JPH01154444A - 画像表示画板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像表示面板とその製造方法に係り、特に外光
の反射防止と静電誘導による帯電防止に好適な反射防止
膜を備えた画像表示面板とその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

画像表示面板としては、陰極線管や液晶表示装置等に代
表されるガラス等の透光性基板が一般的であり、従来か
ら各種の方法で外光の反射防止化が図られている０例え
ばガラス面をケイフッ化水素酸（Ｈ，ＳｉＦｓ）などで
エッチグし、表面に深さ５０〜３０，０００人、ピッチ
１００〜ｚ、ｏｏｏ人の凹凸をつけて反射防止機能を付
与したもの（米国特許第２．４９０，６６２号）、あ゛
ルイはＳｉ（ＯＲ）＋　（Ｒはアルキル基）のアルコー
ル溶液をガラス面に吹付けた後、焼成し、ＳｉＯ、膜か
らなる凹凸を形成したもの（特開昭６１−１１８９３２
号）等がある。

一方、テレビジョン受像機や各種端末デイスプレィ装置
等のブラウン管前面に、陰極線管の静電誘導により生ず
る帯電を防止する方法として、透明導電性皮膜を形成し
、それを接地する方法や、アルコキシシランの加水分解
により生ぜしめたＳｉ−０−８Ｌ鎖（または網）の中に
少量の水酸基（−ＯＨ）を残し、その吸湿性によりガラ
ス荘板表面の電気抵抗を小さく　（１０’〜１０１０Ω
）する方法（特許第２３１９５９号）等がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

エツチングによる反射防止機能を付与する方法では、エ
ツチングによる堆積物が表面に残り、エツチングされた
凹部も化学的にダメージを受けているため耐摩耗強度が
弱く１表面をこすると簡単に凹凸がくずれて反射防止効
果が著しく低下する。

また、Ｓｉ（ＯＲ）４のアルコール溶液を吹付ける方法
では、吹付けた液粒がガラス中央部表面では薄く広がり
、周縁部で厚く盛り上がる。その結果ガラスの前面にわ
たり均一な凹凸が出来にくく、表示画像の解像度が低下
するという問題がある。

一方、帯電防止機能を付与するための透明導電膜形成法
は、一般に真空蒸着やスパッタリング、ＣＶ　Ｄ　（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ旦ｅｐｏｓｉ　ｔｉｏｎ
　）などの大がかりな装置を必要とし、真空処理などの
工数を必要とするため量産化向きでない、また、アルコ
キシシランの加水分解による方法では、実用的に十分な
膜強度を得るための加熱処理により水酸基（−ＯＨ）が
減少し、吸湿性が低下して表面抵抗値が大きくなり帯電
防止効果が低下するという問題がある。

本発明の目的は、これら従来の問題点を解決するために
なされたものであり、その第１の目的は帯電防止機能を
兼ね備えた優れた反射防止膜を有する画像表示面板を提
供することにあり、第２の目的はその製造方法を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記本発明の第１の目的は、透光性基板上に粒径ｌＯＯ
〜１０　、０００人のＳｉＯ、微粒子と吸湿性を有する
金属塩粒子及び導電性金属酸化物粒子の少なくとも１種
から成る添加剤との混合物をＳｉｎ２薄膜で被覆固定し
た外光反射防止膜を形成して成ることを特徴とする画像
表示面板によって達成される。

そして、上記Ｓ　ｉ　Ｏ、微粒子の粒径（平均粒径）は
画像の解像度と外光の反射防止効果との関係から制約さ
れるものであり、下限値は反射防止効果から定めたもの
で、１００人より小さなものになると目的とする反射防
止効果が得られ難く、一方、上限値は解像度の点から定
めたもので、１０，０００人より大きくなると解像度が
著しく低下する。したがって実用的な範囲として上記の
範囲を定めたものであるが、好ましくは５００〜１　、
２００人、より好ましくは５００〜６００人、更に好ま
しくは約５５０人である。

また、このＳｉＯ□微粒子の固定量は少量でもそれなり
の効果は認められるが実用的には基板の単位面積当り０
．０１〜１■／ｄであり、好ましくは０．１−０．３■
／ａｌである。そしてこの上限、下限の理由は上記粒径
の場合と同様に下限は反射防止膜９、果の点から、上限
は解像度の点から定められるものである。

上記添加剤は帯電防止のために添加されるものであり、
金属塩粒子としては吸湿性のあるものから選択されるが
、好ましくは周期律表第■族及び第■族の少なくとも１
種から選ばれる金属元素の塩であり、実用的には塩酸塩
、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩であり、これらの少な
くとも１種の塩が選ばれる。特に望ましくはマグネシウ
ム及びアルミニウムの少なくとも１種の上記塩類である
。

上記金属塩類は、大気中の水分を吸収して基板表面の電
気抵抗を低下させるものである。一方。

導電性金属酸化物粒子は、それ自体導電性を有している
ため、基板表面の抵抗を下げるためには。

上記の金属塩類よりも好ましい。この種の金属酸化物粒
子として実用的なものは、スズ、インジウム及びアンチ
モンの少なくとも１種の酸化物であり、これらはいずれ
も透明導電膜を構成する酸化物であるからである。しか
し、その他周知の導電性金属酸化物、例えばペロブスカ
イト構造を有するものなどでもよいことは云うまでもな
い。そして、このような添加剤の実用的な固定量は少量
でもそれなりの効果は認められるが、基板の単位面積当
り０．Ｏ１〜１．０■／ａＪが好ましく、より好ましく
は０．１５〜０．３ｍｇ／ａｄである。すなわち、この
下限値は基板面の導電性の減少効果から、そして上限値
は基板面への密着強度から制約を受ける。つまり、固定
量が増加すればするだけ抵抗値は減少するが、密着強度
は逆に小さくなる。

次に本発明の第２の目的は、Ｓｉ（ＯＲ）ｎ　（ただし
、Ｒはアルキル基）を溶解したアルコール溶液に、粒径
１００〜１０，０００人の５ｊＯ２微粒子を分散すると
共に吸湿性を有する金属塩粒子及び導電性金属酸化物粒
子の少なくとも１種から成る添加剤を分散し、この溶液
を透光性基板上に塗布する工程と、前記塗布面を加熱し
て前記Ｓｉ（ＯＲ）４を分解してＳｉＯ□薄膜を形成す
ることにより、前記ＳｉＯ、微粒子と前記添加剤との混
合物を前記ＳｉＯ、薄膜で被覆固定する工程とから成る
外光反射防止膜形成工程を備えたことを特徴とする画像
表示面板の製造方法によって達成される。

そして、上記ＳｉＯオ微粒子の分散量は０．１〜１０ｗ
ｔ％が好ましく、より好ましくは１〜３ｗｔ％である。

また、添加剤の分散量は０．０５〜７ｗｔ％が好ましく
、より好ましくは１．０〜２．０ｗｔ％である。

上記Ｓｉｎ２微粒子及び添加剤の分散量の上限、下限の
理由は、前記第１の目的を達成する画像表示面板の発明
と同一理由である。

帯電防止のために添加する上記添加剤のうち、導電性金
属酸化物粒子の場合は、上記アルコール溶液に水が添加
されても溶解することなく、単に分散するのみであるが
、金属塩の場合は一部もしくは全部が溶解するものであ
り、その点からすると上記の分散という表現は適切では
ないが、ここでは一部溶解するものを含めて分散という
表現をする。なお、添加剤の種類については前記第１の
目的を達成する画像表示面板の発明と同一であるので説
明を省略する。

上記Ｓ　ｉ　（ＯＲ）４は加水分解を受けて５ｊ０２の
薄膜を形成し、Ｓ　ｊ、　Ｏ、微粒子及び添加剤を基板
表面に固定する役割を果たすものであるが、上記アルキ
ル基Ｒを一般弐Ｃｎ　Ｈｚ　ｎ　＋ｔと表示したとき、
実用的なｎは１〜５であり、好ましくはｎ＝２のエチル
基である。また６上記Ｓｉ（ＯＲ）、を溶解する溶媒の
アルコールは、アルキル基Ｒのアルコールが望ましく、
最も実用的な例としてはアルコキシシランＳｉ（ＯＲ）
、のＲがｎ＝２のエチル基で、溶媒がエチルアルコール
の場合である。

さらにまた、上記Ｓｉｎ２微粒子及びＬ記添加剤の分散
媒どして、上記アルコール溶液に例えばアセチルアセト
ンのごときケトン類もしくはエチルセロソルブを添加す
ると共に前記溶液中のＳ　ｘ　（ＯＲ）４の加水分解を
容易にするために水及び触媒として例えば硝酸のごとき
無機酸を添加するとさらに好ましい。

上記アルコール溶液を基板に塗布する方法としては、ス
ピニング法、デ、イッピング法、スプレー法もしくはこ
れらの組合せから成る塗布法が用いられる。

上記塗布面を加熱してＳｉ（ＯＲ）４を分解してＳ　、
ｉ　０　、薄膜を形成する際の加熱処理条件としては、
ＳＯ〜２００℃が好ましく、更に好ましくは１６０−１
８０′″Ｃ，である１、本発明においては、このよう１
．こ比較的低温度で処理するため、例えばブラウン管の
ごとき陰極線管に適用する場合には、完成味にて処理す
ることが出来るので、量産プロセスに好適である。また
、当然のことながら、球として完成する以前のブラウン
管を製造する途中の工程で処理し得ることは云うまでも
ない。

〔作用〕

本発明の反射防止膜は前述のごとく、 Ｓｉ（ＯＲ）４の加水分解により形成されたＳｉＯ□の
薄膜が、均一に分散したＳ　ｉｏ、微粒子を被覆し、こ
れをガラス体（基板）表面に固定する。この均一に分散
したＳｉＯ□微粒子により、反射防止効果と表示画像の
高解像度が維持される。更にＳｉＯ□薄膜には添加剤す
なわち吸湿性を有する金属塩及び導電性金属酸化物の少
なくとも１種が含まれており、前者はＳｉ（ＯＲ）、の
加水分解時の熱処理（この熱処理は膜強度を向上させる
ものでもある）を経ても吸湿性が保持され、その性能を
失わずに基板表面の抵抗値を小さくする作用を有してい
る。

一方、導電性金属酸化物は、いわゆる透明導電膜と同じ
原理の表面抵抗値の減少がみられ、これらの表面抵抗値
の小さいことにより帯電防止機能が保たれるのである。

このように本発明の添加剤は帯電防止効果を発揮するも
のであるが、基板の表面抵抗値を下げる点からは金属塩
よりは導電性金属酸化物の方が優れている。とりわけス
ズ、インジウム、アンチモンのごとき酸化物の場合は、
膜の透明度もよく画像の解像度を高く維持することがで
きるという点でも好ましい。金属塩の中には酸化物と異
なり溶解した状態で膜中に固定されるものもあり、この
ような場合は膜の透明度がよく、高い解像度を維持する
作用がある。

なお、ブラウン管など陰極線管の前面パネル表面（画像
表示面板）が帯電する理由は、第２図に示すごとく、ブ
ラウン管１の内面２に塗布されている蛍光体３の上に薄
く均一なアルミニウムの膜４が蒸着されているが、その
アルミニウム膜４に高電圧が印加されると、その印加時
及び遮断時にブラウン管前面パネル５に静電誘導により
帯電現象を起すことによる。

〔実施例〕

ブラウン管の前面パネル表面（ガラス面板）に本発明を
適用した例を以下に示す。

テトラエトキシシラン（Ｓｊ、（○Ｃ２Ｈ３）４）をエ
タノールに溶解し、さらに加水分解のための水（Ｉ（２
０）と触媒としての硝酸（ＨＮＯ，）とを添加した溶液
を作る。アルコール溶液に粒径５００〜１．０００人に
整粒された　ＳｉＯ２の微粒子（粒形はほぼ球形）を重
量（ｗｔ）％で１％添加する。このとき、粒子が十分に
分散するようにアセチルアセトンを分散媒として適量添
加する。

上記アルコール溶液には、ＳｉＯ２の微粒子を添加する
前に、第１表に示す各種添加剤を所定量添加した。なお
、同表には実施１〜４の他に、比較例として帯電防止用
の添加剤を添加しない例を表示した。

上記第１表の配合溶液をガラス面板上に清下し、さらに
スピンナーで均一に塗布する。

その後、１５０℃で約３０分間空気中で焼成し、テトラ
エトキシシラン（Ｓｉ（○ＣｚＨｓＬ）を分解する。ア
ルコール溶液に添加したＳｉＯ２の微粒子は、分解して
できたＳｉＯ□の連続した均一の薄膜により強固に固着
され、ガラス面板上に凹凸が形成される。このようにし
て形成された反射防止膜の断面を電子顕微鏡で観察した
ところ、第１図（ａ）の部分拡大図である第１図（ｂ）
に示すように、最外表面に深さ１，０００人±２００人
、ピッチ５００人の均一な凹凸を有する反射防止膜が形
成された。同図において、６は反射防止膜、６ａはＳｉ
Ｏ、微粒子、６ｂはテトラエトキシシランが分解してで
きたＳｉｎ２薄膜であり、添加剤である帯電防止成分を
含んも゛る・　　　　　　　　　　　、メ下牟白この反
射防止膜を形成したガラス面板に５°の入射角で波長５
５０ｎ　ｍの光を入射させ、その反射率を測定した結果
、第１表に示すように、０．５％以下、第３図の曲線■
に示す如く波長４５０〜６５０ｎ　ｍの範囲で１％以下
の反射率であった。この値は、ＶＤＴ　（ビジュアル・
デイスプレィ・ターミナル）としての条件を充分に満足
する値である。

次に、この反射防止膜を形成したガラス面板の表面を消
ゴム〔（株）ライオン事務器製・商品名ライオン５Ｏ−
５０）で強く均一に５０回こすったところ、反射率は、
第１表の強度及び第３図の曲線■に示すように、０．１
％〜０．２％程度短波長側にシフトしただけで、その品
質上は全く問題がなかった。

比較のため、従来のエツチングにより凹凸を形成したガ
ラス面板について同様の試験を行ったところ、消ゴム１
回のこすりで反射率は２％増加し、５回のこすりにより
、第３図の曲線■に示した無処理のガラス面板と全く同
じ反射率となった。

上述したような反射防止膜を形成したガラス面板におい
て、反射率を低下させることができる理由を次に説明す
る。

第４図は反射膜の断面を示したものであるが、Ａに示す
位置における屈折率は空気の屈折率ｎ０で、その値は約
１である。一方、已に示す位置ではＳｉＯ２微粒子６ａ
が詰まった状態で、その屈折率はほぼガラス（Ｓ　ｉ　
Ｏｚ　）の屈折率ｎｇ＝］、、４８に等しい。このＡ、
Ｂに挟まれた凹凸部分において、屈折率は、ＳｉＯ□の
体積分率、つまりＡ、Ｂ平面に平行な平面で切った微小
な厚みの板を仮想したとき、その板の体積全体に占める
ＳｉＯ、部分の体積の割合に応じて連続的に変化する。

Ａよりわずかに内側に入ったＣ位置での屈折率をｎｌ、
Ｂよりわずかに外側に出たＤ位置での屈折率をｎ２とし
たとき、この反射防止膜を形成したガラス面板表面での
反射率Ｒが最小となる条件は、であり、これから。

ｎＢ＝□ ｎｌ の条件を満足するときに、無反射性能が得られる。

ここで、ｎ　２　／　ｎ　、Ｘの値は、凹凸の形状によ
って決まるが、前述したようにＳｉＯ□微粒子を添加し
たＳｉ（ＯＲ）４のアルコール溶液を塗布後焼成するこ
とにより、上式を近似的に満足するような凹凸が形成で
き、１％以下というような低い反射率が得られたものと
考えられる。

次に、本発明の反射防止膜が高い機械的強度を保持して
いる理由は、Ｓｉ（ＯＲ）＋が次のように加水分解して
できた５ＬＯ２膜が存在し、これが保護膜となっている
ためと考えられる。

Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４＋４　Ｈ，０４ＳＬ（ＯＨ）、＋
４　Ｃ２Ｈ，ＯＨ→ＳｉＯ２＋２Ｈ２０ また、整粒されたＳｉＯ２微粒子による細かい凹凸が均
一にできることから、全面にわたり良好な反射防止効果
が得られるとともに、必要以上の凹凸によって解像度が
低下することもない。

さらに、第１表に示す如く、低い表面抵抗が得られる理
由は溶液中の各種の帯電防止成分が有効に働き、かつ反
射防止性能、膜強度に大きな影響を与えないためと考え
られる。

さらに、このような反射防止膜を形成するプロセスとし
ては、完成球に直接形成することができ既存のＳｉ（Ｏ
Ｒ）４アルコール溶液に市販のＳｉＯ。

微粒子を添加して塗布し焼成するだけでよく、フッ酸な
どの有害な薬品の使用は一切なく、安全にしかも低コス
トで製造することができる。

Ｓ　ｔｏ２微粒子は１球形に限らず、第５図に示すよう
に不定形であってもよい。第５図において、７ａがＳｉ
Ｏ、微粒子、７ｂがＳｉｎ２薄膜である。また、その粒
径は平均粒径１００〜１０，０００人程度が好ましい。

この粒径が小さすぎると、形成される膜の最外表面が平
滑になりすぎて充分な反射防止効果が得られない。逆に
大きすぎると、拡散効果が大きすぎ、解像度が低下する
とともに、膜強度も低下する。

ＳｉＯ２微粒子を添加したＳ　ｘ　（ＯＲ）　４のアル
コール溶液の塗布方法は、上記実施例で示したスピニン
グ法に限らず、ディッピング法やコーティング法、スプ
レー法及びそれらの組合せなどでもよい。

また、塗布後の焼成温度は５０〜２００℃程度が適当で
ある。

また、上記実施例ではＳｉ（ＯＲ）、としてＲがエチル
基の例を示したが、前述したとおりＲ＝ＣｎＨ，ｎや□
としたとき、ｎ＝１〜５の範囲で実施可能であり、ｎが
大きくなる場合、溶液の粘性が少し高くなるので、溶媒
としては作業性を考慮してそれに応じたアルコールを選
択すればよい。

さらにまた、帯電防止効果を付与する添加剤として、金
属塩の例としてはアルミニウムの塩を代表して例示した
が、その他の吸湿性のある周期律表第■族、第■族の金
属元素の塩であればいずれも同等の効果が得られる。導
電性金属酸化物についても実施例ではＳｎＯ２を代表し
て例示したが、その他周知の例えばＩｎ、Ｏ，、５ｂ２
０３．ペロブスカイト型構造を有する複合金属酸化物例
えばＬａＮｉ○３？　Ｌａｘ−ｘｓｒｘｃｏｏ３（これ
らは常温に於ける比抵抗がいずれも１０−４ΩｃｆｆＩ
）などいずれのものでもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、反射防止効果にすぐれ、かつ機械的に
も強い帯電防止機能を有する反射防止膜の形成された画
像表示面板が得られる。しかも、本発明のこの面板は、
フッ酸などの有害な処理薬品を使用せず、簡単で安全な
プロセスで製造でき。

量産化に好適で、耐汚染性にもすぐれている。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を模式的に示
した陰極線管の一部断面正面図と、反射防止膜の最外表
面部の拡大断面図とを、第２図は陰極線管の帯電を説明
するための−・部断面正面図を、第３図は本発明の一実
施例の反射率の測定結果を従来の比較例と対比して示し
た曲線図を、第４図は反射防止の原理説明図を、そして
第５図は本発明の他の実施例を模式的に示した反射防止
膜の最外表面部の拡大断面図をそれぞれ示したものであ
る。 図において、 １・・・ブラウン管 ５・・・前面パネル（画像表示面板） ６・・・反射防止膜 ６ａ、７ａ・−８ｉｎ、微粒子 ６ｂ、　７ｂ・・・Ｓｉｏ、薄膜 代理人弁理士　　中　村　純之助 第２図 ６ｂ−Ｓノｔｙ、４ｕ　（＠＠ηＩｌｔ’ｌ／央薯←　
（波）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透光性基板上に、粒径１００〜１０，０００ÅのＳ
   ｉＯ＿２微粒子と吸湿性を有する金属塩粒子及び導電性
   金属酸化物粒子の少なくとも１種から成る添加剤との混
   合物をＳｉＯ＿２薄膜で被覆固定した外光反射防止膜を
   形成して成ることを特徴とする画像表示面板。 ２、上記添加剤が吸温性を有する金属塩粒子から成るこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像表示面
   板。 ３、上記添加剤が導電性金属酸化物粒子成ることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の画像表示面板。 ４、上記吸湿性を有する金属塩粒子が、周期律表第II族
   及び第III族の少なくとも１種からなる金属元素の塩で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第
   ２項記載の画像表示面板。 ５、上記導電性金属酸化物粒子が、スズ、インジウム及
   びアンチモンの少なくとも１種の酸化物から成ることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第３項記載の
   画像表示面板。 ６、上記金属塩粒子が、マグネシウム及びアルミニウム
   の少なくとも１種の塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩及びカルボ
   ン酸塩の少なくとも１種から成ることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項、第２項もしくは第４項記載の画像表
   示面板。 ７、上記外光反射防止膜を形成するＳｉＯ＿２微粒子と
   上記添加剤の固定量を単位面積当り、ＳｉＯ＿２微粒子
   ０．０１〜１．０ｍｇ／ｃｍ＾２、添加剤０．０１〜１
   ．０ｍｇ／ｃｍ＾２としたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項、第２項もしくは第３項記載の画像表示面板
   。 ８、上記ＳｉＯ＿２微粒子の固定量を０．１〜０．３ｍ
   ｇ／ｃｍ＾２、添加剤の固定量を０．１５〜０．３ｍｇ
   ／ｃｍ＾２としたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項、第２項もしくは第３項記載の画像表示面板。 ９、Ｓｉ（ＯＲ）＿４（ただし、Ｒはアルキル基）を溶
   解したアルコール溶液に、粒径１００〜１０，０００Å
   のＳｉＯ＿２微粒子を分散すると共に吸湿性を有する金
   属塩粒子及び導電性金属酸化物粒子の少なくとも１種か
   ら成る添加剤を分散し、この溶液を透光性基板上に塗布
   する工程と、前記塗布面を加熱して前記Ｓｉ（ＯＲ）＿
   ４を分解してＳｉＯ＿２薄膜を形成することにより、前
   記ＳｉＯ＿２微粒子と前記添加剤との混合物を前記Ｓｉ
   Ｏ＿２薄膜で被覆固定する工程とから成る外光反射防止
   膜形成工程を備えたことを特徴とする画像表示面板の製
   造方法。 １０、上記吸湿性を有する金属塩粒子が、周期律表第I
   I族及び第III族元素の少なくとも１種の塩酸塩、硝酸塩
   、硫酸塩及びカルボン酸塩の少なくとも１種から成り、
   上記導電性金属酸化物粒子が、スズ、インジウム及びア
   ンチモンの少なくとも１種の酸化物から成ることを特徴
   とする特許請求の範囲第９項記載の画像表示面板の製造
   方法。 １１、上記Ｓｉ（ＯＲ）＿４のアルキル基ＲをＣ＿ｎＨ
   ＿２＿ｎ＿＋＿１と表示したとき、ｎ＝１〜５としたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の画像表示面
   板の製造方法。 １２、上記Ｓｉ（ＯＲ）＿４を溶解したアルコール溶液
   に対し、上記ＳｉＯ＿２微粒子を０．１〜１０ｗｔ％、
   上記添加剤を０．０５〜７ｗｔ％分散させて成ることを
   特徴とする特許請求の範囲第９項、第１０項もしくは第
   １１項記載の画像表示面板の製造方法。 １３、上記ＳｉＯ＿２微粒子を１〜３ｗｔ％、添加剤を
   １．０〜２．０ｗｔ％分散させて成ることを特徴とする
   特許請求の範囲第１２項記載の画像表示面板の製造方法
   。 １４、上記金属塩粒子が、マグネシウム及びアルミニウ
   ムの少なくとも１種の塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩及びカル
   ボン酸塩の少なくとも１種から成ることを特徴とする特
   許請求の範囲第９項もしくは第１０項記載の画像表示面
   板の製造方法。 １５、上記Ｓｉ（ＯＲ）＿４のＲがエチル基で、かつア
   ルコール溶液のアルコール成分がエチルアルコールを主
   成分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１１項も
   しくは第１２項記載の画像表示面板の製造方法。 １６、上記ＳｉＯ＿２微粒子及び上記添加剤の分散媒と
   して、上記アルコール溶液にケトン類の分散媒を添加す
   ると共に前記溶液中のＳｉ（ＯＲ）＿４の加水分解を容
   易ならしめるために水及び触媒として無機酸を添加する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の画像表示
   面板の製造方法。 １７、上記分散媒がアセチルアセトンであり、無機酸が
   硝酸であることを特徴とする特許請求の範囲第１６項記
   載の画像表示面板の製造方法。 １８、上記アルコール溶液を透光性基板に塗布する方法
   として、スピニング法、ディッピング法、スプレー法も
   しくはこれらの組合せから成る塗布法を用いると共に、
   塗布面の加熱処理を５０〜２００℃とすることを特徴と
   する特許請求の範囲第９項、第１１項、第１２項、第１
   ３項、第１４項、第１５項、第１６項もしくは第１７項
   記載の画像表示面板の製造方法。