TWI555600B - 雷射退火裝置及雷射退火方法 - Google Patents

雷射退火裝置及雷射退火方法 Download PDF

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Description

雷射退火裝置及雷射退火方法
本發明係關於一種透過複數微鏡片來將複數道雷射束照射在形成於基板上之非晶矽膜而進行退火處理之雷射退火裝置，特別是雷射束照射能量的維持管理較為容易，且可抑制照射圖案的形狀變形之雷射退火裝置及雷射退火方法。
以往，這類雷射退火裝置係藉由微鏡片陣列來形成複數道雷射束且在每道雷射束形成焦點，並藉由縮小轉印光學系統來使該雷射束的各焦點轉印在非晶矽膜面側而成像，且藉由對非晶矽膜面照射雷射束來實施雷射處理，以使薄膜電晶體(以下稱為「TFT」)形成區域的非晶矽膜聚矽化，其係於縮小轉印光學系統下面側設置有作為保護用組件之石英板，而可防止退火處理時飛散的污染物質附著在光學系統(例如參照專利文獻1：日本特開2004-311906號公報)。
又，防止污染物質附著在光學系統之光學系統保護機構有一種在藉由聚光鏡片來使雷射束聚光在被加工物上而加工之裝置中，將懸掛在捲取捲筒與送出捲筒間而供雷射束穿透之薄膜可移動地配置在聚光鏡片與被加工物之間者(例如參照專利文獻2：日本特開平7-100670號公報)。
但上述專利文獻1所記載之雷射退火裝置中，由於係使用石英板來作為防止污染物質附著在光學系統之保護用組件，故雖然可使表面形成為平坦而不會產生照射圖案的形狀變形，但每當使用特定時間便必須更換受污染的石英板，而有作業變得煩雜之問題。於是，便會有無法使雷射束的照射能量長時間穩定地維持在高狀態之問題。
又，上述專利文獻2所記載之光學系統保護機構由於係在聚光鏡片與被加工物之間可移動地配置有薄膜，故不須在每使用特定時間後便進行更換，而有作業簡單之優點，但由於用以引導薄膜之一對滾輪並非將聚光鏡片挾置其中而對向配置其緣部位置處，而導致一對滾輪間的距離很長，故對薄膜施加逆張力時，便會有容易在一對滾輪間的薄膜產生平行於其移動方向的縱向皺紋之問題。於是，使用上述般的光學系統保護機構於上述專利文獻1的雷射退火裝置之情況下，便會因上述薄膜的縱向皺紋導致照射在基板之雷射束的照射圖案形狀變形，而有無法對TFT形成區域以預先設定的形狀來進行退火處理之問題。
於是，本發明係對應於上述問題點，其目的在於提供一種雷射束照射能量的維持管理較為容易，且可抑制照射圖案的形狀變形之雷射退火裝置及雷射退火方法。
為達成上述目的，本發明之雷射退火裝置係將複數道雷射束照射在形成於基板上之非晶矽膜來進行退火處理；其特徵為具備有：遮罩，係形成有形狀與該基板上的被退火區域相似之複數開口；微鏡片基板，係將分別通過該遮罩的該複數開口之該複數道雷射束，透過形成於一面之複數微鏡片而聚光在該基板上，來對該非晶矽膜賦予特定的光能量；一對導引器，其形狀係呈半圓柱形，並將該微鏡片基板挾置其中使軸心略平行而對向配置於其兩緣部位置處，且頂部係較該微鏡片頂部的位置要向該基板側突出；以及薄膜，係可移動地張設於該一對導引器間來讓該雷射束穿透。
藉由上述結構，係將分別通過遮罩(其係形成有形狀與基板上的被退火區域相似之複數開口)的該複數開口之複數道雷射束，藉由形成於微鏡片基板的一面之複數微鏡片而聚光在基板上，來對形成於基板上之非晶矽膜賦予特定的光能量以進行退火處理。此時，係在半圓柱狀的一對導引器間可移動地張設有薄膜來讓該雷射束穿透，以抑制污染物質附著在微鏡片基板面，其中該一對導引器係將微鏡片基板挾置其中使軸心略平行而對向配置於其兩緣部位置處，且頂部係較微鏡片頂部的位置要向基板側突出。
又，係將該遮罩挾置其中而於一側具備有送出該薄膜之送出捲筒，另一側則具備有捲取該薄膜之捲取捲筒，可在施加特定的逆張力之狀態下，使該薄膜以特定 速度連續地或以特定時間間隔各特定量地通過該一對導引器間。藉以一邊將遮罩挾置其中而從一側所具備之送出捲筒來送出薄膜，且藉由另一側所具備之捲取捲筒來捲取薄膜，一邊在施加特定的逆張力之狀態下，使薄膜以特定速度連續地或以特定時間間隔各特定量地通過一對導引器間。
再者，係設置有使該基板以特定速度往與該一對導引器的軸心呈交叉之方向移動之搬送機構。藉此，便可以搬送機構來使基板以特定速度往與一對導引器的軸心呈交叉之方向移動。
又再者，該基板係顯示裝置用薄膜電晶體(TFT)基板，該被退火區域係TFT形成區域。藉以對顯示裝置用TFT基板的TFT形成區域進行雷射退火處理。
然後，該微鏡片係形成為在該微鏡片頂部與該薄膜之間，或該薄膜與該基板之間具有焦點。藉此，便可以微鏡片來使雷射束暫時聚光在微鏡片頂部與薄膜之間，或該薄膜與該基板之間的焦點。
又，本發明之雷射退火方法係透過形成有特定形狀的複數開口之遮罩，與分別對應於該遮罩的該複數開口而設置有複數微鏡片之微鏡片基板，來將複數道雷射束照射在形成於基板上之非晶矽膜以進行退火處理；其特徵為包含以下階段：在張設於一對導引器間之狀態下，使得穿透有該雷射束之薄膜朝向與該一對導引器的軸心呈交叉之方向移動之階段，其中該一對導引器的形狀 係呈現半圓柱形，並將該微鏡片基板挾置其中使軸心略平行而對向配置於其兩緣部位置處，且頂部係較該微鏡片頂部的位置要向該基板側突出；使該基板對向於該微鏡片基板並以特定速度往該薄膜的移動方向移動之階段；以及使通過該複數微鏡片而穿透該薄膜之複數道雷射束聚光在該基板上，來對該非晶矽膜賦予特定的光能量之階段。
以下，根據添附圖式來詳細說明本發明實施形態。圖1係顯示本發明雷射退火裝置的實施形態之前視圖。該雷射退火裝置係透過複數微鏡片來將複數道雷射束照射在形成於基板上之非晶矽膜以進行退火處理，而構成為具備搬送機構1、雷射光源2、遮罩3、微鏡片基板4、光學系統保護機構5、以及對位機構6。
此處，上述基板如圖2所示，係在相當於縱橫地形成之複數閘極線7與資訊線8的交叉部之部分處，而於閘極電極上(省略圖示)預先設定有TFT形成區域9(被退火區域)之顯示裝置用TFT基板10，複數TFT形成區域9係以相同於畫素11的配列間距之配列間距而設定為陣列狀。此外，此處，將箭頭A所示之TFT基板10的搬送方向(以下稱為「基板搬送方向」)稱為縱向，而將與其交叉之方向稱為橫向。從而，複數TFT形成區域9之配列間距，如圖2所示，係縱為X，橫為Y。以下， 皆相同。然後，TFT基板10中，作為TFT形成區域9與後述遮罩3之開口16的對位基準之對位基準位置係設定在平行於基板搬送方向之例如閘極線7的緣部。本實施形態中，上述對位基準位置係設定在朝向基板搬送方向而位在左端處之閘極線7右側緣部。此時，閘極線7右側緣部與TFT形成區域9中心之間的水平距離係依設計值而決定。此外，圖2中雖記載了閘極線7與資訊線8兩者，但在雷射退火階段中僅形成有閘極線7。
上述搬送機構1係將TFT基板10載置於上面並以特定速度往上述TFT形成區域9之縱或橫其中一者的配列方向(例如圖2所示之箭頭A方向)搬送，且於基板搬送方向排列設置有具有將氣體噴出至上面的多個噴出孔與吸引氣體的多個吸引孔之複數單位台座12，而在藉由氣體噴出力與吸引力的平衡來使TFT基板10浮起在複數單位台座12上特定量之狀態下，藉由例如搬送滾輪13來支撐TFT基板10的兩端緣部並進行搬送。
上述搬送機構1上方係設置有雷射光源2。該雷射光源2係以例如50Hz的重複週期而放射例如波長308nm或353nm的雷射光L之準分子雷射。
從上述雷射光源2所放射之雷射光L的光線路徑上係設置有遮罩3。該遮罩3如圖3所示，係在形成於透明之例如石英基板14的一面14a之遮光膜15形成有形狀相似於TFT基板10上之TFT形成區域9的形狀(例如圓形)之複數開口16，如圖3(a)所示，係具有相互間 隔距離X而平行地配置有例如6列的開口列17之結構，其中該開口列17係以與基板搬送方向(箭頭A方向)呈交叉而複數地設定之TFT形成區域9的配列間距Y的2以上的整數倍間距(圖3中以2Y表示)而排列設置有複數開口16，並且，於開口16的排列方向錯開特定尺寸(圖3中以Y表示)而形成有後續3列開口列17(以下稱為「第2開口群19」)，以便能夠補正位在基板搬送方向前側之3列的開口列17(以下稱為「第1開口群18」)的各開口16間。然後，係以與形成有遮光膜15之面14a為相反側的面14b會成為搬送機構1側般地設置。
上述遮罩3之搬送機構1側的面14b係設置有微鏡片基板4。該微鏡片基板4會使分別通過遮罩3的複數開口16之複數道雷射束Lb透過複數微鏡片而聚光在TFT基板10上，來對非晶矽膜賦予例如2J/cm2左右的光能量，如圖3所示，基板搬送方向(箭頭A方向)的寬度為約10mm~約15mm且與基板搬送方向呈交叉之方向的寬度為約50mm之透明基板21的一面21a係以相同於遮罩3所設置的複數開口16之配列間距(縱為X，橫為2Y)而形成有複數微鏡片20(參照同圖(a))，並在使該等光軸對齊於上述遮罩3的開口16中心之狀態下，來將另一面21b接合至遮罩3的面14b(參照同圖(b))。此處，各微鏡片20只要設置成後焦點位置會位在微鏡片20頂點與通過微鏡片基板4下側的後述薄膜22之 間，或薄膜22與TFT基板10之間即可。藉此，便不會有藉由微鏡片20所聚光之雷射束Lb的光能量被因退火處理而在TFT基板10面與薄膜22間飄浮的矽蒸氣吸收，而導致能量損失之虞。又，由於薄膜22上不具有焦點，故不會有雷射能量集中在薄膜22上而燒傷到薄膜22之虞。
上述微鏡片基板4與搬送機構1上面之間係設置有可使供雷射束Lb穿透的薄膜22移動之光學系統保護機構5。該光學系統保護機構5係能夠防止退火處理時飛散的污染物質附著在光學系統，而如圖4中將主要部分放大顯示般地，構成為具備有送出捲筒23、捲取捲筒24及一對導引器25。此情況下，上述薄膜22以紫外線穿透率90%以上，雷射耐受性10J/cm2以上，且厚度10μm左右的例如聚乙烯膜為佳。
詳細來說，上述送出捲筒23係將遮罩3挾置其中而具備於一側(圖4中為朝向基板搬送方向(箭頭A方向)之遮罩3前側)端，會送出捲繞有特定量之薄膜22，可藉由連結於旋轉軸26所設置之逆張力用馬達27來對薄膜22經常地賦予相反於薄膜22送出方向(箭頭B方向)之方向的張力，而在施加逆張力狀態下送出薄膜22。又，上述捲取捲筒24係將遮罩3挾置其中而具備於相反於上述送出捲筒23之側端，藉由連結於旋轉軸28所設置之捲取用馬達29而朝箭頭C方向旋轉來捲取薄膜22。再者，上述一對導引器25係用以抑制通過微鏡片 基板4下面的薄膜22產生平行於該薄膜22移動方向之縱向皺紋，其形狀如圖3(b)或圖4所示，係呈現具有平滑表面之半圓柱狀，並將微鏡片基板4挾置其中，來使軸心略平行於其兩緣部4a、4b位置處而對向配置，且設置為較微鏡片20要朝搬送機構1側(通過下側之TFT基板10側)突出特定量，而設置於遮罩3的下面3b(石英基板14的面14b)。藉此，薄膜22便可在而在被施加特定逆張力之狀態下，以特定速度連續地或以特定時間間隔各特定量地在一對導引器25間移動。此外，圖4中，元件符號30係用以改變薄膜22的移動方向且穩定薄膜22的移動之導引滾輪。
設置有可使上述遮罩3及微鏡片基板4往基板搬送方向的交叉方向微微移動之對位機構6。該對位機構6係用以進行遮罩3之開口16的中心(或微鏡片20中心)與TFT形成區域9的對位，而藉由控制機構(省略圖示)來控制驅動。
上述對位機構6的對位可依下述方式進行。亦即，可藉由於平行於單位台座12上面之面內，而於基板搬送方向的交叉方向一直線狀地排列具有複數感光元件之線狀照相機(省略圖示)來拍攝TFT基板10面，並在控制機構的影像處理部中對該拍攝影像進行影像處理來檢測出TFT基板10的對位基準位置，再將該對位基準位置與線狀照相機的攝像中心之間的距離和記憶在記憶體之目標值相比較來演算其偏移量，且藉由控制機 構來驅動對位機構6以使遮罩3及微鏡片20移動之方式來補正該偏移量。此情況下，線狀照相機的攝像中心與遮罩3所設置之基準位置(例如遮罩3之任一開口16的中心)係預先經過對位。
此外，圖1中，元件符號31係用以擴張從雷射光源2所放射之雷射光L的口徑之擴束器，元件符號32係使雷射光L橫剖面內的輝度分佈均勻化之均質器(Homogenizer)，元件符號33係使雷射光L成為平行光而照射在遮罩3之聚光透鏡。
接下來說明上述方式所構成之雷射退火裝置的動作及雷射退火方法。
首先，將覆蓋表面整面而形成有非晶矽膜之TFT基板10以非晶矽膜在上且閘極線7為平行於搬送方向之方式來進行對位並載置於搬送機構1上面。
接下來，開啟起動開關後，會在TFT基板10浮起在搬送機構1的單位台座12上面特定量之狀態下，藉由控制機構(省略圖示)來對搬送機構1進行脈衝控制，而將TFT基板10以特定速度往圖1所示之箭頭A方向搬送。
接著，以線狀照相機(省略圖示)來依序拍攝移動中之TFT基板10表面，並在控制機構的影像處理部中即時處理其一維影像，而根據線狀照相機之複數感光元件排列方向上的輝度變化來檢測出TFT基板10所預先設定之對位基準位置(例如，圖2中朝向基板搬送方向而位在左端之閘極線7的右側緣部)，以演算該所檢測出之對位基準位置與線狀照相機之攝像中心之間的距 離。接著，將該演算結果與預先設定且被記憶的目標值相比較來計算出自目標值偏移的偏移量。然後，以藉由控制機構來驅動控制對位機構而使遮罩3往基板搬送方向的交叉方向移動，以進行遮罩3與TFT基板10的對位之方式來補正上述偏移量。藉此，便可使遮罩3追隨一邊朝橫向晃動一邊移動中的TFT基板10。
當TFT基板10移動而如圖5(a)所示般地，位在搬送方向前側之一列TFT形成區域9到達遮罩3之第2開口群19搬送方向前側的開口列17b正下方後，雷射光源2會在特定時間開啟，來使雷射光L照射在遮罩3。然後，通過遮罩3的複數開口16之複數道雷射束Lb會藉由微鏡片基板4的複數微鏡片20而聚光在TFT基板10上，來使對應於第2開口群19之TFT形成區域9的非晶矽膜退火而被聚矽化。
當TFT基板10每移動相等於分別位在遮罩3之第1開口群18及第2開口群19的基板搬送方向前側之開口列17a、17b間的距離3X之距離，便開啟並驅動雷射光源2特定時間。藉此，TFT基板10上所設定之全部的TFT形成區域9便會依序退火並聚矽化，而形成聚矽膜34。此外，圖5(b)係顯示自同圖(a)之狀態，而TFT基板10移動距離3X之狀態，其係顯示在第1開口群18來使對應於第2開口群19之TFT形成區域9間的TFT形成區域9退火之狀態。
上述退火處理中，非晶矽膜的一部分會因雷射束 Lb的照射而蒸氣化並在TFT基板10面與微鏡片基板4之間飄浮，此矽蒸氣會有作為污染物質附著在微鏡片20表面，而導致雷射束Lb的穿透率降低之情況。於是，本發明中，便設置了光學系統保護機構5，而藉由在微鏡片基板4與搬送機構1上面(或TFT基板10)之間移動之薄膜22，來防止污染物質附著在微鏡片20面。以下說明上述光學系統保護機構5的動作。
首先，捲取用馬達29會驅動來使捲取捲筒24朝圖4所示之箭頭C方向旋轉，以捲取薄膜22。藉此，懸掛在微鏡片基板4之兩緣部4a、4b所設置的一對導引器25間之薄膜22便會以特定速度連續地或以特定時間間隔各特定量地移動。於是，因雷射束Lb的照射而蒸氣化並在TFT基板10面與微鏡片基板4間飄浮之矽蒸氣(污染物質)便會附著在薄膜22面，而不會附著在微鏡片20面。此時，由於薄膜22係以特定速度連續地或以特定時間間隔各特定量地移動，因此附著有污染物質而被污染成容許以上的薄膜22面便會往下游側移動，而在微鏡片基板4下側經常地存在有具有特定以上的穿透率之薄膜22面。於是，雷射束Lb的穿透率便會經常地維持在容許值以上，而可適當地進行雷射退火處理。此外，由實驗可知當雷射束Lb照射1000次時，薄膜22的穿透率會降低大約容許極限的7%。於是，例如每當照射雷射束Lb1000次，只要使薄膜22的移動量為相當於一對導引器25間之距離即可。
此時，連結於送出捲筒23的旋轉軸26之逆張力用馬達27會產生相反於圖4中箭頭B所示的薄膜22送出方向之方向的旋轉力，而對薄膜22賦予相反於送出方向之方向的張力。於是，薄膜22便會被施加逆張力，而使薄膜22成為張設於一對導引器25間之狀態。但由於上述一對導引器25的間隔係遠較於習知技術中之一對滾輪間距離要來得狹窄，故縱使對薄膜22施加逆張力，仍可抑制薄膜22之的上述一對導引器25間的部分產生平行於薄膜22移動方向之縱向皺紋。於是，便可將穿透薄膜22而照射在TFT基板10上之雷射束Lb的照射圖案形狀保持在大致相同於遮罩3的開口16之形狀，來高精確度地對TFT基板10之TFT形成區域9進行退火處理。
當基板搬送方向的一連串退火處理結束後，便以高速來使TFT基板10回到開始位置。之後，以步進方式往基板搬送方向的交叉方向移動特定距離，而與上述同樣地對鄰接區域實施退火處理。然後，重複實施上述步驟，來對TFT基板10整面進行退火處理。又，箭頭A方向之第1次退火處理結束後，亦可使TFT基板10相對於遮罩3而往基板搬送方向的交叉方向相對地步進移動特定距離，之後，反轉搬送方向來將TFT基板10一邊朝箭頭A的相反方向搬送，一邊與上述同樣地對鄰接區域實施退火處理。
上述任一情況亦可在例如基板搬送方向之終點位 置處設置有光感測器，而在針對TFT基板10之第1次退火處理結束後，便測量薄膜22的穿透率來預測雷射束Lb的容許照射次數。具體來說，係在停止薄膜22的移動之狀態下，來一邊將基板搬送至終點位置處一邊實施第1次退火處理後，測量薄膜22的穿透率來計算出穿透率的降低量，並從第1次退火處理實施時之雷射束Lb的照射次數，來預測相對於穿透率的容許降低量之容許照射次數。然後，之後，每當雷射束Lb的照射次數成為所預測之容許照射次數時，便使薄膜22步進移動特定量。藉此，由於係由薄膜22穿透率的實測值來設定用以判斷薄膜22的步進移動時間點之雷射束Lb的容許照射次數，因此可穩定地將薄膜22的穿透率維持在特定值以上，從而可經常地實施適當的退火處理。
如上所述，依據本發明，由於係在微鏡片基板與基板之間可移動地設置有薄膜來防止污染物質附著在微鏡片基板面，因此不須頻繁地更換薄膜，從而可容易進行雷射束照射能量的維持管理。並且，由於薄膜係藉由將微鏡片基板挾置其中而對向配置之一對導引器所加以支撐，因此可使一對導引器間距離遠較於習知技術中者要來得狹窄，並可抑制平行於薄膜移動方向之縱向皺紋產生，從而抑制照射圖案的形狀變形。於是，便可以高形狀精確度來對被退火區域進行退火處理。
又，依據本發明，由於係將基板以特定速度來一邊移動一邊進行雷射退火處理，因此可使用小遮罩來進行 大型基板的雷射退火處理，從而可降低雷射退火處理步驟的成本。又，可縮短針對大型基板之退火處理步驟的時間。
再者，依據本發明，可均勻地實施顯示用TFT基板之TFT形成區域的退火處理。於是，便可遍佈顯示區域整面來使薄膜電晶體的動作性能大體上為一致，從而可提高顯示影像的品質。
然後，依據本發明，可抑制雷射能量的一部分被漂浮在基板面與薄膜間之矽蒸氣吸收而導致能量損失。又，由於薄膜上不具有焦點，因此雷射能量便不會集中在薄膜上，而可防止薄膜燒傷。
此外，以上的說明雖已針對TFT基板10為顯示裝置用基板之情況加以敘述，但本發明不限於此，基板可為形成有非晶矽膜之例如半導體基板等任何基板。
L‧‧‧雷射光
Lb‧‧‧雷射束
X、Y、2Y‧‧‧配列間距
1‧‧‧搬送機構
2‧‧‧雷射光源
3‧‧‧遮罩
3b‧‧‧下面
4‧‧‧微鏡片基板
4a、4b‧‧‧緣部
5‧‧‧光學系統保護機構
6‧‧‧對位機構
7‧‧‧閘極線
8‧‧‧資訊線
9‧‧‧TFT形成區域
10‧‧‧TFT基板
11‧‧‧畫素
12‧‧‧單位台座
13‧‧‧搬送滾輪
14‧‧‧石英基板
14a‧‧‧石英基板的一面
14b‧‧‧與14a為相反側的面
15‧‧‧遮光膜
16‧‧‧開口
17、17a、17b‧‧‧開口列
18‧‧‧第1開口群
19‧‧‧第2開口群
20‧‧‧微鏡片
21‧‧‧透明基板
21a‧‧‧透明基板21的一面
21b‧‧‧透明基板21的另一面
22‧‧‧薄膜
23‧‧‧送出捲筒
24‧‧‧捲取捲筒
25‧‧‧導引器
26‧‧‧旋轉軸
27‧‧‧逆張力用馬達
28‧‧‧旋轉軸
29‧‧‧捲取用馬達
30‧‧‧導引滾輪
31‧‧‧擴束器
32‧‧‧均質器
33‧‧‧聚光透鏡
34‧‧‧聚矽膜
圖1係顯示本發明雷射退火裝置的實施形態之前視圖。
圖2係顯示使用於雷射退火處理之TFT基板的俯視圖。
圖3係顯示本發明雷射退火裝置所使用的遮罩及微鏡片基板的組裝結構例之圖式，(a)為俯視圖，(b)為(a)的O-O線剖面箭頭方向視圖。
圖4係放大顯示本發明雷射退火裝置的主要部分 之部分剖面前視圖。
圖5(a)、(b)係顯示利用本發明雷射退火裝置所進行的雷射退火處理之說明圖。
L‧‧‧雷射光
Lb‧‧‧雷射束
1‧‧‧搬送機構
2‧‧‧雷射光源
3‧‧‧遮罩
4‧‧‧微鏡片基板
5‧‧‧光學系統保護機構
6‧‧‧對位機構
10‧‧‧TFT基板
12‧‧‧單位台座
13‧‧‧搬送滾輪
22‧‧‧薄膜
25‧‧‧導引器
31‧‧‧擴束器
32‧‧‧均質器
33‧‧‧聚光透鏡

Claims (6)

  1. 一種雷射退火裝置，係將複數道雷射束照射在形成於基板上之非晶矽膜來進行退火處理；其特徵為具備有：遮罩，係形成有形狀與該基板上的被退火區域相似之複數開口；微鏡片基板，係接合設置於該遮罩，並將分別通過該複數開口之該複數道雷射束，透過形成於一面之複數微鏡片而聚光在該基板上，來對該非晶矽膜賦予光能量；一對導引器，其形狀係呈半圓柱形，並將該微鏡片基板挾置其中使軸心平行而對向配置於其兩緣部位置處，且較該微鏡片要向該基板側突出而設置於該遮罩；以及薄膜，係可移動地張設於該一對導引器間來讓該雷射束穿透。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射退火裝置，其係將該遮罩挾置其中而於一側具備有送出該薄膜之送出捲筒，另一側則具備有捲取該薄膜之捲取捲筒，可在施加逆張力之狀態下，使該薄膜移動在該一對導引器間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之雷射退火裝置，其另設置有使該基板往與該一對導引器的軸心呈交叉之方向移動之搬送機構。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之雷射退火裝置， 其中該基板係顯示裝置用薄膜電晶體(TFT)基板，該被退火區域係TFT形成區域。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之雷射退火裝置，其中該微鏡片係形成為後焦點之位置會在該微鏡片與該薄膜之間，或該薄膜與該基板之間。
  6. 一種雷射退火方法，係透過形成有複數開口之遮罩，與接合設置於該遮罩，且分別對應於該複數開口而設置有複數微鏡片之微鏡片基板，來將複數道雷射束照射在形成於基板上之非晶矽膜以進行退火處理；其特徵為包含以下階段：在張設於一對導引器間之狀態下，使得穿透有該雷射束之薄膜朝向與該一對導引器的軸心呈交叉之方向移動之階段，其中該一對導引器的形狀係呈現半圓柱形，並將該微鏡片基板挾置其中使軸心略平行而對向配置於其兩緣部位置處，且較該微鏡片要向該基板側突出，而設置於該遮罩；使該基板對向於該微鏡片基板並往該薄膜的移動方向移動之階段；以及使通過該複數微鏡片而穿透該薄膜之複數道雷射束聚光在該基板上，來對該非晶矽膜賦予光能量之階段。
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