CN103320762B - 碳化硅的成膜装置及成膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

Description

碳化硅的成膜装置及成膜方法

技术领域

本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。

背景技术

以往，在如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等功率器件那样的需要膜厚比较大的结晶膜的半导体元件的制造中，应用了外延生长技术。

在外延生长技术所使用的气相生长方法中，在将基板载放到成膜室内的状态下，使成膜室内的压力为常压或减压。然后，在对基板进行加热的同时，向成膜室内供给反应性气体。于是，在基板的表面上气体产生热解反应或氢还原反应而形成气相生长膜。

为了制造膜厚较大的气相生长膜，需要将基板均匀地加热并且使从外部供给的反应性气体与基板表面不断接触。所以，采用了在使基板高速旋转的同时进行成膜处理的技术(例如参照日本专利公开公报第2009-170676号)。

采用了上述技术的成膜装置为，在成膜室内具备旋转体单元，在旋转体单元的上面所设置的环状的保持部上载放基板。此外，在保持部的下方设置有用于加热基板的加热器。

当结束对基板的成膜处理时，将该基板向成膜室的外部取出。此处，成膜处理紧后的成膜室内的温度成为非常高的温度，因此需要在成膜室内冷却后将基板取出。

在从成膜室取出了基板后，将接下来要进行成膜处理的基板搬入到成膜室内。然后，使成膜室内上升到成膜处理所需的温度。然而，为了使一度降低了的温度再次上升到原来的温度，需要相当长的时间。因此，从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间，成为使半导体元件的制造工序的生产率降低的主要原因。

例如，在Si(硅)气相生长膜的成膜中，基板被加热到1200℃程度。在成膜结束后，在关闭加热器的输出而使成膜室内降低到规定温度之后，从成膜室取出基板。接着，搬入新的基板，并开启加热器的输出。但是，在该阶段，成膜室内的温度降低了相当多，因此使其再次上升到1200℃需要较长时间。

此外，近年来，在被期待向高耐压的功率半导体器件利用的SiC(碳化硅)的情况下，成膜温度成为1500℃以上。因此，在为了取出基板而使成膜室内的温度降低之后，从该温度升温到成膜温度所需要的时间，比Si气相生长膜的情况更长。因此，生产率的降低变得更严重。

发明内容

本发明是为了解决这种问题而进行的。即，本发明的目的在于提供一种碳化硅的成膜装置，能够使从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间成为最小限度而使生产率提高。

本发明的其他目的及优点根据以下的记载而变得明确。

本发明的实施方式的碳化硅的成膜装置具有：

成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；

温度测定部，测定成膜室内部的温度；

多个加热机构，配置在成膜室的内部；

输出控制部，独立地控制该多个加热机构的各输出；

基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入进行碳化硅的成膜处理的基板；以及

基座，载放该基板，

输出控制部为，当对该基板的成膜处理结束时，使多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，

当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室的内部动作的温度时，使关闭或降低了其输出的加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，

通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

发明的效果

根据本发明，提供碳化硅的成膜装置及成膜方法，输出控制部如下地动作：当对基板的成膜处理结束时，使多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室的内部动作的温度时，使关闭或降低了其输出的加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，并通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出；因此，能够使从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间成为最小限度，而能够使生产率提高。

附图说明

图1是实施方式1的成膜装置的模式的部分剖视图。

图2是实施方式1的其他例的成膜装置的模式的部分剖视图。

图3是实施方式1的另一个其他例的成膜装置的模式的部分剖视图。

图4是表示图1的成膜装置的构成的平面图。

图5是表示图2的成膜装置中的控制系统的关系的图。

图6是模式地表示在实施方式1中温度测定部的测定结果的随时间变化的图。

图7是表示在实施方式1中各加热器的输出与时间之间的关系的一例。

图8是实施方式2的成膜方法的流程图。

图9是实施方式2的比较例，是模式地表示温度测定部的测定结果的随时间变化的图。

图10是例示图1的成膜装置的传感器的配置的平面图。

图11是表示图10的成膜装置中的控制系统的关系的图。

具体实施方式

实施方式1

图1是本实施方式的成膜装置中的成膜室部分的模式的剖视图。另外，在该图中，省略了说明所需的构成以外的构成。例如，对于控制系统，与之后使用图5说明的图2的成膜装置101的控制系统实质上同样，而在图1中未图示。此外，关于缩尺，也以能够明确地目视确认各构成部的方式将原尺寸进行改变。

如图1所示，成膜装置100具有：作为成膜室的腔室1、将腔室1的内部隔开的中空筒状的衬套2、冷却腔室1的冷却水的流路3、导入反应气体4的供给部5、将反应后的反应气体4排气的排气部6、支承基板7的基座8、连结腔室1的上下部的凸缘10、将凸缘10密封的密封件11、连结排气部6与配管12的凸缘13、及将凸缘13密封的密封件14。密封件11、14能够使用耐热温度为300℃的氟橡胶。

设置衬套2的目的在于，将腔室1的内壁1a与进行对基板7上的成膜处理的空间A隔开。腔室1的内壁1a例如由不锈钢构成，因此通过设置衬套2，能够防止内壁1a被反应气体4腐蚀。

成膜处理在高温下进行，因此衬套2由具备高耐热性的材料构成。例如，能够使用SiC部件或在碳上涂层SiC或TaC而构成的部件。

在本实施方式中，为了方便，将衬套2分开而称为主体部2a和头部2b这两个部分。主体部2a为在内部配置基座8的部分，头部2b为内径比主体部2a小的部分。主体部2a和头部2b成为一体而构成衬套2，头部2b位于主体部2a的上方。

在头部2b的上部开口部设置有喷淋板15。喷淋板15作为对基板7的表面均匀地供给反应气体4的气体整流板而起作用。在喷淋板15上设置有多个贯通孔15a，从供给部5导入腔室1的反应气体4通过贯通孔15a而向基板7流下。此处，优选反应气体4不浪费地扩散而高效地到达基板7的表面。因此，头部2b的内径被设计成比主体部2a小。具体地，考虑贯通孔15a的位置和基板7的大小，来决定头部2b的内径。

支承基板7的基座8为环状，并配置在主体部2a中。例如，在使SiC在基板7上外延生长的情况下，需要将基板7加热到1500℃以上的高温。因此，基座8需要使用高耐热性材料，具体地，使用通过CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相淀积)法在各向同性石墨的表面上覆盖了SiC或TaC的材料。基座8的形状，只要是能够载放基板7的形状，则不特别限定，除了环状以外，还能够成为圆盘状。此外，也可以为组合了环状和圆盘状这两种形状的构造。

在衬套2的主体部2a配置有旋转轴16和设置在旋转轴16上端的旋转筒17。基座8安装在旋转筒17上，当旋转轴16旋转时，经由旋转筒17而基座8旋转。在成膜处理时，将基板7载放在基座8上，由此与基座8的旋转相伴随而基板7旋转。

在旋转轴16的内部配置有未图示的升降销。升降销的下端延伸到设置在旋转轴16下部的未图示的升降装置。而且，能够使该升降装置动作而使升降销上升或下降。在向腔室1内搬入基板7和向腔室1外搬出基板7时，使用该升降销。升降销从下方支承基板7、使其抬起而从基座8离开。然后，为了能够在与基板搬送机器人332之间进行基板7的交接而进行动作，以将基板7配置在从基座8离开的上方的规定位置。另外，基板搬送机器人332与本发明中的基板搬送部对应。

另一方面，通过了喷淋板15的反应气体4，通过头部2b而向基板7流下。由于基板7旋转，因此反应气体4被吸引到基板7上，在从喷淋板15到基板7的区域内成为纵向流。到达了基板7的反应气体4，不会在基板7的表面上形成紊流，而在水平方向上成为大致层流而流动。这样，新的反应气体4与基板7的表面不断接触。然后，在基板7的表面上产生热解反应或氢还原反应而形成气相生长膜。另外，在成膜装置100中，使从基板7的外周部到衬套2的距离变窄，从而使基板7的表面上的反应气体4的流动变得更均匀。

反应气体4中的气相生长反应未使用的气体、通过气相生长反应而生成的气体，从设置在腔室1下部的排气部6排气。

通过以上的构成，能够在使基板7旋转的同时进行成膜处理。即，通过使基板7旋转，能够高效地对基板7的表面整体供给反应气体4，能够形成膜厚均匀性高的气相生长膜。此外，由于不断地供给新的反应气体4，因此能够提高成膜速度。

在本实施方式中，分别使用作为加热机构的主加热器(本发明中的第一加热器)9和辅助加热器(本发明中的第二加热器)18，来加热基板7。这些加热器都能够成为电阻加热型的加热器。主加热器9配置在基板7的附近，直接对基板7的温度进行作用。另一方面，辅助加热器18夹着基板7而配置在主加热器9的上方，辅助主加热器9，并与主加热器9协同地加热基板7。

主加热器9配置在旋转筒17的内部，而从下方加热基板7。此外，主加热器9具有圆盘状的内加热器9a和配置在内加热器9a上方的环状的外加热器9b。这是考虑到：在基板7的外周部，反应气体4的流速较快，并存在向由冷却水冷却的腔室1的壁的辐射，因此温度容易降低。通过设置内加热器9a和外加热器9b，能够抑制基板7的外周部的温度降低，而能够成为均匀的温度分布。

内加热器9a和外加热器9b分别被配置成，其中心与基板7的中心位于相同的铅垂线上。如此，内加热器9a加热基板7的整体，外加热器9b加热基板7的外周部。此外，通过将外加热器9b配置在内加热器9a的上方，能够有效地加热温度容易降低的基板7的外周部，而能够使基板7的温度分布均匀。另外，外加热器9b的温度优选设定为比内加热器9a高的温度。由此，能够使温度分布更加均匀。

内加热器9a和外加热器9b由成为臂形状的导电性汇流条20支承。汇流条20例如由用SiC覆盖碳而成的部件构成。此外，汇流条20在支承内加热器9a和外加热器9b的一侧的相反侧，由石英制的加热器底座21支承。而且，通过由钼等金属形成的导电性连结部22来连结汇流条20和电极棒23，由此从电极棒23向内加热器9a和外加热器9b供电。具体地，从电极棒23向这些加热器的发热体通电而发热体升温。

辅助加热器18以带状卷绕在衬套2的头部2b的周围，并由加热器支承部19支承。辅助加热器18和加热器支承部19通过螺纹固定等连接。加热器支承部19贯通腔室1的侧壁而与外部电极连接。由此，能够通过加热器支承部19向辅助加热器18供电。

辅助加热器18从上方加热基板7。另一方面，从基板7下方的加热由主加热器9负责。即，基板7通过主加热器9和辅助加热器18而从其两面被加热。此处，这些加热器为电阻加热型的加热器，因此通过改变输出，能够微调基板7的温度。

腔室1内部的温度能够由辐射温度计24a、24b测定。例如，在图1中，辐射温度计24a测定基板7的中央部附近的温度。此外，辐射温度计24b测定基板7的外周部的温度。另外，通过改变辐射温度计24a、24b的位置，还能够测定基板7以外的、例如基座8的表面温度。基板7载放在基座8上，因此可以认为它们几乎处于相同位置。因此，除了细微的温度差成为问题的成膜时以外，能够将基板7的温度和基座8的温度视为相同。

如图1所示，辐射温度计24a、24b能够设置在腔室1的上部。在这种情况下，通过使腔室1的上部和喷淋板15为透明石英制，由此能够使它们不会妨碍辐射温度计24a、24b的温度测定。

测定的温度数据被送向(后述的)加热器输出控制部，并反馈到内加热器9a、外加热器9b、辅助加热器18的各输出控制。另外，在辅助加热器18如后述的其他例那样、例如具有第一辅助加热器、第二辅助加热器、第三辅助加热器、第四辅助加热器及第五辅助加热器的情况下，被反馈到第一辅助加热器、第二辅助加热器、第三辅助加热器、第四辅助加热器及第五辅助加热器的各输出控制。

此外，在本实施方式中，能够由多个电阻加热型加热器来构成辅助加热器。例如，能够将辅助加热器沿着铅垂方向从下方即靠近基板7一侧向上方、以2级或其以上的级数、例如以5级的级数来分割。

图2是本实施方式的其他例的成膜装置中的成膜室部分的模式的剖视图。另外，在该图所示的成膜装置101中，除了作为加热机构的辅助加热器118由多个电阻加热型加热器构成以外，具有与图1所示的成膜装置100同样的构造。因此，对于与图1的成膜装置100共通的构成要素赋予相同的符号，并省略重复的说明。而且，与图1同样，省略了说明所需的构成以外的构成。例如，对于控制系统，在后述的图5中进行说明，在图2中未图示。此外，对于缩尺，也以能够明确地目视确认各构成部的方式将原尺寸进行改变。

例如，在本实施方式的其他例的成膜装置101中，在将辅助加热器118分割为5级而构成的情况下，本实施方式的辅助加热器118能够具有第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e这五个加热器。这些加热器优选沿着铅垂方向从下方即靠近基板7一侧按照该顺序配置。

优选为，将辅助加热器118分割为5级的情况下的第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e分别以带状卷绕在衬套2的头部2b的周围，并由对应的第一加热器支承部119a、第二加热器支承部119b、第三加热器支承部119c、第四加热器支承部119d及第五加热器支承部119e支承。各加热器和各支承部通过螺纹固定等连接，通过改变各支承部间的距离，能够改变对应的各加热器间的距离。

并且，第一加热器支承部119a、第二加热器支承部119b、第三加热器支承部119c、第四加热器支承部119d及第五加热器支承部119e，分别贯通腔室1的侧壁而与外部电极连接。由此，能够通过各支承部而对各加热器独立地供电。即，能够对各加热器独立地进行温度控制。

此时，如上述那样，第一辅助加热器118a在辅助加热器118中配置在最下级，位于最接近基板7的位置。第一辅助加热器118a从上方加热基板7。另一方面，从基板7下方的加热由主加热器9负责。即，基板7通过主加热器9和第一辅助加热器118a而从其两面被加热。此处，这些加热器为电阻加热型的加热器，因此通过改变输出，能够微调基板7的温度。

第二辅助加热器118b配置在第一辅助加热器118a的上级。第三辅助加热器118c配置在第二辅助加热器118b的上级。第四辅助加热器118d配置在第三辅助加热器118c的上级。第五辅助加热器118e配置在第四辅助加热器118d的上级。

如上述那样，辅助加热器118为电阻加热型的加热器，因此第一辅助加热器118a加热头部2b，接着，通过被加热的头部2b的热量来加热基板7。此处，在辅助加热器118仅为第一辅助加热器118a的情况下，由该加热器加热的只不过是头部2b的极小一部分。因此，在头部2b上产生温度分布，被加热的头部2b的热量向温度低的方向、具体地向头部2b的上方移动。即，在该构成中，不能够将被加热的头部2b的热量高效地用于基板7的加热。

相对于此，当成为在第一辅助加热器118a的上方设置第二辅助加热器118b等的构成时，能够降低衬套2的头部2b的温度差，而能够防止来自第一辅助加热器118a的热量向上方逃逸。因此，能够通过第一辅助加热器118a高效地加热基板7。此外，通过消除头部2b的温度差，还能够防止衬套2产生裂纹。另外，头部2b的温度分布，能够通过改变第一辅助加热器118a～第五辅助加热器118e的各设定温度、这些加热器间的距离来调整。

此外，在本实施方式中，能够由高频感应加热型的加热器来构成作为加热机构的辅助加热器。并且，能够由多个高频感应加热型的加热器来构成该辅助加热器。

图3是本实施方式的另一个其他例的成膜装置中的成膜室部分的模式的剖视图。另外，在该图所示的成膜装置102中，除了作为加热机构的辅助加热器128由多个高频感应加热型的加热器构成以外，具有与图1所示的成膜装置100同样的构造。因此，对与图1的成膜装置100共通的构成要素赋予相同的符号，并省略重复的说明。而且，与图1同样，省略了说明所需的构成以外的构成。例如，对于控制系统，与图2的成膜装置101同样，与对图5进行的说明相同，而在图3中未图示。此外，对于缩尺，也以能够明确地目视确认各构成部的方式将原尺寸进行改变。

本实施方式的另一个其他例的成膜装置102所具有的本实施方式的辅助加热器128，具有第一辅助加热器128a、第二辅助加热器128b、第三辅助加热器128c、第四辅助加热器128d及第五辅助加热器128e这五个加热器。这些加热器沿着铅垂方向从下方即靠近基板7一侧按照该顺序配置。另外，辅助加热器的分割数并非限定为五个，例如，能够沿着铅垂方向从下方即靠近基板7一侧向上方、进行分割为2级或分割为4级等的分割。

第一辅助加热器128a、第二辅助加热器128b、第三辅助加热器128c、第四辅助加热器128d及第五辅助加热器128e，分别卷绕在衬套2的头部2b的周围而构成，并由对应的第一加热器支承部129a、第二加热器支承部129b、第三加热器支承部129c、第四加热器支承部129d及第五加热器支承部129e支承。各加热器和各支承部通过螺纹固定等连接，通过改变各支承部间的距离，能够改变各加热器间的距离。

并且，第一加热器支承部129a、第二加热器支承部129b、第三加热器支承部129c、第四加热器支承部129d及第五加热器支承部129e，分别贯通腔室1的侧壁而与外部电极连接。由此，能够通过各支承部对各加热器独立地进行温度控制。

第一辅助加热器128a在辅助加热器128中配置在最下级，位于最接近基板7的位置。第一辅助加热器128a从上方加热基板7。同样地，第二辅助加热器128b、第三辅助加热器128c、第四辅助加热器128d及第五辅助加热器128e也从上方加热基板7。另一方面，从基板7下方的加热由主加热器9负责。即，基板7通过主加热器9和第一辅助加热器128a、第二辅助加热器128b、第三辅助加热器128c、第四辅助加热器128d及第五辅助加热器128e而从其两面被加热。此处，这些加热器能够进行独立的加热控制，能够微调基板7的温度。

即，如图3所示，第二辅助加热器128b配置在第一辅助加热器128a的上级。第三辅助加热器128c配置在第二辅助加热器128b的上级。第四辅助加热器128d配置在第三辅助加热器128c的上级。第五辅助加热器118e配置在第四辅助加热器128d的上级。

如上述那样，辅助加热器128为高频感应加热型的加热器，因此根据离基板7的距离的不同而加热效果产生差异。因此，第一辅助加热器128a、第二辅助加热器128b、第三辅助加热器128c、第四辅助加热器128d及第五辅助加热器128e各自的对基板7的加热效果不同，通过独立地控制这些加热器并控制主加热器9，能够将基板7均匀且高效率地加热。

接着，使用图1及图4来说明成膜装置100中的基板7的活动。另外，图2的成膜装置101及图3的成膜装置102中的基板7的活动也同样。

图4是表示成膜装置100的构成的平面图。如该图所示，成膜装置100，除了图1中说明的腔室1、基板搬送机器人332以外，还具有盒台310、312、装载锁定室(load lock chamber)320、传送室330及基板搬送机器人350。

在盒台310上配置有设置了成膜处理前的基板7的盒。另一方面，在盒台312上配置有要设置成膜处理后的基板7的盒。

基板搬送机器人350从盒台310取出基板7，并向装载锁定室320搬送基板7。基板搬送机器人332配置在传送室330中。在传送室330上连接有进行成膜处理的腔室1，向装载锁定室320搬送的基板7，通过基板搬送机器人332而通过传送室330向腔室1的内部搬送。腔室1的基板搬送机器人332的插入口，如图1所示，优选在衬套2的头部2b的下方。

向腔室1搬入的基板7被从基板搬送机器人332交接到升降销。然后，通过升降销下降，基板7被载放到基座8上。

接着，开始向基板7上的气相生长膜的成膜处理。具体地，在使腔室1的内部为常压或适当的减压的状态下，使基板7旋转。此外，通过主加热器9和辅助加热器18来加热基板7。

在基板7达到了规定的温度后，从供给部5导入反应气体4。由此，在基板7上逐渐形成气相生长膜。

在结束了向基板7的成膜处理后，为了降低基板7的温度，而使主加热器9和辅助加热器18的至少一个的输出关闭或降低。在辅助加热器18如上述的其他例及另一个其他例那样、具有多个加热器的情况下，使主加热器9及构成辅助加热器18的各加热器中的至少一个加热器的输出关闭或降低。

当通过辐射温度计24a、24b确认了基板7降低到能够搬出的温度时，上述升降销从下方支承基板7、使其抬起而从基座8离开。然后，升降销为了能够在与基板搬送机器人332之间进行基板7的交接而进行动作，以将基板7配置在从基座8离开的上方的规定位置。

向基板搬送机器人332交接了的基板7被从腔室1取出，并经由传送室330而向装载锁定室320搬送。接着，通过基板搬送机器人350而设置到配置在盒台312上的盒中。

然后，将接下来要进行成膜处理的基板7从盒台310取出，并通过基板搬送机器人350向装载锁定室320搬送。接着，通过基板搬送机器人332从装载锁定室320向传送室330搬送基板7，进一步向进行成膜处理的腔室1的内部搬送。以下，与上述说明的情况同样地进行成膜处理，然后，从腔室1取出，并搬送到盒台312。

为了将结束了成膜处理的基板7向腔室1外搬出，需要等待腔室1内的温度、具体为基板7的温度成为规定温度以下。当在未从成膜处理温度充分地冷却的状态下将基板7从腔室1搬出时，由于与腔室1外部的温度差而基板7有可能产生裂纹。此外，基板7和气相生长膜的热膨胀系数不同，因此由于上述温度差而气相生长膜有可能产生剥离、裂缝。

因此，在结束了成膜处理后，能够将主加热器9和辅助加热器18的输出例如全部关闭。而且，在由辐射温度计24a、24b确认了基板7成为规定温度之后，通过升降销抬起基板7而向基板搬送机器人332交接。然后，取代该基板7而将新的基板7向腔室1内搬送，并载放到基座8上。

当将全部加热器的输出关闭时，腔室1内的温度下降。该倾向在从腔室1取出了基板7后也继续，因此在将新的基板7载放到基座8上时，比能够将基板7搬出的规定温度降低了相当多。即，腔室1内的温度与成膜处理所需的温度之间的差变得很大。在该状态下，当将全部加热器的输出开启时，腔室1内的温度转为上升，但到新的基板7的温度达到成膜温度为止，需要长时间。

可是，为了将基板7搬出搬入，腔室1内的温度为规定温度以下即可。所以，本发明人考虑到：通过将腔室1内从规定温度进一步降低的情况抑制为最小限度，由此能够缩短接下来要进行成膜处理的基板7达到成膜温度的时间；并完成了本发明。

本发明的成膜装置具有独立地控制多个加热器的各输出的输出控制部，该输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使主加热器和辅助加热器等多个加热器中的至少一个加热器的输出关闭或降低。例如，能够将多个加热器全部的输出关闭。然后，如下地进行动作：当成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使之前关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从搬送室搬出，当其他基板被搬入搬送室时，使之前关闭或降低了输出的加热器中的剩余的加热器的输出开启或上升。

更具体地，图2及图3所示的本实施方式的成膜装置101、102为，辅助加热器118、128分别具有多个加热器。

在这种情况下，在配置在基座8的上方、并具有沿铅垂方向排列的多个加热器(第一辅助加热器118a、128a、第二辅助加热器118b、128b、第三辅助加热器118c、128c、第四辅助加热器118d、128d、第五辅助加热器118e、128e)的辅助加热器118、128中，能够使构成的各加热器中的至少一个加热器的输出关闭或降低。

此外，能够使主加热器9的输出关闭或降低。而且，在主加热器9具有多个加热器(9a、9b)的情况下，能够使各加热器(9a、9b)中的至少一个加热器的输出关闭或降低。

而且，在使构成辅助加热器118、128的加热器中的至少一个加热器的输出关闭或降低的情况下，优选使处于最靠近基板7的位置的加热器、即图2的第一辅助加热器118a及图3的第一辅助加热器128a的输出关闭或降低。如此，能够进行使腔室1内的基板7及基座8附近的温度有效地降低的控制。

以下，对具备所述特征的本实施方式的成膜装置进一步详细说明。将图2所示的作为本实施方式的例子的成膜装置101用作例子来进行该说明。

在本实施方式中，在使主加热器9和辅助加热器118等多个加热器中的至少一个加热器的输出关闭或降低之后，根据腔室1内的温度、具体为根据基板7或基座8的温度，来改变将各加热器的输出开启的定时和输出的大小。由此，能够将腔室1内的温度从上述规定温度进一步降低的情况抑制为最小限度。

图5是表示成膜装置101中的控制系统的关系的图。如该图所示，通过基板搬送机器人控制部401来控制基板搬送机器人332的动作。此外，内加热器9a、外加热器9b、第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出，分别由输出控制部402、403、404、405、406、407、408来控制。而且，这些控制部根据来自温度测定部400的信息，来分别控制基板搬送机器人332的动作、各加热器的输出。

如图5所示，温度测定部400测定腔室1内的温度。具体地，该温度能够设为基座8的温度。此外，温度测定部400能够设为在图2中说明了的辐射温度计24a及24b的至少一方。

图6是模式地表示温度测定部400的测定结果的随时间变化的图。

在图6中，温度Tep为成膜温度。对基板7的成膜处理的结束时间t1，例如能够根据反应气体4的供给时间来决定。在本实施方式中，作为例子，在时间t1，将内加热器9a、外加热器9b、第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出关闭。由此，由辐射温度计测定的温度Tep会一味地降低。

在图6中，温度T1为基板搬送机器人332能够动作的温度的上限，温度T2为能够将基板7从腔室1搬出的温度的上限。

因此，在温度测定部400的测定温度达到了T1的时刻(时间t2)，能够向腔室1的内部导入基板搬送机器人332。即，在图5中，当温度测定部400的测定温度成为T1时，向基板搬送机器人控制部401发送信号。基板搬送机器人控制部401进行控制，以将基板搬送机器人332导入腔室1的内部。然后，在测定温度达到了T2的时刻(时间t3)，通过升降销使基板7抬起而从基座8离开。接着，直接使升降销上升而向基板搬送机器人332交接基板7。

在本实施方式中，在时间t2，将第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出开启。即，在图5中，当温度控制部400的测定温度成为T1时，向输出控制部405、406、407、408发送信号。输出控制部405进行控制，以使第二辅助加热器118b的输出成为开启。输出控制部406进行控制，以使第三辅助加热器118c的输出成为开启。输出控制部407进行控制，以使第四辅助加热器118d的输出成为开启。输出控制部408进行控制，以使第五辅助加热器118e的输出成为开启。

第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e处于从基板7离开的位置，因此即使在时间t2将输出开启，基板7的温度也持续下降。此外，还远离将基板搬送机器人332导入的位置，因此即使在时间t2将基板搬送机器人332导入腔室1的内部，该机器人也不会暴露于耐热温度以上的温度。另一方面，处于第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e附近的头部2b被加热，因此至少能够抑制腔室1的一部分的温度降低。

在本实施方式中，优选在将第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出开启之后，按每个加热器阶段性地改变这些加热器的输出。此外，此时优选为，越是处于靠近基板7的位置的加热器、越从较低的输出开始上升。

图7是表示各加热器的输出与时间之间的关系的一例。在该图中，E1为第三辅助加热器118c的输出变化，E2为第二辅助加热器118b的输出变化。此外，E3表示第一辅助加热器118a、内加热器9a及外加热器9b的输出变化。

另外，在这种情况下，第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出能够与第三辅助加热器118c的输出同样，其输出变化能够成为E1。因此，仅使用第三辅助加热器118c进行说明，在这种情况下，省略对于成为同样的输出变化(E1)的第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出的说明。

如图7所示，在本实施方式中，在时间t2，将第二辅助加热器118b和第三辅助加热器118c的输出开启。另一方面，第一辅助加热器118a、内加热器9a及外加热器9b的各输出维持关闭。

此外，使时间t2的第三辅助加热器118c的输出比第二辅助加热器118b的输出大。为了抑制腔室1的温度降低，而优选尽可能增大这些加热器的输出。然而，当输出过大时，有可能妨碍基板7的温度降低。所以，使处于从基板7离开的位置的第三辅助加热器118c的输出例如为最大输出的70%，使第二辅助加热器118b的输出例如为最大输出的30%。由此，能够不妨碍基板7的温度降低，而抑制腔室1的温度降低。

在图6的时间t3，当温度测定部400的测定温度达到T2时，成膜处理后的基板7被向腔室1的外部搬出。在本实施方式中，在时间t3之后的时间t4，使第二辅助加热器118b的输出例如上升到最大输出的50%。于是，腔室1内的温度作为整体而转为上升，因此如图6所示，温度测定部400的测定温度上升。另外，时间t4可以是基板7的搬出作业中的时间，也可以是接下来要进行成膜处理的基板7的搬入作业中的时间。

在将新的要进行成膜处理的基板7载放到基座8上、且基板搬送机器人332从腔室1退出之前，都需要将腔室1内的温度维持在T1以下。因此，在此之前，使第一辅助加热器118a、内加热器9a及外加热器9b的输出关闭，调整第三辅助加热器118c和第二辅助加热器118b的输出，而使温度测定部400的测定结果成为T1以下。

在新搬入的基板7被载放到基座8上、且基板搬送机器人332从腔室1退出之后，使第二辅助加热器118b和第三辅助加热器118c成为最大输出(100%)。此外，将第一辅助加热器118a、内加热器9a及外加热器9b的输出开启。此处，优选基板7尽快达到成膜温度Tep，因此从最初开始就使这些输出的大小成为最大输出(100%)。

使全部加热器的输出成为100%的定时(时间t5)，能够根据温度测定部400的测定结果来决定。例如，在基板7被载放到基座8上、且基板搬送机器人332从腔室1退出之后，如果使温度测定部400的测定温度无延迟地达到T1，则能够在温度测定部400的测定结果成为T1时，使各加热器的输出成为100%。具体地，能够如下那样地进行。

如上述那样，当在时间t4提高第二辅助加热器118b的输出时，腔室1内的温度上升。此时，调整第二辅助加热器118b和第三辅助加热器118c的输出，而使如下的关系成立。

t’≥t”         (1)

在式(1)中，t’为到温度测定部400的测定温度成为T1为止的时间(t5)。此外，t”为基板7被载放到基座8上、且基板搬送机器人332从腔室1退出所需要的时间。

从使成膜装置的生产率提高这一点出发，优选使t’和t”之差尽量小。此处，t’能够通过调整第二辅助加热器118b和第三辅助加热器118c的各输出来改变。例如，当在时间t4之后进一步细微地提高第二辅助加热器118b的输出、或还阶段性地提高第三辅助加热器118c的输出时，能够缩短t’。因此，在与t”之差较大的情况下，能够通过该方法接近t”。

在式(1)的关系成立时，当温度测定部400的测定温度成为T1时，向输出控制部402～406发送信号。输出控制部402将内加热器9a的输出开启，并且如图7的E3所示那样使其大小成为最大输出(100%)。同样地，输出控制部403将外加热器9b开启、输出控制部404将第一辅助加热器118a的输出开启，并且使各输出成为最大(100%)。此外，输出控制部405进行控制，以如图7的E2所示那样使第二辅助加热器118b成为最大输出(100%)。并且，输出控制部406进行控制，以如图7的E1所示那样使第三辅助加热器118c成为最大输出(100%)。

通过使全部加热器的输出成为最大输出(100%)，由此腔室1内的温度急速上升。即，如图6所示，达到了温度T1的时间t5以后的温度的上升率与其以前相比变大。而且，当达到成膜温度Tep时，从图2的供给部5导入反应气体4，而在基板7上形成气相生长膜。

如此，根据本实施方式的成膜装置101，能够根据腔室1内的温度来改变将各加热器的输出开启的定时和输出的大小。由此，能够抑制腔室1内的温度从能够将基板7从腔室1搬出的温度的上限(T2)较大地降低，因此能够使从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间为最小限度，而能够使生产率提高。作为一例，通过使T1为1000℃、使T2为900℃而进行温度控制，由此能够显著缩短从结束成膜温度1600℃的成膜处理到进行下一次成膜处理的时间，并能够使生产率提高。

另外，在本实施方式中，能够适宜变更构成辅助加热器118的加热器的数量。例如，辅助主加热器9的加热器可以是两个以上。此外，与第二辅助加热器118b～第五辅助加热器118e对应的加热器也可以存在更多。无论辅助加热器的数量为多少，都能够通过支承各加热器的支承部而分别独立地对其进行温度控制。通过增加加热器的数量，能够更加细微地调整腔室1内的温度，因此容易抑制温度需要以上地降低。

此外，在本实施方式的上述各例中，辅助加热器由电阻加热型加热器或高频感应加热型的加热器构成，但本实施方式的辅助加热器还能够将电阻加热型加热器和高频感应加热型的加热器组合来构成。此外，在新搬入的基板被载放到基座上、且基板搬送机器人从腔室退出之后，使辅助加热器成为最大输出，但也可以在收到表示基板搬送机器人已退出的信号之后，进行将加热器的输出提高的控制。例如，如图10及图11所示，通过设置表示基板搬送机器人已退出的位置传感器、或表示处于传送室与进行成膜处理的腔室之间的门已关闭的传感器340，能够发送该信号。由此，能够安全地进行生产率的提高。

实施方式2

本实施方式的成膜方法的特征在于，向成膜室的内部供给反应气体，在通过多个加热器加热基板的同时在该基板上形成了规定的膜之后，将多个加热器全部的输出关闭，当成膜室内部的温度成为T1以下时，将多个加热器中的一部分加热器的输出开启，并且将基板搬送部导入成膜室的内部，当成膜室内部的温度成为T2(其中T1＞T2)以下时，通过基板搬送部将基板向成膜室的外部搬出，接着，在通过基板搬送部将其他基板搬送到成膜室的内部之后，将剩余的加热器的输出开启。

图8是本实施方式的成膜方法的流程图。该成膜方法使用在实施方式1中说明了的成膜装置101来实施。以下，参照图2及图4～图8，对本实施方式的Si或SiC气相生长膜的成膜方法进行描述。另外，本实施方式的成膜方法还能够应用于其他气相生长膜。

作为基板7，例如能够使用SiC晶片或Si晶片。或者，还能够使用SiO₂(石英)晶片等其他绝缘性基板、GaAs(砷化镓)晶片等高电阻的半绝缘性基板等。

首先，向腔室1内搬入基板，并载放到基座8上。

接着，在使腔室1的内部成为常压或适当的减压的状态下，使基板7旋转。载放有基板7的基座8配置在旋转筒17的上端。因此，当通过旋转轴16使旋转筒17旋转时，基座8旋转，同时基板7也旋转。能够使转速例如为50rpm程度。

在本实施方式中，通过主加热器9和辅助加热器118来加热基板7。在Si气相生长反应中，在Si气相生长中需要将基板7加热到1000℃以上、在SiC气相生长中需要将基板7加热到1500℃以上。加热器的各设定温度优选为，外加热器9b比内加热器9a高，并且按照第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d、第五辅助加热器118e的顺序降低。

此外，在基板7的加热时，通过在设置于腔室1的壁的流路3中流动冷却水，能够防止腔室1过度地升温。

在基板7达到了规定温度之后，使基板7的转速逐渐上升。例如，能够上升到900rpm程度的转速。此外，从供给部5导入反应气体4。

作为反应气体4，在对Si进行成膜时能够使用三氯硅烷，在对SiC进行成膜时，作为Si源而能够使用硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅等，作为C源而能够使用丙烷、乙烯等，作为添加气体而能够使用HCl等，并在混合了作为运载气体的氢气或氩气的状态下从供给部5导入。

反应气体4通过喷淋板15的贯通孔15a，并向进行对基板7的成膜处理的空间A流入。由于通过喷淋板15，因此反应气体4被整流，并向在下方旋转的基板7大致铅垂地流下，而形成所谓纵向流。

到达了基板7的表面的反应气体4，在该表面上产生热解反应或氢还原反应而形成Si气相生长膜或SiC气相生长膜。气相生长反应未使用的反应气体4、通过气相生长反应而生成的气体，通过设置在腔室1下方的排气部6而向外部排气。

如上述那样，能够在基板7上形成Si气相生长膜或SiC气相生长膜。在结束了对基板7的成膜处理之后，进行对新的基板7的成膜处理，而其间的处理按照图8的流程图来进行。

首先，如图8的S1所示，将全部加热器、即内加热器9a、外加热器9b、第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e关闭。

接着，测定腔室1内的温度T(S2)。此处，温度T能够设为基座8的温度。此外，测定使用辐射温度计24a及24b的至少一方来进行。

在S3中，判定腔室1内的温度T是否为基板搬送机器人332能够动作的温度的上限T1以下。在T＞T1的情况下，返回S2并继续测定。另一方面，如果T≤T1，则前进至S4，而将基板搬送机器人332导入腔室1内。

如图5所示，基板搬送机器人332的控制通过基板搬送机器人控制部401来进行。此处，图5的温度测定部400不仅进行基于辐射温度计24a、24b的温度测定，还具备进行图8所示的各种判定(S3、S6、S13)的功能。当由温度测定部400判定为T≤T1时，将该内容的信号送向基板搬送机器人控制部401。于是，基板搬送机器人控制部401控制基板搬送机器人332而将其导入腔室1内。

接着，在S5中，与S2同样地测定腔室1内的温度T。接着，在S6中，判定腔室1内的温度T是否为能够将基板7从腔室1搬出的温度的上限T2以下。在T＞T2的情况下，返回S5并继续测定。另一方面，如果T≤T2，则前进至S7，而将基板7从腔室1搬出，并且将第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的各输出开启。该动作通过图5所示的输出控制部405、406、407、408来进行。即，当由温度测定部400判定为T≤T2时，将该内容的信号送向输出控制部405、406、407、408。于是，这些控制部分别将第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出开启。此外，输出控制部405、406、407、408能够如图7的线图所示那样地控制对应的加热器的输出值。例如，输出控制部406、407、408能够分别如图7的线图的E1所示那样地控制对应的第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d及第五辅助加热器118e的输出值。

基板7从腔室1的搬出与在实施方式1中描述的同样。即，通过未图示的升降销从下方支承基板7、使其抬起而从基座8离开。在直接使升降销上升之后，向基板搬送机器人332交接基板7。

向基板搬送机器人332交接了的基板7被从腔室1取出，经由图4的传送室330向装载锁定室320搬送。接着，通过基板搬送机器人350而设置到配置在盒台312上的盒中。

然后，将接下来要进行成膜处理的基板7从盒台310取出，通过基板搬送机器人350而向装载锁定室320搬送。接着，通过基板搬送机器人332从装载锁定室320向传送室330搬送基板7，进一步向进行成膜处理的腔室1的内部搬入(S8)。

在本实施方式中，优选阶段性地提高第二辅助加热器118b～第五辅助加热器118e的输出。并且在这种情况下，第二辅助加热器118b的输出优选从比第三辅助加热器118c的输出低的值开始提高。第三辅助加热器118c的输出优选从比第四辅助加热器118d的输出低的值开始提高。第四辅助加热器118d的输出优选从比第五辅助加热器118e的输出低的值开始提高。

在本实施方式中，在开始了接下来要进行成膜处理的基板7向腔室1的搬送之后，如图6所示那样提高第二辅助加热器118b的输出(S9)。由此，能够使腔室1内的温度变化转为上升。

接着，将基板7载放在基座8上，使基板搬送机器人332从腔室1退出(S10)。然后，在S11中，使第二辅助加热器118b～第五辅助加热器118e成为最大输出(100%)。此外，将第一辅助加热器118a、内加热器9a及外加热器9b的输出开启。从最初开始就使这些输出的大小成为最大输出(100%)。

在S12中，与S2、S5同样地测定腔室1内的温度T，在S13中，判定温度T是否为成膜温度Tep以上。在T＜Tep的情况下，返回S12并继续测定。另一方面，在T≥Tep的情况下，前进至S14，向腔室1内导入反应气体4。由此，在基板7上形成Si气相生长膜。

根据本实施方式，根据腔室1内的温度来改变将各加热器的输出开启的定时和输出的大小，因此能够抑制腔室1内的温度从能够将基板7从腔室1搬出的温度的上限(T2)较大地降低。因此，能够使从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间为最小限度，而能够使生产率提高。

另外，在图8中，在S2、S5及S12中测定了腔室1内的温度，但在本实施方式中，也可以与S1～S14的各工序并行地常时进行温度测定，并在S3、S6及S13中进行基于各测定结果的判定。

图9是本实施方式的比较例，模式地表示温度测定部400的测定结果的随时间变化。在图9中，温度Tep为成膜温度，温度T2为能够将基板7从腔室1搬出的温度的上限。此外，时间t1’为成膜处理的结束时间，时间t3’为达到温度T2的时间。

在图9的例子中，在时间t1’，将全部加热器、即内加热器9a、外加热器9b、第一辅助加热器118a、第二辅助加热器118b、第三辅助加热器118c、第四辅助加热器118d、第五辅助加热器118e的输出关闭。然后，当腔室1内的温度降低到T2时，将成膜处理后的基板7从腔室1搬出，并代之以将接下来要进行成膜处理的基板7向腔室1内搬入。接着，在将基板7载放在基座8上、并使基板搬送机器人332向腔室1外退出之后，在时间t5’，将全部加热器的输出开启。此时的输出的大小成为最大(100%)。在时间t6’，当腔室1内的温度达到成膜温度Tep时，向腔室1内导入反应气体4，而在基板7上形成气相生长膜。

如上述那样，当在全部加热器中使开启输出的定时相同时，到时间t5’为止温度会一味地降低。因此，时间t5’的腔室1内的温度从温度T2较大地降低，为了将其提高到成膜温度Tep而需要长时间。

另一方面，如本实施方式那样，根据加热器的不同来改变将输出开启的定时，在比图9的例子早的时间将一部分加热器的输出开启，由此与图9的例子相比，能够抑制腔室1内的温度降低。并且，如果配合基板7的搬出搬入的情况来改变加热器的输出值，则能够进一步抑制上述的温度降低。即，根据本实施方式，与图9的例子相比，能够缩短从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间，而能够实现生产率的提高。

本发明的特征和优点总结如下。

根据本发明，提供一种碳化硅的成膜装置，输出控制部如下地动作：当对基板的成膜处理结束时，使多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室的内部动作的温度时，使关闭或降低了其输出的加热机构的至少一个加热机构的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出；因此，能够使从结束成膜处理到进行下一次成膜处理为止的时间为最小限度，而能够使生产率提高的。

本发明并非限定于上述各实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变形来实施。例如，在上述各实施方式中，对在使基板旋转的同时在基板上形成膜的例子进行了描述，但在本发明中，也可以在不使基板旋转的状态下形成膜。

此外，在上述各实施方式中，作为成膜装置的一例而列举了气相生长装置，但本发明并非限定于此。只要是向成膜室内供给反应气体、将载放在成膜室内的基板加热而在基板的表面上形成膜、并且将该基板搬出搬入的成膜装置，也可以是其他成膜装置。

并且，关于装置的构成、控制的方法等、在本发明中不直接需要的部分等省略了记载，但也能够适宜地选择使用所需要的装置的构成、控制的方法等。

除此以外，具备本发明的要素、且本领域技术人员能够适宜进行设计变更的全部成膜装置及各部件的形状，包含在本发明的范围内。

Claims (15)

1.一种碳化硅的成膜装置，其特征在于，具有：

成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；

温度测定部，测定上述成膜室内部的温度；

多个加热机构，配置在上述成膜室的内部；

输出控制部，独立地控制上述多个加热机构的各输出；

基板搬送部，相对于上述成膜室的内部搬出搬入进行碳化硅的成膜处理的基板；以及

基座，载放上述基板，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使上述多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，

当由上述温度测定部测定的温度成为上述基板搬送部能够在上述成膜室的内部动作的温度时，使关闭或降低了输出的上述加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，

通过上述基板搬送部将结束了上述成膜处理的基板从上述成膜室搬出，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在上述基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方。

2.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使上述第一加热机构的输出关闭或使输出降低。

3.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述第二加热机构，配置在上述基座的上方，具有沿铅垂方向排列的多个加热机构，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使至少一个该第二加热机构的输出关闭或降低。

4.如权利要求3所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述输出控制部为，当对上述基板的成膜处理结束时，使构成上述第二加热机构的加热机构中、处于最靠近上述基板的位置的加热机构的输出关闭或降低。

5.如权利要求3或4所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

当由上述温度测定部测定的温度成为上述基板搬送部能够在上述成膜室的内部动作的温度时，使构成上述第二加热机构的加热机构中、处于离上述基板最远的位置的加热机构的输出开启或上升，

通过上述基板搬送部将结束了上述成膜处理的基板从上述成膜室搬出。

6.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

具有传感器，该传感器检测结束了上述成膜处理的基板被从上述成膜室搬出的情况，

接受来自上述传感器的信号，而上述输出控制部独立地控制上述多个加热机构的各输出。

7.如权利要求1所述的碳化硅的成膜装置，其特征在于，

上述反应气体含有从由硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷及四氯化硅形成的组中选择的一种以上、和从由丙烷及乙烯形成的组中选择的一种以上。

8.一种碳化硅的成膜方法，其特征在于，

向成膜室的内部供给反应气体，在通过多个加热机构加热基板的同时在该基板上形成了碳化硅的膜之后，使上述多个加热机构中的至少一个加热机构的输出关闭或降低，当上述成膜室内部的温度成为第一温度以下时，使关闭或降低了输出的上述加热机构中的至少一个加热机构的输出开启或上升，并且将基板搬送部导入上述成膜室的内部，当上述成膜室内部的温度成为比上述第一温度低的第二温度以下时，通过上述基板搬送部将上述基板向上述成膜室的外部搬出，接着，在通过上述基板搬送部将其他基板搬送到上述成膜室的内部之后，使剩余的上述加热机构的输出开启或上升。

9.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在载放上述基板的基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方，

当对上述基板的成膜处理结束时，使上述第一加热机构的输出关闭或使输出降低。

10.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

上述多个加热机构具有：

第一加热机构，配置在载放上述基板的基座的下方；以及

第二加热机构，配置在上述基座的上方，具有沿铅垂方向排列的多个加热机构，

当对上述基板的成膜处理结束时，使至少一个该第二加热机构的输出关闭或降低。

11.如权利要求10所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

当对上述基板的成膜处理结束时，使构成上述第二加热机构的加热机构中、处于最靠近上述基板的位置的加热机构的输出关闭或降低。

12.如权利要求10或11所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

当上述成膜室内部的温度成为上述第二温度以下时，使构成上述第二加热机构的加热机构中、处于离上述基板最远的位置的加热机构的输出开启或上升，

通过上述基板搬送部将结束了上述成膜处理的基板从上述成膜室搬出。

13.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

在上述基板上形成了碳化硅的膜之后，使多个加热机构全部的输出关闭或降低。

14.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

使用对上述基板向上述成膜室的搬入及搬出进行检测的传感器，

接受来自上述传感器的信号，而使上述剩余的加热机构的输出开启或上升。

15.如权利要求8所述的碳化硅的成膜方法，其特征在于，

上述反应气体含有从由硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷及四氯化硅形成的组中选择的一种以上、和从由丙烷及乙烯形成的组中选择的一种以上。