JP6990171B2 - アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール処理装置 - Google Patents
アニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール処理装置 Download PDFInfo
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Description
この発明は、レーザ光の照射によりアニール処理が施されたアニール被処理体の製造方法、前記被処理体が支持されるレーザアニール基台および被処理体にレーザアニール処理を行うレーザアニール処理装置に関するものである。
従来のレーザアニール処理装置では、レーザアニール処理を行う際に、レーザ加工対象物を試料台上に設置してレーザ光を照射しており、レーザ加工対象物の大きさに合わせて試料台を作成している。そして、最近では、レーザ加工対象物は大型化が進んでおり、レーザ加工対象物が大きくなるに連れて試料台も大きくなっている。このため、重さ、表面の平坦度、移動時の揺れ、移動時の速度のばらつきなどが悪くなり、レーザ処理で要求される仕様を維持することが難しくなっている。特に、レーザアニール処理装置は、ＯＬＥＤや高精細ＬＣＤなどの高性能のディスプレイに使用され、より要求性能が高くなっており、大型基板、特に２ｍ以上の基板のレーザ加工において、レーザ加工に必要な仕様を試料台が満足させることが難しい。例えば、レーザ加工対象物の表面平坦度が損なわれると、レーザ光が照射される際の焦点と照射位置との関係がずれて、アニール効果が位置によって不均一になってしまうことがある。
これに対し、例えば、特許文献１では、複数のローラーを有する被処理対象物搬送用ローラー搬送手段と、被処理対象物を処理するためのレーザ加工装置とからなり、レーザ加工装置が、レーザ発振器とオートフォーカス機構とを有し、レーザ発振器にオートフォーカス機構が接続されて、レーザ発振器から発振されるレーザビームを、オートフォーカス機構を介して被処理対象物の表面へ照射させて処理できるようにした製造装置が提案されている。
しかし、特許文献１に記載された装置では、構造が複雑になる上に、連続して平坦面が変化するような被処理対象物に、的確に、レーザビームをオートフォーカスすることは容易ではなく、特に、ラインビーム形状にしてレーザ光を照射するような場合、オートフォーカスによって長軸方向全体に焦点位置を合わせることは困難である。
本願発明は、上記事情を背景としてなされたものであり、レーザ光の照射領域で被処理体の平坦度を適正にしてアニール処理を良好に行うことを可能にするアニール被処理体の製造方法、レーザアニール基台およびレーザアニール処理装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明のアニール被処理体の製造方法のうち、第１の本発明は、被処理体にレーザ光を照射して前記被処理体のアニールを行うアニール被処理体の製造方法において、
前記被処理体を支持する支持ステップと、支持された被処理体に前記レーザ光を照射する照射ステップとを有し、前記支持ステップでは、少なくとも前記被処理体に対するレーザ光の照射領域において、回転位置により上端高さ位置を調整したカム部材によって前記被処理体を支持し、
前記カム部材は、前記被処理体をガス浮上により支持をするものであることを特徴とする。
前記被処理体を支持する支持ステップと、支持された被処理体に前記レーザ光を照射する照射ステップとを有し、前記支持ステップでは、少なくとも前記被処理体に対するレーザ光の照射領域において、回転位置により上端高さ位置を調整したカム部材によって前記被処理体を支持し、
前記カム部材は、前記被処理体をガス浮上により支持をするものであることを特徴とする。
第２の本発明のアニール被処理体の製造方法は、前記第１の本発明において、前記照射ステップでは、前記レーザ光を、前記被処理体に対し相対的に走査しつつ照射し、前記支持ステップでは、前記レーザ光の相対的な走査に伴って、少なくともレーザ光の照射領域にある前記被処理体に対し、前記カム部材による支持を行うことを特徴とする。
第３の本発明のアニール被処理体の製造方法は、前記第１または第２の本発明において、前記レーザ光の照射領域にある被処理体の高さ位置を測定する測定ステップと、測定された前記高さ位置に基づいて前記カム部材の回転位置を定める高さ位置調整ステップと、を有することを特徴とする。
第４の本発明のレーザアニール基台は、レーザ光が照射される被処理体を支持する支持部を備え、前記支持部は、少なくとも前記レーザ光が被処理体に照射される照射領域に対応して前記被処理体をガス浮上により下面側から支持するカム部材と、前記カム部材を回転させるカム回転駆動部とを有することを特徴とする。
第５の本発明のレーザアニール基台は、前記第４の本発明において、前記レーザ光に対し前記被処理体を相対的に移動させて、前記レーザ光の走査を行う走査装置を有し、前記カム部材は、前記レーザ光の走査に伴って、少なくともレーザ光の照射領域にある前記被処理体に対し、前記支持を行うことを特徴とする。
第６の本発明のレーザアニール基台は、前記第５の本発明において、前記カム部材は、前記レーザ光の照射位置に対し、固定された設置位置を有し、カム部材を有しない他の支持部が、前記被処理体とともに移動可能であることを特徴とする。
第７の本発明のレーザアニール基台は、前記第４～第６の本発明のいずれかにおいて、少なくとも前記レーザ光が照射される照射領域に対応して前記被処理体の高さ位置を測定する測定器と、前記カム回転駆動部を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記測定器の測定結果を受け、該測定結果に基づいて前記カム部材の回転位置を調整して前記被処理体を予め定めた高さ位置に調整する制御を行うことを特徴とする。
第８の本発明のレーザアニール基台は、前記第４～第７の本発明において、前記カム回転駆動部を制御する制御部を有し、前記カム部材を前記被処理体の下面方向において複数有し、前記制御部は、各カム部材のそれぞれ、または複数個のカム部材のグループ毎に、独立して回転位置の変更が可能であることを特徴とする。
第９の本発明のレーザアニール基台は、前記第４～第８の本発明のいずれかにおいて、前記カム部材は、少なくともガス吹き出し面側が多孔質材料で構成されていることを特徴とする。
第１０の本発明のレーザアニール基台は、前記第４～第９の本発明のいずれかにおいて、前記カム部材は、カム部材から吹き出されるガスが、前記カム部材の回転位置に拘わらず、被処理体下面に対し直上側で当たる吹き出し部を有することを特徴とする。
第１１の本発明のレーザアニール基台は、前記第４～第１０の本発明のいずれかにおいて、前記レーザ光が、ラインビーム形状に整形されて前記被処理体に照射されるものであり、前記カム部材は、前記レーザ光の長軸方向に沿って、複数配置されていることを特徴とする。
第１２の本発明のレーザアニール処理装置は、前記第４～第１１の本発明のいずれかに記載のレーザアニール基台と、レーザ光を出力するレーザ光源と、前記レーザ光を導いて前記レーザアニール基台で支持されている被処理体に前記レーザ光を照射する光学系と、を備えることを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるレーザ加工対象物などの被処理体に対するレーザ光照射において、被処理体の表面高さを簡単に調整できるようにし、レンズの焦点位置付近にレーザビームを正確に合わせることで、常に同一のビームを照射することができ、被処理体に対するアニール処理を均一にして照射結果を改善させることができる効果がある。
以下に、本発明の一実施形態に係るアニール基台および該アニール基台を備えるレーザアニール処理装置を図１に基づいて説明する。
レーザアニール処理装置１は、処理室２を備えており、処理室２内に走査装置３が設けられている。走査装置３はＸ方向（走査方向）に移動可能な走査方向移動部３０を有している。該走査方向移動部３０上には、走査方向移動部３０とともに移動する複数の支持部４が設けられている。支持部４は、間隔を置いてＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ複数配置されており、その頂部が、被処理体が載置される設置部になっている。この実施形態１では、支持部４は柱状に形成され頂面が設置部になっている。
走査方向移動部３０は、処理室２の基盤上にＸ方向に伸張して設けられたガイドなどに沿って移動可能とされており、図示しないモータなどによって駆動され、支持部４をレーザ光の走査方向に移動させることができる。また、走査方向移動部３０は、Ｙ方向に移動して照射位置を変更できるようにしてもよい。
レーザアニール処理装置１は、処理室２を備えており、処理室２内に走査装置３が設けられている。走査装置３はＸ方向（走査方向）に移動可能な走査方向移動部３０を有している。該走査方向移動部３０上には、走査方向移動部３０とともに移動する複数の支持部４が設けられている。支持部４は、間隔を置いてＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ複数配置されており、その頂部が、被処理体が載置される設置部になっている。この実施形態１では、支持部４は柱状に形成され頂面が設置部になっている。
走査方向移動部３０は、処理室２の基盤上にＸ方向に伸張して設けられたガイドなどに沿って移動可能とされており、図示しないモータなどによって駆動され、支持部４をレーザ光の走査方向に移動させることができる。また、走査方向移動部３０は、Ｙ方向に移動して照射位置を変更できるようにしてもよい。
また、レーザ光が照射される照射領域の下方側に、カム部材５がＹ方向（走査方向と直交する方向）に沿って配置されている。カム部材５は、本発明の支持部の一部を構成している。カム部材５は、支持部４が移動するＸ方向ライン上に位置しないようにして、Ｙ方向に沿って間隔を置いて複数位置している。これにより支持部４が走査方向移動部３０とともに移動する際にカム部材５と干渉しないようになっている。各カム部材５には、それぞれカム部材５の回転位置を調整する駆動モータ６が連結されている。駆動モータ６には、ステッピングモータなどを用いることができる。駆動モータ６は、本発明のカム回転駆動部に相当する。カム回転駆動部はその種別が特に限定されるものではない。カム部材５は、その頂部側で被処理体を支持するが、頂部の位置および高さは、カム部材５の回転によって変更することができる。回転位置は任意の位置に変更できるようにしてもよく、また、予め定められた複数の位置を選択して変更できるようにしてもよい。
上記した走査方向移動部３０やガイドなどを備える走査装置３、支持部４、カム部材５、駆動モータ６は、本発明のアニール基台の構成要素である。
なお、カム部材５は、本発明としては複数有することが必須とされるものではない。
上記した走査方向移動部３０やガイドなどを備える走査装置３、支持部４、カム部材５、駆動モータ６は、本発明のアニール基台の構成要素である。
なお、カム部材５は、本発明としては複数有することが必須とされるものではない。
また、処理室２には、外部からラインビームを導入する導入窓７が設けられている。
処理室２内では、導入窓７の下方側に、レーザ光１５０の光路を囲むようにした噴射筒８が設けられており、噴射筒８の下面側にレーザ光が透過する孔などの透過部が形成されている。
処理室２内では、導入窓７の下方側に、レーザ光１５０の光路を囲むようにした噴射筒８が設けられており、噴射筒８の下面側にレーザ光が透過する孔などの透過部が形成されている。
また、噴射筒８の下面側には、下方側に位置して移動する被処理体の上面高さを測定する高さ測定器９が設けられている。高さ測定器９は、測定地点の高さを連続的または間欠的に測定するものが挙げられる。高さ測定器９の構成は特に限定されるものではないが、例えば光学センサなどを用いて被処理体の高さを測定する。高さ測定器９は、本発明の測定器に相当する。また、高さ測定器９は、レーザ光１５０の照射位置またはこの近傍で被処理体の高さ位置を測定できるものであればよく、噴射筒８に限られず、適宜位置に設置することができ、複数位置で測定するものであってもよい。照射されるレーザ光がラインビームの場合、短軸方向（Ｙ方向）に沿って被処理体の位置を測定するのが望ましく、高さ測定器９を、ラインセンサの使用や複数のセンサを用いたものとすることができる。
レーザ処理時には、走査方向移動部３０の中央にガラス基板などに非晶質のシリコン膜などを形成した半導体基板１００が設置される。半導体基板１００は、本願発明の被処理体に相当する。なお、本発明としては、被処理体が半導体基板に限定されるものではない。
また、本実施形態１のレーザアニール処理装置１は、非晶質膜をレーザ処理により結晶化するレーザアニール処理に関するものとして説明するが、本願発明としてはレーザ処理の内容が非晶質膜の結晶化に限定されるものではなく、例えば、非単結晶の半導体膜を単結晶化したり、結晶半導体膜の改質を行ったりするものであってよい。また、その他の処理に関わるものであってもよく、上記したように、被処理体が特定のものに限定されるものではない。
また、本実施形態１のレーザアニール処理装置１は、非晶質膜をレーザ処理により結晶化するレーザアニール処理に関するものとして説明するが、本願発明としてはレーザ処理の内容が非晶質膜の結晶化に限定されるものではなく、例えば、非単結晶の半導体膜を単結晶化したり、結晶半導体膜の改質を行ったりするものであってよい。また、その他の処理に関わるものであってもよく、上記したように、被処理体が特定のものに限定されるものではない。
処理室２の外部には、レーザ光源１０が設置されている。レーザ光源１０は、パルス発振レーザ光、連続発振レーザ光のいずれのレーザ光を出力するものであってもよく、本発明としてはいずれかに限定されるものではなく、複数のレーザ光源を用いるものであってもよい。ただし、本実施形態１では、エネルギー密度がより高い、パルス発振レーザ光を用いるものが好適である。本実施形態１では、パルス発振レーザ光として、例えば波長４００ｎｍ以下、パルス半値幅２００ｎ秒以下のものが例示される。
レーザ光源１０において出力されるパルス状のレーザ光１５は、必要に応じてアテニュエータ１１でエネルギー密度が調整され、反射ミラー１２ａ、集光レンズ１２ｂ、反射ミラー１２ｃなどを含む光学系１２でラインビーム形状などへの整形や偏向などがなされてレーザ光１５０として出射される。なお、光学系１２を構成する光学部材は上記規定のものに限定されるものではなく、各種レンズ、ミラー、導波部などを適宜備えるものとすることができる。ラインビーム形状の断面形状は特に限定されるものではないが、例えば、被処理体の照射面上で短軸幅の長さが１００μｍ～５００μｍ、長軸幅の長さが３７０～１３００ｍｍのものを例示することができる。
本実施形態１では、被処理体に照射されるレーザ光１５０のビーム断面形状はラインビーム形状であるものとして説明するが、本発明としてはこれに限定されるものではなく、スポット状、円形状、長方形状など、適宜の照射形状とすることも可能である。
本実施形態１では、被処理体に照射されるレーザ光１５０のビーム断面形状はラインビーム形状であるものとして説明するが、本発明としてはこれに限定されるものではなく、スポット状、円形状、長方形状など、適宜の照射形状とすることも可能である。
また、レーザアニール処理装置１には、少なくとも、走査装置３、駆動モータ６、レーザ光源１０、アテニュエータ１１をそれぞれ制御する制御部１６を備えている。制御部１６は、ＣＰＵやＣＰＵに所定の動作を行わせるプログラム、記憶部などにより構成することができる。
走査装置３は、制御部１６の制御によって、所定の速度で走査方向移動部３０を支持部４とともに移動させることができる。所定の速度は特に限定されるものではないが、例えば、１～１００ｍｍ／秒を例示することができる。なお、走査装置３をＹ方向に移動させて走査位置を変更できるものとしてもよい。
走査装置３は、制御部１６の制御によって、所定の速度で走査方向移動部３０を支持部４とともに移動させることができる。所定の速度は特に限定されるものではないが、例えば、１～１００ｍｍ／秒を例示することができる。なお、走査装置３をＹ方向に移動させて走査位置を変更できるものとしてもよい。
制御部１６では、レーザ光源１０を制御して所定の出力でレーザ光１５を出力することができ、さらにはアテニュエータ１１を制御して、被処理体上で所定のエネルギー密度でレーザ光１５０が照射されるように制御することができる。被処理体上におけるエネルギー密度はアニールの目的などに応じて適切な値を設定することができる。
次に、カム部材５について図２に基づいて説明する。
図２は、カム部材５の一つをＹ方向視で見た正面図を示すものであり、上部面は、傾斜した湾曲形状を有している。カム部材５は、下方側にＹ方向に沿った回転軸を有し、該回転軸に駆動モータ６が連結されており、駆動モータ６によってカム部材５を前記回転軸に沿って回転させることができる。カム部材５は、回転すると図２の下図に示すように最大高さ位置が変わる。この実施形態１では、カム部材５の上面側で半導体基板１００が支持されるため、カム部材５の回転位置によってカム部材５上で半導体基板１００の高さ位置が変わる。カム部材５は、レーザ光１５０の直下またはその近傍に配置することで、レーザ光１５０が照射される半導体基板１００の高さ位置をカム部材５の回転動作によって調整することができる。なお、カム部材５の上面が湾曲形状を有していることが必須とされるものではなく、段階的に傾斜角度が異なるものとしてもよい。
図２は、カム部材５の一つをＹ方向視で見た正面図を示すものであり、上部面は、傾斜した湾曲形状を有している。カム部材５は、下方側にＹ方向に沿った回転軸を有し、該回転軸に駆動モータ６が連結されており、駆動モータ６によってカム部材５を前記回転軸に沿って回転させることができる。カム部材５は、回転すると図２の下図に示すように最大高さ位置が変わる。この実施形態１では、カム部材５の上面側で半導体基板１００が支持されるため、カム部材５の回転位置によってカム部材５上で半導体基板１００の高さ位置が変わる。カム部材５は、レーザ光１５０の直下またはその近傍に配置することで、レーザ光１５０が照射される半導体基板１００の高さ位置をカム部材５の回転動作によって調整することができる。なお、カム部材５の上面が湾曲形状を有していることが必須とされるものではなく、段階的に傾斜角度が異なるものとしてもよい。
次に、レーザアニール処理装置１の動作について説明する。
レーザ光源１０において、制御部１６の制御によって所定の繰り返し周波数でパルス発振されて、所定出力でレーザ光１５が出力される。レーザ光１５は、例えば、波長４００ｎｍ以下、パルス半値幅が２００ｎ秒以下のものが例示される。ただし、本発明としてはこれらに限定されるものではない。
レーザ光１５は、制御部１６により制御されるアテニュエータ１１でパルスエネルギー密度が調整される。アテニュエータ１１は所定の減衰率に設定されており、半導体基板１００への照射面上で結晶化に最適な照射パルスエネルギー密度が得られるように、減衰率が調整される。例えば非晶質のシリコン膜を結晶化するなどの場合、その照射面上において、エネルギー密度が２５０～５００ｍＪ／ｃｍ２となるように調整することができる。
レーザ光源１０において、制御部１６の制御によって所定の繰り返し周波数でパルス発振されて、所定出力でレーザ光１５が出力される。レーザ光１５は、例えば、波長４００ｎｍ以下、パルス半値幅が２００ｎ秒以下のものが例示される。ただし、本発明としてはこれらに限定されるものではない。
レーザ光１５は、制御部１６により制御されるアテニュエータ１１でパルスエネルギー密度が調整される。アテニュエータ１１は所定の減衰率に設定されており、半導体基板１００への照射面上で結晶化に最適な照射パルスエネルギー密度が得られるように、減衰率が調整される。例えば非晶質のシリコン膜を結晶化するなどの場合、その照射面上において、エネルギー密度が２５０～５００ｍＪ／ｃｍ２となるように調整することができる。
アテニュエータ１１を透過したレーザ光１５は、光学系１２でラインビーム形状に整形かつ短軸幅を集光されて、ラインビームレーザ光１５０として処理室２に設けた導入窓６に導入される。
ラインビームは、例えば、長軸側の長さが３７０～１３００ｍｍ、短軸側の長さが１００μｍ～５００μｍのものに整形される。
ラインビームは、例えば、長軸側の長さが３７０～１３００ｍｍ、短軸側の長さが１００μｍ～５００μｍのものに整形される。
制御部１６によって制御される走査装置３で所定の走査速度で半導体基板１００を移動させることで、ラインビームレーザ光１５０を半導体基板１００に対し相対的に走査しつつ半導体基板１００に照射することができる。この際の走査速度は、例えば１～１００ｍｍ／秒の範囲内とする。ただし、本発明としては前記走査速度が特定のものに限定されるものではない。
走査ピッチは、特定の数値に限定されるものではないが、例えば５～１５μｍの範囲を挙げることができる。なお、本発明としては、レーザ光を移動させることで半導体基板１００に対しレーザ光を相対的に移動させることができる。レーザ光の移動は、例えば、レーザ光を通過させる光ファイバーの移動などにより行うことができる。
走査ピッチは、特定の数値に限定されるものではないが、例えば５～１５μｍの範囲を挙げることができる。なお、本発明としては、レーザ光を移動させることで半導体基板１００に対しレーザ光を相対的に移動させることができる。レーザ光の移動は、例えば、レーザ光を通過させる光ファイバーの移動などにより行うことができる。
次に、上記ラインビームレーザ光１５０の照射に際しての支持部４の動作について説明する。
この実施形態１では、半導体基板１００の高さ位置が高さ測定器９で測定されており、測定結果は制御部１６に送出される。制御部１６では、測定結果に基づいて、半導体基板１００が所定の高さ位置となるように、駆動モータ６を制御してカム部材５の回転位置を調整する。このため、高さ測定器９は、カム部材５の位置よりも、走査装置３による半導体基板１００の搬送方向上流側で、測定結果がカム部材５の回転位置調整に反映してレーザ光１５０を照射でき、かつできるだけカム部材５に近い位置に配置するのが望ましい。所定の高さ位置は一定の値を用いてもよく、半導体基板１００の走査方向に応じて定められた値としてもよく、要は、予め定めた高さ位置に半導体基板１００の高さを調整できればよい。
この実施形態１では、半導体基板１００の高さ位置が高さ測定器９で測定されており、測定結果は制御部１６に送出される。制御部１６では、測定結果に基づいて、半導体基板１００が所定の高さ位置となるように、駆動モータ６を制御してカム部材５の回転位置を調整する。このため、高さ測定器９は、カム部材５の位置よりも、走査装置３による半導体基板１００の搬送方向上流側で、測定結果がカム部材５の回転位置調整に反映してレーザ光１５０を照射でき、かつできるだけカム部材５に近い位置に配置するのが望ましい。所定の高さ位置は一定の値を用いてもよく、半導体基板１００の走査方向に応じて定められた値としてもよく、要は、予め定めた高さ位置に半導体基板１００の高さを調整できればよい。
なお、Ｙ方向に沿って配置した複数のカム部材５では、全体または一部のカム部材５で同じ動作を行ってもよく、また個別に回転位置を調整できるようにしてもよい。個別にカム部材５の回転位置を調整する場合、各カム部材５の位置に対応した位置で、高さ測定器９で測定された測定結果をそれぞれ用いることができ、短軸方向（Ｙ方向）で均一な高さ位置に調整することができる。この場合、高さ測定器９では、Ｙ方向において連続して高さ位置を測定してもよく、複数箇所で高さ位置を測定するようにしてもよい。
図３は、半導体基板１００が走査方向移動部３０で移動する際に、Ｘ方向における先端側で半導体基板１００がカム部材５に達した状態を示している。なお、図では、半導体基板１００の図示は省略している。
この図では、半導体基板１００のＸ方向先端側がカム部材５の回転によって所定の高さに調整され、レーザ光１５０が適正な焦点位置で照射されて良好なアニール処理がなされる。
半導体基板１００は、走査方向移動部３０によってＸ方向に移動しながらレーザ光１５０が適正な焦点位置で照射される。
この図では、半導体基板１００のＸ方向先端側がカム部材５の回転によって所定の高さに調整され、レーザ光１５０が適正な焦点位置で照射されて良好なアニール処理がなされる。
半導体基板１００は、走査方向移動部３０によってＸ方向に移動しながらレーザ光１５０が適正な焦点位置で照射される。
図４は、半導体基板１００の移動が進んで半導体基板１００のＸ方向中程がカム部材５上に位置して高さ調整が行われている状態を示し、図５は、半導体基板１００の移動が進んで半導体基板１００のＸ方向後端側がカム部材５上に位置して高さ調整が行われている状態を示している。この間に、カム部材５は、固定された位置にあり、照射位置が固定されたレーザ光１５０に対し、同じ位置で半導体基板１００の高さ調整が行われることになる。
また、走査方向において２ライン目の照射があるのであれば、１ライン目が終了したら、図示しない移動装置により横方向に半導体基板１００を移動する。横方向移動された半導体基板に対し、上記した半導体基板の移動およびレーザ光照射を行う。半導体基板に対するガラス全面処理ができたら、次の基板を処理する。
また、走査方向において２ライン目の照射があるのであれば、１ライン目が終了したら、図示しない移動装置により横方向に半導体基板１００を移動する。横方向移動された半導体基板に対し、上記した半導体基板の移動およびレーザ光照射を行う。半導体基板に対するガラス全面処理ができたら、次の基板を処理する。
なお、上記説明では、カム部材５はＹ方向に沿って回転軸を有するものとして説明したが、Ｘ方向、Ｙ方向に対し、水平面方向で傾斜した回転軸を有するものであってもよい。さらに、鉛直方向に対し傾斜した回転軸を有するものであってもよく、複数の回転軸を有し、それぞれの回転軸において回転調整可能としてもよく、さらに自在な回転軸でカム部材５を回転調整できるようにしてもよい。
なお、この実施形態１ではカム部材５は直接半導体基板１００に接触して高さ位置を調整する。半導体基板１００の移動に際しては、半導体基板１００がカム部材５上で摺動するようにしてもよく、また、カム部材５に回転ローラーなどを設けて半導体基板１００の移動を可能にしてもよい。さらに、半導体基板１００に移動に際しカム部材５が回転することで半導体基板１００との接触が一時的に解かれるようにしてもよい。
以上のように、カム部材５で半導体基板１００の高さ位置を簡単かつ正確に調整することができ、半導体基板１００とレーザ光の焦点位置とが適正な位置関係を有し、アニール処理を良好に行うことができる。
以上のように、カム部材５で半導体基板１００の高さ位置を簡単かつ正確に調整することができ、半導体基板１００とレーザ光の焦点位置とが適正な位置関係を有し、アニール処理を良好に行うことができる。
また、この実施形態１では、支持部として、支持部４とカム部材５とを有し、支持部４のみが移動するため、支持構造を分割して移動側を小さくすることができ、移動側における、重さ、表面の平坦度、移動時の揺れ、移動時の速度のばらつきなどの弊害を小さくすることができる。
なお、本実施形態１では、走査装置の移動側を分割することなく支持部の全てが移動するものであってもよい。その場合、Ｘ方向に配置した支持部の複数でカム部材構造を有するものとし、走査装置３による半導体基板１００の移動に伴って、レーザ光１５０の照射領域で対応するカム部材５で、カム部材５の回転によって半導体基板１００の高さ調整を行うことができる。
また、上記実施形態１では、支持部４、カム部材５で、半導体基板１００を押し当てて直接支持するものとしたが、支持部でガスを上方側に噴射して半導体基板を浮上させて支持する構造とすることができる。以下に、この実施形態２について説明する。
図６に、他の実施形態である実施形態２のレーザ処理装置を示す。なお、前記実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
実施形態２では、処理室２内に支持部固定装置２０が設置されており、支持部固定装置２０上に支持部２４がＸ方向およびＹ方向に沿って複数が設置固定されている。また、レーザ光１５０が照射される照射位置の下方側には、カム部材２５がＹ方向に沿って配置されている。カム部材２５の回転軸には、駆動モータ２６が連結されており、駆動モータ２６は本発明の回転駆動部に相当する。
実施形態２では、処理室２内に支持部固定装置２０が設置されており、支持部固定装置２０上に支持部２４がＸ方向およびＹ方向に沿って複数が設置固定されている。また、レーザ光１５０が照射される照射位置の下方側には、カム部材２５がＹ方向に沿って配置されている。カム部材２５の回転軸には、駆動モータ２６が連結されており、駆動モータ２６は本発明の回転駆動部に相当する。
支持部２４では、上方に浮上ガスを吹き出すことで半導体基板１００を吹き出し位置から所定量の高さで半導体基板１００を浮上させる。
また、カム部材２５では、その回転位置に応じて吹き出し位置が設定されており、吹き出しは、カム部材２５からできるだけ直上にガスが吹き出されるように設定されている。
浮上ガスは、本発明としてはその種別が特に限定されるものではないが、例えば、窒素などの不活性ガスを用いることができる。
また、カム部材２５では、その回転位置に応じて吹き出し位置が設定されており、吹き出しは、カム部材２５からできるだけ直上にガスが吹き出されるように設定されている。
浮上ガスは、本発明としてはその種別が特に限定されるものではないが、例えば、窒素などの不活性ガスを用いることができる。
図７は、カム部材２５の一例を示すものであり、３つの吹き出し口２７Ａ、２７Ｂ、２７Ｃが設けられた多孔質構造となっている。各吹き出し口では、カム部材２５の回転位置に応じて最も直上にガスを吹き出す吹き出し口からのみガスを吹き出すように、吹き出し口に弁構造を設けたり、吹き出し通路の連結の切替などを行ったりすることができる。これにより、カム部材２５が回転した際に、直上側にある吹き出し口から所定量の高さで半導体基板１００を浮上させることができ、半導体基板１００の高さ調整を行うことができる。
なお、Ｙ方向に沿って配置した複数のカム部材２５では、全体または一部のカム部材２５で同じ動作を行ってもよく、また個別に回転位置を調整できるようにしてもよい。個別にカム部材２５の回転位置を調整する場合、各カム部材２５の位置に対応した位置で、高さ測定器９で測定された測定結果をそれぞれ用いることができる。この場合、高さ測定器９では、Ｙ方向において連続して高さ位置を測定してもよく、複数箇所で高さ位置を測定するようにしてもよい。
また、上記説明では、カム部材２５はＹ方向に沿って回転軸を有するものとして説明したが、Ｘ方向、Ｙ方向に対し、水平面方向で傾斜した回転軸を有するものであってもよい。さらに、鉛直方向に対し傾斜した回転軸を有するものであってもよく、複数の回転軸を有し、それぞれの回転軸において回転調整可能としてもよく、さらに自在な回転軸でカム部材２５を回転調整できるようにしてもよい。
上記のように、被処理体を浮上させる機構を用いると、支持部側を移動させる必要がなくなる。また、レーザ光の照射領域で、下方側からの反射の影響を排除することができる。さらに、被処理体は支持部と接しないので、パーティクルや静電気の発生を抑えることができ、処理品質を向上させる。
また、上記実施形態では、カム部材によって吹き出し口の高低を調整できるので、ガスの吹き出し量を少なくすることができる。ガス吹き出しは、浮上量を大きくすると、ガス浮上した被処理体が揺れやすくなるが、本実施形態によればこの揺れを抑制することができる。
また、上記実施形態では、カム部材によって吹き出し口の高低を調整できるので、ガスの吹き出し量を少なくすることができる。ガス吹き出しは、浮上量を大きくすると、ガス浮上した被処理体が揺れやすくなるが、本実施形態によればこの揺れを抑制することができる。
図８は、ガス浮上した半導体基板（図示しない）にレーザ光１５０が照射されている状態を示す。半導体基板１００の移動は、半導体基板１００を押し出したり、半導体基板１００を把持して移動する移動装置（図示しない）などを使用したりして行うことができる。
半導体基板１００は、照射領域においてカム部材２５によって高さ調整がなされて、レーザ光１５０の焦点位置と適正な位置関係を有してレーザ光１５０が照射されて良好なアニール処理がなされる。
半導体基板１００は、照射領域においてカム部材２５によって高さ調整がなされて、レーザ光１５０の焦点位置と適正な位置関係を有してレーザ光１５０が照射されて良好なアニール処理がなされる。
なお、実施形態２では、全ての支持部は固定されてガス浮上を行うものとして説明したが、カム部材２５以外は、移動する構造とすることができ、ガス浮上はカム部材２５のみで行うようにしてもよい。
以上、本発明について上記各実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明の範囲を逸脱しない限りは実施形態に対する適宜の変更を行うことは当然に可能である。
１ レーザ処理装置
１ａ レーザ処理装置
２ 処理室
３ 走査装置
４ 支持部
５ カム部材
６ 駆動モータ
７ 挿入窓
８ 噴射筒
９ 高さ測定器
１０ レーザ光源
１２ 光学系
１５ レーザ光
１６ 制御部
２４ 支持部
２５ カム部材
２６ 駆動モータ
３０ 走査方向移動部
１００ 半導体基板
１５０ レーザ光
１ａ レーザ処理装置
２ 処理室
３ 走査装置
４ 支持部
５ カム部材
６ 駆動モータ
７ 挿入窓
８ 噴射筒
９ 高さ測定器
１０ レーザ光源
１２ 光学系
１５ レーザ光
１６ 制御部
２４ 支持部
２５ カム部材
２６ 駆動モータ
３０ 走査方向移動部
１００ 半導体基板
１５０ レーザ光
Claims (12)
- 被処理体にレーザ光を照射して前記被処理体のアニールを行うアニール被処理体の製造方法において、
前記被処理体を支持する支持ステップと、
支持された被処理体に前記レーザ光を照射する照射ステップと、を有し、
前記支持ステップでは、少なくとも前記被処理体に対するレーザ光の照射領域において、回転位置により上端高さ位置を調整し、カム部材によって前記被処理体を支持し、
前記カム部材は、前記被処理体をガス浮上により支持をするものであることを特徴とするアニール被処理体の製造方法。 - 前記照射ステップでは、前記レーザ光を、前記被処理体に対し相対的に走査しつつ照射し、
前記支持ステップでは、前記レーザ光の相対的な走査に伴って、少なくともレーザ光の照射領域にある前記被処理体に対し、前記カム部材による支持を行うことを特徴とする請求項１記載のアニール被処理体の製造方法。 - 前記レーザ光の照射領域にある被処理体の高さ位置を測定する測定ステップと、
測定された前記高さ位置に基づいて前記カム部材の回転位置を定める高さ位置調整ステップと、を有することを特徴とする請求項１または２に記載のアニール被処理体の製造方法。 - レーザ光が照射される被処理体を支持する複数の支持部を備え、
前記支持部の少なくとも一部では、少なくとも前記レーザ光が被処理体に照射される照射領域に対応して前記被処理体をガス浮上により下面側から支持するカム部材と、前記カム部材を回転させるカム回転駆動部とを有することを特徴とするレーザアニール基台。 - 前記レーザ光に対し前記被処理体を相対的に移動させて、前記レーザ光の走査を行う走査装置を有し、
前記カム部材は、前記レーザ光の走査に伴って、少なくともレーザ光の照射領域にある前記被処理体に対し、前記支持を行うことを特徴とする請求項４記載のレーザアニール基台。 - 前記カム部材は、前記レーザ光の照射位置に対し、固定された設置位置を有し、カム部材を有しない他の支持部が、前記被処理体とともに移動可能であることを特徴とする請求項５に記載のレーザアニール基台。
- 少なくとも前記レーザ光が照射される照射領域に対応して前記被処理体の高さ位置を測定する測定器と、
前記カム回転駆動部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記測定器の測定結果を受け、該測定結果に基づいて前記カム部材の回転位置を調整して前記被処理体を予め定めた高さ位置に調整する制御を行うことを特徴とする請求項４～６のいずれか１項に記載のレーザアニール基台。 - 前記カム回転駆動部を制御する制御部を有し、前記カム部材を前記被処理体の下面方向において複数有し、前記制御部は、各カム部材のそれぞれ、または複数個のカム部材のグループ毎に、独立して回転位置の変更が可能であることを特徴とする請求項４～７のいずれか１項に記載のレーザアニール基台。
- 前記カム部材は、少なくともガス吹き出し面側が多孔質材料で構成されていることを特徴とする請求項４～８のいずれか１項に記載のレーザアニール基台。
- 前記カム部材は、カム部材から吹き出されるガスが、前記カム部材の回転位置に拘わらず、被処理体下面に対し直上側で当たる吹き出し部を有することを特徴とする請求項４～９のいずれか１項に記載のレーザアニール基台。
- 前記レーザ光が、ラインビーム形状に整形されて前記被処理体に照射されるものであり、前記カム部材は、前記レーザ光の長軸方向に沿って、複数配置されていることを特徴とする請求項４～１０のいずれか１項に記載のレーザアニール基台。
- 請求項４～１１のいずれか１項に記載のレーザアニール基台と、
レーザ光を出力するレーザ光源と、
前記レーザ光を導いて前記レーザアニール基台で支持されている被処理体に前記レーザ光を照射する光学系と、を備えることを特徴とするレーザアニール処理装置。
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|---|---|---|---|---|
| CN111886687B (zh) * | 2018-01-30 | 2024-02-02 | Rnr实验室公司 | 利用激光束来加热对象物质的加热装置及利用激光的间接加热方法 |
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| JP7412111B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2024-01-12 | Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 | レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN117464209B (zh) * | 2023-11-17 | 2024-07-19 | 海目星激光科技集团股份有限公司 | 电池焊接装置和方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000049110A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Sharp Corp | レーザアニール装置 |
| JP2002231654A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
| JP2002280321A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザアニール装置 |
| WO2008029943A1 (fr) | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Semiconductor & Display Corporation | Mécanisme de lamelles élévatrices |
| JP2009010161A (ja) | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
| WO2012077495A1 (ja) | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
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Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102735A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Hitachi Ltd | 基板変形チャック |
| JPS6318620A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | Fujitsu Ltd | レ−ザ−アニ−ル装置 |
| JP3400345B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2003-04-28 | 株式会社新川 | ボンディング装置用ガイドレール機構 |
| US9036326B2 (en) * | 2008-04-30 | 2015-05-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas bearing electrostatic chuck |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000049110A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Sharp Corp | レーザアニール装置 |
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