TWI539622B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents
發光裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI539622B TWI539622B TW100131891A TW100131891A TWI539622B TW I539622 B TWI539622 B TW I539622B TW 100131891 A TW100131891 A TW 100131891A TW 100131891 A TW100131891 A TW 100131891A TW I539622 B TWI539622 B TW I539622B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- trench
- layer
- light emitting
- light
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- -1 Acryl Chemical group 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Chemical class 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PLZFHNWCKKPCMI-UHFFFAOYSA-N cadmium copper Chemical compound [Cu].[Cd] PLZFHNWCKKPCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N nickel tin Chemical compound [Ni].[Sn] CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Chemical class 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Chemical class 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) iodide Chemical compound I[Ga](I)I DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Chemical class 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020218 Pb—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHZAWAWPXXNLGB-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Pb].[Sn] Chemical compound [Bi].[Pb].[Sn] KHZAWAWPXXNLGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUQACMGBLIBRPP-UHFFFAOYSA-N [Zn][Pb][Sn] Chemical compound [Zn][Pb][Sn] RUQACMGBLIBRPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKEYULQFFYBZBG-UHFFFAOYSA-N lanthanum carbide Chemical compound [La].[C-]#[C] ZKEYULQFFYBZBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N silver titanium Chemical compound [Ti].[Ag] MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- QDEYBKUQZKVQLI-UHFFFAOYSA-N strontium(1+) Chemical compound [Sr+] QDEYBKUQZKVQLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本發明係關於一種發光裝置及其製造方法。
發光二極體(LED)之發光原理和結構與傳統光源並不相同，具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間、反應速度快等優點，再加上其體積小、耐震動、適合量產，容易配合應用需求製成極小或陣列式的元件，在市場上的應用頗為廣泛。例如，光學顯示裝置、雷射二極體、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫療裝置等。
傳統的陣列式發光二極體，如第1圖所示，包含一藍寶石絕緣基板10、複數個發光疊層12形成於藍寶石絕緣基板10上，包含一p型半導體層121、一發光層122、以及一n型半導體層123。由於藍寶石基板10不導電，因此於複數個發光疊層12之間由蝕刻形成溝渠14後可使各發光疊層12彼此絕緣，另外再藉由部分蝕刻複數個發光疊層12至n型半導體層123，分別於n型半導體層123暴露區域以及p型半導體層121上形成一第一電極18以及一第二電極16。再藉由金屬導線19選擇性連接複數個發光疊層12之第一電極18及第二電極16，使得複數個發光疊層12之間形成串聯或並聯之電路。
一種發光裝置，係包括：一載體；一發光結構，形成於載體上，其中，發光結構具有一第一表面面向載體，一第二表面相對於第一表面，以及一主動層介於第一表面及第二表面之間；複數個第一溝渠從第一表面延伸通過主動層，定義出複數個發光元件；以及複數個第二溝渠從第二表面延伸通過每一個發光元件之主動層。
一種發光裝置的製造方法，包括：提供一基板；形成一發光結構於基板，其中發光結構包括一第一表面以及一第二表面於基板上；以及藉由形成從發光結構的第一表面開始延伸的複數個第一溝渠，定義複數個發光元件；移除基板以露出第二表面；以及從第二表面形成複數個第二溝渠。
一種發光裝置，係包括：一載體；一發光結構，形成於載體上，其中，發光結構具有一第一表面面相載體，及一第二表面相對於第一表面，以及一主動層介於第一表面及第二表面之間；複數個第一溝渠從第一表面延伸通過主動層；以及複數個第二溝渠從發光結構的第二表面延伸；其中，第二溝渠露出第一溝渠部份底部。
第2A圖至第2H圖顯示根據本發明一實施例所形成之一發光二極體結構的方法。參考第2A圖，提供一基板201，此基板201的材料可以是一透明材料，例如藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧化物(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)，或電性絕緣材料，例如藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧化物(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化鋅(ZnO)、或氮化鋁(AlN)。此基板201也可以是高反射材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、錳(Mo)、銅錫(Cu-Sn)、銅鋅(Cu-Zn)、銅鎘(Cu-Cd)、鎳錫(Ni-Sn)、鎳鈷(Ni-Co)、金(Au)合金，或高散熱材料，例如類鑽碳(DLC)、石墨、碳纖維、複合材料、金屬基複合材料(MMC)、陶瓷基複合材料(CMC)、高分子複合材料(PMC)、矽(Si)、硒化鋅(ZnSe)、砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)、磷化鎵(GaP)、磷化鎵砷(GaAsP)、磷化銦(InP)、氧化鋰鎵(LiGaO2)或氧化鋰鋁(LiAlO2)。接著，一具有第一電性之磊晶層的第一半導體層202、一主動層204，以及一具有第二電性之磊晶層的第二半導體層206形成在基板201上。第一半導體層202、主動層204以及第二半導體層206在基板201上形成一發光結構208，具有一露出的第一表面208a以及一第二表面208b。第一半導體層202以及第二半導體層206的材料包括含銦元素的氮化物半導體、含鋁元素的氮化物半導體、或者含鎵元素的氮化物半導體。主動層204的材料包括以氮化鎵為基礎的材料，像是氮化銦鎵、磷化銦鎵鋁、氮化鋁鎵、砷化鋁鎵以及砷化銦鎵。
參考第2B圖，局部地施以一圖形化製程，以蝕刻去除第二半導體層206以及主動層204，直到露出第一半導體層202的表面或者部分的第一半導體層202被移除，如此從第二半導體層206的表面到第一半導體層202形成第一溝渠210以定義出複數個發光元件212。此圖形化製程包括光微影技術、蝕刻、及/或ICP。
接著，如第2C圖所示，沉積一絕緣層214以覆蓋第二半導體層206的表面以及第一溝渠210的表面，其中露出部分第一半導體層202的表面202a以及部分第二半導體層206的表面206a。露出的部分包括對應於第一半導體層202的第一連接部分(表面202a)以及對應於第二半導體層206的第二連接部分(表面206a)，在後續被用作電連接部分。此外，絕緣層214是由介電材料製成，像是氮化矽、氧化矽、氧化鋁、或者前述材料組成之化合物。
參考第2D圖，一導電結構216形成在露出的連接部分上，以電性連接一發光元件212的第一半導體層202以及另一發光元件212的第二半導體層206，其中半導體層在接下來的步驟中，被分隔成數個發光二極體，且這些被分隔的二極體以預定的連接部分電性連接起來。在形成導電結構216之前，一接點217形成在第二半導體層206上且與導電結構216相接以增強導電結構216與第二半導體層206之間的導電性。
參考第2E圖，發光結構208以一接合層223結合在一載體218上。從剖面圖看，接合層223包含一附在載體218上的基礎部分223a以及複數個對應於每一個第一溝渠210的突出部分223b。在一實施例中，接合層223可以是有機絕緣材料，像是聚亞醯胺(Polyimide)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、Su8、環氧化物(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。在另一實施例中，接合層223可以是無機絕緣材料，像是矽膠(Silicone)、玻璃、氧化鎂(MgO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氮化矽(SiNx)、或旋塗玻璃(SOG)。接合層223也可以是導電材料，像是銦錫氧化物(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵砷(GaAsP)、銦鋅氧化物(IZO)、五氧化二鉭(Ta2O5)、類鑽碳(DLC)、銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、錒(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、銀鈦(Ag-Ti)、銅錫(Cu-Sn)、銅鋅(Cu-Zn)、銅鎘(Cu-Cd)、錫鉛銻(Sn-Pb-Sb)、錫鉛鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳錫(Ni-Sn)、鎳鈷(Ni-Co)，或者金(Au)合金等。載體218的材料可以是透明材料，例如藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧化物(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)，或電性絕緣材料，例如藍寶石(Sapphire)、鑽石(Diamond)、玻璃(Glass)、環氧化物(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化鋅(ZnO)、或氮化鋁(AlN)。載體218的材料也可以是具有高光反射率的材料，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、銅錫(Cu-Sn)、銅鋅(Cu-Zn)、銅鎘(Cu-Cd)、鎳錫(Ni-Sn)、鎳鈷(Ni-Co)、金(Au)合金，或者散熱性高的材料，例如複合材料(composite materials)、金屬基複合材料(MMC)、陶瓷基複合材料(CMC)、高分子複合材料(PMC)、碳纖維(carbon fiber)、類鑽碳(DLC)、石墨(Graphite)、矽(Si)、硒化鋅(ZnSe)、砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)、碘化鎵(GaP)、碘化鎵砷(GaAsP)、碘化銦(InP)、氧化鋰鎵(LiGaO2)或是氧化鋰鋁(LiAlO2)。
接著，如第2F圖所示，發光結構208的基板201以研磨(Polishing)、雷射剝離(Laser lift-off)、及/或者蝕刻(Etching)等方式移除。
如第2G圖所示，施以一第二圖形化製程形成第二溝渠220，以劃分發光結構208成數個發光元件212。具體而言，係區域性地移除第一半導體層202以及主動層204以露出第二半導體層206的表面或是移除部分的第二半導體層206。相同地，此第二圖形化製程包括光微影技術、蝕刻、及/或ICP。其中一個第二溝渠220在後續可以用來形成接合墊。
最後，如第2H圖所示，以類似前述步驟於第二溝渠220的內側壁沉積絕緣層222。接著，在其中一個第二溝渠220中形成一導電結構224，並接續形成一接合墊226，以電性連結發光結構208裡的一發光元件212的第二半導體層206到另一發光結構的第一半體層或第二半導體層。接合墊226可以是導電結構224的一個延伸部，並具有相同的材質。在另一實施例，接合墊226的材質可以與導電結構224的材質不同。此外，如果不需要連結到另一發光結構，第二溝渠220可以填滿絕緣層222。此外，當導電結構224形成時，電性連結到第二半導體層206的第一接合墊226與形成在第一半導體層202的第二接合墊227可以用相同或者不同的步驟形成。
參考第3圖，發光裝置200包括以第一溝渠210、第二溝渠220以及第三溝渠230分隔的複數個發光元件212。在分隔前述發光結構的過程中，第一溝渠210以及第二溝渠220在第一維度方向d1分隔發光結構，第三溝渠230在垂直於第一維度方向d1的第二維度方向d2分隔發光結構。不同於第一溝渠210以及第二溝渠220，第三溝渠230完全地分隔發光結構，且發光裝置200具有複數個連接部分分別由發光元件212沿著第二維度方向d2連接而成。然而，在另一實施例中，第三溝渠230可以被一溝渠結構置換，此溝渠結構類似於第一溝渠與第二溝渠。根據前面所述，第一接合墊226以及第二接合墊227連接至半導體層不同的電性，因此第二接合墊227以及其中一個第二接合墊227可以共同連接到一電源(未顯示)。
參考第4A圖，一發光裝置303包括：一載體318；一發光結構308形成在載體318上，其中發光結構308包含一第一半導體層302、一第二半導體層306，以及一主動層304介於第一半導體層302以及第二半導體層306之間；複數個第一溝渠310，係經移除部分的第二半導體層306以及主動層304並露出第一半導體層302後形成；複數個第二溝渠320，係經移除部分第一半導體層302並露出部分第一溝渠310的底部後形成；一孔洞330，係由發光結構308之一側通過第一半導體層302以及主動層304。孔洞330包括一絕緣層322形成在孔洞330之側壁，以及一導電結構324填滿孔洞330且接觸孔洞330之底部，其中導電結構324以絕緣層322與孔洞330之側壁電性絕緣。發光裝置300可包括一第一接合墊326電性連接導電結構324，以及一第二接合墊327位於其中一個發光元件312的第一半導體層302上。第一接合墊326與第二接合墊327可同時形成。第一接合墊326也可以是導電結構324的一個延伸部，並具有相同的材質。在另一實施例，第一接合墊326的材質可以與導電結構324的材質不同。
參考第4B圖，發光結構308以第一溝渠310以及第二溝渠320在第一維度方向d1以及以第一溝渠310’以及第二溝渠320’在第二維度方向d2分隔成複數個發光元件312。發光元件312具有第一接合墊326，可以於交流(AC)電應用時作為整流，例如惠斯登電橋電路。具有第一接合墊326的發光元件312可呈現兩組整流電路共同連接到惠斯登電橋電路的共電路部分。
惟上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發明之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。
10．．．藍寶石基板
12．．．發光疊層
121．．．p型半導體層
122．．．發光層
123．．．n型半導體層
14．．．溝渠
16．．．第二電極
18．．．第一電極
19．．．金屬導線
201．．．基板
202．．．第一半導體層
204．．．主動層
206．．．第二半導體層
208．．．發光結構
210．．．第一溝渠
212．．．發光元件
214．．．絕緣層
216．．．導電結構
218．．．載體
220．．．第二溝渠
222．．．絕緣層
223．．．接合層
223a．．．基礎部分
223b．．．突出部分
224．．．導電結構
226．．．第一接合墊
227．．．第二接合墊
第1圖係顯示習知發光裝置之側視剖面視圖；
第2A圖至第2H圖係顯示本發明實施例之發光元件的製造方法；
第3圖係本發明實施例之發光單元的3維視圖；
第4A圖系本發明第二實施例之發光單元的剖面視圖；
第4B圖系本發明第二實施例之發光單元的3維視圖。
202．．．第一半導體層
206．．．第二半導體層
208．．．發光結構
212．．．發光元件
220．．．第二溝渠
222．．．絕緣層
224．．．導電結構
226．．．第一接合墊
227．．．第二接合墊
Claims (8)
- 一種發光裝置，係包括：一載體；一發光結構，形成於該載體上，其中，該發光結構具有一第一表面面向該載體，一第二表面相對於該第一表面，以及一主動層介於該第一表面及該第二表面之間；複數個第一溝渠從該第一表面延伸通過該主動層，定義出複數個發光元件；複數個第二溝渠從該第二表面延伸通過該些發光元件之該主動層，其中任一該複數個第二溝渠包含一底部、一側壁；一絕緣層形成在該任一第二溝渠之該側壁上；至少一第一導電結構填入該第二溝渠且與該第二溝渠之該底部接觸；以及一第三溝渠在垂直於該第一溝渠與該第二溝渠之維度方向分隔該發光結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更進一步包括一接合層形成於該複數個發光元件及該載體之間，該接合層包括一底座部分與該載體連接，以及複數個突出部分與每一該複數個第一溝渠對應。
- 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，更進一步包括一介電層位於該接合層與該複數個發光元件之間，及一第二導電結構位於該介電層與該接合層之間，以電性連接該複數個發光元件。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置，其中任一該複數個發光元件包括一第一半導體層介於該載體與該主動層之間，以及一第二半導體層在該主動層與該第一半導體層相對之另一側，該第一溝渠從該第二半導體層延伸到該第一半導體層，且露出該第一半導體層，以及該第二溝渠通過該第一半導體層，且露出該第二半導體層，該第二導電結構連接其中一發光元件之該第二半導體層及另一發光元件之該第一半導體層之間，且包括一接點形成在該發光元件之該第一表面上並與該第二導電結構接觸。
- 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一基板；形成一發光結構於該基板，其中該發光結構包括一第一表面以及一第二表面靠近該基板上；以及藉由形成從該發光結構的該第一表面開始延伸的複數個第一溝渠，定義複數個發光元件；移除該基板以露出該第二表面； 從該第二表面形成該複數個第二溝渠，其中任一該複數個第二溝渠包含一底部；填入一絕緣層到該複數個第二溝渠；以及形成一導電結構於該第二溝渠中，其中該導電結構以該絕緣層與該發光元件絕緣，並接觸該第二溝渠之該底部。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置的製造方法，更進一步包括在移除該基板之前，形成一介電層在該第一溝渠的側壁上、共形地在該介電層上形成複數條導線以連接該複數個發光元件、提供一載體於該些發光元件的該第一表面上，及在該複數個發光元件與該載體之間形成一接合層。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置的製造方法，其中該發光結構包括一第一半導體層形成在該基板上，一主動層形成在該第一半導體層上，及一第二半導體層形成在該主動層上，且移除部分的該第二半導體層及該主動層並露出該第一半導體層以形成該第一溝渠，以及以移除部分的該第一半導體層及該主動層並露出該第二半導體層以形成該第二溝渠，或移除部分的該第二半導體層以及該主動層並露出該第一半導體層以形成該第一溝渠，以及移除部 分的該第一半導體層並露出該第一溝渠部分底部以形成該第二溝渠。
- 一種發光裝置，係包括：一載體；一發光結構，形成於該載體上，其中，該發光結構具有一第一表面面相該載體，及一第二表面相對於該第一表面，以及一主動層介於該第一表面及該第二表面之間；複數個第一溝渠從該第一表面延伸通過該主動層，其中該第一溝渠具有一第一底部；複數個第二溝渠從該發光結構的該第二表面延伸；其中，該第二溝渠露出該第一溝渠部份第一底部；一孔洞從該第二表面延伸通過該主動層，該孔洞包括一第二底部、一側壁、以及一絕緣層形成在該孔洞之該側壁，且該第二底部未被該絕緣層覆蓋；以及一導電結構填滿該孔洞且接觸該孔洞之該第二底部。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US38025810P | 2010-09-06 | 2010-09-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201212280A TW201212280A (en) | 2012-03-16 |
| TWI539622B true TWI539622B (zh) | 2016-06-21 |
Family
ID=45595554
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100112126A TWI557934B (zh) | 2010-09-06 | 2011-04-06 | 半導體光電元件 |
| TW100131891A TWI539622B (zh) | 2010-09-06 | 2011-09-02 | 發光裝置及其製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100112126A TWI557934B (zh) | 2010-09-06 | 2011-04-06 | 半導體光電元件 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8592827B2 (zh) |
| JP (1) | JP6038436B2 (zh) |
| KR (1) | KR20120025433A (zh) |
| CN (1) | CN102386201B (zh) |
| DE (1) | DE102011053274B4 (zh) |
| TW (2) | TWI557934B (zh) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI446578B (zh) * | 2010-09-23 | 2014-07-21 | Epistar Corp | 發光元件及其製法 |
| US8241932B1 (en) | 2011-03-17 | 2012-08-14 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Methods of fabricating light emitting diode packages |
| TWI488295B (zh) * | 2012-05-25 | 2015-06-11 | Phostek Inc | 發光二極體陣列與其形成方法 |
| TWI466328B (zh) * | 2012-06-11 | 2014-12-21 | Ritedia Corp | 覆晶式發光二極體及其製法與應用 |
| JP2014096455A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具 |
| US20140151630A1 (en) * | 2012-12-04 | 2014-06-05 | Feng-Hsu Fan | Protection for the epitaxial structure of metal devices |
| TWI499091B (zh) * | 2012-12-18 | 2015-09-01 | Genesis Photonics Inc | 發光裝置 |
| DE102013103079A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| KR20140140399A (ko) * | 2013-05-29 | 2014-12-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 발광 요소들을 갖는 발광다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR20170091793A (ko) * | 2013-06-26 | 2017-08-09 | 에피스타 코포레이션 | 발광소자의 제조방법 |
| TWI566427B (zh) * | 2013-07-05 | 2017-01-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| US9614127B2 (en) | 2013-07-05 | 2017-04-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing thereof |
| DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| CN107968066B (zh) | 2013-07-29 | 2022-02-22 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体结构 |
| TWI603390B (zh) * | 2013-07-29 | 2017-10-21 | 晶元光電股份有限公司 | 選擇性轉移半導體元件的方法 |
| US9461209B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-10-04 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| US11329195B2 (en) | 2013-08-27 | 2022-05-10 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| CN110047865B (zh) * | 2013-09-03 | 2024-02-23 | 晶元光电股份有限公司 | 具有多个发光结构的发光元件 |
| KR102378952B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2022-03-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
| CN106784276B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-04-12 | 陕西科技大学 | 一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法 |
| US20200243736A1 (en) * | 2017-01-12 | 2020-07-30 | Enkris Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and fabrication method for the same |
| US10686084B2 (en) | 2017-03-01 | 2020-06-16 | Phase Sensitive Innovations, Inc. | Diamond-backed photodiodes, diamond-sandwiched photodiodes, photodiode systems and related methods of manufacture |
| CN109768134A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-17 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种发光高效率反转垂直结构高压芯片及其制备方法 |
| CN112687780B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-02-11 | 厦门三安光电有限公司 | 一种高压发光二极管芯片 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3717196B2 (ja) * | 1994-07-19 | 2005-11-16 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| JP2005322722A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード |
| US7563625B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-07-21 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
| US7221044B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-05-22 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter |
| CN1835253A (zh) * | 2005-03-17 | 2006-09-20 | 日立电线株式会社 | 发光二极管阵列 |
| KR100782129B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-12-05 | 한국광기술원 | 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드제조방법 |
| WO2008031280A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Helio Optoelectronics Corporation | Light emitting diode structure |
| KR100974923B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2010-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
| DE102008011848A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| KR20100028412A (ko) * | 2008-09-04 | 2010-03-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| JP5123269B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-23 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
| DE102008062933B4 (de) * | 2008-12-23 | 2021-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Projektionsvorrichtung |
| KR100986570B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
2011
- 2011-04-06 TW TW100112126A patent/TWI557934B/zh active
- 2011-09-02 JP JP2011191236A patent/JP6038436B2/ja active Active
- 2011-09-02 TW TW100131891A patent/TWI539622B/zh active
- 2011-09-05 DE DE102011053274.9A patent/DE102011053274B4/de active Active
- 2011-09-06 KR KR1020110089986A patent/KR20120025433A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-09-06 CN CN201110262068.3A patent/CN102386201B/zh active Active
- 2011-09-06 US US13/225,640 patent/US8592827B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-25 US US14/089,591 patent/US8847248B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102386201A (zh) | 2012-03-21 |
| CN102386201B (zh) | 2016-07-06 |
| TWI557934B (zh) | 2016-11-11 |
| DE102011053274A1 (de) | 2012-03-08 |
| KR20120025433A (ko) | 2012-03-15 |
| JP2012060115A (ja) | 2012-03-22 |
| US8847248B2 (en) | 2014-09-30 |
| JP6038436B2 (ja) | 2016-12-07 |
| US20120056212A1 (en) | 2012-03-08 |
| TW201212280A (en) | 2012-03-16 |
| US20140077238A1 (en) | 2014-03-20 |
| DE102011053274B4 (de) | 2021-03-18 |
| TW201212279A (en) | 2012-03-16 |
| US8592827B2 (en) | 2013-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI539622B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| TWI483425B (zh) | 具有複數個接觸部的發光元件 | |
| TWI540758B (zh) | 發光裝置 | |
| JP6833760B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP5864126B2 (ja) | 発光素子パッケージ | |
| TWI572054B (zh) | 高亮度發光二極體結構與其製造方法 | |
| TWI604633B (zh) | 發光元件 | |
| TWI546844B (zh) | 半導體發光元件及其製作方法 | |
| TWI589021B (zh) | 發光元件及其製法 | |
| CN107658373B (zh) | 发光二极管结构与其制造方法 | |
| CN103247732B (zh) | 具有平整表面的电流扩散层的发光元件 | |
| CN113555486A (zh) | 具有高效率反射结构的发光元件 | |
| CN110047865B (zh) | 具有多个发光结构的发光元件 | |
| TWI599070B (zh) | 具有平整表面的電流擴散層的發光元件 | |
| TWI632700B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| TWM443273U (en) | Light emitting device and package strucutre |