TWI552363B - Transparent substrate for composite film for solar cell, and method of manufacturing the same - Google Patents

Transparent substrate for composite film for solar cell, and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI552363B
TWI552363B TW101101604A TW101101604A TWI552363B TW I552363 B TWI552363 B TW I552363B TW 101101604 A TW101101604 A TW 101101604A TW 101101604 A TW101101604 A TW 101101604A TW I552363 B TWI552363 B TW I552363B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
transparent
transparent substrate
solar cell
refractive index
Prior art date
Application number
TW101101604A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201236175A (en
Inventor
Kazuhiko Yamazaki
Takehiro Yonezawa
Satoko Higano
Reiko Izumi
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Publication of TW201236175A publication Critical patent/TW201236175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI552363B publication Critical patent/TWI552363B/zh

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

附太陽能電池用複合膜之透明基板及其製造方法
本發明係有關附太陽能電池用複合膜之透明基板及其製造方法。更詳言之,係有關具有高的發電效率之附太陽能電池用透明基板及其製造方法。
目前,基於環境保護立場,已朝乾淨能源之研究開發、實用化進展,太陽能電池由於作為能源之太陽光無窮盡,且為無公害等而備受矚目。以往,太陽能電池係使用單晶矽或多晶矽之塊體太陽能電池。
另一方面,使用非晶矽等之半導體之所謂薄膜半導體太陽能電池(以下稱為薄膜太陽能電池)係於玻璃或不鏽鋼等之便宜基板上,形成僅必要量之光電變換層之半導體層之構造。因此,薄膜太陽能電池由於薄型、量輕、製造成本便宜、可容易大面積化等,認為往後將成為太陽能電池之主流。
太陽能電池之膜形成一般係利用濺鍍法、CVD法等之真空成膜法進行。然而,維持大型真空成膜裝置並運轉必須較大成本,故藉由將膜形成替換成濕式成膜法,而期待大幅改善運轉成本。
作為由濕式成膜法所得之太陽能電池所挪用之透明導電膜揭示有將分散有導電氧化物超微粒子之塗覆液塗佈於玻璃基板之基體上,並使之硬化之薄膜太陽能電池用透明 導電膜之製造方法(專利文獻1)。
然而,以上述製造方法,目的係在於提高超準直(super straight)型太陽能電池之玻璃基板上之透明導電膜之濁度,而未考慮玻璃基板與透明電極膜之界面之反射光降低。
於超準直型太陽能電池通常係於折射率約1.5的玻璃基板上,形成折射率約2.0之二氧化錫之透明電極膜,由於玻璃基板與透明電極膜之折射率差,使來自玻璃基板之入射光之一部分反射,而減少到達光電轉換層之光量減少,而使太陽能電池之轉換效率降低。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開平10-12059號公報
本發明之課題係於自透明基板側使太陽光入射之太陽能電池中,使入射至透明基板之光在透明基板與透明電極膜之界面反射,藉此抑制太陽能電池之轉換效率之降低。
本發明藉由以下所示之構成而解決上述課題,係關於在透明基板與透明電極膜之間具有透明膜之附有太陽能電 池用複合膜之透明基板以及其製造方法以及使用附有該複合膜之基板之太陽能電池。
[1]一種附太陽能電池用複合膜之透明基板,其為在透明基板與透明電極膜之間具有透明膜之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其特徵為透明膜含有透光性黏合劑,且折射率為n1<n2<n3(式中n1表示透明基板之折射率,n2表示透明膜之折射率,及n3表示透明電極膜之折射率)。
[2]如上述[1]劑載之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其中透明膜之折射率為1.5~1.9。
[3]如上述[1]或[2]記載之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其中透明膜之厚度為0.01~0.5μm。
[4]如上述[1]至[3]中任一項記載之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其中透明膜之透光性黏合劑包含利用加熱而硬化之聚合物型黏合劑及/或非聚合物型黏合劑。
[5]如上述[1]至[4]中任一項記載之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其中透明膜進而含有自ITO、ZnO、ATO及TiO2所組成群組選出之至少一種氧化物粒子。
[6]一種附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其為依序具有透明基板、透明膜及透明電極膜之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其係利用濕式塗佈法將透明膜用組成物塗佈於透明基板上,形成透明塗膜後,使具有透明塗膜之透明基板經燒成或硬化,形成透明膜,進而於透明膜上形成透明電極膜。
[7]如上述[6]記載之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其中透明導電塗膜之燒成溫度為130~250℃。
[8]如上述[6]或[7]記載之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其中透明膜用組成物之濕式塗佈法為噴佈塗佈法、分佈塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、狹縫塗佈法、噴墨塗佈法、模嘴塗佈法、網版印刷法、平版印刷法、或凹版印刷法。
[9]一種太陽能電池,其係包含上述[1]至[5]中任一項記載之附太陽能電池用複合膜之透明基板。
依據本發明[1],可簡便地獲得可抑制入射至透明基板之光在透明基板-透明電極膜界面之反射,藉由增加對光電轉換層之入光量而提高發電效率之太陽能電池。
依據本發明[6],可不使用昂貴之真空設備即可形成透明膜,而可以簡便、低成本地製造發電效率高之太陽能電池。
以下基於實施形態具體說明本發明。又,%只要未特別表示,則為數值特有之情況除外之質量%。
[附太陽能電池用複合膜之透明基板]
本發明之附太陽能電池用複合膜之透明基板(以下稱為附複合膜之透明基板)為在透明基板與透明電極膜之間具有透明膜之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其特徵為該透明膜含有透光性黏合劑,折射率為n1<n2<n3(式中n1表示透明基板之折射率,n2表示透明膜之折射率,及n3表示透明電極膜之折射率)。
圖1顯示本發明之附太陽能電池用複合膜之透明基板之超準直形態太陽能電池之剖面示意圖。附透明膜之基板10係於透明基板2與透明電極膜4之間具有透明膜3。該透明膜3上形成光電轉換層5及反射電極膜6,構成超準直型太陽能電池1。太陽光自透明基板2側入射。此處,n1表示透明基板之折射率,n2表示透明膜之折射率,及n3表示透明電極膜之折射率時,若為n1<n2<n3,則可抑制透明基板-透明膜界面之反射,可提高太陽能電池之發電效率。
透明基板並未特別限定,舉例有玻璃基板等。透明電極膜亦未特別限定,舉例有二氧化錫膜等。
透明膜含有透光性黏合劑,折射率為1.5~1.9時,由於透明基板-透明膜界面之反射抑制優異,故而較佳。且,透明膜之厚度為0.01~0.5μm時,由密著性之觀點而言較佳。
且,透明膜亦較好設為2層以上,該情況下,較好形成為折射率自透明基板朝向透明電極膜緩慢升高。
《透明膜用組成物》
透明膜係由透明膜用組成物製造,透明膜用組成物含有透光性黏合劑。
透光性黏合劑包含利用加熱而硬化之聚合物型黏合劑及/或非聚合物型黏合劑時,塗佈後之硬化容易,由密著性之觀點而言較佳。至於聚合物型黏合劑,舉例有折射率為1.3~1.6範圍之丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚酯、醇酸樹脂、聚胺基甲酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚苯乙烯、聚乙縮醛、聚醯胺、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、纖維素及矽氧烷聚合物等。且,聚合物型黏合劑較好含有折射率為1.3~1.6之範圍之自鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬及錫之金屬皂、金屬錯合物、金屬烷氧化物及金屬烷氧化物之水解體所成組群選出之至少一種。
至於非聚合型黏合劑舉例有金屬皂、金屬錯合物、金屬烷氧化物、金屬烷氧化物之水解體、烷氧基矽烷、鹵矽烷類、2-烷氧基乙醇、β-二酮及乙酸烷酯等。且,金屬皂、金屬錯合物或金屬烷氧化物中含有之金屬較好為鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銀、銅、鋅、鉬、錫、銦或銻,更佳為矽、鈦之烷氧化物(例如四乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、丁氧基矽烷)。至於鹵矽烷類舉例有三氯矽烷。至於2-烷氧基乙醇舉例有2-正丙氧基乙醇、2-正丁氧基乙醇、2-己氧基乙醇等,至於β-二酮舉例有2,4-戊二酮、3-異丙基-2,4-戊二酮、2,2-二甲基-3,5-己二酮等,至於乙酸烷酯舉例有乙酸正丙酯、乙酸異丙酯等。該等聚合物型黏合劑、非聚合物型黏合劑可藉由加熱而硬化而形成具有高密著性之透明膜。
使金屬烷氧化物硬化時,較好含有用以開始水解反應之水以及作為觸媒之鹽酸、硝酸、磷酸(H3PO4)、硫酸等之酸,或氨水、氫氧化鈉等之鹼,自加熱硬化後,觸媒易揮發、不易殘留、不殘留鹵素、不殘留耐水性弱之P、硬化後之密著性等觀點而言,更好為硝酸。
透光性黏合劑之含有比例相對於除後述分散介質以外之透明膜用組成物:100質量份,較好為10~90質量份,若為30~80質量份則更佳。若為10質量份以上,則與透明基板或透明電極膜之接著力良好,若為90質量份以下,則成膜時不易產生膜不均。且,作為黏合劑使用金屬烷氧化物,作為觸媒使用硝酸時,相對於金屬烷氧化物:100質量份,硝酸為1~10質量份時,由黏合劑之硬化速度、硝酸之殘存量之觀點而言較佳。
透明膜用組成物中較好含氧化物粒子,氧化物粒子在透明膜中產生使來自光電轉換層之返回光返回至光電轉換層側之薄膜太陽能電池內之光閉鎖之效果,而可提高太陽能電池之轉換效率。又,氧化物粒子就透光性、安定性、耐候性之觀點而言亦較佳。作為氧化物粒子,舉例有ITO(Indium Tin Oxide:銦錫氧化物,折射率:2);ATO(Antimony Tin Oxide:摻銻氧化錫,折射率:2);含有自Al、Co、Fe、In、Sn及Ti所成組群選出之至少一種金屬之ZnO粉末(折射率:2);SiO2(折射率:1.45)、TiO2(折射率:2.7);ZrO2(折射率:2),較好含有自ITO、ZnO、ATO及TiO2所組成之群選出之至少一種之氧化物粒子。又,氧化物粒子之平均粒徑為在分散介質中保持安定性,較好在10~100nm之範圍,其中,更好為20~60nm之範圍。此處,平均粒徑係使用利用QUANTACHROME AUTOSORB-1之比表面積測定之BET法而測定。
氧化物粒子,相對於除分散介質以外之透明膜用組成物:100質量份,較好為10~90質量份,若為20~70質量份則更佳。若為10重量份以上,則可期待來自光電轉換層之返回光朝光電轉換層側返回之效果。若為90質量份以下,則維持了透明膜自身之強度、以及透明膜用組成物與透明基板或透明電極膜之接著力。
透明膜用組成物為提高成膜性,較好含有分散介質。作為分散介質,舉例有水;甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇等之醇類;丙酮、甲基乙基酮、環己酮、異佛爾酮等之酮類;甲苯、二甲苯、己烷、環己烷等之烴類;N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等之醯胺類;二甲基亞碸等之亞碸類;或乙二醇等之二醇類;乙基纖維素等之二醇醚類等。分散介質之含量,為了獲得良好成膜性,相對於透明膜用組成物:100質量份,較好為65~99質量份。
又,透光性黏合劑較好對應於所使用之其他成分添加偶合劑。此係因為可提高透明基板與透明膜之密著性、以及透明膜與透明電極膜之密著性,進而亦提高透光性黏合劑與氧化物粒子之密著性之故。作為偶合劑舉例有矽烷偶合劑、鋁偶合劑及鈦偶合劑等。
作為矽烷偶合劑,舉例有乙烯基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等。作為鋁偶合劑,舉例有式(1)所示之含有乙醯基烷氧基之鋁偶合劑,
【化1】
且,至於鈦偶合劑,舉例有式(2)~(4)所示之具有二烷基焦磷酸基之鈦偶合劑,
【化2】
【化3】
【化4】
及式(5)所示之具有二烷基磷酸基之鈦偶合劑,
【化5】
(C8H17O)4Ti[P(OC13H27)2OH] (5)
偶合劑相對於透明膜用組成物:100質量份較好為0.01~5質量份,若為0.1~2質量份,則更佳。若為0.01質量份以上,則可見到與透明基板或透明電極膜之接著力提高、或顯著見到氧化物粒子分散性之提高效果,若多於5質量份,則容易產生膜不均。
又,透明膜用組成物較好對應於所使用之成分添加水溶性纖維素衍生物。水溶性纖維素衍生物為非離子化界面活性劑,相較於其他界面活性劑,即使以少量添加其使氧化物粒子分散之能力極高,且藉由添加水溶性纖維素衍生物,亦可提高所形成之透明膜之透明性。至於水溶性纖維素衍生物,舉例有羥丙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。水溶性纖維素衍生物之添加量,相對於透明膜用組成物:100質量份,較好為0.2~5質量份。
又,透明電極膜亦可由與透明膜用組成物同樣之組成物形成,但透明電極膜用組成物係調配成硬化後之透明電極膜之折射率高於透明膜之折射率。
[附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法]
本發明之附複合膜之透明基板之製造方法,為依序具有透明基板、透明膜及透明電極膜之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,係於透明基板上,利用濕式塗佈法塗佈透明膜用組成物,形成透明塗膜後,使具有透明塗膜之透明基板經燒成或硬化,形成透明膜,進而於透明膜上形成透明電極膜。
透明基板及透明電極膜如上述。
透明膜用組成物可將上述所需成分,依據常用方法,利用漆料搖晃器(paint shaker)、球磨機、砂磨機、批式介質分散機(centri mill)、三輥磨機等予以混合,將透光性黏合劑及視情況之氧化物粒子等分散而製造。當然,亦可利用通常之攪拌操作製造。又,將氧化物粒子除外之成分混合後,與包含另外分散之氧化物粒子之分散介質混合,自容易獲得均質透明膜用組成物之觀點而言,則較佳。
首先,利用濕式塗佈法於透明基板上塗佈上述透明膜用組成物。此處之塗佈較好成為燒成後之厚度為0.01~0.5μm。接著,該塗膜較好在溫度20~120℃,更好25~60℃乾燥1~30分鐘,較好2~10分鐘。如此形成透明塗膜。
於透明基板上,利用濕式塗佈法塗佈透明膜用組成物之方法,較好為噴佈塗佈法、分佈塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、狹縫塗佈法、噴墨塗佈法、模嘴塗佈法、網版印刷法、平版印刷法、或凹版印刷法之任一者,但不限於該等,而可利用所有方法。
噴霧塗佈法為藉由壓縮氣體將透明膜用組成物以霧狀塗佈於基材上,或將分散體本身加壓成霧狀而塗佈於基材上之方法,分佈塗佈法為例如將透明膜用組成物裝入注射器中,藉由按壓該注射器之活塞桿而自注射器前端之微細噴嘴噴出分散體而塗佈於基材上之方法。旋轉塗佈法係將透明膜用組成物滴加於旋轉中之基材上,將該滴下之透明膜用組成物利用其離心力而擴及基材周緣之方法,刮刀塗佈法係使與刮刀前端空出特定間隙之基材可於水平移動地設置,對該刮刀更上游側之基材供給透明膜用組成物,使基材朝下游側水平移動之方法,狹縫塗佈法為使透明膜用組成物自狹小狹縫流出而塗佈於基材上之方法,噴墨塗佈法為將透明膜用組成物填充於市售之噴墨印表機之墨水匣中,於基材上噴墨印刷之方法。網版印刷法為利用紗作為圖型指示材,透過於其上作成之版圖像而將透明膜用組成物轉印於基材上之方法。平版印刷法係將附於版上之透明膜用組成物,未直接附著於基材上,而自版暫時轉印至橡膠薄板上,自橡膠薄板再轉印於基材上之利用透明膜用組成物之撥水性之印刷方法。模嘴塗佈法係將供給至模嘴內之透明膜用組成物自以多歧管分配之狹縫擠出至薄膜上,而塗佈行進中之基材表面之方法。模嘴塗佈法有狹口塗佈方式或滑動塗佈方式、簾塗方式。
最後,將具有透明塗膜之透明基板於大氣中或氮氣或氬氣之惰性氣體環境中,較好在130~250℃,更好在180~220℃之溫度,保持5~60分鐘,較好保持15~40分鐘而燒成。
具有塗膜之透明基板之燒成溫度設為130~250℃之範圍之理由係,於未達130℃時,會於透明膜上產生硬化不足之缺點。又,超過250℃時,無法產生低溫製程之生產上之益處,亦即製造成本增大,而使生產性降低。
具有塗膜之透明基板之燒成時間設為5~60分鐘之範圍之理由係,於燒成時間未達下限值時,於透明膜中之黏合劑燒成不足而產生缺陷。燒成時間若超過上限值,則會增大必要以上之製造成本而產生生產性降低之缺點之故。
再者,於透明膜上形成透明電極膜之方法並未特別限定,宜為真空成膜法等之公知方法。
由上述,可形成本發明之附太陽能電池用複合膜之基板。如此,本發明之製造方法藉由於透明膜之形成中使用濕式塗佈法,由於儘可能排除真空蒸鍍法或濺鍍法等之真空製程,故可更廉價地製造透明膜。
[實施例]
以下,利用實施例詳細說明本發明,但本發明不限定於該等。
以成為表1所示組成(數值表示質量份)之方式,以合計為60g,裝入100cm3之玻璃瓶中,使用直徑:0.3mm之氧化鋯珠粒(MICROHICA,昭和蜆殼石油製):100g,藉由漆料搖晃器分散6小時,製作實施例1~5、比較例2之透明膜用組成物。此處,作為黏合劑使用之SiO2結合劑1~3、非聚合物型黏合劑1、2、混合溶劑1如下述製作。
[SiO2結合劑1]
使用50cm3之玻璃製4頸燒瓶,添加140g四乙氧基矽烷及140g之乙醇,邊攪拌邊一次添加將1.7g之60%硝酸溶解於120g純水中之溶液,隨後在50℃反應3小時而製造。
[SiO2結合劑2]
使用50cm3之玻璃製4頸燒瓶,添加85g四乙氧基矽烷及100g之乙醇,邊攪拌邊於室溫使用管泵以10~15分鐘之時間投入將0.09g之60%硝酸溶解於110g純水中之溶液。隨後,於所得混合溶液中,使用管泵以10~15分鐘之時間投入預先混合之45g三-第三丁氧化鋁及60g乙醇之混合溶液。在室溫攪拌30分鐘左右後,於50℃反應3小時而製造。
[SiO2結合劑3]
使用50cm3之玻璃製4頸燒瓶,添加115g四乙氧基矽烷及175g之乙醇,邊攪拌邊一次添加將1.4g之35%硝酸溶解於110g純水中之溶液,隨後在45℃反應3小時而製造。
[非聚合物型黏合劑1]
非聚合物型黏合劑1係使用2-正丁氧基乙醇與3-異丙基-2,4-戊二酮之混合液,非聚合物型黏合劑2係使用2,2-二甲基-3,5-己二酮與乙酸異丙酯之混合液(質量比1:1)。
[混合溶劑1]
混合溶劑1係使用異丙醇、乙醇及N,N-二甲基甲醯胺之混合液(質量比4:2:1)。
[實施例1~3、參考例1、參考例2、比較例2]
實施例1~3、參考例1、參考例2、比較例2之透明膜用組成物,以表1所示之濕式塗佈法,於作為透明基板之1mm厚之鹼玻璃基板上成膜後,在200℃大氣中燒成30分鐘。表1中顯示燒成後之透明膜之膜厚。
[折射率評價]
關於折射率評價,針對實施例1~5、比較例2所示之透明膜用組成物,對於光學常數已知之鹼玻璃基板(1.54)利用濕式塗佈法(旋轉塗佈法、模嘴塗佈法、平版印刷法)成膜透明膜後,在200℃燒成30分鐘,藉此形成厚度0.1~2μm之透明膜。對於該膜,使用分光橢圓偏振裝置(J.A.Wollam Japan(股)製M-2000)測定,針對透明膜部分進行數據解析,求得光學常數。由解析之光學常數,求得633nm之值作為折射率。表1顯示該等結果。
[密著性評價]
針對密著性評價,以依據膠帶測試(JIS K-5600)之方法進行評價。使用評價折射率之試料。使膠帶對於透明膜予以密著,於剝離時,將透明膜剝離,藉由捲曲狀態之程度,以優、可、不佳之三階段予以評價。透明膜未貼附於膠帶側,僅接著膠帶剝離時評價為優,接著膠帶剝離時混雜有鹼玻璃基板露出之狀態時,評價為可,因接著膠帶撕下而使鹼玻璃基板表面全面露出時評價為不佳。表1顯示該等結果。
[發電特性之評價]
為了進行太陽能電池之發電評價,製作圖1所示之超準直型太陽能電池1。於折射率測定中使用之透明基板2之透明膜3上,藉使用磁控管連線式濺鍍裝置之濺鍍法,形成表面具有凹凸紋理且摻雜F(氟)之厚度:800nm之表面電極膜(SnO2膜,折射率:2.0)作為透明導電膜4。對該透明電極膜4使用雷射加工法圖案化藉此成為陣列狀,同時形成將該等予以電性相互連接之配線。接著,於透明電極膜4上,使用電漿CVD法,形成光電轉換層5。該光電轉換層5於其實施例中自透明基板2側起依序層合p型a-Si:H(非晶質碳化矽)、i型a-Si(非晶質矽)及n型μc-Si(微結晶碳化矽)所成之膜。光電轉換層5使用雷射加工法進行圖案化。於該光電轉換層5上,利用濺鍍法,形成厚度:80nm之透明導電層(ZnO層)(未圖示)及厚度:200nm之Ag膜之反射電極膜6後,使用雷射加工法進行圖案化,製作超準直型太陽能電池1。
至於太陽能電池之評價方法,係對使用雷射加工法實施圖案化之加工後之基板上實施引線配線,對確認I-V特性曲線時之輸出特性及短路電流密度(Jsc)之值,進行與使用除未形成透明膜以外,以與實施例同樣方法獲得之光電轉換層,均利用濺鍍法形成透明導電膜、導電性反射膜之比較例1之太陽能電池設為100時之相對輸出評價。表1顯示該等結果。
此處,均利用濺鍍法形成之薄膜太陽能電池,係如圖1所示,首先準備於一面上形成有厚度50nm之SiO2層(未圖示)之玻璃基板作為基板2,在該SiO2層上形成表面具有凹凸紋理且摻雜F(氟)之厚度800nm之透明電極膜(SnO2膜)4。該透明電極膜4使用雷射加工法圖案化藉此成為陣列狀同時形成使其等電性相互連接之配線。接著於透明電極膜4上,使用電漿CVD法,形成光電轉換層5。該光電轉換層5於其實施例中自透明基板2側起依序層合p型a-Si:H(非晶質碳化矽)、i型a-Si(非晶質矽)及n型μc-Si(微結晶碳化矽)所成之膜。光電轉換層5使用雷射加工法進行圖案化後,利用濺鍍法,於該光電轉換層5上形成厚度80nm之透明導電層(ZnO層)(未圖示)及厚度200nm之Ag膜之反射電極膜(銀電極層)6者。
如表1所了解,實施例1~3所有中,折射率均為1.55~1.85,滿足n1(154)<n2<n3(2.0),Jsc增加3~4%。且,實施例1~3之透明膜密著性亦良好。相對於此,折射率小如1.40之比較例2,Jsc降低5%。認為係因 於透明基板與透明膜之界面,由於入射之太陽光反射之故。
本發明之附太陽能電池用複合膜之基板,藉由以濕式塗佈法塗佈於透明基板上,並燒成,可減低通過透明基板之光於透明基板-透明電極膜界面之反射光,故而就提高各種太陽能電池之光電轉換效率方面非常有用。
1‧‧‧超準直型太陽能電池
2‧‧‧透明基板
3‧‧‧透明膜
4‧‧‧透明電極膜
5‧‧‧光電轉換層
6‧‧‧反射電極膜
10‧‧‧附複合膜之透明基板
圖1為超準直型太陽能電池之剖面示意圖。
1...超準直型太陽能電池
2...透明基板
3...透明膜
4...透明電極膜
5...光電轉換層
6...反射電極膜
10...附複合膜之透明基板

Claims (6)

  1. 一種附太陽能電池用複合膜之透明基板,其為在透明基板與由二氧化錫所構成之透明電極膜之間具有透明膜之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其特徵為透明膜含有氧化物粒子及、由包含含有矽之烷氧化物與硝酸觸媒之非聚合物型黏合劑、或自2-烷氧基乙醇、β-二酮及乙酸烷酯所成群組選出之至少一種非聚合物型黏合劑,且氧化物粒子與非聚合物型黏合劑之質量比為(10:22)~(12:10)之透明膜用組成物所形成的透光性黏合劑,氧化物粒子之折射率為2.0~2.7,平均粒徑為20~30nm,且透明膜之折射率為1.65~1.9,折射率為n1<n2<n3(式中,n1表示透明基板之折射率,n2表示透明膜之折射率及n3表示透明電極膜之折射率),厚度為0.1~0.4μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之附太陽能電池用複合膜之透明基板,其中氧化物粒子含有自ITO、ZnO、ATO及TiO2所組成群組選出之至少一種。
  3. 一種附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其為依序具有透明基板、透明膜及由二氧化錫所構成之透明電極膜之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其係利用濕式塗佈法將包含氧化物粒子及含有矽之烷氧化物與硝酸觸媒之非聚合物型黏合劑、或自2-烷氧基乙醇、β-二酮及乙酸烷酯所成群組選出之至少一種非聚合物型黏合劑,且氧化物粒子之折射率為2.0~2.7,平均粒徑為20~30nm,氧化物粒子與非聚合物型黏合劑之質量 比為(10:22)~(12:10)之透明膜用組成物塗佈於透明基板上,形成透明塗膜後,使具有透明塗膜之透明基板經燒成或硬化,形成折射率為1.65~1.9,厚度為0.1~0.4μm的透明膜,進而於透明膜上形成透明電極膜。
  4. 如申請專利範圍第3項之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其中透明塗膜之燒成溫度為130~250℃。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之附太陽能電池用複合膜之透明基板之製造方法,其中透明膜用組成物之濕式塗佈法為噴佈塗佈法、分佈塗佈法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、狹縫塗佈法、噴墨塗佈法、模嘴塗佈法、網版印刷法、平版印刷法、或凹版印刷法。
  6. 一種太陽能電池,其係包含如申請專利範圍第1或2項之附太陽能電池用複合膜之透明基板。
TW101101604A 2011-02-22 2012-01-16 Transparent substrate for composite film for solar cell, and method of manufacturing the same TWI552363B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011035807A JP5810548B2 (ja) 2011-02-22 2011-02-22 太陽電池用複合膜付き透明基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201236175A TW201236175A (en) 2012-09-01
TWI552363B true TWI552363B (zh) 2016-10-01

Family

ID=46659429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101101604A TWI552363B (zh) 2011-02-22 2012-01-16 Transparent substrate for composite film for solar cell, and method of manufacturing the same

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5810548B2 (zh)
CN (1) CN102646726B (zh)
TW (1) TWI552363B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101466621B1 (ko) * 2013-02-28 2014-12-01 주식회사 케이씨씨 투과율과 내구성이 향상된 다층코팅을 갖는 태양전지용 투명 기판 및 그 제조방법
CN104681657B (zh) * 2013-11-29 2018-01-30 深圳富泰宏精密工业有限公司 太阳能电池的制造方法及制得的太阳能电池
CN103713420A (zh) 2013-12-30 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN109672075B (zh) * 2019-02-18 2020-09-25 哈尔滨工程大学 一种多波长光纤激光器及其二硫化镍锁模器件的制备方法
CN111516368B (zh) * 2020-05-25 2021-02-23 江苏盛矽电子科技有限公司 一种聚酰亚胺太阳能网版的制备方法
KR102638070B1 (ko) * 2023-02-16 2024-02-20 한국화학연구원 반사방지 및 도핑효과가 있는 광학박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 광학박막

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6366929A (ja) * 1986-09-08 1988-03-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物
JPH01154444A (ja) * 1987-12-10 1989-06-16 Hitachi Ltd 画像表示画板及びその製造方法
JPH08102227A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜およびその形成方法
WO2006046397A1 (ja) * 2004-10-28 2006-05-04 Kaneka Corporation 薄膜光電変換装置用基板およびそれを用いた集積型薄膜光電変換装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3416024B2 (ja) * 1997-05-23 2003-06-16 シャープ株式会社 薄膜太陽電池における微粒子塗布膜
JPWO2007040065A1 (ja) * 2005-09-30 2009-04-16 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2008305945A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Kaneka Corp 薄膜太陽電池用基板とその製造方法および薄膜太陽電池の製造方法
JP2011077306A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Ulvac Japan Ltd 太陽電池及びその製造法
JP2011129288A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Kaneka Corp 透明導電膜付き基板および薄膜光電変換装置
JP5542025B2 (ja) * 2010-10-18 2014-07-09 三菱電機株式会社 光電変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6366929A (ja) * 1986-09-08 1988-03-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物
JPH01154444A (ja) * 1987-12-10 1989-06-16 Hitachi Ltd 画像表示画板及びその製造方法
JPH08102227A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜およびその形成方法
WO2006046397A1 (ja) * 2004-10-28 2006-05-04 Kaneka Corporation 薄膜光電変換装置用基板およびそれを用いた集積型薄膜光電変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102646726A (zh) 2012-08-22
CN102646726B (zh) 2017-09-08
JP2012174899A (ja) 2012-09-10
TW201236175A (en) 2012-09-01
JP5810548B2 (ja) 2015-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI509048B (zh) 太陽能電池之防反射膜用組成物、太陽能電池之防反射膜、太陽能電池之防反射膜的製造方法、及太陽能電池
TWI552363B (zh) Transparent substrate for composite film for solar cell, and method of manufacturing the same
JP5637196B2 (ja) スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜及びその製造方法
CN105513670A (zh) 太阳能电池用透明导电膜及其透明导电膜用组合物、多接合型太阳能电池
JP5544774B2 (ja) 多接合型太陽電池
JP5359667B2 (ja) スーパーストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP2010087479A (ja) サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP5893251B2 (ja) 太陽電池用複合膜の製造方法
JP2012216814A (ja) 薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
WO2010023920A1 (ja) 太陽電池用透明導電膜及びその透明導電膜用組成物、多接合型太陽電池
JP2011222953A (ja) 透明導電膜形成用組成物及び太陽電池用の複合膜の形成方法並びに該方法により形成された複合膜
JP5515499B2 (ja) サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP5444923B2 (ja) スーパーストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP5493469B2 (ja) スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP2012190856A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP2012151387A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP2012094830A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP5413214B2 (ja) 透明導電膜形成用導電性酸化物微粒子分散液及び該分散液を用いて形成された透明導電膜、複合膜及びその製造方法
JP2011109069A (ja) 導電性反射膜及びその製造方法
JP2012209525A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP2011151291A (ja) 透明導電膜、複合膜及びその製造方法
JP2012009840A (ja) 太陽電池用の複合膜の形成方法及び該方法により形成された複合膜
JP2010080932A (ja) 太陽電池用透明導電膜及びその透明導電膜用組成物、多接合型太陽電池
JP2012151388A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP2012094828A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees