TWI553077B - 高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法 - Google Patents

高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法 Download PDF

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Description

高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法
本發明係關於一種高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法。
近年，電子機器的小型化及高性能化正進展中，其內部所搭載的半導體封裝件之高性能化亦有進展，半導體封裝件內部的半導體元件的處理速度更加高速化。然而，伴隨處理速度的高速化，半導體元件表面容易產生熱，所產生的熱會造成例如半導體元件的運行速度降低或引起電子機器的故障之問題。
為了排除此等熱所致之不良影響，而對半導體封裝件的構成構件要求將產生的熱排放到封裝件外部之熱傳導性。又，對接合半導體元件及配線基板之間或者半導體元件彼此之間的晶粒黏著(die attach)材料，要求有高的熱傳導性，同時有充分的絕緣性、接著信賴性。
再者，如此之晶粒黏著材料以往大多係以糊狀(paste)形態使用，但因伴隨半導體封裝件的高性能化而要求封裝件內部的高密度安裝化，故為了防止因樹脂流動或樹脂攀爬等所致之對半導體元件或導線墊(wire pad)等其他構件的污染，近年則增加使用膜狀形態(晶粒黏著膜)。
然而，在將晶粒黏著膜貼合至晶圓(wafer)背面時，或在將設置有晶粒黏著膜的半導體元件予以安裝之所謂晶粒 黏著步驟中，因為晶圓背面，尤其是搭載半導體元件的配線基板表面不一定為平滑面狀態，故若前述貼合時或前述搭載時晶粒黏著膜的黏度低，則晶粒黏著膜與被著體之間的密著性降低，有空氣被攝入兩者的界面的情形。被攝入的空氣不僅使晶粒黏著膜在加熱硬化後的接著力降低，並且有成為封裝破裂的原因之問題。
以往，就可作為所謂晶粒黏著膜而使用的材料而言，例如，專利文獻1中記載由氫氧化鋁與二氧化矽所構成之熱傳導性填料、及由矽系樹脂所構成之熱傳導構件的薄片。然而，專利文獻1所記載之熱傳導構件的薄片，雖然具有高到某種程度的熱傳導性，但是與被著體之間的密著性仍有問題。
又，專利文獻2中記載由含有氧化矽等無機填料之環氧樹脂所構成之接著薄片。然而，專利文獻2所記載之接著薄片，雖然具有高的熱傳導性和絕緣性及某種程度的黏著性，但是對被著體的密著性仍不充分。
再者，專利文獻3中記載由含有環氧樹脂、硬化劑、硬化促進劑及特定氧化鋁粉末之樹脂所構成之膜狀接著劑。然而，專利文獻3所記載之膜狀接著劑，雖然具有高的熱傳導性及絕緣性，但是對被著體的密著性仍不充分。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-286809號公報
[專利文獻2]日本特開2008-280436號公報
[專利文獻3]日本特開2007-246861號公報
半導體封裝件的製造步驟中，在將晶粒黏著膜與形成有半導體元件之晶圓同時切斷之所謂切割(dicing)步驟中，亦必須使晶粒黏著膜所致之加工刀片的磨耗率小。
然而，本發明人們發現，若為了提昇晶粒黏著膜的熱傳導性而使用上述專利文獻1至3所記載之氫氧化鋁等熱傳導性的無機填充劑時，晶粒黏著膜所致之加工刀片的磨耗率變大，雖然切斷步驟(切割步驟)開始後暫時可如預定進行切斷，但是晶粒黏著膜的切斷量逐漸變不充分，如第1圖所示，會產生晶粒黏著膜未被完全切斷的部分，而造成加工不良。
又，本發明人們發現，若為了不產生這種缺陷而提高刀片的交換頻率，則生產性會降低，連帶使成本上昇，另一方面，若使用摩耗量小的刀片，則會使晶圓缺損，而產生碎屑(chipping)等，故引起產量降低之問題。
本發明係有鑑於上述先前技術具有的課題所成者，目的係提供一種高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法，由該高熱傳導性膜狀接著劑用組成物可得到與被著體的密著性優異，加工刀片的磨耗率夠小，且硬化後發揮優異熱傳導性的高熱傳導性膜狀接著劑。
本發明人們為了達成上述目的而重複深入研究的結果，發現藉由使膜狀接著劑於80℃的熔融黏度成為10000Pa．s以下，經由熱壓接合(thermocompression bonding)而可得到與被著體的優異密著性，再者，發現藉由使用含有環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、苯氧樹脂及特定含量的特定無機填充劑之高熱傳導性膜狀接著劑用組成物，可得到具有前述溶融特性，加工刀片的磨耗率夠小，且硬化後發揮優異熱傳導性的高熱傳導性膜狀接著劑，因而完成本發明。
亦即，本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物之特徵係含有環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)、無機填充劑(C)及苯氧樹脂(D)，前述無機填充劑(C)滿足下述(i)至(iii)的所有條件，並且前述無機填充劑(C)的含量係30至70體積%：(i)平均粒徑係0.1至5.0μm；(ii)莫氏硬度(Mohs’hardness)係1至8；(iii)熱傳導率係30W/(m．K)以上。
本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物中，前述環氧樹脂(A)較佳係下述式(1)所示之三苯基甲烷型環氧樹脂，前述無機填充劑(C)更佳係氮化鋁： [式(1)中，n表示0至10的整數]。
又，本發明的高熱傳導性膜狀接著劑係藉由將前述本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物進行加熱乾燥而得到，該高熱傳導性膜狀接著劑之厚度係10至150μm，其使用流變計(rheometer)在從20℃以10℃/分鐘的升溫速度加熱時所觀測到的於80℃的熔融黏度係10000Pa．s以下，熱硬化後的熱傳導率較佳係1.0W/(m．K)以上。
再者，本發明的半導體封裝件的製造方法包含下述步驟：第1步驟：將前述本發明的高熱傳導性膜狀接著劑熱壓接合於表面形成有半導體電路之晶圓的背面而設置接著劑層；第2步驟：在將前述晶圓與切割膠帶(dicing tape)經由前述接著劑層而接著後，藉由將前述晶圓與前述接著劑層同時切割，而得到具備前述晶圓與前述接著劑層的半導體元件；第3步驟：使切割膠帶從前述接著劑層脫離，將前述半導體元件與配線基板經由前述接著劑層而熱壓接合；以 及第4步驟：使前述高熱傳導性膜狀接著劑進行熱硬化；並且，本發明的半導體封裝件係藉由前述本發明的半導體封裝件的製造方法而得到者。
又，依據本發明的構成而達成前述目的的理由雖不明確，但本發明人們推測如下。亦即，本發明中，藉由使用含有環氧樹脂、環氧樹脂硬化劑、苯氧樹脂及特定含量的特定無機填充劑之高熱傳導性膜狀接著劑用組成物，而可得到在特定溫度範圍中會成為特定的低熔融黏度之高熱傳導性膜狀接著劑。因此，例如與專利文獻2所記載之藉由在單純半硬化狀態(B階段狀態)而提昇黏著性之接著薄片、或專利文獻3所記載之藉由提昇抗拉強度等而提昇接著性之膜狀接著劑作比較，本發明人們推測本發明的高熱傳導性膜狀接著劑係藉由在前述特定溫度範圍進行熱壓接合而可無縫隙地填補與表面有凹凸的被著體的界面，因此可發揮更優異的密著性。
又，本發明人們推測本發明係由於以特定含量含有具有特定硬度及粒徑的無機填充劑，故使用本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物所得到之高熱傳導性膜狀接著劑可使加工刀片之磨耗率變小。
依據本發明，可提供一種高熱傳導性膜狀接著劑用組成物、高熱傳導性膜狀接著劑、使用該高熱傳導性膜狀接著劑之半導體封裝件及其製造方法，由該高熱傳導性膜狀 接著劑用組成物可得到與被著體的密著性優異，加工刀片的磨耗率夠小，且硬化後發揮優異熱傳導性的高熱傳導性膜狀接著劑。
以下以適宜的實施形態詳細說明本發明。
首先，說明本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物。本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物含有環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)、無機填充劑(C)及苯氧樹脂(D)，前述無機填充劑(C)滿足下述(i)至(iii)的所有條件，且前述無機填充劑(C)的含量係30至70體積%：(i)平均粒徑係0.1至5.0μm；(ii)莫氏硬度係1至8；(iii)熱傳導率係30W/(m．K)以上。
本發明的環氧樹脂(A)係具有環氧基的熱硬化性樹脂，就如此之環氧樹脂(A)而言，重量平均分子量較佳係300至2000，更佳係300至1500。重量平均分子量未達前述下限時，單體或二聚體會增加並且結晶性變強，故膜狀接著劑有變脆弱的傾向，另一方面，超過前述上限時，膜狀接著劑的熔融黏度變高，故加壓接合於配線基板時無法充分埋入基板上的凹凸，與配線基板的密著性有降低之傾向。再者，本發明中，重量平均分子量係指藉由凝膠滲透層析(GPC)(商品名：HLC-82A(TOSOH(股)製)，溶媒：四氫呋喃，管柱：TSKgelG2000HXL(TOSOH(股)製)(2根)、G4000HXL(TOSOH(股)製)(1根)，溫度：38℃，速度：1.0ml/分鐘) 而測定，以標準聚苯乙烯(商品名：A-1000，TOSOH(股)製)換算之值。
前述環氧樹脂(A)可為液體、固體或半固體之任一者。本發明中，前述液體係指軟化點未達50℃者，前述固體係指軟化點為60℃以上者，前述半固體係指軟化點位於前述液體的軟化點與固體的軟化點之間(50℃以上且未達60℃)者。就前述環氧樹脂(A)而言，從得到可於適宜的溫度範圍(例如60至120℃)達到低熔融黏度的膜狀接著劑之觀點來看，軟化點較佳係100℃以下。再者，本發明中，軟化點係指藉由軟化點試驗(環球式)法(測定條件：依據JIS-2817)而測定之值。
前述環氧樹脂(A)中，從因硬化體的交聯密度變高，結果，使所調配的無機填充劑(C)彼此的接觸機率變高且接觸面積變廣而得到高熱傳導率之觀點來看，環氧當量較佳係500g/eq以下，更佳係150至450g/eq。再者，本發明中，環氧當量係指含有1克當量環氧基之樹脂的克數(g/eq)。
前述環氧樹脂(A)的骨架可例舉酚酚醛(phenol novolac)型、鄰甲酚酚醛(o-cresol novolac)型、甲酚酚醛(cresol novolac)型、雙環戊二烯型、聯苯型、茀雙酚型、三(triazine)型、萘酚型、萘二醇型、三苯基甲烷型、四苯基型、雙酚A型、雙酚F型、雙酚AD型、雙酚S型、三羥甲基甲烷型等，從得到樹脂的結晶性低且具有良好外觀之膜狀接著劑之觀點來看，較佳係三苯基甲烷型、雙酚A型、甲酚酚醛型、鄰甲酚酚醛型，而從使交聯密度變更高，並 且在使膜狀接著劑硬化時有提昇分子結構的秩序性且提昇熱傳導性的傾向之觀點來看，前述環氧樹脂(A)更佳係下述式(1)所示之三苯基甲烷型環氧樹脂： [式(1)中，n表示0至10的整數]。
前述環氧樹脂(A)可單獨使用1種或組合使用2種以上，當組合使用2種以上時，例如，從容易調控組成物的黏度，且即使於低溫(較佳係40至80℃)實施使膜狀接著劑與晶圓進行熱壓接合之步驟(晶圓積層步驟)時，亦有能發揮晶圓與膜狀接著劑的密著性的傾向之觀點來看，較佳係將軟化點為50至100℃之環氧樹脂(a1)與軟化點未達50℃之環氧樹脂(a2)組合使用。
前述環氧樹脂(a1)於室溫下為固體或半固體，較佳係軟化點為50至100℃，更佳係50至80℃。軟化點未達前述下限時，所得的膜狀接著劑黏度降低，故常溫時有難以保持膜形狀的傾向，另一方面，超過前述上限時，所得的膜狀接著劑有難以於適宜的溫度範圍(例如60至120℃)達到低熔融黏度的傾向。
前述環氧樹脂(a1)，重量平均分子量較佳係超過500 且2000以下，更佳係600至120。重量平均分子量未達前述下限時，單體或二聚體會增加並且結晶性變強，故膜狀接著劑有變脆弱的傾向，另一方面，超過前述上限時，膜狀接著劑的熔融黏度變高，故加壓接合於配線基板時無法充分埋入基板上的凹凸，與配線基板的密著性有降低的傾向。
如此之環氧樹脂(a1)的骨架，從得到樹脂結晶性低且具有良好外觀之膜狀接著劑之觀點來看，較佳係三苯基甲烷型、雙酚A型、甲酚酚醛型、鄰甲酚酚醛型，而從使交聯密度變更高，並且在使膜狀接著劑進行硬化時有提昇分子構造的秩序性且提昇熱傳導性的傾向之觀點來看，前述環氧樹脂(a1)更佳係三苯基甲烷型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂，再更佳係上述式(1)所示之三苯基甲烷型環氧樹脂。
就前述環氧樹脂(a2)而言，從即使於低溫(較佳係40至80℃)實施使膜狀接著劑與晶圓進行熱壓接合之步驟(晶圓積層步驟)時，亦有能發揮晶圓與膜狀接著劑的密著性的傾向之觀點來看，軟化點較佳係未達50℃，軟化點更佳係40℃以下。如此之環氧樹脂(a2)，重量平均分子量較佳係300至500，更佳係350至450。重量平均分子量未達前述下限時，單體會增加並且結晶性變強，故膜狀接著劑有變脆弱的傾向，另一方面，超過前述上限時，熔融黏度變高，故在晶圓積層步驟時晶圓與膜狀接著劑的密著性有降低的傾向。
如此之環氧樹脂(a2)的骨架，從得到樹脂的結晶性低且具有良好外觀之膜狀接著劑之觀點來看，較佳係屬於寡聚物型的液狀環氧樹脂之雙酚A型、雙酚A/F混合型、雙酚F型、環氧丙烷(propylene oxide)改質雙酚A型，從熔融黏度低而使結晶性更低之觀點來看，前述環氧樹脂(a2)更佳係雙酚A型環氧樹脂、雙酚A/F混合型環氧樹脂。
前述環氧樹脂(a1)及前述環氧樹脂(a2)的比例，較佳係質量比(a1：a2)為95：5至30：70，更佳係70：30至40：60。環氧樹脂(a1)的含量未達前述下限時，膜狀接著劑的膜黏性變強而有變得難以從覆膜(cover film)或切割膠帶剝離的傾向，另一方面，超過前述上限時，組成物的黏度變高，所得的膜狀接著劑的性狀有變脆弱的傾向。
前述環氧樹脂(A)，在本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物中的含量較佳係5至30質量%，更佳係10至25質量%。前述含量未達前述下限時，硬化時之交聯密度變高且樹脂成分變少，故有膜狀接著劑的熱傳導率不易提昇的傾向，另一方面，超過前述上限時，因主成分為寡聚物，故有即使只有些微的溫度變化，膜狀態(膜黏性等)亦容易變化的傾向。
本發明的環氧樹脂硬化劑(B)可使用胺類、酸酐類、多元酚類等公知硬化劑，但從使前述環氧樹脂(A)及前述苯氧樹脂(D)於超過會成為低熔融黏度之溫度範圍的高溫下發揮硬化性，具有速硬化性，並且得到可於室溫長期保存之保存安定性高的膜狀接著劑用組成物之觀點來看，較佳係 使用潛在性硬化劑。前述潛在性硬化劑可例舉如二氰二胺(dicyandiamide)、咪唑類、醯肼(hydrazide)類、三氟化硼-胺錯合物、胺醯亞胺、聚胺鹽、以及該等的改質物或微膠囊型者。該等可單獨使用1種或組合使用2種以上。
前述環氧樹脂硬化劑(B)的含量，相對於前述環氧樹脂(A)，通常係0.5至50質量%，較佳係1至10質量%。含量未達前述下限時，硬化時間有變長的傾向，另一方面，超過前述上限時，過量的硬化劑殘留於膜狀接著劑中，殘留之硬化劑會吸附水分，故將膜狀接著劑組入半導體後於信賴性試驗中有容易發生不良情形的傾向。
本發明的無機填充劑(C)，從可高填充化且具有流動性之觀點來看，其係粒狀，且其平均粒徑必須係0.1至5.0μm。平均粒徑未達前述下限時，填充劑彼此不易接觸，膜狀接著劑的熱傳導率變低。另一方面，平均粒徑超過前述上限時，使用輥式刮刀塗佈機(roll knife coater)等塗覆機製造薄型膜狀接著劑時，填充劑會成為起因而使膜表面容易產生條狀，膜狀接著劑所致之加工刀片的磨耗率變大。再者，前述無機填充劑(C)的平均粒徑，從邊擔保熱傳導性且製作5μm以下的極薄膜之觀點來看，較佳係0.5至2.0μm。再者，在本發明中，平均粒徑係指在藉由雷射繞射/散射法(測定條件：分散媒為六偏磷酸鈉，雷射波長：780 nm，測定裝置：Microtrac MT3300EX)而測定之粒子徑分布中，以粒子的全體積作為100%時，粒子徑的體積分率的累積曲線中累積50%時的粒子徑。
本發明的無機填充劑(C)的莫氏硬度係1至8。莫氏硬度超過前述上限時，膜狀接著劑所致之加工刀片的磨耗率變大。又，前述無機填充劑(C)的莫氏硬度，從藉由確保膜狀接著劑的適當磨耗性而防止加工刀片刀刃的樹脂阻塞之觀點來看，較佳係3至8。再者，本發明中，莫氏硬度係指使用10階段莫氏硬度計，對於測定物以從硬度小的礦物依序互相摩擦，以目測觀察測定物是否有刮傷，而判斷測定物的硬度的值。
本發明的無機填充劑(C)的熱傳導率係30W/以上(m．K)。熱傳導率未達前述下限時，為了擔保目的之熱傳導率而調配許多無機填充劑，結果膜狀接著劑的熔融黏度上昇，加壓接合於配線基板時無法充分埋入基板的凹凸，與配線基板的密著性降低。又，前述無機填充劑(C)的熱傳導率，從以少量填充量擔保高的熱傳導率之觀點來看，特佳係100W/(m．K)以上。再者，本發明中，填充劑的熱傳導率係指藉由雷射閃光法(laser flash method)(測定條件：雷射脈衝寬度0.4ms，雷射波長1.06μm，測定裝置：ULVAC(股)製TC7000型)測定熱擴散率，從其值與填料種的密度與比熱的乘積所計算出之值。
本發明的無機填充劑(C)的材質只要係具有電氣絕緣性及前述熱傳導率者即可，可例舉如氮化鋁、氧化鎂、氮化硼、氫氧化鋁等。該等之中，前述無機填充劑(C)，從在膜狀接著劑中於硬化後發揮優異之熱傳導性之觀點來看，較佳係氮化鋁。又，前述無機填充劑(C)可單獨使用1種或 組合使用2種以上，當組合使用2種以上時，從可得到具有更高的熱傳導率的膜狀接著劑之觀點來看，更佳係前述無機填充劑(C)中至少1種為氮化鋁，再更佳係相對於前述無機填充劑(C)的總量，有50體積%以上為氮化鋁。
本發明的無機填充劑(C)在本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物中的含量係30至70體積%。含量未達前述下限時，膜狀接著劑之硬化後的熱傳導率降低，用於半導體封裝件時對封裝件外部的放熱效率降低。另一方面，超過前述上限時，因作用為黏合劑(binder)之環氧樹脂(A)及苯氧樹脂(D)的含量相對地變少，故膜狀接著劑的性狀變脆弱。又，從使熱硬化後的膜狀接著劑得到高熱傳導率(較佳係1.0W/(m．K)以上)且可抑制膜狀接著劑的熔融黏度上昇，並且在加壓接合於配線基板時充分埋入基板上的凹凸而有可擔保與基板的密著性的傾向之觀點來看，前述含量特佳係40至60體積%。
本發明的苯氧樹脂(D)係重量平均分子量為10000以上的熱可塑性樹脂。藉由使用如此之苯氧樹脂(D)，在得到的膜狀接著劑中，使於室溫下的黏性或脆弱性被消除。
前述苯氧樹脂(D)，重量平均分子量較佳係30000至100000，更佳係40000至70000。重量平均分子量未達前述下限時，有膜狀接著劑的支持性變弱且脆弱性變強的傾向，另一方面，超過前述上限時，熔融黏度有變高的傾向。又，前述苯氧樹脂(D)的玻璃轉移溫度(Tg)較佳係40至90℃，更佳係50至80℃。玻璃轉移溫度未達前述下限時， 膜狀接著劑於常溫下的膜黏性變強，有變得難以從覆膜或切割膠帶剝離的傾向，另一方面，超過前述上限時，膜狀接著劑的熔融黏度變高，故加壓接合於配線基板時無法充分埋入基板上的凹凸，與配線基板的密著性有降低的傾向。
前述苯氧樹脂(D)的骨架，可例舉如雙酚A型、雙酚A/F型、雙酚F型、雙酚S型、雙酚A/S型、二苯基茀(cardo)骨架型等，由於其與前述環氧樹脂(A)的結構相似，故相溶性佳，又，從熔融黏度低且接著性亦佳之觀點來看較佳係雙酚A型，從得到可於適宜的溫度範圍(例如60至120℃)達到低熔融黏度的膜狀接著劑之觀點來看較佳係雙酚A/F型，從具有高耐熱性之觀點來看較佳係二苯基茀骨架型。如此之苯氧樹脂(D)，可例舉如由雙酚A與表氯醇(epichlorohydrin)所得之雙酚A型苯氧樹脂，由雙酚A、雙酚F與表氯醇所得之雙酚A/F型苯氧樹脂等。前述苯氧樹脂(D)可單獨使用其中1種或組合使用2種以上，又，例如可使用YP-50S(雙酚A型苯氧樹脂，新日化Epoxy製造(股)製)、YP-70(雙酚A/F型苯氧樹脂，新日化Epoxy製造(股)製)、FX-316(雙酚F型苯氧樹脂，新日化Epoxy製造(股)製)及FX-280S(二苯基茀骨架型苯氧樹脂，新日化Epoxy製造(股)製)等市售苯氧樹脂作為前述苯氧樹脂(D)。
前述苯氧樹脂(D)，在本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物中的含量較佳係1至20質量%，更佳係3至10質量%。前述含量未達前述下限時，膜狀接著劑的膜黏性變強，有變得難以從覆膜或切割膠帶剝離的傾向，另一方 面，超過前述上限時，膜狀接著劑的熔融黏度變高，故加壓接合於配線基板時無法充分埋入基板上的凹凸，有與配線基板的密著性降低的傾向。
本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物中，除了前述環氧樹脂(A)、前述環氧樹脂硬化劑(B)、前述無機填充劑(C)及前述苯氧樹脂(D)以外，只要在不阻礙本發明的效果的範圍內，亦可含有例如前述無機填充劑(C)以外的填充劑、偶合劑、抗氧化劑、阻燃劑、著色劑、丁二烯系橡膠或聚矽氧(silicone)橡膠等應力鬆弛劑等添加劑。本發明中，從可加強前述環氧樹脂(A)與前述無機填充劑(B)的界面而得到具有優異之破壞強度及接著性的膜狀接著劑之觀點來看，較佳係含有偶合劑，如此之偶合劑更佳係含有胺基、環氧基者。又，含有此等添加劑時，其含量在本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物中較佳係3質量%以下。
其次，說明本發明的高熱傳導性膜狀接著劑。本發明的高熱傳導性膜狀接著劑係藉由將前述高熱傳導性膜狀接著劑用組成物進行加熱乾燥而得到。
本發明的高熱傳導性膜狀接著劑的製造方法中適宜的一實施形態，可例舉：將前述高熱傳導性膜狀接著劑用組成物溶解於溶媒而製成清漆(varnish)，並將該清漆塗覆於經離型處理之基材後，施以加熱乾燥的方法。但不特別限於該方法。
前述溶媒可適宜採用公知溶媒，可例舉如甲苯、二甲苯等芳香族烴，甲基異丁基酮(MIBK)、甲基乙基酮(MEK) 等酮類，乙二醇二甲醚(monoglyme)、二(乙二醇)二甲醚(diglyme)等醚類，以及該等的混合物等。前述經離型處理之基材，可適宜採用對公知基材進行離型處理者，可例舉如經離型處理的聚丙烯(PP)、經離型處理的聚乙烯(PE)、經離型處理的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。前述塗覆方法可適宜採用公知方法，可例舉如輥式刮刀塗佈機、凹版塗佈機、模具塗佈機(die coater)、反向塗佈機(reverse coater)等。
前述加熱乾燥係於未達前述高熱傳導性膜狀接著劑用組成物的硬化開始溫度(亦即，開始硬化之溫度)的溫度下進行。此溫度係依使用的樹脂的種類而異，無法一概而論，例如較佳係40至100℃，更佳係60至100℃。溫度未達前述下限時，殘留於膜狀接著劑的溶媒量多，膜黏性有變強的傾向，另一方面，若為硬化開始溫度以上，則前述高熱傳導性膜狀接著劑用組成物會硬化，而使膜狀接著劑的接著性有降低的傾向。又，前述加熱乾燥的時間係例如較佳為10至60分鐘。
如此而得到的本發明的高熱傳導性膜狀接著劑，厚度較佳係10至150μm。厚度未達前述下限時，無法充分埋入配線基板表面的凹凸，有變得無法擔保充分的密著性的傾向，另一方面，超過前述上限時，在製造時難以去除溶媒，殘留溶媒量變多，有膜黏性變強的傾向。
本發明的高熱傳導性膜狀接著劑，使用流變計從20℃以10℃/分鐘的升溫速度加熱時所觀測的於80℃的熔融黏 度可為10000Pa．s以下。前述熔融黏度更佳係10至10000Pa．s。熔融黏度未達前述下限時，在與晶圓接著時，因樹脂流動或樹脂攀爬等而有污染其他構件的傾向，另一方面，熔融黏度超過前述上限時，將膜狀接著劑貼合至晶圓背面或具有凹凸的配線基板的表面時，有空氣變得容易被攝入與被著體的界面的傾向。
本發明的高熱傳導性膜狀接著劑，因具有如此之熔融黏度特性，故可於適宜的溫度範圍(例如60至120℃)加壓接合至被著體，對於被著體發揮優異的密著性。又，本發明中，熔融黏度係指測定於預定溫度中之溶融樹脂的黏性阻力而得到的值，於80℃的熔融黏度係指使用流變計(商品名：RS150，Haake公司製)，於溫度範圍20至100℃、升溫速度10℃/分鐘測定黏性阻力的變化，所得的溫度-黏性阻力曲線中，溫度為80℃時的黏性阻力。
又，本發明的高熱傳導性膜狀接著劑在熱硬化後，熱傳導率可為1.0W/(m．K)以上。前述熱傳導率更佳係1.5W/(m．K)以上。熱傳導率未達前述下限時，產生的熱有變得難以排放到封裝件外部的傾向。由於本發明的高熱傳導性膜狀接著劑在硬化後會發揮如此優異的熱傳導率，故藉由使本發明的高熱傳導性膜狀接著劑與晶圓或配線基板等被著體密著且進行熱硬化，而提昇對半導體封裝件外部的放熱效率。再者，本發明中，此熱硬化後的膜狀接著劑的熱傳導率係指使用熱傳導率測定裝置(商品名：HC-110，英弘精機(股)製)，藉由熱流計法(依據JIS-A1412)而測定 熱傳導率的值。
前述熱硬化係於前述高熱傳導性膜狀接著劑用組成物的硬化開始溫度以上的溫度進行。此溫度係依使用的樹脂的種類而異，無法一概而論，例如較佳係120至180℃，更佳係120至140℃。溫度未達硬化開始溫度時，熱硬化未充分進行，熱硬化後的膜狀接著劑的強度或熱傳導性有降低的傾向，另一方面，超過前述上限時，在硬化過程中，膜狀接著劑中的環氧樹脂、硬化劑或添加劑等會揮發而使接著劑層有變容易發泡的傾向。又，前述硬化處理的時間係例如較佳為10至180分鐘。再者，前述熱硬化，更佳係施加0.1至10MPa左右的壓力。
其次，一邊參考圖式一邊詳細說明本發明的半導體封裝件的製造方法的適宜的實施形態。又，以下說明及圖式中，對相同或相當的要素則註記相同的符號，省略重複說明。第2A圖至第2E圖係表示本發明的半導體封裝件的製造方法的各個步驟的適宜的一實施形態之概要縱剖面圖。
在本發明的半導體封裝件的製造方法中，首先，第1步驟係如第2A圖所示，於表面形成有半導體電路的晶圓1的背面，將前述本發明的高熱傳導性膜狀接著劑進行熱壓接合，設置接著劑層2。
晶圓1可適宜使用表面形成有半導體電路的晶圓，可例舉如矽晶圓、SiC晶圓、GaS晶圓等。可單獨使用1層前述本發明的高熱傳導性膜狀接著劑作為接著劑層2，亦可積層使用2層以上。
如此之將接著劑層2設置於晶圓1的背面的方法，可適宜採用可將前述高熱傳導性膜狀接著劑積層於晶圓1的背面的方法，可例舉如：將前述高熱傳導性膜狀接著劑貼合於晶圓1的背面之後，積層2層以上時係依序將高熱傳導性膜狀接著劑積層直到成為期望的厚度為止的方法；或者預先將高熱傳導性膜狀接著劑積層到目標厚度後，再貼合至晶圓1的背面的方法等。又，將此接著劑層2設置於晶圓1的背面時使用的裝置無特別限制，例如可適宜使用輥式積層機(roll laminator)等公知裝置。
將接著劑層2設置於晶圓1的背面時，較佳係於使前述高熱傳導性膜狀接著劑的熔融黏度成為10000Pa．s以下的溫度以上並且未達前述高熱傳導性膜狀接著劑的熱硬化開始溫度的溫度範圍內的溫度，將前述高熱傳導性膜狀接著劑貼合至晶圓1的背面。此等溫度條件，依使用的樹脂的種類而異，無法一概而論，例如較佳係40至100℃，更佳係40至80℃。溫度未達前述下限時，有空氣變得容易被攝入接著劑層2與晶圓1的界面的傾向，接著劑層2為積層2層以上時，前述高熱傳導性膜狀接著劑的層間的接著有變得不充分的傾向。另一方面，若為熱硬化開始溫度以上時，前述高熱傳導性膜狀接著劑會進行硬化，接著至配線基板時的接著性有降低的傾向。又，此熱壓接合的時間係例如較佳為1至180秒左右。
又，將接著劑層2設置於晶圓1的背面時，較佳係施加0.1至1MPa左右的壓力。壓力未達前述下限時，為了將 接著劑層2貼合於晶圓1而會耗時許久，更甚者有變得無法充分防止空隙(void)產生的傾向，另一方面，超過前述上限時，有變得無法控制接著劑的溢出的傾向。
繼而，在本發明的半導體封裝件的製造方法中，第2步驟係如第2B圖所示，將晶圓1與切割膠帶3經由接著劑層2而接著後，同時切割晶圓1與接著劑層2，而得到具備晶圓1與接著劑層2的半導體元件4。
切割膠帶3無特別限制，可使用適宜的公知切割膠帶。再者，用以切割的裝置亦無特別限制，可使用適宜的公知切割裝置。
本發明中，因為接著劑層2係由使用前述本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物所得之高熱傳導性膜狀接著劑所構成者，故切割裝置的加工刀片的磨耗率夠小。例如將厚度為100μm的矽晶圓與由高熱傳導性膜狀接著劑所構成的厚度20μm的接著劑層，使用設置有2軸的切割刀片(Z1：NBC-ZH2030-SE(DD)，DISCO公司製/Z2：NBC-ZH127F-SE(BB)，DISCO公司製)的切割裝置(商品名：DFD-6340，DISCO公司製)實施切割而成為3.0×3.0mm大小時，可使切割長度20m之加工刀片的磨耗率成為5.0%以下。磨耗率超過前述上限時，切割步驟中會有高熱傳導性膜狀接著劑未被完全切斷之缺陷。又，加工刀片的磨耗率和交換頻率亦變多，產生使成本增加或生產性降低之問題。
再者，在本發明的半導體封裝件的製造方法中，第3步驟係如第2C圖所示，使切割膠帶3從接著劑層2脫離， 將半導體元件4與配線基板5經由接著劑層2而熱壓接合。
配線基板5可適宜使用表面形成有半導體電路的基板，可例舉如：印刷電路板(PCB)、各種引線框架(lead frame)、以及於基板表面搭載電阻元件或電容器等電子元件者。又，亦可藉由使用其他半導體元件作為配線基板5，經由接著劑層2而積層複數個半導體元件。
將半導體元件4安裝於此等配線基板5的方法並無特別限制，可適宜採用：可利用接著劑層2而將半導體元件4接著至配線基板5或搭載於配線基板5的表面上的電子元件的以往的方法。如此之安裝方法，可例舉：利用使用具有來自上部的加熱機能的倒裝晶片接合器(flip chip bonder)的安裝技術的方法；利用具有僅來自下部的加熱機能的晶粒接合器(die bonder)的方法；利用積層機的方法等以往公知的加熱、加壓方法。
藉由如此方式，使用由前述高熱傳導性膜狀接著劑所構成之接著劑層2將半導體元件4安裝於配線基板5上，而可使前述高熱傳導性膜狀接著劑追隨因電子元件而產生的配線基板5上的凹凸，且同時可使半導體元件4與配線基板5密著並固定。
使配線基板5與半導體元件4接著時，較佳係於前述高熱傳導性膜狀接著劑的熔融黏度成為10000Pa．s以下的溫度以上並且未達前述高熱傳導性膜狀接著劑的熱硬化開始溫度的溫度範圍內的溫度，使配線基板5與半導體元件4接著。於如此之溫度條件下使配線基板5與半導體元 件4接著，有使空氣不易被攝入接著劑層2與配線基板5的界面中的傾向。如此之溫度條件、時間條件及壓力條件，係如同前述第1步驟所述者。
其次，在本發明的半導體封裝件的製造方法中，第4步驟係使前述高熱傳導性膜狀接著劑進行熱硬化。前述熱硬化的溫度，只要係前述高熱傳導性膜狀接著劑的熱硬化開始溫度以上即無特別限制，其依使用的樹脂的種類而異，無法一概而論，例如較佳係120至180℃，更佳係120至130℃。溫度未達熱硬化開始溫度時，熱硬化未充分進行，接著層2的強度或熱傳導性有降低的傾向，另一方面，超過前述上限時，在硬化過程中，膜狀接著劑中的環氧樹脂、硬化劑或添加劑等會揮發而有變得容易發泡的傾向。又，前述硬化處理的時間係例如較佳為10至180分鐘，再者，前述熱硬化中，更佳係施加0.1至10MPa左右的壓力。本發明中，藉由使前述高熱傳導性膜狀接著劑進行熱硬化，而得到具有優異的破壞強度及熱傳導率的接著層2，並可得到使配線基板5與半導體元件4堅固地接著的半導體封裝件。
再者，在本發明的半導體封裝件的製造方法中，如第2D圖所示，較佳係將配線基板5與半導體元件4經由焊線(bonding wire)6而連接。如此之連接方法並無特別限制，可適宜採用以往公知的方法，例如打線(wire bonding)方式的方法、TAB(Tape Automated Bonding)方式的方法等。
繼而，如第2E圖所示，較佳係藉由密封樹脂7而將配 線基板5與半導體元件4密封，藉由如此方式而可得到半導體封裝件8。密封樹脂7並無特別限制，可使用可用以製造半導體封裝件的適宜的公知密封樹脂。又，使用密封樹脂7的方法亦無特別限制，可採用適宜的公知方法。
依據如此之本發明的半導體封裝件的製造方法，可使用由高熱傳導性膜狀接著劑所構成之接著劑層2埋入與晶圓1的界面以及配線基板5上的凹凸，故晶圓1與接著劑層2之間以及配線基板5與半導體元件4之間不會產生空隙，並可將半導體元件4固定於配線基板5。又，本發明的半導體封裝件的製造方法中，由於是利用使用前述本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物所製成之高熱傳導性膜狀接著劑，故可使加工刀片的磨耗率變少。再者，由本發明的製造方法所製造的半導體封裝件，其接著層所用的高熱傳導性膜狀接著劑在硬化後發揮優異的熱傳導性，因此，對封裝件外部的放熱效率高。
(實施例)
以下，依據實施例及比較例更具體地說明本發明，但本發明不受限於以下實施例。再者，各實施例及比較例中，熱傳導率、熔融黏度及加工刀片磨耗率分別用以下所示的方法測定。
(熱傳導率的測定)
將得到的膜狀接著劑裁切成單邊長50mm以上的四角形片，以厚度成為5mm以上的方式將切下來的試料積層，放置於直徑50mm、厚度5mm的圓盤狀模具上，使用壓縮加 壓成型機，於溫度150℃、壓力2MPa下加熱10分鐘並取出後，更進一步於乾燥機中於溫度180℃加熱1小時而使膜狀接著劑進行熱硬化，得到直徑50mm、厚度5mm的圓盤狀試驗片。對於該試驗片，使用熱傳導率測定裝置(商品名：HC-110，英弘精機(股)製)，以熱流計法(依據JIS-A1412)測定熱傳導率(W/(m．K))。
(熔融黏度的測定)
將得到的膜狀接著劑裁切成2.5×2.5cm大小，使用真空積層裝置(商品名：MVLP-500，名機製作所(股)製)以溫度50℃、壓力0.3MPa且貼合時間10秒的條件，將膜狀接著劑積層直到成為300μm的厚度為止，得到貼合的試驗片。對於該試驗片，使用流變計(RS150，Haake公司製)，於溫度範圍20至100℃、以昇溫速度10℃/分鐘測定黏性阻力的變化，從得到的溫度-黏性阻力曲線計算出於80℃的熔融黏度(Pa．s)。
(加工刀片磨耗率的測定)
首先，將得到的膜狀接著劑使用手動積層機(商品名：FM-114，Technovision公司製)於溫度70℃、壓力0.3MPa下貼合至仿製(dummy)矽晶圓(8 inch大小，厚度100μm)，然後，使用相同之手動積層機，於室溫、壓力0.3MPa下，在膜狀接著劑的與仿製矽晶圓相反的側貼合切割膠帶(商品名：G-11，Lintec(股)製)及切割框架(商品名：DTF2-8-1H001，DISCO公司製)，製成試驗片。對於該試驗片，使用設置有2軸的切割刀片(Z1：NBC-ZH2030-SE(DD)， DISCO公司製/Z2：NBC-ZH127F-SE(BB)，DISCO公司製)的切割裝置(商品名：DFD-6340，DISCO公司製)實施切割而成為3.0×3.0mm大小。在切割前(加工前)與切斷20m時(加工後)實施設置(setup)，藉由非接觸式(雷射式)測定刀片刀刃突出量，計算出加工後之刀片磨耗量(加工前的刀片刀刃突出量-加工後的刀片刀刃突出量)。由此磨耗量，藉由下述式計算出加工刀片磨耗率(%)：加工刀片磨耗率(%)=(加工後的刀片磨耗量)÷(加工前的刀片刀刃突出量)×100。
(實施例1)
首先，秤量三苯基甲烷型環氧樹脂(商品名：EPPN-501H，重量平均分子量：1000，軟化點：55℃，固體，環氧當量：167，日本化藥(股)製)55質量份、雙酚A型環氧樹脂(商品名：YD-128，重量平均分子量：400，軟化點：25℃以下，液體，環氧當量：190，新日化Epoxy製造(股)製)49質量份、以及雙酚A/F型苯氧樹脂(商品名：YP-70，重量平均分子量：55000，Tg：70℃，新日化Epoxy製造(股)製)30質量份，將91質量份的甲基異丁基酮(MIBK)作為溶媒而在500ml的可分離式燒瓶中於溫度110℃加熱攪拌2小時，得到樹脂清漆。然後，將此樹脂清漆225質量份移至800ml的行星式攪拌機(planetary mixer)，添加氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)355質量份、咪唑型硬化劑(商品名：2PHZ-PW，四國化成(股)製)9質量份，於室溫 攪拌混合1小時後，進行真空脫泡而得到混合清漆。然後，將得到的混合清漆塗佈於厚度50μm的經離型處理的PET膜上並加熱乾燥(於100℃保持10分鐘)，得到厚度20μm的膜狀接著劑。測定得到的膜狀接著劑的熔融黏度及加工刀片磨耗率以及熱硬化後的熱傳導率。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例2)
除了將氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)的使用量換成489質量份以外，其餘與實施例1同樣操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例3)
除了將氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)的使用量換成267質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例4)
除了將三苯基甲烷型環氧樹脂(商品名：EPPN-501H，重量平均分子量：1000，軟化點：55℃，固體，環氧當量：167，日本化藥(股)製)換成甲酚酚醛型環氧樹脂(商品名： ECON-1020-80，重量平均分子量：1200，軟化點：80℃，固體，環氧當量：200，日本化藥(股)製)以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例5)
除了將三苯基甲烷型環氧樹脂(商品名：EPPN-501H，重量平均分子量：1000，軟化點：55℃，固體，環氧當量：167，日本化藥(股)製)換成雙酚A型環氧樹脂(商品名：YD-011，重量平均分子量：1000，軟化點：70℃，固體，環氧當量：450，新日化Epoxy製造(股)製)以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例6)
除了將氮化鋁(商品名：5.0μm氮化鋁，平均粒徑5.0μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)的使用量換成355質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例7)
除了將氮化鋁(商品名：5.0μm氮化鋁，平均粒徑5.0μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股) 製)的使用量換成489質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(實施例8)
除了將氮化鋁(商品名：5.0μm氮化鋁，平均粒徑5.0μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)的使用量換成267質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(比較例1)
除了將氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)355質量份換成使用球狀氧化矽(商品名：FB-3SDX，平均粒徑3.0μm，莫氏硬度7，熱傳導率1.0W/(m．K)，電氣化學工業(股)製)237質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(比較例2)
除了將氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m．K)，Tokuyama(股)製)355質量份換成使用氧化鎂(商品名：Cool Filler，平均粒徑 40μm，莫氏硬度5.5，熱傳導率13W/(m‧K)，Tateho化學工業(股)製)385質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(比較例3)
除了將氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m‧K)，Tokuyama(股)製)355質量份換成使用球狀氧化鋁(商品名：AX3-15R，平均粒徑3.0μm，莫氏硬度9，熱傳導率36W/(m‧K)，新日鐵Materials(股)製)409質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
(比較例4)
除了將氮化鋁(商品名：H-Grade，平均粒徑1.1μm，莫氏硬度8，熱傳導率200W/(m‧K)，Tokuyama(股)製)355質量份換成使用氮化硼(商品名：HP-01，平均粒徑10μm，莫氏硬度2，熱傳導率60W/(m‧K)，水島合金鐵(股)製)247質量份以外，其餘進行與實施例1同樣的操作，得到膜狀接著劑。對得到的膜狀接著劑進行與實施例1同樣的測定。將得到的結果與膜狀接著劑的組成一起表示於表1。
如表1表示的結果所示，可確認到實施例1至8所得的高熱傳導性膜狀接著劑於80℃有充分低的熔融黏度，加工刀片的磨耗率夠小，且硬化後發揮優異的熱傳導性。
(產業上之可利用性)
如以上的說明，依據本發明的高熱傳導性膜狀接著劑用組成物，可得到與被著體的密著性優異，加工刀片的磨耗率夠小，且硬化後發揮優異的熱傳導性的高熱傳導性膜狀接著劑。
又，依據本發明的半導體封裝件的製造方法，由於可使用由本發明的高熱傳導性膜狀接著劑所構成的接著劑層埋入與晶圓的界面或配線基板上的凹凸，故配線基板與半導體元件之間不產生空隙，可將半導體元件固定於配線基 板，又，可使加工刀片的磨耗率變少。
再者，本發明的半導體封裝件中，接著劑層所用的高熱傳導性膜狀接著劑在硬化後會發揮優異的熱傳導性，故對封裝件外部的放熱效率高。
因此，本發明係非常有用於作為用以接合半導體封裝件內的半導體元件與配線基板之間以及半導體元件與半導體元件之間的技術。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧接著劑層
3‧‧‧切割膠帶
4‧‧‧半導體元件
5‧‧‧配線基板
6‧‧‧焊線
7‧‧‧密封樹脂
8‧‧‧半導體封裝件
第1圖係表示以往的切割步驟中，因加工刀片摩耗而造成加工不良的相片。圖中，箭頭所標示之浮起為晶粒黏著膜的切斷不良。
第2A圖係表示本發明的半導體封裝件的製造方法的第1步驟的適宜的一實施形態之概要縱剖面圖。
第2B圖係表示本發明的半導體封裝件的製造方法的第2步驟的適宜的一實施形態之概要縱剖面圖。
第2C圖係表示本發明的半導體封裝件的製造方法的第3步驟的適宜的一實施形態之概要縱剖面圖。
第2D圖係表示本發明的半導體封裝件的製造方法的將焊線予以連接之步驟的適宜的一實施形態之概要縱剖面圖。
第2E圖係表示藉由本發明的半導體封裝件的製造方法所製造的半導體封裝件的適宜的一實施形態之概要縱剖面圖。
本案所請發明之技術特徵為接著劑用組成物之組成成分，惟第1圖、第2A至2E圖皆非用以顯示該技術特徵之圖，故並非本案代表圖。

Claims (6)

  1. 一種高熱傳導性膜狀接著劑用組成物，其係使用於半導體封裝件的製造之切割步驟中，且含有環氧樹脂(A)、環氧樹脂硬化劑(B)、無機填充劑(C)及苯氧樹脂(D)，前述無機填充劑(C)滿足下述(i)至(iii)的所有條件，(i)平均粒徑係0.1至5.0μm；(ii)莫氏硬度係1至8；(iii)熱傳導率係30W/(m‧K)以上。 並且前述無機填充劑(C)的含量係30至70體積%，且前述無機填充劑(C)係氮化鋁。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高熱傳導性膜狀接著劑用組成物，其中，前述環氧樹脂(A)係下述式(1)所示之三苯基甲烷型環氧樹脂： [式(1)中，n表示0至10的整數]。
  3. 一種高熱傳導性膜狀接著劑，其係藉由將申請專利範圍第1項或第2項所述之高熱傳導性膜狀接著劑用組成物進行加熱乾燥而得到，且厚度係10至150μm。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之高熱傳導性膜狀接著劑，其中，使用流變計在從20℃以10℃/分鐘的升溫速 度加熱時所觀測到的於80℃的熔融黏度係10000Pa‧s以下，熱硬化後的熱傳導率係1.0W/(m‧K)以上。
  5. 一種半導體封裝件的製造方法，其包含下述步驟：第1步驟：將申請專利範圍第3項或第4項所述之高熱傳導性膜狀接著劑熱壓接合於表面形成有半導體電路的晶圓的背面而設置接著劑層；第2步驟：在將前述晶圓與切割膠帶經由前述接著劑層而接著後，藉由將前述晶圓與前述接著劑層同時切割，而得到具備前述晶圓與前述接著劑層的半導體元件；第3步驟：使切割膠帶從前述接著劑層脫離，將前述半導體元件與配線基板經由前述接著劑層而熱壓接合；以及第4步驟：使前述高熱傳導性膜狀接著劑進行熱硬化。
  6. 一種半導體封裝件，其係藉由申請專利範圍第5項所述之製造方法而得到者。
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