KR20170091793A - 발광소자의 제조방법 - Google Patents

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치-치앙 루
천-유 린
신-치 추
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Abstract

발광소자의 제조방법에 있어서, 제1 기판(201)을 제공하는 단계; 반도체 적층(202)을 제1 기판에 제공하되, 아래에서 위로의 순서로 적층된 제1 전기적 반도체층(202a), 발광층(202b) 및 제2 전기적 반도체층(202c)을 포함하고, 패턴화를 거쳐 서로 분리된 복수의 반도체 적층 블록(231, 232, 233, 234, 235)을 형성하고, 복수의 반도체 적층 블록은 제1 반도체 적층 블록 및 제2 반도체 적층 블록을 포함하는 반도체 적층을 제공하는 단계; 분리 단계를 실행하여, 제1 반도체 적층 블록 및 제2 반도체 적층 블록을 분리하되, 제1 기판에 제2 반도체 적층 블록이 잔류하도록 분리하는 단계; 제1 표면(301P1), 제2 표면(301P2) 및 제1 표면 상에 위치한 제3 반도체 적층 블록을 구비한 영구 기판(301)을 제공하는 단계; 및 제1 반도체 적층 블록 및 제2 반도체 적층 블록 중 하나를 제2 표면에 접합하는 단계를 포함한다.

Description

발광소자의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 복수의 반도체 적층 블록을 갖는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드[(Light-Emitting Diode, LED)는 에너지 소모가 적고, 발열이 적고, 작동 수명이 길고, 충격에 잘 견디고, 부피가 작고, 반응 속도가 빠른 등의 양호한 특성을 가지고 있어, 다양한 조명 및 표시 용도에 적용된다. 응용기술이 발전함에 따라, 멀티-셀(multi-cell) 발광 다이오드 소자, 즉 복수의 발광 다이오드로 구성된 소자, 예를 들어 어레이형 발광 다이오드 소자는 시중에서의 응용이 점차 넓어지고 있다. 예를 들면, 광학 표시 장치, 교통 신호 및 조명 장치 등이 있으며, 그 중 고압 발광 다이오드(High Voltage LED, HV LED)의 조명 소자가 하나의 예이다.
종래의 어레이형 발광 다이오드 소자(1)는 도 7a와 도 7b에 도시된 바와 같이, 기판(10), 2차원 방식으로 기판(10) 상에 배열되는 복수의 발광 다이오드 유닛(12)을 포함하고, 각각의 발광 다이오드 유닛(12)은 p형 반도체층(121), 발광층(122) 및 n형 반도체층(123)을 포함하는 발광 적층을 포함한다. 이들 발광 다이오드 유닛(12)은 기판(10) 상의 발광 적층에 대해 식각 공정을 실시하여, 트렌치(14)를 형성함으로써 복수의 발광 다이오드 유닛(12)으로 분리된 것이다. 기판(10)이 전기를 전도하지 않으므로, 복수의 발광 다이오드 유닛(12) 사이에 형성된 트렌치(14)는 각 발광 다이오드 유닛(12)들이 서로 절연되게 할 수 있고, 또한 발광 다이오드 유닛(12)을 n형 반도체층(123)까지 부분적으로 식각하는 것을 통해, n형 반도체층(123)의 노출 영역 및 p형 반도체층(121)에 각각 제1 전극(18) 및 제2 전극(16)을 형성한다. 그리고 도전 배선 구조(19)를 통해 복수의 발광 다이오드 유닛(12)의 제1 전극(18) 및 제2 전극(16)을 선택적으로 연결하여, 복수의 발광 다이오드 유닛(12) 사이에 직렬 또는 병렬된 회로가 형성되게 한다. 예를 들어, 직렬 회로를 형성하면, 직류 고압 발광 다이오드(High Voltage LED, HV LED)이다.
그러나, 이러한 제조 공정에 의해 형성된 소자는, 종종 각각의 발광 다이오드 유닛(12)들이 서로 방출되는 빛을 흡수함으로 인해, 소자의 전체적 휘도가 저하된다. 또한, 이러한 제조 공정에 의해 형성된 소자 중, 복수의 발광 다이오드 유닛(12)은 동일 기판의 한 영역의 발광 적층에 대해 식각 공정을 실시하여, 상기 트렌치(14)를 형성함으로써 복수의 발광 다이오드 유닛으로 분리된 것이므로, 소자와 소자 사이는 기판의 상이한 영역으로부터 형성됨으로 인해 광학적 특성 또는 전기적 특성 상에서 균일성이 좋지 않은 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 제1 기판을 제공하는 단계; 반도체 적층을 상기 제1 기판 상에 제공하되, 제1 전기적 반도체층, 상기 제1 전기적 반도체층 상에 위치하는 발광층 및 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전기적 반도체층을 포함하고, 패턴화를 거쳐 서로 분리된 복수의 반도체 적층 블록을 형성하고, 상기 복수의 반도체 적층 블록은 제1 반도체 적층 블록 및 제2 반도체 적층 블록을 포함하는 반도체 적층을 제공하는 단계; 분리 단계를 실행하여 상기 제1 반도체 적층 블록과 상기 제1 기판을 분리하되, 상기 제1 기판에 상기 제2 반도체 적층 블록이 잔류하도록 분리하는 단계; 제1 표면, 제2 표면 및 상기 제1 표면 상의 제3 반도체 적층 블록을 구비하는 영구 기판을 제공하는 단계; 및 상기 제1 반도체 적층 블록 및 상기 제2 반도체 적층 블록 중 하나를 상기 제2 표면에 접합하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 발광소자의 제조방법의 실시예에서 사용된 기판을 나타낸 평면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 발광소자의 제조방법에서 사용된 분리방법의 실시예를 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 발광소자의 제조방법의 제1 실시예를 나타낸 도면이다.
도 3f는 본 발명의 발광소자의 제조방법의 제4 실시예를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 발광소자의 제조방법의 제5 실시예를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 발광소자의 제조방법의 제6 실시예를 나타낸 도면이다.
도 6a, 도 6b는 본 발명의 발광소자의 제조방법의 일 실시예에서 사용된 기판의 실제 측정 및 분포 상황을 나타낸 도면이고, 도 6a의 부분은 발광 강도에 따라 제1 영역 및 제2 영역으로 구분된 것을 예시했고, 도 6b의 부분은 주파장에 따라 제1 영역 및 제2 영역으로 구분된 것을 예시했다.
도 7a 및 도 7b는 종래의 어레이형 발광 다이오드 소자를 나타낸 도면이다.
도 1은 본 발명의 발광소자의 제조방법의 일 실시예에서 사용된 기판을 나타낸 평면도이며, 기판(101) 상에는 복수의 반도체 적층 블록, 예를 들어 반도체 적층 블록(131, 132, 133, 134 및 135)들이 있으며, 이들 반도체 적층 블록은 반도체 적층(미도시)이 패턴화를 거쳐 형성된 것이며, 패턴화는 일반적으로 포토레지스트를 피복하고 노광 현상한 다음 식각하는 제조 공정을 가리킨다. 패턴화를 거치면 복수의 분리 트렌치(104v, 104h)가 형성되고, 반도체 적층은 분리 트렌치(104v, 104h)에 의해 상기 복수의 반도체 적층 블록으로 분리된다. 다만, 패턴화 방법은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 레이저로 반도체 적층을 직접 절단하는 기타 방법도 하나의 실시예이다. 참고로, 상기 반도체 적층은 기판(101) 상에서 성장할 수 있다. 다시 말하면, 기판(101)은 반도체 적층의 성장 기판일 수 있다. 또한, 반도체 적층은 다른 성장 기판에 형성된 후, 전사 기술을 통해 상기 기판(101) 상으로 전사될 수도 있으며, 이 경우, 반도체 적층(또는 반도체 적층 블록)과 기판(101) 사이에 접착층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 전사 기술은 당업자의 공지 상식이므로 설명을 생략한다.
참고로, 본 실시예에서 상기 복수의 반도체 적층 블록은 광학적 특성 또는 전기적 특성 상, 상이하기 때문에, 측정 단계를 실행하여 각 반도체 적층 블록의 광학적 특성값 또는 전기적 특성값을 측정할 수 있으며, 또한 광학적 특성값 또는 전기적 특성값의 차이 예정값에 따라 이들 반도체 적층 블록을 기판(101) 상에서 제1 영역 및 제2 영역으로 구분할 수 있다. 광학적 특성값은 예를 들어 발광 강도 또는 파장이고, 파장은 주파장(dominant wave length) 또는 피크 파장(peak wave length)일 수 있으며, 전기적 특성값은 예를 들어 순방향 전압(forward voltage)이다. 본 실시예에서, 각 반도체 적층 블록의 발광 강도를 측정한 후, 발광 강도 차이 예정값에 따라, 이들 반도체 적층 블록을 기판(101) 상에서 제1 영역 및 제2 영역으로 구분한다. 본 실시예에서, 발광 강도 차이 예정값은 3% 이상이고, 이에 따라 구분하면 제1 영역은 대략 원형으로, 도면에서 원형의 구분 경계선(103) 내의 원형 영역과 같으며, 제2 영역은 대략 상기 제1 영역을 에워싸는 고리 모양으로, 도면에서 원형의 구분 경계선(103) 외곽의 고리 모양 내의 영역과 같다. 제1 영역에 위치하는 반도체 적층 블록의 발광 강도 분포가 서로 비슷하고, 제2 영역에 위치하는 반도체 적층 블록의 발광 강도 분포가 서로 비슷하다. 본 실시예에서, 제1 영역에 위치하는 반도체 적층 블록[예를 들면, 반도체 적층 블록(131, 132 및 133)]의 평균 발광 강도는 4400mcd이고, 이 영역 내의 반도체 적층 블록의 발광 강도의 기준 차이값은 약 0.5~1.5mcd이고, 제2 영역에 위치하는 반도체 적층 블록[예를 들면, 반도체 적층 블록(134 및 135)]의 평균 발광 강도는 4000mcd이고, 이 영역 내의 반도체 적층 블록의 발광 강도의 기준 차이값은 약 0.5~1.5mcd이고; 제1 영역과 제2 영역 내의 반도체 적층 블록의 발광 강도 차이는 약 10%[(4400-4000)/4000=10%]로서, 3% 이상이다.
발광 강도 외에, 기타 실시예에서 제1 영역 및 제2 영역을 구분하기 위한 광학적 특성이 다르면 피크 파장 또는 주파장의 차이가 1nm 이상일 수 있고, 전기적 특성이 다르면 순방향 전압(forward voltage)의 차이가 2% 이상인 것을 포함할 수 있다. 도 6a, 도 6b는 실제 측정 결과를 나타낸 분포도이고, 도 6a의 부분은 발광 강도(Iv)의 측정 결과에 따라 구분하는 것을 예시했고, 발광 강도 차이 예정값에 따라 제1 영역 및 제2 영역으로 구분했으며, 본 실시예에서 발광 강도 차이의 차이 예정값은 3% 이상이다. 도 6a의 부분에 도시된 바와 같이, 각 반도체 적층 블록에서 측정된 발광 강도는 색상(도면에서 그레이 스케일임)으로 표시되고, 각 색상(도면에서 그레이 스케일임)이 의미하는 발광 강도값은 도면 아래에 나타낸 발광 강도값과 색상(도면에서 그레이 스케일임)의 대조관계를 참고할 수 있으며, 도면에서 점선으로 표시된 영역과 같이, 구분된 제1 영역은 주로 발광 강도 130mcd를 의미하는 적색(도면에서 그레이 스케일임)과 발광 강도 129mcd를 의미하는 등황색(도면에서 그레이 스케일임)으로 구성되고, 발광 강도 124mcd를 의미하는 녹색(도면에서 그레이 스케일임)의 반도체 적층 블록은 소량만 포함되고, 이 제1 영역은 대략 원형이고, 평균 발광 강도는 약 129mcd이며, 제2 영역은 대략 상기 제1 영역을 에워싸는 고리 모양이고, 주로 발광 강도 124mcd를 의미하는 녹색(도면에서 그레이 스케일임)의 반도체 적층 블록으로 구성되고, 발광 강도 130mcd를 의미하는 적색(도면에서 그레이 스케일임)과 발광 강도 129mcd를 의미하는 등황색(도면에서 그레이 스케일임)은 소량만 포함되고, 이 제2 영역의 평균 발광 강도는 약 124mcd임을 알 수 있다. 즉, 제1 영역의 반도체 적층 블록은 발광 강도 평균값이 제2 영역에 위치하는 반도체 적층 블록의 발광 강도 평균값보다 크며, 그 차이는 약 4%[(129-124)/124=4%]로서, 3% 이상이다. 도 6b의 부분은 주파장(WLD)의 측정 결과에 따라 구분하는 것을 예시했고, 주파장(WLD) 차이 예정값에 따라 제1 영역 및 제2 영역으로 구분했으며, 본 실시예에서 주파장 차이 예정값은 1nm 이상이고, 도 6b의 부분에 도시된 바와 같이, 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되고, 제1 영역(도면에서 점선으로 표시된 바와 같음)은 대략 원형이고, 평균 주파장은 약 685nm이고, 제2 영역은 대략 상기 제1 영역을 에워싸는 고리 모양이고, 평균 주파장은 약 683nm이고, 제1 영역의 반도체 적층 블록의 주파장 평균값은 제2 영역에 위치하는 반도체 적층 블록의 주파장 평균값보다 크며, 그 차이는 2nm로서, 주파장 차이 예정값인 1nm보다 크다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 발광소자의 제조방법에서 사용된 분리방법의 실시예를 나타낸 도면이다. 상기 도 1에서 설명한 바와 같이, 도 2a에서 기판(201)은 그 위의 반도체 적층(202)을 포함하고, 이 반도체 적층(202)은 제1 전기적 반도체층(202a), 제1 전기적 반도체층(202a) 상에 위치하는 발광층(202b) 및 발광층(202b) 상에 위치하는 제2 전기적 반도체층(202c)을 포함한다. 제1 전기적 반도체층(202a)과 제2 전기적 반도체층(202c)은 전기적 특성이 상이하다. 예를 들면, 제1 전기적 반도체층(202a)은 n형 반도체층이고, 제2 전기적 반도체층(202c)은 p형 반도체층이다. 제1 전기적 반도체층(202a), 발광층(202b) 및 제2 전기적 반도체층(202c)은 Ⅲ-V족 재질, 예를 들어 인화알루미늄갈륨인듐(AlGaInP)계 재질 또는 질화알루미늄갈륨인듐(AlGaInN)계 재질로 형성된다. 도 2b에서, 상기 패턴화 단계를 실시하면, 폭이 d인 분리 트렌치(212)가 형성되어 반도체 적층(202)을 복수의 반도체 적층 블록(231, 232, 233, 234 및 235)으로 분리하고, 이들은 각각 도 1에서의 반도체 적층 블록(131, 132, 133, 134 및 135)에 대응되며, 또한 각각 도 1에서 설명한 발광 강도를 가지고 각각 상기 제1 영역 및 제2 영역에 위치한다. 즉, 반도체 적층 블록(231, 232 및 233)은 상기 도 1에서의 제1 영역에 위치하고 발광 강도가 4400mcd이며, 반도체 적층 블록(234 및 235)은 상기 도 1에서의 제2 영역에 위치하고 발광 강도가 4000mcd이며, 반도체 적층 블록(231, 232 및 233)과 반도체 적층 블록(234 및 235)은 발광 강도에 있어서 차이가 3%보다 크다. 이어서, 분리 단계의 실행에 유리하도록, 분리 대상 반도체 적층 블록에 제1 희생층(211)을 형성하고, 본 실시예에서 분리 대상 반도체 적층 블록은 반도체 적층 블록(232 및 234)이다. 상기 제1 희생층(211)의 형성은, 먼저 전체 기판(201) 상에 제1 희생층(211) 재료를 전면 형성한 다음, 포토리소그래피 공정을 통해 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)에 상기 제1 희생층(211)을 형성한다. 참고로, 당업자라면 공정 순서에 있어서 먼저 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)의 위치에 상기 제1 희생층(211)을 형성한 다음, 별도의 포토리소그래피 공정을 통해 상술한 반도체 적층(202)을 복수의 반도체 적층 블록(231, 232, 233, 234 및 235)으로 패턴화하는 단계를 완성할 수 있음을 알 수 있다. 도 2c에서, 실행되는 분리 단계는, 제1 희생층(211)이 제1 임시 기판(221)과 접합되도록 제1 임시 기판(221)을 제공하는 단계; 그 다음, 도 2d에 도시된 바와 같이 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)과 기판(201)을 분리하는 단계를 포함한다. 상기 단계를 실시할 때, 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)과 기판(201)의 계면에 레이저(241)를 조사하여, 반도체 적층 블록(232 및 234)과 기판(201)의 분리를 도울 수 있다. 또한, 반도체 적층(202)을 별도의 성장 기판에 형성한 후, 전사 기술을 통해 기판(201) 상에 전사할 수도 있으며, 이 경우, 반도체 적층(202)을 기판(201)으로 전사할 때, 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)의 위치에 먼저 기판(201)과의 사이의 희생층(미도시)을 선택적으로 형성할 수도 있으며, 상기 희생층은 자체 재질이 취약하거나 또는 기판(201)과의 접합성이 약하다. 이에 따라, 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)과 기판(201)의 분리 시, 분리 대상 반도체 적층 블록(232 및 234)와 기판(201)이 쉽게 분리될 수 있게 한다.
도 2e는 분리 단계를 실행하면, 반도체 적층 블록(232 및 234)은 기판(201)과 분리되고, 기판(201)에는 나머지 반도체 적층 블록(231, 233 및 235)이 잔류하는 것을 보여준다. 참고로, 제1 임시 기판(221) 및 그 위의 반도체 적층 블록(232 및 234), 또는 기판(201) 및 그 위의 반도체 적층 블록(231, 233 및 235)은 모두 하기 본 발명의 발광소자의 제조방법의 실시예에 사용될 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 발광소자의 제조방법의 제1 실시예를 나타낸 도면이다. 먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 영구 기판(301)을 제공하고, 상기 영구 기판(301)은 적어도 제1 표면(301P1), 제2 표면(301P2)을 구비하고, 본 실시예에서, 영구 기판(301)은 제3 표면(301P3)을 더 구비한다. 도면에 도시된 바와 같이, 제1 표면(301P1)과 제2 표면(301P2)은 비동일 평면이다. 일 실시예에서, 상기 비동일 평면은 원래 하나의 평면인 표면을 구비한 영구 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 실시하여 상기 비동일 평면인 제1 표면(301P1) 및 제2 표면(301P2)을 형성한 것이다. 영구 기판(301)의 재질은 예를 들어 유리, 사파이어(A1203), 또는 규소(Si)다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 도 2e의 반도체 적층 블록(234)을 영구 기판(301)의 제1 표면(301P1)에 접합한다. 예를 들면, 영구 기판(301)의 재질이 사파이어일 경우, 적당한 가온, 가압을 거쳐, 반도체 적층 블록(234)이 직접 영구 기판(301)에 접합될 수 있게 할 수 있으며, 예를 들어 온도는 약 300℃~420℃이고, 압력은 약 11000Kgf~14000Kgf이다. 상기 접합은 선택적으로 접합층(312B1)을 통해 접합하는 것일 수도 있다. 예를 들면, 영구 기판(301)의 재질이 사파이어 기판일 경우, 이산화규소를 접합층(312B1)으로 선택할 수 있다. 그 다음, 반도체 적층 블록(234)과 제1 임시 기판(221)을 분리하고; 이 단계를 실시할 때, 반도체 적층 블록(234)과 제1 희생층(211)의 계면에 레이저를 조사하여(미도시), 반도체 적층 블록(234)와 제1 희생층(211)의 분리를 도울 수 있다.
이어서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 반도체 적층 블록(232)을 영구 기판(301)의 제2 표면(301P2)에 접합한다. 이 접합은 대체적으로 상기 반도체 적층 블록(234)의 접합과 유사하므로 설명을 생략한다.
상기 도 2a에서의 설명과 같이, 일 실시예에서 반도체 적층 블록(231, 232, 233, 234 및 235)는 도 1에서의 반도체 적층 블록(131, 132, 133, 134 및 135)에 대응하고, 각각 도 1에서 설명한 발광 강도를 갖는다. 즉, 반도체 적층 블록(231, 232 및 233)은 상기 도 1에서의 제1 영역에 위치하고 평균 발광 강도는 4400mcd이며, 반도체 적층 블록(234 및 235)는 상기 도 1에서의 제2 영역에 위치하고 평균 발광 강도는 4000mcd이며, 반도체 적층 블록(231, 232 및 233)과 반도체 적층 블록(234 및 235)는 발광 강도에 있어서 차이가 3%보다 크다. 상기 실시예의 제조방법에 의해 생산된 발광소자는, 원래 광학적 특성 또는 전기적 특성 상에서 비교적 큰 차이가 있는 두 영역에 위치하던 복수의 반도체 적층 블록을 재분배 및 조합할 수 있다. 예를 들어, 선행기술에 기재된 방법에 따르면, 반도체 적층 블록(132)과 반도체 적층 블록(133)은 위치가 근접하고 대체적으로 동일한 영역에 위치함(도 1 및 도 2b 참고)으로 인해 후속 제조 공정에서 소자(A)로 조합될 수 있고, 마찬가지로 반도체 적층 블록(134)과 반도체 적층 블록(135)은 위치가 근접하고 대체적으로 동일한 영역에 위치함(도 1 및 도 2b 참고)으로 인해 후속 제조 공정에서 별도의 소자(B)로 조합될 수 있다. 이에 따라, 소자(A)는 평균 발광 강도가 4400mcd인 2개의 반도체 적층 블록을 포함하게 되고, 소자(B)는 평균 발광 강도가 4000mcd인 2개의 반도체 적층 블록을 포함하게 되어, 두 소자의 발광의 강도 균일성이 좋지 않게 된다. 그러나, 상기 실시예의 제조방법에 의해 생산된 발광소자는, 예를 들어 도 3c에서 제1 표면(301P1)에는 원래 도 1에서 평균 발광 강도가 4000mcd인 제2 영역에 위치하던 반도체 적층 블록(234)이 있고; 제2 표면(301P2)에는 원래 도 1에서 평균 발광 강도가 4400mcd인 제1 영역에 위치하던 반도체 적층 블록(232)이 있다. 따라서, 원래 광학적 특성(예를 들어 본 실시예의 발광 강도) 또는 전기적 특성 상에서 비교적 큰 차이가 있는 두 영역에 위치하던 복수의 반도체 적층 블록은 재분배 및 조합된다. 마찬가지로, 상기 실시예의 제조방법을 통해, 원래 도 1에서 평균 발광 강도가 4000mcd인 제2 영역에 위치하던 반도체 적층 블록(235) 및 원래 도 1에서 평균 발광 강도가 4400mcd인 제1 영역에 위치하던 반도체 적층 블록(233)을 포함하는 별도의 소자를 얻을 수도 있다. 따라서, 상기 두 소자는 소자 간의 발광 강도 균일성이 비교적 좋다.
또한, 반도체 적층 블록(234 및 232)은 영구 기판(301)에 접합됨으로써, 각각 비동일 평면인 제1 표면(301P1)과 제2 표면(301P2)에 위치하므로, 각각의 반도체 적층 블록 간에 방출 광선을 서로 흡수하는 것을 줄여, 소자로 하여금 전체적 휘도가 좋아지게 한다.
상술한 바와 같은 접합 방법에 의해, 도 3d에 도시된 바와 같이 영구 기판(301)의 제3 표면(301P3)에 별도의 반도체 적층 블록(23X)을 접합할 수 있다. 반도체 적층 블록(23X)에 대해서는 특별히 한정하지 않으며, 당업자라면 상술한 바와 같이 반도체 적층 블록을 재분배 및 조합하여 생산되는 각 소자의 소자 간 광학적 특성 또는 전기적 특성 상의 균일성이 좋아지게 하는 것이 관건임을 알 수 있다. 이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피 공정으로 각 반도체 적층 블록을 부분적으로 식각하여 각 반도체 적층 블록이 제1 전기적 반도체층(202a)까지 노출되게 하고, 유전체층(320)을 각 반도체 적층 블록의 측벽에 형성하고, 마지막으로 금속선 형성 단계를 실시하여 금속선(330)을 각 반도체 적층 블록 사이에 형성함으로써, 각 반도체 적층 블록이 전기적으로 연결되게 하고, 그 전기적 연결 관계는 직렬 또는 병렬일 수 있다. 도 3e에 도시된 바와 같이, 금속선(330)은 각 반도체 적층 블록을 전기적으로 연결하여 직렬 관계를 형성한다.
본 실시예에서는 영구 기판(301)에 접합되는 두 반도체 적층 블록이 모두 도 2e에서 기판(201)과 분리된 반도체 적층 블록인 것을 예시했으나, 당업자라면 이에 한정되지 않음을 알 수 있다. 예를 들어 도 2e에서는 반도체 적층 블록(231, 233 및 235)가 기판(201) 상에 잔류하나, 제2 실시예에서는 기판(201) 상에 잔류하는 반도체 적층 블록들이 영구 기판(301)에 접합될 수도 있다. 이 경우는 대체적으로 도 3b 내지 도 3e에 도시된 바와 같으며, 단지 도면에서 제1 임시 기판(221) 및 그 위의 반도체 적층 블록이 상응하게 기판(201) 및 그 위의 반도체 적층 블록(231, 233 및 235)으로 바뀌는 것이므로, 도면에 중복하여 도시하지 않는다. 따라서, 이러한 경우, 접합 단계에서는 기판(201)을 영구 기판(301)과 맞춤 접합하여, 반도체 적층 블록(231, 233, 또는 235)이 접합하고자 하는 표면에 접합되도록 하고; 기판(201)과 영구 기판(301)이 떨어져 있게 하고, 접합된 반도체 적층 블록과 기판(201)을 분리시킨다. 또는 제3 실시예에서 이러한 기판(201) 상에 잔류하는 반도체 적층 블록(231, 233 및 235)은 제1 실시예와 같이 먼저 기판(201)으로부터 분리된 다음 영구 기판(301)에 접합될 수 있으며, 이 경우 접합 단계에서는 반도체 적층 블록(231, 233, 또는 235)을 제2 임시 기판에 접합하여 반도체 적층 블록(231, 233, 또는 235)을 기판(201)과 분리시킨 다음, 제2 임시 기판을 영구 기판(301)과 맞춤 접합하여, 반도체 적층 블록(231, 233, 또는 235)이 접합하고자 하는 표면에 접합되도록 하고; 제2 임시 기판과 영구 기판(301)이 떨어져 있게 하고, 접합된 반도체 적층 블록과 제2 임시 기판을 분리시킨다.
참고로, 제1 실시예는 영구 기판(301)의 제1 표면(301P1) 상의 반도체 적층 블록[즉 반도체 적층 블록(234)]과 제2 표면(301P2) 상의 반도체 적층 블록[즉 반도체 적층 블록(232)]이 동일한 반도체 적층(202)으로부터 분리된 것을 예시했으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 기타 실시예에서 제1 표면(301P1) 상의 반도체 적층 블록과 제2 표면(301P2) 상의 반도체 적층 블록은 상이한 반도체 적층으로부터 분리된 것일 수 있으며, 예를 들어 제1 표면(301P1) 상의 반도체 적층 블록은 반도체 적층 블록(234)이고, 제2 표면(301P2) 상의 반도체 적층 블록은 또 다른 기판의 반도체 적층으로부터 분리된 것일 수 있다. 또는 동일한 반도체 적층으로부터 분리된 것이나, 각각 상술한 바와 같이 제1 임시 기판(221) 또는 기판(201) 또는 제2 임시 기판을 통해 영구 기판(301)에 접합될 수도 있다.
도 3f는 본 발명의 제4 실시예를 보여주며, 본 실시예는 대체적으로 제1 실시예와 같으나, 제1 실시예에서의 영구 기판(301)은 본 실시예에서 영구 기판(301')으로 바뀌었다. 영구 기판(301)이 비동일 평면인 제1 표면(301P1), 제2 표면(301P2) 및 제3 표면(301P3)을 구비하는 것에 대해, 본 실시예의 영구 기판(301')의 제1 표면(301'P1), 제2 표면(301'P2) 및 제3 표면(301'P3)은 동일 평면이나, 각 반도체 적층 블록이 영구 기판(301')에 접합될 때, 상이한 두께의 접합층을 통해 각 반도체 적층 블록이 비동일 평면이 되도록 하는 효과를 달성한다. 즉, 예를 들면 반도체 적층 블록(234)은 제1 접합층(312'Bl)에 의해 제1 표면(301'P1)에 접합되고, 반도체 적층 블록(232)은 제2 접합층(312'B2)에 의해 제2 표면(301'P2)에 접합되고, 반도체 적층 블록(234)과 반도체 적층 블록(232)이 비동일 평면이 되도록 제1 접합층(312'Bl)과 제2 접합층(312'B2)의 두께가 상이하다.
참고로, 제1 실시예에서 도 1과 같이 광학적 특성값 또는 전기적 특성값이 상이함으로 인해 기판 상에서 복수의 영역으로 구분되는 복수의 반도체 적층 블록을 사용하여 접합할 수 있다고 설명했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 4는 본 발명의 제5 실시예를 보여주며, 본 실시예는 반도체 적층 블록이 광학적 특성 또는 전기적 특성 상에서 도 1과 같이 기판에서 상이한 영역으로 구분되지 않는 것을 나타냈으나, 동일한 기판 상에 위치하는 복수의 반도체 적층 블록의 경우, 여전히 광학적 특성값 또는 전기적 특성값의 측정 결과에 따라, 이들 복수의 반도체 적층 블록을 일반 규격 영역, 낮은 규격 영역, 높은 규격 영역으로 분류할 수 있으며, 광학적 특성값 또는 전기적 특성값은 높은 규격 영역에서 일반 규격 영역보다 크고, 일반 규격 영역에서 낮은 규격 영역보다 크다. 도 4를 예로 들면, 기판 상의 복수의 반도체 적층 블록에 대해 발광 강도를 측정한 결과에 있어서, 각 반도체 적층 블록의 기판 상에서의 위치 및 발광 강도는 측정 후 장치에 저장될 수 있다. 도면에서 수평축은 발광 강도이고, 수직축은 각 발광 강도에 대응되는 반도체 적층 블록의 수량이다. 도면에 도시된 바와 같이, a 결과 영역은 낮은 규격 영역으로, 그 발광 강도 평균값은 대략 700mcd이고; b 결과 영역은 일반 규격 영역으로, 그 발광 강도 평균값은 대략 900mcd이고; c 결과 영역은 높은 규격 영역으로, 그 발광 강도 평균값은 대략 1200mcd이다. 도 2와 같은 분리방법 및 도 3과 같은 접합방법을 이용하여, 장치에 저장된 각 반도체 적층 블록의 위치 및 발광 강도의 데이터에 따라서, 적당한 반도체 적층 블록을 선택하여 도 3a와 같은 영구 기판(301)에 접합함으로써, 반도체 적층 블록의 재분배를 달성할 수 있다. 도 4의 우측에 도시된 바와 같이, 소자 상에 5개의 반도체 적층 블록이 설계되어 있을 경우, 재분배의 결과, 일반 규격 영역(발광 강도 평균값은 대략은 900mcd임)에 속하는 5개의 반도체 적층 블록을 선택하여 도 3a와 같은 영구 기판(301)에 접합하여, 소자(C)를 형성할 수 있고; 낮은 규격 영역(발광 강도 평균값은 대략은 700mcd임)에 속하는 3개의 반도체 적층 블록을 선택하여 도 3a와 같은 영구 기판(301)에 접합하고, 높은 규격 영역(발광 강도 평균값은 대략은 1200mcd임)에 속하는 2개의 반도체 적층 블록을 선택하여 동일한 영구 기판(301)에 접합하여, 별도의 소자(D)를 형성할 수 있다. 이에 따라, 기판의 상이한 위치 영역의 반도체 적층 블록은 광학적 특성 또는 전기적 특성 상에서 비교적 큰 차이가 있으며, 예를 들어 본 실시예에서 발광 강도가 높은 것은, 그 값이 높은 규격 영역의 1200mcd까지 높아질 수 있고, 발광 강도가 낮은 것은, 그 값이 낮은 규격 영역의 700mcd까지 낮아질 수 있으나, 본 실시예의 반도체 적층 블록에 대한 재분배를 거치면, 생산되는 각 소자는 소자 간의 균일성이 개선 및 조절되고, 소자(C)와 소자(D)의 발광 강도는 모두 대략 4500mcd이다. 또한, 제1 실시예에서 언급된 바와 같이, 반도체 적층 블록은 영구 기판(301)에 접합되는 것을 통해, 각각 비동일 평면인 상이한 표면에 위치하므로, 각각의 반도체 적층 블록 간에 방출 광선을 서로 흡수하는 것을 줄여, 소자로 하여금 전체적 휘도가 좋아지게 할 수 있다.
참고로, 상기 각 실시예에서, 광학적 특성값 또는 전기적 특성값은 분리 단계 전에, 실제로 각 기판의 반도체 적층 블록에 대해 전부 또는 선택적으로 측정을 실행하여 얻을 수 있으며; 제조 공정이 안정적일 경우, 이러한 광학적 특성값 또는 전기적 특성값은 일정 수량의 통계를 거치면, 미리 결정되는 통계값을 얻을 수도 있다. 예를 들면, 도 1의 경우에 대해, 제조 공정이 안정적인 경우, 일정 수량의 통계 후 제1 영역과 제2 영역의 경계 위치를 확정할 수 있다. 즉, 제1 영역의 반경의 예정값 및 두 영역에 대응되는 광학적 특성값 또는 전기적 특성값을 얻으며, 제조 과정에서 각 기판에 대해 일일이 측정할 필요가 없다.
제1 실시예의 도 3e에 대한 설명에서 언급한 바와 같이, 영구 기판(301)에 접합되는 반도체 적층 블록은 상이한 반도체 적층으로부터 분리된 것일 수 있다. 예를 들면, 제1 표면(301P1) 상의 반도체 적층 블록과 제2 표면(301P2) 상의 반도체 적층 블록은 상이한 기판의 반도체 적층으로부터 분리된 것일 수 있다. 이러한 응용은 발광소자의 연색성을 증진시키도록, 즉 발광소자의 CRI 값을 향상시키도록 추가적으로 응용될 수 있으며, 그 응용은 도 5에 도시된 본 발명의 제6 실시예와 같다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 영구 기판(501)에 각각 2개의 반도체 적층 블록(501a 및 501b)이 접합되고, 그 접합 방법은 대체적으로 도 3의 제1 실시예와 같으나, 2개의 반도체 적층 블록(501a 및 501b)은 상이한 기판의 반도체 적층으로부터 분리된다. 예를 들면, 반도체 적층 블록(501a)은 약 620nm 내지 645nm의 발광 주파장을 갖는 반도체 적층으로부터 분리되고, 반도체 적층 블록(501b)은 약 595nm 내지 620nm의 발광 주파장을 갖는 반도체 적층으로부터 분리된다. 즉, 2개의 반도체 적층 블록(501a 및 501b)은 상이한 기판으로부터 분리되고, 반도체 적층 블록(501a)은 적색 주파장의 빛을 방출할 수 있고, 반도체 적층 블록(501b)은 등황색 주파장의 빛을 방출할 수 있다. 이에 따라, 두 반도체 적층 블록이 영구 기판(501)에 접합되면, 하나의 발광소자(500a)를 형성하여, 통상의 온백색 광원에서의 적색 또는 등황색의 단일 반도체 적층만 구비한 칩을 대체할 수 있다. 즉, 상기 발광소자(500a)는 청색 및 YAG 형광체와의 조합에 사용될 수 있으며, 형성된 온백색 광원은 2개의 반도체 적층 블록(501a 및 501b)의 상이한 주파장의 빛을 가지므로, 단일 반도체 적층만을 구비한 칩으로 형성된 온백색 광원보다 좋은 연색성을 갖게 된다.
또는, 도 5b에 도시된 바와 같이, 영구 기판(501)에 상술한 바와 같이 2개의 반도체 적층 블록(502a 및 502b)을 각각 접합하는 것 외에도, 청색 광원을 제공하기 위한 반도체 적층 블록(502c)을 직접 영구 기판(501)에 접합할 수 있으며, 이에 따라 발광소자(500b)는 직접 온백색 광원을 형성하고, 그 중 3개의 반도체 적층 블록(501a, 501b 및 501c)은 상이한 기판의 반도체 적층으로부터 분리된다. 예를 들면, 반도체 적층 블록(501a)은 약 620nm 내지 645nm의 발광 주파장을 갖는 반도체 적층으로부터 분리되고, 반도체 적층 블록(501b)은 약 595nm 내지 620nm의 발광 주파장을 갖는 반도체 적층으로부터 분리되고, 반도체 적층 블록(501c)은 약 440nm 내지 460nm의 발광 주파장을 갖는 반도체 적층으로부터 분리된다. 즉, 3개의 반도체 적층 블록(501a, 501b 및 501c)은 상이한 기판으로부터 분리되고, 반도체 적층 블록(501a)은 적색 주파장의 빛을 방출할 수 있고, 반도체 적층 블록(501b)은 등황색 주파장의 빛을 방출할 수 있으며, 반도체 적층 블록(501c)은 청색 주파장의 빛을 방출할 수 있다.
또는 추가적으로 도 5c에 도시된 바와 같이, 영구 기판(501)에 상술한 바와 같이 3개의 반도체 적층 블록(503a, 503b 및 503c)을 각각 접합하는 것 외에도, 제4의 반도체 적층 블록(503d)을 더 접합할 수 있으며, 4개의 반도체 적층 블록(501a, 501b, 501c 및 501d)은 상이한 기판의 반도체 적층으로부터 분리되고, 반도체 적층 블록(501a, 501b 및 501c)의 색상 및 파장은 도 5b에 도시된 바와 같고, 반도체 적층 블록(503d)은 약 510nm 내지 530nm의 발광 주파장을 가지며, 녹색 주파장의 빛을 방출할 수 있다. 상기 녹색 주파장의 빛을 방출하는 반도체 적층(503d)을 추가했으므로, 발광소자(500c)로 형성되는 온백색 광원의 CRI 값은 도 5b에 도시된 발광소자(500b)보다 더 높고, 연색성이 더 좋다.
상기 실시예들은 본 발명의 원리 및 그 효과를 예시적으로 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 당업자는 본 발명의 기술적 원리 및 정신을 벗어나지 않는 전제에서 상기 실시예를 수정 및 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리보호범위는 후속 청구범위에 기재된 바와 같다.
1: 종래의 어레이어형 발광 다이오드 소자
10: 기판
101: 기판
103: 구분 경계선
104v, 104h: 분리 트렌치
12: 발광 다이오드 유닛
121: p형 반도체층
122: 발광층
123: n형 반도체층
131, 132, 133, 134 및 135: 반도체 적층 블록
14: 트렌치
16: 제2 전극
18: 제1 전극
19: 도전 배선 구조
201: 기판
202: 반도체 적층
202a: 제1 도전성 반도체층
202b: 발광층
202c: 제2 도전성 반도체층
d: 분리 트렌치 폭
211: 제1 희생층
212: 분리 트렌치
221: 제1 임시 기판
231, 232, 233, 234 및 235: 반도체 적층 블록
23X: 반도체 적층 블록
241: 레이저
301: 영구 기판
301P1: 제1 표면
301P2: 제2 표면
301P3: 제3 표면
312B1, 312B2, 312B3: 접합층
320: 유전체층
330: 금속선
301': 영구 기판
301'P1: 제1 표면
301'P2: 제2 표면
301'P3: 제3 표면
312'Bl: 제1 접합층
312'B2: 제2 접합층
312'B3: 제3 접합층
500a, 500b 및 500c: 발광소자
501: 영구 기판
501a, 501b, 501c 및 501d: 반도체 적층 블록

Claims (20)

  1. 제1 기판을 제공하는 단계;
    반도체 적층을 상기 제1 기판 상에 제공하되, 그중 상기 반도체 적층은 제1 전기적 반도체층, 상기 제1 전기적 반도체층 상에 위치하는 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전기적 반도체층을 포함하고, 또한 상기 반도체 적층은 복수 개의 반도체 적층 블록을 포함하고, 그중 상기 복수 개의 반도체 적층은 서로 분리되고 또한 제1 반도체 적층 블록 및 제2 반도체 적층 블록을 포함하는 상기 반도체 적층을 제공하는 단계;
    분리 단계를 실행하여 상기 제1 반도체 적층 블록과 상기 제1 기판을 분리하되, 상기 제1 기판에 상기 제2 반도체 적층 블록이 잔류하도록 분리하는 단계;
    제1 표면, 제2 표면, 및 상기 제1 표면 상의 제3 반도체 적층 블록을 구비하는 영구 기판을 제공하는 단계; 및
    접합 단계를 실행하여 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록을 상기 영구 기판의 상기 제2 표면 상에 접합하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 제3 반도체 적층 블록은 상기 제1 기판에서 분리되고, 또한 상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록과 상기 제3 반도체 적층 블록은 광학적 특성값의 차이 또는 전기적 특성값의 차이가 있는,
    발광소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록과 상기 제3 반도체 적층 블록의 주파장 차이는 1nm 이상, 또는 순방향 전압(forward voltage) 차이는 2% 이상, 또는 발광 강도 차이가 3% 이상인, 발광소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    제1 분리단계를 더 포함하고, 상기 제1 분리단계는,
    제1 희생층을 상기 제3 반도체 적층 블록 상에 형성하는 단계;
    임시 기판을 제공하는 단계;
    상기 임시 기판과 상기 제1 희생층을 접합하는 단계; 및
    상기 제1 기판에서 상기 제3 반도체 적층 블록을 분리하는 단계를 포함하는, 발광소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    제1 분리단계를 더 포함하고, 상기 제1 분리단계는,
    상기 제3 반도체 적층 블록이 상기 제1 표면 상에 접합되도록 상기 제1 기판과 상기 영구 기판을 맞춤 결합하는 단계; 및
    상기 기판에서 상기 제3 반도체 적층 블록을 분리하는 단계를 포함하는, 발광소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접합 단계는,
    상기 제2 반도체 적층 블록이 상기 제2 표면 상에 접합되도록 상기 제1 기판과 상기 영구 기판을 맞춤 결합하는 단계; 및
    상기 제1 기판에서 상기 제2 반도체 적층 블록을 분리하는 단계를 포함하는, 발광소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분리 단계는,
    희생층을 상기 제1 반도체 적층 블록 상에 형성하는 단계;
    임시 기판을 제공하는 단계;
    상기 임시 기판과 상기 희생층을 접합하는 단계; 및
    상기 제1 기판에서 상기 제1 반도체 적층 블록을 분리하는 단계를 포함하는, 발광소자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면 및 상기 제1 표면은 비동일 평면(非共平面)인, 발광소자의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면 및 상기 제2 표면이 비동일 평면을 형성하도록 상기 영구 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는, 발광소자의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 반도체 적층 블록은 상기 제1 기판 상에서 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되고, 상기 제1 영역은 대략 원형이고, 상기 제2 영역은 대략 상기 제1 영역을 에워싸는 고리 모양이고, 또한 상기 제1 영역에 위치하는 상기 반도체 적층 블록과 상기 제2 영역에 위치하는 상기 반도체 적층 블록은 서로 다른 광학적 특성값 또는 전기적 특성값을 구비하는, 발광소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록은 상기 제1 영역에서 분리되고, 또한 상기 제3 반도체 적층 블록은 상기 제2 영역에 분리되는, 발광소자의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록은 상기 제3 반도체 적층 블록과 전기적으로 직렬 또는 전기적으로 병렬 연결되는, 발광소자의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 반도체 적층 블록을 일반 규격 영역, 낮은 규격 영역 및 높은 규격 영역으로 구분하는 단계를 더 포함하고, 그중 광학적 특성값 또는 전기적 특성값은 상기 높은 규격 영역이 상기 일반 규격 영역보다 크고, 상기 일반 규격 영역이 상기 낮은 규격 영역보다 큰, 발광소자의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제3 반도체 적층 블록은 상기 높은 규격 영역 또는 상기 낮은 규격 영역 중의 하나로부터 선택되고, 상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록은 상기 높은 규격 영역 또는 상기 낮은 규격 영역 중의 하나로부터 선택되며 상기 제3 반도체 적층 블록의 종류와 다른, 발광소자의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제3 반도체 적층 블록은 제1 접합층을 통해 상기 제1 표면에 접합되고, 또한 상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록은 상기 제2 접합층을 통해 상기 제2 표면에 접합되고, 또한 상기 제1 접합층과 상기 제2 접합층은 서로 상이한 두께를 갖는, 발광소자의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록과 상기 제3 반도체 적층 블록 사이의 상기 영구 기판 상에 제1 거리를 구비하고, 상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록과 상기 제3 반도체 적층 블록 사이의 상기 제1 기판 상에 제2 거리를 구비하고, 상기 제1 거리와 제2 거리는 다른, 발광소자의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 거리는 상기 제2 거리보다 작은, 발광소자의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 분리 단계를 먼저 진행하고, 그 다음 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록을 상기 제2 표면 상에 접합하는, 발광소자의 제조방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제3 반도체 적층 블록 상에 금속 구조체를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 영구 기판의 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록 상에 접합되는, 발광소자의 제조방법.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 영구 기판에 접합되는 상기 제1 반도체 적층 블록 또는 상기 제2 반도체 적층 블록은 상기 영구 기판에서 멀어지는 제1 상단면을 구비하고, 상기 제3 반도체 적층 블록은 상기 영구 기판에서 멀어지는 제2 상단면을 구비하고, 또한 상기 제1 상단면과 상기 제2 상단면은 비동일 평면인, 발광소자의 제조방법.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 영구 기판은 제3 표면을 더 포함하고, 상기 반도체 적층 블록은 상기 제3 표면에 접합되고, 또한 상기 반도체 적층 블록은 상기 제1 기판 상의 상기 반도체 적층에서 기원된 것이 아닌, 발광소자의 제조방법.
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