KR20100013912A - 박막 패터닝 방법 및 장치 - Google Patents
박막 패터닝 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100013912A KR20100013912A KR1020080075656A KR20080075656A KR20100013912A KR 20100013912 A KR20100013912 A KR 20100013912A KR 1020080075656 A KR1020080075656 A KR 1020080075656A KR 20080075656 A KR20080075656 A KR 20080075656A KR 20100013912 A KR20100013912 A KR 20100013912A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- laser beam
- region
- substrate
- gantry
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 박막 패터닝 공정을 단순화시킴과 아울러 박막 패터닝 공정 시간을 감소시킬 수 있도록 한 박막 패터닝 방법 및 장치에 관한 것으로, 박막 패터닝 방법은 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
박막 패터닝, 레이저 빔, 박막 패턴
Description
본 발명은 박막 패터닝 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 박막 패터닝 공정을 단순화시킴과 아울러 박막 패터닝 공정 시간을 감소시킬 수 있도록 한 박막 패터닝 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)는 액정 표시소자 또는 발광 표시소자 등의 평판 표시소자 등에서 각 픽셀의 동작을 제어하는 스위칭 소자 또는 픽셀을 구동시키는 구동 소자 등으로 사용된다.
이러한 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 전극과 절연되도록 형성된 반도체층, 반도체층 상에 채널 영역을 갖도록 형성된 소스 전극과 드레인 전극, 및 소스 전극에 전기적으로 접속된 화소전극을 포함하여 구성된다.
이와 같은 박막 트랜지스터의 제조 공정은 포토리소그래피(Photorithography) 공정을 포함하여 이루어진다.
그러나, 포토리소그래피 공정은 포토 레지스트(Photo resist) 코팅 공정, 건조 공정, 노광 공정, 현상 공정, 열 처리 공정 및 식각 공정을 포함하여 이루어진다.
따라서, 종래의 박막 트랜지스터 제조방법은 포토리소그래피 공정을 이용한 패터닝 공정에 의해 제조 공정이 복잡하고, 공정 시간이 길다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 박막 패터닝 공정을 단순화시킴과 아울러 박막 패터닝 공정 시간을 감소시킬 수 있도록 한 박막 패터닝 방법 및 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 패터닝 방법은 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거하는 단계; 및 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 패터닝 방법은 박막이 형성된 기판을 스테이지 상에 안착시키는 단계; 및 상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거함과 동시에 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 2 영역의 박막은 단계적으로 감소하는 파워를 가지도록 설정되어 여러 차례 조사되는 제 1 및 제 2 레이저 빔에 의해 제거되는 것을 특징으 로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 패터닝 장치는 베이스 프레임; 박막이 형성된 기판이 안착되는 스테이지; 상기 베이스 프레임에 배치되는 갠트리부; 및 상기 갠트리부에 이동가능하게 설치되어 상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거하는 적어도 하나의 제 1 레이저 빔 조사장치; 및 상기 제 1 레이저 빔 조사장치에 인접하도록 상기 갠트리부에 이동가능하게 설치되어 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 적어도 하나의 제 2 레이저 빔 조사장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 갠트리부는 상기 스테이지를 사이에 두고 상기 베이스 프레임에 설치된 제 1 갠트리; 및 상기 제 1 갠트리에 이동가능하게 설치됨과 아울러 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치가 이동가능하게 설치된 적어도 하나의 제 2 갠트리를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 2 레이저 빔은 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막과 상기 제 2 영역의 박막에 동시에 조사되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 레이저 빔은 상기 제 2 레이저 빔의 폭보다 좁은 폭을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 2 레이저 빔은 단계적으로 감소하는 파워를 가지도록 설정되어 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막과 상기 제 2 영역의 박막에 여러 차례 조사되는 것을 특징으로 한다.
상기 박막은 박막 트랜지스터를 구성하는 위한 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 레이저 빔 조사장치를 이용하여 기판 상에 형성된 박막을 패터닝하여 기판 상에 박막 패턴을 형성함으로써 박막 패터닝 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다.
둘째, 서로 다른 폭의 레이저 빔을 조사하는 적어도 2개의 레이저 빔 조사장치를 이용하여 기판 상의 박막을 패터닝하여 기판 상에 박막 패턴을 형성함으로써 박막 패터닝 공정의 공정 시간을 감소시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1i는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 패터닝 방법을 단계적으로 설명하기 위한 사시도이다.
도 1a 내지 도 1i를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 박막 패터닝 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 전면에 박막(20)을 형성한다. 여기서, 기판(10)은 유리(Glass), 또는 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylenenaphthelate), PP(Polypropylene), PI(Polyamide), TAC(Tri Acetyl Cellulose) 등을 포함하는 플라스틱과 같은 투명 물질로 제조될 수 있으며, 바람직하게는 유리 재질을 갖는다. 그리고, 박막(20)은 박막 트랜지스터를 제조하는데 사용되는 물질 중 어느 하나가 될 수 있다.
이어, 도 1b에 도시된 바와 같이, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)를 이용하여 기판(10) 상에 박막 패턴을 형성함과 동시에 제 2 레이저 빔 조사장치(40)를 이용하여 기판(10) 상에 형성될 박막 패턴을 제외한 박막(20)을 제거한다. 즉, 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40) 각각은 기판(10)의 일측에서 타측 방향으로 이송하면서 박막(20)에 제 1 및 제 2 레이저 빔(32, 42) 각각을 직접 조사하게 된다. 이때, 제 1 및 제 2 레이저 빔(32, 42) 각각은 고체를 매질로 사용하는 YLiF4(YLF) 크리스탈(Crystal)에 Nd3+를 포함하는 고체를 매질로 사용하는 YLF 레이저이거나, 1064nm의 적외선 파장을 갖는 Nd:YAG 레이저가 사용될 수 있고, 기상 매질을 사용하는 엑시머 레이저(Excimer Laser)인 H-F 레이저 등이 될 수 있으며, 이에 한정되지 않고, 레이저 빔의 종류 또는 단위 면적당 레이저 빔의 강도는 박막(20)의 물질에 따라 변경될 수 있다. 그리고, 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40) 각각은 동일한 이동속도를 가지도록 동일한 방향으로 이송한다.
구체적으로, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 기판(10) 상에 소정의 박막 패턴이 형성될 제 1 영역(22)에 제 1 폭을 가지는 제 1 레이저 빔(32)을 직접 조사함으로써 기판(10)의 제 1 영역(22)에 형성된 박막(20)을 제거하여 박막 패턴을 형성한다. 여기서, 박막(20)이 다른 박막(미도시)의 상부에 형성되어 있는 경우 하층에 패터닝된 하층 박막의 손상을 방지하기 위하여, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 하층 박막에 인접할 수록 단계적으로 감소하는 파워를 가지는 제 1 레이저 빔(32)을 박막(20)에 여러 차례에 조사하여 박막(20)을 제거할 수도 있다.
제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 박막 패턴이 형성되지 않는 기판(10)의 제 2 영역(24)에 제 1 폭보다 넓은 제 2 폭을 가지는 제 2 레이저 빔(42)을 직접 조사함으로써 기판(10)의 제 2 영역(24)에 형성된 박막(20)을 제거한다. 여기서, 박막(20)이 다른 박막(미도시)의 상부에 형성되어 있는 경우 하층에 패터닝된 하층 박막의 손상을 방지하기 위하여, 제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 하층 박막에 인접할 수록 단계적으로 감소하는 파워를 가지는 제 2 레이저 빔(42)을 박막(20)에 여러 차례에 조사하여 박막(20)을 제거할 수도 있다.
한편, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 박막 패턴의 형태에 대응되는 위치에서는, 도 1c에 도시된 바와 같이, 제 1 레이저 빔(32)을 조사하지 않고 이송한 후, 도 1d 및 도 1e에 도시된 바와 같이, 박막 패턴의 형태에 대응되지 않는 위치부터는 제 1 레이저 빔(32)을 다시 조사함과 아울러 이송하면서 기판(10) 상에 박막(20)을 제거한다.
이어, 기판(10)의 제 1 방향에 대한 박막(20)의 제거가 완료되면, 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40) 각각은, 도 1f에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 일측으로 복귀한다.
이어, 도 1f에 도시된 바와 같이, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 박막 패턴의 형태에 대응되도록 제 1 방향과 수평방향으로 수직한 제 2 방향으로 이송됨과 아울러 제 2 레이저 빔 조사장치(30)는 이전 위치에서 제 2 폭만큼 제 2 방향으로 이송된다.
이어, 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40) 각각은, 도 1g에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 일측에서 타측 방향으로 이송하면서 박막(20)에 제 1 및 제 2 레이저 빔(32, 42)을 직접 조사하여 박막(20)을 제거함으로써 기판(10)의 제 1 영역에 박막 패턴(50)을 형성한다.
그리고, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)로부터의 제 1 레이저 빔(32)에 의해 기판(10) 상에 박막 패턴(50)이 형성되면, 도 1h에 도시된 바와 같이, 제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 기판(10) 상의 제 2 영역(24)에 남아 있는 박막(20)에 제 2 레이저 빔(42)을 조사하여 제거한다. 이때, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 제 1 레이저 빔(32)을 박막(20)에 조사하지 않고 이송만 하게 된다. 여기서, 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)는 소정 간격 이격된 상태이기 때문에 기판(10) 상에 남아 있는 박막(20)의 면적에 따라 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 제 2 레이저 빔 조사장치(40)와 함께 제 2 영역(24)의 박막(20)을 제거할 수도 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 박막 패터닝 방법은 서로 다른 폭의 레이저 빔을 조사하는 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 반복적으로 이송하면서 도 1i에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 소정의 박막 패턴(50)을 형성하게 된다.
이와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 패터닝 방법은 서로 다른 폭의 레이저 빔(32, 42)을 조사하는 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 이용하여 기판(10) 상에 형성된 박막(20)을 제거하여 기판(10) 상에 박막 패턴(50)을 형성함 으로써 박막 패터닝 공정을 단순화시킴과 아울러 공정 시간을 감소시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치는 베이스 프레임(100); 스테이지(110); 갠트리(Gantry)부(200); 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 포함하여 구성된다.
베이스 프레임(100)은 스테이지(110)를 지지하고, 그 내부에는 스테이지(110), 갠트리부(200), 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40) 각각을 구동시키거나 제어하는 구동/제어장치(미도시)가 설치될 수 있다.
스테이지(110)는 외부의 기판 반송장치(미도시)에 의해 반송되는 기판(10)이 안착된다. 이때, 기판(10) 상에는 박막 트랜지스터를 제조하는데 사용되는 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어진 박막(20)이 형성되어 있다.
한편, 스테이지(110)는 기판(10)의 로딩/언로딩을 위한 리프트 핀(미도시)을 더 포함하여 구성될 수 있으며, 안착된 기판(10)을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공 패드(미도시)들이 형성될 수 있다. 또한, 스테이지(110)는 구동/제어장치에 의해 X축 및 Y축 방향으로 이동될 수 있다.
갠트리부(200)는 베이스 프레임(100) 상에 설치된 제 1 갠트리(210); 및 제 1 갠트리(210)에 설치되어 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 X축 방향으로 이송시키는 제 2 갠트리(220)를 포함하여 구성될 수 있다.
제 1 갠트리(210)는 LM 가이드 또는 리니어 모터를 이용하여 제 2 갠트 리(220)를 Y축 방향으로 이송시킨다. 이를 위해, 제 1 갠트리(210)는 베이스 프레임(100)의 양측 가장자리에 서로 나란하게 설치된 한 쌍의 제 1 가이더(210a, 210b); 및 제 1 가이더(210a, 210b) 각각에 설치된 한 쌍의 제 1 슬라이더(210c, 210d)를 포함하여 구성될 수 있다.
제 2 갠트리(220)는 제 1 갠트리(210)의 구동에 따라 Y축 방향으로 이송됨과 아울러 LM 가이드 또는 리니어 모터를 이용하여 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 X축 방향으로 이송시킨다. 이를 위해, 제 2 갠트리(220)는 제 1 갠트리(210)의 제 1 슬라이더(210c, 210d)간에 결합된 제 2 가이더(220a); 제 2 가이더(220a)에 설치된 제 2 슬라이더(220b); 및 제 2 슬라이더(220b)에 소정 간격 이격되도록 제 2 가이더(220a)에 설치된 제 3 슬라이더(220c)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 제 2 및 제 3 슬라이더(220b, 220c)간의 이격 간격은 기판(10) 상에 형성될 박막 패턴의 형태에 따라 설정될 수 있다.
이와 같은, 갠트리부(200)는 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 동일한 이동속도를 가지도록 동일한 방향으로 이송시킨다.
제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 제 2 슬라이더(220b)에 설치되어 제 1 갠트리(210)의 구동에 따른 한 쌍의 제 1 슬라이더(210c, 210d)의 이송에 따라 Y축 방향으로 이송됨과 아울러 제 2 갠트리(220)의 구동에 따른 제 2 슬라이더(220b)의 이송에 따라 X축 방향으로 이송된다. 이러한, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 갠트리부(200)의 구동에 의해 X축 및 Y축 방향으로 이송되면서 기판(10)의 박막(20)에 제 1 폭을 가지는 제 1 레이저 빔(32)을 직접 조사함으로써 도 1b 내지 도 1g에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역(22)의 박막(20)을 제거하여 기판(10) 상에 박막 패턴(50)을 형성한다.
한편, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 제 1 레이저 빔(32)을 박막(20)에 1회 조사함으로써 제 1 폭에 대응되는 박막(20)을 한번에 제거하게 된다. 여기서, 박막(20)이 다른 박막(미도시)의 상부에 형성되어 있는 경우 하층에 패터닝된 하층 박막의 손상을 방지하기 위하여, 제 1 레이저 빔 조사장치(30)는 하층 박막에 인접할 수록 단계적으로 감소하는 파워를 가지는 제 1 레이저 빔(32)을 박막(20)에 여러 차례에 조사하여 박막(20)을 제거할 수도 있다.
제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 제 3 슬라이더(220c)에 설치되어 제 1 갠트리(210)의 구동에 따른 한 쌍의 제 1 슬라이더(210c, 210d)의 이송에 따라 Y축 방향으로 이송됨과 아울러 제 2 갠트리(220)의 구동에 따른 제 3 슬라이더(220c)의 이송에 따라 제 1 레이저 빔 조사장치(30)와 동시에 X축 방향으로 이송된다. 이러한, 제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 갠트리부(200)의 구동에 의해 X축 및 Y축 방향으로 이송되면서 기판(10) 상에 박막 패턴이 형성되지 않는 제 2 영역(24)의 박막(20)에 제 2 폭을 가지는 제 2 레이저 빔(42)을 직접 조사함으로써 도 1a 내지 도 1i에 도시된 바와 같이 기판(10)의 제 2 영역(24)의 박막(20)을 제거한다.
한편, 제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 제 2 레이저 빔(42)을 박막(20)에 1회 조사함으로써 제 2 폭에 대응되는 박막(20)을 한번에 제거하게 된다. 여기서, 박막(20)이 다른 박막(미도시)의 상부에 형성되어 있는 경우 하층에 패터닝된 하층 박막의 손상을 방지하기 위하여, 제 2 레이저 빔 조사장치(40)는 하층 박막에 인접 할 수록 단계적으로 감소하는 파워를 가지는 제 2 레이저 빔(42)을 박막(20)에 여러 차례에 조사하여 박막(20)을 제거할 수도 있다.
한편, 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치에서는 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 이송시키는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)의 위치를 고정시키고 스테이지(110)만을 이송시킬 수도 있으며, 나아가 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)와 스테이지(110) 모두를 동시에 이송시킬 수도 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치는 갠트리부(200)를 이용하여 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 이송시키면서 기판(10) 상의 박막(20)에 서로 다른 폭의 레이저 빔(32, 42)을 조사하여 기판(10) 상에 박막 패턴을 형성함으로써 패터닝 공정을 단순화할 수 있으며 패터닝 공정 시간을 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 갠트리부(200)의 제 2 갠트리(220)에 제 1 및 제 2 레이지 조사장치(30, 40)를 일정한 간격을 가지도록 복수로 설치하여 공정 시간을 더 감소시킬 수 있다. 이러한, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치는 기판(10)을 2개의 분할영역으로 나누어 각 분할영역마다 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 설치하여 상술한 패터닝 공정을 수행함으로써 공정 시간을 더 감소시킬 수 있다.
다른 한편, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치는, 도 4에 도 시된 바와 같이, 공정 시간을 더욱 감소시키기 위하여 제 1 갠트리(210)에 복수의 제 2 갠트리(220)를 일정한 간격을 가지도록 설치함과 아울러 각 제 2 갠트리(220)에 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 일정한 간격을 가지도록 복수로 설치할 수도 있다. 이러한, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치는 기판(10)을 적어도 4개의 분할영역으로 나누어 각 분할영역마다 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치(30, 40)를 설치하여 상술한 패터닝 공정을 수행함으로써 공정 시간을 더욱 감소시킬 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1a 내지 도 1i는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 패터닝 방법을 단계적으로 설명하기 위한 사시도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치를 설명하기 위한 사시도.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치를 설명하기 위한 사시도.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 박막 패터닝 장치를 설명하기 위한 사시도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 >
10: 기판 20: 박막
30: 제 1 레이저 빔 조사장치 32: 제 1 레이저 빔
40: 제 2 레이저 빔 조사장치 42: 제 2 레이저 빔
50: 박막 패턴 100: 베이스 프레임
110: 스테이지 200: 갠트리부
210: 제 1 갠트리 220: 제 2 갠트리
Claims (14)
- 기판 상에 박막을 형성하는 단계;상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거하는 단계; 및상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 빔은 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막과 상기 제 2 영역의 박막에 동시에 조사되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 박막이 형성된 기판을 스테이지 상에 안착시키는 단계; 및상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거함과 동시에 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 레이저 빔은 상기 제 2 레이저 빔의 폭보다 좁은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 영역의 박막은 단계적으로 감소하는 파워를 가지도록 설정되어 여러 차례 조사되는 제 1 및 제 2 레이저 빔에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 박막은 박막 트랜지스터를 구성하는 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 빔의 종류는 상기 박막의 물질에 따라 변경되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 방법.
- 베이스 프레임;박막이 형성된 기판이 안착되는 스테이지;상기 베이스 프레임에 배치되는 갠트리부; 및상기 갠트리부에 이동가능하게 설치되어 상기 기판 상에 박막 패턴이 형성될 제 1 영역에 제 1 레이저 빔을 조사하여 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막을 제거하는 적어도 하나의 제 1 레이저 빔 조사장치; 및상기 제 1 레이저 빔 조사장치에 인접하도록 상기 갠트리부에 이동가능하게 설치되어 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 제 2 영역에 제 2 레이저 빔을 조사하여 상기 제 2 영역의 박막을 제거하는 적어도 하나의 제 2 레이저 빔 조사장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 갠트리부는,상기 스테이지를 사이에 두고 상기 베이스 프레임에 설치된 제 1 갠트리; 및상기 제 1 갠트리에 이동가능하게 설치됨과 아울러 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 레이저 빔 조사장치가 이동가능하게 설치된 적어도 하나의 제 2 갠트리를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 빔은 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막과 상기 제 2 영역의 박막에 동시에 조사되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 레이저 빔은 상기 제 2 레이저 빔의 폭보다 좁은 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 빔은 단계적으로 감소하는 파워를 가지도록 설정되어 상기 박막 패턴을 제외한 상기 제 1 영역의 박막과 상기 제 2 영역의 박막에 여러 차례 조사되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 박막은 박막 트랜지스터를 구성하는 위한 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 빔의 종류 또는 강도는 상기 박막의 물질에 따라 변경되는 것을 특징으로 하는 박막 패터닝 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080075656A KR20100013912A (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 박막 패터닝 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080075656A KR20100013912A (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 박막 패터닝 방법 및 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100013912A true KR20100013912A (ko) | 2010-02-10 |
Family
ID=42087841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080075656A KR20100013912A (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 박막 패터닝 방법 및 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20100013912A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101385235B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-04-16 | (주)솔라세라믹 | 레이저 스크라이빙 기술을 이용한 투명전도막 미세 패터닝 방법 |
-
2008
- 2008-08-01 KR KR1020080075656A patent/KR20100013912A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101385235B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-04-16 | (주)솔라세라믹 | 레이저 스크라이빙 기술을 이용한 투명전도막 미세 패터닝 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9581863B2 (en) | Polarized light irradiating apparatus and method of irradiating polarized light for photo alignment | |
| US8420978B2 (en) | High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates | |
| JP5719832B2 (ja) | 二重自己整合式金属酸化物薄膜トランジスタ | |
| KR101499651B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치 | |
| US8278127B2 (en) | Method for manufacturing a thin-film transistor using a laser | |
| KR101461437B1 (ko) | 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법 | |
| KR101758392B1 (ko) | 국소 노광 장치 | |
| US9755190B2 (en) | Laser-induced thermal imaging apparatus, method of laser-induced thermal imaging, and manufacturing method of organic light-emitting display apparatus using the method | |
| KR20100013912A (ko) | 박막 패터닝 방법 및 장치 | |
| JP2007065588A (ja) | 露光パターンの転写方法及び露光装置 | |
| KR102237277B1 (ko) | 나노 임프린트용 레플리카 몰드 제작 장치 | |
| JP3944296B2 (ja) | 有機汚染除去装置およびこれを用いた液晶表示装置の製造装置 | |
| JP2010054608A (ja) | 液晶表示パネルの製造装置及び製造方法 | |
| JP7008466B2 (ja) | 紫外線照射装置および紫外線照射方法 | |
| CN102819195B (zh) | 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法 | |
| JP2009265313A (ja) | スキャン露光装置並びにスキャン露光方法 | |
| KR20080094131A (ko) | 레이저 가공장치 | |
| KR102223762B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
| KR100806810B1 (ko) | 노광기 | |
| KR20230106509A (ko) | 보조 노광 장치, 노광 방법 및 기억 매체 | |
| TWI270716B (en) | Method and apparatus for improving adhesion between resin black matrix and glass substrate | |
| JP2011123102A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板温度調節方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
| KR101531691B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치 | |
| KR101494152B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치 | |
| JP2011123263A (ja) | 近接露光装置及び近接露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |