TWI542555B - The manufacturing method of floating glass - Google Patents

Description

浮式玻璃之製造方法

本發明係關於一種浮式玻璃之製造方法。

浮式玻璃之製造方法包括使熔融玻璃一面於浮拋窯(以下亦僅稱為「窯」)內之熔融錫上沿特定方向流動一面冷卻而成形為帶板狀之步驟(例如參照專利文獻1)。

為防止熔融錫之氧化，大多情況下將窯內之環境設為包含氫氣之還原環境。藉由使氫氣與自外部混入之氧氣反應而防止熔融錫之氧化。

另一方面，於上述專利文獻1中揭示有將窯內之環境設為氧化環境。由於氧化環境會降低熔融玻璃之表面張力，故而容易進行熔融玻璃之成形。作為氧化環境，記載有包含亞硫酸(SO₂)氣體、三氧化硫(SO₃)氣體者為最佳。

再者，亞硫酸氣體及三氧化硫氣體於包含氫氣之還原環境中會變成硫化氫(H₂S)氣體等而無法穩定存在，因此無法降低熔融玻璃之表面張力。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特公昭46-41915號公報

浮式玻璃存在以表面之去污、表面之粗糙化等為目的，而利用緩衝氫氟酸(以下亦僅稱為「BHF(buffered hydrofiuoric acid)」)進行表面處理之情形。BHF係將氫氟酸(HF)與氟化銨(NH₄F)混合而成之藥液。

然而，於包含氫氣之還原環境中成形之浮式玻璃有於經BHF處理後，霧度(haze)大幅上升之情形。推定其原因在於：暴露於還原環境中之玻璃表面分相為複數種成分，特定之成分會與BHF反應而使異物附著於玻璃表面。

本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供一種可抑制因BHF處理所致之霧度上升之浮式玻璃之製造方法。

為解決上述目的，本發明提供一種浮式玻璃之製造方法，其係包括使熔融玻璃一面於浮拋窯內之熔融錫上沿特定方向流動一面冷卻而成形為帶板狀之步驟者，且上述熔融玻璃上之環境為包含氫氣之還原環境，該環境含有包含硫或氯之添加物質，且上述環境中之添加物質濃度於上述熔融玻璃之至少一部分之上方為1 mg/Nm³以上。

於本發明之浮式玻璃之製造方法中，較佳為上述環境中之添加物質濃度至少於上述熔融玻璃之黏度為1×10⁶ dPa．s以下之位置之上方為1 mg/Nm³以上。

於本發明之浮式玻璃之製造方法中，較佳為上述添加物質為硫，且上述浮式玻璃中之硫之濃度為100原子ppm以上。

於本發明之浮式玻璃之製造方法中，較佳為上述添加物質為氯，且上述浮式玻璃中之氯之濃度為0.3質量%以上。

於本發明之浮式玻璃之製造方法中，較佳為上述浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO₂：50~66%、Al₂O₃：10.5~24%、B₂O₃：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、ZrO₂：0~5%、SnO：0~3%，且MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。

於本發明之浮式玻璃之製造方法中，較佳為上述浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO₂：58~66%、Al₂O₃：15~22%、B₂O₃：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、SnO：0~1%，且MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。

於本發明之浮式玻璃之製造方法中，較佳為上述浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，為SiO₂：65~75%、Al₂O₃：0~3%、CaO：5~15%、MgO：0~15%、Na₂O：10~20%、K₂O：0~3%、Li₂O：0~5%、Fe₂O₃：0~3%、TiO₂：0~5%、CeO₂：0~3%、BaO：0~5%、SrO：0~5%、B₂O₃：0~5%、ZnO：0~5%、ZrO₂：0~5%、SnO₂：0~3%、SO₃：0~0.5%。

根據本發明，可提供一種能夠抑制因BHF處理所致之霧度上升之浮式玻璃之製造方法。

本實施形態之浮式玻璃之製造方法包括熔解步驟、成形步驟、緩冷步驟、切斷步驟、研磨步驟。再者，根據浮式 玻璃之用途，亦可無研磨步驟。

熔解步驟係將混合複數種原料製備而成之玻璃原料熔解，獲得熔融玻璃之步驟。玻璃原料被投入熔解爐內後，藉由自燃燒器噴射之火焰之輻射熱而熔解，成為熔融玻璃。熔融玻璃被連續供給至窯內之熔融錫上。

成形步驟係使熔融玻璃一面於窯內之熔融錫上沿特定方向流動一面冷卻而成形為帶板狀之步驟。將熔融玻璃成形為帶板狀而成之板狀玻璃係於窯之出口附近自熔融錫被提拉，並向緩冷爐內搬送。

緩冷步驟係於緩冷爐內緩冷板狀玻璃之步驟。板狀玻璃係一面自緩冷爐內之入口朝向出口搬送一面緩冷。由於緩冷爐之出口對外部氣體開放，故而緩冷爐內之環境包含空氣等。

切斷步驟係以切斷機將經緩冷之板狀玻璃切斷為特定尺寸之步驟。於該步驟中，板狀玻璃之寬度方向兩緣部(所謂耳部)被切除。其原因在於：板狀玻璃之寬度方向兩緣部因表面張力等之影響而厚度變厚。

研磨步驟係於切斷步驟後，研磨板狀玻璃之兩主面中之於窯內與熔融錫接觸之面(以下稱為「底面」)之步驟。研磨之目的為使板狀玻璃平滑化等。板狀玻璃之兩主面中之與底面為相反側之面(以下稱為「頂面」)通常不進行研磨。

以此種方式獲得作為製品之浮式玻璃。浮式玻璃之用途無特別限定，例如為液晶顯示器或有機EL (Electroluminescence，電致發光)顯示器等顯示器用之基板、顯示器用之覆蓋玻璃、光罩用之基板等。

以下，基於圖1及圖2對成形步驟之詳細內容進行說明。

圖1係本發明之一實施形態之浮式玻璃之製造方法之說明圖，且係窯之俯視剖面圖。圖2係圖1之窯之側視剖面圖。

成形步驟係使熔融玻璃30一面於窯10內之熔融錫20上沿特定方向(X方向)連續流動一面冷卻而成形為帶板狀之步驟。熔融玻璃30之成形係利用熔融錫20之水平之上表面而進行。為防止熔融錫20之氧化，窯10內之環境40成為包含氫氣之還原環境。窯10內被保持為正壓以防止外部氣體之侵入。

於窯10中設置有溢流唇(spout-lip)50、加熱器60、供氣路徑70、排氣路徑80等。

溢流唇50係向窯10內供給熔融玻璃30之供給路徑，且設置於窯10之入口12。溢流唇50連接於製作熔融玻璃30之熔解爐。

加熱器60係對窯10內進行加熱者，且例如圖2所示自窯10之頂部吊下。加熱器60係例如於熔融玻璃30之流動方向(X方向)及寬度方向(Y方向)上隔開間隔而設置有複數個，且配置成矩陣狀。

加熱器60之輸出係以熔融玻璃30之溫度自窯10之入口12朝向出口14變低之方式進行控制。又，加熱器60之輸出係以熔融玻璃30之溫度於寬度方向(Y方向)上成為均勻之方 式進行控制。

供氣路徑70係向窯10內供給還原性氣體之通路，且例如圖2所示設置於窯10之頂部。供氣路徑70係於特定方向(X方向)上隔開間隔而設置有複數個。

還原性氣體為氫氣與氮氣之混合氣體即可。氫氣占還原性氣體中之比例例如為0.1~15體積%。

排氣路徑80係將窯10內之環境40排氣之通路，且例如圖2所示設置於窯10之側壁。排氣路徑80係於特定方向(X方向)上隔開間隔而設置有複數個。

如圖2所示，將熔融玻璃30成形為帶板狀而成之板狀玻璃100係於窯10之出口14附近自熔融錫20被提拉。其後，板狀玻璃100經過緩冷步驟、切斷步驟、研磨步驟等而成為作為製品之浮式玻璃。

另外，浮式玻璃存在以表面之去污、表面之粗糙化等為目的，而利用緩衝氫氟酸(BHF)進行表面處理之情形。BHF為將氫氟酸(HF)與氟化銨(NH₄F)混合而成之藥液。

本發明者等人藉由實驗發現，BHF處理後之霧度(haze)受熔融玻璃30上之環境40之組成影響。又，本發明者等人研究BHF處理後之霧度為閾值以上之浮式玻璃之組成而發現，於浮式玻璃中之硫濃度或氯濃度與霧度之間存在關聯。

因此，為抑制因BHF處理所致之霧度上升，於本實施形態中，將環境40中包含硫或氯之添加物質之濃度於熔融玻璃30之至少一部分之上方設為1 mg/Nm³以上(較佳為5 mg/Nm³以上)。「Nm³」為標準立方米，表示換算為標準狀態(1大氣壓、0℃)之每1 m³之氣體之體積。又，於本說明書中，以下同樣地將硫及氯統稱為「添加物質」。推定上述添加物質之存在會抑制暴露於環境40中之頂面之分相，使頂面之組織均勻。由於頂面之組織變均勻，故而亦可提高浮式玻璃之強度。

頂面之組織容易受環境40之高溫部分之組成影響，因此，為充分獲得上述効果，較佳為環境40中之添加物質之濃度至少於熔融玻璃30之黏度為10⁶ dPa．s以下之位置之上方為1 mg/Nm³以上。更佳之範圍為5 mg/Nm³以上。

此處，作為熔融玻璃30之黏度，使用熔融玻璃30之寬度方向中央之黏度作為代表值。由於熔融玻璃30之溫度於寬度方向(Y方向)上大致均勻，故而熔融玻璃30之黏度亦於寬度方向上大致均勻。再者，較熔融玻璃30之寬度方向中央之黏度為10⁶ dPa．s之位置靠下游側(低溫側)之添加物質濃度無特別限定，可為1 mg/Nm³以上，亦可未達1 mg/Nm³。

另一方面，若環境40中之添加物質之濃度過量，則產生固體之硫化物或氯化物並落下至熔融玻璃30之上表面。因此，為抑制硫化物或氯化物之落下，環境40中之添加物質之濃度較佳為於硫之情形時為10 mg/Nm³以下、於氯之情形時為20 mg/Nm³以下。

環境40中之添加物質主要以化合物之氣體之形式存在。作為化合物，例如可列舉硫化氫(H₂S)等硫化物或氯化氫 (HCl)等氯化物。關於環境40中之硫濃度、氯濃度之測定方法，之後進行敍述。

作為調節環境40中之添加物質之濃度之方法，無特別限定，例如存在下述(1)~(2)之方法。

(1)之方法係調節熔融錫20中之添加物質之濃度之方法。熔融錫20中之添加物質之濃度越高，則自熔融錫20向環境40中釋放之硫或氯之量越增加，故而環境40中之添加物質之濃度變高。

熔融錫20中之添加物質之濃度之調節係藉由對熔融錫20供給硫或硫化合物或者氯化合物而實現。該供給只要於熔融錫20之上表面中之由熔融玻璃30覆蓋之部分進行，便可於窯10內之任意位置實施。其原因在於：伴隨熔融玻璃30之流動，熔融錫20亦流動，故而熔融錫20均質化。

作為硫化合物，例如使用有硫化錫(SnS)等硫化物、硫酸鈣(CaSO₄)等硫酸鹽，且硫之價數無特別限定。於該等中，較佳為可抑制熔融錫20之污染、變質且沸點較高之硫化錫。作為氯化合物，例如使用有氯化錫(SnCl₂)、次氯酸鈉(NaClO)等，於該等中較佳為可抑制熔融錫20之污染、變質且沸點較高之氯化錫。

熔融錫20中之添加物質之濃度係根據窯10之容量或構成、環境40之供氣速度或排氣速度等而設定，例如為1質量ppm以上。藉此，可使環境40中之添加物質之濃度於熔融玻璃30之至少一部分之上方成為1 mg/Nm³以上。

於添加物質為硫之情形時，熔融錫20中之硫濃度較佳為 3質量ppm以上。於添加物質為氯之情形時，熔融錫20中之氯濃度較佳為5質量ppm以上。

又，為抑制硫化錫附著於底面、頂面而成為缺點，熔融錫20中之硫濃度宜為30質量ppm以下。

(2)之方法係調節成為熔融玻璃30之玻璃原料中之添加物質之濃度之方法。玻璃原料中之添加物質之濃度越高，則自熔融玻璃30向環境40中釋放之添加物質之量越增加，故而環境40中之添加物質之濃度變高。作為添加物質之釋放路徑，存在經由熔融錫20之路徑、及不經由熔融錫20之路徑。

玻璃原料中之添加物質之濃度之調節係藉由對玻璃原料添加硫或硫化合物或者氯化合物而實現。作為硫化合物，例如使用有硫化錫(SnS)等硫化物、硫酸鈣(CaSO₄)等硫酸鹽，且硫之價數無特別限定。作為氯化合物，使用有氯化鈣(CaCl₂)。

玻璃原料中之添加物質係大部分向熔解爐內之環境中釋放，一部分向窯10內之環境中釋放，剩餘部分包含於板狀玻璃100、進而包含於浮式玻璃中。

對玻璃原料之硫或硫化合物或者氯化合物之添加量係根據殘留於浮式玻璃中之添加物質之濃度、窯10之容積或構成、環境40之供氣速度或排氣速度等而設定，例如以浮式玻璃中之殘留硫濃度成為100原子ppm以上之方式、或殘留氯濃度成為0.3質量%以上之方式進行設定。藉此，與(1)之方法同樣地，可使環境40中之添加物質濃度於熔融玻璃 30之至少一部分之上方成為1 mg/Nm³以上。

熔融玻璃30之溫度越高，則自熔融玻璃30向環境40中釋放之添加物質之量越增加。如圖2所示，於在熔融玻璃30之流動方向(X方向)上隔開間隔而設置有複數個排氣路徑80之情形時，由於氣體難以向X方向流動，故而環境40中之添加物質之濃度成為與熔融玻璃30之溫度成正比之值，且成為越靠上游側(高溫側)越高之值。

於浮式玻璃中之添加物質為硫之情形時，硫濃度較佳為100原子ppm以上，更佳為200原子ppm以上。於浮式玻璃中之添加物質為氯之情形時，氯濃度較佳為0.3質量%以上，更佳為0.5質量%以上。

又，為限制熔融玻璃30之發泡、進而減少浮式玻璃之缺陷，浮式玻璃中之硫濃度為2000原子ppm以下即可。氯濃度係與上述同樣地，為了限制熔融玻璃30之發泡、進而減少浮式玻璃之缺陷，而為1.0質量%以下即可。

浮式玻璃於用作液晶顯示器用之基板之情形時，由實質上不含有鹼金屬氧化物之無鹼玻璃構成。其原因在於：鹼金屬氧化物會對液晶顯示器之顯示特性產生不良影響。

例如，浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO₂：50~66%、Al₂O₃：10.5~24%、B₂O₃：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、ZrO₂：0~5%、SnO：0~3%，且MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。

又，浮式玻璃較佳為以氧化物基準之質量百分率表示， 含有SiO₂：58~66%、Al₂O₃：15~22%、B₂O₃：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、SnO：0~1%，且MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。

以上，已對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不受上述實施形態限制。於不脫離本發明之範圍之情況下可對上述實施形態施加各種變形及置換。

例如，上述實施形態之浮式玻璃之玻璃之種類為無鹼玻璃，但本發明不限定於此。例如，浮式玻璃之玻璃之種類亦可為鹼石灰玻璃。

於鹼石灰玻璃之情形時，較佳為以下述氧化物基準之質量百分率表示，具有SiO₂：65~75%、Al₂O₃：0~3%、CaO：5~15%、MgO：0~15%、Na₂O：10~20%、K₂O：0~3%、Li₂O：0~5%、Fe₂O₃：0~3%、TiO₂：0~5%、CeO₂：0~3%、BaO：0~5%、SrO：0~5%、B₂O₃：0~5%、ZnO：0~5%、ZrO₂：0~5%、SnO₂：0~3%、SO₃：0~0.5%之組成。

實施例

以下，藉由實施例等具體說明本發明，但本發明並不受該等例限定。

[各種資料之測定方法] (窯內之環境中之硫濃度、氯濃度)

窯內之環境係以泵對插通窯之側壁之石英管內進行抽吸而獲得。抽吸速度設為2 NL/min(=2×10^-3 Nm³/min)，總抽吸量設為100 NL(=0.1 Nm³)。

石英管之長度為120 cm，且石英管之吸入口配置於自窯之內壁面起算70 cm內側之位置。石英管之吸入口配置於熔融玻璃之寬度方向中央之黏度為1×10⁵ dPa．s之位置之側方。石英管之一部分於窯之外部露出，且自石英管之外側以乾冰進行冷卻。

窯內之環境於通過石英管內之過程中經乾冰冷卻後，於衝擊採樣器(impinger)管內之水中進行起泡，並向外部氣體中釋放。環境中之複數種成分中之沸點較高之成分凝集於石英管之經乾冰冷卻之部分，沸點較低之成分被衝擊採樣器管內之水捕獲。

於添加物質為硫之情形時，以鹽酸對石英管內進行清洗之清洗液中之硫之質量、及衝擊採樣器管內之水中之硫之質量係分別以ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)分光測定裝置(Seiko Instruments公司製造，SPQ9600)進行測定。於添加物質為氯之情形時，使用鹼性溶液代替鹽酸對石英管內進行清洗。

窯內之環境中之添加物質之濃度(mg/Nm³)係將經ICP分光測定裝置測定之添加物質(硫或氯)之質量之合量(mg)除以泵抽吸之總抽吸量(Nm³)而算出。

再者，窯係與圖2所示之窯10同樣之構成，且於X方向上隔開間隔而設置有複數個排氣路徑，因此越為熔融玻璃之上游側，環境中之添加物質之濃度越高。

(熔融錫中之添加物質之濃度)

測定用試樣係利用充分冷卻之鐵製之有柄勺汲取窯內之 熔融錫(具體而言為熔融錫)後，進行急冷而製作。汲取熔融錫之位置設為熔融玻璃之寬度方向中央之黏度為1×10⁵ dPa．s之位置之側方。

測定用試樣中之硫濃度係藉由碳、硫分析裝置(堀場製作所公司製造，EMIA-920V)而測定。該碳、硫分析裝置係使用IR(紅外線分光)檢測器對使測定用試樣於氧氣流中燃燒之燃燒氣體進行分析之裝置。

再者，熔融錫中之硫濃度與汲取熔融錫之位置無關而為固定。其原因在於：如上所述，伴隨熔融玻璃之流動，熔融錫亦流動，故而熔融錫均質化。

測定用試樣中之氯濃度係藉由輝光放電式質量分析(Glow Discharge Mass Spectrometry：GDMS)裝置(堀場製作所公司製造之GD-Profiler2)而測定。該GDMS分析裝置係藉由利用Ar電漿使試料濺鍍，並使經濺鍍之原子進行原子發光而進行元素分析。

(浮式玻璃中之添加物質之濃度)

浮式玻璃中之添加物質之濃度係藉由螢光X射線分析裝置(Rigaku公司製造，ZSX100e)而測定。測定部位設為底面與頂面之間之中央。

(浮式玻璃之BHF處理後之霧度)

準備底面經研磨之浮式玻璃作為試驗片。頂面未研磨。

將試驗片浸漬於25℃之BHF之溶液中20分鐘進行表面處理。作為BHF之溶液，使用將HF：5質量%之水溶液10質量份、與NH₄F：40%質量之水溶液90質量份混合而成之溶 液。

試驗片經BHF處理後，依序浸漬於自來水、蒸餾水、IPA(Isopropyl alcohol，異丙醇)中進行清洗，乾燥後供於霧度之測定。

BHF處理後之試驗片之霧度(JIS(Japanese industrial standards，日本工業標準)K 7136：2000(ISO(International Standards Organization，國際標準組織)14782：1999))係以霧度計(日本電色工業公司製造，NDH500)進行測定。所謂「霧度」，係指通過試驗片之透射光中之藉由前向散射而自入射光偏離2.5°以上之透射光之百分率。穿透試驗片之光之光軸設為與試驗片之板厚方向平行。

(浮式玻璃之強度)

準備底面經研磨之浮式玻璃(板厚為0.7 mm)作為試驗片。頂面未研磨。

使試驗片之頂面朝下而載置於圓環狀之環上，以中心配置於環之中心線上之球按壓試驗片之底面，測定試驗片破裂時之荷重W，並基於下述式(1)算出試驗片之強度。S=5.2521×W-2.5672………(1)式(1)中，S表示試驗片之強度(GPa)，W表示破裂荷重(kN)。再者，環之剖面形狀設為直徑5 mm之圓形狀，環之上端緣之直徑設為30 mm。又，球之直徑設為10 mm。

[例1~例7]

於例1~例7中，除改變玻璃原料之調配以外，同樣地製造浮式玻璃。各玻璃原料係改變於混合有複數種原料之基 材中之硫酸鹽(CaSO₄)或氯化物(CaCl₂)之添加量而製備。

例1、例4及例7為比較例。例2、例3、例5及例6為實施例。又，將例1至例6中之硫酸鹽、氯化物之添加量設為微量，將例7中之硫酸鹽、氯化物之添加量設為0。因此，各例中獲得之浮式玻璃具有大致相同之組成，且例4中獲得之浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO₂：59.5%、Al₂O₃：17%、B₂O₃：8%、MgO：3.3%、CaO：4%、SrO：7.6%、BaO：0.1%、ZrO₂：0.1%，且MgO+CaO+SrO+BaO：15%，剩餘部分為不可避免之雜質，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。

關於例1~例7之浮式玻璃之上述資料係於窯內之環境中之添加物質之濃度穩定後進行測定。將測定結果示於表1。

本申請案係基於2011年7月20日提出申請之日本專利出願2011-159288者，其內容係作為參照被引用於此。

10‧‧‧浮拋窯

12‧‧‧浮拋窯之入口

14‧‧‧浮拋窯之出口

20‧‧‧熔融錫

30‧‧‧熔融玻璃

40‧‧‧環境

50‧‧‧溢流唇

60‧‧‧加熱器

70‧‧‧供氣路徑

80‧‧‧排氣路徑

100‧‧‧板狀玻璃

圖1係本發明之一實施形態之浮式玻璃之製造方法之說明圖，且係浮拋窯之俯視剖面圖。

圖2係圖1之浮拋窯之側視剖面圖。

10‧‧‧浮拋窯

12‧‧‧浮拋窯之入口

14‧‧‧浮拋窯之出口

20‧‧‧熔融錫

30‧‧‧熔融玻璃

50‧‧‧溢流唇

100‧‧‧板狀玻璃

Claims (6)

1. 一種浮式玻璃之製造方法，其係包括使熔融玻璃一面於浮拋窯內之熔融錫上沿特定方向流動一面冷卻而成形為帶板狀之步驟者，且上述熔融玻璃上之環境為包含氫氣之還原環境，於該環境中含有包含硫或氯之添加物質，且上述環境中之添加物質之濃度至少於上述熔融玻璃之黏度為1×10⁶dPa．s以下之位置之上方為1mg/Nm³以上，於硫之情形時為10mg/Nm³以下，於氯之情形時為20mg/Nm³以下。
2. 如請求項1之浮式玻璃之製造方法，其中上述添加物質為硫，且上述浮式玻璃中之硫之濃度為100原子ppm以上。
3. 如請求項1或2之浮式玻璃之製造方法，其中上述添加物質為氯，且上述浮式玻璃中之氯之濃度為0.3質量%以上。
4. 如請求項1或2之浮式玻璃之製造方法，其中上述浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO₂：50~66%、Al₂O₃：10.5~24%、B₂O₃：0~12%、MgO：0~8%、CaO：0~14.5%、SrO：0~24%、BaO：0~13.5%、ZrO₂：0~5%、SnO：0~3%，且MgO+CaO+SrO+BaO：9~29.5%，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。
5. 如請求項4之浮式玻璃之製造方法，其中上述浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO₂：58~66%、 Al₂O₃：15~22%、B₂O₃：5~12%、MgO：0~8%、CaO：0~9%、SrO：3~12.5%、BaO：0~2%、SnO：0~1%，且MgO+CaO+SrO+BaO：9~18%，鹼金屬氧化物之含量之合量為0.1%以下。
6. 如請求項1或2之浮式玻璃之製造方法，其中上述浮式玻璃以氧化物基準之質量百分率表示，為SiO₂：65~75%、Al₂O₃：0~3%、CaO：5~15%、MgO：0~15%、Na₂O：10~20%、K₂O：0~3%、Li₂O：0~5%、Fe₂O₃：0~3%、TiO₂：0~5%、CeO₂：0~3%、BaO：0~5%、SrO：0~5%、B₂O₃：0~5%、ZnO：0~5%、ZrO₂：0~5%、SnO₂：0~3%、SO₃：0~0.5%。