TWI544568B - 用於多區域台座加熱器之方法及裝置 - Google Patents

Description

用於多區域台座加熱器之方法及裝置

本發明關於用在電子元件處理腔室的載件台座，並且更特別地關於用在載件台座中的嵌設多區域加熱器的方法與裝置。

台座加熱器在處理期間提供對基材的熱控制，並且作為在經排空的腔室中調整基材的位置的移動平台。第1圖示出傳統的單一區域台座加熱器組件的示意圖。由金屬(諸如不銹鋼或鋁)或陶瓷(諸如氮化鋁)製成的傳統的台座加熱器100包括水平板102與垂直桿106，作為熱源的加熱構件104被包括在水平板102中，垂直桿106被接附到板102的底部中心。通常是藉由和板102接觸的熱電偶108來量測且控制此類單一區域台座加熱器100的溫度。桿106對加熱器板102提供支撐且使得在處理腔室110內升高與降低加熱器板102成為可能。桿106亦作為加熱構件104與熱電偶108的終端所經由連接到真空腔室110外的路徑。半導體製程通常對於台座加熱器100的溫度均勻性或輪廓非常敏感。可藉由在特定條件(諸如溫度設定點、腔室壓力、氣體流速等)下的加熱構件104的小心設計來達到理想的溫度均勻性或輪廓。然而，在半導體製程期間，實際條件常常偏離設計 條件，並且因此無法維持住理想的均勻溫度輪廓。換句話說，單一區域加熱器不具有足夠的調整能力來維持住均勻的溫度輪廓。所以，需要用在台座加熱器的改善方法與裝置，該改善方法與裝置能容許欲被維持住的更均勻的溫度輪廓。

在一些實施例中，本發明提供一種用於處理腔室的嵌設多區域台座加熱器。該多區域台座加熱器包括加熱器板，該加熱器板包括：第一區域，該第一區域包括第一加熱構件與第一熱電偶，該第一熱電偶用以感測該第一區域的溫度，其中該第一區域設置在該加熱器板的中心處；及第二區域，該第二區域包括第二加熱構件與第一嵌設熱電偶，該第一嵌設熱電偶用以感測該第二區域的溫度，其中該第一嵌設熱電偶包括第一縱向塊，該第一縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第二區域，並且該第一縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內。

在一些其他實施例中，本發明提供一種用於台座加熱器的多區域加熱器板，該台座加熱器可用在半導體處理腔室中。該加熱器板包括：第一區域，該第一區域包括第一加熱構件與第一熱電偶，該第一熱電偶用以感測該第一區域的溫度，其中該第一區域設置在該加熱器板的中心處；及第二區域，該第二區域包括第二加熱構件與 第一嵌設熱電偶，該第一嵌設熱電偶用以感測該第二區域的溫度，其中該第一嵌設熱電偶包括第一縱向塊，該第一縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第二區域，並且該第一縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內。

在又其他實施例中，本發明提供一種製造用於處理腔室的多區域台座加熱器的方法。該方法包括形成加熱器板，該加熱器板包括：第一區域，該第一區域包括第一加熱構件與第一熱電偶，該第一熱電偶用以感測該第一區域的溫度，其中該第一區域設置在該加熱器板的中心處；及第二區域，該第二區域包括第二加熱構件與第一嵌設熱電偶，該第一嵌設熱電偶用以感測該第二區域的溫度，其中該第一嵌設熱電偶包括第一縱向塊，該第一縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第二區域，並且該第一縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內。

本發明提供用於基材處理腔室的用在經改善的台座加熱器組件的方法與裝置。部分地，可使用雙區域台座加熱器200來解決於上文參照第1圖的傳統台座加熱器而描述的調整能力問題，其中兩個加熱構件104、112被嵌設在加熱器板102中以在不同速率下供應熱功率或將熱功率供應到板102的不同表面區塊A、B內(如第2圖所示)。更詳細地說，圖上示出雙區域加熱器200，雙區域 加熱器200具有加熱構件104產生內區域A且加熱構件112產生外區域B的加熱構件配置。可根據被引導到此兩個不同區域的功率的比例來調整加熱器溫度均勻性或輪廓。

然而，難以精確地控制半導體腔室110中的雙區域台座加熱器200的溫度，特別是難以精確地控制在高溫下運作者的溫度。準確的溫度控制需要在加熱器200的各個區域A、B中的可靠的溫度量測。可以和單一區域加熱器100的溫度被量測相同的方式，藉由將傳統的熱電偶108插入穿過位在加熱器200的底部中心上的桿106來量測雙區域台座加熱器200的內區域A的溫度。然而，為了量測外區域B的溫度，此方法是不可行的，因為由於熱膨脹考量而使得桿不能被耦接在區域B下方處。

其他已知的溫度量測技術，諸如利用光導管或高溫計的光學量測以及根據電阻溫度係數(temperature coefficient of resistance,TCR)的量測，對於非製造特徵化是有用的，但用在高溫半導體製造過程環境中是不適合的或不可靠的。

在光學溫度量測方法的情況中，難以將高溫計或光導管配置在處理腔室110內而不會干擾半導體製程(例如沉積或蝕刻)。又，當半導體處理期間待量測表面與/或感應器窗口被塗覆有殘餘物時，量測結果會改變。最後，光學感應器與適當的控制器是昂貴的且不符合成本效益。

關於TCR量測方法，由於加熱構件電阻是溫度的函數，通常需要加熱構件的起初特徵化來決定TCR曲線。在半導體製程期間，可根據加熱器電阻數值透過內插來計算加熱器溫度。然而，若加熱構件無法呈現隨著溫度變化的可偵測電阻變化，TCR方法是不可行的。另一方面，即使加熱構件的TCR是可量測的，TCR的特徵化取決於加熱器且是耗時的。由於加熱構件的溫度是如此難以量測，TCR曲線實際上是將加熱器電阻和周圍媒介上(諸如加熱器表面或晶圓)的溫度予以相關聯。此種加熱器電阻與加熱器溫度之間的間接關係更降低了TCR量測方法的可靠性與準確性。

本發明提供用以準確地量測多區域台座加熱器組件的不同區域內的加熱器板溫度的改善方法與裝置。藉由將嵌設熱電偶併入到多區域台座加熱器組件的各個區域內，本發明能維持住均勻的遍佈加熱器板的溫度輪廓。根據透過各個區域中的熱電偶所量測的溫度資訊，可調整被供應到各個區域的加熱構件的功率，以維持住期望的遍佈所有區域的加熱器板溫度輪廓。

許多材料若存在有橫越材料的溫度差，則材料呈現橫越材料相對端的電壓降。此性質即是所謂的席貝克效應(Seebeck effect)。電壓降(△V)對溫度差(△T)的比例稱為席貝克係數且可被量化成微伏特/攝氏度的單位。席貝克係數取決於材料本身。傳統的熱電偶利用材料的席貝克效應來量測接合點與參考點之間的溫度差，其中該參考 點通常相當遠離該接合點。具有不同席貝克係數的兩個不同材料的長度被耦接在接合點處，並且此兩個材料之間在參考點處(例如在和接合點相對的相對端)的電壓降被量測。經量測的電壓降係相應於在接合點處的溫度。

期望用以形成熱電偶的此兩個材料應具有不同的席貝克係數。為了根據本發明製作適於用在加熱器台座的敏感的熱電偶，材料係經選擇而使得席貝克係數差異盡可能越大。藉此，甚至小的溫度差異可被轉換成能被量測且被記錄的可偵測電壓訊號。商業上可取得的熱電偶具有範圍從約10微伏特/攝氏度(類型B、R與S)到約70微伏特/攝氏度(類型E)的席貝克係數差異。然而，該等熱電偶可能不適於嵌設在台座加熱器板內或用在高溫應用。

根據本發明，經選擇以形成用在台座加熱器的嵌設熱電偶的材料具有：(1)高到足以在製造過程期間不會受損的熔點；(2)足以產生相應於半導體製造過程所經歷的小溫度變化的電壓訊號的席貝克係數差異；及(3)足夠接近加熱器板的熱膨脹係數的熱膨脹係數，以致加熱器板或熱電偶在暴露於製程溫度時不會因膨脹而受損。

例如，經選擇作為加熱器板中的嵌設熱電偶而使用燒結來製造的材料應具有大於約2000℃到2400℃的熔點，該溫度範圍是可執行燒結的典型溫度範圍。其他可被使用的製造過程可具有更高或更低的溫度，在任一情況中可利用具有相應地更高或更低熔點的熱電偶材料。

經選擇作為嵌設熱電偶的材料亦應具有足以偵測約0.5℃溫度變化的席貝克係數差異。例如，大於約15微伏特/攝氏度的係數差異能產生可偵測的電氣訊號。一些半導體製程可能需要更小或容許更大的溫度變化，並且因此可能需要或容許相應地更大或更小的係數差異。

取決於加熱器板的延展性如何，經選擇作為嵌設熱電偶的材料期望具有在作為加熱器板的材料(對於典型的加熱器板材料)的約0.5e-4%或0.5e-6 in/in℃內的熱膨脹速率。在其他實施例中與/或在使用其他材料中，可使用其他範圍。

符合上述用在由例如氮化鋁(AlN)製成的加熱器板的標準而作為熱電偶的材料的實例包括鎢-5%錸合金(W5Re)與鎢-26%錸合金(W26Re)。此兩個材料具有高於3000℃的熔點、19微伏特/攝氏度的席貝克係數差異及約5.6e-6 in/in℃的熱膨脹速率。AlN具有約5.4e-6 in/in℃的熱膨脹速率，這意謂著熱電偶的熱膨脹速率位在加熱器板的熱膨脹速率的0.2e-6 in/in℃內。由W5Re與W26Re製成的熱電偶可用以量測高達約2000℃的溫度。在一些實施例中，其他材料(諸如鋁與不銹鋼)可用以形成加熱器板，並且因此可使用符合上述標準作為熱電偶的不同的材料。

參照第3圖，第3圖示出具有嵌設熱電偶304的加熱器板302。注意加熱器板302從通常用在處理腔室中所處的位向被反轉。在一些實施例中，在製造期間，可使 用熱壓燒結製程(其中粉末形式的AlN可被擠壓成模子且被加熱)來形成加熱器板302。在簡化的示範性實施例中，可藉由下述步驟來形成加熱器板302：將AlN粉末予以層化成模子；將第一加熱構件104定位在第一層的AlN上；將第二層的AlN粉末沉積在第一加熱構件104上方；將第二加熱構件112定位在第二層的AlN粉末上；將第三層的AlN粉末添加在第二加熱構件112上方；將熱電偶304定位在第三層的AlN上；及然後將第四層的AlN粉末沉積在熱電偶304上方。一旦AlN粉末的層、構件104、112與熱電偶304位於適當處，可施加高壓與高溫(如此技藝中所熟知者)到此結構以引發燒結。結果是固體加熱板302的形成，如第3圖所示。注意上述實例係描述用以形成兩個區域加熱器板的步驟。在其他實施例中，可以適當的相應層化步驟與額外的加熱構件和熱電偶來製造3、4、5與6或更多個區域的加熱器板。

在一些實施例中，本發明的熱電偶304包括縱向塊的第一材料306與縱向塊的第二材料308。除了具有上述關於(1)熔點、(2)席貝克係數差異與(3)熱膨脹係數的特徵，經選擇作為縱向塊306、308的材料的形狀可以是條棒狀、線狀、細長片狀或能從加熱器板302的中心徑向地延伸到加熱器板302的外加熱區域且於兩個末端處亦具有足夠表面積以容許可靠電氣連接的形成的任何其他可實現形狀。在縱向塊306、308的接合區末端310處，可將縱向塊306、308可熔接在一起與/或可使用導電填 劑材料將縱向塊306、308連接在一起。

在熱電偶接合區310是藉由熔接來形成的實施例中，應選擇熔接方法而使熔接方法能容許接合區310在燒結製程期間能維持完整且能容忍被施加的熱。例如，可使用鎢惰性氣體(tungsten inert gas,TIG)熔接或類似的技術，將W5Re、W26Re或其他導電材料的塊熔接到W5Re與W26Re縱向塊306、308，以形成在燒結期間不會熔化的熔接接合區。

因此，在一些實施例中，形成熱電偶接合區310的方法是將填劑材料夾置在功能作為縱向塊306、308的W5Re與W26Re細長片之間。填劑材料可以是電阻不高於W5Re或W26Re且熔點高於燒結溫度的金屬。和作為縱向塊306、308的W5Re與W26Re細長片併同使用的適當填劑材料的實例包括W5Re、W26Re、鎢(W)、鉬(Mo)與類似的材料。在一些實施例中，熱壓燒結製程可用以將填劑材料黏接到W5Re與W26Re縱向塊306、308。

絕緣材料可被插入到縱向塊306、308之間的空間312中，或AlN粉末可被迫進入塊306、308之間的空間312內。若AlN用以將熱電偶塊306、308彼此絕緣，約至少0.5 mm的AlN的最小厚度是足夠的。可使用額外的厚度。注意儘管第3圖所示的縱向塊306、308設置成其中一者位在另一者上方，在其他實施例中，縱向塊306、308可彼此橫向分隔且因此設置成位在加熱器板內的相同垂直位置處。此種安排可促進在製造期間更容易且可 靠地將絕緣AlN粉末沉積到塊306、308之間的空間312內。

現參照第4圖，描述根據本發明形成多區域加熱器台座加熱器400的示範性實施例的剩餘步驟。在燒結加熱器板302之後，在板302的下表面406的中心處打開孔洞402、404。再次注意如第3圖所示，第4圖圖示第4圖的加熱器台座400相對於加熱器台座400在處理腔室中的正常運作位向被反轉。孔洞402、404向下延伸以暴露縱向塊306、308。可使用在加熱器板302中打開孔洞的任何可實現方法(例如鑚鑿)。孔洞402、404被加工成具有足夠直徑以容許連接件(例如導線)被連接到縱向塊306、308。在一些實施例中，用於縱向塊306、308的相同材料可分別用於連接件。在一些實施例中，連接件是和縱向塊306、308不同的材料。在此種情況中，量測溫度將根據熱電偶接合區310位置與加熱器板302的中心處的連接件連接點之間的溫度差異。對於雙區域加熱器，連接件連接點靠近傳統熱電偶108，該傳統熱電偶108用以量測內區域的溫度且設置在加熱器板302的中心處。假設連接件連接點的溫度和內區域的溫度相同，可計算熱電偶接合區310位置處的溫度。

在一些實施例中，連接件係被銅焊、熔接或焊接到縱向塊306、308。可在無氧環境中執行銅焊製程，以避免材料的氧化。此外，可打開孔洞408，以將傳統熱電偶108插入到加熱器板302內而供內加熱區域A使用(第2 圖)。注意儘管圖上未示出，亦可打開用於使連接件連接到加熱構件104、112的額外孔洞，並且可進行連接到構件104、112的連接。

其次，桿410可被接附到加熱器板302的下表面406的中心。在一些實施例中，在各種連接件被接附到各自熱電偶108、304與加熱構件104、112之前，桿410可被接附到加熱器板302，其中該桿410係容納連接到縱向塊306、308的連接件、連接到傳統熱電偶108的連接件及連接到加熱構件104、112的連接件。

現參照第5圖，示出第4圖的多區域加熱器台座加熱器400位在處理腔室內而處於電子元件製造處理期間支撐基材的適當位向。注意來自熱電偶108、304與加熱構件104、112的連接件耦接到控制器500，控制器500可包括處理器與適當電路，處理器與適當電路係適於接收且記錄來自熱電偶108、304的訊號並施加電流到加熱構件104、112。

第6圖是示出根據本發明製造多區域台座加熱器的方法600的示範性實施例的流程圖。在步驟602，如上文參照第3圖所詳細地描述，從兩個縱向塊306、308的材料形成熱電偶，熱電偶符合以下三個標準：(1)高到足以在製造過程期間不會受損的熔點；(2)足以產生相應於半導體製造過程所經歷的小溫度變化的電壓訊號的席貝克係數差異；及(3)足夠接近加熱器板的熱膨脹係數的熱膨脹係數，以致加熱器板或熱電偶在暴露於製程溫度時不 會因膨脹而受損。

在步驟604，可藉由下述步驟來形成加熱器板302：將AlN粉末予以層化成燒結模子；將第一加熱構件104定位在第一層的AlN上；將第二層的AlN粉末沉積在第一加熱構件104上方；將第二加熱構件112定位在第二層的AlN粉末上；將第三層的AlN粉末添加在第二加熱構件112上方；將熱電偶304定位在第三層的AlN上；及然後將第四層的AlN粉末沉積在熱電偶304上方。一旦AlN粉末的層、構件104、112與熱電偶304位於適當處，可施加高壓與高溫(如此技藝中所熟知者)到此結構以引發燒結。結果是固體加熱板302的形成，如第3圖所示。注意上述實例係描述用以形成兩個區域加熱器板的步驟。在其他實施例中，可以適當的相應層化步驟與額外的加熱構件和熱電偶來製造3、4、5與6或更多個區域的加熱器板。

在步驟606，在燒結加熱器板302之後，在板302的下表面406的中心處打開存取孔洞402、404。在步驟608，桿410被黏接到加熱器板302。在步驟610，連接到熱電偶108、304與加熱構件104、112的連接件係耦接各自的特徵。上述方法僅被提供作為說明之用的實例。注意可包括許多額外與替代的步驟且可改變步驟的順序。亦注意上述步驟可包括任何數量的子步驟或可被結合成更少的總步驟。

第7圖示出本發明的替代實施例。從先前的圖而重複 的元件符號表示如同上文所描述元件的類似元件。可使用由熔接在一起的不同材料而製成的被絕緣的線704、706來形成熱電偶接合區708，以將具有嵌設熱電偶702的加熱器板700製造成銅焊金屬台座加熱器組件。類似上述實施例，不同材料的被絕緣的線704、706係經選擇而使得熱膨脹速率和加熱器板700的熱膨脹速率是相當的。被絕緣的線704、706(包括絕緣物)的熔點高於銅焊溫度。不同材料的被絕緣的線704、706的席貝克係數差異足以能夠偵測(例如產生可察覺的電壓訊號)對於半導體處理是顯著(例如會干擾半導體處理)的任何加熱器板702溫度變化。例如，W5Re與W26Re的被絕緣的線可作為被絕緣的線704、706。

此技術領域中具有一般技藝的人士能瞭解的是可使用其他類似的技術來製造根據此發明的替代記憶體單元。

上述說明僅揭示本發明的示範性實施例。上文揭示的裝置與方法的變化落入本發明的範疇內且對於此技術領域中具有一般技藝的人士是可輕易瞭解的。

因此，儘管已經以本發明的一些特定示範性實施例來揭示本發明，應瞭解其他實施例可落入如隨附申請專利範圍所界定的本發明的精神與範疇內。

100‧‧‧單一區域台座加熱器

102‧‧‧水平板

104‧‧‧加熱構件

106‧‧‧垂直桿

108‧‧‧熱電偶

110‧‧‧處理腔室

112‧‧‧加熱構件

200‧‧‧雙區域台座加熱器

302‧‧‧加熱器板

304‧‧‧嵌設熱電偶

306‧‧‧縱向塊

308‧‧‧縱向塊

310‧‧‧接合區

312‧‧‧空間

400‧‧‧多區域台座加熱器

402‧‧‧孔洞

404‧‧‧孔洞

406‧‧‧下表面

408‧‧‧孔洞

410‧‧‧桿

500‧‧‧控制器

600‧‧‧方法

602-610‧‧‧步驟

700‧‧‧加熱器板

702‧‧‧嵌設熱電偶

704‧‧‧線

706‧‧‧線

708‧‧‧熱電偶接合區

可從以下詳細說明參照隨附圖式來考量而清楚地瞭解 本發明的特徵，其中相同的元件符號在本說明書中代表相同的元件。

第1圖示出根據習知技藝的處理腔室中的傳統單一區域台座加熱器組件的示意圖。

第2圖示出根據習知技藝的處理腔室中的傳統雙區域台座加熱器組件的示意圖。

第3圖示出根據本發明實施例的多區域加熱器板的反轉示意圖。

第4圖示出根據本發明實施例的多區域加熱器台座組件的反轉示意圖。

第5圖示出根據本發明實施例的處理腔室中的多區域加熱器台座組件的示意圖。

第6圖是示出根據本發明製造用於處理腔室的多區域台座加熱器組件的方法的示範性實施例的流程圖。

第7圖示出根據本發明替代實施例的處理腔室中的多區域台座加熱器組件的示意圖。

104‧‧‧加熱構件

108‧‧‧熱電偶

110‧‧‧處理腔室

112‧‧‧加熱構件

302‧‧‧加熱器板

304‧‧‧嵌設熱電偶

306‧‧‧縱向塊

308‧‧‧縱向塊

310‧‧‧接合區

400‧‧‧多區域台座加熱器

402‧‧‧孔洞

404‧‧‧孔洞

406‧‧‧下表面

408‧‧‧孔洞

410‧‧‧桿

500‧‧‧控制器

Claims (20)

1. 一種用於一處理腔室的多區域台座加熱器，該多區域台座加熱器包含：一加熱器板，該加熱器板包括：一第一區域，該第一區域包括一第一加熱構件與一第一熱電偶，該第一熱電偶用以感測該第一區域的溫度，其中該第一區域設置在該加熱器板的中心處；及一第二區域，該第二區域包括一第二加熱構件與一第一嵌設熱電偶，該第一嵌設熱電偶用以感測該第二區域的溫度，其中該第一嵌設熱電偶包括一第一縱向塊，該第一縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第二區域，並且該第一縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內，其中該第一縱向塊包括在形成該加熱器板期間藉由一填劑材料黏接的二個不同縱向塊。
2. 如請求項1所述之多區域台座加熱器，其中該加熱器板更包含：一第三區域，該第三區域包括一第三加熱構件與一第二嵌設熱電偶，該第二嵌設熱電偶用以感測該第三區域的溫度，其中該第二嵌設熱電偶包括一第二縱向塊，該第二縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第三區域，並且該第二縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內。
3. 如請求項1所述之多區域台座加熱器，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料具有足以產生一電壓訊號的席貝克係數差異，該電壓訊號係代表足以衝擊半導體處理的一加熱器板溫度變化。
4. 如請求項1所述之多區域台座加熱器，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料具有大於一燒結製程溫度的熔點，該燒結製程溫度用以形成該加熱器板。
5. 如請求項1所述之多區域台座加熱器，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料的熱膨脹速率約等於該加熱器板的熱膨脹速率。
6. 如請求項1所述之多區域台座加熱器，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料包括鎢-5%錸合金(W5Re)與鎢-26%錸合金(W26Re)。
7. 如請求項1所述之多區域台座加熱器，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，其中該等材料具有足以產生一電壓訊號的席貝 克係數差異，該電壓訊號係代表足以衝擊半導體處理的一加熱器板溫度變化，其中該等材料具有大於一燒結製程溫度的熔點，該燒結製程溫度用以形成該加熱器板，及其中該等材料的熱膨脹速率約等於該加熱器板的熱膨脹速率。
8. 一種用於一台座加熱器的多區域加熱器板，該台座加熱器可用在一半導體處理腔室中，該加熱器板包含：一第一區域，該第一區域包括一第一加熱構件與一第一熱電偶，該第一熱電偶用以感測該第一區域的溫度，其中該第一區域設置在該加熱器板的中心處；及一第二區域，該第二區域包括一第二加熱構件與一第一嵌設熱電偶，該第一嵌設熱電偶用以感測該第二區域的溫度，其中該第一嵌設熱電偶包括一第一縱向塊，該第一縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第二區域，並且該第一縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內，其中該第一縱向塊包括在形成該加熱器板期間藉由一填劑材料黏接的二個不同縱向塊。
9. 如請求項8所述之多區域加熱器板，更包含：一第三區域，該第三區域包括一第三加熱構件與一第二嵌設熱電偶，該第二嵌設熱電偶用以感測該第 三區域的溫度，其中該第二嵌設熱電偶包括一第二縱向塊，該第二縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第三區域，並且該第二縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內。
10. 如請求項8所述之多區域加熱器板，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料具有足以產生一電壓訊號的席貝克係數差異，該電壓訊號係代表足以衝擊半導體處理的一加熱器板溫度變化。
11. 如請求項8所述之多區域加熱器板，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料具有大於一燒結製程溫度的熔點，該燒結製程溫度用以形成該加熱器板。
12. 如請求項8所述之多區域加熱器板，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料的熱膨脹速率約等於該加熱器板的熱膨脹速率。
13. 如請求項8所述之多區域加熱器板，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料包括鎢-5%錸合金(W5Re)與鎢-26%錸合金(W26Re)。
14. 如請求項8所述之多區域加熱器板，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，其中該等材料具有足以產生一電壓訊號的席貝克係數差異，該電壓訊號係代表足以衝擊半導體處理的一加熱器板溫度變化，其中該等材料具有大於一燒結製程溫度的熔點，該燒結製程溫度用以形成該加熱器板，及其中該等材料的熱膨脹速率約等於該加熱器板的熱膨脹速率。
15. 一種製造用於一處理腔室的一多區域台座加熱器的方法，該方法包含以下步驟：形成一加熱器板，該加熱器板包括：一第一區域，該第一區域包括一第一加熱構件與一第一熱電偶，該第一熱電偶用以感測該第一區域的溫度，其中該第一區域設置在該加熱器板的中心處；及一第二區域，該第二區域包括一第二加熱構件與一第一嵌設熱電偶，該第一嵌設熱電偶用以感測該第二區域的溫度，其中該第一嵌設熱電偶包括一第一縱向塊，該第一縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第二區域，並且該第一縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內，其中該第一縱向塊包括在形成該加熱器板期間藉由一填劑材料黏接的二個不同縱向塊。
16. 如請求項15所述之方法，其中形成一加熱器板的步驟包括以下步驟：形成一加熱器板，該加熱器板更包含一第三區域，該第三區域包括一第三加熱構件與一第二嵌設熱電偶，該第二嵌設熱電偶用以感測該第三區域的溫度，其中該第二嵌設熱電偶包括一第二縱向塊，該第二縱向塊從該加熱器板的中心延伸到該第三區域，並且該第二縱向塊完全地被包圍在該加熱器板內。
17. 如請求項15所述之方法，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料具有足以產生一電壓訊號的席貝克係數差異，該電壓訊號係代表足以衝擊半導體處理的一加熱器板溫度變化。
18. 如請求項15所述之方法，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料具有大於一燒結製程溫度的熔點，該燒結製程溫度用以形成該加熱器板。
19. 如請求項15所述之方法，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料的熱膨脹速率約等於該加熱器板的熱膨脹速率。
20. 如請求項15所述之方法，其中該第一縱向塊包括兩個不同的縱向塊的材料，並且其中該等材料包括鎢-5%錸合金(W5Re)與鎢-26%錸合金(W26Re)。