TWI543230B - Silicon carbide film forming apparatus and film forming method - Google Patents

Silicon carbide film forming apparatus and film forming method Download PDF

Info

Publication number
TWI543230B
TWI543230B TW102109225A TW102109225A TWI543230B TW I543230 B TWI543230 B TW I543230B TW 102109225 A TW102109225 A TW 102109225A TW 102109225 A TW102109225 A TW 102109225A TW I543230 B TWI543230 B TW I543230B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
film forming
heating means
temperature
output
Prior art date
Application number
TW102109225A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201405628A (zh
Inventor
Kunihiko Suzuki
Yuusuke Sato
Hideki Ito
Hidekazu Tsuchida
Isaho Kamata
Masahiko Ito
Masami Naito
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of TW201405628A publication Critical patent/TW201405628A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI543230B publication Critical patent/TWI543230B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

碳化矽的成膜裝置及成膜方法
本發明是有關碳化矽的成膜裝置及成膜方法。
以往，像IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣閘極雙極電晶體)等的功率裝置那樣，為了製造需要膜厚較大的結晶膜之半導體元件，而活用磊晶成長技術。
被使用於磊晶成長技術的氣相成長方法是在成膜室內載置基板的狀態下將成膜室內的壓力形成常壓或減壓。然後，一邊加熱基板，一邊對成膜室內供給反應性的氣體。於是，在基板的表面，氣體會產生熱分解反應或氫還原反應而形成氣相成長膜。
為了製造膜厚大的氣相成長膜，需要均一地加熱基板，且使從外部供給的反應性氣體連續不斷地接觸於基板表面。於是，採用一邊以高速旋轉基板，一邊進行成膜處理的技術(例如參照日本特許公開公報第2009-170676號)。
採納上述技術的成膜裝置是在成膜室內具備旋轉體單元，在設於旋轉體單元的上面之環狀的保持部載置基板。 並且，在保持部的下方設有用以加熱基板的加熱器。
一旦對基板的成膜處理結束，則此基板會往成膜室的外部取出。在此，由於剛成膜處理後的成膜室內的溫度非常高溫，所以必須成膜室內被冷卻後取出基板。
從成膜室取出基板後，將其次進行成膜處理的基板搬入成膜室內。然後，使成膜室內上昇置成膜處理所必要的溫度。然而，為了使一旦降低的溫度再度上昇至原來的溫度是需要相當的時間。因此，從成膜處理結束後到進行其次的成膜處理為止的時間是成為使半導體元件的製造工程的處理能力降低的主要因素。
例如，就Si(矽)氣相成長膜的成膜而言，基板是被加熱至1200℃程度。成膜終了後，將加熱器的輸出形成關閉(OFF)，而使成膜室內降低至所定溫度後，從成膜室取出基板。其次，搬入新的基板，將加熱器的輸出形成開啟(ON)。但，由於在此階段成膜室內的溫度是相當降低，所以為了再度使上昇至1200℃需要長時間。
並且，近年來，被期待利用在高耐壓的功率半導體裝置之SiC(矽碳化物(碳化矽))的情況，成膜溫度是1500℃以上。因此，為了取出基板，而使成膜室內的溫度降低之後，由此溫度來使昇溫至成膜溫度所要的時間是比Si氣相成長膜的情況還長。因此，處理能力的降低更深 刻。
本發明是為了解決如此的問題而研發者。亦即，本發明是提供一種可將從成膜處理結束到進行其次的成膜處理為止的時間形成最小限度而使處理能力提升之碳化矽的成膜裝置。
本發明的其他目的及優點是可由以下的記載明確得知。
本發明的實施形態的碳化矽的成膜裝置係具有：成膜室，其係被供給反應氣體，而進行成膜處理；溫度測定部，其係測定成膜室的內部的溫度；複數的加熱手段，其係被配置於成膜室的內部；輸出控制部，其係獨立控制複數的加熱手段的各輸出；基板搬送部，其係對成膜室的內部搬出入進行碳化矽的成膜處理的基板；及基座，其係載置有基板，輸出控制部，係一旦對基板的成膜處理結束，則使複數的加熱手段的至少1個的輸出關閉或降低，一旦在溫度測定部所測定的溫度形成基板搬送部可在成膜室的內部動作的溫度，則使令輸出關閉或降低的加熱手段的至少1個的輸出開啟或上昇，藉由基板搬送部來從成膜室搬出成膜處理結束的基 板。
若根據本發明，則由於輸出控制部是動作成一旦對基板的成膜處理結束，則使複數的加熱手段的至少1個的輸出關閉或降低，一旦在溫度測定部所測定的溫度形成基板搬送部可在成膜室的內部動作的溫度，則使令其輸出關閉或降低的加熱手段的至少1個的輸出開啟或上昇，藉由基板搬送部來從成膜室搬出成膜處理結束的基板，因此提供一種可使成膜處理結束後到進行其次的成膜處理為止的時間形成最小限度而使處理能力提升之碳化矽的成膜裝置及成膜方法。
1‧‧‧腔室
1a‧‧‧內壁
2‧‧‧襯裡
2a‧‧‧軀幹部
2b‧‧‧頭部
3‧‧‧流路
4‧‧‧反應氣體
5‧‧‧供給部
6‧‧‧排氣部
7‧‧‧基板
8‧‧‧基座
9‧‧‧主加熱器
9a‧‧‧內加熱器
9b‧‧‧外加熱器
10‧‧‧凸緣
11‧‧‧墊片
12‧‧‧配管
13‧‧‧凸緣
14‧‧‧墊片
15‧‧‧淋浴板
15a‧‧‧貫通孔
16‧‧‧旋轉軸
17‧‧‧旋轉筒
18‧‧‧輔助加熱器
19‧‧‧加熱器支撐部
20‧‧‧攤棚杆
21‧‧‧加熱器基底
22‧‧‧連結部
23‧‧‧電極棒
24a、24b‧‧‧放射溫度計
100、101‧‧‧成膜裝置
310、312‧‧‧卡匣平台
320‧‧‧裝載鎖定腔室
330‧‧‧傳送腔室
332、350‧‧‧基板搬送自動裝置
圖1是實施形態1的成膜裝置的模式性的部分剖面圖。
圖2是實施形態1的別的例的成膜裝置的模式性的部分剖面圖。
圖3是實施形態1的另外別的例的成膜裝置的模式性的部分剖面圖。
圖4是表示圖1的成膜裝置的構成的平面圖。
圖5是表示圖2的成膜裝置的控制系的關係圖。
圖6是在實施形態1中，模式性地顯示溫度測定部的測定結果的歷時變化的圖。
圖7是表示在實施形態1中，各加熱器的輸出與時間的關係之一例。
圖8是實施形態2的成膜方法的流程圖。
圖9是實施形態2的比較例，模式性地顯示溫度測定部的測定結果的歷時變化的圖。
圖10是表示圖1的成膜裝置的感測器的配置平面圖。
圖11是表示圖10的成膜裝置的控制系的關係圖。
實施形態1.
圖1是本實施形態的成膜裝置的成膜室部分的模式性的剖面圖。另外，在此圖中，為了說明而省略必要的構成以外。例如，有關控制系是與之後利用圖5來說明之圖2的成膜裝置101實質上同樣，在圖1是未顯示。並且，有關比例尺方面，也是改變原尺寸大小成可明確辨識各構成部。
如圖1所示般，成膜裝置100是具有：作為成膜室的腔室1、及隔開腔室1的內部之中空筒狀的襯裡(liner)2、及冷卻腔室1之冷卻水的流路3、及導入反應氣體4的供給部5、及排除反應後的反應氣體4之排氣部6、及支撐基板7的基座8、及連結腔室1的上下部之凸緣10、及密封凸緣10的墊片11、及連結排氣部6與配管12的凸緣13、及密封凸緣13的墊片14。墊片11、14是可使 用耐熱溫度300℃的氟橡膠。
襯裡2是以隔開腔室1的內壁1a及對基板7上進行成膜處理的空間A之目的設置。腔室1的內壁1a是例如以不鏽鋼所構成，因此藉由設置襯裡2，可防止內壁1a因反應氣體4而被腐蝕。
由於成膜處理是在高溫下進行，因此襯裡2是藉由具備高耐熱性的材料來構成。例如可使用SiC構件或對碳塗層SiC或TaC而構成的構件。
在本實施形態中，基於方便起見，將襯裡2分開稱為軀幹部2a及頭部2b的2個部分。軀幹部2a是在內部配置有基座8的部分，頭部2b是內徑小於軀幹部2a的部分。軀幹部2a及頭部2b是成一體來構成襯裡2，頭部2b是位於軀幹部2a的上方。
在頭部2b的上部開口部是設有淋浴板15。淋浴板15是作為對基板7的表面均一地供給反應氣體4的氣體整流板用。在淋浴板15是設有複數個的貫通孔15a，從供給部5導入至腔室1的反應氣體4是通過貫通孔15a來往基板7流下。在此，反應氣體4是不徒勞無用地擴散，效率佳地到達基板7的表面為理想。為此，頭部2b的內徑是設計成比軀幹部2a小。具體而言，頭部2b的內徑是考慮貫通孔15a的位置及基板7的大小而定。
支撐基板7的基座8是環狀，被配置於軀幹部2a。例如，在使SiC磊晶成長於基板7上時，基板7是需要加熱至1500℃以上的高溫。為此，基座8是需要使用高耐熱 性的材料，具體而言，可使用在等方性石墨的表面藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法來被覆SiC或TaC者。基座8的形狀是只要可載置基板7的形狀即可，並無特別加以限定，環狀以外，亦可為圓盤狀。並且，亦可為組合環狀及圓盤狀兩個的構造。
在襯裡2的軀幹部2a是配置有旋轉軸16、及設在旋轉軸16的上端的旋轉筒17。基座8是被安裝於旋轉筒17，一旦旋轉軸16旋轉，則基座8會經由旋轉筒17來旋轉。在成膜處理時，將基板7載置於基座8上，藉此基板7會與基座8的旋轉一起旋轉。
在旋轉軸16的內部是配置有未圖示的昇降銷。昇降銷的下端是延伸至設在旋轉軸16的下部之未圖示的昇降裝置。然後，可使該昇降裝置動作來讓昇降銷上昇或下降。此昇降銷是使用在基板7往腔室1內搬入及往腔室1外搬出時。昇降銷是由下方來支撐基板7，舉起而自基座8分離。然後，動作成可使基板7配置於自基座8離開的上方的所定位置，而使能夠在與基板搬送自動裝置332之間進行基板7的交接之方式。另外，基板搬送自動裝置332是對應於本發明的基板搬送部。
另一方面，通過淋浴板15的反應氣體4是通過頭部2b來朝基板7流。藉由基板7旋轉，反應氣體4被牽引至基板7，在從淋浴板15到基板7的領域形成縱流。到達基板7的反應氣體4是不會有在基板7的表面形成亂流的情形，而是在水平方向大致成為層流流動。如此一來， 新的蝕刻氣體4會連續不斷接觸於基板7的表面。然後，在基板7的表面產生熱分解反應或氫還原反應而形成氣相成長膜。另外，在成膜裝置100是縮小從基板7的外周部到襯裡2的距離，而使基板7的表面的反應氣體4的流動能夠形成更均一。
反應氣體4之中，未被使用在氣相成長反應的氣體，或藉氣相成長反應而生成的氣體是從設在腔室1的下部的排氣部6排除。
藉由以上的構成，可一面使基板7旋轉，一面進行成膜處理。亦即，藉由使基板7旋轉，可效率佳地供給反應氣體4至基板7的表面全體，形成膜厚均一性高的氣相成長膜。又，由於新的反應氣體4會連續不斷供給，因此可謀求成膜速度的提升。
本實施形態是分別利用加熱手段之主加熱器(本發明的第1加熱器)9及輔助加熱器(本發明的第2加熱器)18來加熱基板7。該等是皆可為電阻加熱型的加熱器。主加熱器9是被配置於基板7的近旁，直接地作用在基板7的溫度。另一方面，輔助加熱器18是隔著基板7來配置於主加熱器9的上方，輔助主加熱器9，與主加熱器9共同加熱基板7。
主加熱器9是被配置於旋轉筒17的內部，由下方加熱基板7。並且，主加熱器9是具有圓盤狀的內加熱器9a、及被配置於內加熱器9a的上方之環狀的外加熱器9b。這是考量在基板7的外周部，反應氣體4的流速快， 或對被冷卻水冷卻的腔室1的壁有輻射，因此溫度容易被冷卻。藉由設置內加熱器9a及外加熱器9b，可抑制基板7的外周部的溫度降低，成為均一的溫度分布。
內加熱器9a及外加熱器9b是分別被配置成其中心會與基板7的中心相同，位於鉛直線上。如此一來，內加熱器9a是加熱基板7的全體，外加熱器9b是加熱基板7的外周部。並且，藉由將外加熱器9b配置於內加熱器9a的上方，可有效率加熱溫度容易降低的基板7的外周部，使基板7的溫度分布形成均一。另外，外加熱器9b的溫度是設定成比內加熱器9a高溫為理想。藉此，可使溫度分布形成更均一。
內加熱器9a及外加熱器9b是藉由呈臂形狀的導電性的攤棚杆(booth bar)20來支撐。攤棚杆20是藉由例如以SiC來被覆碳而成的構件所構成。並且，攤棚杆20是在與支撐內加熱器9a及外加熱器9b的側相反的側，藉由石英製的加熱器基底21來支撐。而且，藉由鉬等的金屬所構成的導電性的連結部22來連結攤棚杆20與電極棒23，藉此從電極棒23往內加熱器9a及外加熱器9b進行供電。具體而言，由電極棒23來對該等的加熱器的發熱體通電，而使發熱體昇溫。
輔助加熱器18是帶狀地包圍襯裡2的頭部2b的周圍，藉由加熱器支撐部19來支撐。輔助加熱器18與加熱器支撐部19是藉由螺絲固定等來連接。加熱器支撐部19是貫通腔室1的側壁，連接至外部電極。藉此，可經由加 熱器支撐部19來供電給輔助加熱器18。
輔助加熱器18是由上方來加熱基板7。另一方面，來自基板7的下方之加熱是由主加熱器9擔任。亦即，基板7是藉由主加熱器9及輔助加熱器18來從其兩面加熱。在此，該等的加熱器是電阻加熱型的加熱器，因此可藉由改變輸出來微調基板7的溫度。
腔室1的內部的溫度是可藉由放射溫度計24a、24b來測定。例如，在圖1中，放射溫度計24a是測定基板7的中央部附近的溫度。並且，放射溫度計24b是測定基板7的外周部的溫度。另外，藉由改變放射溫度計24a、24b的位置，亦可測定基板7以外，例如基座8的表面溫度。由於基板7是被載置於基座8上，因此可想像該等是處於幾乎相同的位置。因此，除了微妙的溫度差成為問題的成膜時以外，可將基板7的溫度及基座8的溫度視為相同。
放射溫度計24a、24b是如圖1所示般，可設在腔室1的上部。此情況，藉由將腔室1的上部及淋浴板15設為透明石英製，可使放射溫度計24a、24b的溫度測定不會因為該等而受阻。
測定後的溫度資料是被送至(後述的)加熱器輸出控制部，反餽給內加熱器9a、外加熱器9b、輔助加熱器18的各輸出控制。另外，輔助加熱器18像後述的別的例那樣，例如由第1輔助加熱器、第2輔助加熱器、第3輔助加熱器、第4輔助加熱器及第5輔助加熱器所構成時，反餽給第1輔助加熱器、第2輔助加熱器、第3輔助加熱 器、第4輔助加熱器及第5輔助加熱器的各輸出控制。
並且，在本實施形態中，可藉由複數的電阻加熱型加熱器來構成輔助加熱器。例如，可沿著鉛直方向從下方亦即接近基板7的側，朝上方，以2段或以上的段數，例如5段的段數來分割輔助加熱器。
圖2是本實施形態的別的例之成膜裝置的成膜室部分的模式性的剖面圖。另外，在此圖所示的成膜裝置101是除了加熱手段的輔助加熱器118為藉由複數的電阻加熱型加熱器所構成以外，具有與圖1所示的成膜裝置100同樣的構造。因此，針對與圖1的成膜裝置100共通的構成要素附上同一符號，省略重複的說明。而且，與圖1同樣，為了說明而省略必要的構成以外。例如，有關控制系是在後述的圖5說明，在圖2未顯示。並且，有關比例尺方面，也是改變原尺寸大小成可明確辨識各構成部。
例如，在本實施形態的別的例之成膜裝置101中，將輔助加熱器118分割成5段來構成時，本實施形態的輔助加熱器118是可具有第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的5個加熱器。該等是沿著鉛直方向從下方亦即接近基板7的側，依序配置為理想。
輔助加熱器118被5分割時的第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e是分別帶狀地包圍襯裡2的頭部2b的周圍，且藉由對應的第1加熱器支 撐部119a、第2加熱器支撐部119b、第3加熱器支撐部119c、第4加熱器支撐部119d及第5加熱器支撐部119e來支撐為理想。各加熱器與各支撐部是藉由螺絲固定等來連接，可藉由改變各支撐部間的距離來改變所對應的各加熱器間的距離。
而且，第1加熱器支撐部119a、第2加熱器支撐部119b、第3加熱器支撐部119c、第4加熱器支撐部119d及第5加熱器支撐部119e是分別貫通腔室1的側壁來連接至外部電極。藉此，可經由各支撐部來對各加熱器獨立給電。亦即，可獨立溫控各加熱器。
此時，如上述般，第1輔助加熱器118a是被配置於輔助加熱器118之中最下段，位於最接近基板7之處。第1輔助加熱器118a是由其上方來加熱基板7。另一方面，來自基板7的下方之加熱是由主加熱器9擔任。亦即，基板7是藉由主加熱器9及第1輔助加熱器118a來從其兩面加熱。在此，該等的加熱器是電阻加熱型的加熱器，因此藉由改變輸出，可微調基板7的溫度。
第2輔助加熱器118b是被配置於第1輔助加熱器118a的上段。第3輔助加熱器118c是被配置於第2輔助加熱器118b的上段。第4輔助加熱器118d是被配置於第3輔助加熱器118c的上段。第5輔助加熱器118e是被配置於第4輔助加熱器118d的上段。
如上述般，輔助加熱器118是電阻加熱型的加熱器，因此第1輔助加熱器118a是加熱頭部2b，其次，藉由被 加熱的頭部2b的熱來加熱基板7。在此，輔助加熱器118僅第1輔助加熱器118a時，被此加熱器加熱的只不過是頭部2b的一部分。因此，在頭部2b產生溫度分布，被加熱的頭部2b的熱是往溫度低，具體而言，往頭部2b的上方移動。亦即，此構成是無法將被加熱的頭部2b的熱予以效率佳地利用在基板7的加熱。
相對於此，若設為在第1輔助加熱器118a的上方設置第2輔助加熱器118b等的構成，則襯裡2的頭部2b的溫度差會被降低，可防止來自第1輔助加熱器118a的熱往上方逃竄。因此，可藉由第1輔助加熱器118a來效率佳地加熱基板7。並且，藉由消除頭部2b的溫度差，可防止在襯裡2發生破裂。另外，頭部2b的溫度分布是可藉由改變第1輔助加熱器118a~第5輔助加熱器118e的各設定溫度或該等的加熱器間的距離來調整。
並且，在本實施形態中，可藉由高頻感應加熱型的加熱器來構成加熱手段的輔助加熱器。而且，可藉由複數的高頻感應加熱型的加熱器來構成該輔助加熱器。
圖3是本實施形態的其他別的例之成膜裝置的成膜室部分的模式性的剖面圖。另外，在此圖所示的成膜裝置102中，除了加熱手段的輔助加熱器128是藉由複數的高頻感應加熱型的加熱器所構成以外，具有與圖1所示的成膜裝置100同樣的構造。因此，有關與圖1的成膜裝置100共通的構成要素是附上同一符號，省略重複的說明。而且，與圖1同樣，為了說明而省略必要的構成以外。例 如，有關控制系是與圖2的成膜裝置101同樣，與針對圖5進行的說明同樣，在圖3是未被顯示。並且，有關比例尺方面，也是改變原尺寸大小成可明確辨識各構成部。
本實施形態的其他別的例之成膜裝置102所具有的本實施形態的輔助加熱器128是具有第1輔助加熱器128a、第2輔助加熱器128b、第3輔助加熱器128c、第4輔助加熱器128d及第5輔助加熱器128e的5個加熱器。該等是沿著鉛直方向從下方亦即接近基板7的側依序配置。另外，輔助加熱器的分割數並非限於5個，例如沿著鉛直方向從下方亦即接近基板7的側，朝上方進行2分割或4分割等的分割。
第1輔助加熱器128a、第2輔助加熱器128b、第3輔助加熱器128c、第4輔助加熱器128d及第5輔助加熱器128e是分別包圍襯裡2的頭部2b的周圍來構成，且藉由對應的第1加熱器支撐部129a、第2加熱器支撐部129b、第3加熱器支撐部129c、第4加熱器支撐部129d及第5加熱器支撐部129e來支撐。各加熱器與各支撐部是藉由螺絲固定等來連接，可藉由改變各支撐部間的距離來改變所對應的各加熱器間的距離。
而且，第1加熱器支撐部129a、第2加熱器支撐部129b、第3加熱器支撐部129c、第4加熱器支撐部129d及第5加熱器支撐部129e是分別貫通腔室1的側壁，連接至外部電極。藉此，可經由各支撐部來獨立溫控各加熱器。
第1輔助加熱器128a是被配置於輔助加熱器128之中最下段，位於最接近基板7之處。第1輔助加熱器128a是由其上方來加熱基板7。同樣，第2輔助加熱器128b、第3輔助加熱器128c、第4輔助加熱器128d及第5輔助加熱器128e也是由其上方來加熱基板7。另一方面，來自基板7的下方之加熱是由主加熱器9擔任。亦即，基板7是藉由主加熱器9、第1輔助加熱器128a、第2輔助加熱器128b、第3輔助加熱器128c、第4輔助加熱器128d及第5輔助加熱器128e來從其兩面加熱。在此，該等的加熱器是可為獨立的加熱控制，可微調基板7的溫度。
亦即，如圖3所示般，第2輔助加熱器128b是被配置於第1輔助加熱器128a的上段。第3輔助加熱器128c是被配置於第2輔助加熱器128b的上段。第4輔助加熱器128d是被配置於第3輔助加熱器128c的上段。第5輔助加熱器128e是被配置於第4輔助加熱器128d的上段。
如上述般，輔助加熱器128是高頻感應加熱型的加熱器，因此依離基板7的距離，加熱效果產生差異。因此，第1輔助加熱器128a、第2輔助加熱器128b、第3輔助加熱器128c、第4輔助加熱器128d及第5輔助加熱器128e是基板7的加熱效果各不同，藉由獨立控制該等，且控制主加熱器9，可均一且高效率地加熱基板7。
其次，利用圖1及圖4來說明成膜裝置100的基板7的動作。另外，圖2的成膜裝置101及圖3的成膜裝置 102的基板7的動作也同樣。
圖4是表示成膜裝置100的構成的平面圖。如此圖所示般，成膜裝置100是除了在圖1說明的腔室1、基板搬送用自動裝置332以外，還具有卡匣平台310、312、裝載鎖定腔室320、傳送腔室330、及基板搬送自動裝置350。
在卡匣平台310是配置被裝有成膜處理前的基板7的卡匣。另一方面，在卡匣平台312是配置被裝有成膜處理後的基板7的卡匣。
基板搬送自動裝置350是從卡匣平台310取出基板7，往裝載鎖定腔室320搬送基板7。基板搬送自動裝置332是被配置在傳送腔室330。在傳送腔室330連接進行成膜處理的腔室1，往裝載鎖定腔室320搬送的基板7是藉由基板搬送自動裝置332來經由傳送腔室330往腔室1的內部搬送。腔室1之基板搬送自動裝置332的插入口是如圖1所示般，設為襯裡2的頭部2b的下方為理想。
往腔室1搬入的基板7是從基板搬送自動裝置332交接至昇降銷。然後，藉由昇降銷下降，基板7往基座8上載置。
其次，開始進行往基板7上之氣相成長膜的成膜處理。具體而言，在將腔室1的內部形成常壓或適當的減壓之狀態下，使基板7旋轉。並且，藉由主加熱器9及輔助加熱器18來加熱基板7。
基板7到達所定的溫度之後，從供給部5導入反應氣 體4。藉此，在基板7上形成氣相成長膜。
對基板7的成膜處理結束後，為了降低基板7的溫度，而使主加熱器9及輔助加熱器18的至少1個的輸出關閉(OFF)或降低。輔助加熱器18如上述別的例及其他別的例般，由複數的加熱器所構成時，使構成主加熱器9及輔助加熱器18的各加熱器的其中至少1個的輸出關閉(OFF)或降低。
一旦藉由放射溫度計24a、24b來確認基板7降低至可搬出的溫度，則前述的昇降銷會由下方來支撐基板7，舉起而自基座8分離。然後，昇降銷是動作成可使基板7配置於自基座8離開的上方的所定位置，而使能夠在與基板搬送自動裝置332之間進行基板7的交接。
被交接至基板搬送自動裝置332的基板7是從腔室1取出，經由傳送腔室330來往裝載鎖定腔室320搬送。其次，藉由基板搬送自動裝置350來裝於被配置在卡匣平台312的卡匣。
然後，從卡匣平台310取出其次進行成膜處理的基板7，藉由基板搬送自動裝置350來往裝載鎖定腔室320搬送。其次，藉由基板搬送自動裝置332來從裝載鎖定腔室320往傳送腔室330搬送基板7，更往進行成膜處理的腔室1的內部搬送。以後，與上述說明同樣進行成膜處理，然後，從腔室1取出，搬送至卡匣平台312。
為了將成膜處理結束的基板7往腔室1外搬出，腔室1內的溫度，具體而言，必須等待基板7的溫度形成所定 溫度以下。若在成膜處理溫度未被充分地冷卻的狀態下從腔室1搬出基板7，則恐有因與腔室1外部的溫度差而在基板7發生破裂之虞。並且，基板7與氣相成長膜因為熱膨脹係數不同，恐有因上述的溫度差而在氣相成長膜發生剝落或龜裂之虞。
因此，成膜處理結束後，將主加熱器9及輔助加熱器18的輸出，例如可全部形成關閉(OFF)。然後，在放射溫度計24a、24b確認基板7形成所定溫度之後，以昇降銷來舉起基板7而往基板搬送自動裝置332交接。之後，取代此基板7，將新的基板7往腔室1內搬送，朝基座8上載置。
一旦全部的加熱器的輸出形成關閉(OFF)，則腔室1內的溫度下降。此傾向是從腔室1取出基板7之也繼續，因此新的基板7被載置於基座8上的時候，形成比可搬出基板7的所定溫度還相當低。亦即，腔室1內的溫度與成膜處理所必要的溫度的差大。在此狀態下，一旦開啟全部的加熱器的輸出，則雖腔室1內的溫度轉至上昇，但新的基板7的溫度到達成膜溫度需要長時間。
為了搬出入基板7，只要腔室1內的溫度為所定溫度以下即可。於是，本發明者思考將腔室1內從所定溫度再降低的情形壓到最小限度，藉此可縮短其次進行成膜處理的基板7到達成膜溫度的時間。
本發明的成膜裝置是具有獨立控制複數的加熱器的各輸出之輸出控制部，此輸出控制部是一旦對基板的成膜處 理結束，則使主加熱器及輔助加熱器等的複數的加熱器的至少1個的輸出關閉(OFF)或降低。例如，可使複數的加熱器的全部的輸出關閉。然後，一旦基板搬送部在成膜室內形成可動作的溫度，則使先前令輸出關閉或降低的加熱器內的至少1個的加熱器的輸出開啟(ON)或上昇，一旦藉由基板搬送部來從搬送室搬出成膜處理結束的基板，別的基板被搬入至搬送室，則動作成使先前令輸出關閉或降低的加熱器之中剩下的加熱器的輸出開啟或上昇。
更具體而言，圖2及圖3所示之本實施形態的成膜裝置101、102是輔助加熱器118、128分別由複數的加熱器所構成。
該情況，藉由被配置於基座8的上方，配列於鉛直方向的複數的加熱器(第1輔助加熱器118a、128a、第2輔助加熱器118b、128b、第3輔助加熱器118c、128c、第4輔助加熱器118d、128d、第5輔助加熱器118e、128e)所構成的輔助加熱器118、128中，可使構成的各加熱器之中至少1個的加熱器的輸出關閉或降低。
並且，可使主加熱器9的輸出關閉或降低。而且，主加熱器9為由複數的加熱器(9a、9b)所構成時，可使各加熱器(9a、9b)之中至少1個的輸出關閉或降低。
而且，在使構成輔助加熱器118、128的加熱器之中至少1個的加熱器的輸出關閉或降低時，使處於最接近基板7的位置的加熱器，亦即圖2的第1輔助加熱器118a及圖3的第1輔助加熱器128a的輸出關閉或降低為理 想。如此一來，使腔室1內的基板7及基座8附近的溫度有效地降低的控制成為可能。
以下，更詳細說明有關具備如此特徵的本實施形態的成膜裝置。其說明是利用圖2所示的本實施形態的例子之成膜裝置101為例進行。
本實施形態是使主加熱器9及輔助加熱器118等的複數的加熱器的至少1個的輸出關閉或降低之後，按照腔室1內的溫度，具體而言是基板7或基座8的溫度，來改變將各加熱器的輸出形成開啟(ON)的時機及輸出的大小。藉此，可將腔室1內的溫度從上述所定溫度再降低的情形壓到最小限度。
圖5是表示成膜裝置101的控制系的關係圖。如此圖所示般，基板搬送自動裝置332是藉由基板搬送自動裝置控制部401來控制其動作。並且，內加熱器9a、外加熱器9b、第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出是分別藉由輸出控制部402、403、404、405、406、407、408來控制。然後，該等的控制部是根據來自溫度測定部400的資訊，分別控制基板搬送自動裝置332的動作或各加熱器的輸出。
如圖5所示般，溫度測定部400是測定腔室1內的溫度。此溫度具體而言是可為基座8的溫度。並且，溫度測定部400是可為圖2所說明的放射溫度計24a及24b的至少一方。
圖6是模式性地顯示溫度測定部400之測定結果的歷時變化。
在圖6中，溫度Tep是成膜溫度。對基板7之成膜處理的終了時間t1是例如可依反應氣體4的供給時間來決定。本實施形態是例如在時間t1，將內加熱器9a、外加熱器9b、第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出形成關閉(OFF)。藉此，藉由放射溫度計Tep所測定的溫度是趨向降低途徑。
在圖6中，溫度T1是基板搬送自動裝置332可動作的溫度的上限，溫度T2是可從腔室1搬出基板7的溫度的上限。
因此，可在溫度測定部400之測定溫度到達T1的時間點(時間t2)，往腔室1的內部導入基板搬送自動裝置332。亦即，在圖5中，一旦溫度測定部400的溫度形成T1，則會往基板搬送自動裝置控制部401傳送訊號。基板搬送自動裝置控制部401是控制成基板搬送自動裝置332會被導入至腔室1的內部。然後，在測定溫度到達T2的時間點(時間t3)，以昇降銷舉起基板7，而自基座8分離。其次，就這樣使昇降銷上昇，將基板7交接至基板搬送自動裝置332。
本實施形態是在時間t2，將第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出形成開啟。亦即，在圖5中，一旦溫 度控制部400的溫度形成T1，則往輸出控制部405、406、407、408傳送訊號。輸出控制部405是控制成第2輔助加熱器118b的輸出會成為開啟。輸出控制部406是控制成第3輔助加熱器118c的輸出會成為開啟。輸出控制部407是控制成第4輔助加熱器118d的輸出會成為開啟。輸出控制部408是空成成第5輔助加熱器118e的輸出會成為開啟。
由於第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e是處於離開基板7的位置，因此即使在時間t2將輸出形成開啟，基板7的溫度還是持續下降。並且，也離開基板搬送用自動裝置332導入的位置，因此即使在時間t2將基板搬送自動裝置332導入至腔室1的內部，也不會有此自動裝置暴露於耐熱溫度以上的溫度之虞。另一方面，第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的附近的頭部2b是使發熱，因此至少腔室1的一部分的溫度降低可被抑制。
本實施形態是將第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出形成開啟之後，按每個加熱器階段性地改變該等的加熱器的輸出為理想。並且，此時，從位於接近基板7的加熱器低的輸出開始提升為理想。
圖7是表示各加熱器的輸出與時間的關係之一例。在此圖中，E1是第3輔助加熱器118c的輸出變化，E2是第 2輔助加熱器118b的輸出變化。並且，E3是第1輔助加熱器118a、內加熱器9a及外加熱器9b的輸出變化。
另外，此情況，第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出是可與第3輔助加熱器118c的輸出同樣，其輸出變化可設為E1。因此，可只用第3輔助加熱器118c來進行說明，該情況，有關成為同樣的輸出變化(E1)之第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出的說明是省略。
如圖7所示般，本實施形態是在時間t2，將第2輔助加熱器118b及第3輔助加熱器118c的輸出形成開啟(ON)。另一方面，第1輔助加熱器118a、內加熱器9a及外加熱器9b的各輸出是維持關閉(OFF)不動。
並且，將在時間t2的第3輔助加熱器118c的輸出形成比第2輔助加熱器118b的輸出大。為了抑制腔室1的溫度降低，儘可能擴大該等的加熱器的輸出為理想。然而，一旦輸出過大，則恐有妨礙基板7的溫度降低之虞。於是，將處於離開基板7的位置之第3輔助加熱器118c的輸出例如設為最大輸出的70%，將第2輔助加熱器118b的輸出例如設為最大輸出的30%。藉此，可不妨礙基板7的溫度降低，來抑制腔室1的溫度降低。
在圖6的時間t3，一旦溫度測定部400的測定溫度到達T2，則成膜處理後的基板7會往腔室1的外部搬出。本實施形態是在時間t3之後的時間t4，將第2輔助加熱器118b的輸出例如提升至最大輸出的50%。於是，腔室 1內的溫度全體轉至上昇，因此如圖6所示般，溫度測定部400的測定溫度是形成上昇。另外，時間t4是亦可為基板7的搬出作業中的時間，或其次進行成膜處理的基板7的搬入作業中的時間。
至新進行成膜處理的基板7被載置於基座8上，基板搬送自動裝置332從腔室1退出為止，必須將腔室1內的溫度維持在T1以下。因此，至此是將第1輔助加熱器118a、內加熱器9a及外加熱器9b的輸出設為關閉，調整第3輔助加熱器118c及第2輔助加熱器118b的輸出，而使溫度測定部400的測定結果成為T1以下。
新搬入的基板7被載置於基座8上，基板搬送自動裝置332從腔室1退出之後，將第2輔助加熱器118b及第3輔助加熱器118c形成最大輸出(100%)。並且，將第1輔助加熱器118a、內加熱器9a及外加熱器9b的輸出形成開啟。在此，因為基板7儘可能快達到成膜溫度Tep為理想，所以該等的輸出的大小是從最初設為最大輸出(100%)。
將全部的加熱器的輸出形成100%的時機(時間t5)是可依溫度測定部400的測定結果而定。例如，基板7被載置於基座8上，基板搬送自動裝置332從腔室1退出之後，只要延緩溫度測定部400的測定溫度到達T1，便可在溫度測定部400的測定結果形成T1之處，將各加熱器的輸出形成100%。具體而言，可如其次般進行。
如上述般，一旦在時間t4提升第2輔助加熱器118b 的輸出，則腔室1內的溫度上昇。此時，調整第2輔助加熱器118b及第3輔助加熱器118c的輸出，而使下記式(1)的關係成立、t’≧t” (1)
在式(1)中，t’是溫度測定部400的測定溫度形成T1為止的時間(t5)。又，t”是基板7被載置於基座8上，基板搬送自動裝置332從腔室1退出所要的時間。
由使成膜裝置的處理能力提升的點來看，t’與t”的差是儘可能小為理想。在此，t’是可藉由調整第2輔助加熱器118b及第3輔助加熱器118c的各輸出來改變。例如，若在時間t4之後更細地提升第2輔助加熱器18b的輸出，或第3輔助加熱器118c的輸出也階段性地提升，則可縮短、t’。因此，與t”的差大時，可藉此方法來接近t”。
當式(1)的關係成立時，一旦溫度測定部400的溫度形成T1，則往輸出控制部402~406傳送訊號。輸出控制部402是將內加熱器9a的輸出形成開啟，且如圖7的E3所示般，使其大小成為最大輸出(100%)。同樣，輸出控制部403是將外加熱器9b形成開啟，輸出控制部404是將第1輔助加熱器18a的輸出形成開啟，且使各輸出成為最大(100%)。並且，輸出控制部405是如圖7的E2所示般，控制成第2輔助加熱器118b成為最大輸出(100%)。而且，輸出控制部406是如圖7的E1所示般，控制成第3輔助加熱器118c成為最大輸出(100%)。
藉由將全部的加熱器的輸出設為最大輸出(100%)，可使腔室1內的溫度急速地上昇。亦即，如圖6所示般，到達溫度T1的時間t5以後的溫度的上昇率是比以前大。而且，一旦到達成膜溫度Tep，則從圖2的供給部5導入反應氣體4，而於基板7上形成氣相成長膜。
如此，若根據本實施形態的成膜裝置101，則可按照腔室1內的溫度來改變將各加熱器的輸出形成開啟的時機及輸出的大小。藉此，可抑制腔室1內的溫度從可自腔室1搬出基板7的溫度的上限(T2)大幅度降低。因此，可使成膜處理結束之後到進行其次的成膜處理為止的時間形成最小限度來使處理能力提升。例如，將T1設為1000℃，將T2設為900℃，藉由溫控，可顯著縮短成膜溫度1600℃的成膜處理結束之後到進行其次的成膜處理的時間，可使處理能力提升。
另外，在本實施形態中，構成輔助加熱器118的加熱器的數量是可適當變更。例如，輔助主加熱器9的加熱器是亦可為2個以上。並且，對應於第2輔助加熱器118b~第5輔助加熱器118e的加熱器是亦可為更多。輔助加熱器的數量是無論如何皆可經由予以支撐的支撐部來分別獨立溫控各加熱器。藉由增加加熱器的數量，可更微妙地調整腔室1內的溫度，因此容易抑制溫度必要以上降低。
並且，在本實施形態的上述各例中，輔助加熱器是由電阻加熱型加熱器或高頻感應加熱型的加熱器所構成，但本實施形態的輔助加熱器是亦可組合電阻加熱型加熱器及 高頻感應加熱型的加熱器來構成。並且，新搬入的基板被載置於基座上，基板搬送自動裝置從腔室退出之後將輔助加熱器形成最大輸出，但亦可在接到顯示基板搬送自動裝置退出的訊號之後，進行提升加熱器的輸出之控制。此訊號是例如圖10及圖11所示般，藉由設置顯示基板搬送自動裝置退出的位置感測器或顯示位於傳送腔室與進行成膜處理的腔室之間的門關閉的感測器340來成為可能。藉此，可安全地進行處理能力的提升。
實施形態2.
本實施形態的成膜方法的特徵是對成膜室的內部供給反應氣體，一邊以複數的加熱器來加熱基板，一邊在此基板上形成所定的膜之後，將複數的加熱器的全部的輸出形成關閉，一旦成膜室的內部的溫度形成T1以下，則將複數的加熱器的內的一部分的加熱器的輸出形成開啟，且將基板搬送部導入至成膜室的內部，一旦成膜室的內部的溫度形成T2(T1>T2)以下，則藉由基板搬送部來將基板往成膜室的外部搬出，接著，藉由基板搬送部來將別的基板搬送至成膜室的內部之後，將剩下的加熱器的輸出形成開啟。
圖8是本實施形態的成膜方法的流程圖。此成膜方法是利用在實施形態1說明的成膜裝置101來實施。以下是參照圖2及圖4~圖8，敘述有關本實施形態之Si或SiC氣相成長膜的成膜方法。另外，本實施形態的成膜方法是 亦可適用在其他的氣相成長膜。
基板7是例如可使用SiC晶圓或Si晶圓。或，亦可使用SiO2(石英)晶圓等的其他絕緣性基板或GaAs(鎵砷)晶圓等的高電阻的半絕緣性基板等。
首先，將基板搬入腔室1內，載置於基座8上。
其次，在將腔室1的內部形成常壓或適當的減壓之狀態下，使基板7旋轉。載置有基板7的基座8是被配置於旋轉筒17的上端。因此，一旦經由旋轉軸16來使旋轉筒17旋轉，則基座8會旋轉，同時基板7也旋轉。旋轉數是例如可設為50rpm程度。
本實施形態是藉由主加熱器9及輔助加熱器118來加熱基板7。就Si氣相成長反應而言，在Si氣相成長是需要將基板7加熱至1000℃以上，在SiC氣相成長是需要將基板7加熱至1500℃以上。加熱器的各設定溫度是外加熱器9b高於內加熱器9a，且依第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d、第5輔助加熱器118e的順序變低為理想。
並且，在基板7的加熱時，藉由在設於腔室1的壁之流路3流動冷卻水，可防止腔室1過度昇溫。
在基板7到達所定的溫度之後，慢慢地提高基板7的旋轉數。例如可提高至900rpm程度的旋轉數。並且，由供給部5來導入反應氣體4。
反應氣體4是在將Si成膜時可使用三氯矽烷，在將SiC成膜時可使用甲矽烷、二氯甲矽烷、三氯矽烷、四氯 化矽等作為Si源，使用丙烷、乙烯等作為C源，使用HCl等作為添加氣體，在混合作為載流氣體的氫氣體或氬氣體的狀態下從供給部5導入。
反應氣體4是通過淋浴板15的貫通孔15a，朝對基板7進行成膜處理的空間A流入。藉由通過淋浴板15，反應氣體4會被整流，朝在下方旋轉的基板7大略鉛直地流下，而形成所謂的縱流。
到達基板7的表面之反應氣體4是在此表面產生熱分解反應或氫還原反應，而形成Si氣相成長膜或SiC氣相成長膜。未被使用在氣相成長反應的反應氣體4或藉由氣相成長反應而生成的氣體是經由設在腔室1的下方之排氣部6來排至外部。
如上述般可在基板7上形成Si氣相成長膜或SiC氣相成長膜。對基板7的成膜處理結束後，對新的基板7之成膜處理會被進行，其間的處理是按照圖8的流程圖來進行。
首先，如圖8的S1所示般，使全部的加熱器，亦即內加熱器9a、外加熱器9b、第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e形成關閉。
其次，測定腔室1內的溫度T(S2)。在此，溫度T是可為基座8的溫度。並且，測定是利用放射溫度計24a及24b的至少一方來進行。
在S3中，判定腔室1內的溫度T是否為基板搬送自 動裝置332可動作的溫度的上限T1以下。T>T1時，回到S2繼續測定。另一方面，若T≦T1，則前進至S4，將基板搬送自動裝置332導入至腔室1內。
基板搬送自動裝置332的控制是如圖5所示般，藉由基板搬送自動裝置控制部401來進行。在此，圖5的溫度測定部400是不僅進行放射溫度計24a、24b的溫度測定，亦具備進行圖8所示的各種判定(S3、S6、S13)。若在溫度測定部400被判定成T≦T1，則其意旨的訊號會被送至基板搬送自動裝置控制部401。於是，基板搬送自動裝置控制部401控制基板搬送自動裝置332而導入至腔室1內。
接著，在S5，與S2同樣測定腔室1內的溫度T。其次，在S6中，判定腔室1內的溫度T是否為可從腔室1搬出基板7的溫度的上限T2以下。T>T2時，回到S5繼續測定。另一方面，若為T≦T2，則前進至S7，從腔室1搬出基板7，且將第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的各輸出形成開啟(ON)。此動作是經由圖5所示的輸出控制部405、406、407、408來進行。亦即，若在溫度測定部400判定為T≦T2，則其意旨的訊號會被送往輸出控制部405、406、407、408。於是，該等分別將第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出形成開啟(ON)。並且，輸出控制部405、406、407、408是可將對應的加熱器的 輸出值控制成圖7的圖表。例如，輸出控制部406、407、408是可分別將對應的第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d及第5輔助加熱器118e的輸出值控制成圖7的圖表的E1所示般。
基板7之來自腔室1的搬出是與在實施形態1所述同樣。亦即，藉由未圖示的昇降銷來從下方支撐基板7，舉起而自基座8分離。就這樣使昇降銷上昇之後，將基板7交接至基板搬送自動裝置332。
被交接至基板搬送自動裝置332的基板7是自腔室1取出，經由圖4的傳送腔室330來往裝載鎖定腔室320搬送。其次，藉由基板搬送自動裝置350來裝於被配置在卡匣平台312的卡匣。
然後，從卡匣平台310取出其次進行成膜處理的基板7，藉由基板搬送自動裝置350來往裝載鎖定腔室320搬送。其次，藉由基板搬送自動裝置332來從裝載鎖定腔室320往傳送腔室330搬送基板7，再往進行成膜處理的腔室1的內部搬入(S8)。
在本實施形態是階段性地提升第2輔助加熱器118b~第5輔助加熱器118e的輸出為理想。而且，此情況，第2輔助加熱器118b的輸出是從比第3輔助加熱器118c的輸出低的值提升為理想。第3輔助加熱器118c的輸出是從比第4輔助加熱器118d的輸出低的值提升為理想。第4輔助加熱器118d的輸出是從比第5輔助加熱器118e的輸出低的值提升為理想。
本實施形態是在其次進行成膜處理的基板7開始往腔室1搬送之後，如圖6所示般，提升第2輔助加熱器118b的輸出(S9)。藉此，可使腔室1內的溫度變化轉成上昇。
其次，在基座8上載置基板7，使基板搬送自動裝置332從腔室1退出(S10)。然後，在S11中，將第2輔助加熱器118b~第5輔助加熱器118e形成最大輸出(100%)。並且，將第1輔助加熱器118a、內加熱器9a及外加熱器9b的輸出形成開啟(ON)。該等的輸出的大小是自最初設為最大輸出(100%)。
在S12中，與S2或S5同樣測定腔室1內的溫度T，在S13，判定溫度T是否為成膜溫度Tep以上。T<Tep時，回到S12繼續測定。另一方面，T≧Tep時，前進至S14，在腔室1內導入反應氣體4。藉此，在基板7上形成Si氣相成長膜。
若根據本實施形態，則可按照腔室1內的溫度來改變將各加熱器的輸出形成開啟的時機及輸出的大小，因此可抑制腔室1內的溫度從可自腔室1搬出基板7的溫度的上限(T2)大幅度降低。因此，可使成膜處理結束之後到進行其次的成膜處理為止的時間形成最小限度來使處理能力提升。
另外，圖8是在S2、S5及S12測定腔室1內的溫度，但在本實施形態中是亦可與S1~S14的各工程並行經常進行溫度測定，在S3、S6及S13進行根據各測定結果 的判定。
圖9是本實施形態的比較例，模式性地顯示溫度測定部400之測定結果的歷時變化。在圖9中，溫度Tep是成膜溫度，溫度T2是可從腔室1搬出基板7的溫度上限。並且，時間t1’是成膜處理的終了時間，時間t3’是到達溫度T2的時間。
圖9的例子是在時間t1’將全部的加熱器，亦即內加熱器9a、外加熱器9b、第1輔助加熱器118a、第2輔助加熱器118b、第3輔助加熱器118c、第4輔助加熱器118d、第5輔助加熱器118e的輸出形成關閉。然後，一旦腔室1內的溫度降低至T2，則從腔室1搬出成膜處理後的基板7，取而代之，將其次進行成膜處理的基板7往腔室1內搬入。其次，在基座8的上載置基板7，使基板搬送自動裝置332往腔室1外退出之後，在時間t5’將全部的加熱器的輸出形成開啟。此時的輸出的大小是設為最大(100%)。在時間t6’，一旦腔室1內的溫度到達成膜溫度Tep，則在腔室1內導入反應氣體4，而於基板7上形成氣相成長膜。
如上述般，若使開啟輸出的時機在全部的加熱器設為相同，則至時間t5’，溫度是趨向降下途徑。因此，時間t5’之腔室1內的溫度是從溫度T2大幅度降低，為了要予以提升至成膜溫度Tep需要長時間。
另一方面，像本實施形態那樣，依加熱器改變開啟輸出的時機，以比圖9的例子還快的時間來將一部分的加熱 器的輸出形成開啟，藉此可比圖9的例子更能抑制腔室1內的溫度降低。而且，只要配合基板7的搬出入的狀況來改變加熱器的輸出值，便可更抑制上述的溫度降低。亦即，若根據本實施形態，則可比圖9的例子還能縮短成膜處理結束後至進行其次的成膜處理為止的時間來謀求處理能力的提升。
本發明的特徵及優點是彙整成如其次般。
若根據本發明，則輸出控制部是若對基板的成膜處理結束則使複數的加熱手段之中至少1個的輸出關閉或降低，一旦在溫度測定部所被測定的溫度形成基板搬送部可在成膜室的內部動作的溫度，則使令其輸出關閉或降低的加熱手段的至少1個的輸出開啟或上昇，藉由基板搬送部，以成膜處理結束的基板能夠從成膜室搬出的方式動作，因此提供一種可使成膜處理結束後到進行其次的成膜處理為止的時間形成最小限度而使處理能力提升之碳化矽的成膜裝置。
本發明並非限於上述各實施形態，亦可在不脫離本發明的要旨的範圍實施各種變形。例如，在上述各實施形態是敘述有關一邊使基板旋轉一邊在基板上形成膜的例子，但本發明亦可在不使基板旋轉的狀態下形成膜。
並且，在上述各實施形態是舉氣相成長裝置作為成膜裝置的一例，但本發明並非限於此。亦可為其他的成膜裝置，只要是對成膜室內供給反應氣體，將被載置於成膜室內的基板加熱而於基板的表面形成膜，且搬出入該基板者 即可。
而且，裝置的構成或控制的手法等是有關對於本發明不直接需要的部分等省略記載，但可適當選用必要的裝置的構成或控制的手法等。
其他，具備本發明的要素，該當業者所適當設計變更而取得的所有成膜裝置及各構件的形狀為本發明的範圍所包含。
1‧‧‧腔室
1a‧‧‧內壁
2‧‧‧襯裡
2a‧‧‧軀幹部
2b‧‧‧頭部
3‧‧‧流路
4‧‧‧反應氣體
5‧‧‧供給部
6‧‧‧排氣部
7‧‧‧基板
8‧‧‧基座
9‧‧‧主加熱器
9a‧‧‧內加熱器
9b‧‧‧外加熱器
10‧‧‧凸緣
11‧‧‧墊片
12‧‧‧配管
13‧‧‧凸緣
14‧‧‧墊片
15‧‧‧淋浴板
15a‧‧‧貫通孔
16‧‧‧旋轉軸
17‧‧‧旋轉筒
20‧‧‧攤棚杆
21‧‧‧加熱器基底
22‧‧‧連結部
23‧‧‧電極棒
24a、24b‧‧‧放射溫度計
101‧‧‧成膜裝置
118‧‧‧輔助加熱器
118a‧‧‧第1輔助加熱器
118b‧‧‧第2輔助加熱器
118c‧‧‧第3輔助加熱器
118d‧‧‧第4輔助加熱器
118e‧‧‧第5輔助加熱器
119a‧‧‧第1加熱器支撐部
119b‧‧‧第2加熱器支撐部
119c‧‧‧第3加熱器支撐部
119d‧‧‧第4加熱器支撐部
119e‧‧‧第5加熱器支撐部
332‧‧‧基板搬送自動裝置

Claims (15)

  1. 一種碳化矽的成膜裝置，其特徵係具有：成膜室，其係被供給反應氣體，而進行成膜處理；溫度測定部，其係測定前述成膜室的內部的溫度；複數的加熱手段，其係被配置於前述成膜室的內部；輸出控制部，其係獨立控制前述複數的加熱手段的各輸出；基板搬送部，其係對前述成膜室的內部搬出入進行碳化矽的成膜處理的基板；及基座，其係載置有前述基板，前述輸出控制部，係一旦對前述基板的成膜處理結束，則使前述複數的加熱手段的至少1個的輸出關閉或降低，一旦在前述溫度測定部所測定的溫度形成前述基板搬送部可在前述成膜室的內部動作的第1溫度，則使前述令輸出關閉或降低的加熱手段的至少1個的輸出開啟或上昇，一旦在前述溫度測定部所被測定的溫度形成比前述第1溫度低的第2溫度以下，則藉由前述基板搬送部來使前述成膜處理結束的基板從前述成膜室搬出，然後，藉由前述基板搬送部來將別的基板搬送至前述成膜室的內部，且使剩下的前述加熱手段的輸出開啟或上昇。
  2. 如申請專利範圍第1項之碳化矽的成膜裝置，其中，前述複數的加熱手段係具有： 第1加熱手段，其係被配置於前述基座的下方；第2加熱手段，其係被配置於前述基座的上方，前述輸出控制部，係一旦對前述基板的成膜處理結束，則使前述第1加熱手段的輸出關閉或使輸出降低。
  3. 如申請專利範圍第1項之碳化矽的成膜裝置，其中，前述複數的加熱手段係具有：第1加熱手段，其係被配置於前述基座的下方；第2加熱手段，其係被配置於前述基座的上方，藉由配列於鉛直方向的複數的加熱手段所構成，前述輸出控制部，係一旦對前述基板的成膜處理結束，則使至少1個的該第2加熱手段的輸出關閉或降低。
  4. 如申請專利範圍第3項之碳化矽的成膜裝置，其中，前述輸出控制部，係一旦對前述基板的成膜處理結束，則使構成前述第2加熱手段的加熱手段之中，處於最接近前述基板的位置的加熱手段的輸出關閉或降低。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之碳化矽的成膜裝置，其中，一旦在前述溫度測定部所測定的溫度形成前述基板搬送部可在前述成膜室的內部動作的溫度，則使構成前述第2加熱手段的加熱手段之中，處於離前述基板最遠的位置的加熱手段的輸出開啟或上昇，藉由前述基板搬送部來從前述成膜室搬出前述成膜處理結束的基板。
  6. 如申請專利範圍第1項之碳化矽的成膜裝置，其中，具有感測器，其係感測前述成膜處理結束的基板從前 述成膜室搬出的情形，前述輸出控制部係構成接受來自前述感測器的訊號，獨立控制前述複數的加熱手段的各輸出。
  7. 如申請專利範圍第1項之碳化矽的成膜裝置，其中，前述反應氣體係含有：由甲矽烷、二氯甲矽烷、三氯矽烷及四氯化矽所構成的群來選擇的1種以上、及由丙烷及乙烯所構成的群來選擇的1種以上。
  8. 一種碳化矽的成膜方法，其特徵為：對成膜室的內部供給反應氣體，一邊以複數的加熱手段來加熱基板，一邊在該基板上形成碳化矽的膜之後，使前述複數的加熱手段之中至少1個的輸出關閉或降低，一旦前述成膜室的內部的溫度形成第1溫度以下，則使前述令輸出關閉或降低的加熱手段的至少1個的輸出開啟或上昇，且將基板搬送部導入至前述成膜室的內部，一旦前述成膜室的內部的溫度形成比前述第1溫度低的第2溫度以下，則藉由前述基板搬送部來將前述基板往前述成膜室的外部搬出，接著，藉由前述基板搬送部來將別的基板搬送至前述成膜室的內部之後，將剩下的前述加熱手段的輸出開啟或上昇。
  9. 如申請專利範圍第8項之碳化矽的成膜方法，其中，前述複數的加熱手段係具有：第1加熱手段，其係被配置於前述載置有基板的基座的下方；及第2加熱手段，其係被配置於前述基座的上方， 一旦對前述基板的成膜處理結束，則使前述第1加熱手段的輸出關閉或輸出降低。
  10. 如申請專利範圍第8項之碳化矽的成膜方法，其中，前述複數的加熱手段係具有：第1加熱手段，其係被配置於前述載置有基板的基座的下方；及第2加熱手段，其係被配置於前述基座的上方，藉由配列於鉛直方向的複數的加熱手段所構成，一旦對前述基板的成膜處理結束，則使至少1個的該第2加熱手段的輸出關閉或降低。
  11. 如申請專利範圍第10項之碳化矽的成膜方法，其中，一旦對前述基板的成膜處理結束，則使構成前述第2加熱手段的加熱手段之中，處於最接近前述基板的位置的加熱手段的輸出關閉或降低。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之碳化矽的成膜方法，其中，一旦前述成膜室的內部的溫度形成前述第2溫度以下，則使構成前述第2加熱手段的加熱手段之中，處於離前述基板最遠的位置的加熱手段的輸出開啟或上昇，藉由前述基板搬送部來從前述成膜室搬出前述成膜處理結束的基板。
  13. 如申請專利範圍第8項之碳化矽的成膜方法，其中，在前述基板上形成碳化矽的膜之後，使複數的加熱手段的全部的輸出關閉或降低。
  14. 如申請專利範圍第8項之碳化矽的成膜方法，其 中，使用感測往前述成膜室之前述基板的搬入及搬出的感測器，接受來自前述感測器的訊號，將前述剩下的加熱手段的輸出形成開啟或上昇。
  15. 如申請專利範圍第8項之碳化矽的成膜方法，其中，前述反應氣體係含有：由甲矽烷、二氯甲矽烷、三氯矽烷及四氯化矽所構成的群來選擇的1種以上、及由丙烷及乙烯所構成的群來選擇的1種以上。
TW102109225A 2012-03-22 2013-03-15 Silicon carbide film forming apparatus and film forming method TWI543230B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012066300 2012-03-22
JP2013042248A JP6091932B2 (ja) 2012-03-22 2013-03-04 炭化珪素の成膜装置および炭化珪素の成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201405628A TW201405628A (zh) 2014-02-01
TWI543230B true TWI543230B (zh) 2016-07-21

Family

ID=49189795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102109225A TWI543230B (zh) 2012-03-22 2013-03-15 Silicon carbide film forming apparatus and film forming method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130247816A1 (zh)
JP (1) JP6091932B2 (zh)
KR (1) KR101449982B1 (zh)
CN (1) CN103320762B (zh)
TW (1) TWI543230B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5698043B2 (ja) * 2010-08-04 2015-04-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置
JP5732284B2 (ja) * 2010-08-27 2015-06-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP6026333B2 (ja) * 2013-03-25 2016-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP6158025B2 (ja) * 2013-10-02 2017-07-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置及び成膜方法
KR101585924B1 (ko) * 2014-02-04 2016-01-18 국방과학연구소 탄화규소 써멀 화학기상증착장치의 가스반응로
JP6247566B2 (ja) * 2014-02-28 2017-12-13 東洋炭素株式会社 加熱処理容器、加熱処理容器集合体、及び、半導体素子製造装置
JP6478872B2 (ja) 2015-08-21 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2019007048A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 トヨタ自動車株式会社 成膜装置
JP6792083B2 (ja) 2017-09-01 2020-11-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置、及び、気相成長方法
JP6878212B2 (ja) * 2017-09-07 2021-05-26 昭和電工株式会社 サセプタ、ｃｖｄ装置及びエピタキシャルウェハの製造方法
CN214848503U (zh) * 2018-08-29 2021-11-23 应用材料公司 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构
KR20220129598A (ko) * 2020-01-22 2022-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 층 두께 및 도펀트 농도의 인-라인 모니터링

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4874464A (en) * 1988-03-14 1989-10-17 Epsilon Limited Partnership Process for epitaxial deposition of silicon
JP3406069B2 (ja) * 1994-06-30 2003-05-12 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JPH11238674A (ja) * 1998-02-23 1999-08-31 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US6610968B1 (en) * 2000-09-27 2003-08-26 Axcelis Technologies System and method for controlling movement of a workpiece in a thermal processing system
WO2006095752A1 (ja) * 2005-03-08 2006-09-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP4464979B2 (ja) * 2007-03-05 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 処理システム、処理方法、及び、プログラム
JP2009135230A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Nuflare Technology Inc 気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法
JP5197030B2 (ja) * 2008-01-16 2013-05-15 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
JP5217663B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法
JP5275935B2 (ja) * 2009-07-15 2013-08-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5481224B2 (ja) * 2010-02-19 2014-04-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103320762B (zh) 2015-09-30
KR20130108136A (ko) 2013-10-02
TW201405628A (zh) 2014-02-01
JP2013225665A (ja) 2013-10-31
JP6091932B2 (ja) 2017-03-08
KR101449982B1 (ko) 2014-10-13
CN103320762A (zh) 2013-09-25
US20130247816A1 (en) 2013-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI543230B (zh) Silicon carbide film forming apparatus and film forming method
US8658951B2 (en) Heat treatment apparatus
TWI437655B (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置的溫度控制方法及基板處理裝置的加熱方法
JP5732284B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
CN107924826B (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质
JP6944990B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR101610637B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
US10584417B2 (en) Film forming apparatus, susceptor, and film forming method
TW201921567A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6944993B2 (ja) 発熱体、基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20130108792A1 (en) Loading and unloading system for thin film formation and method thereof
US20150299898A1 (en) Susceptor processing method and susceptor processing plate
US11553565B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and non-transitory computer-readable recording medium
US20140174364A1 (en) Heat treatment device
KR101056363B1 (ko) 반도체 기판의 열처리 장치 및 그 방법
JPWO2018150537A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6561148B2 (ja) 基板処理装置、継手部および半導体装置の製造方法
TW202338987A (zh) 基板處理方法，半導體裝置的製造方法，程式及基板處理裝置
JP6949080B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2022182381A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム
JP2022121015A (ja) 基板処理方法、基板処理装置
JPH11100675A (ja) 気相成長方法
JP2013201288A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法