。而且，於基材薄膜的兩面形成聚乙烯醇系樹脂層的情況，該些聚乙烯醇系樹脂層，通常以於基材薄膜面內之形成位置一致之方式形成。
聚乙烯醇系樹脂層的厚度，超過3μm且30μm以下較理想，更理想為5至20μm。只要是具有該範圍內的厚度之聚乙烯醇系樹脂層，經過後述的延伸步驟S20及染色步驟S30，可得到二色性色素的染色性良好偏光特性佳且厚度夠小的偏光子層。聚乙烯醇系樹脂層的厚度超過30μm時，偏光子層的厚度會超過10μm。
(塗佈液)
上述塗佈液，較理想為聚乙烯醇系樹脂粉末溶解於良溶劑(例如水)所得之聚乙烯醇系樹脂溶液。作為聚乙烯醇系樹脂，可舉例如聚乙烯醇樹脂及其衍生物。作為聚乙烯醇樹脂的衍生物，除了聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮乙醛等以外，尚可舉例如聚乙烯醇樹脂經乙烯、丙烯等烯烴，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸(Crotonic acid)等不飽和羧酸，不飽和羧酸的烷酯、丙烯醯胺等改性者。上述聚乙烯醇系樹脂中，以使用聚乙烯醇樹脂較理想。
聚乙烯醇系樹脂的平均聚合度，較理想為100至10000，更理想為1000至10000。聚乙烯醇系樹脂的平均皂化度， 較理想為80至100莫耳%，更理想為94莫耳%以上。
塗佈液，依據需要，可含有可塑劑、界面活性劑等添加劑。作為可塑劑，可使用多元醇或其縮合物等，例示如甘油、二甘油、三甘油、乙二醇、丙二醇、聚乙二醇等。添加劑的調配量，適合為聚乙烯醇系樹脂的20重量%以下。
(基材薄膜)
基材薄膜，可由熱塑性樹脂構成，其中以由透明性、機械強度、熱安定性、延伸性等佳之熱塑性樹脂構成較理想。如此的熱塑性樹脂的具體例，例如包括：鏈狀聚烯烴系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂(降莰烯(Norbornene)系樹脂等)等聚烯烴系樹脂；聚酯系樹脂；(甲基)丙烯酸系樹脂；纖維素三乙酸酯、纖維素二乙酸酯等纖維素酯系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；聚乙烯醇系樹脂；聚乙酸乙烯酯系樹脂；聚芳香酯系樹脂；聚苯乙烯系樹脂；聚醚碸系樹脂；聚碸系樹脂；聚醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；及該些的混合物、共聚物等。
由於塗佈塗佈液之平滑性佳及延伸步驟S20之延伸性佳等的理由，基材薄膜以包含選自鏈狀聚烯烴系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂及纖維素酯系樹脂所成群的至少之一種較理想。
基材薄膜，可為1種或2種以上的熱塑性樹脂所構成的1層的樹脂層所構成的單層構造，亦可為1種或2種以上的熱塑性樹脂所構成的樹脂層複數積層之多層構造。
作為鏈狀聚烯烴系樹脂，除了聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂等鏈狀烯烴的同元聚合物以外，尚可舉例如2種以上鏈狀烯 烴所構成的共聚物。鏈狀聚烯烴系樹脂所構成的基材薄膜，就容易安定地高倍率延伸的點而言較理想。其中，基材薄膜，更理想為由聚丙烯系樹脂(丙烯的同元聚合物之聚丙烯樹脂、以丙烯為主體之共聚物等)、聚乙烯系樹脂(乙烯的同元聚合物之聚乙烯樹脂、以乙烯為主體之共聚物等)等所構成。
適合使用作為構成基材薄膜的熱塑性樹脂之例之一的以丙烯為主體之共聚物，係丙烯及可能與其共聚合之其他單體的共聚物。
作為可能與丙烯共聚合之其他單體，可舉例如乙烯、α-烯烴。作為α-烯烴，以使用碳數4以上的α-烯烴較理想，更理想為碳數4至10的α-烯烴。碳數4至10的α-烯烴的具體例，包括例如1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯等直鏈狀單烯烴類；3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯等分支狀單烯烴類；乙烯基環己烷等。丙烯及可能與其共聚合之其他單體的共聚物，可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。
上述其他的單體之含量，於共聚物中，例如為0.1至20重量%，較理想為0.5至10重量%。共聚物中其他單體的含量，係根據「高分子分析手冊」(1995年、紀伊國屋書店發行)的第616頁記載之方法，藉由進行紅外線(IR)光譜測定而求得。
上述之中，作為聚丙烯系樹脂，較理想為使用丙烯的同元聚合物、丙烯-乙烯無規共聚物、丙烯-1-丁烯無規共聚物或丙烯-乙烯-1-丁烯無規共聚物。
聚丙烯系樹脂的立體規則性，實質上為等規(isotactic)或間規(syndiotactic)較理想。實質上具有等規或間規的立 體規則性之聚丙烯系樹脂所構成的基材薄膜，其操作性較佳，同時高溫環境下之機械強度也佳。
基材薄膜，可由1種鏈狀聚烯烴系樹脂所構成，亦 可由2種以上鏈狀聚烯烴系樹脂的混合物所構成，亦可由2種以上鏈狀聚烯烴系樹脂的共聚物所構成。
環狀聚烯烴系樹脂，係以環狀烯烴為聚合單元聚合之樹脂的總稱，可舉例如日本特開平1-240517號公報、日本特開平3-14882號公報、日本特開平3-122137號公報等記載之樹脂。環狀聚烯烴系樹脂的具體例，例如環狀烯烴的開環(共)聚合物、環狀烯烴的加成聚合物、環狀烯烴與乙烯、丙烯等鏈狀烯烴的共聚物(代表為無規共聚物)以及該些經不飽和羧酸、其衍生物改性之接枝聚合物，以及該些的氫化物等。其中，作為環狀烯烴使用降莰烯、多環降莰烯系單體等降莰烯系單體之降莰烯系樹脂較理想。
環狀聚烯烴系樹脂，有各種製品市售。作為環狀聚烯烴系樹脂的市售品之例，以下皆以商品名，可舉例如「Topas」(Topas Advanced Polymers GmbH公司製、可由Polyplastics(股)公司取得)、「Arton」(JSR(股)公司製)、「ZEONOR」(日本Zeon(股)公司製)、「ZEONEX」(日本Zeon(股)公司製)、「APEL」(日本三井化學(股)公司製)等。
而且，以下皆以商品名，可使用「Escena」(積水化學工業(股)製)、「SCA40」(積水化學工業(股)製)、「ZEONOR FILM」(日本Zeon(股)公司製)等製膜之環狀聚烯烴系樹脂薄膜之市售品，作為基材薄膜。
基材薄膜，可由1種環狀聚烯烴系樹脂所構成，亦 可由2種以上環狀聚烯烴系樹脂的混合物所構成，亦可由2種以上環狀聚烯烴系樹脂的共聚物所構成。
聚酯系樹脂，係具有酯鍵結之聚合物，一般係由多 元羧酸或其衍生物與多元醇之聚縮物所構成者。作為多元羧酸或其衍生物，可使用2元之二羧酸或其衍生物，例如對苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸二甲酯、萘二甲酸二甲酯等。作為多元醇，可使用2元之二醇，例如乙二醇、丙二醇、丁二醇、新戊二醇、環己烷二甲醇等。
作為聚酯系樹脂的代表例，可舉例如對苯二甲酸與 乙二醇的聚縮物之聚對苯二甲酸乙二酯。聚對苯二甲酸乙二酯為結晶性樹脂，結晶化處理前的狀態者，容易實施延伸等處理，延伸性更佳。可依據需要，藉由延伸時或延伸後的熱處理等使其結晶化。而且，聚對苯二甲酸乙二酯的骨架，再與其他單體共聚合，使結晶性降低(或成為非結晶性)之共聚合聚對苯二甲酸乙二酯，因延伸性佳也適合使用。作為共聚合聚對苯二甲酸乙二酯之例，例如使環己烷二甲醇、間苯二甲酸等共聚合者等。
作為聚對苯二甲酸乙二酯及共聚合聚對苯二甲酸乙 二酯以外的聚酯系樹脂，可舉例如聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚萘二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸環己烷二甲酯、聚萘二甲酸環己烷二甲酯等。
基材薄膜，可由1種聚酯系樹脂所構成，亦可由2 種以上聚酯系樹脂的混合物所構成，亦可由2種以上聚酯系樹脂 的共聚物所構成。
作為(甲基)丙烯酸系樹脂，可採用任意適合的(甲基) 丙烯酸系樹脂。(甲基)丙烯酸系樹脂的具體例，包括例如聚甲基丙烯酸甲酯等聚(甲基)丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸酯-(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物(MS樹脂等)、具有脂環族烴基之聚合物(例如甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸環己酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸降莰酯共聚物等)。較理想為使用聚(甲基)丙烯酸甲酯等聚(甲基)丙烯酸C1-6烷酯，更理想為使用以甲基丙烯酸甲酯為主成分(50至100重量%，較理想為70至100重量%)之甲基丙烯酸甲酯系樹脂。
基材薄膜，可由1種(甲基)丙烯酸系樹脂所構成， 亦可由2種以上(甲基)丙烯酸系樹脂的混合物所構成，亦可由2種以上(甲基)丙烯酸系樹脂的共聚物所構成。
纖維素酯系樹脂，係纖維素與脂肪酸的酯。纖維素 酯系樹脂的具體例，包括纖維素三乙酸酯、纖維素二乙酸酯、纖維素三丙酸酯、纖維素二丙酸酯等。該些之中，特別理想為纖維素三乙酸酯(三乙醯纖維素)。纖維素三乙酸酯有許多製品市售，在取得容易性、成本的觀點上有利。作為纖維素三乙酸酯的市售品之例，以下皆以商品名，可舉例如「Fujitac TD80」(富士軟片(股)製)、「Fujitac TD80UF」(富士軟片(股)製)、「Fujitac TD80UZ」(富士軟片(股)製)、「Fujitac TD40UZ」(富士軟片(股)製)、「KC8UX2M」(柯尼卡美能達(股)製)、「KC4UY」(柯尼卡美能達(股)製)等。
基材薄膜，可由1種纖維素酯系樹脂所構成，亦可 由2種以上纖維素酯系樹脂的混合物所構成，亦可由2種以上纖維素酯系樹脂的共聚物所構成。
聚碳酸酯系樹脂，係隔著碳酸酯基使單體單元鍵結 之聚合物所構成的工程塑膠，具有高耐衝擊性、耐熱性、難燃性、透明性之樹脂。構成基材薄膜的聚碳酸酯系樹脂，可為為了降低光彈性係數而修飾聚合物骨架之稱為改性聚碳酸酯之樹脂、改良波長依賴性之共聚合聚碳酸酯等。
聚碳酸酯系樹脂，有各種製品市售。作為聚碳酸酯 系樹脂的市售品之例，以下皆以商品名，可舉例如「PANLITE」(帝人化成(股)製)、「Iupilon」(三菱工程塑膠(股)製)、「SD POLYCA」(住友DOW(股)製)、「Caliber」(Dow Chemical(股)製)等。
基材薄膜，可由1種聚碳酸酯系樹脂所構成，亦可 由2種以上聚碳酸酯系樹脂的混合物所構成，亦可由2種以上聚碳酸酯系樹脂的共聚物所構成。
於基材薄膜中，除了上述熱塑性樹脂以外，尚可添 加任意適合的添加劑。作為如此的添加劑，可舉例如紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、可塑劑、離型劑、著色防止劑、難燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料及著色劑等。基材薄膜中的熱塑性樹脂的含量，較理想為50至100重量%，更理想為50至99重量%，更加理想為60至98重量%，特別理想為70至97重量%。基材薄膜中的熱塑性樹脂的含量未達50重量%的情況，有無法充分顯現熱塑性樹脂原本具有的高透明性等之虞。
基材薄膜的厚度，可適當地決定，一般從強度、操 作性等作業性的觀點來看，較理想為1至500μm，更理想為1至 300μm，更加理想為5至200μm，特別理想為5至150μm。
基材薄膜，為了提高與聚乙烯醇系樹脂層之密合 性，至少於形成聚乙烯醇系樹脂層的側之表面，進行電暈處理、電漿處理、火焰處理等。
再者，於其他實施態樣中，聚乙烯醇系樹脂層，可 藉由於基材薄膜上貼附由聚乙烯醇系樹脂所構成的薄膜而形成，於該情況，薄膜間的貼附，可使用接合劑。如此即使於使用由聚乙烯醇系樹脂所構成的薄膜之情況下，作為由聚乙烯醇系樹脂所構成的薄膜，可使用與基材薄膜的寬度相同或比其寬度窄之聚乙烯醇系樹脂所構成的薄膜，以使偏光子層的寬度與基材薄膜的寬度相同或比其窄。
[2]延伸步驟S20
本步驟係將具有聚乙烯醇系樹脂層之基材薄膜進行一軸延伸，得到延伸薄膜的步驟。本步驟，可藉由下述方式而連續地實施：一邊傳送經過樹脂層形成步驟S10所得之長條的薄膜，一邊連續地進行延伸處理；或者將經過樹脂層形成步驟S10所得之長條的薄膜一度捲取成捲狀，一邊從該捲狀體連續地捲出薄膜，一邊連續地進行延伸處理。
薄膜的延伸倍率，可依據所期望的偏光特性適當地選擇，較理想為相對於薄膜的原本長度而言超過5倍且17倍以下，更理想為超過5倍且8倍以下。延伸倍率為5倍以下時，聚乙烯醇系樹脂層因沒有充分配向，故偏光子層的偏光度無法充分變高。另一方面，延伸倍率超過17倍時，延伸時，容易產生薄膜的破裂，同時延伸薄膜的厚度，變得比所需還要薄，有後續步驟 的加工性及操作性降低之虞。
延伸處理，不限於一段的延伸，可進行多段延伸。 於該情況，多階段的延伸處理可以全部在染色步驟S30之前連續進行，亦可第2階段以後的延伸處理與染色步驟S30之染色處理及/或交聯處理同時進行。如此，於進行多段的延伸處理的情況，以延伸處理的全部階段合計成為超過5倍的延伸倍率之方式進行延伸處理較理想。
延伸處理，除了可為朝薄膜的長度方向(薄膜傳送方 向)延伸之縱向延伸以外，亦可為朝薄膜寬度方向延伸之橫向延伸或斜向延伸等。作為縱向延伸方式，可舉例如滾輪間延伸、壓縮延伸等，作為橫向延伸方式，可舉例如拉幅(tenter)法等。
延伸處理，可採用濕式延伸方法、乾式延伸方法的 任一種，使用乾式延伸方法者，就可從大範圍選擇延伸溫度之點而言較理想。
延伸溫度，設定為聚乙烯醇系樹脂層及基材薄膜全 體於可延伸的程度顯示流動性的溫度以上，較理想為基材薄膜的相轉化溫度-30℃至+30℃的範圍，更理想為基材薄膜的相轉化溫度-25℃至+25℃的範圍。所謂基材薄膜的相轉化溫度，係指當構成基材薄膜的樹脂為非結晶性樹脂的情況為玻璃轉化溫度Tg，當該樹脂為結晶性樹脂的情況為熔點(結晶熔點)Tm，兩者皆根據JIS K 7121測定。當基材薄膜為由複數樹脂層所構成的情況，上述相轉化溫度係指該複數樹脂層所顯示的相轉化溫度中，最高的相轉化溫度。
延伸溫度比相轉化溫度-30℃低時，難以達成超過5 倍的高倍率延伸。延伸溫度超過相轉化溫度+30℃時，基材薄膜的流動性太大，延伸有變困難的傾向。
從更容易達成超過5倍的高延伸倍率來看，延伸溫 度為上述範圍內，更理想為120℃以上。延伸處理的溫度調整，通常藉由加熱爐的溫度調整。
[3]染色步驟S30
本步驟，係將延伸薄膜的聚乙烯醇系樹脂層以二色性色素染色，並使其吸附配向，成為偏光子層之步驟。經過本步驟，得到基材薄膜上積層有偏光子層之偏光性薄膜。本步驟下述方式而連續地實施：一邊傳送經過延伸步驟S20所得之長條的延伸薄膜，一邊連續進行染色處理；或者將經過延伸步驟S20所得之延伸薄膜一度捲取成捲狀，一邊從該捲狀體連續地捲出薄膜，一邊連續地進行染色處理。
作為二色性色素，可舉例如碘、有機染料等。有機染料的具體例，包括例如紅色BR、紅色LR、紅色R、粉紅色LB、寶石紅(Rubin)BL、紅酒色(bordeaux)GS、天藍色LG、檸檬黃、藍色BR、藍色2R、海軍藍RY、綠色LG、紫色LB、紫色B、黑色H、黑色B、黑色GSP、黃色3G、黃色R、橘色LR、橘色3R、猩紅(scarlet)GL、猩紅KGL、剛果紅、亮紫(brilliant violet)BK、Supra Blue G、Supra Blue GL、Supra Orange GL、直接天藍色、直接耐曬橙(Direct Fast Orange)S、久牢黑(Fast Black)等。二色性色素，可使用單獨一種，可併用兩種以上。
染色步驟，可藉由將延伸薄膜整體浸漬於含有二色性色素的溶液(染色溶液)中而進行。作為染色溶液，可使用將上 述二色性色素溶解於溶劑中之溶液。作為染色溶液的溶劑，一般使用水，亦可再添加與水具有相溶性之有機溶劑。作為二色性色素之濃度，較理想為0.01至10重量%，更理想為0.02至7重量%，特別理想為0.025至5重量%。
於使用碘作為二色性色素的情況，由於可更進一步 提高染色效率，以再添加碘化物於含有碘的染色溶液較理想。作為該碘化物，可舉例如碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。染色溶液之碘化物的濃度，較理想為0.01至10重量%。碘化物中，以添加碘化鉀較理想。於添加碘化鉀的情況，碘與碘化鉀的比例，以重量比，較理想為1：5至1：100的範圍，更理想為1：6至1：80的範圍，特別理想為1：7至1：70的範圍。
延伸薄膜於染色溶液的浸漬時間，通常為15秒至 15分鐘的範圍，較理想為30秒至3分鐘。而且，染色溶液的溫度，以10至60℃的範圍較理想，以20至40℃的範圍更理想。
再者，染色步驟S30可在延伸步驟S20之前或同時 進行，為了使吸附於聚乙烯醇系樹脂層的二色性色素良好地配向，以實施延伸步驟S20之延伸處理的至少一部分後，實施染色步驟S30較理想。作為該情況之實施態樣，可舉例如：1)以目標的倍率進行延伸處理後，不伴隨延伸處理而實施染色步驟S30之態樣；2)以低於目標的倍率進行延伸處理後，在染色步驟S30之染色處理(染色步驟S30包括交聯處理步驟的情況為染色處理及/或交聯處理)中，進行延伸處理，以使全部的倍率成為目標的倍率；3)以低於目標的倍率進行延伸處理後，在染色步驟S30之染 色處理(染色步驟S30包括交聯處理步驟的情況為染色處理及/或交聯處理)中，使全部倍率未達目標的倍率的程度為止進行延伸處理，然後，以使全部的倍率成為目標的倍率之方式進行延伸處理的態樣等。
染色步驟S30，可包括染色處理後實施之交聯處理 步驟。交聯處理，可藉由將經染色的薄膜浸漬於包含交聯劑的溶液(交聯溶液)中而進行。作為交聯劑，可使用傳統習知的物質，可舉例如硼酸、硼砂等硼化合物，乙二醛、戊二醛等。交聯劑，可使用單獨一種，可併用兩種以上。
交聯溶液，具體地可為將交聯劑溶解於溶劑中之溶 液。作為溶劑，例如可使用水，亦可更含有與水具有相溶性之有機溶劑。交聯溶液之交聯劑的濃度，較理想為1至20重量%的範圍，更理想為6至15重量%的範圍。
交聯溶液，可包含碘化物。藉由添加碘化物，偏光 子層的面內之偏光特性可更均勻化。作為碘化物，可舉例如碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。交聯溶液中之碘化物的濃度，較理想為0.05至15重量%，更理想為0.5至8重量%。
經染色的薄膜於交聯溶液的浸漬時間，通常為15秒 至20分鐘，較理想為30秒至15分鐘。而且，交聯溶液的溫度，以10至90℃的範圍較理想。
再者，交聯處理，藉由調配交聯劑於染色溶液中， 可與染色處理同時進行。而且，交聯處理與延伸處理的一部分可同時進行。交聯處理中，實施延伸處理的具體態樣，係如上述。
以在染色處理S30之後，貼合步驟S40之前，進行洗淨步驟及乾燥步驟較理想。洗淨步驟，通常包括水洗淨步驟。水洗淨處理，可藉由將染色處理後或交聯處理後的薄膜浸漬於離子交換水、蒸餾水等純水中而進行。水洗淨溫度，通常為3至50℃，較理想為4℃至20℃的範圍。於水的浸漬時間通常為2至300秒，較理想為3秒至240秒。
洗淨步驟，可組合水洗淨步驟及藉由碘化物溶液之洗淨步驟。而且，水洗淨步驟及/或藉由碘化物溶液之洗淨步驟所使用的洗淨液，除了水以外，可適當含有甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、丙醇等液體醇。
作為在洗淨步驟後進行的乾燥步驟，可採用自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥等任意適合的方法。例如，於加熱乾燥的情況，乾燥溫度通常為20至95℃，乾燥時間通常為1至15分鐘左右。
[4]貼合步驟S40
本步驟，係於基材薄膜的單面或兩面具備偏光子層的偏光性薄膜的一側的面上，於其所具有之偏光子層上，隔著第1接合劑層，貼合、配置第1保護膜，於偏光性薄膜的另一側的面上，較理想為隔著第2接合劑層，配置第2保護膜，得到偏光性積層膜之步驟。本步驟下述方式而連續地實施：一邊傳送經過染色步驟S30所得之偏光性薄膜，一邊從由長條的第1及第2保護膜捲成的各捲狀體分別連續地捲出第1及第2保護膜，同時於偏光性薄膜與第1保護膜之間(或者復於偏光性薄膜與第2保護膜之間)連續地供應接合劑，進行連續的貼合；或者將經過染色步驟 S30所得之偏光性薄膜一度捲成捲狀，一邊從該捲狀體連續地捲出偏光性薄膜，一邊從由長條的第1及第2保護膜捲成的各捲狀體分別連續地捲出第1及第2保護膜，同時於偏光性薄膜與第1保護膜之間(或者復於偏光性薄膜與第2保護膜之間)連續地供應接合劑，進行連續的貼合。
以下，一邊參考第2圖至第4圖，一邊舉出偏光性 薄膜係於基材薄膜的兩面具有偏光子層，於貼合步驟S40中，第2保護膜隔著第2接合劑層貼合於偏光性薄膜上之實施態樣為例，詳細地說明貼合步驟S40。
第2圖係表示貼合步驟S40之一例的斜視示意圖。 第3圖係表示於貼合步驟S40中，第1及第2保護膜貼合於偏光性薄膜之狀態的一例之上視示意圖，接合劑層的形成區域之示意圖。而且，第4圖係表示第3圖所示之IV-IV線的剖面示意圖。
參考第2圖至第4圖，於由在基材薄膜100上積層 偏光子層110所成的偏光性薄膜的一側的面、另一側的面貼合之第1保護膜200、第2保護膜300，皆使用寬度比偏光性薄膜(換言之基材薄膜100)寬之薄膜。亦即，滿足第1保護膜200的寬度W2>偏光性薄膜(基材薄膜100)的寬度W1，且滿足第2保護膜300的寬度W3>偏光性(基材薄膜100)的寬度W1。再者，第2圖至第4圖係表示使用基材薄膜100的寬度方向兩端部分設有不塗佈塗佈液之未塗佈區域120、130(沒有形成偏光子層110之區域)者作為偏光性薄膜之例。
而且，第1、第2保護膜200、300，係以該些的寬 度方向兩端分別位於比偏光性薄膜(基材薄膜100)的寬度方向兩 端更外側之方式，分別隔著由接合劑S所構成的第1接合劑層250、由接合劑T所構成的第2接合劑層350，貼合於偏光性薄膜。第1及第2保護膜200、300，可以使該些的寬度方向中心與偏光性薄膜的寬度方向中心一致或略為一致之方式積層、貼合。再者，貼合溫度通常為15至40℃的範圍。
此時，第1接合劑層250及第2接合劑層350，以使該些的寬度方向兩端，分別位於比偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側，且位於比第1及第2保護膜200、300的寬度方向兩端更內側之方式，調整該些的寬度而形成。
因此，於偏光性薄膜貼合有第1及第2保護膜200、300的狀態之積層薄膜，寬度方向兩端部分成為第1保護膜200與第2保護膜300之間不存在偏光性薄膜的部分，該部分的一部分為止形成有接合劑層的程度，第1及第2接合劑層250、350的寬度成為比偏光性薄膜(基材薄膜100)的寬度寬。
根據以上的貼合方法，不會產生接合劑層不存在的區域，遍及與偏光性薄膜之第1、第2保護膜200、300的貼合面整面，且均勻地形成接合劑層，故可安定地製造偏光性薄膜與第1、第2保護膜200、300的接合性佳之偏光性積層膜，甚至偏光子層110與第1、第2保護膜200、300的接合性佳之偏光板。
而且，可防止薄膜貼合時接合劑從上述積層膜的寬度方向的端部擠出及伴隨其之貼合滾輪等壓合裝置的污染。於使用長條的偏光性薄膜、第1及第2保護膜200、300，進行連續貼合之情況，可一邊防止因接合劑的擠出所致之壓合裝置的污染及伴隨其之積層膜表面的污染，一邊安定並連續地製造偏光性積層 膜，甚至偏光板。
所謂偏光性薄膜與第1及第2保護膜200、300，例 如在偏光性薄膜與第1保護膜200之間、偏光性薄膜與第2保護膜300之間，分別供應接合劑S、接合劑T，或者塗佈接合劑S、接合劑T於貼合的至少一側的薄膜上，然後於偏光性薄膜的一側的面，隔著由接合劑S所構成的第1接合劑層250積層第1保護膜200，同時於另一側的面，隔著由接合劑T所構成的第2接合劑層350積層第2保護膜300，而成為積層膜，使該積層膜通過一對貼合滾輪之間等，使用壓合裝置壓合的方法，可藉此進行貼合。
作為將接合劑供應於薄膜之間或塗佈於貼合的至少 一側的薄膜上之方法，可舉例如將供應接合劑用的噴嘴頭配置於薄膜之間，並使用泵等從該噴嘴供應接合劑的方法；藉由流鑄法、梅耶繞線棒塗佈法(Meyer bar coat)、凹版塗佈法、缺角輪塗佈法、刮刀塗佈法、膜具塗佈法、浸塗法、噴霧法等，於至少一側的薄膜之接合面，塗佈接合劑之方法等。藉由上述任一方法，可連續供應及連續塗佈接合劑。
欲將第1及第2接合劑層250、350的寬度調整為上 述既定的寬度，只要調整接合劑的供應量或塗佈量、壓合裝置之施加壓力(於使用貼合滾輪的情況，係貼合滾輪間的距離)、薄膜的傳送速度等即可。而且，於使用長條的偏光性薄膜、第1及第2保護膜200、300進行連續貼合的情況，於薄膜間連續供應接合劑，另一方面，可一邊將從隔著接合劑層積層的薄膜之寬度方向端部溢出過剩份的接合劑，使用吸引(suction)裝置連續吸引，一邊實施貼合步驟，於該情況，亦可藉由調整接合劑的吸引量，調整 第1及第2接合劑層250、350的寬度。
於偏光性薄膜只有基材薄膜的單面具有偏光子層的 情況，於貼合步驟S40中，第2保護膜可不隔著第2接合劑層(偏光性薄膜之具有偏光子層側之相反側的面與第2保護膜之間不供應接合劑T)直接配置於偏光性薄膜上，較理想為隔著第2接合劑層配置。於第2保護膜不隔著第2接合劑層直接配置於偏光性薄膜上的情況，第1及第2保護膜200、300係以下述方式配置於偏光性薄膜上：使第1接合劑層250的寬度方向兩端分別位於比偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側，且比第1及第2保護膜200、300的寬度方向兩端更內側。
(第1、第2保護膜)
作為第1及第2保護膜200、300，可使用如上述般該些寬度W2、W3比偏光性薄膜(基材薄膜100)的寬度W1寬者(W2,W3>W1)。寬度W2與W3可為相同，亦可為相異，通常為相同寬度。
於上述積層膜的寬度方向兩端部分中，使第1保護膜200與第2保護膜300之間不存在偏光性薄膜的部分充分地寬，為了有效防止接合劑的擠出，寬度W2、W3與寬度W1之差較理想為40 mm以上，更理想為80 mm以上。上述偏光性薄膜不存在的部分的寬度方向之長度，積層膜的寬度方向兩端部分分別為20 mm以上較理想，以40 mm以上更理想。
另一方面，寬度W2、W3太寬時，於後述的除去步驟S50中，切斷除去的部分變大，不利於生產性(原材料的有效利用)，寬度W2、W3與寬度W1之差為100 cm以下較理想，60 cm以下更理想，40 cm以下更加理想。
第1及第2保護膜200、300，可分別由例如鏈狀聚 烯烴系樹脂(聚丙烯系樹脂等)、環狀聚烯烴系樹脂(降莰烯系樹脂等)等聚烯烴系樹脂；纖維素三乙酸酯、纖維素二乙酸酯等纖維素酯系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯系樹脂；聚碳酸酯系樹脂；(甲基)丙烯酸系樹脂；或該些的混合物、共聚物等所構成的薄膜。環狀聚烯烴系樹脂及其薄膜，以及纖維素三乙酸酯的可使用之市售品之例，例如上述。
第1保護膜200與第2保護膜300，可由相同種類的 材料所構成，亦可由不同種類的材料所構成。
第1及/或第2保護膜200、300，可為相位差膜、增 亮膜等合併具有光學功能之保護膜。例如，可藉由將由上述材料所構成的透明樹脂薄膜進行延伸(一軸延伸或二軸延伸等)，或於該薄膜上形成液晶層等，而成為賦予有任意相位差值之相位差膜。
第1及第2保護膜200、300的厚度，從偏光性積層 膜及偏光板的薄型化之觀點來看，較理想為90μm以下，更理想為50μm以下。另一方面，從確保強度之觀點來看，第1及第2保護膜200、300的厚度為5μm以上較理想。
於第1、第2保護膜200、300的接合面，為了提高 與接合劑層的接合性，以進行底塗處理、電漿處理、電暈處理、紫外線照射處理、火焰處理、皂化處理等表面處理較理想。其中，以可較容易實施之電暈處理、皂化處理較適合。作為皂化處理，可舉例如浸漬於氫氧化鈉、氫氧化鉀之鹼水溶液中之方法。
表面處理，係依據構成第1、第2保護膜200、300 的樹脂之種類，適當選擇以使其得到充分的接合性提高之效果較理想。例如，於使用纖維素酯系樹脂薄膜的情況，皂化處理有效果。而且，於使用由聚丙烯系樹脂等鏈狀聚烯烴系樹脂、環狀聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂或(甲基)丙烯酸系樹脂等所構成的薄膜的情況，電暈處理有效果。
可將對保護膜實施表面處理換成對偏光性薄膜的接 合面實施表面處理，或者與其同時對偏光性薄膜的接合面實施表面處理。
第1及/或第2保護膜200、300的與偏光子層相反側 的表面，可形成硬塗層、抗眩層、抗反射層等光學層。於保護膜的表面，形成該些光學層的方法，無特別限制，可使用習知的方法。光學層，可在實施貼合步驟S40之前預先形成於保護膜上，亦可於貼合步驟S40實施後、後述的除去步驟S50實施後或剝離步驟S60實施後形成。
(接合劑)
作為第1保護膜200與偏光性薄膜的貼合所使用的接合劑S、依據需要為了第2保護膜300與偏光性薄膜的貼合所使用的接合劑T，可使用水系接合劑或光硬化性接合劑。
接合劑S與接合劑T，可為相同種類，亦可為不同種類，從生產效率的觀點來看，以使用相同種類的接合劑較理想。
作為水系接合劑，可舉例如由聚乙烯醇系樹脂水溶液所構成的接合劑、水系二液型胺甲酸乙酯系乳液接合劑等。特別是作為保護膜使用藉由皂化處理等而經表面處理(親水化處理)之纖維素酯系樹脂薄膜的情況，以使用由聚乙烯醇系樹脂水溶液 所構成的水系接合劑較理想。
作為聚乙烯醇系樹脂，除了可使用將乙酸乙烯酯的 同元聚合物之聚乙酸乙烯酯進行皂化處理所得之乙烯醇同元聚合物以外，尚可使用將乙酸乙烯酯及可與其共聚合的其他單體的共聚物進行皂化處理所得之聚乙烯醇系共聚物或將其羥基部分改性之改性聚乙烯醇系聚合物等。
水系接合劑，可含有多元醛、水溶性環氧化合物、 三聚氰胺系化合物、氧化鋯化合物、鋅化合物等添加劑。於使用水系接合劑的情況，由其所得之接合劑層的厚度，通常為1μm以下。
於使用水系接合劑的情況，實施上述貼合(隔著接合 劑層之薄膜的積層及藉由壓合裝置之施加壓力)後，為了除去水系接合劑中所含的水，以實施使薄膜乾燥之乾燥步驟較理想。乾燥，可藉由將薄膜導入乾燥爐而進行。
乾燥溫度(乾燥爐的溫度)，較理想為30至90℃。未 達30℃時，偏光性薄膜與保護膜有變得容易剝離的傾向。而且，乾燥溫度超過90℃時，會有因熱而使偏光性能劣化之虞。乾燥時間可為10至1000秒，從生產性的觀點來看，較理想為60至750秒，更理想為150至600秒。
乾燥步驟後，可設置在室溫或比其略高溫，例如在 20至45℃左右的溫度，熟化(curing)12至600小時左右之熟化步驟。熟化溫度，一般設定為比乾燥溫度低之溫度。
上述乾燥步驟及熟化步驟，於實施後述除去步驟S50 的情況，可在除去步驟S50之前進行，亦可在除去步驟S50之後 進行。但是，使用經過貼合步驟S40所得之偏光性積層膜，製作偏光板的情況(亦即實施剝離步驟S60的情況)，乾燥步驟及熟化步驟可在剝離步驟S60之前進行。
上述光硬化性接合劑，係指藉由紫外線等活性能量 線之照射而硬化之接合劑，可舉例如包含聚合性化合物及光聚合引發劑者、包含光反應性樹脂者、包含黏結劑(binder)樹脂及光反應性交聯劑者等。作為聚合性化合物，可舉例如光硬化性環氧系單體、光硬化性丙烯酸系單體、光硬化性胺甲酸乙酯系單體等光聚合性單體，或來自光聚合性單體之寡聚物等。作為光聚合引發劑，可舉例如包含藉由紫外線等活性能量線之照射而產生如中性自由基、陰離子自由基、陽離子自由基之活性物種之物質者。作為包含聚合性化合物及光聚合引發劑的光硬化性接合劑，較理想可使用包含光硬化性環氧系單體及光陽離子聚合引發劑者。
如上述，於樹脂層形成步驟S10中，設置未塗佈區 域的情況，於延伸步驟S20等中，該未塗佈區域會產生皺褶。在如此產生有皺褶的狀態，使用光硬化性接合劑，實施貼合步驟S40時，一部分的光硬化性接合劑累積於皺褶部分，會有因活性能量線照射時的熱而造成黃變劣化之虞。所以，從避免該黃變劣化的觀點來看，以除去未塗佈區域較理想。
於使用光硬化性接合劑的情況，實施上述貼合(隔著 接合劑層之薄膜的積層及藉由壓合裝置之施加壓力)後，依據需要進行乾燥步驟(光硬化性接合劑包含溶劑的情況等)，然後進行藉由照射活性能量線使光硬化性接合劑硬化之硬化步驟。活性能量線的光源，無特別限制，以具有波長400 nm以下之發光分佈之活 性能量線較理想，具體上，較理想可使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、黑光燈、微波激發水銀燈、金屬鹵化物燈等。
對光硬化性接合劑的光照射強度，根據光硬化性接 合劑的組成適當決定，以將對聚合引發劑活性化有效的波長區域的照射強度設定為0.1至6000 mW/cm2較理想。於照射強度為0.1 mW/cm2以上的情況，反應時間不會變得太長，於6000 mW/cm2以下的情況，從光源輻射的熱及光硬化性接合劑硬化時產生的熱所造成之光硬化性接合劑的黃變、偏光子層的劣化的可能性減少。
對光硬化性接合劑的光照射時間，也根據光硬化性 接合劑的組成適當決定，上述照射強度與照射時間的乘積所表示之累積光量，以設定為10至10000 mJ/cm2較理想。於累積光量為10 mJ/cm2以上的情況，可產生充分量的來自聚合引發劑的活性物種，並更確實地進行硬化反應，於10000 mJ/cm2以下的情況，照射時間不會變得太長，可維持良好的生產性。
再者，活性能量線照射後接合劑層的厚度，通常為 0.001至5μm左右，較理想為0.01至2μm，更理想為0.01至1μm。
上述乾燥步驟及硬化步驟，於實施後述的除去步驟 S50的情況，可在除去步驟S50之前進行，亦可在除去步驟S50之後進行。但是，在使用經過貼合步驟S40所得之偏光性積層膜製作偏光板的情況(亦即實施剝離步驟S60的情況)，乾燥步驟及硬化步驟在剝離步驟S60之前進行。
[5]除去步驟S50
本步驟，係將經過貼合步驟S40(或者乾燥步驟、熟 化步驟或硬化步驟)所得之偏光性積層膜的寬度方向兩端部分藉由切斷而除去之步驟。本步驟可藉由下述方式而連續地實施：一邊傳送經過貼合步驟S40所得之長條的偏光性積層膜，一邊連續進行除去處理；或者將經過貼合步驟S40所得之長條的偏光性積層膜一度捲取成捲狀，一邊從該捲狀體連續捲出偏光性積層膜一邊連續進行除去處理。
在經過貼合步驟S40所得之偏光性積層膜依照原樣 使用作為偏光元件的情況，可省略本步驟；在從經過貼合步驟S40所得之偏光性積層膜製作偏光板的情況(亦即實施剝離步驟S60的情況)，本步驟為必須的步驟。
薄膜的切斷位置，其一例如第3圖所示，係偏光子 層110的寬度方向兩端的位置或比其內側之位置，亦即至少可除去下述部分之位置：第1保護膜200與第2保護膜300藉由接合劑層直接(不隔著偏光性薄膜)接合的部分，以及當偏光性薄膜具有未塗佈區域120、130(沒有形成偏光子層110的區域)的情況，保護膜與基材薄膜藉由接合劑層直接(不隔著偏光子層110)接合的部分。
如此在切斷位置藉由除去薄膜寬度方向兩端部分， 於剝離步驟S60中，基材薄膜100可容易地從偏光子層110剝離。
薄膜寬度方向兩端部分的除去，可藉由模切法(die cutting)或使用切條機(slitter)之切開(slit)法進行。其中，較理想為可對長條的偏光性積層膜實施連續除去處理之切開法。
作為切開法，可舉例如使用稱為刮鬍刀片(razor blade) 之剃刀片作為切條機之方法。使用剃刀片之切開法，包括特別是不設置支持導件(backup guide)，在空中進行切開之空中切割；於作為支持導件之切有溝槽的滾輪，崁入刀刃，使切開的蛇行安定之溝槽滾輪法等。
切開法的其他例，可舉例如使用2片稱為剪切刀片 (shear blade)之圓形刀片，配合薄膜的傳送一邊旋轉一邊以上刀片施壓於下刀片而進行切開的方法；稱為刻刀(score blade)之刀片壓住淬火滾輪等而切開的方法；組合2片剪切刀片，如剪刀進行切割而切開的方法等。
其中，適合使用可簡單地改變薄膜的切斷(切開)位 置，且容易安定地行進的方法之「使用刮鬍刀片之溝槽滾輪法」等。
因除去步驟S50所使用的裝置不是那麼大型的裝 置，故可編入上述S10至S40的任一步驟的線內(in-line)。例如，若在捲取經過貼合步驟S40所得之偏光性積層膜之捲取部配置切條機，則可一邊捲取偏光性積層膜，一邊進行切開。
或者，當然可以不排入上述S10至S40的任一步驟 的線內，獨立於該些步驟，設置除去步驟S50所使用的裝置。作為如此的例，例如可於進行複捲滾輪等稱為複捲機(rewinder)等之裝置，設置切條機等。
薄膜寬度方向兩端部分經除去之偏光性積層膜，可 直接使用作為偏光元件，同時有用於作為製作由偏光子層及保護膜所構成的偏光板(供應予後述剝離步驟S60)之中間物。
〈偏光板的製造方法〉
本發明的偏光板的製造方法，包括上述準備偏光性薄膜的步驟、貼合步驟S40、除去步驟S50及剝離步驟S60(參考第1圖)。除了剝離步驟S60以外，皆如同上述，故省略其說明。根據本發明的方法，與偏光性積層膜同樣地，可一邊防止接合劑的擠出、伴隨之貼合滾輪等壓合裝置的污染及薄膜表面的污染，一邊安定地製造偏光子層及保護膜的接合性佳之偏光板。
[6]剝離步驟S60
本步驟，參考第4圖，係從將經過除去步驟S50所得之寬度方向兩端部分經除去之偏光性積層膜，剝離除去基材薄膜100，至少得到第1保護膜200貼合於偏光子層110之第1偏光板之步驟。
如第4圖所示之例，於基材薄膜100的兩面形成有偏光子層110，於貼合步驟S40中，於第2保護膜300隔著第2接合劑層350貼合於偏光性薄膜上的情況，藉由本步驟，可得到2個偏光板，亦即上述第1偏光板以及第2保護膜300貼合於偏光子層110之第2偏光板。在只於基材薄膜100的一側的面(只有第1保護膜200側)形成偏光子層110的情況，藉由本步驟，可得到1個偏光板(第1偏光板)。
本步驟可藉由下述方式而連續地實施：一邊傳送經過除去步驟S50所得之長條的偏光性積層膜一邊連續進行剝離處理；或者將經過除去步驟S50所得之長條的偏光性積層膜一度捲取成捲狀，一邊從該捲狀體連續捲出偏光性積層膜一邊連續進行剝離處理。
剝離除去基材薄膜的方法，無特別限制，可以與通 常的附有黏著劑之偏光板進行之隔離膜(separator)(剝離膜)的剝離步驟相同的方法進行剝離。
第5圖係表示剝離步驟S60之基材薄膜的剝離方法之一例的圖，且係表示基材薄膜的剝離方向與偏光子層的配向方向的關係之上視示意圖。於第5圖中，從偏光性積層膜500剝離基材薄膜600，形成由第1保護膜及偏光子層所構成的第1偏光板700。於第5圖中，省略積層於基材薄膜600上之第2保護膜。
偏光子層的配向方向以箭頭A表示，基材薄膜600的剝離方向以箭頭B表示，基材薄膜600的剝離方向(箭頭B)與偏光子層的配向方向(箭頭A)所成的角度以θ表示。此時，以使基材薄膜600的剝離方向(箭頭B)與偏光子層的配向方向(箭頭A)所成的角度θ成為20度以下，較理想為10度以下，更理想為5度以下(例如0度)之方式進行剝離較理想。藉由以使角度θ成為20度以下之方式進行剝離時，偏光子層不會產生內聚破壞(cohesive failure)，可漂亮地且平滑地剝離基材薄膜600。所謂偏光子層的配向方向，係指由構成偏光子層的聚乙烯醇系樹脂的主鏈因延伸而排列的方向，係偏光子層的面內中折射率最高的方向。
而且，如第6圖所示，在基材薄膜600與第1偏光板700的剝離點C中，以使基材薄膜剝離前的偏光性積層膜500與第1偏光板700所成的角度Φp小於基材薄膜剝離前的偏光性積層膜500與基材薄膜600所成的角度Φk之方式剝離基材薄膜600較理想。Φp較理想為45度以下，更理想為0度。藉由以使Φp<Φk，復使Φp45度之方式剝離基材薄膜600，可抑制偏光子層產生的內聚破壞，同時平滑地剝離基材薄膜600。
於第6圖中，雖然表示在剝離點C，以相對於偏光 性積層膜500，基材薄膜600與第1偏光板700於相反方向形成角度之方式剝離的樣子，但是亦可在剝離點C，以相對於偏光性積層膜500，基材薄膜600與第1偏光板700於相同方向形成角度之方式剝離，即使於該情況，關於角度Φp及Φk之上述條件仍為有效。
以上，參考第5圖及第6圖，敘述從偏光性積層膜 剝離基材薄膜，得到第1偏光板之方法，於從偏光性積層膜剝離基材薄膜而得到第2偏光板的情況也相同。從偏光性積層膜取得第1偏光板的步驟以及取得第2偏光板的步驟的順序，無特別限制。
如以上方式製造的偏光板，實際使用時，可使用作 為積層有其他光學層之光學膜。而且，上述保護膜亦可具有該些光學層的功能。作為其他光學層，可舉例如穿透某種偏光的光，且反射顯示與其相反性質的偏光的光之反射型偏光膜；表面具有凹凸形狀之附有抗眩功能的膜；附有表面抗反射功能的膜；表面具有反射功能的反射膜；兼具反射功能及穿透功能之半穿透反射膜；視角補償膜等。
作為相當於穿透某種偏光的光，且反射顯示與其相 反性質的偏光的光之反射型偏光膜的市售品，可舉例如「DBEF」(3M公司製、可從住友3M(股)取得)、「APF」(3M公司製、可從住友3M(股)取得)。
作為視角補償膜，例如基材表面塗佈液晶性化合物 並使其配向之光學補償膜、由聚碳酸酯系樹脂所構成的相位差膜、由環狀聚烯烴系樹脂所構成的相位差膜。
作為相當於基材表面塗佈液晶性化合物並使其配向 之光學補償膜的市售品，可舉例如「WV film」(富士軟片(股)製)、「NH film」(新日本石油(股)製)、「NR film」(新日本石油(股)製)等。
作為相當於由環狀聚烯烴系樹脂所構成的相位差膜 的市售品，可舉例如「Arton film」(JSR公司(股)製)、「Escena」(積水化學工業(股)製)、「ZEONOR film」(日本Zeon(股)製)等。
實施例
以下，顯示實施例，更具體地說明本發明，但本發明不限定於該些例。
〈實施例1〉 (1)基材薄膜的製作
於由包含約5重量%乙烯單元之丙烯/乙烯的無規共聚物(住友化學(股)製「住友NOBLEN W151」、熔點Tm=138℃)所構成的樹脂層的兩側配置由丙烯的同元聚合物之同元聚丙烯(住友化學(股)製「住友NOBLEN FLX80E4」、熔點Tm=163℃)所構成的樹脂層之3層構造的基材薄膜捲(長條的基材薄膜之捲狀品)，使用多層擠出成形機，藉由共擠出成形而製作該3層構造的基材薄膜捲。所得之基材薄膜的合計厚度為100μm，各層的厚度比(FLX80E4/W151/FLX80E4)為3/4/3。
(2)底塗層及聚乙烯醇系樹脂層的形成
將聚乙烯醇粉末(日本合成化學工業(股)製「Z-200」、平均聚合度1100、平均皂化度99.5莫耳%)溶解於95℃的熱水，調製濃度3重量%的聚乙烯醇水溶液。於所得之水溶液中，混合 相對於聚乙烯醇粉末6重量份而言5重量份的交聯劑(住友化學(股)製「SUMIREZ RESIN 650」)，得到底塗層用塗佈液。
而且，將聚乙烯醇粉末(Kuraray(股)製「PVA124」、平均聚合度2400、平均皂化度98.0至99.0莫耳%)溶解於95℃的熱水中，調製濃度8重量%的聚乙烯醇水溶液。
然後，一邊從上述(1)所得到之基材薄膜捲連續捲出基材薄膜，一邊於其兩面實施電暈處理，然後於經過電暈處理之兩面，使用凹版塗佈機，連續塗佈上述底塗層用塗佈液，於80℃乾燥10分鐘，藉此製作兩面具有厚度0.2μm之底塗層的薄膜。
然後，一邊傳送薄膜，一邊使用缺角輪塗佈機，於兩面的底塗層上，連續塗佈上述聚乙烯醇水溶液，於80℃乾燥5分鐘，藉此於兩面的底塗層上形成厚度10.6μm的聚乙烯醇系樹脂層。此時，將從基材薄膜的寬度方向兩端分別於內側1 cm的部分，作為沒有塗佈聚乙烯醇水溶液之未塗佈區域。將該薄膜一度捲取成捲狀。
(3)延伸薄膜的製作
一邊從上述(2)所得之薄膜捲連續捲出薄膜，一邊藉由使用刮鬍刀片之切開法，連續切斷除去聚乙烯醇系樹脂層的未塗佈區域，然後，使用滾輪間空中延伸裝置，在160℃的延伸溫度，於縱方向(薄膜的傳送方向)以5.8倍的倍率進行自由端一軸延伸，成為厚度65.5μm之延伸薄膜，將其捲取，得到延伸薄膜捲。
(4)偏光性薄膜的製作
一邊從上述(3)所得之延伸薄膜捲連續捲出延伸薄膜，一邊將延伸薄膜於包含碘與碘化鉀之30℃的染色溶液中，以 使滯留時間成為150秒左右之方式浸漬，進行聚乙烯醇系樹脂層的染色處理，然後以10℃的純水，沖洗多餘的染色溶液。然後，於包含硼酸及碘化鉀之76℃的交聯溶液中，以使滯留時間成為600秒左右之方式浸漬，進行交聯處理。然後，以10℃的純水洗淨4秒，於80℃乾燥300秒，成為具有偏光子層的偏光性薄膜，將其捲取，得到偏光性薄膜捲。
(5)偏光性積層膜的製作
將聚乙烯醇粉末(Kuraray(股)製「KL-318」、平均聚合度1800)溶解於95℃的熱水中，調製濃度3重量%的聚乙烯醇水溶液。於所得之水溶液中，混合相對於聚乙烯醇粉末2重量份而言1重量份的交聯劑(住友化學(股)製「SUMIREZ RESIN 650」)，作為接合劑溶液。
然後，一邊從上述(4)所得之偏光性薄膜捲連續捲出偏光性薄膜，同時從第1保護膜捲連續捲出第1保護膜[三乙醯纖維素(TAC)所構成的透明保護膜(柯尼卡美能達光學(股)製「KC4UY」)]，從第2保護膜捲連續捲出第2保護膜[與第1保護膜相同]。然後，於第1及第2保護膜的貼合面實施皂化處理後，一邊供應上述接合劑溶液於兩保護膜與偏光子層之間，一邊於偏光性薄膜的一側的面積層第1保護膜，於另一側的面積層第2保護膜，藉由將積層體通過一對貼合滾輪之間而進行壓合，進行第1及第2保護膜的連續貼合。
作為第1及第2保護膜，使用比偏光性薄膜寬度寬8.0 cm者，以使第1及第2保護膜的寬度方向中心與偏光性薄膜的寬度方向中心一致之方式進行貼合(所以第1及第2保護膜，於 寬度方向兩端部分，分別比偏光性薄膜朝外側突出4.0 cm)。
而且，貼合時，調整兩側的接合劑溶液的供應量，以使兩接合劑層的寬度方向兩端分別位於比偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側，且位於比第1及第2保護膜的寬度方向兩端更內側。
然後，接著於80℃乾燥5分鐘，成為偏光性積層膜，將其捲取，得到偏光性積層膜捲。該偏光性積層膜係由第1保護膜/接合劑層/偏光子層/底塗層/基材薄膜/底塗層/偏光子層/接合劑層/第2保護膜的9層所構成。
於所得之偏光性積層膜中，未確認到接合劑從薄膜端部擠出及接合劑附著第1、第2保護膜的外側表面，係良好狀態。而且，貼合滾輪亦未確認到接合劑所致之污染。
(6)偏光板的製作
一邊從上述(5)所得之偏光性積層膜捲連續捲出偏光性積層膜，一邊藉由使用刮鬍刀片之切開法，連續地切斷除去第1保護膜與第2保護膜藉由接合劑層直接接合的部分。
然後，接著將基材薄膜以基材薄膜/底塗層的界面連續地剝離、除去，得到2片積層於基材薄膜兩側之「(第1或第2)保護膜/接合劑層/偏光子層/底塗層」的構成之偏光板。剝離基材薄膜時，於任一基材薄膜/底塗層的界面中，使基材薄膜與偏光板的剝離點之上述角度θ、Φp、Φk，分別為0度、0度、45度左右。基材薄膜可比較容易地剝離。
〈比較例1〉
藉由實施例1的(1)至(4)記載之方法，製作偏光性薄 膜捲。
一邊從該偏光性薄膜捲連續捲出偏光性薄膜，同時 從第1保護膜捲連續捲出第1保護膜[三乙醯纖維素(TA℃)所構成的透明保護膜(柯尼卡美能達光學(股)製「KC4UY」)]，從第2保護膜捲連續捲出第2保護膜[與第1保護膜相同]。然後，於第1及第2保護膜的貼合面實施皂化處理後，一邊供應與實施例1所用者相同的接合劑溶液於兩保護膜與偏光子層之間，一邊於偏光性薄膜的一側的面積層第1保護膜，於另一側的面積層第2保護膜，藉由將積層體通過一對貼合滾輪之間而進行壓合，進行第1及第2保護膜的連續貼合。
作為第1及第2保護膜，使用與偏光性薄膜相同寬 度者，以使第1及第2保護膜的寬度方向中心與偏光性薄膜的寬度方向中心一致之方式進行貼合(所以第1及第2保護膜的端面與偏光性薄膜的端面一致)。
而且，貼合時，調整兩側的接合劑溶液的供應量， 以使接合劑的量遍及偏光性薄膜的貼合面整面。但是，無關如此的接合劑溶液的供應量之調整，因傳送時薄膜的蛇行、接合劑溶液的供應量的變動，接合劑從薄膜寬度方向端部逐漸地擠出，附著於貼合滾輪。薄膜貼合數十公尺後，附著在貼合滾輪的接合劑開始轉印於第1及第2保護膜的外側表面，該表面的污染開始顯著。
然後，於80℃乾燥5分鐘，得到具有與實施例1相 同的層構成之偏光性積層膜。
確認所得之偏光性積層膜的接合劑層時，無關上述 的接合劑溶液的供應量之調整，確認到從薄膜寬度方向端部擠出的部分，以及接合劑層的端部存在於比薄膜寬度方向端部更內側的部分(亦即偏光子層與保護膜之間不存在接合劑層的部分)。伴隨如此的接合劑層的不均勻性之乾燥收縮的差異，導致偏光性積層膜的寬度方向端部產生皺褶。
然後，上述偏光性積層膜捲取成捲狀後，捲出偏光 性積層膜時，因轉印至保護膜的外側表面之接合劑，使薄膜端部的區域，薄膜彼此貼附，捲出時，該接合劑內聚破壞，殘留白色的內聚破壞痕跡。而且，捲出時的張力也不安定。
然後，從捲出的偏光性積層膜剝離基材薄膜時，可 剝離，但是由於薄膜端部的皺褶，剝離時之剝離方向時時刻刻在改變，因張力不安定，而無法平滑地剝離。

Claims (5)

  1. 一種偏光性積層膜的製造方法，包括：準備偏光性薄膜的步驟，該偏光性薄膜係於基材薄膜的至少一側的面具備偏光子層，該偏光子層係由吸附配向有二色性色素之聚乙烯醇系樹脂層所構成，且與前述基材薄膜的寬度相同或比其寬度窄；以及於前述偏光性薄膜的一側的面上，於設置於基材薄膜的前述一側的面之偏光子層上，隔著第1接合劑層，配置寬度比前述偏光性薄膜寬之第1保護膜，於前述偏光性薄膜的另一側的面上，配置寬度比前述偏光性薄膜寬之第2保護膜，得到偏光性積層膜的步驟；其中以下述方式配置前述第1及第2保護膜：使前述第1及第2保護膜的寬度方向兩端，分別位於比前述偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側處，同時使前述第1接合劑層的寬度方向兩端，分別位於比前述偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側處，且位於比前述第1及第2保護膜的寬度方向兩端更內側處。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光性積層膜的製造方法，其更包括：於前述配置第1及第2保護膜的步驟後，藉由在前述偏光子層的寬度方向兩端的位置或比其內側的位置切斷，除去前述偏光性積層膜的寬度方向兩端部分之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之偏光性積層膜的製造方法，其中，前述準備偏光性薄膜的步驟包括：於前述基材薄膜的至少一側的面，藉由塗佈含有聚乙烯醇系樹脂的塗佈液，形成聚乙烯醇系樹脂層的步驟； 將具有聚乙烯醇系樹脂層的基材薄膜進行一軸延伸的步驟；以及將一軸延伸過的薄膜之聚乙烯醇系樹脂層以二色性色素染色，成為偏光子層的步驟。
  4. 一種偏光板的製造方法，包括：準備藉由申請專利範圍第2項所述之偏光性積層膜的製造方法所製造之偏光性積層膜的步驟；以及從前述偏光性積層膜，剝離除去前述基材薄膜，得到於前述偏光子層貼合有前述第1保護膜之第1偏光板的步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之偏光板的製造方法，其中，前述偏光性薄膜，係於前述基材薄膜的兩面具備前述偏光子層；於前述配置第1及第2保護膜的步驟中，前述第2保護膜係以下述方式配置：於前述偏光性薄膜的另一側的面上，隔著第2接合劑層，使前述第2接合劑層的寬度方向兩端分別位於比前述偏光性薄膜的寬度方向兩端更外側處，且位於比前述第1及第2保護膜的寬度方向兩端更內側處；從前述偏光性積層膜剝離除去前述基材薄膜，得到前述第1偏光板以及於前述偏光子層貼合有前述第2保護膜之第2偏光板。
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