CN103262213B - 激光退火装置及激光退火方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种激光退火装置，向形成在TFT基板(10)上的非晶硅膜照射多个激光束(Lb)而进行退火处理，其具备：掩模(3)，其形成有与TFT基板(10)上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口；微型透镜基板(4)，其经由形成在一面上的多个微型透镜使分别通过了掩模(3)的多个开口的多个激光束(Lb)会聚到TFT基板(10)上，从而向非晶硅膜施加一定的光能；一对引导件(25)，它们呈半圆柱状的形状，隔着微型透镜基板(4)以轴心大致平行的方式对置配置在微型透镜基板(4)的两缘部的位置，且顶部比微型透镜的顶部的位置向TFT基板(10)侧突出；薄膜(22)，其以能够移动的方式张设在一对引导件(25)间并使激光束(Lb)透过。由此，容易进行激光束的照射能量的维持管理，且能抑制照射图案的形状紊乱。

Description

激光退火装置及激光退火方法
技术领域
本发明涉及一种经由多个微型透镜向形成在基板上的非晶硅膜照射多个激光束并进行退火处理的激光退火装置，尤其是涉及一种容易进行激光束的照射能量的维持管理，且能够抑制照射图案的形状紊乱的激光退火装置及激光退火方法。
背景技术
以往，这种激光退火装置通过微型透镜阵列而形成多个激光束，并按照各光束形成焦点，通过缩小转印光学系统将该光束的各焦点向非晶硅膜面侧转印并成像，通过对非晶硅膜面的光束照射来实施激光处理，对薄膜晶体管(以下，称为“TFT”)形成区域的非晶硅膜进行多晶硅化，在缩小转印光学系统的下表面侧，设置石英板作为保护用构件而能够防止在退火处理时飞散的污染物质附着于光学系统的情况(例如，参照专利文献1)。
另外，作为防止污染物质附着于光学系统的光学系统保护手段，有如下的结构，即：在通过聚光透镜使激光束会聚到被加工物上进行加工的装置中，将架设在卷绕卷轴与送出卷轴之间并使激光束透过的薄膜配置成在聚光透镜与被加工物之间能够移动(例如，参照专利文献2)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-311906号公报
专利文献2：日本特开平7-100670号公报
发明的概要
发明要解决的课题
然而，在上述专利文献1记载的激光退火装置中，由于使用石英板作为防止污染物质附着于光学系统的保护用构件，因此能够平坦地形成表面，不会发生照射图案的形状紊乱，但每使用一定时间就必须更换污染的石英板，存在作业烦杂的问题。因此，存在无法将激光束的照射能量长时间稳定地维持为高状态的问题。
另外，上述专利文献2记载的光学系统保护手段由于将薄膜配置成在聚光透镜与被加工物之间能够移动，因此存在无需每使用一定时间进行更换而作业简单的优点，但是对薄膜进行引导的一对辊未隔着聚光透镜而对置配置在其缘部的位置，由于一对辊间的距离长，因此当反张力作用于薄膜时，有在一对辊间的薄膜上容易产生与其移动方向平行的纵纹的问题。因此，在将这样的光学系统保护手段适用于上述专利文献1的激光退火装置时，由于上述薄膜的纵纹而向基板照射的激光束的照射图案形状发生紊乱，存在无法将TFT形成区域退火处理成预先确定的形状的问题。
发明内容
因此，本发明应对这样的问题点，目的在于提供一种能够容易进行激光束的照射能量的维持管理，且能够抑制照射图案的形状紊乱的激光退火装置及激光退火方法。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的，本发明的激光退火装置向形成在基板上的非晶硅膜照射多个激光束而进行退火处理，其具备：掩模，其形成有与所述基板上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口；微型透镜基板，其经由形成在一面上的多个微型透镜使分别通过了所述掩模的所述多个开口的所述多个激光束会聚到所述基板上，从而向所述非晶硅膜施加一定的光能；一对引导件，它们呈半圆柱状的形状，隔着所述微型透镜基板以轴心大致平行的方式对置配置在所述微型透镜基板的两缘部的位置，且顶部比所述微型透镜的顶部的位置向所述基板侧突出；薄膜，其以能够移动的方式张设在所述一对引导件间并使所述激光束透过。
根据这样的结构，掩模形成有与基板上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口，分别通过了该掩模的该多个开口的多个激光束通过在微型透镜基板的一面上形成的多个微型透镜而会聚到基板上，向形成在基板上的非晶硅膜施加一定的光能而进行退火处理。此时，半圆柱状的一对引导件隔着微型透镜基板以轴心大致平行的方式对置配置在微型透镜基板的两缘部的位置，且顶部比微型透镜的顶部的位置向基板侧突出，使激光束透过的薄膜以能够移动的方式张设在这一对引导件间，从而抑制污染物质附着于微型透镜基板面的情况。
另外，将所述掩模设于中间而在一方侧具备送出所述薄膜的送出卷轴且在另一方侧具备卷绕所述薄膜的卷绕卷轴，在所述一对引导件之间，以作用有一定的反张力的状态，使所述薄膜能够以恒定速度连续通过或每隔一定的时间间隔能够通过一定量。由此，从将掩模设于中间而在一方侧具备的送出卷轴送出薄膜，并通过在另一方侧具备的卷绕卷轴卷绕薄膜，同时在一对引导件之间，以作用有一定的反张力的状态，使薄膜能够以恒定速度连续通过或每隔一定的时间间隔能够通过一定量。
此外，设有使所述基板沿着与所述一对引导件的轴心交叉的方向以恒定速度移动的搬运机构。由此，利用搬运机构使基板沿着与一对引导件的轴心交叉的方向以恒定速度移动。
另外，所述基板是显示装置用的薄膜晶体管(以下，称为“TFT”)基板，所述被退火区域是TFT形成区域。由此，对显示装置用的TFT基板的TFT形成区域进行激光退火处理。
并且，所述微型透镜以在该微型透镜的顶部与所述薄膜之间、或者在所述薄膜与所述基板之间具有焦点的方式形成。由此，利用微型透镜使激光束临时聚光于微型透镜的顶部与薄膜之间、或所述薄膜与所述基板之间的焦点。
另外，本发明的激光退火方法经由掩模和微型透镜基板而向形成在基板上的非晶硅膜照射多个激光束来进行退火处理，该掩模形成有一定形状的多个开口，该微型透镜基板与该掩模的所述多个开口分别对应而设有多个微型透镜，所述激光退火方法包括：在张设于一对引导件间的状态下，使接受所述激光束透过的薄膜沿着与所述一对引导件的轴心交叉的方向移动的步骤，这一对引导件呈半圆柱状的形状，隔着所述微型透镜基板以轴心大致平行的方式对置配置在所述微型透镜基板的两缘部的位置，且顶部比所述微型透镜的顶部的位置向所述基板侧突出；使所述基板与所述微型透镜基板对置而沿着所述薄膜的移动方向以恒定速度移动的步骤；使通过所述多个微型透镜并透过所述薄膜的多个激光束会聚到所述基板上，从而向所述非晶硅膜施加一定的光能的步骤。
发明效果
根据本发明第一及第二方面，由于在微型透镜基板与基板之间设置能够移动的薄膜而防止污染物质附着于微型透镜基板面的情况，因此无需频繁更换薄膜，能够容易地进行激光束的照射能量的维持管理。并且，薄膜由隔着微型透镜基板而对置配置的一对引导件支承，因此能够使一对引导件间的距离远小于现有技术中的距离，从而抑制与薄膜的移动方向平行的纵纹的产生而抑制照射图案的形状紊乱。因此，能够高形状精度地对被退火区域进行退火处理。
另外，根据本发明第三方面，使基板以恒定速度移动并同时进行激光退火处理，因此能够使用小掩模进行大型基板的激光退火处理，能够使激光退火处理工序的成本廉价。而且，能够缩短对大型基板的退火处理工序的生产节拍。
此外，根据本发明第四方面，能够均匀地实施显示用TFT基板的TFT形成区域的退火处理。因此，在显示区域整面上能够使薄膜晶体管的动作性能大致恒定地一致，从而能够提高显示图像的品质。
并且，根据本发明第五方面，能够抑制激光能量的一部分由浮游在基板面与薄膜之间的硅蒸汽吸收而产生能量损失的情况。而且，由于在薄膜上不具有焦点，因此激光能量未集中在薄膜上，能够防止薄膜烧坏。
另外，根据本发明第六方面，由于在微型透镜基板与基板之间设置能够移动的薄膜而防止污染物质附着于微型透镜基板面的情况，因此无需频繁更换薄膜，能够容易地进行激光束的照射能量的维持管理。并且，薄膜由隔着微型透镜基板而对置配置的一对引导件支承，因此能够使一对引导件间的距离远小于现有技术中的距离，从而抑制与薄膜的移动方向平行的纵纹的产生而抑制照射图案的形状紊乱。因此，能够高形状精度地对被退火区域进行退火处理。此外，由于边使基板以恒定速度移动边进行激光退火处理，因此能够使用小掩模进行大型基板的激光退火处理，能够使激光退火处理工序的成本廉价。而且，能够缩短对大型基板的退火处理工序的生产节拍。
附图说明
图1是表示本发明的激光退火装置的实施方式的主视图。
图2是表示在激光退火处理中使用的TFT基板的俯视图。
图3是表示在本发明的激光退火装置中使用的掩模及微型透镜基板的组装结构例的图，(a)是俯视图，(b)是(a)的O-O线剖视向视图。
图4是将本发明的激光退火装置的主要部分放大表示的局部剖视主视图。
图5是表示本发明的激光退火装置进行的激光退火处理的说明图。
具体实施方式
以下，基于附图，详细说明本发明的实施方式。图1是表示本发明的激光退火装置的实施方式的主视图。该激光退火装置经由多个微型透镜向形成在基板上的非晶硅膜照射多个激光束并进行退火处理，具备搬运机构1、激光光源2、掩模3、微型透镜基板4、光学系统保护机构5、对准机构6。
在此，如图2所示，上述基板是在纵横形成的多个栅极线7与数据线8的交叉部所对应的部分且在未图示的栅极电极上预先设定有TFT形成区域9(被退火区域)的显示装置用的TFT基板10，多个TFT形成区域9以与像素11的排列间距相同的排列间距(纵向为X，横向为Y)设定为矩阵状。需要说明的是，在此，箭头A所示的TFT基板10的搬运方向(以下，称为“基板搬运方向”)为纵向，与之交叉的方向为横向。并且，在TFT基板10上，对准基准位置设定在与基板搬运方向平行的例如栅极线7的缘部，该对准基准位置作为TFT形成区域9与后述的掩模3的开口16的位置对合的基准。在本实施方式中，上述对准基准位置设定在朝向基板搬运方向而位于左端的栅极线7的右侧缘部。此时，栅极线7的右侧缘部与TFT形成区域9的中心之间的水平距离根据设计值来决定。需要说明的是，在图2中记载有栅极线7和数据线8这两者，但是在激光退火步骤中，仅形成栅极线7。
上述搬运机构1在上表面载置TFT基板10而朝向上述TFT形成区域9的纵横任一方的排列方向例如图2所示的箭头A方向，以恒定速度搬运TFT基板10，将在上表面具有喷出气体的多个喷出孔和吸引气体的多个吸引孔的多个单位台12沿着基板搬运方向并列设置，在借助气体的喷出力与吸引力的平衡而使TFT基板10在多个单位台12上浮起规定量的状态下，例如通过搬运辊13对TFT基板10的两端缘部进行支承并搬运。
在上述搬运机构1的上方设有激光光源2。该激光光源2是以例如50Hz的重复周期发射例如波长为308nm或353nm的激光L的准分子激光器。
在从上述激光光源2发射的激光L的光路上设有掩模3。如图3所示，该掩模3在遮光膜15上形成有与TFT基板10上的TFT形成区域9的形状相似形例如圆形的多个开口16，该遮光膜15形成在透明的例如石英基板14的一面14a上，如图3(a)所示，具有使例如6列的开口列17相互分离距离X而平行配置的结构，该开口列17以与基板搬运方向(箭头A方向)交叉地设定多个的TFT形成区域9的排列间距Y的2以上的整数倍的间距(在图3中由2Y表示)排列设有多个开口16，以对位于基板搬运方向排头侧的3列的开口列17(以下，称为“第一开口组18”)的各开口16间进行增补的方式沿着开口16的排列方向错开规定尺寸(在图3中由Y表示)而形成后续的3列的开口列17(以下，称为“第二开口组19”)。并且，以形成有遮光膜15的面14a的相反侧的面14b成为搬运机构1侧的方式设置。
在上述掩模3的搬运机构1侧的面14b上设有微型透镜基板4。该微型透镜基板4使分别通过了掩模3的多个开口16的多个激光束Lb经由多个微型透镜而会聚到TFT基板10上，向非晶硅膜赋予例如2J/cm2左右的光能，如图3所示，在基板搬运方向(箭头A方向)的宽度为约10mm～约15mm且与基板搬运方向交叉的方向的宽度为约50mm的透明的基板21的一面21a上，以与设于掩模3的多个开口16相同的排列间距(纵向为X，横向为2Y)形成多个微型透镜20(参照该图(a))，以所述多个微型透镜20的光轴与上述掩模3的开口16的中心一致的状态将另一面21b与掩模3的面14b接合(参照该图(b))。在此，各微型透镜20以后焦点的位置成为微型透镜20的顶点与通过微型透镜基板4的下侧的后述的薄膜22之间、或薄膜22与基板21之间的方式设计即可。由此，不会发生由微型透镜20聚光的激光束Lb的光能因退火处理而被浮游在TFT基板10面与薄膜22之间的硅蒸汽吸收从而导致能量损失的情况。而且，由于在薄膜22上没有焦点，因此不会发生激光能量集中在薄膜22上而烧坏薄膜22的情况。
在上述微型透镜基板4与搬运机构1的上表面之间以使激光束Lb透过的薄膜22能够移动的方式设置光学系统保护机构5。该光学系统保护机构5能够防止在退火处理时飞散的污染物质附着于光学系统的情况，如图4的主要部分放大所示，具备送出卷轴23、卷绕卷轴24、一对引导件25。这种情况下，作为上述薄膜22，适用紫外线透过率为90％以上，抗激光性为10J/cm2以上，厚度为10μm左右的例如聚乙烯薄膜。
详细而言，上述送出卷轴23将卷起一定量的薄膜22送出，借助与旋转轴26连结设置的反张力用电动机27，将薄膜22的送出方向(箭头B方向)的相反方向的张力始终向薄膜22施加，而能够以施加了反张力的状态送出薄膜22，上述送出卷轴23将掩模3设于之间而设置在一方侧(图4中朝向基板搬运方向(箭头A方向)而在掩模3的跟前侧)。而且，上述卷绕卷轴24借助与旋转轴28连结设置的卷绕用电动机29而向箭头C方向旋转来卷绕薄膜22，将掩模3设于之间而设置在上述送出卷轴23的相反侧。此外，上述一对引导件25用于抑制在通过微型透镜基板4的下表面的薄膜22上产生与该薄膜22的移动方向平行的纵纹的情况，呈具有平滑的表面的半圆柱状的形状，隔着微型透镜基板4以轴心与掩模3的下表面3b大致平行的方式对置配置在微型透镜基板4的两缘部4a、4b的位置，并以顶部比微型透镜20的顶部的位置向搬运机构1侧(通过下侧的TFT基板10侧)突出一定量的方式设置。由此，薄膜22在一对引导件25之间，以被施加了一定的反张力的状态，能够以恒定速度连续地移动或每隔一定的时间间隔移动一定量。需要说明的是，图4中的符号30是变更薄膜22的移动方向并使薄膜22的移动稳定化的引导辊。
以能够使上述掩模3及微型透镜基板4沿着与基板搬运方向交叉的方向进行微动的方式设置对准机构6。该对准机构6用于进行掩模3的开口16的中心(或微型透镜20的中心)与TFT形成区域9的位置对合，并通过未图示的控制机构来控制驱动。
基于上述对准机构6的位置对合可以如下进行。即，通过在与单位台12的上表面平行的面内沿着与基板搬运方向交叉的方向将多个受光元件排列成一直线状而配备的未图示的线阵相机，拍摄TFT基板10面，在控制机构的图像处理部对该拍摄图像进行图像处理而检测TFT基板10的对准基准的位置，将该对准基准的位置和线阵相机的拍摄中心之间的距离与存储在存储器中的目标值进行比较来运算其偏离量，为了修正该偏离量而通过控制机构驱动对准机构6来使掩模3及微型透镜20移动即可。这种情况下，线阵相机的拍摄中心与设于掩模3的基准位置(例如掩模3的任一开口16的中心)预先进行位置对合。
需要说明的是，图1中的符号31是使从激光光源2发射的激光L的直径扩张的光束扩展器，符号32是使激光L的横截面内的亮度分布均匀化的均化器，符号33是使激光L成为平行光而向掩模3照射的聚光透镜。
接下来，说明如此构成的激光退火装置的动作及激光退火方法。
首先，将覆盖整个表面而成膜有非晶硅膜的TFT基板10以非晶硅膜为上方，并以栅极线7与搬运方向平行的方式定位而载置在搬运机构1的上表面。
接着，使起动开关接通起动时，以TFT基板10在搬运机构1的单位台12的上表面浮起规定量的状态，通过未图示的控制机构对搬运机构1进行脉冲控制而将TFT基板10向图1所示的箭头A方向以恒定速度搬运。
接着，利用未图示的线阵相机依次拍摄移动中的TFT基板10的表面，在控制机构的图像处理部对其一维图像进行实时处理，基于线阵相机的多个受光元件的排列方向上的亮度变化来检测在TFT基板10上预先设定的对准基准位置(例如，图2中朝向基板搬运方向而位于左端的栅极线7的右侧缘部)，来运算该检测到的对准基准位置与线阵相机的拍摄中心之间的距离。接着，将该运算结果与预先设定并存储的目标值进行比较而算出相比目标值的偏离量。然后，为了修正上述偏离量而通过控制机构驱动控制对准机构6来使掩模3沿着与基板搬运方向交叉的方向移动，进行掩模3与TFT基板10的位置对合。由此，能够使掩模3追随边横向振动边移动中的TFT基板10。
TFT基板10移动，如图5(a)所示，当位于搬运方向排头侧的一列TFT形成区域9到达掩模3的第二开口组19的搬运方向排头侧的开口列17b的正下方时，激光光源2点亮一定时间，将激光L向掩模3照射。并且，通过了掩模3的多个开口16的多个激光束Lb借助微型透镜基板4的多个微型透镜20而会聚到TFT基板10上，使与第二开口组19对应的TFT形成区域9的非晶硅膜退火而实现多晶硅化。
TFT基板10每当移动与掩模3的第一开口组18及第二开口组19的分别位于基板搬运方向排头侧的开口列17a、17b间的距离3X相等的距离时，驱动激光光源2点亮一定时间。由此，使设定在TFT基板10上的整个TFT形成区域9依次退火而实现多晶硅化，形成多晶硅膜34。需要说明的是，图5(b)表示TFT基板10从图5(a)的状态开始移动了距离3X的状态，表示与第二开口组19对应的TFT形成区域9间的TFT形成区域9由第一开口组18退火的状态。
在这样的退火处理中，通过激光束Lb的照射，使非晶硅膜的一部分发生蒸汽化而浮游在TFT基板10面与微型透镜基板4之间，该硅蒸汽作为污染物质而附着在微型透镜20的表面，会使激光束Lb的透过率下降。因此，在本发明中，设置光学系统保护机构5，通过在微型透镜基板4与搬运机构1的上表面(或TFT基板10)之间移动的薄膜22，来防止污染物质附着于微型透镜20面的情况。以下，对上述光学系统保护机构5的动作进行说明。
首先，卷绕用电动机29驱动而使卷绕卷轴24向图4所示的箭头C方向旋转，卷绕薄膜22。由此，架设在设于微型透镜基板4的两缘部4a、4b上的一对引导件25之间的薄膜22以恒定速度连续移动，或每隔一定的时间间隔移动一定量。因此，因激光束Lb的照射而发生蒸汽化且浮游在TFT基板10面与微型透镜基板4之间的硅蒸汽(污染物质)附着于薄膜22面，而不会附着于微型透镜20面。此时，由于薄膜22以恒定速度连续移动或每隔一定的时间间隔移动一定量，因此污染物质附着而被污染至容许的程度以上的薄膜22面向下游侧移动，在微型透镜基板4的下侧存在始终具有一定程度以上的透过率的薄膜22面。因此，激光束Lb的透过率始终维持成容许值以上，能够良好地进行激光退火处理。需要说明的是，在实验中可知，当激光束Lb进行了1000束的照射时，薄膜22的透过率下降了大致容许界限的约7％。因此，例如每当激光束Lb进行了1000束的照射时，使薄膜22移动与一对引导件25间的距离相应的量即可。
此时，与送出卷轴23的旋转轴26连结的反张力用电动机27产生与图4中的箭头B所示的薄膜22的送出方向相反的相反方向的旋转力，向薄膜22施加与送出方向相反的相反方向的张力。因此，反张力作用于薄膜22，薄膜22成为张设在一对引导件25间的状态。然而，上述一对引导件25的间隔可以远小于现有技术中的一对辊间的距离，即使反张力作用于薄膜22，也能抑制在薄膜22的上述一对引导件25间的部分上产生与薄膜22的移动方向平行的纵纹。因此，透过薄膜22而照射到TFT基板10上的激光束Lb的照射图案形状确保与掩模3的开口16大致相同的形状，能够高精度地对TFT基板10的TFT形成区域9进行退火处理。
当基板搬运方向的一连串的退火处理结束时，TFT基板10以高速返回到开始位置。然后，沿着与基板搬运方向交叉的方向步进移动一定距离，与上述同样地执行对相邻区域的退火处理。并且，通过反复进行上述处理，来进行TFT基板10整面的退火处理。或者可以是当箭头A方向的第一次的退火处理结束时，使TFT基板10沿着与基板搬运方向交叉的方向，相对于掩模3而相对地步进移动一定距离，然后，使搬运方向反向而向箭头A的相反方向搬运TFT基板10，与上述同样地执行对相邻区域的退火处理。
无论是上述哪种情况，都可以在例如基板搬运方向的终点位置设置光传感器，当对TFT基板10的第一次的退火处理结束时，测定薄膜22的透过率而估算激光束Lb的容许照射次数。具体而言，在使薄膜22的移动停止的状态下将基板搬运至终点位置并同时执行了第一次的退火处理后，计测薄膜22的透过率而算出透过率的下降量，根据第一次的退火处理执行时的激光束Lb的照射次数，估算相对于透过率的容许下降量的容许照射次数。并且，以后，每当激光束Lb的照射次数成为该估算的容许照射次数时，使薄膜22步进移动一定量。由此，根据薄膜22的透过率的实测值来设定用于判断薄膜22的步进移动的时机的激光束Lb的容许照射次数，因此能够将薄膜22的透过率稳定地维持为一定值以上，能够始终适当地执行退火处理。
需要说明的是，在以上的说明中，叙述了TFT基板10为显示装置用的基板的情况，但本发明并不局限于此，基板可以是形成有非晶硅膜的例如半导体基板等任意结构。
符号说明
1…搬运机构
3…掩模
4…微型透镜基板
9…TFT形成区域(被退火区域)
10…TFT基板
16…开口
20…微型透镜
22…薄膜
23…送出卷轴
24…卷绕卷轴
25…引导件
Lb…激光束

Claims (5)

1.一种激光退火装置，向形成在基板上的非晶硅膜照射多个激光束而进行退火处理，其特征在于，具备：
掩模，其形成有与所述基板上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口；
微型透镜基板，其经由形成在一面上的多个微型透镜使分别通过了所述掩模的所述多个开口的所述多个激光束会聚到所述基板上，从而向所述非晶硅膜施加一定的光能；
一对引导件，它们呈半圆柱状的形状，隔着所述微型透镜基板以轴心大致平行的方式对置配置在所述微型透镜基板的两缘部的位置，且顶部比所述微型透镜的顶部的位置向所述基板侧突出；
薄膜，其以能够移动的方式张设在所述一对引导件间并使所述激光束透过，
将所述掩模设于中间而在一方侧具备送出所述薄膜的送出卷轴且在另一方侧具备卷绕所述薄膜的卷绕卷轴，在所述一对引导件之间，以作用有一定的反张力的状态，使所述薄膜能够以恒定速度连续通过或每隔一定的时间间隔能够通过一定量。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，
还设有使所述基板沿着与所述一对引导件的轴心交叉的方向以恒定速度移动的搬运机构。
3.根据权利要求1或2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述基板是显示装置用的薄膜晶体管基板，以下，将薄膜晶体管称为“TFT”，所述被退火区域是TFT形成区域。
4.根据权利要求1或2所述的激光退火装置，其特征在于，
所述微型透镜以在该微型透镜的顶部与所述薄膜之间、或者在所述薄膜与所述基板之间具有焦点的方式形成。
5.一种激光退火方法，经由掩模和微型透镜基板而向形成在基板上的非晶硅膜照射多个激光束来进行退火处理，该掩模形成有一定形状的多个开口，该微型透镜基板与该掩模的所述多个开口分别对应而设有多个微型透镜，所述激光退火方法的特征在于，包括：
在张设于一对引导件间的状态下，使接受所述激光束透过的薄膜沿着与所述一对引导件的轴心交叉的方向移动的步骤，这一对引导件呈半圆柱状的形状，隔着所述微型透镜基板以轴心大致平行的方式对置配置在所述微型透镜基板的两缘部的位置，且顶部比所述微型透镜的顶部的位置向所述基板侧突出；
使所述基板与所述微型透镜基板对置而沿着所述薄膜的移动方向以恒定速度移动的步骤；
使通过所述多个微型透镜并透过所述薄膜的多个激光束会聚到所述基板上，从而向所述非晶硅膜施加一定的光能的步骤。
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