DE102011053274A1 - Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents
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Abstract
Eine Licht emittierende Vorrichtung mit: einem Träger (218, 318), einer auf dem Träger (218, 318) ausgebildeten Licht emittierenden Struktur (208, 308), wobei die Licht emittierende Struktur (208, 308) eine dem Träger (218, 318) zugewandte erste Oberfläche, eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche, und eine aktive Schicht (204, 304) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; mehreren ersten Gräben (210, 310), die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204, 304) reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten (212, 312) definiert sind; und mehreren zweiten Gräben (220, 320), die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204, 304) von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212, 312) reicht.
Description
- Technisches Gebiet
- Die Anmeldung betrifft eine Licht emittierende Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
- Querverweis zu verwandten Anmeldungen
- Diese Anmeldung ist eine Teilfortsetzungsanmeldung der US-Patentanmeldung 61/380,258 mit dem Titel „Licht emittierende Vorrichtung”, die am 6. September 2010 eingereicht wurde, und deren gesamter Offenbarungsgehalt hier durch Bezugnahme enthalten ist.
- Hintergrund des Standes der Technik
- Die theoretischen Grundlagen und der Aufbau der Licht emittierenden Diode (LED) unterscheidet sich von dem der konventionellen Lichtquellen. Die LED bietet Vorteile wie ein geringer Leistungsverlust, eine lange Lebensdauer, keine Notwendigkeit von Aufwärmphasen und eine schnelle Reaktionszeit. Darüber hinaus ist sie klein, stoßunempfindlich, geeignet zur Massenproduktion und hochgradig kompatibel mit der Anforderung für Anwendungen, die ein winziges oder matrixartiges Element benötigen, so sind LEDs auf dem Markt breit angenommen. Zum Beispiel können LEDs in optischen Anzeigevorrichtungen, Laserdioden, Verkehrsampeln, Datenspeichervorrichtungen, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsvorrichtungen, medizinischen Vorrichtungen und so weiter verwendet werden.
- Wie in der
1 gezeigt, umfasst eine konventionelle Licht emittierende Matrix: ein isolierendes Saphirsubstrat10 ; mehrere Licht emittierende Stapel12 , die auf dem isolierenden Saphirsubstrat10 ausgebildet sind und eine p-Typ Halbleiterschicht121 , eine aktive Schicht122 und eine n-Typ Halbleiterschicht123 aufweisen. Da das Saphirsubstrat10 isolierend ist, können die Licht emittierenden Stapel voneinander isoliert werden, indem Gräben zwischen ihnen durch einen Ätzprozess ausgebildet werden. Weiterhin wird nach dem räumlich begrenzten Ätzen der mehreren Licht emittierenden Stapel12 bis zur n-Typ Halbleiterschicht123 eine erste Elektrode18 auf dem freigelegten Bereich der n-Typ Halbleiterschicht123 ausgebildet, und eine zweite Elektrode16 wird auf der p-Typ Halbleiterschicht121 ausgebildet. Dann werden Metalldrähte19 bereitgestellt, um selektiv die erste Elektrode18 und die zweite Elektrode16 zu kontaktieren, um die mehreren Licht emittierenden Stapel12 in paralleler oder serieller Anordnung zu kontaktieren. - Zusammenfassung der Erfindung
- Eine Licht emittierende Vorrichtung umfasst: einen Träger; eine auf dem Träger ausgebildete Licht emittierende Struktur, wobei die Licht emittierende Struktur eine dem Träger zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; mehrere erste Gräben, die sich von der ersten Oberfläche aus erstrecken, und durch die aktive Schicht hindurch reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten definiert sind; und mehrere zweite Gräben, die sich von der zweiten Oberfläche aus erstrecken und durch die aktive Schicht von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten reichen.
- Eine Licht emittierende Vorrichtung umfasst: einen Träger; eine auf dem Träger ausgebildete Licht emittierende Struktur, wobei die Licht emittierende Struktur eine dem Träger zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; mehrere erste Gräben, die sich von der ersten Oberfläche aus erstrecken und durch die aktive Schicht hindurch reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten definiert sind; und mehrere zweite Gräben, die sich von der zweiten Oberfläche von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten erstrecken, wobei jede der mehreren zweiten Gräben teilweise den Boden des ersten Grabens freilegt.
- Ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden einer Licht emittierenden Struktur auf dem Substrat, wobei die Licht emittierende Struktur eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf dem Substrat aufweist; und Definieren von mehreren Licht emittierenden Einheiten durch Ausbilden von mehreren ersten Gräben, die sich von der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur erstrecken; Abtragen des Substrats, um die zweite Oberfläche freizulegen; und Ausbilden von mehreren zweiten Gräben von der zweiten Oberfläche.
- Kurze Beschreibung der Figuren
-
1 ist eine Schnittzeichnung einer konventionellen Licht emittierenden Vorrichtung. -
2A bis2H veranschaulichen eine erste Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Licht emittierenden Elements einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung. -
3 ist eine dreidimensionale Ansicht eines Licht emittierenden Elements der ersten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung. -
4A ist eine Schnittzeichnung eines Licht emittierenden Elements einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung. -
4B zeigt eine dreidimensionale Ansicht eines Licht emittierenden Elements gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung. - Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
- Die
2A bis2H veranschaulichen ein Verfahren zum Ausbilden einer Licht emittierenden Diodenstruktur gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung. Unter Bezugnahme auf die2A wird ein Substrat201 bereitgestellt. Das Material des Substrats201 kann ein transparentes Material oder ein elektrisch isolierendes Material, wie Saphir, Diamant, Glas, Polymer, Epoxid, Quarz, Acryl, ZnO oder AlN, sein. Das Substrat201 kann auch ein stark reflektierendes Material, wie Cu, Al, Mo, Cu-Sn, Cu-Zn, Cu-Cd, Ni-Sn, Ni-Co, eine Goldlegierung, oder hochthermisch dissipative Materialien, wie diamantartiger Kohlenstoff (DLC), Graphit, Kohlenstofffasern, Verbundwerkstoffe, Metallmatrixverbundwerkstoffe (MMC), Keramikmatrixverbundwerkstoffe (CMC), Polymermatrixverbundwerkstoffe (PMC), Si, IP, ZnSe, GaAs, SiC, GaP, GaAsP, ZnSe, InP, LiGaO2 oder LiAlO2, sein. Dann werden eine erste Halbleiterschicht202 , die eine epitaktische Schicht einer ersten Leitfähigkeit ist, eine aktive Schicht204 , und eine zweite Halbleiterschicht206 , die eine epitaktische Schicht einer zweiten Leitfähigkeit ist, auf dem Substrat201 ausgebildet. Die erste Halbleiterschicht202 , die aktive Schicht204 und die zweite Halbleiterschicht206 bilden eine Licht emittierende Struktur208 aus, die eine freiliegenden erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche direkt auf dem Substrat201 aufweist. Das Material der ersten Halbleiterschicht202 und der zweiten Halbleiterschicht206 umfasst einen indiumhaltigen Nitridhalbleiter, einen aluminiumhaltigen Nitridhalbleiter oder einen galliumhaltigen Nitridhalbleiter. Das Material der aktiven Schicht204 umfasst GaN-basierende Materialien, wie Indiumgalliumnitrid, Indiumgalliumaluminiumphosphid, Aluminiumgalliumnitrid, Aluminiumgalliumarsenid oder Indiumgalliumarsenid. - Unter Bezugnahme auf die
2B wird ein Strukturierungsprozess räumlich begrenzt durchgeführt, um die zweite Halbleiterschicht206 und die aktive Schicht204 wegzuätzen, bis mindestens die Oberfläche der ersten Halbleiterschicht202 freiliegt oder Teile der ersten Halbleiterschicht202 abgetragen sind, so wird der erste Graben210 von der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht206 bis zur ersten Halbleiterschicht202 ausgebildet, um mehrere Licht emittierende Einheiten212 zu definieren. Das Strukturieren wird durch ein Verfahren wie Fotolithografie, Ätzen und/oder ICP Schneiden durchgeführt. - Dann wird ein Bedecken der Oberflächen der zweiten Halbleiterschicht
206 und der Oberflächen des ersten Grabens210 durch Abscheiden einer isolierenden Schicht214 , wie in2C gezeigt, durchgeführt, wobei Teile der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht202 und Teile der Oberfläche der zweiten Hableiterschicht206 freigelegt werden. Die freigelegten Bereiche, wie die ersten Verbindungsbereiche, die der ersten Halbleiterschicht202 entsprechen, und die zweiten Verbindungsteile, die der zweiten Halbleiterschicht206 entsprechen, werden verwendet, um nachher die elektrischen Verbindungsteile zu sein. Außerdem wird die isolierende Schicht214 aus einem dielektrischen Material, wie Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder die Kombinationen daraus, hergestellt. - Unter Bezugnahme auf die
2D wird eine leitende Struktur216 auf den freigelegten Verbindungsteilen ausgebildet, um die erste Halbleiterschicht202 einer Licht emittierenden Einheit212 und die zweite Halbleiterschicht206 einer anderen Licht emittierenden Einheit212 elektrisch zu verbinden, wobei die Halbleiterschichten in mehrere Licht emittierende Dioden in den folgenden Schritten unterteilt sind und die unterteilten Dioden über die vorbestimmten Verbindungsteile elektrisch verbunden sind. Eine Kontaktstelle217 kann auf der zweiten Halbleiterschicht206 ausgebildet werden bevor, die leitenden Strukturen216 ausgebildet werden, und die leitenden Strukturen216 kontaktieren, um die elektrische Leitfähigkeit zwischen den leitenden Strukturen216 und der zweiten Halbleiterschicht206 zu erhöhen. - Unter Bezugnahme auf
2E wird die Licht emittierende Struktur208 mit einem Träger218 mittels einer Klebeschicht223 verbunden. Die Klebeschicht223 kann den Träger218 und die Licht emittierende Struktur208 anhaftend verbinden. Die Klebeschicht223 weist ein am Träger218 befestigtes Unterteil223a und mehrere hervorstehende Bereiche223b , die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben210 entsprechen, auf. In einer Ausführungsform kann die Klebeschicht223 ein organisch isolierendes Material, wie Polyimid, BCB, PFCB, Su8, Epoxid, Acrylharz, COC, PMMA, PET, PC, Polyetherimid, Fluorkohlenstoff Polymer, sein; in einer anderen Ausführungsform kann die Klebeschicht ein anorganisch isolierendes Material, wie Silikon, Glas, MgO, Al2O3, SiOx, TiO2, SiNx, SOG, sein. Die Klebeschicht223 kann auch ein leitendes Material, wie ITO, InO, SnO, CTO, ATO, AZO, ZTO, ZnO, AlGaAs, GaN, GaP, GaAs, GaAsP, IZO, Ta2O5, DLC, Cu, Al, In, Sn, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Ni, Pb, Pd, Ge, Ni, Cr, Cd, Co, Mn, Sb, Bi, Ga, TI, Po, Ir, Re, Rh, Os, W, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zr, Mo, La, Ag-Ti, Cu-Sn, Cu-Zn, Cu-Cd, Sn-Pb-Sb, Sn-Pb-Zn, Ni-Sn, Ni-Co, oder Goldlegierung und so weiter, sein. Das Material des Trägers218 kann ein transparentes Material oder ein elektrisch isolierendes Material, wie Saphir, Diamant, Glas, Polymer, Epoxid, Quarz, Acryl, ZnO oder AlN, sein. Der Träger218 kann auch ein stark reflektierendes Material, wie Cu, Al, Mo, Cu-Sn, Cu-Zn, Cu-Cd, Ni-Sn, Ni-Co, Goldlegierung, oder ein hochthermisch dissipatives Material, wie diamantartiger Kohlenstoff (DLC), Graphit, Kohlenstofffasern, Verbundwerkstoffe, Metallmatrixverbundwerkstoffe (MMC), Keramikmatrixverbundwerkstoffe (CMC), Polymermatrixverbundwerkstoffe (PMC), Si, IP, ZnSe, GaAs, SiC, GaP, GaAsP, InP, LiGaO2 oder LiAlO2, sein. - Dann wird das Wachstumssubstrat
201 der Licht emittierenden Struktur208 , wie in der2F gezeigt, durch ein Verfahren wie Polieren, Laserlift-off und/oder Ätzen entfernt. - Wie in der
2G gezeigt, wird ein zweiter Strukturierungsschritt durchgeführt, um die Licht emittierende Struktur208 in etliche Licht emittierende Einheiten212 durch Ausbilden des zweiten Grabens220 zu unterteilen. Die erste Halbleiterschicht202 und die aktive Schicht204 werden räumlich begrenzt abgetragen, um die Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht206 freizulegen oder räumlich begrenzt die zweite Halbleiterschicht206 abzutragen. Gleichermaßen wird der Abtrennungsschritt durch ein Verfahren, wie Fotolithografie, Ätzen und/oder ICP Sägen, durchgeführt. Einer der zweiten Gräben220 kann für die später ausgebildete Bonding-Fläche ausgebildet werden. - Abschließend werden, wie in der
2H gezeigt, ähnlich zu den vorherigen Schritten die inneren Seitenwände der zweiten Gräben220 durch Abscheiden der isolierenden Schicht222 bedeckt. Dann wird eine leitende Struktur224 in einem der zweiten Gräben221 ausgebildet, um eine Bonding-Fläche226 zur weiteren Verbindung der zweiten Halbleiterschicht206 von einer Licht emittierenden212 in der Licht emittierenden Struktur208 mit einer anderen Licht emittierenden Struktur auszubilden. Zusätzlich, falls kein Bedarf besteht eine andere Licht emittierende Struktur zu kontaktieren, können die zweiten Gräben220 mit der isolierenden Schicht222 aufgefüllt werden. Außerdem können die mit der zweiten Halbleiterschicht206 elektrisch verbundene erste Bonding-Fläche226 und die auf der ersten Halbleiterschicht202 ausgebildete zweite Bonding-Fläche227 im gleichen Schritt oder in verschiedenen Schritten ausgebildet werden, während die leitenden Strukturen224 ausgebildet werden. - Unter Bezugnahme auf die
3 umfasst die Licht emittierenden Vorrichtung200 der ersten Ausführungsform mehrere Licht emittierenden Einheiten212 , die durch die ersten Gräben210 , die zweiten Gräben220 und mehrere dritten Gräben230 unterteilt ist. In dem Prozess der Unterteilung der vorher genannten Licht emittierenden Strukturen separieren die ersten Gräben210 und die zweiten Gräben220 die Licht emittierende Struktur in einer ersten Richtung d1, und die dritten Gräben230 unterteilen die Licht emittierende Struktur in einer zweiten Richtung d2 senkrecht zu der ersten Richtung. Entgegen den ersten Gräben210 und den zweiten Graben220 separieren die dritten Gräben230 die Licht emittierende Struktur vollständig, und die Licht emittierende Vorrichtung200 weist viele Verbindungen auf, die jeweils durch die Licht emittierenden Einheiten212 entlang der zweiten Dimension d2 verbunden sind. Allerdings können in anderen Ausführungsformen die dritten Gräben230 durch eine Grabenstruktur ähnlich zu der der ersten Gräben und der zweiten Gräben ausgetauscht werden. Entsprechend der vorherigen Beschreibung sind die ersten Bonding-Flächen226 und die zweiten Bonding-Flächen227 mit verschiedenen Polaritäten der Halbleiterschichten verbunden, so dass die erste Bonding-Fläche227 und eine der zweiten Bondingfläche226 auf gängige Art mit einer Stromversorgung verbunden werden können. - Unter Bezugnahme auf die
4A umfasst eine Licht emittierende Vorrichtung300 : einen Träger318 ; eine auf dem Träger318 ausgebildete Licht emittierende Struktur308 , wobei die Licht emittierende Struktur308 eine erste Halbleiterschicht302 , eine zweite Halbleiterschicht306 und eine aktive Schicht304 zwischen der ersten Halbleiterschicht302 und der zweiten Halbleiterschicht306 aufweist; mehrere erste Gräben310 , die durch räumlich begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht306 und der aktiven Schicht304 ausgebildet sind, um die erste Halbleiterschicht302 freizulegen; mehrere zweite Gräben320 , die durch räumlich begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht302 ausgebildet werden, um räumlich begrenztes den Boden der ersten Gräben310 freizulegen; ein Loch330 , das von einer Seite der Licht emittierenden Struktur308 ausgebildet ist und durch die erste Halbleiterschicht302 und die aktive Schicht304 reicht. Das Loch330 umfasst eine isolierende Schicht322 auf dessen Seitenwand, und eine leitende Struktur324 kann in das Loch330 gefüllt werden, und dabei den Boden des Lochs330 kontaktieren, wobei die leitende Struktur324 von der Seitenwand des Lochs330 durch die isolierende Schicht322 isoliert ist. Die Licht emittierende Vorrichtung300 kann eine erste Bonding-Fläche, die die leitende Struktur324 kontaktiert, und eine zweite Bonding-Fläche327 auf der ersten Halbleiterschicht302 von einer der Licht emittierenden Einheiten312 aufweisen. Die erste Bonding-Fläche326 und die zweite Bonding-Fläche327 können gleichzeitig ausgebildet werden. Die erste Bonding-Fläche326 kann auch eine Erweiterung der leitenden Struktur324 sein und das gleiche Material aufweisen. In einer anderen Ausführungsform kann das Material der ersten Bonding-Fläche326 unterschiedlich von dem der leitenden Struktur324 sein. - Unter Bezugnahme auf die
4B wird die Licht emittierende Struktur308 in mehrere Licht emittierende Einheiten312 durch die ersten Gräben310 und die zweiten Gräben320 in Richtung 1, und durch die ersten Gräben310 und die zweiten Gräben320' in einer Richtung 2 geteilt. Die Licht emittierende Einheit312 mit den ersten Bonding-Flächen326 kann in einer Wechselstromschaltung zur Gleichrichtung, zum Beispiel in einer Wheatstone-Brückenschaltung, verwendet werden. Die Licht emittierende Einheit312 mit den ersten Bonding-Flächen326 kann zwei Gleichrichtungsschaltungen, die auf gängige Art mit der gängigen Schaltung der Wheatstone-Brückenschaltung verbunden ist, darstellen. - Obwohl die vorliegende Anmeldung wie oben beschrieben erklärt wurde, ist sie nicht auf die Reichweite, die Abfolge in der Praxis, die Materialien in der Praxis, oder das Verfahren in der Praxis beschränkt. Alle Abänderungen oder Ausgestaltungen der vorliegenden Anmeldung sind nicht losgelöst von dem Geiste und der Reichweite derselben.
Claims (20)
- Eine Licht emittierende Vorrichtung mit: – einem Träger (
218 ,318 ); – einer auf dem Träger (218 ,318 ) ausgebildeten Licht emittierenden Struktur (208 ,308 ), wobei die Licht emittierende Struktur (208 ,308 ) eine dem Träger (218 ,318 ) zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht (204 ,304 ) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; – mehreren ersten Gräben (210 ,310 ), die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204 ,304 ) hindurch reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten (212 ,312 ) definiert sind; und – mehrere zweite Graben (220 ,320 ), die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204 ,304 ) von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) erstrecken. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin mit einer Klebeschicht (
223 ), die zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) und dem Träger (218 ,318 ) ausgebildet ist. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Klebeschicht (
223 ) ein an dem Träger (218 ,318 ) angeordnete Unterteil (223a ) und mehrere hervorstehende Bereiche (223b ), die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben (210 ) entsprechen, umfasst. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, ferner mit einer isolierenden Schicht (
214 ), die zwischen der Klebeschicht (223 ) und den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) angeordnet ist. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 4, ferner mit einer leitenden Struktur (
216 ), die zwischen der isolierenden Schicht (214 ) und der Klebeschicht (223 ) angeordnet ist, um die mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) elektrisch zu verbinden. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei jede der Licht emittierenden Einheiten (
212 ,312 ) eine erste Halbleiterschicht (201 ,302 ) und eine zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) umfasst, und die leitende Struktur (216 ) die erste Halbleiterschicht (206 ,306 ) von einer der Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) mit der zweiten Halbleiterschicht (206 ) einer anderen Licht emittierenden Einheit (212 ,312 ) verbindet. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 6, ferner mit einer Kontaktstelle (
217 ), die auf der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Einheit (212 ,312 ) ausgebildet ist und die leitende Schicht kontaktiert. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei jede der mehreren zweiten Gräben (
220 ,320 ) eine isolierende Schicht (222 ,322 ) auf deren Seitenwänden aufweist. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, weiterhin mit mindestens einer leitenden Struktur (
224 ), die den zweiten Graben (220 ,320 ) ausfüllt und den Boden des zweiten Grabens (220 ,320 ) kontaktiert, wobei die leitende Struktur (224 ) von den Seitenflächen der Licht emittierenden Einheit (212 ,312 ) durch die isolierende Schicht (222 ) isoliert ist. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei jede der Licht emittierenden Einheiten (
212 ,312 ) eine erste Halbleiterschicht (202 ,302 ) zwischen dem Träger (218 ,318 ) und einer Seite der aktiven Schicht (204 ,304 ) und eine zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) auf dir anderen Seite der aktiven Schicht aufweist. - Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei der erste Graben (
210 ,310 ) sich von der ersten Halbleiterschicht (202 ,302 ) bis zur zweiten Halbleiterschicht (206 ,306 ) erstreckt und die zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) freilegt, und der zweite Graben (210 ,310 ) durch die zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) reicht und die ersten Halbleiterschicht (202 ,302 ) freilegt. - Ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung mit den Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (
201 ); – Ausbilden einer Licht emittierenden Struktur (208 ,308 ) auf dem Substrat (201 ), wobei die Licht emittierende Struktur (208 ,308 ) eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf dem Substrat (201 ) aufweist; und – Definieren von mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) durch Ausbilden von mehreren ersten Gräben (210 ,310 ), die sich von der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur (208 ,308 ) erstrecken; – Abtragen des Substrats (201 ), um die zweite Oberfläche freizulegen; und – Ausbilden von mehreren zweiten Gräben (220 ,320 ) von der zweiten Oberfläche. - Das Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 12, ferner mit Anbringen eines Trägers (
218 ,318 ) auf die erste Oberfläche der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) vor dem Abtragen des Substrats (201 ). - Das Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 13, ferner mit dem Ausbilden einer dielektrischen Schicht (
214 ) auf der Seitenwand von jedem der ersten Gräben (210 ,310 ) und entsprechendes Ausbilden von mehreren leitenden Bahnen auf den dielektrischen Schichten (214 ), die zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) verbunden sind, vor dem Anbringen des Trägers (218 ,318 ). - Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 13, ferner mit dem Ausbilden einer Klebeschicht (
223 ) zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212 ,312 ) und dem Träger (218 ,318 ). - Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 12, ferner mit dein Füllen einer isolierenden Schicht in die mehreren zweiten Gräben nach dem Ausbilden der mehreren zweiten Gräben.
- Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 12, ferner mit dem Ausbilden einer in die zweiten Gräben (
220 ,320 ) gefüllten leitenden Struktur (224 ), wobei die leitende Struktur (224 ) von der Seitenfläche der Licht emittierenden Einheit (212 ,312 ) durch die isolierende Schicht (222 ,322 ) isoliert ist, und den Boden des zweiten Grabens (220 ,320 ) kontaktiert. - Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Licht emittierende Struktur (
208 ,308 ) eine auf dem Substrat (201 ) ausgebildete erste Halbleiterschicht (202 ,302 ), eine auf der ersten Halbleiterschicht (202 ,302 ) ausgebildete aktive Schicht (204 ,3024 ) und eine auf der aktiven Schicht (204 ,304 ) ausgebildete zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) aufweist, und jeder der ersten Gräben (210 ,310 ) durch räumliche begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht (206 ,306 ) und der aktiven Schicht (204 ,304 ) ausgebildet wird, um die erste Halbleiterschicht (202 ,302 ) freizulegen, und jeder der zweiten Gräben (220 ,320 ) durch räumliche begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht (202 ,302 ) und der aktiven Schicht (204 ,304 ) ausgebildet wird, um die zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) freizulegen. - Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Licht emittierende Struktur (
208 ,308 ) eine auf dem Substrat (201 ) ausgebildete erste Halbleiterschicht (202 ,302 ), eine auf der ersten Halbleiterschicht (202 ,302 ) ausgebildete aktive Schicht (204 ,304 ) und eine auf der aktiven Schicht (204 ,304 ) ausgebildete zweite Halbleiterschicht (206 ,306 ) aufweist, und jeder der ersten Gräben (210 ,310 ) durch räumlich begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht (206 ,306 ) und der aktiven Schicht (204 ,304 ) ausgebildet wird, um die erste Halbleiterschicht (202 ,302 ) freizulegen, und jeder der zweiten Gräben (220 ,320 ) durch räumlich begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht (202 ,302 ) ausgebildet wird, um räumlich begrenzt den Boden des ersten Grabens (210 ,310 ) freizulegen. - Eine Licht emittierende Vorrichtung mit – einem Träger (
218 ,318 ); – einer auf dem Träger (218 ,318 ) ausgebildeten Licht emittierenden Struktur (208 ,308 ), wobei die Licht emittierende Struktur (208 ,308 ) eine dem Träger (218 ,318 ) zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht (204 ,304 ) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; – mehreren ersten Gräben (210 ,310 ), die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204 ,304 ) hindurch reichen; und – mehrere zweite Gräben (220 ,320 ), die sich von der zweiten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur (208 ,308 ) erstrecken, wobei jeder der mehreren zweiten Gräben (220 ,320 ) räumlich begrenzt den Boden des ersten Grabens (210 ,310 ) freilegt.
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