TWI541135B - 網狀構造體、其製造方法及印刷用孔版 - Google Patents

Description

網狀構造體、其製造方法及印刷用孔版

本發明係關於一種網狀構造體及其製造方法。

本申請案係主張基於日本專利申請2012-236438(2012年10月26日提出申請)之優先權，其內容係藉由參照而作為整體併入本說明書中。

先前，作為此種網狀構造體，提出有為了防止構成網之纖維絲之交點偏移而與該交點一體地形成金屬鍍膜之印刷用網。此種印刷用網有於鍍敷製程中淤渣或異物混入至鍍膜之情況，其結果，有於網之表層產生凹凸而導致印刷品質之劣化之情況。因此，提出藉由研磨形成有金屬鍍膜之絲網而維持印刷面側之平滑性，防止印刷品質之劣化者(例如參照日本專利特開平9-80756號公報)。

然而，於此種研磨鍍膜之方法中，例如對形成於纖維絲之直徑為10-30μm左右之絲網的厚度數μm之金屬鍍膜進而僅研磨混入有淤渣或異物之一部分，故而要求非常高精度之研磨處理，必需高成本之設備。又，於鍍敷製程中，若鍍膜於網之開口部析出而堵塞開口部，則例如於印刷用網中會導致印刷品質嚴重變差，但於研磨鍍膜之方法 中，非常難以研磨網之開口部之鍍膜。關於網狀構造體，要求強化網之接合部分(纖維絲之交點)，並且抑制起因於鍍膜之品質之劣化。

本發明之各種實施形態之目的之一在於提供一種強化網之接合部分，並且抑制由鍍膜導致之品質之劣化的網狀構造體。本發明之各種實施形態之其他目的可藉由參照本說明書整體而明確。

本發明之一實施形態之網狀構造體具備：由纖維絲形成之網、至少形成於上述網之一面之具有絕緣性之絕緣膜、及形成於上述網中之包含上述纖維絲之交點之部分的鍍膜。

本發明之一實施形態之印刷用孔版具備上述本發明之一實施形態之網狀構造體，且係將上述網之上述一面作為對印刷物之轉印面配置而構成。

本發明之一實施形態之網狀構造體之製造方法具備如下步驟：步驟(a1)，準備由纖維絲形成之網；步驟(b1)，至少於上述網之一面形成具有絕緣性之絕緣膜；及步驟(c1)，於上述網中之包含上述纖維絲之交點之部分形成鍍膜。

本發明之另一實施形態之網狀構造體之製造方法包括如下步驟：步驟(a2)，準備由纖維絲形成之網；步驟(b2)，於上述網中之包含上述纖維絲之交點之部分形成鍍膜；步驟(c2)，至少於上述網之一面形成具有絕緣性之絕緣膜；及步驟(d2)，自藉由上述步驟(c2)所形成之網狀構造體去除上述網之另一面之鍍膜。

根據本發明之各種實施形態，可提供一種強化網之接合部分，並且抑制由鍍膜導致之品質之劣化的網狀構造體。

10、20‧‧‧網狀構造體

12‧‧‧網

14‧‧‧絕緣膜

16‧‧‧鍍膜

圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之網狀構造體的剖面 圖。

圖2係實施例1-1之正面之CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)照片。

圖3係實施例1-1之背面之CCD照片。

圖4係背面形成有電解鍍Ni皮膜之實施例1-2之正面之CCD照片。

圖5係實施例1-3之剖面照片。

圖6係鍍Ni皮膜剝離之狀態之實施例7之不鏽鋼板之表面之CCD照片。

對本發明之各種實施形態參照隨附圖式進行說明。該等圖式中，對同一或類似之構成要素係附以同一或類似之參照符號，並適當省略對該同一或類似之構成要素之詳細說明。

圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之網狀構造體10之剖面圖。一實施形態之網狀構造體10如圖所示，具備編入纖維絲而形成之網12、形成於網12之上表面側(一面側)之絕緣膜14、及形成於網12之下表面側(另一面側)之鍍膜16，可用於印刷用孔版、分級用篩、洗淨用/鍍敷用容器、及過濾器等多種用途中。再者，圖1係示意性地表示本發明之一實施形態之網狀構造體10之構成者，請注意其尺寸未必正確地圖示之方面。

一實施形態之網12例如係編入包含鋼鐵等金屬、不鏽鋼等金屬合金等之纖維絲而構成。作為網12，例如可使用線徑15μm、厚度23μm、網開口部寬度24.7μm、網目數640(於1英吋寬度存在640根網)之網。網12之材料、線徑、網目數、網開口部之大小之均勻性、網開口部之位置等規格並不限定於此處所述者，可根據詳細之用途(例如用於印刷用絲網之情形時之印刷方法、印刷圖案、印刷對象、要求之耐久性等)而適當變更。例如，網12之材質可包含可形成絕緣膜14、鍍 膜16之各種原材料。具體而言，一實施形態中之絕緣膜14及鍍膜16可利用各種樹脂原材料所公知之方法形成，因此網12可為包含聚丙烯、聚酯等各種樹脂之網。進而，亦可對網12之表層預先進行濕式鍍敷處理、噴砂處理或搪光處理、蝕刻處理等粗化處理，或電解研磨處理、複合電解研磨處理等平滑化之改質。

絕緣膜14於一實施形態中為金屬氧化物膜或非晶質碳膜，係利用公知之PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)法或CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等使用電漿之乾式製程形成於網12之一面。又，亦可製成利用大氣壓電漿及準大氣壓電漿等形成之聚合物狀之絕緣性碳膜等。此處，公知作為一實施形態中之絕緣膜14之一例之非晶質碳膜之電阻率(體積電阻率)為約10⁶~10¹¹Ω‧cm，但絕緣膜14例如對於具有多種線徑或開口徑、網目數之網12，或對於根據多種印刷用途而適當選定之網12，只要形成於欲抑制鍍敷覆膜之形成之部分即可，因此其電阻率及膜厚並無特別限定。然而，關於絕緣膜14之膜厚之下限，亦取決於網12之面粗度等，但若考慮到絕緣膜14之覆膜之連續性等，則其膜厚較佳為約50nm~120nm以上。又，關於絕緣膜14之膜厚之上限，若過厚，則會導致網12之線徑之增大、絕緣膜14之延伸性之劣化等，生產性亦變差，因此較佳為約1μm~未達3μm。

絕緣膜14可利用直線性較高之電漿乾式製程形成，於該情形時，可藉由將網12之一面朝向電漿源，將另一面例如固定配置於板狀之平滑之板治具等而形成。於此種電漿乾式製程中，例如與利用濕式鍍敷法等將液體用作皮膜原料之方法形成絕緣皮膜之情形相比，無須將網12投入至浴槽等，不會於網12之正背整面附著包含液體之絕緣材料，進而實質上不易產生將上述包含液體之絕緣膜14之原料進行塗佈或噴霧之情形時等可能產生之由包含液體之絕緣材料之表面張力或自 網開口部之毛細現象導致不需要之絕緣皮膜繞至網12之背側(另一面)等。如此，藉由使用電漿乾式製程，可簡便且有效地抑制絕緣皮膜繞至網12之背側。

又，於電漿乾式製程中，藉由控制電場或形成之膜厚而控制絕緣膜14對網纖維絲之被覆率(繞至網12之背側之情況)，或利用網12與板治具之間被遮蔽之空間而抑制電漿產生，藉此可於網12之所需之面形成絕緣膜14。進而，藉由利用電漿乾式製程形成絕緣膜14，可容易地製成數nm-數百nm程度之薄膜，可抑制網12中之纖維絲徑等之尺寸變形。又，於利用電場之電漿乾式製程中，公知於具有凹凸之基材係自凸部先形成絕緣膜14。因此，藉由控制利用電場之電漿乾式製程中之成膜條件或膜厚，可於網12之凸部即纖維絲之交點之頂點附近先成膜，將該部分之絕緣膜14較厚地形成，更進一步抑制纖維絲之交點之頂點附近之其後之鍍膜16之析出。

關於網12之開口部附近之纖維絲，絕緣膜14亦可形成於相當於網12之開口部之剖面部分的網纖維絲之部分、或繞至一部分背側而形成。如此，可抑制於網12之開口部附近形成鍍膜16。再者，於使絕緣膜14亦繞至網12之一部分背側形成之情形時，亦有極微量之原料氣體成分或活性種擴散至網12背面側之表層，該等利用元素分析而極微量地被檢測到的情況，但由於極微量，故而實質上不會導致阻礙其後鍍膜16之析出等問題。即，本發明之一實施形態中之網狀構造體10包括如下者：其包含有意使絕緣膜14繞至鍍膜16側形成之情形或無意使絕緣膜14繞至鍍膜16側形成之情形在內，在形成絕緣膜14之面(一面)上之絕緣膜14之被覆率或皮膜體積大於形成鍍膜16之面(另一面)上之絕緣膜14之被覆率或皮膜體積的狀態下形成絕緣膜14。

於利用非晶質碳膜形成絕緣膜14之情形時，例如可將乙炔等烴氣用作原料氣體而藉由電漿CVD法形成。該非晶質碳膜可包含O、 N、或Si中之至少一種元素。含有Si之非晶質碳膜例如係使用預先含有Si之烴系氣體的四甲基矽烷、甲基矽烷、二甲基矽烷、三甲基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷、及四甲基環四矽氧烷等原料氣體，進而係使用於上述預先含有Si之氣體中進而混合乙炔等烴系之氣體而成之混合氣體，藉由電漿CVD法形成。例如，含有O之非晶質碳膜係藉由將乙炔等烴氣電漿化而形成非晶質碳膜後，照射氧氣電漿之方法；進而係藉由於包含Si之烴系之原料氣體、或包含Si之原料氣體與烴系之原料氣體之混合氣體中以一定比率進而混合氧氣、或包含氧氣之二氧化碳氣體等並形成皮膜之方法等電漿CVD法形成。含有氮之非晶質碳膜係藉由將烴氣電漿化而形成非晶質碳膜後，照射氮氣電漿之方法；進而係藉由於乙炔等烴系之原料氣體中以一定比率混合氮氣並形成皮膜之方法等電漿CVD法而形成。一實施形態中之非晶質碳膜中亦可於無損其絕緣性之範圍，在不脫離本發明之主旨之範圍內混合O、N、Si以外之各種元素。又，非晶質碳膜亦可利用配置有固態之碳靶之濺鍍法等各種公知之乾式製程而形成。藉由利用非晶質碳膜形成絕緣膜14，可提昇絕緣膜14對網12之表層之密接性。此係基於非晶質碳膜之延伸性亦取決於膜厚，為3-5%左右。

進而，藉由於形成非晶質碳膜後，將包含氧氣及/或氮氣之原料氣體電漿化並進行照射，可提昇非晶質碳膜與水之潤濕性。於將具備具有親水性之非晶質碳膜之網狀構造體10用於印刷用孔版之情形時，可提昇作為印刷用孔版之主要之構成材料的水溶性乳劑對網12之潤濕性，抑制孔版製造時之氣泡之產生，提昇孔版之構造強度。又，藉由於非晶質碳膜含有Si，亦可使形成於表層之矽烷醇基等官能基發揮作用而提昇與印刷用乳劑之密接性。

一實施形態中之絕緣膜14不僅可表現出作為下述鍍膜16之析出防止皮膜之功能，亦可表現出各種獨特之功能。例如，包含非晶質碳 膜之絕緣膜14由於UV(Ultra Violet，紫外線)光之散射防止性較高，因此例如於將一實施形態中之網狀構造體10用作印刷用孔版材料之情形時，對塗佈於網狀構造體10之乳劑藉由光微影法利用UV光進行圖案描繪時，可防止UV光之散射，其結果，可提昇圖案描繪之精度。進而，於將網狀構造體10用作分級用之篩、洗淨用之旋轉籃等之情形時，可對網12賦予較高之耐磨耗性或滑動性、防軟質金屬凝結附著性。

又，藉由於形成絕緣膜14後，形成鍍膜16前，於絕緣膜14之表層以20nm左右之薄膜形成氟矽烷偶合劑等，可以對其後必需鍍膜16之部分上之析出形成無影響之厚度進行具有絕緣性之撥水性之塗佈。藉此，可進一步抑制於形成鍍膜16時於絕緣膜14之表層析出鍍膜16。

亦可將絕緣膜14設為包含矽氧化物、鈦氧化物、鋁氧化物、鋯氧化物者，於該情形時，亦可牢固地固定含氟偶合劑等各偶合劑。藉由於絕緣膜14上之至少一部分形成包含偶合劑之塗佈薄膜，亦可進行網12之表面改質(撥水性、撥水撥油性之提昇)。

於一實施形態中，鍍膜16可採用根據用途、用法之各種公知之無電解鍍敷皮膜、電解鍍敷皮膜。又，鍍膜16亦可為合金等之鍍敷皮膜。例如可列舉鍍Ni-Co合金、鍍Ni-W合金等作為較佳之例。進而，亦可為包含複數層鍍層之積層鍍敷。於一實施形態中，例如係藉由電解鍍Ni法或電解鍍Cr法而形成，將網12之纖維絲彼此上下交叉之部分(交點部分)固定。藉此，抑制纖維絲於交點部分偏移。藉由如此利用鍍金屬皮膜固定網纖維絲，例如與利用金屬氧化物皮膜之接合、或利用非晶質碳膜、玻璃等陶瓷覆膜之接合、藉由對金屬纖維絲交點部以700℃左右加熱之同時進行加壓而使網纖維絲間之金屬擴散並一體化的擴散接合等相比，可對網12之接合部賦予與適當選擇並析出之鍍敷皮膜材料相應之金屬韌性、延展性。又，利用濕式鍍敷法之交點部之 接合例如可以電解鍍Ni浴槽之溫度為50~60℃左右之方式，於相對低溫、常壓之環境下進行，因以高溫加熱網之纖維絲而改變其延展性等物性、或因氧化而改變表面之潤濕性等之情況較少。進而，於利用接著劑等之接合之情形時，亦有接著劑因表面張力而潤濕擴散至網之開口部，於整個網之開口部覆膜之情況，但於鍍金屬皮膜之情形時，可以無遺漏地包入具有複雜形狀之網纖維絲之交點部分之表層的形態接合。進而，濕式鍍敷法廉價且成膜速率亦較高，生產性非常高。

鍍膜16亦可如上所述利用公知之方法形成於樹脂網上。例如於網12包含聚丙烯、聚酯等樹脂原材料之情形時，亦可利用公知之方法實現對作為基材之網12之表層實施搪光處理、Pd處理、噴砂處理等作為鍍敷前處理後，形成無電解鍍Ni皮膜作為鍍膜16。

於一實施形態中，絕緣膜14發揮作為形成鍍膜16時之遮蔽膜之功能。具體而言，一實施形態中之網狀構造體10係首先於網12之一面形成絕緣膜14，其後，將形成有絕緣膜14之網12投入至鍍敷浴槽中而形成鍍膜16。於該鍍敷處理時，絕緣膜14係由具有絕緣性之金屬氧化物、或非晶質碳膜等形成，該等由於不易析出鍍敷，與鍍敷之密接性亦較差，因此難以於絕緣膜14上形成鍍膜16，而於另一面形成鍍膜16，固定網12之纖維絲之交點部分。又，即便於因針孔或絕緣性不足而於絕緣膜14上析出鍍敷之情形時，亦與於金屬膜上析出鍍敷之情形相比，可藉由超音波洗淨或利用膠帶之貼附剝離、利用乾擦等之摩擦等適當之方法容易地去除鍍膜。又，於如上所述將鍍敷皮膜用於網纖維絲之交點接合之情形時，難以使鍍敷皮膜之成長具有各向異性，於網之纖維絲之周圍大致均等地形成鍍敷皮膜，線徑變粗，又，由於係於浴槽中形成，故而亦難以控制析出部位，進而亦有夾帶於浴槽中產生之淤渣並形成皮膜之情況。然而，本發明之一實施形態之網12之形成有絕緣膜14之面不會形成此種鍍膜16，故而可維持網纖維絲之初期 尺寸或網12之平滑性。又，藉由使絕緣膜14於網12之開口部附近亦繞至形成鍍膜16之側(例如構成網12之開口部貫通口剖面部分之網12纖維絲部分)而形成，亦可抑制於該開口部附近形成鍍膜16而堵塞開口部。再者，本發明之一實施形態中之網狀構造體10包含以形成鍍膜16之面(另一面)上之鍍膜16之被覆率或被覆體積大於形成絕緣膜14之面(一面)上之鍍膜16之被覆率或被覆體積之狀態形成鍍膜16者。

以如上所述之方式構成之一實施形態之網狀構造體10藉由鍍膜16而固定網12之纖維絲之交點部分，故而可抑制網纖維絲之交點部分之偏移。又，網狀構造體10之絕緣膜14與鍍膜16等相比可較薄地形成，鍍敷製程之類之淤渣或異物之混入亦較少。因此，例如於將一實施形態之網狀構造體10用作印刷用孔版之情形時，藉由將該形成有絕緣膜16之側以面向對印刷物之轉印面(印刷基板側、印刷轉印片材側)之方式配置，可抑制印刷品質之劣化，尤其是於薄膜印刷中有利。進而，網12中之纖維絲之交點部分藉由鍍膜16而被固定，因此即便進行利用反覆推擠之印刷，亦可一併實現抑制印刷用孔版之圖案位置精度之劣化(尺寸變形)。

進而，於一實施形態中之網狀構造體10中，絕緣膜14及鍍膜16無須形成於網12之整面，亦可設為形成於網12之一部分者。例如於將一實施形態中之網狀構造體10應用於印刷用孔版之情形時，對印刷性造成影響之部分主要為印刷用孔版中之塗佈乳劑之部分或印刷圖案部，又，於將一實施形態中之網狀構造體10應用於篩之情形時，對篩之功能造成影響之部分為除對框之貼附裕量以外之部分。關於在貼紗(網)時之附加張力之時間點為必需而之後被去除之部分、與其他部分之接著用之塗設糨糊部分等，未必必須形成絕緣膜14及鍍膜16。

又，於一實施形態之網狀構造體10中，亦可設為去除絕緣膜14之態樣。絕緣膜14之去除可利用電漿濺鍍或電漿灰化、加熱氧化分 解、鹼蝕刻等方法進行。例如於將絕緣膜14設為包含碳、或氫與碳之非晶質碳膜之情形時，可藉由以氧氣為主原料之利用CVD裝置之公知之氧電漿灰化法簡單地去除絕緣膜14，亦可視需要之後利用公知之方法進行還原處理。又，於將絕緣膜14設為金屬氧化物皮膜之情形時，亦可利用將氬氣等惰性氣體用作濺鍍氣體之公知之RF(Radio Frequency，射頻)電漿濺鍍法進行蝕刻去除。如此，可更薄地形成網狀構造體10。再者，於將絕緣膜14形成為以氫與碳為主成分之非晶質碳膜之情形時，可於空氣中(氛圍中)加熱至約350℃左右等而相對容易地進行灰化去除。

繼而，對本發明之另一實施形態之網狀構造體20進行說明。另一實施形態之網狀構造體20具備可與上述一實施形態中之網狀構造體10採用相同之材質、形成方法之網12、絕緣膜14、及鍍膜16。另一實施形態中之網狀構造體20例如可預先將以胺基磺酸Ni鍍浴為主成分之Ni鍍膜16形成於網12以固定網12之纖維絲之交點部分後，於網12之一面形成包含耐酸性優異之非晶質碳膜之絕緣膜14，利用將形成有絕緣膜14之網12浸漬於包含硝酸與過氧化氫等之蝕刻液中的公知之方法將未由絕緣膜14被覆之部分之鍍Ni皮膜16溶解去除。或者於將鍍膜16例如形成為電解鍍Sn後，於網12之一面形成包含耐酸性優異之非晶質碳膜之絕緣膜14之情形時，可將上述鍍Sn藉由浸漬於酸蝕刻液中而容易地溶解去除。於將鍍膜16設為Ni鍍膜之情形時，除可將鍍膜16被溶解去除之網12之纖維絲部分恢復成最初之未處理之基材形狀以外，亦可一併去除鍍膜16中之污物等。

如此，另一實施形態中之網狀構造體20係利用鍍膜16固定網12之纖維絲之交點部分後，於一面形成絕緣膜14而被覆纖維絲之交點部分，其後，去除鍍膜16。若於網纖維絲之整面形成鍍敷皮膜，則網纖維絲之線徑變粗，例如產生使用乳劑之印刷用孔版中之印刷物之轉印 面(印刷基板側、印刷轉印片材側)上之乳劑層之厚度之增加、網開口部之堵塞等，會引起印刷用油墨之透過體積之變動。根據另一實施形態之網狀構造體20，由於去除鍍膜16，故而可解決此種問題。

[實施例]

藉由以下所述之方法確認於本發明之一實施形態中之網狀構造體中，於形成有絕緣膜14(非晶質碳膜)之面未形成鍍膜。

首先，準備8片不鏽鋼(SUS304)製#500網(500-19)。準備之網之尺寸為10cm×10cm。

於不鏽鋼製之平坦之試樣台基板上平置地配置網，利用公知之電漿CVD法以對單面側照射電漿之方式，以約50nm之膜厚形成包含Si與氧之非晶質碳膜(實施例1-1)。具體而言，進行公知之電漿前處理後，利用以三甲基矽烷氣體作為原料氣體之電漿CVD法形成包含Si之非晶質碳膜，然後以氧氣為原料，利用電漿CVD法對基材上照射氧電漿。又，將未處理之網設為比較例1-1。

利用CCD照片觀察實施例1-1之包含Si與氧之非晶質碳膜成膜側之面(正面)與試樣台基板側之面(背面)。將實施例1-1之正面之CCD照片示於圖2。如圖所示，可於整面確認到非晶質碳膜之干涉色紋，可確認到於正面形成有非晶質碳膜。將實施例1-1之背面之CCD照片示於圖3。可於整面確認到不鏽鋼質地之顏色，無法確認到非晶質碳膜之干涉色，可確認非晶質碳膜未繞至背面。

繼而，將實施例1-1及比較例1-1之網垂吊配置於以胺基磺酸Ni為主成分之鍍浴槽，於該不鏽鋼製網利用公知之方法以鍍敷電流密度1A/dm²以約3μm之厚度形成電解鍍Ni皮膜。將於實施例1-1形成鍍Ni皮膜者設為實施例1-2，將於比較例1-1形成鍍Ni皮膜者設為比較例1-2。再者，實施例1-1之網係以未形成非晶質碳膜側之面與鍍Ni槽之陽極對向之形態投入至鍍浴槽中。又，未進行與背板等貼合等背面之遮蔽 等。

利用CCD照片觀察實施例1-2之包含Si與氧之非晶質碳膜成膜側之面之電解鍍Ni皮膜之形成狀況。將CCD照片示於圖4。可確認包括網之交叉之交點部之頂點(利用軋光加工壓凹之部分)或網之纖維絲表面部在內未形成具有金屬光澤之鍍Ni。進而，利用CCD照片觀察實施例1-2之未預先成膜非晶質碳膜側之面之電解鍍Ni皮膜之形成狀況，結果可確認包含網之交叉之交點部之頂點(利用軋光加工壓凹之部分)或網之纖維絲表面部在內形成有具有金屬光澤之鍍Ni。進而，可確認以接合網之交叉之交點部之纖維絲彼此交叉之接點之方式形成有具有金屬光澤之鍍Ni。再者，關於比較例1-2，可確認兩面均形成有鍍Ni皮膜。

認為若如上所述，於不鏽鋼製網之交叉之交點部以接合交叉之纖維絲彼此之方式形成鍍Ni，則藉由鍍Ni對基材(不鏽鋼製網之纖維絲)之密接力、及跨及(連接)該交點部之鍍Ni之剛性而將網之交點部固定、補強。因此，藉由實驗確認利用鍍Ni之網之交點部之固定、補強程度。首先，將與實施例1-2之試樣相同之不鏽鋼製網試樣平置地配置於不鏽鋼製之平坦之試樣台基板上後，僅於網試樣之單面利用以三甲基矽烷氣體為原料氣體之公知之電漿CVD法以約140nm之膜厚形成包含Si之非晶質碳膜。其後，將三甲基矽烷氣體排出，形成對基材上照射氧電漿而成者。進而，以不鏽鋼製網試樣之未形成非晶質碳膜側之面成為上側(電漿源側)之方式平置地配置於不鏽鋼製之平坦之試樣台基板上後，一面對基材施加-3.5kVp之施加電壓，一面利用公知之電漿CVD法照射氬氣與氫氣之混合氣體之電漿，其後，對未形成非晶質碳膜側之面利用公知之方法進行蝕刻及還原處理(不鏽鋼表層之鈍態層部分之清潔處理)。繼而，以未形成非晶質碳膜側之面與陽極相對向之形態投入至鍍Ni浴槽，以0.5A/dm²進行15分鐘鍍Ni，將所得者 設為實施例1-3。

繼而，切除實施例1-3之網纖維絲之一部分，研磨網纖維絲之交點部之剖面後，利用電子顯微鏡進行觀察。將剖面之照片示於圖5。照片上側係於作為基材之不鏽鋼製網之纖維絲表層析出鍍Ni層之部分，可確認與基材之不鏽鋼纖維絲不同顏色之鍍Ni層。於照片上側可一併確認鍍Ni以亦繞至網之纖維絲交叉之交點部之間隙之方式填充。進而，於照片下側之網之纖維絲部分未形成鍍Ni層，網纖維絲僅係朝向照片下側，以140nm左右之膜厚形成之含有Si與氧之非晶質碳膜部分增厚。即，由於未形成如照片上側般約及3000nm之鍍Ni層，故而可確認達成維持網之纖維絲之初期尺寸，防止由形成鍍Ni層所導致之粗大化。

繼而，以寬度10mm、長度100mm、網傾斜(mesh bias)0°之形狀準備實施例1-3(一面形成非晶質碳膜，另一面析出有鍍Ni者)之不鏽鋼製網，將相同形狀之未經處理之不鏽鋼製網設為比較例2，藉由確認應力-變形圖進行拉伸強度之比較。對實施例1-3及比較例2之試樣分別夾住試樣之對向之較短之兩邊，設置於Instron公司製造之萬能材料試驗機5865型，測定對試樣之長邊單軸方向施加一定量之應力使之延伸時之試樣之變形量(延伸率)。測定結果為，以30N之應力使實施例1-3延伸時之延伸率為約0.5%，與此相對，以30N之應力使比較例2延伸時之延伸率為約0.9%，與實施例1-3相比，比較例2之變形(延伸量)為約2倍(出現較大變形)。進而，以40N之應力使實施例1-3延伸時之延伸率為約0.7%，與此相對，以40N之應力使比較例2延伸時之延伸率為約1.5%，此亦與實施例1-3相比，比較例2之變形為約2倍。進而，以50N之應力使實施例1-3延伸時之延伸率為約1%，與此相對，以50N之應力使比較例2延伸時之延伸率為約2.5%，與實施例1-3相比，比較例2之變形為約2.5倍。如此，可確認實施例1-3與比較例2相 比，可大幅抑制相對於拉伸應力之變形量。認為其係由於實施例1-3之網之纖維絲交點藉由鍍Ni而自單側固定。

再者，關於剩餘之4片網，分別製成於單面形成與實施例1-1相同之包含Si與氧之非晶質碳膜後，塗佈含氟矽烷偶合劑(Fluoro Technology股份有限公司製造，Fluorosarf FG-5010Z130-0.2)而將非晶質碳膜之表面改質為撥水撥油性而成者(實施例2)；以三甲基矽烷氣體作為原料而將含有Si之非晶質碳膜作為基底密接層形成為約20nm後，於單面進而以50nm之膜厚形成以乙炔作為原料氣體之包含氫與碳之非晶質碳膜而成者(實施例3)；以三甲基矽烷氣體作為原料氣體而於單面形成含有Si之非晶質碳膜而成者(實施例4)，利用公知之電漿CVD法以約50nm之膜厚形成實施例2、4之各種非晶質碳膜，其後，與實施例1-2同樣地利用公知之方法形成電解鍍Ni皮膜。其結果，同樣無法於各非晶質碳膜側之面確認電解鍍Ni皮膜之析出。又，關於與實施例1-2為相同內容且將非晶質碳膜之厚度增厚至120nm左右者(網之纖維絲表面之非晶質碳膜被覆率提昇者，實施例5)，同樣無法確認電解鍍Ni皮膜之析出。

關於鍍Ni覆膜向金屬氧化物覆膜之析出、及密接性

繼而，準備3片包含不鏽鋼(SUS304)之寬度40mm×長度100mm、厚度0.5mm之四邊形之板。於3片中之1片利用公知之電漿濺鍍法以約35nm形成氧化鈦皮膜，將所得者設為實施例6。進而，於3片中之1片利用公知之電漿濺鍍法以約35nm形成Al₂O₃皮膜，將所得者設為實施例7。將剩餘之未經處理之不鏽鋼板設為比較例3。具體而言，以不鏽鋼(SUS304)基材與TiO₂或Al₂O₃靶相互對抗之方式設置於SRDS-7000T型通用小型成膜裝置(Sanyu Electron製造)之設在反應容器中的轉盤，將反應容器真空排氣至1×10^-4Pa。繼而，進行基材之逆濺鍍，將流量分別為100sccm之氬氣與氧氣之混合氣體用作濺鍍氣 體，以氬氣及O₂混合氣體之氣壓10Pa、RF輸出400W、TS距離100mm、OFS 55mm、試樣台轉數10rpm之條件進行濺鍍，於各實施例之基材形成TiO₂(實施例6)Al₂O₃(實施例7)薄膜層。

繼而，將實施例6、7及比較例3之不鏽鋼板垂吊配置於胺基磺酸Ni鍍浴槽中，以1A/dm²之電流密度利用形成鍍敷皮膜之公知之方法，以於通常之不鏽鋼上以約3μm之厚度形成電解鍍Ni皮膜之條件進行鍍敷處理。由於實施例6、7中形成之金屬氧化物皮膜之膜厚較薄，故而鍍Ni皮膜除比較例3以外，亦形成於實施例6、7中形成之金屬氧化物皮膜上。其後，於實施例6、7及比較例3之不鏽鋼板之形成有鍍Ni皮膜之面貼附市售之膠帶(Kokuyo製造之Sellophane Tape T-Sk18N)並剝離，結果可確認實施例6、7之鍍敷皮膜容易地剝離，比較例3之鍍Ni皮膜未剝離。將實施例7之鍍Ni皮膜剝離之狀態之CCD照片示於圖6。於照片右側之膠帶之一部分(於照片之中央略偏左之位置上下線狀地延伸之基材(左側)與膠帶(右側)之交界起延伸至右端之部分之一部分)，可確認貼附於膠帶而自基材剝離之鍍Ni皮膜(金屬光澤部分)。 如此，即便未將絕緣層較厚地形成為抑制鍍敷析出之程度(抑制鍍敷析出所必需之厚度或以絕緣電阻計)之情形時，亦可相對簡單地剝離並除去析出於絕緣層上之鍍Ni覆膜。

10‧‧‧網狀構造體

12‧‧‧網

14‧‧‧絕緣膜

16‧‧‧鍍膜

Claims (13)

1. 一種網狀構造體，其具備：由纖維絲形成之網、至少形成於上述網之一面之具有絕緣性之絕緣膜、及至少形成於上述網之另一面中之包含上述纖維絲之交點之部分的鍍膜。
2. 如請求項1之網狀構造體，其中上述絕緣膜係以上述一面之被覆率或皮膜體積大於上述網之另一面之被覆率或皮膜體積之狀態形成於該網之兩面而成。
3. 如請求項1之網狀構造體，其中上述鍍膜係至少形成於上述網之另一面而成。
4. 如請求項3之網狀構造體，其中上述鍍膜係以上述一面之被覆率或皮膜體積小於上述另一面之被覆率或皮膜體積之狀態形成於上述網之兩面而成。
5. 如請求項1之網狀構造體，其中上述鍍膜係藉由對形成有上述絕緣膜之上述網實施鍍敷處理形成而成。
6. 如請求項1之網狀構造體，其係去除上述絕緣膜而成。
7. 如請求項1之網狀構造體，其中上述絕緣膜係形成於上述鍍膜上而成。
8. 如請求項1之網狀構造體，其中上述絕緣膜為金屬氧化物膜或非晶質碳膜。
9. 如請求項1之網狀構造體，其中上述絕緣膜係藉由乾式製程形成而成。
10. 一種印刷用孔版，其具備如請求項1之網狀構造體，且係將上述網之上述一面作為對印刷物之轉印面配置而構成。
11. 一種網狀構造體之製造方法，其包括如下步驟：步驟(a1)，準備由纖維絲形成之網；步驟(b1)，至少於上述網之一面形成具有絕緣性之絕緣膜；及步驟(c1)，至少於上述網之另一面中之包含上述纖維絲之交點之部分形成鍍膜。
12. 如請求項11之網狀構造體之製造方法，其具備步驟(d1)，自藉由上述步驟(c1)所形成之網狀構造體去除上述絕緣膜。
13. 一種網狀構造體之製造方法，其包括如下步驟：步驟(a2)，準備由纖維絲形成之網；步驟(b2)，於上述網之兩面中之包含上述纖維絲之交點之部分形成鍍膜；步驟(c2)，至少於上述網之一面形成具有絕緣性之絕緣膜；及步驟(d2)，自藉由上述步驟(c2)所形成之網狀構造體去除上述網之另一面之鍍膜。